JP2019160632A - 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機ＥＬ表示装置において、リーク電流による不具合を抑制する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置であって、基板と、前記基板上に位置する複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、隣接する前記下部電極間に配置され、前記複数の画素を区画するバンクと、前記下部電極上および前記バンク上に配置される有機材料層と、前記有機材料層上に配置される上部電極と、前記上部電極上に配置される光吸収層を有し、前記光吸収層において、平面視で前記バンクに重なる部分に前記有機材料層から発せられた光を吸収する吸収部が形成されている。【選択図】図３
Description
本発明は、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置は、基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）などが形成された表示パネルを有する。ＯＬＥＤは、一対の電極間に有機材料層を備える。有機材料層は、例えば、ホール輸送層、発光層、電子輸送層等が積層されて構成される。このような有機材料層は、代表的には、画素を区画するために予め設けられた凸状のバンクで囲まれた領域に形成される。例えば、下記特許文献１では、有機材料層を画素毎に形成（塗り分け）しているが、高精細化された場合や発光効率を上げるために上記バンクの開口率を高くした場合、塗り分けの制御が難しいという問題がある。その一方で、例えば、ホール輸送層等の導電性の材料を複数の画素間で共通に設けると、隣接する画素間でリーク電流が流れてしまうという問題がある。具体的には、リーク電流により本来発光すべきでない隣接の画素が発光し、コントラストや色純度の低下を招くという問題がある。このような問題は、高精細化や駆動電圧の低減化（例えば、高移動度材料の採用）が進むほど、顕著に発生し得る。
上記のような問題に対し、例えば、下記特許文献２では、バンク上の有機材料層に分断領域を形成して、隣接する画素間のキャリアの移動を阻止することが提案されている。
ところで、上記リーク電流は、隣接する画素を発光させるだけでなく、例えば、上記バンク上においても発光を生じさせていると考えられる。
本発明は、上記に鑑み、リーク電流による不具合が抑制された有機ＥＬ表示装置の提供を目的とする。
本発明の１つの局面によれば、有機ＥＬ表示装置が提供される。本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、前記基板上に位置する複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、隣接する前記下部電極間に配置され、前記複数の画素を区画するバンクと、前記下部電極上および前記バンク上に配置される有機材料層と、前記有機材料層上に配置される上部電極と、前記上部電極上に配置される光吸収層を有し、前記光吸収層において、平面視で前記バンクに重なる部分に前記有機材料層から発せられた光を吸収する吸収部が形成されている。
本発明の別の局面によれば、表示装置の製造方法が提供される。本発明に係る表示装置の製造方法は、基板上に、複数の画素毎に対応する下部電極を形成することと、前記基板上の隣接する前記下部電極間に、複数の前記画素を区画するバンクを形成することと、前記下部電極および前記バンクの上に有機材料層を形成することと、前記有機材料層の上に上部電極を形成することと、前記上部電極の上に光照射で吸収能を持つ材料を含む層を形成することと、前記光照射で吸収能を持つ材料を含む層に対して、平面視で前記バンクに重なる部分に選択的に光を照射することと、を含む。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基板上にＴＦＴやＯＬＥＤなどの構造が積層されて構成された表示パネルを有する。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバ集積回路（ＩＣ）４８が搭載されたり、ＦＰＣ５０が接続されたりする。フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
図３は、図２のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル４０は、基板７０の上にＴＦＴ７２などからなる回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。基板７０は、例えば、ガラス板、樹脂膜（例えば、ポリイミド系樹脂などの樹脂を含む樹脂膜）で構成される。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基板７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。
表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基板７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に接続することができる。
図３に示すように、基板７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基板７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基板７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。
ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、樹脂材料で形成される。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮｙ等の無機絶縁材料で形成される。
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基板７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極１００は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の透明金属酸化物、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。
上記構造上には、画素を分離するバンク１１２が配置されている。バンク１１２は、各画素に対応して設けられた下部電極１００を電気的に分離するものであり、下部電極１００の周縁を上面からから側面にかけて覆うように形成されている。バンク１１２は、代表的には、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂等の樹脂材料で形成される。バンク１１２の側面は下部電極１００側（外側）に向かうにつれて基板７０側に傾斜する斜面を有している。
例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にバンク１１２を形成し、バンク１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。有機材料層１０２（後述の発光層１０３を除く場合がある）および上部電極１０４は、各画素間で共通に設けられ、下部電極１００の上面だけでなくバンク１１２の上にも設けられている。
有機材料層１０２は、代表的には、複数の層を含む。具体的には、有機材料層１０２は、アノード側から順に、ホール輸送層、発光層および電子輸送層を積層して形成されている。また、有機材料層１０２は、その他の層を含み得る。その他の層としては、例えば、アノードと発光層との間に配置されるホール注入層や電子ブロック層、カソードと発光層との間に配置される電子注入層やホールブロック層が挙げられる。上部電極１０４は、透過性導電膜で構成される。透過性導電膜は、例えば、ＭｇとＡｇの極薄合金や、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明金属酸化物で形成される。
上部電極１０４上には、封止層１０６が配置されている。封止層１０６は、例えば、ＯＬＥＤ６を水分等から保護する保護層として機能し得るため、表示領域４２の全体を覆うように形成される。封止層１０６は、第１封止膜１６１、封止平坦化膜１６０および第２封止膜１６２をこの順で含む積層構造を有している。第１封止膜１６１および第２封止膜１６２は、無機材料（例えば、上記無機絶縁材料）で形成される。具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜１６０は、有機材料（例えば、硬化性樹脂組成物等の樹脂材料）を用いて形成される。
図示しないが、例えば、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域４２の表面には保護膜が配置される。具体的には、封止層１０６の上に接着層を介してシート状あるいはフィルム状の保護膜を貼り合わせる。この場合、部品実装領域４６では、ＩＣやＦＰＣを接続し易くするため、通常、保護膜は設けない。ＦＰＣ５０の配線やドライバＩＣ４８の端子は、例えば、配線１１６に電気的に接続される。また、図示しないが、後述の光吸収層１０８の吸収部１０９を形成する際に照射される光の波長を吸収可能な保護シートが、表示パネル４０の表示領域４２に配置され得る。例えば、光吸収層１０８の画素領域に対向する領域に吸収部１０９が形成されるのを防止するためである。
上部電極１０４と封止層１０６との間には、光吸収層１０８が配置されている。光吸収層１０８は、例えば、複数の画素に跨って、表示領域４２の全体を覆うように形成される。光吸収層１０８には、平面視でバンク１１２に重なる部分に有機材料層１０２から発せられた光を吸収する吸収部１０９が形成されており、平面視でバンク１１２の開口部に重なる部分では有機材料層１０２から発せられた光を透過する。即ち、吸収部１０９の光透過率は、光吸収層１０８の吸収部１０９以外の部分の光透過率よりも小さい。このような光吸収層１０８を配置させることで、バンク１１２上の発光が選択的に吸収され、表示特性（例えば、正面色度、視覚特性）の向上に寄与し得る。また、バンク１１２上での外光反射を抑制し得、表示領域４２に偏光板を積層しない場合に有利である。光吸収層１０８の厚みは、例えば、０．５μｍ以上５μｍ以下であることが望ましい。吸収部１０９の吸収波長は、例えば、可視光領域（例えば、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）の範囲内である。好ましい実施形態においては、吸収部１０９は、実質的に可視光領域全域を吸収する。別の実施形態においては、視感度の観点から、吸収部１０９は、緑色（例えば、５００ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲内）の波長の一部または全部を吸収する。
図４は、図３に示す表示パネルのバンク付近の一例の拡大断面図であり、図３に示す表示パネル４０の積層構造のうち、基板７０上の下地層８０からパッシベーション膜９８までの積層構造を上部構造層１１４として簡略化して示し、封止層１０６は省略している。
有機材料層１０２は、例えば、下部電極（アノード）１００およびバンク１１２上に、ホール注入層１０２ａ、ホール輸送層１０２ｂおよび電子ブロック層１０２ｃをこの順で、複数の画素間で共通に設け、電子ブロック層１０２ｃ上に、各画素の色に対応した発光層１０３を各画素領域に設け、発光層１０３を覆うように、ホールブロック層１０２ｄ、電子輸送層１０２ｅおよび電子注入層１０２ｆをこの順で、複数の画素間で共通に設け、形成される。ここで、有機材料層１０２を構成する各層の厚みは、各画素において同じであってもよいし、異なっていてもよい。
上記バンク１１２上の発光は、図４に示すように、バンク１１２上に発光層１０３が存在する場合に生じ得る。具体的には、アノード１００からホールが有機材料層１０２に注入され、カソード１０４から電子が有機材料層１０２に注入され、発光層１０３においてホールと電子とが再結合して発光層１０３が発光するが、バンク１１２上に発光層１０３が存在すると、バンク１１２上においても発光し得る。バンク１１２上の発光は、比較的弱いが（例えば、顕微鏡観察では確認されず、顕微分光で確認可能なレベルであるが）、発光効率や表示特性に影響し得る。上述のように、平面視でバンク１１２に重なる部分に有機材料層１０２から発せられた光を吸収する吸収部１０９を備える光吸収層１０８を配置させることで、バンク１１２上の発光が吸収され得る。
光吸収層１０８は、例えば、光照射で吸収能を持つ材料（例えば、スピロピラン類、アゾベンゼン類、ジアリールエテン類、フルギド類、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体などのフォトクロミック材料、メラニン）を含み、吸収部１０９は当該材料が光照射により吸収能を具備した状態である。
図５は、実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程例を示す図である。具体的には、図５は、光照射により吸収部１０９を形成する工程を示している。図５に示すように、上部電極１０４上に、光照射で吸収能を持つ材料を含む層（光吸収層の前駆体ともいう）１０７を、例えば、蒸着法やスピンコート法により形成する。その後、平面視でバンク１１２の開口部に重なる部分に、マスク材１２０を配置する。マスク材１２０は、例えば、平面視でバンク１１２に重なる部分に開口部が形成されている。
光照射で吸収能を持つ材料を含む層１０７の上に、マスク材１２０が配置された状態で、マスク１２０の上側（バンク１１２が配置されていない側）から光を照射する。照射する光の波長は、光照射で吸収能を持つ材料に応じて決定され得るが、例えば、紫外光領域（例えば、２５０ｎｍ〜３６０ｎｍ）の範囲内である。こうして、平面視でバンク１１２に重なる部分に選択的に光が照射され、吸収部１０９が形成された光吸収層１０８が得られる。なお、光照射のタイミングは、光照射で吸収能を持つ材料を含む層を形成後であれば特に限定されないが、光照射は、例えば、表示領域４２に偏光板を積層する前に行う。
図６は、実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程の変形例を示す図である。本変形例では、マスク材１２０を用いずに、レーザー光により平面視でバンク１１２に重なる部分に選択的に光を照射する点が、上記実施形態と異なっている。
図７は、図３に示す表示パネルのバンク付近の変形例の拡大断面図である。上記実施形態では、光吸収層１０８が単層体であるのに対し、本変形例では、光吸収層１０８は、複数の層を含む積層体である。具体的には、光吸収層１０８は、バンク１１２が配置されている側から、第１光吸収層１０８ａ、第２光吸収層１０８ｂおよび第３光吸収層１０８ｃをこの順で含み、いずれの層も平面視でバンク１１２に重なる部分に、それぞれ、吸収部１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃが形成されている。各層の吸収部１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃの吸収波長は同じであってもよいし、異なっていてもよい。１つの実施形態においては、各層の吸収部１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃは、それぞれ異なる波長の光を吸収し、光吸収層１０８（吸収部１０９）全体として、実質的に可視光領域全域を吸収する。
図７に示すように、光吸収層１０８が複数の層を含む場合、各層１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃの吸収部１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃは、各層ごとに形成してもよいし、複数層を積層した後に一括して形成してもよい。光吸収層１０８を構成する各層が異なる材料で形成される場合、吸収部１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃは、各層ごとに形成するのが好ましい。具体的には、第１光吸収層１０８ａの前駆体を形成して光照射により吸収部１０９ａを形成後、第１光吸収層１０８ａ上に第２光吸収層１０８ｂの前駆体を形成し、光照射により吸収部１０９ｂを形成する。その後、第２光吸収層１０８ｂ上に第３光吸収層１０８ｃの前駆体を形成し、光照射により吸収部１０９ｃを形成する。
図８Ａから図８Ｄは、バンクと吸収部との位置関係を説明するための図である。なお、図８Ａから図８Ｄにおいては、位置関係をわかりやすくするため、図３に記載した構成要素のうち、下部電極１００、バンク１１２、有機材料層１０２および光吸収層１０８のみを示している。好ましい実施形態では、図８Ａに示すように、吸収部１０９は、バンク１１２の全体を覆い、その端部とバンク１１２の端部が揃って、換言すれば平面視で重なって、バンク１１２の開口部に重ならないように形成される。別の実施形態では、図８Ｂに示すように吸収部１０９は、少なくともバンク１１２の端部（斜面）１１２ａを覆うように形成され、バンク１１２の端部と対向する。そして、バンク１１２の中央部１１２ｂ（詳述すれば、隣接する２つの画素間に位置するバンクの表面、又は上面の中央部）には形成されていない。バンク１１２上の発光はバンク１１２の開口部に近いほど強く、この形態では、発光の強い箇所に選択的に吸収部１０９が形成されている。さらに別の実施形態では、図８Ｃに示すように、吸収部１０９は、少なくともバンク１１２の中央部１１２ｂに覆うように形成され、バンク１１２の端部（斜面）１１２ａには形成されていない。この形態は、例えば、吸収部１０９の形成の困難性は低いという点で好ましい。さらに別の実施形態では、図８Ｄに示すように、吸収部１０９は、バンク１１２の全体を覆い、その端部はバンク１１２の開口部も覆うように形成されている。この形態では、バンク１１２の開口領域（発光領域）が小さくなるが、バンク１１２上の発光を効果的に軽減し得る。
光吸収層１０８は、平面視でバンク１１２に重なる部分において、有機材料層１０２から発せられる光を吸収し得る限り、任意の適切な位置に配置され得る。実用的には、光吸収層１０８は、有機材料層１０２に対して光の出射側に配置される。図４および図７において図示しないが、例えば、発光（光利用）効率を向上させ観点から、キャッピング層（光路調整層、キャップ層ともいう）を設ける場合がある。キャッピング層は、代表的には、上部電極１０４の上方に設けられる層であり、キャッピング層と上部電極１０４との間で光を反射させることで光干渉成分を発生させ、光共振を強め得る層である。キャッピング層は、例えば、波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲の光に対して、屈折率が１．７〜２．４である。この場合、光吸収層１０８は、キャッピング層よりも光の出射側に配置され得る。
図９Ａから図９Ｄは、有機ＥＬ表示装置がキャッピング層を含む場合における各発光素子の層構成を示す模式図である。アノード１００上に、第１の発光素子２０１（例えば、赤色発光素子）、第２の発光素子２０２（例えば、緑色発光素子）および第３の発光素子２０３（例えば、青色発光素子）が形成されている。なお、図９Ａから図９Ｄにおいて、図３に記載した構成要素のうち、アノード１００より下に形成された層は省略している。
上述のとおり、各発光素子２０１，２０２、２０３の有機材料層１０２は、ホール注入層１０２ａ、ホール輸送層１０２ｂ、電子ブロック層１０２ｃ、発光層１０３、ホールブロック層１０２ｄ、電子輸送層１０２ｅおよび電子注入層１０２ｆを含む。図示例では、赤色発光素子２０１および緑色発光素子２０２のホール輸送層１０２ｂは、複数の画素間で共通に設けられる共通層１０２ｂ−１と、赤色発光素子２０１および緑色発光素子２０２にそれぞれに設けられる個別層１０２ｂ−２とを含む。図示例では、個別層１０２ｂ−２の厚みは、画素の色に応じて異なっており、緑色よりも赤色のほうが厚く設定されている。また、図９Ａから図９Ｄでは、青色発光素子２０３の発光層１０３Ｂの厚みは、赤色発光素子２０１の発光層１０３Ｒおよび緑色発光素子２０２の発光層１０３Ｇよりも薄く設定されている。ただし、発光層１０３Ｂ、発光層１０３Ｒ、発光層１０３Ｇの厚みは、図９Ａから図９Ｄに示す構造に限定されず、例えば、発光層１０３Ｂ、発光層１０３Ｒ、発光層１０３Ｇの厚みが実質的に等しい構造にしてもよい。
カソード１０４の上にキャッピング層１３０が設けられている。各発光素子２０１，２０２，２０３のキャッピング層１３０は、カソード１０４側から順に、屈折率が異なる第１のキャッピング層１３１および第２のキャッピング層１３２が積層された積層構造を有している。各キャッピング層１３１，１３２は、発光素子２０１，２０２，２０３に跨って配置されてもよいし、発光素子２０１，２０２，２０３毎に分断して配置されてもよい。発光素子２０１，２０２，２０３のキャッピング層１３０の厚みは、同じであってもよいし、異なっていてもよい（例えば、それぞれの発光素子の色の波長に対応させて設定される）。各キャッピング層１３１，１３２の厚みは、例えば、２０ｎｍ〜１５０ｎｍに設定される。図示例では、第１のキャッピング層１３１の一部は、発光素子２０１，２０２，２０３毎に分断して配置され、第１のキャッピング層１３１の厚みは、青色、緑色、赤色の順に増している。第２のキャッピング層１３２は、発光素子２０１，２０２，２０３に跨って配置されている。なお、図９Ａから図９Ｄにおいては、キャッピング層１３０が第１のキャッピング層１３１と第２のキャッピング層１３２との積層構造を有しているが、キャッピング層１３０は１層で構成されてもよい。１層からなるキャッピング層１３０は、複数の画素に跨って配置されてもよい。
１つの実施形態では、図９Ａに示すように、光吸収層１０８は、キャッピング層１３０と封止層１０６との間に配置される。別の実施形態では、図９Ｂに示すように、光吸収層１０８は、第１封止膜１６１と封止平坦化膜１６０との間に配置される。さらに別の実施形態では、図９Ｃに示すように、光吸収層１０８は、封止平坦化膜１６０と第２封止膜１６２との間に配置されている。さらに別の実施形態では、図９Ｄに示すように、光吸収層１０８は、第２封止膜１６２（封止層１０６）の上に配置されている。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
２ 有機ＥＬ表示装置、４ 画素アレイ部、６ ＯＬＥＤ、８ 画素回路、１０ 点灯ＴＦＴ、１２ 駆動ＴＦＴ、１４ キャパシタ、２０ 走査線駆動回路、２２ 映像線駆動回路、２４ 駆動電源回路、２６ 制御装置、２８ 走査信号線、３０ 映像信号線、３２ 駆動電源線、４０ 表示パネル、４２ 表示領域、４６ 部品実装領域、４８ ドライバＩＣ、５０ ＦＰＣ、６０ 粘着シート、７０ 基板、７２ ＴＦＴ、７４ 回路層、８０ 下地層、８２ 半導体領域、８４ ゲート絶縁膜、８６ ゲート電極、８８ 層間絶縁層、９０ａ ソース電極、９０ｂ ドレイン電極、９２ 層間絶縁膜、９４ 配線、９６ 平坦化膜、９８ パッシベーション膜、１００ 下部電極、１０２ 有機材料層、１０４ 上部電極、１０６ 封止層、１０８ 光吸収層、１０９ 吸収部、１１０ コンタクトホール、１１２ バンク、１１４ 上部構造層、１１６ 配線、１２０ マスク材、１３０ キャッピング層。
Claims (19)
- 基板と、
前記基板上に位置する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、
隣接する前記下部電極間に配置され、前記複数の画素を区画するバンクと、
前記下部電極上および前記バンク上に配置される有機材料層と、
前記有機材料層上に配置される上部電極と、
前記上部電極上に配置される光吸収層を有し、
前記光吸収層において、平面視で前記バンクに重なる部分に前記有機材料層から発せられた光を吸収する吸収部が形成されている、
有機ＥＬ表示装置。 - 前記光吸収層は光照射で吸収能を持つ材料を含み、前記吸収部において前記材料が吸収能を具備した状態である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記光照射で吸収能を持つ材料がフォトクロミック材料である、請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記吸収部は、実質的に可視光領域全域を吸収する、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記吸収部は、５００ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲内の波長の一部または全部を吸収する、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記光吸収層は複数の層から構成され、前記複数の層にはそれぞれ前記吸収部が形成されている、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記複数の層に形成された前記吸収部は、互いに異なる波長の光を吸収する、請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記バンクの端部と前記吸収部の端部とが平面視で重なっている、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記吸収部は、少なくとも前記バンクの端部と対向する、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記吸収部は、少なくとも前記バンクの中央部と対向する、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記吸収部は前記バンクを覆い、前記吸収部の端部は前記バンクの開口部と対向する、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記上部電極と前記光吸収層との間にキャッピング層が設けられている、請求項１から１１のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 基板と、
前記基板上に位置する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、
隣接する前記下部電極間に配置され、前記複数の画素を区画するバンクと、
前記下部電極上および前記バンク上に配置される有機材料層と、
前記有機材料層上に配置される上部電極と、
前記上部電極上に、複数の画素に跨って位置する層を有し、
前記層は、第１の領域と、前記第１の領域よりも光透過率が小さい第２の領域を有し、
前記第２の領域は、前記バンクと平面視で重なる部分を含む、
有機ＥＬ表示装置。 - 前記画素は、発光領域を有し
前記第１の領域は、前記発光領域と平面視で重なる部分を含む、請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 前記第１の領域は、前記発光領域の中央部と重なり、
前記第２の領域は、前記バンクの上面の中央部と重なる、請求項１４に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 基板上に、複数の画素毎に対応する下部電極を形成することと、
前記基板上の隣接する前記下部電極間に、複数の前記画素を区画するバンクを形成することと、
前記下部電極および前記バンクの上に有機材料層を形成することと、
前記有機材料層の上に上部電極を形成することと、
前記上部電極の上に光照射で吸収能を持つ材料を含む層を形成することと、
前記光照射で吸収能を持つ材料を含む層に対して、平面視で前記バンクに重なる部分に選択的に光を照射することと、
を含む、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 前記光照射により、前記平面視で前記バンクに重なる部分に、前記光照射で吸収能を持つ材料が吸収能を具備した吸収部を形成する、
請求項１６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 前記光照射で吸収能を持つ材料を含む層の上にマスク材を配置することをさらに含み、
前記マスク材を用いて前記光照射を行う、
請求項１６または１７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - レーザー光を用いて前記光照射を行う、請求項１６から１８のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
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