JP2019096829A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)出発基板上に、エピタキシャル成長により、第一半導体層、活性層、及び第二半導体層が順次積層された発光層部を含む積層構造を形成し、発光素子用ウェーハを作製する工程、
(2)支持基板を準備する工程、
(3)前記支持基板を、接着層を介して前記発光素子用ウェーハに接着し、接合基板を作製する工程、
(4)前記接合基板において、前記出発基板を除去して、前記第一半導体層を露出させる工程、
(5)前記接合基板の一部の領域において、少なくとも前記第一半導体層及び活性層を除去し、除去部を形成する工程、
(6)前記第一半導体層の表面に第一オーミック電極を、前記除去部の表面に第二オーミック電極を形成する工程、及び
(7)レーザー光によるスクライブ・ブレーキング法を用いて前記接合基板から発光素子をダイス状に分離する工程、
を含み、かつ、スクライブを行う前に、予めスクライブ領域にある前記接着層を除去しておく発光素子の製造方法を提供する。
(1)出発基板上に、エピタキシャル成長により、第一半導体層、活性層、及び第二半導体層が順次積層された発光層部を含む積層構造を形成し、発光素子用ウェーハを作製する工程、
(2)支持基板を準備する工程、
(3)前記支持基板を、接着層を介して前記発光素子用ウェーハに接着し、接合基板を作製する工程、
(4)前記接合基板において、前記出発基板を除去して、前記第一半導体層を露出させる工程、
(5)前記接合基板の一部の領域において、少なくとも前記第一半導体層及び活性層を除去し、除去部を形成する工程、
(6)前記第一半導体層の表面に第一オーミック電極を、前記除去部の表面に第二オーミック電極を形成する工程、及び
(7)レーザー光によるスクライブ・ブレーキング法を用いて前記接合基板から発光素子をダイス状に分離する工程、
を含み、かつ、スクライブを行う前に、予めスクライブ領域にある前記接着層を除去しておく発光素子の製造方法である。
工程(1)は、出発基板上に、エピタキシャル成長により、第一半導体層、活性層、及び第二半導体層が順次積層された発光層部を含む積層構造を形成し、発光素子用ウェーハを作製する工程である。
工程(2)は、支持基板を準備する工程である。
工程(3)は、支持基板を、接着層を介して発光素子用ウェーハに接着し、接合基板を作製する工程である。
工程(4)は、接合基板において、出発基板を除去して、第一半導体層を露出させる工程である。
工程(5)は、接合基板の一部の領域において、少なくとも第一半導体層及び活性層を除去し、除去部を形成する工程である。
工程(6)は、第一半導体層の表面に第一オーミック電極を、除去部の表面に第二オーミック電極を形成する工程である。
工程(7)は、レーザー光によるスクライブ・ブレーキング法を用いて前記接合基板から発光素子をダイス状に分離する工程である。
[工程(1)]
最初に本発明の第一実施形態について説明する。図2に示すように、発光素子用ウェーハ1を、例えば[001]方向に15度傾斜したGaAs基板(出発基板)2上に有機金属気相成長法(MOVPE)法にて、(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)からなる厚さ0.1〜1.0μmのエッチストップ層3、厚さ0.5〜1.0μmの第一導電型第一半導体層4、(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)からなる厚さ0.1〜1.0μmの活性層5、(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)からなる厚さ0.5〜1.0μmの第二導電型第二半導体層6、GayIn1−yP(0.0≦y≦1.0)から成る中間組成層7、0.5〜20μmの厚さを有するGaP電流拡散層8を順次積層して形成することができる。
支持基板30は、図4に示すように、サファイアあるいは石英等の可視透明基板13上に例えばSiO2あるいはSiNxからなる誘電体膜14を形成し、その上にさらに、例えばBCB樹脂からなる接着剤を塗布して第二接着層15を形成することで、第二接合層12を有するものとすることができる。第二接着層15の厚さはBCB接着剤の粘度とスピンコート時回転数によって変わるが、本実施形態では回転数5000rpmにて0.5μm程度の第二接着層15を形成することができる。なお、第一接着層10を形成した場合、第二接着層15を設けなくともよいし、また、第二接着層15を形成した場合、第一接着層10を設けなくともよく、両方に形成してもよい。また、接着剤としてBCB樹脂の他に、エポキシ等の他の透明かつ常温で液状の部材で第一接着層10及び第二接着層15を形成してもよい。
次に図5に示すように第一接着層10と第二接着層15を対向させ、かつ、真空もしくは減圧雰囲気下で圧力と熱を加えることで第一接着層10と第二接着層15を接着した接合基板16を形成する。圧力は6N/cm2以上、温度は100℃以上の条件で圧着することで接着することができる。特に30N/cm2、300℃に達する条件で接合することが好適である。
次に図6に示すように接合基板16よりGaAs基板2を化学的エッチングにより除去する。化学的エッチング液はAlGaInP系材料とエッチング選択性があるものが好ましく、一般にはアンモニア含有エッチャントで除去する。GaAs基板2を除去した後、エッチストップ層3を除去し、第一半導体層露出面(第一の面)18を有する接合基板17とする。なお、エッチストップ層3は、AlGaInP系材料をエッチングする過酸化水素と酸との混合液にて除去する。
次に図7に示すように接合基板17より第一半導体層露出面18の一部を切り欠き、除去部(第二の面)19を形成する。この態様では、第一半導体層4と活性層5を除去し、第二半導体層6を露出させている。
次に図8に示すように切り欠かれた側面20を被覆するように、誘電体層21を形成し、開口部22を設ける。誘電体層21はSiO2又はSiNxが好適である。誘電体層の製膜には、ゾルゲル法、スパッタ法、CVD法いずれの方法も選択できる。開口部22は誘電体層21を成膜後、フォトリソグラフィー法によりマスク部を形成し、BHFによるウェットエッチング法にて露出部を形成することにより設けることができる。
次に図10に示すようにフォトレジストを用いたフォトリソグラフィーにより、第一半導体層露出面18全体と除去部19の一部を被覆する被覆部25と開口部26を形成する。
[工程(1)]
次に本発明の第二実施形態について説明する。図13に示すように発光素子用ウェーハ1を、[001]方向に15度傾斜したGaAs基板(出発基板)2上に有機金属気相成長法(MOVPE)法にて、(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)からなる厚さ0.1〜1.0μmのエッチストップ層3、厚さ0.5〜1.0μmの第一導電型第一半導体層4、(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)からなる厚さ0.1〜1.0μmの活性層5、(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)からなる厚さ0.5〜1.0μmからなる第二導電型第二半導体層6、GayIn1−yP(0.0≦y≦1.0)から成る中間組成層7、0.5〜20μmの厚さを有するGaP電流拡散層8を順次積層して形成することができる。
支持基板30は、図15に示すようにサファイアあるいは石英等の可視透明基板13上にSiO2あるいはSiNxからなる誘電体膜14を形成し、その上にさらにBCB接着剤を塗布した接着層15´を形成することで第二接合層12を有するものとすることができる。接着層15´の厚さはBCB接着剤の粘度とスピンコート時回転数によって変わるが、例えば回転数5000rpmにて0.5μmの接着層15´を形成することができる。
次に図17に示すように第一接合層11と第二接合層12を対向させ、かつ、真空又は減圧雰囲気下で圧力と熱を加えることで第一接合層11と第二接合層12を接着した接合基板16を形成する。圧力を6N/cm2以上、温度を100℃以上の条件で圧着することで接着することができる。特に30N/cm2、300℃に達する条件で接合することが好適である。
次に図18に示すように接合基板16よりGaAs基板2を化学的エッチングにより除去する。化学的エッチング液はAlGaInP系材料とエッチング選択性があるものが好ましく、一般にはアンモニア含有エッチャントで除去する。GaAs基板2を除去した後、エッチストップ層3を除去し、第一半導体層露出面18を有する接合基板17を形成する。なお、エッチストップ層3はAlGaInP系材料をエッチングする過酸化水素と酸との混合液にて除去する。
次に図19に示すように接合基板17より、パターン29を超えない範囲で第一半導体層露出面18を残留させ、かつ、第一半導体層露出面18の一部を切り欠き、除去部19を形成する。
次に図20に示すように切り欠かれた側面20を被覆するように、誘電体層21を形成し、開口部22を設ける。誘電体層21はSiO2又はSiNxが好適である。誘電体層の製膜には、ゾルゲル法、スパッタ法、CVD法いずれの方法も選択できる。開口部22は誘電体層21を成膜後、フォトリソグラフィー法によりマスク部を形成し、BHFによるウェットエッチング法にて露出部を形成することにより設けることができる。
次に図22に示すようにフォトレジストを用いたフォトリソグラフィーにより、第一半導体層露出面18全体と除去部19の一部を被覆する被覆部25と開口部26を形成する。
図2〜図12に示すような本発明の発光素子の製造方法の第一実施形態に基づいて、発光素子の製造を行った。
図13〜図24に示すような本発明の発光素子の製造方法の第二実施形態に基づいて、発光素子の製造を行った。接着剤を所望のパターン形状に加工してから透明基板を貼り合わせることを除き、実施例1と同様な方法で発光素子を製造した。図28に剥離状況の結果を示す。実施例2においても、実施例1と同様な結果が得られた。
図25〜図27に示すような従来の方法を用いて、発光素子の製造を行った。接着剤が存在する領域でスクライブを行ったことを除いて実施例1と同様な方法で発光素子を製造した。図28に剥離状況の結果を示す。実施例1、2に比べて剥離面積が大きいことが判る。
3…エッチストップ層、 4…第一半導体層、 5…活性層、 6…第二半導体層、
7…中間組成層、 8…Gap電流拡散層、 9…第一誘電体膜、
10…第一接着層、 11…第一接合層、 12…第二接合層、
13…可視透明基板、 14…誘電体膜、 15…第二接着層、 15´…接着層、
16…接合基板、 17…第一半導体層を露出させた接合基板、
18…第一半導体層露出面(第一の面)、 19…除去部(第二の面)、
20…切り欠かれた側面、 21…誘電体層、 22…開口部、
23…第一オーミック電極、 24…第二オーミック電極、 25…被覆部、
26…開口部、 27…露出部、 28…スクライブ部、 29…所望のパターン、
30…支持基板。
Claims (4)
- 発光素子の製造方法であって、
(1)出発基板上に、エピタキシャル成長により、第一半導体層、活性層、及び第二半導体層が順次積層された発光層部を含む積層構造を形成し、発光素子用ウェーハを作製する工程、
(2)支持基板を準備する工程、
(3)前記支持基板を、接着層を介して前記発光素子用ウェーハに接着し、接合基板を作製する工程、
(4)前記接合基板において、前記出発基板を除去して、前記第一半導体層を露出させる工程、
(5)前記接合基板の一部の領域において、少なくとも前記第一半導体層及び活性層を除去し、除去部を形成する工程、
(6)前記第一半導体層の表面に第一オーミック電極を、前記除去部の表面に第二オーミック電極を形成する工程、及び
(7)レーザー光によるスクライブ・ブレーキング法を用いて前記接合基板から発光素子をダイス状に分離する工程、
を含み、かつ、スクライブを行う前に、予めスクライブ領域にある前記接着層を除去しておくことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記工程(7)において、スクライブを行う前に、前記スクライブ領域にある前記接着層を除去することを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。
- 前記工程(2)において、前記支持基板を、接着層を有するものとし、かつ、前記接着層を、スクライブ領域には前記接着層が存在しないように除去加工されたものとすることを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。
- 前記接着剤が存在しない領域の幅を、スクライブ方向に対して垂直な方向で20μm以上とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111129257A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-08 | 广东德力光电有限公司 | 一种紫外高反射率的复合电极及其制备方法 |
JP7298757B1 (ja) | 2022-06-27 | 2023-06-27 | 信越半導体株式会社 | 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110783253B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置 |
JP7354943B2 (ja) * | 2020-07-03 | 2023-10-03 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体受光素子及び接合型半導体受光素子の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6071795A (en) * | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
JP2007234902A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2009277884A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Sharp Corp | 電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP2010123742A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ |
JP2016225586A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 久元電子股▲ふん▼有限公司 | ウェハのダイシングプロセス |
-
2017
- 2017-11-27 JP JP2017227264A patent/JP6841214B2/ja active Active
-
2018
- 2018-10-12 WO PCT/JP2018/038071 patent/WO2019102738A1/ja active Application Filing
- 2018-10-22 TW TW107137164A patent/TW201931457A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6071795A (en) * | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
JP2007234902A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2009277884A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Sharp Corp | 電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP2010123742A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ |
JP2016225586A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 久元電子股▲ふん▼有限公司 | ウェハのダイシングプロセス |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111129257A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-08 | 广东德力光电有限公司 | 一种紫外高反射率的复合电极及其制备方法 |
CN111129257B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-10-08 | 广东德力光电有限公司 | 一种紫外高反射率的复合电极及其制备方法 |
JP7298757B1 (ja) | 2022-06-27 | 2023-06-27 | 信越半導体株式会社 | 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法 |
WO2024004680A1 (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 | 信越半導体株式会社 | 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法 |
JP2024003708A (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-15 | 信越半導体株式会社 | 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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JP6841214B2 (ja) | 2021-03-10 |
TW201931457A (zh) | 2019-08-01 |
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