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JP2019095597A - 液晶装置 - Google Patents

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JP2019095597A JP2017224899A JP2017224899A JP2019095597A JP 2019095597 A JP2019095597 A JP 2019095597A JP 2017224899 A JP2017224899 A JP 2017224899A JP 2017224899 A JP2017224899 A JP 2017224899A JP 2019095597 A JP2019095597 A JP 2019095597A
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智秀 真野
都甲　康夫
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康夫 都甲
岩本　宜久
Nobuhisa Iwamoto
宜久 岩本
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Abstract

【課題】鏡状態と画像表示状態とを切り替えることができる液晶装置において、主に、鏡状態での光反射率を向上させる。【解決手段】当該液晶装置は、表示面を有する表示装置と、前記表示装置の表示面に対向して配置され、自然光に対する透過率が５０％以上である吸収型の第１の偏光板と、前記表示装置と前記第１の偏光板との間に配置され、偏光成分を入射したときに、第１の方向の偏光成分を出射する状態と、該第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分を出射する状態と、に切り換えることができる液晶光学素子と、前記表示装置と前記液晶光学素子との間に配置される反射型の第２の偏光板と、を含む。【選択図】 図１

Description

本発明は、鏡状態と画像表示状態とを切り替えることができる液晶装置に関する。
特許文献１には、鏡状態と画像表示状態とを切り替えることができる液晶装置が開示されている。具体的には、画像光を出射する画像表示部と、入射される光の、第１の方向に振動する偏光成分は透過し、第１の方向と直交する第２の方向に振動する偏光成分は反射する反射型偏光手段と、入射される偏光の偏光軸を変化させることができる透過偏光軸可変部と、入射される光の、第１の方向に振動する偏光成分は吸収し、第２の方向に振動する偏光成分は透過する吸収型偏光手段と、が順に配置された液晶装置が開示されている。
透過偏光軸可変部には、ツイストネマチック（ＴＮ）型の液晶素子が用いられる。吸収型偏光手段には、一般に流通している染料系偏光板ないしヨウ素系偏光板が用いられる。また、反射型偏光手段には、ワイヤーグリッド偏光板や、多層フィルム型の偏光板（たとえば特許文献２）を用いることが可能であろう。
特許文献１によれば、液晶装置をこのような構成にすることにより、画像表示状態では、高画質な画像を表示することができ、鏡状態では、反射像を見やすくすることができる、としている。また、特許文献１によれば、画像表示状態における表示画像および鏡状態における反射像のコントラストを向上させるためには、偏光手段の偏光度は高い（光透過率は低い）ことが好ましく、具体的に、偏光度は９６．６％〜９９．５％の範囲内であることが好ましいとしている。
特開２００１−３１８３７４号公報 特表平１０−５１１３２２号公報
本発明の主な目的は、新規な構造の液晶装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、鏡状態と画像表示状態とを切り替えることができる液晶装置において、主に、鏡状態での光反射率を向上することにある。
本発明の主な観点によれば、表示面を有する表示装置と、前記表示装置の表示面に対向して配置され、自然光に対する透過率が５０％以上である吸収型の第１の偏光板と、前記表示装置と前記第１の偏光板との間に配置され、偏光成分を入射したときに、第１の方向の偏光成分を出射する状態と、該第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分を出射する状態と、に切り換えることができる液晶光学素子と、前記表示装置と前記液晶光学素子との間に配置される反射型の第２の偏光板と、を含む液晶装置、が提供される。
本発明の他の観点によれば、表示面を有する表示装置と、前記表示装置の表示面に対向して配置される吸収型の第１の偏光板と、前記表示装置と前記第１の偏光板との間に配置される反射型の第２の偏光板と、前記表示装置と前記第２の偏光板との間に配置され、偏光成分を入射したときに、第１の方向の偏光成分を出射する状態と、該第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分を出射する状態と、に切り換えることができる液晶光学素子と、前記表示装置と前記液晶光学素子との間に配置される反射型の第３の偏光板と、を含む液晶装置、が提供される。
鏡状態と画像表示状態とを切り替えることができる液晶装置において、鏡状態での光反射率が向上する。
図１Ａは、第１の実施例による液晶装置を示すダイアグラムであり、図１Ｂは液晶光学素子を示す断面図である。 図２は、第２の実施例による液晶装置を示すダイアグラムである。 図３は、吸収型偏光板の光透過率を変化させた時の、液晶装置の光反射率の変化をまとめたテーブルである。 および、 図４Ａ〜図４Ｃは、第１〜第３の変形例による液晶装置の、光反射率の駆動電圧依存性を示すグラフである。
図１Ａは、第１の実施例による液晶装置を示すダイアグラムである。ここで、水平面を構成するＸ軸およびＹ軸、ならびに、Ｘ軸およびＹ軸に直交するＺ軸、からなるＸＹＺ直交座標系を設定する。
第１の実施例による液晶装置１００は、Ｘ軸方向に、画像表示装置１０，反射型の偏光板２０，液晶光学素子３０および吸収型の偏光板４０、が順番に配置される構成を有する。また、画像表示装置１０および液晶光学素子３０を電気的に制御する制御装置９０を具備する。
画像表示装置１０は、たとえば、一般的なＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）液晶モニタである。具体的には、照明装置（バックライト）と、照明装置の光軸上に配置され、アクティブマトリクス方式であって、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型である液晶セルと、液晶セルを挟む一対の偏光板と、を含む。制御装置９０により、表示面１１における画像の表示（明表示）および非表示（暗表示）が制御される。
第１の実施例において、画像表示装置１０は、反射型偏光板２０側に吸収型偏光板１２を含んでいる。該吸収型偏光板はＺ軸に沿う偏光軸を有する。これにより、画像表示装置１０から出力される光は、たとえばＺ軸に沿う偏光軸を有する（Ｚ軸方向の偏光成分を主に含む）。この場合、画像表示装置１０は、表示面側に吸収型偏光板を含んでいる方がコントラスト比は高くなる。しかし、前記吸収型偏光板を取り去った構成であっても、画像表示状態では通常レベルの画像が表示できるため、反射型偏光板２０側に吸収型偏光板を含まなくてもよい。
反射型偏光板２０は、たとえば、多層フィルム型の偏光板であり、Ｚ軸方向の偏光成分を透過し、Ｙ軸方向の偏光成分を反射する。たとえば、自然光（非偏光）を入射したときの光透過率が４３％であり、光反射率が４５％である。偏光板２０は、画像表示装置１０の表示面１１に対向して配置される。
液晶光学素子３０は、入射した直線偏光を、その偏光軸を変化させて透過する状態と、その偏光軸を変化させないで透過する状態と、を切り替えることができる。制御装置９０により、入射光（直線偏光）の偏光方向を、たとえば９０°回転して、出射するか、または、入射光の偏光方向を変化させないで出射するか、が選択される。液晶光学素子３０は、偏光板２０に対向して配置される。
図１Ｂは、液晶光学素子３０の構造を示す断面図である。液晶光学素子３０は、主に、対向配置される一対の電極３４ａ，３４ｂと、一対の電極３４ａ，３４ｂの間に設けられる液晶層３９と、を含む。
具体的には、一対の電極３４ａ，３４ｂは、たとえばインジウム錫酸化物などの、透光性導電部材により構成され、それぞれ透明なガラス基板３２ａ，３２ｂ表面に設けられる。なお、一対の電極３４ａ，３４ｂを覆うように、配向膜３６ａ，３６ｂを設けてもよい。配向膜３６ａ，３６ｂには、ラビング処理などの一軸配向処理が施される。
一対の電極３４ａ，３４ｂ（ないし基板３２ａ，３２ｂ）の間であって、その周縁には、枠状の全体的平面形状を有するシール部材３８が設けられている。電極３４ａ，３４ｂおよびシール部材３８により囲まれた空間に、たとえばツイストネマチック型の液晶材料が封入され、液晶層３９を構成している。
定常時（電圧無印加時）、画像表示装置１０（図１Ａ）に近い電極（たとえば第１の電極３４ａ）に近接する液晶分子は、たとえばＹ軸に沿って配列している。また、画像表示装置１０（図１Ａ）から遠い電極（たとえば第２の電極３４ｂ）に近接する液晶分子は、たとえばＺ軸に沿って配列している。第１の電極３４ａから第２の電極３４ｂに向かって、液晶分子は、９０°捻じれるように配列している。電極３４ａ，３４ｂを介して、液晶層３９に電圧が印加されると、ＹＺ平面にほぼ平行に配列する液晶分子が、Ｘ軸に沿うように配列する（電極３４ａ，３４ｂに対して直交するように、立ち上がる）。
また、ツイストネマチック型液晶素子についても、９０°の場合について例を挙げて説明したが、ツイスト角も９０°のみに限定されるものではない。より具体的には、ツイスト角として、６０°から１２０°の範囲のツイストネマチック型液晶素子にも適用できる。
液晶分子のツイスト角を９０°から変更したことに対応して、反射型の偏光板２０、吸収型の偏光板４０の偏光軸を適切な方向に設定する。上記のような範囲のツイスト角、偏光軸に設定することで、良好な表示特性が広い視角範囲にわたって得られる。
なお、液晶層３９（液晶材料）の屈折率差（複屈折）Δｎは約０．１である。液晶層３９の厚み（セル厚）ｄは６．０μｍ程度である。液晶光学素子３０のリタデーションΔｎｄは、０．６μｍ程度である。
液晶光学素子３０は、定常状態（電圧無印加状態）では、入射した直線偏光を、その偏光軸を変化させて透過する状態になっている。また、電極３４ａ，３４ｂを介して液晶層３９に電圧を印加した状態（電圧印加状態）では、入射した直線偏光を、その偏光軸を変化させないで透過する状態になっている。
再度、図１Ａを参照する。吸収型偏光板４０は、たとえば、染料系の偏光板であり、Ｚ軸方向の偏光成分を透過し、Ｙ軸方向の偏光成分を吸収する。たとえば、自然光を入射したときの光透過率が６０％であり、偏光度が４９％である。偏光板４０は、液晶セル３０に対向して配置される。
第１の実施例において、吸収型偏光板４０に自然光が入射すると、Ｚ軸方向の偏光成分（Ｚ軸偏光と呼ぶこととする）が吸収型偏光板４０を透過する。液晶光学素子３０が定常状態である場合、吸収型偏光板４０を透過したＺ軸偏光が液晶光学素子３０に入射すると、Ｚ軸偏光が、Ｙ軸方向の偏光成分（Ｙ軸偏光）に変換されて出射される（入射光の偏光軸が９０°回転される）。液晶光学素子３０から出射されるＹ軸偏光は、反射型偏光板２０により反射され、再度、液晶光学素子３０に入射し、Ｚ軸偏光に変換される。そして、液晶光学素子３０を透過したＺ軸偏光は、吸収型偏光板４０に到達する。
このように、液晶光学素子３０が定常状態である場合、吸収型偏光板４０に入射する光は、反射型偏光板２０により反射される。吸収型偏光板４０側から画像表示装置１０を観察した場合、主に、反射型偏光板２０により反射される像（周囲の風景等）が視認される。すなわち、液晶光学素子３０が定常状態である場合、液晶装置１００は鏡状態となる。
また、第１の実施例において、画像表示装置１０は、主に、Ｚ軸方向の偏光成分（Ｚ軸偏光）を出力する。画像表示装置１０から出力されたＺ軸偏光は、反射型偏光板２０を透過する。液晶光学素子が電圧印加状態である場合、反射型偏光板２０を透過したＺ軸偏光が液晶光学素子３０に入射すると、Ｚ軸偏光がそのまま出射される（入射光の偏光軸が変化しない）。そして、液晶光学素子３０から出射されるＺ軸偏光は、吸収型偏光板４０に到達する。
このように、液晶光学素子３０が電圧印加状態である場合、画像表示装置１０から出射される光が、吸収型偏光板４０まで到達する。吸収型偏光板４０側から画像表示装置１０を観察した場合、主に、画像表示装置１０に表示される像（表示画像）が視認される。すなわち、液晶光学素子３０が電圧印加状態である場合、液晶装置１００は画像表示状態となる。
このような、鏡状態と画像表示状態とを切り替えることができる液晶装置１００は、たとえば車両用のルームミラー（バックミラーないし後写鏡）などに応用することができる。たとえば、通常は鏡状態でルームミラーとして使用し、必要なときに画像表示状態に切り替えて車内の温度などを表示する、等の用途が考えられる。
液晶装置１００を車両用のルームミラーに応用する場合、画像表示状態における表示画像の品位（画像の明るさや鮮明さ等）よりも、鏡状態における光反射率の高さが重視される。鏡状態における液晶装置１００の光反射率は高いことが好ましく、たとえば４０％以上であることが望ましい。
一方で、画像表示状態においても光反射率が高いと、液晶装置に周囲の風景・様子が映り込んで、表示装置１０が表示する画像が見えにくくなってしまう。このため、画像表示状態における液晶表示装置１００の光反射率は低いことが好ましく、たとえば１５％以下であることが好ましい。
発明者らは、第１の実施例において、吸収型偏光板４０の光透過率を変化させたときの、鏡状態および画像表示状態における光反射率の変化について検討を行った。その結果、吸収型偏光板４０の光透過率を５０％としたとき、鏡状態における光反射率が約４０％であり、画像表示状態における光反射率が約８％程度であった。また、吸収型偏光板４０の光透過率を６０％としたとき、鏡状態における光反射率が約４２％であり、画像表示状態における光反射率が約１２％程度であった。さらに、吸収型偏光板４０の光透過率を６５％としたとき、鏡状態における光反射率が約４３％であり、画像表示状態における光反射率が約１６％程度であった。
比較として、従来技術で用いられているような吸収型偏光板４０の光透過率が４５％としたとき、鏡状態における光反射率が約３６％であり、画像表示状態における光反射率が約６％程度であった。従って、従来技術よりも第１の実施例の方が、鏡状態での光反射率が向上することが分かる。
以上の検討結果から、第１の実施例による液晶装置１００において、鏡状態における光反射率が４０％以上となり、かつ、画像表示状態における光反射率が１５％以下となる、吸収型偏光板４０の光透過率の範囲は、５０％〜６０％と推察される。発明者らは、鏡状態における光反射率を向上し、画像表示状態における光反射率を抑制する液晶装置について、更なる検討を行った。
図２は、第２の実施例による液晶装置１０１を示すダイアグラムである。第２の実施例による液晶装置１０１は、第１の実施例による液晶装置１００（図１Ａ参照）とほぼ同様の構成を有する。第２の実施例による液晶装置１０１は、液晶光学素子３０と吸収型偏光板４０との間に、さらに、反射型偏光板５０が挿入されている。
すなわち、第２の実施例による液晶装置１０１は、表示面１１を有する画像表示装置１０、表示装置１０の表示面１１に対向して配置される吸収型偏光板４０（第１の偏光板）、表示装置１０と吸収型偏光板４０との間に配置される表側反射型偏光板５０（第２の偏光板）、表示装置１０と反射型偏光板５０との間に配置される液晶光学素子３０、および、表示装置１０と液晶光学素子３０との間に配置される裏側反射型偏光板２０（第３の偏光板）、を含む。第２の実施例による画像表示装置１０，裏側反射型偏光板２０，液晶光学素子３０および吸収型偏光板４０は、第１の実施例と同様の構造・構成を有している。
表側反射型偏光板５０（第２の偏光板）は、たとえば裏側反射型偏光板２０（第３の偏光板）と同様のものを用いることができる。たとえば、多層フィルム型の偏光板であり、Ｚ軸方向の偏光成分（Ｚ軸偏光）を透過し、Ｙ軸方向の偏光成分（Ｙ軸偏光）を反射する。自然光を入射したときの光透過率が４３％であり、光反射率が４５％である。
発明者らは、第２の実施例において、吸収型偏光板４０の光透過率を変化させたときの、鏡状態および画像表示状態における光反射率の変化について検討を行った。その結果、吸収型偏光板４０の光透過率を５０％としたとき、鏡状態における光反射率が約４０％であり、画像表示状態における光反射率が約８％程度であった。また、吸収型偏光板４０の光透過率を６０％としたとき、鏡状態における光反射率が約４５％であり、画像表示状態における光反射率が約１２％程度であった。
図３は、第１の実施例および第２の実施例において、吸収型偏光板４０の光透過率を変化させたときの、鏡状態および画像表示状態における光反射率の変化をまとめたテーブルである。このテーブルから、吸収型偏光板４０の光透過率によらず、第２の実施例による液晶装置１０１の、鏡状態における光反射率が、第１の実施例によるそれよりも大きくなっていることがわかる。一方で、第２の実施例による液晶装置１０１の、画像表示状態における光反射率は、第１の実施例によるそれと同程度であることがわかる。
第２の実施例による液晶装置１０１において、鏡状態における光反射率が４０％以上となり、かつ、画像表示状態における光反射率が１５％以下となる、吸収型偏光板４０の光透過率の範囲は、５０％〜６０％と推察される。
以上のように、第２の実施例による液晶装置のほうが、第１の実施例による液晶装置よりも、画像表示状態における光反射率を同程度に抑えつつ、鏡状態における光反射率が高くなっている。たとえば車両用のルームミラーなど鏡機能を重視するデバイスに応用する場合、第１の実施例によりも第２の実施例による液晶装置の方が好適であろう。
なお、発明者らによる更なる検討によれば、液晶光学素子３０のセル厚ｄないしリタデーションΔｎｄを調整することにより、液晶装置の光反射率はさらに向上する。たとえば、吸収型偏光板４０の光透過率を５０％とし、液晶光学素子３０のリタデーションΔｎｄを０．６μｍから０．９μｍにすると、液晶装置の光反射率は４０％から４１％に向上した。また、吸収型偏光板４０の光透過率を６０％とし、液晶光学素子３０のリタデーションΔｎｄを０．６μｍから０．９μｍにすると、液晶装置の光反射率は４５％から４６％に向上した。
液晶光学素子３０のセル厚ｄないしリタデーションΔｎｄを調整すると、液晶装置から出力される像（鏡状態における反射像および画像表示状態における表示像）の色味も変化する。光反射率および出力像の色味を勘案すると、液晶光学素子３０のリタデーションΔｎｄは、０．８μｍ〜１．５μｍ程度が好ましいと考えられる。
以下、図１Ａ、図２を参照して、第１の実施例による液晶装置の変形例１、第２の実施例による液晶装置の変形例２、比較としてカイラル剤が添加されていない第１の実施例による液晶装置の変形例３、について説明する。
変形例１〜３においても、同様に液晶光学素子３０は、主に、対向配置される一対の電極３４ａ，３４ｂと、一対の電極３４ａ，３４ｂの間に設けられる液晶層３９と、を含む。
具体的には、一対の電極３４ａ，３４ｂは、たとえばインジウム錫酸化物などの、透光性導電部材により構成され、それぞれ透明なガラス基板３２ａ，３２ｂ表面に設けられる。なお、一対の電極３４ａ，３４ｂを覆うように、配向膜３６ａ，３６ｂを設けた。配向膜３６ａ，３６ｂには、ラビング処理などの一軸配向処理が施される。液晶層３９は、基板面内方向を０°としたときのプレティルト角８９．５°に設定されたアンチパラレル配向構造とした。プレティルト角の方位は、液晶層３９の厚さ方向の中央で反射型偏光板２０、吸収型偏光板４０の偏光軸となす角度が４５°である方位とした。なお、この場合においてプレティルト角は、８９．０°〜８９．９°が好ましい。
一対の電極３４ａ，３４ｂ（ないし基板３２ａ，３２ｂ）の間であって、その周縁には、枠状の全体的平面形状を有するシール部材３８が設けられている。電極３４ａ，３４ｂおよびシール部材３８により囲まれた空間に、液晶光学素子３０の液晶層３９に、ツイストネマチック型ではなく、カイラル剤が添加されたバーティカルアライメント型（ＶＡ型）の液晶材料が用いられる。
変形例１、変形例２の液晶光学素子の液晶層のリタデーションΔｎｄは、たとえば０．３５μｍ〜０．６５μｍの範囲内、具体的には０．６５μｍ（Δｎ＝０．１３，ｄ＝５μｍ）である。カイラル剤は、たとえば、カイラルピッチ（液晶分子の捻じれ長さ）ｐに対するセル厚ｄの比率ｄ／ｐが０．２５〜０．３３の範囲内、具体的には０．２９（カイラルピッチｐ：１７．２４μｍ、セル厚ｄ：５μｍ）になるように添加される。
これに対し、変形例３は、液晶光学素子３０の液晶層３９に、カイラル剤が添加されないバーティカルアライメント型（ＶＡ型）の液晶材料が用いられる。
変形例３の液晶光学素子の液晶層のリタデーションΔｎｄは、たとえば０．３５μｍ〜０．６５μｍの範囲内、具体的には０．６５μｍ（Δｎ＝０．１３，ｄ＝５μｍ）である。
変形例１〜３において、吸収型偏光板４０の光透過率を変化させたときの、鏡状態および画像表示状態における光反射率の変化について検討を行った。その結果、変形例１では、吸収型偏光板４０の光透過率を６０％としたとき、鏡状態における光反射率が約４６％であり、画像表示状態における光反射率が約１３％程度であった。また、変形例２では、吸収型偏光板４０の光透過率を６０％としたとき、鏡状態における光反射率が約４９％であり、画像表示状態における光反射率が約１３％程度であった。また、変形例３では、吸収型偏光板４０の光透過率を６０％としたとき、鏡状態における光反射率が約４６％であり、画像表示状態における光反射率が約２９％（５Ｖ駆動時）程度であった。
図４Ａ〜図４Ｃは、変形例１（図４Ａ）、変形例２（図４Ｂ）、変形例３（図４Ｃ）の液晶光学素子に印加する電圧を変化させた場合の電圧―反射率特性である。まず、変形例３においては、印加する電圧を上げていくと、反射率が徐々に下がっていき、鏡状態から画像表示状態に変化する。しかし、印加する電圧が３．８Ｖのとき光反射率は１６．４％であるが、印加する電圧が３．８Ｖを超えると逆に反射率は上がってしまう。したがって、画像表示状態において光反射率が高くなってしまう。これに対し、変形例１、２においては、印加する電圧を上げていくと、反射率が徐々に下がっていき、鏡状態から画像表示状態に変化する。そして、印加する電圧を上げていくと、駆動電圧５Ｖ程度で光反射率が約１３％程度まで下がる。
液晶光学素子の液晶層をツイストネマチック型としたときよりも、ＶＡ型としたときのほうが、より良好な特性を有する液晶装置を実現することができた。
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。たとえば、実施例では、液晶光学素子が定常状態である場合に、液晶装置が鏡状態になるように、偏光板の透過軸や液晶光学素子の液晶分子配向方向を設定したが、液晶光学素子が定常状態である場合に、液晶装置が画像表示状態になるように、偏光板の透過軸等を設定してもよい。また、吸収型偏光板等の表面に低光反射処理を施して、画像表示状態における光反射率の低減を図ってもよい。さらに、吸収型偏光板ないし反射型偏光板の各々を、複数の同種の偏光板で構成してもかまわないであろう。その他種々の変形、置換、改良等が可能なことは当業者に自明であろう。
１０…画像表示装置、１１…表示面、１２…吸収型偏光板（第４の偏光板）、２０…裏側反射型偏光板（第３の偏光板）、３０…液晶光学素子、３２…基板、３４…電極、３６…配向膜、３８…シール部材、３９…液晶層、４０…吸収型偏光板（第１の偏光板）、５０…表側反射型偏光板（第２の偏光板）、９０…制御装置、１００…液晶装置（第１の実施例）、１０１…液晶装置（第２の実施例）。

Claims (7)

  1. 表示面を有する表示装置と、
    前記表示装置の表示面に対向して配置され、自然光に対する透過率が５０％以上である吸収型の第１の偏光板と、
    前記表示装置と前記第１の偏光板との間に配置され、偏光成分を入射したときに、第１の方向の偏光成分を出射する状態と、該第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分を出射する状態と、に切り換えることができる液晶光学素子と、
    前記表示装置と前記液晶光学素子との間に配置される反射型の第２の偏光板と、
    を含む液晶装置。
  2. 表示面を有する表示装置と、
    前記表示装置の表示面に対向して配置される吸収型の第１の偏光板と、
    前記表示装置と前記第１の偏光板との間に配置される反射型の第２の偏光板と、
    前記表示装置と前記第２の偏光板との間に配置され、偏光成分を入射したときに、第１の方向の偏光成分を出射する状態と、該第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分を出射する状態と、に切り換えることができる液晶光学素子と、
    前記表示装置と前記液晶光学素子との間に配置される反射型の第３の偏光板と、
    を含む液晶装置。
  3. 前記第１の偏光板は、自然光に対する透過率が５０％以上である請求項２記載の液晶装置。
  4. 前記液晶光学素子は、ツイストネマチック型の液晶材料を用いた液晶層を含み、前記液晶層のリタデーションが０．８μｍ〜１．５μｍの範囲内である請求項１〜３の何れかに記載の液晶装置。
  5. 前記液晶光学素子は、カイラル剤が添加されたバーティカルアライメント型の液晶材料を用いた液晶層を含み、カイラルピッチｐに対する該液晶層の厚みｄの比率ｄ／ｐが０．２５０〜０．３２５の範囲内である請求項１〜３の何れかに記載の液晶装置。
  6. 前記液晶層のリタデーションは、０．３５μｍ〜０．６５μｍの範囲内である請求項５記載の液晶装置。
  7. 前記表示装置は、表示面側に配置される吸収型の第４の偏光板を含む、請求項１〜３の何れかに記載の液晶装置。
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