JP2019046956A - Circuit board and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、コア基板にビルドアップ層が積層されている回路基板及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a circuit board in which a buildup layer is stacked on a core board and a method of manufacturing the same.
従来、この種の回路基板として、キャビティに収容されている放熱ブロックが、回路基板上に実装されている電子部品(例えば、半導体素子)と、ビア導体等を介して接続されているものが知られている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, as a circuit board of this type, it is known that a heat dissipation block housed in a cavity is connected to an electronic component (for example, a semiconductor element) mounted on the circuit board via a via conductor or the like. (See, for example, Patent Document 1).
しかしながら、上記した従来の回路基板では、回路基板上に実装されている電子部品の発熱がたまると、熱による回路基板の反り等が発生し、断線等の問題が生じると考えられる。 However, in the above-described conventional circuit board, if the heat generation of the electronic components mounted on the circuit board is accumulated, warpage or the like of the circuit board due to the heat is considered to occur and problems such as disconnection occur.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、回路基板上に実装される電子部品の発熱に起因する不具合を抑えることが可能な回路基板及びその製造方法の提供を目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a circuit board capable of suppressing a defect due to heat generation of an electronic component mounted on the circuit board and a method of manufacturing the same.
上記目的を達成するためなされた本発明に係る回路基板は、コア基板と、前記コア基板の第1面と第2面とに積層されるビルドアップ層と、を備えている。そして、前記第1面側のビルドアップ層には、その外面に開口する第1キャビティが形成され、前記第2面側のビルドアップ層には、その外面に開口する第2キャビティが形成され、前記第1キャビティと前記第2キャビティとは、前記回路基板の厚み方向で重ならない位置に配置され、且つ、金属からなる放熱経路で連絡されている。 A circuit board according to the present invention made to achieve the above object comprises a core substrate, and a buildup layer laminated on the first surface and the second surface of the core substrate. Then, a first cavity opened to the outer surface is formed in the buildup layer on the first surface side, and a second cavity opened to the outer surface is formed in the buildup layer on the second surface side, The first cavity and the second cavity are disposed at positions not overlapping in the thickness direction of the circuit board, and are in communication with each other via a metal heat radiation path.
また、本発明に係る回路基板の製造方法は、コア基板の表裏の両面である第1面と第2面とにそれぞれビルドアップ層を積層することと、前記第1面側のビルドアップ層に、その外面に開口する第1キャビティを形成することと、前記第2面側のビルドアップ層に、前記第1キャビティと前記回路基板の厚み方向で重ならない位置に、前記第2面側のビルドアップ層の外面に開口する第2キャビティを形成することと、前記第1キャビティと前記第2キャビティとを連絡する金属からなる放熱経路を形成することと、を含んでいる。 Further, in the method of manufacturing a circuit board according to the present invention, a buildup layer is laminated on the first surface and the second surface which are both the front and back surfaces of the core substrate, and the buildup layer on the first surface side Forming a first cavity opening on the outer surface thereof, and building the second surface at a position not overlapping the first cavity and the thickness direction of the circuit board with the buildup layer on the second surface side. Forming a second cavity open to the outer surface of the up layer; and forming a heat dissipation path of metal connecting the first cavity and the second cavity.
[第1実施形態]
以下、本発明の第1実施形態を図1〜図9に基づいて説明する。図1に示されるように、本実施形態の回路基板10は、コア基板11の表裏の両面にそれぞれビルドアップ層20,20が積層され、さらにソルダーレジスト層26,26が積層された構造をなしている。なお、以下ではコア基板11の板厚方向の一端側の表面をF面11F(本発明の「第1面」に相当する。)といい、他端側の表面をS面11S(本発明の「第2面」に相当する。)という。
First Embodiment
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 1 to 9. As shown in FIG. 1, the
コア基板11は、絶縁性基材11Kの表裏の両面に導体層12がそれぞれ形成されている。なお、導体層12,12を区別するときは、コア基板11のF面11F側の導体層12を第1導体層12Fといい、コア基板11のS面11S側の導体層12を第2導体層12Sという。なお、絶縁性基材11Kは、補強繊維の織布(例えば、ガラスクロス)に樹脂を含浸させてなるプリプレグである。絶縁性基材11Kの厚さは、例えば、50〜150[μm]程度になっている。
In the
また、絶縁性基材11Kには、複数の導電用貫通孔11Hが形成されている。導電用貫通孔11Hは、中間括れ形状をなしている。各導電用貫通孔11H内にはめっきが充填されて複数の接続導体15がそれぞれ形成され、それら接続導体15によって第1導体層12Fと第2導体層12Sとの間が接続されている。
Further, a plurality of conductive through
ビルドアップ層20は、交互に積層されている複数の絶縁層21と複数の導体層22とから構成されている。なお、ビルドアップ層20,20を区別するときは、コア基板11のF面11F側に積層されているビルドアップ層20を第1ビルドアップ層20Aといい、コア基板11のS面11S側に積層されているビルドアップ層20を第2ビルドアップ層20Bという。
The
導体層12,22は、主として銅メッキで構成され、10〜25[μm]程度になっている。導体層12,22は、絶縁層21を貫通するビア導体17又は絶縁性基材11Kを貫通する接続導体15によって接続されている。ビア導体17及び接続導体15は、めっきフィルドで構成されている。なお、ビア導体17及び接続導体15が、本発明の「接続導体」に相当する。
The
絶縁層21及びソルダーレジスト層26は、補強繊維を含んでいない樹脂層である。絶縁層21の厚さは、例えば、15〜30[μm]程度であり、ソルダーレジスト層26の厚さは、例えば、18〜35[μm]程度である。
The
また、ソルダーレジスト層26には、導体層22の一部を露出させる複数の開口26H,26Hが形成されている。そして、導体層22のうち開口26H,26Hから露出する部分がパッド29,29を構成する。
Further, in the
図1に示されるように、第1ビルドアップ層20Aには、第1キャビティ30Aが設けられている。第1キャビティ30Aは、ソルダ―レジスト層26、第1ビルドアップ層20Aを貫通してなる。そして、第1キャビティ30Aの底面からは、第1導体層12Fが露出している。
As shown in FIG. 1, the
また、第2ビルドアップ層20Bには、第2キャビティ30Bが設けられている。第2キャビティ30Bは、ソルダ―レジスト層26、第2ビルドアップ層20Bを貫通してなる。そして、第2キャビティ30Bの底面からは、第2導体層12Sが露出している。
In addition, a
第1導体層12F及び第2導体層12Sは、回路パターン23と、第1キャビティ30A又は第2キャビティ30Bの底面を構成するプレーン状パターン24とを有している。第1導体層12Fのプレーン状パターン24は、第1キャビティ30Aの底面と略同じ大きさまたは、やや大きく形成されている。第2導体層12Sのプレーン状パターン24は、第1キャビティ30A及び第2キャビティ30Bの何れにも、回路基板10の厚み方向で重なる大きさに形成されている。
The
そして、第1キャビティ30Aの底面を構成する第1導体層12Fと第2キャビティ30Bの底面を構成する第2導体層12Sとは、複数の接続導体15によって接続されている。具体的には、複数の接続導体15は、第1キャビティ30Aの下方に向けて延び、第1キャビティ30Aと回路基板10の厚み方向で重なる位置に配置されている第2導体層12Sのプレーン状パターン24と接続されている。なお、第1導体層12Fのプレーン状パターン24及び第2導体層12Sのプレーン状パターン24及びそれらを接続する接続導体15が、本発明の「放熱経路」に相当する。
The
本実施形態の回路基板10は、以下のようにして製造される。
(1)図2(A)に示されるように、絶縁性基材11Kの表裏の両面に、銅箔11Cが積層されている銅張積層板11Zが用意される。
The
(1) As shown in FIG. 2A, a copper-
(2)図2(B)に示されるように、銅張積層板11Zに接続導体15(図1参照)を形成するための導電用貫通孔11Hが複数形成される。具体的には、銅張積層板11Zの両面から、例えばCO2レーザが照射されて接続導体15用の導電用貫通孔11Hが形成される。
(2) As shown in FIG. 2B, a plurality of conductive through
(3)無電解めっき処理が行われ、銅箔11C上と導電用貫通孔11Hの内面とに無電解めっき膜(図示せず)が形成される。次いで、図2(C)に示されるように、銅箔11C上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト33が形成される。
(3) The electroless plating process is performed, and an electroless plating film (not shown) is formed on the
(4)図2(D)に示されるように、電解めっき処理が行われ、電解めっきが導電用貫通孔11H内に充填されて接続導体15が形成されると共に、銅張積層板11Z上に形成されている無電解めっき膜(図示せず)のうちめっきレジスト33から露出している部分の上に電解めっき膜34,34が形成される。
(4) As shown in FIG. 2D, the electrolytic plating process is performed, and the electrolytic plating is filled in the conductive through
(5)めっきレジスト33が剥離されると共に、めっきレジスト33の下方の無電解めっき膜(図示せず)及び銅箔11Cが除去され、図3(A)に示されるように、残された電解めっき膜34、無電解めっき膜及び銅箔11Cにより、絶縁性基材11Kの表裏の両面に回路パターン23と、プレーン状パターン24とを有する導体層12,12が形成される。以上により、コア基板11が得られる。なお、それら複数の接続導体15の一部の接続導体15は、回路パターン23同士を接続し、他の一部の接続導体15はプレーン状パターン24同士を接続する。
(5) The
(6)図3(B)に示されるように、第1導体層12F及び第2導体層12Sのプレーン状パターン24上に、剥離可能マスク45,45が積層される。剥離可能マスク45,45は、第1キャビティ30A及び第2キャビティ30Bが形成される部分にのみ積層される。
(6) As shown in FIG. 3B, the
(7)図3(C)に示されるように、コア基板11のF面11F及びS面11Sに絶縁層21,21が積層される。
(7) As shown in FIG. 3C, the insulating
(8)図3(D)に示されるように、絶縁層21,21にCO2レーザが照射されて、絶縁層21,21を貫通する複数のビアホール21Hが形成される。
(8) As shown in FIG. 3D, the insulating
(9)無電解めっき処理が行われ、各絶縁層21,21上とビアホール21Hの内面とに無電解めっき膜(図示せず)が形成される。次いで、図4(A)に示されるように、各絶縁層21,21上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト33が形成される。
(9) The electroless plating process is performed, and an electroless plating film (not shown) is formed on each of the insulating
(10)電解めっき処理が行われ、図4(B)に示されるように、電解めっきがビアホール21H内に充填されてビア導体17が形成されると共に、各絶縁層21,21の無電解めっき膜(図示せず)のうちめっきレジスト33から露出している部分に電解めっき膜34,34が形成される。
(10) Electrolytic plating is carried out, and as shown in FIG. 4B, electrolytic plating is filled in the via holes 21H to form the via
(11)次いで、図4(C)に示されるように、めっきレジスト33が剥離されると共に、めっきレジスト33の下方の無電解めっき膜(図示せず)が除去され、残された電解めっき膜34及び無電解めっき膜により導体層22,22が形成される。そして、コア基板11の表裏の各導体層12,12と導体層22,22とがビア導体17によって接続される。
(11) Next, as shown in FIG. 4C, the plating resist 33 is peeled off, and the electroless plating film (not shown) below the plating resist 33 is removed, and the remaining electrolytic plating film is left. The conductor layers 22 and 22 are formed by the
(12)そして、(7)〜(11)の処理と同様の処理が複数回繰り返されて、図4(D)〜図7(B)に示されるように、コア基板11のF面11FとS面11Sとにそれぞれ絶縁層21と導体層22とが交互複数積層されてビルドアップ層20A,20Bが形成される。
(12) Then, the processing similar to the processing of (7) to (11) is repeated a plurality of times, and as shown in FIG. 4 (D) to FIG. 7 (B), the
(19)図7(C)に示すように、ビルドアップ層20,20の表裏の両面にソルダーレジスト層26,26が積層される。
(19) As shown in FIG. 7C, the solder resist
(20)そして、図8(A)に示されるように、F面11F側及びS面11S側のソルダーレジスト層26,26の所定箇所にテーパー状の開口26Hが形成されて導体層22の回路パターン23の一部がソルダーレジスト層26から露出し、パッド29,29が形成される。
(20) Then, as shown in FIG. 8A, a
(21)図8(B)に示されるように、CO2レーザによって、F面11F側のソルダーレジスト層26から第1導体層12Fに到達する枠状溝30Tが、第1導体層12Fのプレーン状パターン24の外縁部に沿って形成される。また、CO2レーザによって、S面11S側のソルダーレジスト層26から第2導体層12Sに到達する枠状溝30Tが、第2導体層12Sのプレーン状パターン24上に形成される。
(21) As shown in FIG. 8B, the frame-
(22)図8(C)に示すように、第1ビルドアップ層20Aのうち枠状溝30Tより内側で剥離可能マスク45より上側部分が第1導体層12Fのプレーン状パターン24から剥離されて除去されて、第1キャビティ30Aが形成される。また、第2ビルドアップ層20Bのうち枠状溝30Tより内側で剥離可能マスク45より下側部分が第2導体層12Sのプレーン状パターン24から剥離されて除去されて、第2ビルドアップ層20Bに第2キャビティ30Bが形成される。
(22) As shown in FIG. 8C, the upper portion of the
(23)パッド29上に、ニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されて図示しない金属膜が形成される。以上で、図1に示される回路基板10が完成する。
(23) On the
本実施形態の回路基板10の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に回路基板10の作用効果を、回路基板10の使用例と共に説明する。本実施形態の回路基板10は、図9に示されるように、第1キャビティ30Aに電子部品90が搭載されると共に、第2キャビティ30Bにヒートシンク95が搭載されて使用される。なお、図9に示される例では、電子部品90の上面に設けられている端子90Aと、回路基板10に形成されているパッド29とが、ワイヤーボンディングによって接続されている。
The description of the structure and the manufacturing method of the
第1キャビティ30に搭載されている電子部品90が発熱すると、その熱は、第1導体層12Fからビア17を介して第2導体層12Sに伝わる。そして、第2導体層12Sに伝わった熱は、第2キャビティ30Bに搭載されているヒートシンク95に伝わる。このように、第1キャビティ30Aに搭載されている電子部品90の熱を、第1導体層12F及び第2導体層12Sを介して、第2キャビティ30Bに搭載されているヒートシンク95から放熱することが可能となる。
When the
また、第1キャビティ30A及び第2キャビティ30Bの底面が、プレーン状パターン24となっているので、電子部品90及びヒートシンク95に対する当接面を大きくすることができる。
Further, since the bottom surfaces of the
さらに、第1導体層12Fと、第2導体層12Sとを接続するビア17が複数備えられているので、電子部品90の熱を効率よくヒートシンク95に伝えることができる。
[他の実施形態]
Furthermore, since a plurality of
[Other embodiments]
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and, for example, the embodiments described below are also included in the technical scope of the present invention, and various other variations are possible without departing from the scope of the invention. It can be changed and implemented.
(1)上記実施形態の回路基板10は、第1キャビティ30A及び第2キャビティ30Bの底面は、プレーン状パターン24が露出する構成であったが、プレーン状パターン24ではなく、複数のランドが露出する構成であってもよい。
(1) In the
(2)図10に示されるように、コア基板11に金属ブロック40が内蔵されていてもよい。図10に示される例では、第1キャビティ30A及び第2キャビティ30Bの底面から、金属ブロック40と接続導体15Aを介して接続される導体層22,22が露出している。なお、図10に示された実施例では、金属ブロック40及び導体層22,22及び接続導体15Aが、本発明の「放熱経路」に相当する。
(2) As shown in FIG. 10, the
(3)図11に示されるように、コア基板11は金属層40が内層されているメタルコアであってもよい。このとき、第1キャビティ30A及び第2キャビティ30Bの底面から、金属層40と接続導体15Aを介して接続される導体層12F,12Sが露出する構成であってもよい。なお、図11に示された実施例では、金属層40及び導体層12F,12S及び接続導体15Aが、本発明の「放熱経路」に相当する。
(3) As shown in FIG. 11, the
10 回路基板
11 コア基板
12,22 導体層
12F 第1導体層
12S 第2導体層
15 接続導体
17 ビア導体
20A 第1ビルドアップ層
20B 第2ビルドアップ層
21 絶縁層
23 回路パターン
24 プレーン状パターン
30A 第1キャビティ
30B 第2キャビティ
90 電子部品
95 ヒートシンク
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記ビルドアップ層は、交互に積層されている複数の導体層と複数の絶縁層と、複数の導体層を接続する接続導体を含み、
前記第1面側のビルドアップ層には、前記コア基板に向く面とは反対側の面に開口する第1キャビティが形成され、
前記第2面側のビルドアップ層には、前記コア基板に向く面とは反対側の面に開口する第2キャビティが形成され、
前記第1キャビティと前記第2キャビティとは、前記回路基板の厚み方向で重ならない位置に配置され、且つ、金属からなる放熱経路で連絡されている。 A circuit board comprising: a core substrate; and buildup layers respectively laminated on the first surface and the second surface of the core substrate,
The buildup layer includes a plurality of conductor layers alternately stacked, a plurality of insulating layers, and a connection conductor connecting the plurality of conductor layers.
In the buildup layer on the first surface side, a first cavity is formed which opens on the surface opposite to the surface facing the core substrate,
In the buildup layer on the second surface side, a second cavity is formed that opens on the side opposite to the surface facing the core substrate,
The first cavity and the second cavity are disposed at positions not overlapping in the thickness direction of the circuit board, and are in communication with each other via a metal heat radiation path.
前記放熱経路は、
前記コア基板の前記第1面側の導体層であって、前記第1キャビティの底面に露出した第1導体層と、
前記コア基板の前記第2面側の導体層であって、前記第2キャビティの底面に露出した第2導体層と、
前記第1導体層と前記第2導体層とを接続する前記接続導体と、を含む。 The circuit board according to claim 1, wherein
The heat radiation path is
A conductor layer on the first surface side of the core substrate, the first conductor layer exposed on the bottom surface of the first cavity;
A conductor layer on the second surface side of the core substrate, the second conductor layer exposed to the bottom surface of the second cavity;
And the connection conductor connecting the first conductor layer and the second conductor layer.
さらに、前記コア基板の前記第1キャビティと前記第2キャビティの両方と前記回路基板の厚み方向で重なる位置に金属ブロックが内蔵され、
前記放熱経路は、
前記金属ブロックと、
前記金属ブロックと前記第1導体層及び前記第2導体層とを接続する前記接続導体と、を含む。 The circuit board according to claim 2, wherein
Furthermore, a metal block is embedded at a position where both of the first cavity and the second cavity of the core substrate overlap in the thickness direction of the circuit substrate,
The heat radiation path is
Said metal block,
And a connection conductor connecting the metal block and the first conductor layer and the second conductor layer.
さらに、前記コア基板の内部に金属層を有し、
前記放熱経路は、
前記金属層と、
前記金属層と前記第1導体層及び前記第2導体層とを接続する前記接続導体と、を含む。 The circuit board according to claim 2, wherein
Furthermore, a metal layer is provided inside the core substrate,
The heat radiation path is
The metal layer,
And a connection conductor connecting the metal layer to the first conductor layer and the second conductor layer.
前記第1導体層又は前記第2導体層の少なくとも一方の導体層は、
前記第1キャビティ及び前記第2キャビティの何れにも前記回路基板の厚み方向で重なる。 The circuit board according to claim 2, wherein
At least one conductor layer of the first conductor layer or the second conductor layer is
It overlaps with any of the first cavity and the second cavity in the thickness direction of the circuit board.
前記接続導体は、フィルドめっき導体である。 The circuit board according to any one of claims 1 to 5, wherein
The connection conductor is a filled plating conductor.
コア基板の表裏の両面である第1面と第2面とにそれぞれビルドアップ層を積層することと、
前記第1面側のビルドアップ層に、前記コア基板に向く面とは反対側の面に開口する第1キャビティを形成することと、
前記第2面側のビルドアップ層に、前記第1キャビティと前記回路基板の厚み方向で重ならない位置に、前記コア基板に向く面とは反対側の面に開口する第2キャビティを形成することと、
前記第1キャビティと前記第2キャビティとを連絡する金属からなる放熱経路を形成することと、を含む。 A method of manufacturing a circuit board,
Laminating build-up layers on the first surface and the second surface which are both the front and back surfaces of the core substrate;
Forming, in the buildup layer on the first surface side, a first cavity that opens on the side opposite to the surface facing the core substrate;
Forming a second cavity in the buildup layer on the second surface side at a position not overlapping the first cavity and the thickness direction of the circuit board with a surface opposite to the surface facing the core substrate; When,
Forming a heat dissipation path of metal connecting the first cavity and the second cavity.
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