JP2018127531A - 光吸収材料およびそれを用いたペロブスカイト太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【課題】ペロブスカイト太陽電池の変換効率を高めることの可能な光吸収材料を提供する。【解決手段】本開示の一態様に係る光吸収材料は、組成式CH3NH3PbI3で示され、ペロブスカイト構造を有し、かつ、2次元NMRの1H−14NのHMQC法による固体1H−NMRスペクトルにおいて、25℃で6.2ppmのピーク強度が6.4ppmのピーク強度の15%以上であるペロブスカイト型化合物を含む。【選択図】図7A
Description
本開示は、光吸収材料およびそれを用いたペロブスカイト太陽電池に関する。
近年、組成式AMX3(Aは1価のカチオン、Mは2価のカチオン、Xはハロゲンアニオン)で示されるペロブスカイト型結晶、およびその類似の構造体(以下、「ペロブスカイト型化合物」と呼ぶ)を光吸収材料として用いた、ペロブスカイト太陽電池の研究開発が進められている。
非特許文献1には、ペロブスカイト太陽電池の光吸収材料として、CH3NH3PbI3(以下、「MAPbI3」と省略することがある)で示されるペロブスカイト型化合物を用いることが開示されている。
Jeong−Hyeok Im、他4名、Nature Nanotechnology(米国)、2014年11月、第9巻、p.927−932
ペロブスカイト太陽電池については、変換効率をさらに高めることが求められている。
本開示の、限定的ではない例示的なある態様は、ペロブスカイト太陽電池の変換効率を高めることが可能な光吸収材料を提供する。
本開示の一態様は、組成式CH3NH3PbI3で示され、ペロブスカイト構造を有し、かつ、2次元NMRの1H−14NのHMQC法による固体1H−NMRスペクトルにおいて、25℃で6.2ppmのピーク強度が6.4ppmのピーク強度の15%以上であるペロブスカイト型化合物を含む、光吸収材料を提供する。
本開示の一態様によれば、ペロブスカイト太陽電池の変換効率を高めることが可能な光吸収材料を提供することができる。
<本開示の基礎となった知見>
本開示の基礎となった知見は以下のとおりである。
本開示の基礎となった知見は以下のとおりである。
太陽電池の変換効率は、用いられる光吸収材料のバンドギャップに依存することが知られている。詳細は、文献「W. Shockley et al., “Detailed balance limit of efficiency of p−n junction solar cells”, Journal of Applied Physics, vol. 32, no. 3, pp. 510−519 (1961)」に記載されている。この変換効率の限界はShockley−Queisser限界として知られており、光吸収材料のバンドギャップが1.4eVのときに太陽電池の理論変換効率が最大となる。光吸収材料のバンドギャップが1.4eVよりも大きいと、高い開放電圧が得られるが、吸収波長の短波長化によって電流値が小さくなる。逆に、光吸収材料のバンドギャップが1.4eVよりも小さいと、吸収波長の長波長化によって電流値は増大するが、開放電圧は小さくなる。
しかしながら、従来のペロブスカイト型化合物のバンドギャップは、理論効率が最大となる1.4eVから大きくはずれている。例えば、CH3NH3PbI3のバンドギャップは1.59eVである。このため、バンドギャップが1.4eVである、または1.4eVにより近いバンドギャップを有するペロブスカイト型化合物が求められている。このようなペロブスカイト型化合物を太陽電池用の光吸収材料として用いると、従来よりも変換効率の高い太陽電池を実現することが可能になる。
文献「Carlo Motta et al., Nature Commumications., 2015, 6, 7026」において、Mottaらは、MAPbI3中のMAカチオンの結合方向が変化することにより、MAPbI3が直接遷移半導体から間接遷移半導体に変化し、そのバンドギャップが減少することを、第一原理計算結果から報告している。Mottaらは、MAカチオンのN原子に結合したH原子と、I-との水素結合の強度の変化により、PbI6八面体間の相互作用の強度が変化し、それがMAPbI3のバンドギャップを減少させる要因になると説明している。
文献「Mark T. Weller et al., Chem. Commun., 2015, 51, 4180−4183」において、Wellerらは、MAPbI3中のMAカチオンは室温で回転しているが、特定の方向を向きやすいことを中性子回折により報告している。
文献「L. Leppert, et al., J.Phys.Chem.Lett., 2016, 7, 3683−3689」において、Leppertらは、MAPbI3中でMAカチオンが同じ向きに配列することにより、PbI6八面体が歪み、MAPbI3のバンドギャップが増加することを、第一原理計算により報告している。
このように、MAPbI3においては、MAカチオンの結合状態を変化させることによるバンドギャップの減少が示唆されていた。しかし、MAカチオンの結合状態を変化させたMAPbI3はエネルギー的に不安定とされ、実現されていなかった。
これらの考察に鑑み、本開示者は、検討を重ねた結果、従来よりもバンドギャップの小さい新規なMAPbI3ペロブスカイト型化合物を見出した。
<本開示に係る一態様の概要>
本開示の第1の態様に係る光吸収材料は、組成式CH3NH3PbI3で示され、ペロブスカイト構造を有し、かつ、2次元NMRの1H−14NのHMQC法による固体1H−NMRスペクトルにおいて、25℃で6.2ppmのピーク強度が6.4ppmのピーク強度の15%以上であるペロブスカイト型化合物を含む。
本開示の第1の態様に係る光吸収材料は、組成式CH3NH3PbI3で示され、ペロブスカイト構造を有し、かつ、2次元NMRの1H−14NのHMQC法による固体1H−NMRスペクトルにおいて、25℃で6.2ppmのピーク強度が6.4ppmのピーク強度の15%以上であるペロブスカイト型化合物を含む。
第1の態様に係る光吸収材料は、ペロブスカイト型化合物における有機分子が準安定な結合をとることで、より広い波長領域の光を吸収することが可能である。したがって、第1の態様に係る光吸収材料によれば、ペロブスカイト太陽電池の変換効率を高めることができる。
第2の態様において、例えば、第1の態様に係る光吸収材料は、前記ペロブスカイト型化合物を主として含んでよい。
第2の態様に係る光吸収材料によれば、ペロブスカイト太陽電池の変換効率を高めることができる。
本開示の第3の態様に係る光吸収材料は、組成式CH3NH3PbI3で示され、ペロブスカイト構造を有し、かつ、固体1H−NMR分光測定により測定されるスピン−格子緩和時間T1が25℃で15s以上21s以下であるペロブスカイト型化合物を含む。
第3の態様に係る光吸収材料は、ペロブスカイト型化合物において準安定な有機分子の結合状態を安定化させることができ、より広い波長領域の光を吸収することが可能である。したがって、第3の態様に係る光吸収材料によれば、ペロブスカイト太陽電池の変換効率を高めることができる。
第4の態様において、例えば、第3の態様に係る光吸収材料は、前記ペロブスカイト型化合物を主として含んでよい。
第4の態様に係る光吸収材料によれば、ペロブスカイト太陽電池の変換効率を高めることができる。
本開示の第5の態様に係るペロブスカイト太陽電池は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置されている光吸収層と、を備え、前記光吸収層は、第1〜第4の態様の少なくともいずれか一つの態様に係る光吸収材料を含む。
第5の態様に係るペロブスカイト太陽電池は、第1〜第4の態様の少なくともいずれか一つの態様に係る光吸収材料を光吸収層に含んでいるので、変換効率を高めることができる。
<本開示の実施形態>
以下、本開示の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施形態は一例であり、本開示は以下の実施形態に限定されない。
以下、本開示の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施形態は一例であり、本開示は以下の実施形態に限定されない。
[実施形態1]
実施形態1では、本開示の光吸収材料の実施形態について説明する。本開示の光吸収材料の実施形態の概要は以下のとおりである。ここでは、本開示の光吸収材料の実施形態として、2つの形態(実施形態Aおよび実施形態B)について説明する。
実施形態1では、本開示の光吸収材料の実施形態について説明する。本開示の光吸収材料の実施形態の概要は以下のとおりである。ここでは、本開示の光吸収材料の実施形態として、2つの形態(実施形態Aおよび実施形態B)について説明する。
本開示の光吸収材料の実施形態Aは、組成式CH3NH3PbI3で示され、ペロブスカイト構造を有し、かつ、2次元NMRの1H−14NのHMQC法による固体1H−NMRスペクトルにおいて、25℃で6.2ppmのピーク強度が6.4ppmのピーク強度の15%以上であるペロブスカイト型化合物を含む。以下、このような特徴を有するペロブスカイト型化合物を、「実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物」と記載することがある。
実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物は、AMX3で示されるペロブスカイト構造を有し、AサイトにCH3NH3 +、MサイトにPb2+、XサイトにI-が位置する。
実施形態Aの光吸収材料は、実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物を主として含むことが好ましい。ここで、「光吸収材料が、実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物を主として含む」とは、光吸収材料が実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物を90質量%以上含むことであり、例えば95質量%以上含んでいてもよく、光吸収材料が実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物からなるものであってもよい。
実施形態Aの光吸収材料は、実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物を含んでいればよく、不純物を含み得る。実施形態Aの光吸収材料は、実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物とは異なる他の化合物をさらに含んでいてもよい。
MAPbI3は、PbI6八面体が点共有でつながった格子の中に、有機分子であるMAカチオンを有する結晶構造を有する。この有機分子にはエネルギー的に安定な結合方向(以下、特定の方向と呼ぶ)があり、当該有機分子はその特定の方向に向いてPbI6八面体と結合している。なお、特定の方向は一種類ではなく、対称性の等しい複数の方向があり、室温ではこれらの方向をランダムに向いていると考えられる。そのような特定の方向とは異なる結合方向、つまりエネルギー的には最安定でない結合状態(以下「準安定な状態」と記載)を安定に存在させることで、PbI6八面体が歪み、MAPbI3のバンドギャップを調整することができる。このような準安定な状態の一例としては、有機分子が同じ方向に結合した(以下、配向したと呼ぶ)状態が考えられる。
実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物は、有機分子の準安定な状態を安定化させることにより、バンドギャップを小さくすることができ、広い波長領域から光を吸収することが可能となる。したがって実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物は光吸収材料として有用である。
このような特徴をもつ材料は、有機分子が準安定な結合をとることで、より広い波長領域の光を吸収することが可能であることを意味する。
前述のとおり、実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物では、2次元NMRの1H−14NのHMQC法による固体1H−NMRスペクトルにおいて、25℃で6.2ppmのピーク強度が6.4ppmのピーク強度の15%以上であり、例えば30%以上であってもよい。また、固体1H−NMRスペクトルにおいて、6.4ppmのピーク強度に対する6.2ppmのピーク強度の比率の上限は、100%未満であれば特には限定されないが、例えば90%以下であってもよい。
本開示の光吸収材料の実施形態Bは、組成式CH3NH3PbI3で示され、ペロブスカイト構造を有し、かつ、固体1H−NMR分光測定により測定されるスピン−格子緩和時間T1が25℃で15s以上21s以下であるペロブスカイト型化合物を含む。以下、このような特徴を有するペロブスカイト型化合物を、「実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物」と記載することがある。
実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物は、実施形態Aにおけるペロブスカイト型化合物と同様に、AMX3で示されるペロブスカイト構造を有し、AサイトにCH3NH3 +、MサイトにPb2+、XサイトにI-が位置する。
実施形態Bの光吸収材料は、実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物を主として含むことが好ましい。ここで、「光吸収材料が、実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物を主として含む」とは、光吸収材料が実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物を90質量%以上含むことであり、例えば95質量%以上含んでいてもよく、光吸収材料が実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物からなるものであってもよい。
実施形態Bの光吸収材料は、実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物を含んでいればよく、不純物を含み得る。実施形態Bの光吸収材料は、実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物とは異なる他の化合物をさらに含んでいてもよい。
前述の通り、実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物のスピン−格子緩和時間T1は、15s以上21s以下であり、従来のMAPbI3よりも長い。スピン−格子緩和時間は、化合物中の束縛の強さや、化合物の結合状態が最安定な結合状態に戻る際の活性化エネルギーの大きさに対応している。つまり、スピン−格子緩和時間が長いほど、化合物中の結合が安定化されていることを示している。通常、エネルギー的に不安定な結合状態は、最安定な状態へと遷移する。しかし、結合が安定化されると、その遷移の活性化エネルギーが高くなるため、準安定な状態を維持することが可能となる。
このような特徴をもつ実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物は、準安定な有機分子の結合状態を安定化させることができ、より広い波長領域の光を吸収することが可能な材料であることを意味する。
次に、実施形態Aおよび実施形態Bの光吸収材料の基本的な作用効果を説明する。
(ペロブスカイト型化合物の物性)
実施形態Aおよび実施形態Bのペロブスカイト型化合物は、太陽電池用の光吸収材料として有用な以下の物性(バンドギャップ)を示し得る。
実施形態Aおよび実施形態Bのペロブスカイト型化合物は、太陽電池用の光吸収材料として有用な以下の物性(バンドギャップ)を示し得る。
実施形態Aおよび実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物は、従来のMAPbI3(バンドギャップ1.59eV)よりも1.4eVに近いバンドギャップを有し得る。実施形態Aおよび実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物のバンドギャップは、好ましくは1.4eV程度、例えば1.1eV以上1.5eV未満である。
ペロブスカイト型化合物のバンドギャップは、例えば、ペロブスカイト型化合物の吸光度測定で得られた吸収端波長から算出される。
実施形態Aおよび実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物が従来よりも小さいバンドギャップを有する長波長吸収を示す理由は、例えば次のように考えられる。
従来のMAPbI3のペロブスカイト型化合物では、先行技術文献で報告されている通り、MAカチオンはエネルギー的に安定な特定の結合方向に向いている。一方、NMR測定結果から、実施形態Aおよび実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物では、安定な結合方向とは異なった、準安定な方向に結合したMAカチオンが存在すると推測される。この準安定なMAカチオンの存在により、PbI6八面体が歪み、バンドギャップが1.48eV付近まで小さくなる。この結果、太陽電池用の光吸収材料として高い効率を実現することが可能になったと考察される。
(光吸収材料の製造方法)
次に、図面を参照しながら、実施形態Aおよび実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物の製造方法の一例を説明する。実施形態Aおよび実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物は、溶液塗布法、液相成長法、気相成長法などによって作製することができる。ここでは、液相成長法を例に説明するが、実施形態Aおよび実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物の製造方法はこれに限定されない。
次に、図面を参照しながら、実施形態Aおよび実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物の製造方法の一例を説明する。実施形態Aおよび実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物は、溶液塗布法、液相成長法、気相成長法などによって作製することができる。ここでは、液相成長法を例に説明するが、実施形態Aおよび実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物の製造方法はこれに限定されない。
まず、図1Aに示すように、有機溶媒に、PbI2と、PbI2と同モル量のCH3NH3I(MAI)とを添加する。有機溶媒は、アルコール類、ラクトン類、アルキルスルホキシド類およびアミド類から選ばれる有機溶媒であり、複数種の有機溶媒を混合して用いてもよい。具体的には、γ−ブチルラクトン(γ−zBL)、ジメチルスルホキシド(DMSO)およびN,N−ジメチルホルムアミド等が例示される。
次いで、ホットプレート41を用いて、有機溶媒中にPbI2とMAIとが添加された溶液を40℃以上120℃以下の範囲内の温度に加熱して、PbI2とMAIとを有機溶媒中で溶解させ、黄色の溶液(第1の溶液51)を得る。第1の溶液51を一度室温まで冷却した後、第1の溶液51に純水をよく攪拌しながら混合させ、図1Bに示すように第2の溶液52を得る。純水の添加量は、第1の溶液51に対する体積比率で、例えば0.1vol.%以上1.0vol.%以下であってもよい。続いて、得られた第2の溶液52を室温で放置(保存)する。
この後、図1Cに示すように、第2の溶液52を加熱したホットプレート41上に、磁石42で回転磁場をかけながら静置する。これにより、第2の溶液52の内部に黒色のMAPbI3結晶53が析出する。磁場の表面磁束密度は、0.1T以上に設定されてもよい。加熱温度は、80℃以上200℃以下に設定されてもよい。温度をこの範囲に設定することにより、黒色のMAPbI3が結晶として析出しやすく、かつ溶媒の蒸発を低減して結晶を析出しやすくすることができる。温度が低すぎる場合、ペロブスカイト構造を有さない、黄色のMAPbI3が生じる可能性がある。ホットプレート41上に静置させる時間(以下、析出時間と呼ぶ)は、例えば0.5時間以上5時間以下、好ましくは1時間以上3時間以下に設定されてもよい。析出時間をこの範囲に設定することにより、黒色の結晶の析出しやすさと、結晶中の残存溶媒を低減して非ペロブスカイト型構造への相転移の抑制とを両立させることができる。この後、得られた結晶53をアセトンでよく洗浄する。このようにして、実施形態Aおよび実施形態Bにおけるペロブスカイト型化合物(MAPbI3結晶)を得ることができる。
[実施形態2]
実施形態2では、本開示のペロブスカイト太陽電池の実施形態について説明する。
実施形態2では、本開示のペロブスカイト太陽電池の実施形態について説明する。
本実施形態の太陽電池は、第1電極と、第2電極と、第1電極と第2電極との間に配置されている光吸収層と、を備える。光吸収層は、実施形態1で説明した実施形態Aの光吸収材料および実施形態Bの光吸収材料の少なくともいずれか1つを含む。本実施形態の太陽電池は、実施形態1で説明した実施形態Aの光吸収材料および実施形態Bの光吸収材料の少なくともいずれか1つを含んでいるので、変換効率を高めることができる。以下に、本実施形態の太陽電池の構造および製造方法について説明する。なお、ここでは、太陽電池の4つの構造例(第1例〜第4例)とその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図2は、本実施形態の太陽電池の第1例を示す模式的な断面図である。
太陽電池100では、基板1上に、第1電極2と、光吸収層3と、第2電極4とがこの順に積層されている。光吸収層3の光吸収材料は、実施形態1におけるペロブスカイト型化合物を含む。なお、太陽電池100は基板1を有していなくてもよい。
次に、太陽電池100の基本的な作用効果を説明する。太陽電池100に光が照射されると、光吸収層3が光を吸収し、励起された電子と、正孔とを発生させる。この励起された電子は、第1電極2に移動する。一方、光吸収層3で生じた正孔は、第2電極4に移動する。これにより、太陽電池100は、負極としての第1電極2と、正極としての第2電極4とから、電流を取り出すことができる。
太陽電池100は、例えば以下の方法によって作製することができる。まず、基板1の表面に第1電極2を、化学気相蒸着法、スパッタ法などにより形成する。次に、第1電極2の上に、光吸収層3を形成する。例えば、図1Aから図1Cを参照しながら前述した方法で作製されたペロブスカイト型化合物(MAPbI3結晶)を所定の厚さに切り出して光吸収層3とし、第1電極2上に設置してもよい。続いて、光吸収層3の上に、第2電極4を形成することにより、太陽電池100を得ることができる。
以下、太陽電池100の各構成要素について、具体的に説明する。
(基板1)
基板1は、付随的な構成要素である。基板1は、太陽電池100の各層を保持する役割を果たす。基板1は、透明な材料から形成することができる。例えば、ガラス基板またはプラスチック基板を用いることができる。プラスチック基板は、例えばプラスチックフィルムであってもよい。また、第1電極2が十分な強度を有している場合、第1電極2によって各層を保持することができるので、必ずしも基板1を設けなくてもよい。
基板1は、付随的な構成要素である。基板1は、太陽電池100の各層を保持する役割を果たす。基板1は、透明な材料から形成することができる。例えば、ガラス基板またはプラスチック基板を用いることができる。プラスチック基板は、例えばプラスチックフィルムであってもよい。また、第1電極2が十分な強度を有している場合、第1電極2によって各層を保持することができるので、必ずしも基板1を設けなくてもよい。
(第1電極2)
第1電極2は、導電性を有する。また、第1電極2は、光吸収層3とオーミック接触を形成しない。さらに、第1電極2は、光吸収層3からの正孔に対するブロック性を有する。光吸収層3からの正孔に対するブロック性とは、光吸収層3で発生した電子のみを通過させ、正孔を通過させない性質のことである。このような性質を有する材料とは、光吸収層3の価電子帯上端のエネルギーよりも、フェルミエネルギーが高い材料である。光吸収層3のフェルミエネルギーよりも、フェルミエネルギーが高い材料であってもよい。具体的な材料としては、アルミニウムが挙げられる。
第1電極2は、導電性を有する。また、第1電極2は、光吸収層3とオーミック接触を形成しない。さらに、第1電極2は、光吸収層3からの正孔に対するブロック性を有する。光吸収層3からの正孔に対するブロック性とは、光吸収層3で発生した電子のみを通過させ、正孔を通過させない性質のことである。このような性質を有する材料とは、光吸収層3の価電子帯上端のエネルギーよりも、フェルミエネルギーが高い材料である。光吸収層3のフェルミエネルギーよりも、フェルミエネルギーが高い材料であってもよい。具体的な材料としては、アルミニウムが挙げられる。
また、第1電極2は、透光性を有する。例えば、可視領域から近赤外領域の光を透過する。第1電極2は、例えば、透明であり導電性を有する金属酸化物を用いて形成することができる。このような金属酸化物としては、例えば、インジウム−錫複合酸化物、アンチモンをドープした酸化錫、フッ素をドープした酸化錫、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウムの少なくとも一種をドープした酸化亜鉛、あるいはこれらの複合物が挙げられる。
また、第1電極2は、透明でない材料を用いて、光が透過するパターンを設けて形成することができる。光が透過するパターンとしては、例えば、線状、波線状、格子状、多数の微細な貫通孔が規則的または不規則に配列されたパンチングメタル状のパターン、または、これらとはネガ・ポジが反転したパターンが挙げられる。第1電極2がこれらのパターンを有すると、電極材料が存在しない部分を光が透過することができる。透明でない電極材料として、例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム、チタン、鉄、ニッケル、スズ、亜鉛、またはこれらのいずれかを含む合金を挙げることができる。また、導電性を有する炭素材料を用いることもできる。
第1電極2の光の透過率は、例えば50%以上であってもよく、80%以上であってもよい。透過すべき光の波長は、光吸収層3の吸収波長に依存する。第1電極2の厚さは、例えば、1nm以上1000nm以下の範囲内にある。
(光吸収層3)
光吸収層3は、実施形態1で説明した実施形態Aの光吸収材料および実施形態Bの光吸収材料の少なくともいずれか1つを含む。すなわち、光吸収層3の光吸収材料は、実施形態1で説明した実施形態Aにおけるペロブスカイト化合物および実施形態Bにおけるペロブスカイト化合物の少なくともいずれか1つのペロブスカイト型化合物を含む。光吸収層3の厚さは、その光吸収の大きさにもよるが、例えば100nm以上1000nm以下である。光吸収層3は、前述したようにMAPbI3結晶を切り出すことによって形成されてもよい。なお、光吸収層3の形成方法は、特に限定されない。例えば、作製されたMAPbI3の微結晶を種結晶として基板(第1例の太陽電池100では、例えば第1電極2が表面上に形成されている基板1)上に塗布し、その基板を加熱した溶液中に浸漬させて結晶を成長させる方法によって、光吸収層3を形成することもできる。なお、この方法で用いられる溶液とは、実施形態1で説明したような、実施形態1におけるペロブスカイト型化合物を液相成長法によって作製する際に用いられる溶液である。
光吸収層3は、実施形態1で説明した実施形態Aの光吸収材料および実施形態Bの光吸収材料の少なくともいずれか1つを含む。すなわち、光吸収層3の光吸収材料は、実施形態1で説明した実施形態Aにおけるペロブスカイト化合物および実施形態Bにおけるペロブスカイト化合物の少なくともいずれか1つのペロブスカイト型化合物を含む。光吸収層3の厚さは、その光吸収の大きさにもよるが、例えば100nm以上1000nm以下である。光吸収層3は、前述したようにMAPbI3結晶を切り出すことによって形成されてもよい。なお、光吸収層3の形成方法は、特に限定されない。例えば、作製されたMAPbI3の微結晶を種結晶として基板(第1例の太陽電池100では、例えば第1電極2が表面上に形成されている基板1)上に塗布し、その基板を加熱した溶液中に浸漬させて結晶を成長させる方法によって、光吸収層3を形成することもできる。なお、この方法で用いられる溶液とは、実施形態1で説明したような、実施形態1におけるペロブスカイト型化合物を液相成長法によって作製する際に用いられる溶液である。
(第2電極4)
第2電極4は、導電性を有する。また、第2電極4は、光吸収層3とオーミック接触しない。さらに、光吸収層3からの電子に対するブロック性を有する。光吸収層3からの電子に対するブロック性とは、光吸収層3で発生した正孔のみを通過させ、電子を通過させない性質のことである。このような性質を有する材料とは、光吸収層3の伝導帯下端のエネルギーよりも、フェルミエネルギーが低い材料である。光吸収層3のフェルミエネルギーよりも、フェルミエネルギーが低い材料であってもよい。具体的な材料としては、金、グラフェンなどの炭素材料が挙げられる。
第2電極4は、導電性を有する。また、第2電極4は、光吸収層3とオーミック接触しない。さらに、光吸収層3からの電子に対するブロック性を有する。光吸収層3からの電子に対するブロック性とは、光吸収層3で発生した正孔のみを通過させ、電子を通過させない性質のことである。このような性質を有する材料とは、光吸収層3の伝導帯下端のエネルギーよりも、フェルミエネルギーが低い材料である。光吸収層3のフェルミエネルギーよりも、フェルミエネルギーが低い材料であってもよい。具体的な材料としては、金、グラフェンなどの炭素材料が挙げられる。
図3は、本実施形態の太陽電池の第2例を示す模式的な断面図である。太陽電池200は、電子輸送層を備える点で、図2に示す太陽電池100と異なる。太陽電池100と同一の機能および構成を有する構成要素については、太陽電池100と共通する符号を付し、説明を適宜省略する。
太陽電池200では、基板1上に、第1電極22と、電子輸送層5と、光吸収層3と、第2電極4とがこの順に積層されている。なお、太陽電池200は基板1を有していなくてもよい。
次に、太陽電池200の基本的な作用効果を説明する。太陽電池200に光が照射されると、光吸収層3が光を吸収し、励起された電子と、正孔とを発生させる。この励起された電子は、電子輸送層5を介して第1電極22に移動する。一方、光吸収層3で生じた正孔は、第2電極4に移動する。これにより、太陽電池200は、負極としての第1電極22と、正極としての第2電極4とから、電流を取り出すことができる。
また、太陽電池200においては、電子輸送層5を設けている。そのため、第1電極22が光吸収層3からの正孔に対するブロック性を有さなくてもよい。したがって、第1電極22の材料選択の幅が広がる。
太陽電池200は、図2に示す太陽電池100と同様の方法によって作製することができる。電子輸送層5は、第1電極22の上にスパッタ法などによって形成することができる。
以下、太陽電池200の各構成要素について具体的に説明する。
(第1電極22)
第1電極22は、導電性を有する。第1電極22は、第1電極2と同様の構成とすることもできる。太陽電池200では、電子輸送層5を用いるため、第1電極22は、光吸収層からの正孔に対するブロック性を有さなくてもよい。すなわち、第1電極22の材料は、光吸収層3とオーミック接触する材料であってもよい。
第1電極22は、導電性を有する。第1電極22は、第1電極2と同様の構成とすることもできる。太陽電池200では、電子輸送層5を用いるため、第1電極22は、光吸収層からの正孔に対するブロック性を有さなくてもよい。すなわち、第1電極22の材料は、光吸収層3とオーミック接触する材料であってもよい。
第1電極22は、透光性を有する。例えば、可視領域から近赤外領域の光を透過する。第1電極22は、透明であり導電性を有する金属酸化物を用いて形成することができる。このような金属酸化物としては、例えば、インジウム−スズ複合酸化物、アンチモンをドープした酸化スズ、フッ素をドープした酸化スズ、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少なくとも一種をドープした酸化亜鉛、あるいはこれらの複合物が挙げられる。
また、第1電極22の材料として、透明でない材料を用いることもできる。その場合、第1電極2と同様に、第1電極22を、光が透過するパターン状に形成する。透明でない電極材料としては、例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム、チタン、鉄、ニッケル、スズ、亜鉛、またはこれらのいずれかを含む合金を挙げることができる。また、導電性を有する炭素材料を用いることもできる。
第1電極22の光の透過率は、例えば50%以上であってもよく、80%以上であってもよい。透過すべき光の波長は、光吸収層3の吸収波長に依存する。第1電極22の厚さは、例えば、1nm以上、1000nm以下である。
(電子輸送層5)
電子輸送層5は、半導体を含む。電子輸送層5は、バンドギャップが3.0eV以上の半導体であってもよい。バンドギャップが3.0eV以上の半導体で電子輸送層5を形成することにより、可視光および赤外光を光吸収層3まで透過させることができる。半導体の例としては、有機または無機のn型半導体が挙げられる。
電子輸送層5は、半導体を含む。電子輸送層5は、バンドギャップが3.0eV以上の半導体であってもよい。バンドギャップが3.0eV以上の半導体で電子輸送層5を形成することにより、可視光および赤外光を光吸収層3まで透過させることができる。半導体の例としては、有機または無機のn型半導体が挙げられる。
有機のn型半導体としては、例えば、イミド化合物、キノン化合物、ならびに、フラーレンおよびその誘導体が挙げられる。また、無機のn型半導体としては、例えば、金属元素の酸化物、ペロブスカイト型酸化物を用いることができる。金属元素の酸化物としては、例えば、Cd、Zn、In、Pb、Mo、W、Sb、Bi、Cu、Hg、Ti、Ag、Mn、Fe、V、Sn、Zr、Sr、Ga、SiおよびCrの酸化物を用いることができる。より具体的な例としては、TiO2が挙げられる。ペロブスカイト型酸化物の例としては、SrTiO3、CaTiO3が挙げられる。
また、電子輸送層5は、バンドギャップが6.0eVよりも大きな物質によって形成されていてもよい。バンドギャップが6.0eVよりも大きな物質としては、フッ化リチウムまたはフッ化カルシウムなどのアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化マグネシウムなどのアルカリ金属酸化物、二酸化ケイ素などが挙げられる。この場合、電子輸送層5の電子輸送性を確保するために、電子輸送層5は、例えば10nm以下に構成される。
電子輸送層5は、互いに異なる材料からなる複数の層を含んでいてもよい。
図4は、本実施形態の太陽電池の第3例を示す模式的な断面図である。太陽電池300は、多孔質層を備える点で、図3に示す太陽電池200と異なる。太陽電池200と同一の機能および構成を有する構成要素については、太陽電池200と共通する符号を付し、説明を適宜省略する。
太陽電池300では、基板1上に、第1電極22と、電子輸送層5と、多孔質層6と、光吸収層3と、第2電極4とがこの順に積層されている。多孔質層6は、多孔質体を含む。多孔質体は、空孔を含む。なお、太陽電池300は基板1を有していなくてもよい。
多孔質層6中の空孔は、光吸収層3と接する部分から、電子輸送層5と接する部分まで繋がっている。これにより、光吸収層3の材料は多孔質層6の空孔を充填し、電子輸送層5の表面まで到達することができる。したがって、光吸収層3と電子輸送層5とは接触しているため、直接電子の授受が可能である。
次に、太陽電池300の基本的な作用効果を説明する。太陽電池300に光が照射されると、光吸収層3が光を吸収し、励起された電子と、正孔とを発生させる。この励起された電子は、電子輸送層5を介して第1電極22に移動する。一方、光吸収層3で生じた正孔は、第2電極4に移動する。これにより、太陽電池300は、負極としての第1電極222と、正極としての第2電極4とから、電流を取り出すことができる。
また、電子輸送層5の上に多孔質層6を設けたことにより、光吸収層3を容易に形成できるという効果が得られる。すなわち、多孔質層6を設けたことにより、多孔質層6の空孔に光吸収層3の材料が侵入し、多孔質層6が光吸収層3の足場となる。そのため、光吸収層3の材料が多孔質層6の表面で弾かれたり、凝集したりすることが起こりにくい。したがって、光吸収層3を均一な膜として形成することができる。太陽電池300における光吸収層3は、例えば、基板1、第1電極22、電子輸送層5および多孔質層6で形成されている積層体の多孔質層6上にMAPbI3の微結晶を種結晶として塗布し、その積層体を加熱した溶液中に浸漬させて結晶を成長させる方法によって形成できる。なお、この方法で用いられる溶液とは、実施形態1で説明したような、実施形態1におけるペロブスカイト型化合物を液相成長法によって作製する際に用いられる溶液である。
また、多孔質層6によって光散乱が起こることにより、光吸収層3を通過する光の光路長が増大する効果が期待される。光路長が増大すると、光吸収層3中で発生する電子と正孔の量が増加すると予測される。
太陽電池300は、太陽電池200と同様の方法によって作製することができる。多孔質層6は、電子輸送層5の上に、例えば塗布法によって形成する。
(多孔質層6)
多孔質層6は、光吸収層3を形成する際の土台となる。多孔質層6は、光吸収層3の光吸収や、光吸収層3から電子輸送層5への電子移動を阻害しない。
多孔質層6は、光吸収層3を形成する際の土台となる。多孔質層6は、光吸収層3の光吸収や、光吸収層3から電子輸送層5への電子移動を阻害しない。
多孔質層6は、多孔質体を含む。多孔質体としては、例えば、絶縁性または半導体の粒子が連なった多孔質体が挙げられる。絶縁性の粒子としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化ケイ素の粒子を用いることができる。半導体粒子としては、無機半導体粒子を用いることができる。無機半導体としては、金属元素の酸化物、金属元素のペロブスカイト酸化物、金属元素の硫化物、金属カルコゲナイドを用いることができる。金属元素の酸化物の例としては、Cd、Zn、In、Pb、Mo、W、Sb、Bi、Cu、Hg、Ti、Ag、Mn、Fe、V、Sn、Zr、Sr、Ga、Si、Crの酸化物が挙げられる。より具体的な例としては、TiO2が挙げられる。金属元素のペロブスカイト酸化物の例としては、SrTiO3、CaTiO3が挙げられる。金属元素の硫化物の例としては、CdS、ZnS、In2S3、PbS、Mo2S、WS2、Sb2S3、Bi2S3、ZnCdS2、Cu2Sが挙げられる。金属カルコゲナイドの例としては、CsSe、In2Se3、WSe2、HgS、PbSe、CdTeが挙げられる。
多孔質層6の層さは、0.01μm以上10μm以下が望ましく、0.1μm以上1μm以下がさらに望ましい。また、多孔質層6の表面粗さは大きい方が望ましい。具体的には、実効面積/投影面積で与えられる表面粗さ係数が10以上であることが望ましく、100以上であることがさらに望ましい。なお、投影面積とは、物体を真正面から光で照らしたときに、後ろにできる影の面積である。実効面積とは、物体の実際の表面積のことである。実効面積は、物体の投影面積および厚さから求められる体積と、物体を構成する材料の比表面積および嵩密度とから計算することができる。比表面積は、例えば窒素吸着法によって測定される。
図5は、本実施形態の太陽電池の第4例を示す模式的な断面図である。
太陽電池400は、正孔輸送層を備える点で、図4に示す太陽電池300と異なる。太陽電池300と同一の機能および構成を有する構成要素については、太陽電池300と共通する符号を付し、説明を適宜省略する。
太陽電池400では、基板31上に、第1電極32と、電子輸送層5と、多孔質層6と、光吸収層3と、正孔輸送層7と、第2電極34とがこの順に積層されている。太陽電池400は基板31を有していなくてもよい。
次に、本実施形態の太陽電池400の、基本的な作用効果を説明する。
太陽電池400に光が照射されると、光吸収層3が光を吸収し、励起された電子と、正孔とを発生させる。この励起された電子は電子輸送層5に移動する。一方、光吸収層3で生じた正孔は、正孔輸送層7に移動する。電子輸送層5は第1電極32に接続され、正孔輸送層7は第2電極34に接続されている。これにより、太陽電池400は、負極としての第1電極32と、正極としての第2電極34とから電流を取り出すことができる。
太陽電池400は、光吸収層3と第2電極34との間に正孔輸送層7を有している。このため、第2電極34は、光吸収層3からの電子に対するブロック性を有さなくてもよい。したがって、第2電極34の材料選択の幅が広がる。
以下、太陽電池400の各構成要素について、具体的に説明する。なお、太陽電池300と共通する要素については、説明を省略する。
(第1電極32および第2電極34)
上述したように、第2電極34は、光吸収層3からの電子に対するブロック性を有さなくてもよい。すなわち、第2電極34の材料は、光吸収層3とオーミック接触する材料であってもよい。そのため、第2電極34を、透光性を有するように形成することができる。
上述したように、第2電極34は、光吸収層3からの電子に対するブロック性を有さなくてもよい。すなわち、第2電極34の材料は、光吸収層3とオーミック接触する材料であってもよい。そのため、第2電極34を、透光性を有するように形成することができる。
第1電極32および第2電極34の少なくとも一方は、透光性を有し、太陽電池100の第1電極2と同様に構成される。
第1電極32および第2電極34の一方は、透光性を有さなくともよい。すなわち、必ずしも透光性を有する材料を用いる必要はなく、また光を透過させる開口部分を含むパターンを有していなくてもよい。
(基板31)
図2に示す太陽電池100の基板1と同様の構成とすることができる。また、第2電極34が透光性を有している場合には、基板31の材料は、透光性を有さない材料であってもよい。例えば、基板31の材料として、金属やセラミックス、透過性の小さい樹脂材料を用いることができる。
図2に示す太陽電池100の基板1と同様の構成とすることができる。また、第2電極34が透光性を有している場合には、基板31の材料は、透光性を有さない材料であってもよい。例えば、基板31の材料として、金属やセラミックス、透過性の小さい樹脂材料を用いることができる。
(正孔輸送層7)
正孔輸送層7は、有機物や、無機半導体などによって構成される。正孔輸送層7は、互いに異なる材料からなる複数の層を含んでいてもよい。
正孔輸送層7は、有機物や、無機半導体などによって構成される。正孔輸送層7は、互いに異なる材料からなる複数の層を含んでいてもよい。
正孔輸送層7の厚さは、1nm以上1000nm以下であることが望ましく、10nm以上50nm以下であることがより望ましい。この範囲内であれば、十分な正孔輸送性を発現できる。また、低抵抗を維持できるので、高効率に光発電を行うことができる。
正孔輸送層7の形成方法としては、塗布法または印刷法を採用することができる。塗布法としては、例えば、ドクターブレード法、バーコート法、スプレー法、ディップコーティング法、スピンコート法が挙げられる。印刷法としては、例えば、スクリーン印刷法が挙げられる。また、必要に応じて、複数の材料を混合して正孔輸送層7を作製し、加圧、または焼成するなどしてもよい。正孔輸送層7の材料が有機の低分子体や無機半導体である場合には、真空蒸着法などによって作製することも可能である。
正孔輸送層7は、支持電解質および溶媒を含んでいてもよい。支持電解質および溶媒は、正孔輸送層7中の正孔を安定化させる効果を有する。
支持電解質としては、例えば、アンモニウム塩、アルカリ金属塩が挙げられる。アンモニウム塩としては、例えば、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、六フッ化リン酸テトラエチルアンモニウム、イミダゾリウム塩やピリジニウム塩が挙げられる。アルカリ金属塩としては、例えば、過塩素酸リチウムや四フッ化ホウ素カリウムが挙げられる。
正孔輸送層7に含まれる溶媒は、イオン伝導性に優れるものが望ましい。水系溶媒および有機溶媒のいずれも使用できるが、溶質をより安定化するため、有機溶媒が望ましい。具体例としては、tert−ブチルピリジン、ピリジン、n−メチルピロリドンなどの複素環化合物溶媒が挙げられる。
また、溶媒としてイオン液体を、単独で、または他種の溶媒に混合して用いてもよい。イオン液体は、揮発性が低く、難燃性が高い点で望ましい。
イオン液体としては、例えば、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムテトラシアノボレートなどイミダゾリウム系、ピリジン系、脂環式アミン系、脂肪族アミン系、アゾニウムアミン系のイオン液体を挙げることができる。
実施例および比較例で、ペロブスカイト型化合物(以下、単に「化合物」と略す)を作製し、物性を評価したので、その方法および結果を説明する。さらに作製されたペロブスカイト型化合物を用いて太陽電池を作製し、その太陽電池の特性も評価したので、その方法および結果も説明する。
<実施例および比較例の化合物の作製>
[実施例1]
図1Aから図1Cを参照しながら前述した方法で、実施例の化合物を作製した。具体的には、γ−ブチルラクトン(γ−zBL)に1mol/LのPbI2(東京化成製)と、1mol/LのMAI(東京化成製)とを添加し、100℃に加熱したホットプレート41上で溶解させ、黄色の溶液(第1の溶液51)を得た。次いで第1の溶液51を一度室温まで冷却した後、体積比率で0.7vol%の純粋をよく攪拌しながら混合させて、第2の溶液52を得た。この後、140℃に加熱したホットプレート41上で、磁束密度0.3Tの回転磁場をかけながら静置させた。静置させる時間は3時間とした。これにより、第2の溶液52の内部に黒色の結晶53が析出した。この後、結晶をアセトンでよく洗浄することで、実施例の化合物(MAPbI3結晶)を得た。
[実施例1]
図1Aから図1Cを参照しながら前述した方法で、実施例の化合物を作製した。具体的には、γ−ブチルラクトン(γ−zBL)に1mol/LのPbI2(東京化成製)と、1mol/LのMAI(東京化成製)とを添加し、100℃に加熱したホットプレート41上で溶解させ、黄色の溶液(第1の溶液51)を得た。次いで第1の溶液51を一度室温まで冷却した後、体積比率で0.7vol%の純粋をよく攪拌しながら混合させて、第2の溶液52を得た。この後、140℃に加熱したホットプレート41上で、磁束密度0.3Tの回転磁場をかけながら静置させた。静置させる時間は3時間とした。これにより、第2の溶液52の内部に黒色の結晶53が析出した。この後、結晶をアセトンでよく洗浄することで、実施例の化合物(MAPbI3結晶)を得た。
[実施例2]
基板として、ガラス基板を用いた。ガラス基板の上には、ITOが配置されていた。ITO上にスパッタ法により厚さ20nmのSnO2層を形成した。前述の実施例1で得た化合物(MAPbI3結晶)を、ダイヤモンドカッターで平板状に切り、紙やすりで平滑性を整えることで、厚み200μmの平板状の試料を得た。この試料を、SnO2層上に配置し、さらにその上部に金を80nm蒸着することで、太陽電池を得た。すなわち、作製された太陽電池は、実施形態2において第2例として説明した太陽電池200(図3参照)と同じ構造を有していた。実施例2の太陽電池の各構成は以下の通りである。
基板として、ガラス基板を用いた。ガラス基板の上には、ITOが配置されていた。ITO上にスパッタ法により厚さ20nmのSnO2層を形成した。前述の実施例1で得た化合物(MAPbI3結晶)を、ダイヤモンドカッターで平板状に切り、紙やすりで平滑性を整えることで、厚み200μmの平板状の試料を得た。この試料を、SnO2層上に配置し、さらにその上部に金を80nm蒸着することで、太陽電池を得た。すなわち、作製された太陽電池は、実施形態2において第2例として説明した太陽電池200(図3参照)と同じ構造を有していた。実施例2の太陽電池の各構成は以下の通りである。
基板1:ガラス
第1電極22:ITO
電子輸送層5:SnO2(厚さ20nm)
光吸収層3:実施例1の化合物(厚さ200μm)
第2電極4:Au(厚さ80nm)
第1電極22:ITO
電子輸送層5:SnO2(厚さ20nm)
光吸収層3:実施例1の化合物(厚さ200μm)
第2電極4:Au(厚さ80nm)
[比較例1]
まず、PbI2を1mol/L、MAIを1mol/Lの濃度で含むジメチルスルホキシド(DMSO)溶液を用意した。次に、この溶液を基板上にスピンコート法で塗布した。基板として、フッ素ドープSnO2層が形成された厚さ1mmのガラス基板(日本板硝子製)を用いた。この後、基板を100℃のホットプレート上で熱処理することにより化合物(MAPbI3膜)を得た。
まず、PbI2を1mol/L、MAIを1mol/Lの濃度で含むジメチルスルホキシド(DMSO)溶液を用意した。次に、この溶液を基板上にスピンコート法で塗布した。基板として、フッ素ドープSnO2層が形成された厚さ1mmのガラス基板(日本板硝子製)を用いた。この後、基板を100℃のホットプレート上で熱処理することにより化合物(MAPbI3膜)を得た。
[比較例2]
比較例1と同様の方法で基板上にMAPbI3膜を形成し、さらにMAPbI3膜の上部に金を80nm蒸着することで、太陽電池を得た。基板は、実施例2と同様に、ITOが形成されたガラス基板上に、スパッタ法により厚さ20nmのSnO2層を形成したものを用いた。
比較例1と同様の方法で基板上にMAPbI3膜を形成し、さらにMAPbI3膜の上部に金を80nm蒸着することで、太陽電池を得た。基板は、実施例2と同様に、ITOが形成されたガラス基板上に、スパッタ法により厚さ20nmのSnO2層を形成したものを用いた。
<結晶構造解析>
実施例1および比較例1で得た化合物について、Cu−Kα 線を用いてX線回折(XRD)測定を行った。図6は、実施例1(実線)および比較例1(破線)のXRD測定結果を示す。横軸が2θ、縦軸がX線回折強度を示す。図6下段の点線は、MAPbI3が室温で正方晶ペロブスカイト型構造をとった場合の、理論上のXRDパターンを示す。図6より、実施例1および比較例1で得た化合物は、ペロブスカイト構造を有していることが確認された。
実施例1および比較例1で得た化合物について、Cu−Kα 線を用いてX線回折(XRD)測定を行った。図6は、実施例1(実線)および比較例1(破線)のXRD測定結果を示す。横軸が2θ、縦軸がX線回折強度を示す。図6下段の点線は、MAPbI3が室温で正方晶ペロブスカイト型構造をとった場合の、理論上のXRDパターンを示す。図6より、実施例1および比較例1で得た化合物は、ペロブスカイト構造を有していることが確認された。
<運動性解析>
実施例1および比較例1の化合物の運動性解析を行った。以下の条件での固体1H−NMR分光測定によりスピン−格子緩和時間測定を実施した。スピン−格子緩和時間は分子の運動性を表す指標である。ここでは、MAカチオンとPbI6八面体の結合の強さを示す。
実施例1および比較例1の化合物の運動性解析を行った。以下の条件での固体1H−NMR分光測定によりスピン−格子緩和時間測定を実施した。スピン−格子緩和時間は分子の運動性を表す指標である。ここでは、MAカチオンとPbI6八面体の結合の強さを示す。
装置:日本電子株式会社製JNM−ECZ600R/M1
観測核:1H
観測周波数:600.172MHz
測定温度:25℃
測定法:飽和回復法
90度パルス幅:0.85μs
マジック角回転の回転数:70kHz
パルス印加までの待ち時間:0.1s
積算回数:64回
観測核:1H
観測周波数:600.172MHz
測定温度:25℃
測定法:飽和回復法
90度パルス幅:0.85μs
マジック角回転の回転数:70kHz
パルス印加までの待ち時間:0.1s
積算回数:64回
化学シフトはアダマンタンを外部基準として決定した。空気中の水分による変質を防ぐため、乾燥窒素を連続的に流しているドライ雰囲気下にて、密閉性の試料管に試料を充填した。試料管は直径1mmのものを用いた。
上記の測定条件で1H−NMRを測定すると、6.2〜6.6ppmの範囲にN原子と結合したH原子由来のスペクトルが得られた。パルス系列で回復時間τを変化させたときに、6.2〜6.6ppmの範囲に得られるピークの強度変化について、非線形最小二乗法を用いて以下の式に最適化することにより緩和時間T1を決定した。なおMはピーク強度を意味する。
得られた結果を表1に示す。表1より、実施例1のスピン−格子緩和時間は、比較例1と比較して長い。この結果から、実施例1では比較例1よりもMAカチオンとPbI6八面体との結合が強く、MAカチオンがPbI6八面体に束縛されているため、MAカチオンの分子運動が抑制されていると考えられる。MAカチオンのPbI6八面体への束縛が強いことにより、最安定な結合状態に戻る際の活性化エネルギーが高くなるので、準安定な結合状態が安定して存在していることが示唆される。
以上より、実施例1の化合物では、MAカチオンがPbI6八面体に束縛され、比較例の化合物にはない準安定な結合状態が存在していると考えられる。
<電子状態解析>
実施例1および比較例1の化合物の電子状態解析を行った。ここでは、以下の条件で2次元NMRの1H−14NのHMQC法により固体1H−NMRスペクトル測定を実施した。本測定によりN原子と結合するH原子のみの電子状態を観測することが可能である。
実施例1および比較例1の化合物の電子状態解析を行った。ここでは、以下の条件で2次元NMRの1H−14NのHMQC法により固体1H−NMRスペクトル測定を実施した。本測定によりN原子と結合するH原子のみの電子状態を観測することが可能である。
装置:日本電子株式会社製JNM−ECZ600R/M1
観測核:1H
観測周波数:600.172MHz
測定温度:25℃
測定法:MAS法
パルス系列:1H−14N/HMQC
90度パルス幅:0.85μs
マジック角回転の回転数:70kHz
パルス印加までの待ち時間:20s
積算回数:64回
観測核:1H
観測周波数:600.172MHz
測定温度:25℃
測定法:MAS法
パルス系列:1H−14N/HMQC
90度パルス幅:0.85μs
マジック角回転の回転数:70kHz
パルス印加までの待ち時間:20s
積算回数:64回
化学シフトはアダマンタンを外部基準として決定した。空気中の水分による変質を防ぐため、乾燥窒素を連続的に流しているドライ雰囲気下にて密閉性の試料管に試料を充填した。試料管は直径1mmのものを用いた。得られたピークはフォークト関数を用いてピークの分離を行った。
実施例1の測定結果を図7Aに、比較例1の測定結果を図7Bに示す。実線は実測値を、破線は実測をもとにピークフィッティングした結果である。NMRスペクトルに対しピークフィッティングを行った結果を表2に示す。これより、実施例1では比較例1と同様のピーク(6.4ppm)に加え、高磁場側に比較例1にはないピーク(6.2ppm)が存在する。化学シフトが高磁場側に位置することは、対応する結合状態がエネルギー的に準安定であることを示している。
また、実施例1と比較例1における6.2ppmでのスペクトル強度I6.2と、6.4ppmでのスペクトル強度I6.4と、その強度比I6.2/I6.4を表3に示す。実施例1では6.4ppmでのスペクトル強度に対する6.2ppmのスペクトル強度は39%と、比較例1の12%よりも大きい。
本測定で観測されるピークはMAカチオンのN原子に結合したH原子由来のピークであり、実施例1での2つのピークの存在は、比較例1にはない別の結合状態をもつMAカチオンの存在を意味している。
次に、MAPbI3中のMAカチオンの結合方向の違いによる、1H−NMRスペクトルの化学シフト変化を第一原理計算により解析した。MAカチオンは分子が非対称性であるため分極を有する。また、MAカチオンが結晶格子中で回転することで、PbI6八面体との結合状態も変化する。以上の理由で、NMR測定で観測される化学シフトも変化する。図8A〜8EにMAPbI3中のMAカチオンをさまざまな方向に回転させた際の構造を示す。図9に、図8A〜8Eに対応する、N原子に結合したH原子の平均化学シフトを横軸に、全エネルギーを縦軸にプロットして示す。
図9より、低磁場側にピークが位置する結合方向ほど、エネルギー的に安定となる傾向になる。先のNMR測定の結果を踏まえると、比較例と実施例の両者に存在するピークは、エネルギー的に最安定な結合方向にMAカチオンが向いている状態に対応すると考えられる。一方、実施例では準安定な結合方向に向いたMAカチオンが存在することで、高磁場側に比較例にはないピークが現れていると考えられる。このことにより、MAPbI3のバンドギャップが小さくなり、吸収波長領域が拡大することが示唆される。
以上から、実施例1の化合物では、比較例1の化合物と同様の結合状態をとるMAカチオンに加え、比較例1の化合物にはない方向に結合した準安定なMAカチオンが存在することが明らかとなった。
<光学特性測定>
実施例1および比較例1の化合物について、吸光度測定および蛍光測定を行い、吸収端エネルギーからバンドギャップを算出した。
実施例1および比較例1の化合物について、吸光度測定および蛍光測定を行い、吸収端エネルギーからバンドギャップを算出した。
図10Aは、実施例1(実線)および比較例1(破線)の化合物の吸収スペクトルを示す。横軸は光子のエネルギーを、縦軸は吸光度を示す。この図より、比較例1の化合物では、バンドギャップに相当する吸収端エネルギーは1.60eVである。これに対し、実施例1の化合物では、吸収端エネルギーは1.48eVである。すなわち、実施例1の化合物の吸収端エネルギーは、比較例1よりも長波長側(低エネルギー側)に位置していることが分かる。
図10Bに実施例1(実線)および比較例1(破線)の化合物における、532nmのレーザーを光源とする蛍光測定で得られた蛍光スペクトルの測定結果を示す。横軸は光子のエネルギーを、縦軸は蛍光強度を示す。この図より、比較例1の化合物の蛍光スペクトルは1.61eVにピークを有する。これに対し、実施例1の化合物の蛍光スペクトルは1.56eVに加え、1.48eVにピークを有している。すなわち、1.48eVの蛍光ピークの存在により、実施例1の化合物の蛍光スペクトルのピークは、比較例1の化合物よりも長波長側(低エネルギー側)に位置していることが分かる。
次にMAPbI3中のMAカチオンの結合方向の違いによるバンドギャップ変化を第一原理計算により解析した。図11にMAPbI3中のMAカチオンをさまざまな方向に回転させた際のバンドギャップを示す。横軸はN原子に結合したH原子の平均化学シフトを、縦軸はバンドギャップの計算値を示す。図中の番号は先の図8A〜8Eの構造に対応する。なお一般に計算によるバンドギャップは実験値を過小評価する傾向にあり、今回も計算値は小さく見積もられている。
図11より、安定な結合方向(化学シフトが6.4ppmの点)から高磁場側に化学シフトが変化すると、バンドギャップが極小となる点があらわれる。比較例1よりわずかに高磁場側にNMRピークをもつ実施例1の化合物では、比較例1の化合物よりもバンドギャップが小さくなることから、この計算による傾向と一致している。
以上から、1.48eVに確認できる実施例1の化合物の吸収および発光は、比較例1の化合物にはない方向に結合した準安定なMAカチオンに由来するものと考えられる。この準安定なMAカチオンの存在により、実施例1の化合物は、そのバンドギャップが理論効率が最大となる1.4eV付近のバンドギャップに近く、高い変換効率に寄与し得ることが確認された。
<太陽電池の特性評価>
実施例2および比較例2の太陽電池について、IPCE効率測定(incident photon to current conversion efficiency:各波長の量子効率測定)を行った。光源のエネルギーは各波長で5mW/cm2とした。
実施例2および比較例2の太陽電池について、IPCE効率測定(incident photon to current conversion efficiency:各波長の量子効率測定)を行った。光源のエネルギーは各波長で5mW/cm2とした。
外部量子効率を縦軸に、波長を横軸にとり、実施例2(実線)と比較例2(破線)の結果を図12に示す。なお、図12には、実施例2の実測値を30倍した値を示している。これより比較例2と同様、実施例2も太陽電池として機能している。さらに、比較例2では太陽電池の吸収波長端が780nm(エネルギー換算で1.58eV)であるのに対し、実施例2では太陽電池の吸収波長域が、より長波長である820nm(エネルギー換算で1.51eV)まで拡大している。よって、実施例2では、先の光学測定結果で確認された長波長領域での光吸収で生じたキャリアを、外部に取り出せていることがわかる。
以上を踏まえると、実施例1の化合物を用いて光吸収層を作製して太陽電池とした場合、実施例1の化合物は太陽電池の変換効率の向上に寄与し得ることが確認された。
本開示は、新規なペロブスカイト型化合物を含む光吸収材料であり、該光吸収材料は太陽電池の光吸収層に用いられた場合に太陽電池の変換効率を向上させることができるものであり、産業上の利用の可能性が極めて高いといえる。
1,31 基板
2,22,32 第1電極
3 光吸収層
4,34 第2電極
5 電子輸送層
6 多孔質層
7 正孔輸送層
41 ホットプレート
42 磁石
51 第1の溶液
52 第2の溶液
53 結晶
100,200,300,400 太陽電池
2,22,32 第1電極
3 光吸収層
4,34 第2電極
5 電子輸送層
6 多孔質層
7 正孔輸送層
41 ホットプレート
42 磁石
51 第1の溶液
52 第2の溶液
53 結晶
100,200,300,400 太陽電池
Claims (5)
- 組成式CH3NH3PbI3で示され、ペロブスカイト構造を有し、かつ、2次元NMRの1H−14NのHMQC法による固体1H−NMRスペクトルにおいて、25℃で6.2ppmのピーク強度が6.4ppmのピーク強度の15%以上であるペロブスカイト型化合物を含む、
光吸収材料。 - 前記ペロブスカイト型化合物を主として含む、
請求項1に記載の光吸収材料。 - 組成式CH3NH3PbI3で示され、ペロブスカイト構造を有し、かつ、固体1H−NMR分光測定により測定されるスピン−格子緩和時間T1が25℃で15s以上21s以下であるペロブスカイト型化合物を含む、
光吸収材料。 - 前記ペロブスカイト型化合物を主として含む、
請求項3に記載の光吸収材料。 - 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置されている光吸収層と、を備え、
前記光吸収層は、請求項1〜4の少なくともいずれか一項に記載の光吸収材料を含む、
ペロブスカイト太陽電池。
Priority Applications (3)
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---|---|---|---|
JP2017020734A JP2018127531A (ja) | 2017-02-07 | 2017-02-07 | 光吸収材料およびそれを用いたペロブスカイト太陽電池 |
US15/887,983 US20180226202A1 (en) | 2017-02-07 | 2018-02-03 | Light-absorbing material containing perovskite compound and perovskite solar cell including the same |
CN201810112580.1A CN108400243A (zh) | 2017-02-07 | 2018-02-05 | 光吸收材料以及使用该光吸收材料的钙钛矿型太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017020734A JP2018127531A (ja) | 2017-02-07 | 2017-02-07 | 光吸収材料およびそれを用いたペロブスカイト太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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ID=63037318
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JP2017020734A Withdrawn JP2018127531A (ja) | 2017-02-07 | 2017-02-07 | 光吸収材料およびそれを用いたペロブスカイト太陽電池 |
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JP (1) | JP2018127531A (ja) |
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Families Citing this family (1)
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CN109599270B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-08-11 | 清华大学 | 一种光电自储能器件的制备方法 |
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2017
- 2017-02-07 JP JP2017020734A patent/JP2018127531A/ja not_active Withdrawn
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2018
- 2018-02-03 US US15/887,983 patent/US20180226202A1/en not_active Abandoned
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A521 | Request for written amendment filed |
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