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JP2018160635A - 半導体発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基材および封止樹脂が共に高耐熱性・高耐光性を有し、高寿命、高出力化を実現することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】基材２と、基材２に形成されたｎ側配線３およびｐ側配線４と、基材２上に配置され、ｎ側配線３およびｐ側配線４に電気的に接続された発光素子７と、発光素子７を封止する透明性の封止樹脂１０とを含み、前記基材が、アクリル系樹脂を含有し、前記封止樹脂がシリコーンを含有している。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光装置に関する。
たとえば、特許文献１は、凹部が形成された樹脂容器と、凹部の底面に露出するように設けられたアノード用リード部およびカソード用リード部と、凹部の底面においてカソード用リード部に取り付けられた半導体発光素子と、凹部を覆うように設けられた封止樹脂とを備える、発光装置を開示している。封止樹脂は、蛍光体粉体と、蛍光体粉体を分散させた透明樹脂にて構成されており、透明樹脂として、たとえばシリコン樹脂が使用されている。
特開２０１０−６７８６２号公報
近年、液晶ディスプレイのバックライト、各種照明等、半導体発光装置の使用用途が急速に広がっており、半導体発光装置には高寿命、高出力化が要求されている。半導体発光装置の出力の増加に伴って発光素子から放出される光のエネルギも増加するため、当該光エネルギによる劣化を抑制すべく、発光素子を封止する樹脂には比較的高い耐熱性・耐光性を有する樹脂が使用されつつある。
高耐熱性・高耐光性の封止樹脂の使用によって、封止樹脂における光の吸収が抑制されて劣化が軽減されるが、逆に、発光素子から放出された光エネルギの大部分を、発光素子を支持する樹脂製基材が受ける可能性がある。
そこで、本発明の目的は、基材および封止樹脂が共に高耐熱性・高耐光性を有し、高寿命、高出力化を実現することができる半導体発光装置を提供することである
上記目的を達成するための本発明の一実施形態に係る半導体発光装置は、樹脂製の基材と、前記基材に形成された第１配線および第２配線と、前記基材上に配置され、前記第１配線および前記第２配線に電気的に接続された発光素子と、前記発光素子を封止する透明性の封止樹脂とを含み、前記基材が、アクリル系樹脂を含有し、前記封止樹脂がシリコーンを含有している。
本発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記基材は、ＦＴ−ＩＲ測定において、少なくとも、波数１６９８ｃｍ−１付近の第１ピーク、波数１５１０ｃｍ−１付近の第２ピーク、波数１４４８ｃｍ−１付近の第３ピークを含むスペクトルを発現し、かつ、前記第１ピークのピーク高さが前記第２ピークのピーク高さよりも高い耐光性樹脂からなっていてもよい。
本発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記基材は、ＦＴ−ＩＲ測定において、波数１２５７ｃｍ−１付近の第４ピーク、波数１０６０ｃｍ−１付近の第５ピークをさらに含むスペクトルを発現してもよい。
本発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記封止樹脂は、ＦＴ−ＩＲ測定において、ビスフェノールＡ由来のエポキシ樹脂のＦＴ−ＩＲ測定で得られる参照スペクトルに対して、当該参照スペクトルが含む波数１５１０ｃｍ−１付近および８３５ｃｍ−１付近のピークを含まず、前記参照スペクトルの複数のピークと同じ波数位置にピークを含むスペクトルを発現する耐光性樹脂からなっていてもよい。
本発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記基材は、ＦＴ−ＩＲ測定において、Ｃ＝Ｏ結合由来のピーク、ベンゼン環由来のピーク、およびＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合由来のピークを含むスペクトルを発現する樹脂からなっていてもよい。
本発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記第１配線は、前記発光素子が搭載される第１アイランドと、前記発光素子と第１接合部材によって接続される第２アイランドとを含み、前記第２アイランドは、前記発光素子の位置で交差する、前記基材の第１方向に沿う第１領域および前記基材の前記第１方向に交差する第２方向に沿う第２領域を避けるように配置されていてもよい。
本発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記第２配線は、前記発光素子と第２接合部材によって接続される第３アイランドを含み、前記第３アイランドは、前記第１アイランドを挟んで前記第２アイランドに対して対角となる位置に配置されていてもよい。
本発明の一実施形態に係る半導体発光装置は、前記第１配線を選択的に覆うように、前記基材上に形成された第１絶縁保護層と、前記第２配線を選択的に覆うように、前記基材上に形成された第２絶縁保護層とをさらに含み、前記第１絶縁保護層および前記第２絶縁保護層は、平面視において、互いに異なるパターンで形成されていてもよい。
本発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記基材には、その表面から裏面まで貫通するように第１凹部が形成されており、前記第１絶縁保護層は、前記第１凹部との間に第１ギャップが形成されるように、前記第１凹部の周縁に沿って形成されており、前記半導体発光装置は、前記第１ギャップから前記第１凹部を介して前記基材の裏面に回り込むように形成され、前記第１配線に接続された第１端子を含んでいてもよい。
本発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記基材には、その表面から裏面まで貫通するように第２凹部が形成されており、前記第２絶縁保護層は、前記第２凹部との間に第２ギャップが形成されるように、前記第２凹部の周縁に沿って形成されており、前記半導体発光装置は、前記第２ギャップから前記第２凹部を介して前記基材の裏面に回り込むように形成され、前記第２配線に接続された第２端子を含んでいてもよい。
本発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記第１絶縁保護層および前記第２絶縁保護層は、ドライレジストフィルムからなっていてもよい。
本発明の一実施形態に係る半導体発光装置によれば、基材および封止樹脂が上記特徴を有することによって共に高耐熱性・高耐光性を有するため、高寿命、高出力化を実現できる半導体発光装置を提供することができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。 図２は、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の底面図である。 図３は、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の側面図である。 図４Ａおよび図４Ｂは、絶縁保護層の断面形状および製造工程に関連する図である。 図５は、図１の発光素子の模式的な断面図である。 図６は、ワイヤ用アイランドの配置パターン設計を説明するための図である。 図７Ａおよび図７Ｂは、前記半導体発光装置の配線パターン設計を説明するための図である。 図８Ａは、前記半導体発光装置の基材のＦＴ−ＩＲスペクトルの一例を示すである。 図８Ｂは、アクリル系樹脂のＦＴ−ＩＲスペクトルの一例を示す図である。 図８Ｃは、シリコーンのＦＴ−ＩＲスペクトルの一例を示す図である。 図９Ａは、前記半導体発光装置の封止樹脂のＦＴ−ＩＲスペクトルの一例を示す図である。 図９Ｂは、エポキシ樹脂のＦＴ−ＩＲスペクトルの一例を示す図である。 図１０は、本発明の他の実施形態に係る半導体発光装置の側面図である。 図１１は、通電試験の結果を示す図である。
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置１の平面図である。図２は、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置１の底面図である。図３は、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置１の側面図である。
半導体発光装置１は、基材２、本発明の第１配線の一例としてのｎ側配線３（カソード配線）および本発明の第２配線の一例としてのｐ側配線４（アノード配線）と、本発明の第１絶縁保護層の一例としてのｎ側絶縁保護層５および本発明の第２絶縁保護層の一例としてのｐ側絶縁保護層６と、発光素子７と、本発明の第１端子の一例としてのｎ側端子８（カソード端子）および本発明の第２端子の一例としてのｐ側端子９（アノード端子）と、封止樹脂１０とを含む。
基材２は、たとえば、長方形平板状の透明性樹脂からなり、表面２Ａ、その反対側の裏面２Ｂおよび端面２Ｃ，２Ｄ，２Ｅ，２Ｆを有している。また、基材２は、長さＬ＝０．６ｍｍ〜５．０ｍｍ、幅Ｗ＝０．３ｍｍ〜５．０ｍｍおよび、厚さＴ＝０．０５ｍｍ〜１．０ｍｍのサイズを有している。基材２は、たとえば、ガラスクロスに含浸した樹脂で構成されていてもよい。また、基材２は、透明性樹脂でなく、有色樹脂であってもよい
基材２の長手方向に向かい合う１対の短辺部（端面２Ｃ，２Ｅに沿う短辺部）には、それぞれ、凹部１１が１つずつ形成されている。１対の凹部１１は、それぞれ、基材２の幅方向中央に配置され、基材２の長手方向において互いに対向している。各凹部１１は、基材２の各短辺部において、図３に示すように基材２の表面から裏面まで貫通するように形成されている。つまり、凹部１１は、平面視（底面視）において、基材２の短辺部の端面２Ｃ，２Ｅを部分的に内側に窪ませることによって形成されており、この実施形態では、図１および図２に示すように略半円形状に形成されている。
ｎ側配線３は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属材料からなり、基材２の表面２Ａ上に所定パターンで一体的に形成された、配線部１２とアイランド部１３と含む。
配線部１２は、図１に示すように、基材２の長手方向一方側において、封止樹脂１０の内外に跨るように配置されたベース部１４と、当該ベース部１４の内側周縁の一部から封止樹脂１０の内側へ延びる第１延出部１５および第２延出部１６とを含む。ベース部１４の内側周縁は、ベース部１４において基材２の幅方向に沿い、ｐ側配線４に向き合う周縁である。
ベース部１４は、図１に示す平面視において、基材２の長手方向一方側の２つの表面角部１７を露出させるパターンで、基材２の幅方向一端から他端までの領域（端面２Ｆから端面２Ｄまでの領域）の全体に亘って形成されている。当該ベース部１４は、基材２の凹部１１の縁部を覆う凹部周縁部２８を有している。また、ベース部１４は、基材２の長手方向に沿う端面２Ｄ，２Ｆのそれぞれと面一に形成され、各端面２Ｄ，２Ｆから露出している。
第１延出部１５は、ベース部１４における基材２の幅方向略中央部から、基材２の長手方向他方側へ向かって直線状に延びている。第２延出部１６は、ベース部１４における第１延出部１５から基材２の幅方向において間隔を空けた位置から、基材２の長手方向他方側へ向かって直線状に延びている。
アイランド部１３は、素子用アイランド１８と、ワイヤ用アイランド１９とを含む。
素子用アイランド１８は、発光素子７が搭載されるアイランドであり、基材２の長手方向および幅方向の両方の略中央に配置されている。素子用アイランド１８は、配線部１２の第１延出部１５に一体的に接続されている。
素子用アイランド１８は、この実施形態では、素子用アイランド１８に接続される配線（この実施形態では、第１延出部１５）の幅よりも大きな径を有する円形状に形成されている。なお、素子用アイランド１８の形状は、円形以外の形状、たとえば四角形等であってもよい。また、第１延出部１５は、素子用アイランド１８における基材２の幅方向中央部よりも第２延出部１６の反対側寄りに接続されている。すなわち、素子用アイランド１８の径方向一端側に第１延出部１５を片寄って配置することによって、素子用アイランド１８の径方向他端側に空いた領域２０に、第２延出部１６およびワイヤ用アイランド１９を配置することができる。これにより、第１延出部１５と第２延出部１６との間隔を比較的広く確保しながら、第２延出部１６およびワイヤ用アイランド１９を基材２の幅方向中央部に寄せることができる。たとえば、第２延出部１６およびワイヤ用アイランド１９を、基材２の長手方向に沿って素子用アイランド１８に重複する領域２０に配置することができる。その結果、基材２の表面のスペースを有効活用でき、基材２をコンパクトにすることができる。
また、素子用アイランド１８および第１延出部１５は、発光素子７で発生する熱を逃がすための放熱経路として使用される。この実施形態では、素子用アイランド１８および第１延出部１５は、発光素子７と直接電気的に接続しないで放熱経路として使用されているが、直接電気的に接続しても、放熱経路として使用できる。そのため、第１延出部１５を第２延出部１６よりも幅広に形成することによって、放熱効率の向上が図られている。
ワイヤ用アイランド１９は、後述するボンディングワイヤ５２が接続されるアイランドであり、素子用アイランド１８に対して、基材２の一つの表面角部１７側に配置されている。ワイヤ用アイランド１９は、配線部１２の第２延出部１６に一体的に接続されている。ワイヤ用アイランド１９は、この実施形態では、素子用アイランド１８の周縁に沿って湾曲して対向し、素子用アイランド１８の中心と同心円の弧からなる湾曲周縁７１を内側に有する略Ｌ字形に形成されている。なお、ワイヤ用アイランド１９の形状は、略Ｌ字形以外の形状、たとえば円形、三角形、四角形等であってもよい。
ｐ側配線４は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属材料からなり、基材２の表面２Ａ上に所定パターンで一体的に形成された、配線部２１とアイランド部２２と含む。
配線部２１は、図１に示すように、基材２の長手方向他方側（ｎ側配線３の反対側）において、封止樹脂１０の内外に跨るように配置されたベース部２３と、当該ベース部２３の内側周縁の一部から封止樹脂１０の内側へ延びる第３延出部２４とを含む。ベース部２３の内側周縁は、ベース部２３において基材２の幅方向に沿い、ｎ側配線３に向き合う周縁である。
ベース部２３は、図１に示す平面視において、基材２の長手方向他方側の２つの表面角部２５を露出させるパターンで、基材２の幅方向一端から他端までの領域（端面２Ｆから端面２Ｄまでの領域）の全体に亘って形成されている。当該ベース部２３は、基材２の凹部１１の縁部を覆う凹部周縁部２９を有している。また、ベース部２３は、基材２の長手方向に沿う端面２Ｄ，２Ｆのそれぞれと面一に形成され、各端面２Ｄ，２Ｆから露出している。
第３延出部２４は、ベース部２３において、素子用アイランド１８を挟んで第２延出部１６に対して対角となる位置から、基材２の長手方向一方側へ向かって直線状に延びている。
アイランド部２２は、後述するボンディングワイヤ５１が接続されるアイランド（ワイヤ用アイランド）であり、素子用アイランド１８を挟んでｎ側のワイヤ用アイランド１９に対して対角となる位置に配置されている。アイランド部２２は、この実施形態では、素子用アイランド１８の周縁に沿って湾曲して対向し、素子用アイランド１８の中心と同心円の弧からなる湾曲周縁７２を内側に有する略Ｌ字形に形成されている。なお、アイランド部２２の形状は、略Ｌ字形以外の形状、たとえば円形、三角形、四角形等であってもよい。
ｎ側絶縁保護層５は、ｎ側配線３の配線部１２を覆うように、基材２上に形成されている。この実施形態では、ｎ側絶縁保護層５は、封止樹脂１０の内外に跨って形成されており、一部分が封止樹脂１０で覆われ、残りの部分が封止樹脂１０の外側に露出している。具体的には、ｎ側絶縁保護層５は、封止樹脂１０の外側に露出する外側部２６と、封止樹脂１０で覆われた内側部２７とを一体的に含む。
ｎ側絶縁保護層５の外側部２６は、基材２の表面角部１７を覆うように、ｎ側配線３の配線部１２のベース部１４に沿うパターンで形成されている。配線部１２は、基材２の端面２Ｄ，２Ｆに至るまでｎ側絶縁保護層５で覆われているので、半導体発光装置１の製造工程において基材を分割するときに、配線部１２にバリが発生することを抑制することができる。なお、配線部１２は、基材２の端面２Ｄ，２Ｆにおいて露出している。
ｎ側絶縁保護層５の内側部２７は、配線部１２の第１延出部１５および第２延出部１６の各基端部（各延出部１５，１６とベース部１４との接続部分）を覆うように、基材２の幅方向における端面２Ｆから端面２Ｄまでの領域の全体に亘って、外側部２６から基材２の長手方向他方側に一様に突出して形成されている。これにより、封止樹脂１０の長手方向一方側の上縁３０に対して外側の領域は、その全体がｎ側絶縁保護層５の内側部２７で覆われている。
ｐ側絶縁保護層６は、ｐ側配線４の配線部２１を覆うように、基材２上に形成されている。この実施形態では、ｐ側絶縁保護層６は、封止樹脂１０の内外に跨って形成されており、一部分が封止樹脂１０で覆われ、残りの部分が封止樹脂１０の外側に露出している。具体的には、ｐ側絶縁保護層６は、封止樹脂１０の外側に露出する外側部３２と、封止樹脂１０で覆われた内側部３３とを一体的に含む。
ｐ側絶縁保護層６の外側部３２は、基材２の表面角部２５および配線部２１の凹部周縁部２９の一部を露出させるように、ｐ側配線４の配線部２１のベース部２３に沿うパターンで形成されている。これにより、外側部３２は、基材２の端面２Ｅに対して基材２の内側に後退して形成されており、外側部３２と基材２の端面２Ｅとの間には、表面角部２５や凹部周縁部２９が露出した露出領域３１が形成されている。配線部２１は、基材２の端面２Ｄ，２Ｆに至るまでｐ側絶縁保護層６で覆われているので、半導体発光装置１の製造工程において基材を分割するときに、配線部２１にバリが発生することを抑制することができる。なお、配線部２１は、基材２の端面２Ｄ，２Ｆにおいて露出している。
ｐ側絶縁保護層６の内側部３３は、配線部２１の第３延出部２４の基端部（第３延出部２４とベース部２３との接続部分）を覆うように、基材２の幅方向における端面２Ｆから端面２Ｄまでの領域の全体に亘って、外側部３２から基材２の長手方向一方側に一様に突出して形成されている。これにより、封止樹脂１０の長手方向他方側の上縁３４に対して外側の領域は、その全体がｐ側絶縁保護層６の内側部３３で覆われている。
上記のように、ｐ側絶縁保護層６は、その周縁部が基材２の端面２Ｅに対して基材２の内側に後退して形成されているのに対し、ｎ側絶縁保護層５は、その周縁部が基材２の端面２Ｃと面一となるように形成されている。これにより、半導体発光装置１の平面視において、たとえば、ｐ側絶縁保護層６に隣接する露出領域３１や当該露出領域３１に露出する配線部２１の凹部周縁部２９等の有無を確認することによって、半導体発光装置１の極性を見分けることができる。つまり、基材２の裏面２Ｂの極性マーク５６（後述）を確認しなくても、基材２上の配線を保護する絶縁層のパターンをｎ側およびｐ側で互いに異なるパターンとすることで、半導体発光装置１の表面側からでも、極性を簡単に見分けることができる。
ここで、ｎ側絶縁保護層５およびｐ側絶縁保護層６に共通して、これらの保護層５，６は、たとえば、ドライフィルムレジストで構成されていてもよい。
この場合、ｎ側絶縁保護層５およびｐ側絶縁保護層６は、たとえば図４Ａに示すように、ｎ側配線３およびｐ側配線４を覆うように、基材２上に所定パターンのドライフィルムレジスト３５が置かれ、当該ドライフィルムレジスト３５をドライフィルムラミネータ（図示せず）で圧着することによって形成される。
圧着によってドライフィルムレジスト３５の周縁部が撓むので、ｎ側絶縁保護層５およびｐ側絶縁保護層６には、図４Ｂに示すように、その周縁部の下方に空間３６が形成されるように、保護層５，６の表面から裏面に向かって傾斜する逆テーパ端面３７が形成される。つまり、端面３７と基材２の表面２Ａとのなす角度θが鋭角となる。
次に、図１〜図３に加えて図５を参照して、発光素子７の構成を説明する。
発光素子７は、ｎ側配線３の素子用アイランド１８に、たとえばダイアタッチ剤３８（ペースト）を介して、ダイボンディングされている。
発光素子７は、サファイア基板３９上に、III族窒化物半導体積層構造をなすIII族窒化物半導体層４０を成長させて構成された素子本体を有している。
III族窒化物半導体層４０は、サファイア基板３９側から順に、ｎ型層の一例としてのｎ型低温ＧａＮバッファ層４１およびｎ型ＧａＮコンタクト層４２、中間バッファ層４３、発光層４４、ならびに、ｐ型層の一例としてのｐ型ＡｌＧａＮ電子阻止層４５およびｐ型ＧａＮコンタクト層４６を積層した積層構造を有している。III族窒化物半導体層４０には、断面がほぼ矩形となるようにｐ型ＧａＮコンタクト層４６からｎ型ＧａＮコンタクト層４２が露出する深さまで選択的に除去（たとえば、エッチング）することによって凹部４７が形成されている。そして、ｎ型ＧａＮコンタクト層４２は、III族窒化物半導体層４０の片側から、サファイア基板３９の表面に沿う横方向に引き出された引き出し部４８を有している。
ｐ型ＧａＮコンタクト層４６層の表面には、ｐ側電極（アノード電極）４９が接合されており、ｎ型ＧａＮコンタクト層４２の引き出し部４８には、ｎ側電極（カソード電極）５０が接合されている。こうして、発光ダイオード構造が形成されている。
そして、ｐ側電極４９とｐ側配線４のアイランド部２２とが、本発明の第２接合部材の一例としてのボンディングワイヤ５１で接続されており、ｎ側電極５０とｎ側配線３のワイヤ用アイランド１９とが、本発明の第１接合部材の一例としてのボンディングワイヤ５２で接続されている。なお、図１〜図３では、図の明瞭化のため、発光素子７の構造を簡略化しているため、ボンディングワイヤ５１およびボンディングワイヤ５２が同じ高さ位置で発光素子７に接続されている構成が示されている。
ｎ型低温ＧａＮバッファ層４１は、たとえば、４００℃〜７００℃のウエハ温度で結晶成長されたアンドープ（ドーパントがドープされていない）ＧａＮ層からなる。層厚は、数十ｎｍとすることが好ましい。
ｎ型ＧａＮコンタクト層４２は、たとえば、シリコンをｎ型ドーパントとして添加したｎ型ＧａＮ層からなる。層厚は３μｍ以上、具体的には、３μｍ〜７μｍとすることが好ましい。シリコンのドーピング濃度は、たとえば、１×１０１８ｃｍ−３程度とされる。
中間バッファ層４３は、たとえば、シリコンをドープしたＩｎＧａＮ層（たとえば４ｎｍ厚程度）とＧａＮ層（たとえば２ｎｍ厚程度）とを交互に所定周期（たとえば５周期程度）積層した超格子構造を有している。この実施形態では、ＩｎＧａＮ層がＩｎｚＧａ１−ｚＮ（ｚ＝０．０１〜０．０５）で示される層であり、ＧａＮ層は、Ｉｎを全く含んでいない層である。なお、ＧａＮ層は、中間バッファ層４３のＩｎＧａＮ層のＩｎ組成比率（ｚ）よりも小さい範囲で、若干のＩｎ含んでいてもよい。
発光層４４は、ピーク発光波長が４２０ｎｍ〜５６０ｎｍの光を発生するものであり、好ましくは、ピーク発光波長が４４０ｎｍ〜５４０ｎｍの範囲の光を発生する。ここでピーク発光波長とは、発光層４４から放出される光のうち、最も強度の高い光（メインピーク）の波長のことを指し、放出された光のスペクトル分布のピーク値に対応する波長である。したがって、当該スペクトル分布において、最大ピークの他にノイズレベルのピークが現れていても、ノイズレベルのピーク発光波長は、この実施形態における「ピーク発光波長」に含まれるものではない。
発光層４４は、たとえば、ＩｎＧａＮ層（量子井戸層：たとえば３ｎｍ厚程度）とシリコンをドープしたＧａＮ層（バリア層：たとえば１４ｎｍ厚程度）とを交互に所定周期（たとえば８周期（８ペア）程度）積層した多重量子井戸（MQW：Multiple Quantum Well）構造を有している。発光層４４の全体の厚さ（総厚さ）は、たとえば、６０ｎｍ〜１５０ｎｍである。
ｐ型ＡｌＧａＮ電子阻止層４５は、たとえば、ｐ型ドーパントとしてのマグネシウムを添加したＡｌＧａＮ層からなる。層厚は３ｎｍ以上、具体的には、５ｎｍ〜３０ｎｍとすることが好ましい。マグネシウムのドーピング濃度は、たとえば、３×１０１９ｃｍ−３程度とされる。
ｐ型ＧａＮコンタクト層４６は、たとえば、ｐ型ドーパントとしてのマグネシウムを高濃度に添加したＧａＮ層からなる。層厚は０．１μｍ以上、具体的には、０．２μｍ〜０．５μｍとすることが好ましい。マグネシウムのドーピング濃度は、たとえば、１０２０ｃｍ−３程度とされる。ｐ型ＧａＮコンタクト層４６の表面はIII族窒化物半導体層４０の表面４０Ａをなし、この表面４０Ａは鏡面となっている。この表面４０Ａは、発光層４４で発生した光が取り出される光取り出し側表面である。
ｐ側電極４９およびｎ側電極５０は、たとえば、Ｔｉ層とＡｌ層とから構成される膜である。その他、ｐ側電極４９およびｎ側電極５０は、たとえば、Ｃｒ、Ａｕ、Ｎｉ、ＡｕＳｎ、Ｒｈ、Ｐｔ、ＴｉＷ、ＴｉＮ等の材料で構成されていてもよい。なお、ｐ側電極４９とｐ型ＧａＮコンタクト層４６との間には、III族窒化物半導体層４０の表面４０Ａのほぼ全域に、アノードコンタクトのための透明電極が形成されていてもよい。このような透明電極は、たとえば、Ｎｉ層とＡｕ層とから構成される透明な薄い金属層、ＺｎＯ層、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等で構成することができる。
サファイア基板３９は、極性面（この実施形態ではｃ面）を主面３９Ａとするサファイア単結晶からなる基板である。具体的には、サファイア基板３９の主面３９Ａは、極性面の面方位から所定の大きさのオフ角を有する面であってもよい。したがって、サファイア基板３９上に結晶成長させられたIII族窒化物半導体層４０の成長主面（表面４０Ａ）は、サファイア基板３９の主面３９Ａと同じ面、すなわち、極性面（この実施形態ではｃ面）となっている。また、サファイア基板３９の厚さは、５０μｍ以上、具体的には、８０μｍ〜１２０μｍとすることが好ましい。
また、サファイア基板３９の側面には、加工痕５３が形成されている。加工痕５３は、たとえば、サファイアウエハ（図示せず）を各素子サイズのサファイア基板３９に切り分ける際に形成されるものである。具体的には、加工痕５３は、たとえば、サファイアウエハのブレーキング工程前に、レーザ加工機のレーザ照射によって形成されるレーザ痕であってもよいし、たとえば、ダイシングブレードによるウエハ切断時に、ダイシングブレードと切断面との摩擦によって形成される凹凸傷等であってもよい。このように形成される加工痕５３によって、発光層４４で発生した光をサファイア基板３９の端面で拡散させることができるので、光取り出し効率を向上させることができる。
なお、発光素子７においては、サファイア基板３９に代えて、たとえば、ＧａＮ基板、ＺｎＯ基板、ＡｌＮ基板、ＳｉＣ基板等の基板を使用することができる。
ｎ側端子８は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属材料からなり、基材２の凹部１１を介して基材２の表面２Ａおよび裏面２Ｂに回り込むように形成されている。基材２の表面２Ａにおいては、ｎ側絶縁保護層５をドライレジストフィルムで形成することによって、ｎ側絶縁保護層５の周縁を、凹部１１から離れた位置に精密に画成することができる。これにより、ｎ側絶縁保護層５と凹部１１との間にギャップ（たとえば、５０μｍ程度）５４を形成できるので、当該ギャップ５４上にｎ側端子８を良好に形成できる。このようなギャップ５４は、液状のレジストを使用したのでは形成が困難である。ｎ側端子８が、基材２の端面（この実施形態では、凹部１１）および裏面２Ｂだけでなく、基材２の表面２Ａにも形成されるので、半導体発光装置１の実装時、はんだ等の接合材を基材２の表面２Ａにまで濡れ上がらせることができ、実装強度を向上させることができる。また、実装後のはんだの濡れ状態を目視で容易に確認することができるので、実装不良の流出を防止することができる。なお、ｎ側端子８は、基材２の端面２Ｃにおいては、端面２Ｃと面一な端面８１を有していてもよい。これは、半導体発光装置１の製造時、ダイシングによって基材２が切断され、それによって端面２Ｃと端面８１とが同時に現れるためである。
ｐ側端子９は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属材料からなり、基材２の凹部１１を介して基材２の表面２Ａおよび裏面２Ｂに回り込むように形成されている。基材２の表面２Ａにおいては、ｐ側絶縁保護層６をドライレジストフィルムで形成することによって、ｐ側絶縁保護層６の周縁を、凹部１１から離れた位置に精密に画成することができる。これにより、ｐ側絶縁保護層６と凹部１１との間にギャップ（たとえば、５０μｍ程度）５５を形成できるので、当該ギャップ５５上にｐ側端子９を良好に形成できる。これにより、ｎ側端子８と同様に、半導体発光装置１の実装時の実装強度を向上させることができる。なお、ｐ側端子９は、基材２の端面２Ｅにおいては、端面２Ｅと面一な端面９１を有していてもよい。これは、半導体発光装置１の製造時、ダイシングによって基材２が切断され、それによって端面２Ｅと端面９１とが同時に現れるためである。
また、基材２の裏面２Ｂでは、ｎ側端子８およびｐ側端子９は、基材２の長手方向において互いに対向している。ｎ側端子８およびｐ側端子９の間には、極性マーク５６が形成されている。極性マーク５６は、国際電気標準会議（ＩＥＣ）準拠のダイオード記号に基づいて、カソード側を向く頂部を有する三角部５７をアノード側（ｐ側端子９側）有し、当該三角部５７の頂部からカソード側（ｎ側端子８側）に延びる直線部５８を有している。
封止樹脂１０は、発光素子７、ボンディングワイヤ５１，５２、ｎ側配線３（一部）、ｐ側配線（一部）、ｎ側絶縁保護層５（一部）およびｐ側絶縁保護層６（一部）を覆うように、基材２上に設けられている。封止樹脂１０は、この実施形態では、基材２の長手方向両側に傾斜面５９，５９を有する、側面視等脚台形状に形成されている。一方、図１に示すように、基材２の幅方向における封止樹脂１０の２つの側面は、それぞれ、基材２の端面２Ｄ，２Ｆに一致しており、基材２の表面２Ａに対して垂直に立ち上がる面である。
図６は、ワイヤ用アイランドの配置パターン設計を説明するための図である。図６では、図１に示した構成のうち、ここでの説明に必要な構成のみを示し、その他の構成は省略する。
前述のように、半導体発光装置１では、平面視において、素子用アイランド１８の中央部（発光素子７のボンディング部）で交差する、基材２の長手方向（第１方向）に沿う第１領域６０および基材２の幅方向（第２方向）に沿う第２領域６１を避けるように、ワイヤ用アイランド１９およびアイランド部２２が配置されている。
これにより、図６に破線で示すように、当該アイランド１９，２２を領域６０上に配置したり、素子用アイランド１８から延びる第１延出部１５にボンディングワイヤ５２を接合したりする場合に比べて、ワイヤボンディングを行うために必要な距離を確保しながら、アイランド１９，２２を素子用アイランド１８に近づけることができる。すなわち、素子用アイランド１８およびワイヤ用アイランド１９，２２を基材２の中央部に集約できるので、基材２を小さくでき、その結果、半導体発光装置１を小型化することができる。
また、ｎ側のボンディングワイヤ５２が、素子用アイランド１８とは分離されたワイヤ用アイランド１９に接合されるため、発光素子７と素子用アイランド１８との間のダイアタッチ剤３８（図５参照）の滲み出しによるワイヤ接合不良を防止することもできる。つまり、ダイアタッチ剤３８が第１延出部１５上にまで滲み出しても、第１延出部１５にボンディングワイヤ５２を接合しないので、ワイヤ接合不良の問題がなくなる。
図７Ａおよび図７Ｂは、半導体発光装置１の配線パターン設計を説明するための図である。図７Ａおよび図７Ｂを参照して、半導体発光装置１の小型化のための設計について、さらに説明する。
図７Ａに示すように、この実施形態では、素子用アイランド１８の厚さＴ３よりも、発光素子７の厚さＴ２が厚くなっている。この実施形態の発光素子７では、サファイア基板３９に加工痕５３を形成するスペースを確保する関係上、厚さＴ２を大きくする必要があるためである。素子用アイランド１８の厚さＴ３は、たとえば、２０μｍ〜４５μｍであるのに対し、発光素子７の厚さＴ２は、たとえば、５０μｍ〜１２０μｍである。
近年では、発光素子の低背化が進んでおり、発光素子から発生する光をアイラインドで反射させ易いため、基材２に光が直接当たることは少ない。
一方、この実施形態のように、比較的厚い発光素子７を備える場合には、発光素子７の発光層４４で発生した光による基材２の劣化を防止すべく、素子用アイランド１８の大きさを適切に設計する必要がある。
たとえば、素子用アイランド１８は、発光素子７の厚さＴ２および幅Ｗ２に基づいて大きさが設計される。特に、この実施形態の発光素子７では、サファイア基板３９に加工痕５３を形成するスペースを確保する関係上、厚さＴ２が５０μｍ〜１２０μｍと大きくなり、発光層４４の高さ位置が高くなる。そのため、発光層４４から広がる光の範囲が、比較的薄い発光素子に比べて広くなるため、素子用アイランド１８のサイズ設計が重要である。たとえば、発光素子７の厚さＴ２＝１１０μｍ、幅Ｗ２＝２２５μｍの場合、素子用アイランド１８の径Ｄは、４９０μｍ以上であることが好ましい。つまり、素子用アイランド１８の径Ｄは、発光素子７の幅Ｗ２の２倍以上は必要である。これにより、発光素子７に比較的近く、発光層４４からの光が強く当たる領域６２への光の一部を素子用アイランド１８で反射できるので、当該領域６２へ入射する光が軽減される。ここで、上記の発光素子７の厚さＴ２および幅Ｗ２の条件では、光が強く当たる領域６２は、素子用アイランド１８の中心を中心とする直径Ｄ２≒６３０μｍの円の内側である。
しかしながら、光が強く当たる領域６２への光の軽減を優先的に考え、素子用アイランド１８の径Ｄを設計したのでは、素子用アイランド１８とワイヤ用アイランド１９，２２との距離が近くなりすぎてワイヤボンディングに支障を来すおそれがあり、また、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）の設計制約上、採用が困難である場合もある。また、素子用アイランド１８が大きすぎると、封止樹脂１０が剥がれやすくなる。たとえば、素子用アイランド１８がＡｕである場合、Ａｕと樹脂の密着性が高くないため、素子用アイランド１８と封止樹脂１０との接触面積の増大によって、熱サイクル等のストレスで封止樹脂１０が剥がれやすくなる。
そこで、この実施形態に係る半導体発光装置１では、図７Ｂに示すように、光が強く当たる領域６２への光の入射をある程度許容することによって、素子用アイランド１８を小さく維持し、小型な半導体発光装置１を提供する。たとえば、上記の発光素子７の厚さＴ２および幅Ｗ２の条件において、素子用アイランド１８の径Ｄ≒４４０μｍとしている。つまり、素子用アイランドの径Ｄを、発光素子７の幅Ｗ２の２倍未満としている。これにより、素子用アイランド１８で光を遮断できる範囲Ｄ３は、Ｄ３≒５５０μｍであるため、図１に示すように、基材２上には、約８０μｍ幅（６３０μｍ−５５０μｍ）の光が強く当たる領域６２が残ることになる。
このような光が強く当たる領域６２における基材２の光劣化を抑制するために、半導体発光装置１では、基材２として耐光性樹脂を使用している。基材２を構成する耐光性樹脂は、たとえば、波長４２０ｎｍ以上の光に対して特に耐性を有している。
図８Ａは、半導体発光装置１の基材２のＦＴ−ＩＲスペクトルの一例を示すである。図８Ｂは、アクリル系樹脂のＦＴ−ＩＲスペクトルの一例を示す図である。図８Ｃは、シリコーンのＦＴ−ＩＲスペクトルの一例を示す図である。
具体的には、基材２は、たとえば、アクリル系樹脂を含有する樹脂であってもよく、そのＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光光度計）スペクトルは、図８Ａに示すとおりである。
図８Ａと、図８Ｂおよび図８Ｃとを比較すると、図８Ａのスペクトルは、図８Ｂに示すアクリル系樹脂のスペクトルと、図８Ｃに示すシリコーンのスペクトルとを重ね合わせたものであることが分かる。具体的には、図８Ａに示す基材２の樹脂は、少なくとも、波数１６９８ｃｍ−１付近の第１ピーク６３、波数１５１０ｃｍ−１付近の第２ピーク６４、波数１４４８ｃｍ−１付近の第３ピーク６５、波数１２５７ｃｍ−１付近の第４ピーク６６、波数１０６０ｃｍ−１付近の第５ピーク６７を含むスペクトルを発現し、第１ピーク６３のピーク高さＨ１が、第２ピーク６４のピーク高さＨ２よりも高くなっている。また、第１ピーク６３は、Ｃ＝Ｏ結合由来のピークであり、第２ピーク６４は、ベンゼン環由来のピークであり、第５ピーク６７は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合由来のピークである。また、基材２のＦＴ−ＩＲスペクトルは、第１ピーク６３と第２ピーク６４との間、および第２ピーク６４と第３ピーク６５との間の波数領域に、スペクトルのピークを発現していない。
このような基材２は、たとえば、図８Ａに示すスペクトルとなるように、アクリル系樹脂（たとえば、ポリメタクリル酸メチル樹脂等）とシリコーンとを所定の配合割合で混合した樹脂を、ガラスクロスに含浸させることによって形成することができる。
一方、半導体発光装置１では、基材２に耐光性樹脂を使用するだけでなく、封止樹脂１０にも耐光性樹脂を使用している。封止樹脂１０は、シリコーンを含有する樹脂である。
図９Ａは、半導体発光装置１の封止樹脂１０のＦＴ−ＩＲスペクトルの一例を示す図である。図９Ｂは、エポキシ樹脂のＦＴ−ＩＲスペクトルの一例を示す図である。
図９Ａと図９Ｂとを比較すると、図９Ａに示す封止樹脂１０のスペクトルは、ビスフェノールＡ由来のエポキシ樹脂のＦＴ−ＩＲ測定で得られる参照スペクトルに対して、当該参照スペクトルが含む波数１５１０ｃｍ−１付近のピーク６８および８３５ｃｍ−１付近のピーク６９を含まず、参照スペクトルの複数のピークと同じ波数位置にピークを含むスペクトルを発現することが分かる。
上記のように、基材２および封止樹脂１０では、図９Ｂに示すように従来のエポキシ樹脂に多く含有されるベンゼン環由来のピーク（１５１０ｃｍ−１付近）が小さくなっている。すなわち、光励起によって開裂し、樹脂を黄変させる要因となるベンゼン環が少ないことで、基材２および封止樹脂１０は、長期にわたって光に晒されても黄変が抑制される。その結果、高寿命、高出力化を実現できる半導体発光装置１を提供することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、半導体発光装置１は、封止樹脂１０の周囲に、発光素子７で発生する光を反射させるためのリフレクタ７０が設けられていてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
なお、前述の実施形態からは、特許請求の範囲に記載された発明の参考発明として、以下の構成を有する発明を抽出できる。
すなわち、参考発明の一実施形態に係る半導体発光装置は、基材と、前記基材に形成された第１配線および第２配線と、前記基材上に配置され、前記第１配線および前記第２配線に電気的に接続された発光素子と、前記発光素子を封止する透明性の封止樹脂とを含み、前記第１配線は、前記発光素子が搭載される第１アイランドと、前記発光素子と第１接合部材によって接続される第２アイランドとを含み、前記第２アイランドは、前記発光素子の位置で交差する、前記基材の第１方向に沿う第１領域および前記基材の前記第１方向に交差する第２方向に沿う第２領域を避けるように配置されている。
前記参考発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記第２配線は、前記発光素子と第２接合部材によって接続される第３アイランドを含み、前記第３アイランドは、前記第１アイランドを挟んで前記第２アイランドに対して対角となる位置に配置されていてもよい。
前記参考発明の一実施形態に係る半導体発光装置は、前記第１配線を選択的に覆うように、前記基材上に形成された第１絶縁保護層と、前記第２配線を選択的に覆うように、前記基材上に形成された第２絶縁保護層とをさらに含み、前記第１絶縁保護層および前記第２絶縁保護層は、平面視において、互いに異なるパターンで形成されていてもよい。
前記参考発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記基材には、その表面から裏面まで貫通するように第１凹部が形成されており、前記第１絶縁保護層は、前記第１凹部との間に第１ギャップが形成されるように、前記第１凹部の周縁に沿って形成されており、前記半導体発光装置は、前記第１ギャップから前記第１凹部を介して前記基材の裏面に回り込むように形成され、前記第１配線に接続された第１端子を含んでいてもよい。
前記参考発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記基材には、その表面から裏面まで貫通するように第２凹部が形成されており、前記第２絶縁保護層は、前記第２凹部との間に第２ギャップが形成されるように、前記第２凹部の周縁に沿って形成されており、前記半導体発光装置は、前記第２ギャップから前記第２凹部を介して前記基材の裏面に回り込むように形成され、前記第２配線に接続された第２端子を含んでいてもよい。
前記参考発明の一実施形態に係る半導体発光装置では、前記第１絶縁保護層および前記第２絶縁保護層は、ドライレジストフィルムからなっていてもよい。
次に、本発明を実施例および比較例に基づいて説明するが、本発明は下記の実施例によって限定されるものではない。
実施例１および比較例１の評価サンプルとして、図１〜図３に示す構造に倣って半導体発光装置を作製した。実施例１および比較例１で使用した基材２および封止樹脂１０の材料は、次の通りである。
＜実施例１＞
・基材２：アクリル系樹脂
・封止樹脂１０：シリコーンを含有するエポキシ樹脂
＜比較例１＞
・基材２：ＢＴレジンを含有するエポキシ樹脂
・封止樹脂１０：シリコーンを含有するエポキシ樹脂
得られた評価サンプルに対して通電試験（試験条件：Ｔａ＝８５℃、ＩＦ＝２０ｍＡ）を行ったところ、下記表１および図１１に示す結果が得られた。表１および図１１では、通電試験初期の光度を１００％とし、これに対する光度の大きさを、光度変化率として表している。
Figure 2018160635
 表１および図１１に示すように、実施例１では、通電試験１０００時間経過後も、試験初期とほぼ同じ光度を維持できているのに対し、比較例１では、通電試験が１００時間を経過したあたりから急激に光度が低下し、１０００時間経過後の光度は、初期光度の４０％未満にまで低下していた。
１…半導体発光装置、２…基材、２Ａ…表面、２Ｂ…裏面、２Ｃ〜２Ｆ…端面、３…ｎ側配線、４…ｐ側配線、５…ｎ側絶縁保護層、６…ｐ側絶縁保護層、７…発光素子、８…ｎ側端子、９…ｐ側端子、１０…封止樹脂、１１…凹部、１２…配線部、１３…アイランド部、１４…ベース部、１５…第１延出部、１６…第２延出部、１７…表面角部、１８…素子用アイランド、１９…ワイヤ用アイランド、２０…領域、２１…配線部、２２…アイランド部、２３…ベース部、２４…第３延出部、２５…表面角部、２６…外側部、２７…内側部、２８…凹部周縁部、２９…凹部周縁部、３０…上縁、３１…露出領域、３２…外側部、３３…内側部、３４…上縁、３５…ドライフィルムレジスト、３６…空間、３７…端面、３８…ダイアタッチ剤、３９…サファイア基板、４０…III族窒化物半導体層、４１…ｎ型低温ＧａＮバッファ層、４２…ｎ型ＧａＮコンタクト層、４３…中間バッファ層、４４…発光層、４５…ｐ型ＡｌＧａＮ電子阻止層、４６…ｐ型ＧａＮコンタクト層、４７…凹部、４８…引き出し部、４９…ｐ側電極、５０…ｎ側電極、５１…ボンディングワイヤ、５２…ボンディングワイヤ、５３…加工痕、５４…ギャップ、５５…ギャップ、５６…極性マーク、５７…三角部、５８…直線部、５９…傾斜面、６０…第１領域、６１…第２領域、６２…光が強く当たる領域、６３…第１ピーク、６４…第２ピーク、６５…第３ピーク、６６…第４ピーク、６７…第５ピーク、６８…ピーク、６９…ピーク、７０…リフレクタ、７１…湾曲周縁、７２…湾曲周縁、８１…端面、９１…端面

Claims (12)

  1. 樹脂製の基材と、
    前記基材に形成された第１配線および第２配線と、
    前記基材上に配置され、前記第１配線および前記第２配線に電気的に接続された発光素子と、
    前記発光素子を封止する透明性の封止樹脂とを含み、
    前記基材が、アクリル系樹脂を含有し、
    前記封止樹脂がシリコーンを含有している、半導体発光装置。
  2. 前記基材は、ＦＴ−ＩＲ測定において、少なくとも、波数１６９８ｃｍ−１付近の第１ピーク、波数１５１０ｃｍ−１付近の第２ピーク、波数１４４８ｃｍ−１付近の第３ピークを含むスペクトルを発現し、かつ、前記第１ピークのピーク高さが前記第２ピークのピーク高さよりも高い耐光性樹脂からなる、請求項１に記載の半導体発光装置。
  3. 前記基材は、ＦＴ−ＩＲ測定において、波数１２５７ｃｍ−１付近の第４ピーク、波数１０６０ｃｍ−１付近の第５ピークをさらに含むスペクトルを発現する、請求項２に記載の半導体発光装置。
  4. 前記封止樹脂は、ＦＴ−ＩＲ測定において、ビスフェノールＡ由来のエポキシ樹脂のＦＴ−ＩＲ測定で得られる参照スペクトルに対して、当該参照スペクトルが含む波数１５１０ｃｍ−１付近および８３５ｃｍ−１付近のピークを含まず、前記参照スペクトルの複数のピークと同じ波数位置にピークを含むスペクトルを発現する耐光性樹脂からなる、請求項２または３に記載の半導体発光装置。
  5. 前記基材は、ＦＴ−ＩＲ測定において、Ｃ＝Ｏ結合由来のピーク、ベンゼン環由来のピーク、およびＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合由来のピークを含むスペクトルを発現する樹脂からなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  6. 樹脂製の基材と、
    前記基材に形成された第１配線および第２配線と、
    前記基材上に配置され、前記第１配線および前記第２配線に電気的に接続された発光素子と、
    前記発光素子を封止する透明性の封止樹脂とを含み、
    前記基材が、Ｃ＝Ｏ結合、ベンゼン環およびＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する樹脂成分を含有し、
    前記封止樹脂がシリコーンを含有している、半導体発光装置。
  7. 前記第１配線は、前記発光素子が搭載される第１アイランドと、前記発光素子と第１接合部材によって接続される第２アイランドとを含み、
    前記第２アイランドは、前記発光素子の位置で交差する、前記基材の第１方向に沿う第１領域および前記基材の前記第１方向に交差する第２方向に沿う第２領域を避けるように配置されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  8. 前記第２配線は、前記発光素子と第２接合部材によって接続される第３アイランドを含み、
    前記第３アイランドは、前記第１アイランドを挟んで前記第２アイランドに対して対角となる位置に配置されている、請求項７に記載の半導体発光装置。
  9. 前記第１配線を選択的に覆うように、前記基材上に形成された第１絶縁保護層と、
    前記第２配線を選択的に覆うように、前記基材上に形成された第２絶縁保護層とをさらに含み、
    前記第１絶縁保護層および前記第２絶縁保護層は、平面視において、互いに異なるパターンで形成されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  10. 前記基材には、その表面から裏面まで貫通するように第１凹部が形成されており、
    前記第１絶縁保護層は、前記第１凹部との間に第１ギャップが形成されるように、前記第１凹部の周縁に沿って形成されており、
    前記第１ギャップから前記第１凹部を介して前記基材の裏面に回り込むように形成され、前記第１配線に接続された第１端子を含む、請求項９に記載の半導体発光装置。
  11. 前記基材には、その表面から裏面まで貫通するように第２凹部が形成されており、
    前記第２絶縁保護層は、前記第２凹部との間に第２ギャップが形成されるように、前記第２凹部の周縁に沿って形成されており、
    前記第２ギャップから前記第２凹部を介して前記基材の裏面に回り込むように形成され、前記第２配線に接続された第２端子を含む、請求項９または１０に記載の半導体発光装置。
  12. 前記第１絶縁保護層および前記第２絶縁保護層は、ドライレジストフィルムからなる、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
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