JP2018142001A - Saturable absorbing element, and laser apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光分野で利用される可飽和吸収素子、及びレーザ装置に関する。 The present invention relates to a saturable absorbing element and a laser device used in the optical field.
可飽和吸収素子は、光分野で広く利用されている。可飽和吸収素子は、例えば、受動Qスイッチレーザや受動モード同期レーザのような短パルス光を発生させるレーザ発振器に利用されている。従来、このような発振器には、半導体を用いた可飽和吸収素子や光非線形効果を用いた可飽和吸収素子が用いられていた。 Saturable absorbers are widely used in the optical field. The saturable absorber is used in a laser oscillator that generates short pulse light such as a passive Q-switched laser or a passive mode-locked laser. Conventionally, a saturable absorber using a semiconductor or a saturable absorber using an optical nonlinear effect has been used for such an oscillator.
半導体を用いた可飽和吸収素子は、応答速度がピコ秒程度と遅く、パルス幅が100フェムト秒を切るような短いパルスを生成することが難しい。また、半導体を用いた可飽和吸収素子は、レーザ装置の発振波長に合わせて吸収帯を人工的に生成させるための量子井戸構造を作成する、複雑な構造であるため、容易に製造することができない。 A saturable absorber using a semiconductor has a slow response speed of about picoseconds, and it is difficult to generate a short pulse with a pulse width of less than 100 femtoseconds. In addition, a saturable absorption element using a semiconductor is a complicated structure that creates a quantum well structure for artificially generating an absorption band in accordance with the oscillation wavelength of a laser device, and thus can be easily manufactured. Can not.
非線形効果を用いた可飽和吸収素子は、半導体を用いた可飽和吸収素子と比較して応答速度が速く、短いパルスを生成することが可能である。一方、非線形効果を用いた可飽和吸収素子は、温度や振動等の環境の影響を受けやすく、環境によって自己始動ができない場合がある。 A saturable absorber using a nonlinear effect has a faster response speed than a saturable absorber using a semiconductor, and can generate a short pulse. On the other hand, saturable absorbers using nonlinear effects are susceptible to environmental influences such as temperature and vibration, and may not be able to self-start depending on the environment.
これに対し、近年は、可飽和吸収素子の新たな材料として、カーボンナノチューブやグラフェン等の炭素系材料が着目されている(例えば、特許文献1、非特許文献1及び2参照)。
On the other hand, in recent years, carbon-based materials such as carbon nanotubes and graphene have attracted attention as new materials for saturable absorber elements (see, for example,
非特許文献1では、図2を用いてカーボンナノチューブを使用する可飽和吸収素子の光の波長に対する吸光度(吸収特性)について説明されている。カーボンナノチューブを使用する可飽和吸収素子では、カーボンナノチューブ径で決定されるバンド構造に起因した吸収特性を持つため、吸収する光の波長が限定される特徴がある。
Non-Patent
これに対し、グラフェンを使用する可飽和吸収素子の吸収特性は、波長に依存する問題はない。しかしながら、グラフェンの可飽和吸収素子の吸光度は低い(例えば、1層あたり2.3%程度)という問題がある。そのため、グラフェンを複数層に重ねて使用することも検討されるが、非特許文献2では、図3c)を用いてグラフェンの層数が増える程、可飽和吸収素子の変調深度が低下することが説明されている。
On the other hand, the absorption characteristic of the saturable absorber using graphene has no problem depending on the wavelength. However, there is a problem that the saturable absorption element of graphene has low absorbance (for example, about 2.3% per layer). Therefore, it is also considered to use graphene in multiple layers. However, in Non-Patent
上述したように、カーボンナノチューブやグラフェンを利用する可飽和吸収素子であっても、幅広い吸収帯域、高い吸光度及び高い変調深度を得ることは困難である。 As described above, it is difficult to obtain a wide absorption band, high absorbance, and high modulation depth even in a saturable absorber using carbon nanotubes or graphene.
上記課題に鑑み、本発明は、広い吸収帯域、高い吸光度及び高い変調深度を有する可飽和吸収素子、及びレーザ装置を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a saturable absorption element and a laser device having a wide absorption band, high absorbance, and high modulation depth.
上記目的を達成するために、第1の発明によれば、可飽和吸収素子がカーボンナノウォールを含むことを特徴とする。 In order to achieve the above object, according to the first invention, the saturable absorbing element includes carbon nanowalls.
第2の発明によれば、価電子の数が炭素と異なる不純物が前記カーボンナノウォールにドーピングされたことを特徴とする。 According to the second invention, the carbon nanowall is doped with an impurity having a different number of valence electrons from carbon.
第3の発明によれば、カーボンナノウォールは同一の向きに並列された複数のグラファイト片またはグラフェンを有することを特徴とする。 According to the third invention, the carbon nanowall has a plurality of graphite pieces or graphene arranged in parallel in the same direction.
第4の発明によれば、可飽和吸収素子の生成方法において、基板上にカーボンナノウォールを形成する工程と、カーボンナノウォールが形成された前記基板を樹脂又はガラスで包埋する工程と、前記基板上のカーボンナノウォールが包埋された後、前記基板を包埋された樹脂又はガラスから剥離する工程と、前記基板上にカーボンナノウォールを形成する際に形成された底面のグラファイトを除去する工程とを有することを特徴とする。 According to a fourth invention, in the method for producing a saturable absorber, a step of forming a carbon nanowall on a substrate, a step of embedding the substrate on which the carbon nanowall has been formed with a resin or glass, After the carbon nanowall on the substrate is embedded, the step of peeling the substrate from the embedded resin or glass, and removing the graphite on the bottom formed when the carbon nanowall is formed on the substrate. And a process.
第5の発明によれば、底面のグラファイトを除去する工程では、研磨により底面のグラファイトを除去することを特徴とする。 According to the fifth invention, in the step of removing the graphite on the bottom surface, the graphite on the bottom surface is removed by polishing.
第6の発明によれば、底面のグラファイトを除去する工程では、イオンエッチング又はプラズマエッチングにより底面のグラファイトを除去することを特徴とする。 According to the sixth invention, in the step of removing the graphite on the bottom surface, the graphite on the bottom surface is removed by ion etching or plasma etching.
第7の発明によれば、励起光を出力する光源と、光利得媒体及び可飽和吸収素子を有し、前記励起光から出力された光を利用してレーザ光を発振する発振器とを備え、前記可飽和吸収素子は、カーボンナノウォールを含むことを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, the apparatus includes: a light source that outputs pumping light; an oscillator that includes an optical gain medium and a saturable absorbing element, and that oscillates laser light using light output from the pumping light; The saturable absorber element includes carbon nanowalls.
本発明によれば、広い吸収帯域で高い吸光度及び高い変調深度を得ることができる。 According to the present invention, high absorbance and high modulation depth can be obtained in a wide absorption band.
以下に、実施形態に係る可飽和吸収素子、可飽和吸収素子の生成方法及びレーザ装置について説明する。可飽和吸収素子は、強度の低い光を吸収し、強度の高い光を透過する素子である。実施形態に係る可飽和吸収素子は、カーボンナノウォールを含む。具体的には、実施形態に係る可飽和吸収素子は、樹脂又はガラスに包埋されたカーボンナノウォールを含む。ここでは、複数のグラファイト片またはグラフェンが一の面に対して垂直に配列されたものをカーボンナノウォールとする。なお、グラファイト片またはグラフェンは一の面に垂直であるが、完全に垂直である必要はない。以下の説明では、グラファイト片を有するカーボンナノウォールを用いて説明する。また、一の面と垂直の方向をグラファイト片及びカーボンナノウォールの高さとする。 Hereinafter, a saturable absorber, a method for generating a saturable absorber, and a laser device according to embodiments will be described. The saturable absorbing element is an element that absorbs light with low intensity and transmits light with high intensity. The saturable absorber according to the embodiment includes carbon nanowalls. Specifically, the saturable absorber according to the embodiment includes carbon nanowalls embedded in resin or glass. Here, a plurality of graphite pieces or graphene arranged perpendicular to one surface is defined as a carbon nanowall. Note that the graphite piece or graphene is perpendicular to one surface but need not be completely perpendicular. In the following description, a carbon nanowall having a graphite piece will be used. Further, the direction perpendicular to the one surface is defined as the height of the graphite piece and the carbon nanowall.
〈可飽和吸収素子の生成方法〉
図1を用いて、実施形態に係る可飽和吸収素子の生成方法について説明する。第1の工程において、図1(a)に示すように、スパッタリングやプラズマCVD等により基板10上にカーボンナノウォール12を形成する。
<Method for generating saturable absorber element>
A method for generating the saturable absorber according to the embodiment will be described with reference to FIG. In the first step, as shown in FIG. 1A,
具体的には、まず、基板10上に薄いグラファイト面11が形成される。その後、このグラファイト面11上に垂直な複数のグラファイト片12aを有するカーボンナノウォール12が形成される。このとき、複数のグラファイト片12aは、グラファイト面11上に略均一に分散された状態で形成される。
Specifically, first, a
第2の工程において、図1(b)に示すように、基板10に形成されたカーボンナノウォール12を樹脂で包埋する。具体的には、カーボンナノウォール12を構成する各グラファイト片12aの間隙を樹脂で埋める。ここでは、樹脂として、ポリイミド前駆体13を包埋する例で説明するが、カーボンナノウォールを包埋する樹脂は、レーザ光に対する透過性及び耐熱性を有し、使用の際に破壊されない強度の素材であれば、種類は限定されない。また、樹脂の他、ガラスでカーボンナノウォール12を包埋しても同様である。なお、ここでいうレーザ光は、可視光に限定されず、非可視光も含む。
In the second step, as shown in FIG. 1B, the
第3の工程において、図1(c)に示すように、ポリイミド前駆体13で包埋されたカーボンナノウォール12を有する基板10を固化処理してポリイミド14とする。
In the third step, as shown in FIG. 1C, the
第4の工程において、図1(d)に示すように、カーボンナノウォール12を包埋するポリイミド14から基板10を剥離する。例えば、機械的剥離により基板10をポリイミド14から剥離する。
In the fourth step, as shown in FIG. 1 (d), the
第5の工程において、図1(e)に示すように、カーボンナノウォール12を包埋するポリイミド14からグラファイト面11を除去する。例えば、アルゴンイオンエッチング又はプラズマエッチングによりグラファイト面11を研磨してもよいし、研磨装置等を利用してグラファイト面11を研磨してもよい。
In the fifth step, the
第6の工程において、図1(f)に示すように、カーボンナノウォール12を包埋するポリイミド14を適切なサイズにカッティングして、可飽和吸収素子1とする。カッティングの方法は限定されないが、例えば、レーザ光を利用することができる10マイクロメートル四方以上の大きさであることが望ましい。なお、図1に示す基板10、グラファイト片12a及び可飽和吸収素子1の大きさの比率は実際とは異なる。実際には、カッティングされた可飽和吸収素子1には、複数のグラファイト片12aを含むカーボンナノウォール12を有している。
In the sixth step, as shown in FIG. 1 (f), the
上述したように、基板10上に形成したカーボンナノウォール12を利用して可飽和吸収素子1を形成することで、グラファイト片12aが均一に分散した可飽和吸収素子1を容易に形成することができる。すなわち、カーボンナノチューブを利用した可飽和吸収素子の場合、カーボンナノチューブを粉末にして基板上にコーティングする際、カーボンナノチューブの粉末を基板上で均一に分散させることが困難であった。これに対し、カーボンナノウォール12は、基板10上にグラファイト片12aが分散されて形成されるため、これを粉末にして基板上にコーティングする必要がない。したがって、上述した可飽和吸収素子1は、カーボンナノチューブを利用する可飽和吸収素子と比較して、容易に生成することができる。
As described above, by forming the
可飽和吸収素子1は、カーボンナノウォール12の高さに応じて、吸光度が異なる。例えば、カーボンナノウォール12の高さが高くなると、生成される可飽和吸収素子の吸光度が高くなる。また、カーボンナノウォール12の高さが低くなると、生成される可飽和吸収素子の吸光度が低くなる。したがって、可飽和吸収素子1生成の際に、カーボンナノウォール12の高さを調整し、吸光度を調整することができる。
The
具体的には、吸光度を最適にするため、可飽和吸収素子1のカーボンナノウォール12の高さは、1μm程度であることが好ましい。
Specifically, in order to optimize the absorbance, the height of the
例えば、図1(a)を用いて上述した第1の工程でカーボンナノウォール12を形成する際、形成時間(例えば、スパッタリング時間)の調整により、形成されるグラファイト片12aの厚さやグラファイト面11からの高さ等を調整することができる。または、例えば、図1(e)を用いて上述した第5の工程でグラファイト面11を研磨する際、グラファイト面11とともにカーボンナノウォール12の一部も研磨することで、カーボンナノウォール12の高さを調節することができる。
For example, when the
また、可飽和吸収素子1のカーボンナノウォール12に不純物をドーピングし、変調深度や応答速度を調整することができる。このとき、カーボンナノウォール12にドーピングする不純物には、価電子数が炭素(価電子数:4)と異なる物質を用いる。例えば、不純物として、ホウ素(価電子数:3)、窒素(価電子数:5)、リン(電子数:5)等をドーピングすることが考えられる。価電子数が炭素と異なる物質をドーピングすることで、可飽和吸収素子1の吸光度、変調深度、応答速度等を調整することもできる。
Moreover, the
例えば、図1(a)を用いて上述した第1の工程で、不純物をドーピングしながらカーボンナノウォール12を形成することができる。または、図1を用いて上述したカーボンナノウォール12を形成する第1の工程と、カーボンナノウォール12を樹脂やガラスで包埋する第2の工程の間に、不純物をドーピングする工程を追加してもよい。
For example, the
さらに、図2に示すように、複数のグラファイト片12aを同一の向きに並列し、これを樹脂やガラスで包埋してカッティングし、可飽和吸収素子1としてもよい。このように生成される可飽和吸収素子1では、全てのグラファイト片12aに対して同一の偏光方向を有する光を照射するように調整が可能であり、可飽和吸収の性能を向上することができる。
Furthermore, as shown in FIG. 2, a plurality of
上述した実施形態に係る可飽和吸収素子1は、カーボンナノチューブやグラフェンで形成された可飽和吸収素子と比較して、性能を向上することができる。具体的には、カーボンナノチューブは、バンド構造に起因した吸光度を有し、広範囲の波長の光に対応していなかった。これに対し、図3に示すように、可飽和吸収素子1は、波長に対する吸光度が略一定であり、広範囲の波長に対応させることができる。
The
また、グラフェンは、1層で使用する場合には吸光度が低く、層を増やすと変調深度が低下していた。これに対し、可飽和吸収素子1は、十分な吸光度を有するとともに、入射光に対して、高い変調深度を有する。
In addition, graphene has low absorbance when used in one layer, and the modulation depth decreases as the number of layers increases. On the other hand, the
例えば、可飽和吸収素子1は、可飽和吸収素子1を用いた超短パルスレーザによる非熱加工の装置、透明材料の加工装置及び難加工材料の加工装置等、テラヘルツ光の発生に利用することができる。また例えば、可飽和吸収素子1は、超短パルスを用いた大容量光ファイバ通信に利用することができる。
For example, the
〈レーザ装置〉
以下に、上述した可飽和吸収素子1を有する実施形態に係るレーザ装置について説明する。図4(a)に示すように、実施形態に係るレーザ装置2は、励起光を出力する光源20と、励起光から出力された光を利用してレーザ光を発振する発振器21とを備えている。また、発振器21は、光利得媒体22及び可飽和吸収素子1を有している。このレーザ装置2は、パルス光を出力するレーザ装置であって、出力するパルス光のパルス幅がフェムト秒やピコ秒レベルである超短パルスレーザ装置である。
<Laser device>
Below, the laser apparatus which concerns on embodiment which has the
光利得媒体22は、光ファイバケーブル221と、光ファイバケーブル221の光と光源20の光を結合する光カプラー222と、光を増幅する光利得媒質223と、光を平行光に調整するコリメータレンズ224と、光の偏光を調整する波長板225a,225bと、光の一部を超短パルスとして出力し、一部を光ファイバケーブル221に戻すビームスプリッター226とを有している。ここで、波長板225aは1/4波長板であって、波長板225bは1/2波長板である。
The
また、可飽和吸収素子1は、上述したカーボンナノウォール12を有する可飽和吸収素子であって、図4(b)に示すように、コネクタ23によって光ファイバケーブル221内に接続されている。なお、図4(b)では、可飽和吸収素子1は、光ファイバケーブル221に対して垂直ではなく、傾斜されて配置されているが可飽和吸収素子1の光ファイバケーブル221に対する角度は限定されない。
Further, the
発振器21は、可飽和吸収素子1によって光ファイバケーブル221から入力する光を透過及び吸収することで、モード同期を実現し、超短パルスを出力することができる。
The
なお、図4(a)は、1つの可飽和吸収素子1を有する例であるが、異なるコネクタ23を介して接続される複数の可飽和吸収素子1を並列して有していてもよい。これにより、1つの可飽和吸収素子1のみでは十分な吸光度が得られない場合であっても、吸光度を調整し、超短パルスを出力することが可能となる。
FIG. 4A shows an example having one
また、図4を用いて上述したレーザ装置2は、光ファイバケーブル221を利用するファイバーレーザーを例に説明しているが、固体レーザ等他のレーザ装置であっても可飽和吸収素子1の使用により、モード同期発振を得ることができる。
Further, the
〈実験結果〉
図5は、実施形態に係るレーザ装置2の実験結果を表している。
<Experimental result>
FIG. 5 shows an experimental result of the
図5(a)は、レーザ装置2の出力をオシロスコープによって測定したパルス列波形である。この結果、レーザ装置2の出力の繰り返し周波数が45MHzであることが分かる。
FIG. 5A shows a pulse train waveform obtained by measuring the output of the
また、図5(b)は、レーザ装置2の出力を自己相関計で測定した自己相関波形と、双曲線正割関数へフィッティングされた波形(sechフィット)である。この結果、パルス幅が321フェムト秒(fs)であることが分かる。したがって、レーザ装置2が超短パルスレーザであることが分かる。
FIG. 5B shows an autocorrelation waveform obtained by measuring the output of the
さらに、図5(c)は、レーザ装置2の出力の波長を光スペクトルアナライザで分析したスペクトルである。この結果、レーザ装置2の出力のスペクトル幅は12nmであって、中心波長が1564nmであることが分かる。
Further, FIG. 5C is a spectrum obtained by analyzing the wavelength of the output of the
また、レーザ装置2の出力をパワーメータで測定したとき、出力は8mWであった。このように、レーザ装置2の性能として、出力8mW、繰り返し周波数45MHz、パルス幅321fs、スペクトル幅12nm、中心波長1564nmが得られた。
Moreover, when the output of the
〈変形例〉
なお、上述した実施形態では、カーボンナノウォール12が樹脂又はガラスに包埋される可飽和吸収素子1について説明した。これに対し、変形例に係る可飽和吸収素子1Aが含むカーボンナノウォール12は、樹脂又はガラスに包埋されない。
<Modification>
In the above-described embodiment, the
変形例に係る可飽和吸収素子1Aを生成する際には、カーボンナノウォール12を樹脂又はガラスで包埋する工程、すなわち、図1を用いて上述した第2工程及び第3工程が行われない。そのため、第4工程でカーボンナノウォール12を基板10から剥離することができない。したがって、変形例に係る可飽和吸収素子1Aを生成する際には、剥離する必要のない基板10A上にカーボンナノウォール12を形成する。具体的には、光を透過する石英基板や光を反射するミラーを基板10Aとし、この基板10A上にカーボンナノウォール12を形成して可飽和吸収素子1Aを生成する。
When the
また、変形例に係る可飽和吸収素子1Aは、樹脂やガラスで包埋されないため、接触による強度が弱い。したがって、図4を用いて上述したように、光ファイバケーブル221と接触させることができない。そのため、可飽和吸収素子1Aは、例えば、図6に示すように、レンズ25を使用して空間光学系で使用される。
Moreover, since the
具体的には、図6(a)は、石英基板を基板10Aとして使用し、レンズ25により可飽和吸収素子1Aに光を集光し、透過させる一例である。また、図6(b)は、ミラーを基板10Aとして使用し、レンズ25により可飽和吸収素子1Aに光を集光し、反射させる一例である。このように使用される可飽和吸収素子1Aは、樹脂又はガラスに包埋される必要がない。
Specifically, FIG. 6A is an example in which a quartz substrate is used as the
以上、実施形態及び変形例を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。 As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail using embodiment and a modification, this invention is not limited to embodiment described in this specification. The scope of the present invention is determined by the description of the claims and the scope equivalent to the description of the claims.
1 可飽和吸収素子
10 基板
11 グラファイト面
12 カーボンナノウォール
12a グラファイト片
13 ポリイミド前駆体
14 ポリイミド
2 レーザ装置
20 光源
21 発振器
22 光利得媒体
221 光ファイバケーブル
222 光カプラー
223 光利得媒質
224 コリメータレンズ
225a,225b 偏光板
226 ビームスプリッター
23 コネクタ
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記カーボンナノウォールを包埋する樹脂又はガラスと、
を含むことを特徴とする可飽和吸収素子。 Carbon nanowalls,
Resin or glass embedding the carbon nanowall;
A saturable absorption element comprising:
光利得媒体及び可飽和吸収素子を有し、前記励起光から出力された光を利用してレーザ光を発振する発振器とを備え、
前記可飽和吸収素子は、
カーボンナノウォールと、
前記カーボンナノウォールを包埋する樹脂又はガラスと、
を含むことを特徴とするレーザ装置。
A light source that outputs excitation light;
An optical gain medium and a saturable absorber, and an oscillator that oscillates laser light using light output from the pumping light,
The saturable absorber element is
Carbon nanowalls,
Resin or glass embedding the carbon nanowall;
A laser device comprising:
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