JP2017223908A

JP2017223908A - Varifocal mirror

Info

Publication number: JP2017223908A
Application number: JP2016120996A
Authority: JP
Inventors: 浩市大山; Koichi Oyama; 丸山　ユミ; Yumi Maruyama; ユミ丸山; 佐藤　功二; Koji Sato; 功二佐藤
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2016-06-17
Filing date: 2016-06-17
Publication date: 2017-12-21

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a varifocal mirror which offers minimized deformation of a reflection surface caused by thermal stress that arises when mounted.SOLUTION: A varifocal mirror comprises; a reflection unit 20 having a reflective surface 21a configured to reflect light beams and disposed to be in parallel with two directions that are perpendicular to each other; a bending unit 30 configured to modify a focal position by bending the reflective surface 21a; and an outer frame 80 that supports the reflection unit 20 via spring sections 70 coupled to the reflection unit 20, the spring sections 70 being deformable in a plane parallel to the reflective surface 21a.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、可変焦点ミラーに関するものである。 The present invention relates to a variable focus mirror.

ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）型光走査装置は、回転するミラーにレーザ光を照射し、ミラーで反射されたレーザ光をスクリーンに照射することにより、スクリーン上に所望の画像を描画するものである。 2. Description of the Related Art A MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) type optical scanning apparatus draws a desired image on a screen by irradiating a rotating mirror with laser light and irradiating the screen with laser light reflected by the mirror. .

光走査装置の中には、回転するミラーの他に、屈曲することで反射光の焦点位置を変化させる可変焦点ミラーを備えたものがある。例えば特許文献１では、基材薄板と、基材薄板に形成されたミラー金属薄膜と、温度変化によりミラー金属薄膜の曲率を変化させる加熱素子とを備え、ミラー金属薄膜の外側にスリットが形成された可変焦点ミラーが提案されている。このスリットは加熱素子によるミラー金属薄膜の曲率変化を助長するためのものであり、スリットが形成されることにより、ミラー金属薄膜部分は、基材薄板と同様にＳｉ等で構成された棒状の複数の支持梁によってデバイス外枠部と連結されている。 Some optical scanning devices include a variable focus mirror that changes the focal position of reflected light by bending in addition to a rotating mirror. For example, Patent Document 1 includes a substrate thin plate, a mirror metal thin film formed on the substrate thin plate, and a heating element that changes the curvature of the mirror metal thin film due to a temperature change, and a slit is formed outside the mirror metal thin film. Variable focus mirrors have been proposed. This slit is for promoting the change in the curvature of the mirror metal thin film by the heating element. By forming the slit, the mirror metal thin film portion is made of a plurality of rod-like elements made of Si or the like as in the case of the substrate thin plate. It is connected with the device outer frame part by the support beam.

特開２００８−２３３４０５号公報JP 2008-233405 A

しかしながら、特許文献１に記載の可変焦点ミラーを実装すると、実装時の熱応力によりデバイス外枠部が変形する。ミラー金属薄膜部分とデバイス外枠部は、複数の支持梁によって連結されているため、デバイス外枠部の変形によって生じる力は、ミラー金属薄膜部分に直接には伝わらず、複数の支持梁を通して伝わる。しかし、複数の支持梁は、基材薄板と同様に剛性の高いＳｉ等で構成されており、また、ミラー金属薄膜部分の半径方向に延設された棒状とされている。そのため、デバイス外枠部の変形によりミラー金属薄膜部分に加わる力を支持梁によって緩和することができず、ミラー金属薄膜部分が意図しない変形をし、所望の曲率が得られなくなる。 However, when the variable focus mirror described in Patent Document 1 is mounted, the device outer frame portion is deformed by thermal stress during mounting. Since the mirror metal thin film portion and the device outer frame portion are connected by a plurality of support beams, the force generated by the deformation of the device outer frame portion is not directly transmitted to the mirror metal thin film portion but is transmitted through the plurality of support beams. . However, the plurality of support beams are made of Si or the like having high rigidity as in the case of the substrate thin plate, and have a rod shape extending in the radial direction of the mirror metal thin film portion. For this reason, the force applied to the mirror metal thin film portion due to the deformation of the device outer frame portion cannot be relaxed by the support beam, and the mirror metal thin film portion deforms unintentionally, and a desired curvature cannot be obtained.

本発明は上記点に鑑みて、実装時の熱応力による反射面の変形を抑制することができる可変焦点ミラーを提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the variable focus mirror which can suppress the deformation | transformation of the reflective surface by the thermal stress at the time of mounting in view of the said point.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、光ビームを反射させる反射面（２１ａ）を有し、反射面が互いに垂直な一方向および他方向の両方に平行となるように配置された反射部（２０）と、反射面を屈曲させて焦点位置を変化させる屈曲部（３０）と、反射部に連結されたバネ部（７０）を介して反射部を支持する外枠部（８０）と、を備え、バネ部は、反射面に平行な面内において変形可能とされている。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the reflective surface (21a) for reflecting the light beam is provided, and the reflective surfaces are arranged so as to be parallel to both one direction and the other direction perpendicular to each other. The reflection part (20), the bending part (30) that changes the focal position by bending the reflection surface, and the outer frame part (70) that supports the reflection part via the spring part (70) connected to the reflection part. 80), and the spring portion can be deformed in a plane parallel to the reflecting surface.

これによれば、外枠部が変形すると、外枠部からバネ部を通して反射部に加わる力がバネ部の変形によって緩和されるため、実装時の熱応力による反射面の変形を抑制することができる。 According to this, when the outer frame portion is deformed, the force applied to the reflecting portion from the outer frame portion through the spring portion is relieved by the deformation of the spring portion, so that the deformation of the reflecting surface due to the thermal stress during mounting can be suppressed. it can.

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows an example of a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第１実施形態にかかる可変焦点ミラーの平面図である。It is a top view of the variable focus mirror concerning 1st Embodiment of this invention. 図１のII−II断面図である。It is II-II sectional drawing of FIG. 可変焦点ミラーの動作を示す断面図である。It is sectional drawing which shows operation | movement of a variable focus mirror. 圧電素子への印加電圧と反射面の曲率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the voltage applied to a piezoelectric element, and the curvature of a reflective surface. 可変焦点ミラーの変形を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a deformation | transformation of a variable focus mirror. 比較例の平面図である。It is a top view of a comparative example. 図６のVII−VII断面図である。It is VII-VII sectional drawing of FIG. 圧電素子への印加電圧と反射面の曲率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the voltage applied to a piezoelectric element, and the curvature of a reflective surface. 本発明の第２実施形態にかかる可変焦点ミラーの平面図である。It is a top view of the variable focus mirror concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態にかかる可変焦点ミラーの平面図である。It is a top view of the variable focus mirror concerning 3rd Embodiment of this invention. 図１０のXI−XI断面図である。It is XI-XI sectional drawing of FIG.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。図１、図２に示すように、本実施形態の可変焦点ミラー１は、基板１０を加工することで形成されている。そして、可変焦点ミラー１は、反射部２０、圧電素子３０、圧電素子４０、絶縁膜５０、配線６０、バネ部７０、外枠部８０、実装基板９０、ボンディングワイヤ１００、ダイボンド材１１０を備えている。 (First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, the variable focus mirror 1 of the present embodiment is formed by processing a substrate 10. The varifocal mirror 1 includes a reflecting portion 20, a piezoelectric element 30, a piezoelectric element 40, an insulating film 50, a wiring 60, a spring portion 70, an outer frame portion 80, a mounting substrate 90, a bonding wire 100, and a die bonding material 110. Yes.

なお、図１は断面図ではないが、図を見やすくするために、圧電素子３０、圧電素子４０、後述する反射面２１ａにハッチングを施してある。また、図１では絶縁膜５０、実装基板９０、ボンディングワイヤ１００の図示を省略している。 Although FIG. 1 is not a cross-sectional view, hatching is applied to the piezoelectric element 30, the piezoelectric element 40, and a reflection surface 21 a to be described later in order to make the drawing easy to see. In FIG. 1, the insulating film 50, the mounting substrate 90, and the bonding wires 100 are not shown.

図２に示すように、基板１０は、活性層１１、犠牲層１２、支持層１３が順に積層された構造のＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板にて構成されている。活性層１１、支持層１３は例えばＳｉで構成され、犠牲層１２は例えばＳｉＯ_２で構成される。 As shown in FIG. 2, the substrate 10 is configured by an SOI (Silicon on Insulator) substrate having a structure in which an active layer 11, a sacrificial layer 12, and a support layer 13 are sequentially stacked. The active layer 11 and the support layer 13 are made of, for example, Si, and the sacrificial layer 12 is made of, for example, SiO ₂ .

反射部２０は、可変焦点ミラー１に照射された光ビームを反射させるものであり、反射部２０では、活性層１１の上面形状が円形とされている。反射部２０は、Ａｇ（銀）で構成されたＡｇ層２１を有しており、反射部２０は、Ａｇ層２１の上面である円形状の反射面２１ａにおいて光ビームを反射させる。反射部２０における活性層１１の上面には、圧電素子３０および絶縁膜５０が順に積層されており、Ａｇ層２１は、絶縁膜５０の上面に形成されている。 The reflection part 20 reflects the light beam irradiated to the variable focus mirror 1, and in the reflection part 20, the upper surface shape of the active layer 11 is circular. The reflection unit 20 includes an Ag layer 21 made of Ag (silver), and the reflection unit 20 reflects a light beam on a circular reflection surface 21 a that is the upper surface of the Ag layer 21. A piezoelectric element 30 and an insulating film 50 are sequentially stacked on the upper surface of the active layer 11 in the reflecting portion 20, and the Ag layer 21 is formed on the upper surface of the insulating film 50.

反射部２０においては、圧電素子３０の動作によって反射面２１ａを屈曲させるために、基板１０の一部が薄膜化されている。具体的には、基板１０のうち、Ａｇ層２１に対応する領域、および、この領域から所定の距離内にある領域においては、犠牲層１２および支持層１３が除去されており、支持層１３の裏面に開口する凹部１４が形成されている。凹部１４の底面、つまり、活性層１１の裏面のうち凹部１４の形成によって露出した部分の形状は、円形状とされている。 In the reflecting portion 20, a part of the substrate 10 is thinned in order to bend the reflecting surface 21 a by the operation of the piezoelectric element 30. Specifically, the sacrificial layer 12 and the support layer 13 are removed from the substrate 10 in a region corresponding to the Ag layer 21 and a region within a predetermined distance from this region. A recess 14 is formed in the back surface. The shape of the bottom surface of the recess 14, that is, the portion of the back surface of the active layer 11 exposed by the formation of the recess 14 is a circular shape.

凹部１４の外側では犠牲層１２および支持層１３が除去されずに残されており、円筒状のリブ１５が形成されている。これにより、基板１０のうち凹部１４が形成された部分の厚みはリブ１５が形成された部分の厚みよりも小さくされている。 Outside the recess 14, the sacrificial layer 12 and the support layer 13 are left without being removed, and a cylindrical rib 15 is formed. Thereby, the thickness of the part in which the recessed part 14 was formed among the board | substrates 10 is made smaller than the thickness of the part in which the rib 15 was formed.

反射部２０は、反射面２１ａが互いに垂直な一方向および他方向の両方に平行となるように配置されている。一方向をｘ方向とし、他方向をｙ方向とする。また、一方向および他方向の両方に垂直な方向をｚ方向とする。 The reflection part 20 is arrange | positioned so that the reflective surface 21a may become parallel to both one direction and another direction perpendicular | vertical to each other. One direction is the x direction and the other direction is the y direction. Also, a direction perpendicular to both one direction and the other direction is taken as a z direction.

圧電素子３０は、反射面２１ａを屈曲させて焦点位置を変化させるものであり、基板１０のうち凹部１４が形成された部分の上面に形成されている。圧電素子３０は、絶縁層３１、下部電極３２、圧電膜３３、上部電極３４が、活性層１１の上面に順に積層されて構成されている。圧電素子３０は、屈曲部に相当する。 The piezoelectric element 30 changes the focal position by bending the reflecting surface 21a, and is formed on the upper surface of the portion of the substrate 10 where the recesses 14 are formed. The piezoelectric element 30 is configured by laminating an insulating layer 31, a lower electrode 32, a piezoelectric film 33, and an upper electrode 34 in this order on the upper surface of the active layer 11. The piezoelectric element 30 corresponds to a bent portion.

圧電素子４０は、基板１０のうち凹部１４が形成された部分の上面からリブ１５が形成された部分の上面に至るように、圧電素子３０と離された状態で形成されている。圧電素子４０は、絶縁層４１、下部電極４２、圧電膜４３、上部電極４４が、活性層１１の上面に順に積層されて構成されている。 The piezoelectric element 40 is formed in a state of being separated from the piezoelectric element 30 so as to extend from the upper surface of the portion of the substrate 10 where the recesses 14 are formed to the upper surface of the portion where the ribs 15 are formed. The piezoelectric element 40 is configured by laminating an insulating layer 41, a lower electrode 42, a piezoelectric film 43, and an upper electrode 44 in this order on the upper surface of the active layer 11.

圧電素子４０は、圧電素子３０の膜応力による反射面２１ａの変形を抑制するためのものであり、圧電素子４０の膜応力の方向が、圧電素子３０の膜応力の方向と等しくなるように形成されている。すなわち、圧電素子３０の膜応力および圧電素子４０の膜応力は、共に引張方向の膜応力とされているか、または、共に圧縮方向の膜応力とされている。 The piezoelectric element 40 is for suppressing the deformation of the reflecting surface 21 a due to the film stress of the piezoelectric element 30, and is formed so that the film stress direction of the piezoelectric element 40 is equal to the film stress direction of the piezoelectric element 30. Has been. That is, the film stress of the piezoelectric element 30 and the film stress of the piezoelectric element 40 are both the film stress in the tensile direction or the film stress in the compression direction.

本実施形態では、圧電素子３０と圧電素子４０とを同じ材料で構成することにより、圧電素子４０の膜応力の方向が、圧電素子３０の膜応力の方向と等しくされている。具体的には、絶縁層３１、４１はＳｉＯ_２で構成されており、下部電極３２、４２はＳＲＯ／Ｐｔ／Ｔｉの積層構造で構成されている。また、圧電膜３３、４３はＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）で構成されており、上部電極３４、４４はＴｉ／Ａｕ／Ｔｉの積層構造で構成されている。 In the present embodiment, the piezoelectric element 30 and the piezoelectric element 40 are made of the same material, so that the film stress direction of the piezoelectric element 40 is equal to the film stress direction of the piezoelectric element 30. Specifically, the insulating layers 31 and 41 is composed of SiO _2, the lower electrode 32, 42 is constituted by a laminated structure of SRO / Pt / Ti. The piezoelectric films 33 and 43 are made of PZT (lead zirconate titanate), and the upper electrodes 34 and 44 are made of a Ti / Au / Ti laminated structure.

図２に示すように、活性層１１、圧電素子３０、圧電素子４０の表面には絶縁膜５０が形成されている。絶縁膜５０は、例えばＳｉＯ_２で構成される。前述したように、Ａｇ層２１は、圧電素子３０の上部に形成された絶縁膜５０の上面に形成されており、Ａｇ層２１は、圧電素子３０とは反対側の表面である反射面２１ａにおいて光ビームを反射させる。 As shown in FIG. 2, an insulating film 50 is formed on the surfaces of the active layer 11, the piezoelectric element 30, and the piezoelectric element 40. The insulating film 50 is made of, for example, SiO ₂ . As described above, the Ag layer 21 is formed on the upper surface of the insulating film 50 formed on the piezoelectric element 30, and the Ag layer 21 is formed on the reflective surface 21 a that is the surface opposite to the piezoelectric element 30. Reflect the light beam.

前述したように、反射面２１ａ、および、凹部１４の底面は円形状とされている。また、圧電素子３０は円柱状とされており、圧電素子４０は円筒状とされている。そして、反射面２１ａの面内方向において、圧電素子３０の上面、圧電素子４０の上面、凹部１４の底面の中心は、反射面２１ａの中心と同じ位置にある。 As described above, the reflecting surface 21a and the bottom surface of the recess 14 are circular. In addition, the piezoelectric element 30 has a columnar shape, and the piezoelectric element 40 has a cylindrical shape. In the in-plane direction of the reflecting surface 21a, the centers of the upper surface of the piezoelectric element 30, the upper surface of the piezoelectric element 40, and the bottom surface of the recess 14 are at the same position as the center of the reflecting surface 21a.

図２に示すように、絶縁膜５０のうち、圧電素子３０の上部に位置し、かつ、Ａｇ層２１から離れた部分には、上部電極３４を露出させる開口部５１が形成されている。絶縁膜５０の表面には配線６０が形成されており、配線６０は、開口部５１において上部電極３４に接続されている。配線６０は、例えばＡｌで構成される。 As shown in FIG. 2, an opening 51 that exposes the upper electrode 34 is formed in a portion of the insulating film 50 located above the piezoelectric element 30 and away from the Ag layer 21. A wiring 60 is formed on the surface of the insulating film 50, and the wiring 60 is connected to the upper electrode 34 in the opening 51. The wiring 60 is made of Al, for example.

配線６０は、絶縁膜５０のうちバネ部７０に形成された部分を通って外枠部８０に形成された部分に至るように形成されており、外枠部８０の上部における配線６０の端部には、パッド６１が形成されている。 The wiring 60 is formed so as to reach a portion formed in the outer frame portion 80 through a portion formed in the spring portion 70 in the insulating film 50, and an end portion of the wiring 60 in the upper portion of the outer frame portion 80. A pad 61 is formed.

パッド６１は、圧電素子３０を実装基板９０に接続するためのものである。図２に示すように、パッド６１にはボンディングワイヤ１００が接続されており、上部電極３４は、配線６０およびボンディングワイヤ１００を通して実装基板９０に接続されている。 The pad 61 is for connecting the piezoelectric element 30 to the mounting substrate 90. As shown in FIG. 2, the bonding wire 100 is connected to the pad 61, and the upper electrode 34 is connected to the mounting substrate 90 through the wiring 60 and the bonding wire 100.

また、絶縁膜５０には、下部電極３２を露出させる図示しない開口部が形成されている。下部電極３２は、この開口部において配線６０に接続されており、上部電極３４と同様に、配線６０を通して実装基板９０に接続されている。 In addition, an opening (not shown) that exposes the lower electrode 32 is formed in the insulating film 50. The lower electrode 32 is connected to the wiring 60 in this opening, and is connected to the mounting substrate 90 through the wiring 60 in the same manner as the upper electrode 34.

図１に示すように、反射部２０には、バネ部７０が連結されており、外枠部８０は、バネ部７０を介して反射部２０を支持している。バネ部７０は、外枠部８０の変形により反射部２０に加わる力を緩和するためのものである。 As shown in FIG. 1, a spring part 70 is connected to the reflection part 20, and the outer frame part 80 supports the reflection part 20 via the spring part 70. The spring part 70 is for reducing the force applied to the reflecting part 20 due to the deformation of the outer frame part 80.

バネ部７０は、反射面２１ａに平行なｘｙ平面内において変形可能とされている。本実施形態では、反射部２０と外枠部８０との間に円環状の隙間が形成されており、バネ部７０は、この隙間に配置されている。そして、バネ部７０は、反射面２１ａに平行な上面の形状が反射部２０から外枠部８０にかけて曲線状、具体的には、Ｓ字状となるように延設されており、バネ部７０の一端は反射部２０に連結され、他端は外枠部８０に連結されている。 The spring part 70 can be deformed in an xy plane parallel to the reflecting surface 21a. In the present embodiment, an annular gap is formed between the reflecting portion 20 and the outer frame portion 80, and the spring portion 70 is disposed in this gap. The spring portion 70 is extended so that the shape of the upper surface parallel to the reflecting surface 21 a is a curved shape, specifically, an S shape from the reflecting portion 20 to the outer frame portion 80. One end is connected to the reflecting portion 20, and the other end is connected to the outer frame portion 80.

このように、反射部２０と外枠部８０との間の隙間にバネ部７０を配置し、さらに、バネ部７０の上面形状を曲線状とすることにより、バネ部７０はｘｙ平面内において変形可能とされている。 Thus, the spring part 70 is deformed in the xy plane by disposing the spring part 70 in the gap between the reflecting part 20 and the outer frame part 80 and making the upper surface shape of the spring part 70 curved. It is possible.

また、バネ部７０は、ｚ方向よりもｘ方向およびｙ方向に変形しやすくされている。本実施形態では、バネ部７０は、互いに対向する側面の間の距離がｚ方向の厚みよりも小さくされており、これにより、ｚ方向よりもｘ方向およびｙ方向に変形しやすくされている。なお、バネ部７０の側面とは、バネ部７０における基板１０の表面と裏面とを連結する面をいう。また、バネ部７０は、基板１０のうちリブ１５の内側に位置する部分、すなわち、凹部１４が形成されて薄膜化された部分に比べて、ｚ方向の厚みが大きくされている。 Further, the spring portion 70 is more easily deformed in the x direction and the y direction than in the z direction. In the present embodiment, the distance between the side surfaces facing each other in the spring portion 70 is smaller than the thickness in the z direction, and is thus more easily deformed in the x and y directions than in the z direction. The side surface of the spring portion 70 refers to a surface that connects the front surface and the back surface of the substrate 10 in the spring portion 70. In addition, the thickness of the spring portion 70 in the z direction is larger than the portion of the substrate 10 that is positioned inside the rib 15, that is, the portion where the recess 14 is formed and thinned.

図１に示すように、本実施形態の可変焦点ミラー１は、同じ形状のバネ部７０を複数備えている。具体的には、可変焦点ミラー１は、バネ部７０を４つ備えており、４つのバネ部７０は、反射面２１ａの中心に対してｘ方向、ｙ方向の両側に外枠部８０側の端部がそれぞれ位置するように配置されている。そして、バネ部７０の反射部２０側の端部は、反射面２１ａの周方向において、外枠部８０側の端部とは異なる位置で反射部２０に連結されている。すなわち、バネ部７０の反射部２０側の端部と外枠部８０側の端部とを結ぶ直線は、反射面２１ａの半径方向に対して傾斜している。 As shown in FIG. 1, the variable focus mirror 1 of the present embodiment includes a plurality of spring portions 70 having the same shape. Specifically, the variable focus mirror 1 includes four spring portions 70, and the four spring portions 70 are located on the outer frame portion 80 side on both sides in the x direction and the y direction with respect to the center of the reflection surface 21 a. It arrange | positions so that an edge part may each be located. And the edge part by the side of the reflection part 20 of the spring part 70 is connected with the reflection part 20 in the position different from the edge part by the side of the outer frame part 80 in the circumferential direction of the reflective surface 21a. That is, the straight line connecting the end portion on the reflecting portion 20 side of the spring portion 70 and the end portion on the outer frame portion 80 side is inclined with respect to the radial direction of the reflecting surface 21a.

外枠部８０の上面形状は矩形状とされており、外枠部８０の中央部に形成された空洞に反射部２０、バネ部７０等が配置されている。図１、図２に示すように、外枠部８０の裏面にはダイボンド材１１０が配置されており、外枠部８０は、ダイボンド材１１０によって実装基板９０に固定されている。 The upper surface shape of the outer frame portion 80 is rectangular, and the reflecting portion 20, the spring portion 70, and the like are disposed in a cavity formed in the center portion of the outer frame portion 80. As shown in FIGS. 1 and 2, a die bond material 110 is disposed on the back surface of the outer frame portion 80, and the outer frame portion 80 is fixed to the mounting substrate 90 by the die bond material 110.

ダイボンド材１１０を、例えば外枠部８０の裏面の外周部全体にわたって配置すると、反射部２０の裏面側の空間と大気との連通路が反射部２０と外枠部８０との間の隙間のみとなるため、圧電素子３０への電圧の印加による反射部２０の屈曲が阻害される。また、パッド６１等のボンディングワイヤ１００に接続される部分において、支持層１３の裏面にダイボンド材１１０が配置されず、実装基板９０との間に隙間があると、ワイヤボンディングの際に基板１０が破壊されるおそれがある。 When the die bond material 110 is disposed, for example, over the entire outer periphery of the back surface of the outer frame portion 80, the communication path between the space on the back surface side of the reflection portion 20 and the atmosphere is only the gap between the reflection portion 20 and the outer frame portion 80 Therefore, the bending of the reflecting portion 20 due to the application of voltage to the piezoelectric element 30 is hindered. Further, if the die bonding material 110 is not disposed on the back surface of the support layer 13 in a portion connected to the bonding wire 100 such as the pad 61 and there is a gap between the mounting substrate 90 and the substrate 10 during wire bonding, There is a risk of being destroyed.

そこで、本実施形態では、絶縁膜５０のうち外枠部８０のｘ方向の端部に形成された部分の上面にパッド６１を形成し、外枠部８０の裏面のうちｘ方向の両端部にダイボンド材１１０を配置している。そして、ダイボンド材１１０は、外枠部８０のｙ方向の両端部においては、ｘ方向の両端部と重なる部分にのみ配置されている。 Therefore, in the present embodiment, the pad 61 is formed on the upper surface of the portion of the insulating film 50 formed at the end portion in the x direction of the outer frame portion 80, and at both end portions in the x direction on the back surface of the outer frame portion 80. A die bond material 110 is disposed. The die bond material 110 is disposed only at the portions overlapping the both end portions in the x direction at both end portions in the y direction of the outer frame portion 80.

このようにダイボンド材１１０を配置することにより、反射部２０の屈曲が阻害されることを抑制し、また、ワイヤボンディングの際に基板１０が破壊されることを抑制することができる。なお、このようにダイボンド材１１０を配置すると、後述するように、実装時の熱応力により外枠部８０をｘ方向に圧縮する力が発生する。 By disposing the die bond material 110 in this way, it is possible to suppress the bending of the reflecting portion 20 from being inhibited, and to prevent the substrate 10 from being broken during wire bonding. When the die bond material 110 is arranged in this way, as will be described later, a force for compressing the outer frame portion 80 in the x direction is generated due to thermal stress during mounting.

図２に示すように、実装基板９０は、板状の底部９１と、底部９１の外周部から底部９１の上面に垂直な方向に立設された立設部９２とを備えている。基板１０は、基板１０と底部９１との間に配置されたダイボンド材１１０によって底部９１に固定されており、配線６０のパッド６１は、ボンディングワイヤ１００を通して立設部９２の上端部に接続されている。実装基板９０は、例えば、ガラスエポキシ基板等のプリント基板や、セラミックパッケージで構成される。 As shown in FIG. 2, the mounting substrate 90 includes a plate-like bottom portion 91 and a standing portion 92 that is erected in a direction perpendicular to the upper surface of the bottom portion 91 from the outer peripheral portion of the bottom portion 91. The substrate 10 is fixed to the bottom portion 91 by a die bonding material 110 disposed between the substrate 10 and the bottom portion 91, and the pad 61 of the wiring 60 is connected to the upper end portion of the standing portion 92 through the bonding wire 100. Yes. The mounting board 90 is configured by a printed board such as a glass epoxy board or a ceramic package, for example.

実装基板９０には図示しない回路パターンが形成されており、上部電極３４は、配線６０、ボンディングワイヤ１００、および、この回路パターンを通して外部の回路に接続されている。 A circuit pattern (not shown) is formed on the mounting substrate 90, and the upper electrode 34 is connected to the wiring 60, the bonding wire 100, and an external circuit through this circuit pattern.

このような可変焦点ミラー１は、活性層１１の表面にスパッタリング等により圧電素子３０等を形成し、基板１０をエッチングにより所望の形状に加工した後、基板１０をダイボンド材１１０で実装基板９０に固定し、ワイヤボンディングを行うことで製造される。 In such a variable focus mirror 1, the piezoelectric element 30 or the like is formed on the surface of the active layer 11 by sputtering or the like, the substrate 10 is processed into a desired shape by etching, and then the substrate 10 is formed on the mounting substrate 90 with the die bond material 110. Manufactured by fixing and wire bonding.

なお、圧電素子３０の成膜時の温度と、可変焦点ミラー１の使用時の環境温度との差によって、圧電素子３０に引張方向の膜応力が生じる。これについて、本実施形態では、圧電素子３０と圧電素子４０とを同一のプロセスで形成し、圧電素子４０にも引張方向の膜応力を生じさせることにより、図３の矢印で示すように、圧電素子３０の膜応力による反射部２０の変形を抑制している。 A film stress in the tensile direction is generated in the piezoelectric element 30 due to the difference between the temperature at the time of film formation of the piezoelectric element 30 and the environmental temperature at the time of using the variable focus mirror 1. With respect to this, in the present embodiment, the piezoelectric element 30 and the piezoelectric element 40 are formed by the same process, and a film stress in the tensile direction is generated in the piezoelectric element 40 as well, as shown by an arrow in FIG. The deformation of the reflecting portion 20 due to the film stress of the element 30 is suppressed.

可変焦点ミラー１の動作について説明する。本実施形態の可変焦点ミラー１は、図示しない光源および図示しない光走査装置と共に使用される。具体的には、図示しない光源から可変焦点ミラー１に光ビームが照射されると、光ビームは反射面２１ａで反射され、図示しない光走査装置に照射される。図示しない光走査装置は、梁によって両持ち支持されて揺動可能とされた反射部を備えており、揺動する反射部に光ビームが照射され、反射されることにより、走査が行われる。 The operation of the variable focus mirror 1 will be described. The variable focus mirror 1 of this embodiment is used with a light source (not shown) and an optical scanning device (not shown). Specifically, when a light beam is irradiated onto the variable focus mirror 1 from a light source (not shown), the light beam is reflected by the reflecting surface 21a and is applied to an optical scanning device (not shown). An optical scanning device (not shown) includes a reflecting portion that is supported by both beams by a beam and can be swung, and scanning is performed by irradiating and reflecting the light beam on the swinging reflecting portion.

このとき、圧電素子３０の下部電極３２、上部電極３４に電圧が印加されると、圧電膜３３が変形し、反射面２１ａが屈曲する。これにより、反射光の焦点位置が変化する。 At this time, when a voltage is applied to the lower electrode 32 and the upper electrode 34 of the piezoelectric element 30, the piezoelectric film 33 is deformed and the reflecting surface 21a is bent. Thereby, the focus position of reflected light changes.

反射光の焦点位置は反射面２１ａの曲率によって変化し、反射面２１ａの曲率は圧電素子３０への印加電圧によって変化する。そのため、反射光の焦点位置を精度よく制御し、精度の高い走査をするためには、圧電素子３０への印加電圧に対する反射面２１ａの曲率の特性にばらつきが少ないことが重要である。 The focal position of the reflected light varies depending on the curvature of the reflecting surface 21 a, and the curvature of the reflecting surface 21 a varies depending on the voltage applied to the piezoelectric element 30. Therefore, in order to control the focal position of the reflected light with high accuracy and perform high-accuracy scanning, it is important that the curvature characteristics of the reflective surface 21a with respect to the voltage applied to the piezoelectric element 30 have little variation.

具体的には、図４に示すように、圧電素子３０への印加電圧が大きいほど反射面２１ａの曲率が大きくなることに基づいて、電圧が印加されていない状態での曲率が例えば２．０ｍ^−１以下となり、電圧が印加されている状態での曲率が例えば１０．０ｍ^−１以上となるような特性が求められる。なお、図４において、実線は反射面２１ａのｙ方向における曲率を示し、一点鎖線はｘ方向における曲率を示す。 Specifically, as shown in FIG. 4, based on the fact that the curvature of the reflecting surface 21a increases as the applied voltage to the piezoelectric element 30 increases, the curvature when no voltage is applied is, for example, 2.0 m. ⁻¹ or less, and a characteristic that a curvature in a state where a voltage is applied is 10.0 m ⁻¹ or more, for example, is required. In FIG. 4, the solid line indicates the curvature in the y direction of the reflecting surface 21a, and the alternate long and short dash line indicates the curvature in the x direction.

しかし、反射面２１ａは、圧電素子３０への電圧の印加に加えて、実装時の熱応力によっても変形する。具体的には、基板１０を実装基板９０に固定する際には基板１０および実装基板９０が高温となっており、膨張している。そして、基板１０および実装基板９０が室温まで冷却されると、基板１０および実装基板９０が共に縮む。このとき、基板１０を構成する材料と実装基板９０を構成する材料との熱膨張係数の差により、実装基板９０の方が基板１０よりも大きく縮む。実装基板９０はダイボンド材１１０によって基板１０と２箇所で接続されているため、底部９１のうち基板１０の下部に位置する領域の変形が基板１０により抑制されて、図５に示すように底部９１が基板１０側に凸となるように変形する。そして、これにより生じた熱応力によって、基板１０の外枠部８０をｘ方向の外側から中心に向かって圧縮する力が発生する。 However, the reflection surface 21a is deformed by thermal stress during mounting in addition to the application of voltage to the piezoelectric element 30. Specifically, when the substrate 10 is fixed to the mounting substrate 90, the substrate 10 and the mounting substrate 90 are at a high temperature and are expanded. And when the board | substrate 10 and the mounting board | substrate 90 are cooled to room temperature, the board | substrate 10 and the mounting board | substrate 90 will shrink together. At this time, due to the difference in thermal expansion coefficient between the material constituting the substrate 10 and the material constituting the mounting substrate 90, the mounting substrate 90 shrinks more than the substrate 10. Since the mounting substrate 90 is connected to the substrate 10 at two locations by the die bond material 110, the deformation of the region located below the substrate 10 in the bottom portion 91 is suppressed by the substrate 10, and the bottom portion 91 as shown in FIG. Is deformed to be convex toward the substrate 10 side. And the force which compresses the outer frame part 80 of the board | substrate 10 toward the center from the outer side of a x direction with the thermal stress produced | generated by this generate | occur | produces.

図６、図７に示す比較例の可変焦点ミラーＪ１では、反射部２０と外枠部８０とが直接接続されているため、外枠部８０の圧縮により生じた力が反射部２０に直接伝わり、反射面２１ａが意図しない変形をし、所望の曲率が得られなくなる。また、応力のばらつきにより、図８に示すように、反射面２１ａの曲率の均一性が失われる。すなわち、ｘ方向とｙ方向とで反射面２１ａの曲率が異なったものとなる。なお、図８において、実線は反射面２１ａのｙ方向における曲率を示し、一点鎖線はｘ方向における曲率を示す。 In the variable focus mirror J1 of the comparative example shown in FIGS. 6 and 7, since the reflecting portion 20 and the outer frame portion 80 are directly connected, the force generated by the compression of the outer frame portion 80 is directly transmitted to the reflecting portion 20. The reflecting surface 21a is unintentionally deformed and a desired curvature cannot be obtained. Further, due to the variation in stress, the uniformity of the curvature of the reflecting surface 21a is lost as shown in FIG. That is, the curvature of the reflecting surface 21a differs between the x direction and the y direction. In FIG. 8, the solid line indicates the curvature in the y direction of the reflecting surface 21a, and the alternate long and short dash line indicates the curvature in the x direction.

これに対し本実施形態では、反射部２０と外枠部８０との間にバネ部７０が設けられている。そして、外枠部８０がｘ方向の外側から圧縮されると、バネ部７０がｘｙ平面内で曲げ変形を起こし、これにより、バネ部７０の内側に配置された反射部２０、特に、リブ１５よりも内側にある反射面２１ａに加わる力が緩和される。したがって、実装時の熱応力による反射面２１ａの変形を抑制し、反射面２１ａの曲率にばらつきが生じることを抑制することができる。また、反射面２１ａの曲率を均一化することができる。例えば、図４に示すように、反射面２１ａのｘ方向における曲率とｙ方向における曲率との差を小さくすることができる。 On the other hand, in the present embodiment, the spring portion 70 is provided between the reflecting portion 20 and the outer frame portion 80. When the outer frame portion 80 is compressed from the outside in the x direction, the spring portion 70 undergoes bending deformation in the xy plane, and thereby, the reflecting portion 20 disposed inside the spring portion 70, particularly the rib 15. The force applied to the reflecting surface 21a located on the inner side is relaxed. Therefore, it is possible to suppress the deformation of the reflecting surface 21a due to the thermal stress at the time of mounting, and to suppress the variation in the curvature of the reflecting surface 21a. Further, the curvature of the reflecting surface 21a can be made uniform. For example, as shown in FIG. 4, the difference between the curvature in the x direction and the curvature in the y direction of the reflecting surface 21a can be reduced.

また、バネ部７０を薄膜とすると、例えば可変焦点ミラー１が搭載された車両の振動等によりバネ部７０にｚ方向の外力が印加された場合に、バネ部７０がｚ方向に大きく変形する。そして、これにより反射部２０が大きく変位するため、光ビームが照射される位置が反射面２１ａの中心から大きく離れ、走査の精度が低下する。なお、バネ部７０を薄膜とするとは、バネ部７０の互いに対向する側面の間の距離よりもｚ方向の厚みを小さくすることをいう。 If the spring portion 70 is a thin film, the spring portion 70 is greatly deformed in the z direction when an external force in the z direction is applied to the spring portion 70 due to, for example, vibration of a vehicle on which the variable focus mirror 1 is mounted. And since the reflection part 20 is displaced greatly by this, the position where a light beam is irradiated leaves | separates greatly from the center of the reflective surface 21a, and the scanning precision falls. In addition, making the spring part 70 into a thin film means making the thickness of az direction smaller than the distance between the side surfaces which the spring part 70 mutually opposes.

これに対し本実施形態では、バネ部７０は、互いに対向する側面の間の距離がｚ方向の厚みよりも小さくされているため、ｚ方向の外力が印加された場合でも、バネ部７０のｚ方向における変形が小さく、反射部２０の変位が小さい。したがって、光ビームが照射される位置が反射面２１ａの中心から大きく離れることを抑制し、走査の精度が低下することを抑制することができる。 On the other hand, in this embodiment, since the distance between the opposing side surfaces of the spring part 70 is smaller than the thickness in the z direction, the z of the spring part 70 is applied even when an external force in the z direction is applied. The deformation in the direction is small, and the displacement of the reflecting portion 20 is small. Therefore, it is possible to suppress the position where the light beam is irradiated from being greatly separated from the center of the reflecting surface 21a, and it is possible to suppress a decrease in scanning accuracy.

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してバネ部７０の構造を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。 (Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, the structure of the spring part 70 is changed with respect to the first embodiment, and the other parts are the same as those in the first embodiment. Therefore, only the parts different from the first embodiment will be described.

図９に示すように、本実施形態では、バネ部７０は円環状とされている。そして、バネ部７０は、ｘ方向の内側に延設された２つの梁部７１を介して反射部２０を両持ち支持するとともに、ｙ方向の外側に延設された２つの梁部７２を介して外枠部８０に両持ち支持されている。２つの梁部７１は、反射部２０の中心をｘ方向の両側から挟むように配置されており、２つの梁部７２は、反射部２０の中心をｙ方向の両側から挟むように配置されている。 As shown in FIG. 9, in this embodiment, the spring part 70 is made into an annular shape. The spring portion 70 supports both the reflection portions 20 via two beam portions 71 extending inward in the x direction, and via two beam portions 72 extending outward in the y direction. The outer frame portion 80 is supported at both ends. The two beam portions 71 are arranged so as to sandwich the center of the reflecting portion 20 from both sides in the x direction, and the two beam portions 72 are arranged so as to sandwich the center of the reflecting portion 20 from both sides in the y direction. Yes.

前述したように、実装時の熱応力により、外枠部８０にはｘ方向の外側から中心に向かって圧縮する力が加わる。一方、外枠部８０のｙ方向における両端部においては、ｘ方向の両端部と重なる部分を除いてダイボンド材１１０が配置されていないので、外枠部８０には、ｙ方向に圧縮する力はほとんど加わらない。したがって、バネ部７０のうち外枠部８０との接続部である２つの梁部７２を、反射部２０に対してｙ方向の両側に配置することにより、バネ部７０に加わる力を小さくすることができる。そして、これにより、外枠部８０の変形により反射部２０に加わる力をさらに緩和することができる。 As described above, due to the thermal stress at the time of mounting, a force for compressing the outer frame portion 80 from the outside in the x direction toward the center is applied. On the other hand, since the die bonding material 110 is not disposed at both ends in the y direction of the outer frame portion 80 except for portions overlapping the both ends in the x direction, the outer frame portion 80 has a compressive force in the y direction. Almost no participation. Therefore, the force applied to the spring part 70 can be reduced by arranging the two beam parts 72, which are the connection parts with the outer frame part 80, of the spring part 70 on both sides in the y direction with respect to the reflection part 20. Can do. And thereby, the force added to the reflection part 20 by the deformation | transformation of the outer frame part 80 can further be relieve | moderated.

また、本実施形態のバネ部７０は、それぞれ上面形状がＳ字状とされた４つのバネ部７０の端部同士を一体化することにより構成されたものともいえる。したがって、上面形状がＳ字状の４つのバネ部７０を互いに離された状態で配置した第１実施形態よりも、バネ部７０を通って反射部２０から外枠部８０へ至る経路の長さが大きくなる。これにより、バネ部７０がｘｙ平面において変形しやすくなり、外枠部８０の変形により反射部２０に加わる力をさらに緩和することができる。 Moreover, it can be said that the spring part 70 of this embodiment was comprised by integrating the edge part of the four spring parts 70 by which the upper surface shape was made into S shape, respectively. Therefore, the length of the path from the reflecting portion 20 to the outer frame portion 80 through the spring portion 70 is larger than that in the first embodiment in which the four spring portions 70 having an S-shaped top surface are arranged apart from each other. Becomes larger. Thereby, the spring part 70 becomes easy to deform | transform in xy plane, and the force added to the reflection part 20 by deformation | transformation of the outer frame part 80 can further be relieve | moderated.

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してバネ部７０、外枠部８０の構造を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。 (Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, the structure of the spring part 70 and the outer frame part 80 is changed with respect to the first embodiment, and the other parts are the same as those in the first embodiment, and therefore different parts from the first embodiment. Only explained.

図１０、図１１に示すように、本実施形態の外枠部８０は、反射部２０を構成する基板１０とは別のフレームで構成されている。このフレームは、基板１０と同じ材料で構成されていてもよいし、基板１０とは異なる材料で構成されていてもよい。 As shown in FIGS. 10 and 11, the outer frame portion 80 of the present embodiment is configured by a frame different from the substrate 10 that constitutes the reflecting portion 20. The frame may be made of the same material as that of the substrate 10 or may be made of a material different from that of the substrate 10.

本実施形態では、反射部２０の上面形状は矩形状とされており、外枠部８０は矩形枠状とされている。そして、反射部２０と外枠部８０との間には、ｘ方向に平行な２つの直線状の隙間と、ｙ方向に平行な２つの直線状の隙間を有する矩形枠状の隙間１２０が形成されている。バネ部７０は、この隙間１２０を埋めるように配置されており、基板１０とは別のｘｙ平面において変形可能な材料で構成されている。また、バネ部７０は、ｚ方向における剛性がｘ方向およびｙ方向における剛性よりも大きい異方性材料で構成されている。 In the present embodiment, the upper surface shape of the reflecting portion 20 is a rectangular shape, and the outer frame portion 80 is a rectangular frame shape. A rectangular frame-shaped gap 120 having two linear gaps parallel to the x direction and two linear gaps parallel to the y direction is formed between the reflecting portion 20 and the outer frame portion 80. Has been. The spring portion 70 is disposed so as to fill the gap 120 and is made of a material that can be deformed in an xy plane different from that of the substrate 10. Moreover, the spring part 70 is comprised with the anisotropic material whose rigidity in az direction is larger than the rigidity in ax direction and ay direction.

また、本実施形態では、絶縁膜５０および配線６０はバネ部７０および外枠部８０の上部には形成されず、パッド６１は、絶縁膜５０のうち反射部２０の外周部に形成された部分の上面に形成されている。なお、外枠部８０の上面に図示しないパッドを設け、パッド６１と図示しないパッドとをボンディングワイヤ１００で接続し、図示しないパッドと実装基板９０とを別のボンディングワイヤ１００で接続することにより、パッド６１と実装基板９０とを接続してもよい。 In the present embodiment, the insulating film 50 and the wiring 60 are not formed on the upper portions of the spring part 70 and the outer frame part 80, and the pad 61 is a part of the insulating film 50 formed on the outer peripheral part of the reflecting part 20. It is formed on the upper surface. A pad (not shown) is provided on the upper surface of the outer frame portion 80, the pad 61 and the pad (not shown) are connected by the bonding wire 100, and the pad (not shown) and the mounting substrate 90 are connected by another bonding wire 100. The pad 61 and the mounting substrate 90 may be connected.

バネ部７０を異方性材料で構成した本実施形態においても、バネ部７０はｘｙ平面において変形可能とされ、また、ｚ方向よりもｘ方向およびｙ方向に変形しやすくされている。そのため、第１実施形態と同様に、反射部２０に加わる力を緩和して反射面２１ａの曲率の変化を抑制するとともに、反射面２１ａのｚ方向の変位により走査の精度が低下することを抑制することができる。 Also in the present embodiment in which the spring portion 70 is made of an anisotropic material, the spring portion 70 can be deformed in the xy plane, and is more easily deformed in the x direction and the y direction than in the z direction. Therefore, as in the first embodiment, the force applied to the reflecting portion 20 is relaxed to suppress the change in the curvature of the reflecting surface 21a, and the scanning accuracy is prevented from being lowered due to the displacement of the reflecting surface 21a in the z direction. can do.

（他の実施形態）
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。 (Other embodiments)
In addition, this invention is not limited to above-described embodiment, In the range described in the claim, it can change suitably.

例えば、可変焦点ミラー１が圧電素子４０を備えていなくてもよい。 For example, the variable focus mirror 1 may not include the piezoelectric element 40.

また、前述したように、外枠部８０にはｙ方向に圧縮する力がほとんど加わらないので、上記第３実施形態において、バネ部７０がｘ方向にのみ変形可能となるように異方性材料を配置してもよい。また、バネ部７０のｘ方向の剛性がｙ方向およびｚ方向の剛性に比べて小さくなるように異方性材料を配置してもよい。 Further, as described above, since the outer frame portion 80 hardly receives a compressive force in the y direction, in the third embodiment, the anisotropic material is formed so that the spring portion 70 can be deformed only in the x direction. May be arranged. Further, the anisotropic material may be arranged so that the rigidity of the spring portion 70 in the x direction is smaller than the rigidity in the y direction and the z direction.

また、上記第１〜第３実施形態では、ダイボンド材１１０は外枠部８０の裏面のうちｘ方向の両端部に配置されているが、ダイボンド材１１０を他の領域に配置してもよい。例えば、ダイボンド材１１０を、外枠部８０の裏面のうちｙ方向の両端部に配置してもよい。また、ダイボンド材１１０を、外枠部８０の裏面のうちｘ方向の両端部に加えて、ｙ方向の端部の中央部に配置してもよい。 Moreover, in the said 1st-3rd embodiment, although the die-bonding material 110 is arrange | positioned at the both ends of the x direction among the back surfaces of the outer frame part 80, you may arrange | position the die-bonding material 110 in another area | region. For example, the die bond material 110 may be disposed at both end portions in the y direction on the back surface of the outer frame portion 80. Further, the die bond material 110 may be arranged at the center of the end in the y direction in addition to the both ends in the x direction on the back surface of the outer frame 80.

２０反射部
３０屈曲部
７０バネ部
８０外枠部 20 Reflecting part 30 Bending part 70 Spring part 80 Outer frame part

Claims

A reflective portion (20) having a reflective surface (21a) for reflecting a light beam, the reflective surface being arranged so as to be parallel to both one direction and the other direction perpendicular to each other;
A bent portion (30) for bending the reflecting surface to change the focal position;
An outer frame part (80) that supports the reflective part via a spring part (70) connected to the reflective part,
The variable focus mirror, wherein the spring portion is deformable in a plane parallel to the reflecting surface.

The variable focus mirror according to claim 1, wherein the spring portion is more easily deformed in the one direction or the other direction than in a direction perpendicular to both the one direction and the other direction.

The spring portion extends so that the shape of the upper surface parallel to the reflecting surface is curved from the reflecting portion to the outer frame portion,
Of the surfaces of the spring portion, the surface opposite to the upper surface is connected to the upper surface, and the distance between the two side surfaces facing each other is in a direction perpendicular to both the one direction and the other direction. The variable focus mirror according to claim 1, wherein the variable focus mirror is smaller than a thickness of the spring portion.

The reflection part is formed into a plate shape, and a part of the reflection part is thinned by forming a recess (14) opened on a surface opposite to the reflection surface.
4. The variable according to claim 1, wherein in the direction perpendicular to the reflecting surface, the thickness of the spring portion is larger than the thickness of the portion of the reflecting portion that has been thinned by forming the recess. 5. Focus mirror.

The shape of the upper surface of the spring portion is an S-shape,
The variable focus mirror according to any one of claims 1 to 4, wherein the spring portion is connected to the mirror at one end and to the outer frame portion at the other end.

The variable focus mirror according to claim 1, comprising a plurality of the spring portions.

The spring portion is an annular shape,
The spring portion supports both ends of the mirror via a beam portion (71) extending inward in the one direction, and via a beam portion (72) extending outward in the other direction. The variable focus mirror according to any one of claims 1 to 4, wherein the varifocal mirror is supported at both ends by the outer frame portion.

The variable focus mirror according to claim 1, wherein the spring portion is made of a material that can be deformed in the one direction or the other direction.

The variable focus according to claim 8, wherein the spring portion is made of an anisotropic material having a rigidity in a direction perpendicular to both the one direction and the other direction larger than a rigidity in the one direction or the other direction. mirror.

A die-bonding material (110) disposed at both ends in the one direction of the outer frame;
A mounting substrate (90),
The variable focus mirror according to claim 1, wherein the outer frame portion is fixed to the mounting substrate by the die bonding material.