JP2017138556A - Conductive base material, color filter with wiring, and liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、導電性基材、導電性配線付きカラーフィルタ、および液晶ディスプレイに関する。 The present invention relates to a conductive substrate, a color filter with a conductive wiring, and a liquid crystal display.
従来、静電容量型タッチパネルを有するタッチパネル式液晶ディスプレイが知られている。
例えば、特許文献1に記載の表示装置は、タッチパネル電極とカラーフィルタとが別々の基板に作製され、これらを互いに貼り合わせて製造される。このような技術では、タッチパネルの配線のストライプとカラーフィルタのストライプとがわずかにずれることで干渉縞が発生したり、タッチパネル表面とカラーフィルタ表面との距離が大きくなるために斜め方向から見ると視差が発生したりするといった表示性能面での問題がある。この問題を解決するため、例えば、特許文献2、3には、タッチパネル電極とカラーフィルタを同一のガラス基板の表裏に形成する技術が提案されている。
Conventionally, a touch panel type liquid crystal display having a capacitive touch panel is known.
For example, the display device described in Patent Document 1 is manufactured by manufacturing touch panel electrodes and color filters on separate substrates and bonding them together. In such technology, interference stripes are generated by slightly shifting the stripes of the touch panel wiring and the color filter, and the distance between the touch panel surface and the color filter surface increases, so that the parallax is viewed from an oblique direction. There is a problem in terms of display performance, such as In order to solve this problem, for example,
タッチパネル電極とカラーフィルタを同一のガラス基板の表裏に形成する技術は、インセル型と、オンセル型とが知られている。インセル型は、タッチパネル機能をTFT(thin film transistor)を含むLCDセル内に内蔵している。オンセル型は、偏光板とカラーフィルタを設けたガラス基板の間にタッチパネル機能を内蔵している。
従来のオンセル型、インセル型タッチパネルのタッチセンシング用電極配線には、ITO(酸化インジウムスズ)が多く用いられている(例えば、特許文献4参照)。
一方、タッチセンシング用電極配線として、金属配線を用いることも提案されている(特許文献5)。
As a technique for forming the touch panel electrode and the color filter on the front and back of the same glass substrate, an in-cell type and an on-cell type are known. The in-cell type incorporates a touch panel function in an LCD cell including a TFT (Thin Film Transistor). The on-cell type incorporates a touch panel function between a glass substrate provided with a polarizing plate and a color filter.
ITO (indium tin oxide) is often used for the electrode wiring for touch sensing of the conventional on-cell type and in-cell type touch panel (see, for example, Patent Document 4).
On the other hand, it has also been proposed to use metal wiring as the electrode wiring for touch sensing (Patent Document 5).
しかしながら、上記のような従来のタッチセンシング用電極配線、およびタッチセンシング用電極配線を含む導電性基材には、以下のような問題がある。
例えば、インセル型の配線技術は、TFT基板上の画素内部にタッチセンサ機能を組み込むため、製造歩留り低下が発生する懸念がある。さらに、画素内にタッチセンサを組み込むことで表示に利用できる面積が減るため、画質が低下するという問題もある。
例えば、特許文献4のように、ITOで配線を形成する場合、ITOは金属配線よりも比抵抗が高いため、金属配線に比べて応答速度が低下し、低電圧駆動が難しくなるという問題がある。
特許文献5に記載されたように、タッチセンシング用電極配線に、銅あるいは銅合金を用いることも考えられる。しかし、近年ではタッチパネルの用途が広がっており、基板となる透明基材に対して様々な特性を有する有機物樹脂のコーティングがなされている場合が多い。このため、タッチセンシング用電極配線は、有機物樹脂上に形成することが必要となる場合が増えている。
しかし、金属配線は、有機物樹脂との密着性が悪いという問題がある。
However, the above-described conventional electrode wiring for touch sensing and the conductive substrate including the electrode wiring for touch sensing have the following problems.
For example, since the in-cell wiring technology incorporates a touch sensor function inside the pixel on the TFT substrate, there is a concern that the manufacturing yield may be reduced. Furthermore, since the area that can be used for display is reduced by incorporating the touch sensor in the pixel, there is a problem that the image quality is lowered.
For example, when the wiring is formed of ITO as in
As described in
However, the metal wiring has a problem of poor adhesion to the organic resin.
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、低抵抗の導電性を有し、導電部と基板部との密着性が良好となる導電性基材、および配線付きカラーフィルタを提供することを目的とする。
本発明は、タッチセンシングの応答性およびタッチセンシング用配線の信頼性を向上することができる液晶ディスプレイを提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has a low-resistance conductivity, a conductive base material having good adhesion between the conductive portion and the substrate portion, and a color filter with wiring The purpose is to provide.
An object of the present invention is to provide a liquid crystal display capable of improving the responsiveness of touch sensing and the reliability of touch sensing wiring.
上記の課題を解決するために、本発明の第1の態様の導電性基材は、基板部と、前記基板部の少なくとも一方の表面に積層された積層膜と、を備え、前記積層膜は、銅と、ニッケルと、銅膜中に含有された状態で673Kに加熱したときの拡散係数が5.0×10−20cm2/s以上5.0×10−19cm2/s以下であり、かつ293Kにおける酸化物形成エンタルピーが−2500kJ/mol以上−900kJ/mol以下である金属元素と、を含み、前記銅、前記ニッケル、および前記金属元素の各含有率を、それぞれα、β、γで表すと、αは、95.4at%以上99.2at%以下、βは、0.6at%以上2.2at%以下、γは、0.2at%以上2.4at%以下、であって、前記表面に積層されている。 In order to solve the above-described problem, the conductive base material according to the first aspect of the present invention includes a substrate part and a laminated film laminated on at least one surface of the substrate part, and the laminated film comprises: The diffusion coefficient when heated to 673K in the state of being contained in copper film with copper, nickel is 5.0 × 10 −20 cm 2 / s or more and 5.0 × 10 −19 cm 2 / s or less. And an oxide formation enthalpy at 293K is −2500 kJ / mol or more and −900 kJ / mol or less, and the contents of the copper, the nickel, and the metal element are respectively α, β, In terms of γ, α is 95.4 at% or more and 99.2 at% or less, β is 0.6 at% or more and 2.2 at% or less, and γ is 0.2 at% or more and 2.4 at% or less. Are laminated on the surface.
上記導電性基材においては、前記導電性合金膜の比抵抗は、2.0μΩ・cm以上15.0μΩ・cm以下であってもよい。 In the conductive base material, a specific resistance of the conductive alloy film may be 2.0 μΩ · cm to 15.0 μΩ · cm.
上記導電性基材においては、前記金属元素は、アルミニウム、ケイ素、およびチタンのうちから選ばれた1種類以上の元素であってもよい。 In the conductive substrate, the metal element may be one or more elements selected from aluminum, silicon, and titanium.
上記導電性基材においては、前記積層膜は、前記導電性合金膜に、前記導電性合金膜よりも比抵抗の低い銅合金膜、または銅膜が積層されていてもよい。 In the conductive substrate, the laminated film may be formed by laminating a copper alloy film or a copper film having a specific resistance lower than that of the conductive alloy film on the conductive alloy film.
上記導電性基材においては、前記銅合金膜または前記銅膜に、耐熱性を有する保護膜が積層されていてもよい。 In the said electroconductive base material, the protective film which has heat resistance may be laminated | stacked on the said copper alloy film or the said copper film.
上記導電性基材においては、前記積層膜の比抵抗は、2.0μΩ・cm以上10.0μΩ・cm以下であってもよい。 In the conductive substrate, the specific resistance of the laminated film may be not less than 2.0 μΩ · cm and not more than 10.0 μΩ · cm.
上記導電性基材においては、前記積層膜が積層された前記表面は、ガラスで形成されていてもよい。 In the conductive substrate, the surface on which the laminated film is laminated may be formed of glass.
上記導電性基材においては、前記積層膜が積層された前記表面は、樹脂で形成されていてもよい。 In the conductive substrate, the surface on which the laminated film is laminated may be formed of a resin.
上記導電性基材においては、前記樹脂は、カーボン粒子を含んでもよい。 In the conductive substrate, the resin may include carbon particles.
上記導電性基材においては、前記樹脂は、カラーフィルタのブラックマトリックスを構成する樹脂膜であってもよい。 In the conductive substrate, the resin may be a resin film constituting a black matrix of a color filter.
上記導電性基材においては、前記積層膜は、少なくとも前記導電性合金膜がパターニングされた配線を備えてもよい。 In the conductive substrate, the laminated film may include a wiring in which at least the conductive alloy film is patterned.
本発明の第2の態様の配線付きカラーフィルタは、上記導電性基材と、前記導電性基材に配置されたカラーフィルタ用の着色層と、を備える。
The color filter with wiring of the 2nd aspect of this invention is equipped with the said electroconductive base material and the colored layer for color filters arrange | positioned at the said electroconductive base material.
本発明の第3の態様の液晶ディスプレイは、液晶と、前記液晶を駆動するTFT基板と、上記導電性基材と、を備え、静電容量式タッチパネルの電極が前記導電性基材における前記配線によって形成されている。 A liquid crystal display according to a third aspect of the present invention includes a liquid crystal, a TFT substrate that drives the liquid crystal, and the conductive base material, and an electrode of a capacitive touch panel is the wiring in the conductive base material. Is formed by.
本発明の第4の態様の液晶ディスプレイは、液晶と、前記液晶を駆動するTFT基板と、上記配線付きカラーフィルタと、を備え、静電容量式タッチパネルの電極が前記配線付きカラーフィルタにおける前記配線によって形成されている。 A liquid crystal display according to a fourth aspect of the present invention includes a liquid crystal, a TFT substrate that drives the liquid crystal, and the color filter with wiring, and an electrode of a capacitive touch panel has the wiring in the color filter with wiring. Is formed by.
上記液晶ディスプレイにおいては、前記電極と対向して配置された静電容量式タッチパネルの対向電極をさらに備えてもよい。 The liquid crystal display may further include a counter electrode of a capacitive touch panel disposed to face the electrode.
本発明の導電性基材および配線付きカラーフィルタによれば、銅と、ニッケルと、銅膜中に含有された状態で673Kに加熱したときの拡散係数および酸化物形成エンタルピーが規定された金属元素と、を所定の組成範囲だけ含んで基板部の表面に積層された導電性合金膜を備えるため、導電性合金膜を含む導電部が低抵抗の導電性を有し、導電部と基板部との密着性が良好となるという効果を奏する。
本発明の液晶ディスプレイによれば、導電性合金膜によって配線が形成された本発明の導電性基材を備えるため、タッチセンシングの応答性およびタッチセンシング用配線の信頼性を向上することができるという効果を奏する。
According to the conductive base material and the color filter with wiring of the present invention, copper, nickel, and a metal element in which a diffusion coefficient and an oxide formation enthalpy are defined when heated to 673 K in a state of being contained in a copper film. And a conductive alloy film laminated on the surface of the substrate portion including only a predetermined composition range, the conductive portion including the conductive alloy film has low resistance conductivity, the conductive portion and the substrate portion, There is an effect that the adhesion of is improved.
According to the liquid crystal display of the present invention, since the conductive base material of the present invention in which the wiring is formed by the conductive alloy film is provided, the responsiveness of touch sensing and the reliability of the wiring for touch sensing can be improved. There is an effect.
以下では、本発明の実施形態について添付図面を参照して説明する。すべての図面において、実施形態が異なる場合であっても、同一または相当する部材には同一の符号を付し、共通する説明は省略する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In all the drawings, even if the embodiments are different, the same or corresponding members are denoted by the same reference numerals, and common description is omitted.
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態の導電性基材について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態の導電性基材の構成例を模式的に示す断面図である。
図1は、模式図のため、各部の形状は簡略化され、寸法は誇張されている(以下の図面も同様)。
[First Embodiment]
The electroconductive base material of the 1st Embodiment of this invention is demonstrated.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a conductive substrate according to the first embodiment of the present invention.
Since FIG. 1 is a schematic diagram, the shape of each part is simplified and the dimensions are exaggerated (the same applies to the following drawings).
図1に示すように、本実施形態の導電性基材100は、基板部10と、導電性合金膜3(積層膜)とを備える。
As shown in FIG. 1, the
基板部10は、透明基板1と、透明基板1の一方の表面である第1面1a上に形成された樹脂膜2とを備える。
The
透明基板1は、導電性基材100の用途に応じた光透過性を有する基板が用いられる。例えば、導電性基材100がディスプレイにおける光透過部に配置される場合、透明基板1の透過率は、可視光に対して80%以上であってもよい。透明基板1の透過率は、可視光に対して95%以上であるとより好ましい。
透明基板1の厚さは、導電性基材100の用途における必要強度に応じて適宜設定されればよい。
透明基板1の材質としては、例えば、ガラス等の無機透明材料、あるいは、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、環状オレフィンコポリマー等の透明樹脂材料が使用可能である。
透明基板1は、1種類の材料で形成されてもよいし、上記に例示された無機透明材料および透明樹脂材料のうちから選ばれた2種類以上の材料が組み合わされて形成されてもよい。
特に、導電性基材100の製造工程あるいは導電性基材100の使用時に加熱される用途では、透明基板1として、透明樹脂材料に比べて耐熱性が高いガラス基板が用いられることがより好ましい。
本実施形態では、一例として、透明基板1がガラス基板の場合で説明する。
As the transparent substrate 1, a substrate having optical transparency corresponding to the use of the
The thickness of the transparent substrate 1 may be appropriately set according to the required strength in the use of the
As the material of the transparent substrate 1, for example, an inorganic transparent material such as glass, or a transparent resin material such as polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, and cyclic olefin copolymer can be used.
The transparent substrate 1 may be formed of one kind of material, or may be formed by combining two or more kinds of materials selected from the inorganic transparent material and the transparent resin material exemplified above.
In particular, in a manufacturing process of the
In the present embodiment, as an example, the case where the transparent substrate 1 is a glass substrate will be described.
樹脂膜2は、透明基板1の第1面1aに適宜の機能を追加するために用いられる。
本実施形態では、一例として、樹脂膜2が、後述する導電性合金膜3が、第1面1aの反対側の第2面1bから見えないようにする遮蔽層の場合の例で説明する。
導電性合金膜3を覆って見えないようにするため、樹脂膜2は、透明基板1との密着性が良好な着色樹脂が用いられる。
例えば、樹脂膜2は、黒色顔料を分散させたアクリル系樹脂によって形成されてもよい。黒色顔料の例としては、例えば、カーボン粒子が用いられてもよい。導電性基材100がディスプレイに用いられる場合、樹脂膜2はブラックマトリクスを構成していてもよい。
樹脂膜2は、第1面1aの全面を覆っていてもよいが、本実施形態では、後述する導電性合金膜3が形成される範囲のみに形成されている。
The
In the present embodiment, as an example, a case where the
In order to cover the
For example, the
The
樹脂膜2のパターンは、必要な導電性合金膜3のパターンに応じた適宜のパターンが可能である。
本実施形態では、樹脂膜2は、一例として、図示横方向に適宜の間があけられるとともに、紙面奥行き方向にも適宜の間があけられた、格子状にパターニングされている。
樹脂膜2の表面2aは、樹脂膜2を除く透明基板1の第1面1aとともに、基板部10の一方の表面を構成している。
なお、図1は、断面の一部を拡大して表示しているため、4列分の樹脂膜2のみが図示されているが、樹脂膜2のパターンは、4列のみには限定されない。
The pattern of the
In the present embodiment, as an example, the
The
Since FIG. 1 shows an enlarged part of the cross section, only four columns of the
導電性合金膜3は、基板部10の樹脂膜2の表面2aに積層された積層膜である。導電性合金膜3は、導電性基材100に導電性を付与するために設けられている。
導電性合金膜3の平面視形状は、導電性基材100の用途に応じて適宜の形状とすることができる。本実施形態における導電性合金膜3は、例えば、静電容量式タッチパネルの電極として用いることができるように、図示横方向に樹脂膜2と同様の間をあけて、紙面奥行き方向に延びるストライプ状にパターニングされている。
The
The planar view shape of the
導電性合金膜3は、樹脂膜2の表面2aに積層されるため、樹脂膜2の樹脂材料との密着性が良好となる組成の材料で形成されている。
導電性合金膜3は、銅(Cu)を主成分とし、ニッケル(Ni)と金属元素Aと含む合金で形成されている。
金属元素Aの種類は、銅膜中に含有された状態で673Kに加熱したときの拡散係数が5.0×10−20cm2/s以上5.0×10−19cm2/s以下であり、かつ293Kにおける酸化物形成エンタルピーが−2500kJ/mol以上−900kJ/mol以下であれば、特に限定されない。ここで「金属元素」とは、いわゆる「半金属」を含む広義の金属元素を意味する。
以下、本明細書では、簡単のため、単に「拡散係数」と記載された場合でも、特に断らない限りは、銅膜中に含有された状態で673Kに加熱したときの値を意味する。同様に「酸化物形成エンタルピー」は、293Kにおける値を意味する。
導電性合金膜3に含まれる金属元素Aは、1種類でもよいし、上記条件を満足する2種類以上の金属元素であってもよい。
Since the
The
The metal element A has a diffusion coefficient of 5.0 × 10 −20 cm 2 / s or more and 5.0 × 10 −19 cm 2 / s or less when heated to 673 K in a state of being contained in the copper film. Yes, and the oxide formation enthalpy at 293K is not particularly limited as long as it is −2500 kJ / mol or more and −900 kJ / mol or less. Here, the “metal element” means a metal element in a broad sense including a so-called “metalloid”.
Hereinafter, for the sake of simplicity, in the present specification, even if it is simply described as “diffusion coefficient”, it means a value when heated to 673 K in a state of being contained in a copper film unless otherwise specified. Similarly, “oxide formation enthalpy” means a value at 293K.
The metal element A contained in the
金属元素Aの例としては、例えば、アルミニウム(Al)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)が例示される。
アルミニウムの拡散係数は、6.78×10−20cm2/s、ケイ素の拡散係数は、3.30×10−19cm2/s、チタンの拡散係数は、4.24×10−20cm2/sである(LANDOLT−BORNSTEIN, NEW SERIES GROUP III,VOL.263,2,11,Springer Verlag, Berlin(1990)参照)。
Examples of the metal element A include aluminum (Al), silicon (Si), and titanium (Ti).
The diffusion coefficient of aluminum is 6.78 × 10 −20 cm 2 / s, the diffusion coefficient of silicon is 3.30 × 10 −19 cm 2 / s, and the diffusion coefficient of titanium is 4.24 × 10 −20 cm. 2 / s (see LANDOLT-BORNSTEIN, NEW SERIES GROUP III, VOL. 263, 2, 11, Springer Verlag, Berlin (1990)).
アルミニウムの温度293Kでの酸化物形成エンタルピーは、−1678.2kJ/mol、ケイ素の温度293Kでの酸化物形成エンタルピーは、−910.9kJ/mol、チタンの温度293Kでの酸化物形成エンタルピーは、−2457.2kJ/molである(subeteSmithells Metals Reference Book,Seventh Edition,8−25,Butterworth−Heinemann(1992)参照)。 The oxide formation enthalpy at aluminum temperature 293K is −1678.2 kJ / mol, the oxide formation enthalpy at silicon temperature 293 K is −910.9 kJ / mol, and the oxide formation enthalpy at titanium temperature 293 K is -2457.2 kJ / mol (see sub- smithsmiths Metals Reference Book, Seventh Edition, 8-25, Butterworth-Heinemann (1992)).
導電性合金膜3における組成は、導電性合金膜3における銅、ニッケル、および金属元素Aの各含有率を、それぞれα、β、γとするとき、以下の範囲をすべて満足する。
αの範囲は、95.4at%以上99.2at%以下である。βの範囲は、0.6at%以上2.2at%以下である。γの範囲は、0.2at%以上2.4at%以下である。
The composition of the
The range of α is 95.4 at% or more and 99.2 at% or less. The range of β is 0.6 at% or more and 2.2 at% or less. The range of γ is 0.2 at% or more and 2.4 at% or less.
導電性合金膜3における組成は、ITOの比抵抗よりも低い比抵抗が得られる組成としてもよい。ITOの比抵抗は986μΩ・cmである。
導電性合金膜3の組成は、比抵抗が2.0μΩ・cm以上15.0μΩ・cm以下になる組成とすることがより好ましい。このような比抵抗であると、例えば、導電性合金膜3を静電容量式タッチパネルの電極として用いる場合に、高速の応答性が得られる。さらに、静電容量式タッチパネルの電極に印加する電圧を低電圧化することができる。
The composition of the
More preferably, the
このような構成の導電性基材100は、例えば、透明基板1上に樹脂膜2が形成され、樹脂膜2がパターニングされた後、樹脂膜2の表面2a上に導電性合金膜3が積層されることによって製造される。
樹脂膜2は、透明基板1の第1面1aに、カーボン粒子が分散された液状のアクリル樹脂等の原料樹脂が塗布された後、原料樹脂の種類に応じて硬化されることによって形成されてもよい。
原料樹脂の塗布方法としては、例えば、スピンコート、スピンレスコート、あるいはディッピング法などが用いられてもよい。ただし、原料樹脂の塗布方法は、透明基板1上に均一な膜厚で塗布できる方法であればこれらの方法には限定されない。
樹脂膜2のパターニングは、例えば、フォトリソグラフィ法などが用いられてもよい。
In the
The
As a method for applying the raw material resin, for example, spin coating, spinless coating, dipping, or the like may be used. However, the method of applying the raw material resin is not limited to these methods as long as it can be applied on the transparent substrate 1 with a uniform film thickness.
For the patterning of the
導電性合金膜3の形成方法としては、例えば、スパッタリング法によって、透明基板1の第1面1aおよび樹脂膜2の表面2aに一様に形成された後、樹脂膜2の表面2a上にのみ導電性合金膜3が残るようにパターニングする方法が挙げられる。パターニング方法としては、例えば、フォトリソグラフィ法などが挙げられる。
ただし、導電性合金膜3の成膜方法は、樹脂膜2上に均一な膜厚の成膜を行うことができれば、スパッタリング法には限定されない。例えば、導電性合金膜3は、CVD法、蒸着法、めっき法などで形成されてもよい。さらに成膜後のパターニング方法は、第1面1a上の導電性合金膜3を除去できれば、フォトリソグラフィ法には限定されない。
As a method for forming the
However, the method for forming the
次に、導電性基材100の作用について説明する。
導電性基材100では、導電性合金膜3によって導電性が得られる。
導電性合金膜3は銅を主成分とするため、導電性合金膜3の比抵抗は、例えばITOに比べて格段に低くなる。
導電性合金膜3は、ニッケルを含有する銅合金であるため、金属銅に比べて、耐腐食性が向上する。
しかし、銅膜あるいは銅ニッケル合金膜は、ガラスあるいは樹脂に対する密着性がITOに比べて劣るという問題がある。
そこで、本発明者らは、ガラスあるいは樹脂に対する密着性が良好であって、低い比抵抗を得るため、導電性合金膜3として、ガラスあるいは樹脂に対する密着性を向上できる金属元素成分を銅ニッケル合金に加えた3元系の合金を用いる研究を行った。本発明者らは、鋭意検討を行った結果、密着性を向上できる金属元素成分として、上述の金属元素Aが好適であることを見出した。金属元素Aが好適な理由は、必ずしも明らかではないが、以下のような理由が考えられる。
Next, the operation of the
In the
Since the
Since the
However, a copper film or a copper nickel alloy film has a problem that adhesion to glass or resin is inferior to that of ITO.
Therefore, the present inventors have used a copper nickel alloy as the
金属元素Aは、銅膜中に含有された状態で673Kに加熱したときの拡散係数が5.0×10−20cm2/s以上5.0×10−19cm2/s以下であるため、銅を主成分とする導電性合金膜3中の一部の金属元素Aが、導電性合金膜3内で樹脂膜2との積層面に移動しやすい。
さらに、金属元素Aは、293Kにおける酸化物形成エンタルピーが−2500kJ/mol以上−900kJ/mol以下であるため、酸素との化学的親和性が高く、かつ結合力も大きい。このため、積層面に移動した金属元素Aは、基板部10の表面に豊富に含まれる酸素原子と強固な結合を形成しやすくなっていると考えられる。
このため、導電性合金膜3の積層面が、ガラス基板や樹脂などの酸素原子を豊富に含む材料で構成される場合に、特に、密着性が向上すると考えられる。
さらに、本発明者らは、密着性を良好にした上で、良好な導電性を得るためには、銅、ニッケル、金属元素Aの組成範囲が上述の範囲をα、β、γの範囲を満足する必要があることを見出し、本発明に到った。
Metal element A has a diffusion coefficient of 5.0 × 10 −20 cm 2 / s or more and 5.0 × 10 −19 cm 2 / s or less when heated to 673 K in a state of being contained in the copper film. In addition, a part of the metal element A in the
Furthermore, since the enthalpy of oxide formation at 293K is −2500 kJ / mol or more and −900 kJ / mol or less, the metal element A has high chemical affinity with oxygen and high bonding strength. For this reason, it is considered that the metal element A that has moved to the laminated surface easily forms strong bonds with oxygen atoms that are abundantly contained on the surface of the
For this reason, when the laminated surface of the
Furthermore, the present inventors have made the composition range of copper, nickel, and metal element A in the range of α, β, and γ in the above range in order to obtain good conductivity after improving the adhesion. The present inventors have found that there is a need to be satisfied, and have reached the present invention.
このように、本実施形態の導電性基材100によれば、銅、ニッケル、および金属元素Aが所定組成範囲だけ含まれる導電性合金膜3が、樹脂膜2に積層されるため、導電性合金膜3からなる導電部が低抵抗の導電性を有し、導電部と基板部との密着性が良好となる。
As described above, according to the
[第2の実施形態]
次に、本発明の第2の実施形態の導電性基材および導電性基材を含む配線付きカラーフィルタについて説明する。
図2は、本発明の第2の実施形態の配線付きカラーフィルタおよび導電性基材の構成例を示す模式的な断面図である。
[Second Embodiment]
Next, the conductive base material of the second embodiment of the present invention and the color filter with wiring including the conductive base material will be described.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a color filter with wiring and a conductive substrate according to the second embodiment of the present invention.
図2に示すように、本実施形態の配線付きカラーフィルタ200は、上記第1の実施形態におけると同様の基板部10と、基板部10上に積層された積層膜12と、着色層11R、11G、11Bと、絶縁保護層6と、を備える。本実施形態の配線付きカラーフィルタ200において、基板部10および積層膜12は、導電性基材110を構成している。
以下、上記第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。
As shown in FIG. 2, the color filter with
Hereinafter, a description will be given centering on differences from the first embodiment.
積層膜12は、表面2aに積層されている。積層膜12は、表面2a側から、上記第1の実施形態におけると同様の導電性合金膜3と、金属膜4と、保護膜5とがこの順に積層されている。
The laminated film 12 is laminated on the
金属膜4は、良導体で構成される。金属膜4は、積層膜12としての比抵抗を低減するため、導電性合金膜3に積層されている。
金属膜4の材質は、積層膜12の導体部が導電性合金膜3のみの場合に比べて、積層膜12としての比抵抗を低減することができれば、特に限定されない。
例えば、金属膜4の材質は、銅、銀(Ag)、金(Au)、アルミニウム、ニッケル、マンガン(Mn)などの金属単体、または、これらの金属のうちから選ばれた2つ以上の金属を配合して形成された合金が用いられてもよい。
例えば、導電性合金膜3よりも比抵抗が低い銅合金膜は、積層膜12の比抵抗を低減でき、かつ安価であるため、金属膜4として好適である。さらに、銅膜は、導電性合金膜3よりも比抵抗が低く、かつ安価であるため、金属膜4としてより好ましい。
The
The material of the
For example, the material of the
For example, a copper alloy film having a specific resistance lower than that of the
保護膜5は、金属膜4と密着し、金属膜4を覆うように積層されている。
保護膜5は、金属膜4に密着して積層することによって、金属膜4を、例えば、機械的・物理的ストレス、化学的ストレス、および熱的ストレスのうち1種以上のストレスから保護する。
本実施形態では、保護膜5は、少なくとも、配線付きカラーフィルタ200の製造工程において、金属膜4の酸化を抑制する保護機能を備える。このため、保護膜5は、後述する着色層11R、11G、11Bを焼成する際の焼成温度に耐える耐熱性を備える材料で構成されている。保護膜5は、導体が用いられてもよいし、絶縁体が用いられてもよい。
本実施形態では、保護膜5は、金属膜4の酸化を抑制する効果の高いITOが用いられている。
The
The
In the present embodiment, the
In this embodiment, the
着色層11R、11G、11Bは、配線付きカラーフィルタ200においてカラーフィルタとして機能する。着色層11R、11G、11Bは、それぞれ赤色(R)、青色(G)、緑色(B)に着色された樹脂層である。例えば、本実施形態では、着色層11R、11G、11Bは、それぞれR、G、Bの顔料が分散されたアクリル系樹脂で構成される。
着色層11R、11G、11Bは、図示横方向には、樹脂膜2および積層膜12による配線パターンに挟まれた領域の第1面1a上に積層される。着色層11R、11G、11Bは、紙面奥行き方向には、樹脂膜2による格子状パターンに挟まれた領域の第1面1a上に積層される。着色層11R、11G、11Bの厚さは、第1面1aから樹脂膜2と反対側の積層膜12の表面12aまでの高さを超える厚さであれば特に限定されない。例えば、着色層11R、11G、11Bの厚さは、0.5μm以上3.0μm以下とされてもよい。
図2では、着色層11R、11G、11Bが、図示横方向にこの順にの配列は、配線付きカラーフィルタ200を装着するディスプレイにおけるR、G、Bの各色に対応する画素の配置に応じた適宜の配列が可能である。
The colored layers 11R, 11G, and 11B function as color filters in the
The colored layers 11R, 11G, and 11B are stacked on the
In FIG. 2, the
絶縁保護層6は、少なくとも着色層11R、11G、11Bを保護するため、電気絶縁性を有する透明材料によって、図示下側から覆う層状に形成される。
本実施形態では、一例として、絶縁保護層6は、感光性を有する有機系の透明樹脂材料によって形成されている。本実施形態における絶縁保護層6に用いる有機系材料としては、例えば、重合性基含有オリゴマー、モノマー、光重合開始剤、およびその他の添加剤を含有するUV硬化型コーティング組成物が用いられてもよい。
図2に示すように、本実施形態では、絶縁保護層6は、着色層11R、11G、11Bと、積層膜12の各保護膜5を覆う層状に形成されている。
このため、配線付きカラーフィルタ200において、透明基板1と反対側の表面は、絶縁保護層6の表面6aによって形成されている。このため、積層膜12は、透明基板1と絶縁保護層6とに挟まれて、外部から絶縁されている。
The insulating
In the present embodiment, as an example, the insulating
As shown in FIG. 2, in this embodiment, the insulating
For this reason, in the color filter with
このような構成の配線付きカラーフィルタ200を製造するには、まず、上記第1の実施形態と同様にして、基板部10上に導電性合金膜3が積層される。この後、金属膜4、保護膜5が導電性合金膜3上に積層され、必要に応じて、金属膜4、保護膜5がパターニングされる。
金属膜4、保護膜5の成膜方法は、それぞれの積層部分上に均一な膜厚で成膜できれば、特に限定されない。例えば、金属膜4、保護膜5の成膜方法は、上記第1の実施形態において導電性合金膜3の成膜方法として例示されたのと同様の成膜方法から選ばれてもよい。
金属膜4、保護膜5のパターニング方法も特に限定されず、例えば、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチングなどが用いられてもよい。
In order to manufacture the color filter with
The method for forming the
The patterning method of the
積層膜12が形成された後、着色層11R、11G、11Bが形成される。
着色層11R、11G、11Bは、例えば、液晶ディスプレイのカラーフィルタを製造するための周知技術によって適宜形成される。
例えば、まず、着色層を形成する樹脂材料が、スピンコート、スピンレスコート、あるいはディッピング法などの適宜の塗布方法を用いて第1面1aおよび積層膜12上に塗布されて樹脂材料の種類に応じた硬化手段によって硬化される。この後、例えば、フォトリソグラフィ法などを用いて着色層の配置位置のみに残すパターニングがなされる。これを、各色について繰り返すことによって、着色層11R、11G、11Bが形成される。
After the laminated film 12 is formed, the
The colored layers 11R, 11G, and 11B are appropriately formed by, for example, a well-known technique for manufacturing a color filter for a liquid crystal display.
For example, first, the resin material for forming the colored layer is applied onto the
着色層11R、11G、11Bが形成された後、絶縁保護層6が形成される。
絶縁保護層6を形成するには、まず、絶縁保護層6を形成する樹脂材料が、着色層11R、11G、11B上および貫通孔部12の表面12aを覆うように塗布される。この樹脂材料の塗布方法としては、例えば、スピンコート、スピンレスコート、あるいはディッピング法などの適宜の塗布方法が用いられる。この後、塗布された樹脂材料が硬化される。例えば、樹脂材料がUV硬化樹脂の場合には、UV光を照射することによって樹脂材料が硬化される。これにより、絶縁保護層6が形成される。
After the
In order to form the insulating
このような構成の配線付きカラーフィルタ200は、適宜方式の表示部に重ねて設置されることによって、カラーディスプレイを構成することができる。その際、積層膜12が静電容量式タッチパネルの電極として用いられることにより、カラーディスプレイにタッチセンシング機能を持たせることができる。
本実施形態の配線付きカラーフィルタ200では、積層膜12の間に、樹脂膜2で区画された着色層11R、11G、11Bが形成されている。本実施形態では、樹脂膜2は、黒色であるため、樹脂膜2は、カラーディスプレイにおけるブラックマトリクスの機能を備える。
The color filter with
In the color filter with
本実施形態の配線付きカラーフィルタ200は、用途に応じてパターニングされた積層膜12を備える。積層膜12は、少なくとも導電性合金膜3および金属膜4が導電性を有するため、配線として機能する。
The color filter with
このように、本実施形態の配線付きカラーフィルタ200によれば、上記第1の実施形態の導電性基材100と同様、金属元素Aが含まれる導電性合金膜3が、樹脂膜2に積層される。このため、導電性合金膜3を含む導電部が低抵抗の導電性を有し、導電部と基板部との密着性が良好となる。
さらに、本実施形態では、配線である積層膜12において、導電性合金膜3と、導電性合金膜3よりも比抵抗が小さい金属膜4とが積層されている。このため、上記第1の実施形態の導電性基材100のように、導電部が導電性合金膜3のみからなる配線に比べて、配線としての比抵抗が低減される。
この結果、積層膜12の導電性が良好になり、例えば、積層膜12をタッチセンシング用配線として用いる場合に、応答性が向上されたり、より低電圧での駆動が可能になったりする。
さらに、本実施形態では、積層膜12が透明基板1および絶縁保護層6に挟まれているため、積層膜12の導電性合金膜3および金属膜4が外部環境の影響を受けにくくなる。
As described above, according to the color filter with
Furthermore, in the present embodiment, the
As a result, the conductivity of the laminated film 12 becomes good. For example, when the laminated film 12 is used as a wiring for touch sensing, responsiveness is improved or driving with a lower voltage is possible.
Furthermore, in this embodiment, since the laminated film 12 is sandwiched between the transparent substrate 1 and the insulating
[第1変形例]
次に、本実施形態の変形例(第1変形例)の配線付きカラーフィルタについて説明する。
図3は、本発明の第2の実施形態の変形例(第1変形例)の配線付きカラーフィルタの構成例を示す模式的な断面図である。
[First Modification]
Next, a color filter with wiring according to a modification (first modification) of the present embodiment will be described.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a color filter with wiring according to a modification (first modification) of the second embodiment of the present invention.
図3に示すように、本実施形態の配線付きカラーフィルタ300は、上記第2の実施形態の配線付きカラーフィルタ200に、対向電極7が追加されて構成される。
以下、上記第2の実施形態と異なる点を中心に説明する。
As shown in FIG. 3, the color filter with
Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the second embodiment.
対向電極7は、積層膜12が図示横方向に離間して紙面奥行き方向に延ばされた配線パターンを構成するのに対して、紙面奥行き方向に離間して図示横方向に延ばされたストライプ状の配線パターンを構成する。
対向電極7は、透明基板1の第2面1b上に形成される。特に図示しないが、対向電極7および第2面1b上には、透明樹脂材料などによる絶縁保護膜が積層されている。
The
The
対向電極7の材質は、積層膜12との間に静電容量を形成できる導体であれば特に限定されない。
例えば、対向電極7は、ITOなどの透明材料で形成されてもよい。
例えば、対向電極7は、不透明な金属膜または金属合金膜で形成されてもよい。対向電極7として不透明材料が用いられる場合、対向電極7は、平面視にて着色層11R、11G、11Bと重ならない範囲に形成されることが好ましい。さらに、対向電極7として不透明材料が用いられる場合、透明基板1と反対側の対向電極7の表面には、樹脂膜2と同様の材質の樹脂膜が積層されてもよい。これにより、対向電極7による反射光が抑制されるため、対向電極7が外部から目立たなくなる。
例えば、対向電極7として、積層膜12と同様な構成の積層膜が用いられてもよい。導電性合金膜3は、ガラス材料に対しても密着性が良好になるため、表面2a上に直接積層することができる。
The material of the
For example, the
For example, the
For example, a laminated film having the same configuration as that of the laminated film 12 may be used as the
このような構成の本変形例の配線付きカラーフィルタ300によれば、上記第2の実施形態と同様の導電性基材を備えるため、上記第2の実施形態と同様の作用効果を備える。
さらに、本変形例によれば、配線である積層膜12と、対向電極7との間の静電容量を検出することで、積層膜12と対向電極7とを、静電容量式タッチパネルの検出電極および対向電極として使用することができる。このため、配線付きカラーフィルタ300は、適宜方式の表示部に重ねて設置されることによって、タッチセンシング機能を有するカラーディスプレイを構成することができる。
According to the color filter with
Furthermore, according to this modification, by detecting the electrostatic capacitance between the laminated film 12 that is the wiring and the
[第3の実施形態]
次に、本発明の第3の実施形態の液晶ディスプレイについて説明する。
図4は、本発明の第3の実施形態の液晶ディスプレイの構成例を模式的に示す断面図である。
[Third Embodiment]
Next, a liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a liquid crystal display according to the third embodiment of the present invention.
図4に示すように、本実施形態の液晶ディスプレイ400は、TFT基板30、液晶20、および上記第2の実施形態の配線付きカラーフィルタ200が、この順に積層されて表示部が構成されている。さらに、液晶ディスプレイ400は、タッチセンシング制御部40を備える。
以下、上記第2の実施形態と異なる点を中心に説明する。
As shown in FIG. 4, the liquid crystal display 400 of this embodiment includes a
Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the second embodiment.
TFT基板30は、後述する液晶20をサブ画素ごとに駆動するTFTを含む駆動回路基板である。
液晶20は、配線付きカラーフィルタ200の着色層11R、11G、11Bにそれぞれ対応する位置に画素電極(図示略)が配置された液晶パネルである。液晶20における各画素電極は、TFT基板30の駆動回路にそれぞれ電気的に接続されている。
例えば、液晶20は、液晶を偏光板で挟んだ周知の構成を備える。液晶20における液晶駆動方式は、特に限定されない。
The
The
For example, the
本実施形態における配線付きカラーフィルタ200は、着色層11R、11G、11Bがそれぞれ液晶20のサブ画素と重なるように、液晶20上に積層配置されている。
配線付きカラーフィルタ200の積層膜12の導電部は、タッチセンシング制御部40と電気的に接続されている。
タッチセンシング制御部40は、積層膜12による配線パターンを用いて、透明基板1上の静電容量の変化を検出することによって、静電容量式のタッチセンシングを行う。
The
The conductive portion of the laminated film 12 of the color filter with
The touch
液晶ディスプレイ400は、配線付きカラーフィルタ200および配線付きカラーフィルタ200に含まれる上記第2の実施形態の導電性基材を備え、積層膜12を静電容量式タッチパネルの電極に用いたカラー液晶ディスプレイになっている。
積層膜12は、液晶20およびTFT基板30と別体の基板になっているため、液晶20およびTFT基板30にタッチセンシング用配線を形成する場合に比べて、サブ画素の面積を広くすることができ、高画質化が可能である。
上記第2の実施形態の導電性基材は、導電性合金膜3を含む導電部が低抵抗の導電性を有し、導電部と基板部との密着性が良好となる。このため、液晶ディスプレイ400によれば、タッチセンシングの応答性およびタッチセンシング用配線の信頼性が向上される。
The liquid crystal display 400 includes the color filter with
Since the laminated film 12 is a separate substrate from the
In the conductive substrate of the second embodiment, the conductive portion including the
[第4の実施形態]
次に、本発明の第4の実施形態の液晶ディスプレイについて説明する。
図5は、本発明の第4の実施形態の液晶ディスプレイの構成例を模式的に示す断面図である。
[Fourth Embodiment]
Next, a liquid crystal display according to a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a liquid crystal display according to the fourth embodiment of the present invention.
図5に示すように、本実施形態の液晶ディスプレイ500は、上記第4の実施形態のタッチセンシング制御部400の配線付きカラーフィルタ200、タッチセンシング制御部40に代えて、配線付きカラーフィルタ300、タッチセンシング制御部50を備える。 以下、上記第3実施形態と異なる点を中心に説明する。
As shown in FIG. 5, the
本実施形態における配線付きカラーフィルタ300は、着色層11R、11G、11Bがそれぞれ液晶20のサブ画素と重なるように、液晶20上に積層配置されている。
配線付きカラーフィルタ300の積層膜12の導電部と、対向電極7とは、タッチセンシング制御部50と電気的に接続されている。
タッチセンシング制御部50は、積層膜12による配線パターンと、対向電極7による配線パターンとを用いて、透明基板1上の静電容量の変化を検出することによって、静電容量式のタッチセンシングを行う。
The
The conductive portion of the laminated film 12 of the color filter with
The touch
液晶ディスプレイ500は、配線付きカラーフィルタ300および配線付きカラーフィルタ300に含まれる上記第2の実施形態の導電性基材を備え、積層膜12および対向電極7を静電容量式タッチパネルの検出電極および対向電極に用いたカラー液晶ディスプレイになっている。
液晶ディスプレイ500は、タッチセンシングに検出電極および対向電極を用いる点を除いて、上記第3の実施形態における液晶ディスプレイ400と同様の構成を有しており、液晶ディスプレイ400と同様の作用効果を備える。
The
The
なお、上記各実施形態および変形例の説明では、導電性基材における樹脂膜2および導電性合金膜3がパターニングされており、かつ導電性合金膜3がタッチセンシング用配線を構成する場合の例で説明した。しかし、例えば、導電性基材の用途によっては、樹脂膜2および導電性合金膜3のパターニング形状は、パターニングされていないベタパターンでもよい。
さらに、樹脂膜2および導電性合金膜3がパターニングされている場合でも、パターニング形状は、上述の形状には限定されない。
例えば、樹脂膜2のパターンは、導電性基材の用途によっては、格子状に限定されず、液晶ディスプレイのブラックマトリクスの形状にも限定されない。
例えば、導電性合金膜3のパターンは、導電性基材の用途によっては、タッチセンシング用配線以外の配線の形状にパターニングされてもよい。さらに、導電性合金膜3のパターンは、配線以外の適宜の電極、グランドパターンなどの形状にパターニングされてもよい。
In the description of each of the above-described embodiments and modifications, an example in which the
Furthermore, even when the
For example, the pattern of the
For example, the pattern of the
上記第2の実施形態では、配線付きカラーフィルタ200の積層膜12が、金属膜4および保護膜5を有する場合の例で説明した。
しかし、導電性合金膜3によって必要な導電性が得られる場合には、金属膜4は省略されてもよい。
金属膜4が保護膜5によって保護される必要がない材質の場合、保護膜5は省略されてもよい。
金属膜4および保護膜5が削除できる場合、配線付きカラーフィルタ200は、上記第1の実施形態における導電性基材100の構成を備えてもよい。
In the said 2nd Embodiment, the laminated film 12 of the
However, the
When the
When the
上記第3および第4の実施形態の説明では、液晶ディスプレイ400、500が導電性基材110を備える場合の例で説明した。しかし、液晶ディスプレイ400、500は、導電性基材として、上記第1の実施形態における導電性基材100を備えてもよいし、導電性基材110から金属膜4または保護膜5が削除された構成を備えてもよい。
In the description of the third and fourth embodiments, the
以下、上記第1の実施形態の導電性基材100およびこれを用いた上記第3の実施形態の液晶ディスプレイ400の実施例1〜27について、導電性基材の比較例1〜14とともに説明する。
Hereinafter, Examples 1-27 of the
[導電性基材]
実施例1〜27、および比較例1〜14の各導電性基材の構成および評価結果について、下記[表1]、[表2]に示す。
[Conductive substrate]
About the structure and evaluation result of each electroconductive base material of Examples 1-27 and Comparative Examples 1-14, it shows in following [Table 1] and [Table 2].
[実施例1]
実施例1の導電性基材100では、透明基板1として無アルカリガラスが使用された。
樹脂膜2は、アクリル樹脂に黒色顔料を混合したブラックマトリックス樹脂が用いられた。具体的には、感光性を有するレジスト材料をベース樹脂とするブラックマトリクス樹脂がスピンコート法にて第1面1a上に塗布された。この塗膜は、ホットプレートにて120℃で2分間乾燥された。
この後、塗膜がフォトリソグラフィ法によってパターニングされた。具体的には、塗膜がパターニング形状に応じた開口部を有するフォトマスクを介して露光された。露光光源は、高圧水銀灯が用いられ、露光エネルギーは100mJ/cm2とされた。
この後、塗膜に対して、0.2質量%の炭酸水素ナトリウム水溶液にて30秒間のシャワー洗浄が実施された。さらに、水洗後、熱風循環式オーブンにて230℃で30分間加熱処理が行われた。これにより、透明基板1の第1面1a上に樹脂膜2が形成された。
[Example 1]
In the
As the
Thereafter, the coating film was patterned by a photolithography method. Specifically, the coating film was exposed through a photomask having an opening corresponding to the patterning shape. A high pressure mercury lamp was used as the exposure light source, and the exposure energy was 100 mJ / cm 2 .
Thereafter, the coating film was subjected to shower cleaning for 30 seconds with a 0.2 mass% aqueous sodium hydrogen carbonate solution. Furthermore, after washing with water, heat treatment was performed at 230 ° C. for 30 minutes in a hot air circulation oven. As a result, the
この後、樹脂膜2の表面2aに導電性合金膜3が形成された。導電性合金膜3の組成は、上記[表1]に記載されたように、Cu、Ni、Alがそれぞれ含有率97.6at%、2.2at%、0.2at%とされた。
導電性合金膜3は、上記含有率となるように、スパッタリング法で、一様な厚さ160nmに成膜された後、フォトリソグラフィ法によってパターニングされて形成された。ただし、各含有率は、小数点第1位に丸められており、例えば、ターゲット金属に含まれる不純物等が混じることによる微量の組成変化は無視されている(他の含有率も同様)。
Thereafter, a
The
[実施例2〜27]
実施例1と同様にして、導電性合金膜3の組成のみが異なる実施例2〜27の導電性基材100が作製された。各組成は、上記[表1]、[表2]に示された含有率とされた。
実施例2〜9は、上記実施例1と同様、金属元素AがAlの場合の例である。実施例2〜9の導電性合金膜3はCu、Ni、Alからなる3元系合金であり、それぞれの含有率が変化された。
実施例10〜18は、金属元素AがSiの場合の例である。実施例10〜18の導電性合金膜3はCu、Ni、Siからなる3元系合金であり、それぞれの含有率が変化された。
実施例19〜27は、金属元素AがTiの場合の例である。実施例19〜27の導電性合金膜3はCu、Ni、Tiからなる3元系合金であり、それぞれの含有率が変化された。
[Examples 2 to 27]
In the same manner as in Example 1,
Examples 2 to 9 are examples in the case where the metal element A is Al, as in Example 1 above. The
Examples 10 to 18 are examples where the metal element A is Si. The
Examples 19 to 27 are examples where the metal element A is Ti. The
[比較例1〜14]
[表2]示すように、比較例1は、上記実施例1の導電性合金膜3に代えて、同厚さのITO膜が用いられた例である。
比較例2は、上記実施例1の導電性合金膜3に代えて、同厚さのCu膜が用いられた例である。
比較例3は、上記実施例1の導電性合金膜3に代えて、Cu、Niからなる同厚さの2元系合金膜が用いられた例である。
比較例4は、上記実施例1の導電性合金膜3に代えて、Cu、Alからなる同厚さの2元系合金膜が用いられた例である。
比較例5〜8は、上記実施例1〜9と同様、金属元素AがAlの場合の例である。ただし、比較例5〜8では、Niの含有率βおよびAlの含有率γの少なくとも一方が、上述の適正な組成範囲を満足していない。
比較例9〜11は、上記実施例1の導電性合金膜3に代えて、Cu、Ni、In(インジウム)からなる同厚さの3元系合金膜が用いられた例である。
Inは、拡散係数は、1.22×10−19cm2/sであるが、酸化物形成エンタルピーが−618kJ/molであるため、金属元素Aに該当しない。
比較例12〜14は、上記実施例1の導電性合金膜3に代えて、Cu、Ni、Ag(銀)からなる同厚さの3元系合金膜が用いられた例である。
Agは、拡散係数が4.2×10−20cm2/s、酸化物形成エンタルピーが−61kJ/molであるため、金属元素Aに該当しない。
[Comparative Examples 1-14]
As shown in [Table 2], Comparative Example 1 is an example in which an ITO film having the same thickness was used in place of the
Comparative Example 2 is an example in which a Cu film having the same thickness was used in place of the
Comparative Example 3 is an example in which a binary alloy film of the same thickness made of Cu and Ni was used instead of the
Comparative Example 4 is an example in which a binary alloy film of the same thickness made of Cu and Al was used in place of the
Comparative Examples 5 to 8 are examples in which the metal element A is Al, as in Examples 1 to 9. However, in Comparative Examples 5 to 8, at least one of the Ni content β and the Al content γ does not satisfy the above-described proper composition range.
Comparative Examples 9 to 11 are examples in which a ternary alloy film of the same thickness made of Cu, Ni, and In (indium) was used instead of the
In has a diffusion coefficient of 1.22 × 10 −19 cm 2 / s, but does not correspond to the metal element A because the oxide formation enthalpy is −618 kJ / mol.
Comparative Examples 12 to 14 are examples in which a ternary alloy film of the same thickness made of Cu, Ni, and Ag (silver) was used instead of the
Ag does not correspond to the metal element A because the diffusion coefficient is 4.2 × 10 −20 cm 2 / s and the oxide formation enthalpy is −61 kJ / mol.
これらの導電性基材は、比抵抗の評価と、樹脂膜2との密着性の評価とが行われた。
比抵抗は、導電性合金膜のシート抵抗値を測定し、導電性合金膜の厚さに基づいて換算された。シート抵抗値の測定方法としては、4探針法が用いられた。
各実施例、各比較例におけるシート抵抗値の測定値と、比抵抗の換算値とは、[表1]、[表2]に記載された通りである。
導電性合金膜の密着性の評価は、クロスカット法によって行われた。具体的には、クロスカット法は、JIS K5600に基づいて行われた。[表1]には、各実施例、各比較例における評価結果が、JIS K5600の分類0〜5によって記載されている。
分類0は、「カットの縁が完全に滑らかで、どの格子の目にもはがれがない」ことを示す。分類1〜5は、何らかの剥がれが生じたことを示す。
These conductive substrates were evaluated for specific resistance and adhesion for the
The specific resistance was converted based on the thickness of the conductive alloy film by measuring the sheet resistance value of the conductive alloy film. A four-probe method was used as a method for measuring the sheet resistance value.
The measured value of the sheet resistance value and the converted value of the specific resistance in each example and each comparative example are as described in [Table 1] and [Table 2].
Evaluation of the adhesion of the conductive alloy film was performed by a cross-cut method. Specifically, the cross cut method was performed based on JIS K5600. In [Table 1], evaluation results in each example and each comparative example are described according to classifications 0 to 5 of JIS K5600.
Class 0 indicates that “the edges of the cut are completely smooth and there is no peeling to any grid eye”. Classifications 1 to 5 indicate that some peeling occurred.
[表1]、[表2]に記載された評価結果から分かるように、実施例1〜27の比抵抗は、3.2μΩ・cm〜12.8μΩ・cmの範囲に入っており、比較例1のITOの比抵抗986μΩ・cmに比べて極めて低い。
さらに、実施例1〜7の密着性評価はいずれも分類0になり、剥がれなどが発生しないことが分かった。
As can be seen from the evaluation results described in [Table 1] and [Table 2], the specific resistances of Examples 1 to 27 are in the range of 3.2 μΩ · cm to 12.8 μΩ · cm. The resistivity of 1 ITO is extremely low compared to the specific resistance of 986 μΩ · cm.
Furthermore, all the adhesion evaluation of Examples 1-7 became classification 0, and it turned out that peeling etc. do not generate | occur | produce.
比較例1の場合、密着性は良好であったが、比抵抗が格段に高くなった。
比較例2〜14の場合、いずれも剥がれ生じるなど、密着性がよくなかった。
比較例5〜8は、Niの含有率および金属元素Aの含有率の少なくとも一方の含有率が所定範囲に含まれていないため、密着性が悪くなる場合の例になっている。すなわち、上記実施例1〜27の密着性の評価結果と合わせると、αは、95.4at%以上99.2at%以下、βは、0.6at%以上2.2at%以下、γは、0.2at%以上2.4at%以下、とする必要があることが分かる。
比較例9〜14は、導電性合金膜が、金属元素A以外の元素と、Cu、Niとで構成される3元系合金では、良好な密着性が得られない場合の例になっている。
In the case of Comparative Example 1, the adhesion was good, but the specific resistance was remarkably increased.
In the case of Comparative Examples 2 to 14, the adhesion was not good, such as peeling off.
Comparative Examples 5 to 8 are examples in which the adhesiveness deteriorates because at least one of the Ni content and the metal element A content is not included in the predetermined range. That is, when combined with the adhesion evaluation results of Examples 1 to 27, α is 95.4 at% or more and 99.2 at% or less, β is 0.6 at% or more and 2.2 at% or less, and γ is 0. It can be seen that it is necessary to set the value between 2 at% and 2.4 at%.
Comparative Examples 9 to 14 are examples in which good adhesion cannot be obtained with a ternary alloy in which the conductive alloy film is composed of elements other than the metal element A and Cu and Ni. .
[液晶ディスプレイ]
液晶ディスプレイは、上記実施例1〜27の導電性基材100をそれぞれ以下のようにして加工することによって作製された。
まず、スパッタリング法を用いて導電性基材100の導電性合金膜3上に、厚さ300nmの金属膜4が成膜された。さらに、同じくスパッタリング法によって、保護膜5として厚さ50nmのITO膜が成膜された。
この後、0.2質量%の硫酸と0.2質量%の過酸化水素水とが混合されたエッチング液を用いたウェットエッチング法によって、保護膜5、金属膜4、および導電性合金膜3のパターニングが行われた。
[LCD]
The liquid crystal display was produced by processing the
First, a
Thereafter, the
この後、積層膜12の間の第1面1a上に、着色層11R、11G、11Bが順次厚さ2.5μmで形成された。
各着色層は、それぞれの色に着色されたアクリル系樹脂レジストをスピンコート法で塗布した後、フォトリソグラフィ法によってパターニングすることにより形成された。塗布されたアクリル系樹脂レジストは、各色の配置に対応するマスクを介して、高圧水銀灯による100mJ/cm2の光量で露光されることによって露光部分が硬化された。この後、0.2質量%の炭酸水素ナトリウム水溶液のシャワーを30秒間当てることで現像が行われた。これにより、露光されていない箇所のアクリル系樹脂レジストが除去された。
この後、絶縁保護層6を形成するため、オーバーコート剤V−259PA(商品名;新日鉄住金化学社製)からなる塗液が、スピンコート法で塗布された。この後、ホットプレートにて100℃で5分間乾燥することにより、塗膜が乾燥された。塗膜の乾燥後、高圧水銀灯を用いて100mJ/cm2の光量で塗膜が露光された。これにより、塗膜が硬化し、絶縁保護層6が形成された。
Thereafter,
Each colored layer was formed by applying an acrylic resin resist colored in each color by spin coating and then patterning by photolithography. The applied acrylic resin resist was exposed at a light amount of 100 mJ / cm 2 by a high-pressure mercury lamp through a mask corresponding to the arrangement of each color, and the exposed portion was cured. Thereafter, development was performed by applying a shower of 0.2 mass% sodium bicarbonate aqueous solution for 30 seconds. Thereby, the acrylic resin resist of the location which is not exposed was removed.
Then, in order to form the insulating
以上で、上記実施例1〜27の導電性基材100によって、それぞれ上記第2の実施形態の配線付きカラーフィルタ200が形成された。
この後、これら配線付きカラーフィルタ200と、TFT基板30との間に液晶20を挟んで、それぞれの対向面がシール材によって貼り合せられた。これにより、上記第3の実施形態の液晶ディスプレイ400が製造された。
With the above, the
Thereafter, the facing surfaces of the color filter with
これらの液晶ディスプレイ400は、積層膜12にタッチセンシング制御部40の機能を含む制御用ICが接続され、タッチセンシング動作と、液晶駆動動作との動作確認が行われた。
いずれの実施例対応する液晶ディスプレイ400においても、タッチセンシング動作と液晶駆動動作とは、良好であった。
In these liquid crystal displays 400, a control IC including the function of the touch
In the liquid crystal display 400 corresponding to any of the examples, the touch sensing operation and the liquid crystal driving operation were good.
以上、本発明の好ましい実施形態を、各実施例とともに説明したが、本発明はこの実施形態、各実施例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。
また、本発明は前述した説明によって限定されることはなく、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described with each Example, this invention is not limited to this embodiment and each Example. Additions, omissions, substitutions, and other modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
Further, the present invention is not limited by the above description, and is limited only by the appended claims.
1 透明基板
1a 第1面
1b 第2面
2 樹脂膜
3 導電性合金膜
4 金属膜
5 保護膜
6 絶縁保護層
7 対向電極
10 基板部
11R、11G、11B 着色層
12 積層膜
20 液晶
30 TFT基板
40、50 タッチセンシング制御部
100、110 導電性基材
200、300 配線付きカラーフィルタ
400、500 液晶ディスプレイ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
着色層11R、11G、11Bは、配線付きカラーフィルタ200においてカラーフィルタとして機能する。着色層11R、11G、11Bは、それぞれ赤色(R)、青色(G)、緑色(B)に着色された樹脂層である。例えば、本実施形態では、着色層11R、11G、11Bは、それぞれR、G、Bの顔料が分散されたアクリル系樹脂で構成される。
着色層11R、11G、11Bは、図示横方向には、樹脂膜2および積層膜12による配線パターンに挟まれた領域の第1面1a上に積層される。着色層11R、11G、11Bは、紙面奥行き方向には、樹脂膜2による格子状パターンに挟まれた領域の第1面1a上に積層される。着色層11R、11G、11Bの厚さは、第1面1aから樹脂膜2と反対側の積層膜12の表面12aまでの高さを超える厚さであれば特に限定されない。例えば、着色層11R、11G、11Bの厚さは、0.5μm以上3.0μm以下とされてもよい。
着色層11R、11G、11Bの配列は、配線付きカラーフィルタ200を装着するディスプレイにおけるR、G、Bの各色に対応する画素の配置に応じた適宜の配列が可能である。
The colored layers 11R, 11G, and 11B function as color filters in the
The colored layers 11R, 11G, and 11B are stacked on the
Wearing
Claims (15)
前記基板部の少なくとも一方の表面に積層された積層膜と、
を備え、
前記積層膜は、
銅と、ニッケルと、銅膜中に含有された状態で673Kに加熱したときの拡散係数が5.0×10−20cm2/s以上5.0×10−19cm2/s以下であり、かつ293Kにおける酸化物形成エンタルピーが−2500kJ/mol以上−900kJ/mol以下である金属元素と、を含み、
前記銅、前記ニッケル、および前記金属元素の各含有率を、それぞれα、β、γで表すと、
αは、95.4at%以上99.2at%以下、
βは、0.6at%以上2.2at%以下、
γは、0.2at%以上2.4at%以下、
であって、前記表面に積層された導電性合金膜
を有する、導電性基材。 A substrate section;
A laminated film laminated on at least one surface of the substrate part;
With
The laminated film is
The diffusion coefficient when heated to 673K in a state of being contained in copper, nickel and a copper film is 5.0 × 10 −20 cm 2 / s or more and 5.0 × 10 −19 cm 2 / s or less. And an oxide formation enthalpy at 293K is −2500 kJ / mol or more and −900 kJ / mol or less, and
Representing each content of copper, nickel, and metal element by α, β, γ,
α is 95.4 at% or more and 99.2 at% or less,
β is 0.6 at% or more and 2.2 at% or less,
γ is 0.2 at% or more and 2.4 at% or less,
A conductive substrate having a conductive alloy film laminated on the surface.
2.0μΩ・cm以上15.0μΩ・cm以下
である、請求項1に記載の導電性基材。 The specific resistance of the conductive alloy film is
The conductive substrate according to claim 1, which is 2.0 μΩ · cm or more and 15.0 μΩ · cm or less.
アルミニウム、ケイ素、およびチタンのうちから選ばれた1種類以上の元素である、
請求項1または2に記載の導電性基材。 The metal element is
One or more elements selected from aluminum, silicon, and titanium,
The electroconductive base material of Claim 1 or 2.
前記導電性合金膜に、前記導電性合金膜よりも比抵抗の低い銅合金膜、または銅膜が積層されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性基材。 The laminated film is
The conductive base material according to claim 1, wherein a copper alloy film or a copper film having a specific resistance lower than that of the conductive alloy film is laminated on the conductive alloy film.
2.0μΩ・cm以上10.0μΩ・cm以下
である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電性基材。 The specific resistance of the laminated film is
The conductive substrate according to any one of claims 1 to 5, which is 2.0 µΩ · cm or more and 10.0 µΩ · cm or less.
ガラスで形成されている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性基材。 The surface on which the laminated film is laminated,
The electroconductive base material of any one of Claims 1-6 currently formed with glass.
樹脂で形成されている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性基材。 The surface on which the laminated film is laminated,
The electroconductive base material of any one of Claims 1-6 currently formed with resin.
カーボン粒子を含む、請求項8に記載の導電性基材。 The resin is
The electroconductive base material of Claim 8 containing a carbon particle.
カラーフィルタのブラックマトリックスを構成する樹脂膜である、請求項8または9に記載の導電性基材。 The resin is
The electroconductive base material of Claim 8 or 9 which is a resin film which comprises the black matrix of a color filter.
少なくとも前記導電性合金膜がパターニングされた配線
を備える、請求項1〜10のいずれか1項に記載の導電性基材。 The laminated film is
The conductive base material according to claim 1, comprising at least a wiring in which the conductive alloy film is patterned.
前記導電性基材に配置されたカラーフィルタ用の着色層と、
を備える、配線付きカラーフィルタ。 The conductive substrate according to claim 11;
A colored layer for a color filter disposed on the conductive substrate;
A color filter with wiring.
前記液晶を駆動するTFT基板と、
請求項11に記載の導電性基材と、
を備え、
静電容量式タッチパネルの電極が前記導電性基材における前記配線によって形成されている、
液晶ディスプレイ。 Liquid crystal,
A TFT substrate for driving the liquid crystal;
The conductive substrate according to claim 11;
With
The electrode of the capacitive touch panel is formed by the wiring in the conductive base material,
LCD display.
前記液晶を駆動するTFT基板と、
請求項12に記載の配線付きカラーフィルタと、
を備え、
静電容量式タッチパネルの電極が前記配線付きカラーフィルタにおける前記配線によって形成されている、
液晶ディスプレイ。 Liquid crystal,
A TFT substrate for driving the liquid crystal;
A color filter with wiring according to claim 12,
With
The electrode of the capacitive touch panel is formed by the wiring in the color filter with wiring,
LCD display.
請求項13または14に記載の液晶ディスプレイ。 Further comprising a counter electrode of a capacitive touch panel disposed to face the electrode;
The liquid crystal display according to claim 13 or 14.
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Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JP2002226928A (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | Copper alloy foil for laminated board |
JP2002249835A (en) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | Copper alloy foil for lamination |
JP2010185139A (en) * | 2009-01-16 | 2010-08-26 | Kobe Steel Ltd | Cu ALLOY FILM AND DISPLAY DEVICE |
JP2014219987A (en) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | Touch sensor |
WO2015129057A1 (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | 凸版印刷株式会社 | Lcd device |
WO2016006081A1 (en) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | 凸版印刷株式会社 | Black electrode substrate, production method for black electrode substrate, and display device |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226928A (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | Copper alloy foil for laminated board |
JP2002249835A (en) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | Copper alloy foil for lamination |
JP2010185139A (en) * | 2009-01-16 | 2010-08-26 | Kobe Steel Ltd | Cu ALLOY FILM AND DISPLAY DEVICE |
JP2014219987A (en) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | Touch sensor |
WO2015129057A1 (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | 凸版印刷株式会社 | Lcd device |
WO2016006081A1 (en) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | 凸版印刷株式会社 | Black electrode substrate, production method for black electrode substrate, and display device |
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