JP2017190986A - ガスセンサ素子及びガスセンサ - Google Patents
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Abstract
Description
このうち、セル1400は固体電解質層1090の両面に形成された電極1080、1100を有し、電極1100は多孔質層1130を介して外部との間で排気ガス中の酸素の汲み出し又は汲み入れを行う酸素ポンプセルとなっている。一方、セル1300は、測定室1070に面して測定室1070内の排気ガス中の酸素濃度に応じた出力電圧(起電力)を出力する酸素濃度検出セルとなっている。そして、この出力電圧が一定となるように酸素ポンプセル1400に電圧(Vp電圧)を印加してポンプ電流Ipを流し、該ポンプ電流Ipに応じた排気ガス中の酸素濃度を検出するようになっている。
このため、電極部と絶縁層との間には印刷ズレを考慮した間隔が必要となるが、この間隔が大き過ぎると、電極リード部の絶縁が不十分となって上述のブラックニングやクラックが発生してしまう。
この原因は、図14に示すように、酸素ポンプセル1400の固体電解質層1090と電極1100との間にコンデンサ回路が形成され、コンデンサの電極間の電圧(Vp電圧)が時間的に変化すると、それに比例してコンデンサの電極間の電荷が時間的に変化して電流が流れ出すためと考えられる。つまり、このコンデンサ回路におけるコンデンサの容量Cと、コンデンサの電荷の変化ΔQと、コンデンサの電極間のVp電圧の変化ΔVpとは、次式(1)の関係にある。
ΔQ=C×ΔVp (1)
ΔQ=Riであるから、
Ri=C×ΔVp (2)
となる。式(2)より、Vp電圧の時間変化であるΔVpを小さくするほど、脈動電流(オーバーシュート電流)Riを低減することになる。
一方、図15に示すように、排気ガス中の空燃比(A/F)がストイキ点を跨がないときには、酸素濃度検出セル1300の出力電圧、ひいてはVp電圧は急激に変化しないので、ポンプ電流Ipに脈動電流Riは重畳されない。
そこで、リード部のうち、電極が達する最高温度よりも10%以上低温となる部位を少なくとも絶縁するようにすれば、印刷ズレを考慮して電極と絶縁層との間隔を適度に保ちつつ、オーバーシュート現象が生じるレベルとなるリード部の低温部を確実に絶縁することができる。
これにより、被測定ガスの雰囲気の変化に伴ってセルの起電力が急激に変化してガスの検出精度が低下するオーバーシュート現象を抑制できると共に、固体電解質体の特性劣化を抑制し、さらに電極の有効面積が減少してポンピング性能が低下することも抑制できる。
またこのガスセンサ素子によれば固体電解質体を充填する絶縁層を利用してリード部の絶縁を図る事ができる。
これにより、被測定ガスの雰囲気の変化に伴ってセルの起電力が急激に変化してガスの検出精度が低下するオーバーシュート現象を抑制できると共に、固体電解質体の特性劣化を抑制し、さらに電極の有効面積が減少してポンピング性能が低下することも抑制できる。
図1は本発明の第1の態様の実施形態に係るガスセンサ(酸素センサ)1の長手方向(軸線L方向)に沿う断面図、図2はガスセンサ素子100の模式分解斜視図である。
ヒータ200は、図2に示すように、アルミナを主体とする第1基体101及び第2基体103と、第1基体101と第2基体103とに挟まれ、白金を主体とする発熱体102を有している。発熱体102は、先端側に位置する発熱部102aと、発熱部102aから第1基体101の長手方向に沿って延びる一対のヒータリード部102bとを有している。そして、ヒータリード部102bの端末は、第1基体101に設けられるヒータ側スルーホール101aに形成された導体を介してヒータ側パッド120と電気的に接続している。第1基体101及び第2基体103を積層したものが絶縁セラミック体にあたる。
このように、本実施形態では、絶縁層125のうち、第1電極104a、第2電極106aに対向する位置がくり抜かれて第1固体電解質層125sが埋め込まれていると共に、後端側にスルーホール125aが設けられている。
第1電極104a及び第1リード部104bを合わせて第1電極部104とし、第2電極106a及び第2リード部106bを合わせて第2電極部106とする。
このように、本実施形態では、絶縁層129のうち、第3電極部108a、第4電極部110aに対向する位置がくり抜かれて第2固体電解質層129sが埋め込まれていると共に、後端側にスルーホール129a、129bが設けられている。
第3電極108a及び第3リード部108bを合わせて第3電極部108とし、第4電極110a及び第4リード部110bを合わせて第4電極部110とする。
ている。又、第2固体電解質層129sは、第3電極108a、第4電極110aの積層方向の重なり部分よりも外側にはみ出すような寸法とされている。同様に、第1固体電解質層125sは、第1電極104a、第2電極106aの積層方向の重なり部分よりも外側にはみ出すような寸法とされている。
第3リード部108b、第4リード部110bが特許請求の範囲の「リード部」に相当する。
又、絶縁層129及び第2固体電解質層129sが特許請求の範囲の「複合層」に相当する。絶縁層125及び第1固体電解質層125sが特許請求の範囲の「他部材」に相当する。
なお、本実施の形態のガスセンサ素子100は、酸素濃度検出セル130の電極間に生じるVs電圧(起電力)が所定の値(例えば、450mV)となるように、酸素ポンプセル140の電極間に流れる電流(Ip電流)の方向及び大きさが調整され、酸素ポンプセル140に流れるIp電流に応じた被測定ガス中の酸素濃度をリニアに検出する酸素センサ素子に相当する。
又、図1に示すように、ガスセンサ素子100の先端側の全周を覆う多孔質保護層20が設けられている。
多孔質層113aとしては、アルミナ等やムライト等のセラミックからなる多孔質体を例示することができる。多孔質層113aは、例えば上記セラミックとカーボン粒子の混合ペーストを焼成する際に、カーボンを焼失させて製造することができる。
図3は、第4電極110aと複合層との位置関係を示す積層方向から見た平面図、図4は図3のA−A線に沿う部分断面図である。
第4電極110aは、ヒータ200の発熱部102aと積層方向に重なる位置にあり(図2参照)、ヒータ200の加熱により第4電極110aのほぼ中心が最高温度に達する。一方、第4リード部110bは、第4電極110aに一体に接続されて長手方向に延びるため、第4電極110aから遠ざかるにつれ、その温度が上記最高温度から低下する。
そこで、上記最高温度よりも10%以上低温となる第4リード部110bの部位を符号Rで示すと、部位Rは、絶縁層129に接している一方で、長手方向に第2固体電解質層129sと離間している。さらに、本実施形態では、部位Rを超えて第4電極110a側にも絶縁部材129が延びている。
これにより、被測定ガスの雰囲気の変化に伴ってセルの起電力が急激に変化してガスの検出精度が低下するオーバーシュート現象を抑制できると共に、固体電解質層の特性劣化を抑制し、さらに第4電極110aの有効面積が減少してポンピング性能が低下することも抑制できる。
一方、第4リード部110bについては、印刷ズレが生じても第4電極110aと確実に重なるよう、第4電極110aとの長手方向の重なり部分を多めに設定すればよい。本実施例では、第4リード部110bの先端部が絶縁層129の先端よりも先端に位置(図中の上方が軸線方向先端側)し、第4電極110a上まで延びている事で、第4電極110aと第4リード部110bとを確実に接続できる。
ここで、従来のガスセンサにおいても、印刷ズレによって偶然に最高温度よりも10%以上低温となる部位Rに絶縁層が介在することはあるかも知れないが、大量生産するガスセンサのうちの一部に過ぎず、それ以外のガスセンサを廃棄することになるから、現実的な工業生産はできない。
さらに、本実施形態では、酸素濃度検出セル130を構成する第2電極106a、第1電極104aについても、各リード部の部位Rと、第1固体電解質層125sとの間に少なくとも絶縁層125が配置されている。
図5は本発明の第2の態様の実施形態に係るガスセンサが有するガスセンサ素子100Bの模式分解斜視図、図6は酸素ポンプセル100Bの第4電極110と絶縁層117aとの位置関係を示す積層方向から見た平面図、図7は図6のB−B線に沿う部分断面図である。
図5に示すように、第2固体電解質層109の後端側にスルーホール109a、109bが設けられている。同様に、第1固体電解質層105の後端側にスルーホール105aが設けられている。
つまり、ガスセンサ素子100Bは、固体電解質層が素子と略同寸法の層になっている。
第2固体電解質層109、第1固体電解質層105が、それぞれ特許請求の範囲の「固体電解質体」、「他部材」に相当する。
なお、スルーホール109a、109bは、それぞれガスセンサ素子100の第4スルーホール129a、第5スルーホール129bに対応した位置に設けられ、スルーホール105aは、ガスセンサ素子100の第1スルーホール125aに対応した位置に設けられている。
同様に、第1固体電解質層105と第2電極部106との間、及び第1固体電解質層105と第1電極部104との間には、それぞれ絶縁層117c、117dが介装されている。絶縁層117c、117dは、第1固体電解質層105と略同寸法であり、先端側にそれぞれ第2電極部106a、第1電極部104aが露出する開口117h3、117h4が形成されている。
なお、絶縁層117aの後端側には、第4スルーホール129a、第5スルーホール129bに重なる位置にそれぞれスルーホール117a1、117a2が設けられている。同様に、絶縁層117bの後端側には、第4スルーホール129a、第5スルーホール129bに重なる位置にそれぞれスルーホール117b1、117b2が設けられている。さらに、絶縁層117cの後端側には、第1スルーホール125aに重なる位置にスルーホール117c1が設けられている。
このように、第4電極110aが達する最高温度よりも10%以上低温となる部位Rを少なくとも絶縁するようにすれば、印刷ズレを考慮して第4電極110aと絶縁層117aとの間隔を適度に保ちつつ、オーバーシュート現象が生じるレベルの第4リード部110bの低温部を確実に絶縁することができる。
又、酸素ポンプセル140Bを構成する第3電極108a、第4電極110aのうち、少なくとも一方の電極について、部位Rに絶縁層が配置されていればよいが、本実施形態では、第3電極108a、第4電極110aの両電極について部位Rに絶縁層117a、117bが接している。さらに、部位Rを超えて第3電極108a側にも絶縁層117bが延びている。
さらに、本実施形態では、酸素濃度検出セル130Bを構成する第2電極106、第1電極104についても、各リード部の部位Rに、絶縁層117c、117dが配置されている。
例えば、上記実施形態では絶縁層117aを第2固体電解質層109と略同寸法としたが、絶縁層117aは部位Rと第2固体電解質層109との間に配置されていればよく、幅方向に第4リード部110bよりもやや広く第2固体電解質層109よりも狭幅の短冊状としてもよい。
なお、温度の測定は、センサ制御時のヒータ電圧を印加してサーモトレーサーにて温度をモニタする事で行ったが、例えば、熱電対を素子基板に付けて、センサ制御時のヒータ電圧を印加した際の温度を測定しても良い。
脈動電流(オーバーシュート電流)Riの抑制効果は、各ガスセンサを排気量2000ccの並列4気筒エンジンに繋がれた排気管に取り付け、センサ制御を行った後、所定のエンジン回転数(周波数)で排気ガスのλ(空燃比)をストイキ点を跨いで0.95から1.05に切り替えたとき、酸素ポンプセル140のポンプ電流Ipに、脈動電流Riが発生したか否かを評価した。具体的には、図8に示すように、各周波数でセンサ出力と、ガスの雰囲気λとの比を応答強度として算出した。このとき、センサ出力が0.95から1.05で変化すれば、上記応答強度は1となる。
一方、図9に示すように、ブランクとして、排気ガスのλ(空燃比)をストイキ点を跨がずに0.95(リッチ)近傍で切替え、同様に各周波数での応答強度を求めた(図9)。
そして、上記した最高温度との温度差(%)と、オーバーシュート割合との関係を図11にプロットした。
従って、これより、最高温度よりも10%以上低温となる第4リード部110bの部位と、第2固体電解質層109との間に絶縁層129が配置されていることが必要であるとみなした。
30 主体金具(ハウジング)
100、100B ガスセンサ素子
105,125,125s 他部材
107c 測定室
109、129s 固体電解質体
108a、110a 電極
108b、110b リード部
117a、117b、129 絶縁層
140、140B 酸素ポンプセル
200 ヒータ
L 軸線
R 最高温度よりも10%以上低温となるリード部の部位
Claims (3)
- 絶縁層に設けられた貫通孔に固体電解質体を充填してなる複合層と、前記固体電解質体の表面に形成され前記固体電解質体の積層方向の境界よりも内側に配置された一対の電極と、前記一対の電極に電気的に接続されて軸線方向に延びる一対のリード部とを有する酸素ポンプセルと、
前記複合層と間隔を開けて積層される他部材との間に区画され外部から被測定ガスを導入する測定室と、
前記複合層の積層方向に配置され前記酸素ポンプセルを加熱するヒータと、
を有し、前記軸線方向に延びると共に、前記酸素ポンプセルが前記測定室に導入される被測定ガス中の酸素の汲み入れ又は汲み出しを行うガスセンサ素子であって、
前記リード部は、前記電極より幅狭であり、
少なくとも一方の前記リード部のうち、前記ヒータの加熱により前記電極が達する最高温度よりも10%以上低温となる前記リード部の部位は、前記絶縁層に接していることを特徴とするガスセンサ素子。 - 板状の固体電解質体と前記固体電解質体の表面に配置された一対の電極と前記一対の電極に電気的に接続されて軸線方向に延びる一対のリード部とを有する酸素ポンプセルと、
前記固体電解質体と、該固体電解質体と間隔を開けて積層される他部材との間に区画され外部から被測定ガスを導入する測定室と、
前記固体電解質体の積層方向に配置され前記酸素ポンプセルを加熱するヒータと、
を有し、軸線方向に延びると共に、前記酸素ポンプセルが前記測定室に導入される被測定ガス中の酸素の汲み入れ又は汲み出しを行うガスセンサ素子であって、
前記リード部は、前記電極より幅狭であり、
少なくとも一方の前記リード部のうち、前記ヒータの加熱により前記電極が達する最高温度よりも10%以上低温となる前記リード部の部位と、前記固体電解質体との間に少なくとも絶縁層が配置され、かつ前記リード部の前記軸線方向先端部は、前記絶縁層よりも先端に位置することを特徴とするガスセンサ素子。 - 被測定ガス中の特定ガスを検出するガスセンサ素子と、該ガスセンサ素子を保持する主体金具と、を備えるガスセンサであって、
前記ガスセンサ素子として、請求項1又は2に記載のガスセンサ素子を備えるガスセンサ。
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