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JP2017157683A - Led light-emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents

Led light-emitting device and manufacturing method thereof Download PDF

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JP2017157683A
JP2017157683A JP2016039537A JP2016039537A JP2017157683A JP 2017157683 A JP2017157683 A JP 2017157683A JP 2016039537 A JP2016039537 A JP 2016039537A JP 2016039537 A JP2016039537 A JP 2016039537A JP 2017157683 A JP2017157683 A JP 2017157683A
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chip
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translucent resin
emitting device
resin
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邦夫 岩城
Kunio Iwaki
邦夫 岩城
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LED light-emitting device that can be made thin.SOLUTION: An LED light-emitting device A1 includes an LED chip 1 having a semiconductor layer 12, a chip main face 1a and a chip reverse face 1b directing oppositely to each other in the thickness direction (z direction) of the semiconductor layer 12, and a p-side electrode 13 formed on the chip main face 1a, a translucent resin 5 covering other than the chip reverse face 1b of the LED chip 1, and transmitting the light from the LED chip 1, and a first electrode pad 21 subjected to conduction bonding to the p-side electrode 13 by means of a wire 31, and having a first principal surface 21a to which a wire 31 is bonded, and a first reverse surface directing the opposite side to the first electrode pad 21. The translucent resin 5 includes a translucent resin reverse face 5b directing the same direction as the chip reverse face 1b. The chip reverse face 1b and a first reverse face 21b are exposed from the translucent resin reverse face 5b, and are flush with the translucent resin reverse face 5b.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、光源としてLEDチップを備えるLED発光装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to an LED light emitting device including an LED chip as a light source and a method for manufacturing the same.

特許文献1には、従来のLED発光装置の一例が開示されている。同文献に開示されたLED発光装置は、基板と当該基板に搭載されたLEDチップとを備える。前記LEDチップは、前記基板の片面上に実装されている。また、前記LED発光装置は、前記LEDチップを覆う透光樹脂を備える。また、前記LEDチップから側方に進行する光を前記片面が向く方向へと反射するリフレクタが備えられる場合がある。   Patent Document 1 discloses an example of a conventional LED light emitting device. The LED light-emitting device disclosed in this document includes a substrate and an LED chip mounted on the substrate. The LED chip is mounted on one side of the substrate. The LED light-emitting device includes a translucent resin that covers the LED chip. In some cases, a reflector that reflects light traveling sideways from the LED chip in a direction in which the one side faces is provided.

前記LEDチップは、前記基板の前記片面上に実装されているため、前記基板から突出する。さらに、前記透光樹脂や前記リフレクタは、前記LEDチップよりも厚さが大とならざるを得ない。したがって、前記LED発光装置の厚さ方向寸法を小さくして、前記LED発光装置を薄型化することは容易ではない。   Since the LED chip is mounted on the one surface of the substrate, the LED chip protrudes from the substrate. Furthermore, the translucent resin and the reflector must be thicker than the LED chip. Therefore, it is not easy to make the LED light-emitting device thin by reducing the thickness direction dimension of the LED light-emitting device.

特開2015−191924号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2015-191924

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、薄型化を図ることが可能なLED発光装置を提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and an object thereof is to provide an LED light-emitting device that can be reduced in thickness.

本発明の第1の側面によって提供されるLED発光装置は、半導体層と、前記半導体層の厚さ方向において互いに反対側を向くチップ主面およびチップ裏面と、前記チップ主面に形成された第1電極とを備えるLEDチップと、前記LEDチップの前記チップ裏面以外を覆う、前記LEDチップからの光を透過させる透光樹脂と、第1ワイヤによって前記第1電極と導通接合されており、前記第1ワイヤがボンディングされる第1主面と、前記第1主面の反対側を向く第1裏面と、を備える第1電極パッドとを備えており、前記透光樹脂は、前記チップ裏面と同じ方向を向く透光樹脂裏面を備え、前記チップ裏面と前記第1裏面とは、前記透光樹脂裏面から露出し、且つ前記透光樹脂裏面と面一になっていることを特徴とする。   The LED light emitting device provided by the first aspect of the present invention includes a semiconductor layer, a chip main surface and a chip back surface that face opposite sides in the thickness direction of the semiconductor layer, and a first formed on the chip main surface. An LED chip comprising one electrode, a translucent resin that transmits light from the LED chip that covers the LED chip other than the back surface of the LED chip, and is electrically connected to the first electrode by a first wire, A first electrode pad including a first main surface to which the first wire is bonded and a first back surface facing the opposite side of the first main surface, and the translucent resin includes the chip back surface, A back surface of the transparent resin facing in the same direction is provided, and the back surface of the chip and the first back surface are exposed from the back surface of the transparent resin and are flush with the back surface of the transparent resin.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記LEDチップは、前記チップ主面に形成された第2電極をさらに備えており、第2ワイヤによって前記第2の電極と導通接合されており、前記第2ワイヤがボンディングされる第2主面と、前記第2主面の反対側を向く第2裏面とを備える第2電極パッドを、前記LED発光装置はさらに備えており、前記第2裏面は、前記透光樹脂裏面から露出し、且つ前記透光樹脂裏面と面一になっている。   In a preferred embodiment of the present invention, the LED chip further includes a second electrode formed on the chip main surface, and is electrically connected to the second electrode by a second wire. The LED light emitting device further includes a second electrode pad including a second main surface to which two wires are bonded and a second back surface facing the opposite side of the second main surface, and the second back surface is It is exposed from the back surface of the translucent resin and is flush with the back surface of the translucent resin.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記LEDチップは、前記半導体層を挟んで前記第1電極とは反対側に位置し、且つ前記チップ裏面を構成する第2電極をさらに備えている。   In a preferred embodiment of the present invention, the LED chip further includes a second electrode located on the opposite side of the first electrode with the semiconductor layer interposed therebetween and constituting the back surface of the chip.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記LED発光装置は、前記チップ主面と同じ方向を向く不透光樹脂主面、前記チップ裏面と同じ方向を向く不透光樹脂裏面、および、前記不透光樹脂主面と前記不透光樹脂裏面とを繋ぎ、且つ前記LEDチップを囲む反射面を有する不透光樹脂をさらに備えており、前記不透光樹脂裏面は、前記チップ裏面と面一になっている。   In a preferred embodiment of the present invention, the LED light-emitting device includes an opaque resin main surface facing the same direction as the chip main surface, an opaque resin back surface facing the same direction as the chip back surface, and the non-transparent resin surface. A translucent resin having a reflective surface that connects the translucent resin main surface and the translucent resin back surface and surrounds the LED chip is further provided, and the translucent resin back surface is flush with the chip back surface. It has become.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記不透光樹脂は、前記第1主面の少なくとも一部を露出させており、前記第1ワイヤは、前記第1主面のうち、前記不透光樹脂から露出した領域にボンディングされている。   In a preferred embodiment of the present invention, the opaque resin exposes at least a part of the first main surface, and the first wire includes the opaque light in the first main surface. Bonded to the area exposed from the resin.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記反射面は、前記不透光樹脂裏面に平行な断面が円形状である。   In a preferred embodiment of the present invention, the reflecting surface has a circular cross section parallel to the back surface of the opaque resin.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記反射面は、前記不透光樹脂裏面に平行な断面が、前記第1電極パッドの方向に突出した部分を有する形状である。   In a preferred embodiment of the present invention, the reflection surface has a shape in which a cross section parallel to the back surface of the opaque resin has a portion protruding in the direction of the first electrode pad.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記透光樹脂は、前記不透光樹脂主面と面一である透光樹脂主面を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, the translucent resin has a translucent resin main surface that is flush with the translucent resin main surface.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記不透光樹脂は、白色樹脂からなる。   In a preferred embodiment of the present invention, the opaque resin is made of a white resin.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記透光樹脂の形状は、直方体形状である。   In preferable embodiment of this invention, the shape of the said translucent resin is a rectangular parallelepiped shape.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記透光樹脂の形状は、前記チップ主面が向く方向に膨出する部分を有する砲弾型形状である。   In a preferred embodiment of the present invention, the shape of the translucent resin is a bullet-shaped shape having a portion that bulges in a direction in which the chip main surface faces.

本発明の第2の側面によって提供される製造方法は、LED発光装置の製造方法であって、固定部材の片面に電極パッドを形成する工程と、前記固定部材の片面に、電極を有するLEDチップを配置する工程と、前記LEDチップの前記電極と前記電極パッドとを、ワイヤで導通接合する工程と、前記LEDチップおよび前記ワイヤを覆うように、前記LEDチップからの光を透過させる透光樹脂を形成する工程と、前記固定部材を、前記LEDチップ、前記電極パッドおよび前記透光樹脂から剥離する工程とを備えることを特徴とする。   The manufacturing method provided by the 2nd side surface of this invention is a manufacturing method of LED light-emitting device, Comprising: The process which forms an electrode pad in the single side | surface of a fixing member, The LED chip which has an electrode in the single side | surface of the said fixing member A step of electrically connecting the electrode and the electrode pad of the LED chip with a wire, and a translucent resin that transmits light from the LED chip so as to cover the LED chip and the wire And a step of peeling the fixing member from the LED chip, the electrode pad and the translucent resin.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記透光樹脂を形成する工程の前に、前記LEDチップを囲むように不透光樹脂を形成する工程を備えており、前記透光樹脂は、液体の樹脂を、上記不透光樹脂の前記LEDチップを囲む領域に注入して硬化させることで形成される。   In a preferred embodiment of the present invention, prior to the step of forming the light-transmitting resin, a step of forming a light-impermeable resin so as to surround the LED chip is provided. It is formed by injecting resin into a region surrounding the LED chip of the opaque resin and curing it.

本発明の好ましい実施の形態においては、前記固定部材は、ダイシングテープである。   In a preferred embodiment of the present invention, the fixing member is a dicing tape.

本発明によれば、前記チップ裏面は露出しており、前記チップ裏面を支持する基板などを備えていない。また、前記チップ裏面、前記第1裏面、および、前記透光樹脂裏面は、すべて面一になっている。これにより、厚さ方向寸法を、基板などの寸法を含まない、前記透光樹脂の厚さ方向寸法とすることができる。したがって、前記LED発光装置の薄型化を図ることができる。   According to the present invention, the back surface of the chip is exposed and does not include a substrate or the like that supports the back surface of the chip. The chip back surface, the first back surface, and the translucent resin back surface are all flush with each other. Thereby, the thickness direction dimension can be made into the thickness direction dimension of the said translucent resin which does not include dimensions, such as a board | substrate. Therefore, the LED light emitting device can be thinned.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明の第1実施形態に基づくLED発光装置を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the LED light-emitting device based on 1st Embodiment of this invention. 図1のLED発光装置を示す底面図である。It is a bottom view which shows the LED light-emitting device of FIG. 図1のIII−III線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the III-III line of FIG. 図1のLED発光装置の製造方法の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the manufacturing method of the LED light-emitting device of FIG. 本発明の第2実施形態に基づくLED発光装置を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the LED light-emitting device based on 2nd Embodiment of this invention. 図5のLED発光装置を示す底面図である。It is a bottom view which shows the LED light-emitting device of FIG. 図5のVII−VII線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the VII-VII line of FIG. 本発明の第3実施形態に基づくLED発光装置を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the LED light-emitting device based on 3rd Embodiment of this invention. 図8のLED発光装置を示す底面図である。It is a bottom view which shows the LED light-emitting device of FIG. 図8のX−X線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XX line of FIG. 本発明の第4実施形態に基づくLED発光装置を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the LED light-emitting device based on 4th Embodiment of this invention. 図11のLED発光装置を示す底面図である。It is a bottom view which shows the LED light-emitting device of FIG. 図11のXIII−XIII線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XIII-XIII line | wire of FIG. 本発明の第4実施形態に基づくLED発光装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the LED light-emitting device based on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に基づくLED発光装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the LED light-emitting device based on 4th Embodiment of this invention.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図1〜図3は、本発明の第1実施形態に基づくLED発光装置を示している。本実施形態のLED発光装置A1は、LEDチップ1、第1電極パッド21、第2電極パッド22、ワイヤ31,32、リフレクタ4、および、透光樹脂5を備えている。   1 to 3 show an LED light-emitting device according to a first embodiment of the present invention. The LED light emitting device A1 of the present embodiment includes an LED chip 1, a first electrode pad 21, a second electrode pad 22, wires 31, 32, a reflector 4, and a translucent resin 5.

図1は、LED発光装置A1を示す要部平面図である。図2は、LED発光装置A1を示す底面図である。図3は、図1のIII−III線に沿う断面図である。なお、これらの図において、LED発光装置A1の厚さ方向をz方向、z方向に直角である方向をx方向およびy方向とする。図1および図2においては、理解の便宜上、透光樹脂5にハッチングを付している。   FIG. 1 is a plan view of an essential part showing the LED light emitting device A1. FIG. 2 is a bottom view showing the LED light emitting device A1. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. In these drawings, the thickness direction of the LED light emitting device A1 is defined as the z direction, and the directions perpendicular to the z direction are defined as the x direction and the y direction. In FIG. 1 and FIG. 2, the translucent resin 5 is hatched for convenience of understanding.

LEDチップ1は、LED発光装置A1の光源であり、たとえば可視光、赤外光、紫外光等を発する。LEDチップ1は、支持基板11に半導体層12を積層させて形成されており、半導体層12の厚さ方向(z方向)の半導体層12側のチップ主面1aと、厚さ方向の支持基板11側のチップ裏面1bとを備えている(図3参照)。また、LEDチップ1は、いわゆる2ワイヤタイプのチップであり、半導体層12のp型半導体層に導通するp側電極13およびn型半導体層に導通するn側電極14が、チップ主面1aに形成されている(図3参照)。p側電極13には、ワイヤ31の一端がボンディングされ、n側電極14には、ワイヤ32の一端がボンディングされる。「p側電極13」が本発明の「第1電極」に相当し、「n側電極14」が本発明の「第2電極」に相当する。なお、LEDチップ1の構造は、これに限定されない。   The LED chip 1 is a light source of the LED light emitting device A1, and emits, for example, visible light, infrared light, ultraviolet light, and the like. The LED chip 1 is formed by laminating a semiconductor layer 12 on a support substrate 11. The chip main surface 1 a on the semiconductor layer 12 side in the thickness direction (z direction) of the semiconductor layer 12 and the support substrate in the thickness direction. 11 side chip back surface 1b (see FIG. 3). The LED chip 1 is a so-called two-wire type chip, and a p-side electrode 13 conducting to the p-type semiconductor layer of the semiconductor layer 12 and an n-side electrode 14 conducting to the n-type semiconductor layer are formed on the chip main surface 1a. It is formed (see FIG. 3). One end of a wire 31 is bonded to the p-side electrode 13, and one end of a wire 32 is bonded to the n-side electrode 14. The “p-side electrode 13” corresponds to the “first electrode” of the present invention, and the “n-side electrode 14” corresponds to the “second electrode” of the present invention. The structure of the LED chip 1 is not limited to this.

第1電極パッド21および第2電極パッド22は、LED発光装置A1を回路基板などに実装する際に、導通接合される電極として用いられるものである。第1電極パッド21および第2電極パッド22は、たとえば、Cu、Ni、Ti、Au等の単種類または複数種類の金属からなり、たとえばメッキによって形成される。第1電極パッド21は、ワイヤ31の他端がボンディングされる第1主面21a、および、第1主面21aの反対側を向く第1裏面21bを備えている。また、第2電極パッド22は、ワイヤ32の他端がボンディングされる第2主面22a、および、第2主面22aの反対側を向く第2裏面22bを備えている。   The first electrode pad 21 and the second electrode pad 22 are used as electrodes that are conductively joined when the LED light emitting device A1 is mounted on a circuit board or the like. The first electrode pad 21 and the second electrode pad 22 are made of, for example, a single type or a plurality of types of metals such as Cu, Ni, Ti, and Au, and are formed by plating, for example. The first electrode pad 21 includes a first main surface 21a to which the other end of the wire 31 is bonded, and a first back surface 21b facing the opposite side of the first main surface 21a. The second electrode pad 22 includes a second main surface 22a to which the other end of the wire 32 is bonded, and a second back surface 22b facing the opposite side of the second main surface 22a.

LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、および、第2電極パッド22の第2裏面22bは、リフレクタ4および透光樹脂5から露出しており(図2,3参照)、面一になっている(図3参照)。   The chip back surface 1b of the LED chip 1, the first back surface 21b of the first electrode pad 21, and the second back surface 22b of the second electrode pad 22 are exposed from the reflector 4 and the translucent resin 5 (FIGS. 2 and 3). See FIG. 3).

ワイヤ31,32は、LEDチップ1と第1電極パッド21および第2電極パッド22とを導通させるためのものであり、たとえばAu等の金属からなる。ワイヤ31の一端はLEDチップ1のp側電極13にボンディングされており、他端は第1電極パッド21の第1主面21aにボンディングされている。また、ワイヤ32の一端はLEDチップ1のn側電極14にボンディングされており、他端は電極パッド22の第2主面22aにボンディングされている。   The wires 31 and 32 are for electrically connecting the LED chip 1 to the first electrode pad 21 and the second electrode pad 22 and are made of a metal such as Au. One end of the wire 31 is bonded to the p-side electrode 13 of the LED chip 1, and the other end is bonded to the first main surface 21 a of the first electrode pad 21. One end of the wire 32 is bonded to the n-side electrode 14 of the LED chip 1, and the other end is bonded to the second main surface 22 a of the electrode pad 22.

リフレクタ4は、LEDチップ1から側方に発せられた光をチップ主面1a側に向けて反射するためのものである。リフレクタ4は、たとえば白色のシリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなり、LEDチップ1を囲むように形成されている。リフレクタ4は、チップ主面1aと同じ方向を向くリフレクタ主面4aと、チップ裏面1bと同じ方向を向くリフレクタ裏面4bと、リフレクタ主面4aとリフレクタ裏面4bとを繋ぎ、且つLEDチップ1を囲む反射面4cとを備えている。また、リフレクタ4は、リフレクタ主面4a側に開口する主面側開口部41、および、リフレクタ裏面4b側に開口する裏面側開口部42を有する。「リフレクタ4」が本発明の「不透光樹脂」に相当する。また、「リフレクタ主面4a」が本発明の「不透光樹脂主面」に相当し、「リフレクタ裏面4b」が本発明の「不透光樹脂裏面」に相当する。リフレクタ4は、例えばモールド成形によって形成される。   The reflector 4 is for reflecting the light emitted from the LED chip 1 to the side toward the chip main surface 1a. The reflector 4 is made of, for example, white silicone resin or epoxy resin, and is formed so as to surround the LED chip 1. The reflector 4 connects the reflector main surface 4a facing the same direction as the chip main surface 1a, the reflector back surface 4b facing the same direction as the chip back surface 1b, the reflector main surface 4a and the reflector back surface 4b, and surrounds the LED chip 1. And a reflective surface 4c. The reflector 4 also has a main surface side opening 41 that opens to the reflector main surface 4a side, and a back surface side opening 42 that opens to the reflector back surface 4b side. The “reflector 4” corresponds to the “opaque resin” of the present invention. The “reflector main surface 4a” corresponds to the “opaque resin main surface” of the present invention, and the “reflector back surface 4b” corresponds to the “opaque resin back surface” of the present invention. The reflector 4 is formed by molding, for example.

本実施形態においては、反射面4cは、リフレクタ4の厚さ方向(z方向)においてリフレクタ裏面4bから離間するほど、z方向に対して直角である方向においてLEDチップ1から遠ざかるように傾斜している。つまり、反射面4cは、z方向に直交する断面が、リフレクタ主面4a側に向かうほど大きくなるテーパ形状になっている。また、反射面4cは、z方向に直交する断面(リフレクタ裏面4bに平行な断面)が円形状になっている。   In the present embodiment, the reflective surface 4c is inclined so as to be farther from the LED chip 1 in a direction perpendicular to the z direction as it is separated from the reflector back surface 4b in the thickness direction (z direction) of the reflector 4. Yes. That is, the reflecting surface 4c has a tapered shape in which a cross section perpendicular to the z direction increases toward the reflector main surface 4a. Further, the reflecting surface 4c has a circular cross section perpendicular to the z direction (a cross section parallel to the reflector back surface 4b).

リフレクタ4は、第1電極パッド21の第1主面21aのうち、ワイヤ31がボンディングされる領域を露出させるように、また、第2電極パッド22の第2主面22aのうち、ワイヤ32がボンディングされる領域を露出させるように形成されている(図1,3参照)。また、リフレクタ4のリフレクタ裏面4bは、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21bおよび第2電極パッド22の第2裏面22bと面一になっている(図3参照)。   The reflector 4 exposes the region of the first main surface 21a of the first electrode pad 21 where the wire 31 is bonded, and the wire 32 of the second main surface 22a of the second electrode pad 22 A region to be bonded is exposed (see FIGS. 1 and 3). The reflector back surface 4b of the reflector 4 is flush with the chip back surface 1b of the LED chip 1, the first back surface 21b of the first electrode pad 21, and the second back surface 22b of the second electrode pad 22 (see FIG. 3). ).

透光樹脂5は、LEDチップ1のチップ裏面1b以外を覆っており、リフレクタ4の反射面4cによって囲まれた空間を埋めている。透光樹脂5は、たとえば透明または半透明のシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの、LEDチップ1からの光を透過させる材質からなる。透光樹脂5は、たとえば、リフレクタ4の反射面4cによって囲まれた空間に、主面側開口部41から、液体状態の透光樹脂材料を注入し、その後硬化させることで形成される。透光樹脂5は、チップ主面1aと同じ方向を向く透光樹脂主面5aと、チップ裏面1bと同じ方向を向く透光樹脂裏面5bとを備えている。なお、透光樹脂5は、LEDチップ1からの光によって励起されることにより当該光とは異なる波長の光を発する蛍光材料を含んでいてもよい。   The translucent resin 5 covers other than the chip back surface 1 b of the LED chip 1 and fills the space surrounded by the reflecting surface 4 c of the reflector 4. The translucent resin 5 is made of a material that transmits light from the LED chip 1 such as a transparent or translucent silicone resin or epoxy resin. The translucent resin 5 is formed, for example, by injecting a translucent resin material in a liquid state from the main surface side opening 41 into a space surrounded by the reflection surface 4c of the reflector 4 and then curing it. The translucent resin 5 includes a translucent resin main surface 5a facing the same direction as the chip main surface 1a and a translucent resin back surface 5b facing the same direction as the chip back surface 1b. The translucent resin 5 may include a fluorescent material that emits light having a wavelength different from that of the light when excited by the light from the LED chip 1.

透光樹脂5は、リフレクタ4の裏面側開口部42から突出しないように形成され、透光樹脂裏面5bは、リフレクタ裏面4bと面一になっている(図3参照)。すなわち、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、第2電極パッド22の第2裏面22b、リフレクタ4のリフレクタ裏面4b、および、透光樹脂5の透光樹脂裏面5bは、すべて面一になっている。   The translucent resin 5 is formed so as not to protrude from the opening 42 on the back surface side of the reflector 4, and the translucent resin back surface 5b is flush with the reflector back surface 4b (see FIG. 3). That is, the chip back surface 1 b of the LED chip 1, the first back surface 21 b of the first electrode pad 21, the second back surface 22 b of the second electrode pad 22, the reflector back surface 4 b of the reflector 4, and the translucent resin back surface of the translucent resin 5. 5b is all flat.

また、本実施形態では、透光樹脂5は、リフレクタ4の主面側開口部41から突出しないように形成されており、透光樹脂主面5aとリフレクタ主面4aとは面一になっている(図3参照)。なお、透光樹脂5をリフレクタ4の主面側開口部41から盛り上がった状態で形成し、レンズとして機能させるようにしてもよい。ただし、LED発光装置A1をより薄型化するためには、透光樹脂主面5aとリフレクタ主面4aとを面一にすることが望ましい。   In the present embodiment, the translucent resin 5 is formed so as not to protrude from the main surface side opening 41 of the reflector 4, and the translucent resin main surface 5a and the reflector main surface 4a are flush with each other. (See FIG. 3). The translucent resin 5 may be formed so as to rise from the main surface side opening 41 of the reflector 4 and function as a lens. However, in order to make the LED light emitting device A1 thinner, it is desirable that the translucent resin main surface 5a and the reflector main surface 4a be flush with each other.

次に、図4を参照して、LED発光装置A1の製造方法の一例を説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the LED light emitting device A1 will be described with reference to FIG.

まず、接着面6aが上方に向くように配置された耐熱性ダイシングテープ6の上面(接着面6a)に、第1電極パッド21および第2電極パッド22を形成し、LEDチップ1を配置する(図4(a)参照)。当該耐熱性ダイシングテープ6が、本発明の「固定部材」に相当する。第1電極パッド21および第2電極パッド22の形成は、たとえば、メッキによって行われる。具体的には、まず、無電解メッキによって、耐熱性ダイシングテープ6上に、いわゆるべた塗り状にCuメッキ層を形成する。そして、Cuメッキ層にたとえばエッチングを用いたパターニングを施し、電解メッキによって、Cu,Ni,Auなどの金属メッキ層を形成することで、第1電極パッド21および第2電極パッド22を形成する。なお、その他の方法で形成してもよいし、あらかじめ作成した第1電極パッド21および第2電極パッド22を配置するようにしてもよい。第1電極パッド21(第2電極パッド22)の耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに接する面が、第1裏面21b(第2裏面22b)になる。そして、第1電極パッド21と第2電極パッド22との間に、LEDチップ1を配置する。LEDチップ1は、チップ裏面1bが耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに接するように配置される。なお、先にLEDチップ1を配置してから、第1電極パッド21および第2電極パッド22を形成または配置するようにしてもよい。   First, the 1st electrode pad 21 and the 2nd electrode pad 22 are formed in the upper surface (adhesion surface 6a) of the heat resistant dicing tape 6 arrange | positioned so that the adhesion surface 6a may face upwards, and LED chip 1 is arrange | positioned ( (See FIG. 4 (a)). The heat-resistant dicing tape 6 corresponds to the “fixing member” of the present invention. The formation of the first electrode pad 21 and the second electrode pad 22 is performed, for example, by plating. Specifically, first, a Cu plating layer is formed in a so-called solid coating form on the heat-resistant dicing tape 6 by electroless plating. Then, the first electrode pad 21 and the second electrode pad 22 are formed by performing patterning using, for example, etching on the Cu plating layer and forming a metal plating layer such as Cu, Ni, or Au by electrolytic plating. The first electrode pad 21 and the second electrode pad 22 created in advance may be formed by other methods. The surface of the first electrode pad 21 (second electrode pad 22) in contact with the adhesive surface 6a of the heat-resistant dicing tape 6 is the first back surface 21b (second back surface 22b). Then, the LED chip 1 is disposed between the first electrode pad 21 and the second electrode pad 22. The LED chip 1 is arranged so that the chip back surface 1 b is in contact with the adhesive surface 6 a of the heat-resistant dicing tape 6. The first electrode pad 21 and the second electrode pad 22 may be formed or disposed after the LED chip 1 is disposed first.

次に、LEDチップ1と第1電極パッド21および第2電極パッド22とを、それぞれワイヤ31,32のボンディングによって導通接合する(図4(b)参照)。   Next, the LED chip 1 is electrically connected to the first electrode pad 21 and the second electrode pad 22 by bonding wires 31 and 32, respectively (see FIG. 4B).

次に、LEDチップ1を囲むようにして、耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに、リフレクタ4を形成する(図4(c)参照)。リフレクタ4は、たとえばモールド成形によって、耐熱性ダイシングテープ6上に形成される。なお、リフレクタ4を別途作成しておいて、耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに配置するようにしてもよい。リフレクタ4の耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに向かう面が、リフレクタ裏面4bになる。なお、LEDチップ1を配置する前に、リフレクタ4を形成するようにしてもよいし、リフレクタ4を形成してから、LEDチップ1にワイヤ31,32をボンディングするようにしてもよい。   Next, the reflector 4 is formed on the adhesive surface 6a of the heat-resistant dicing tape 6 so as to surround the LED chip 1 (see FIG. 4C). The reflector 4 is formed on the heat-resistant dicing tape 6 by, for example, molding. Alternatively, the reflector 4 may be prepared separately and disposed on the adhesive surface 6 a of the heat resistant dicing tape 6. The surface of the reflector 4 facing the adhesive surface 6a of the heat-resistant dicing tape 6 becomes the reflector back surface 4b. Note that the reflector 4 may be formed before the LED chip 1 is disposed, or the wires 31 and 32 may be bonded to the LED chip 1 after the reflector 4 is formed.

次に、リフレクタ4の反射面4cによって囲まれた空間に、透光樹脂5を形成する(図4(d)参照)。具体的には、リフレクタ4の反射面4cによって囲まれた空間に、主面側開口部41から、液体状態の透光樹脂材料を注入し、その後硬化させることで形成する。注入する透光樹脂材料の粘度および量を適切に調整することで、透光樹脂5がリフレクタ4の主面側開口部41から突出しないようにしている。透光樹脂5の耐熱性ダイシングテープ6の接着面6aに向かう面が、透光樹脂裏面5bになる。   Next, the translucent resin 5 is formed in the space surrounded by the reflecting surface 4c of the reflector 4 (see FIG. 4D). Specifically, the light-transmitting resin material in a liquid state is injected into the space surrounded by the reflecting surface 4c of the reflector 4 from the main surface side opening 41 and then cured. By appropriately adjusting the viscosity and amount of the translucent resin material to be injected, the translucent resin 5 is prevented from protruding from the main surface side opening 41 of the reflector 4. The surface of the translucent resin 5 facing the adhesive surface 6a of the heat-resistant dicing tape 6 becomes the translucent resin back surface 5b.

次に、所定の位置で切断を行い、耐熱性ダイシングテープ6を、LEDチップ1、第1電極パッド21、第2電極パッド22、リフレクタ4および透光樹脂5から剥離することにより、LED発光装置A1が得られる(図4(e))。なお、先に、耐熱性ダイシングテープ6を剥離してから切断するようにしてもよい。   Next, cutting is performed at a predetermined position, and the heat-resistant dicing tape 6 is peeled off from the LED chip 1, the first electrode pad 21, the second electrode pad 22, the reflector 4, and the translucent resin 5, so that the LED light emitting device A1 is obtained (FIG. 4 (e)). In addition, you may make it cut | disconnect, after peeling the heat-resistant dicing tape 6 previously.

耐熱性ダイシングテープ6上にLEDチップ1、第1電極パッド21および第2電極パッド22を配置し、その上からリフレクタ4および透光樹脂5を形成して、その後、耐熱性ダイシングテープ6を剥がすので、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21bおよび第2電極パッド22の第2裏面22bは、リフレクタ4および透光樹脂5から露出した状態になる。また、チップ裏面1b、第1裏面21b、第2裏面22b、リフレクタ裏面4bおよび透光樹脂裏面5bは、すべて面一になる。   The LED chip 1, the first electrode pad 21 and the second electrode pad 22 are arranged on the heat-resistant dicing tape 6, the reflector 4 and the translucent resin 5 are formed thereon, and then the heat-resistant dicing tape 6 is peeled off. Therefore, the chip back surface 1 b of the LED chip 1, the first back surface 21 b of the first electrode pad 21, and the second back surface 22 b of the second electrode pad 22 are exposed from the reflector 4 and the translucent resin 5. The chip back surface 1b, the first back surface 21b, the second back surface 22b, the reflector back surface 4b, and the translucent resin back surface 5b are all flush with each other.

なお、耐熱性ダイシングテープ6は、製造工程においてLEDチップ1、第1電極パッド21および第2電極パッド22を固定しておくためのものなので、他の固定部材で代用するようにしてもよい。例えば、板状の部材に粘着剤を塗布したものであってもよい。   The heat-resistant dicing tape 6 is used to fix the LED chip 1, the first electrode pad 21, and the second electrode pad 22 in the manufacturing process, and may be replaced with another fixing member. For example, a plate-like member coated with an adhesive may be used.

次に、LED発光装置A1の作用について説明する。   Next, the operation of the LED light emitting device A1 will be described.

本実施形態によれば、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出している。つまり、LED発光装置A1は、LEDチップ1のチップ裏面1bを支持する基板を備えておらず、リフレクタ4によってチップ裏面1bを支持するようにもなっていない。また、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、第2電極パッド22の第2裏面22b、リフレクタ4のリフレクタ裏面4b、および、透光樹脂5の透光樹脂裏面5bは、すべて面一になっている。したがって、リフレクタ4および透光樹脂5の厚さ方向寸法が、LED発光装置A1の厚さ方向寸法になる。これにより、基板やリフレクタでLEDチップ1のチップ裏面1bを支持するものと比べて、厚さ方向寸法が小さくなる。したがって、LED発光装置A1の薄型化を図ることができる。   According to this embodiment, the chip back surface 1b of the LED chip 1 is exposed. That is, the LED light emitting device A1 does not include a substrate that supports the chip back surface 1b of the LED chip 1, and does not support the chip back surface 1b by the reflector 4. Further, the chip back surface 1 b of the LED chip 1, the first back surface 21 b of the first electrode pad 21, the second back surface 22 b of the second electrode pad 22, the reflector back surface 4 b of the reflector 4, and the translucent resin back surface of the translucent resin 5. 5b is all flat. Therefore, the thickness direction dimension of the reflector 4 and the translucent resin 5 becomes the thickness direction dimension of the LED light emitting device A1. Thereby, the thickness direction dimension becomes small compared with what supports the chip | tip back surface 1b of the LED chip 1 with a board | substrate or a reflector. Therefore, the LED light emitting device A1 can be thinned.

また、本実施形態によれば、透光樹脂5の透光樹脂主面5aとリフレクタ4のリフレクタ主面4aとが面一になっている。これにより、透光樹脂5がリフレクタ4の主面側開口部41から突出した形状のものと比べて、厚さ方向寸法が小さくなる。したがって、LED発光装置A1の薄型化を図ることができる。   Moreover, according to this embodiment, the translucent resin main surface 5a of the translucent resin 5 and the reflector main surface 4a of the reflector 4 are flush with each other. Thereby, compared with the thing of the shape where the translucent resin 5 protruded from the main surface side opening part 41 of the reflector 4, the thickness direction dimension becomes small. Therefore, the LED light emitting device A1 can be thinned.

また、本実施形態によれば、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出しているので、LED発光装置A1を回路基板などに実装した場合に、チップ裏面1bが回路基板に直接接することになる。したがって、LEDチップ1の熱を回路基板に放出することができるので、放熱性がよい。   Further, according to the present embodiment, since the chip back surface 1b of the LED chip 1 is exposed, when the LED light emitting device A1 is mounted on a circuit board or the like, the chip back surface 1b is in direct contact with the circuit board. Therefore, since the heat of the LED chip 1 can be released to the circuit board, the heat dissipation is good.

また、本実施形態によれば、リフレクタ4の反射面4cは、z方向に直交する断面(リフレクタ裏面4bに平行な断面)が円形状になっている。これにより、LED発光装置A1から、より均一な光を出射することができる。   Further, according to the present embodiment, the reflecting surface 4c of the reflector 4 has a circular cross section perpendicular to the z direction (a cross section parallel to the reflector back surface 4b). Thereby, more uniform light can be emitted from the LED light emitting device A1.

また、本実施形態によれば、リフレクタ4は、第1主面21aおよび第2主面22aのワイヤ31,32がボンディングされる領域を露出させるように形成される。これにより、ワイヤボンディング後にリフレクタ4を形成する際に、ワイヤ31,32が邪魔にならないようにすることができる。また、ワイヤボンディングの前にリフレクタ4を形成した場合、リフレクタ4がワイヤボンディングの邪魔にならないようにすることができる。   Moreover, according to this embodiment, the reflector 4 is formed so that the area | region where the wires 31 and 32 of the 1st main surface 21a and the 2nd main surface 22a are bonded may be exposed. Thereby, when forming the reflector 4 after wire bonding, the wires 31 and 32 can be prevented from getting in the way. Further, when the reflector 4 is formed before the wire bonding, the reflector 4 can be prevented from interfering with the wire bonding.

また、本実施形態によれば、LED発光装置A1は、耐熱性ダイシングテープ6上にLEDチップ1、第1電極パッド21および第2電極パッド22を配置し、その上からリフレクタ4および透光樹脂5を形成して、その後、耐熱性ダイシングテープ6を剥がすことで製造される。これにより、チップ裏面1b、第1裏面21bおよび第2裏面22bが、リフレクタ4および透光樹脂5から露出し、且つリフレクタ裏面4bおよび透光樹脂裏面5bと面一になるように、LED発光装置A1を製造することができる。   Moreover, according to this embodiment, LED light-emitting device A1 arrange | positions the LED chip 1, the 1st electrode pad 21, and the 2nd electrode pad 22 on the heat resistant dicing tape 6, and the reflector 4 and translucent resin are formed from it. 5 and then the heat-resistant dicing tape 6 is peeled off. Accordingly, the LED light emitting device is configured such that the chip back surface 1b, the first back surface 21b, and the second back surface 22b are exposed from the reflector 4 and the translucent resin 5 and are flush with the reflector back surface 4b and the translucent resin back surface 5b. A1 can be manufactured.

図5〜図15は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。   5 to 15 show other embodiments of the present invention. In these drawings, the same or similar elements as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the above embodiment.

図5〜図7は、本発明の第2実施形態に基づくLED発光装置を示している。本実施形態のLED発光装置A2は、LEDチップ1がいわゆる1ワイヤタイプのチップである点が、上述したLED発光装置A1と異なっている。   5 to 7 show an LED light-emitting device according to a second embodiment of the present invention. The LED light-emitting device A2 of this embodiment is different from the LED light-emitting device A1 described above in that the LED chip 1 is a so-called 1-wire type chip.

図5は、LED発光装置A2を示す要部平面図である。図6は、LED発光装置A2を示す底面図である。図7は、図5のVII−VII線に沿う断面図である。   FIG. 5 is a plan view of an essential part showing the LED light emitting device A2. FIG. 6 is a bottom view showing the LED light emitting device A2. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG.

本実施形態においては、LEDチップ1は、1ワイヤタイプのチップであり、p型半導体層に導通するp側電極13がチップ主面1aに形成に設けられており、n型半導体層に導通するn側電極14が支持基板11の半導体層12とは反対側に設けられている(図7参照)。したがって、n側電極14の支持基板11とは反対側の面が、チップ裏面1bになる。「p側電極13」が本発明の「第1電極」に相当し、「n側電極14」が本発明の「第2の電極」に相当する。本実施形態においては、n側電極14がLEDチップ1のチップ裏面1bとして露出しており(図7参照)、これが第2電極パッド22の代わりに、回路基板などに実装する際に導通接合される電極として機能する。したがって、LED発光装置A2は、第2電極パッド22およびワイヤ32を備えていない。   In this embodiment, the LED chip 1 is a one-wire type chip, and a p-side electrode 13 that is conductive to the p-type semiconductor layer is provided on the chip main surface 1a, and is conductive to the n-type semiconductor layer. The n-side electrode 14 is provided on the opposite side of the support substrate 11 from the semiconductor layer 12 (see FIG. 7). Therefore, the surface of the n-side electrode 14 opposite to the support substrate 11 is the chip back surface 1b. The “p-side electrode 13” corresponds to the “first electrode” of the present invention, and the “n-side electrode 14” corresponds to the “second electrode” of the present invention. In the present embodiment, the n-side electrode 14 is exposed as the chip back surface 1b of the LED chip 1 (see FIG. 7), and is conductively bonded when mounted on a circuit board or the like instead of the second electrode pad 22. Functions as an electrode. Therefore, the LED light emitting device A2 does not include the second electrode pad 22 and the wire 32.

本実施形態においても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。また、第2電極パッド22を備える必要がないので、LED発光装置A2のx方向の寸法を、LED発光装置A1より小さくすることも可能である。   In this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Moreover, since it is not necessary to provide the 2nd electrode pad 22, it is also possible to make the dimension of the x direction of LED light-emitting device A2 smaller than LED light-emitting device A1.

図8〜10は、本発明の第3実施形態に基づくLED発光装置を示している。本実施形態のLED発光装置A3は、リフレクタ4および透光樹脂5の形状が、上述したLED発光装置A2と異なっている。   8 to 10 show an LED light-emitting device according to a third embodiment of the present invention. The LED light emitting device A3 of the present embodiment is different from the LED light emitting device A2 described above in the shapes of the reflector 4 and the translucent resin 5.

図8は、LED発光装置A3を示す要部平面図である。図9は、LED発光装置A3を示す底面図である。図10は、図8のX−X線に沿う断面図である。   FIG. 8 is a plan view of an essential part showing the LED light emitting device A3. FIG. 9 is a bottom view showing the LED light emitting device A3. 10 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG.

本実施形態においては、リフレクタ4の裏面側開口部42が小さくなっており(図9,10参照)、ワイヤ31を第1電極パッド21にボンディングするための部分を露出させるために、反射面4cに凹部4dが設けられている(図8,10参照)。したがって、反射面4cは、z方向に直交する断面(リフレクタ裏面4bに平行な断面)が、第1電極パッド21の方向に突出した部分を有する形状になっている(図8参照)。そして、反射面4cの凹部4d以外の部分は、第2実施形態における反射面4cと同様の傾斜を有しており、主面側開口部41は円形状となっている。   In the present embodiment, the back surface side opening 42 of the reflector 4 is small (see FIGS. 9 and 10), and the reflecting surface 4c is exposed in order to expose a portion for bonding the wire 31 to the first electrode pad 21. A recess 4d is provided on the surface (see FIGS. 8 and 10). Therefore, the reflecting surface 4c has a shape in which a cross section orthogonal to the z direction (a cross section parallel to the reflector back surface 4b) has a portion protruding in the direction of the first electrode pad 21 (see FIG. 8). And the part other than the recessed part 4d of the reflective surface 4c has the same inclination as the reflective surface 4c in 2nd Embodiment, and the main surface side opening part 41 is circular.

本実施形態においても、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出しており、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、第2電極パッド22の第2裏面22b、リフレクタ4のリフレクタ裏面4b、および、透光樹脂5の透光樹脂裏面5bが、すべて面一になっている。また、透光樹脂5の透光樹脂主面5aとリフレクタ4のリフレクタ主面4aとが面一になっている。したがって、LED発光装置A3の薄型化を図ることができる。また、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出しているので、放熱性がよい。また、本実施形態においても、リフレクタ4は、第1主面21aのワイヤ31がボンディングされる領域を露出させるように形成される。したがって、リフレクタ4とワイヤ31とが互いに干渉しない。また、第1実施形態と同様の製造方法で製造することができる。さらに、リフレクタ4の裏面側開口部42が小さいので、LEDチップ1から発せられた光が、裏面側開口部42から出射されてしまうことを抑制することができる。また、反射面4cの傾斜がLED発光装置A2と同様であり、裏面側開口部42が小さくなっているので、主面側開口部41も、LED発光装置A2と比べて小さくなっている。したがって、LED発光装置A3のx方向およびy方向の寸法を、LED発光装置A2より小さくすることも可能である。   Also in this embodiment, the chip back surface 1b of the LED chip 1 is exposed, the chip back surface 1b of the LED chip 1, the first back surface 21b of the first electrode pad 21, the second back surface 22b of the second electrode pad 22, and the reflector. The reflector back surface 4b 4 and the translucent resin back surface 5b of the translucent resin 5 are all flush with each other. Further, the translucent resin main surface 5 a of the translucent resin 5 and the reflector main surface 4 a of the reflector 4 are flush with each other. Therefore, the LED light emitting device A3 can be thinned. Moreover, since the chip | tip back surface 1b of LED chip 1 is exposed, heat dissipation is good. Also in the present embodiment, the reflector 4 is formed so as to expose a region where the wire 31 of the first main surface 21a is bonded. Therefore, the reflector 4 and the wire 31 do not interfere with each other. Moreover, it can manufacture with the manufacturing method similar to 1st Embodiment. Furthermore, since the back surface side opening part 42 of the reflector 4 is small, it can suppress that the light emitted from the LED chip 1 is emitted from the back surface side opening part 42. Moreover, since the inclination of the reflective surface 4c is the same as that of the LED light emitting device A2, and the back surface side opening 42 is small, the main surface side opening 41 is also small compared to the LED light emitting device A2. Therefore, it is possible to make the dimensions of the LED light emitting device A3 in the x direction and the y direction smaller than those of the LED light emitting device A2.

なお、リフレクタ4の反射面4cの形状は、上述したものに限られない。リフレクタ4が第1電極パッド21のボンディング位置を覆わないような形状になっていればよい。例えば裏面側開口部42がx方向を長径とする楕円形状であってもよい。また、主面側開口部41の形状も限定されない。また、第3実施形態において、LEDチップ1を2ワイヤタイプのチップとしてもよい。この場合、第1実施形態のように、電極パッド22およびワイヤ32を備える必要がある。   In addition, the shape of the reflective surface 4c of the reflector 4 is not restricted to what was mentioned above. It is sufficient that the reflector 4 has a shape that does not cover the bonding position of the first electrode pad 21. For example, the back surface side opening 42 may have an elliptical shape having a major axis in the x direction. Further, the shape of the main surface side opening 41 is not limited. In the third embodiment, the LED chip 1 may be a two-wire type chip. In this case, it is necessary to provide the electrode pad 22 and the wire 32 as in the first embodiment.

図11〜13は、本発明の第4実施形態に基づくLED発光装置を示している。本実施形態のLED発光装置A4は、リフレクタ4を備えていない点で、上述したLED発光装置A1と異なっている。   11 to 13 show an LED light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention. The LED light emitting device A4 of this embodiment is different from the LED light emitting device A1 described above in that the reflector 4 is not provided.

図11は、LED発光装置A4を示す要部平面図である。図12は、LED発光装置A4を示す底面図である。図13は、図11のXIII−XIII線に沿う断面図である。   FIG. 11 is a plan view of an essential part showing the LED light emitting device A4. FIG. 12 is a bottom view showing the LED light emitting device A4. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII in FIG.

本実施形態においては、リフレクタ4が設けられておらず、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、第2電極パッド22の第2裏面22b以外が透光樹脂5によって覆われている。透光樹脂5は、直方体形状をなしている。LED発光装置A4の製造方法は、LED発光装置A1の製造方法(図4参照)において、リフレクタ4を形成する工程(図4(c)参照)を省いたものになる。   In the present embodiment, the reflector 4 is not provided, and the light transmitting resin 5 is provided except for the chip back surface 1b of the LED chip 1, the first back surface 21b of the first electrode pad 21, and the second back surface 22b of the second electrode pad 22. Covered by. The translucent resin 5 has a rectangular parallelepiped shape. The LED light emitting device A4 is manufactured by omitting the step of forming the reflector 4 (see FIG. 4C) in the LED light emitting device A1 manufacturing method (see FIG. 4).

本実施形態においても、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出しており、LEDチップ1のチップ裏面1b、第1電極パッド21の第1裏面21b、第2電極パッド22の第2裏面22b、および、透光樹脂5の透光樹脂裏面5bが、すべて面一になっている。したがって、LED発光装置A4の薄型化を図ることができる。また、本実施形態においても、透光樹脂5の透光樹脂主面5aが面一になっている。これにより、透光樹脂5が透光樹脂主面5a側に突出した形状のものと比べて、厚さ方向寸法が小さくなる。したがって、LED発光装置A4の薄型化を図ることができる。また、本実施形態においても、LEDチップ1のチップ裏面1bが露出しているので、放熱性がよい。また、本実施形態によれば、LED発光装置A4は、耐熱性ダイシングテープ6上にLEDチップ1、第1電極パッド21および第2電極パッド22を配置し、その上から透光樹脂5を形成して、その後、耐熱性ダイシングテープ6を剥がすことで製造される。これにより、チップ裏面1b、第1裏面21bおよび第2裏面22bが、透光樹脂5から露出し、且つ透光樹脂裏面5bと面一になるように、LED発光装置A4を製造することができる。   Also in this embodiment, the chip back surface 1b of the LED chip 1 is exposed, the chip back surface 1b of the LED chip 1, the first back surface 21b of the first electrode pad 21, the second back surface 22b of the second electrode pad 22, and The translucent resin back surface 5b of the translucent resin 5 is all flush. Therefore, the LED light emitting device A4 can be thinned. Also in this embodiment, the translucent resin main surface 5a of the translucent resin 5 is flush. Thereby, the thickness direction dimension becomes small compared with the thing of the shape where the translucent resin 5 protruded in the translucent resin main surface 5a side. Therefore, the LED light emitting device A4 can be thinned. Also in this embodiment, since the chip back surface 1b of the LED chip 1 is exposed, heat dissipation is good. Further, according to the present embodiment, the LED light emitting device A4 has the LED chip 1, the first electrode pad 21, and the second electrode pad 22 disposed on the heat-resistant dicing tape 6, and the transparent resin 5 is formed thereon. Thereafter, the heat-resistant dicing tape 6 is peeled off. Thereby, LED light-emitting device A4 can be manufactured so that the chip | tip back surface 1b, the 1st back surface 21b, and the 2nd back surface 22b may be exposed from the translucent resin 5, and may become flush with the translucent resin back surface 5b. .

なお、第4実施形態において、LEDチップ1を1ワイヤタイプのチップとしてもよい(図14参照)。この場合、電極パッド22およびワイヤ32を備える必要がない。   In the fourth embodiment, the LED chip 1 may be a one-wire type chip (see FIG. 14). In this case, it is not necessary to provide the electrode pad 22 and the wire 32.

また、透光樹脂5の形状は限定されない。例えば、第4実施形態において、透光樹脂5の形状を、チップ主面1aが向く方向に膨出する部分を有する砲弾型形状としてもよい。(図15参照)。この場合、LEDチップ1から発せられた光を、指向性を高めつつ出射することができる。   Moreover, the shape of the translucent resin 5 is not limited. For example, in the fourth embodiment, the shape of the translucent resin 5 may be a bullet shape having a portion that bulges in the direction in which the chip main surface 1a faces. (See FIG. 15). In this case, the light emitted from the LED chip 1 can be emitted while enhancing the directivity.

本発明に係るLED発光装置およびその製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るLED発光装置およびその製造方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The LED light emitting device and the manufacturing method thereof according to the present invention are not limited to the above-described embodiments. The specific configuration of each part of the LED light emitting device and the manufacturing method thereof according to the present invention can be varied in design in various ways.

A1〜A4 :LED発光装置
1 :LEDチップ
11 :支持基板
12 :半導体層
13 :p側電極(第1電極)
14 :n側電極(第2電極)
1a :チップ主面
1b :チップ裏面
21 :第1電極パッド
21a :第1主面
21b :第1裏面
22 :第2電極パッド
22a :第2主面
22b :第2裏面
31,32 :ワイヤ
4 :リフレクタ(不透光樹脂)
4a :リフレクタ主面(不透光樹脂主面)
4b :リフレクタ裏面(不透光樹脂裏面)
4c :反射面
4d :凹部
41 :主面側開口部
42 :裏面側開口部
5 :透光樹脂
5a :透光樹脂主面
5b :透光樹脂裏面
6 :耐熱性ダイシングテープ
6a :接着面
A1 to A4: LED light emitting device 1: LED chip 11: support substrate 12: semiconductor layer 13: p-side electrode (first electrode)
14: n-side electrode (second electrode)
1a: chip main surface 1b: chip back surface 21: first electrode pad 21a: first main surface 21b: first back surface 22: second electrode pad 22a: second main surface 22b: second back surface 31, 32: wire 4: Reflector (opaque resin)
4a: Reflector main surface (opaque resin main surface)
4b: Reflector back (non-translucent resin back)
4c: Reflective surface 4d: Recess 41: Main surface side opening 42: Back surface side opening 5: Translucent resin 5a: Translucent resin main surface 5b: Translucent resin back surface 6: Heat resistant dicing tape 6a: Adhesive surface

Claims (14)

半導体層と、前記半導体層の厚さ方向において互いに反対側を向くチップ主面およびチップ裏面と、前記チップ主面に形成された第1電極と、を備えるLEDチップと、
前記LEDチップの前記チップ裏面以外を覆う、前記LEDチップからの光を透過させる透光樹脂と、
第1ワイヤによって前記第1電極と導通接合されており、前記第1ワイヤがボンディングされる第1主面と、前記第1主面の反対側を向く第1裏面と、を備える第1電極パッドと、
を備えており、
前記透光樹脂は、前記チップ裏面と同じ方向を向く透光樹脂裏面を備え、
前記チップ裏面と前記第1裏面とは、前記透光樹脂裏面から露出し、且つ前記透光樹脂裏面と面一になっている、
ことを特徴とするLED発光装置。
An LED chip comprising: a semiconductor layer; a chip main surface and a chip back surface facing opposite sides in the thickness direction of the semiconductor layer; and a first electrode formed on the chip main surface;
A light-transmitting resin that transmits light from the LED chip, covering the LED chip other than the back surface of the chip,
A first electrode pad, which is conductively joined to the first electrode by a first wire, and includes a first main surface to which the first wire is bonded, and a first back surface facing the opposite side of the first main surface. When,
With
The translucent resin has a translucent resin back surface facing the same direction as the chip back surface,
The chip back surface and the first back surface are exposed from the translucent resin back surface and are flush with the translucent resin back surface.
An LED light emitting device characterized by that.
前記LEDチップは、前記チップ主面に形成された第2電極をさらに備えており、
第2ワイヤによって前記第2の電極と導通接合されており、前記第2ワイヤがボンディングされる第2主面と、前記第2主面の反対側を向く第2裏面と、を備える第2電極パッドをさらに備えており、
前記第2裏面は、前記透光樹脂裏面から露出し、且つ前記透光樹脂裏面と面一になっている、
請求項1に記載のLED発光装置。
The LED chip further includes a second electrode formed on the chip main surface,
A second electrode that is conductively joined to the second electrode by a second wire, and includes a second main surface to which the second wire is bonded, and a second back surface facing the opposite side of the second main surface. A pad,
The second back surface is exposed from the translucent resin back surface and is flush with the translucent resin back surface.
The LED light-emitting device according to claim 1.
前記LEDチップは、前記半導体層を挟んで前記第1電極とは反対側に位置し、且つ前記チップ裏面を構成する第2電極をさらに備えている、
請求項1に記載のLED発光装置。
The LED chip further includes a second electrode located on the opposite side of the first electrode across the semiconductor layer and constituting the chip back surface.
The LED light-emitting device according to claim 1.
前記チップ主面と同じ方向を向く不透光樹脂主面、前記チップ裏面と同じ方向を向く不透光樹脂裏面、および、前記不透光樹脂主面と前記不透光樹脂裏面とを繋ぎ、且つ前記LEDチップを囲む反射面を有する不透光樹脂をさらに備えており、
前記不透光樹脂裏面は、前記チップ裏面と面一になっている、
請求項1ないし3のいずれかに記載のLED発光装置。
A translucent resin main surface facing the same direction as the chip main surface, a translucent resin back surface facing the same direction as the chip back surface, and connecting the translucent resin main surface and the translucent resin back surface; And further comprising an opaque resin having a reflective surface surrounding the LED chip,
The opaque resin back surface is flush with the chip back surface;
The LED light-emitting device according to claim 1.
前記不透光樹脂は、前記第1主面の少なくとも一部を露出させており、
前記第1ワイヤは、前記第1主面のうち、前記不透光樹脂から露出した領域にボンディングされている、
請求項4に記載のLED発光装置。
The opaque resin exposes at least a part of the first main surface;
The first wire is bonded to a region of the first main surface exposed from the opaque resin.
The LED light-emitting device according to claim 4.
前記反射面は、前記不透光樹脂裏面に平行な断面が円形状である、
請求項5に記載のLED発光装置。
The reflective surface has a circular cross section parallel to the back surface of the opaque resin.
The LED light-emitting device according to claim 5.
前記反射面は、前記不透光樹脂裏面に平行な断面が、前記第1電極パッドの方向に突出した部分を有する形状である、
請求項5に記載のLED発光装置。
The reflective surface has a shape in which a cross section parallel to the back surface of the opaque resin has a portion protruding in the direction of the first electrode pad.
The LED light-emitting device according to claim 5.
前記透光樹脂は、前記不透光樹脂主面と面一である透光樹脂主面を有する、
請求項4ないし7のいずれかに記載のLED発光装置。
The translucent resin has a translucent resin main surface that is flush with the translucent resin main surface.
The LED light-emitting device according to claim 4.
前記不透光樹脂は、白色樹脂からなる、
請求項4ないし8のいずれかに記載のLED発光装置。
The opaque resin is made of a white resin.
The LED light-emitting device according to claim 4.
前記透光樹脂の形状は、直方体形状である、
請求項1ないし3のいずれかに記載のLED発光装置。
The shape of the translucent resin is a rectangular parallelepiped shape,
The LED light-emitting device according to claim 1.
前記透光樹脂の形状は、前記チップ主面が向く方向に膨出する部分を有する砲弾型形状である、
請求項1ないし3のいずれかに記載のLED発光装置。
The shape of the translucent resin is a bullet-shaped shape having a portion that bulges in a direction in which the chip main surface faces.
The LED light-emitting device according to claim 1.
LED発光装置の製造方法であって、
固定部材の片面に電極パッドを形成する工程と、
前記固定部材の片面に、電極を有するLEDチップを配置する工程と、
前記LEDチップの前記電極と前記電極パッドとを、ワイヤで導通接合する工程と、
前記LEDチップおよび前記ワイヤを覆うように、前記LEDチップからの光を透過させる透光樹脂を形成する工程と、
前記固定部材を、前記LEDチップ、前記電極パッドおよび前記透光樹脂から剥離する工程と、
を備えることを特徴とする製造方法。
A method for manufacturing an LED light-emitting device,
Forming an electrode pad on one side of the fixing member;
Arranging an LED chip having an electrode on one side of the fixing member;
A step of electrically bonding the electrode of the LED chip and the electrode pad with a wire;
Forming a translucent resin that transmits light from the LED chip so as to cover the LED chip and the wire;
Peeling the fixing member from the LED chip, the electrode pad and the translucent resin;
A manufacturing method comprising:
前記透光樹脂を形成する工程の前に、前記LEDチップを囲むように不透光樹脂を形成する工程を備えており、
前記透光樹脂は、液体の樹脂を、上記不透光樹脂の前記LEDチップを囲む領域に注入して硬化させることで形成される、
請求項12に記載の製造方法。
Before the step of forming the translucent resin, it comprises a step of forming an opaque resin so as to surround the LED chip,
The light-transmitting resin is formed by injecting a liquid resin into a region surrounding the LED chip of the light-impermeable resin and curing it.
The manufacturing method according to claim 12.
前記固定部材は、ダイシングテープである、
請求項12または13に記載の製造方法。
The fixing member is a dicing tape.
The manufacturing method according to claim 12 or 13.
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