JP2017147395A

JP2017147395A - パッケージ用基板、およびその製造方法

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Publication number: JP2017147395A
Application number: JP2016029842A
Authority: JP
Inventors: 祐幹新田; Yuki Nitta
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2016-02-19
Filing date: 2016-02-19
Publication date: 2017-08-24

Abstract

【課題】脆弱な材料によるコア基板をもつ配線基板に好適な個片化方法およびこの方法により製造されたパッケージ用基板を提供する。
【解決手段】端部に段差部を有する厚さｄ₁のコア基板１０と、少なくとも一層の配線層２０および少なくとも一層の絶縁層５０を含み、コア基板上に形成された混合層とを含むパッケージ用基板２００であって、絶縁層の一部はコア基板の段差部３０上に形成され、段差部は、コア基板と配線層との界面から深さｄ_s、かつ、コア基板の端部断面から幅Ｗ_sで形成され、深さｄ_sは、下記式中、δが最大値をとるときのｄをｄ_αとした際に、ｄ_s＞ｄ_αである。

【選択図】図１

Description

本発明はパッケージ用基板、およびその製造方法に関する。

パッケージ用基板には、コア基板に配線層と絶縁層を積層し大判の配線基板を形成した後、配線基板を所要寸法にダイシングしてパッケージ用基板に個片化する。

近年のパッケージ用基板のコア基板には、電気的特性には優れるものの切断面が脆弱な材料により形成されたものがある。また、配線基板を作成する際に、コア基板上にコア基板と線膨張係数の異なる樹脂層と配線層を複数積層するため、温度変化があると線膨張係数の差により樹脂層、配線層、コア基板で膨張量が変わり、各層内部に内部応力が生じることとなる。その結果、コア基板が割れの起きやすい脆性材料の場合、ダイシングの衝撃によりコア基板断面に微小なクラックが生じることとなる。コア基板をガラス基板とする積層体の場合、３００μｍ以上の厚みのある通常のガラス基板では、その端面から裂ける問題が起き易い。

このコア基板断面のクラックは、ダイシング直後またはその後の工程で、傷部分からコア基板内部に蓄積された内部応力が開放され、コア基板が裂ける方向に割れが生じる可能性がある。

このようなクラックを発生させない個片化法としては、例えばレーザー光をコア基板内部に集光させてコア基板のみを切断し、その後回転するダイヤモンドブレードを用いて封止部分のダイシングを行うという技術がある（例えば、特許文献１参照）。

特開２００５−１６７０２４号公報特開２０１０−５２５６７５号公報

しかしながら、レーザー光を用いた切断では、基板を加熱するために基板が変形するおそれがある。また、基板内に応力が残るため、新たなクラックを形成するおそれがあった。

そこで本願発明は、脆性材料からなるコア基板に、絶縁層と配線層を積層した配線基板を個片化する際またはその後の温度変化によって、コア基板の切断面に割れを生じることのない配線基板の提供およびその個片化方法、ならびにこの方法により製造したパッケージ用基板を提供することを目的としている。

本発明の一態様は、端部に段差部を有する厚さｄ₁のコア基板と、
少なくとも一層の配線層および少なくとも一層の絶縁層を含み、前記コア基板上に形成された厚さｄ₄の混合層と
を含むパッケージ用基板であって、
前記絶縁層の一部は前記コア基板の段差部上に形成され、
前記コア基板の段差部は、前記コア基板と前記配線層との界面から深さｄ_sかつ、前記コア基板の端部断面から幅ｗ_sで形成され、
前記深さｄ_sは、下記式中、δが最大値をとるときのｄをｄ_αとした際に、ｄ_s＞ｄ_αであることを特徴とするパッケージ用基板を提供する。

（式中、α₁はコア基板の線膨張係数であり、
α₄は混合層の線膨張係数であり、
ΔＴは熱変化であり、
Ｌはパッケージ用基板の長さ寸法であり、
ｄ₄は混合層の厚さであり、
Ｅ₁はコア基板の弾性率であり、
Ｅ₄は混合層の弾性率であり、
Ｉ₁はコア基板の断面二次モーメントであり、
Ｉ₄は混合層の断面二次モーメントであり、
ｂはＬである）

また、本発明の他の一態様は幅ｗ₁および深さｄ_sの形状の分離溝が設けられた厚さｄ₁のコア基板と、
少なくとも一層の配線層および少なくとも一層の絶縁層を含み、前記コア基板上に形成された厚さｄ₄の混合層と
を含む配線基板であって、
前記絶縁層の一部は前記コア基板の分離溝上を覆い、
前記深さｄ_sは、下記式中、δが最大値をとるときのｄをｄ_αとした際に、ｄ_s＞ｄ_αであることを特徴とする配線基板を提供する。

（式中、α₁はコア基板の線膨張係数であり、
α₄は混合層の線膨張係数であり、
ΔＴは熱変化であり、
Ｌは配線基板が個片化された際のパッケージ用基板の長さ寸法であり、
ｄ₄は混合層の厚さであり、
Ｅ₁はコア基板の弾性率であり、
Ｅ₄は混合層の弾性率であり、
Ｉ₁はコア基板の断面二次モーメントであり、
Ｉ₄は混合層の断面二次モーメントであり、
ｂはＬである）

さらに、本発明の他の一態様は、当該パッケージ用基板の製造方法を提供する。また、当該パッケージ用基板を製造するための配線基板とその製造方法を提供する。

本発明にかかる配線基板の個片化方法によれば、脆弱なコア基板を有する配線基板であっても、個片化した後のパッケージ用基板に対し、作製時や実装時において大きな温度変化がかかっても、コア基板断面の割れが発生せず、信頼性の高いパッケージ用基板を提供することができる。

パッケージ用基板の概略構成を示す切断部端面図である。コア基板に配線層を積層した状態を示す切断部端面図である。配線基板にダイシングブレードにより分離溝を形成している状態を示す切断部端面図である。配線基板に分離溝を形成した後の状態を示す切断部端面図である。配線基板に絶縁樹脂を積層した後の状態を示す切断部端面図である。配線基板をダイシングし個片化する工程を説明する模式図である。配線基板をダイシングし個片化する工程を説明する模式図である。配線基板をダイシングし個片化する工程を説明する模式図である。本発明により得られたパッケージ用基板の切断部端面図である。

以下、本発明にかかる配線基板とその製造方法の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明の単なる一例であって、当業者であれば、適宜設計変更可能である。

本明細書において、「パッケージ用基板」とは、個片化された積層体をいう。また、「配線基板」とは、ダイシングにより個片化される前のパッケージ用基板が連結された状態のものをいう。

図１は、パッケージ用基板の一態様の概略構成を示す切断部端面図である。本実施形態におけるパッケージ用基板２００は、コア基板１０と、コア基板１０の厚さ方向の両面に積層された少なくとも一層の配線層２０および少なくとも一層の絶縁層５０を含む混合層とを含む。

（コア基板）
コア基板１０は、配線基板１００および配線基板１００を個片化した後のパッケージ用基板２００の電気特性を向上させる材料であればよい。例えば、コア基板１０として、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板、プラスチック板、プラスチックテープ等を用いることができる。好ましくはガラス基板である。本発明のコア基板１０に用いるガラス基板は、表面を当分野で一般的に行われている方法により処理されたものであってもよい。例えば、表面に粗化処理を行ったものであってもよく、フッ酸で処理したものであってもよく、また、ガラス基板表面にシリコン処理を施したものであってもよい。本発明の一態様において、コア基板１０に用いるガラス基板は表面に下地層（図示せず）を形成してもよい。

コア基板１０の厚さｄ₁は、特に限定されないが、好ましくは３００μｍ〜５００μｍである。

（配線層）
配線層２０は、コア基板１０の厚さ方向の表面上または絶縁層５０の表面上に形成される。配線層２０は好ましくはパターン形成されている。本発明の一態様において、少なくとも一部の配線層２０はコア基板１０に接するように形成される。また、本発明の他の態様において、配線層２０はコア基板１０と接しなくてもよい。配線層２０は、後述する絶縁層５０に埋め込まれていてもよい。配線層２０は一層であってもよく、また複数であってもよい。

配線層２０は、当分野で通常用いられる導電性材料を用いて形成することができる。具体的には、配線層２０は、銅、銀、すず、金、タングステン、導電性樹脂などを用いて形成することができる。好ましくは銅が用いられる。

また、配線層２０は、当分野で一般的に行われている方法により形成することができる。配線層２０の形成方法は、これらに限定されないが、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、インクジェット法、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷を用いることができる。好ましくはセミアディティフ法である。

配線層２０の厚さは、コア基板１０および絶縁層５０に比べ、小さい。配線層２０の厚さの合計ｄ_mは、１μmから５０μmである。

（絶縁層）
絶縁層５０は、少なくとも後述するコア基板１０の段差部３０または分離溝４０上に形成される。本発明の一態様において、絶縁層５０は配線層２０上に形成される。本発明の他の態様において、絶縁層５０は段差部３０または分離溝４０上以外のコア基板１０上にも形成される。絶縁層５０は一層であってもよく、また複数であってもよい。

絶縁層５０は、当分野で通常用いられる絶縁性材料を用いて形成することができる。具体的には、絶縁層５０は、エポキシ樹脂系材料、エポキシアクリレート系樹脂、ポリイミド系樹脂などを用いて形成することができる。これらの絶縁性材料は、充填剤を含んでもよい。本発明の絶縁層５０を形成する絶縁性材料には線膨張係数が７〜１３０ｐｐｍのエポキシ配合樹脂が一般的に入手し易く好ましい。

また、絶縁性材料は、液状であっても、フィルム状であってもよい。絶縁性材料が液状の場合、絶縁層５０は、スピンコート法、ダイコータ法、カーテンコータ法、ロールコータ法、ドクターブレード法、スクリーン印刷などの当分野で一般的に行われている方法により形成することができる。絶縁性材料がフィルム状の場合、例えば真空ラミネート法により絶縁層５０を形成することができる。上記のように形成された絶縁層５０は、加熱または光照射により硬化させてもよい。

絶縁層５０の厚さの合計ｄ_mは、１０μｍ〜１００μｍである。

（パッケージ用基板）
本発明の一態様において、パッケージ用基板２００は、端部に段差部を有する厚さｄ₁のコア基板１０と、少なくとも一層の配線層２０および少なくとも一層の絶縁層５０を含み、該コア基板上に形成された厚さｄ₄の混合層とを含む。

一般的にコア基板１０と配線層２０および絶縁層５０の混合層とは熱応力が異なるため、コア基板１０上に配線層２０および絶縁層５０の混合層を形成し、ダイシングを行った場合、コア基板１０と該混合層との界面付近にクラックが発生し易い。

詳細には、コア基板１０と該混合層との積層体には、コア基板１０と該混合層との熱応力差により、特許文献２中のバイメタルの反りの理論式から類推される反りを生む力が発生する。しかし、実際にはコア基板１０がガラスのような脆性材料の場合は反りがおこらず、バイメタルの反りの式で求められる反りが最大となる位置で、コア基板に対する引っ張り応力が最大となり、コア基板にクラックが発生し、応力が解放されることとなる。

ここで、物性値を以下の表の値とする。

配線層は絶縁層内に埋め込まれているため、合成厚みは絶縁層の厚みと同一とみなし、混合層の厚みd₄はd₄=d₂とする。

弾性率の合成値E₄は、絶縁層および配線層のそれぞれの体積（V₂、V₃）の比により求められる。

ここで、厚みｄの比率は、各材料の体積比と等しいため、

となる。

また、線膨張係数の合成値α₄は

となる。

線膨張係数の異なる材料どうしの積層板は、温度変化ΔTによる熱応力により反りを発生する。基板端部の反り量をδとすると、バイメタル理論式によりδは以下の式で表される。

基板個片化後の個片の長さ寸法がL、また個片化後の基板が正方形であるとするとL=bである。また、Ｉ₁はコア基板の断面二次モーメントであり、Ｉ₄は混合層の断面二次モーメントである。

バイメタル理論では、反り量δが最大値をとるとき、バイメタルの反りが最も大きくなり、解放される応力が最大になる。これを本パッケージ用基板に適用し、δが最大値をとる時のｄの値をｄ_αとすると、コア基板厚がｄ_αより大きいコア基板のパッケージ用基板では、ダイシング時や、その後の温度変化により、コア基板中のコアと絶縁層の境界線から距離ｄ_αの部分でクラックが最も発生し易いこととなる。

そこで、本発明は、コア基板中のコアと樹脂の境界線から距離ｄ_αの部分を絶縁層で被覆した状態で、ダイシングを行うことで、コア基板のクラックを抑制する。すなわち、本願発明の段差部は以下の関係を満たすように設計される。
ｄ_s＞ｄ_α

例えば、コア基板１０に膜厚３００μｍのガラス基板を用い、線膨張係数が１６．８ｐｐｍの配線層および５０ｐｐｍの絶縁層の膜厚をそれぞれｄ_mおよびｄ_pとすると、ｄ_αは以下のように求められる。

（ｉ）パッケージ用基板の形成
本発明の一態様のパッケージ用基板は、これらに限定されるものではないが、図２〜図９に示す工程にしたがって形成することができる。

図２は、コア基板１０の厚さ方向の表面に、上述した方法を用いて配線層２０を形成したところを示す。

ついで、図３に示すように、配線基板１００において個片化すべき所定の位置に、幅ｗ₁を有する第１のダイシングブレード６０を用いてコア基板１０に配線層２０を積層したものの片側面から板厚方向に、深さｄ_sの溝を形成する。この溝が分離溝４０となる（図４参照）。

第１のダイシングブレード６０は一般的なダイシング方法に用いられるものであればよく、例えば樹脂などにダイヤモンド砥粒を埋没させたダイヤモンドブレードである。第１のダイシングブレード６０の幅ｗ₁は、後述する第２のダイシングブレード７０の幅ｗ₂より大きければよく、好ましくは２ｗ₂以上であり、より好ましくは３ｗ₂以上である。

分離溝４０の深さｄ_sは、上記バイメタルの式から得られるｄ_α以上であり、配線基板１００の製造工程中の配線基板の剛性を保つことが可能な程度でよい。その結果、その後の樹脂層および／または配線層加工時の衝撃などにより分離してしまうことなく加工を行うことができる。これにより、前記配線基板は大判の加工基板のまま絶縁樹脂層および配線層作製工程を行うことができるため、低コストに加工することができる次に、コア基板１０と配線層２０を覆い、かつ分離溝４０を埋めるように絶縁層５０を形成して、配線基板１００を形成する（図５参照）。絶縁層５０の形成方法は上述のとおりである。本発明の一態様において、絶縁層５０は加熱または光照射により硬化される。なお、配線層２０および絶縁層５０のそれぞれの膜厚は、上記バイメタルの式に導入したとおりである。

その後、図６に示すように分離溝４０の溝幅内の中央部分の位置で、第２のダイシングブレード７０によって配線基板１００をダイシングして個片化する（図８参照）。

このとき第２のダイシングブレード７０により、コア基板１０の外側面を被覆している絶縁樹脂３０が削りとられてしまわないようにする必要がある。そのために、分離溝幅ｗ₁と第２のダイシング幅ｗ₂の差が大きいことが望ましい。好ましくはｗ₁＞２ｗ₂であり、より好ましくはｗ₁＞３ｗ₂である。

本発明の他の態様において、ダイシングにより個片化する前に絶縁層５０上に一以上の配線層および／または一以上の絶縁層をさらに形成してもよい。また、本発明の他の態様において、配線層２０は絶縁層５０の中に埋め込まれるように形成されていてもよい（図示せず）。配線層２０および／または絶縁層５０が複数層形成された場合であっても、それらの膜厚の合計は、ｄ_s＞ｄ_αとなる上記バイメタルの式を満たすものである。

以上のようにして、配線基板１００を分離溝４０の部分でダイシングして個片化することにより、図９に示すパッケージ用基板２００が形成されることになる。本発明のパッケージ用基板２００の外側面は、コア基板１０の切断面の一部（段差部３０）が絶縁層５０により被覆された状態になっている。段差部３０は、コア基板１０と配線層２０との界面から深さｄ_sかつ、コア基板１０の端部断面から幅ｗ_sで形成され、段差部３０の深さｄ_sは分離溝４０の深さと同じであり、ｗ_sは０．５μm以上である。このようなパッケージ用基板２００とすることにより、コア基板１０の外側面への露出を少なくすることができ、コア基板１０の割れにつながる微小なクラックの発生を低下させることが可能となる。このように、本発明は、分離溝を埋める工程を追加することなく、通常の絶縁層積層の工程で、コア基板の割れが発生し易い位置を絶縁樹脂で被覆することができる。

本発明の他の態様は、コア基板１０において、配線基板１００において個片化すべき所定の位置に、幅ｗ₁を有する第１のダイシングブレード６０を用いて片側面から板厚方向に、深さｄ_sの分離溝４０を形成する（図示せず）。

次に、コア基板１０と分離溝４０を埋めるように絶縁層５０を形成し、さらに配線層を形成して、配線基板１００を形成する（図示せず）。

その後、分離溝４０の溝幅内の中央部分の位置で、幅ｗ₂を有する第２のダイシングブレード７０によって配線基板１００をダイシングして個片化する（図示せず）。

本発明の他の態様において、ダイシングにより個片化する前に絶縁層５０上に一以上の配線層および／または一以上の絶縁層をさらに形成してもよい。また、本発明の他の態様において、配線層２０は絶縁層５０の中に埋め込まれるように形成されていてもよい（図示せず）。

以下、本発明および効果について具体的な例を用いて説明するが、実施例は本発明の適用範囲を限定するものではない。

（実施例１）
コア基板１０（アルミノケイ酸塩ガラス）の板厚寸法を３００μｍとした。

コア基板１０の厚さ方向の表面に銅めっきにより５μｍの厚みの配線層２０を形成した。銅めっきの際には、一般的なフォトリソグラフィー法を使用した。

次に、図３に示すように、あとで配線基板１００を個片化すべき所定の位置で第１のダイシングブレード６０によりコア基板１０に配線層２０を積層したものの片側面から板厚方向において、５００μｍ幅、深さ２０μｍの分離溝４０を設けた。

配線基板１０に分離溝４０を形成した後は、配線基板１０の表裏面から線膨張係数が３４ｐｐｍのエポキシ配合樹脂である絶縁性材料を真空ラミネートすることにより積層し、絶縁層５０を形成した。この際に、分離溝４０中には絶縁性材料が充填され、分離溝４０内側面を絶縁性材料が被覆した。絶縁層５０の厚さは１２．５μｍであった。

配線基板１０に積層され、分離溝４０に充填された絶縁層５０を熱硬化処理した後、図６に示すように分離溝４０の溝幅内の中央部分の位置で、第２のダイシングブレード７０によって配線基板１００をダイシングしてパッケージ用基板２００を得た。第２のダイシングブレード７０の先端の幅は、１５０μｍだった。

実施例１によるパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その後、コア基板断面のクラックの有無を光学顕微鏡により観察した。その結果、いずれの基板においても、コア基板の割れなど信頼性の低下は起きなかった。

（実施例２）
分離溝４０の深さを１５μｍとした以外は実施例１と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、いずれの基盤においても、コア基板の割れなど信頼性の低下は起きなかった。

（比較例１）
分離溝４０の深さを５μｍとした以外は実施例１と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。

得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、３個中いずれかのサンプルでクラックが観察された。

（実施例３）
配線層２０の厚さを１０μｍにした以外は実施例１と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、いずれの基板においても、コア基板の割れなど信頼性の低下は起きなかった。

（実施例４）
分離溝４０の深さを５μｍとした以外は実施例３と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、いずれの基板においても、コア基板の割れなど信頼性の低下は起きなかった。

（実施例５）
配線層２０の厚さを１５μｍに、絶縁層５０の厚さを３７．５μｍに、分離層４０の深さを４０μｍにした以外は実施例１と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、いずれの基板においても、コア基板の割れなど信頼性の低下は起きなかった。

（実施例６）
分離溝４０の深さを３０μｍにした以外は実施例５と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、いずれの基板においても、コア基板の割れなど信頼性の低下は起きなかった。

（比較例２）
分離溝４０の深さを２０μｍにした以外は実施例５と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、３個中いずれかのサンプルでクラックが観察された。

（比較例３）
分離溝４０の深さを１０μｍにした以外は実施例５と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、３個中いずれかのサンプルでクラックが観察された。

（実施例７）
配線層２０の厚さを３０μｍに、絶縁層５０の厚さを７５μｍに、分離層４０の深さを６０μｍにした以外は実施例１と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、いずれの基板においても、コア基板の割れなど信頼性の低下は起きなかった。

（実施例８）
分離溝４０の深さを５０μｍにした以外は実施例７と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、いずれの基板においても、コア基板の割れなど信頼性の低下は起きなかった。

（比較例４）
分離溝４０の深さを４０μｍにした以外は実施例５と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、３個中いずれかのサンプルでクラックが観察された。

（比較例５）
分離溝４０の深さを３０μｍにした以外は実施例５と同様に、パッケージ用基板２００を作成した。得られたパッケージ用基板３個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、３個中いずれかのサンプルでクラックが観察された。

上記、実施例１〜８および比較例１〜５の結果、ならびにバイメタルの反りの式から求めた配線層２０および絶縁層５０の混合層の厚さに対する応力が最大となる値ｄ_αをそれぞれ、表３に示す。

このように、配線層２０および絶縁層５０が種々の厚さを有した場合でも、ｄ_sがｄ_αよりも大きな場合にはクラックの発生は見られないが、ｄ_sがｄ_αよりも小さい場合にはクラックが発生することが明らかとなった。

以上のように、パッケージ用基板２００の外側面において、コア基板１０の一部が絶縁樹脂５０により被覆された状態になっている本発明のパッケージ用基板は、コア基板１０の外側面への露出を少なくすることができ、コア基板１０の割れにつながる微小なクラックの発生を低下させることができた。

１０コア基板
２０配線層
３０段差部
４０分離溝
５０絶縁層
６０第１のダイシングブレード
７０第２のダイシングブレード
１００配線基板
２００パッケージ用基板

Claims

端部に段差部を有する厚さｄ₁のコア基板と、
少なくとも一層の配線層および少なくとも一層の絶縁層を含み、前記コア基板上に形成された厚さｄ₄の混合層と
を含むパッケージ用基板であって、
前記絶縁層の一部は前記コア基板の段差部上に形成され、
前記コア基板の段差部は、前記コア基板と前記配線層との界面から深さｄ_sかつ、前記コア基板の端部断面から幅ｗ_sで形成され、
前記深さｄ_sは、下記式中、δが最大値をとるときのｄをｄ_αとした際に、ｄ_s＞ｄ_αであることを特徴とするパッケージ用基板。
（式中、α₁はコア基板の線膨張係数であり、
α₄は混合層の線膨張係数であり、
ΔＴは熱変化であり、
Ｌはパッケージ用基板の長さ寸法であり、
ｄ₄は混合層の厚さであり、
Ｅ₁はコア基板の弾性率であり、
Ｅ₄は混合層の弾性率であり、
Ｉ₁はコア基板の断面二次モーメントであり、
Ｉ₄は混合層の断面二次モーメントであり、
ｂはＬである）
前記ｗ_sは少なくとも０．５μｍである、請求項１に記載のパッケージ用基板。
前記コア基板はガラスである、請求項１または２に記載のパッケージ用基板。
幅ｗ₁および深さｄ_sの形状の分離溝が設けられた厚さｄ₁のコア基板と、
少なくとも一層の配線層および少なくとも一層の絶縁層を含み、前記コア基板上に形成された厚さｄ₄の混合層と
を含む配線基板であって、
前記絶縁層の一部は前記コア基板の分離溝上を覆い、
前記深さｄ_sは、下記式中、δが最大値をとるときのｄをｄ_αとした際に、ｄ_s＞ｄ_αであることを特徴とする配線基板。
（式中、α₁はコア基板の線膨張係数であり、
α₄は混合層の線膨張係数であり、
ΔＴは熱変化であり、
Ｌは配線基板が個片化された際のパッケージ用基板の長さ寸法であり、
ｄ₄は混合層の厚さであり、
Ｅ₁はコア基板の弾性率であり、
Ｅ₄は混合層の弾性率であり、
Ｉ₁はコア基板の断面二次モーメントであり、
Ｉ₄は混合層の断面二次モーメントであり、
ｂはＬである）
前記コア基板はガラスである、請求項４に記載の配線基板。
端部に段差部を有する厚さｄ₁のコア基板と、
少なくとも一層の配線層および少なくとも一層の絶縁層を含み、前記コア基板上に形成された厚さｄ₄の混合層と
を含むパッケージ用基板の製造方法であって、
前記コア基板の両面に配線層を形成する工程と、
前記配線層が形成された前記コア基板の一方の面に第１のダイシングブレードで幅ｗ₁および深さｄ_sの形状の分離溝を形成する工程と、
前記コア基板と前記配線層を覆い、かつ前記分離溝を埋めるように絶縁層を形成して、配線基板を形成する工程と、
前記分離溝を通過するように前記配線基板を幅ｗ₂の第２のダイシングブレードでダイシングして、複数のパッケージ用基板を得るダイシング工程とを含み、
前記コア基板の段差部は、前記コア基板と前記配線層との界面から深さｄ_sかつ、前記コア基板の端部断面から幅ｗ_sで形成され、
前記深さｄ_sは、下記式中、δが最大値をとるときのｄをｄ_αとした際に、ｄ_s＞ｄ_αであり、
前記幅ｗ_sは少なくとも０．５μｍであり、
ｗ₂＜ｗ₁であることを特徴とする製造方法。
（式中、α₁はコア基板の線膨張係数であり、
α₄は混合層の線膨張係数であり、
ΔＴは熱変化であり、
Ｌはパッケージ用基板の長さ寸法であり、
ｄ₄は混合層の厚さであり、
Ｅ₁はコア基板の弾性率であり、
Ｅ₄は混合層の弾性率であり、
Ｉ₁はコア基板の断面二次モーメントであり、
Ｉ₄は混合層の断面二次モーメントであり、
ｂはＬである）
端部に段差部を有する厚さｄ₁のコア基板と、
少なくとも一層の配線層および少なくとも一層の絶縁層を含み、前記コア基板上に形成された厚さｄ₄の混合層と
を含むパッケージ用基板の製造方法であって、
前記コア基板の一方の面に第１のダイシングブレードで幅ｗ₁および深さｄ_sの形状の分離溝を形成する工程と、
前記コア基板を覆い、かつ前記分離溝を埋めるように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に配線層を形成して配線基板を形成する工程と、
前記分離溝を通過するように前記配線基板を幅ｗ₂の第２のダイシングブレードでダイシングして、複数のパッケージ用基板を得るダイシング工程とを含み、
前記コア基板の段差部は、前記コア基板と前記配線層との界面から深さｄ_sかつ、前記コア基板の端部断面から幅ｗ_sで形成され、
前記深さｄ_sは、下記式中、δが最大値をとるときのｄをｄ_αとした際に、ｄ_s＞ｄ_αであり、
前記幅ｗ_sは少なくとも０．５μｍであり、
ｗ₂＜ｗ₁であることを特徴とする製造方法。
（式中、α₁はコア基板の線膨張係数であり、
α₄は混合層の線膨張係数であり、
ΔＴは熱変化であり、
Ｌはパッケージ用基板の長さ寸法であり、
ｄ₄は混合層の厚さであり、
Ｅ₁はコア基板の弾性率であり、
Ｅ₄は混合層の弾性率であり、
Ｉ₁はコア基板の断面二次モーメントであり、
Ｉ₄は混合層の断面二次モーメントであり、
ｂはＬである）
前記コア基板はガラスである、請求項６また７に記載の製造方法。
幅ｗ₁および深さｄ_sの形状の分離溝が設けられた厚さｄ₁のコア基板と、
少なくとも一層の配線層および少なくとも一層の絶縁層を含み、前記コア基板上に形成された厚さｄ₄の混合層と
を含む配線基板の製造方法であって、
前記コア基板の両面に配線層を形成する工程と、
前記配線層が形成された前記コア基板の一方の面に第１のダイシングブレードで幅ｗ₁および深さｄ_sの形状の分離溝を形成する工程と、
前記コア基板と前記配線層を覆い、かつ前記分離溝を埋めるように絶縁層を形成して、配線基板を形成する工程を含み、
前記深さｄ_sは、下記式中、δが最大値をとるときのｄをｄ_αとした際に、ｄ_s＞ｄ_αである製造方法。
（式中、α₁はコア基板の線膨張係数であり、
α₄は混合層の線膨張係数であり、
ΔＴは熱変化であり、
Ｌは配線基板が個片化された際のパッケージ用基板の長さ寸法であり、
ｄ₄は混合層の厚さであり、
Ｅ₁はコア基板の弾性率であり、
Ｅ₄は混合層の弾性率であり、
Ｉ₁はコア基板の断面二次モーメントであり、
Ｉ₄は混合層の断面二次モーメントであり、
ｂはＬである）
幅ｗ₁および深さｄ_sの形状の分離溝が設けられた厚さｄ₁のコア基板と、
少なくとも一層の配線層および少なくとも一層の絶縁層を含み、前記コア基板上に形成された厚さｄ₄の混合層と
を含む配線基板の製造方法であって、
前記コア基板の一方の面に第１のダイシングブレードで幅ｗ₁および深さｄ_sの形状の分離溝を形成する工程と、
前記コア基板を覆い、かつ前記分離溝を埋めるように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に配線層を形成して配線基板を形成する工程とを含み、
前記深さｄ_sは、下記式中、δが最大値をとるときのｄをｄ_αとした際に、ｄ_s＞ｄ_αである製造方法。
（式中、α₁はコア基板の線膨張係数であり、
α₄は混合層の線膨張係数であり、
ΔＴは熱変化であり、
Ｌは配線基板が個片化された際のパッケージ用基板の長さ寸法であり、
ｄ₄は混合層の厚さであり、
Ｅ₁はコア基板の弾性率であり、
Ｅ₄は混合層の弾性率であり、
Ｉ₁はコア基板の断面二次モーメントであり、
Ｉ₄は混合層の断面二次モーメントであり、
ｂはＬである）
前記コア基板はガラスである、請求項９または１０に記載の製造方法。