JP2017143196A - Electronic device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
この明細書における開示は、電子部品がはんだを介して回路基板に実装されている電子装置及びその製造方法に関する。 The disclosure in this specification relates to an electronic device in which an electronic component is mounted on a circuit board via solder, and a manufacturing method thereof.
従来から知られている電子装置は、電子部品、回路基板及びはんだを含んでいる。受動素子や能動素子などの電子部品は、はんだを介して回路基板に搭載されている。はんだは、電子部品の電極と回路基板上の配線とを接続し、電子部品と回路基板とを電気的に接続している。ここでは、電子部品と回路基板とを接続しているはんだを通常のはんだと称する。 Conventionally known electronic devices include electronic components, circuit boards, and solder. Electronic components such as passive elements and active elements are mounted on a circuit board via solder. The solder connects the electrode of the electronic component and the wiring on the circuit board, and electrically connects the electronic component and the circuit board. Here, the solder connecting the electronic component and the circuit board is referred to as normal solder.
外気温が大きく変化する環境に、電子装置が長期間置かれた場合を考える。このような環境下では、電子部品及び回路基板は膨張と収縮を繰り返す。そして、電子部品と回路基板は線膨張係数の差があり、膨張及び収縮による長さの変化量が異なる。よって、上記の膨張及び収縮による変化量の差によって、電子部品と回路基板とを接続している通常のはんだには、せん断応力が発生する。このせん断応力は、上述の環境下では、繰り返しはんだに印加される。その結果、通常のはんだは金属疲労して、ひびが入り、電子部品と回路基板を接続する力が弱まってしまう。 Consider a case where an electronic device is placed in an environment where the outside air temperature changes greatly. Under such an environment, the electronic component and the circuit board repeatedly expand and contract. The electronic component and the circuit board have a difference in coefficient of linear expansion, and the amount of change in length due to expansion and contraction differs. Therefore, shear stress is generated in the normal solder connecting the electronic component and the circuit board due to the difference in the amount of change due to the expansion and contraction. This shear stress is repeatedly applied to the solder under the above-described environment. As a result, normal solder fatigues the metal, cracks, and weakens the force to connect the electronic component and the circuit board.
そこで、上記のせん断応力に対して十分なせん断強度をもつはんだが特許文献1に記載されている。特許文献1のはんだは、その成分として、Ag、Cu、Sb、Ni、Bi及びSnを含んでいる。つまり、特許文献1のはんだは、上記のせん断応力に対して十分な強度を有している。よって、上記のせん断応力がはんだに繰り返し印加されても、金属疲労によってはんだにひびが入るまでの時間を長くすることができる。
Therefore,
ここで、電子装置は、複数の種類、例えば、QFP(Quad Flat Package)、BGA(Ball Grid Array)、チップ抵抗、チップコンデンサ等を有している。 Here, the electronic device has a plurality of types, for example, QFP (Quad Flat Package), BGA (Ball Grid Array), chip resistor, chip capacitor, and the like.
これら複数種類の電子部品を回路基板上にはんだを介して接続する際、はんだの形状は、電子部品の種類に応じて、ボール形状となる場合と裾野形状となる場合がある。 When these plural types of electronic components are connected to the circuit board via solder, the shape of the solder may be a ball shape or a skirt shape depending on the type of the electronic component.
特許文献1のはんだを用いると、上記のせん断応力がはんだに加わっても、はんだがひび割れてしまうことが起こりにくくなっているが、一方で上記のせん断応力がはんだ内を伝達し、回路基板の配線に伝わってしまうことがある。
When the solder of
はんだの形状が裾野形状である場合、配線に沿ってなだらかな裾野が形成されているので、上記のせん断応力は回路基板の配線に伝わりにくい。しかし、ボール形状である場合には、裾野形状と異なり裾野が形成されておらず、上記のせん断応力が回路基板に伝わりやすい。よって、上記のせん断応力によって回路基板、例えば配線などがひび割れるなどの損傷が生じてしまう。 When the shape of the solder is a skirt shape, since a gentle skirt is formed along the wiring, the shear stress is not easily transmitted to the wiring on the circuit board. However, in the case of the ball shape, unlike the skirt shape, the skirt is not formed, and the above shear stress is easily transmitted to the circuit board. Therefore, damage such as cracking of the circuit board, for example, wiring, occurs due to the shear stress.
このため、複数種類の電子部品が特許文献1のはんだを介して接続された回路基板は、裾野形状のはんだが接続された箇所が損傷していなくても、ボール形状のはんだが接続された箇所が損傷してしまう可能性がある。したがって、電子装置は、正常に動作する期間が、ボール形状のはんだによる回路基板の損傷度合いに依存してしまう。
For this reason, the circuit board to which a plurality of types of electronic components are connected via the solder of
したがって、本開示の目的は、複数の電子部品を実装する場合でも、装置全体が正常に機能する期間を延ばすことができる電子装置及びその製造方法を提供することである。 Accordingly, an object of the present disclosure is to provide an electronic device and a method for manufacturing the same that can extend a period during which the entire device functions normally even when a plurality of electronic components are mounted.
本開示は、電極(11)を有する少なくとも2種類以上の電子部品と、電子部品が実装されている側の面である実装面(21)に配線(22)を有している回路基板(20)と、電子部品と回路基板(20)とを電気的かつ機械的に接続している接続はんだ(30)と、を備え、接続はんだ(30)が、少なくとも電極(11)における実装面(21)と対向している面である電極対向面12と配線(22)の一部が電極対向面12と対向している面である配線対向面23との間に配置されており、電子部品は、ボール形状の接続はんだ(30)で回路基板(20)に接続されている第1部品(10)と、裾野形状の接続はんだ(30)で回路基板(20)に接続されている第2部品(10A、10B)と、を含んでおり、接続はんだ(30)には、所定の引張強さを有する低強度はんだ(31)及び低強度はんだ(31)よりも引張強さが大きい高強度はんだ(32)が含まれており、第1部品(10)は、高強度はんだ(32)より低強度はんだ(31)が多い接続はんだ(30)で回路基板(20)に接続されており、第2部品(10A、10B)は、低強度はんだ(31)より高強度はんだ(32)が多い接続はんだ(30)で回路基板(20)に接続されている電子装置である。
The present disclosure relates to a circuit board (20) having wiring (22) on a mounting surface (21), which is a surface on which electronic components are mounted, and at least two or more types of electronic components having electrodes (11). ) And connection solder (30) for electrically and mechanically connecting the electronic component and the circuit board (20), and the connection solder (30) is at least a mounting surface (21 on the electrode (11)) ) Between the
ここに開示された電子装置によれば、以下の作用効果を奏する。 According to the electronic device disclosed herein, the following operational effects can be obtained.
ボール形状の接続はんだで回路基板に接続されている第1部品では、配線に伝わりやすいと想定される。ここで、ボール形状の接続はんだには、低強度はんだが高強度はんだよりも多く含まれている。これによって、接続はんだのせん断強度を確保しつつ、上記のせん断応力を接続はんだ自体で分散しやすくなるので、回路基板や配線に上記のせん断応力が集中することを緩和できる。 It is assumed that the first component connected to the circuit board with the ball-shaped connection solder is easily transmitted to the wiring. Here, the ball-shaped connection solder contains more low-strength solder than high-strength solder. As a result, the shear stress can be easily dispersed by the connection solder itself while securing the shear strength of the connection solder, so that the concentration of the shear stress on the circuit board and wiring can be alleviated.
対して、裾野形状の接続はんだで回路基板に接続されている第2部品では、接続はんだ自体に上記のせん断応力が集中すると想定される。ここで、裾野形状の接続はんだには、高強度はんだが低強度はんだよりも多く含まれている。これによって、上記のせん断応力が接続はんだ自体に加わっても接続はんだが金属疲労してひび割れが入るまでの期間を長くすることができる。 On the other hand, in the second component connected to the circuit board with the skirt-shaped connection solder, it is assumed that the above-described shear stress is concentrated on the connection solder itself. Here, the skirt-shaped connection solder contains more high-strength solder than low-strength solder. Thereby, even if the above-described shear stress is applied to the connection solder itself, it is possible to lengthen the period until the connection solder is fatigued by metal and cracks occur.
よって、低強度はんだ及び高強度はんだが含まれる割合を電子部品の種類に応じて調節した接続はんだを用いることで、従来の電子装置に比べて、電子装置が正常に機能する期間を延ばすことができる。 Therefore, it is possible to extend the period during which the electronic device functions normally as compared with the conventional electronic device by using the connection solder in which the ratio of the low strength solder and the high strength solder is adjusted according to the type of the electronic component. it can.
また、本開示は、電極(11)を有する少なくとも2種類以上の電子部品と、電子部品が実装されている側の面である実装面(21)に配線(22)を有している回路基板(20)と、電子部品と回路基板(20)とを電気的かつ機械的に接続している接続はんだ(30)と、を備え、接続はんだ30の少なくとも一部が、電極(11)における実装面(21)と対向している面である電極対向面(12)と配線(22)の一部が電極対向面(12)と対向している面である配線対向面(23)との間に配置されており、電子部品は、ボール形状の接続はんだ(30)で回路基板(20)に接続されている第1部品(10)と、裾野形状の接続はんだ(30)で回路基板(20)に接続されている第2部品(10A、10B)と、を含んでおり、接続はんだ(30)には、所定の引張強さを有する低強度はんだ(31)及び低強度はんだ(31)よりも引張強さが大きい高強度はんだ(32)が含まれており、第1部品(10)は、高強度はんだ(32)より低強度はんだ(31)が多い接続はんだ(30)で回路基板(20)に接続されており、第2部品(10A、10B)は、低強度はんだ(31)より高強度はんだ(32)が多い接続はんだ(30)で回路基板(20)に接続されている電子装置の製造方法であって、低強度はんだ(31)と高強度はんだ(32)のうち、いずれか一方のはんだを配線(22)上に塗布し、一方のはんだ上に、第1部品(10)と高強度はんだ(32)より低強度はんだ(31)が多くなるように他方のはんだとを配置するとともに、一方のはんだ上に、第2部品(10A、10B)と低強度はんだ(31)より高強度はんだ(32)が多くなるように他方のはんだとを配置し、一方のはんだ及び他方のはんだをリフローし、接続はんだ(30)を形成することで第1部品(10)及び第2部品(10A、10B)と回路基板(20)とを電気的に接続する電子装置の製造方法である。
The present disclosure also provides a circuit board having at least two or more types of electronic components having electrodes (11) and wiring (22) on a mounting surface (21) which is a surface on which the electronic components are mounted. (20) and a connection solder (30) for electrically and mechanically connecting the electronic component and the circuit board (20), and at least a part of the
ここに開示された電子装置の製造方法によれば、以下の作用効果を奏する。 According to the method for manufacturing an electronic device disclosed herein, the following effects can be obtained.
上述のように、ボール形状の接続はんだで回路基板に接続されている第1部品では、接続はんだと回路基板上の配線との境界面に上記のせん断応力が集中すると想定される。 As described above, in the first component connected to the circuit board with the ball-shaped connection solder, it is assumed that the shear stress is concentrated on the boundary surface between the connection solder and the wiring on the circuit board.
対して、裾野形状の接続はんだで回路基板に接続されている第2部品では、接続はんだ自体に上記のせん断応力が集中すると想定される。 On the other hand, in the second component connected to the circuit board with the skirt-shaped connection solder, it is assumed that the above-described shear stress is concentrated on the connection solder itself.
開示された電子装置の製造方法では、第1部品を回路基板に接続する場合には、回路基板上に第1部品、低強度はんだ及び当該低強度はんだよりも少ない量の高強度はんだを配置する。また、第2部品を回路基板に接続する場合には、回路基板上に第2部品、低強度はんだ及び当該低強度はんだよりも多い量の高強度はんだを配置する。その後、リフローによって、接続はんだを形成して電子部品と回路基板とを電気的に接続する。よって、回路基板に接続される電子部品の種類に応じて、低強度はんだ及び高強度はんだの量が調節された接続はんだを形成できるので、上記の電子装置を製造することができる。 In the disclosed method for manufacturing an electronic device, when the first component is connected to the circuit board, the first component, the low-strength solder, and the high-strength solder in an amount smaller than the low-strength solder are arranged on the circuit board. . When the second component is connected to the circuit board, the second component, the low-strength solder, and the high-strength solder in an amount larger than the low-strength solder are arranged on the circuit board. Then, by reflow, connection solder is formed to electrically connect the electronic component and the circuit board. Therefore, since the connection solder in which the amount of the low-strength solder and the high-strength solder is adjusted can be formed according to the type of the electronic component connected to the circuit board, the above-described electronic device can be manufactured.
この明細書における開示された複数の態様は、それぞれの目的を達成するために、互いに異なる技術的手段を採用する。請求の範囲およびこの項に記載した括弧内の符号は、後述する本実施形態の部分との対応関係を例示的に示すものであって、技術的範囲を限定することを意図するものではない。この明細書に開示される目的、特徴、および効果は、後続の詳細な説明、および添付の図面を参照することによってより明確になる。 The disclosed embodiments of the present specification employ different technical means to achieve each purpose. The reference numerals in parentheses described in the claims and in this section exemplarily show a correspondence relationship with the part of the present embodiment described later, and are not intended to limit the technical scope. The objects, features, and advantages disclosed in this specification will become more apparent with reference to the following detailed description and accompanying drawings.
図面を参照しながら、本開示を実施するための形態を説明する。 The form for carrying out this indication is explained, referring to drawings.
本実施形態では、一例として、図1、図2などに示す電子装置1を採用する。電子装置1は、例えば車両の搭載可能な電子制御装置である。この電子制御装置としては、エンジン制御装置、パワーステアリング制御装置、ブレーキ制御装置等をあげることができる。さらに、電子装置1は、車両のエンジンルームなど、周囲温度の変化が大きい環境に搭載される。つまり、電子装置1は、例えば約−30度から約100度の範囲で温度が変化する環境に搭載される。
In the present embodiment, as an example, the
まず、電子装置1の構成に関して説明する。電子装置1は、複数種類の電子部品、回路基板20、接続はんだ30などを有している。よって、電子装置1は、ECU(Electronic Control Unit)と称することもできる。
First, the configuration of the
図1及び図2に示すように、電子部品は、例えば、BGA10、チップ部品10A、半導体パッケージ10B及び背高部品10Cの4種類存在する。BGA10は特許請求の範囲において第1部品に対応し、同様に、チップ部品10Aと半導体パッケージ10Bは第2部品、背高部品10Cは第3部品に対応する。なお、本実施形態では、図2に示すように、これらの電子部品が回路基板20の両面に実装された電子装置1を採用する。しかしながら、本発明は、回路基板20の片面のみに電子部品が実装された電子装置1であっても採用できる。また、図3以降に関しては、図面を簡略化するために一方の面に実装された電子部品のみを図示している。
As shown in FIGS. 1 and 2, there are four types of electronic components, for example, a
BGA10は、例えば、中央処理装置や不揮発性メモリとして機能する。BGA10は、半導体チップが樹脂で覆われたものである。よって、BGA10の線膨張係数は、チップを覆っている樹脂の一般的な線膨張係数とほぼ同じであると考えられるので、10×10−6/ K以上60×10−6/ K以下の値をとる。
The
図3に示すように、BGA10は、回路基板20に接続される側の面のみに電極11を有している。言い換えると、BGA10は、回路基板20と対向する面のみに電極11が形成されている。また、BGA10は、電極11における後述の第1ランド220と対向している面である電極対向面12を有する。
As shown in FIG. 3, the
しかしながら、第1部品は、BGA10に限定されない。BGA10は、回路基板20との対向面に複数の電極11が露出した、一般にエリアタイプと呼ばれる電子部品である。よって、本実施形態は、BGA10に代わる他のエリアタイプの電子部品であってもよく、第1部品として、FCBGA(Flip Chip Ball Grid Array)、CSP(Chip Size Package)及びLGA(Land Grid Array)等も採用することができる。
However, the first component is not limited to the
チップ部品10Aは、例えば、チップ抵抗やチップコンデンサ等の受動素子として機能する。チップ部品10Aは、主にセラミックから成る。よって、チップ部品10Aの線膨張係数は、6×10−6/ K以上7×10−6/ K以下程度である。
The
図4に示すように、チップ部品10Aは、直方体状であり、直方体の両端を覆うように二つの電極11が形成されている。また、BGA10と同様に、チップ部品10Aは、電極11における後述の第2ランド220Aと対向している面である電極対向面12を有する。
As illustrated in FIG. 4, the
半導体パッケージ10Bは、図5に示すように、半導体チップが樹脂で覆われた本体部と、本体部の側面から電極11が突出した形状を有している。このように、半導体パッケージ10Bは、電極の構成がBGA10と異なる。よって、半導体パッケージ10Bの線膨張係数は、BGA10と同様に、10×10−6/ K以上60×10−6/ K以下の値をとる。
As shown in FIG. 5, the
また、BGA10と同様に、半導体パッケージ10Bは、電極11における後述の第3ランド220Bと対向している面である電極対向面12を有する。さらに、半導体パッケージ10Bの電極11は、途中で2回折り曲がっている。電極11は、2回折り曲がった後、側面から突出している方向と同じ向きに伸びている。このような電極11は、一般的にガルウイング構造やムカデ足構造と呼ばれる。
Similarly to the
しかしながら、第2部品は、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bに限定されない。要するに、第2部品は、その側面に電極11を有しており、その電極11がランドと対向する電極対向面12を有していればよい。
However, the second component is not limited to the
また、半導体パッケージ10Bは、本体部の側面から突出した電極を有する表面実装型の電子部品である。よって、本実施形態は、半導体パッケージ10Bに代わる他の表面実装型の電子部品であってもよく、QFP(Quad Flat Package)、QFJ(Quad Flat J-leaded Package)等も採用することができる。
The
背高部品10Cは、図2に示すように、BGA10、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bよりも背の高さが高い電子部品である。背の高さとは、回路基板20における電子部品が搭載されている側の面である実装面21に対して垂直な方向への電子部品の長さである。背高部品10Cは、例えば、アルミ電解コンデンサやソレノイドとして機能する。背高部品10Cは、BGA10、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bと比べて、その体格が大きいものである。
As shown in FIG. 2, the
図6に示すように、背高部品10Cは、回路基板20に実装される側に電極11を有する。また、電極11は、背高部品10Cの側面にまで連続して形成されている。BGA10、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bと同様に、背高部品10Cは、電極11における後述の第4ランド220Cと対向している面である電極対向面12を有する。
As shown in FIG. 6, the
しかしながら、第3部品は、背高部品10Cに限定されない。要するに、第3部品は、第1部品及び第2部品よりも背の高さが高ければよい。
However, the third component is not limited to the
回路基板20は、セラミックや樹脂等を主成分とする基材に、導電性の配線22が形成されたものである。そのため、回路基板20の線膨張係数は、おおむねセラミックや樹脂の線膨張係数と一致する。よって、回路基板20の線膨張係数は、12×10−6/ K以上16×10−6/ K以下となる。
The
回路基板20は、電子部品が実装されている側の面である実装面21を有する。図3から図6までに示すように、配線22は、ランド、内部配線221及びビア222を有している。ランドは、配線22における実装面21に形成された部位である。回路基板20は、ランドとして、第1ランド220、第2ランド220A、第3ランド220B及び第4ランド220Cが形成されている。第1ランド220は、実装面21上に形成されている。第1ランド220において、BGA10の電極対向面12と対向している面を配線対向面23とする。同様に、第2ランド220A及び第3ランド220Bにおいてチップ部品10A及び半導体パッケージ10Bの電極対向面12と対向している面、第4ランド220Cにおいて背高部品10Cの電極対向面12と対向している面を配線対向面23とする。
The
なお、内部配線221及びビア222は、配線22における基材内に形成された部位である。内部配線221は、回路基板20の内部に実装面と垂直な方向において層状に形成されている。内部配線221は、実装面21と平行な方向に伸びている。ビア222は、実装面に対して垂直方向に伸びている。ビア222は、ランドと内部配線221とを電気的に接続している。また、図示はしないが、ビア222は、内部配線221どうしを電気的に接続している。
Note that the
接続はんだ30は、図3に示すように、BGA10の電極11と第1ランド220とを電気的かつ機械的に接続している。以下、電気的かつ機械的に接続していることを単に接続とも記載する。BGA10の電極11と第1ランド220とを接続している接続はんだ30は、電極対向面12と配線対向面23との間に存在している。なお、接続はんだ30のうち少なくとも一部が電極対向面12と配線対向面23との間に存在していてもよい。
As shown in FIG. 3, the
BGA10と回路基板20とを接続している場合、接続はんだ30は、ボール形状である。ボール形状とは、接続はんだ30の実装面21に対して平行な断面積が、電極対向面12から接続はんだ30の中央に向かうにつれて大きくなり、配線対向面23から接続はんだ30の中央に向かうにつれても大きくなっている形状である。言い換えると、接続はんだ30の表面の傾きが、電極対向面12から接続はんだ30の中央に向かうにつれて実装面21に対して垂直になり、配線対向面23から接続はんだ30の中央に向かうにつれても実装面21に対して垂直になっている。
When the
接続はんだ30は、図4に示すように、チップ部品10Aの電極11と第2ランド220Aとを電気的に接続している。この場合、接続はんだ30は、電極対向面12と配線対向面23との間以外にも存在している。具体的には、接続はんだ30は、電極11の電極対向面12と垂直な面上にも形成されることで、電極対向面12と配線対向面23との間以外にも存在することになる。つまり、図4に示すように、チップ部品10Aと回路基板20とを接続している場合、接続はんだ30は、電極対向面12と配線対向面23との間以外にも存在していてもよい。
As shown in FIG. 4, the
また、接続はんだ30は、図5に示すように、半導体パッケージ10Bと第3ランド220Bとを接続している。この場合、接続はんだ30は、チップ部品10Aの場合と同様に電極対向面12と配線対向面23との間以外にも存在している。具体的には、接続はんだ30が電極11の電極対向面12と垂直な面上にも形成されることで、電極対向面12と配線対向面23との間以外にも接続はんだ30が存在することになる。つまり、図5に示すように、半導体パッケージ10Bと回路基板20とを接続している場合、接続はんだ30は、電極対向面12と配線対向面23との間以外にも存在していてもよい。
Further, as shown in FIG. 5, the
チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bと回路基板20とを接続している場合、接続はんだ30は、裾野形状である。裾野形状とは、接続はんだ30の実装面21に対して平行な断面積が、電極対向面12から配線対向面23に向かうにつれて大きくなっている形状である。言い換えると、接続はんだ30の表面の傾きが、電極対向面12から配線対向面23に向かうにつれて、実装面21に対して平行に近づいていく。また、裾野形状とは、フィレット形状ともいうことができる。
When the
接続はんだ30は、図6に示すように、背高部品10Cの電極11と第4ランド220Cとを接続している。この場合、接続はんだ30は、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bの場合と同様に、電極対向面12と配線対向面23との間以外にも存在している。背高部品10Cは、チップ部品10Aと同様に、電極対向面12と垂直な面に電極11を有している。よって、この垂直な面上にも接続はんだ30が形成される。よって、電極対向面12と配線対向面23との間以外にも接続はんだ30が存在することになる。
As shown in FIG. 6, the
図6に示すように、背高部品10Cと回路基板20とを接続している場合、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bの場合と同様に、接続はんだ30は、裾野形状である。
As shown in FIG. 6, when the
接続はんだ30は、引張強さの異なる2種類の低強度はんだ31と高強度はんだ32とを含んでいる。ここで、引張強さとは、材料を引っ張る方向に力を加えた際に、材料が破断したときの材料の単位面積当たりの力の大きさをいう。低強度はんだ31と高強度はんだ32とは、所定の引張強さを有する。
The
低強度はんだ31は、例えば、接続はんだ30に含まれる材料の1つである。低強度はんだ31は、主にSnとAgとが、6:1の割合で含まれている。低強度はんだ31の引張強さは、40MPa以上50MPa以下である。
The low-
高強度はんだ32は、例えば、接続はんだ30に含まれる材料の1つである。高強度はんだ32は、Agが1質量%以上4質量%以下、Cuが0.6質量%以上0.8質量%以下、Sbが1質量%以上5質量%以下、Niが0.01質量%以上0.2質量%以下、残りがSnからなる。高強度はんだ32の引張強さは、90MPa以上100MPa以下である。
The high-
接続はんだ30に含まれる低強度はんだ31と高強度はんだ32の割合は、電子装置1を搭載環境の加速試験である冷熱サイクルの耐久試験結果、あるいは有限要素法などの応力解析によって算出した予測に基づいて求められる。例えば、BGA10の場合、接続はんだ30を用いて、BGA10と回路基板20との接続を行う。その後、上記の耐久試験あるいは応力解析を行う。回路基板20が損傷していると考えられるので、これを改善するために接続はんだ30に含まれる低強度はんだ31と高強度はんだ32との割合を調節して再び耐久試験あるいは応力解析を行う。これらを繰り返すと、BGA10を接続する際の接続はんだ30に含まれる低強度はんだ31と高強度はんだ32の割合を最適にすることができる。
The ratio of the low-
ボール形状の接続はんだ30には、低強度はんだ31のほうが高強度はんだ32よりも多く含まれている。
The ball-shaped
裾野形状の接続はんだ30には、高強度はんだ32のほうが低強度はんだ31よりも多く含まれている。なお、裾野形状の接続はんだ30には、高強度はんだ32のみが含まれていてもよい。
The skirt-shaped
ここで、裾野形状の接続はんだ30には、高強度はんだ32のほうが低強度はんだ31よりも多く含まれているとした。しかし、例外的に、接続はんだ30の形状にかかわらず、背高部品10Cと回路基板20とを接続する接続はんだ30には、低強度はんだ31のほうが高強度はんだ32よりも多く含まれている。
Here, it is assumed that the skirt-shaped
なお、本実施形態の電子装置1は、コネクタ40に接続されている。コネクタ40は、外部機器と電子装置1との接続部分である。コネクタ40は、図1に示すように、端子41がハウジング42で覆われている。端子41は、回路基板20に接続される導電部材である。
Note that the
また、本実施形態の電子装置1は、ケース50内に収容されている。ケース50は、主にアルミニウムで作られる。ケース50は、電子装置1を外部から保護している。
In addition, the
(本実施形態の製造方法)
ここで、図7から図15までを用いて電子装置1の製造方法について説明する。本実施形態が開示する電子装置1の製造方法は、塗布工程、配置工程及びリフロー工程をこの順で行う。なお、図7から図15までを用いて各電子部品について説明をするが、図面を簡略化するために回路基板20の片面にのみ各電子部品を実装する製造工程を図示している。したがって、電子装置1の製造方法は、片面にのみ各電子部品を実装する製造方法に限定されない。
(Manufacturing method of this embodiment)
Here, a method of manufacturing the
(塗布工程)
塗布工程では、図7に示すように、回路基板20の各ランド上に低強度はんだ31を塗布する。具体的には、塗布工程では、第1ランド220上に低強度はんだ31を塗布する。また、第2ランド220A上に低強度はんだ31を塗布する。さらに、第3ランド220B上に低強度はんだ31を塗布する。そして、第4ランド220C上に低強度はんだ31を塗布する。塗布工程では、ディスペンサー等を用いた塗布やスクリーン印刷によって、予め決められた量の低強度はんだ31をランド上に塗布する。つまり、各ランドに一つずつ低強度はんだ31を塗布してもよいし、全ランドにまとめて一度に低強度はんだ31を塗布してもよい。
(Coating process)
In the coating process, as shown in FIG. 7, a low-
なお、本実施形態では、一例として、ランド上に低強度はんだ31を塗布する塗布工程を採用した。しかしながら、本発明は、これに限定されず、ランド上に高強度はんだ32を塗布する塗布工程であっても採用できる。
In the present embodiment, as an example, an application process of applying the low-
(配置工程)
配置工程では、塗布工程にて各ランドに塗布された低強度はんだ31上に、高強度はんだ32と、BGA10、チップ部品10A、半導体パッケージ10B及び背高部品10Cとを配置する。なお、この配置工程では、BGA10、チップ部品10A、半導体パッケージ10B及び背高部品10Cのそれぞれに関して個別に説明する。
(Arrangement process)
In the placement process, the high-
まず、図8、図9を用いて、高強度はんだ32とBGA10の配置に関して説明する。図8に示すように、配置工程では、BGA10用の低強度はんだ31の真上に、チップマウンタ等を用いて電極11に高強度はんだ32が形成された状態のBGA10を配置する。高強度はんだ32は、複数の電極11上のそれぞれに形成されている。
First, the arrangement of the high-
図9に示すように、配置工程では、高強度はんだ32が塗布されたBGA10を第1ランド220上の低強度はんだ31に配置する。電極11に形成されている高強度はんだ32の量は、塗布工程で塗布された低強度はんだ31の量よりも少ない。つまり、配置工程では、塗布工程で予め決められた量の低強度はんだ31よりも、少ない量の高強度はんだ32が配置される。配置工程では、低強度はんだ31と高強度はんだ32を電極対向面12と配線対向面23との間に配置する。
As shown in FIG. 9, in the placement step, the
次に、図10、図11を用いて、高強度はんだ32とチップ部品10Aの配置に関して説明する。図10に示すように、配置工程では、チップ部品10A用の低強度はんだ31上に、チップ部品10Aと高強度はんだ32とを別々に配置する。つまり、配置工程では、チップ部品10Aを、電極11に高強度はんだ32が形成されていない状態で、低強度はんだ31上に配置する。配置工程では、チップマウンタ等を用いてチップ部品10Aを低強度はんだ31上に配置する。このとき、配置工程では、低強度はんだ31の少なくとも一部が電極対向面12と配線対向面23との間に存在するようにチップ部品10Aを配置する。
Next, the arrangement of the high-
図11に示すように、配置工程では、チップ部品10Aを低強度はんだ31上に配置した後、高強度はんだ32を塗布する。このとき、配置工程では、高強度はんだ32をチップ部品10Aの電極11が配置されている箇所以外に塗布する。この高強度はんだ32の量は、塗布工程で塗布された低強度はんだ31の量よりも多い。つまり、配置工程では、塗布工程で予め決められた量の低強度はんだ31よりも、多い量の高強度はんだ32を塗布する。チップ部品10Aと高強度はんだ32とは、低強度はんだ31上に配置される。配置工程では、ディスペンサー等を用いて高強度はんだ32を低強度はんだ31上に塗布する。
As shown in FIG. 11, in the placement step, the
次に、図12、図13を用いて、高強度はんだ32と半導体パッケージ10Bの配置に関して説明する。図12に示すように、配置工程では、半導体パッケージ10B用の低強度はんだ31上には、半導体パッケージ10Bと高強度はんだ32とを別々に配置する。つまり、半導体パッケージ10Bは、電極11に高強度はんだ32が形成されていない状態で、低強度はんだ31上に配置される。配置工程では、チップマウンタ等を用いて半導体パッケージ10Bを配置する。このとき、配置工程では、チップ部品10Aと同様に、低強度はんだ31の少なくとも一部が電極対向面12と配線対向面23との間に存在するように半導体パッケージ10Bを配置する。
Next, the arrangement of the high-
図13に示すように、配置工程では、半導体パッケージ10Bを低強度はんだ31上に配置した後、高強度はんだ32を塗布する。このとき、配置工程では、半導体パッケージ10Bの電極11が配置されている箇所以外に塗布する。この高強度はんだ32の量は、チップ部品10Aにおける配置工程と同様に、塗布工程で塗布された低強度はんだ31の量よりも多い。配置工程では、半導体パッケージ10Bと高強度はんだ32を低強度はんだ31上に配置する。配置工程では、チップ部品10Aにおける配置工程と同様に、ディスペンサー等を用いて高強度はんだ32を低強度はんだ31上に塗布する。
As shown in FIG. 13, in the placement step, the
そして、図14、図15を用いて、高強度はんだ32と背高部品10Cの配置に関して説明する。図14に示すように、配置工程では、背高部品10C用の低強度はんだ31上に、背高部品10Cと高強度はんだ32とを別々に配置する。つまり、配置工程では、背高部品10Cを、電極11に高強度はんだ32が形成されていない状態で、低強度はんだ31上に配置する。配置工程では、チップマウンタ等を用いて、背高部品10Cを低強度はんだ31上に配置する。このとき、配置工程では、チップ部品10Aと同様に、低強度はんだ31の少なくとも一部が電極対向面12と配線対向面23との間に存在するように背高部品10Cを配置する。
The arrangement of the high-
図15に示すように、配置工程では、背高部品10Cを低強度はんだ31上に配置した後、高強度はんだ32を塗布する。背高部品10Cが配置されている箇所以外に塗布される高強度はんだ32の量は、塗布工程で塗布された低強度はんだ31の量よりも多い。配置工程では、第3部品10Cと高強度はんだ32とを低強度はんだ31上に配置する。配置工程では、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bにおける配置工程と同様に、ディスペンサー等を用いて高強度はんだ32を低強度はんだ31上に塗布する。
As shown in FIG. 15, in the arranging step, the high-
なお、本実施形態では、一例として、低強度はんだ31上に高強度はんだ32を配置する配置工程を採用した。しかし、これに限られずに、配置工程では、塗布工程にて塗布された高強度はんだ32上に低強度はんだ31を配置してもよい。
In the present embodiment, as an example, an arrangement process of arranging the high-
(リフロー工程)
リフロー工程では、低強度はんだ31と高強度はんだ32とを溶融及び硬化させることで接続はんだ30を形成する。そして、接続はんだ30を形成することで、各電子部品と回路基板20とを接続する。
(Reflow process)
In the reflow process, the
BGA10の場合、電極対向面12と配線対向面23との間にある低強度はんだ31及び高強度はんだ32が加熱によって溶融する。溶融した低強度はんだ31及び高強度はんだ32は、対流によって互いに混ざり合う。そして、溶融状態の接続はんだ30ができる。電極対向面12と配線対向面23との間にある溶融した接続はんだ30は、その表面張力によって丸みを帯びる。その後、硬化することでボール形状の接続はんだ30を形成する。
In the case of the
チップ部品10Aの場合、低強度はんだ31及び低強度はんだ31上に配置された高強度はんだ32が加熱によって溶融する。BGA10におけるリフロー工程の場合と同様に、溶融した低強度はんだ31及び高強度はんだ32が互いに混ざり合い、そして、溶融状態の接続はんだ30ができる。溶融状態の接続はんだ30は、チップ部品10Aの電極対向面12と垂直な面上と配線対向面23上を濡れ拡がっていく。溶融状態の接続はんだ30が濡れ拡がることで、電極対向面12と配線対向面との間にある接続はんだ30に裾野が形成される。その後、硬化することで裾野形状の接続はんだ30を形成する。
In the case of the
半導体パッケージ10Bの場合、低強度はんだ31及び低強度はんだ31上に配置された高強度はんだ32が加熱によって溶融する。BGA10及びチップ部品10Aにおけるリフロー工程の場合と同様に、溶融した低強度はんだ31及び高強度はんだ32が互いに混ざり合い、そして、溶融状態の接続はんだ30ができる。溶融状態の接続はんだ30は、半導体パッケージ10Bの配線対向面23上を濡れ拡がっていく。その後、チップ部品10Aの場合と同様に、硬化することで裾野形状の接続はんだ30を形成する。
In the case of the
背高部品10Cの場合、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bと同様に、低強度はんだ31及び低強度はんだ31上に配置された高強度はんだ32が加熱によって溶融する。BGA10、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bにおけるリフロー工程の場合と同様に、溶融した低強度はんだ31及び高強度はんだ32が互いに混ざり合い、そして、溶融状態の接続はんだ30ができる。溶融状態の接続はんだ30は、背高部品10Cの電極対向面12と垂直な面上と配線対向面23上を濡れ拡がっていく。その後、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bの場合と同様に、硬化することで裾野形状の接続はんだ30を形成する。
In the case of the
なお、電子装置1の製造方法では、低強度はんだ31及び高強度はんだ32を別工程で塗布している。しかし、この開示はこれに限定されず、例えば、BGA10を回路基板20に電気的に接続する場合、予め高強度はんだ32の量より低強度はんだ31の量を多くして、予め低強度はんだ31と高強度はんだ32とを混合させたはんだを用いてもよい。同様に、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bを回路基板20に電気的に接続する場合、予め低強度はんだ31の量より高強度はんだ32の量を多くして、予め低強度はんだ31と高強度はんだ32とを混合させたはんだを用いてもよい。同様に、背高部品10Cを回路基板20に電気的に接続する場合、予め高強度はんだ32の量より低強度はんだ31の量を多くして、予め低強度はんだ31と高強度はんだ32とを混合させたはんだを用いてもよい。
In the method for manufacturing the
なお、本実施形態では、一例として、予め決められた量の低強度はんだ31を塗布する塗布工程を採用した。しかし、これに限られずに、塗布工程で第1ランド220上には、配置工程で塗布される高強度はんだ32よりも多い量の低強度はんだ31を塗布するとしてもよい。同様に、塗布工程で第2ランド220A及び第3ランド220B上には、配置工程で塗布される高強度はんだ32よりも少ない量の低強度はんだ31を塗布するとしてもよい。同様に、塗布工程で第4ランド220C上には、配置工程で塗布される高強度はんだ32よりも少ない量の低強度はんだ31を塗布するとしてもよい。そして、この後、配置工程では、所定量の高強度はんだ32を塗布してもよい。
In the present embodiment, as an example, an application process of applying a predetermined amount of low-
(本実施形態の作用効果)
この実施形態によると、電子部品の種類に応じて低強度はんだ31及び高強度はんだ32が含まれる割合を調節した接続はんだ30を用いることで、従来の電子装置に比べて、装置が正常に機能する期間を延ばすことができる。
(Operational effect of this embodiment)
According to this embodiment, by using the
詳述すると、BGA10と回路基板20とを電気的に接続している接続はんだ30は、ボール形状である。ボール形状では、接続はんだ30の中央から電極対向面12及び配線対向面23へ向かうにつれて、接続はんだ30の実装面21と平行な断面での断面積が小さくなる。つまり、接続はんだ30の表面と電極対向面12とがつくる角が鋭角となる。このため、外気温が大きく変化することで生ずるせん断応力によって、回路基板20側へひび割れが生じやすいと想定される。そこで、接続はんだ30へも応力を分散させ、回路基板20へせん断応力の集中を緩和するため、BGA10と回路基板20とを電気的に接続している接続はんだ30には、低強度はんだ31が高強度はんだ32よりも多く含まれている。低強度はんだ31の引張強さは、高強度はんだ32の引張強さよりも小さいので、せん断応力を接続はんだ30内で分散しやすくなる。よって、外気温が大きく変化する環境下でも、BGA10と回路基板20とを電気的に接続しているボール形状の接続はんだ30の接続信頼性を高めることができる。
More specifically, the
チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bと回路基板20とを電気的に接続している接続はんだ30は、裾野形状である。裾野形状では、電極対向面12から配線対向面23へ向かうにつれて、接続はんだ30の実装面21と平行な断面での断面積が大きくなる。つまり、接続はんだ30の表面と電極対向面12とがつくる角が鈍角となる。このため、外気温が大きく変化することで生ずるせん断応力は、回路基板20側に加わりにくく、接続はんだ30に集中すると想定される。そこで、集中するせん断応力に対する耐久性を確保するため、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bと回路基板20とを電気的に接続している接続はんだ30には、高強度はんだ32が低強度はんだ31よりも多く含まれている。高強度はんだ32の引張強さは、低強度はんだ31の引張強さよりも大きいので、接続はんだ30は、せん断応力に対して十分な強度を確保することができる。よって、外気温が大きく変化する環境下でも、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bと回路基板20とを電気的に接続している裾野形状の接続はんだ30の接続信頼性を高めることができる。
The
以上より、上述のような割合で混合された接続はんだ30を用いることで、単一種類のはんだを用いていた従来の電子装置よりも、電子装置1が正常に機能する期間を延ばすことができる。
As described above, by using the
また、背高部品10Cと回路基板20とを電気的に接続している接続はんだ30は、裾野形状である。よって、上記のせん断応力は、接続はんだ30に集中すると想定されるため、接続はんだ30には高強度はんだ32が低強度はんだ31よりも多く含ませるべきである。しかし、電子装置1が落下したとき、落下による衝撃が全電子部品に加わる。背高部品10Cは、BGA10、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bよりも背が高いため、他の電子部品に比べて落下衝撃の影響を受けやすい。そして、落下衝撃の影響は、接続はんだ30と配線対向面23との境界面に集中すると想定される。
The
そこで、落下衝撃が接続はんだ30と配線対向面23との境界面に集中することを緩和するため、背高部品10Cと回路基板20とを接続しているには、接続はんだ30の形状にかかわらず、低強度はんだ31が高強度はんだ32よりも多く含まれている。よって、高強度はんだ32のみが含まれている接続はんだ30に比べ、接続はんだ30内で力を分散させることができる。したがって、せん断応力に対して十分な強度を確保しつつ、落下衝撃による影響を緩和することができる。
Therefore, in order to mitigate the concentration of the drop impact on the boundary surface between the
また、この実施形態の製造方法によると、電子部品の種類に応じて低強度はんだ31と高強度はんだ32を塗布する割合を調節した接続はんだ30を形成することで、本実施形態の電子装置1を製造することができる。
Moreover, according to the manufacturing method of this embodiment, the
詳述すると、BGA10を回路基板20に接続する場合には、配置工程で低強度はんだ31上に、BGA10、当該低強度はんだ31よりも少ない量の高強度はんだ32を配置する。その後、リフロー工程を経て、高強度はんだ32よりも多く低強度はんだ31が含まれた接続はんだ30を形成する。
More specifically, when the
また、チップ部品10A及び半導体パッケージ10Bを回路基板20に接続する場合には、配置工程で低強度はんだ31上に、チップ部品10A及び半導体パッケージ10B、当該低強度はんだ31よりも多い量の高強度はんだ32を配置する。その後、リフロー工程を経て、低強度はんだ31よりも多く高強度はんだ32が含まれた接続はんだ30を形成する。
Further, when the
さらに、背高部品10Cを回路基板20に接続する場合には、配置工程で低強度はんだ31上に、背高部品10C、当該低強度はんだ31よりも少ない量の高強度はんだ32を配置する。その後、リフロー工程を経て、BGA10の場合と同様に、高強度はんだ32よりも多く低強度はんだ31が含まれた接続はんだ30を形成する。
Furthermore, when connecting the
したがって、低強度はんだ31及び高強度はんだ32が含まれる割合が回路基板20に接続される各電子部品の種類に応じて調節された接続はんだ30を用いた本実施形態の電子装置1を製造することができる。なお、塗布工程にて低強度はんだ31の代わりに高強度はんだ32を塗布して、配置工程にて低強度はんだ31を配置する製造方法でも、上述と同様の作用効果を奏する。
Therefore, the
また、低強度はんだ31は、フラックスを含んだペースト状でもよい。フラックスを含んだ低強度はんだ31は、フラックスを含まない低強度はんだ31よりも粘性が高くなる。よって、配置工程では、低強度はんだ31上の一部にチップ部品10A及び半導体パッケージ10B及び背高部品10Cの電極11を接触させて配置する際に、チップ部品10A及び半導体パッケージ10B及び背高部品10Cを安定して配置することができる。つまり、配置工程では、低強度はんだ31上にチップ部品10Aなどを配置した場合に、チップ部品10Aが低強度はんだ31から滑り落ちることを抑制できる。なお、塗布工程にて、高強度はんだ32をランド上に塗布する際も同様に、高強度はんだ32にフラックスを含めることで、配置工程にて、高強度はんだ32上にチップ部品10A及び半導体パッケージ10B及び背高部品10Cを安定して配置することができる。
The low-
1…電子装置、10…BGA、10A…チップ部品、10B…半導体パッケージ、10C…背高部品、11…電極、12…電極対向面、20…回路基板、21…実装面、22…配線、30…接続はんだ、31…低強度はんだ、32…高強度はんだ
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記電子部品が実装されている側の面である実装面(21)に配線(22)を有している回路基板(20)と、
前記電子部品と前記回路基板とを電気的かつ機械的に接続している接続はんだ(30)と、を備え、
前記接続はんだの少なくとも一部が、前記電極における前記実装面と対向している面である電極対向面(12)と前記配線の一部が前記電極対向面と対向している面である配線対向面(23)との間に配置されており、
前記電子部品は、ボール形状の前記接続はんだで前記回路基板に接続されている第1部品(10)と、裾野形状の前記接続はんだで前記回路基板に接続されている第2部品(10A、10B)と、を含んでおり、
前記接続はんだには、所定の引張強さを有する低強度はんだ(31)及び前記低強度はんだよりも引張強さが大きい高強度はんだ(32)が含まれており、
前記第1部品は、前記高強度はんだより前記低強度はんだが多い前記接続はんだで前記回路基板に接続されており、
前記第2部品は、前記低強度はんだより前記高強度はんだが多い前記接続はんだで前記回路基板に接続されている電子装置。 At least two kinds of electronic components having an electrode (11);
A circuit board (20) having wiring (22) on a mounting surface (21) which is a surface on which the electronic component is mounted;
A connection solder (30) for electrically and mechanically connecting the electronic component and the circuit board;
At least part of the connection solder is an electrode facing surface (12) which is a surface facing the mounting surface of the electrode, and wiring facing is a surface where a part of the wiring is facing the electrode facing surface. Between the surface (23) and
The electronic component includes a first component (10) connected to the circuit board with the ball-shaped connection solder and a second component (10A, 10B) connected to the circuit board with the bottom-shaped connection solder. ), And
The connection solder includes a low strength solder (31) having a predetermined tensile strength and a high strength solder (32) having a higher tensile strength than the low strength solder,
The first component is connected to the circuit board with the connection solder in which the low-strength solder is more than the high-strength solder,
The electronic device in which the second component is connected to the circuit board with the connection solder in which the high-strength solder is more than the low-strength solder.
前記第3部品は、前記接続はんだの形状にかかわらず、前記高強度はんだより前記低強度はんだが多く前記接続はんだで前記回路基板に接続されている請求項1に記載の電子装置。 The electronic component includes a third component (10C) in which the height from the mounting surface of the electronic component is a component height, and the component height is higher than the first component and the second component,
2. The electronic device according to claim 1, wherein the third component includes more low-strength solder than the high-strength solder and is connected to the circuit board with the connection solder regardless of the shape of the connection solder.
前記第2部品は、少なくとも前記実装面と対向しない面に前記電極を有している請求項1又は2に記載の電子装置。 The first component has the electrode only on the surface facing the mounting surface,
The electronic device according to claim 1, wherein the second component has the electrode on at least a surface that does not face the mounting surface.
前記電子部品が実装されている側の面である実装面(21)に配線(22)を有している回路基板(20)と、
前記電子部品と前記回路基板とを電気的かつ機械的に接続している接続はんだ(30)と、を備え、
前記接続はんだの少なくとも一部が、前記電極における前記実装面と対向している面である電極対向面(12)と前記配線の一部が前記電極対向面と対向している面である配線対向面(23)との間に配置されており、
前記電子部品は、ボール形状の前記接続はんだで前記回路基板に接続されている第1部品(10)と、裾野形状の前記接続はんだで前記回路基板に接続されている第2部品(10A、10B)と、を含んでおり、
前記接続はんだには、所定の引張強さを有する低強度はんだ(31)及び前記低強度はんだよりも引張強さが大きい高強度はんだ(32)が含まれており、
前記第1部品は、前記高強度はんだより前記低強度はんだが多い前記接続はんだで前記回路基板に接続されており、
前記第2部品は、前記低強度はんだより前記高強度はんだが多い前記接続はんだで前記回路基板に接続されている電子装置の製造方法であって、
前記低強度はんだと前記高強度はんだのうち、いずれか一方のはんだを前記配線上に塗布し、
前記一方のはんだ上に、前記第1部品と前記高強度はんだより前記低強度はんだが多くなるように他方のはんだとを配置するとともに、
前記一方のはんだ上に、前記第2部品と前記低強度はんだより前記高強度はんだが多くなるように他方のはんだとを配置し、
前記一方のはんだ及び前記他方のはんだをリフローし、前記接続はんだを形成することで前記第1部品及び前記第2部品と前記回路基板とを電気的に接続する電子装置の製造方法。 At least two kinds of electronic components having an electrode (11);
A circuit board (20) having wiring (22) on a mounting surface (21) which is a surface on which the electronic component is mounted;
A connection solder (30) for electrically and mechanically connecting the electronic component and the circuit board;
At least part of the connection solder is an electrode facing surface (12) which is a surface facing the mounting surface of the electrode, and wiring facing is a surface where a part of the wiring is facing the electrode facing surface. Between the surface (23) and
The electronic component includes a first component (10) connected to the circuit board with the ball-shaped connection solder and a second component (10A, 10B) connected to the circuit board with the bottom-shaped connection solder. ), And
The connection solder includes a low strength solder (31) having a predetermined tensile strength and a high strength solder (32) having a higher tensile strength than the low strength solder,
The first component is connected to the circuit board with the connection solder in which the low-strength solder is more than the high-strength solder,
The second component is a manufacturing method of an electronic device connected to the circuit board with the connection solder in which the high-strength solder is more than the low-strength solder,
One of the low-strength solder and the high-strength solder is applied onto the wiring,
On the one solder, the other solder is arranged so that the first component and the low-strength solder are more than the high-strength solder,
On the one solder, arrange the other solder so that the second component and the high-strength solder are more than the low-strength solder,
A method of manufacturing an electronic device for electrically connecting the first component, the second component, and the circuit board by reflowing the one solder and the other solder to form the connection solder.
前記第3部品は、前記接続はんだの形状にかかわらず、前記高強度はんだより前記低強度はんだが多く前記接続はんだで前記回路基板に接続されている電子装置の製造方法であって、
前記一方のはんだの上に、前記第3部品と前記高強度はんだより前記低強度はんだが多くなるように他方のはんだとを配置し、
前記一方のはんだ及び前記他方のはんだをリフローし、前記接続はんだを形成することで前記第3部品と前記回路基板とを電気的に接続する請求項5に記載の電子装置の製造方法。 The electronic component includes a third component (10C) in which the height from the mounting surface of the electronic component is a component height, and the component height is higher than the first component and the second component,
The third component is a method of manufacturing an electronic device in which the low-strength solder is more than the high-strength solder and is connected to the circuit board with the connection solder regardless of the shape of the connection solder,
On the one solder, arrange the other solder so that the third component and the low-strength solder are more than the high-strength solder,
The method for manufacturing an electronic device according to claim 5, wherein the third component and the circuit board are electrically connected by reflowing the one solder and the other solder to form the connection solder.
フラックスが含まれた前記一方のはんだ上の一部と前記第2部品及び前記第3部品の前記電極とが接触するように配置し、
フラックスが含まれた前記一方のはんだ上で前記第2部品及び前記第3部品の前記電極で覆われている箇所以外に前記他方のはんだを塗布する請求項6に記載の電子装置の製造方法。 Apply one solder containing flux on the wiring,
Arranged so that a part of the solder containing the flux is in contact with the electrodes of the second part and the third part,
The method of manufacturing an electronic device according to claim 6, wherein the other solder is applied to a portion other than the portion covered with the electrode of the second component and the third component on the one solder including the flux.
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