JP2017038125A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 基板と、
   前記基板に接続されている第１回路部と、
   前記基板に接続されている第２回路部と、を備え、
   前記第１回路部は、
   半導体基板の主面に設けられている半導体回路と、
   前記半導体基板の前記主面側に配置され、導電性の薄膜を有する薄膜回路素子と、を有し、
   前記半導体回路は、平面視で、前記薄膜回路素子と前記半導体基板の外周部との間に設けられていることを特徴とする発振モジュール。
2. 前記第１回路部は、前記主面および前記半導体回路と重なるように設けられている第１の絶縁膜を備え、
   前記薄膜回路素子は、前記第１の絶縁膜の前記主面および前記半導体回路の少なくとも一方と接する面の反対面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発振モジュール。
3. 前記第１回路部は、
   平面視で、前記半導体回路と重なるとともに前記薄膜回路素子と重ならない位置であり、かつ前記第１の絶縁膜上に配置されている外部接続端子を有し、
   前記外部接続端子を介して前記基板に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の発振モジュール。
4. 前記第１回路部は、
   少なくとも前記薄膜回路素子を覆う第２の絶縁膜を有し、
   平面視で、前記半導体回路と重なるとともに前記薄膜回路素子と重ならない位置であり、かつ前記第２の絶縁膜上に配置されている外部接続端子を有し、
   前記外部接続端子を介して前記基板に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の発振モジュール。
5. 前記半導体回路は、静電容量素子を含み、前記薄膜回路素子は、インダクタンス回路を含んでいることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の発振モジュール。
6. 前記インダクタンス回路は、平面視で、渦巻き状に配置された配線であることを特徴とする請求項５に記載の発振モジュール。
7. 前記半導体回路は、前記インダクタンス回路に電気的に接続されている抵抗回路を含んでいることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の発振モジュール。
8. 前記抵抗回路は、抵抗値が可変に制御可能であることを特徴とする請求項７に記載の発振モジュール。
9. 前記第２回路部は、前記インダクタンス回路に電気的に接続されている抵抗素子、容量素子、および増幅器を含んでいることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の発振モジュール。
10. 前記第１回路部および前記第２回路部は、少なくともコルビッツ型発振回路を含んでいることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか一項に記載の発振モジュール。
11. 基板と、
    前記基板に接続されている第１回路部と、
    前記基板に接続されている第２回路部と、
    前記第１回路部および前記第２回路部の少なくとも一方に接続されている振動素子と、を備え、
    前記第１回路部は、
    半導体基板の主面に設けられている半導体回路と、
    前記半導体基板の前記主面側に配置され、導電性の薄膜を有する薄膜回路素子と、を有し、
    前記半導体回路は、平面視で、前記薄膜回路素子と前記第１回路部の外周部との間に設けられていることを特徴とする振動デバイス。
12. 前記第１回路部および前記第２回路部は、少なくともコルビッツ型発振回路を含んでいることを特徴とする請求項１１に記載の振動デバイス。
13. 請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載の発振モジュールを備えていることを特徴とする電子機器。
14. 請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載の発振モジュールを備えていることを特徴とする移動体。