JP2017011256A - Method of manufacturing ceramic electronic component and ceramic electronic component - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品、特にセラミック電子部品の電極の形成に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic electronic component and formation of an electrode of a ceramic electronic component, particularly a ceramic electronic component.
従来より、セラミック電子部品の外部電極の形成方法は、焼結済みのセラミック素体の両端面に電極ペーストを塗布し、焼付けして下地電極を形成した後、その下地電極の上にめっき処理によって上層電極を形成するのが一般的である。しかしながら、この方法では、下地電極の形成にペーストの塗布工程と焼付けに伴う加熱工程とを必要とするため、製造工程の複雑化及びコスト上昇を招くという問題がある。 Conventionally, a method for forming an external electrode of a ceramic electronic component is to apply an electrode paste to both end faces of a sintered ceramic body and bake it to form a base electrode, and then perform plating on the base electrode. It is common to form an upper layer electrode. However, this method requires a paste application step and a heating step accompanying baking to form the base electrode, and thus there is a problem in that the manufacturing process becomes complicated and costs increase.
さらに、下地電極の形成において導電ペーストを塗布する際、その塗布形状に制約があるという問題がある。例えば直方体形状のセラミック素体の両端部に導電ペーストをディップ法により形成する場合、導電ペーストはセラミック素体の両端面だけでなく、両端面に隣接する4つの側面にも回り込んで塗布される。そのため、最終的に形成される外部電極は、両端面とそれに隣接する4つの側面にまで広がった形状となる。 Furthermore, when applying the conductive paste in the formation of the base electrode, there is a problem that the application shape is limited. For example, when a conductive paste is formed by dipping on both ends of a rectangular parallelepiped ceramic body, the conductive paste is applied not only to both end faces of the ceramic body but also to four side faces adjacent to both end faces. . Therefore, the external electrode that is finally formed has a shape that extends to both end faces and four side faces adjacent thereto.
このような従来の電極形成方法に代えて、めっき処理だけで外部電極を形成する方法が提案されている(特許文献1)。この方法は、内部電極の複数の端部をセラミック素体の端面に互いに近接して露出させると共に、アンカータブと呼ばれるダミー端子を内部電極の端部と同じ端面に近接して露出させ、セラミック素体に対して無電解めっきを行うことにより、これら内部電極の端部とアンカータブとを核としてめっき金属を成長させ、外部電極を形成するものである。 In place of such a conventional electrode forming method, a method of forming an external electrode only by plating is proposed (Patent Document 1). In this method, a plurality of ends of the internal electrode are exposed close to the end face of the ceramic body, and dummy terminals called anchor tabs are exposed close to the same end face as the end of the internal electrode. By performing electroless plating on the body, the plating metal is grown using the end portions of the internal electrodes and the anchor tabs as nuclei to form external electrodes.
しかしながら、この方法では、セラミック素体の外部電極形成部分に複数の内部電極の端部とアンカータブとを近接して露出させなければならず、製造工程が複雑になり、コスト上昇を招く欠点がある。しかも、めっき金属を形成する面が内部電極の端部とアンカータブとが露出する面に制約されるため、任意の部分に外部電極を形成できない。 However, in this method, the end portions of the plurality of internal electrodes and the anchor tabs must be exposed in close proximity to the external electrode forming portion of the ceramic body, which complicates the manufacturing process and disadvantageously increases costs. is there. In addition, since the surface on which the plated metal is formed is restricted to the surface where the end portion of the internal electrode and the anchor tab are exposed, the external electrode cannot be formed at an arbitrary portion.
一方、特許文献2、3、4には、インダクタを構成するフェライトの全面に電極を形成した後、レーザを照射して電極を焼き切ることによってコイルパターンを形成する方法が開示されている。その際、レーザの熱が電極だけでなくその下側にあるフェライトにまで波及し、フェライトの一部の性質が変化し、導体化又は低抵抗化することが開示されている(特許文献2の段落0005、特許文献3の段落0004、特許文献4の段落0005参照)。しかし、これら文献ではレーザを照射して電極を焼き切ることしか開示しておらず、しかもレーザの熱がインダクタとしての特性に悪影響を及ぼすと記載されている。
On the other hand,
そこで、本発明の目的は、焼結済みセラミック素体の表面の任意の部分に電極を簡単な手法で形成できる製造方法及びその方法により製造されるセラミック電子部品を提案するものである。 Accordingly, an object of the present invention is to propose a manufacturing method capable of forming an electrode on an arbitrary portion of the surface of a sintered ceramic body by a simple method and a ceramic electronic component manufactured by the method.
前記目的を達成するため、本発明は、以下の工程を備えるセラミック電子部品の製造方法を提供する。
A:金属酸化物を含有した焼結済みセラミック素体を準備する工程、
B:セラミック素体の表面の電極形成領域を局所的に加熱することにより、前記セラミック素体の一部を低抵抗化させた低抵抗部を形成する工程、
C:前記セラミック素体にめっき処理を行うことにより、前記低抵抗部の上に電極となるめっき金属を析出させ、前記めっき金属を電極形成領域全体に広がるように成長させる工程。
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a ceramic electronic component comprising the following steps.
A: a step of preparing a sintered ceramic body containing a metal oxide,
B: forming a low resistance portion in which a part of the ceramic body is reduced in resistance by locally heating an electrode formation region on the surface of the ceramic body;
C: A step of depositing a plating metal serving as an electrode on the low resistance portion by plating the ceramic body, and growing the plating metal so as to spread over the entire electrode formation region.
本発明は、焼結済みセラミック素体の表面の電極形成領域を局所的に加熱することによって、その加熱部分を低抵抗化又は導体化させ、そのセラミック素体をめっき処理することにより、低抵抗部をめっき金属の析出起点とすることができる点に着目している。低抵抗部(又は導体部)とは、局所加熱によってセラミック素体を構成する金属酸化物が変質し、その金属酸化物よりも抵抗値が低くなった部分を指す。局所加熱したセラミック素体をめっき処理すると、低抵抗部にまずめっき金属が析出し、その析出しためっき金属を核としてめっき金属が急速に成長することにより、電極形成領域全体を覆う電極を効率よく形成できる。そのため、従来のような導電ペーストの塗布、焼付けといった複雑な工程を必要とせず、電極の形成工程が簡易になる。さらに、特許文献1のように、複数の内部電極やアンカータブをセラミック素体の端面に近接して露出させる必要がないので、電極の形状に制約がなく、しかも製造工程が簡略化され、コストを低減できる。
In the present invention, the electrode forming region on the surface of the sintered ceramic body is locally heated to reduce the resistance or conductor of the heated portion, and the ceramic body is plated to reduce the resistance. It pays attention to the point which can use a part as a deposition start point of plating metal. The low resistance portion (or conductor portion) refers to a portion in which the metal oxide constituting the ceramic body is altered by local heating and the resistance value is lower than that of the metal oxide. When the locally heated ceramic body is plated, the plated metal first deposits on the low-resistance part, and the plated metal grows rapidly with the deposited plated metal as the core, so that the electrode covering the entire electrode formation region can be efficiently formed. Can be formed. Therefore, a complicated process such as application and baking of a conductive paste as in the prior art is not required, and the electrode forming process is simplified. Furthermore, since it is not necessary to expose a plurality of internal electrodes and anchor tabs close to the end face of the ceramic body as in
低抵抗部は、セラミック素体に含まれる金属酸化物の一部が還元した還元層を含むものでもよい。金属酸化物の一部が還元することで、金属酸化物が導体化又は半導体化し、めっき金属が析出しやすくなる。さらに、還元層の表層の一部又は全部が再酸化層で覆われている構成としてもよい。再酸化層が形成された場合には、下層にある還元層の酸化を抑制すると共に、再酸化層自体の経時変化を抑制できる効果がある。また、再酸化層は一種の半導体であり、絶縁体である金属酸化物よりも抵抗値は低いため、再酸化層上にめっき金属が析出しやすい。なお、再酸化層は例えばnmオーダーの薄膜状に形成されるので、電解めっきに用いるメディアボールが再酸化層にあたって再酸化層の一部が剥がれたり、又はめっき液が再酸化層内に浸食して、再酸化層の下にある還元層上にめっきが付いている可能性もある。 The low resistance portion may include a reduction layer in which a part of the metal oxide contained in the ceramic body is reduced. When a part of the metal oxide is reduced, the metal oxide becomes a conductor or a semiconductor, and the plated metal is easily deposited. Furthermore, it is good also as a structure by which one part or all part of the surface layer of a reduction | restoration layer is covered with the reoxidation layer. In the case where the reoxidation layer is formed, there is an effect that it is possible to suppress the oxidation of the reduction layer in the lower layer and to suppress the temporal change of the reoxidation layer itself. Further, since the reoxidized layer is a kind of semiconductor and has a resistance value lower than that of the metal oxide that is an insulator, the plating metal is likely to be deposited on the reoxidized layer. In addition, since the reoxidized layer is formed as a thin film of the order of nm, for example, a part of the reoxidized layer is peeled off when the media ball used for electroplating is reoxidized, or the plating solution is eroded in the reoxidized layer. In addition, there is a possibility that plating is provided on the reduction layer under the reoxidation layer.
本発明の電極は、セラミック素体の表面に形成される電極であれば、外部電極に限らず、任意の電極であってもよい。例えば、コイル状電極や配線電極であってもよい。局所的な加熱方法としては、例えばレーザ照射、電子ビーム照射、又はイメージ炉を使用した局所加熱など、種々の方法がある。このうち、レーザ照射は、レーザのセラミック素体に対する照射位置を素早く変えられる点で有利である。 The electrode of the present invention is not limited to an external electrode as long as it is an electrode formed on the surface of the ceramic body, and may be any electrode. For example, a coiled electrode or a wiring electrode may be used. As the local heating method, there are various methods such as laser irradiation, electron beam irradiation, or local heating using an image furnace. Of these, laser irradiation is advantageous in that the irradiation position of the laser on the ceramic body can be quickly changed.
本発明では電極形成領域を局所加熱し、めっき処理するだけであるから、任意の部分に電極を形成できる。例えば、従来の導電ペーストを用いた方法では、異形電極、すなわち両端面とそれに隣接する1つの側面とに(側面視L字形の)外部電極を形成したり、あるいは1つの側面に複数の外部電極を間隔をあけて形成したりすることは困難であったが、本発明ではこのような任意の形状の外部電極でも簡単に形成できる。局所加熱はセラミック素体の表層部だけでよいので、セラミック電子部品(例えばインダクタ)としての特性に実質的に影響を及ぼすことはない。 In the present invention, since the electrode forming region is only locally heated and plated, an electrode can be formed at an arbitrary portion. For example, in a conventional method using a conductive paste, a deformed electrode, that is, an external electrode (L-shaped in a side view) is formed on both end surfaces and one side surface adjacent thereto, or a plurality of external electrodes are formed on one side surface. However, in the present invention, an external electrode having an arbitrary shape can be easily formed. Since the local heating may be performed only on the surface layer portion of the ceramic body, the characteristics as a ceramic electronic component (for example, an inductor) are not substantially affected.
めっき処理の方法として、電解めっきでも無電解めっきでも可能であるが、電解めっき法が好適である。すなわち、電解めっき法ではめっきする対象物に導電性が必要になる。本発明方法によって形成された低抵抗部は導電性を持つので、電解めっき時に低抵抗部に流れる電流密度が他の部分より高くなり、低抵抗部に速やかにめっき金属が析出する。従来のめっき法では、セラミック素体の一部にめっきを施したくない場合には、その部分に予めめっき防止材をコーティングする必要があった。本発明では低抵抗部を核としてめっき電極が電極形成領域に速やかに広がるのに対し、電極形成領域以外の部分は絶縁性であり、核となる導電部分がないので、めっき電極の成長速度は遅い。そのため、めっき防止材をコーティングしなくても、電極形成領域に選択的にめっき金属を成長させることができる。さらに電解めっきにより低抵抗部に形成されるめっき金属の厚みが他の部分より厚くなるため、めっき電極のセラミック素体に対する固着強度が高くなるという利点がある。 As a plating method, either electrolytic plating or electroless plating is possible, but an electrolytic plating method is preferable. That is, in the electroplating method, conductivity is required for an object to be plated. Since the low resistance portion formed by the method of the present invention has conductivity, the current density flowing through the low resistance portion during electrolytic plating is higher than that of the other portions, and the plated metal is quickly deposited on the low resistance portion. In the conventional plating method, when it is not desired to perform plating on a part of the ceramic body, it is necessary to previously coat the part with a plating preventing material. In the present invention, the plating electrode spreads rapidly in the electrode formation region with the low resistance portion as a nucleus, whereas the portion other than the electrode formation region is insulative and has no conductive portion as a nucleus. slow. Therefore, the plating metal can be selectively grown in the electrode formation region without coating the plating preventing material. Furthermore, since the plating metal formed on the low resistance portion by electrolytic plating becomes thicker than other portions, there is an advantage that the adhesion strength of the plating electrode to the ceramic body is increased.
本発明は、内部電極を有する電子部品にも適用できる。例えば直方体形状のセラミック素体に対し、内部電極の端部が露出した面にレーザ照射等により低抵抗部を形成し、めっき処理により内部電極の端部を覆うように外部電極を形成してもよい。レーザ加工等の局所加熱ができる面であれば、任意の面に電極を形成することができる。例えば、幅方向両側面に電極を形成しないようにすることもできる。幅方向両側面に外部電極が形成されていない電子部品では、この電子部品を高密度実装した場合に、幅方向に隣接する電子部品との絶縁距離を確保でき、ショートのリスクを低減できる。そのため、さらなる高密度実装が可能になる。さらに、セラミック素体の下面(底面)にのみ外部電極を形成した場合には、底面だけで実装されるので、周囲の電子部品とのショートの発生リスクをさらに低減できる。 The present invention can also be applied to an electronic component having an internal electrode. For example, for a rectangular parallelepiped ceramic body, a low resistance portion is formed by laser irradiation or the like on the surface where the end portion of the internal electrode is exposed, and an external electrode is formed so as to cover the end portion of the internal electrode by plating. Good. An electrode can be formed on an arbitrary surface as long as it can be locally heated such as laser processing. For example, it is possible not to form electrodes on both side surfaces in the width direction. In an electronic component in which external electrodes are not formed on both side surfaces in the width direction, when the electronic component is mounted at a high density, an insulation distance from an electronic component adjacent in the width direction can be secured, and the risk of a short circuit can be reduced. As a result, higher density mounting is possible. Further, when the external electrode is formed only on the bottom surface (bottom surface) of the ceramic body, the external electrode is mounted only on the bottom surface, so that the risk of occurrence of a short circuit with surrounding electronic components can be further reduced.
本発明は、例えば巻線型コイル部品にも適用できる。すなわち、セラミック素体は両端部に鍔部を有し、その間に巻芯部を有するフェライトコアであり、フェライトコアの巻芯部にはレーザ加工等によりコイル形状の低抵抗部が形成され、コアの鍔部にはレーザ加工等により外部電極形状の低抵抗部が形成され、コイル形状の低抵抗部は外部電極形状の低抵抗部と接続されており、コイル形状の低抵抗部上と外部電極形状の低抵抗部上とに連続的にめっき電極が形成されている構成としてもよい。この場合には、コイル部と外部電極部とが共にレーザ加工等により形成可能であるから、製造が一層簡単になる。なお、レーザ強度を調整するなどの方法により、コイル部の電極を外部電極より厚くすることもできる。 The present invention can be applied to, for example, a wire-wound coil component. That is, the ceramic body is a ferrite core having a flange portion at both ends and a core portion between the ends. A coil-shaped low resistance portion is formed on the core portion of the ferrite core by laser processing or the like. A low resistance portion having an external electrode shape is formed on the flange portion by laser processing or the like, and the low resistance portion having a coil shape is connected to the low resistance portion having an external electrode shape. It is good also as a structure by which the plating electrode is continuously formed on the low resistance part of a shape. In this case, since both the coil part and the external electrode part can be formed by laser processing or the like, the manufacturing is further simplified. The electrode of the coil portion can be made thicker than the external electrode by adjusting the laser intensity.
さらに、セラミック素体は両端部に鍔部を有し、その間に巻芯部を有するフェライトコアであり、巻芯部の周面にはワイヤが巻回され、鍔部の表面にはそれぞれ低抵抗部が形成され、鍔部の低抵抗部上にめっき金属からなる電極がそれぞれ形成され、電極がワイヤの両端部と接続されている構成としてもよい。この場合には、巻線部が金属ワイヤで形成されているので、磁気効率が高く、かつ外部電極は本発明による薄肉な電極にできるので、渦電流損失が少なく、高いQ値のインタクダを実現できる。 Further, the ceramic body is a ferrite core having a flange portion at both ends and a winding core portion therebetween, a wire is wound around the peripheral surface of the winding core portion, and a low resistance is respectively applied to the surface of the flange portion. It is good also as a structure by which the part is formed, the electrode which consists of a plating metal is each formed on the low resistance part of a collar part, and the electrode is connected with the both ends of a wire. In this case, since the winding part is formed of a metal wire, the magnetic efficiency is high, and the external electrode can be a thin electrode according to the present invention. it can.
局所加熱の方法としてレーザを使用した場合、レーザは狭い領域にエネルギーが集中するので、セラミック素体の一部が溶融・凝固し、セラミック素体の表面には線状又は点状のレーザ照射痕が形成され、その周囲近傍に低抵抗部が形成される。レーザ照射痕及び低抵抗部の深さや広さは、レーザの照射エネルギー(波長、出力等)によって調整し得る。低抵抗部に析出しためっき金属は、凹状のレーザ照射痕の内壁にそって固着するので、そのアンカー効果によりめっき金属(電極)のセラミック素体に対する固着強度を高めることができる。 When a laser is used as a local heating method, the laser concentrates energy in a narrow area, so a part of the ceramic body melts and solidifies, and linear or dotted laser irradiation traces are formed on the surface of the ceramic body. And a low resistance portion is formed in the vicinity of the periphery. The depth and width of the laser irradiation trace and the low resistance portion can be adjusted by the laser irradiation energy (wavelength, output, etc.). Since the plating metal deposited on the low resistance portion adheres along the inner wall of the concave laser irradiation mark, the anchoring effect of the plating metal (electrode) to the ceramic body can be increased.
低抵抗部がほぼ隙間なく存在するように、レーザを電極形成領域に密に照射してもよい。この場合には、低抵抗部も連続的に形成されるため、めっき金属が速やかに析出・成長し、めっき処理時間を短縮できる。なお、「密に照射する」とは、レーザ照射のスポット中心の間隔が低抵抗部の広がり幅と同等またはそれより狭いことを指す。すなわち、レーザ照射のスポット中心の間隔をDとし、スポットの直径(低抵抗部の広がり幅)をWとした場合、D≦Wのことである。 The electrode formation region may be densely irradiated so that the low resistance portion is present with almost no gap. In this case, since the low resistance portion is also formed continuously, the plating metal is rapidly deposited and grown, and the plating processing time can be shortened. Note that “densely radiate” means that the interval between the laser irradiation spot centers is equal to or narrower than the spread width of the low resistance portion. That is, D ≦ W, where D is the distance between the laser-irradiated spot centers and W is the spot diameter (width of the low-resistance portion).
上述のように電極形成領域にレーザを密に照射する場合には、多数のショット回数を必要とし、加工時間がかかる。そこで、レーザを電極形成領域に所定距離をあけて分散して照射することにより、複数の低抵抗部を電極形成領域に分散形成し、低抵抗部上に析出しためっき金属を核として成長して、めっき金属同士が相互に接続されるまでめっき処理を継続するようにしてもよい。ここで、「分散して照射する」とは、レーザ照射のスポット中心の間隔が低抵抗部の広がり幅より広いことを指す。すなわち、レーザ照射のスポット中心の間隔をDとし、スポットの直径(低抵抗部の広がり幅)をWとした場合、D>Wのことである。めっき処理の利点は、一部分にめっき金属が析出すれば、その部分を核としてめっき金属が周囲に急速に成長する点である。この利点を活用して、複数の分散した低抵抗部にめっき金属が析出した後、それを核としてめっき金属が低抵抗部以外の領域にも成長するので、電極形成領域の全域にわたって均質な電極を形成できる。よって、レーザを密に照射しなくても良質の電極を形成でき、レーザ加工時間を短縮できる。 As described above, when the laser is densely irradiated to the electrode formation region, a large number of shots are required, and processing time is required. Therefore, a plurality of low-resistance parts are dispersedly formed in the electrode formation region by irradiating the electrode formation region with a predetermined distance, and a plating metal deposited on the low-resistance part is grown as a nucleus. The plating process may be continued until the plated metals are connected to each other. Here, “dispersed and irradiated” means that the distance between the laser irradiation spot centers is wider than the spread width of the low resistance portion. That is, D> W, where D is the distance between the centers of laser irradiation spots, and W is the spot diameter (width of the low resistance portion). The advantage of the plating process is that if the plating metal is deposited on a part, the plating metal rapidly grows around the part as a nucleus. Taking advantage of this advantage, after plating metal deposits on a plurality of dispersed low resistance parts, the plating metal grows in areas other than the low resistance part using it as a nucleus, so a uniform electrode over the entire electrode formation area Can be formed. Therefore, a high-quality electrode can be formed without irradiating the laser densely, and the laser processing time can be shortened.
レーザを照射して低抵抗化又は導体化できる代表的なセラミック材料としては、フェライトがある。フェライトは酸化鉄を主成分とするセラミックスであり、例えばスピネルフェライト、六方晶フェライト、ガーネットフェライトなどがある。フェライトにレーザを照射すると、照射部分が高温になり、絶縁性を持つフェライトの表層部分が変質して導電性を持つ。インダクタに用いられるフェライトには、例えばNi−Zn系フェライト、Ni−Cu−Zn系フェライトなどがある。Ni−Zn系フェライトの場合には、レーザ照射によりフェライトに含まれるFeの一部が還元していると考えられ、さらにNi及び/又はZnも還元している可能性がある。Ni−Cu−Zn系フェライトの場合には、フェライトに含まれるFe及び/又はCuが還元していると考えられ、さらにNi及び/又はZnも還元している可能性がある。 A typical ceramic material that can be reduced in resistance or conductor by irradiation with a laser is ferrite. Ferrite is a ceramic mainly composed of iron oxide, such as spinel ferrite, hexagonal ferrite, and garnet ferrite. When the laser is irradiated to the ferrite, the irradiated portion becomes high temperature, and the surface layer portion of the insulating ferrite changes in quality and becomes conductive. Examples of the ferrite used for the inductor include Ni—Zn ferrite and Ni—Cu—Zn ferrite. In the case of Ni—Zn-based ferrite, it is considered that a part of Fe contained in the ferrite is reduced by laser irradiation, and Ni and / or Zn may also be reduced. In the case of Ni—Cu—Zn based ferrite, Fe and / or Cu contained in the ferrite is considered to be reduced, and Ni and / or Zn may also be reduced.
以上のように、本発明によれば、焼結済みセラミック素体の電極形成領域を局所的に加熱して低抵抗部を形成し、そのセラミック素体をめっき処理することにより低抵抗部上にめっき金属を析出させ、このめっき電極を電極形成領域全域に成長させるようにしたので、簡易な方法で電極を形成できる。また、局所加熱できる領域であれば任意の部分に電極を形成できるので、任意の形状の電極を簡単に形成できる。 As described above, according to the present invention, the electrode forming region of the sintered ceramic body is locally heated to form the low resistance portion, and the ceramic body is plated to form the low resistance portion. Since the plating metal is deposited and this plating electrode is grown over the entire electrode formation region, the electrode can be formed by a simple method. In addition, since an electrode can be formed at an arbitrary portion as long as it can be locally heated, an electrode having an arbitrary shape can be easily formed.
図1は本発明に係るセラミック電子部品の一例であるチップ型インダクタ1を示す。インダクタ1は、焼結済みセラミック素体10を備えており、セラミック素体10の長さ方向両端部には外部電極30,31が形成されている。この実施例のインダクタ1の形状は、図1に示すようにY軸及びZ軸方向の寸法に比べてX軸方向の寸法が長い直方体である。
FIG. 1 shows a
セラミック素体10は、図2に示すように、例えばNi−Zn系フェライト又はNi−Cu−Zn系フェライトを主体とする絶縁体層12a〜12eを、積層し焼結することによって得られる。絶縁体層12a〜12eは、上下方向(Z軸方向)に順に積層されている。上下両端の絶縁体層12a、12eを除く中間の絶縁体層12b〜12d上には、内部電極20を構成するコイル導体21〜23がそれぞれ形成されている。これら3つのコイル導体21〜23はビア導体24、25によって相互に接続され、全体としてらせん状に形成されている。コイル導体21〜23及びビア導体24、25は、Au,Ag,Pd,Cu,Ni等の導電性材料で形成されている。コイル導体21の一端部(引出部)21aがセラミック素体10のX軸方向の一端面に露出しており、コイル導体23の一端部(引出部)23aがセラミック素体10のX軸方向の他端面に露出している。なお、この実施例ではコイル導体21〜23が2ターン分のコイルを形成している例を示したが、ターン数は任意であり、コイル導体の形状及び絶縁体層の層数も任意に選択できる。また、コイル導体を有しない絶縁体層12a、12eの層数も任意である。
As shown in FIG. 2, the
外部電極30、31は、図1に示すように、セラミック素体10のX軸方向の両端面と上面(実装時には底面)の一部とを覆うように側面視L字形に形成されている。すなわち、セラミック素体10をY方向から見たとき、外部電極30、31はそれぞれL字形に形成されている。外部電極30はコイル導体23の引出部23aと接続されており、外部電極31はコイル導体21の引出部21aと接続されている。なお、外部電極30,31は、後述するようにめっき処理により形成されており、その材料は例えばCu,Au,Ag,Pd,Ni,Sn等が使用される。なお、外部電極30,31自体が多層のめっき金属で構成されていてもよい。
As shown in FIG. 1, the
図3はセラミック素体10上への外部電極30、31の形成の前に、外部電極形成領域S1、S2にレーザLを照射する様子を示す。図3の(a)は、レーザLを連続照射しながらY軸方向に沿って走査した例(又はセラミック素体10をY軸方向に移動させた例)を示している。なお、走査方向は任意であり、X軸方向(又はZ軸方向)であってもよいし、ジグザグ状や周回状であってもよい。レーザLの照射によって、セラミック素体10の表面には多数の線状のレーザ照射痕40が形成される。なお、図3の(a)では、線状のレーザ照射痕40をX軸方向に間隔を開けて形成した例を示したが、レーザ照射痕40同士が互いに重なるように密に形成してもよい。図3の(b)は、レーザLを点状に照射した例を示す。この場合には、セラミック素体10の表面に多数の点状のレーザ照射痕41が分散して形成される。図3の(c)は、レーザLを破線状に照射した例を示す。この場合には、セラミック素体10の表面に多数の破線状のレーザ照射痕42が分散して形成される。いずれの場合でも、外部電極形成領域S1,S2の全域にわたって均等にレーザLを照射するのが望ましい。
FIG. 3 shows a state in which the external electrode forming regions S1 and S2 are irradiated with the laser L before the formation of the
図4は外部電極の形成過程の一例の概略を示す。特に、レーザLを外部電極形成領域に所定の間隔をあけて線状に照射した場合を示す。 FIG. 4 shows an outline of an example of the formation process of the external electrode. In particular, the case where the laser L is irradiated linearly at a predetermined interval to the external electrode formation region is shown.
図4の(A)は、まずセラミック素体10の表面の外部電極形成領域にレーザを照射し、それによりセラミック素体10の表面に断面V字状又はU字状のレーザ照射痕40を形成した状態を示す。なお、図4の(A)ではレーザLが1点に集光した例を示したが、実際にはレーザLを照射するスポットがある程度の面積を持っていてもよい。このレーザ照射痕40は、レーザ照射によってセラミック素体10の表層部が溶融・凝固した痕である。スポットの中心部が最もエネルギーが高いので、その部分のセラミック素材が変質しやすく、レーザ照射痕40の断面は略V字状又は略U字状となる。レーザ照射痕40の内壁面を含む周囲には、セラミック素体を構成する絶縁材料(フェライト)が変質し、その絶縁材料よりも抵抗値の低い導体部または低抵抗部43が形成される。具体的には、セラミック素体10がNi−Zn系フェライトの場合には、レーザ照射によりフェライトに含まれるFeの一部が還元していると考えられ、さらにNi及び/又はZnも還元している可能性がある。Ni−Cu−Zn系フェライトの場合には、フェライトに含まれるFe及び/又はCuが還元していると考えられ、さらにNi及び/又はZnも還元している可能性がある。低抵抗部43の深さや広さは、レーザの照射エネルギーや照射範囲などによって可変できる。
In FIG. 4A, first, a laser is irradiated on the external electrode forming region on the surface of the
図4の(B)は、レーザ照射を繰り返すことで、外部電極形成領域に複数のレーザ照射痕40を間隔Dをあけて形成した状態を示す。この例ではレーザ照射のスポット中心の間隔Dが低抵抗部43の広がり幅(例えば直径の平均値)Wよりも広いため、各レーザ照射痕40の間には低抵抗部以外の絶縁領域44が存在している。この領域44は、セラミック素体を構成する元の絶縁材料が変質せずに露出している領域である。
FIG. 4B shows a state in which a plurality of laser irradiation marks 40 are formed at intervals D in the external electrode formation region by repeating laser irradiation. In this example, since the interval D between the laser irradiation spot centers is wider than the spread width (for example, the average value of the diameter) W of the
図4の(C)は、上記のようにレーザ照射によって低抵抗部43を形成したセラミック素体10をめっき液に浸漬し、電解めっきを行った初期の状態を示す。導電性を有する低抵抗部43における電流密度が他の部分より高くなるので、低抵抗部43の表面だけにめっき金属45aが析出しており、絶縁領域44の上には未だ析出していない。つまり、この段階では連続した外部電極は形成されていない。
FIG. 4C shows an initial state in which the
図4の(D)は、電解めっきを行った終期の状態を示す。めっき処理を継続することにより、低抵抗部43上に析出しためっき金属45aが核となって周囲へと成長し、低抵抗部43に隣接する絶縁領域44上まで広がる。隣接するめっき金属45a同士が接続するまでめっき処理を継続することにより、連続した外部電極45を形成できる。レーザを照射した外部電極形成領域におけるめっき金属の成長速度に比べて、外部電極形成領域以外の領域のめっき金属の成長速度が遅いため、めっき処理時間を厳密にコントロールしなくても、外部電極形成領域にめっき金属を選択的に成長させることができる。めっき処理時間、電圧または電流を制御することによって、外部電極の形成時間や厚さをコントロールすることが可能である。さらに、1回目のめっき処理により形成した外部電極45の上に追加のめっき処理を行うことにより、多層構造の外部電極を形成することもできる。この場合には、すでに下地となる外部電極45が形成されているので、追加のめっき処理時間は短くて済む。
FIG. 4D shows the final state after electrolytic plating. By continuing the plating process, the plated
−実験例−
以下に、実際に外部電極の形成を行った実験例について説明する。
(1)Ni−Cu−Zn系フェライトからなる焼結済みセラミック素体に、レーザを往復走査しながら照射した。加工条件は以下の通りであるが、波長は例えば532nm〜10620nmのいずれの範囲でもよい。照射間隔とは、レーザを往復走査する場合の往路と復路のスポット中心の距離を意味する。
Hereinafter, experimental examples in which external electrodes are actually formed will be described.
(1) A sintered ceramic body made of Ni—Cu—Zn ferrite was irradiated while reciprocating a laser. The processing conditions are as follows, but the wavelength may be any range of 532 nm to 10620 nm, for example. The irradiation interval means the distance between the spot center of the forward path and the return path when the laser is reciprocally scanned.
(2)レーザ照射後のセラミック素体に対し、電解めっきを以下の条件で行った。具体的には、バレルめっきを使用した。
−評価−
Ni−Cu−Zn系フェライトにレーザを照射した試料と、レーザ未照射の試料とに対して、XPS(X線光電子分光法)および転換電子収量法を用いたFe,Cu,Znの、K端XAFS(X線吸収微細構造)により、試料表面におけるFe,Cu,Znの価数を評価した。XPSの結果、レーザを照射した試料の表層部分では金属成分が検出できず、下層になると金属成分が検出できた。また、XAFSの結果、レーザを照射した試料の表層部分について、Cuの金属成分を検出できた。一方、XAFSの結果、レーザを照射した試料の表層部分について、Feの金属成分を検出することはできなかったが、Feの半導体の成分及び絶縁体の成分を検出することができた。下層は、Fe3+に対するFe2+の割合がセラミックス素体全体での割合に対して大きいこともわかった。以上より、レーザ加工による熱でフェライトに含まれる金属酸化物が分解され、セラミックス素体の下層はフェライトの金属元素が還元し、セラミックス素体の表層部分は残熱により再酸化に至ったと推測される。
-Evaluation-
K-edge of Fe, Cu, Zn using XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) and conversion electron yield method for samples irradiated with laser to Ni-Cu-Zn-based ferrite and samples not irradiated with laser The valence of Fe, Cu, Zn on the sample surface was evaluated by XAFS (X-ray absorption fine structure). As a result of XPS, the metal component could not be detected in the surface layer portion of the sample irradiated with the laser, and the metal component could be detected in the lower layer. As a result of XAFS, the Cu metal component could be detected in the surface layer portion of the sample irradiated with the laser. On the other hand, as a result of XAFS, the Fe metal component could not be detected in the surface layer portion of the sample irradiated with the laser, but the Fe semiconductor component and the insulator component could be detected. It was also found that the lower layer had a larger ratio of Fe 2 + to Fe 3 + than that of the entire ceramic body. From the above, it is estimated that the metal oxide contained in ferrite was decomposed by the heat from laser processing, the metal element of ferrite was reduced in the lower layer of the ceramic body, and the surface layer portion of the ceramic body was reoxidized by residual heat. The
図5は、このように形成される低抵抗部43の断面構造の一例を示し、下層には還元層43aが形成され、その表層が半導体及び/又は絶縁体の成分からなる再酸化層43bで覆われている。これら還元層と再酸化層とによって低抵抗部が構成されている。なお、レーザ照射は大気雰囲気に限らず、真空中やN2雰囲気でレーザ照射を行ってもよいが、真空中やN2雰囲気でレーザ照射を行った場合には、再酸化層が形成されない可能性がある。
FIG. 5 shows an example of the cross-sectional structure of the
上述の再酸化層が形成された場合には、以下のような効果が考えられる。すなわち、再酸化層として形成されているFe3O4は常温での再酸化が進みにくい性質があり、下層にある還元層の酸化を抑制すると共に、再酸化層自体の経時変化を抑制できる効果もある。また、再酸化層は一種の半導体であり、絶縁体であるフェライトよりも抵抗値は低い。そのため、再酸化層上にめっき金属が析出しやすい。 When the above-mentioned reoxidized layer is formed, the following effects can be considered. In other words, Fe 3 O 4 formed as a reoxidation layer has the property that reoxidation at room temperature is difficult to proceed, and it is possible to suppress the oxidation of the lower reduction layer and to suppress the temporal change of the reoxidation layer itself. There is also. The reoxidized layer is a kind of semiconductor and has a resistance value lower than that of ferrite as an insulator. Therefore, the plating metal tends to be deposited on the reoxidized layer.
本実施形態では、外部電極30、31は側面視において(セラミック素体10をY方向から見たとき)L字形に形成されている。つまり、外部電極30、31がインダクタ1の両端面と底面(実装時)にだけ形成され、上面(実装時)及びY方向両側面には形成されていない。そのため、図6の(a)のように、実装状態においてインダクタ1の上方に近接して別の電子部品2又は導体が存在する場合でも、ショートの発生リスクを低減できる。さらに、図6の(b)のように、インダクタ1のY方向に隣接して別の電子部品3が実装されている場合でも、外部電極30、31がインダクタ1のY方向両側面には形成されていないので、隣接する電子部品3との絶縁距離を確保できると共に、外部電極に塗布されるはんだ同士の距離も確保できる。そのため、隣接する電子部品3とのショートのリスクを低減できる。その結果、L字形外部電極を有するインダクタ1の場合には、さらなる高密度実装が可能になる。さらに、従来の外部電極に比べて浮遊容量の低減効果もある。
In the present embodiment, the
図7は、外部電極30、31の形成過程の他の例を示し、特にレーザLを外部電極形成領域に密に照射した場合を示す。「密に照射する」とは、レーザ照射のスポット中心の間隔Dが低抵抗部43の広がり幅(例えば直径の平均値)Wと同等またはそれより狭いことを指し、隣接するレーザ照射痕40の下側に形成される低抵抗部43同士が相互につながっている状態を指す(図7の(B)参照)。ただし、全ての低抵抗部43がつながっている必要はない。そのため、セラミック素体10の外部電極形成領域のほぼ全域が低抵抗部43で覆われている。
FIG. 7 shows another example of the formation process of the
この場合には、図7の(C)に示すように、めっき処理の開始から短時間で低抵抗部43の表面にめっき金属45aが析出するが、それらめっき電極45aがほぼ近接しているため、隣り合うめっき電極45a同士が速やかに接続される。そのため、連続した外部電極45を図4の場合よりも短時間で形成できる。
In this case, as shown in FIG. 7C, the
図7のようにレーザLを外部電極形成領域に密に照射した場合には、レーザ照射痕40も密に形成されるため、セラミック素体10の表面が削られた状態となる。その表面にめっき金属45が形成されるため、外部電極の表面をセラミック素体10の表面とほぼ同一高さ又はそれより低くすることが可能である。そのため、外部電極自体の厚みが薄いことと相俟って、外部電極の突出量を抑制でき、より小型のチップ部品を実現できる。
As shown in FIG. 7, when the external electrode forming region is irradiated with the laser L densely, the laser irradiation marks 40 are also formed densely, so that the surface of the
図8は、本発明を用いて形成される外部電極の種々の形態を示す。図8の(a)は、セラミック素体10の両端部にコ字型の外部電極30、31を形成したものである。図1の実施例と同様に、内部電極の引出部21a,23a(21aは図示せず)がセラミック素体10のX方向両端面に露出し、外部電極30、31と接続されている。この例は、セラミック素体10のX方向の両端面と上下面(Z方向両側面)の一部とに外部電極30、31を形成したものであり、Y方向の両側面には外部電極が形成されていない。そのため、この電子部品1をY方向に隣接して高密度に実装可能である。
FIG. 8 shows various forms of external electrodes formed using the present invention. FIG. 8A shows a case in which U-shaped
図8の(b)は、セラミック素体10の上面(実装時には底面)の両端部にのみ外部電極30、31を形成したものである。他の面には外部電極が形成されていない。この場合は、内部電極の端部21a,23aがセラミック素体10のX方向両端面には露出しておらず、上面にのみX方向と平行に露出している。外部電極30、31は内部電極の端部23a,21aとそれぞれ接続されている。この場合には、セラミック素体10を構成する絶縁体層がZ方向ではなくY方向に積層されている。セラミック素体10の底面にのみ外部電極が形成されているので、高密度実装に適した電子部品を実現できる。
FIG. 8B shows the case where the
図8の(c)は、セラミック素体10の上面(実装時には底面)のX方向両端部に、合計4個の外部電極30〜33を形成したものである。この場合も、内部電極の端部(図示せず)はセラミック素体10のX方向両端面には露出しておらず、外部電極30〜33が形成された上面にのみ露出している。以上のように、本発明方法を用いた外部電極は、レーザ加工とめっき処理とが可能な面であれば制約がなく、任意の部分に形成できる。
FIG. 8C shows a total of four
図9は、巻線型インダクタの電極形成に本発明を適用した例である。セラミック素体50は両端部に鍔部51、52を有し、その間に巻芯部53を有するコアである。コア材料としては、Ni−Zn系フェライトやNi−Cu−Zn系フェライトなどを使用できる。コア50の鍔部51、52の上面および端面の外部電極形成領域にはレーザ加工により低抵抗部が形成され、その上に外部電極54、55がめっき処理により形成されている。また、巻芯部53の周面にはレーザ加工によりコイル状の低抵抗部が形成され、その上にコイル電極56がめっき処理により形成されている。コイル状の低抵抗部の両端が外部電極形成領域の低抵抗部と連続するようにレーザ加工されているので、めっき処理によりコイル電極56の両端56a,56bがそれぞれ外部電極54、55に接続される。
FIG. 9 shows an example in which the present invention is applied to the formation of an electrode of a wire-wound inductor. The
この実施例では、コイル状の低抵抗部と外部電極用の低抵抗部とをレーザ加工で連続的に形成することが可能である。レーザ加工としては、例えばレーザ位置を固定し、コア50を回転及び軸方向移動させるなどの方法を用いることができる。コイル電極56と外部電極54、55はめっき処理により同時に形成できるため、インダクタの製造工程を効率化でき、製造コストを低減できる。なお、コイル電極56及び外部電極54、55に対し複数回のめっき処理を行うことにより、多層構造とすることもできる。なお、この実施例ではコイル電極56と外部電極54、55をめっき処理により形成しているが、巻芯部にワイヤが巻回された巻線型インダクタ(フェライトコア)において、ワイヤに接続される外部電極のみをめっき処理により形成することもできる。
In this embodiment, it is possible to continuously form a coil-like low resistance portion and a low resistance portion for external electrodes by laser processing. As the laser processing, for example, a method of fixing the laser position and rotating and moving the core 50 in the axial direction can be used. Since the
上述のように、コイル電極56と外部電極54、55とを同じレーザ加工及びめっき処理により形成した場合には、電極56、54、55がほぼ一定の厚みになる可能性がある。特に、コイル電極56の発生磁束を大きくしたい場合には、コイル電極56の厚みを外部電極54、55の厚みより厚くすることが望ましい。その場合には、例えば巻芯部53へ照射されるレーザのレーザ強度を外部電極領域に照射されるレーザのレーザ強度より高くしてもよいし、巻芯部53へ照射されるレーザと外部電極領域に照射されるレーザとの照射方式(例えば間欠照射と連続照射、照射範囲の拡縮など)を変更してもよい。レーザ強度を高くすることで、コイル状の低抵抗部の抵抗値が外部電極形成領域の低抵抗部の抵抗値より低くなるか、又はコイル状の低抵抗部の深さが外部電極形成領域の低抵抗部の深さより大きくなる。それにより、めっき処理によりコイル状の低抵抗部に形成される電極56の厚みを外部電極形成領域の低抵抗部に形成される電極54、55の厚みより厚くすることができる。
As described above, when the
図10は、巻線型インダクタの他の適用例を示す。図9と同一部分又は対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。コア50の鍔部51、52の上面、外側面および下面の外部電極形成領域にはレーザ加工により低抵抗部が形成され、その上に外部電極54、55がめっき処理により形成されている。そのため、この実施例では全体としてコ字形の外部電極54、55が形成されている。巻芯部53の周面にはワイヤ57が巻回され、その両端57a,57bがそれぞれ鍔部51、52の上面に形成された外部電極54、55の部分に接続されている。鍔部51、52の下面に形成された外部電極54、55の部分は、実装用電極として使用される。なお、外部電極54、55の形状はコ字形に限るものではなく、例えば鍔部51、52の上面(ワイヤ57の接続面)にのみ形成されていてもよい。
FIG. 10 shows another application example of the wound inductor. Parts that are the same as or corresponding to those in FIG. Low resistance portions are formed by laser processing in the external electrode forming regions on the upper surface, outer surface, and lower surface of the
この実施例では、ワイヤ57に比べて外部電極54、55を薄肉に形成できるので、渦電流損失を抑制する効果がある。すなわち、ワイヤ57によって発生する磁束(図10に破線矢印で示す)が外部電極54、55と鎖交することで渦電流による損失が発生し、その渦電流損失は鎖交する外部電極54、55の厚みの二乗に比例する。本発明方法により形成された外部電極54、55は、一般的な外部電極に比べて薄肉に形成できるので、渦電流損失を抑制できる。さらに、巻線としてワイヤ57を使用すれば、発生する磁束密度が増加するので、高いQ値のインダクタを得ることができる。
In this embodiment, since the
図11は、縦巻き型のコイル部品(インダクタ)に本発明を適用した例を示す。この場合のセラミック素体60は、両端部に鍔部61、62を有し、その間に巻芯部63を有するフェライトコアである。コア60の一方の鍔部61の上面の外部電極形成領域にはレーザ加工等により低抵抗部が形成され、その上に外部電極64、65がめっき処理により形成されている。また、巻芯部63の周面には被覆付きワイヤ(図示せず)が巻回され、その両端部がそれぞれ外部電極64、65に接続される。なお、図9、図10では2個の外部電極64、65を形成した例を示したが、2本のワイヤを用いた場合には、鍔部61上に4個の外部電極を形成してもよい。
FIG. 11 shows an example in which the present invention is applied to a vertically wound type coil component (inductor). The
図12は、多端子型の電子部品に本発明を適用した例を示す。この電子部品本体70はセラミック素体で構成され、その長手方向両側面に複数(ここでは6個)の外部電極71〜76が形成されている。なお、外部電極71〜76の一部が、セラミック素体70の上面又は下面にまで広がっていても良い。外部電極71〜76は、セラミック素体70の内部電極又は外表面に形成された回路部と接続されている。この場合の外部電極71〜76も、レーザ加工等の局所加熱と、その後のめっき処理とによって形成される。
FIG. 12 shows an example in which the present invention is applied to a multi-terminal electronic component. The electronic component
本発明は、積層型インダクタの外部電極や、巻線型インダクタ(フェライトコア)の電極形成に適用した例を示したが、これに限るものではない。本発明が対象とするセラミック電子部品としては、インダクタに限らず、レーザ照射によって変質し、めっき電極の析出起点となる低抵抗部が形成されるセラミック素体を使用した電子部品であれば、適用可能である。すなわち、セラミック素体の材質はフェライトに限定されない。さらに、電子部品の構造は、内部電極を有する構造や、複数の絶縁層を積層した構造に限らない。めっき処理方法として、電解めっきを用いた例を示したが、無電解めっきを用いてもよい。 Although the present invention shows an example applied to the formation of an external electrode of a laminated inductor and an electrode of a wound inductor (ferrite core), the present invention is not limited to this. The ceramic electronic component targeted by the present invention is not limited to an inductor, but can be applied to any electronic component that uses a ceramic body that is altered by laser irradiation and has a low resistance portion that is a deposition starting point of a plating electrode. Is possible. That is, the material of the ceramic body is not limited to ferrite. Furthermore, the structure of the electronic component is not limited to a structure having an internal electrode or a structure in which a plurality of insulating layers are stacked. Although the example using electrolytic plating was shown as the plating method, electroless plating may be used.
前記実施例では、局所的な加熱方法としてレーザ照射を使用したが、電子ビームの照射、イメージ炉を使用した加熱なども適用可能である。いずれの場合も、熱源のエネルギーを集光して、セラミック素体の外部電極形成領域を局所加熱することができるため、他の領域の電気的特性を損なうことがない。 In the above embodiment, laser irradiation is used as a local heating method. However, irradiation with an electron beam, heating using an image furnace, or the like is also applicable. In either case, the energy of the heat source can be collected and the external electrode formation region of the ceramic body can be locally heated, so that the electrical characteristics of other regions are not impaired.
本発明において、1本のレーザを分光して、複数箇所に同時にレーザを照射してもよい。 In the present invention, one laser beam may be dispersed and a plurality of locations may be irradiated with the laser beam at the same time.
さらに本発明において、レーザの焦点をずらして、レーザの焦点が合っている場合に比べて、レーザの照射範囲を広げてもよい。 Furthermore, in the present invention, the laser irradiation range may be widened by shifting the focus of the laser as compared with the case where the laser is in focus.
本発明は、めっき金属が複数層で形成される場合に、めっき金属の最下層を電極形成領域全体に広がるように成長させる場合に限らない。めっき金属の最下層を電極形成領域の一部に広がるように成長させ、めっき金属の上層を電極形成領域全体に広がるように成長させてもよい。 The present invention is not limited to the case where the lowermost layer of the plating metal is grown so as to spread over the entire electrode formation region when the plating metal is formed in a plurality of layers. The lowermost layer of the plating metal may be grown so as to spread over a part of the electrode formation region, and the upper layer of the plating metal may be grown so as to spread over the entire electrode formation region.
1 セラミック電子部品
10 セラミック素体
20 内部電極
21〜23 コイル導体
21a、23a 一端部(引出部)
30、31 外部電極
40 レーザ照射痕
43 低抵抗部
44 絶縁領域
45a めっき金属
45 外部電極
L レーザ
DESCRIPTION OF
30, 31
Claims (18)
A:金属酸化物を含有した焼結済みセラミック素体を準備する工程;
B:前記セラミック素体の表面の電極形成領域を局所的に加熱することにより、前記セラミック素体の一部を低抵抗化させた低抵抗部を形成する工程;
C:前記セラミック素体にめっき処理を行うことにより、前記低抵抗部上に電極となるめっき金属を析出させ、前記めっき金属を電極形成領域全体に広がるように成長させる工程。 A method for producing a ceramic electronic component comprising the following steps;
A: preparing a sintered ceramic body containing a metal oxide;
B: A step of forming a low resistance portion in which a part of the ceramic body is reduced in resistance by locally heating an electrode forming region on the surface of the ceramic body;
C: A step of depositing a plating metal serving as an electrode on the low resistance portion by plating the ceramic body, and growing the plating metal so as to spread over the entire electrode formation region.
前記低抵抗部上に析出しためっき金属を核としてめっき金属を成長させ、前記めっき金属同士が相互に接続されるまで、前記めっき処理を継続すること、
を特徴とする請求項4に記載のセラミック電子部品の製造方法。 By irradiating a plurality of locations with a laser at a predetermined distance to the electrode formation region, a plurality of the low resistance portions are dispersedly formed in the electrode formation region,
Growing the plating metal with the plating metal deposited on the low resistance part as a nucleus, and continuing the plating process until the plating metals are connected to each other;
The method of manufacturing a ceramic electronic component according to claim 4.
前記低抵抗部上に析出しためっき金属を核として成長し、前記めっき金属が電極形成領域全体に広がるまで、前記めっき処理を継続すること、
を特徴とする請求項4に記載のセラミック電子部品の製造方法。 By irradiating the electrode formation region densely with a laser, the continuous low resistance portion is formed in the electrode formation region,
Growing the plating metal deposited on the low resistance portion as a nucleus, and continuing the plating treatment until the plating metal spreads over the entire electrode formation region,
The method of manufacturing a ceramic electronic component according to claim 4.
前記低抵抗部は、前記フェライトに含まれるFeの一部が還元することで形成される、
請求項8に記載のセラミック電子部品の製造方法。 The ceramic body is Ni-Zn based ferrite,
The low resistance portion is formed by reducing a part of Fe contained in the ferrite.
A method for manufacturing a ceramic electronic component according to claim 8.
前記低抵抗部は、前記フェライトに含まれるFe及びCuの少なくとも一方の一部を還元することで形成される、
請求項8に記載のセラミック電子部品の製造方法。 The ceramic body is Ni-Cu-Zn based ferrite,
The low resistance portion is formed by reducing at least one of Fe and Cu contained in the ferrite.
A method for manufacturing a ceramic electronic component according to claim 8.
このセラミック素体の表面に形成され、前記金属酸化物の一部を変質させて低抵抗化させた低抵抗部と、
前記低抵抗部上に形成されためっき金属からなる電極と、を有するセラミック電子部品。 A sintered ceramic body containing a metal oxide;
A low resistance portion formed on the surface of the ceramic body, and a part of the metal oxide is altered to reduce the resistance;
And an electrode made of a plated metal formed on the low resistance portion.
前記セラミック素体の内部には内部電極が設けられ、
前記内部電極の端部が前記セラミック素体のいずれかの表面に露出しており、
前記内部電極の端部が露出した表面に前記低抵抗部が形成され、
前記低抵抗部上に前記電極である外部電極が前記内部電極の端部を覆うように形成されている、請求項11乃至14のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。 The ceramic body has a rectangular parallelepiped shape,
An internal electrode is provided inside the ceramic body,
The end of the internal electrode is exposed on any surface of the ceramic body,
The low resistance portion is formed on the surface where the end portion of the internal electrode is exposed,
The ceramic electronic component according to claim 11, wherein an external electrode, which is the electrode, is formed on the low resistance portion so as to cover an end portion of the internal electrode.
前記巻芯部の周面には、コイル状の前記低抵抗部が形成され、
前記鍔部の表面には、前記コイル状の低抵抗部と接続された低抵抗部が形成され、
前記鍔部の低抵抗部と前記コイル状の低抵抗部とに前記めっき金属からなる電極が連続的に形成されている、請求項11乃至14のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。 The ceramic body has a flange at both ends, and a ferrite core having a winding core in between.
The coil-shaped low resistance portion is formed on the peripheral surface of the core portion,
A low resistance portion connected to the coiled low resistance portion is formed on the surface of the flange portion,
The ceramic electronic component according to any one of claims 11 to 14, wherein an electrode made of the plating metal is continuously formed on the low resistance portion of the flange portion and the coil-shaped low resistance portion.
前記巻芯部の周面にはワイヤが巻回され、
前記鍔部の表面にはそれぞれ前記低抵抗部が形成され、
前記鍔部の低抵抗部上に前記めっき金属からなる電極がそれぞれ形成され、
前記電極が前記ワイヤの両端部と接続されている、請求項11乃至14のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。 The ceramic body has a flange at both ends, and a ferrite core having a winding core in between.
A wire is wound around the circumferential surface of the core portion,
The low resistance part is formed on the surface of the flange part,
An electrode made of the plated metal is formed on the low resistance portion of the flange portion,
The ceramic electronic component according to claim 11, wherein the electrode is connected to both ends of the wire.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW105117939A TWI593833B (en) | 2015-06-16 | 2016-06-07 | Method for manufacturing ceramic electronic component, and ceramic electronic component |
US15/175,655 US10242789B2 (en) | 2015-06-16 | 2016-06-07 | Method for manufacturing ceramic electronic component, and ceramic electronic component |
KR1020160071793A KR101947231B1 (en) | 2015-06-16 | 2016-06-09 | Method for manufacturing ceramic electronic component, and ceramic electronic component |
CN201610421659.3A CN106256930B (en) | 2015-06-16 | 2016-06-14 | The manufacturing method and ceramic electronic components of ceramic electronic components |
US16/264,025 US11322293B2 (en) | 2015-06-16 | 2019-01-31 | Method for manufacturing ceramic electronic component, and ceramic electronic component |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015120751 | 2015-06-16 | ||
JP2015120751 | 2015-06-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017011256A true JP2017011256A (en) | 2017-01-12 |
JP6547651B2 JP6547651B2 (en) | 2019-07-24 |
Family
ID=57761829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016022323A Active JP6547651B2 (en) | 2015-06-16 | 2016-02-09 | Method of manufacturing ceramic electronic component and ceramic electronic component |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6547651B2 (en) |
TW (1) | TWI593833B (en) |
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2016
- 2016-02-09 JP JP2016022323A patent/JP6547651B2/en active Active
- 2016-06-07 TW TW105117939A patent/TWI593833B/en active
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JP7067499B2 (en) | 2018-06-20 | 2022-05-16 | 株式会社村田製作所 | Inductors and their manufacturing methods |
US11600438B2 (en) | 2018-06-20 | 2023-03-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Inductor and method for producing the same |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201712162A (en) | 2017-04-01 |
JP6547651B2 (en) | 2019-07-24 |
TWI593833B (en) | 2017-08-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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