JP2017092063A - Cleaning device, peeling system, cleaning method, peeling method, program, and information storage medium - Google Patents
Cleaning device, peeling system, cleaning method, peeling method, program, and information storage medium Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017092063A JP2017092063A JP2015215587A JP2015215587A JP2017092063A JP 2017092063 A JP2017092063 A JP 2017092063A JP 2015215587 A JP2015215587 A JP 2015215587A JP 2015215587 A JP2015215587 A JP 2015215587A JP 2017092063 A JP2017092063 A JP 2017092063A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- frame
- tape
- frame cover
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 298
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 42
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 16
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 14
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 14
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、剥離方法、プログラム、および情報記憶媒体に関する。 The present invention relates to a cleaning apparatus, a peeling system, a cleaning method, a peeling method, a program, and an information storage medium.
近年、たとえば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの基板の大口径化および薄板化が進んでいる。大口径で薄い基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、基板に別の基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、基板同士を剥離する処理が行われている。 In recent years, for example, in the manufacturing process of a semiconductor device, the diameter of a substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer has been increased and the thickness thereof has been reduced. A thin substrate with a large diameter may be warped or cracked during transport or polishing. For this reason, after a different substrate is bonded to the substrate and reinforced, the substrate is transported or polished, and then the substrates are separated from each other.
また、基板同士を剥離した後には、これらの基板の接合面に付着した接合剤等を除去する洗浄処理が行われる。かかる洗浄処理は、基板を回転させながら、基板の接合面に洗浄液を供給することによって行われる(たとえば、特許文献1参照)。 Further, after the substrates are separated from each other, a cleaning process is performed to remove the bonding agent and the like attached to the bonding surfaces of these substrates. Such a cleaning process is performed by supplying a cleaning liquid to the bonding surface of the substrate while rotating the substrate (see, for example, Patent Document 1).
基板は、フレームに固定されるテープに貼り付けられ、洗浄処理に供される。 The substrate is attached to a tape fixed to the frame and is subjected to a cleaning process.
従来、洗浄液によってフレームが劣化することがあった。 Conventionally, the frame may be deteriorated by the cleaning liquid.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、洗浄液による不具合を抑制した、洗浄装置の提供を主な目的とする。 This invention is made | formed in view of the said subject, and provides the washing | cleaning apparatus which suppressed the malfunction by a washing | cleaning liquid.
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
フレームに固定されたテープに貼り付けられた基板を、前記テープを介して保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部と共に回転する前記基板に向けて洗浄液を供給する液供給部と、
前記洗浄液から前記フレームを保護するフレームカバーと、
前記フレームカバーを前記フレームと共に前記基板保持部に対し固定するフレームカバー固定部とを備え、
前記フレームカバーは、前記基板よりも外側かつ前記フレームよりも内側において前記テープに接触することで、前記テープにおける前記洗浄液の濡れ広がりを規制する環状のリップ部を1つ以上有し、
前記基板保持部は、前記フレームカバーと前記テープとの剥離時に、前記フレームカバーの内周よりも外側かつ前記フレームよりも内側において、前記テープを前記フレームカバーとは反対側から保持する、洗浄装置が提供される。
In order to solve the above problems, according to one aspect of the present invention,
A substrate holding part for holding the substrate attached to the tape fixed to the frame via the tape;
A rotation drive unit for rotating the substrate holding unit;
A liquid supply unit for supplying a cleaning liquid toward the substrate rotating together with the substrate holding unit;
A frame cover for protecting the frame from the cleaning liquid;
A frame cover fixing part for fixing the frame cover together with the frame to the substrate holding part;
The frame cover has one or more annular lip portions that regulate the wetting and spreading of the cleaning liquid in the tape by contacting the tape outside the substrate and inside the frame,
The substrate holding unit holds the tape from the opposite side of the frame cover outside the inner periphery of the frame cover and inside the frame when the frame cover and the tape are peeled off. Is provided.
本発明の一態様によれば、洗浄液による不具合を抑制した、洗浄装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a cleaning device is provided that suppresses problems caused by the cleaning liquid.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。以下の説明において、X方向、Y方向、Z方向は互いに垂直な方向であり、X方向およびY方向は水平方向、Z方向は鉛直方向である。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding components are denoted by the same or corresponding reference numerals, and description thereof is omitted. In the following description, the X direction, the Y direction, and the Z direction are directions perpendicular to each other, the X direction and the Y direction are horizontal directions, and the Z direction is a vertical direction.
図1は、一実施形態による剥離システムの概略を示す平面図である。図2は、一実施形態による剥離前の重合基板の平面図である。図3は、一実施形態による剥離前の重合基板の断面図である。図4は、図3の一部拡大図である。図5は、一実施形態による剥離後の被処理基板の断面図である。 FIG. 1 is a plan view schematically showing a peeling system according to an embodiment. FIG. 2 is a plan view of the superposed substrate before peeling according to an embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view of the superposed substrate before peeling according to an embodiment. FIG. 4 is a partially enlarged view of FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view of the substrate to be processed after peeling according to an embodiment.
剥離システム1は、被処理基板Wと支持基板Sとを接合層Gを介して接合させた重合基板Tを、被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。また、剥離システム1は、剥離後の被処理基板Wの接合面を洗浄し、その接合面に付着した接合剤を除去する。
The
被処理基板Wは、素子、回路、端子などが形成されたものである。素子、回路、端子などが形成される面が接合面とされる。被処理基板Wの接合面とは反対側の面(以下、非接合面ともいう)は接合後に研磨されており、被処理基板Wは薄板化されている。研磨の後、被処理基板Wの非接合面に、表面電極、貫通電極などが形成されていてもよい。尚、被処理基板Wは、複数の基板を積層したものでもよい。 The substrate W to be processed is formed with elements, circuits, terminals, and the like. A surface on which elements, circuits, terminals, and the like are formed is a bonding surface. A surface opposite to the bonding surface of the substrate to be processed W (hereinafter also referred to as a non-bonding surface) is polished after bonding, and the substrate to be processed W is thinned. After polishing, a surface electrode, a through electrode, or the like may be formed on the non-joint surface of the substrate W to be processed. The substrate to be processed W may be a laminate of a plurality of substrates.
支持基板Sは、被処理基板Wと接合され、被処理基板Wを一時的に補強する。支持基板Sは、被処理基板Wの研磨後に、被処理基板Wから剥離される。剥離された支持基板Sは、洗浄された後、別の被処理基板Wと接合されてもよい。 The support substrate S is bonded to the substrate W to be processed and temporarily reinforces the substrate W to be processed. The support substrate S is peeled from the target substrate W after the target substrate W is polished. The peeled support substrate S may be bonded to another substrate to be processed W after being cleaned.
接合層Gは、被処理基板Wと支持基板Sとを接合する。接合層Gは、例えば被処理基板Wから支持基板Sに向けて、保護剤層G1、剥離剤層G2、および接着剤層G3をこの順で有する。 The bonding layer G bonds the target substrate W and the support substrate S together. The bonding layer G has, for example, a protective agent layer G1, a release agent layer G2, and an adhesive layer G3 in this order from the target substrate W to the support substrate S.
保護剤層G1は、被処理基板Wの接合面に形成される素子などを保護する。保護剤層G1は、保護剤および保護剤を溶かす有機溶剤からなるコート液を、例えば被処理基板Wの接合面に塗布した後、熱処理することにより形成される。 The protective agent layer G1 protects elements formed on the bonding surface of the substrate W to be processed. The protective agent layer G1 is formed, for example, by applying a coating liquid made of an organic solvent that dissolves the protective agent and the protective agent to the bonding surface of the substrate W to be processed and then performing a heat treatment.
剥離剤層G2は、被処理基板Wと支持基板Sの剥離を円滑に行うためのものである。剥離剤層G2は、剥離剤および剥離剤を溶かす有機溶剤からなるコート液を、例えば保護剤層G1または接着剤層G3に塗布した後、熱処理することにより形成される。剥離剤は、保護剤や接着剤よりも接着力の低いものである。 The release agent layer G2 is for smoothly peeling the target substrate W and the support substrate S. The release agent layer G2 is formed, for example, by applying a coating solution made of an organic solvent that dissolves the release agent and the release agent to, for example, the protective agent layer G1 or the adhesive layer G3, followed by heat treatment. The release agent has a lower adhesive force than the protective agent or the adhesive.
接着剤層G3は、接着剤および接着剤を溶かす有機溶剤からなるコート液を、例えば支持基板Sの接合面に塗布した後、熱処理することにより形成される。接着剤は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれでもよい。 The adhesive layer G3 is formed, for example, by applying a coating liquid made of an adhesive and an organic solvent that dissolves the adhesive to the bonding surface of the support substrate S and then performing a heat treatment. The adhesive may be either a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
重合基板Tは、図2〜図4に示すように、フレームFの内周部に固定されるテープPに貼り付けられ、フレームFに保持される。テープPは、フレームFの開口部を覆う。フレームFとしては例えばダイシングフレームが用いられ、テープPとしては例えばダイシングテープが用いられる。 As shown in FIGS. 2 to 4, the superposed substrate T is affixed to a tape P fixed to the inner peripheral portion of the frame F and is held by the frame F. The tape P covers the opening of the frame F. As the frame F, for example, a dicing frame is used, and as the tape P, for example, a dicing tape is used.
重合基板Tは、フレームFに保持された状態で、被処理基板Wと支持基板Sとに剥離される。剥離後の被処理基板Wは、フレームFに保持された状態のまま、洗浄処理に供される。この洗浄処理では、被処理基板Wの接合面に付着する保護剤層G1および剥離剤層G2を除去する。 The superposed substrate T is peeled off from the target substrate W and the support substrate S while being held by the frame F. The target substrate W after being peeled is subjected to a cleaning process while being held by the frame F. In this cleaning process, the protective agent layer G1 and the release agent layer G2 adhering to the bonding surface of the substrate to be processed W are removed.
尚、本実施形態では、被処理基板Wが特許請求の範囲に記載の第1基板に、支持基板Sが特許請求の範囲に記載の第2基板に対応するが、第1基板と第2基板とは逆でもよい。第1基板が支持基板Sであり、第2基板が被処理基板Wでもよい。 In this embodiment, the substrate W to be processed corresponds to the first substrate described in the claims, and the support substrate S corresponds to the second substrate described in the claims, but the first substrate and the second substrate The reverse is also possible. The first substrate may be the support substrate S, and the second substrate may be the substrate W to be processed.
剥離システム1は、図1に示すように、第1処理ブロック10と、第2処理ブロック20と、制御装置30とを備える。
As shown in FIG. 1, the
第1処理ブロック10は、重合基板Tまたは剥離後の被処理基板Wに対する処理を行う。第1処理ブロック10は、搬入出ステーション11と、第1搬送装置12と、待機装置13と、剥離装置15と、第1洗浄装置16とを備える。
The
搬入出ステーション11は、外部との間でカセットCt、Cwを搬出入させる。搬入出ステーション11はカセット載置台を有し、このカセット載置台は複数の載置部11a、11bを含む。これらの載置部11a、11bにカセットCt、Cwが載置される。カセットCtは重合基板Tを、カセットCwは剥離後の被処理基板Wをそれぞれ複数収容する。重合基板Tおよび剥離後の被処理基板Wは、フレームFに保持された状態で、カセットCt、Cwに収容される。
The loading / unloading
第1搬送装置12は、重合基板Tまたは剥離後の被処理基板Wを搬送する。第1搬送装置12は、搬送アーム部と、基板保持部とを備える。搬送アーム部は、水平方向に移動自在とされ、鉛直方向に昇降自在とされ、且つ、鉛直軸を中心に旋回自在とされる。基板保持部は、フレームFを保持することによって、重合基板Tまたは剥離後の被処理基板Wを略水平に保持する。第1搬送装置12は、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって所望の場所まで搬送する。
The
待機装置13は、処理待ちの重合基板Tを一時的に待機させておく。待機装置13は載置台を含む。この載置台には、重合基板Tが載置される。載置台にはID読取装置が設けられ、ID読取装置は、フレームFのID(Identification)を読み取り、重合基板Tを識別する。
The
剥離装置15は、重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。重合基板Tは、フレームFに保持された状態で、被処理基板Wと、支持基板Sとに剥離される。剥離後の被処理基板Wは、図5に示すようにフレームFに保持された状態のままとされる。
The peeling
第1洗浄装置16は、剥離後の被処理基板Wを洗浄する。剥離後の被処理基板Wは、非接合面をテープPに貼り付けた状態で、洗浄される。この洗浄によって、被処理基板Wの接合面に付着する保護剤層G1および剥離剤層G2が除去される。第1洗浄装置16の詳細については、後述する。
The 1st washing | cleaning
一方、第2処理ブロック20は、剥離後の支持基板Sに対する処理を行う。第2処理ブロック20は、受渡装置21と、第2洗浄装置22と、第2搬送装置23と、搬出ステーション24とを備える。
On the other hand, the
受渡装置21は、剥離後の支持基板Sを剥離装置15から受け取り、第2洗浄装置22へ渡す。
The
第2洗浄装置22は、剥離後の支持基板Sを洗浄する。第2洗浄装置22としては、例えば特開2013−033925号公報に記載の洗浄装置が用いられる。
The
第2搬送装置23は、洗浄後の支持基板Sを搬出ステーション24に搬送する。第2搬送装置23は、第1搬送装置12と同様に、搬送アーム部と、基板保持部とを備える。第2搬送装置23に備えられる基板保持部は、例えば支持基板Sを下方から支持することによって支持基板Sを略水平に保持する。
The
搬出ステーション24は、外部との間でカセットCsを搬入出させる。搬出ステーション24はカセット載置台を有し、このカセット載置台は複数の載置部24a、24bを有する。これらの載置部24a、24bにカセットCsが載置される。カセットCsは剥離後の支持基板Sを複数収容する。
The carry-out
制御装置30は、メモリなどの記録媒体31と、CPU(Central Processing Unit)32などを含むコンピュータで構成され、記録媒体31に記憶されたプログラム(レシピとも呼ばれる)をCPU32に実行させることにより各種処理を実現させる。尚、制御装置30は、本実施形態では第1洗浄装置16とは別に設けられるが、第1洗浄装置16の一部であってもよい。
The
制御装置30のプログラムは、情報記憶媒体に記憶され、情報記憶媒体からインストールされる。情報記憶媒体としては、例えば、ハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどが挙げられる。尚、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、インストールされてもよい。
The program of the
次に、図6を参照して、上記剥離システム1を用いた剥離方法について説明する。図6は、一実施形態による剥離方法のフローチャートである。ここでは、被処理基板Wに着目して剥離方法を説明する。
Next, with reference to FIG. 6, the peeling method using the said
剥離方法は、搬入工程S11、剥離工程S12、洗浄工程S13、および搬出工程S14などを有する。これらの工程は、制御装置30による制御下で実施される。
The peeling method includes a carry-in process S11, a peel process S12, a cleaning process S13, a carry-out process S14, and the like. These steps are performed under the control of the
搬入工程S11では、第1搬送装置12が重合基板Tを載置部11a上のカセットCtから待機装置13に搬送し、次いで、待機装置13から剥離装置15に搬送する。
In the carry-in step S11, the
剥離工程S12では、剥離装置15が重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。重合基板Tは、フレームFに保持された状態で、被処理基板Wと、支持基板Sとに剥離される。剥離後の被処理基板Wは、フレームFに保持された状態のままとされる。剥離後、第1搬送装置12が被処理基板Wを剥離装置15から第1洗浄装置16に搬送する。
In peeling process S12, the peeling
洗浄工程S13では、第1洗浄装置16が剥離後の被処理基板Wを洗浄する。剥離後の被処理基板Wは、非接合面をテープPに貼り付けた状態で、洗浄される。この洗浄によって、被処理基板Wの接合面に付着する保護剤層G1および剥離剤層G2が除去される。
In the cleaning step S13, the
搬出工程S14では、第1搬送装置12が剥離後の被処理基板Wを載置部11b上のカセットCwに搬送する。
In the unloading step S14, the
このようにして、剥離後の被処理基板Wは、第1洗浄装置16において洗浄され、その後、カセットCwに収容される。この間、剥離後の支持基板Sは、第2洗浄装置22において洗浄され、その後、カセットCsに収容される。
Thus, the to-be-processed substrate W after peeling is wash | cleaned in the 1st washing | cleaning
尚、剥離システム1は、上記構成に限定されない。例えば、剥離システム1は、マウント装置を有してもよい。マウント装置は、フレームFの内周部に固定されたテープPに対し重合基板Tを貼り付ける。剥離システム1の外部ではなく、剥離システム1の内部で、重合基板Tのマウントが行われる。また、剥離システム1は、各種の検査装置を有してもよい。検査装置としては、例えば、洗浄後の被処理基板Wや洗浄後の支持基板Sの残渣の有無を検査する検査装置、洗浄後の被処理基板の素子などの電気特性を検査する検査装置が挙げられる。
In addition, the
次に、上記第1洗浄装置16の詳細について説明する。図7は、一実施形態による第1洗浄装置の被処理基板の下降開始前の側面図である。図8は、一実施形態による第1洗浄装置の被処理基板の下降完了時の側面図である。図9は、一実施形態による第1洗浄装置の洗浄液供給時の側面図である。
Next, details of the
第1洗浄装置16は、不図示の処理容器内に、図7などに示すように、スピンチャック40、液供給機構50、カップ60、外周カバー65、フレームカバー70、フレームカバー固定機構80、および受渡機構90を備える。処理容器の側面には被処理基板Wの搬入出口が形成され、この搬入出口には開閉シャッタが設けられる。処理容器の天井にはファンフィルタユニットが設けられ、ファンフィルタユニットは処理容器内にダウンフローを形成する。
As shown in FIG. 7 and the like, the
図10は、図9のX−X線に沿ったスピンチャックなどの断面図である。図11は、図10の一部拡大図であって、メカニカルチャックなどの断面図である。図12は、図11のXII−XII線に沿ったメカニカルチャックなどの断面図である。図13は、図9のXIII−XIII線に沿った磁石ユニットなどの断面図である。図11および図13において、点線は、インナーリップ部71aの弾性復元時の状態を示す。
FIG. 10 is a cross-sectional view of the spin chuck and the like along the line XX in FIG. FIG. 11 is a partially enlarged view of FIG. 10, and is a cross-sectional view of a mechanical chuck or the like. 12 is a cross-sectional view of the mechanical chuck and the like along the line XII-XII in FIG. 13 is a cross-sectional view of the magnet unit and the like along the line XIII-XIII in FIG. In FIG. 11 and FIG. 13, a dotted line shows the state at the time of elastic restoration of the
スピンチャック40は、処理容器の略中央に設けられる。スピンチャック40は、図10に示すように、例えば、基板保持部41、シール部42、支柱部45、および回転駆動部46を備える。
The
基板保持部41は、テープPを介して被処理基板Wを保持する。基板保持部41は、図11に示すように、例えば、インナー保持部41aと、アウター保持部41bと、弾性リング部41cとを有する。
The
インナー保持部41aは、被処理基板Wよりも大きく、テープPを介して被処理基板Wの全体を平坦に保持する。その保持は、例えば真空吸着である。被処理基板Wは、例えばその接合面を上に向けて水平に保持される。
The
インナー保持部41aの材料は、例えばカーボンである。尚、インナー保持部41aの材料は、被処理基板Wを平坦に保持できる程度の硬さの材料であればよく、金属、セラミック、または樹脂などでもよい。
The material of the
アウター保持部41bは、インナー保持部41aに対し分離可能に装着される。尚、アウター保持部41bはインナー保持部41aに対し分離不能に一体に形成されてもよい。
The
アウター保持部41bは、インナー保持部41aを取り囲み、インナー保持部41aよりも外側においてテープPを保持すると共に、テープPを介してフレームFを保持する。その保持は、例えば真空吸着である。
The
アウター保持部41bにおける真空吸着用の吸着穴は、インナー保持部41aにおける真空吸着用の吸着穴と連通している。そのため、アウター保持部41bによる保持と、インナー保持部41aによる保持とは、同時に開始され、同時に終了される。
The suction hole for vacuum suction in the outer holding
尚、アウター保持部41bにおける真空吸着用の吸着穴と、インナー保持部41aにおける真空吸着用の吸着穴とは、連通していなくてもよい。アウター保持部41bによる保持と、インナー保持部41aによる保持とは順番に開始されてもよく、その順番はどちらが先でもよい。同様に、アウター保持部41bによる保持と、インナー保持部41aによる保持とは順番に終了されてもよく、その順番はどちらが先でもよい。
The suction hole for vacuum suction in the outer holding
アウター保持部41bにおけるテープPの保持面は、インナー保持部41aにおけるテープPの保持面に対し、同一平面に連続的に設けられる。アウター保持部41bにおけるテープPの保持面には環状溝が形成され、当該環状溝に弾性リング部41cが取り付けられる。
The holding surface of the tape P in the outer holding
アウター保持部41bの材料は、例えば金属である。尚、アウター保持部41bの材料は、弾性リング部41cを弾性変形可能に保持できる程度の硬さの材料であればよく、セラミック、カーボン、または樹脂などでもよい。
The material of the outer holding
弾性リング部41cは、ゴムなどの弾性材料で形成されている。基板保持部41に対するフレームカバー70の固定時に、フレームカバー70がテープPを弾性リング部41cに押し込むことで、弾性リング部41cが弾性変形する。弾性リング部41cは、その弾性復元力によってテープPをフレームカバー70に密着させる。
The
シール部42は、基板保持部41における真空吸着用の吸着穴を取り囲み、基板保持部41とフレームFとの間を塞ぐ。吸着穴への外気の流入を抑制でき、吸着力の低下を抑制できる。シール部42は、例えばリップシールなどで構成され、その弾性復元力によってフレームFに密着する。
The
回転駆動部46(図10参照)は、モータなどで構成され、支柱部45を回転させることにより、基板保持部41を回転させる。
The rotation drive unit 46 (see FIG. 10) is configured by a motor or the like, and rotates the
液供給機構50は、基板保持部41と共に回転する被処理基板Wに向けて洗浄液を供給する。洗浄液としては、例えば接合剤(例えば剥離剤と保護剤)を溶かす溶剤が用いられる。溶剤は、例えばシンナーなどの有機溶剤である。
The
液供給機構50は、図10に示すように、例えば、洗浄液ノズル51と、ノズルアーム52と、移動昇降部53とを備える。液供給機構50が特許請求の範囲に記載の液供給部に対応する。
As shown in FIG. 10, the
洗浄液ノズル51は、例えば2流体ノズルであって、溶剤流量調節バルブ55を介して溶剤供給源56に接続されると共に、ガス流量調節バルブ57を介してガス供給源58に接続される。洗浄液ノズル51は、溶剤供給源56から供給される溶剤と、ガス供給源58から供給されるガスとを混合した洗浄液を被処理基板Wに対し供給する。
The cleaning
ノズルアーム52は、水平とされ、洗浄液ノズル51をその吐出口を下に向けて保持する。洗浄液ノズル51の数は、図10では1つであるが、複数でもよい。ノズルアーム52は、被処理基板Wの径方向に間隔をおいて複数の洗浄液ノズル51を保持してもよい。
The
移動昇降部53は、ノズルアーム52を水平移動させることで、洗浄液ノズル51を待機位置(図8に示す位置)と液供給位置(図9に示す位置)との間で水平移動させる。また、移動昇降部53は、ノズルアーム52を昇降させることで、洗浄液ノズル51の高さを調整する。
The moving elevating
尚、液供給機構50は、不図示のリンス液ノズルをさらに有してよい。リンス液ノズルは、リンス液流量調節バルブを介してリンス液供給源と接続され、リンス液供給源から供給されるリンス液を被処理基板Wに対し供給する。リンス液ノズルは、その吐出口を下に向けてノズルアーム52に保持される。リンス液としては、例えば純水またはIPA(イソプロピルアルコール)が用いられる。
The
また、液供給機構50は、不図示の吸引ノズルをさらに有してよい。吸引ノズルは、被処理基板W上の液体を吸引する。吸引ノズルは、その吸引口を下に向けてノズルアーム52に保持される。
The
カップ60(図10参照)は、液供給機構50によって供給される洗浄液を回収する。カップ60は、外周部としてのカップ筒部61と、カップ筒部61の底を塞ぐ底部62とを有する。底部62には、カップ60内の液体を排出する排液管63と、カップ60内のガスを排出する排気管64とが接続される。
The cup 60 (see FIG. 10) collects the cleaning liquid supplied by the
外周カバー65は、カップ60の外周部に沿って、待機位置(図8に示す位置)と、液飛散防止位置(図9に示す位置)との間で昇降される。外周カバー65は、待機位置から液飛散防止位置まで引き上げられ、基板保持部41を取り囲み、基板保持部41と共に回転する被処理基板Wからの液滴の飛散を遮る。尚、外周カバー65は、複数設けられてもよい。
The
フレームカバー70は、フレームFに重ねられ、フレームFと共に基板保持部41に対し固定される。フレームカバー70は、基板保持部41に保持された被処理基板Wを取り囲み、被処理基板Wに供給された洗浄液からフレームFを保護する。フレームカバー70は、図11などに示すように、例えば、液侵入規制部71と、固定リング部72と、固定リングカバー部73とを有する。
The
液侵入規制部71は、基板保持部41に保持された被処理基板Wを取り囲み、被処理基板Wよりも外側かつフレームFよりも内側において、テープPにおける洗浄液の濡れ広がりを規制する。液侵入規制部71は、環状のリップ部71a、71bを有する。
The liquid
リップ部71a、71bは、基板保持部41に保持された被処理基板Wよりも外側かつフレームFよりも内側においてテープPに接触することで、テープPにおける洗浄液の濡れ広がりを規制する。リップ部71a、71bは、例えば同心円状に間隔をおいて配される。
The
以下、リップ部71a、71bのうち、最も内側のリップ部71aをインナーリップ部71aと呼び、インナーリップ部71aよりも外側のリップ部71bをアウターリップ部71bと呼ぶ。
Hereinafter, of the
インナーリップ部71aは、テープPを介して基板保持部41に押し付けられ、弾性変形される。インナーリップ部71aは、その弾性復元力によってテープPに密着される。その密着力によって、洗浄液の漏れが抑制できる。
The
インナーリップ部71aは、平面視でインナー保持部41aに重なる。インナー保持部41aにテープPを介して保持された被処理基板Wの近傍で、テープP上における洗浄液の濡れ広がりを止めることができる。
The
インナーリップ部71aは、テープPから剥離されると、弾性復元する。弾性復元したインナーリップ部71aは、図11に点線で示すように、基板保持部41におけるテープPの保持面に対し斜めに傾斜しており、上側から下側に向かうほど径方向内側に傾斜している。また、弾性復元したインナーリップ部71aは、図11に点線で示すように、アウターリップ部71bよりも下側に突出している。
When the
アウターリップ部71bは、テープPを弾性リング部41cに押し込み、弾性リング部41cを弾性変形させる。弾性リング部41cは、その弾性復元力によってテープPをアウターリップ部71bに密着させる。その密着力によって、洗浄液の漏れが抑制できる。
The
アウターリップ部71bは、例えば弾性リング部41cに向けて先鋭状に形成されている。アウターリップ部71bの先端にテープPの密着力が集中するため、洗浄液の漏れがより抑制できる。
The
アウターリップ部71bがテープPから剥離されることで、弾性リング部41cが弾性復元する。弾性復元した弾性リング部41cにおけるテープPの保持面は、アウター保持部41bにおけるテープPの保持面に対し、同一平面に連続的に配されてよい。
When the
尚、リップ部の数は特に限定されない。リップ部の数は1つでもよく、例えばインナーリップ部71aのみが設けられてもよい。インナーリップ部71aがテープPを弾性リング部41cに押し込んでもよい。また、リップ部の数は3つ以上でもよく、インナーリップ部71aとアウターリップ部71bとの間、および/またはアウターリップ部71bよりも外側に、リップ部が設けられてもよい。
The number of lip portions is not particularly limited. The number of lip portions may be one, for example, only the
固定リング部72は、フレームFに対し基板保持部41とは反対側から接触する。固定リング部72は、液侵入規制部71よりも硬い材料で形成され、例えばフレームFと同様にステンレス鋼などの金属で形成される。フレームFに対しフレームカバー70を安定的に固定できる。
The fixing
固定リングカバー部73は、洗浄液から固定リング部72を保護すると共に、固定リング部72との間に液侵入規制部71を挟んで固定する。固定リングカバー部73は、液侵入規制部71よりも硬い母材と、当該母材を洗浄液から保護する保護膜とで構成される。保護膜は、洗浄液に対し耐食性を有する材料で形成され、例えばテフロン(登録商標)などのフッ素系樹脂で形成される。母材は、保護膜の種類に応じて選定され、例えばアルミニウムなどの金属で形成される。
The fixing
固定リングカバー部73は、固定リング部72の他に、フレームカバー固定機構80を洗浄液から保護する。
In addition to the fixing
フレームカバー固定機構80(図7参照)は、フレームカバー70をフレームFと共に基板保持部41に対し固定する。フレームカバー固定機構80が特許請求の範囲に記載のフレームカバー固定部に対応する。フレームカバー固定機構80は、例えばメカニカルチャック81(図11〜図12参照)と、磁石ユニット82(図13参照)とを両方含む。
The frame cover fixing mechanism 80 (see FIG. 7) fixes the
メカニカルチャック81は、図11に示すように、例えば爪部81aおよび腕部81bを有する。腕部81bは、基板保持部41の下面に取り付けられ、基板保持部41の径方向外方に突出する。腕部81bは、基板保持部41の周方向に間隔をおいて複数(例えば4つ)設けられる。各腕部81bの先端部に、爪部81aが揺動自在に取り付けられる。各爪部81aは、図12に示すようにフレームカバー70の固定リング部72を上方から押さえることで、フレームカバー70を基板保持部41に対し固定する。フレームカバー70は、フレームFを挟んで、基板保持部41に対し固定される。
As shown in FIG. 11, the
メカニカルチャック81は、姿勢検知センサ(不図示)をさらに有する。姿勢検知センサは、各爪部81aの姿勢を検知し、その検知結果を制御装置30に送信する。制御装置30は、各爪部81aの姿勢に基づき基板保持部41に対しフレームFおよびフレームカバー70が正常に固定されたか否かを検知する。
The
磁石ユニット82は、図13に示すように、例えば、磁石82aと、磁石82aによって吸着される吸着体82bとを有する。磁石ユニット82は、基板保持部41に対しフレームカバー70を磁力によって吸着する。フレームカバー70は、フレームFを挟んで、基板保持部41に対し固定される。
As shown in FIG. 13, the
磁石82aは、例えば基板保持部41に取り付けられる。磁石82aは、基板保持部41の周方向に間隔をおいて複数(例えば8つ)設けられる。磁石82aは、各爪部81aの両側に1つずつ設けられる。尚、磁石82aの数は1つでもよく、磁石82aの形状は環状でもよい。
The
磁石82aは、基板保持部41と共に回転させられる。そのため、磁石82aとしては、永久磁石が用いられる。尚、磁石82aは電磁石であってもよい。電磁石の通電を停止させることで、吸着力を略ゼロにすることができる。
The
吸着体82bは、例えばフレームカバー70に取り付けられる。吸着体82bは、フレームカバー70の周方向に間隔をおいて複数(例えば8つ)設けられる。複数の磁石82aに対応して複数の吸着体82bが設けられる。
The adsorbent 82b is attached to the
尚、吸着体82bの数は1つでもよく、吸着体82bの形状は環状でもよい。例えば、固定リング部72が吸着体82bとして用いられてもよい。この場合、固定リング部72の真下に磁石82aが配設されてもよい。
The number of the
吸着体82bは、フレームカバー70と共に回転させられる。吸着体82bは、例えば軟磁性材料で形成される。磁石82aの磁極の向きに関係なく、磁石82aが吸着体82bを吸着できる。よって、磁石82aを基板保持部41に対し取り付ける際に、磁石82aの磁極の向きを管理する手間が省ける。
The adsorbent 82b is rotated together with the
尚、磁石82aと吸着体82bとの配置は逆でもよく、磁石82aがフレームカバー70に取り付けられ、吸着体82bが基板保持部41に取り付けられてもよい。また、吸着体82bは、磁石82aによって吸着されればよく、硬磁性材料で形成されてもよい。つまり、吸着体82bも磁石であってもよく、基板保持部41とフレームカバー70の両方に磁石が取り付けられてもよい。
The arrangement of the
尚、本実施形態のフレームカバー固定機構80は、メカニカルチャック81と、磁石ユニット82とを両方有するが、いずれか一方のみを有してもよい。フレームカバー固定機構80が磁石ユニット82のみを有する場合、上記姿勢検知センサとは別に、基板保持部41に対しフレームFおよびフレームカバー70が正常に固定されたか否かを検知するセンサが設けられる。
The frame
図14は、図7のXIV−XIV線に沿った受渡機構などの断面図である。受渡機構90は、図7に示すように第1搬送装置12から被処理基板Wを受け取り、スピンチャック40に渡す。また、受渡機構90は、図8に示すようにスピンチャック40から被処理基板Wを受け取り、第1搬送装置12に渡す。
14 is a cross-sectional view of the delivery mechanism and the like along the line XIV-XIV in FIG. The
受渡機構90は、スピンチャック40に対し、被処理基板Wを受け渡すと共に、フレームカバー70を受け渡す。第1洗浄装置16の内部でフレームカバー70がフレームFに着脱されるので、洗浄時のみフレームFに対しフレームカバー70を被せることができる。また、1つのフレームカバー70を繰り返し使用することができる。
The
受渡機構90は、図7〜図9に示すように、例えば、フレーム保持部91と、フレームカバー保持部94と、昇降部97とを有する。
As shown in FIGS. 7 to 9, the
フレーム保持部91は、フレームFを保持することで、被処理基板Wを保持する。フレーム保持部91は、例えば、複数のフレーム保持爪92a、92bと、フレーム保持爪開閉機構93とを有する。
The
複数のフレーム保持爪92a、92bは、フレームFの中心線の周りに放射状に配される。複数のフレーム保持爪92a、92bは、径方向内方に閉じることで、フレームFを引掛けて保持する。また、複数のフレーム保持爪92a、92bは、径方向外方に開くことで、フレームFの保持を解除する。
The plurality of
フレーム保持爪開閉機構93は、複数のフレーム保持爪92a、92bを径方向に開閉させる。フレーム保持爪開閉機構93は、複数のフレーム保持爪92a、92bに対応する複数のシリンダ93a、93bを有する。
The frame holding claw opening /
尚、本実施形態のフレーム保持部91は、フレームFを引掛けて保持するが、フレームFを吸着して保持してもよい。
Note that the
フレームカバー保持部94は、フレームカバー70を保持する。フレームカバー保持部94は、図14に示すように、例えば、複数のフレームカバー保持爪95a、95bと、フレームカバー保持爪開閉機構96とを有する。
The frame
複数のフレームカバー保持爪95a、95bは、フレームカバー70の中心線の周りに放射状に配される。複数のフレームカバー保持爪95a、95bは、径方向内方に閉じることで、フレームカバー70を引掛けて保持する。また、複数のフレームカバー保持爪95a、95bは、径方向外方に開くことで、フレームカバー70の保持を解除する。
The plurality of frame
複数のフレームカバー保持爪95a、95bは、それぞれ、基端部から二股に分岐しており、分岐した各先端部にガイドピンGP(図14、図7等参照)を有する。各ガイドピンGPは、フレームカバー70の外周に形成されるガイド溝GG(図14参照)に差し込まれる。これにより、位置ずれが防止できる。
Each of the plurality of frame
尚、本実施形態の複数のフレームカバー保持爪95a、95bは、それぞれ、基端部から二股に分岐しているが、分岐していなくてもよく、その先端部にガイドピンGPを有してもよい。また、ガイドピンGPとガイド溝GGの配置は逆でもよく、ガイドピンGPがフレームカバー70に配置され、ガイド溝GGがフレームカバー保持爪95a、95bに配置されてもよい。
Each of the plurality of frame
フレームカバー保持爪開閉機構96は、複数のフレームカバー保持爪95a、95bを径方向に開閉させる。フレームカバー保持爪開閉機構96は、複数のフレームカバー保持爪95a、95bに対応する複数のシリンダ96a、96bを有する。
The frame cover holding claw opening /
尚、本実施形態のフレームカバー保持部94は、フレームカバー70を引掛けて保持するが、フレームカバー70を吸着して保持してもよい。
The frame
昇降部97は、第1昇降部97a(図7〜図9参照)と、第2昇降部97b(図14参照)とを有する。第1昇降部97aは、フレーム保持部91とフレームカバー保持部94とを同時に基板保持部41に対し昇降させる。第2昇降部97bは、一のフレームカバー保持爪95aに対し他のフレームカバー保持爪95bを相対的に昇降させる。
The elevating
尚、フレームカバー保持爪の数は3つ以上でもよい。第2昇降部97bの数は、フレームカバー保持爪の数よりも1つだけ少ない数でもよいが、その数以上であればよい。
The number of frame cover holding claws may be three or more. The number of second elevating
制御装置30は、基板保持部41に保持されたテープPとフレームカバー70との剥離時に、先ず第2昇降部97bを作動させ、次いで第1昇降部97aを作動させることで、フレームカバー70の周方向一端部から周方向他端部に向けて順次剥離を行う。
When the tape P held by the
次に、図15などを参照して、上記第1洗浄装置16を用いた洗浄方法について説明する。図15は、一実施形態による洗浄方法のフローチャートである。
Next, a cleaning method using the
洗浄方法は、図15に示すように、例えば、準備工程S21、洗浄液供給工程S22、リンス液供給工程S23、乾燥工程S24、および回収工程S25を有する。これらの工程は、制御装置30による制御下で実施される。
As shown in FIG. 15, the cleaning method includes, for example, a preparation step S21, a cleaning liquid supply step S22, a rinse liquid supply step S23, a drying step S24, and a recovery step S25. These steps are performed under the control of the
準備工程S21は、剥離後の被処理基板Wを第1搬送装置12から受渡機構90が受け取ったときに開始される。受渡機構90は、フレームFを介して被処理基板Wを保持すると共に、フレームFの上方にフレームカバー70を保持する。
The preparation step S <b> 21 starts when the
準備工程S21では、受渡機構90が被処理基板Wおよびフレームカバー70をスピンチャック40に渡し、液供給機構50などが洗浄液の供給のための準備を行う。
In the preparation step S21, the
具体的には、先ず、昇降部97が、フレーム保持部91およびフレームカバー保持部94を待機位置から受渡位置まで下降させる。これにより、被処理基板Wおよびフレームカバー70が基板保持部41に渡される。また、基板保持部41に対しフレームカバー70が磁石ユニット82の磁力によって吸着される。
Specifically, the elevating
次いで、基板保持部41がテープPを介して被処理基板Wを保持すると共に、メカニカルチャック81が基板保持部41に対しフレームカバー70を固定する。フレームカバー70は、フレームFを挟んで基板保持部41に対し固定される。
Next, the
インナーリップ部71aは、テープPを介して基板保持部41に押し付けられており、弾性変形されている。また、アウターリップ部71bは、テープPを弾性リング部41cに押し込んでおり、弾性リング部41cを弾性変形させている。弾性リング部41cは、その弾性復元力によってテープPをアウターリップ部71bに密着させている。
The
次いで、昇降部97が、フレーム保持部91およびフレームカバー保持部94を元の待機位置まで上昇させる。
Next, the elevating
その後、移動昇降部53が、洗浄液ノズル51を待機位置から液供給位置まで水平移動される。尚、この動作は、受渡機構90の上昇完了前に開始されてもよい。
Thereafter, the moving elevating
その後、外周カバー65が、待機位置から液飛散防止位置まで引き上げられる。尚、この動作は、洗浄液ノズル51の移動完了前に開始されてもよい。
Thereafter, the outer
洗浄液供給工程S22では、洗浄液ノズル51が、被処理基板Wに向けて洗浄液を供給する。このとき、回転駆動部46が、基板保持部41を回転させる。被処理基板Wに供給された洗浄液は、被処理基板Wの回転に伴う遠心力によって濡れ広がる。被処理基板Wの接合面全体が洗浄液の膜で覆われ、被処理基板Wの接合面に付着する接合剤が洗浄液に浸漬される。洗浄液に接合剤が徐々に溶解する。
In the cleaning liquid supply step S <b> 22, the cleaning
このとき、フレームカバー70は、フレームFと共に基板保持部41に対し固定されている。インナーリップ部71aやアウターリップ部71bは、それぞれ、基板保持部41に保持された被処理基板Wよりも外側かつフレームFよりも内側においてテープPに接触することで、テープPにおける洗浄液の濡れ広がりを規制する。よって、洗浄液からフレームFを保護できる。
At this time, the
リンス液供給工程S23では、リンス液ノズルが、被処理基板Wに向けてリンス液(例えばIPA)を供給する。このとき、回転駆動部46が基板保持部41を回転させる。被処理基板Wに供給されたリンス液は、被処理基板Wの回転に伴う遠心力によって濡れ広がる。被処理基板W上の液体をリンス液によって置換または希釈することができる。
In the rinsing liquid supply step S <b> 23, the rinsing liquid nozzle supplies a rinsing liquid (for example, IPA) toward the substrate W to be processed. At this time, the
乾燥工程S24では、回転駆動部46が、基板保持部41を回転させ、被処理基板W上の残液を遠心力によって振り切る。振り切られた液体は、フレームカバー70に沿ってテープPから離れ、フレームカバー70を乗り越え、カップ60に回収される。尚、リンス液供給工程S23の後、乾燥工程S24の前に、移動昇降部53が、洗浄液ノズル51などを液供給位置から待機位置まで移動させておいてもよい。
In the drying step S24, the
回収工程S25では、乾燥後の被処理基板Wをスピンチャック40から受渡機構90が受け取り、第1搬送装置12に渡す。受渡機構90は、被処理基板Wの他に、フレームカバー70をスピンチャック40から受け取る。
In the collection step S25, the substrate W after drying is received by the
具体的には、先ず、昇降部97が、フレーム保持部91およびフレームカバー保持部94を待機位置から受渡位置まで下降させる。この動作は、外周カバー65が液飛散防止位置から待機位置まで下降させられた後に行われてよい。
Specifically, the elevating
次いで、メカニカルチャック81が基板保持部41に対するフレームカバー70の固定を解除する。このとき、フレームカバー70は、磁石ユニット82によって基板保持部41に対し吸着されている。また、このとき、フレームカバー70は、テープPに付着している。
Next, the
次いで、受渡機構90が、フレームカバー70を保持し、フレームカバー70を基板保持部41に対し僅かに上昇させ、磁石ユニット82による吸着を解除させると共に、フレームカバー70とテープPとを剥離させる。このとき、基板保持部41は、テープPをフレームカバー70とは反対側から保持する。
Next, the
基板保持部41は、上述したように、インナー保持部41aに加えて、アウター保持部41bを有する。インナー保持部41aとアウター保持部41bの両方が、テープPをフレームカバー70とは反対側から保持する。
As described above, the
アウター保持部41bは、フレームカバー70の内周よりも外側かつフレームFよりも内側において、テープPをフレームカバー70とは反対側から保持する。フレームカバー70とテープPとの剥離時に、テープPに付着するリップ部71a、71bの近傍において、テープPを固定できる。
The outer holding
アウター保持部41bは、フレームカバー70の内周よりも外側かつフレームFよりも内側に、テープPを真空吸着する吸着穴を有する。吸着穴は、平面視において、リップ部71a、71bと重ならない位置に設けられてよく、例えばインナーリップ部71aとアウターリップ部71bとの間に設けられてよい。
The outer holding
尚、本実施形態のアウター保持部41bは、テープPの保持に、真空吸着力を利用するが、例えば粘着力や静電気力などを利用してもよい。アウター保持部41bによるテープPの保持は、多種多様であってよい。
In addition, although the outer holding |
受渡機構90は、フレームカバー70とテープPとの剥離を、フレームカバー70の周方向一端部から周方向他端部に向けて順次行う。フレームカバー70とテープPとの剥離や磁石ユニット82による吸着の解除が徐々に行われるので、一度に行われる場合よりもフレームカバー70のばたつきが抑制できる。
The
次いで、基板保持部41がテープPの保持を解除し、昇降部97がフレーム保持部91およびフレームカバー保持部94を元の待機位置まで上昇させる。その途中で、フレーム保持部91がフレームFを引掛けて保持する。
Next, the
その後、受渡機構90が被処理基板Wを第1搬送装置12に渡し、回収工程S25が終了する。このとき、フレームカバー70は、受渡機構90に保持され、次回のフレームFの保護に用いられる。
Thereafter, the
以上説明したように、本実施形態の第1洗浄装置16は、フレームカバー70を有する。フレームカバー70は、1つ以上のリップ部(本実施形態では2つのリップ部71a、71b)を有する。リップ部71a、71bは、基板保持部41によって保持された被処理基板Wよりも外側かつフレームFよりも内側においてテープPに接触することで、テープPにおける洗浄液の濡れ広がりを規制する。よって、洗浄液によるフレームFの劣化を抑制できる。
As described above, the
本実施形態の基板保持部41は、フレームカバー70とテープPとの剥離時に、フレームカバー70の内周よりも外側かつフレームFよりも内側において、テープPをフレームカバー70とは反対側から保持する。フレームカバー70とテープPとの剥離時に、テープPに付着するリップ部71a、71bの近傍において、テープPを固定できる。この効果は、フレームカバー70とテープPとの密着力が強いほど顕著である。
The
本実施形態の基板保持部41には、シール部42が取り付けられる。シール部42は、基板保持部41における真空吸着用の吸着穴を取り囲み、基板保持部41とフレームFとの間を塞ぐ。よって、吸着穴への外気の流入を抑制でき、吸着力の低下を抑制できる。
A
本実施形態の基板保持部41は、基板保持部41に保持された被処理基板Wよりも外側かつフレームFよりも内側に、環状の弾性リング部41cを有する。アウターリップ部71bは、テープPを弾性リング部41cに押し込み、弾性リング部41cを弾性変形させる。弾性リング部41cの弾性復元力によってテープPをフレームカバー70に密着させることができ、洗浄液の漏れをより抑制することができる。
The
尚、本実施形態では、アウターリップ部71bがテープPを弾性リング部41cに押し込むが、インナーリップ部71aがテープPを弾性リング部41cに押し込んでもよいし、インナーリップ部71aとアウターリップ部71bの両方がそれぞれテープPを弾性リング部41cに押し込んでもよい。いずれの場合も、弾性リング部41cの弾性復元力によってテープPをフレームカバー70に密着させることができる。
In this embodiment, the
本実施形態の基板保持部41には、磁石ユニット82の一部が取り付けられる。磁石ユニット82は、フレームカバー70をフレームFと共に基板保持部41に対し吸着する。磁力によってリップ部71a、71bをテープPに密着させることができ、洗浄液の漏れを抑制することができる。
A part of the
以上、洗浄装置などの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。 As mentioned above, although embodiment of washing | cleaning apparatus etc. was described, this invention is not limited to the said embodiment etc., In the range of the summary of this invention described in the claim, various deformation | transformation and improvement are possible. is there.
例えば、被処理基板Wの種類は多種多様であってよく、半導体用の基板の他、例えばFPD(フラットパネルディスプレイ)用の基板、フォトマスク用のマスクレチクルの基板などでもよい。 For example, the type of substrate W to be processed may be various, and may be, for example, a substrate for an FPD (flat panel display), a mask reticle for a photomask, or the like in addition to a semiconductor substrate.
図3に示す重合基板Tの接合層Gは、保護剤層G1、剥離剤層G2、および接着剤層G3の3層構造であるが、その構造は特に限定されない。例えば、接合層Gは、接着剤層G3のみの1層構造、または剥離剤層G2および接着剤層G3の2層構造でもよい。2層構造の場合、剥離剤層G2と接着剤層G3の配置は図3とは逆でもよく、剥離剤層G2が被処理基板Wの側に配され、接着剤層G3が支持基板Sの側に配されてもよい。従って、剥離後の被処理基板Wの接合面に付着する接合剤の種類は特に限定されない。 The bonding layer G of the polymerization substrate T shown in FIG. 3 has a three-layer structure including a protective agent layer G1, a release agent layer G2, and an adhesive layer G3, but the structure is not particularly limited. For example, the bonding layer G may have a one-layer structure including only the adhesive layer G3 or a two-layer structure including the release agent layer G2 and the adhesive layer G3. In the case of a two-layer structure, the disposition of the release agent layer G2 and the adhesive layer G3 may be opposite to that in FIG. 3, the release agent layer G2 is disposed on the substrate to be processed W, and the adhesive layer G3 It may be arranged on the side. Therefore, the type of the bonding agent that adheres to the bonding surface of the substrate to be processed W after peeling is not particularly limited.
上記実施形態の第1洗浄装置16は、剥離後の被処理基板Wの洗浄に用いられるが、剥離後の支持基板Sの洗浄に用いられてもよい。第1洗浄装置16の用途は特に限定されない。
The
上記実施形態の液供給機構50は、洗浄液ノズル51を水平方向に直線移動させるが、洗浄液ノズル51を水平方向に旋回させてもよい。
The
1 剥離システム
15 剥離装置
16 第1洗浄装置
30 制御装置
40 スピンチャック
41 基板保持部
41a インナー保持部
41b アウター保持部
41c 弾性リング部
42 シール部
46 回転駆動部
50 液供給機構
51 洗浄液ノズル
70 フレームカバー
71 液侵入規制部
71a インナーリップ部
71b アウターリップ部
80 フレームカバー固定機構
81 メカニカルチャック
82 磁石ユニット
90 受渡機構
91 フレーム保持部
94 フレームカバー保持部
97 昇降部
DESCRIPTION OF
Claims (16)
前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部と共に回転する前記基板に向けて洗浄液を供給する液供給部と、
前記洗浄液から前記フレームを保護するフレームカバーと、
前記フレームカバーを前記フレームと共に前記基板保持部に対し固定するフレームカバー固定部とを備え、
前記フレームカバーは、前記基板よりも外側かつ前記フレームよりも内側において前記テープに接触することで、前記テープにおける前記洗浄液の濡れ広がりを規制する環状のリップ部を1つ以上有し、
前記基板保持部は、前記フレームカバーと前記テープとの剥離時に、前記フレームカバーの内周よりも外側かつ前記フレームよりも内側において、前記テープを前記フレームカバーとは反対側から保持する、洗浄装置。 A substrate holding part for holding the substrate attached to the tape fixed to the frame via the tape;
A rotation drive unit for rotating the substrate holding unit;
A liquid supply unit for supplying a cleaning liquid toward the substrate rotating together with the substrate holding unit;
A frame cover for protecting the frame from the cleaning liquid;
A frame cover fixing part for fixing the frame cover together with the frame to the substrate holding part;
The frame cover has one or more annular lip portions that regulate the wetting and spreading of the cleaning liquid in the tape by contacting the tape outside the substrate and inside the frame,
The substrate holding unit holds the tape from the opposite side of the frame cover outside the inner periphery of the frame cover and inside the frame when the frame cover and the tape are peeled off. .
少なくとも1つの前記リップ部は、前記テープを前記弾性リング部に押し込み、前記弾性リング部を弾性変形させる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の洗浄装置。 The substrate holding portion has an annular elastic ring portion outside the substrate held by the substrate holding portion and inside the frame,
The cleaning device according to claim 1, wherein at least one of the lip portions pushes the tape into the elastic ring portion to elastically deform the elastic ring portion.
前記洗浄装置として、請求項1〜6のいずれか1項に記載の洗浄装置を備える、剥離システム。 A peeling device that peels the superposed substrate bonded with the first substrate and the second substrate into the first substrate and the second substrate, and a cleaning device that cleans the bonded surface of the first substrate after peeling. A peeling system,
A peeling system comprising the cleaning device according to any one of claims 1 to 6 as the cleaning device.
前記準備工程の後に、前記基板保持部と共に回転する前記基板に対し洗浄液を供給すると共に前記フレームカバーによって前記フレームを前記洗浄液から保護する洗浄液供給工程と、
前記洗浄液供給工程の後に、前記基板保持部に保持された前記テープと前記フレームカバーとを剥離し、前記基板保持部による前記テープの保持を解除する回収工程とを有し、
前記フレームカバーは、前記基板よりも外側かつ前記フレームよりも内側において前記テープに接触することで、前記テープにおける前記洗浄液の濡れ広がりを規制する環状のリップ部を1つ以上有し、
前記基板保持部は、前記フレームカバーと前記テープとの剥離時に、前記フレームカバーの内周よりも外側かつ前記フレームよりも内側において、前記テープを前記フレームカバーとは反対側から保持する、洗浄方法。 A preparatory step for holding the substrate attached to the tape fixed to the frame on the substrate holding part via the tape and fixing the frame cover to the substrate holding part together with the frame;
After the preparation step, a cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid to the substrate rotating together with the substrate holding unit and protecting the frame from the cleaning liquid by the frame cover;
After the cleaning liquid supply step, the tape held by the substrate holding unit and the frame cover are peeled off, and a recovery step of releasing the holding of the tape by the substrate holding unit,
The frame cover has one or more annular lip portions that regulate the wetting and spreading of the cleaning liquid in the tape by contacting the tape outside the substrate and inside the frame,
The substrate holding unit holds the tape from the opposite side of the frame cover outside the inner periphery of the frame cover and inside the frame when the frame cover and the tape are peeled off. .
少なくとも1つの前記リップ部は、前記テープを前記弾性リング部に押し込み、前記弾性リング部を弾性変形させる、請求項8〜10のいずれか1項に記載の洗浄方法。 The substrate holding portion has an annular elastic ring portion outside the substrate held by the substrate holding portion and inside the frame,
The cleaning method according to claim 8, wherein at least one of the lip portions pushes the tape into the elastic ring portion to elastically deform the elastic ring portion.
剥離後の前記第1基板の接合面を洗浄する洗浄工程とを備える剥離方法であって、
前記洗浄工程では、請求項8〜13のいずれか1項に記載の洗浄方法を用いる、剥離方法。 A peeling step of peeling the superposed substrate bonded with the first substrate and the second substrate into the first substrate and the second substrate;
And a cleaning step of cleaning the bonding surface of the first substrate after peeling,
In the said washing | cleaning process, the peeling method using the washing | cleaning method of any one of Claims 8-13.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015215587A JP6573531B2 (en) | 2015-11-02 | 2015-11-02 | Cleaning device, peeling system, cleaning method, peeling method, program, and information storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015215587A JP6573531B2 (en) | 2015-11-02 | 2015-11-02 | Cleaning device, peeling system, cleaning method, peeling method, program, and information storage medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017092063A true JP2017092063A (en) | 2017-05-25 |
JP6573531B2 JP6573531B2 (en) | 2019-09-11 |
Family
ID=58771758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015215587A Active JP6573531B2 (en) | 2015-11-02 | 2015-11-02 | Cleaning device, peeling system, cleaning method, peeling method, program, and information storage medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6573531B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112545005A (en) * | 2020-12-08 | 2021-03-26 | 九江鸿立食品有限公司 | Multi-functional high-efficient peeling apparatus of ginger |
WO2022270714A1 (en) * | 2020-08-25 | 2022-12-29 | 주식회사 제우스 | Substrate processing apparatus |
CN116097397A (en) * | 2020-09-09 | 2023-05-09 | 信越工程株式会社 | Workpiece cleaning device, workpiece cleaning method and paddle clamp |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014501043A (en) * | 2010-11-30 | 2014-01-16 | シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト | Wafer or die processing method |
JP2014165281A (en) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning device, cleaning method, and peeling system |
JP2014216520A (en) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 株式会社ディスコ | Cleaning device |
JP2015109416A (en) * | 2013-10-21 | 2015-06-11 | 東芝機械株式会社 | Chuck device |
-
2015
- 2015-11-02 JP JP2015215587A patent/JP6573531B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014501043A (en) * | 2010-11-30 | 2014-01-16 | シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト | Wafer or die processing method |
JP2014165281A (en) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning device, cleaning method, and peeling system |
JP2014216520A (en) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 株式会社ディスコ | Cleaning device |
JP2015109416A (en) * | 2013-10-21 | 2015-06-11 | 東芝機械株式会社 | Chuck device |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022270714A1 (en) * | 2020-08-25 | 2022-12-29 | 주식회사 제우스 | Substrate processing apparatus |
WO2022270712A1 (en) * | 2020-08-25 | 2022-12-29 | 주식회사 제우스 | Substrate processing apparatus |
TWI833167B (en) * | 2020-08-25 | 2024-02-21 | 南韓商杰宜斯科技有限公司 | Wafer processsing apparatus |
CN116097397A (en) * | 2020-09-09 | 2023-05-09 | 信越工程株式会社 | Workpiece cleaning device, workpiece cleaning method and paddle clamp |
CN112545005A (en) * | 2020-12-08 | 2021-03-26 | 九江鸿立食品有限公司 | Multi-functional high-efficient peeling apparatus of ginger |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6573531B2 (en) | 2019-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5455987B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP6120748B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP2014165281A (en) | Cleaning device, cleaning method, and peeling system | |
KR20130054165A (en) | Cleaning apparatus, separation system, cleaning method, and storage medium | |
WO2012026262A1 (en) | Peeling system, peeling method, and computer storage medium | |
TW201324648A (en) | Cleaning method and computer strage medium and cleaning apparatus and detachment system | |
JP6573531B2 (en) | Cleaning device, peeling system, cleaning method, peeling method, program, and information storage medium | |
KR101805964B1 (en) | Peeling system, peeling method, and computer storage medium | |
KR102349331B1 (en) | Cleaning device, peeling system, cleaning method and computer-readable storage medium | |
JP5580805B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP6104753B2 (en) | Peeling device, peeling system and peeling method | |
JP6076856B2 (en) | Peeling device, peeling system and peeling method | |
JP5886783B2 (en) | Sheet peeling apparatus, bonding system, peeling system, sheet peeling method, program, and computer storage medium | |
JP5563530B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP6611565B2 (en) | Cleaning device, peeling system, cleaning method, peeling method, program, and information storage medium | |
JP2015088620A (en) | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
WO2008065809A1 (en) | Treatment apparatus and surface treatment jig | |
JP6025759B2 (en) | Peeling system | |
JP6367727B2 (en) | Cleaning device, peeling system, cleaning method, peeling method, program, and information storage medium | |
JP5717803B2 (en) | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP5905407B2 (en) | Sheet peeling apparatus, bonding system, peeling system, sheet peeling method, program, and computer storage medium | |
JP5685554B2 (en) | Peeling device, peeling system, peeling method and peeling program | |
JP6153886B2 (en) | Cleaning device, peeling system, cleaning method, program, and computer storage medium | |
JP6122790B2 (en) | Peeling device and peeling system | |
JP2012015247A (en) | Coating device and coating method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190423 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190813 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6573531 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |