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JP2017085536A - Circuit device, oscillator, electronic equipment and mobile body - Google Patents

Circuit device, oscillator, electronic equipment and mobile body Download PDF

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JP2017085536A
JP2017085536A JP2016099723A JP2016099723A JP2017085536A JP 2017085536 A JP2017085536 A JP 2017085536A JP 2016099723 A JP2016099723 A JP 2016099723A JP 2016099723 A JP2016099723 A JP 2016099723A JP 2017085536 A JP2017085536 A JP 2017085536A
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JP
Japan
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frequency
data
control data
frequency control
temperature
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JP2016099723A
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晃弘 福澤
Akihiro Fukuzawa
晃弘 福澤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit device, an oscillator, electronic equipment, a mobile body and the like, capable of suppressing generation of defects caused by frequency drift of an oscillation frequency and the like.SOLUTION: A circuit device includes: an A/D conversion part 20 that performs A/D conversion of a temperature detection voltage VTD from a temperature sensor part 10, and outputs temperature detection data DTD; a processing part 50 that performs temperature compensation processing of an oscillation frequency on the basis of the temperature detection data DTD, and outputs frequency control data DDS of the oscillation frequency; and an oscillation signal generation circuit 140 that generates an oscillation signal by using the frequency control data DDS and a vibrator XTAL. When a frequency variable range of the oscillation frequency is defined as FR, and an allowable frequency drift is defined as FD, and a full scale value of the frequency control data DDS is defined as DFS, and a change value of the frequency control data at an output interval of the frequency control data DDS of the processing part 50 is defined as DV, DV<(FD/FR)×DFS is satisfied.SELECTED DRAWING: Figure 12

Description

本発明は、回路装置、発振器、電子機器及び移動体等に関する。   The present invention relates to a circuit device, an oscillator, an electronic device, a moving object, and the like.

従来より、TCXO(temperature compensated crystal oscillator)と呼ばれる温度補償型発振器が知られている。このTCXOは、例えば携帯通信端末、GPS関連機器、ウェアラブル機器、又は車載機器などにおける基準信号源等として用いられている。   Conventionally, a temperature compensated oscillator called a TCXO (temperature compensated crystal oscillator) is known. This TCXO is used as a reference signal source or the like in, for example, a mobile communication terminal, a GPS related device, a wearable device, or an in-vehicle device.

このTCXOには、アナログ方式の温度補償型発振器であるATCXOと、デジタル方式の温度補償型発振器であるDTCXOがある。ATCXOの従来技術としては特許文献1に開示される技術が知られている。DTCXOの従来技術としては特許文献2に開示される技術が知られている。   The TCXO includes an ATCXO that is an analog type temperature compensated oscillator and a DTCXO that is a digital type temperature compensated oscillator. As a conventional technique of ATCXO, a technique disclosed in Patent Document 1 is known. As a conventional technique of DTCXO, a technique disclosed in Patent Document 2 is known.

特開2012−199631号公報JP 2012-199631 A 特開昭64−82809号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 64-82809

DTCXO等のデジタル方式の発振器は、ATCXO等のアナログ方式の発振器に比べて、低消費電力化等において有利な面がある。例えばATCXOでは、その回路装置のアナログ回路において多くの消費電流が流れてしまう。特にATCXOでは、周波数精度向上のために、アナログ回路である温度補償回路(近似関数発生回路)における近似関数の次数を増やしたり、アナログ回路のトランジスターに流れる電流を増やして雑音を低減しようとすると、消費電力が大幅に増加してしまう。このため、周波数精度の向上と低消費電力化とを両立して実現することが難しいという課題がある。   A digital oscillator such as DTCXO has an advantage in reducing power consumption and the like as compared with an analog oscillator such as ATCXO. For example, in ATCXO, a large amount of current consumption flows in the analog circuit of the circuit device. In particular, in ATCXO, in order to improve the frequency accuracy, increasing the order of the approximation function in the temperature compensation circuit (approximation function generation circuit) that is an analog circuit, or increasing the current flowing through the transistor of the analog circuit to reduce noise, Power consumption will increase significantly. For this reason, there is a problem that it is difficult to achieve both improvement in frequency accuracy and reduction in power consumption.

一方、DTCXO等のデジタル方式の発振器では、温度変化に伴う発振周波数の周波数ドリフトが、例えば許容周波数ドリフトの範囲を超えてしまうと、発振器の発振信号を用いた機器において種々の不具合が生じてしまうことが判明した。   On the other hand, in a digital oscillator such as DTCXO, if the frequency drift of the oscillation frequency accompanying a temperature change exceeds the range of the allowable frequency drift, for example, various problems occur in the device using the oscillation signal of the oscillator. It has been found.

本発明の幾つかの態様によれば、発振周波数の周波数ドリフト等を原因とする不具合の発生を抑制できる回路装置、発振器、電子機器及び移動体等を提供できる。   According to some aspects of the present invention, it is possible to provide a circuit device, an oscillator, an electronic device, a moving body, and the like that can suppress the occurrence of problems caused by frequency drift of the oscillation frequency.

本発明の一態様は、温度センサー部からの温度検出電圧のA/D変換を行い、温度検出データを出力するA/D変換部と、前記温度検出データに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、前記発振周波数の周波数制御データを出力する処理部と、前記処理部からの前記周波数制御データと振動子を用いて、前記周波数制御データにより設定される前記発振周波数の発振信号を生成する発振信号生成回路と、を含み、前記発振信号生成回路による前記発振周波数の周波数可変範囲をFRとし、所定期間内における前記発振周波数の許容周波数ドリフトをFDとし、前記周波数制御データのフルスケール値をDFSとし、前記処理部の前記周波数制御データの出力間隔での、前記周波数制御データの変化値をDVとした場合に、DV<(FD/FR)×DFSである回路装置に関係する。   One embodiment of the present invention performs A / D conversion of a temperature detection voltage from a temperature sensor unit and outputs temperature detection data, and performs temperature compensation processing of an oscillation frequency based on the temperature detection data. And generating the oscillation signal of the oscillation frequency set by the frequency control data using the processing unit that outputs the frequency control data of the oscillation frequency, and the frequency control data and the vibrator from the processing unit. A frequency generation range of the oscillation frequency by the oscillation signal generation circuit as FR, an allowable frequency drift of the oscillation frequency within a predetermined period as FD, and a full-scale value of the frequency control data as DFS. When the change value of the frequency control data at the output interval of the frequency control data of the processing unit is DV, DV <(FD / R) × relating to the circuit device is a DFS.

本発明の一態様によれば、温度検出データに基づいて発振周波数の温度補償処理が行われ、得られた周波数制御データと振動子を用いて発振信号が生成される。ここで、発振周波数の周波数可変範囲をFRとし、発振周波数の許容周波数ドリフトをFDとし、周波数制御データのフルスケール値をDFSとし、周波数制御データの出力間隔での変化値をDVとしたとする。すると本発明の一態様によれば、DV<(FD/FR)×DFSとなるような変化値DVで周波数制御データが変化する。このような変化値DVで周波数制御データが変化することで、所定期間内での発振周波数の周波数ドリフトを、例えば許容周波数ドリフト内に収めることが可能になる。従って、発振周波数の周波数ドリフト等を原因とする不具合の発生を抑制できる回路装置等の提供が可能になる。   According to one aspect of the present invention, temperature compensation processing of the oscillation frequency is performed based on the temperature detection data, and an oscillation signal is generated using the obtained frequency control data and the vibrator. Here, it is assumed that the frequency variable range of the oscillation frequency is FR, the allowable frequency drift of the oscillation frequency is FD, the full scale value of the frequency control data is DFS, and the change value at the output interval of the frequency control data is DV. . Then, according to one aspect of the present invention, the frequency control data changes with a change value DV such that DV <(FD / FR) × DFS. By changing the frequency control data with such a change value DV, it becomes possible to keep the frequency drift of the oscillation frequency within a predetermined period, for example, within the allowable frequency drift. Therefore, it is possible to provide a circuit device or the like that can suppress the occurrence of problems caused by frequency drift of the oscillation frequency.

また本発明の一態様では、前記処理部の前記周波数制御データの出力周波数をfsとし、前記周波数制御データの変化値DVでの変化による前記発振周波数の変化をΔfとした場合に、Δf/fs<1/10であってもよい。 In one aspect of the present invention, when the output frequency of the frequency control data of the processing unit is fs and the change in the oscillation frequency due to the change in the change value DV of the frequency control data is Δf, Δf / fs <1/10 6 may be sufficient.

本発明の一態様では、周波数制御データの出力周波数fsと、周波数制御データの変化値DVでの変化による発振周波数の変化Δfが、Δf/fs<1/10を満たす。これにより、周波数制御データの変動に起因するスプリアスによるC/N特性の悪化を抑止することも可能になる。 In one aspect of the present invention, the output frequency fs of the frequency control data and the change Δf of the oscillation frequency due to the change in the change value DV of the frequency control data satisfy Δf / fs <1/10 6 . As a result, it is also possible to suppress the deterioration of the C / N characteristics due to spurious due to the fluctuation of the frequency control data.

また本発明の一態様では、fs≧1kHzの場合は、Δf/fs<1/10であり、fs<1kHzの場合は、Δf<1mHzであってもよい。 In one embodiment of the present invention, Δf / fs <1/10 6 may be satisfied when fs ≧ 1 kHz, and Δf <1 mHz may be satisfied when fs <1 kHz.

これにより、C/N特性の悪化を抑止するために、fsに応じた適切な条件を用いること等が可能になる。   Thereby, in order to suppress the deterioration of the C / N characteristic, it is possible to use an appropriate condition according to fs.

また本発明の一態様では、前記処理部の前記周波数制御データの出力周波数をfsとし、前記周波数制御データの変化値DVでの変化による前記発振周波数の変化をΔfとした場合に、fs<1kHzの場合は、Δf<1mHzであってもよい。   In one aspect of the present invention, when the output frequency of the frequency control data of the processing unit is fs and the change in the oscillation frequency due to the change in the change value DV of the frequency control data is Δf, fs <1 kHz In this case, Δf <1 mHz may be sufficient.

本発明の一態様では、周波数制御データの出力周波数fsと、周波数制御データの変化値DVでの変化による発振周波数の変化Δfが、fs<1kHzの場合にΔf<1mHzを満たす。これにより、周波数制御データの変動に起因するスプリアスによるC/N特性の悪化を抑止することも可能になる。   In one aspect of the present invention, when the output frequency fs of the frequency control data and the change Δf of the oscillation frequency due to the change in the change value DV of the frequency control data satisfy fs <1 kHz, Δf <1 mHz is satisfied. As a result, it is also possible to suppress the deterioration of the C / N characteristics due to spurious due to the fluctuation of the frequency control data.

また本発明の一態様では、前記発振信号生成回路は、前記処理部からの前記周波数制御データのD/A変換を行うD/A変換部と、前記D/A変換部の出力電圧と前記振動子を用いて、前記発振信号を生成する発振回路と、を含み、fsは、前記D/A変換部のサンプリング周波数に対応し、Δfは1回の前記D/A変換による前記発振周波数の変化量であってもよい。   In the aspect of the invention, the oscillation signal generation circuit includes a D / A conversion unit that performs D / A conversion of the frequency control data from the processing unit, an output voltage of the D / A conversion unit, and the vibration. An oscillation circuit that generates the oscillation signal using a child, fs corresponds to a sampling frequency of the D / A conversion unit, and Δf is a change in the oscillation frequency by one D / A conversion. It may be an amount.

これにより、発振信号生成回路がD/A変換部と発振回路を有する場合に、D/A変換部のサンプリング周波数をfsとし、1回のD/A変換による発振周波数の変化量をΔfとすることが可能になる。   Thus, when the oscillation signal generation circuit has a D / A converter and an oscillation circuit, the sampling frequency of the D / A converter is fs, and the amount of change in the oscillation frequency by one D / A conversion is Δf. It becomes possible.

また本発明の一態様では、前記D/A変換部は、前記周波数制御データのD/A変換を行うD/A変換器と、前記D/A変換器の出力電圧を平滑化するフィルター回路と、を含んでもよい。   In one aspect of the present invention, the D / A converter includes a D / A converter that performs D / A conversion of the frequency control data, and a filter circuit that smoothes an output voltage of the D / A converter. , May be included.

これにより、D/A変換器の出力をフィルター回路により平滑化することで、発振周波数の実質的な変動を抑止すること等が可能になる。   As a result, the output of the D / A converter is smoothed by the filter circuit, so that substantial fluctuations in the oscillation frequency can be suppressed.

また本発明の一態様では、前記D/A変換部の分解能をiビットとした場合に、1/2<(FD/FR)であってもよい。 In one embodiment of the present invention, when the resolution of the D / A conversion unit is i bits, 1/2 i <(FD / FR) may be satisfied.

これにより、周波数ドリフト等を原因とする不具合の発生を抑制できるビット数に、D/A変換部の分解能を設定できるようになる。   As a result, the resolution of the D / A converter can be set to the number of bits that can suppress the occurrence of problems caused by frequency drift or the like.

また本発明の一態様では、前記D/A変換部は、前記処理部からi=(n+m)ビットの前記周波数制御データを受け、前記周波数制御データのmビットのデータに基づいて、前記周波数制御データのnビットのデータを変調する変調回路を含んでもよい。   In the aspect of the invention, the D / A converter receives the frequency control data of i = (n + m) bits from the processing unit, and performs the frequency control based on the m-bit data of the frequency control data. A modulation circuit that modulates n-bit data may be included.

これにより、D/A変換部に変調回路等を設けるだけで、例えばnビットの分解能のD/A変換器を用いながら、i=(n+m)ビットという高い分解能のD/A変換部を実現できる。そして、このように周波数制御データをD/A変換するD/A変換部の分解能を高くすることで、当該周波数制御データに基づき生成される発振信号の周波数精度の高精度化を実現できる。また、このような変調回路を設けることによる消費電力の増加は、それほど大きくない。また処理部から例えばiビットの周波数制御データをD/A変換部に供給することも、それほど困難ではない。従って、周波数精度の向上と低消費電力化を両立して実現できる回路装置等の提供が可能になる。   As a result, a D / A converter having a high resolution of i = (n + m) bits can be realized by using a D / A converter having an n-bit resolution, for example, only by providing a modulation circuit or the like in the D / A converter. . Further, by increasing the resolution of the D / A converter that performs D / A conversion of the frequency control data in this way, it is possible to achieve high accuracy of the frequency accuracy of the oscillation signal generated based on the frequency control data. Further, the increase in power consumption by providing such a modulation circuit is not so great. It is not so difficult to supply, for example, i-bit frequency control data from the processing unit to the D / A conversion unit. Accordingly, it is possible to provide a circuit device or the like that can achieve both improvement in frequency accuracy and reduction in power consumption.

また本発明の一態様では、前記振動子は、水晶振動子であってもよい。   In one embodiment of the present invention, the vibrator may be a crystal vibrator.

これにより、振動子として水晶振動子を用いることが可能になる。   Thereby, it is possible to use a crystal resonator as the resonator.

また本発明の一態様では、前記水晶振動子は、ATカット振動子、又はSCカット振動子、又はSAW(Surface Acoustic Wave)共振子であってもよい。   In the aspect of the invention, the crystal resonator may be an AT cut resonator, an SC cut resonator, or a SAW (Surface Acoustic Wave) resonator.

これにより、水晶振動子として、特性の異なる複数の振動子(共振子)のうちの少なくとも1つを利用することが可能になる。   As a result, at least one of a plurality of vibrators (resonators) having different characteristics can be used as the crystal vibrator.

また本発明の一態様では、前記処理部は、第1の温度から第2の温度に温度が変化した場合に、前記第1の温度に対応する第1のデータから前記第2の温度に対応する第2のデータへと、k×LSB(k≧1)単位で変化する前記周波数制御データを出力してもよい。   In one embodiment of the present invention, the processing unit corresponds to the second temperature based on the first data corresponding to the first temperature when the temperature changes from the first temperature to the second temperature. The frequency control data that changes in units of k × LSB (k ≧ 1) may be output to the second data.

これにより、第1の温度から第2の温度に温度が変化した場合にも、第1の温度に対応する第1のデータから第2の温度に対応する第2のデータへと、k×LSB単位で変化する周波数制御データが、発振信号生成回路に入力されて、発振信号が生成されるようになる。従って、第1の温度から第2の温度に変化した場合に、周波数制御データが大きく変化して、発振周波数に大きな周波数ドリフト等が生じてしまう事態を抑制できる。   Thus, even when the temperature changes from the first temperature to the second temperature, the first data corresponding to the first temperature changes to the second data corresponding to the second temperature, k × LSB. Frequency control data that changes in units is input to the oscillation signal generation circuit, and an oscillation signal is generated. Therefore, when the temperature changes from the first temperature to the second temperature, it is possible to suppress a situation in which the frequency control data changes greatly and a large frequency drift or the like occurs in the oscillation frequency.

また本発明の一態様では、前記処理部は、前回の前記温度補償処理の演算結果データである前記第1のデータと、今回の前記温度補償処理の前記演算結果データである前記第2のデータを比較し、前記第2のデータの方が前記第1のデータよりも大きい場合には、前記第1のデータに対して所定値を加算する処理を、加算結果データが前記第2のデータに達するまで行いながら、前記加算結果データを前記周波数制御データとして出力し、前記第2のデータの方が前記第1のデータよりも小さい場合には、前記第1のデータから所定値を減算する処理を、減算結果データが前記第2のデータに達するまで行いながら、前記減算結果データを前記周波数制御データとして出力してもよい。   In the aspect of the invention, the processing unit may include the first data that is the calculation result data of the previous temperature compensation process and the second data that is the calculation result data of the current temperature compensation process. If the second data is larger than the first data, a process of adding a predetermined value to the first data is performed, and the addition result data is added to the second data. The addition result data is output as the frequency control data while performing the process until the second data is reached, and when the second data is smaller than the first data, a predetermined value is subtracted from the first data. The subtraction result data may be output as the frequency control data while performing subtraction until the subtraction result data reaches the second data.

これにより、第1のデータに対して所定値を加算する処理を行ったり、第1のデータから所定値を減算する処理を行うことで、周波数制御データをk×LSB単位で変化させることが可能になる。   Thus, it is possible to change the frequency control data in units of k × LSB by performing a process of adding a predetermined value to the first data or a process of subtracting the predetermined value from the first data. become.

また本発明の一態様では、前記処理部は、前記温度検出データに基づいて前記発振周波数の前記温度補償処理の演算を行い、前記温度補償処理の演算結果データを出力する演算部と、前記演算部からの前記演算結果データを受け、前記周波数制御データを出力する出力部と、を含み、前記出力部は、前記演算結果データが前記第1の温度に対応する前記第1のデータから前記第2の温度に対応する前記第2のデータに変化した場合に、k×LSB単位で前記第1のデータから前記第2のデータに変化する前記周波数制御データを出力してもよい。   In one aspect of the present invention, the processing unit performs an operation of the temperature compensation processing of the oscillation frequency based on the temperature detection data, and outputs an operation result data of the temperature compensation processing; and the operation An output unit that receives the calculation result data from a unit and outputs the frequency control data, the output unit including the first data corresponding to the first temperature from the first data. When the second data corresponding to the second temperature is changed, the frequency control data changing from the first data to the second data may be output in units of k × LSB.

これにより、演算部での演算処理により、発振周波数の温度補償処理が実現される。そして、この演算部からの演算結果データが第1のデータから第2のデータに変化した場合に、出力部が、k×LSB単位で第1のデータから第2のデータに変化する周波数制御データを出力する。こうすることで、第1の温度から第2の温度に温度が変化した場合に、第1の温度に対応する第1のデータから第2の温度に対応する第2のデータへと、k×LSB単位で変化する周波数制御データを、処理部から出力できるようになる。   Thereby, the temperature compensation process of the oscillation frequency is realized by the calculation process in the calculation unit. When the calculation result data from the calculation unit changes from the first data to the second data, the output unit changes the frequency control data from the first data to the second data in units of k × LSB. Is output. Thus, when the temperature changes from the first temperature to the second temperature, the first data corresponding to the first temperature changes to the second data corresponding to the second temperature, k × Frequency control data that changes in units of LSBs can be output from the processing unit.

また本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載の回路装置と、前記振動子と、を含む発振器に関係する。   Another aspect of the invention relates to an oscillator including any one of the circuit devices described above and the vibrator.

また本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載の回路装置を含む電子機器に関係する。   Another aspect of the invention relates to an electronic device including any one of the circuit devices described above.

また本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載の回路装置を含む移動体に関係する。   Moreover, the other aspect of this invention is related with the moving body containing the circuit apparatus in any one of said.

周波数精度とチップサイズの関係図。The relationship between frequency accuracy and chip size. ATCXOの周波数ドリフトを示す図Diagram showing ATCXO frequency drift 従来のDTCXOの周波数ドリフトを示す図。The figure which shows the frequency drift of the conventional DTCXO. 本実施形態の回路装置の基本的な構成例。2 is a basic configuration example of a circuit device according to the present embodiment. 本実施形態の回路装置の詳細な構成例。3 is a detailed configuration example of a circuit device according to the present embodiment. 振動子の温度特性やそのバラツキの例を示す図。The figure which shows the example of the temperature characteristic of a vibrator | oscillator, and its variation. 本実施形態の温度補償処理の説明図。Explanatory drawing of the temperature compensation process of this embodiment. 周波数ドリフトが原因で発生する通信エラーの説明図。Explanatory drawing of the communication error which arises because of frequency drift. 第1の温度から第2の温度に変化した場合の周波数制御電圧の変化についての説明図。Explanatory drawing about the change of the frequency control voltage at the time of changing from 1st temperature to 2nd temperature. 第1の温度から第2の温度に変化した場合の周波数制御電圧の変化についての説明図。Explanatory drawing about the change of the frequency control voltage at the time of changing from 1st temperature to 2nd temperature. 本実施形態の手法の説明図。Explanatory drawing of the method of this embodiment. 本実施形態の手法の説明図。Explanatory drawing of the method of this embodiment. 本実施形態の手法の説明図。Explanatory drawing of the method of this embodiment. 周波数ホッピングについての説明図。Explanatory drawing about frequency hopping. 本実施形態の手法を採用した場合の周波数ドリフトの改善の説明図。Explanatory drawing of the improvement of the frequency drift at the time of employ | adopting the method of this embodiment. 振動子のC/N特性と、C/N特性を悪化させるスプリアスの関係の説明図。Explanatory drawing of the relationship between the C / N characteristic of a vibrator | oscillator, and the spurious which deteriorates a C / N characteristic. Δf及びfsに応じたスプリアスの特性例を示す図。The figure which shows the example of a characteristic of the spurious according to (DELTA) f and fs. C/N特性を悪化させないΔf及びfsの設定例を示す図。The figure which shows the example of a setting of (DELTA) f and fs which does not deteriorate a C / N characteristic. Δf及びfsの設定を時系列的に変化させる手法の説明図。Explanatory drawing of the method to change the setting of (DELTA) f and fs in time series. 処理部の詳細な構成例。The detailed structural example of a process part. 周波数制御データをk×LSB単位で変化させる手法の説明図。Explanatory drawing of the method of changing frequency control data per kxLSB. 周波数制御データをk×LSB単位で変化させる手法の説明図。Explanatory drawing of the method of changing frequency control data per kxLSB. D/A変換部の詳細な構成例。3 is a detailed configuration example of a D / A conversion unit. D/A変換部の更に詳細な構成例。The detailed example of a structure of a D / A conversion part. PWM変調の説明図。Explanatory drawing of PWM modulation. PWM変調の説明図。Explanatory drawing of PWM modulation. PWM変調の説明図。Explanatory drawing of PWM modulation. 温度センサー部の詳細な構成例。The detailed structural example of a temperature sensor part. 温度センサー部の詳細な構成例。The detailed structural example of a temperature sensor part. 温度センサー部の説明図。Explanatory drawing of a temperature sensor part. 発振回路の詳細な構成例。The detailed structural example of an oscillation circuit. 本実施形態の変形例の説明図。Explanatory drawing of the modification of this embodiment. 本実施形態の変形例の説明図。Explanatory drawing of the modification of this embodiment. 本実施形態の変形例の説明図。Explanatory drawing of the modification of this embodiment. 変形例での周波数ドリフトを示す図。The figure which shows the frequency drift in a modification. 変形例での周波数ドリフトを示す図。The figure which shows the frequency drift in a modification. 変形例での周波数ドリフトを示す図。The figure which shows the frequency drift in a modification. A/D変換部の詳細な構成例。3 is a detailed configuration example of an A / D conversion unit. 本実施形態の変形例の回路装置の構成例。The structural example of the circuit apparatus of the modification of this embodiment. 発振器の構成例。Configuration example of an oscillator. 電子機器の構成例。Configuration example of an electronic device. 移動体の構成例。Configuration example of a moving body.

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. The present embodiment described below does not unduly limit the contents of the present invention described in the claims, and all the configurations described in the present embodiment are indispensable as means for solving the present invention. Not necessarily.

1.周波数ドリフト
温度補償型発振器であるTCXOでは、周波数精度の向上と低消費電力化への要求がある。例えばGPS内蔵の時計や脈波等の生体情報の測定機器などのウェアラブル機器では、バッテリーによる動作継続時間を長くする必要がある。このため、基準信号源となるTCXOに対しては、周波数精度を確保しながら、より低消費電力であることが要求される。
1. Frequency drift TCXO, which is a temperature compensated oscillator, has demands for improved frequency accuracy and lower power consumption. For example, in a wearable device such as a GPS built-in clock or a device for measuring biological information such as a pulse wave, it is necessary to lengthen the operation duration of the battery. For this reason, TCXO serving as a reference signal source is required to have lower power consumption while ensuring frequency accuracy.

また通信端末と基地局との通信方式としては種々の方式が提案されている。例えばTDD(Time Division Duplex)方式では、各機器は割り当てられたタイムスロットにおいてデータを送信する。そしてタイムスロット(上がり回線スロット、下り回線スロット)の間にガードタイムが設定されることで、タイムスロットが重なるのが防止される。次世代の通信システムでは、例えば1つの周波数帯域(例えば50GHz)を用いて、TDD方式でデータ通信することが提案されている。   Various systems have been proposed as a communication system between a communication terminal and a base station. For example, in the TDD (Time Division Duplex) method, each device transmits data in an assigned time slot. By setting a guard time between time slots (uplink slot, downlink slot), it is possible to prevent time slots from overlapping. In the next generation communication system, for example, it is proposed to perform data communication by the TDD method using one frequency band (for example, 50 GHz).

しかしながら、このようなTDD方式を採用した場合には、各機器において時刻同期を行う必要があり、正確な絶対時刻の計時が要求される。このような要求を実現するために、例えば各機器に、基準信号源として原子時計(原子発振器)を設ける手法も考えられるが、機器の高コスト化を招いたり、機器が大型化するなどの問題が生じる。   However, when such a TDD method is adopted, it is necessary to perform time synchronization in each device, and accurate time measurement is required. In order to realize such a request, for example, a method of providing each device with an atomic clock (atomic oscillator) as a reference signal source is conceivable. However, the cost of the device is increased or the size of the device is increased. Occurs.

またTCXOには、アナログ方式の温度補償型発振器であるATCXOと、デジタル方式の温度補償型発振器であるDTCXOがある。   The TCXO includes an ATCXO which is an analog type temperature compensated oscillator and a DTCXO which is a digital type temperature compensated oscillator.

そして基準信号源としてATCXOを用いた場合に、周波数精度を高精度化しようとすると、図1に示すように回路装置のチップサイズが増加してしまい、低コスト化や低消費電力化の実現が難しくなる。   If the ATCXO is used as the reference signal source and the frequency accuracy is to be increased, the chip size of the circuit device increases as shown in FIG. 1, which realizes cost reduction and power consumption reduction. It becomes difficult.

一方、DTCXOでは、図1に示すように、回路装置のチップサイズをそれほど大きくすることなく、周波数精度の高精度化を実現できるという利点がある。   On the other hand, as shown in FIG. 1, DTCXO has an advantage that it is possible to achieve high frequency accuracy without increasing the chip size of the circuit device so much.

しかしながら、DTCXO等のデジタル方式の発振器では、その発振周波数の周波数ドリフトが原因で、発振器が組み込まれた通信装置において通信エラー等が発生してしまうという問題がある。例えばデジタル方式の発振器では、温度センサー部からの温度検出電圧をA/D変換し、得られた温度検出データに基づいて周波数制御データの温度補償処理を行い、当該周波数制御データに基づいて発振信号を生成する。この場合に、温度変化により周波数制御データの値が大きく変化すると、これが原因で周波数ホッピングの問題が生じることが判明した。このような周波数ホッピングが生じると、GPS関連の通信装置を例にとれば、GPSのロックが外れてしまうなどの問題が発生してしまう。   However, a digital oscillator such as DTCXO has a problem that a communication error or the like occurs in a communication device in which the oscillator is incorporated due to a frequency drift of the oscillation frequency. For example, in a digital oscillator, the temperature detection voltage from the temperature sensor unit is A / D converted, temperature compensation processing of frequency control data is performed based on the obtained temperature detection data, and an oscillation signal is generated based on the frequency control data. Is generated. In this case, it has been found that if the value of the frequency control data changes greatly due to temperature change, this causes a problem of frequency hopping. When such frequency hopping occurs, if a GPS-related communication device is taken as an example, problems such as the GPS being unlocked will occur.

このため、DTCXO等のデジタル方式の発振器では、様々な回路方式が提案されているものの、このような通信エラーが問題となる実際の製品の基準信号源としては、デジタル方式の発振器は殆ど採用されず、ATCXO等のアナログ方式の発振器が採用されているのが現状であった。   For this reason, although various circuit systems have been proposed for digital oscillators such as DTCXO, digital oscillators are mostly used as reference signal sources for actual products in which such communication errors are a problem. First of all, an analog oscillator such as ATCXO is used.

例えば図2はATCXOの周波数ドリフトを示す図である。ATCXOでは、図2に示すように時間経過に伴い温度が変化した場合にも、その周波数ドリフトは、許容周波数ドリフト(許容周波数エラー)の範囲内(±FD)に収まる。図2では、周波数ドリフト(周波数エラー)は、公称発振周波数(例えば16MHz程度)に対する割合(周波数確度。ppb)で示されている。例えば通信エラーが生じないようにするためには、所定期間TP(例えば20msec)内において、周波数ドリフトを許容周波数ドリフトの範囲内(±FD)に収める必要がある。ここでFDは、例えば数ppb程度である。   For example, FIG. 2 is a diagram showing the frequency drift of ATCXO. In ATCXO, even when the temperature changes with time as shown in FIG. 2, the frequency drift is within the range of allowable frequency drift (allowable frequency error) (± FD). In FIG. 2, the frequency drift (frequency error) is shown as a ratio (frequency accuracy, ppb) to the nominal oscillation frequency (for example, about 16 MHz). For example, in order to prevent a communication error from occurring, it is necessary to keep the frequency drift within the allowable frequency drift range (± FD) within a predetermined period TP (for example, 20 msec). Here, FD is, for example, about several ppb.

一方、図3は、従来のDTCXOを用いた場合の周波数ドリフトを示す図である。図3に示すように、従来のDTCXOでは、その周波数ドリフトが許容周波数ドリフトの範囲内に収まっておらず、当該範囲を超えてしまう周波数ホッピングが発生している。このため、この周波数ホッピングを原因とする通信エラー(GPSのロック外れ等)が発生してしまい、実際の製品の基準信号源としてDTCXOを採用することの妨げとなっていた。   On the other hand, FIG. 3 is a diagram showing frequency drift when a conventional DTCXO is used. As shown in FIG. 3, in the conventional DTCXO, the frequency drift is not within the allowable frequency drift range, and frequency hopping that exceeds the range occurs. For this reason, a communication error (such as GPS lock-out) due to this frequency hopping occurs, which hinders the use of DTCXO as a reference signal source for actual products.

また、発振器は振動子の特性に応じた位相雑音が発生することが知られている。後述する図16のD1は水晶振動子の一般的なC/N特性の例であり、位相雑音の強度(縦軸、単位dBc/Hz)は、発振周波数に対する離調周波数(横軸、単位Hz)が低い所では離調周波数fの3乗に反比例し、1k〜10kHz程度の範囲ではfの2乗に反比例する。10kHz以下の周波数範囲では、いわゆる1/fノイズによる影響が大きい。一方、10kHzより高い周波数では、サーマルノイズによる影響が大きく、fに依存しないフラットな特性となる。つまり、所望の発振周波数以外の周波数となる信号が発生することは振動子の特性上不可避であり、DTCXO等の発振器(及び発振器を含む回路装置)では、D1のようなC/N特性となる位相雑音が発生しても問題がないような設計が行われる。   Further, it is known that an oscillator generates phase noise corresponding to the characteristics of the vibrator. D1 in FIG. 16 to be described later is an example of a general C / N characteristic of the crystal resonator, and the intensity of the phase noise (vertical axis, unit dBc / Hz) is a detuning frequency (horizontal axis, unit Hz) with respect to the oscillation frequency. ) Is low, it is inversely proportional to the cube of the detuning frequency f, and in the range of about 1 k to 10 kHz, it is inversely proportional to the square of f. In the frequency range of 10 kHz or less, the effect of so-called 1 / f noise is large. On the other hand, at a frequency higher than 10 kHz, the influence of thermal noise is large, and the flat characteristic does not depend on f. That is, the generation of a signal having a frequency other than the desired oscillation frequency is unavoidable due to the characteristics of the vibrator, and an oscillator (and a circuit device including the oscillator) such as DTCXO has a C / N characteristic like D1. A design is made so that there is no problem even if phase noise occurs.

しかし、DTCXOでは、発振周波数を制御するデータ(周波数制御データDDS)の出力周波数fsと、発振周波数の変化Δfに応じた強度のスプリアスが発生する。詳細については下式(10)等を用いて後述するが、発生するスプリアスは基本波(発振周波数)に対する離調周波数がfsであり、強度が(Δf/fs)に応じた値となる。そして、fsとΔfの値によっては、D1に示した発振器本来の位相雑音に比べて強度が大きいスプリアスが発生してしまう可能性がある。図16のD2はΔf=0.1Hz、fs=100kHzの場合のスプリアスの例であり、D3はΔf=0.1Hz、fs=600kHzの場合のスプリアスの例である。D2、D3のいずれのスプリアスも、発振器本来の位相雑音(D1)に比べて強度が高い。 However, in DTCXO, spurious with an intensity corresponding to the output frequency fs of the data (frequency control data DDS) for controlling the oscillation frequency and the change Δf of the oscillation frequency is generated. The details will be described later using the following equation (10) and the like, but the generated spurious has a detuning frequency of fs with respect to the fundamental wave (oscillation frequency) and an intensity corresponding to (Δf / fs) 2 . Depending on the values of fs and Δf, there is a possibility that a spurious intensity that is larger than the original phase noise of the oscillator shown in D1 may occur. D2 in FIG. 16 is an example of spurious when Δf = 0.1 Hz and fs = 100 kHz, and D3 is an example of spurious when Δf = 0.1 Hz and fs = 600 kHz. Both the spurs D2 and D3 have higher strength than the phase noise (D1) inherent to the oscillator.

D2やD3に示したようなスプリアスが発生することで、所望の発振周波数とは異なる周波数での信号強度が相対的に大きくなり、発振器400のC/N特性が悪化する。C/N特性の悪化は、発振信号を用いて取得されるデータの精度の低下につながる。例えば上記のGPSの例であれば、GPS受信信号の精度が低下することになり、具体的にはGPS受信信号から求められる位置情報の精度が低下してしまう。このように、周波数変動に応じたスプリアスの発生についても、実際の製品の基準信号源としてDTCXOを採用することの妨げとなっていた。なお、図16のD2及びD3に示したスプリアスは、その強度が低減されない場合に、C/N特性を悪化させるものである。よって、フィルター回路による平滑化等、スプリアスの強度を低下させるノイズ低減処理が行われるのであれば、本実施形態の手法において、D2やD3に対応するΔf、fsの値を採用することは妨げられない。詳細については後述する。   When spurious as shown in D2 and D3 occurs, the signal intensity at a frequency different from the desired oscillation frequency becomes relatively large, and the C / N characteristic of the oscillator 400 is deteriorated. The deterioration of the C / N characteristic leads to a decrease in accuracy of data acquired using the oscillation signal. For example, in the case of the GPS described above, the accuracy of the GPS reception signal is lowered, and specifically, the accuracy of the position information obtained from the GPS reception signal is lowered. As described above, the occurrence of spurious according to the frequency fluctuation is also an obstacle to adopting DTCXO as a reference signal source of an actual product. Note that the spurious shown in D2 and D3 in FIG. 16 deteriorates the C / N characteristics when the strength is not reduced. Therefore, if noise reduction processing that reduces the spurious intensity, such as smoothing by a filter circuit, is performed, it is prevented from adopting the values of Δf and fs corresponding to D2 and D3 in the method of this embodiment. Absent. Details will be described later.

2.構成
図4に本実施形態の回路装置の基本構成例を示す。この回路装置は、DTCXOやOCXO等のデジタル方式の発振器を実現する回路装置(半導体チップ)である。例えばこの回路装置と振動子XTALをパッケージに収納することで、デジタル方式の発振器が実現される。
2. Configuration FIG. 4 shows a basic configuration example of the circuit device according to the present embodiment. This circuit device is a circuit device (semiconductor chip) that realizes a digital oscillator such as DTCXO or OCXO. For example, a digital oscillator is realized by housing the circuit device and the vibrator XTAL in a package.

図4の回路装置は、A/D変換部20、処理部50、発振信号生成回路140を含む。また回路装置は温度センサー部10、バッファー回路160を含むことができる。なお回路装置の構成は図4の構成には限定されず、その一部の構成要素(例えば温度センサー部、バッファー回路、A/D変換部等)を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。   The circuit device of FIG. 4 includes an A / D conversion unit 20, a processing unit 50, and an oscillation signal generation circuit 140. The circuit device may include the temperature sensor unit 10 and the buffer circuit 160. The configuration of the circuit device is not limited to the configuration shown in FIG. 4, and some of the components (for example, a temperature sensor unit, a buffer circuit, an A / D conversion unit, etc.) are omitted or other components are added. Various modifications such as these are possible.

振動子XTALは、例えば水晶振動子等の圧電振動子である。振動子XTALは恒温槽内に設けられるオーブン型振動子(OCXO)であってもよい。振動子XTALは共振器(電気機械的な共振子又は電気的な共振回路)であってもよい。振動子XTALとしては、圧電振動子、SAW(Surface Acoustic Wave)共振子、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)振動子等を採用できる。振動子XTALの基板材料としては、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体材料等を用いることができる。振動子XTALの励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。   The vibrator XTAL is a piezoelectric vibrator such as a quartz vibrator. The vibrator XTAL may be an oven-type vibrator (OCXO) provided in a constant temperature bath. The resonator XTAL may be a resonator (an electromechanical resonator or an electrical resonance circuit). As the vibrator XTAL, a piezoelectric vibrator, a SAW (Surface Acoustic Wave) resonator, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) vibrator, or the like can be used. As a substrate material of the vibrator XTAL, a piezoelectric single crystal such as crystal, lithium tantalate, and lithium niobate, a piezoelectric material such as piezoelectric ceramics such as lead zirconate titanate, or a silicon semiconductor material can be used. As the excitation means of the vibrator XTAL, one using a piezoelectric effect may be used, or electrostatic driving using Coulomb force may be used.

温度センサー部10は、温度検出電圧VTDを出力する。具体的には、環境(回路装置)の温度に応じて変化する温度依存電圧を、温度検出電圧VTDとして出力する。温度センサー部10の具体的な構成例については後述する。   The temperature sensor unit 10 outputs a temperature detection voltage VTD. Specifically, a temperature-dependent voltage that changes according to the temperature of the environment (circuit device) is output as the temperature detection voltage VTD. A specific configuration example of the temperature sensor unit 10 will be described later.

A/D変換部20は、温度センサー部10からの温度検出電圧VTDのA/D変換を行って、温度検出データDTDを出力する。例えば温度検出電圧VTDのA/D変換結果に対応するデジタルの温度検出データDTD(A/D結果データ)を出力する。A/D変換部20のA/D変換方式としては、例えば逐次比較方式や逐次比較方式に類似する方式などを採用できる。なおA/D変換方式はこのような方式には限定されず、種々の方式(計数型、並列比較型又は直並列型等)を採用できる。   The A / D conversion unit 20 performs A / D conversion of the temperature detection voltage VTD from the temperature sensor unit 10 and outputs temperature detection data DTD. For example, digital temperature detection data DTD (A / D result data) corresponding to the A / D conversion result of the temperature detection voltage VTD is output. As the A / D conversion method of the A / D conversion unit 20, for example, a successive approximation method, a method similar to the successive approximation method, or the like can be adopted. The A / D conversion method is not limited to such a method, and various methods (counting type, parallel comparison type, serial parallel type, etc.) can be adopted.

処理部50(DSP部:デジタル信号処理部)は種々の信号処理を行う。例えば処理部50(温度補償部)は、温度検出データDTDに基づいて発振周波数(発振信号の周波数)の温度補償処理を行う。そして発振周波数の周波数制御データDDSを出力する。具体的には処理部50は、温度に応じて変化する温度検出データDTD(温度依存データ)と、温度補償処理用の係数データ(近似関数の係数のデータ)などに基づいて、温度変化があった場合にも発振周波数を一定にするための温度補償処理を行う。この処理部50は、ゲートアレイ等のASIC回路により実現してもよいし、プロセッサーとプロセッサー上で動作するプログラムにより実現してもよい。   The processing unit 50 (DSP unit: digital signal processing unit) performs various signal processing. For example, the processing unit 50 (temperature compensation unit) performs temperature compensation processing of the oscillation frequency (frequency of the oscillation signal) based on the temperature detection data DTD. Then, frequency control data DDS of the oscillation frequency is output. Specifically, the processing unit 50 has a temperature change based on temperature detection data DTD (temperature-dependent data) that changes according to temperature, coefficient data for temperature compensation processing (coefficient data of an approximate function), and the like. In this case, temperature compensation processing is performed to keep the oscillation frequency constant. The processing unit 50 may be realized by an ASIC circuit such as a gate array, or may be realized by a processor and a program operating on the processor.

発振信号生成回路140は発振信号SSCを生成する。例えば発振信号生成回路140は、処理部50からの周波数制御データDDSと振動子XTALを用いて、周波数制御データDDSにより設定される発振周波数の発振信号SSCを生成する。一例としては、発振信号生成回路140は、周波数制御データDDSにより設定される発振周波数で振動子XTALを発振させて、発振信号SSCを生成する。   The oscillation signal generation circuit 140 generates an oscillation signal SSC. For example, the oscillation signal generation circuit 140 generates the oscillation signal SSC having the oscillation frequency set by the frequency control data DDS, using the frequency control data DDS from the processing unit 50 and the vibrator XTAL. As an example, the oscillation signal generation circuit 140 oscillates the vibrator XTAL at the oscillation frequency set by the frequency control data DDS, and generates the oscillation signal SSC.

なお発振信号生成回路140は、ダイレクト・デジタル・シンセサイザー方式で発振信号SSCを生成する回路であってもよい。例えば振動子XTAL(固定発振周波数の発振源)の発振信号をリファレンス信号として、周波数制御データDDSで設定される発振周波数の発振信号SSCをデジタル的に生成してもよい。   The oscillation signal generation circuit 140 may be a circuit that generates the oscillation signal SSC by a direct digital synthesizer method. For example, the oscillation signal SSC having the oscillation frequency set by the frequency control data DDS may be digitally generated using the oscillation signal of the vibrator XTAL (an oscillation source having a fixed oscillation frequency) as a reference signal.

発振信号生成回路140は、D/A変換部80と発振回路150を含むことができる。但し発振信号生成回路140は、このような構成には限定されず、その一部の構成要素を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。   The oscillation signal generation circuit 140 can include a D / A conversion unit 80 and an oscillation circuit 150. However, the oscillation signal generation circuit 140 is not limited to such a configuration, and various modifications may be made such as omitting some of the components or adding other components.

D/A変換部80は、処理部50からの周波数制御データDDS(処理部の出力データ)のD/A変換を行う。D/A変換部80に入力される周波数制御データDDSは、処理部50による温度補償処理後の周波数制御データ(周波数制御コード)である。D/A変換部80のD/A変換方式としては例えば抵抗ストリング型(抵抗分割型)を採用できる。但し、D/A変換方式はこれには限定されず、抵抗ラダー型(R−2Rラダー型等)、容量アレイ型、又はパルス幅変調型などの種々の方式を採用できる。またD/A変換部80は、D/A変換器以外にも、その制御回路や変調回路やフィルター回路などを含むことができる。   The D / A conversion unit 80 performs D / A conversion of the frequency control data DDS (output data of the processing unit) from the processing unit 50. The frequency control data DDS input to the D / A conversion unit 80 is frequency control data (frequency control code) after the temperature compensation processing by the processing unit 50. As the D / A conversion method of the D / A conversion unit 80, for example, a resistance string type (resistance division type) can be adopted. However, the D / A conversion method is not limited to this, and various methods such as a resistance ladder type (R-2R ladder type, etc.), a capacitance array type, and a pulse width modulation type can be adopted. Further, the D / A converter 80 can include a control circuit, a modulation circuit, a filter circuit, and the like in addition to the D / A converter.

発振回路150は、D/A変換部80の出力電圧VQと振動子XTALを用いて、発振信号SSCを生成する。発振回路150は、第1、第2の振動子用端子(振動子用パッド)を介して振動子XTALに接続される。例えば発振回路150は、振動子XTAL(圧電振動子、共振子等)を発振させることで、発振信号SSCを生成する。具体的には発振回路150は、D/A変換部80の出力電圧VQを周波数制御電圧(発振制御電圧)とした発振周波数で、振動子XTALを発振させる。例えば発振回路150が、電圧制御により振動子XTALの発振を制御する回路(VCO)である場合には、発振回路150は、周波数制御電圧に応じて容量値が変化する可変容量キャパシター(バリキャップ等)を含むことができる。   The oscillation circuit 150 generates an oscillation signal SSC using the output voltage VQ of the D / A conversion unit 80 and the vibrator XTAL. The oscillation circuit 150 is connected to the vibrator XTAL via the first and second vibrator terminals (vibrator pads). For example, the oscillation circuit 150 generates an oscillation signal SSC by oscillating a vibrator XTAL (a piezoelectric vibrator, a resonator, or the like). Specifically, the oscillation circuit 150 oscillates the vibrator XTAL at an oscillation frequency with the output voltage VQ of the D / A converter 80 as a frequency control voltage (oscillation control voltage). For example, when the oscillation circuit 150 is a circuit (VCO) that controls the oscillation of the vibrator XTAL by voltage control, the oscillation circuit 150 has a variable capacitance capacitor (varicap or the like) whose capacitance value changes according to the frequency control voltage. ) Can be included.

なお、前述のように発振回路150はダイレクト・デジタル・シンセサイザー方式により実現してもよく、この場合には振動子XTALの発振周波数はリファレンス周波数となり、発振信号SSCの発振周波数とは異なる周波数になる。   As described above, the oscillation circuit 150 may be realized by a direct digital synthesizer system. In this case, the oscillation frequency of the vibrator XTAL becomes a reference frequency, and is different from the oscillation frequency of the oscillation signal SSC. .

バッファー回路160は、発振信号生成回路140(発振回路150)で生成された発振信号SSCのバッファリングを行って、バッファリング後の信号SQを出力する。即ち、外部の負荷を十分に駆動できるようにするためのバッファリングを行う。信号SQは例えばクリップドサイン波信号である。但し信号SQは矩形波信号であってもよい。或いはバッファー回路160は、信号SQとしてクリップドサイン波信号と矩形波信号の両方の出力が可能な回路であってもよい。   The buffer circuit 160 buffers the oscillation signal SSC generated by the oscillation signal generation circuit 140 (oscillation circuit 150), and outputs a buffered signal SQ. That is, buffering is performed so that an external load can be sufficiently driven. The signal SQ is, for example, a clipped sine wave signal. However, the signal SQ may be a rectangular wave signal. Alternatively, the buffer circuit 160 may be a circuit that can output both a clipped sine wave signal and a rectangular wave signal as the signal SQ.

図5に本実施形態の回路装置の詳細な構成例を示す。図5ではD/A変換部80が、変調回路90とD/A変換器100とフィルター回路120を含む。   FIG. 5 shows a detailed configuration example of the circuit device of this embodiment. In FIG. 5, the D / A converter 80 includes a modulation circuit 90, a D / A converter 100, and a filter circuit 120.

D/A変換部80の変調回路90は、処理部50からi=(n+m)ビットの周波数制御データDDSを受ける(i、n、mは1以上の整数)。一例としてはi=20、n=16、m=4である。そして変調回路90は、周波数制御データDDSのmビット(例えば4ビット)のデータに基づいて、周波数制御データDDSのnビット(例えば16ビット)のデータを変調する。具体的には変調回路90は、周波数制御データDDSのPWM変調を行う。なお変調回路90の変調方式はPWM変調(パルス幅変調)には限定されず、例えばPDM変調(パルス密度変調)等のパルス変調であってもよく、パルス変調以外の変調方式であってもよい。例えば周波数制御データDDSのnビットのデータに対して、mビットのディザー処理(ディザリング処理)を行うことでビット拡張(nビットからiビットへのビット拡張)を実現してもよい。   The modulation circuit 90 of the D / A conversion unit 80 receives the frequency control data DDS of i = (n + m) bits from the processing unit 50 (i, n, m are integers of 1 or more). As an example, i = 20, n = 16, and m = 4. The modulation circuit 90 modulates n-bit (eg, 16 bits) data of the frequency control data DDS based on m-bit (eg, 4 bits) data of the frequency control data DDS. Specifically, the modulation circuit 90 performs PWM modulation of the frequency control data DDS. The modulation method of the modulation circuit 90 is not limited to PWM modulation (pulse width modulation), and may be pulse modulation such as PDM modulation (pulse density modulation), or may be a modulation method other than pulse modulation. . For example, bit expansion (bit expansion from n bits to i bits) may be realized by performing m-bit dither processing (dithering processing) on n-bit data of the frequency control data DDS.

D/A変換器100は、変調回路90により変調されたnビットのデータのD/A変換を行う。例えばn=16ビットのデータのD/A変換を行う。D/A変換器100のD/A変換方式としては、例えば抵抗ストリング型や抵抗ラダー型などを採用できる。   The D / A converter 100 performs D / A conversion of the n-bit data modulated by the modulation circuit 90. For example, D / A conversion of n = 16 bit data is performed. As a D / A conversion method of the D / A converter 100, for example, a resistance string type or a resistance ladder type can be adopted.

フィルター回路120は、D/A変換器100の出力電圧VDAを平滑化する。例えばローパスフィルター処理を行って出力電圧VDAを平滑化する。このようなフィルター回路120を設けることで、例えばPWM変調された信号のPWM復調が可能になる。このフィルター回路120のカットオフ周波数は、変調回路90のPWM変調の周波数に応じて設定できる。即ちD/A変換器100からの出力電圧VDAの信号は、PWM変調の基本周波数及び高調波成分のリプルを含むため、フィルター回路120により、このリップルを減衰させる。なおフィルター回路120としては、例えば抵抗又はキャパシター等の受動素子を用いたパッシブフィルターを採用できる。但しフィルター回路120としてSCFなどのアクティブフィルターを用いることも可能である。   The filter circuit 120 smoothes the output voltage VDA of the D / A converter 100. For example, low-pass filter processing is performed to smooth the output voltage VDA. By providing such a filter circuit 120, for example, PWM demodulation of a PWM-modulated signal becomes possible. The cut-off frequency of the filter circuit 120 can be set according to the PWM modulation frequency of the modulation circuit 90. That is, since the signal of the output voltage VDA from the D / A converter 100 includes a ripple of the fundamental frequency and harmonic component of PWM modulation, the filter circuit 120 attenuates this ripple. As the filter circuit 120, for example, a passive filter using a passive element such as a resistor or a capacitor can be employed. However, it is also possible to use an active filter such as SCF as the filter circuit 120.

後述するように、図3で説明した周波数ホッピングを原因とする通信エラーの発生を抑制し、周波数精度の向上を図るためには、D/A変換部80の分解能をできる限り高くする必要がある。   As will be described later, in order to suppress the occurrence of the communication error caused by the frequency hopping described in FIG. 3 and improve the frequency accuracy, it is necessary to increase the resolution of the D / A converter 80 as much as possible. .

しかしながら、例えば抵抗ストリング型等のD/A変換器100だけで、例えばi=20ビットというような高分解能のD/A変換を実現するのは困難である。またD/A変換部80の出力雑音が大きいと、当該雑音が原因となって、周波数精度の向上の実現が難しくなる。   However, it is difficult to realize high-resolution D / A conversion such as i = 20 bits, for example, using only the D / A converter 100 such as a resistor string type. Further, if the output noise of the D / A converter 80 is large, it is difficult to realize improvement in frequency accuracy due to the noise.

そこで図5では、D/A変換部80に変調回路90を設ける。また処理部50は、D/A変換器100の分解能であるnビット(例えば16ビット)よりもビット数が多いi=m+nビットの周波数制御データDDSを出力する。処理部50は、例えば温度補償処理等のデジタル信号処理を実現するために、浮動小数点演算等を行っているため、このようなnビット(例えばn=16ビット)よりもビット数が多いi=m+nビットの周波数制御データDDSを出力することは容易である。   Therefore, in FIG. 5, a modulation circuit 90 is provided in the D / A conversion unit 80. Further, the processing unit 50 outputs the frequency control data DDS of i = m + n bits having a larger number of bits than n bits (for example, 16 bits) which is the resolution of the D / A converter 100. Since the processing unit 50 performs floating point arithmetic operation or the like in order to realize digital signal processing such as temperature compensation processing, for example, i = has a larger number of bits than such n bits (for example, n = 16 bits). It is easy to output m + n-bit frequency control data DDS.

そして変調回路90は、i=m+nのうちのmビットのデータに基づいて、i=m+nのうちのnビットのデータの変調(PWM変調等)を行い、変調後のnビットのデータDMをD/A変換器100に出力する。そしてD/A変換器100がデータDMのD/A変換を行い、得られた出力電圧VDAの平滑化処理をフィルター回路120が行うことで、i=m+nビット(例えば20ビット)というような高分解能のD/A変換を実現できるようになる。   The modulation circuit 90 modulates n-bit data (i.e., PWM modulation) of i = m + n based on m-bit data of i = m + n, and converts the modulated n-bit data DM to D / A converter 100 to output. Then, the D / A converter 100 performs D / A conversion of the data DM, and the filter circuit 120 performs smoothing processing of the obtained output voltage VDA, so that i = m + n bits (for example, 20 bits) is high. Resolution D / A conversion can be realized.

この構成によれば、D/A変換器100として例えば出力雑音が少ない抵抗ストリング型等を採用できるため、D/A変換部80の出力雑音を低減でき、周波数精度の劣化の抑制が容易になる。例えば変調回路90での変調により雑音が発生するが、当該雑音についても、フィルター回路120のカットオフ周波数の設定により十分に減衰することができ、当該雑音を原因とする周波数精度の劣化を抑制できる。   According to this configuration, for example, a resistor string type with little output noise can be adopted as the D / A converter 100, so that the output noise of the D / A converter 80 can be reduced and the deterioration of frequency accuracy can be easily suppressed. . For example, noise is generated by modulation in the modulation circuit 90, but the noise can also be sufficiently attenuated by setting the cutoff frequency of the filter circuit 120, and deterioration of frequency accuracy caused by the noise can be suppressed. .

なおD/A変換部80の分解能はi=20ビットには限定されず、20ビットよりも高い分解能であってもよいし、低い分解能であってもよい。また変調回路90の変調のビット数もm=4ビットには限定されず、4ビットよりも大きくてもよいし(例えばm=8ビット)、小さくてもよい。   The resolution of the D / A converter 80 is not limited to i = 20 bits, and may be a resolution higher than 20 bits or a lower resolution. Also, the number of bits of modulation of the modulation circuit 90 is not limited to m = 4 bits, and may be larger than 4 bits (for example, m = 8 bits) or smaller.

また図5では、D/A変換部80の前段に、温度補償処理等のデジタル信号処理を行う処理部50が設けられていることを、有効活用している。即ち、処理部50は、例えば浮動小数点演算などにより、高精度で、温度補償処理等のデジタル信号処理を実行している。従って、例えば浮動小数点演算の結果の仮数部の下位ビットも有効なデータとして扱って、バイナリーデータに変換すれば、例えばi=m+n=20ビットというような高いビット数での周波数制御データDDSも、容易に出力できる。図5ではこの点に着目し、このような高いビット数であるi=m+nビットの周波数制御データDDSを、D/A変換部80に供給し、mビットの変調回路90とnビットのD/A変換器100を用いて、i=m+nビットというような高分解能のD/A変換の実現に成功している。   In FIG. 5, the fact that the processing unit 50 that performs digital signal processing such as temperature compensation processing is provided upstream of the D / A conversion unit 80 is effectively utilized. That is, the processing unit 50 performs digital signal processing such as temperature compensation processing with high accuracy by, for example, floating point arithmetic. Therefore, for example, if the lower-order bits of the mantissa part of the floating-point arithmetic result are treated as valid data and converted into binary data, the frequency control data DDS with a high bit number such as i = m + n = 20 bits is also obtained. Can output easily. In FIG. 5, focusing on this point, i = m + n-bit frequency control data DDS having such a high number of bits is supplied to the D / A converter 80, and the m-bit modulation circuit 90 and the n-bit D / D are supplied. Using the A converter 100, a high-resolution D / A conversion such as i = m + n bits has been successfully realized.

このようにD/A変換部80の分解能を高分解能にすることで、上述した周波数ホッピングの発生を抑制できる。これにより周波数ホッピングを原因とする通信エラー等の発生を抑制することが可能になる。   Thus, by making the resolution of the D / A converter 80 high, occurrence of the above-described frequency hopping can be suppressed. As a result, it is possible to suppress the occurrence of communication errors caused by frequency hopping.

また、このような周波数ホッピングの問題以外にも、DTCXOやOCXOなどのデジタル方式の発振器では、発振周波数に対して非常に高い周波数精度が要求される。例えば前述のTDD方式では、上がりと下りで同じ周波数を用いて時分割でデータが送受信され、各機器に割り当てられたタイムスロットの間にはガードタイムが設定されている。このため、適正な通信を実現するためには、各機器において時刻同期を行う必要があり、正確な絶対時刻の計時が要求される。例えば基準信号(GPS信号やインターネットを介した信号)が消失又は異常となるホールドオーバーが発生した場合には、基準信号が無い状態で発振器側が正確に絶対時刻を計時する必要がある。このため、このような機器(GPS関連機器、基地局等)に用いられる発振器には、非常に高い発振周波数精度が要求される。   In addition to the problem of frequency hopping, a digital oscillator such as DTCXO or OCXO requires very high frequency accuracy with respect to the oscillation frequency. For example, in the above-described TDD system, data is transmitted and received in time division using the same frequency in the upward and downward directions, and a guard time is set between time slots assigned to each device. For this reason, in order to implement | achieve appropriate communication, it is necessary to perform time synchronization in each apparatus, and exact time-measurement of an absolute time is requested | required. For example, when a holdover occurs in which a reference signal (a GPS signal or a signal via the Internet) disappears or becomes abnormal, it is necessary for the oscillator side to accurately time the absolute time without the reference signal. For this reason, an oscillator used for such devices (GPS-related devices, base stations, etc.) is required to have a very high oscillation frequency accuracy.

このような要求を実現するために、例えば各機器に原子時計などを設ける手法を採用すると、機器の高コスト化や大規模化を招く。また、高い周波数精度の発振器を実現したとしても、発振器に用いられる回路装置が大規模化したり、消費電力が非常に大きくなってしまうのは望ましくない。   In order to realize such a requirement, for example, when a method of providing an atomic clock or the like in each device is adopted, the cost of the device is increased and the scale is increased. Even if an oscillator with high frequency accuracy is realized, it is not desirable that the circuit device used for the oscillator becomes large-scale or that power consumption becomes very large.

この点、図5の回路装置の構成によれば、D/A変換部80に、変調回路90やフィルター回路120を設けるだけで、例えばi≧20ビットとなるような非常に高い分解能のD/A変換部80を実現でき、このように分解能が高くなることで、発振周波数の高精度化を実現できる。そして、このような変調回路90やフィルター回路120を設けることによる回路装置のチップサイズの増加や消費電力の増加は、それほど大きくない。更に処理部50では浮動点小数点演算などにより温度補償処理を実行しているため、例えばi≧20ビットとなるような周波数制御データDDSをD/A変換部80に出力することも容易である。従って、図5の回路装置の構成は、発振周波数の高精度化と、回路装置の規模や消費電力の増加の抑制とを、両立して実現できるという利点がある。   In this regard, according to the configuration of the circuit device of FIG. 5, the D / A converter 80 is provided only with the modulation circuit 90 and the filter circuit 120. Since the A conversion unit 80 can be realized and the resolution becomes high in this way, it is possible to improve the accuracy of the oscillation frequency. The increase in the chip size and the power consumption of the circuit device due to the provision of the modulation circuit 90 and the filter circuit 120 are not so great. Furthermore, since the processing unit 50 performs the temperature compensation processing by floating point decimal point calculation or the like, it is easy to output the frequency control data DDS such that, for example, i ≧ 20 bits to the D / A conversion unit 80. Therefore, the configuration of the circuit device in FIG. 5 has an advantage that it is possible to achieve both the high accuracy of the oscillation frequency and the suppression of the increase in the size and power consumption of the circuit device.

なお図4、図5の回路装置は、基準信号(GPS信号やインターネットを介した信号)と発振信号に基づく入力信号を比較する位相比較回路を有するPLL回路における、発振用ICとしても用いることができる。この場合には、例えば当該位相比較回路からの周波数制御データに対して、処理部50が温度補償処理やエージング補正処理等を行って、発振信号生成回路140により発振信号を生成すればよい。   4 and 5 can also be used as an oscillation IC in a PLL circuit having a phase comparison circuit that compares an input signal based on a reference signal (a GPS signal or a signal via the Internet) and an oscillation signal. it can. In this case, for example, the processing unit 50 may perform a temperature compensation process, an aging correction process, or the like on the frequency control data from the phase comparison circuit, and the oscillation signal generation circuit 140 may generate an oscillation signal.

また処理部50は、第1の温度から第2の温度に温度が変化した場合に、第1の温度(第1の温度検出データ)に対応する第1のデータから、第2の温度(第2の温度検出データ)に対応する第2のデータへと、k×LSB単位で変化(k×LSBずつ変化)する周波数制御データDDSを出力する。ここでk≧1であり、kは1以上の整数である。例えば周波数制御データDDSのビット数(D/A変換部の解像度)をiとした場合に、k<2であり、kは2よりも十分に小さい整数である(例えばk=1〜8)。更に具体的にはk<2である。例えばk=1の場合には、処理部50は、1LSB単位(1ビット単位)で第1のデータから第2のデータに変化する周波数制御データDDSを出力する。即ち、第1のデータから第2のデータに向かって、1LSB(1ビット)ずつシフトしながら変化するような周波数制御データDDSを出力する。なお周波数制御データDDSの変化ステップ幅は、1LSBには限定されず、例えば2×LSB、3×LSB、4×LSB・・・というように2×LSB以上の変化ステップ幅であってもよい。 In addition, when the temperature changes from the first temperature to the second temperature, the processing unit 50 calculates the second temperature (first temperature) from the first data corresponding to the first temperature (first temperature detection data). Frequency control data DDS that changes in units of k × LSB (changes by k × LSB) is output to second data corresponding to (temperature detection data of 2). Here, k ≧ 1, and k is an integer of 1 or more. For example, when i is the number of bits of the frequency control data DDS (the resolution of the D / A converter), k <2 i and k is an integer sufficiently smaller than 2 i (for example, k = 1 to 8). ). More specifically, k <2 m . For example, when k = 1, the processing unit 50 outputs the frequency control data DDS that changes from the first data to the second data in 1 LSB units (1 bit unit). That is, the frequency control data DDS that changes while shifting by 1 LSB (1 bit) from the first data to the second data is output. The change step width of the frequency control data DDS is not limited to 1 LSB, and may be a change step width of 2 × LSB or more, for example, 2 × LSB, 3 × LSB, 4 × LSB,.

例えば処理部50は、演算部60と出力部70を含む。演算部60は、温度検出データDTDに基づいて発振周波数の温度補償処理の演算を行う。例えば浮動小数点演算等によるデジタル信号処理により温度補償処理を実現する。出力部70は、演算部60からの演算結果データCQを受け、周波数制御データDDSを出力する。そして、この出力部70が、演算結果データCQが第1の温度に対応する第1のデータから、第2の温度に対応する第2のデータに変化した場合に、k×LSB単位で第1のデータから第2のデータに変化する周波数制御データDDSの出力処理を行う。   For example, the processing unit 50 includes a calculation unit 60 and an output unit 70. The calculation unit 60 calculates a temperature compensation process for the oscillation frequency based on the temperature detection data DTD. For example, temperature compensation processing is realized by digital signal processing such as floating point arithmetic. The output unit 70 receives the calculation result data CQ from the calculation unit 60 and outputs the frequency control data DDS. When the output unit 70 changes the calculation result data CQ from the first data corresponding to the first temperature to the second data corresponding to the second temperature, the output unit 70 outputs the first in k × LSB units. The output processing of the frequency control data DDS that changes from the first data to the second data is performed.

このように、処理部50から出力される周波数制御データDDSが、k×LSBずつ変化するようになれば、例えば温度が第1の温度から第2の温度に変化した場合に、D/A変換部80の出力電圧VQに大きな電圧変化が生じ、この電圧変化が原因で図3の周波数ホッピングが発生してしまう事態を抑制できる。これにより当該周波数ホッピングが原因で通信エラー等が生じるのを防止できるようになる。   Thus, if the frequency control data DDS output from the processing unit 50 changes by k × LSB, for example, when the temperature changes from the first temperature to the second temperature, the D / A conversion is performed. A large voltage change occurs in the output voltage VQ of the unit 80, and the situation where the frequency hopping of FIG. 3 occurs due to this voltage change can be suppressed. As a result, it is possible to prevent a communication error or the like from occurring due to the frequency hopping.

より具体的には処理部50は、前回(前回のタイミング)の温度補償処理の演算結果データ(CQ)である第1のデータと、今回(今回のタイミング)の温度補償処理の演算結果データである第2のデータを比較する。   More specifically, the processing unit 50 includes the first data which is the calculation result data (CQ) of the previous temperature compensation process and the calculation result data of the temperature compensation process of this time (current timing). Some second data is compared.

そして処理部50(出力部70)は、第2のデータの方が第1のデータよりも大きい場合には、第1のデータに対して所定値を加算する処理を行う。例えば所定値としてk×LSBを加算する処理を行う。例えばk=1の場合には、所定値として1LSBを加算する処理を行う。なお、加算される所定値は1LSBには限定されず、2×LSB以上であってもよい。そして処理部50は、例えばこの加算処理を、加算結果データが第2のデータに達するまで行いながら、当該加算結果データを周波数制御データDDSとして出力する。   Then, when the second data is larger than the first data, the processing unit 50 (output unit 70) performs a process of adding a predetermined value to the first data. For example, a process of adding k × LSB as a predetermined value is performed. For example, when k = 1, a process of adding 1LSB as a predetermined value is performed. The predetermined value to be added is not limited to 1 LSB, and may be 2 × LSB or more. Then, the processing unit 50 outputs the addition result data as the frequency control data DDS, for example, while performing this addition processing until the addition result data reaches the second data.

一方、処理部50(出力部70)は、第2の温度に対応する第2のデータの方が、第1の温度に対応する第1のデータよりも小さい場合には、第1のデータから所定値を減算する処理を行う。例えば所定値としてk×LSBを減算する処理を行う。例えばk=1の場合には、所定値として1LSBを減算する処理を行う。なお、減算される所定値は1LSBには限定されず、2×LSB以上であってもよい。そして処理部50は、例えばこの減算処理を、減算結果データが第2のデータに達するまで行いながら、当該減算結果データを周波数制御データDDSとして出力する。   On the other hand, when the second data corresponding to the second temperature is smaller than the first data corresponding to the first temperature, the processing unit 50 (the output unit 70) starts from the first data. A process of subtracting a predetermined value is performed. For example, a process of subtracting k × LSB as a predetermined value is performed. For example, when k = 1, a process of subtracting 1LSB as a predetermined value is performed. The predetermined value to be subtracted is not limited to 1 LSB, and may be 2 × LSB or more. Then, the processing unit 50 outputs the subtraction result data as the frequency control data DDS, for example, while performing this subtraction processing until the subtraction result data reaches the second data.

このように、第1のデータに対して所定値を加算したり、第1のデータから所定値を減算する処理を行いなら、周波数制御データDDSを出力すれば、温度補償処理の演算結果データが第1の温度に対応する第1のデータから第2の温度に対応する第2のデータに変化した場合に、例えば所定値に対応するk×LSB単位で第1のデータから第2のデータに変化する周波数制御データDDSを出力することが可能になる。   As described above, if a process of adding a predetermined value to the first data or subtracting the predetermined value from the first data is performed, if the frequency control data DDS is output, the calculation result data of the temperature compensation process is obtained. When the first data corresponding to the first temperature is changed to the second data corresponding to the second temperature, for example, the first data is changed to the second data in units of k × LSB corresponding to the predetermined value. It is possible to output changing frequency control data DDS.

また処理部50(出力部70)は、第1のモード(通常モード)では、k×LSB単位で変化する周波数制御データDDSの出力処理を行う。これにより、周波数ホッピングに起因する通信エラー等の発生を抑制できる。   Further, in the first mode (normal mode), the processing unit 50 (output unit 70) performs output processing of the frequency control data DDS that changes in units of k × LSB. Thereby, generation | occurrence | production of the communication error etc. resulting from a frequency hopping can be suppressed.

一方、処理部50は、第2のモード(高速モード)では、k×LSB単位で変化する周波数制御データDDSの出力処理を行わずに、温度補償処理の演算結果データを周波数制御データDDSとして出力する。具体的には、演算部60からの演算結果データCQを周波数制御データDDSとして出力する。こうすることで、第1のモードに比べて高速に変化する周波数制御データDDSを、D/A変換部80に供給できるようになり、高速モードを実現できるようになる。   On the other hand, in the second mode (high-speed mode), the processing unit 50 outputs the calculation result data of the temperature compensation process as the frequency control data DDS without performing the output process of the frequency control data DDS that changes in units of k × LSB. To do. Specifically, the calculation result data CQ from the calculation unit 60 is output as the frequency control data DDS. By doing so, the frequency control data DDS that changes at a higher speed than in the first mode can be supplied to the D / A converter 80, and the high-speed mode can be realized.

なお、第1のモードは、回路装置の通常動作時(通常動作期間)において設定される。一方、第2のモードは、例えば回路装置の起動時(起動期間)又は検査時(テスト期間)において設定される。即ち、通常動作時以外の動作時において回路装置は第2のモードに設定される。   The first mode is set during the normal operation (normal operation period) of the circuit device. On the other hand, the second mode is set, for example, when the circuit device is activated (activation period) or at the time of inspection (test period). In other words, the circuit device is set to the second mode during an operation other than the normal operation.

例えば回路装置の通常動作時においては、第1のモードに設定されることで、処理部50は、k×LSB単位で変化する周波数制御データDDSを出力するようになる。これにより周波数ホッピング等の問題を防止し、発振周波数の高精度化等を図れるようになる。   For example, during the normal operation of the circuit device, by setting the first mode, the processing unit 50 outputs the frequency control data DDS that changes in units of k × LSB. As a result, problems such as frequency hopping can be prevented, and the accuracy of the oscillation frequency can be improved.

一方、回路装置の起動時又は検査時においては、第2のモードに設定されることで、周波数制御データDDSをk×LSB単位で変化させる処理は行われなくなり、演算部60からの演算結果データCQが、そのまま周波数制御データDDSとして出力されるようになる。これにより回路装置の起動時間を短縮でき、回路装置を高速に起動できるようになる。また回路装置や発振器の製造時等における検査期間(テスト期間)を短縮でき、製造期間の短縮化等を図れるようになる。   On the other hand, when the circuit device is activated or inspected, the second mode is set so that the process of changing the frequency control data DDS in units of k × LSB is not performed, and the calculation result data from the calculation unit 60 CQ is output as frequency control data DDS as it is. As a result, the startup time of the circuit device can be shortened, and the circuit device can be started up at high speed. Further, the inspection period (test period) at the time of manufacturing circuit devices and oscillators can be shortened, and the manufacturing period can be shortened.

また本実施形態では、処理部50は、A/D変換部20からの温度検出データDTDの出力レートよりも速い出力レートで、周波数制御データDDSを出力する。こうすることで、k×LSB単位で第1のデータから第2のデータに変化する周波数制御データDDSの出力が可能になる。例えばA/D変換期間に対応する期間内において、周波数制御データDDSを、k×LSBずつ段階的に変化させることが可能になる。   In the present embodiment, the processing unit 50 outputs the frequency control data DDS at an output rate faster than the output rate of the temperature detection data DTD from the A / D conversion unit 20. By doing so, it becomes possible to output the frequency control data DDS that changes from the first data to the second data in units of k × LSB. For example, the frequency control data DDS can be changed step by step by k × LSB within a period corresponding to the A / D conversion period.

図6は振動子XTAL(AT振動子等)の温度による発振周波数の周波数偏差の一例を示す図である。処理部50は、図6のような温度特性を有する振動子XTALの発振周波数を、温度に依存せずに一定にするための温度補償処理を行う。   FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the frequency deviation of the oscillation frequency depending on the temperature of the vibrator XTAL (such as an AT vibrator). The processing unit 50 performs temperature compensation processing for making the oscillation frequency of the vibrator XTAL having temperature characteristics as shown in FIG. 6 constant without depending on the temperature.

具体的には処理部50は、A/D変換部20の出力データ(温度検出データ)とD/A変換部80の入力データ(周波数制御データ)とが図7に示すような対応関係になるような温度補償処理を実行する。図7の対応関係(周波数補正テーブル)は、例えば回路装置が組み込まれた発振器を恒温槽に入れ、各温度でのD/A変換部80の入力データ(DDS)とA/D変換部20の出力データ(DTD)をモニターするなどの手法により取得できる。   Specifically, in the processing unit 50, the output data (temperature detection data) of the A / D conversion unit 20 and the input data (frequency control data) of the D / A conversion unit 80 have a correspondence relationship as shown in FIG. Such temperature compensation processing is executed. The correspondence relationship (frequency correction table) in FIG. 7 is that, for example, an oscillator in which a circuit device is incorporated is placed in a constant temperature bath, and the input data (DDS) of the D / A converter 80 at each temperature and the A / D converter 20 It can be obtained by a method such as monitoring output data (DTD).

そして図7の対応関係を実現するための温度補償用の近似関数の係数データを、回路装置のメモリー部(不揮発性メモリー)に記憶しておく。そして処理部50が、メモリー部から読み出された係数データと、A/D変換部20からの温度検出データDTDとに基づいて、演算処理を行うことで、振動子XTALの発振周波数を温度に依らずに一定にするための温度補償処理を実現する。   Then, coefficient data of an approximate function for temperature compensation for realizing the correspondence relationship of FIG. 7 is stored in a memory unit (nonvolatile memory) of the circuit device. Then, the processing unit 50 performs an arithmetic process based on the coefficient data read from the memory unit and the temperature detection data DTD from the A / D conversion unit 20, thereby setting the oscillation frequency of the vibrator XTAL to the temperature. A temperature compensation process is made to make it constant without depending on it.

なお温度センサー部10の温度検出電圧VTDは、後述するように例えば負の温度特性を有している。従って、図7のような温度補償特性で、図6の振動子XTALの発振周波数の温度依存性を相殺して補償できるようになる。   The temperature detection voltage VTD of the temperature sensor unit 10 has, for example, a negative temperature characteristic as will be described later. Therefore, the temperature compensation characteristic as shown in FIG. 7 can be compensated by canceling the temperature dependence of the oscillation frequency of the vibrator XTAL in FIG.

3.本実施形態の手法
次に本実施形態の手法の詳細について説明する。まず図8を用いて、周波数ホッピングが原因で発生するGPS(Global Positioning System)の通信エラーについて説明する。さらに、図16〜図19を用いて発振器400のC/N特性とスプリアスについて説明する。
3. Next, the details of the method of this embodiment will be described. First, a GPS (Global Positioning System) communication error that occurs due to frequency hopping will be described with reference to FIG. Further, the C / N characteristic and spurious of the oscillator 400 will be described with reference to FIGS.

3.1 周波数ホッピング
GPS衛星は、衛星軌道や時刻等に関する情報を図8の航法メッセージに含めて、GPS衛星信号として、50bpsのデータレートで送信している。このため1ビットの長さは20msec(PNコードの20周期)になる。1つの航法メッセージは1つのマスターフレームで構成されており、1つのマスターフレームは1500ビットからなる25個のフレームで構成される。
3.1 Frequency Hopping GPS satellites include information on satellite orbits and times in the navigation message of FIG. 8 and are transmitted as GPS satellite signals at a data rate of 50 bps. For this reason, the length of 1 bit is 20 msec (20 periods of the PN code). One navigation message is composed of one master frame, and one master frame is composed of 25 frames of 1500 bits.

GPS衛星信号は、図8に示すように航法メッセージのビット値に応じてBPSK変調方式で変調されている。具体的には、航法メッセージに対してPNコード(疑似ランダム符号)が乗算されてスペクトラム拡散が行われ、スペクトラム拡散後の信号に搬送波(1575.42MHz)が乗算されることで、BPSK変調が行われる。図8では、航法メッセージのB1の部分のPNコードが示され、PNコードのB2の部分の搬送波が示されている。PNコードの論理レベルが変化するタイミングで、B3に示すように搬送波が位相反転する。搬送波の1波長の期間は0.635ns程度である。GPS受信機は、BPSK変調方式で変調された航法メッセージの搬送波を受信し、搬送波の受信信号の復調処理を行うことで、航法メッセージを取得する。   The GPS satellite signal is modulated by the BPSK modulation method according to the bit value of the navigation message as shown in FIG. Specifically, the navigation message is multiplied by a PN code (pseudorandom code) to perform spread spectrum, and the signal after spread spectrum is multiplied by a carrier wave (1575.42 MHz), thereby performing BPSK modulation. Is called. In FIG. 8, the PN code of the B1 part of the navigation message is shown, and the carrier wave of the B2 part of the PN code is shown. At the timing when the logic level of the PN code changes, the carrier wave undergoes phase inversion as indicated by B3. The period of one wavelength of the carrier wave is about 0.635 ns. The GPS receiver receives the navigation message carrier modulated by the BPSK modulation method, and acquires the navigation message by performing demodulation processing on the received signal of the carrier.

このような受信信号の復調処理の際に、搬送波の周波数(1575.42MHz)との残差周波数を4Hz/20msec内に収めないと、復調処理において誤判定が生じてしまう。即ち、GPS航法メッセージの1ビット長の期間(GPS航法メッセージの周期)であるTP=20msecにおいて、搬送波の周波数との残差周波数を4Hz内に収めないと、周波数ホッピングによる通信エラーが生じてしまう。   When such a received signal is demodulated, if the residual frequency with the carrier frequency (1575.42 MHz) does not fall within 4 Hz / 20 msec, an erroneous determination occurs in the demodulation process. That is, if TP = 20 msec, which is a 1-bit length period of the GPS navigation message (GPS navigation message period), if the residual frequency with the carrier frequency is not within 4 Hz, a communication error due to frequency hopping occurs. .

そして搬送波の周波数である1575.42MHzに対する上記の4Hzの割合が数ppb程度であるため、図2、図3に示す許容ドリフト周波数であるFDも数ppb程度になる。   Since the ratio of the above 4 Hz to the carrier frequency of 1575.42 MHz is about several ppb, the allowable drift frequency FD shown in FIGS. 2 and 3 is also about several ppb.

例えばGPSの受信機では、本実施形態の回路装置(発振器)により生成される発振信号により、復調処理における搬送波の周波数が設定される。このため、発振信号の発振周波数の周波数ドリフトを、TP=20msecにおいて±FD内に収めることが必要になる。こうすることで、GPS衛星信号の受信信号の復調処理において誤判定の発生を防止でき、通信エラー(受信エラー)が生じるのを回避できる。   For example, in a GPS receiver, the frequency of a carrier wave in demodulation processing is set by an oscillation signal generated by the circuit device (oscillator) of this embodiment. For this reason, it is necessary to keep the frequency drift of the oscillation frequency of the oscillation signal within ± FD at TP = 20 msec. By doing so, it is possible to prevent erroneous determination in the demodulation processing of the received signal of the GPS satellite signal, and to avoid the occurrence of a communication error (reception error).

しかしながら、従来のDTCXO等のデジタル方式の発振器では、期間TP(20msec)において周波数ドリフトを±FD(数ppb程度)内に抑えることは行っていなかった。このため図3に示すような周波数ホッピングが原因で、復調処理の誤判定による通信エラーが発生するという問題点があった。   However, a conventional digital oscillator such as DTCXO does not suppress the frequency drift within ± FD (about several ppb) in the period TP (20 msec). For this reason, there has been a problem that a communication error due to an erroneous determination of demodulation processing occurs due to frequency hopping as shown in FIG.

そこで本実施形態では、図9〜図13等で説明する手法を採用することで、この周波数ホッピングの問題を解決している。   Therefore, in this embodiment, the frequency hopping problem is solved by adopting the method described with reference to FIGS.

図9において、第1の温度T1に対応する周波数制御電圧を第1の制御電圧VC1とする。また第2の温度T2に対応する周波数制御電圧を第2の制御電圧VC2とする。この周波数制御電圧(発振制御電圧)は、図4、図5の発振回路150の周波数制御電圧であり、例えばD/A変換部80の出力電圧VQに対応する。第1、第2の温度T1、T2は、温度センサー部10により検出された温度であり、A/D変換部20からの温度検出データDTDに対応する。   In FIG. 9, the frequency control voltage corresponding to the first temperature T1 is defined as a first control voltage VC1. The frequency control voltage corresponding to the second temperature T2 is defined as a second control voltage VC2. This frequency control voltage (oscillation control voltage) is the frequency control voltage of the oscillation circuit 150 in FIGS. 4 and 5 and corresponds to, for example, the output voltage VQ of the D / A converter 80. The first and second temperatures T1 and T2 are temperatures detected by the temperature sensor unit 10 and correspond to the temperature detection data DTD from the A / D conversion unit 20.

例えば温度が第1の温度T1である場合のA/D変換部20の温度検出データDTDを、第1の温度検出データDTD1とする。温度が第2の温度T2である場合のA/D変換部20の温度検出データDTDを、第2の温度検出データDTD2とする。   For example, the temperature detection data DTD of the A / D converter 20 when the temperature is the first temperature T1 is set as the first temperature detection data DTD1. The temperature detection data DTD of the A / D conversion unit 20 when the temperature is the second temperature T2 is set as second temperature detection data DTD2.

この場合に図9の第1の制御電圧VC1は、図7で説明した温度補償特性において、第1の温度検出データDTD1に対応する周波数制御電圧となる。また第2の制御電圧VC2は、上記の温度補償特性において、第2の温度検出データDTD2に対応する周波数制御電圧になる。   In this case, the first control voltage VC1 of FIG. 9 is a frequency control voltage corresponding to the first temperature detection data DTD1 in the temperature compensation characteristic described with reference to FIG. The second control voltage VC2 is a frequency control voltage corresponding to the second temperature detection data DTD2 in the temperature compensation characteristic.

なお、図9では、便宜的に、温度が高くなると周波数制御電圧が高くなる場合を想定している。即ち、図6、図7から明らかなように、温度が高くなった場合に、周波数制御電圧が高くなる温度範囲もあるし、周波数制御電圧が低くなる温度範囲もあるが、ここでは前者の場合を想定して説明する。   In FIG. 9, for convenience, it is assumed that the frequency control voltage increases as the temperature increases. That is, as is clear from FIGS. 6 and 7, there is a temperature range in which the frequency control voltage increases and a temperature range in which the frequency control voltage decreases when the temperature increases. An explanation will be given assuming this.

図10に示すように、第1の温度T1から第2の温度T2に変化した場合に、第1の制御電圧VC1と第2の制御電圧VC2の差分電圧はVDFとなる。従って、何ら工夫をしなければ、第1の温度T1から第2の温度T2に変化した場合に、D/A変換部80の出力電圧VQは、VC1からVC2に変化する。即ち、差分電圧VDFのステップ幅で、D/A変換部80の出力電圧VQが変化することになる。   As shown in FIG. 10, when the temperature changes from the first temperature T1 to the second temperature T2, the differential voltage between the first control voltage VC1 and the second control voltage VC2 is VDF. Therefore, if no measures are taken, the output voltage VQ of the D / A converter 80 changes from VC1 to VC2 when the first temperature T1 changes to the second temperature T2. That is, the output voltage VQ of the D / A converter 80 changes with the step width of the differential voltage VDF.

即ち、前述したように第1の制御電圧VC1は、図7の温度補償特性において、第1の温度検出データDTD1に対応する周波数制御電圧であり、第2の制御電圧VC2は、第2の温度検出データDTD2に対応する周波数制御電圧である。従って、通常であれば、D/A変換部80は、第1の温度T1では、第1の温度検出データDTD1に対応する周波数制御電圧である第1の制御電圧VC1を出力し、第2の温度T2では、第2の温度検出データDTD2に対応する周波数制御電圧である第2の制御電圧VC2を出力することになる。このため、D/A変換部80の出力電圧VQが、第1の制御電圧VC1から第2の制御電圧VC2へと、差分電圧VDFのステップ幅で大きく変化してしまう。   That is, as described above, the first control voltage VC1 is the frequency control voltage corresponding to the first temperature detection data DTD1 in the temperature compensation characteristic of FIG. 7, and the second control voltage VC2 is the second temperature voltage. This is a frequency control voltage corresponding to the detection data DTD2. Therefore, under normal conditions, the D / A conversion unit 80 outputs the first control voltage VC1 that is the frequency control voltage corresponding to the first temperature detection data DTD1 at the first temperature T1, and outputs the second control voltage VC1. At the temperature T2, a second control voltage VC2 that is a frequency control voltage corresponding to the second temperature detection data DTD2 is output. For this reason, the output voltage VQ of the D / A conversion unit 80 greatly changes from the first control voltage VC1 to the second control voltage VC2 with the step width of the differential voltage VDF.

そして、このようにD/A変換部80の出力電圧VQが、差分電圧VDFのステップ幅で大きく変化してしまうと、図3に示すような周波数ホッピングが発生してしまう。即ち、図4、図5の発振回路150は、D/A変換部80の出力電圧VQを周波数制御電圧として、振動子XTALを発振させている。従って、D/A変換部80の出力電圧VQが差分電圧VDFのステップ幅で変化してしまうと、振動子XTALの発振周波数も、この差分電圧VDFに対応するステップ幅で変化してしまう。この結果、図3に示すような周波数ホッピングが生じて、図8で説明したような通信エラーが発生してしまう。   Then, when the output voltage VQ of the D / A converter 80 changes greatly with the step width of the differential voltage VDF as described above, frequency hopping as shown in FIG. 3 occurs. That is, the oscillation circuit 150 in FIGS. 4 and 5 oscillates the vibrator XTAL using the output voltage VQ of the D / A converter 80 as a frequency control voltage. Therefore, if the output voltage VQ of the D / A converter 80 changes with the step width of the differential voltage VDF, the oscillation frequency of the vibrator XTAL also changes with the step width corresponding to the differential voltage VDF. As a result, frequency hopping as shown in FIG. 3 occurs, and the communication error described with reference to FIG. 8 occurs.

そこで本実施形態では、図11に示すように、第1の温度T1から第2の温度T2に温度が変化した場合に、第1の制御電圧VC1と第2の制御電圧VC2の差分電圧VDFの絶対値よりも小さい電圧幅で変化する出力電圧VQが、D/A変換部80から発振回路150に出力されるようにする。   Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 11, when the temperature changes from the first temperature T1 to the second temperature T2, the difference voltage VDF between the first control voltage VC1 and the second control voltage VC2 is changed. The output voltage VQ that changes with a voltage width smaller than the absolute value is output from the D / A converter 80 to the oscillation circuit 150.

差分電圧VDFの絶対値は、例えば|VC1−VC2|である。この場合にVC1>VC2であってもよいし、VC1<VC2であってもよい。また、温度変化が無いことなどにより、VC1=VC2(DTD1=DTD2)である場合には、出力電圧VQの変化電圧幅も当然に0Vになり、差分電圧VDFの絶対値と出力電圧VQの変化電圧幅は一致する。即ちこのケースは本実施形態の手法の例外のケースとなる。   The absolute value of the differential voltage VDF is, for example, | VC1−VC2 |. In this case, VC1> VC2 may be satisfied, or VC1 <VC2 may be satisfied. Further, when VC1 = VC2 (DTD1 = DTD2) due to the absence of temperature change, the output voltage VQ change voltage width is naturally 0 V, and the absolute value of the differential voltage VDF and the change of the output voltage VQ The voltage width matches. That is, this case is an exception of the method of the present embodiment.

例えば本実施形態の手法を採用しなかった場合には、温度がT1からT2に変化した場合に、D/A変換部80の出力電圧VQは、図11のC1に示すように差分電圧VDFのステップ幅で変化してしまう。   For example, when the method of this embodiment is not adopted, when the temperature changes from T1 to T2, the output voltage VQ of the D / A converter 80 is equal to the differential voltage VDF as shown by C1 in FIG. It changes with the step width.

これに対して本実施形態の手法では、図11のC2に示すように、この差分電圧VDFの絶対値よりも小さい電圧幅VAで、D/A変換部80の出力電圧VQを変化させる。電圧幅VAは例えば期間TDAC内での出力電圧VQの電圧変化である。   On the other hand, in the method of the present embodiment, as shown by C2 in FIG. 11, the output voltage VQ of the D / A conversion unit 80 is changed with a voltage width VA smaller than the absolute value of the differential voltage VDF. The voltage width VA is, for example, a voltage change of the output voltage VQ within the period TDAC.

図11のC2に示すように、VA<VDFとなるようにD/A変換部80の出力電圧VQを変化させれば、C1の場合に比べて、発振回路150の発振周波数の変化も非常に小さくなる。従って、図3のような周波数ホッピングの発生が抑制され、図8で説明した通信エラーの発生も防止できるようになる。   As shown in C2 of FIG. 11, if the output voltage VQ of the D / A conversion unit 80 is changed so that VA <VDF, the change in the oscillation frequency of the oscillation circuit 150 is much greater than in the case of C1. Get smaller. Therefore, the occurrence of frequency hopping as shown in FIG. 3 is suppressed, and the occurrence of the communication error described with reference to FIG. 8 can be prevented.

より具体的には本実施形態では、D/A変換部80は、D/A変換でのデータの最小分解能をLSBとした場合に、k×LSB(k≧1)に対応する電圧のステップ幅で変化する出力電圧VQを出力する。例えば図11のC2に示すように、D/A変換部80の出力電圧VQは、k×LSBに対応する電圧のステップ幅で階段状(段階的)に変化する。即ち、上述の電圧幅VAは、例えばD/A変換部80のk×LSBに対応する電圧のステップ幅である。なお電圧幅VAは、k×LSBに対応する電圧のステップ幅以下であれば十分であり、例えば後述する変形例の手法等を用いて、VAがk×LSBに対応する電圧のステップ幅よりも小さくなるようにしてもよい。   More specifically, in the present embodiment, the D / A conversion unit 80 sets the step width of the voltage corresponding to k × LSB (k ≧ 1) when the minimum resolution of data in the D / A conversion is LSB. The output voltage VQ which changes at For example, as indicated by C2 in FIG. 11, the output voltage VQ of the D / A converter 80 changes stepwise (stepwise) with a step width of the voltage corresponding to k × LSB. That is, the above-described voltage width VA is a step width of a voltage corresponding to k × LSB of the D / A conversion unit 80, for example. The voltage width VA is sufficient if it is equal to or smaller than the step width of the voltage corresponding to k × LSB. For example, using a method of a modification example described later, VA is larger than the step width of the voltage corresponding to k × LSB. It may be made smaller.

ここで、LSBは、D/A変換部80に入力されるデータ(処理部50が出力する周波数制御データDDS)の最小分解能である。そして、LSBに対応する電圧は、D/A変換の最小分解能あたりの電圧である最小分解能電圧である。従って、k×LSBに対応する電圧は、この最小分解能電圧のk倍の電圧に相当する。   Here, LSB is the minimum resolution of data (frequency control data DDS output from the processing unit 50) input to the D / A conversion unit 80. The voltage corresponding to LSB is a minimum resolution voltage that is a voltage per minimum resolution of D / A conversion. Therefore, the voltage corresponding to k × LSB corresponds to a voltage k times the minimum resolution voltage.

また、例えばD/A変換部80の分解能をiビットとした場合に、k<2であり、kは2よりも十分に小さい整数である(例えばk=1〜8)。より具体的には、変調回路90を設けることなどにより、D/A変換部80の分解能をnビットからi=n+mビットに拡張した場合に、k<2とすることができる。 For example, when the resolution of the D / A converter 80 is i bits, k <2 i and k is an integer sufficiently smaller than 2 i (for example, k = 1 to 8). More specifically, when the resolution of the D / A converter 80 is expanded from n bits to i = n + m bits by providing the modulation circuit 90, k <2 m can be obtained.

例えばk=1とした場合には、D/A変換部80の出力電圧VQは、1LSB(1ビット)に対応する電圧のステップ幅で変化する。例えばD/A変換部80の出力電圧VQは、1LSBに対応する電圧のステップ幅で階段状(段階的)に変化(増加又は減少)する。   For example, when k = 1, the output voltage VQ of the D / A conversion unit 80 changes with a step width of a voltage corresponding to 1LSB (1 bit). For example, the output voltage VQ of the D / A converter 80 changes (increases or decreases) stepwise (stepwise) with a step width of the voltage corresponding to 1LSB.

つまり、D/A変換部80への入力データDDSに依存せずに、D/A変換部80の出力電圧VQは、1LSB(広義にはk×LSB)に対応する電圧のステップ幅で変化する。これは、例えば図5の処理部50(出力部70)が、第1の温度から第2の温度に温度が変化した場合に、第1の温度に対応する第1のデータから第2の温度に対応する第2のデータへと、1LSB単位(k×LSB単位)で変化する周波数制御データDDSを出力することで実現できる。   That is, without depending on the input data DDS to the D / A conversion unit 80, the output voltage VQ of the D / A conversion unit 80 changes with a step width of a voltage corresponding to 1LSB (k × LSB in a broad sense). . For example, when the processing unit 50 (the output unit 70) in FIG. 5 changes the temperature from the first temperature to the second temperature, the second temperature from the first data corresponding to the first temperature. Can be realized by outputting frequency control data DDS that changes in units of 1 LSB (k × LSB units) to the second data corresponding to.

また図11のC2に示すようなk×LSBに対応する電圧のステップ幅での階段状の変化は、A/D変換部20からの温度検出データDTD(DTD1、DTD2)の出力レートよりも速い出力レートで、処理部50が周波数制御データDDSを出力する(D/A変換部80がD/A変換する)ことにより実現される。   Further, the step-like change in the step width of the voltage corresponding to k × LSB as indicated by C2 in FIG. 11 is faster than the output rate of the temperature detection data DTD (DTD1, DTD2) from the A / D converter 20. This is realized by the processing unit 50 outputting the frequency control data DDS at the output rate (the D / A conversion unit 80 performs D / A conversion).

例えばA/D変換部20は、図11に示すように期間TAD毎に温度検出データDTDを出力する。例えばA/D変換部20は、第1の温度T1に対応する第1の温度検出データDTD1を出力し、その後、期間TADの経過後に、第2の温度T2に対応する第2の温度検出データDTD2を出力する。期間TADが、A/D変換部20のA/D変換間隔(温度検出電圧のサンプリング間隔)に相当し、1/TADが、A/D変換部20の出力レートに相当する。   For example, the A / D converter 20 outputs temperature detection data DTD for each period TAD as shown in FIG. For example, the A / D converter 20 outputs the first temperature detection data DTD1 corresponding to the first temperature T1, and then the second temperature detection data corresponding to the second temperature T2 after the elapse of the period TAD. DTD2 is output. The period TAD corresponds to the A / D conversion interval (temperature detection voltage sampling interval) of the A / D conversion unit 20, and 1 / TAD corresponds to the output rate of the A / D conversion unit 20.

そしてA/D変換部20が、第2の温度検出データDTD2を出力すると、これを受けた処理部50が温度補償処理等のデジタル信号処理を行い、第2の温度検出データDTD2に対応する周波数制御データDDSを出力する。このとき処理部50は、後述する図21、図22に示すように、周波数制御データDDSをk×LSB単位で階段状に変化させる。従って、このk×LSB単位で変化する周波数制御データDDSを受けてD/A変換するD/A変換部80の出力電圧VQも、図11のC2に示すように、期間TDAC毎にk×LSBに対応する電圧のステップ幅で変化するようになる。   When the A / D conversion unit 20 outputs the second temperature detection data DTD2, the processing unit 50 that receives the second temperature detection data DTD performs digital signal processing such as temperature compensation processing, and the frequency corresponding to the second temperature detection data DTD2. Control data DDS is output. At this time, the processing unit 50 changes the frequency control data DDS stepwise in units of k × LSB as shown in FIGS. 21 and 22 described later. Therefore, the output voltage VQ of the D / A converter 80 that receives the frequency control data DDS that changes in units of k × LSB and performs D / A conversion is also k × LSB for each period TDAC, as indicated by C2 in FIG. Changes with the step width of the voltage corresponding to.

ここで、期間TDACが、D/A変換部80のD/A変換間隔(処理部50の周波数制御データDDSの出力間隔)に相当し、1/TDACが、処理部50やD/A変換部80の出力レートに相当する。   Here, the period TDAC corresponds to the D / A conversion interval (output interval of the frequency control data DDS of the processing unit 50) of the D / A conversion unit 80, and 1 / TDAC is the processing unit 50 or the D / A conversion unit. This corresponds to an output rate of 80.

そして図11に示すように、TAD>TDACであり、A/D変換部20の出力レートである1/TADに比べて、処理部50やD/A変換部80の出力レートである1/TDACは速くなっている。従って、期間TDAC毎(出力レート1/TDAC毎)の出力電圧VQの変化幅が、VA=k×LSBの電圧というように小さい電圧幅であっても、期間TAD内において、出力電圧VQは、制御電圧VC1から制御電圧VC2へと変化できるようになる。即ち温度がT1からT2に変化して、温度検出データがDTD1からDTD2に変化した場合に、A/D変換間隔である期間TAD内において、温度検出データDTD1に対応する制御電圧VC1から、温度検出データDTD2に対応する制御電圧VC2へと、出力電圧VQを変化させることが可能になる。そして、この場合の電圧変化の電圧幅VAは小さいため、周波数ホッピングの発生も抑制できるようになる。   As shown in FIG. 11, TAD> TDAC, and 1 / TDAC that is the output rate of the processing unit 50 and the D / A converter 80 as compared to 1 / TAD that is the output rate of the A / D converter 20. Is getting faster. Therefore, even if the change width of the output voltage VQ for each period TDAC (output rate 1 / TDAC) is as small as VA = k × LSB, the output voltage VQ is The control voltage VC1 can be changed to the control voltage VC2. That is, when the temperature changes from T1 to T2 and the temperature detection data changes from DTD1 to DTD2, the temperature detection is performed from the control voltage VC1 corresponding to the temperature detection data DTD1 within the period TAD that is the A / D conversion interval. It becomes possible to change the output voltage VQ to the control voltage VC2 corresponding to the data DTD2. In this case, since the voltage width VA of the voltage change is small, occurrence of frequency hopping can be suppressed.

図12は、本実施形態の手法を周波数領域において説明する図である。例えば発振信号生成回路140(D/A変換部80及び発振回路150)による発振周波数の周波数可変範囲をFRとする。例えば発振信号生成回路140は、温度変化に対して図13に示すような周波数調整を行うが、この周波数調整での周波数可変範囲がFRになる。即ち、この周波数可変範囲FR内に収まる温度変化であれば、発振信号生成回路140による周波数調整が可能となる。   FIG. 12 is a diagram for explaining the method of the present embodiment in the frequency domain. For example, the frequency variable range of the oscillation frequency by the oscillation signal generation circuit 140 (D / A converter 80 and oscillation circuit 150) is FR. For example, the oscillation signal generation circuit 140 performs frequency adjustment as shown in FIG. 13 with respect to the temperature change, and the frequency variable range in this frequency adjustment is FR. That is, if the temperature change is within the frequency variable range FR, the frequency adjustment by the oscillation signal generation circuit 140 is possible.

また所定期間TP内における発振周波数の許容周波数ドリフトをFDとする。例えば図8で説明した通信エラーの発生を防止するためには、所定期間TP内での発振周波数の周波数ドリフトを、許容周波数ドリフトFD内に収める必要がある。図3に示すような周波数ホッピングにより、発振周波数の周波数ドリフトが許容周波数ドリフトFD内に収まらなくなると、例えばGPS衛星信号等の受信信号の復調処理において誤判定が発生して、通信エラーが生じてしまう。   Further, let FD be the allowable frequency drift of the oscillation frequency within the predetermined period TP. For example, in order to prevent the occurrence of the communication error described with reference to FIG. 8, it is necessary to keep the frequency drift of the oscillation frequency within the predetermined period TP within the allowable frequency drift FD. If the frequency drift of the oscillation frequency does not fall within the allowable frequency drift FD due to the frequency hopping as shown in FIG. 3, an erroneous determination occurs in the demodulation process of the received signal such as a GPS satellite signal, and a communication error occurs. End up.

またD/A変換部80のフルスケール電圧をVFSとする。D/A変換部80は、このフルスケール電圧VFSの範囲で、出力電圧VQを変化させることができる。このフルスケール電圧VFSは、例えばD/A変換部80に入力される周波数制御データDDSが、0〜2というようにフルレンジで変化した場合の電圧範囲に相当する。 The full scale voltage of the D / A converter 80 is VFS. The D / A converter 80 can change the output voltage VQ within the range of the full-scale voltage VFS. The full-scale voltage VFS corresponds to a voltage range when the frequency control data DDS input to the D / A conversion unit 80 changes in a full range such as 0 to 2 i .

そして図11で説明したD/A変換部80のD/A変換間隔(TDAC)での出力電圧VQの電圧変化の電圧幅をVAとする。この場合に本実施形態の手法では、図12に示すように、下式(1)が成立する。   The voltage width of the voltage change of the output voltage VQ at the D / A conversion interval (TDAC) of the D / A conversion unit 80 described with reference to FIG. In this case, in the method of the present embodiment, the following expression (1) is established as shown in FIG.

VA<(FD/FR)×VFS (1)
具体的には、D/A変換部80の分解能をiビットとした場合に、下式(2)が成立する。
VA <(FD / FR) × VFS (1)
Specifically, the following equation (2) is established when the resolution of the D / A converter 80 is i bits.

1/2<(FD/FR) (2)
上式(1)、(2)に示す本実施形態の手法を採用することで、図12に示すように、所定期間TP(例えば20msec)での、公称発振周波数fos(例えば16MHz程度)に対する発振周波数の周波数ドリフトを、許容周波数ドリフトFD内(例えば数ppb程度)に収めることが可能になる。これにより、図3等で説明した周波数ホッピングを原因とする通信エラー等の発生を抑制できるようになる。
1/2 i <(FD / FR) (2)
By adopting the method of the present embodiment shown in the above equations (1) and (2), as shown in FIG. 12, the oscillation with respect to the nominal oscillation frequency fos (for example, about 16 MHz) in a predetermined period TP (for example, 20 msec). It becomes possible to keep the frequency drift of the frequency within the allowable frequency drift FD (for example, about several ppb). As a result, the occurrence of a communication error or the like caused by the frequency hopping described with reference to FIG. 3 or the like can be suppressed.

例えば上式(1)の右辺である(FD/FR)×VFSは、周波数可変範囲FRに対する許容周波数ドリフトFDの比率である(FD/FR)を、D/A変換部80のフルスケール電圧VFSに乗算したものである。   For example, (FD / FR) × VFS, which is the right side of the above equation (1), is the ratio of the allowable frequency drift FD to the frequency variable range FR (FD / FR), and the full-scale voltage VFS of the D / A converter 80. Is multiplied by.

そしてD/A変換部80のD/A変換間隔(TDAC)での出力電圧VQの変化の電圧幅VAを、この(FD/FR)×VFSよりも小さくすれば、周波数領域においては、図12に示すように、公称発振周波数fosに対する周波数ドリフトを、許容周波数ドリフトFD内に収めることが可能になる。即ち、D/A変換部80の出力電圧VQの変化の電圧幅VAを、図11のC2に示すように小さくすることができ、周波数ホッピングの発生を抑制できるようになる。   If the voltage width VA of the change of the output voltage VQ at the D / A conversion interval (TDAC) of the D / A converter 80 is made smaller than (FD / FR) × VFS, in the frequency domain, FIG. As shown, the frequency drift with respect to the nominal oscillation frequency fos can be accommodated in the allowable frequency drift FD. That is, the voltage width VA of the change in the output voltage VQ of the D / A converter 80 can be reduced as shown by C2 in FIG. 11, and the occurrence of frequency hopping can be suppressed.

例えば上式(1)が成り立たないと、図14に示すように、公称発振周波数fosに対する周波数ドリフトが許容周波数ドリフトFD内に収まらなくなる周波数ホッピングが生じ、図8で説明した通信エラー等が発生してしまう。本実施形態では上式(1)が成り立つように、D/A変換部80の出力電圧VQを変化させることで、このような周波数ホッピングの発生が抑制され、通信エラー等を防止できるようになる。   For example, if the above equation (1) does not hold, as shown in FIG. 14, frequency hopping occurs in which the frequency drift with respect to the nominal oscillation frequency fos does not fall within the allowable frequency drift FD, and the communication error described in FIG. 8 occurs. End up. In the present embodiment, by changing the output voltage VQ of the D / A converter 80 so that the above equation (1) is satisfied, occurrence of such frequency hopping is suppressed, and communication errors and the like can be prevented. .

即ち、D/A変換部80が、フルスケール電圧VFSの範囲で、その出力電圧VQを変化させて、図13に示すような周波数可変範囲FRにおいて、発振回路150の発振周波数を調整することで、図6、図7で説明した発振周波数の温度補償処理が実現される。   That is, the D / A converter 80 changes the output voltage VQ within the range of the full scale voltage VFS, and adjusts the oscillation frequency of the oscillation circuit 150 within the frequency variable range FR as shown in FIG. The temperature compensation processing of the oscillation frequency described in FIGS. 6 and 7 is realized.

ところが、D/A変換部80の出力電圧VQの変化の電圧幅VAが大きくなって、例えばVA≧(FD/FR)×VFSになってしまうと、発振周波数の周波数ドリフトが、許容周波数ドリフトFDを超えてしまい、図14に示すような周波数ホッピングが発生してしまう。   However, when the voltage width VA of the change in the output voltage VQ of the D / A converter 80 becomes large, for example, VA ≧ (FD / FR) × VFS, the frequency drift of the oscillation frequency becomes the allowable frequency drift FD. Thus, frequency hopping as shown in FIG. 14 occurs.

これに対して本実施形態では、VA<(FD/FR)×VFSの関係が成り立つような小さな電圧幅VAで、D/A変換部80の出力電圧VQを変化させているため、図14のような周波数ホッピングの発生を抑制できるようになる。   On the other hand, in the present embodiment, the output voltage VQ of the D / A conversion unit 80 is changed with a small voltage width VA that satisfies the relationship of VA <(FD / FR) × VFS. Generation of such frequency hopping can be suppressed.

そしてD/A変換部80の分解能をiビットとした場合に、本実施形態では、上式(2)のように、1/2<(FD/FR)が成り立つようにする。 In this embodiment, when the resolution of the D / A conversion unit 80 is i bits, 1/2 i <(FD / FR) is satisfied as shown in the above equation (2).

例えば上式(2)の両辺に対して、D/A変換部80のフルスケール電圧VFSを乗算すると、下式(3)になる。   For example, when both sides of the above equation (2) are multiplied by the full scale voltage VFS of the D / A converter 80, the following equation (3) is obtained.

VFS×1/2<(FD/FR)×VFS (3)
上式(3)の左辺であるVFS×1/2は、D/A変換部80の1LSBの電圧(最小分解能電圧)に相当する。上式(2)、(3)は、この1LSBの電圧に相当するVFS×1/2を、(FD/FR)×VFSよりも小さくすることを意味する。このようにVFS×1/2<(FD/FR)×VFSとすれば、図11のC2のようにD/A変換部80の出力電圧VQを1LSBの電圧のステップ幅で変化させた場合に、発振周波数の周波数ドリフトが、許容周波数ドリフトFDを超えないようになり、周波数ホッピングの発生を抑制できるようになる。
VFS × 1/2 i <(FD / FR) × VFS (3)
VFS × 1/2 i that is the left side of the above equation (3) corresponds to a voltage of 1 LSB (minimum resolution voltage) of the D / A converter 80. The above equations (2) and (3) mean that VFS × 1/2 i corresponding to the voltage of 1LSB is made smaller than (FD / FR) × VFS. As described above, when VFS × 1/2 i <(FD / FR) × VFS, the output voltage VQ of the D / A conversion unit 80 is changed by the step width of the voltage of 1LSB as in C2 of FIG. Further, the frequency drift of the oscillation frequency does not exceed the allowable frequency drift FD, and the occurrence of frequency hopping can be suppressed.

別の言い方をすれば、上式(2)、(3)が成り立つように、D/A変換部80の分解能であるiビットを設定する。   In other words, i bits, which are the resolution of the D / A converter 80, are set so that the above equations (2) and (3) hold.

この場合に、製造バラツキなどの種々のバラツキを考慮し、十分なマージンを確保するためには、(FD/FR)に比べて、1/2が十分に小さくなるように、D/A変換部80の分解能を設定することが望ましい。具体的には、D/A変換部80の分解能を、例えばi=20ビット以上に設定する。 In this case, in order to secure a sufficient margin in consideration of various variations such as manufacturing variations, D / A conversion is performed so that 1/2 i is sufficiently smaller than (FD / FR). It is desirable to set the resolution of the unit 80. Specifically, the resolution of the D / A converter 80 is set to, for example, i = 20 bits or more.

このようにすれば、例えば所定期間TP内での許容周波数ドリフトが、図8で説明したように数ppb程度であった場合にも、上式(2)、(3)が、余裕を持って成立するようになる。従って、周波数ホッピングを原因とする通信エラーの発生等を効果的に抑制できるようになる。   In this way, even when the allowable frequency drift within the predetermined period TP is about several ppb as described with reference to FIG. 8, the above equations (2) and (3) have a margin. It will be established. Therefore, the occurrence of a communication error caused by frequency hopping can be effectively suppressed.

例えば図15は、図11〜図13で説明した本実施形態の手法を採用した場合の周波数ドリフトの改善を説明する図である。図2、図3と図15を比較すれば明らかなように、本実施形態の手法によれば、DTCXO等の回路構成を用いた場合にも、その周波数ドリフトを、図2のATCXOと同程度に収めることができる。   For example, FIG. 15 is a diagram illustrating improvement in frequency drift when the method of the present embodiment described in FIGS. 11 to 13 is employed. As apparent from a comparison between FIGS. 2, 3 and 15, according to the method of the present embodiment, even when a circuit configuration such as DTCXO is used, the frequency drift is comparable to that of ATCXO in FIG. Can fit in.

即ち従来のDTCXO等の回路装置では、図3に示すような周波数ドリフトが発生してしまい、通信エラー等の原因となっていた。   That is, in a conventional circuit device such as DTCXO, a frequency drift as shown in FIG. 3 occurs, causing a communication error or the like.

これに対して本実施形態の手法を採用すれば、図15に示すように、周波数ドリフトを図2のATCXOと同程度にすることができる。従って、例えばDTCXO等の回路構成とすることで、回路装置のチップサイズの減少と周波数精度の向上とを実現しながら、周波数ホッピングを抑制して、通信エラー等の発生を防止できるという特有の効果を奏する。   On the other hand, if the method of the present embodiment is adopted, the frequency drift can be made comparable to the ATCXO of FIG. 2 as shown in FIG. Therefore, for example, by adopting a circuit configuration such as DTCXO, it is possible to suppress the occurrence of communication errors and the like by suppressing frequency hopping while realizing reduction in the chip size of the circuit device and improvement in frequency accuracy. Play.

3.2 スプリアスと発振器のC/N特性
周波数制御データDDSの変動(狭義にはD/A変換部80でのビット変化)によりスプリアスが発生する。まず当該スプリアスの特性について説明する。発振器400の主信号振幅電圧をVoとし、発振器400の主信号周波数(発振周波数)をf0とする。Vo及びf0に対して、D/A変換部80で最小ビットが小刻みに変動して位相変動になった場合の位相雑音(スプリアス)は下式(4)〜(10)を満たす。
3.2 Spurious and C / N Characteristics of Oscillator Spurious is generated by fluctuations in the frequency control data DDS (in a narrow sense, bit changes in the D / A converter 80). First, the characteristics of the spurious will be described. The main signal amplitude voltage of the oscillator 400 is Vo, and the main signal frequency (oscillation frequency) of the oscillator 400 is f0. With respect to Vo and f0, the phase noise (spurious) in the case where the minimum bit fluctuates in the D / A converter 80 and changes in phase satisfies the following equations (4) to (10).

各式について具体的に説明する。位相変動の周波数をfsとした場合、fsは周波数制御データDDSの出力周波数に相当する。ここで図4に示したように、発振信号生成回路140が、D/A変換部80と、発振回路150を含む場合、周波数制御データDDSの出力周波数であるfsは、D/A変換部80のサンプリング周波数(1/TDAC)であり、発振周波数の変化であるΔfは、1回のD/A変換による発振周波数の変化量である。   Each formula will be specifically described. When the frequency of phase fluctuation is fs, fs corresponds to the output frequency of the frequency control data DDS. Here, as shown in FIG. 4, when the oscillation signal generation circuit 140 includes the D / A conversion unit 80 and the oscillation circuit 150, fs that is the output frequency of the frequency control data DDS is the D / A conversion unit 80. Sampling frequency (1 / TDAC), and Δf, which is a change in oscillation frequency, is a change in oscillation frequency due to a single D / A conversion.

最小周波数分解能がΔfとなるため、位相変動の位相揺らぎ振幅をφsとした場合、φsはサンプリング周波数fsおきに、周波数変化0、又は+Δf、又は−Δfで揺らぐことになる。これは、振幅±Δfで周波数変動していると考えられるため、φsは下式(4)により表される。
φs = 2π(Δf)t/2π(fs)t = Δf/fs (4)
Since the minimum frequency resolution is Δf, assuming that the phase fluctuation amplitude of the phase fluctuation is φs, φs fluctuates at a frequency change of 0, + Δf, or −Δf every sampling frequency fs. Since it is considered that the frequency fluctuates with an amplitude ± Δf, φs is expressed by the following equation (4).
φs = 2π (Δf) t / 2π (fs) t = Δf / fs (4)

これらの変数を使い、主信号に位相変動を加えた信号は下式(5)で表すことができる。
Vo(t) = Vo・sin{2π(f0)t + φs・sin(2π(fs)t)} (5)
Using these variables, a signal obtained by adding phase fluctuation to the main signal can be expressed by the following equation (5).
Vo (t) = Vo · sin {2π (f0) t + φs · sin (2π (fs) t)} (5)

三角関数の和積公式より、上式(5)は下式(6)のように変形できる。
Vo(t) = Vo{sin(2π(f0)t)・cos(φs・sin(2π(fs)t)) +
cos(2π(f0)t)・sin(φs・sin(2π(fs)t))} (6)
From the trigonometric product formula, the above equation (5) can be transformed into the following equation (6).
Vo (t) = Vo {sin (2π (f0) t) ・ cos (φs ・ sin (2π (fs) t)) +
cos (2π (f0) t) · sin (φs · sin (2π (fs) t))} (6)

また、上式(6)においてφsが1より充分小さい事を前提に簡素化することで、上式(6)は下式(7)のように変形できる。
Vo(t) = Vo{sin(2π(f0)t) + φs・cos(2π(f0)t)・sin(2π(fs)t)} (7)
Further, by simplifying on the assumption that φs is sufficiently smaller than 1 in the above equation (6), the above equation (6) can be transformed into the following equation (7).
Vo (t) = Vo {sin (2π (f0) t) + φs ・ cos (2π (f0) t) ・ sin (2π (fs) t)} (7)

さらに、三角関数の積和公式より、上式(7)は下式(8)のように変形できる。
Furthermore, from the product-sum formula of trigonometric functions, the above equation (7) can be transformed into the following equation (8).

上式(8)からわかるように、信号成分は、主信号の第一項と、位相変動成分の側波帯で主信号周波数の上下対称に位置する第二項及び第三項と、の和として観測される。この主信号と側波帯のパワー比P_ratio(fs)はお互いの振幅レベルによって下式(9)で求められる。また、主信号に対するスプリアスの強度L(fs)をdBc/Hzを単位として表すと下式(10)となる。
As can be seen from the above equation (8), the signal component is the sum of the first term of the main signal and the second and third terms located symmetrically with respect to the main signal frequency in the sideband of the phase fluctuation component. As observed. The power ratio P_ratio (fs) between the main signal and the sideband is obtained by the following equation (9) according to the mutual amplitude level. Further, when the spurious intensity L (fs) for the main signal is expressed in units of dBc / Hz, the following equation (10) is obtained.

図16のD1は発振器400の一般的なC/N特性(位相雑音の特性)を表すグラフである。図16の横軸は、基本波(発振周波数)に対する離調周波数を対数で表し、縦軸は信号強度を表す。D1からわかるように、発振器400では位相雑音の発生は不可避であり、当該位相雑音が発生することを前提として設計が行われる。つまり、上式(10)に示した強度のスプリアスが発生したとしても、強度が発振器本来の位相雑音に比べて小さければ、回路装置500における当該スプリアスによる影響は充分小さく、取得するデータの精度低下を抑止できる。逆に、図16のD2やD3に示したように、スプリアスの強度が発振器本来の位相雑音に比べて過度に大きい場合、当該スプリアスに起因して発振器400のC/N特性が悪化し、取得するデータの精度が低下してしまう。例えば、GPS受信信号から求められる位置情報の精度低下等を招くことになる。   D1 in FIG. 16 is a graph showing a general C / N characteristic (phase noise characteristic) of the oscillator 400. The horizontal axis in FIG. 16 represents the detuning frequency with respect to the fundamental wave (oscillation frequency) in logarithm, and the vertical axis represents the signal intensity. As can be seen from D1, generation of phase noise is inevitable in the oscillator 400, and the design is performed on the assumption that the phase noise is generated. That is, even if the spurious intensity shown in the above equation (10) occurs, if the intensity is small compared to the phase noise inherent in the oscillator, the influence of the spurious in the circuit device 500 is sufficiently small, and the accuracy of the acquired data is reduced. Can be suppressed. On the contrary, as shown in D2 and D3 of FIG. 16, when the spurious intensity is excessively larger than the phase noise inherent in the oscillator, the C / N characteristic of the oscillator 400 is deteriorated due to the spurious. The accuracy of the data to be reduced. For example, the accuracy of the position information obtained from the GPS reception signal is reduced.

本実施形態の回路装置500では、上述したように、周波数ドリフトによる不具合を抑止するために周波数制御データDDSの変動をk×LSB以下とする。そのため、Δfの値はある程度小さくなることが期待されるが、当該条件ではスプリアスによるC/N特性の悪化を抑止できる保証がない。つまり、周波数制御データDDSの変動をk×LSB以下にするとともに、スプリアスが発振器本来の位相雑音に埋もれる程度の強度となるように、Δfとfsの関係を規定する必要がある。   In the circuit device 500 according to the present embodiment, as described above, the variation in the frequency control data DDS is set to be not more than k × LSB in order to suppress a problem due to frequency drift. Therefore, although the value of Δf is expected to be reduced to some extent, there is no guarantee that the deterioration of the C / N characteristic due to spurious can be suppressed under this condition. That is, it is necessary to define the relationship between Δf and fs so that the fluctuation of the frequency control data DDS is less than or equal to k × LSB and the spurious is strong enough to be buried in the phase noise inherent in the oscillator.

具体的な関係例を図17を用いて説明する。図17のE1は図16のD1と同様であり、水晶振動子の一般的なC/N特性を表す。E1は例えばATカットの水晶振動子のC/N特性であって、Q値の特性が要求範囲の中で最も悪い(C/N特性が悪い)場合に対応する。つまり、実際の回路装置500では、E1に示した強度の位相雑音が発生しても問題がないように設計されることになるため、スプリアスをE1に埋もれる程度の強度とできれば、データ精度の低下を抑止可能になる。   A specific relationship example will be described with reference to FIG. E1 in FIG. 17 is the same as D1 in FIG. 16, and represents a general C / N characteristic of the crystal resonator. E1 is the C / N characteristic of an AT-cut crystal resonator, for example, and corresponds to the case where the Q value characteristic is the worst in the required range (the C / N characteristic is bad). In other words, the actual circuit device 500 is designed so that there is no problem even if the phase noise having the intensity indicated by E1 occurs, so that if the spurious is sufficiently strong to be buried in E1, the data accuracy decreases. Can be suppressed.

図17のE2は、Δf/fs=1/10の場合のスプリアスの強度を表し、E3は、Δf/fs=1/10の場合のスプリアスの強度を表し、E4は、Δf/fs=1/10の場合のスプリアスの強度を表す。上式(10)に示したように、スプリアスの強度はΔf/fsによって決定されるため、Δf/fsが所定値となる場合には、スプリアスの強度は離調周波数によらず一定値となり、E2〜E4のように横軸に平行な直線となる。なお、スプリアスの離調周波数はfsであるため、E2〜E4については、横軸が周波数制御データDDSの出力周波数fsであると考えてもよい。この点は、後述するE5、E6でも同様である。 E2 in FIG. 17 represents the strength of spurious when Δf / fs = 1/10 6 , E3 represents the strength of spurious when Δf / fs = 1/10 7 , and E4 represents Δf / fs = The spurious intensity in the case of 1/10 8 is expressed. As shown in the above equation (10), since the spurious intensity is determined by Δf / fs, when Δf / fs is a predetermined value, the spurious intensity is a constant value regardless of the detuning frequency. It becomes a straight line parallel to the horizontal axis like E2 to E4. Since the spurious detuning frequency is fs, for E2 to E4, the horizontal axis may be considered to be the output frequency fs of the frequency control data DDS. This also applies to E5 and E6 described later.

ここで、Δf/fs<1/10とすることができれば、スプリアスの強度はE4に示した直線よりも低くなるため、E1に示した発振器本来の位相雑音よりも小さくできる。つまり本実施形態の回路装置500では、Δf/fs<1/10を満たすようにすればよい。しかし、Δf/fsを小さくするためには、fsを大きくするか、Δfを小さくしなくてはならない。fsを大きくすればD/A変換部80での消費電力が増大するし、Δfを小さくするにはD/A変換部80での分解能を高くする(1LSBの変化に対応する周波数の変化幅を小さくする)必要がある。つまり、Δf/fsを所定値未満に設定するという条件下では、Δfを大きくして分解能に対する要求を抑えれば、fsを大きくしてD/A変換部80での変換速度を大きくしなければならないし、fsを小さくしてD/A変換部80に対する要求を抑えれば、Δfを小さくして高い分解能を確保しなくてはならないというトレードオフの関係にある。そのため、Δf/fs<1/10を満たすという条件は理想ではあるが、実現が容易でないことも考えられる。 Here, if Δf / fs <1/10 8 can be achieved, the spurious intensity is lower than the straight line indicated by E4, and therefore can be smaller than the phase noise inherent to the oscillator indicated by E1. That is, in the circuit device 500 of the present embodiment, Δf / fs <1/10 8 may be satisfied. However, in order to reduce Δf / fs, fs must be increased or Δf must be decreased. If fs is increased, the power consumption in the D / A converter 80 increases, and in order to reduce Δf, the resolution in the D / A converter 80 is increased (the change width of the frequency corresponding to the change of 1LSB). Need to be smaller). In other words, under the condition that Δf / fs is set to be less than a predetermined value, if Δf is increased to suppress the requirement for resolution, fs must be increased to increase the conversion speed in the D / A converter 80. In other words, if fs is reduced and the demand for the D / A converter 80 is suppressed, Δf must be reduced to ensure a high resolution. Therefore, the condition of satisfying Δf / fs <1/10 8 is ideal, but it may be difficult to realize.

よって本実施形態では、Δf/fs<1/10に比べて緩い条件を用いてもよい。例えば、本実施形態のD/A変換部80は、D/A変換器100の後段にフィルター回路120(或いは後述するフィルター回路130)を有する。フィルター回路120により、D/A変換器100の出力電圧を平滑化することで、発振周波数の変動を小さくすることが可能である。すなわち、フィルター回路120により、実質的なΔfを小さくできる。 Therefore, in the present embodiment, it may be used loose condition as compared to Δf / fs <1/10 8. For example, the D / A converter 80 of the present embodiment includes a filter circuit 120 (or a filter circuit 130 described later) at the subsequent stage of the D / A converter 100. By smoothing the output voltage of the D / A converter 100 by the filter circuit 120, it is possible to reduce the fluctuation of the oscillation frequency. That is, the filter circuit 120 can reduce the substantial Δf.

例えば、D/A変換器100のサンプリング周波数fsを高めに設定し、フィルター回路120により遮断率を1/100程度とすれば、スプリアスの強度を1/100(−40dB以下)程度改善することが可能になる。この場合、Δf/fs=1/10(E2)であっても、フィルター回路120による改善後のスプリアスの強度はE1以下となるため、スプリアスが発振器本来の位相雑音に埋もれた状態とできる。すなわち、Δf/fs<1/10という条件を用いても、C/N特性の悪化による精度の低下を抑止可能となる。 For example, if the sampling frequency fs of the D / A converter 100 is set high and the cutoff rate is set to about 1/100 by the filter circuit 120, the spurious intensity can be improved by about 1/100 (−40 dB or less). It becomes possible. In this case, even if Δf / fs = 1/10 6 (E2), the spurious intensity improved by the filter circuit 120 is equal to or less than E1, so that the spurious is buried in the phase noise inherent in the oscillator. That is, even if the condition of Δf / fs <1/10 6 is used, it is possible to suppress a decrease in accuracy due to the deterioration of the C / N characteristics.

上述したように、本実施形態の回路装置500は、温度センサー部10からの温度検出電圧のA/D変換を行い、温度検出データDTDを出力するA/D変換部20と、温度検出データDTDに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、発振周波数の周波数制御データDDSを出力する処理部50と、処理部50からの周波数制御データDDSと振動子XTALを用いて、周波数制御データDDSにより設定される発振周波数の発振信号を生成する発振信号生成回路140を含む。そして、周波数ホッピングによる不具合等を抑止するために、発振信号生成回路140による発振周波数の周波数可変範囲をFRとし、所定期間内における発振周波数の許容周波数ドリフトをFDとし、周波数制御データDDSのフルスケール値をDFSとし、処理部50の周波数制御データDDSの出力間隔での、周波数制御データDDSの変化値をDVとした場合に、DV<(FD/FR)×DFSとする。   As described above, the circuit device 500 of the present embodiment performs A / D conversion of the temperature detection voltage from the temperature sensor unit 10 and outputs the temperature detection data DTD, and the temperature detection data DTD. Is set by the frequency control data DDS using the processing unit 50 that performs the temperature compensation processing of the oscillation frequency based on the output frequency and outputs the frequency control data DDS of the oscillation frequency, the frequency control data DDS from the processing unit 50, and the vibrator XTAL. An oscillation signal generation circuit 140 that generates an oscillation signal having an oscillation frequency is included. In order to suppress problems due to frequency hopping, the frequency variable range of the oscillation frequency by the oscillation signal generation circuit 140 is FR, the allowable frequency drift of the oscillation frequency within a predetermined period is FD, and the full scale of the frequency control data DDS When the value is DFS and the change value of the frequency control data DDS at the output interval of the frequency control data DDS of the processing unit 50 is DV, DV <(FD / FR) × DFS.

さらに本実施形態では、発振信号を用いて取得されるデータの精度を高くするために、処理部50の周波数制御データDDSの出力周波数をfsとし、周波数制御データDDSの変化値DVでの変化による発振周波数の変化をΔfとした場合に、fsとΔfは、Δf/fs<1/10を満たす。 Further, in the present embodiment, in order to increase the accuracy of data acquired using the oscillation signal, the output frequency of the frequency control data DDS of the processing unit 50 is set to fs, and the change in the change value DV of the frequency control data DDS is used. When the change in the oscillation frequency is Δf, fs and Δf satisfy Δf / fs <1/10 6 .

周波数制御データDDSの変化値DVをDV<(FD/FR)×DFSとすることで、Δfの大きさも限定される。例えば、回路装置500がD/A変換器100を含む場合、D/A変換器100の出力電圧の変化幅ΔVDACは、周波数制御データDDSの変化値DVに応じた値となる。発振回路に含まれる可変容量は、電圧に応じて容量値が変化するものであり、その変化係数(C/V)が決まっている。また、発振回路150は可変容量の容量値に応じて発振周波数が変化するものであり、その変化係数(f/C)も決まっている。つまりこの例では、Δf=ΔVDAC×(C/V)×(f/C)という関係になるため、発振周波数の変化Δfは、周波数制御データDDSの変化値DVに応じた値となる。   By setting the change value DV of the frequency control data DDS to DV <(FD / FR) × DFS, the magnitude of Δf is also limited. For example, when the circuit device 500 includes the D / A converter 100, the change width ΔVDAC of the output voltage of the D / A converter 100 is a value corresponding to the change value DV of the frequency control data DDS. The variable capacitance included in the oscillation circuit has a capacitance value that changes according to the voltage, and its change coefficient (C / V) is determined. In addition, the oscillation frequency of the oscillation circuit 150 changes according to the capacitance value of the variable capacitor, and the change coefficient (f / C) is also determined. That is, in this example, since Δf = ΔVDAC × (C / V) × (f / C), the oscillation frequency change Δf is a value corresponding to the change value DV of the frequency control data DDS.

つまり、周波数制御データDDSの変化値DVがDV<(FD/FR)×DFSとなるという第1の条件を満たすことでΔfは所定値以下に制限されることになるが、本実施形態ではさらにΔf/fs<1/10が成り立つという第2の条件を満足させる。このようにすれば、周波数ホッピングによる不具合等を抑止し、且つ、スプリアスによる精度低下を抑止することが可能になる。 That is, Δf is limited to a predetermined value or less by satisfying the first condition that the change value DV of the frequency control data DDS satisfies DV <(FD / FR) × DFS. The second condition that Δf / fs <1/10 6 is satisfied is satisfied. In this way, it is possible to suppress problems due to frequency hopping and the like, and it is possible to suppress a decrease in accuracy due to spurious.

なお、周波数制御データDDSの変化値DVが、具体的にどのようなΔfの値に対応するかは、D/A変換器100のフルスケール、可変容量の特性、発振回路150の特性等に応じて決定される。また、Δf/fs<1/10を満たすための具体的なΔfの値は、周波数制御データDDSの出力周波数fsに応じて決定される。そのため、第1の条件と第2の条件のいずれが厳しい条件となるかは状況に応じて異なることになるが、いずれにせよ、本実施形態ではより厳しい条件を満足するような設定を行えばよい。 It should be noted that the value Δf of the change value DV of the frequency control data DDS specifically corresponds to the full scale of the D / A converter 100, the characteristics of the variable capacitance, the characteristics of the oscillation circuit 150, and the like. Determined. A specific value of Δf for satisfying Δf / fs <1/10 6 is determined according to the output frequency fs of the frequency control data DDS. Therefore, which of the first condition and the second condition is a severe condition differs depending on the situation, but in any case, in this embodiment, if a setting that satisfies a more severe condition is performed, Good.

また、Δf/fs<1/10という条件は、離調周波数(周波数制御データDDSの出力周波数fs)がどのような値であったとしても、スプリアスが発振器本来の位相雑音に埋もれるようにする、という観点から求められた。しかし、図17のE1から明らかなように、1/fノイズによる影響が大きい周波数帯域では、周波数が小さいほど発振器本来の位相雑音が大きい。つまり、離調周波数が相対的に低い帯域では、より強度の高いスプリアスが発生したとしても、当該スプリアスは発振器400の位相雑音に埋もれることになり、精度への影響が小さい。 Further, the condition of Δf / fs <1/10 6 allows spurious to be buried in the original phase noise of the oscillator whatever the value of the detuning frequency (the output frequency fs of the frequency control data DDS). It was requested from the viewpoint. However, as is clear from E1 in FIG. 17, in the frequency band where the influence of 1 / f noise is large, the phase noise inherent to the oscillator is larger as the frequency is smaller. That is, even in the band where the detuning frequency is relatively low, even if a spurious signal with higher strength occurs, the spurious signal is buried in the phase noise of the oscillator 400, and the influence on accuracy is small.

つまり、スプリアスの離調周波数(fs)によらず、Δf/fs<1/10を満たすという条件は、発振信号に基づくデータの精度低下を抑止するという観点からすれば充分な条件であるが、過剰に厳しい条件となっている可能性もある。 In other words, the condition that Δf / fs <1/10 6 is satisfied regardless of the spurious detuning frequency (fs) is sufficient from the viewpoint of suppressing a decrease in accuracy of data based on the oscillation signal. It is possible that the conditions are excessive.

よって本実施形態では、Δf/fs<1/10とは異なる条件を用いてもよい。図17のE5、E6はΔfを所与の固定値とした場合の、スプリアスの特性を示す図である。図17に示したように、縦軸の単位をdBc/Hzとし、横軸を離調周波数の対数とした場合、Δfを固定値とした場合のスプリアス強度は単調減少する直線として表される。そして、Δfを変化させることで直線の切片が変化し、Δfが大きいほど同じ離調周波数でのスプリアス強度は高くなる。図17のE5はΔf=0.1mHzの場合のスプリアスの特性を表し、E6はΔf=1mHzの場合のスプリアスの特性を表す。 Therefore, in the present embodiment, conditions different from Δf / fs <1/10 6 may be used. E5 and E6 in FIG. 17 are diagrams showing spurious characteristics when Δf is a given fixed value. As shown in FIG. 17, when the unit of the vertical axis is dBc / Hz and the horizontal axis is the logarithm of the detuning frequency, the spurious intensity when Δf is a fixed value is expressed as a monotonically decreasing straight line. Then, by changing Δf, the intercept of the straight line changes, and the greater the Δf, the higher the spurious intensity at the same detuning frequency. E5 in FIG. 17 represents the spurious characteristic when Δf = 0.1 mHz, and E6 represents the spurious characteristic when Δf = 1 mHz.

図17からわかるように、Δf=0.1mHzであるE5は、横軸での位置によらず発振器400のC/N特性を表すE1よりも下に位置する。つまり、Δf<0.1mHzを満たすことで、スプリアスの強度を発振器本来の位相雑音よりも小さくできる。ただし、Δf<0.1mHzについてもΔf/fs=1/10と同様に理想的な条件であり、実際にはより緩い条件であっても精度に対する影響は小さい。具体的には、本実施形態ではE6に示した直線を上限とし、Δf<1mHzであることを条件とすればよい。 As can be seen from FIG. 17, E5 where Δf = 0.1 mHz is located below E1 representing the C / N characteristic of the oscillator 400 regardless of the position on the horizontal axis. That is, by satisfying Δf <0.1 mHz, the spurious intensity can be made smaller than the original phase noise of the oscillator. However, Delta] f <is also ideal conditions in the same manner as Δf / fs = 1/10 8 for 0.1 mHz, actually influence on the accuracy is less a looser condition. Specifically, in the present embodiment, the upper limit is the straight line indicated by E6, and the condition is that Δf <1 mHz.

ただし、Δf<1mHzという条件も、離調周波数(fs)が比較的大きい状況では過剰に厳しい条件となる。上式(10)からわかるように、fsが大きいほどスプリアスの強度は小さくなる。つまりfsが大きい場合、Δfが大きくても、スプリアスの強度の増加を抑止でき、精度に対する影響が小さい。Δf<1mHzという条件では、fsが大きい場合にもΔfを過剰に小さくするという、厳しい条件となってしまう可能性がある。   However, the condition of Δf <1 mHz is an excessively severe condition in a situation where the detuning frequency (fs) is relatively large. As can be seen from the above equation (10), the greater the fs, the smaller the spurious strength. That is, when fs is large, even if Δf is large, an increase in spurious intensity can be suppressed, and the influence on accuracy is small. Under the condition of Δf <1 mHz, even if fs is large, there is a possibility that Δf is excessively decreased, which is a severe condition.

よって本実施形態では、Δf/fs<1/10とΔf<1mHzとを状況に応じて切り替えてもよい。具体的には、図17のE2とE6の交点であるfs=1kHzを境界として、条件を切り替えればよい。交点の右側、すなわちfs≧1kHzの場合は、E2がE6よりも上になるため、E2の方が条件が緩い。一方、交点の左側、すなわちfs<1kHzの場合は、E6がE2よりも上になるため、E6の方が条件が緩い。つまり本実施形態では、fs≧1kHzの場合は、Δf/fs<1/10であり、fs<1kHzの場合は、Δf<1mHzであること条件とすればよい。このようにすれば、満たすべき条件を緩くできるため、例えばD/A変換器100の分解能に対する要求を低くでき、回路装置500の実現が容易となる。 Therefore, in the present embodiment, Δf / fs <1/10 6 and Δf <1 mHz may be switched depending on the situation. Specifically, the conditions may be switched with fs = 1 kHz being the intersection of E2 and E6 in FIG. In the case of the right side of the intersection, that is, when fs ≧ 1 kHz, E2 is higher than E6, so the condition of E2 is looser. On the other hand, in the case of the left side of the intersection, that is, when fs <1 kHz, E6 is higher than E2, so the condition of E6 is looser. That is, in the present embodiment, Δf / fs <1/10 6 when fs ≧ 1 kHz, and Δf <1 mHz when fs <1 kHz. In this way, since the condition to be satisfied can be relaxed, for example, the requirement for the resolution of the D / A converter 100 can be lowered, and the circuit device 500 can be easily realized.

また、本実施形態の手法は、Δf/fs<1/10とΔf<1mHzを組み合わせて用いるものには限定されない。具体的には、周波数制御データDDSの出力周波数をfsとし、周波数制御データDDSの変化値DVでの変化による発振周波数の変化をΔfとした場合に、fs<1kHzの場合は、Δf<1mHzであってもよい。この際、fs≧1kHzの場合に、Δf/fs<1/10とは異なる条件を採用することも可能であるし、そもそもfs≧1kHzを本実施形態の手法の適用対象外とすることも可能である。 Further, the method of the present embodiment is not limited to the method using a combination of Δf / fs <1/10 6 and Δf <1 mHz. Specifically, when the output frequency of the frequency control data DDS is fs and the change of the oscillation frequency due to the change in the change value DV of the frequency control data DDS is Δf, when fs <1 kHz, Δf <1 mHz. There may be. At this time, when fs ≧ 1 kHz, it is possible to adopt a condition different from Δf / fs <1/10 6, and fs ≧ 1 kHz may be excluded from the application of the method of the present embodiment. Is possible.

なお、Δf及びfsが以上の条件を満たすような回路装置の設計手法は種々考えられる。例えば、回路装置に応じてD/A変換部80に要求される変換速度(サンプリング周波数)が異なる。所与の回路装置では、fs=100kHzといった高いサンプリング周波数を設定することが可能であるが、異なる回路装置では、消費電力等の観点からfs=100Hzといった低いサンプリング周波数しか許容されないといったことが考えられる。fs=100kHzが許容される回路装置では、上述したようにΔf/fs<1/10を条件として用いればよく、Δf<100mHzとなる。この場合、Δf<1mHzに比べてΔfを大きくできるため、分解能が比較的粗くても問題がない。一方、fs=100Hzとなる回路装置では、上述したようにΔf<1mHzを用いればよい。この場合、分解能に対する要求は比較的大きくなるが、低消費電力の回路装置を実現すること等が可能になる。 Various circuit device design techniques are conceivable in which Δf and fs satisfy the above conditions. For example, the conversion speed (sampling frequency) required for the D / A converter 80 differs depending on the circuit device. In a given circuit device, it is possible to set a high sampling frequency such as fs = 100 kHz, but in a different circuit device, only a low sampling frequency such as fs = 100 Hz is allowed from the viewpoint of power consumption and the like. . In a circuit device in which fs = 100 kHz is allowed, Δf / fs <1/10 6 may be used as a condition as described above, and Δf <100 mHz. In this case, since Δf can be increased as compared with Δf <1 mHz, there is no problem even if the resolution is relatively coarse. On the other hand, in the circuit device in which fs = 100 Hz, Δf <1 mHz may be used as described above. In this case, the demand for resolution becomes relatively large, but it becomes possible to realize a circuit device with low power consumption.

ここで、本実施形態に係る振動子XTALは、例えば水晶振動子である。なお、水晶振動子は、結晶軸からの切断方位によって、発振周波数等の特性が異なることが知られている。本実施形態に係る水晶振動子は、広く用いられるATカット振動子、又はSCカット(Stress Compensation-cut)振動子、又はSAW共振子であってもよい。   Here, the vibrator XTAL according to the present embodiment is, for example, a crystal vibrator. Note that it is known that the characteristics of the oscillation frequency and the like differ depending on the cutting orientation from the crystal axis. The crystal resonator according to the present embodiment may be a widely used AT cut resonator, SC cut (Stress Compensation-cut) resonator, or SAW resonator.

ATカット振動子は、結晶軸に対する角度が35.15°であり、10MHz〜500MHzの発振源として、SPXO、TCXO、VCXOに使用される振動子である。また、SCカット振動子は高温で温度特性が極小になるという特徴から、10MHz〜100MHzの発振源としてOCXOに使用される振動子である。なお、ATカット振動子とSCカット振動子は、厚みすべりで発振周波数が決まる。また、SAW共振子は、弾性表面波(Surface Acoustic Wave)を応用した振動子であり、水晶表面の電極パターンに依存して振動する。SAW共振子は、発振周波数が100MHz〜3.5GHzと高く、C/N特性がよい(Q値が高い)振動子である。   The AT-cut vibrator has an angle of 35.15 ° with respect to the crystal axis and is used for SPXO, TCXO, and VCXO as an oscillation source of 10 MHz to 500 MHz. Further, the SC cut vibrator is a vibrator used in OCXO as an oscillation source of 10 MHz to 100 MHz due to the characteristic that the temperature characteristic becomes minimum at high temperature. Note that the oscillation frequency of the AT cut vibrator and the SC cut vibrator is determined by the thickness slip. The SAW resonator is a vibrator applying surface acoustic wave, and vibrates depending on the electrode pattern on the quartz surface. The SAW resonator is a vibrator having an oscillation frequency as high as 100 MHz to 3.5 GHz and good C / N characteristics (high Q value).

なお、Δf/fs<1/10は、Δfとfsとの比に関する条件である。そのため、Δf/fs<1/10を満足するΔfとfsの組は多数考えられる。図18は、C/N特性を悪化させず精度のよいデータを取得可能な場合の、Δfとfsの値の組の例である。図18のF1は(Δf,fs)=(0.1Hz,4MHz)であり、F2は(Δf,fs)=(4mHz,100kHz)であり、F3は(Δf,fs)=(1mHz,10kHz)である。 Note that Δf / fs <1/10 6 is a condition regarding the ratio of Δf to fs. Therefore, many combinations of Δf and fs satisfying Δf / fs <1/10 6 are conceivable. FIG. 18 is an example of a set of Δf and fs values when accurate data can be acquired without deteriorating the C / N characteristics. F1 in FIG. 18 is (Δf, fs) = (0.1 Hz, 4 MHz), F2 is (Δf, fs) = (4 mHz, 100 kHz), and F3 is (Δf, fs) = (1 mHz, 10 kHz). It is.

本実施形態では、Δfとfsの値の組を1つに限定することは妨げられない。例えば、F1〜F3のうちのいずれか1つのみがΔfとfsの値の組として設定されており、回路装置500では、必ず設定されている値を満たすように動作が行われる。ただし、本実施形態の手法はこれに限定されず、Δfとfsの値の組を可変としてもよい。例えば、Δfとfsの値の組の候補としてF1〜F3の3通りを保持しておき、状況に応じて3つのうちのいずれか1つを採用してもよい。   In the present embodiment, it is not hindered to limit the set of Δf and fs values to one. For example, only one of F1 to F3 is set as a set of values of Δf and fs, and the circuit device 500 operates so as to satisfy the set value. However, the method of the present embodiment is not limited to this, and the set of Δf and fs values may be variable. For example, three sets of F1 to F3 may be held as candidates for a pair of values of Δf and fs, and any one of the three may be adopted depending on the situation.

例えば、回路装置500の動作開始時から所定期間内か否かに応じて、用いるΔfとfsの値の組を決定する。動作開始時には、それまで温度検出データDTDに対する温度補償処理が行われていないため、出力される発振信号SSCの発振周波数と、所望の発振周波数の差(以下、周波数誤差と表記する)が大きい場合がある。処理部50での温度補償処理により、周波数誤差を小さくする(狭義には0とする)ための周波数制御データDDSを求めることは可能であるが、本実施形態では、1回当たりの発振周波数の変動をΔfに抑えるという制限がある。つまり、周波数制御データDDSの1回の出力の間では、周波数誤差はΔfしか減少しないことになり、周波数誤差を0とするまでに長い時間を要してしまうおそれがある。   For example, a set of Δf and fs values to be used is determined according to whether or not the circuit device 500 is within a predetermined period from the start of operation. At the start of operation, since temperature compensation processing for the temperature detection data DTD has not been performed so far, the difference between the oscillation frequency of the output oscillation signal SSC and a desired oscillation frequency (hereinafter referred to as a frequency error) is large. There is. Although it is possible to obtain the frequency control data DDS for reducing the frequency error (set to 0 in a narrow sense) by the temperature compensation processing in the processing unit 50, in this embodiment, the oscillation frequency per one time is obtained. There is a limitation of suppressing the fluctuation to Δf. That is, during a single output of the frequency control data DDS, the frequency error is reduced only by Δf, and it may take a long time to make the frequency error zero.

そこで本実施形態では、動作開始時には、Δfを比較的大きい値に設定するとともに、Δf/fs<1/10を満足するためfsも比較的大きい値とするとよい。上記F1〜F3の例であれば、F1に示した(Δf,fs)=(0.1Hz,4MHz)を用いる。このようにすれば、Δfが比較的大きいため、短い時間で発振信号の発振周波数を所望の周波数に近づける(周波数誤差を0に近づける)ことが可能になる。 Therefore, in this embodiment, Δf is set to a relatively large value at the start of operation, and fs is preferably set to a relatively large value in order to satisfy Δf / fs <1/10 6 . In the example of F1 to F3, (Δf, fs) = (0.1 Hz, 4 MHz) shown in F1 is used. In this way, since Δf is relatively large, the oscillation frequency of the oscillation signal can be brought close to a desired frequency (frequency error is brought close to 0) in a short time.

ただし、Δfを大きくするためにはfsも大きくしなくてはならず、消費電力の増大等につながる。よって、ある程度の時間が経過した場合(或いは、周波数誤差がある程度小さくなった場合)には、Δfを小さくし、fsを小さくすることが望ましい。図18の例であれば、用いるΔfとfsの値の組をF1からF2に示した(Δf,fs)=(4mHz,100kHz)に変更する。また、さらに時間が経過した場合(周波数誤差が小さくなった場合)に、用いるΔfとfsの値の組をF2からF3に示した(Δf,fs)=(1mHz,10kHz)に変更してもよい。   However, in order to increase Δf, fs must be increased, leading to an increase in power consumption. Therefore, when a certain amount of time has elapsed (or when the frequency error has decreased to some extent), it is desirable to decrease Δf and decrease fs. In the example of FIG. 18, the set of Δf and fs values to be used is changed from (F1 to F2) to (Δf, fs) = (4 mHz, 100 kHz). Further, even when the time has passed (when the frequency error becomes small), even if the set of Δf and fs values used is changed from F2 to F3 (Δf, fs) = (1 mHz, 10 kHz) Good.

図19は、以上の制御を説明する図である。図19の縦軸は周波数誤差(Hz)を表し、横軸は動作開始時(起動時)からの経過時間を対数で表している。図19のt1〜t2に示したように、起動時から所定期間ではF1に示したパラメーターで動作する。サンプリング周波数fsが高く、且つ、1回当たりの周波数変化量であるΔfも大きいため、起動時に0.2Hz以上あった周波数誤差を短時間で0に近づけることが可能になる。また、t2〜t3の期間ではF2に示したパラメーターで動作し、t3以降の期間ではF3に示したパラメーターで動作する。   FIG. 19 is a diagram for explaining the above control. The vertical axis in FIG. 19 represents the frequency error (Hz), and the horizontal axis represents the elapsed time from the start of operation (at the time of activation) in logarithm. As indicated by t1 to t2 in FIG. 19, the operation is performed with the parameter indicated by F1 for a predetermined period from the start. Since the sampling frequency fs is high and Δf, which is the amount of change in frequency per time, is large, it is possible to bring the frequency error of 0.2 Hz or more at the time of startup close to 0 in a short time. In the period from t2 to t3, the operation is performed with the parameter indicated by F2, and in the period after t3, the operation is performed with the parameter indicated by F3.

このようにすれば、Δf/fs<1/10に示した条件を、状況に応じたパラメーターを用いて実現することが可能になる。具体的には、周波数誤差が大きい可能性がある状況では、高速で目標値に追従させるとともに、ある程度の追従が完了した場合には、fsを小さくして消費電力の増大を抑止する。 In this way, the condition shown by Δf / fs <1/10 6 can be realized using parameters according to the situation. Specifically, in a situation where there is a possibility that the frequency error is large, the target value is followed at high speed, and when a certain amount of tracking is completed, fs is reduced to suppress an increase in power consumption.

なお、ここではΔfとfsの値の組が3通りである例について説明したが、2通りであってもよいし、4通り以上であってもよいことは言うまでもない。また、ΔfとfsはΔf/fs<1/10を満たせばよく、具体的な数値も図18のF1〜F3に限定されない。また、Δf/fs<1/10を満たすという条件において、Δf及びfsを可変とする例を示したが、周波数制御データDDSをk×LSB(k≧1)単位で変化させるという条件において、kを可変にしてもよい。 Here, an example in which there are three combinations of Δf and fs values has been described, but it goes without saying that there may be two or four or more. Further, Δf and fs only need to satisfy Δf / fs <1/10 6 , and specific numerical values are not limited to F1 to F3 in FIG. In addition, an example in which Δf and fs are variable on the condition that Δf / fs <1/10 6 is satisfied has been shown. However, on the condition that the frequency control data DDS is changed in units of k × LSB (k ≧ 1), k may be variable.

また、以上では発振信号生成回路140がD/A変換部80を含む構成について説明したが、本実施形態の手法はこれに限定されない。例えば、図39を用いて後述するようなD/A変換部80を含まない構成の発振信号生成回路140を用いる場合にも、Δf/fs<1/10やΔf<1mHzといった条件を満足することで、スプリアスによるC/N特性の悪化を抑止して、精度のよいデータ取得等を実現できる。なお、発振信号生成回路140がD/A変換部80を含まない場合、フィルター回路120(フィルター回路130)も含まれず、フィルター回路120によるスプリアスの低減が行われない可能性もある。その場合には、Δf、fsが満たすべき条件を、Δf/fs<1/10やΔf<1mHzといった条件に比べて厳しくしてもよい。 Further, the configuration in which the oscillation signal generation circuit 140 includes the D / A conversion unit 80 has been described above, but the method of the present embodiment is not limited to this. For example, even when an oscillation signal generation circuit 140 having a configuration that does not include the D / A conversion unit 80 described later with reference to FIG. 39 is used, the conditions Δf / fs <1/10 6 and Δf <1 mHz are satisfied. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the C / N characteristic due to spurious and to achieve accurate data acquisition and the like. When the oscillation signal generation circuit 140 does not include the D / A conversion unit 80, the filter circuit 120 (filter circuit 130) is not included, and there is a possibility that spurious reduction by the filter circuit 120 is not performed. In that case, conditions to be satisfied by Δf and fs may be made stricter than conditions such as Δf / fs <1/10 6 and Δf <1 mHz.

4.詳細な構成例
4.1 処理部
次に本実施形態の回路装置の各部の詳細な構成例を示す。図20は処理部50の詳細な構成例を示す図である。
4). Detailed Configuration Example 4.1 Processing Unit Next, a detailed configuration example of each unit of the circuit device according to the present embodiment will be described. FIG. 20 is a diagram illustrating a detailed configuration example of the processing unit 50.

図20に示すように処理部50(DSP部)は、制御部52、演算部60、出力部70を含む。制御部52は、演算部60、出力部70の制御や各種の判断処理を行う。演算部60は、A/D変換部20からの温度検出データDTDに基づいて発振周波数の温度補償処理の演算を行う。出力部70は、演算部60からの演算結果データを受け、周波数制御データDDSを出力する。   As illustrated in FIG. 20, the processing unit 50 (DSP unit) includes a control unit 52, a calculation unit 60, and an output unit 70. The control unit 52 controls the calculation unit 60 and the output unit 70 and performs various determination processes. The calculation unit 60 calculates a temperature compensation process for the oscillation frequency based on the temperature detection data DTD from the A / D conversion unit 20. The output unit 70 receives calculation result data from the calculation unit 60 and outputs frequency control data DDS.

制御部52は判定部53を含む。判定部53は、比較部54、55を有し、比較部54、55での比較結果に基づいて各種の判定処理を行う。   The control unit 52 includes a determination unit 53. The determination unit 53 includes comparison units 54 and 55, and performs various determination processes based on the comparison results of the comparison units 54 and 55.

演算部60は、型変換部61、62、68と、マルチプレクサー63、65と、演算器64と、ワークレジスター66、67、69を含む。演算器64は、乗算器58と加算器59を含む。   The calculation unit 60 includes type conversion units 61, 62, and 68, multiplexers 63 and 65, a calculation unit 64, and work registers 66, 67, and 69. The computing unit 64 includes a multiplier 58 and an adder 59.

型変換部61は、メモリー部180からの係数データが入力され、バイナリー型(整数)から浮動小数点型(単精度)への型変換を行い、型変換後の係数データをマルチプレクサー63に出力する。型変換部62は、A/D変換部20からの温度検出データDTDが入力され、バイナリー型から浮動小数点型への型変換を行い、型変換後の温度検出データDTDをマルチプレクサー63に出力する。例えば15ビットのバイナリーの温度検出データDTDを、32ビットの浮動小数点(指数部=8ビット、仮数部=23ビット、符号=1ビット)に型変換する。またマルチプレクサー63には、温度補償処理用の固定値の定数データを記憶するROM190からの当該定数データが入力される。   The type conversion unit 61 receives coefficient data from the memory unit 180, performs type conversion from a binary type (integer) to a floating point type (single precision), and outputs the coefficient data after type conversion to the multiplexer 63. . The type conversion unit 62 receives the temperature detection data DTD from the A / D conversion unit 20, performs type conversion from the binary type to the floating point type, and outputs the temperature detection data DTD after type conversion to the multiplexer 63. . For example, 15-bit binary temperature detection data DTD is converted into a 32-bit floating point (exponent part = 8 bits, mantissa part = 23 bits, sign = 1 bit). The multiplexer 63 receives the constant data from the ROM 190 that stores constant data of fixed values for temperature compensation processing.

マルチプレクサー63は、演算器64の出力データ、ワークレジスター66、67の出力データ、型変換部61、62の出力データ、ROM190の出力データのいずれかを選択して、演算器64に出力する。演算器64は、乗算器58、加算器59により、例えば32ビットの浮動小数点の積和演算等の演算処理を行うことで、温度補償処理を実行する。マルチプレクサー65は、演算器64の乗算器58、加算器59の出力データのいずれかを選択し、ワークレジスター66、67、型変換部68のいずれかに出力する。型変換部68は、演算部60(演算器64)の演算結果データを、浮動小数点型からバイナリー型に型変換する。例えば32ビットの浮動小数点の演算結果データを、20ビットのバイナリーの演算結果データに型変換する。型変換後の演算結果データはワークレジスター69に保持される。   The multiplexer 63 selects any one of the output data of the computing unit 64, the output data of the work registers 66 and 67, the output data of the type conversion units 61 and 62, and the output data of the ROM 190 and outputs the selected data to the computing unit 64. The arithmetic unit 64 performs temperature compensation processing by performing arithmetic processing such as 32-bit floating-point product-sum operation using the multiplier 58 and the adder 59, for example. The multiplexer 65 selects any one of the output data of the multiplier 58 and the adder 59 of the arithmetic unit 64 and outputs the selected data to any of the work registers 66 and 67 and the type conversion unit 68. The type conversion unit 68 converts the calculation result data of the calculation unit 60 (calculator 64) from a floating point type to a binary type. For example, type conversion is performed on 32-bit floating-point operation result data into 20-bit binary operation result data. The operation result data after the type conversion is held in the work register 69.

演算部60(演算器64)は、下式(11)に示すように、図6の温度特性のカーブを、例えば5次の近似関数(多項式)で近似する温度補償処理を行う。   As shown in the following equation (11), the calculation unit 60 (calculator 64) performs a temperature compensation process for approximating the temperature characteristic curve of FIG. 6 with, for example, a fifth-order approximation function (polynomial).

Vcp=b・(T−T0)+c・(T−T0)+d・(T−T0)+e・(T−T0)
(11)
上式(11)において、Tは温度検出データDTDで表される温度に相当し、T0は基準温度(例えば25℃)に相当する。b、c、d、eは近似関数の係数であり、この係数のデータはメモリー部180に記憶される。演算器64は上式(11)の積和演算等の演算処理を実行する。
Vcp = b · (T−T0) 5 + c · (T−T0) 4 + d · (T−T0) 3 + e · (T−T0)
(11)
In the above equation (11), T corresponds to the temperature represented by the temperature detection data DTD, and T0 corresponds to the reference temperature (for example, 25 ° C.). “b”, “c”, “d”, and “e” are coefficients of the approximate function, and data of the coefficients is stored in the memory unit 180. The arithmetic unit 64 executes arithmetic processing such as a product-sum operation of the above equation (11).

出力部70は、マルチプレクサー71と、出力レジスター72と、LSB加算器73と、LSB減算器74を含む。マルチプレクサー71は、演算部60の出力データである演算結果データ、LSB加算器73の出力データ、LSB減算器74の出力データのいずれかを選択して、出力レジスター72に出力する。制御部52の判定部53は、ワークレジスター69の出力データと、出力レジスター72の出力データをモニターする。そして、比較部54、55を用いた種々の比較判定を行い、判定結果に基づいてマルチプレクサー71を制御する。   The output unit 70 includes a multiplexer 71, an output register 72, an LSB adder 73, and an LSB subtracter 74. The multiplexer 71 selects any one of operation result data, which is output data from the operation unit 60, output data from the LSB adder 73, and output data from the LSB subtractor 74, and outputs the selected data to the output register 72. The determination unit 53 of the control unit 52 monitors the output data of the work register 69 and the output data of the output register 72. Then, various comparison determinations using the comparison units 54 and 55 are performed, and the multiplexer 71 is controlled based on the determination results.

本実施形態では出力部70は、図21、図22に示すように、第1の温度から第2の温度に温度が変化した場合に、第1の温度に対応する第1のデータDAT1から、第2の温度に対応する第2のデータDAT2へと、k×LSB単位で変化する周波数制御データDDSを出力する。例えばk=1であり、1LSB単位で変化する周波数制御データDDSを出力する。   In the present embodiment, as shown in FIGS. 21 and 22, the output unit 70, when the temperature changes from the first temperature to the second temperature, from the first data DAT1 corresponding to the first temperature, The frequency control data DDS that changes in units of k × LSB is output to the second data DAT2 corresponding to the second temperature. For example, k = 1, and frequency control data DDS that changes in units of 1 LSB is output.

例えば出力レジスター72には、前回(第n−1のタイミング)の演算部60の演算結果データである第1のデータDAT1が記憶されている。ワークレジスター69には、今回(第nのタイミング)の演算部60の演算結果データである第2のデータDAT2が記憶されている。   For example, the output register 72 stores the first data DAT1 that is the calculation result data of the previous calculation unit 60 (timing n-1). The work register 69 stores second data DAT2 which is the calculation result data of the calculation unit 60 this time (nth timing).

そして出力部70は、図21に示すように、今回の演算結果データである第2のデータDAT2の方が、前回の演算結果である第1のデータDAT1よりも大きい場合には、第1のデータDAT1に対して所定値である1LSB(広義にはk×LSB)を加算する処理を、加算結果データが第2のデータDAT2に達するまで行いながら、加算結果データを周波数制御データDDSとして出力する。   Then, as shown in FIG. 21, the output unit 70 determines that the first data DAT2, which is the current calculation result data, is larger than the first data DAT1, which is the previous calculation result. The addition result data is output as the frequency control data DDS while performing the process of adding 1LSB (k × LSB in a broad sense), which is a predetermined value, to the data DAT1 until the addition result data reaches the second data DAT2. .

一方、出力部70は、図22に示すように、今回の演算結果データである第2のデータDAT2の方が、前回の演算結果である第1のデータDAT1よりも小さい場合には、第1のデータDAT1から所定値である1LSB(k×LSB)を減算する処理を、減算結果データが第2のデータDAT2に達するまで行いながら、減算結果データを周波数制御データDDSとして出力する。   On the other hand, as shown in FIG. 22, when the second data DAT2, which is the current calculation result data, is smaller than the first data DAT1, which is the previous calculation result, the output unit 70 outputs the first data DAT2. The subtraction result data is output as the frequency control data DDS while performing the process of subtracting 1LSB (k × LSB), which is a predetermined value, from the data DAT1 until the subtraction result data reaches the second data DAT2.

具体的には、制御部52の判定部53は、出力レジスター72に記憶される第1のデータDAT1と、ワークレジスター69に記憶される第2のデータDAT2を比較する。この比較の判定は比較部54により行う。   Specifically, the determination unit 53 of the control unit 52 compares the first data DAT1 stored in the output register 72 with the second data DAT2 stored in the work register 69. This comparison is determined by the comparison unit 54.

そして図21に示すようにDAT2の方がDAT1よりも大きい場合には、出力レジスター72のDAT1に対して1LSBを加算する処理が、LSB加算器73により行われ、LSB加算器73の出力データが、マルチプレクサー71により選択される。これにより出力レジスター72には、図21に示すように、DAT1に対して1LSBが順次に加算処理された加算結果データが保持される。そして、1LSBが順次に加算処理されて更新される加算結果データが、周波数制御データDDSとして出力されるようになる。そして、加算結果データがDAT2に達するまで当該加算処理が繰り返される。加算結果データとDAT2の一致を判定する比較処理は、比較部55により行われる。   Then, as shown in FIG. 21, when DAT2 is larger than DAT1, the process of adding 1LSB to DAT1 of the output register 72 is performed by the LSB adder 73, and the output data of the LSB adder 73 is Are selected by the multiplexer 71. As a result, as shown in FIG. 21, the output register 72 holds the addition result data obtained by sequentially adding 1LSB to DAT1. Then, addition result data in which 1 LSB is sequentially added and updated is output as frequency control data DDS. Then, the addition process is repeated until the addition result data reaches DAT2. Comparison processing for determining whether the addition result data matches DAT2 is performed by the comparison unit 55.

一方、図22に示すようにDAT2の方がDAT1よりも小さい場合には、出力レジスター72のDAT1から1LSBを減算する処理が、LSB減算器74により行われ、LSB減算器74の出力データが、マルチプレクサー71により選択される。これにより出力レジスター72には、図22に示すように、DAT1から1LSBが順次に減算処理された減算結果データが保持される。そして、1LSBが順次に減算処理されて更新される減算結果データが、周波数制御データDDSとして出力されるようになる。そして、減算結果データがDAT2に達するまで当該減算処理が繰り返される。   On the other hand, as shown in FIG. 22, when DAT2 is smaller than DAT1, the process of subtracting 1LSB from DAT1 of the output register 72 is performed by the LSB subtractor 74, and the output data of the LSB subtractor 74 is It is selected by the multiplexer 71. As a result, as shown in FIG. 22, the output register 72 holds subtraction result data obtained by sequentially subtracting 1 LSB from DAT1. Then, subtraction result data that is updated by sequentially subtracting 1LSB is output as frequency control data DDS. Then, the subtraction process is repeated until the subtraction result data reaches DAT2.

なお、LSB加算器73、LSB減算器74による加算処理、減算処理の最大回数は、所定回数(例えば8回)に設定されている。そして例えば環境温度の最大温度変化については規定できる(例えば2.8℃/10秒)。従って、例えば1LSB×所定回数に対応する温度変化(例えば1LSB×8回の電圧に対応する温度変化)が、上記の最大温度変化を十分に上回るように設定されている。   The maximum number of addition processes and subtraction processes by the LSB adder 73 and LSB subtractor 74 is set to a predetermined number (for example, 8 times). For example, the maximum temperature change of the environmental temperature can be defined (for example, 2.8 ° C./10 seconds). Therefore, for example, a temperature change corresponding to 1LSB × predetermined number of times (for example, a temperature change corresponding to 1LSB × 8 times of voltage) is set to sufficiently exceed the maximum temperature change.

また図11で説明したように、処理部50の周波数制御データDDSの出力レート(1/TDAC)は、A/D変換部20の温度検出データDTDの出力レート(1/TAD)よりも速い。従って、例えば図11においてA/D変換部20から温度検出データDTD2が処理部50に入力された後、次の温度検出データDTD3が入力されるまでの期間TADにおいて、図21、図22に示すような1LSBを所与の回数だけ加算又は減算する処理を実行できる。例えば上述のような最大回数である所定回数(例えば8回)の加算処理や減算処理を実行できる。   As described with reference to FIG. 11, the output rate (1 / TDAC) of the frequency control data DDS of the processing unit 50 is faster than the output rate (1 / TAD) of the temperature detection data DTD of the A / D conversion unit 20. Therefore, for example, in the period TAD from when the temperature detection data DTD2 is input from the A / D conversion unit 20 to the processing unit 50 in FIG. 11 until the next temperature detection data DTD3 is input, the configuration shown in FIGS. Such a process of adding or subtracting 1 LSB by a given number of times can be executed. For example, the addition process or the subtraction process can be executed a predetermined number (for example, 8 times) which is the maximum number as described above.

以上のように図20の構成の処理部50によれば、図21、図22に示すように、例えば第1の温度(第1の温度検出データDTD1)に対応する第1のデータDAT1から、第2の温度(第2の温度検出データDTD2)に対応する第2のデータDAT2へと、k×LSB単位で変化する周波数制御データDDSを出力できるようになる。これにより図11〜図13で説明した本実施形態の手法を、処理部50の周波数制御データDDSの出力制御により実現できるようになる。   As described above, according to the processing unit 50 configured as shown in FIG. 20, as shown in FIGS. 21 and 22, for example, from the first data DAT1 corresponding to the first temperature (first temperature detection data DTD1), The frequency control data DDS that changes in units of k × LSB can be output to the second data DAT2 corresponding to the second temperature (second temperature detection data DTD2). As a result, the method of this embodiment described with reference to FIGS. 11 to 13 can be realized by output control of the frequency control data DDS of the processing unit 50.

また本実施形態では、例えば演算部60の処理が例えば32ビット等の高精度の演算処理で実現される。従って、例えば型変換部68において32ビットの浮動小数点の演算結果データを型変換する際に、精度が保たれている23ビットの仮数部に基づいて、例えば20ビットのバイナリーの周波数制御データDDS(演算結果データ)を取得できる。これにより図5で説明したように、例えばi=20ビットの周波数制御データDDSを処理部50からD/A変換部80に入力できるようになる。そして変調回路90が、i=20ビットのうちのm=4ビットのデータに基づいて、周波数制御データDDSのn=16ビットのデータを変調し、D/A変換器100が、変調されたn=16ビットのデータをD/A変換することで、i=20ビットの分解能のD/A変換の実現が可能になる。   In the present embodiment, for example, the processing of the arithmetic unit 60 is realized by high-precision arithmetic processing such as 32 bits. Therefore, for example, when the type conversion unit 68 performs type conversion of 32-bit floating-point operation result data, for example, based on the 23-bit mantissa part for which accuracy is maintained, for example, 20-bit binary frequency control data DDS ( Calculation result data). As a result, as described with reference to FIG. 5, for example, frequency control data DDS of i = 20 bits can be input from the processing unit 50 to the D / A conversion unit 80. Then, the modulation circuit 90 modulates n = 16 bit data of the frequency control data DDS based on the m = 4 bit data of i = 20 bits, and the D / A converter 100 performs the modulation n = D / A conversion of 16-bit data makes it possible to realize D / A conversion with a resolution of i = 20 bits.

4.2 D/A変換部
図23、図24はD/A変換部80の詳細な構成例を示す図である。D/A変換部80は、変調回路90とD/A変換器100とフィルター回路120を含む。
4.2 D / A Conversion Unit FIGS. 23 and 24 are diagrams illustrating a detailed configuration example of the D / A conversion unit 80. The D / A conversion unit 80 includes a modulation circuit 90, a D / A converter 100, and a filter circuit 120.

図23に示すように、D/A変換器100は、上位側のD/A変換器DACAと、下位側のD/A変換器DACBと、ボルテージフォロワー接続されたオペアンプ(演算増幅器)OPA、OPB、OPCを含む。   As shown in FIG. 23, the D / A converter 100 includes a higher-order D / A converter DACA, a lower-order D / A converter DACB, and operational amplifiers (operational amplifiers) OPA and OPB connected in a voltage follower. , Including OPC.

上位側DACAには、変調回路90からのnビット(n=q+p)のデータDMのうちの上位のqビットのデータが入力され、下位側DACBには下位のpビット(例えばp=q=8)のデータが入力される。これらの上位側DACA、下位側DACBは、例えば直列接続された複数の抵抗により電圧分割された複数の分割電圧の中から、入力データに対応する電圧を選択する抵抗ストリング型のD/A変換器である。   The higher-order DACA is inputted with higher-order q-bit data among n-bit (n = q + p) data DM from the modulation circuit 90, and the lower-order DACB is inputted with lower-order p bits (for example, p = q = 8). ) Data is input. These upper-side DACA and lower-side DACB are, for example, resistance string type D / A converters that select a voltage corresponding to input data from a plurality of divided voltages divided by a plurality of resistors connected in series. It is.

図24に示すように上位側DACAは、高電位側電源電圧VDDAのノードと低電位側電源電圧VSSのノードとの間に直列接続された複数の抵抗RA1〜RANを含む。また上位側DACAは、これらの抵抗RA1〜RANによる電圧分割ノードに一端が接続される複数のスイッチ素子SA1〜SAN+1と、データDMの上位qビットのデータに基づいて、スイッチ素子SA1〜SAN+1をオン又オフにするスイッチ制御信号を生成するデコーダー104(スイッチ制御回路)を含む。   As shown in FIG. 24, the higher-order DACA includes a plurality of resistors RA1 to RAN connected in series between the node of the high-potential-side power supply voltage VDDA and the node of the low-potential-side power supply voltage VSS. Further, the higher-order DACA turns on the switch elements SA1 to SAN + 1 based on the plurality of switch elements SA1 to SAN + 1 whose one ends are connected to the voltage dividing nodes by the resistors RA1 to RAN and the upper q bits of the data DM. It also includes a decoder 104 (switch control circuit) that generates a switch control signal to be turned off.

そして上位側DACAは、複数の抵抗RA1〜RANのうち上位qビットのデータにより特定される抵抗の両端の分割電圧のうち、一方の分割電圧をオペアンプOPAの非反転入力端子に出力し、他方の分割電圧をオペアンプOPBの非反転入力端子に出力する。これにより、当該一方の電圧が、ボルテージフォロワー接続されたオペアンプOPAによりインピーダンス変換されて、電圧VXとして下位側DACBに供給される。また当該他方の電圧が、ボルテージフォロワー接続されたオペアンプOPBによりインピーダンス変換されて、電圧VYとして下位側DACBに供給される。   Then, the higher-order DACA outputs one divided voltage to the non-inverting input terminal of the operational amplifier OPA among the divided voltages at both ends of the resistor specified by the upper q-bit data among the plurality of resistors RA1 to RAN, and the other The divided voltage is output to the non-inverting input terminal of the operational amplifier OPB. As a result, the one voltage is impedance-converted by the operational amplifier OPA connected as a voltage follower, and is supplied to the lower-order DACB as the voltage VX. The other voltage is impedance-converted by an operational amplifier OPB connected as a voltage follower, and supplied to the lower DACB as the voltage VY.

例えば上位qビットのデータにより抵抗RA1が特定された場合には、抵抗RA1の両端の分割電圧のうち、高電位側の分割電圧が、オンになったスイッチ素子SA1及びオペアンプOPAを介して、電圧VXとして供給される。また低電位側の分割電圧が、オンになったスイッチ素子SA2及びオペアンプOPBを介して、電圧VYとして供給される。また上位qビットのデータにより抵抗RA2が特定された場合には、抵抗RA2の両端の分割電圧のうち、低電位側の分割電圧が、オンになったスイッチ素子SA3及びオペアンプOPAを介して、電圧VXとして供給される。また高電位側の分割電圧が、オンになったスイッチ素子SA2及びオペアンプOPBを介して、電圧VYとして供給される。   For example, when the resistor RA1 is specified by the upper q-bit data, among the divided voltages at both ends of the resistor RA1, the divided voltage on the high potential side is supplied via the switch element SA1 and the operational amplifier OPA that are turned on. Supplied as VX. The divided voltage on the low potential side is supplied as the voltage VY via the switch element SA2 and the operational amplifier OPB that are turned on. When the resistor RA2 is specified by the upper q-bit data, the divided voltage on the low potential side among the divided voltages at both ends of the resistor RA2 is supplied via the switch element SA3 and the operational amplifier OPA which are turned on. Supplied as VX. Further, the divided voltage on the high potential side is supplied as the voltage VY via the switch element SA2 and the operational amplifier OPB that are turned on.

下位側DACBは、電圧VXのノードと電圧VYのノードとの間に直列接続された複数の抵抗RB1〜RBMを含む。また下位側DACBは、これらの抵抗RB1〜RBMによる電圧分割ノードに一端が接続される複数のスイッチ素子SB1〜SBM+1と、データDMの下位pビットのデータに基づいて、スイッチ素子SB1〜SBM+1をオン又オフにするスイッチ制御信号を生成するデコーダー106(スイッチ制御回路)を含む。   The lower-order DACB includes a plurality of resistors RB1 to RBM connected in series between a node of voltage VX and a node of voltage VY. The lower-side DACB turns on the switch elements SB1 to SBM + 1 based on the plurality of switch elements SB1 to SBM + 1 whose one ends are connected to the voltage dividing nodes by the resistors RB1 to RBM and the lower p-bit data of the data DM. It also includes a decoder 106 (switch control circuit) that generates a switch control signal to be turned off.

そして下位側DACBは、抵抗RB1〜RBMによる複数の分割電圧のうち、下位pビットのデータにより選択された1つの分割電圧を選択電圧として、オンになったスイッチ素子を介して、ボルテージフォロワー接続されたオペアンプOPCの非反転入力端子に出力する。これにより、当該選択電圧が、D/A変換器100の出力電圧VDAとして出力されるようになる。   The low-order DACB is connected to the voltage follower via the switch element that is turned on using one divided voltage selected by the low-order p-bit data among the plurality of divided voltages by the resistors RB1 to RBM. Output to the non-inverting input terminal of the operational amplifier OPC. As a result, the selected voltage is output as the output voltage VDA of the D / A converter 100.

図25、図26、図27は変調回路90の説明図である。図25に示すように、変調回路90は、処理部50からのi=(n+m)ビットの周波数制御データDDSを受ける。そして、この周波数制御データDDSの下位のmビットのデータ(ビットb1〜b4)に基づいて、周波数制御データDDSの上位のnビット(ビットb5〜b20)のデータのPWM変調を行う。そして図23、図24で説明したように、当該nビットのデータのうち、上位のqビットのデータ(ビットb13〜b20)が、上位側DACAに入力され、下位のpビットのデータ(ビットb5〜b12)が、下位側DACBに入力される。   25, 26, and 27 are explanatory diagrams of the modulation circuit 90. FIG. As shown in FIG. 25, the modulation circuit 90 receives i = (n + m) -bit frequency control data DDS from the processing unit 50. Based on the lower m bits of data (bits b1 to b4) of the frequency control data DDS, the PWM modulation of the upper n bits (bits b5 to b20) of the frequency control data DDS is performed. 23 and FIG. 24, the upper q-bit data (bits b13 to b20) among the n-bit data is input to the higher-order DACA and the lower p-bit data (bit b5). ˜b12) are input to the lower-order DACB.

図26はPWM変調の第1の方式の説明図である。DY、DZは、データDMの上位のnビットのデータであり、nビット表現においてDY=DZ+1が成り立つデータである。   FIG. 26 is an explanatory diagram of the first method of PWM modulation. DY and DZ are high-order n-bit data of the data DM, and DY = DZ + 1 holds in the n-bit representation.

PWM変調に用いられる下位のm=4ビットのデータで表されるデューティー比が、例えば8対8である場合には、図26に示すように、8個の16ビットのデータDYと8個の16ビットのデータDZが時分割で、変調回路90からD/A変換器100に出力される。   When the duty ratio represented by the lower-order m = 4-bit data used for PWM modulation is 8 to 8, for example, as shown in FIG. 26, 8 pieces of 16-bit data DY and 8 pieces of data DY The 16-bit data DZ is output from the modulation circuit 90 to the D / A converter 100 in a time division manner.

また下位のm=4ビットのデータで表されるデューティー比が10対6である場合には、10個のデータDYと6個のデータDZが時分割で、変調回路90からD/A変換器100に出力される。同様に、下位のm=4ビットのデータで表されるデューティー比が14対2である場合には、14個のデータDYと2個のデータDZが時分割で出力される。   When the duty ratio represented by the lower order m = 4 bit data is 10 to 6, the 10 data DY and the 6 data DZ are time-divisionally converted from the modulation circuit 90 to the D / A converter. 100 is output. Similarly, when the duty ratio represented by the lower order m = 4 bit data is 14 to 2, 14 data DY and 2 data DZ are output in a time division manner.

図27はPWM変調の第2の方式の説明図である。PWM変調に用いられるm=4ビットの各ビットb4、b3、b2、b1が、論理レベル「1」である場合に、図27において各ビットに対応づけられた出力パターン(各ビットの右側に示される出力パターン)が選択される。   FIG. 27 is an explanatory diagram of the second method of PWM modulation. When each bit b4, b3, b2, b1 of m = 4 bits used for PWM modulation is a logic level “1”, an output pattern (shown on the right side of each bit) corresponding to each bit in FIG. Output pattern) is selected.

例えばビットb4=1で、b3=b2=b1=0である場合には、ビットb4に対応づけられた出力パターンだけが期間P1〜P16において出力される。即ち、n=16ビットのデータがDZ、DY、DZ、DY・・・・の順で時分割に、変調回路90からD/A変換器100に出力される。これにより、データDY、DZの出力回数は共に8回となり、図26においてデューティー比が8対8である場合と同様のPWM変調が実現される。   For example, when bit b4 = 1 and b3 = b2 = b1 = 0, only the output pattern associated with bit b4 is output in periods P1 to P16. That is, n = 16-bit data is output from the modulation circuit 90 to the D / A converter 100 in time division in the order of DZ, DY, DZ, DY. As a result, the number of times data DY and DZ are output is eight, and the same PWM modulation as in the case where the duty ratio is 8 to 8 in FIG. 26 is realized.

またビットb4=b2=1で、b3=b1=0である場合には、ビットb4とb2に対応づけられた出力パターンが期間P1〜P16において出力される。これによりデータDY、DZの出力回数は、各々、10回、6回になり、デューティー比が10対6である場合と同様のPWM変調が実現される。同様に、ビットb4=b3=b2=1で、b1=0である場合には、データDY、DZの出力回数は、各々、14回、2回になり、デューティー比が14対2である場合と同様のPWM変調が実現される。   When bits b4 = b2 = 1 and b3 = b1 = 0, output patterns associated with bits b4 and b2 are output in periods P1 to P16. As a result, the data DY and DZ are output 10 times and 6 times, respectively, and the same PWM modulation as in the case where the duty ratio is 10 to 6 is realized. Similarly, when bits b4 = b3 = b2 = 1 and b1 = 0, the data DY and DZ are output 14 times and 2 times, respectively, and the duty ratio is 14 to 2. The same PWM modulation is realized.

以上のように、図5、図23の変調回路90によれば、データDY、DZの出力回数等を制御するだけでPWM変調を実現でき、例えば16ビットの分解能のD/A変換器100を用いながらも、例えば20ビット以上のD/A変換の分解能を実現できるようになる。   As described above, according to the modulation circuit 90 of FIGS. 5 and 23, PWM modulation can be realized only by controlling the number of output times of the data DY and DZ. For example, the D / A converter 100 having a resolution of 16 bits can be realized. While being used, for example, a resolution of D / A conversion of 20 bits or more can be realized.

例えば雑音が少なく抵抗ストリング型や抵抗ラダー型のD/A変換では、例えば16ビット程度の分解能が実質的な限界である。この点、図5、図23の構成によれば、回路規模の小さな変調回路90とフィルター回路120を設けるだけで、D/A変換の分解能を例えば20ビット以上に向上できる。従って、回路規模の増加を最小限に抑えながら、D/A変換部80の分解能を向上することが可能になる。そしてD/A変換部80の分解能が向上することで、発振周波数精度の高精度化を実現でき、周波数ホッピングの抑制や、時刻同期に好適な発振器の提供を実現できるようになる。   For example, in a resistor string type or resistor ladder type D / A conversion with less noise, for example, a resolution of about 16 bits is a practical limit. In this regard, according to the configurations of FIGS. 5 and 23, the D / A conversion resolution can be improved to, for example, 20 bits or more simply by providing the modulation circuit 90 and the filter circuit 120 with a small circuit scale. Therefore, it is possible to improve the resolution of the D / A conversion unit 80 while minimizing an increase in circuit scale. Further, by improving the resolution of the D / A conversion unit 80, it is possible to achieve high accuracy of the oscillation frequency accuracy, and it is possible to realize suppression of frequency hopping and provision of an oscillator suitable for time synchronization.

4.3 温度センサー部、発振回路
図28に温度センサー部10の第1の構成例を示す。図28の温度センサー部10は、電流源ISTと、電流源ISTからの電流がコレクターに供給されるバイポーラートランジスターTRTを有する。バイポーラートランジスターTRTは、そのコレクターとのベースが接続されるダイオード接続となっており、バイポーラートランジスターTRTのコレクターのノードに、温度特性を有する温度検出電圧VTDが出力される。温度検出電圧VTDの温度特性は、バイポーラートランジスターTRTのベース・エミッター間電圧の温度依存性によって生じる。図30に示すように温度検出電圧VTDは、負の温度特性(負の勾配を有する1次の温度特性)を有する。
4.3 Temperature Sensor Unit and Oscillator Circuit FIG. 28 shows a first configuration example of the temperature sensor unit 10. The temperature sensor unit 10 of FIG. 28 includes a current source IST and a bipolar transistor TRT to which a current from the current source IST is supplied to a collector. The bipolar transistor TRT has a diode connection to which the base of the bipolar transistor TRT is connected, and a temperature detection voltage VTD having temperature characteristics is output to the collector node of the bipolar transistor TRT. The temperature characteristic of the temperature detection voltage VTD is caused by the temperature dependence of the base-emitter voltage of the bipolar transistor TRT. As shown in FIG. 30, the temperature detection voltage VTD has a negative temperature characteristic (a first-order temperature characteristic having a negative gradient).

図29に温度センサー部10の第2の構成例を示す。図29では、図28の電流源ISTが抵抗RTにより実現される。そして抵抗RTの一端は電源電圧のノードに接続され、他端はバイポーラートランジスターTRT1のコレクターに接続される。またバイポーラートランジスターTRT1のエミッターは、バイポーラートランジスターTRT2のコレクターに接続される。そしてバイポーラートランジスターTRT1、TRT2は共にダイオード接続されており、バイポーラートランジスターTRT1のコレクターのノードに出力される電圧VTSQは、図30のように負の温度特性(負の勾配を有する1次の温度特性)を有している。   FIG. 29 shows a second configuration example of the temperature sensor unit 10. In FIG. 29, the current source IST of FIG. 28 is realized by the resistor RT. One end of the resistor RT is connected to the node of the power supply voltage, and the other end is connected to the collector of the bipolar transistor TRT1. The emitter of the bipolar transistor TRT1 is connected to the collector of the bipolar transistor TRT2. The bipolar transistors TRT1 and TRT2 are both diode-connected, and the voltage VTSQ output to the collector node of the bipolar transistor TRT1 has a negative temperature characteristic (first-order temperature having a negative gradient) as shown in FIG. Characteristic).

また図29の温度センサー部10では、オペアンプOPDと抵抗RD1、RD2が更に設けられている。オペアンプOPDの非反転入力端子には、電圧VTSQが入力され、反転入力端子には、抵抗RD1の一端及び抵抗RD2の一端が接続される。そして抵抗RD1の他端には基準温度電圧VTA0が供給され、抵抗RD2の他端はオペアンプOPDの出力端子に接続される。   In the temperature sensor unit 10 of FIG. 29, an operational amplifier OPD and resistors RD1 and RD2 are further provided. The voltage VTSQ is input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier OPD, and one end of the resistor RD1 and one end of the resistor RD2 are connected to the inverting input terminal. The reference temperature voltage VTA0 is supplied to the other end of the resistor RD1, and the other end of the resistor RD2 is connected to the output terminal of the operational amplifier OPD.

このようなオペアンプOPD及び抵抗RD1、RD2により、基準温度電圧VAT0を基準として電圧VTSQを正転増幅する増幅アンプが構成される。これにより、温度検出電圧VTD=VAT0+(1+RD2/RD1)×(VTSQ−VAT0)が、温度センサー部10から出力されるようになる。そして基準温度電圧VAT0を調整することにより、基準温度T0の調整が可能になる。   The operational amplifier OPD and the resistors RD1 and RD2 constitute an amplification amplifier that forwardly amplifies the voltage VTSQ with reference to the reference temperature voltage VAT0. As a result, the temperature detection voltage VTD = VAT0 + (1 + RD2 / RD1) × (VTSQ−VAT0) is output from the temperature sensor unit 10. The reference temperature T0 can be adjusted by adjusting the reference temperature voltage VAT0.

図31に発振回路150の構成例を示す。この発振回路150は、電流源IBX、バイポーラートランジスターTRX、抵抗RX、可変容量キャパシターCX1、キャパシターCX2、CX3を有する。   FIG. 31 shows a configuration example of the oscillation circuit 150. The oscillation circuit 150 includes a current source IBX, a bipolar transistor TRX, a resistor RX, a variable capacitor CX1, and capacitors CX2 and CX3.

電流源IBXは、バイポーラートランジスターTRXのコレクターにバイアス電流を供給する。抵抗RXは、バイポーラートランジスターTRXのコレクターとベースの間に設けられる。   The current source IBX supplies a bias current to the collector of the bipolar transistor TRX. The resistor RX is provided between the collector and base of the bipolar transistor TRX.

容量が可変である可変容量キャパシターCX1の一端は、振動子XTALの一端に接続される。具体的には、可変容量キャパシターCX1の一端は、回路装置の第1の振動子用端子(振動子用パッド)を介して振動子XTALの一端に接続される。キャパシターCX2の一端は、振動子XTALの他端に接続される。具体的には、キャパシターCX2の一端は、回路装置の第2の振動子用端子(振動子用パッド)を介して振動子XTALの他端に接続される。キャパシターCX3は、その一端が振動子XTALの一端に接続され、その他端がバイポーラートランジスターTRXのコレクターに接続される。   One end of the variable capacitor CX1 having a variable capacitance is connected to one end of the vibrator XTAL. Specifically, one end of the variable capacitor CX1 is connected to one end of the vibrator XTAL via the first vibrator terminal (vibrator pad) of the circuit device. One end of the capacitor CX2 is connected to the other end of the vibrator XTAL. Specifically, one end of the capacitor CX2 is connected to the other end of the vibrator XTAL via a second vibrator terminal (vibrator pad) of the circuit device. One end of the capacitor CX3 is connected to one end of the vibrator XTAL, and the other end is connected to the collector of the bipolar transistor TRX.

バイポーラートランジスターTRXには、振動子XTALの発振により生じたベース・エミッター間電流が流れる。そしてベース・エミッター間電流が増加すると、バイポーラートランジスターTRXのコレクター・エミッター間電流が増加し、電流源IBXから抵抗RXに分岐するバイアス電流が減少するので、コレクター電圧VCXが低下する。一方、バイポーラートランジスターTRXのベース・エミッター間電流が減少すると、コレクター・エミッター間電流が減少し、電流源IBXから抵抗RXに分岐するバイアス電流が増加するので、コレクター電圧VCXが上昇する。このコレクター電圧VCXはキャパシターCX3を介して振動子XTALにフィードバックされる。   A current between the base and the emitter generated by the oscillation of the vibrator XTAL flows through the bipolar transistor TRX. When the base-emitter current increases, the collector-emitter current of the bipolar transistor TRX increases, and the bias current branched from the current source IBX to the resistor RX decreases, so the collector voltage VCX decreases. On the other hand, when the base-emitter current of the bipolar transistor TRX decreases, the collector-emitter current decreases and the bias current branching from the current source IBX to the resistor RX increases, so that the collector voltage VCX increases. The collector voltage VCX is fed back to the vibrator XTAL via the capacitor CX3.

振動子XTALの発振周波数は温度特性(例えば図6の温度特性)を有しており、この温度特性は、D/A変換部80の出力電圧VQ(周波数制御電圧)により補償される。即ち、出力電圧VQは可変容量キャパシターCX1に入力され、出力電圧VQにより可変容量キャパシターCX1の容量値が制御される。可変容量キャパシターCX1の容量値が変化すると、発振ループの共振周波数が変化するので、振動子XTALの温度特性による発振周波数の変動が補償される。可変容量キャパシターCX1は、例えば可変容量ダイオード(バラクター)などにより実現される。   The oscillation frequency of the vibrator XTAL has a temperature characteristic (for example, the temperature characteristic of FIG. 6), and this temperature characteristic is compensated by the output voltage VQ (frequency control voltage) of the D / A converter 80. That is, the output voltage VQ is input to the variable capacitor CX1, and the capacitance value of the variable capacitor CX1 is controlled by the output voltage VQ. When the capacitance value of the variable capacitor CX1 changes, the resonance frequency of the oscillation loop changes, so that the fluctuation of the oscillation frequency due to the temperature characteristics of the vibrator XTAL is compensated. The variable capacitor CX1 is realized by, for example, a variable capacitor diode (varactor).

なお、本実施形態の発振回路150は、図31の構成に限定されず、種々の変形実施が可能である。例えば図31ではCX1を可変容量キャパシターとする場合を例に説明したが、CX2又はCX3を、出力電圧VQで制御される可変容量キャパシターとしてもよい。また、CX1〜CX3のうち複数を、VQで制御される可変容量キャパシターとしてもよい。   Note that the oscillation circuit 150 of the present embodiment is not limited to the configuration of FIG. 31, and various modifications can be made. For example, FIG. 31 illustrates the case where CX1 is a variable capacitor, but CX2 or CX3 may be a variable capacitor controlled by the output voltage VQ. A plurality of CX1 to CX3 may be variable capacitors controlled by VQ.

5.変形例
次に本実施形態の種々の変形例について説明する。例えば、以上では、図21、図22に示すように処理部50がk×LSB単位で変化する周波数制御データDDSを出力することで、図11〜図13の本実施形態の手法を実現する場合を説明したが、本実施形態はこれに限定されない。
5. Modified Examples Next, various modified examples of the present embodiment will be described. For example, in the above, when the processing unit 50 outputs the frequency control data DDS that changes in units of k × LSB as shown in FIGS. 21 and 22, the method of the present embodiment of FIGS. 11 to 13 is realized. However, the present embodiment is not limited to this.

図32の変形例では、D/A変換器DACC、DACDの後段に、SCF(スイッチドキャパシターフィルター)で構成されるフィルター回路130が設けられている。例えば8ビットのD/A変換器DACCは、タイミングnのデータD(n)に基づいて電圧DA1を出力する。また8ビットのD/A変換器DACDは、次のタイミングn+1のデータD(n+1)に基づいて電圧DA2を出力する。   In the modification of FIG. 32, a filter circuit 130 composed of an SCF (switched capacitor filter) is provided after the D / A converters DACC and DACD. For example, the 8-bit D / A converter DACC outputs the voltage DA1 based on the data D (n) at the timing n. The 8-bit D / A converter DACD outputs the voltage DA2 based on the data D (n + 1) at the next timing n + 1.

フィルター回路130のSCFのクロック周波数fckとした場合に、キャパシターCS1、スイッチ素子SS1、SS2で構成される回路により、RG=1/(CS1×fck)の抵抗が実現される。キャパシターCS2、スイッチ素子SS3、SS4で構成される回路により、RF=1/(CS2×fck)の抵抗が実現される。   When the clock frequency fck of the SCF of the filter circuit 130 is set, a resistor of RG = 1 / (CS1 × fck) is realized by a circuit including the capacitor CS1 and the switch elements SS1 and SS2. A circuit composed of the capacitor CS2 and the switch elements SS3 and SS4 realizes a resistance of RF = 1 / (CS2 × fck).

また、このフィルター回路130の時定数τは下式(12)のように表される。   Further, the time constant τ of the filter circuit 130 is expressed as the following expression (12).

τ=RF×CS3=(CS3/CS2)×(1/fck) (12)
例えばCS3=5pF、CS2=0.1pF、fck=5KHzにすることで、τ=10msecを実現できる。このように時定数τを十分に長くすることで、図34に示すように、電圧DA1から電圧DA2へと時定数τでゆっくりと変化する出力電圧VQを実現できる。
τ = RF × CS3 = (CS3 / CS2) × (1 / fck) (12)
For example, by setting CS3 = 5 pF, CS2 = 0.1 pF, and fck = 5 KHz, τ = 10 msec can be realized. By making the time constant τ sufficiently long in this way, an output voltage VQ that slowly changes from the voltage DA1 to the voltage DA2 with the time constant τ can be realized as shown in FIG.

例えば図33に示すように、図8で説明した期間TP(例えば20msec)を横軸とし、許容周波数ドリフトFD(例えば数ppb程度)を縦軸とした場合の傾斜をSL1=FD/TPとする。この場合に、この傾斜SL1に比べて、図34の時定数τで実現される傾斜SL2を小さくすることで、図11〜図13の本実施形態の手法を実現可能である。即ち、期間TPと許容周波数ドリフトFDで規定される傾斜SL1を作れないほど強力なローパスフィルター特性を有するフィルター回路130を、D/A変換器DACC、DACDの後段に設ける。これにより、図11のC2に示すように、D/A変換部80の出力電圧VQが1LSBの電圧のステップ幅で変化する電圧波形と同等の電圧波形を実現できるようになり、周波数ホッピングの問題の解決が可能となる。   For example, as shown in FIG. 33, the slope when the horizontal axis is the period TP (for example, 20 msec) described in FIG. 8 and the vertical axis is the allowable frequency drift FD (for example, about several ppb) is SL1 = FD / TP. . In this case, the method of the present embodiment shown in FIGS. 11 to 13 can be realized by making the slope SL2 realized by the time constant τ of FIG. 34 smaller than the slope SL1. That is, a filter circuit 130 having a low-pass filter characteristic that is so strong that the slope SL1 defined by the period TP and the allowable frequency drift FD cannot be formed is provided at the subsequent stage of the D / A converters DACC and DACD. As a result, as shown by C2 in FIG. 11, the voltage waveform equivalent to the voltage waveform in which the output voltage VQ of the D / A converter 80 changes with the step width of the voltage of 1LSB can be realized. Can be solved.

但し、フィルター回路130の時定数τが期間TPよりも長くなると、振動子XTALの温度特性の変動を、フィルター回路130の出力電圧VQで補正しきれなくなり、周波数が偏移する問題が生じる。   However, when the time constant τ of the filter circuit 130 becomes longer than the period TP, the variation in the temperature characteristic of the vibrator XTAL cannot be corrected by the output voltage VQ of the filter circuit 130, and the frequency shifts.

例えば図35は、時定数がτ=TP=20msecの場合での温度変化に対する周波数ドリフトを示す図である。図35に示すようにτ=TPに設定することで、周波数ホッピングの問題を解決可能である。一方、図36、図37は、各々、τ=22msec、40msecの場合での温度変化に対する周波数ドリフトを示す図である。このように図32の変形例では、時定数τが長くなると周波数ドリフトの特性が悪化してしまう問題が生じ、最適解を求めるのが困難であるという不利点がある。   For example, FIG. 35 is a diagram showing frequency drift with respect to temperature change when the time constant is τ = TP = 20 msec. As shown in FIG. 35, by setting τ = TP, the problem of frequency hopping can be solved. On the other hand, FIGS. 36 and 37 are diagrams showing frequency drifts with respect to temperature changes when τ = 22 msec and 40 msec, respectively. As described above, the modification of FIG. 32 has a disadvantage that the characteristic of frequency drift deteriorates when the time constant τ is long, and it is difficult to obtain an optimal solution.

図38はA/D変換部20の構成例である。図38に示すようにA/D変換部20は、処理部23、レジスター部24、D/A変換器DACE、DACF、比較部27を含む。また温度センサー部用アンプ28を含むことができる。処理部23、レジスター部24は、ロジック部22として設けられ、D/A変換器DACE、DACF、比較部27、温度センサー部用アンプ28は、アナログ部26として設けられる。   FIG. 38 is a configuration example of the A / D conversion unit 20. As shown in FIG. 38, the A / D conversion unit 20 includes a processing unit 23, a register unit 24, D / A converters DACE and DACF, and a comparison unit 27. A temperature sensor amplifier 28 may be included. The processing unit 23 and the register unit 24 are provided as the logic unit 22, and the D / A converters DACE and DACF, the comparison unit 27, and the temperature sensor unit amplifier 28 are provided as the analog unit 26.

レジスター部24は、A/D変換の途中結果や最終結果などの結果データを記憶する。このレジスター部24は、例えば逐次比較方式における逐次比較結果レジスターに相当する。D/A変換器DACE、DACFは、レジスター部24の結果データをD/A変換する。これらのDACE、DACFとしては図23、図24と同様の構成のD/A変換器を採用できる。比較部27は、D/A変換器DACE、DACFの出力電圧と、温度検出電圧VTD(温度センサー部用アンプ28による増幅後の電圧)との比較を行う。比較部27は例えばチョッパー型比較器などにより実現できる。処理部23は、比較部27の比較結果に基づいて判定処理を行い、レジスター部24の結果データの更新処理を行う。そして、当該更新処理により求められた最終的な温度検出データDTDが、温度検出電圧VTDのA/D変換結果として、A/D変換部20から出力される。このような構成により、例えば逐次比較方式のA/D変換や、逐次比較方式に類似する方式のA/D変換などを実現できる。そして図11〜図13で説明した本実施形態の手法は、図38のA/D変換部20の温度検出データDTDの出力態様などを工夫することでも実現可能である。   The register unit 24 stores result data such as an intermediate result or final result of A / D conversion. The register unit 24 corresponds to, for example, a successive approximation result register in the successive approximation method. The D / A converters DACE and DACF D / A convert the result data of the register unit 24. As these DACE and DACF, D / A converters having the same configurations as those shown in FIGS. 23 and 24 can be adopted. The comparison unit 27 compares the output voltage of the D / A converters DACE and DACF with the temperature detection voltage VTD (the voltage after amplification by the temperature sensor unit amplifier 28). The comparison unit 27 can be realized by a chopper type comparator, for example. The processing unit 23 performs determination processing based on the comparison result of the comparison unit 27 and performs update processing of the result data of the register unit 24. The final temperature detection data DTD obtained by the update process is output from the A / D conversion unit 20 as an A / D conversion result of the temperature detection voltage VTD. With such a configuration, for example, successive approximation A / D conversion, A / D conversion similar to the successive approximation, and the like can be realized. The method of the present embodiment described with reference to FIGS. 11 to 13 can also be realized by devising the output mode of the temperature detection data DTD of the A / D conversion unit 20 of FIG.

図39に本実施形態の変形例の回路装置の構成例を示す。   FIG. 39 shows a configuration example of a circuit device according to a modification of the present embodiment.

図39の回路装置は、温度センサー部10からの温度検出電圧VTDのA/D変換を行い、温度検出データDTDを出力するA/D変換部20と、温度検出データDTDに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、発振周波数の周波数制御データDDSを出力する処理部50と、発振信号生成回路140を含む。   The circuit device of FIG. 39 performs A / D conversion of the temperature detection voltage VTD from the temperature sensor unit 10 and outputs temperature detection data DTD, and the oscillation frequency based on the temperature detection data DTD. A processing unit 50 that performs temperature compensation processing and outputs frequency control data DDS of the oscillation frequency, and an oscillation signal generation circuit 140 are included.

そして処理部50は、第1の温度から第2の温度に温度が変化した場合に、第1の温度に対応する第1のデータから第2の温度に対応する第2のデータへと、k×LSB単位で変化する周波数制御データDDSを出力する。そして発振信号生成回路140は、処理部50からの周波数制御データDDSと振動子XTALを用いて、周波数制御データDDSにより設定される発振周波数の発振信号SSCを生成する。   Then, when the temperature changes from the first temperature to the second temperature, the processing unit 50 changes the first data corresponding to the first temperature to the second data corresponding to the second temperature. X Outputs frequency control data DDS that changes in units of LSB. The oscillation signal generation circuit 140 generates an oscillation signal SSC having an oscillation frequency set by the frequency control data DDS, using the frequency control data DDS from the processing unit 50 and the vibrator XTAL.

即ち図39では、図4、図5とは異なり、発振信号生成回路140にD/A変換部80が設けられていない。そして発振信号生成回路140により生成される発振信号SSCの発振周波数が、処理部50からの周波数制御データDDSに基づいて、直接に制御される。即ちD/A変換部を介さずに発振信号SSCの発振周波数が制御される。   That is, in FIG. 39, unlike FIGS. 4 and 5, the oscillation signal generation circuit 140 is not provided with the D / A converter 80. Then, the oscillation frequency of the oscillation signal SSC generated by the oscillation signal generation circuit 140 is directly controlled based on the frequency control data DDS from the processing unit 50. That is, the oscillation frequency of the oscillation signal SSC is controlled without going through the D / A converter.

例えば図39では、発振信号生成回路140が、可変容量回路142と発振回路150を有する。この発振信号生成回路140には図4、図5のD/A変換部80は設けられていない。そして図31の可変容量キャパシターCX1の代わりに、この可変容量回路142が設けられ、可変容量回路142の一端が振動子XTALの一端に接続される。   For example, in FIG. 39, the oscillation signal generation circuit 140 includes a variable capacitance circuit 142 and an oscillation circuit 150. The oscillation signal generation circuit 140 is not provided with the D / A converter 80 shown in FIGS. In addition, the variable capacitance circuit 142 is provided instead of the variable capacitance capacitor CX1 of FIG. 31, and one end of the variable capacitance circuit 142 is connected to one end of the vibrator XTAL.

この可変容量回路142は、処理部50からの周波数制御データDDSに基づいて、その容量値が制御される。例えば可変容量回路142は、複数のキャパシター(キャパシターアレイ)と、周波数制御データDDSに基づき各スイッチ素子のオン、オフが制御される複数のスイッチ素子(スイッチアレイ)を有する。これらの複数のスイッチ素子の各スイッチ素子は、複数のキャパシターの各キャパシターに電気的に接続される。そして、これらの複数のスイッチ素子がオン又はオフされることで、複数のキャパシターのうち、振動子XTALの一端に、その一端が接続されるキャパシターの個数が変化する。これにより、可変容量回路142の容量値が制御されて、振動子XTALの一端の容量値が変化する。従って、周波数制御データDDSにより、可変容量回路142の容量値が直接に制御されて、発振信号SSCの発振周波数を制御できるようになる。   The variable capacitance circuit 142 has its capacitance value controlled based on the frequency control data DDS from the processing unit 50. For example, the variable capacitance circuit 142 includes a plurality of capacitors (capacitor array) and a plurality of switch elements (switch array) whose on / off of each switch element is controlled based on the frequency control data DDS. Each switch element of the plurality of switch elements is electrically connected to each capacitor of the plurality of capacitors. Then, by turning on or off the plurality of switch elements, the number of capacitors connected to one end of the transducer XTAL among the plurality of capacitors is changed. Thereby, the capacitance value of the variable capacitance circuit 142 is controlled, and the capacitance value of one end of the vibrator XTAL changes. Accordingly, the capacitance value of the variable capacitance circuit 142 is directly controlled by the frequency control data DDS, and the oscillation frequency of the oscillation signal SSC can be controlled.

このように、図21、図22のようにk×LSB単位で周波数制御データDDSを変化させる本実施形態の手法は、図39のように発振信号生成回路140にD/A変換部80を設けない構成においても実現可能である。そして、k×LSB単位で周波数制御データDDSを変化させることで、図11〜図13で説明した本実施形態の手法と同様の効果を実現することが可能となり、図3の周波数ホッピングの発生を抑制して、周波数ホッピングを原因とする通信エラー等の発生を防止できるようになる。なお図39の構成においても、発振信号SSCをダイレクト・デジタル・シンセサイザー方式で生成することが可能である。   As described above, in the method of this embodiment in which the frequency control data DDS is changed in units of k × LSB as shown in FIGS. 21 and 22, the D / A converter 80 is provided in the oscillation signal generation circuit 140 as shown in FIG. It can be realized even in a configuration that does not. Then, by changing the frequency control data DDS in units of k × LSB, it is possible to achieve the same effect as the method of the present embodiment described with reference to FIGS. 11 to 13, and the occurrence of frequency hopping in FIG. It is possible to suppress the occurrence of communication errors caused by frequency hopping. Also in the configuration of FIG. 39, the oscillation signal SSC can be generated by the direct digital synthesizer method.

また図39の回路装置の構成等において、本実施形態の手法では、図12、図13で説明した式(1)に対応する式として、例えば下式(13)を採用できる。   39, for example, the following equation (13) can be adopted as the equation corresponding to the equation (1) described with reference to FIGS. 12 and 13 in the method of the present embodiment.

DV<(FD/FR)×DFS (13)
即ち、前述したように、発振信号生成回路140による発振周波数の周波数可変範囲をFRし、所定期間(TP)内における発振周波数の許容周波数ドリフトをFDとする。また周波数制御データDDSのフルスケール値をDFSとする。例えば周波数制御データDDSのビット数をiとした場合に、フルスケール値DFSは、例えば2(0〜2)と表すことができる。但しフルスケール値DFSはこれに限定されるものではない。また処理部50の周波数制御データDDSの出力間隔での、周波数制御データDDSの変化値をDVとする。この出力間隔は図11のTDACに相当する。例えば図21、図22では、当該出力間隔毎に、周波数制御データDDSがk×LSB単位で変化している。そして、この場合に本実施形態では上式(13)に示すように、DV<(FD/FR)×DFSが成り立つ。
DV <(FD / FR) × DFS (13)
That is, as described above, the frequency variable range of the oscillation frequency by the oscillation signal generation circuit 140 is FR, and the allowable frequency drift of the oscillation frequency within a predetermined period (TP) is FD. Further, the full scale value of the frequency control data DDS is assumed to be DFS. For example, when the number of bits of the frequency control data DDS is i, the full scale value DFS can be expressed as 2 i (0 to 2 i ), for example. However, the full scale value DFS is not limited to this. Further, a change value of the frequency control data DDS at the output interval of the frequency control data DDS of the processing unit 50 is assumed to be DV. This output interval corresponds to the TDAC in FIG. For example, in FIG. 21 and FIG. 22, the frequency control data DDS changes in units of k × LSB for each output interval. In this case, in this embodiment, DV <(FD / FR) × DFS holds as shown in the above equation (13).

例えば処理部50が、フルスケール値DFSの範囲で、周波数制御データDDSを変化させて、図13に示すような周波数可変範囲FRにおいて、発振信号生成回路140の発振周波数を調整することで、図6、図7で説明した発振周波数の温度補償処理が実現される。   For example, the processing unit 50 changes the frequency control data DDS in the range of the full-scale value DFS and adjusts the oscillation frequency of the oscillation signal generation circuit 140 in the frequency variable range FR as shown in FIG. 6. The temperature compensation process of the oscillation frequency described in FIG. 7 is realized.

ところが、周波数制御データDDSの出力間隔(TDAC)での変化値DVが大きくなって、例えばDV≧(FD/FR)×DFSになってしまうと、発振周波数の周波数ドリフトが、許容周波数ドリフトFDを超えてしまい、図14に示すような周波数ホッピングが発生してしまう。   However, when the change value DV in the output interval (TDAC) of the frequency control data DDS becomes large, for example, DV ≧ (FD / FR) × DFS, the frequency drift of the oscillation frequency becomes the allowable frequency drift FD. The frequency hopping as shown in FIG. 14 occurs.

これに対して本実施形態では、DV<(FD/FR)×DFSの関係が成り立つような小さな変化値DVで、周波数制御データDDSを変化させているため、図14のような周波数ホッピングの発生を抑制できるようになる。例えば図21、図22に示すように、k×LSB単位で周波数制御データDDSを変化させることで、周波数ホッピングの発生を抑制できるようになる。   On the other hand, in the present embodiment, since the frequency control data DDS is changed with a small change value DV that satisfies the relationship DV <(FD / FR) × DFS, the occurrence of frequency hopping as shown in FIG. Can be suppressed. For example, as shown in FIGS. 21 and 22, occurrence of frequency hopping can be suppressed by changing the frequency control data DDS in units of k × LSB.

また上式(13)においても、上式(2)と同様に下式(14)が成立することが望ましい。   Also in the above equation (13), it is desirable that the following equation (14) holds as in the above equation (2).

1/2<(FD/FR) (14)
この場合に上式(14)のiは、周波数制御データDDSのビット数である。処理部50が、1/2<(FD/FR)が成り立つような高いビット数=iの周波数制御データDDSを出力することで、周波数ホッピングの発生を抑制できるようになる。
1/2 i <(FD / FR) (14)
In this case, i in the above equation (14) is the number of bits of the frequency control data DDS. The processing unit 50 outputs the frequency control data DDS with a high number of bits = i such that 1/2 i <(FD / FR) is satisfied, so that occurrence of frequency hopping can be suppressed.

例えば上式(14)の両辺に対して、周波数制御データDDSのフルスケール値DFSを乗算すると、下式(15)になる。   For example, when both sides of the above equation (14) are multiplied by the full scale value DFS of the frequency control data DDS, the following equation (15) is obtained.

DFS×1/2<(FD/FR)×DFS (15)
上式(15)の左辺であるDFS×1/2は、周波数制御データDDSの1LSBに相当する。上式(14)、(15)は、この1LSBに相当するDFS×1/2を、(FD/FR)×DFSよりも小さくすることを意味する。このようにDFS×1/2<(FD/FR)×DFSとすれば、図21、図22のように周波数制御データDDSを1LSB単位で変化させた場合に、発振周波数の周波数ドリフトが、許容周波数ドリフトFDを超えないようになり、周波数ホッピングの発生を抑制できるようになる。
DFS × 1/2 i <(FD / FR) × DFS (15)
DFS × 1/2 i that is the left side of the above equation (15) corresponds to 1 LSB of the frequency control data DDS. The above expressions (14) and (15) mean that DFS × 1/2 i corresponding to 1LSB is made smaller than (FD / FR) × DFS. Thus, if DFS × 1/2 i <(FD / FR) × DFS, the frequency drift of the oscillation frequency when the frequency control data DDS is changed in units of 1 LSB as shown in FIGS. The allowable frequency drift FD is not exceeded, and the occurrence of frequency hopping can be suppressed.

6.発振器、電子機器、移動体
図40に、本実施形態の回路装置500を含む発振器400の構成例を示す。図40に示すように、発振器400は、振動子420と回路装置500を含む。振動子420と回路装置500は、発振器400のパッケージ410内に実装される。そして振動子420の端子と、回路装置500(IC)の端子(パッド)は、パッケージ410の内部配線により電気的に接続される。
6). Oscillator, Electronic Device, Mobile Object FIG. 40 shows a configuration example of an oscillator 400 including the circuit device 500 of the present embodiment. As shown in FIG. 40, the oscillator 400 includes a vibrator 420 and a circuit device 500. The vibrator 420 and the circuit device 500 are mounted in the package 410 of the oscillator 400. The terminals of the vibrator 420 and the terminals (pads) of the circuit device 500 (IC) are electrically connected by the internal wiring of the package 410.

図41に、本実施形態の回路装置500を含む電子機器の構成例を示す。この電子機器は、本実施形態の回路装置500、水晶振動子等の振動子420、アンテナATN、通信部510、処理部520を含む。また操作部530、表示部540、記憶部550を含むことができる。振動子420と回路装置500により発振器400が構成される。なお電子機器は図41の構成に限定されず、これらの一部の構成要素を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。   In FIG. 41, the structural example of the electronic device containing the circuit apparatus 500 of this embodiment is shown. The electronic apparatus includes a circuit device 500 according to the present embodiment, a vibrator 420 such as a crystal vibrator, an antenna ATN, a communication unit 510, and a processing unit 520. An operation unit 530, a display unit 540, and a storage unit 550 can be included. An oscillator 400 is configured by the vibrator 420 and the circuit device 500. Note that the electronic apparatus is not limited to the configuration shown in FIG. 41, and various modifications such as omitting some of these components or adding other components are possible.

図41の電子機器としては、例えばGPS内蔵時計、生体情報測定機器(脈波計、歩数計等)又は頭部装着型表示装置等のウェアラブル機器や、スマートフォン、携帯電話機、携帯型ゲーム装置、ノートPC又はタブレットPC等の携帯情報端末(移動端末)や、コンテンツを配信するコンテンツ提供端末や、デジタルカメラ又はビデオカメラ等の映像機器や、或いは基地局又はルーター等のネットワーク関連機器などの種々の機器を想定できる。   41, for example, wearable devices such as a GPS built-in clock, a biological information measuring device (pulse meter, pedometer, etc.) or a head-mounted display device, a smartphone, a mobile phone, a portable game device, a notebook Various devices such as personal digital assistants (mobile terminals) such as PCs or tablet PCs, content providing terminals for distributing content, video equipment such as digital cameras or video cameras, or network-related equipment such as base stations or routers Can be assumed.

通信部510(無線回路)は、アンテナATNを介して外部からデータを受信したり、外部にデータを送信する処理を行う。処理部520は、電子機器の制御処理や、通信部510を介して送受信されるデータの種々のデジタル処理などを行う。この処理部520の機能は、例えばマイクロコンピューターなどのプロセッサーにより実現できる。   The communication unit 510 (wireless circuit) performs processing of receiving data from the outside via the antenna ATN and transmitting data to the outside. The processing unit 520 performs electronic device control processing, various digital processing of data transmitted and received via the communication unit 510, and the like. The function of the processing unit 520 can be realized by a processor such as a microcomputer.

操作部530は、ユーザーが入力操作を行うためのものであり、操作ボタンやタッチパネルディスプレイをなどにより実現できる。表示部540は、各種の情報を表示するものであり、液晶や有機ELなどのディスプレイにより実現できる。なお操作部530としてタッチパネルディスプレイを用いる場合には、このタッチパネルディスプレイが操作部530及び表示部540の機能を兼ねることになる。記憶部550は、データを記憶するものであり、その機能はRAMやROMなどの半導体メモリーやHDD(ハードディスクドライブ)などにより実現できる。   The operation unit 530 is for a user to perform an input operation, and can be realized by an operation button, a touch panel display, or the like. The display unit 540 displays various types of information and can be realized by a display such as a liquid crystal or an organic EL. When a touch panel display is used as the operation unit 530, the touch panel display also functions as the operation unit 530 and the display unit 540. The storage unit 550 stores data, and the function can be realized by a semiconductor memory such as a RAM or a ROM, an HDD (hard disk drive), or the like.

図42に、本実施形態の回路装置を含む移動体の例を示す。本実施形態の回路装置(発振器)は、例えば、車、飛行機、バイク、自転車、或いは船舶等の種々の移動体に組み込むことができる。移動体は、例えばエンジンやモーター等の駆動機構、ハンドルや舵等の操舵機構、各種の電子機器(車載機器)を備えて、地上や空や海上を移動する機器・装置である。図42は移動体の具体例としての自動車206を概略的に示している。自動車206には、本実施形態の回路装置と振動子を有する発振器(不図示)が組み込まれる。制御装置208は、この発振器により生成されたクロック信号により動作する。制御装置208は、例えば車体207の姿勢に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪209のブレーキを制御する。例えば制御装置208により、自動車206の自動運転を実現してもよい。なお本実施形態の回路装置や発振器が組み込まれる機器は、このような制御装置208には限定されず、自動車206等の移動体に設けられる種々の機器(車載機器)に組み込むことが可能である。   FIG. 42 shows an example of a moving object including the circuit device of this embodiment. The circuit device (oscillator) of this embodiment can be incorporated into various moving bodies such as a car, an airplane, a motorcycle, a bicycle, or a ship. The moving body is, for example, a device / device that moves on the ground, in the sky, or on the sea, including a drive mechanism such as an engine or motor, a steering mechanism such as a steering wheel or rudder, and various electronic devices (on-vehicle devices). FIG. 42 schematically shows an automobile 206 as a specific example of the moving object. The automobile 206 incorporates the circuit device of this embodiment and an oscillator (not shown) having a vibrator. The control device 208 is operated by a clock signal generated by this oscillator. The control device 208 controls the hardness of the suspension, for example, according to the posture of the vehicle body 207, and controls the brakes of the individual wheels 209. For example, automatic driving of the automobile 206 may be realized by the control device 208. The device in which the circuit device and the oscillator of this embodiment are incorporated is not limited to such a control device 208, and can be incorporated in various devices (on-vehicle devices) provided in a moving body such as the automobile 206. .

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また回路装置、発振器、電子機器、移動体の構成・動作や、D/A変換手法、周波数制御データの処理手法、処理部の周波数制御データの出力手法、D/A変換部の電圧の出力手法、振動子の周波数制御手法等も本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。   Although the present embodiment has been described in detail as described above, it will be easily understood by those skilled in the art that many modifications can be made without departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention. For example, a term described at least once together with a different term having a broader meaning or the same meaning in the specification or the drawings can be replaced with the different term in any part of the specification or the drawings. All combinations of the present embodiment and the modified examples are also included in the scope of the present invention. Also, the configuration and operation of circuit devices, oscillators, electronic devices, moving objects, D / A conversion techniques, frequency control data processing techniques, processing section frequency control data output techniques, D / A conversion section voltage output techniques The frequency control method of the vibrator is not limited to that described in the present embodiment, and various modifications can be made.

XTAL…振動子、DACA〜DACF…D/A変換器、
OPA〜OPD、OPS…オペアンプ、CX1〜CX3…キャパシター、
VTD…温度検出電圧、DTD…温度検出データ、DDS…周波数制御データ、
VQ…出力電圧(周波数制御電圧)、SSC…発振信号、
T1、T2…第1、第2の温度、DTD1、DTD2…第1、第2の温度検出データ、
VC1、VC2…第1、第2の制御電圧、VDF…差分電圧、VA…電圧幅、
TAD、TDAC…期間、TP…所定期間、FD…許容周波数ドリフト、
FR…周波数可変範囲、VFS…フルスケール電圧、
DAT1、DAT2…第1、第2のデータ、
10…温度センサー部、20…A/D変換部、22…ロジック部、23…処理部、
24…レジスター部、26…アナログ部、27…比較部、
28…温度センサー部用アンプ、50…処理部、52…制御部、53…判定部、
54、55…比較部、58…乗算器、59…加算器、60…演算部、
61、62…型変換部、63…マルチプレクサー、64…演算器、
65…マルチプレクサー、66、67…ワークレジスター、68…型変換部、
69…ワークレジスター、70…出力部、71…マルチプレクサー、
72…出力レジスター、73…LSB加算器、74…LSB減算器、
80…D/A変換部、90…変調回路、100…D/A変換器、
104、106…デコーダー、120…フィルター回路、130…フィルター回路、
140…発振信号生成回路、142…可変容量回路、150…発振回路、
160…バッファー回路、180…メモリー部、190…ROM、
206…自動車、207…車体、208…制御装置、209…車輪、
400…発振器、410 パッケージ、420…振動子、500…回路装置、
510…通信部、520…処理部、530…操作部、540…表示部、550…記憶部
XTAL ... vibrator, DACA to DACF ... D / A converter,
OPA-OPD, OPS ... operational amplifier, CX1-CX3 ... capacitor,
VTD ... temperature detection voltage, DTD ... temperature detection data, DDS ... frequency control data,
VQ: output voltage (frequency control voltage), SSC: oscillation signal,
T1, T2 ... first and second temperatures, DTD1, DTD2 ... first and second temperature detection data,
VC1, VC2 ... first and second control voltages, VDF ... differential voltage, VA ... voltage width,
TAD, TDAC ... period, TP ... predetermined period, FD ... allowable frequency drift,
FR: frequency variable range, VFS: full scale voltage,
DAT1, DAT2, ... 1st and 2nd data,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Temperature sensor part, 20 ... A / D conversion part, 22 ... Logic part, 23 ... Processing part,
24 ... register part, 26 ... analog part, 27 ... comparison part,
28 ... Temperature sensor unit amplifier, 50 ... Processing unit, 52 ... Control unit, 53 ... Determination unit,
54, 55 ... comparison unit, 58 ... multiplier, 59 ... adder, 60 ... calculation unit,
61, 62 ... type conversion unit, 63 ... multiplexer, 64 ... arithmetic unit,
65: Multiplexer, 66, 67 ... Work register, 68 ... Type converter,
69 ... Work register, 70 ... Output unit, 71 ... Multiplexer,
72 ... Output register, 73 ... LSB adder, 74 ... LSB subtractor,
80 ... D / A converter, 90 ... modulation circuit, 100 ... D / A converter,
104, 106 ... Decoder, 120 ... Filter circuit, 130 ... Filter circuit,
140 ... oscillation signal generation circuit, 142 ... variable capacitance circuit, 150 ... oscillation circuit,
160 ... buffer circuit, 180 ... memory unit, 190 ... ROM,
206 ... Automobile, 207 ... Car body, 208 ... Control device, 209 ... Wheel,
400: oscillator, 410 package, 420 ... vibrator, 500 ... circuit device,
510: Communication unit, 520 ... Processing unit, 530 ... Operation unit, 540 ... Display unit, 550 ... Storage unit

Claims (16)

温度センサー部からの温度検出電圧のA/D変換を行い、温度検出データを出力するA/D変換部と、
前記温度検出データに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、前記発振周波数の周波数制御データを出力する処理部と、
前記処理部からの前記周波数制御データと振動子を用いて、前記周波数制御データにより設定される前記発振周波数の発振信号を生成する発振信号生成回路と、
を含み、
前記発振信号生成回路による前記発振周波数の周波数可変範囲をFRとし、所定期間内における前記発振周波数の許容周波数ドリフトをFDとし、前記周波数制御データのフルスケール値をDFSとし、前記処理部の前記周波数制御データの出力間隔での、前記周波数制御データの変化値をDVとした場合に、DV<(FD/FR)×DFSであることを特徴とする回路装置。
An A / D converter that performs A / D conversion of the temperature detection voltage from the temperature sensor unit and outputs temperature detection data;
A processing unit that performs temperature compensation processing of the oscillation frequency based on the temperature detection data and outputs frequency control data of the oscillation frequency;
An oscillation signal generation circuit that generates an oscillation signal of the oscillation frequency set by the frequency control data using the frequency control data and the vibrator from the processing unit;
Including
The frequency variable range of the oscillation frequency by the oscillation signal generation circuit is FR, the allowable frequency drift of the oscillation frequency within a predetermined period is FD, the full-scale value of the frequency control data is DFS, and the frequency of the processing unit A circuit device characterized in that DV <(FD / FR) × DFS, where DV is a change value of the frequency control data at an output interval of control data.
請求項1に記載の回路装置において、
前記処理部の前記周波数制御データの出力周波数をfsとし、前記周波数制御データの変化値DVでの変化による前記発振周波数の変化をΔfとした場合に、Δf/fs<1/10であることを特徴とする回路装置。
The circuit device according to claim 1,
When the output frequency of the frequency control data of the processing unit is fs and the change in the oscillation frequency due to the change in the change value DV of the frequency control data is Δf, Δf / fs <1/10 6 A circuit device characterized by the above.
請求項2に記載の回路装置において、
fs≧1kHzの場合は、Δf/fs<1/10であり、
fs<1kHzの場合は、Δf<1mHzであることを特徴とする回路装置。
The circuit device according to claim 2,
In the case of fs ≧ 1 kHz, Δf / fs <1/10 6
In the case of fs <1 kHz, Δf <1 mHz.
請求項1に記載の回路装置において、
前記処理部の前記周波数制御データの出力周波数をfsとし、前記周波数制御データの変化値DVでの変化による前記発振周波数の変化をΔfとした場合に、
fs<1kHzの場合は、Δf<1mHzであることを特徴とする回路装置。
The circuit device according to claim 1,
When the output frequency of the frequency control data of the processing unit is fs, and the change of the oscillation frequency due to the change in the change value DV of the frequency control data is Δf,
In the case of fs <1 kHz, Δf <1 mHz.
請求項2乃至4のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記発振信号生成回路は、
前記処理部からの前記周波数制御データのD/A変換を行うD/A変換部と、
前記D/A変換部の出力電圧と前記振動子を用いて、前記発振信号を生成する発振回路と、
を含み、
fsは、前記D/A変換部のサンプリング周波数に対応し、
Δfは1回の前記D/A変換による前記発振周波数の変化量であることを特徴とする回路装置。
The circuit device according to any one of claims 2 to 4,
The oscillation signal generation circuit includes:
A D / A converter that performs D / A conversion of the frequency control data from the processor;
An oscillation circuit that generates the oscillation signal using the output voltage of the D / A converter and the vibrator;
Including
fs corresponds to the sampling frequency of the D / A converter,
Δf is a circuit device in which the oscillation frequency is changed by one D / A conversion.
請求項5に記載の回路装置において、
前記D/A変換部は、
前記周波数制御データのD/A変換を行うD/A変換器と、
前記D/A変換器の出力電圧を平滑化するフィルター回路と、
を含むことを特徴とする回路装置。
The circuit device according to claim 5,
The D / A converter is
A D / A converter for performing D / A conversion of the frequency control data;
A filter circuit for smoothing the output voltage of the D / A converter;
A circuit device comprising:
請求項5又は6に記載の回路装置において、
前記D/A変換部の分解能をiビットとした場合に、1/2<(FD/FR)であることを特徴とする回路装置。
The circuit device according to claim 5 or 6,
1/2 i <(FD / FR) where the resolution of the D / A converter is i bits.
請求項5乃至7のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記D/A変換部は、
前記処理部からi=(n+m)ビットの前記周波数制御データを受け、前記周波数制御データのmビットのデータに基づいて、前記周波数制御データのnビットのデータを変調する変調回路を含むことを特徴とする回路装置。
The circuit device according to any one of claims 5 to 7,
The D / A converter is
A modulation circuit that receives the frequency control data of i = (n + m) bits from the processing unit and modulates the n-bit data of the frequency control data based on the m-bit data of the frequency control data; A circuit device.
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記振動子は、水晶振動子であることを特徴とする回路装置。
The circuit device according to any one of claims 1 to 8,
The circuit device, wherein the vibrator is a crystal vibrator.
請求項9に記載の回路装置において、
前記水晶振動子は、
ATカット振動子、又はSCカット振動子、又はSAW共振子であることを特徴とする回路装置。
The circuit device according to claim 9, wherein
The crystal resonator is
A circuit device comprising an AT cut resonator, an SC cut resonator, or a SAW resonator.
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記処理部は、
第1の温度から第2の温度に温度が変化した場合に、前記第1の温度に対応する第1のデータから前記第2の温度に対応する第2のデータへと、k×LSB(k≧1)単位で変化する前記周波数制御データを出力することを特徴とする回路装置。
The circuit device according to any one of claims 1 to 10,
The processor is
When the temperature changes from the first temperature to the second temperature, from the first data corresponding to the first temperature to the second data corresponding to the second temperature, k × LSB (k ≧ 1) The circuit device that outputs the frequency control data that changes in units.
請求項11に記載の回路装置において、
前記処理部は、
前回の前記温度補償処理の演算結果データである前記第1のデータと、今回の前記温度補償処理の前記演算結果データである前記第2のデータを比較し、
前記第2のデータの方が前記第1のデータよりも大きい場合には、前記第1のデータに対して所定値を加算する処理を、加算結果データが前記第2のデータに達するまで行いながら、前記加算結果データを前記周波数制御データとして出力し、
前記第2のデータの方が前記第1のデータよりも小さい場合には、前記第1のデータから所定値を減算する処理を、減算結果データが前記第2のデータに達するまで行いながら、前記減算結果データを前記周波数制御データとして出力することを特徴とする回路装置。
The circuit device according to claim 11,
The processor is
Comparing the first data which is the calculation result data of the previous temperature compensation process and the second data which is the calculation result data of the current temperature compensation process;
When the second data is larger than the first data, a process of adding a predetermined value to the first data is performed until the addition result data reaches the second data. , Outputting the addition result data as the frequency control data,
When the second data is smaller than the first data, the process of subtracting a predetermined value from the first data is performed until the subtraction result data reaches the second data. A circuit device that outputs subtraction result data as the frequency control data.
請求項12に記載の回路装置において、
前記処理部は、
前記温度検出データに基づいて前記発振周波数の前記温度補償処理の演算を行い、前記温度補償処理の前記演算結果データを出力する演算部と、
前記演算部からの前記演算結果データを受け、前記周波数制御データを出力する出力部と、
を含み、
前記出力部は、
前記演算結果データが前記第1の温度に対応する前記第1のデータから前記第2の温度に対応する前記第2のデータに変化した場合に、k×LSB単位で前記第1のデータから前記第2のデータに変化する前記周波数制御データを出力することを特徴とする回路装置。
The circuit device according to claim 12, wherein
The processor is
An operation unit that performs the temperature compensation processing of the oscillation frequency based on the temperature detection data and outputs the operation result data of the temperature compensation processing;
An output unit that receives the calculation result data from the calculation unit and outputs the frequency control data;
Including
The output unit is
When the calculation result data changes from the first data corresponding to the first temperature to the second data corresponding to the second temperature, the first data is converted from the first data in units of k × LSB. A circuit device that outputs the frequency control data that changes to second data.
請求項1乃至13のいずれか一項に記載の回路装置と、
前記振動子と、
を含むことを特徴とする発振器。
A circuit device according to any one of claims 1 to 13,
The vibrator;
An oscillator comprising:
請求項1乃至13のいずれか一項に記載の回路装置を含むことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the circuit device according to claim 1. 請求項1乃至13のいずれか一項に記載の回路装置を含むことを特徴とする移動体。   A moving body comprising the circuit device according to claim 1.
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