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JP2017067463A - 圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 - Google Patents

圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 Download PDF

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JP2017067463A JP2015189318A JP2015189318A JP2017067463A JP 2017067463 A JP2017067463 A JP 2017067463A JP 2015189318 A JP2015189318 A JP 2015189318A JP 2015189318 A JP2015189318 A JP 2015189318A JP 2017067463 A JP2017067463 A JP 2017067463A
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Abstract

【課題】圧力センサー素子の向きによる検知結果のずれを小さくすることのできる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供する。
【解決手段】圧力センサー1は、キャビティ24を備えるパッケージ2と、キャビティ24内に配置される圧力センサー素子3と、圧力センサー素子3を覆う充填材5と、を有する。また、圧力センサー素子3は、受圧面3111aを有するダイアフラム3111と、空洞部34と、を有し、受圧面3111aの法線方向Zにおいて、圧力センサー素子3の下面3bを含む第1仮想面SF1と、上面3aを含む第2仮想面SF2との間に、充填材5の法線方向Zでの中点O1が位置する。
【選択図】図1

Description

本発明は、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体に関するものである。
従来から、圧力センサーとして、特許文献1に記載の構成が知られている。この特許文献1に記載の圧力センサーは、パッケージ(ケース)と、パッケージ内に配置された圧力センサー素子(センサチップ)と、パッケージ内に配置され、圧力センサー素子を覆う充填材と、を有する。このような圧力センサーでは、充填材を介して圧力センサー素子のダイアフラムに圧力が加わると、受けた圧力の大きさに応じてダイアフラムが撓み、この撓み量に基づいて、受けた圧力を検知するようになっている。
しかしながら、特許文献1の圧力センサーでは、充填材内で圧力センサー素子が偏って配置されているため、例えば、特許文献1の図2に示されているような上向き状態のときと、反対向きの下向き状態のときとでは、ダイアフラムに加わる充填材の重さ(自重)が異なってしまう。そのため、同じ圧力を受けていても、圧力センサーの向きによってダイアフラムの撓み量が変化してしまい、それに伴って検知される圧力の大きさも変化してしまう。このように、特許文献1の圧力センサーでは、向きによって検知される圧力値がずれしてしまい、優れた検知精度を発揮することができないという問題がある。
特開2008−8762号公報
本発明の目的は、圧力センサー素子の向きによる検知結果のずれを小さくすることのできる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の圧力センサーは、キャビティを備えるパッケージと、
前記キャビティ内に配置される圧力センサー素子と、
前記キャビティ内に配置され、前記圧力センサー素子を覆う充填材と、を有し、
前記圧力センサー素子は、受圧面を有するダイアフラムと、前記ダイアフラムに対して受圧面とは反対側に配置されている圧力基準室と、を有し、
前記受圧面の法線方向において、
前記圧力センサー素子の前記受圧面側の端面を含む第1仮想面と、前記圧力基準室側の端面を含む第2仮想面との間に、前記法線方向での前記充填材の両端間での中点が位置することを特徴とする。
これにより、圧力センサー素子の向き(特にダイアフラムの法線方向が鉛直方向に沿う向き)による検知結果のずれを小さくすることのできる圧力センサーが得られる。
本発明の圧力センサーでは、前記法線方向での前記充填材の両端間の中点は、前記受圧面を含む第3仮想面と、前記第2仮想面との間に位置することが好ましい。
これにより、検知結果のずれをより小さくすることができる。
本発明の圧力センサーでは、前記法線方向での前記充填材の両端間の中点は、前記第3仮想面と、前記ダイアフラムの前記受圧面と反対側の面を含む第4仮想面との間に位置することが好ましい。
これにより、検知結果のずれをさらに小さくすることができる。
本発明の圧力センサーでは、前記法線方向から見た平面視で、前記圧力センサーと重なる領域内に、前記充填材の前記受圧面の面内方向での中点が位置することが好ましい。
これにより、圧力センサー素子の向き(特にダイアフラムの面内方向が鉛直方向に沿う向き)による検知結果のずれを小さくすることができる。
本発明の圧力センサーでは、前記法線方向から見た平面視で、前記受圧面と重なる領域内に、前記充填材の前記面内方向での中点が位置することが好ましい。
これにより、検知結果のずれをより小さくすることができる。
本発明の圧力センサーでは、前記キャビティ内に配置される回路基板を有することが好ましい。
これにより、パッケージの外側に回路基板(ICチップ)を配置する場合と比較して、回路基板と圧力センサー素子とを接続したときの配線距離を短くすることができる。そのため、ノイズが乗り難くなる。
本発明の圧力センサーでは、前記受圧面の法線方向に、前記圧力センサー素子と前記回路基板とが並んで配置されていることが好ましい。
これにより、圧力センサーの小型化を図ることができる。
本発明の圧力センサーでは、前記受圧面の面内方向に、前記圧力センサー素子と前記回路基板とが並んで配置されていることが好ましい。
これにより、圧力センサーの小型化を図ることができる。
本発明の圧力センサーでは、前記パッケージは、前記キャビティ内に突出する突出部を有することが好ましい。
これにより、キャビティの容積を小さくすることができ、充填材の充填量を抑えることができる。
本発明の高度計は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、高い信頼性を有する高度計が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、高い信頼性を有する電子機器が得られる。
本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、高い信頼性を有する移動体が得られる。
本発明の第1実施形態に係る圧力センサーの断面図である。 図1に示す圧力センサーの平面図である。 図1に示す圧力センサーが有する圧力センサー素子の断面図である。 図3に示す圧力センサー素子が有する圧力センサー部の平面図である。 図4に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。 圧力センサー素子と充填材との配置関係を示す図である。 本発明の第2実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。 図7に示す圧力センサーの平面図である。 本発明の高度計の一例を示す斜視図である。 本発明の電子機器の一例を示す正面図である。 本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
以下、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図2は、図1に示す圧力センサーの平面図である。図3は、図1に示す圧力センサーが有する圧力センサー素子の断面図である。図4は、図3に示す圧力センサー素子が有する圧力センサー部の平面図である。図5は、図4に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図6は、圧力センサー素子と充填材との配置関係を示す図である。なお、以下の説明では、図1中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。
図1に示す圧力センサー1は、パッケージ2と、パッケージ2内に収容された圧力センサー素子3およびICチップ(回路基板)4と、パッケージ2内に収容され、圧力センサー素子3およびICチップ4を覆う(囲む)充填材5と、を有する。以下、これら各部について順に説明する。
≪パッケージ≫
パッケージ2は、圧力センサー素子3を、その内部に形成されたキャビティ24に収納する。パッケージ2は、ベース21と、ハウジング22と、可撓性配線基板23と、を有し、ベース21とハウジング22とで可撓性配線基板23を挟み、これらを互いに接合した構成となっている。また、ハウジング22の上面にはキャビティ24に繋がる開口221が形成され、この開口221を介して圧力が圧力センサー素子3に伝わるようになっている。
また、可撓性配線基板23は、ICチップ4をパッケージ2内で支持すると共に、ICチップ4に接続された配線をパッケージ2の外部に取り出す機能を有している。このような可撓性配線基板23は、可撓性を有する基材231と、基材231に形成された配線232と、を有する。
基材231は、図2に示すように、キャビティ24内に配置された基部2311と、基部2311から突出し、パッケージ2の外側まで引き出された帯状の帯体2312と、を有する。また、基部2311には、図示しない接着剤等を介してICチップ4が固定されている。なお、基材231の構成材料としては、可撓性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
配線232は、パッケージ2の内外を接続するように配置されている。また、配線232は、ボンディングワイヤーBY1を介してICチップ4に接続されており、これにより、ICチップ4と配線232とが電気的に接続される。なお、本実施形態では、配線232が4本設けられているが、配線232の数としては、これに限定されず、ICチップ4の端子の数に合わせて適宜変更すればよい。
≪圧力センサー素子≫
圧力センサー素子3は、受けた圧力を検知することのできるセンサー素子である。この圧力センサー素子3は、図3に示すように、基板31と、圧力センサー部32と、素子周囲構造体33と、空洞部34と、図示しない半導体回路(回路)を有する。
基板31は、シリコンで構成された半導体基板311上に、シリコン酸化膜で構成された第1絶縁膜312と、シリコン窒化膜で構成された第2絶縁膜313と、をこの順に積層することで構成されている。ただし、半導体基板311としては、シリコン基板に限定されず、例えば、SOI基板を用いることもできる。
また、半導体基板311には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム3111が設けられている。このダイアフラム3111は、半導体基板311の下面に有底の凹部を設けることで形成され、その下面(充填材5と接する面)が受圧面3111aとなっている。
このような半導体基板311上には図示しない半導体回路が作り込まれている。この半導体回路には必要に応じて形成されたMOSトランジスタ等の能動素子、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオードおよび配線等の回路要素が含まれる。
圧力センサー部32は、図4に示すように、ダイアフラム3111に設けられた4つのピエゾ抵抗部321、322、323、324を有する。そして、これらピエゾ抵抗部321、322、323、324は、配線を介して互いに電気的に接続され、図5に示すブリッジ回路(ホイートストンブリッジ回路)320を構成し、前記半導体回路と接続されている。このようなブリッジ回路320は、ダイアフラム3111の撓み変形によって受ける応力によって変化するピエゾ抵抗部321、322、323、324の抵抗値に応じた信号(電圧)を出力する。
なお、ピエゾ抵抗部321、322、323、324および配線は、例えば、半導体基板311にリン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)することで構成されている。
素子周囲構造体33は、基板31との間に空洞部34を画成する。この素子周囲構造体33は、図3に示すように、層間絶縁膜331と、層間絶縁膜331上に形成された配線層332と、配線層332上に形成された層間絶縁膜333と、層間絶縁膜333上に形成された配線層334と、配線層334上に形成された表面保護膜335と、封止層336と、を有する。
また、配線層334は、空洞部34の内外を連通する複数の細孔3342を備えた被覆層3341を有し、被覆層3341上に配置された封止層336が細孔3342を封止している。なお、細孔3342は、空洞部34をリリースエッチングする際(空洞部34を埋める犠牲層を除去する際)のエッチング液を出入りさせるための孔であり、リリースエッチングが終了した後に、封止層336によって封止される。
また、配線層332、334は、空洞部34を囲むように形成され、空洞部34をリリースエッチングする際のエッチングストップ層として機能する配線層と、半導体回路の配線を構成する配線層と、を含んでいる。半導体回路は、配線層332、334によって圧力センサー素子3の上面に引き出されており、配線層334の一部が接続端子334’となって表面保護膜335から露出している。
層間絶縁膜331、333としては、特に限定されないが、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層332、334としては、特に限定されないが、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、封止層336としては、特に限定されないが、Al、Cu、W、Ti、TiN等の金属膜を用いることができる。また、表面保護膜335としは、特に限定されないが、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜など、素子を水分、ゴミ、傷などから保護するための耐性を有するものを用いることができる。
空洞部34は、密閉された空間であり、圧力センサー素子3が検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する。この空洞部34は、ダイアフラム3111の受圧面3111aとは反対側に位置し、また、ダイアフラム3111と重なるように配置されている。また、空洞部34は、真空状態(例えば10Pa以下)とすることが好ましい。これにより、圧力センサー素子3を、真空状態を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー素子」として用いることができる。なお、空洞部34は、真空状態でなくてもよく、例えば、大気圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が低い減圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が高い加圧状態であってもよい。
以上、圧力センサー素子3について説明した。このような圧力センサー素子3は、ボンディングワイヤーBY2によってICチップ4に接続されており、ICチップ4に吊られた状態(ICチップ4と離間した状態)で支持されている。また、ボンディングワイヤーBY2は、接続端子334’とICチップ4の端子とを繋ぎ、圧力センサー素子3とICチップ4とを電気的に接続している。
なお、本実施形態では、圧力センサー素子3がボンディングワイヤーBY2を介してIC4に接続されているが、これに限定されず、ボンディングワイヤーBY2を介して可撓性配線基板23に接続されていてもよい。この場合は、ボンディングワイヤーBY1、BY2および配線232を介して圧力センサー素子3とICチップ4とを電気的に接続すればよい。
≪ICチップ≫
ICチップ4には、半導体回路が設けられている。ICチップ4内の半導体回路および圧力センサー素子3内の前記半導体回路には、例えば、ブリッジ回路320に電圧を供給するための駆動回路や、ブリッジ回路320からの出力を圧力センサーの温度に応じて温度補償する温度補償回路や、温度補償回路からの出力を所定の出力形式(CMOS、LV−PECL、LVDS等)に変換して出力する出力回路等が含まれている。なお、駆動回路、温度補償回路、出力回路等の配置は特に限定されず、例えば、圧力センサー素子3内の半導体回路に駆動回路が形成され、ICチップ4内の半導体回路に温度補償回路および出力回路が形成されていてもよい。
このように、ICチップ4を圧力センサー素子3と別体で設けることで、例えば、ICチップ4を省略し、圧力センサー素子3内に前述した回路を全て形成する場合と比較して、圧力センサー素子3の小型化を図ることができる。また、例えば、ICチップ4をパッケージ2の外側に配置する場合と比較して、ICチップ4と圧力センサー素子3とを接続する配線の長さを短くすることができるため、配線を伝わる信号にノイズが乗り難くなる。
また、ICチップ4は、圧力センサー素子3と上下方向(受圧面3111aの法線方向Z)に並んで(重なって)配置されている。そのため、圧力センサー1の横方向(受圧面3111aの面内方向X)の広がりを抑えることができ、圧力センサー1の小型化を図ることができる。
≪充填材≫
充填材5は、液状またはゲル状であり、図1に示すように、キャビティ24内に充填(配置)され、キャビティ24内に収納された圧力センサー素子3およびICチップ4を覆っている。そのため、圧力センサー1に加わる圧力は、パッケージ2の開口221および充填材5を介して、圧力センサー素子3の受圧面3111aに作用する。
このような充填材5により、圧力センサー素子3およびICチップ4を保護(主に、防塵および防水)すると共に、圧力センサー1に作用した外部応力を低減することができる。また、圧力センサー素子3およびICチップ4は、充填材5によって、キャビティ24内で浮いた状態(内壁と接触していない状態)となっている。そのため、振動等がパッケージ2を介して圧力センサー素子3やICチップ4に伝わり難くなり、圧力検出精度の低下を低減することができる。
このような充填材5としては、圧力センサー素子3、ICチップ4およびパッケージ2よりも軟らかい特性を有する物質であればよく、例えば、シリコーンオイル、フッ素系オイル、シリコーンゲル等を用いることができる。
以上、圧力センサー1を構成する各部について説明した。続いて、圧力センサー1の特徴の1つである圧力センサー素子3と充填材5の配置について詳細に説明する。
図6に示すように、受圧面3111aの法線方向Zにおいて、圧力センサー素子3の上面(空洞部34側の端面)を3aとし、圧力センサー素子3の下面(受圧面3111a側の端面)を3bとする。なお、圧力センサー素子3の上面3aおよび下面3bは、受圧面3111aと平行である。また、圧力センサー素子3の下面3bを含む平面を第1仮想面SF1とする。さらに、圧力センサー素子3の上面3aを含む平面を第2仮想面SF2とする。このとき、法線方向Zでの充填材5の両端の中点O1は、第1仮想面SF1と第2仮想面SF2との間に位置している。これにより、圧力センサー1の姿勢による検知圧力のバラつきを低減することができ、優れた圧力検知特性を有する圧力センサー1となる。
なお、本実施形態では下面3bと上面3aは、受圧面3111aと平行であるが、平行でなくともよく、その場合でも中点O1が第1仮想面SF1と第2仮想面SF2との間に位置することができ、優れた圧力検知特性を有する圧力センサー1となる。
すなわち、このような配置とすることで、パッケージ2の開口221が鉛直方向上側を向く第1姿勢(受圧面3111aが鉛直方向下側を向く姿勢)のときと、パッケージ2の開口221が鉛直方向下側を向く第2姿勢(受圧面3111aが鉛直方向上側を向く姿勢)のときとで、受圧面3111aに加わる充填材5の重さ(水圧)の差を小さすることができる。そのため、第1姿勢と第2姿勢とで、受圧面3111aが受ける圧力以外の不要な外力がほぼ等しくなり、第1姿勢のときと第2姿勢のときとの検知圧力(圧力センサー部32からの出力値)のバラつきを低減することができる。
さらには、受圧面3111aを含む面を第3仮想面SF3とし、ダイアフラム3111の上面(受圧面3111aと反対側の面)を含む面を第4仮想面SF4としたとき、法線方向Zでの充填材5の両端間の中点O1は、第2仮想面SF2と第3仮想面SF3との間に位置していることが好ましく、第3仮想面SF3と第4仮想面SF4との間に位置していることがより好ましく、本実施形態のように、第3仮想面SF3上に位置していることがさらに好ましい。このような位置に法線方向Zでの充填材5の中点O1が位置することで、上述した効果がより顕著なものとなる。
また、図6に示すように、受圧面3111aの面内方向Xでの充填材5の中点O2は、法線方向Zから見た平面視で、圧力センサー素子3と重なる領域に位置している。充填材5の中点O2をこのような位置とすることで、圧力センサー1の姿勢による圧力検知のバラつきをさらに低減することができる。
すなわち、このような配置とすることで、パッケージ2の開口221が水平方向を向く第3姿勢(受圧面3111aが鉛直方向に沿う姿勢)のとき、この第3姿勢に含まれる各姿勢(向き)で、受圧面3111aに加わる充填材5の重さ(水圧)の差を小さくすることができる。そのため、第3姿勢に含まれる各姿勢で、受圧面3111aが受ける圧力以外の不要な外力がほぼ等しくなり、第3姿勢のときの検知圧力のバラつきを低減することができる。
さらには、充填材5の中点O2は、法線方向Zから見た平面視で、受圧面3111aと重なる領域に位置していることが好ましく、本実施形態のように、受圧面3111aの中心と一致していることがより好ましい。このような位置に充填材5の中点O2が位置することで、上述した効果がより顕著なものとなる。
また、本実施形態では、第1姿勢または第2姿勢のときと、第3姿勢のときとの検知圧力のバラつきを低減するために、中点O1の深度(法線方向Zでの充填材5の端から中点O1までの距離)D1と、中点O2の深度(面内方向Xでの充填材5の端から中点O2までの距離)D2とがほぼ等しくなっている。具体的には、深度D1、D2は、0.8D1≦D2≦1.2D1の関係を満足することが好ましく、0.9D1≦D2≦1.1D1の関係を満足することがより好ましく、0.95D1≦D2≦1.05D1の関係を満足することがさらに好ましい。これにより、第1、第2姿勢のときと第3姿勢のときとの検知圧力のバラつきを低減することができ、優れた圧力検知特性を有する圧力センサー1となる。
<第2実施形態>
図7は、本発明の第2実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。図8は、図7に示す圧力センサーの平面図である。
以下、電子装置の第2実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第2実施形態は、圧力センサー素子とICチップの配置が異なること以外は、前述した第1実施形態と同様である。
図7および図8に示すように、本実施形態の圧力センサー1では、圧力センサー素子3とICチップ4とが、受圧面3111aの面内方向Xに並んで配置されている。このような配置とすることで、圧力センサー1の高さを抑えることができ、圧力センサー1の小型化(低背化)を図ることができる。なお、本実施形態では、圧力センサー素子3は、ボンディングワイヤーBY2によって可撓性配線基板23に接続されており、配線232を介してICチップ4と電気的に接続されている。
また、本実施形態では、パッケージ2がキャビティ24内に突出する突出部25を有する。このような突出部25を設けることで、キャビティ24の容積を小さくすることができ、充填材5の充填量を少なくすることができる。そのため、充填材5の充填をより短時間で行うことができると共に、充填材5の材料費を低く抑えることができる。
また、突出部25は、法線方向Zから見た平面視で、ICチップ4と重なり、圧力センサー素子3と重ならないように配置されている。このような配置とすることで、キャビティ24内での圧力センサー素子3の配置の自由度(特に上下方向の自由度)が高まり、充填材5の中点O1、O2と圧力センサー素子3の位置決めを行い易くなる。
このような第2実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る高度計について説明する。
図9は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
図9に示す高度計200は、腕時計のように、手首に装着することができる。また、高度計200の内部には、圧力センサー1が搭載されており、表示部201に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、表示部201には、高度、気圧の他にも、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。このような高度計200は、圧力センサー1を備えているため、高い信頼性を発揮することができる。
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係る電子機器について説明する。
図10は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
本実施形態の電子機器は、圧力センサー1を備えたナビゲーションシステム300である。図10に示すように、ナビゲーションシステム300は、図示しない地図情報と、GPS(全地球測位システム:Global Positioning System)からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー1と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部301とを備えている。
このナビゲーションシステム300によれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報(圧力センサー1)を持たない場合には、一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかを判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまう場合がある。
そこで、ナビゲーションシステム300に圧力センサー1を搭載し、高度情報を取得できるようにすることで、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
なお、本発明の電子機器としては、上記のナビゲーションシステム300に限定されず、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、パーソナルコンピューター、携帯電話、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレーター等に適用することができる。
<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態に係る移動体について説明する。
図11は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
本実施形態の移動体は、圧力センサー1を備えた自動車400である。図11に示すように、自動車400は、車体401と、4つの車輪402とを有し、車体401に設けられた図示しない動力源(エンジン)によって車輪402を回転させるように構成されている。このような自動車400には、ナビゲーションシステム300(圧力センサー1)が内蔵されている。
以上、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
また、前述した実施形態では、圧力センサー部としてピエゾ抵抗素子を用いたものについて説明したが、圧力センサー部としては、これに限定されず、例えば、フラップ型の振動子を用いた構成や、櫛歯電極等の他のMEMS振動子や、水晶振動子等の振動素子を用いることもできる。
1…圧力センサー、2…パッケージ、21…ベース、22…ハウジング、221…開口、23…可撓性配線基板、231…基材、2311…基部、2312…帯体、232…配線、24…キャビティ、25…突出部、3…圧力センサー素子、3a…上面、3b…下面、31…基板、311…半導体基板、3111…ダイアフラム、3111a…受圧面、312…第1絶縁膜、313…第2絶縁膜、32…圧力センサー部、320…ブリッジ回路、321、322、323、324…ピエゾ抵抗部、33…素子周囲構造体、331、333…層間絶縁膜、332、334…配線層、334’…接続端子、3341…被覆層、3342…細孔、335…表面保護膜、336…封止層、34…空洞部、4…ICチップ、5…充填材、200…高度計、201…表示部、300…ナビゲーションシステム、301…表示部、400…自動車、401…車体、402…車輪、BY1、BY2…ボンディングワイヤー、D1、D2…深度、O1、O2…中点、SF1…第1仮想面、SF2…第2仮想面、SF3…第3仮想面、SF4…第4仮想面、X…面内方向、Z…法線方向

Claims (12)

  1. キャビティを備えるパッケージと、
    前記キャビティ内に配置される圧力センサー素子と、
    前記キャビティ内に配置され、前記圧力センサー素子を覆う充填材と、を有し、
    前記圧力センサー素子は、受圧面を有するダイアフラムと、前記ダイアフラムに対して受圧面とは反対側に配置されている圧力基準室と、を有し、
    前記受圧面の法線方向において、
    前記圧力センサー素子の前記受圧面側の端面を含む第1仮想面と、前記圧力基準室側の端面を含む第2仮想面との間に、前記法線方向での前記充填材の両端間での中点が位置することを特徴とする圧力センサー。
  2. 前記法線方向での前記充填材の両端間の中点は、前記受圧面を含む第3仮想面と、前記第2仮想面との間に位置する請求項1に記載の圧力センサー。
  3. 前記法線方向での前記充填材の両端間の中点は、前記第3仮想面と、前記ダイアフラムの前記受圧面と反対側の面を含む第4仮想面との間に位置する請求項2に記載の圧力センサー。
  4. 前記法線方向から見た平面視で、前記圧力センサーと重なる領域内に、前記充填材の前記受圧面の面内方向での中点が位置する請求項1ないし3のいずれか1項に記載の圧力センサー。
  5. 前記法線方向から見た平面視で、前記受圧面と重なる領域内に、前記充填材の前記面内方向での中点が位置する請求項4に記載の圧力センサー。
  6. 前記キャビティ内に配置される回路基板を有する請求項1ないし5のいずれか1項に記載の圧力センサー。
  7. 前記受圧面の法線方向に、前記圧力センサー素子と前記回路基板とが並んで配置されている請求項6に記載の圧力センサー。
  8. 前記受圧面の面内方向に、前記圧力センサー素子と前記回路基板とが並んで配置されている請求項6に記載の圧力センサー。
  9. 前記パッケージは、前記キャビティ内に突出する突出部を有する請求項1ないし8のいずれか1項に記載の圧力センサー。
  10. 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする高度計。
  11. 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする電子機器。
  12. 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする移動体。
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