[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2017065984A - Ceramic particle - Google Patents

Ceramic particle Download PDF

Info

Publication number
JP2017065984A
JP2017065984A JP2015194521A JP2015194521A JP2017065984A JP 2017065984 A JP2017065984 A JP 2017065984A JP 2015194521 A JP2015194521 A JP 2015194521A JP 2015194521 A JP2015194521 A JP 2015194521A JP 2017065984 A JP2017065984 A JP 2017065984A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
less
vanadium
ceramic
mole
vanadium oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015194521A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
功一郎 兵頭
Koichiro Hyodo
功一郎 兵頭
裕史 横山
Yasushi Yokoyama
裕史 横山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2015194521A priority Critical patent/JP2017065984A/en
Publication of JP2017065984A publication Critical patent/JP2017065984A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cooling device which can be used without power supply, can be miniaturized, and has excellent moisture resistance and insulating properties.SOLUTION: A ceramic particle includes a core part of a ceramic material containing vanadium oxide and a coating of a material having a rutile structure covering the surface thereof.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、セラミック粒子、特に酸化バナジウムを含有するセラミック材料の粒子に関する。   The present invention relates to ceramic particles, in particular particles of a ceramic material containing vanadium oxide.

近年の電子機器の性能向上を背景に、熱源となるCPU(中央処理装置)、パワーアンプ、FET(電界効果トランジスタ)、IC(集積回路)、ボルテージレギュレータなどの電子部品の数が増加し、投入されるエネルギーの増加も重なって、発熱の問題が顕著化している。特に、スマートフォンやタブレット型端末のようなモバイル機器では、この熱により、電池の容量が劣化したり、構成する電子機器の信頼性に深刻な影響を与えたりする問題がある。したがって、機器の内部の温度を、より高度に制御することが求められている。   The number of electronic components such as CPU (central processing unit), power amplifier, FET (field effect transistor), IC (integrated circuit), voltage regulator, etc., which become heat sources, has increased due to the recent improvement in performance of electronic devices. The increase in energy generated overlaps with the problem of heat generation. In particular, mobile devices such as smartphones and tablet terminals have a problem that the heat deteriorates the capacity of the battery and seriously affects the reliability of the electronic devices to be configured. Therefore, it is required to control the temperature inside the device to a higher degree.

上記のような熱源から生じた熱の制御は、既存の熱マネジメントソリューションである冷却ファン、ヒートパイプ、ヒートシンク、サーマルシート、ペルチェ素子などにより行われており、例えば、特許文献1には、ヒートシンクとファンまたはペルチェ素子を組み合わせた冷却装置が記載されている(特許文献1を参照)。   Control of the heat generated from the heat source as described above is performed by a cooling fan, a heat pipe, a heat sink, a thermal sheet, a Peltier element, or the like, which is an existing heat management solution. A cooling device in which a fan or a Peltier element is combined is described (see Patent Document 1).

しかしながら、上記のようなヒートシンクとファンまたはペルチェ素子を組み合わせた冷却装置は、構造が比較的複雑であることに加え、機器が大きくなり、特にスマートフォンやタブレット型端末等の薄型の機器には使用しにくい。さらには、電力を消費するので、低消費電力(バッテリーの持ち時間)の観点からも不利である。   However, the cooling device combining the heat sink and the fan or the Peltier element as described above has a relatively complicated structure and increases the size of the device, particularly for thin devices such as smartphones and tablet terminals. Hateful. Furthermore, since power is consumed, it is disadvantageous from the viewpoint of low power consumption (battery life).

したがって、スマートフォンやタブレット型端末等の薄型の機器では、現状、温度の制御は、筺体を介する放熱による手段しかなく、熱源と筺体をサーマルシートなどで熱結合し熱を逃がしている。   Therefore, in thin devices such as smartphones and tablet terminals, the temperature is currently controlled only by means of heat dissipation through the housing, and the heat source and the housing are thermally coupled by a thermal sheet or the like to release heat.

特開2010−223497号公報JP 2010-223497 A

上記のような筺体を介する放熱は、筺体の表面積が限られていることから、限界がある。したがって、各熱源の温度を測定し、温度が所定の温度以上になった場合に、CPUなどのパフォーマンスを制限する(発熱自体を抑制する)ことで対応している。即ち、筺体の温度上昇が、CPU等のパフォーマンスの妨げになっていることがある。当然、このような筐体を介した放熱、換言すれば機器全体への伝熱による放熱においては、バッテリーにも熱が伝わることになり、電池容量の経時的な低下に繋がっているともいえる。   There is a limit to the heat radiation through the casing as described above because the surface area of the casing is limited. Therefore, the temperature of each heat source is measured, and when the temperature exceeds a predetermined temperature, the performance of the CPU or the like is limited (suppressing heat generation itself). That is, the temperature rise of the housing may hinder the performance of the CPU or the like. Naturally, in heat dissipation through such a case, in other words, heat dissipation by heat transfer to the entire device, heat is also transferred to the battery, which can lead to a decrease in battery capacity over time.

そこで、本発明者は、結晶構造相転移や磁気相転移等に伴い熱を吸収するセラミック材料である酸化バナジウム(具体的には二酸化バナジウム)を、電子機器の熱源付近に配置することにより、無電源で使用可能な冷却デバイスとすることを検討した。しかしながら、本発明者の研究により、一般的な二酸化バナジウム(VO)は、初期においては良好な吸熱効果を示すが、高湿度環境下では、吸熱効果が次第に低下することが明らかになった。従って、二酸化バナジウムを冷却デバイスとして用いる場合には、水分(水蒸気)との接触を避けるために強固なパッケージングが必要であり、そのためコストが増大し、また、デバイスの形状等が大きく制約されるという問題が生じる。 In view of this, the present inventor has arranged vanadium oxide (specifically, vanadium dioxide), which is a ceramic material that absorbs heat accompanying a crystal structure phase transition or a magnetic phase transition, by placing it near the heat source of an electronic device. We considered a cooling device that can be used with a power supply. However, studies by the present inventor have revealed that general vanadium dioxide (VO 2 ) exhibits a good endothermic effect in the initial stage, but the endothermic effect gradually decreases in a high humidity environment. Therefore, when vanadium dioxide is used as a cooling device, a strong packaging is necessary to avoid contact with moisture (water vapor), which increases the cost and greatly restricts the shape of the device. The problem arises.

さらに二酸化バナジウムは、導電性であり、電子機器に用いる際には、絶縁処理が必要になる。絶縁性を確保するため、電子機器との接触面に絶縁層を形成したり、樹脂等の絶縁性の材料によりパッケージングしたりする必要がある。この場合にも、コストが増大し、絶縁層により小型化が困難になるという問題が生じる。   Furthermore, vanadium dioxide is conductive and requires an insulation treatment when used in electronic equipment. In order to ensure insulation, it is necessary to form an insulating layer on the contact surface with the electronic device or package it with an insulating material such as a resin. Also in this case, there is a problem that the cost is increased and it is difficult to reduce the size by the insulating layer.

従って、本発明の目的は、耐湿性に優れ、水分による吸熱特性の劣化が抑制され、さらに絶縁性が確保された、酸化バナジウムを含有するセラミック粒子を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide ceramic particles containing vanadium oxide that are excellent in moisture resistance, prevent deterioration of endothermic characteristics due to moisture, and further ensure insulation.

本発明者らは、上記問題を解消すべく鋭意検討した結果、結晶構造相転移や磁気相転移等に伴い熱を吸収する酸化バナジウムをコア部とし、その表面にルチル構造を有する材料の層を形成することにより、上記の問題を解決できるセラミック粒子が得られることを見出し、本発明に至った。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have formed a layer of a material having a rutile structure on the surface of vanadium oxide that absorbs heat in accordance with a crystal structure phase transition or a magnetic phase transition. It has been found that ceramic particles that can solve the above-described problems can be obtained by the formation, and the present invention has been achieved.

本発明の第1の要旨によれば、酸化バナジウムを含有するセラミック材料のコア部と、その表面を被覆するルチル構造を有する材料の被膜とを有する、セラミック粒子が提供される。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a ceramic particle having a core portion of a ceramic material containing vanadium oxide and a coating of a material having a rutile structure covering the surface thereof.

本発明の第2の要旨によれば、上記セラミック粒子を含んで成る冷却デバイス製造用組成物が提供される。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a composition for manufacturing a cooling device comprising the ceramic particles.

本発明の第3の要旨によれば、上記セラミック粒子を含んで成る冷却デバイスが提供される。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a cooling device comprising the ceramic particles.

本発明の第4の要旨によれば、上記冷却デバイスを有して成る電子部品が提供される。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an electronic component comprising the above cooling device.

本発明の第5の要旨によれば、上記冷却デバイスまたは上記電子部品を有して成る電子機器が提供される。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus comprising the cooling device or the electronic component.

本発明によれば、結晶構造相転移や磁気相転移等に伴い熱を吸収するセラミック材料のコア部の表面に、ルチル構造を有する材料の被膜を施すことにより、セラミック材料の耐湿性および絶縁性を大幅に改善することができる。   According to the present invention, by applying a coating of a material having a rutile structure on the surface of a core portion of a ceramic material that absorbs heat accompanying a crystal structure phase transition or a magnetic phase transition, moisture resistance and insulation of the ceramic material are achieved. Can be greatly improved.

本発明に用いられるセラミック材料は、潜熱により熱を吸収するセラミック材料であり、具体的には酸化バナジウム(代表的には、二酸化バナジウム)を含有するセラミック材料である。   The ceramic material used in the present invention is a ceramic material that absorbs heat by latent heat, and is specifically a ceramic material containing vanadium oxide (typically vanadium dioxide).

このセラミック材料による熱の吸収は、潜熱を吸収することにより為される。このようなセラミック材料は、過剰な熱を潜熱により一時的に吸収することにより、時間的な熱の平滑化をすることで、高い冷却効果を得ることが可能になる。   The absorption of heat by this ceramic material is done by absorbing latent heat. Such a ceramic material can obtain a high cooling effect by temporally smoothing the heat by temporarily absorbing excess heat by latent heat.

上記セラミック材料としては、好ましくは、酸化バナジウム、典型的には二酸化バナジウムを主成分とする。   The ceramic material is preferably composed mainly of vanadium oxide, typically vanadium dioxide.

上記「主成分」とは、セラミック材料中に60質量%以上含まれる成分を意味し、特に80質量%以上、好ましくは90質量%以上、より好ましくは95質量%以上、さらに好ましくは98質量%以上、例えば98.0〜99.8質量%あるいは実質的に100%含まれる成分を意味する。   The “main component” means a component contained in the ceramic material by 60% by mass or more, particularly 80% by mass or more, preferably 90% by mass or more, more preferably 95% by mass or more, and further preferably 98% by mass. For example, it means a component contained in, for example, 98.0 to 99.8 mass% or substantially 100%.

セラミック材料中の不純物としては、特に限定されないが、下記する酸化バナジウム以外の酸化バナジウム、例えばV、V等、他のセラミック材料、例えばガラス、ならびにNa、Al、Cr、Fe、Ni、Mo、Sb、Ca、Siおよびこれらの酸化物等が挙げられる。 Impurities in the ceramic material are not particularly limited, but vanadium oxides other than the vanadium oxide described below, such as V 2 O 3 and V 2 O 5 , other ceramic materials such as glass, and Na, Al, Cr, Fe Ni, Mo, Sb, Ca, Si, and oxides thereof.

一の態様において、上記酸化バナジウムは、バナジウムおよびM(ここに、Mは、W、Ta、MoおよびNbから選ばれる少なくとも一種である)を含み、バナジウムとMの合計を100モル部としたときのMの含有モル部が0モル部以上約5モル部以下である酸化バナジウムであってもよい。なお、Mは必須成分ではなく、Mの含有モル部は0であってもよい。   In one embodiment, the vanadium oxide contains vanadium and M (wherein M is at least one selected from W, Ta, Mo and Nb), and the total amount of vanadium and M is 100 mol parts. V may be vanadium oxide in which the molar part of M is 0 mol part or more and about 5 mol part or less. Note that M is not an essential component, and the content molar part of M may be 0.

別の態様において、上記酸化バナジウムは、式:
1−x
(式中、Mは、W、Ta、MoまたはNbであり、xは、0以上0.05以下である。)
で表される1種またはそれ以上の酸化バナジウムであってもよい。
In another embodiment, the vanadium oxide has the formula:
V 1-x M x O 2
(In the formula, M is W, Ta, Mo or Nb, and x is 0 or more and 0.05 or less.)
Or one or more vanadium oxides represented by

好ましい態様において、上記酸化バナジウムは、式:
1−x
(式中、xは、0以上0.01以下である。)
で表される1種またはそれ以上の酸化バナジウムであってもよい。
In a preferred embodiment, the vanadium oxide has the formula:
V 1-x W x O 2
(In the formula, x is 0 or more and 0.01 or less.)
Or one or more vanadium oxides represented by

一の態様において、上記酸化バナジウムは、A(ここに、AはLiまたはNaである)およびバナジウムを含む複合酸化物であって、バナジウムを100モル部としたときのAの含有モル部が約50モル部以上約110モル部以下、好ましくは約70モル部以上約110モル部以下、より好ましくは約70モル部以上約98モル部以下である複合酸化物であってもよい。   In one embodiment, the vanadium oxide is a composite oxide containing A (where A is Li or Na) and vanadium, and the content of A when the vanadium is 100 mol parts is about The composite oxide may be 50 to about 110 parts by mole, preferably about 70 to about 110 parts by mole, more preferably about 70 to about 98 parts by mole.

さらに、上記酸化バナジウムは、A(ここに、AはLiまたはNaである)、バナジウムおよび遷移金属(例えば、チタン、コバルト、鉄およびニッケルから選択される少なくとも1種)を含む複合酸化物であって、
バナジウムと遷移金属のモル比が、995:5〜850:150の範囲にあり、
バナジウムおよび遷移金属の合計とAのモル比が、100:70〜100:110の範囲にある
ことを特徴とする複合酸化物であってもよい。
Further, the vanadium oxide is a composite oxide containing A (where A is Li or Na), vanadium and a transition metal (for example, at least one selected from titanium, cobalt, iron and nickel). And
The molar ratio of vanadium to transition metal is in the range of 995: 5 to 850: 150;
The composite oxide may be characterized in that the total ratio of vanadium and transition metals and the molar ratio of A is in the range of 100: 70 to 100: 110.

別の態様において、上記酸化バナジウムは、式:
1−z
(式中、AはLiまたはNaであり、Mは、遷移金属であり;yは、0.5以上1.1以下であり、好ましくはyは、0.7以上、1.1以下であり、zは、0以上0.15以下である。)
で表される1種またはそれ以上の酸化バナジウムであってもよい。
In another embodiment, the vanadium oxide has the formula:
A y V 1-z M a z O 2
(Wherein A is Li or Na, M a is a transition metal; y is 0.5 or more and 1.1 or less, preferably y is 0.7 or more and 1.1 or less. And z is 0 or more and 0.15 or less.)
Or one or more vanadium oxides represented by

上記式中、好ましくは、AはLiである。また、好ましくは、Mは、チタン、コバルト、鉄およびニッケルから選択される少なくとも1種の金属である。 In the above formula, preferably, A is Li. Also preferably, M a is at least one metal selected titanium, cobalt, iron and nickel.

好ましい態様において、上記式中、yおよびzは、下記(a)または(b)のいずれかを満たす。
(a)0.70≦y≦0.98、かつ、z=0、または
(b)0.70≦y≦1.1、かつ、0.005≦z≦0.15
In a preferred embodiment, in the above formula, y and z satisfy either of the following (a) or (b).
(A) 0.70 ≦ y ≦ 0.98 and z = 0, or (b) 0.70 ≦ y ≦ 1.1 and 0.005 ≦ z ≦ 0.15

一の態様において、上記酸化バナジウムは、Tiがドープされた酸化バナジウムまたはさらにW、Ta、MoおよびNbからなる群から選択される他の原子がドープされた酸化バナジウムであって、
他の原子がWである場合、バナジウム、Tiおよび他の原子の合計100モル部に対して、他の原子の含有モル部が、0モル部より大きく5モル部以下であり、
他の原子がTa、MoまたはNbである場合、バナジウム、Tiおよび他の原子の合計100モル部に対して、他の原子の含有モル部が、0モル部より大きく15モル部以下であり、
バナジウム、Tiおよび他の原子の合計100モル部に対して、チタンの含有モル部は、2モル部以上30モル部以下である。このような酸化バナジウムを用いることにより、セラミック材料の耐湿性がより向上する。
In one embodiment, the vanadium oxide is Ti-doped vanadium oxide or vanadium oxide further doped with other atoms selected from the group consisting of W, Ta, Mo and Nb,
When the other atom is W, the content mole part of the other atom is greater than 0 mole part and less than or equal to 5 mole part with respect to a total of 100 mole parts of vanadium, Ti, and other atoms,
When the other atom is Ta, Mo or Nb, the content mole part of the other atom is greater than 0 mole part and 15 mole parts or less with respect to 100 mole parts in total of vanadium, Ti and other atoms,
The content mole part of titanium is not less than 2 mole parts and not more than 30 mole parts with respect to 100 mole parts in total of vanadium, Ti and other atoms. By using such vanadium oxide, the moisture resistance of the ceramic material is further improved.

好ましい態様において、上記のTiがドープされた酸化バナジウムは、Tiおよび他の原子の合計100モル部に対して、チタンの含有モル部が、5モル部以上10モル部以下であり得る。   In a preferred embodiment, the Ti-doped vanadium oxide may contain 5 to 10 mol parts of titanium with respect to 100 mol parts of Ti and other atoms in total.

本発明において、「Tiがドープされた二酸化バナジウム」とは、X線構造解析(典型的には、粉末X線回折法を用いる)により対応する結晶構造を示す酸化バナジウムを意味する。本明細書において、「さらに他の原子がドープされた二酸化バナジウム」とは、Tiに加え他の原子がドープされた二酸化バナジウムであり、X線構造解析により対応する結晶構造を示す酸化バナジウムを意味する。   In the present invention, “Ti-doped vanadium dioxide” means vanadium oxide showing a corresponding crystal structure by X-ray structural analysis (typically using a powder X-ray diffraction method). In this specification, “vanadium dioxide doped with other atoms” means vanadium dioxide doped with other atoms in addition to Ti, and means vanadium oxide showing a corresponding crystal structure by X-ray structural analysis. To do.

別の態様において、上記酸化バナジウムは、
式:V1−x−yTi
[式中、Mは、W、Ta、MoまたはNbであり、
xは0.02以上0.30以下であり、
yは0以上であって、
MがWである場合、yは0.05以下であり、
MがTa、MoまたはNbである場合、yは0.15以下である。]
で表される酸化バナジウムである。このような酸化バナジウムを用いることにより、セラミック材料の耐湿性が向上する。
In another embodiment, the vanadium oxide is
Formula: V 1-x-y Ti x M y O 2
[Wherein M is W, Ta, Mo or Nb;
x is 0.02 or more and 0.30 or less,
y is 0 or more,
When M is W, y is 0.05 or less,
When M is Ta, Mo or Nb, y is 0.15 or less. ]
It is vanadium oxide represented by these. By using such vanadium oxide, the moisture resistance of the ceramic material is improved.

好ましくは、上記式中、xは、0.05以上0.10以下であり得る。   Preferably, in the above formula, x may be 0.05 or more and 0.10 or less.

上記酸化バナジウムが相転移する温度は、冷却対象物、冷却目的などに応じて適宜選択され、例えば冷却対象物がCPUである場合、昇温時20〜100℃、好ましくは40〜60℃で相転移することが好ましい。上記酸化バナジウムが相転移する温度、即ち、上記酸化バナジウムが潜熱を示す温度は、他の原子を添加(ドープ)し、その原子の添加量を調節することにより調整することができる。   The temperature at which the vanadium oxide undergoes phase transition is appropriately selected according to the object to be cooled, the purpose of cooling, and the like. For example, when the object to be cooled is a CPU, the temperature is 20 to 100 ° C., preferably 40 to 60 ° C. It is preferable to transfer. The temperature at which the vanadium oxide undergoes phase transition, that is, the temperature at which the vanadium oxide exhibits latent heat, can be adjusted by adding (doping) other atoms and adjusting the amount of the atoms added.

上記酸化バナジウムは、好ましくは35J/g以上、より好ましくは45J/g以上、さらに好ましくは50J/g以上の初期潜熱量を有する。より大きな潜熱量を有することにより、より小さな体積で大きな冷却効果を発揮できるので、小型化の点で有利である。ここに、「潜熱」とは、物質の相が変化するときに必要とされる熱エネルギーの総量であり、本明細書においては、固体−固体の相転移、例えば電気・磁気・構造相転移に伴う吸発熱量の事をいう。   The vanadium oxide has an initial latent heat amount of preferably 35 J / g or more, more preferably 45 J / g or more, and still more preferably 50 J / g or more. By having a larger amount of latent heat, a large cooling effect can be exhibited with a smaller volume, which is advantageous in terms of downsizing. Here, “latent heat” is the total amount of thermal energy required when the phase of a substance changes, and in this specification, it is a solid-solid phase transition, for example, an electric, magnetic, or structural phase transition. This refers to the amount of heat generated and absorbed.

セラミック材料から構成されるコア部は、粒子(粉末)状である。上記セラミック材料から構成されるコア部の平均粒径(D50:体積基準で粒度分布を求め、全体積を100%とした累積曲線において、累積値が50%となる点の粒径)は、特に限定されないが、例えば、0.1μm以上数百μm以下、具体的には0.1μm以上900μm以下、代表的には1.0μm以上100μm以下であり、例えば10μm以上80μm以下または30μm以上50μm以下であり得る。かかる平均粒径は、レーザー回折・散乱式 粒子径・粒度分布測定装置または電子走査顕微鏡を用いて測定することができる。平均粒径は、取り扱いの容易性、被覆のしやすさの観点から、0.1μm以上であることが好ましく、より緻密に成形できるという観点から、50μm以下であることが好ましい。   The core part made of a ceramic material is in the form of particles (powder). The average particle size (D50: the particle size at which the cumulative value is 50% in a cumulative curve with a particle size distribution determined on a volume basis and the total volume being 100%) of the core portion composed of the ceramic material is particularly Although not limited, for example, 0.1 μm to several hundred μm, specifically 0.1 μm to 900 μm, typically 1.0 μm to 100 μm, for example, 10 μm to 80 μm or 30 μm to 50 μm. possible. The average particle diameter can be measured using a laser diffraction / scattering particle diameter / particle size distribution measuring apparatus or an electronic scanning microscope. The average particle diameter is preferably 0.1 μm or more from the viewpoint of ease of handling and ease of coating, and is preferably 50 μm or less from the viewpoint of being able to be molded more densely.

セラミック材料から構成されるコア部を被覆するルチル構造を有する材料は、ルチル構造を有する材料であれば特に限定されないが、例えば酸化チタン(IV)、酸化マンガン(IV)等が挙げられ、好ましくは酸化チタン(IV)である。   The material having a rutile structure that covers the core portion composed of a ceramic material is not particularly limited as long as it has a rutile structure, and examples thereof include titanium (IV) oxide and manganese (IV) oxide, preferably Titanium oxide (IV).

上記酸化チタン(IV)および酸化マンガン(IV)は、それぞれ、TiOおよびMnOで表され、xは好ましくは2であり得るが、酸素欠陥等により、2から多少ずれていてもよい。 The titanium oxide (IV) and manganese oxide (IV) are represented by TiO x and MnO x , respectively, and x may preferably be 2, but may be slightly deviated from 2 due to oxygen defects or the like.

セラミック材料から構成されるコア部を被覆するルチル構造を有する材料の被膜の厚みは、特に限定されないが、好ましくは5nm以上5μm以下、より好ましくは10nm以上1.0μm以下、例えば、50nm以上500nm以下であり得る。厚みを5nm以上とすることにより、耐湿性および絶縁性をより確実に確保することができる。一方、厚みを10μm以下とすることにより、セラミック粒子をより小さくすることができ、より微細な領域にもセラミック粒子を提供することが可能になる。また、セラミック粒子との熱膨張率係数差による応力の影響を小さくすることができる。   The thickness of the coating of the material having a rutile structure that covers the core portion made of the ceramic material is not particularly limited, but is preferably 5 nm to 5 μm, more preferably 10 nm to 1.0 μm, for example, 50 nm to 500 nm. It can be. By setting the thickness to 5 nm or more, moisture resistance and insulation can be ensured more reliably. On the other hand, when the thickness is 10 μm or less, the ceramic particles can be made smaller, and the ceramic particles can be provided even in a finer region. In addition, the influence of stress due to the difference in coefficient of thermal expansion with the ceramic particles can be reduced.

コア部をルチル構造を有する材料で被覆する方法は、特に限定されないが、気相法で被覆することが好ましく、代表的にはスパッタ、化学蒸着(CVD:Chemical Vapor Deposition)により被覆を行う。   The method for coating the core with a material having a rutile structure is not particularly limited, but it is preferable to coat by a vapor phase method, and typically the coating is performed by sputtering or chemical vapor deposition (CVD).

ルチル構造を有する材料は、好ましくは、実質的にセラミック材料から構成されるコア部全体を被覆する。   The material having a rutile structure preferably covers the entire core portion substantially composed of a ceramic material.

本発明のセラミック粒子の平均粒径(D50)は、特に限定されないが、例えば、0.1μm以上数百μm以下、具体的には0.1μm以上900μm以下、代表的には0.2μm以上50μm以下であり、例えば0.5μm以上50μm以下または1.0μm以上30μm以下であり得る。かかる平均粒径は、レーザー回折・散乱式 粒子径・粒度分布測定装置または電子走査顕微鏡を用いて測定することができる。平均粒径は、取り扱いの容易性および耐湿性の観点から、0.1μm以上であることが好ましく、より緻密に成形できるという観点から、50μm以下であることが好ましい。   The average particle diameter (D50) of the ceramic particles of the present invention is not particularly limited, but is, for example, 0.1 μm to several hundred μm, specifically 0.1 μm to 900 μm, typically 0.2 μm to 50 μm. For example, it may be 0.5 μm or more and 50 μm or less, or 1.0 μm or more and 30 μm or less. The average particle diameter can be measured using a laser diffraction / scattering particle diameter / particle size distribution measuring apparatus or an electronic scanning microscope. The average particle diameter is preferably 0.1 μm or more from the viewpoint of ease of handling and moisture resistance, and is preferably 50 μm or less from the viewpoint of being able to be molded more densely.

本発明のセラミック粒子は、高い吸熱性を有すると共に、表面がルチル構造を有する材料により被覆されているので、高い耐湿性を有する。同時に、ルチル構造を有する材料を絶縁性の材料、例えば酸化チタン(IV)または酸化マンガン(IV)とすることにより、高い絶縁性も有し得る。このようなセラミック粒子は、冷却デバイスとして好適に用いることができる。   The ceramic particles of the present invention have high endothermic properties and have high moisture resistance because the surface is coated with a material having a rutile structure. At the same time, by making the material having a rutile structure an insulating material such as titanium (IV) oxide or manganese (IV) oxide, high insulating properties can be obtained. Such ceramic particles can be suitably used as a cooling device.

従って、本発明は、上記セラミック粒子を含む冷却デバイスをも提供する。本発明のセラミック粒子は、それ自体、粒子状の冷却デバイスとして用いることができるが、好ましくは、成形して用いられる。   Accordingly, the present invention also provides a cooling device including the ceramic particles. The ceramic particles of the present invention can themselves be used as a particulate cooling device, but are preferably used after being molded.

成形して用いる場合、冷却デバイス中のセラミック粒子の含有量は、より大きな吸熱量を得る観点から、冷却デバイス全体に対して、20vol%以上が好ましく、30vol%以上がより好ましく、50vol%以上、例えば60%以上または70%以上であることがさらに好ましい。また、冷却デバイスの強度を確保する観点から、冷却デバイス全体に対して90vol%以下であることが好ましく、80vol%以下であることがより好ましい。   When molded and used, the content of the ceramic particles in the cooling device is preferably 20 vol% or more, more preferably 30 vol% or more, more preferably 50 vol% or more, with respect to the entire cooling device, from the viewpoint of obtaining a larger endothermic amount. For example, 60% or more or 70% or more is more preferable. Moreover, from the viewpoint of ensuring the strength of the cooling device, it is preferably 90 vol% or less, more preferably 80 vol% or less, with respect to the entire cooling device.

成形体に含まれるその他の成分としては、特に限定されないが、種々の添加剤、例えば、樹脂、結合剤、ガラス等が挙げられる。これらの添加剤は、例えば冷却デバイスに求められる特性、形状、または製造方法等に応じて適宜選択することができる。   Although it does not specifically limit as another component contained in a molded object, Various additives, for example, resin, binder, glass, etc. are mentioned. These additives can be appropriately selected according to, for example, characteristics, shapes, manufacturing methods, and the like required for the cooling device.

本発明の冷却デバイスの形状は、特に限定されず、任意の形状とすることができる。   The shape of the cooling device of the present invention is not particularly limited, and can be any shape.

一の態様において、本発明の冷却デバイスは、ブロック状であり得る。ブロック状とすることにより、全体の体積が大きくなり、より多くの熱を吸収することができる。また、別の態様において、本発明の冷却デバイスは、シート状であり得る。シート状とすることにより、表面積が増加するので、吸収した熱を外部に放出しやすくなる。   In one embodiment, the cooling device of the present invention may be block-shaped. By making it into a block shape, the whole volume becomes large and more heat can be absorbed. In another aspect, the cooling device of the present invention may be in the form of a sheet. By making it into a sheet shape, the surface area increases, so it becomes easy to release absorbed heat to the outside.

このような形状の冷却デバイスは、当該分野で一般的に用いられる方法、例えばセラミック粒子を圧縮することにより製造することができる。また、セラミック粒子を含むペーストを積層して、圧縮成形して得ることができる。さらに、別個にセラミックシートを形成し、これを圧着することにより得ることもできる。   The cooling device having such a shape can be manufactured by a method generally used in the art, for example, by compressing ceramic particles. Moreover, the paste containing ceramic particles can be laminated and compression molded. Furthermore, it can also be obtained by separately forming a ceramic sheet and pressing it.

別の態様において、本発明の冷却デバイスは、セラミック粒子を、絶縁性樹脂中に分散させて流動性を与え、冷却デバイス製造用組成物(例えば、ペースト状)とし、これを電子機器の所定の箇所に提供し、そこで硬化および/または固化させることにより得てもよい。したがって、本発明は、本発明のセラミック粒子を含んで成る冷却デバイス製造用組成物をも提供する。   In another aspect, in the cooling device of the present invention, ceramic particles are dispersed in an insulating resin to give fluidity, thereby forming a composition for manufacturing a cooling device (for example, a paste), which is a predetermined component of an electronic device. It may be obtained by providing to a spot where it is cured and / or solidified. Accordingly, the present invention also provides a composition for manufacturing a cooling device comprising the ceramic particles of the present invention.

冷却デバイス製造用組成物は、流動性を有するので、提供される箇所に応じた形状となり、実質的にその形状で硬化および/または固化して冷却デバイスとなる。したがって、任意の形状の冷却デバイスとなり得、微細で複雑な形状を有する箇所にも、設置することができる。また、本発明の冷却デバイス製造用組成物に含まれるセラミック粒子は絶縁性であり得るので、冷却デバイスを電子部品上に直接提供することもでき、即ち、電子部品上に直接、冷却デバイスを設置することができる。   Since the composition for manufacturing a cooling device has fluidity, it has a shape corresponding to a location to be provided, and is substantially cured and / or solidified in that shape to form a cooling device. Therefore, it can become a cooling device of arbitrary shapes, and can be installed also in the location which has a fine and complicated shape. In addition, since the ceramic particles contained in the composition for manufacturing a cooling device of the present invention can be insulative, the cooling device can also be provided directly on the electronic component, that is, the cooling device is installed directly on the electronic component. can do.

冷却デバイス製造用組成物に含まれる絶縁性樹脂としては、特に限定されず、例えば、種々の熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂を用いることができる。   It does not specifically limit as insulating resin contained in the composition for cooling device manufacture, For example, various thermosetting resins and thermoplastic resins can be used.

上記熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、液晶ポリマー樹脂およびポリフェニルサルファイド樹脂が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、または2種以上を混合して用いてもよい。   Although it does not specifically limit as said thermosetting resin, For example, a urethane resin, an epoxy resin, a polyimide resin, a silicone resin, a fluorine resin, a liquid crystal polymer resin, and a polyphenyl sulfide resin are mentioned. These may be used alone or in admixture of two or more.

絶縁性樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合、所望により、上記冷却デバイス製造用組成物は、硬化剤を含んでいてもよい。かかる硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ポリアミン、およびイミダゾールが挙げられる。   When a thermosetting resin is used as the insulating resin, the cooling device manufacturing composition may contain a curing agent as desired. Such a curing agent is not particularly limited, and examples thereof include phenol resins, polyamines, and imidazoles.

上記熱可塑性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ナイロンおよびポリエステルが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、または2種以上を混合して用いてもよい。   Although it does not specifically limit as said thermoplastic resin, For example, polyethylene, a polypropylene, a polyvinyl chloride, a polystyrene, a polyvinyl acetate, an acrylic resin, nylon, and polyester are mentioned. These may be used alone or in admixture of two or more.

用いる絶縁性樹脂は、冷却デバイスを設置する電子機器の種類・用途等に応じて適宜選択することができる。例えば、一般的な電子機器に用いる場合、半田耐熱性があり、汎用性が高いエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂が好ましく、耐熱性を要する機器に用いる場合、フェノールノボラック型エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂のようなガラス転移温度が150℃以上の樹脂が好ましい。また、冷却デバイスの熱伝導性を高めるためには、メソゲン基を有する液晶ポリマー樹脂を用いることが好ましい。   The insulating resin to be used can be appropriately selected according to the type and application of the electronic device in which the cooling device is installed. For example, when used for general electronic equipment, an epoxy resin or polyimide resin having solder heat resistance and high versatility is preferable. When used for equipment requiring heat resistance, a glass such as a phenol novolac type epoxy resin or polyimide resin is used. A resin having a transition temperature of 150 ° C. or higher is preferred. In order to increase the thermal conductivity of the cooling device, it is preferable to use a liquid crystal polymer resin having a mesogenic group.

また、絶縁性樹脂は、弾性を有し得るので、温度変化により電子機器に加わる応力を緩和できる。   Further, since the insulating resin can have elasticity, stress applied to the electronic device due to a temperature change can be relieved.

冷却デバイス製造用組成物は、さらに溶剤を含んでいてもよい。   The composition for manufacturing a cooling device may further contain a solvent.

上記溶剤は、用いる絶縁性樹脂の種類および量、冷却デバイス製造用組成物に要求される特性等の種々の因子に応じて汎用の溶媒から適宜選択することができ、例えば、ジプロピレンメチルエーテルアセテート、トルエン、メチルエチルケトン等が用いられる。   The solvent can be appropriately selected from general-purpose solvents according to various factors such as the type and amount of the insulating resin to be used and the characteristics required for the cooling device manufacturing composition. For example, dipropylene methyl ether acetate , Toluene, methyl ethyl ketone and the like are used.

冷却デバイス製造用組成物は、さらに分散剤、硬化促進剤、消泡剤等の添加剤を含んでいてもよい。分散剤、硬化促進剤、消泡剤等は、一般的なポリマー組成物において用いられるものから、必要に応じて適宜選択することができる。   The composition for manufacturing a cooling device may further contain additives such as a dispersant, a curing accelerator, and an antifoaming agent. A dispersing agent, a hardening accelerator, an antifoaming agent, etc. can be suitably selected as needed from what is used in a general polymer composition.

冷却デバイス製造用組成物は、特に限定されないが、例えば、上記セラミック材料、絶縁性樹脂および所望により硬化剤、溶剤、添加剤を市販のミキサー等で混合することにより製造することができる。   The composition for producing a cooling device is not particularly limited, and can be produced, for example, by mixing the ceramic material, the insulating resin, and optionally a curing agent, a solvent, and an additive with a commercially available mixer or the like.

本発明は、本発明の冷却デバイスを有する電子部品および電子機器をも提供する。   The present invention also provides an electronic component and an electronic apparatus having the cooling device of the present invention.

電子部品としては、特に限定するものではないが、例えば、中央処理装置(CPU)、パワーマネージメントIC(PMIC)、パワーアンプ(PA)、トランシーバーIC、ボルテージレギュレータ(VR)などの集積回路(IC)、発光ダイオード(LED)、白熱電球、半導体レーザーなどの発光素子、電界効果トランジスタ(FET)などの熱源となり得る部品、および、その他の部品、例えば、基板、ヒートシンク、筐体等の電子機器に一般的に用いられる部品が挙げられる。   The electronic component is not particularly limited, but for example, an integrated circuit (IC) such as a central processing unit (CPU), a power management IC (PMIC), a power amplifier (PA), a transceiver IC, and a voltage regulator (VR). Light emitting diodes (LEDs), incandescent bulbs, semiconductor lasers and other light emitting elements, field effect transistors (FETs) and other components that can be heat sources, and other components such as substrates, heat sinks, housings, etc. Examples of parts that are commonly used.

電子機器としては、特に限定するものではないが、例えば、携帯電話、スマートフォン、パーソナルコンピュータ(PC)、タブレット型端末等が挙げられる。   Although it does not specifically limit as an electronic device, For example, a mobile telephone, a smart phone, a personal computer (PC), a tablet-type terminal etc. are mentioned.

合成例1
二酸化バナジウムの製造
セラミック原料として、三酸化バナジウム(V)および五酸化バナジウム(V)を用い、これらをV:O=1:2(モル比)となるように秤量し、乾式混合した。その後、窒素/水素/水雰囲気下で1000℃、4時間熱処理し、セラミック材料としてVOの粉末を調製した。得られた粉末の粒径を、マイクロトラック測定装置(レーザー回折・散乱法)を用いて測定した結果、D50は40μmであった。
Synthesis example 1
Production of vanadium dioxide As ceramic raw materials, vanadium trioxide (V 2 O 3 ) and vanadium pentoxide (V 2 O 5 ) were used and weighed so that V: O = 1: 2 (molar ratio). Dry mixed. Then, heat treatment was performed at 1000 ° C. for 4 hours in a nitrogen / hydrogen / water atmosphere to prepare VO 2 powder as a ceramic material. As a result of measuring the particle size of the obtained powder using a microtrack measuring apparatus (laser diffraction / scattering method), D50 was 40 μm.

実施例1
コーティング
合成例1で作製したセラミック材料の粉末を、スパッタを用いてTiOで被覆して、本発明のセラミック粒子を得た。TiOの厚みを、TEM(透過型電子顕微鏡)を用いて測定した結果、20nmであった。
Example 1
Coating The powder of the ceramic material produced in Synthesis Example 1 was coated with TiO 2 using sputtering to obtain the ceramic particles of the present invention. As a result of measuring the thickness of TiO 2 using a TEM (transmission electron microscope), it was 20 nm.

比較例
TiOに代えて、SiOで被覆したこと以外は、実施例1と同様にして、比較例のセラミック粒子を得た。
Comparative Example Ceramic particles of a comparative example were obtained in the same manner as in Example 1 except that instead of TiO 2 , the coating was performed with SiO 2 .

試験例1:耐湿性試験
合成例1で作製したVO粉末、実施例1および比較例1で作製したセラミック粒子の初期の潜熱量を、DSC(示差走査熱量測定)法により、窒素雰囲気中、昇温速度:10K/分、0℃から100℃、そして0℃へと掃引して、昇温時の吸熱量を潜熱量とした。
Test Example 1: Moisture resistance test The initial latent heat of the VO 2 powder produced in Synthesis Example 1 and the ceramic particles produced in Example 1 and Comparative Example 1 were measured in a nitrogen atmosphere by the DSC (Differential Scanning Calorimetry) method. Temperature rising rate: 10 K / min, sweeping from 0 ° C. to 100 ° C. and then 0 ° C., and the endothermic amount at the time of temperature rising was defined as latent heat amount

試料を、85℃、相対湿度85%の環境下で放置することにより、耐湿試験に付した。100時間後および300時間後に、再度潜熱量を測定した。潜熱量の測定結果を表1に示す。また、初期からの潜熱量の変化量を括弧内に示す。   The sample was subjected to a moisture resistance test by leaving it in an environment of 85 ° C. and a relative humidity of 85%. The amount of latent heat was measured again after 100 hours and 300 hours. Table 1 shows the results of measuring the amount of latent heat. The amount of change in latent heat from the beginning is shown in parentheses.

Figure 2017065984
Figure 2017065984

上記の結果から、TiOでコーティングした本発明のセラミック粒子は、高い耐湿性を有することが確認された。 From the above results, it was confirmed that the ceramic particles of the present invention coated with TiO 2 have high moisture resistance.

試験例2:絶縁性試験
粉体抵抗システムを用いて、合成例1で作製したVO粉末、実施例1および比較例1で作製したセラミック粒子の抵抗値を測定した。具体的には、セラミック粒子を、内表面が絶縁コートされた円柱プレス金型のダイス内に充填し、開口部の一端から加圧しながら、開口部の両端間の抵抗値を測定し、抵抗率を求めた。
Test Example 2: Insulation Test Using a powder resistance system, the resistance values of the VO 2 powder produced in Synthesis Example 1 and the ceramic particles produced in Example 1 and Comparative Example 1 were measured. Specifically, ceramic particles are filled in a die of a cylindrical press die whose inner surface is insulation-coated, and the resistance value between both ends of the opening is measured while pressing from one end of the opening, and the resistivity Asked.

Figure 2017065984
Figure 2017065984

上記の結果から、TiOでコーティングした本発明のセラミック粒子は、高い絶縁性を有することが確認された。 From the above results, it was confirmed that the ceramic particles of the present invention coated with TiO 2 have high insulating properties.

本発明の冷却デバイスは、例えば、熱対策問題が顕著化している小型通信端末の冷却デバイスとして利用することができる。   The cooling device of the present invention can be used, for example, as a cooling device for a small communication terminal in which the heat countermeasure problem has become remarkable.

Claims (17)

酸化バナジウムを含有するセラミック材料のコア部と、その表面を被覆するルチル構造を有する材料の被膜とを有する、セラミック粒子。   A ceramic particle having a core portion of a ceramic material containing vanadium oxide and a coating of a material having a rutile structure covering the surface thereof. ルチル構造を有する材料が、酸化チタン(IV)であることを特徴とする、請求項1に記載のセラミック粒子。   The ceramic particle according to claim 1, wherein the material having a rutile structure is titanium (IV) oxide. ルチル構造を有する材料の被膜の厚みが、5nm以上5μm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載のセラミック粒子。   3. The ceramic particle according to claim 1, wherein the thickness of the film of the material having a rutile structure is 5 nm or more and 5 μm or less. 平均粒径が、0.2μm以上50μm以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミック粒子。   The ceramic particle according to any one of claims 1 to 3, wherein an average particle size is 0.2 µm or more and 50 µm or less. ルチル構造を有する材料の被膜が、気相法により形成されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミック粒子。   The ceramic particle according to any one of claims 1 to 4, wherein a film of a material having a rutile structure is formed by a vapor phase method. 酸化バナジウムが、VおよびM(ここに、Mは、W、Ta、MoおよびNbから選ばれる少なくとも一種である)を含む酸化物であって、VとMの合計を100モル部としたときのMの含有モル部が約0モル部以上約5モル部以下であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミック粒子。   Vanadium oxide is an oxide containing V and M (where M is at least one selected from W, Ta, Mo and Nb), and the total of V and M is 100 mol parts The ceramic particle according to any one of claims 1 to 4, wherein a molar part of M is about 0 to about 5 parts by mole. 酸化バナジウムが、式:
1−x
(式中、Mは、W、Ta、MoまたはNbであり、xは、0以上0.05以下である)
で表される酸化物であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミック粒子。
Vanadium oxide has the formula:
V 1-x M x O 2
(In the formula, M is W, Ta, Mo or Nb, and x is 0 or more and 0.05 or less)
The ceramic particle according to claim 1, wherein the ceramic particle is an oxide represented by the formula:
酸化バナジウムが、A(ここに、AはLiまたはNaである)およびVを含む酸化物であって、Vを100モル部としたときのAの含有モル部が約50モル部以上約100モル部以下であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミック粒子。   Vanadium oxide is an oxide containing A (here, A is Li or Na) and V, and the content of A when V is 100 mol parts is about 50 mol parts or more and about 100 mols The ceramic particles according to any one of claims 1 to 4, wherein the ceramic particles are at most parts. 酸化バナジウムが、式:
VO
(式中、Aは、LiまたはNaであり、yは、0.5以上1.0以下である)
で表される酸化物であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミック粒子。
Vanadium oxide has the formula:
A y VO 2
(In the formula, A is Li or Na, and y is 0.5 or more and 1.0 or less)
The ceramic particle according to claim 1, wherein the ceramic particle is an oxide represented by the formula:
酸化バナジウムが、Tiがドープされた酸化バナジウムまたはさらにW、Ta、MoおよびNbからなる群から選択される他の原子がドープされた酸化バナジウムであって、
他の原子がWである場合、バナジウム、Tiおよび他の原子の合計100モル部に対して、他の原子の含有モル部が、0モル部より大きく5モル部以下であり、
他の原子がTa、MoまたはNbである場合、バナジウム、Tiおよび他の原子の合計100モル部に対して、他の原子の含有モル部が、0モル部より大きく15モル部以下であり、
バナジウム、Tiおよび他の原子の合計100モル部に対して、チタンの含有モル部は、2モル部以上30モル部以下であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミック粒子。
The vanadium oxide is Ti-doped vanadium oxide or further vanadium oxide doped with other atoms selected from the group consisting of W, Ta, Mo and Nb,
When the other atom is W, the content mole part of the other atom is greater than 0 mole part and less than or equal to 5 mole part with respect to a total of 100 mole parts of vanadium, Ti, and other atoms,
When the other atom is Ta, Mo or Nb, the content mole part of the other atom is greater than 0 mole part and 15 mole parts or less with respect to 100 mole parts in total of vanadium, Ti and other atoms,
The content mol part of titanium is 2 mol part or more and 30 mol part or less with respect to a total of 100 mol parts of vanadium, Ti, and other atoms, In any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. The ceramic particles described.
バナジウム、Tiおよび他の原子の合計100モル部に対して、チタンの含有モル部が、5モル部以上10モル部以下であることを特徴とする、請求項10に記載のセラミック粒子。   11. The ceramic particle according to claim 10, wherein a content mole part of titanium is not less than 5 mole parts and not more than 10 mole parts with respect to 100 mole parts in total of vanadium, Ti, and other atoms. 酸化バナジウムが、式:
1−x−yTi
[式中、Mは、W、Ta、MoまたはNbであり、
xは0.02以上0.3以下であり、
yは0以上であって、
MがWである場合、yは0.05以下であり、
MがTa、MoまたはNbである場合、yは0.15以下である。]
で表される酸化バナジウムであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミック粒子。
Vanadium oxide has the formula:
V 1-x-y Ti x M y O 2
[Wherein M is W, Ta, Mo or Nb;
x is 0.02 or more and 0.3 or less,
y is 0 or more,
When M is W, y is 0.05 or less,
When M is Ta, Mo or Nb, y is 0.15 or less. ]
The ceramic particles according to claim 1, wherein the ceramic particles are vanadium oxide represented by the formula:
xが0.05以上0.1以下であることを特徴とする、請求項12に記載のセラミック粒子。   The ceramic particles according to claim 12, wherein x is 0.05 or more and 0.1 or less. 請求項1〜13のいずれか1項に記載のセラミック粒子を含んで成る冷却デバイス製造用組成物。   The composition for cooling device manufacture containing the ceramic particle of any one of Claims 1-13. 請求項1〜13のいずれか1項に記載のセラミック粒子を含んで成る冷却デバイス。   A cooling device comprising the ceramic particles according to claim 1. 請求項15に記載の冷却デバイスを有して成る電子部品。   An electronic component comprising the cooling device according to claim 15. 請求項15に記載の冷却デバイスまたは請求項16に記載の電子部品を有して成る電子機器。   An electronic apparatus comprising the cooling device according to claim 15 or the electronic component according to claim 16.
JP2015194521A 2015-09-30 2015-09-30 Ceramic particle Pending JP2017065984A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015194521A JP2017065984A (en) 2015-09-30 2015-09-30 Ceramic particle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015194521A JP2017065984A (en) 2015-09-30 2015-09-30 Ceramic particle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017065984A true JP2017065984A (en) 2017-04-06

Family

ID=58493762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015194521A Pending JP2017065984A (en) 2015-09-30 2015-09-30 Ceramic particle

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2017065984A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019026773A1 (en) * 2017-07-29 2019-02-07 株式会社村田製作所 Heat-storing particles, composition for constant temperature device, and constant temperature device
DE102017122053A1 (en) * 2017-09-22 2019-03-28 Infineon Technologies Ag Magnetic phase change material for heat dissipation

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019026773A1 (en) * 2017-07-29 2019-02-07 株式会社村田製作所 Heat-storing particles, composition for constant temperature device, and constant temperature device
JP6493642B1 (en) * 2017-07-29 2019-04-03 株式会社村田製作所 Thermal storage particle, composition for constant temperature device and constant temperature device
CN110382657A (en) * 2017-07-29 2019-10-25 株式会社村田制作所 Accumulation of heat particle, thermostat device constituent and thermostat device
DE102017122053A1 (en) * 2017-09-22 2019-03-28 Infineon Technologies Ag Magnetic phase change material for heat dissipation
US10643917B2 (en) 2017-09-22 2020-05-05 Infineon Technologies Ag Magnetic phase change material for heat dissipation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW539651B (en) Dielectric ceramic, resin-ceramic composite material, electrical part and antenna, and manufacturing method thereof
JPWO2009139368A1 (en) Dust core and choke
TW201337971A (en) Electromagnetic wave-absorbing thermal-conductive sheet and method for manufacturing electromagnetic wave-absorbing thermal-conductive sheet
JP5791488B2 (en) Resin composition for heat conductive sheet, heat conductive sheet and power module
JP2016111305A (en) Magnetic body composite material and antenna element including the same
JP2017065984A (en) Ceramic particle
JP6493642B1 (en) Thermal storage particle, composition for constant temperature device and constant temperature device
TW201901709A (en) Dust core, method for producing said dust core, inductor provided with said dust core, and electronic/electrical device on which said inductor is mounted
WO2015033691A1 (en) Cooling device
Paul et al. Dielectric switching above a critical frequency occured in iron mullite composites used as an electronic substrate
US10544061B2 (en) Vanadium dioxide
US9868672B2 (en) Ceramic material
KR20150041321A (en) Magnetic sheet, and magnetic material for wireless charging having the same
JP6460109B2 (en) Ceramic material
WO2015118784A1 (en) Insulating ceramic particles
WO2016042909A1 (en) Cooling device
WO2017179454A1 (en) Ceramic-particle-containing composition
JP2012222106A (en) Heat transfer member, laminate, and electronic component
JPWO2017006726A1 (en) Cooling device
WO2015118783A1 (en) Cooling device
WO2016114295A1 (en) Vanadium dioxide
JP6414636B2 (en) Cooling device
WO2016006337A1 (en) Sintered compact containing vanadium oxide
WO2015033689A1 (en) Cooling device
KR102262900B1 (en) Coil component