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JP2017054105A - マスクブランク - Google Patents

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JP2017054105A JP2016153548A JP2016153548A JP2017054105A JP 2017054105 A JP2017054105 A JP 2017054105A JP 2016153548 A JP2016153548 A JP 2016153548A JP 2016153548 A JP2016153548 A JP 2016153548A JP 2017054105 A JP2017054105 A JP 2017054105A
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Abstract

【課題】転写プロセス用のマスクとして使用した際に、パターン転写精度の低下を有意に抑制することが可能なマスクブランク。【解決手段】透明基板を有するマスクブランクにおいて、前記透明基板は、相互に対向する第１の主面および第２の主面を有し、第１の主面には遮光膜が設置され、第２の主面には反射防止膜が配置され、前記反射防止膜は少なくとも２つの層を有し、当該マスクブランクにおいて、前記反射防止膜を除去し、波長１９３ｎｍの光を、前記透明基板の第２の主面の側から入射角５゜で照射した際に得られる反射率Ｒ１は、５０％以上であり、当該マスクブランクにおいて、前記遮光膜を除去し、前記光を、前記透明基板の第１の主面の側から入射角５゜で照射した際に得られる反射率をＲＡとし、前記透明基板のみで測定される同様の反射率をＲＳとしたとき、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下である。【選択図】図２

Description

本発明は、マスクブランクに関する。
半導体産業において、Ｓｉ基板等の被加工基板に微細なパターンからなる集積回路を形成するためのパターン転写技術として、可視光または紫外光などの光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられている。
この方法では、一方の表面（第１の主面）に遮光膜のパターンを有する透明基板（マスク）が使用される。すなわち、マスクを介してウエハのような被加工基板に光を照射することにより、被加工基板の表面（通常、レジストの表面）に、遮光膜のパターンを転写することができる（以下、このプロセスを「転写プロセス」とも称する）。その後、レジストを現像処理することにより、所望のパターンのレジストが設置された被加工基板を得ることができる。
なお、最近では、転写パターンの微細化にともない、使用される光は、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）と短波長化が進んでおり、現在はＡｒＦエキシマレーザが主流となっている。
特許文献１、２には、このようなＡｒＦエキシマレーザ用のフォトマスク、およびマスクブランクが記載されている。また、特許文献３には、熱的な歪みを低減することのできる光リソグラフィレクチルが記載されている。
特開２０００−３２１７５３号公報 国際公開第ＷＯ２００８／１３９９０４号 特開２００１−１６６４５３号公報
ところで、一般的なマスクにおいて、遮光膜は、光の透過率が約０．１％程度となるように設計される。このため、転写プロセスにおいて、遮光膜に入射した光の大部分は、この遮光膜に吸収され、熱に変換される。この場合、この熱により遮光膜が熱膨張し、マスクが歪むという問題が生じ得る。このような遮光膜の熱膨張およびマスクの歪みは、被加工基板に転写されるパターンの寸法精度の低下につながるおそれがある。特に、近年の転写プロセスにおいて使用されている光は、エネルギー密度が高く、このような問題は、今後より顕著になる可能性がある。
そして、前述の特許文献２に記載のマスクの構成では、このような問題に対処することは難しい。
一方で、転写パターンの微細化にともない、結像性能の向上および収差抑制のため、光学系の高ＮＡ化が進んでいる。光学系の高ＮＡ化が進むと、マスクに入射する光の角度が大きくなり、マスクから被加工基板に向かって反射される光の量が増大する。すなわち、マスクの第２の主面（遮光膜が設置された第１の主面とは反対の表面）から入射した光が遮光膜で反射されると、この反射光は、第２の主面で再反射され、第１の主面の遮光膜の存在しない領域から出射されるようになる。このような光が被加工基板に到達すると、転写パターンの精度が低下してしまう。
そして、前述の特許文献１に記載のマスクの構成では、このような問題に対処することは難しい。
なお、前述の特許文献３には、レクチルにおいて、透過性基板の表側に反射用の層を設けるとともに、透過性基板の裏側に反射防止コーティングを設けることが示されている。しかしながら、そのようなレクチルに関して、具体的な構成に関する記載は存在しない。特に、所望の光学特性を有するレクチルを得るためには、転写プロセスに使用される光に対応して、反射用の層および反射防止コーティングの特性（材料組成および膜構成など）を十分に考慮する必要がある。従って、特許文献３のようなレクチルにより、上記のような問題に対処できるとは言い難い。
このように、パターン転写精度の低下が抑制できるマスクに対しては、現在も依然として大きなニーズがある。
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、転写プロセス用のマスクとして使用した際に、パターン転写精度の低下を有意に抑制することが可能なマスクブランクを提供することを目的とする。
本発明では、透明基板を有するマスクブランクであって、
前記透明基板は、相互に対向する第１の主面および第２の主面を有し、
前記第１の主面には、遮光膜が設置され、
前記第２の主面には、反射防止膜が配置され、前記反射防止膜は、前記透明基板に近い側から、第１の層および第２の層を有し、
当該マスクブランクにおいて、前記反射防止膜を除去し、波長１９３ｎｍの光を、前記透明基板の前記第２の主面の側から入射角θ１＝５゜で照射した際に得られる反射率Ｒ１は、５０％以上であり、
当該マスクブランクにおいて、前記遮光膜を除去し、前記光を、前記透明基板の前記第１の主面の側から入射角θ２＝５゜で照射した際に得られる反射率をＲＡとし、前記透明基板のみで測定される同様の反射率をＲＳとしたとき、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下であり、
前記反射防止膜は、膜厚が４８ｎｍ〜６２ｎｍの範囲であり、
前記反射防止膜の第１の層は、アルミニウム（Ａｌ）、イットリウム（Ｙ）、およびハフニウム（Ｈｆ）の少なくとも一つの金属を含む酸化物または酸窒化物を含む、マスクブランクが提供される。
本発明では、転写プロセス用のマスクとして使用した際に、パターン転写精度の低下を有意に抑制することが可能なマスクブランクを提供することができる。
従来のマスクおよびその使用態様を概略的に示した図である。 本発明の一実施形態によるマスクブランクの概略的な断面図である。 本発明の一実施形態による別のマスクブランクの概略的な断面図である。 本発明の一実施形態によるさらに別のマスクブランクの概略的な断面図である。 例１６において、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下となる領域をマッピングしたグラフである。 例１７において、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下となる領域をマッピングしたグラフである。 例１８において、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下となる領域をマッピングしたグラフである。
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
（従来のマスク）
まず、本発明の構成および特徴についてより良く理解するため、図１を参照して、従来のマスクの構成およびその問題について説明する。
図１には、従来のマスクの構成およびその使用態様を模式的に示す。
図１に示すように、このマスク１は、ガラス基板１０および遮光膜２０を有する。ガラス基板１０は、第１の主面１２および第２の主面１４を有し、遮光膜２０は、ガラス基板１０の第１の主面１２に設置される。遮光膜２０は、所定のパターンを有し、ガラス基板１０の第２の主面１４からマスク１に入射した光を遮蔽する役割を有する。
このようなマスク１は、前述のような「転写プロセス」に利用され、例えば光リソグラフィを利用して、被加工基板に半導体装置などの素子を製造する際に利用することができる。
この転写プロセスをより具体的に説明すると、まず、図１に示すように、ウエハのような被加工基板９０の上に、マスク１が配置される。マスク１は、遮光膜２０の側が被加工基板９０と面するようにして、被加工基板９０の上に配置される。被加工基板９０の表面には、レジストなどの感光材料（図示されていない）が予め設置されている。
次に、マスク１の上側（ガラス基板１０の第２の主面１４の側）から、パターン転写用の光が照射される。
マスク１は遮光膜２０のパターンを有するため、光は、遮光膜２０の非存在領域から、マスク１を通過し、被加工基板９０に照射される。例えば、図１に示すように、遮光膜２０に対して略垂直に照射される光Ｌ１は、遮光膜２０で遮蔽され、被加工基板９０には到達しないが、遮光膜２０の存在しない領域に照射される光Ｌ２は、マスク１を通過して被加工基板９０に到達する。その結果、被加工基板９０の感光材料に所望のパターンで露光処理を行うことが可能となり、被加工基板９０上の感光材料に、所望のパターンを形成することができる。
ただし、前述のように、遮光膜２０に入射した光Ｌ１の大部分は、この遮光膜２０に吸収され、熱に変換される。そして、この熱により遮光膜２０が熱膨張し、ガラス基板に歪みが生じると、被加工基板９０に転写されるパターンの寸法精度が低下するという問題が生じ得る。
なお、このような問題に対処するため、遮光膜２０に反射特性を付与することが考えられる。この場合、遮光膜２０での光Ｌ１の吸収が低減されるからである。しかしながら、その場合、図１の右側に示すように、遮光膜２０に対して傾斜した角度で光Ｌ３が照射されると、この光Ｌ３は、遮光膜２０で反射される。この反射光は、ガラス基板１０の第２の主面１４で再度反射された後、ガラス基板１０の第１の主面１２の遮光膜２０の存在しない領域から出射されるようになる。このような光が被加工基板９０に到達すると、被加工基板９０の意図しない領域が露光されてしまい、転写パターンの精度が低下してしまう。
このように、従来のマスク１を使用した場合、高い精度で被加工基板９０にパターンを転写させることが難しいという問題がある。
これに対して、本発明の一実施形態によるマスクブランクでは、以降に詳しく示すように、マスクとして使用した際に、このような問題を軽減または解消することが可能になる。
（第１の実施形態）
次に、図２を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
図２には、本発明の一実施形態によるマスクブランクの概略的な断面図を示す。なお、本願において「マスクブランク」と言う用語は、図１に示したようなパターン化された遮光膜を有するマスクとは異なり、所望のパターンにパターン化される前の状態の遮光膜を有する透明基板を意味する。従って、通常の場合、「マスクブランク」の段階では、遮光膜は、透明基板に連続膜の状態で配置される。
換言すれば、「マスクブランク」において、透明基板上の遮光膜を所望のパターンに加工することにより、転写プロセス用のマスクが提供される。
図２に示すように、本発明の一実施形態によるマスクブランク（以下、「第１のマスクブランク」という）１００は、透明基板１１０、遮光膜１２０、および反射防止膜１５０を有する。
透明基板１１０は、相互に対向する第１の主面１１２および第２の主面１１４を有し、遮光膜１２０は、透明基板１１０の第１の主面１１２の側に配置され、反射防止膜１５０は、透明基板１１０の第２の主面１１４の側に配置される。
透明基板１１０は、例えば、石英ガラスなどの透明材料で構成される。
遮光膜１２０は、透明基板１１０の第２の主面１１４の側から照射される光が、透明基板１１０の第１の主面１１２を介して、第１のマスクブランク１００の外部に出射されることを防止する役割を有する。
反射防止膜１５０は、複数の層で構成される。例えば、図２に示した例では、反射防止膜１５０は、第１の層１５２および第２の層１５４の２層で構成される。第１の層１５２は、第２の層１５４に比べて、透明基板１１０からより近い側に配置される。
反射防止膜１５０は、透明基板１１０の内部から透明基板１１０の第２の主面１１４に照射される光が、第１のマスクブランク１００の外部に出射されることを助長する役割を有する。換言すれば、反射防止膜１５０は、透明基板１１０の内部から透明基板１１０の第２の主面１１４に照射される光が、ここで反射されて第１の主面１１２を介して第１のマスクブランク１００の外部に出射されることを抑制する役割を有する。
このような構成の第１のマスクブランク１００を使用する際には、第１のマスクブランク１００は、遮光膜１２０が所望のパターンに加工され、転写プロセス用のマスク（以下、「第１のマスク」と称する）として利用される。その場合、第１のマスクは、ウエハのような被加工基板の上に、遮光膜１２０の側が被加工基板と面するようにして、配置される。被加工基板の表面には、レジストなどの感光材料が予め設置されている。次に、第１のマスクの反射防止膜１５０の側から、パターン転写用の光、例えば波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザが照射される。
第１のマスクは遮光膜１２０のパターンを有するため、遮光膜１２０の存在領域では、光が遮蔽される。すなわち、光は、遮光膜１２０の非存在領域から、第１のマスクを通過し、被加工基板に照射される。これにより、被加工基板の感光材料に所望のパターンを転写することができる。
ここで、第１のマスクブランク１００は、当該第１のマスクブランク１００から反射防止膜１５０を除去して得たサンプル（第１のサンプルと称する）において、波長１９３ｎｍの光（例えばＡｒＦエキシマレーザ）を、透明基板１１０の第２の主面１１４の側から入射角θ１＝５゜で照射した際に得られる反射率Ｒ１が５０％以上であるという特徴（第１の特徴）を有する。
ここで、入射角θ１は、透明基板１１０の第２の主面１１４の法線に対する傾斜角で表される。
また、第１のマスクブランク１００は、当該第１のマスクブランク１００から遮光膜１２０を除去して得たサンプル（第２のサンプルと称する）において、前記光（例えばＡｒＦエキシマレーザ）を、透明基板１１０の第１の主面１１２の側から入射角θ２＝５゜で照射した際に得られる反射率をＲＡとし、透明基板１１０のみで測定される同様の反射率をＲＳとしたとき、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下であるという特徴（第２の特徴）を有する。
ここで、入射角θ２は、透明基板１１０の第１の主面１１２の法線に対する傾斜角で表される。
このような特徴を有する第１のマスクブランク１００では、第１の特徴により、遮光膜１２０に光が照射された際に、従来に比べて多くの光を反射させることができる。このため、第１のマスクブランク１００では、遮光膜１２０において光吸収による熱発生が生じ難くなり、遮光膜１２０の熱膨張および透明基板１１０の歪みを有意に抑制することができる。
また、第１のマスクブランク１００は、第２の特徴を有する。すなわち、第１のマスクブランク１００は、反射防止膜１５０を有し、透明基板１１０の第２の主面１１４での光の反射が有意に抑制される。このため、第１のマスクブランク１００では、遮光膜１２０で反射した光が、透明基板１１０の第２の主面１１４で再度反射され、第１の主面１１２を介して被加工基板に照射されるという問題も、有意に抑制することができる。
従って、第１のマスクブランク１００では、転写プロセス用の第１のマスクとして使用した際に、パターン転写精度の低下を有意に抑制することが可能となる。
（第１のマスクブランク１００の構成部材）
次に、第１のマスクブランク１００およびその構成部材について、より詳しく説明する。なお、以下の説明では、明確化のため、各構成部材を説明する際に、図２に示した参照符号を使用する。
（透明基板１１０）
透明基板１１０の材質は、特に限られない。ここで、透明とは、波長１９３ｎｍの光に対する透過率が８５％以上であることを意味する。透明基板１１０は、例えば、石英ガラスであってもよい。例えば、透明基板１１０は、フッ素ドープされた石英ガラスであってもよい。
透明基板１１０の厚さは、これに限られるものではないが、例えば、６．３ｍｍ〜６．４ｍｍの範囲であってもよい。
（遮光膜１２０）
遮光膜１２０は、前述の特徴（特に第１の特徴）を有する限り、いかなる構成を有してもよい。
遮光膜１２０において、第１のサンプルで測定される前述の反射率Ｒ１は、５５％以上であっても良く、反射率Ｒ１は、例えば６０％、または６５％以上であっても良い。
遮光膜１２０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびタングステン（Ｗ）の少なくとも一つの金属を含んでもよい。遮光膜１２０は、例えば、Ａｌを含むＭｏＳｉで構成されてもよい。
また、遮光膜１２０は、例えば、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、および水素（Ｈ）の少なくとも一つを含んでもよい。
遮光膜１２０の厚さは、これに限られるものではないが、例えば、３６ｎｍ〜６７ｎｍの範囲であってもよい。
（反射防止膜１５０）
反射防止膜１５０は、前述の特徴（特に第２の特徴）を有する限り、いかなる構成を有してもよい。
また、前述の比ＲＡ／ＲＳは、０．０７以下であり、０．０５以下であってもよい。
反射防止膜１５０は、４８ｎｍ〜６２ｎｍの厚さを有してもよい。例えば、反射防止膜１５０の厚さは、５０ｎｍ〜６２ｎｍの範囲、または５２ｎｍ〜６０ｎｍの範囲であってもよい。
反射防止膜１５０は、第１の層１５２および第２の層１５４を有する。
このうち、第１の層１５２は、例えば、屈折率ｎ１が１．６〜２．５であり、消衰係数ｋ１が０．１以下である。第１の層１５２の屈折率ｎ１は、例えば、１．７以上２．３以下の範囲、１．８以上２．２以下の範囲、または１．９以上２．１以下の範囲であってもよい。また、第１の層１５２の消衰係数ｋ１は、例えば、０．０１以下、０．００５以下、または０．００１以下であってもよい。
これに対して、第２の層１５４は、例えば、屈折率ｎ２が１．０〜１．６であり、消衰係数ｋ２が０．１以下である。第２の層１５４の屈折率ｎ２は、例えば、１．２以上１．６未満の範囲、または１．４以上１．６未満の範囲であってもよい。また、第２の層１５４の消衰係数ｋ２は、例えば、０．０１以下、０．００５以下、または０．００１以下であってもよい。
例えば、第１の層１５２は、アルミニウム（Ａｌ）、イットリウム（Ｙ）、およびハフニウム（Ｈｆ）の少なくとも一つを含んでもよい。例えば、第１の層１５２は、アルミニウム酸化物（ＡｌＯ）、アルミニウム酸窒化物（ＡｌＯＮ）、イットリウム酸化物（ＹＯ）、イットリウム酸窒化物（ＹＯＮ）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ）、およびハフニウム酸窒化物（ＨｆＯＮ）の少なくとも一つを含んでもよい。
また、第２の層１５４は、例えば、ケイ素（Ｓｉ）を含んでもよい。第２の層１５４は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ）およびシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）の少なくとも一つを含んでもよい。
第１の層１５２は、９ｎｍ〜４０ｎｍの範囲の厚さを有してもよい。一方、第２の層１５４は、２０ｎｍ〜４５ｎｍの範囲の厚さを有してもよい。
（第２の実施形態）
図３には、本発明の一実施形態による別のマスクブランクの概略的な断面図を示す。
図３に示すように、このマスクブランク（以下、「第２のマスクブランク」という）２００は、透明基板２１０、遮光膜２２０、および反射防止膜２５０（第１の層２５２および第２の層２５４）を有する。
ここで、第２のマスクブランク２００は、基本的に前述の図１に示した第１のマスクブランク１００と同様の構成を有する。ただし、第２のマスクブランク２００は、遮光膜２２０が少なくとも２層で構成される点が、第１のマスクブランク１００とは異なっている。例えば、図２に示した例では、遮光膜２２０は、透明基板２１０に近い側から、下側層２２２および上側層２２４の２層で構成される。
第２のマスクブランク２００も、第１のマスクブランク１００と同様の２つの特徴を有する。すなわち、第２のマスクブランク２００から反射防止膜２５０を除去して得たサンプル（第１のサンプル）において、波長１９３ｎｍの光（例えばＡｒＦエキシマレーザ）を、透明基板２１０の第２の主面２１４の側から入射角θ１＝５゜で照射した際に得られる反射率Ｒ１は、５０％以上である。
また、第２のマスクブランク２００は、当該第２のマスクブランク２００から遮光膜２２０を除去して得たサンプル（第２のサンプル）において、前記光（例えばＡｒＦエキシマレーザ）を、透明基板２１０の第１の主面２１２の側から入射角θ２＝５゜で照射した際に得られる反射率をＲＡとし、透明基板２１０のみで測定される同様の反射率をＲＳとしたとき、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下であるという特徴を有する。
従って、第２のマスクブランク２００においても、遮光膜２２０の熱膨張および透明基板２１０の歪みを有意に抑制することができる。また、遮光膜２２０で反射した光が、透明基板２１０の第２の主面２１４で再度反射され、第１の主面２１２を介して被加工基板に照射されるという問題も、有意に抑制することができる。
従って、第２のマスクブランク２００においても、転写プロセス用のマスクとして使用した際に、パターン転写精度の低下を有意に抑制することができる。
（第２のマスクブランク２００の構成部材）
次に、第２のマスクブランク２００の構成部材について、より詳しく説明する。
ただし、第２のマスクブランク２００の多くの構成部材に関しては、前述の第１のマスクブランク１００の構成部材に関する記載が参照できる。そこで、ここでは、遮光膜２２０についてのみ説明する。なお、以下の説明では、明確化のため、各構成部材を説明する際に、図３に示した参照符号を使用する。
（遮光膜２２０）
遮光膜２２０は、下側層２２２および上側層２２４を有する。遮光膜２２０を２層構造とすることにより、前述の反射率Ｒ１をいっそう高めることが可能となる。なお、遮光膜２２０は、３層以上の層で構成されてもよい。
遮光膜２２０は、全体として、３６ｎｍ〜６７ｎｍの範囲の厚さを有してもよい。
（下側層２２２）
遮光膜２２０の下側層２２２は、Ａｌを含む金属を有する。例えば、下側層２２２は、Ａｌ層であってもよい。また、下側層２２２は、例えば、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、および水素（Ｈ）の少なくとも一つを含んでもよい。
下側層２２２の厚さは、これに限られるものではないが、例えば、３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲であってもよい。
（上側層２２４）
遮光膜２２０の上側層２２４は、ケイ素（Ｓｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、およびクロム（Ｃｒ）の少なくとも一つの金属を含んでもよい。また、上側層２２４は、例えば、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、および水素（Ｈ）の少なくとも一つを含んでもよい。
上側層２２４の厚さは、これに限られるものではないが、例えば、２７ｎｍ〜５２ｎｍの範囲であってもよい。
（第３の実施形態）
図４には、本発明の一実施形態によるさらに別のマスクブランクの概略的な断面図を示す。
図４に示すように、このマスクブランク（以下、「第３のマスクブランク」という）３００は、基本的に前述の図２に示した第２のマスクブランク２００と同様の構成を有する。例えば、第３のマスクブランク３００は、透明基板３１０、遮光膜３２０（下側層３２２および上側層３２４）、および反射防止膜３５０（第１の層３５２および第２の層３５４）を有する。
第３のマスクブランク３００も、第１のマスクブランク１００および第２のマスクブランク２００と同様の２つの特徴を有する。すなわち、第３のマスクブランク３００から反射防止膜３５０を除去して得たサンプル（第１のサンプル）において、波長１９３ｎｍの光（例えばＡｒＦエキシマレーザ）を、透明基板３１０の第２の主面３１４の側から入射角θ１＝５゜で照射した際に得られる反射率Ｒ１は、５０％以上である。
また、第３のマスクブランク３００は、当該第３のマスクブランク３００から遮光膜３２０を除去して得たサンプル（第２のサンプル）において、前記光（例えばＡｒＦエキシマレーザ）を、透明基板３１０の第１の主面３１２の側から入射角θ２＝５゜で照射した際に得られる反射率をＲＡとし、透明基板３１０のみで測定される同様の反射率をＲＳとしたとき、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下であるという特徴を有する。
従って、第３のマスクブランク３００においても、遮光膜３２０の熱膨張および透明基板３１０の歪みを有意に抑制することができる。また、遮光膜３２０で反射した光が、透明基板３１０の第２の主面３１４で再度反射され、第１の主面３１２を介して被加工基板に照射されるという問題も、有意に抑制することができる。
ここで、第３のマスクブランク３００においては、遮光膜３２０の外側に、さらに第２の反射防止膜３６０が配置されている。
第２の反射防止膜３６０は、第３のマスクブランク３００を転写プロセスのマスクとして使用した際に、被加工基板の側から反射される光が、再度、被加工基板に入射されることを抑制する役割を有する。
例えば、通常の転写プロセスにおいて、被加工基板に照射された光の一部は、被加工基板からマスクの表面（第１の主面）に向かって反射される。この際に、遮光膜のパターンを有しない第１の主面の部分では、反射光は、そのままマスクの内部に入射される（その後、マスクの反対側の表面（第２の主面）から、外部に出射される）。しかしながら、遮光膜のパターンを有する第１の主面の部分では、被加工基板の側から反射された光は、マスクで再反射され、被加工基板に再入射される可能性がある。このような現象が生じると、被加工基板に転写されるパターンの精度が低下してしまう。
しかしながら、第３のマスクブランク３００では、第２の反射防止膜３６０の存在により、そのような問題を有意に回避することができる。従って、第３のマスクブランク３００では、転写プロセス用のマスクとして使用した際に、パターン転写精度の低下をよりいっそう抑制することができる。
第２の反射防止膜３６０の構成は、特に限られない。第２の反射防止膜３６０は、例えば、酸化物または酸窒化物で構成されてもよい。
例えば、第２の反射防止膜３６０は、遮光膜３２０の上側層３２４を構成する材料、例えばケイ素（Ｓｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、およびクロム（Ｃｒ）の少なくとも一つの酸化物または酸窒化物で構成されてもよい。
第２の反射防止膜３６０の厚さは、これに限られるものではないが、例えば、２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲であってもよい。
以上、３つの構成を例に、本発明の一実施形態によるマスクブランクについて説明した。しかしながら、本発明によるマスクブランクの構成がこれらに限られるものではないことは、当業者には明らかである。例えば、図２に示した第１のマスクブランク１００において、遮光膜１２０の外側に、第３のマスクブランク３００のような第２の反射防止膜３６０を設置してもよい。この他にも各種態様が想定され得る。
（本発明によるマスクブランクの製造方法）
次に、本発明の一実施形態によるマスクブランクの製造方法の一例について説明する。なお、ここでは、前述の図３に示した第２のマスクブランク２００を例に、その製造方法の一例について説明する。また、明確化のため、以下の説明では、部材を表す際に図３に示した参照符号を使用する。
第２のマスクブランク２００の製造方法は、
（１）透明基板２１０の第１の主面２１２に、遮光膜２２０を形成する第１の工程と、
（２）透明基板２１０の第２の主面２１４に、反射防止膜２５０を形成する第２の工程と、
を有する。
なお、第１の工程および第２の工程は、逆の順番に実施されてもよい。
第１の工程では、透明基板２１０の第１の主面２１２に、遮光膜２２０として、下側層２２２および上側層２２４が順番に成膜される。また、第２の工程では、透明基板２１０の第２の主面２１４に、反射防止膜２５０として、第１の層２５２および第２の層２５４が順番に成膜される。
遮光膜２２０の下側層２２２および上側層２２４は、公知の成膜技術を用いて成膜することができる。そのような成膜技術には、例えば、マグネトロンスパッタリング法およびイオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、および電解めっき法などが含まれる。
例えば、スパッタリング法によりＡｌ製の下側層２２２を形成する場合、所定の雰囲気下で、Ａｌターゲットを用いたスパッタリングが実施される。雰囲気中には、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびキセノン（Ｘｅ）からなる群から選ばれる少なくとも一つの不活性ガスが含まれてもよい。また、雰囲気中には、さらに、酸素（Ｏ2）、窒素（Ｎ2）、水素（Ｈ2）のうちの少なくとも一つが含まれてもよい。
例えば、マグネトロンスパッタリング法により、Ａｌ製の下側層２２２を形成する場合、以下のプロセス条件が採用されてもよい：
スパッタガス：Ａｒガス；
圧力：１．０×１０−１Ｐａ〜５０×１０−１Ｐａ、好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜４０×１０−１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜３０×１０−１Ｐａ；
投入電力：３０〜３０００Ｗ、好ましくは１００〜３０００Ｗ、より好ましくは５００〜３０００Ｗ；
成膜速度：０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは１．０〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１．５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ。
例えば、スパッタリング法によりＳｉ製の上側層２２４を形成する場合、所定の雰囲気下で、Ｓｉターゲットを用いたスパッタリングが実施される。雰囲気中には、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびキセノン（Ｘｅ）からなる群から選ばれる少なくとも一つの不活性ガスが含まれてもよい。また、雰囲気中には、さらに、酸素（Ｏ2）、窒素（Ｎ2）、水素（Ｈ2）のうちの少なくとも一つが含まれてもよい。
例えば、マグネトロンスパッタリング法により、Ｓｉ製の上側層２２４を形成する場合、以下のプロセス条件が採用されてもよい：
スパッタガス：Ａｒガス；
圧力：１．０×１０−１Ｐａ〜５０×１０−１Ｐａ、好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜４０×１０−１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜３０×１０−１Ｐａ；
投入電力：３０〜３０００Ｗ、好ましくは１００〜３０００Ｗ、より好ましくは５００〜３０００Ｗ；
成膜速度：０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは１．０〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１．５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ。
同様に、反射防止膜２５０の第１の層２５２および第２の層２５４は、公知の成膜技術を用いて成膜することができる。そのような成膜技術には、例えば、マグネトロンスパッタリング法およびイオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、および電解めっき法などが含まれる。
例えば、スパッタリング法によりＡｌＯ製の第１の層２５２を形成する場合、所定の雰囲気下で、Ａｌターゲットを用いたスパッタリングが実施される。雰囲気中には、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびキセノン（Ｘｅ）からなる群から選ばれる少なくとも一つの不活性ガスが含まれてもよい。また、雰囲気中には、さらに、酸素（Ｏ2）、窒素（Ｎ2）、水素（Ｈ2）のうちの少なくとも一つが含まれてもよい。
例えば、マグネトロンスパッタリング法により、ＡｌＯ製の第１の層２５２を形成する場合、以下のプロセス条件が採用されてもよい：
スパッタガス：ＡｒおよびＯ２の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜６０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜４０ｖｏｌ、Ａｒガス濃度２０〜９７ｖｏｌ％、好ましくは４０〜９５ｖｏｌ％、より好ましくは６０〜９０ｖｏｌ％）；
圧力：１．０×１０−１Ｐａ〜５０×１０−１Ｐａ、好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜４０×１０−１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜３０×１０−１Ｐａ；
投入電力：３０〜３０００Ｗ、好ましくは１００〜３０００Ｗ、より好ましくは５００〜３０００Ｗ；
成膜速度：０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは１．０〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１．５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ。
例えば、スパッタリング法によりＳｉＯ製の第２の層２５４を形成する場合、所定の雰囲気下で、Ｓｉターゲットを用いたスパッタリングが実施される。雰囲気中には、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびキセノン（Ｘｅ）からなる群から選ばれる少なくとも一つの不活性ガスが含まれてもよい。また、雰囲気中には、さらに、酸素（Ｏ2）、窒素（Ｎ2）、水素（Ｈ2）のうちの少なくとも一つが含まれてもよい。
例えば、マグネトロンスパッタリング法により、ＳｉＯ製の第２の層２５４を形成する場合、以下のプロセス条件が採用されてもよい：
スパッタガス：ＡｒおよびＯ２の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜６０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜４０ｖｏｌ、Ａｒガス濃度２０〜９７ｖｏｌ％、好ましくは４０〜９５ｖｏｌ％、より好ましくは６０〜９０ｖｏｌ％）；
圧力：１．０×１０−１Ｐａ〜５０×１０−１Ｐａ、好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜４０×１０−１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０−１Ｐａ〜３０×１０−１Ｐａ；
投入電力：３０〜３０００Ｗ、好ましくは１００〜３０００Ｗ、より好ましくは５００〜３０００Ｗ；
成膜速度：０．５〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは１．０〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１．５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ。
前述の（１）および（２）の工程により、第２のマスクブランク２００を製造することができる。なお、その他の構成のマスクブランク、例えば第１のマスクブランク１００および第３のマスクブランク３００も、同様の方法で製造できることは当業者には明らかである。
例えば、第３のマスクブランク３００を製造する場合、前述の（１）および（２）の工程後に、遮光膜３２０の表面（上側層３２４）を酸化させたり、窒化させたりすることにより、遮光膜３２０の上に第２の反射防止膜３６０を形成することができる。
次に、本発明の実施例について説明する。
以下の例１〜例１５に記載の方法により、評価用試料を作製した。また、得られた試料を用いて、各種評価を実施した。
（例１）
まず、縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍ×厚さ６．３５ｍｍの寸法を有する石英ガラス基板を準備した。
次に、このガラス基板の第１の主面（縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍの面）に、単一層からなる遮光膜を成膜した。
遮光膜は、Ａｌ層とし、マグネトロンスパッタリング法により成膜した。ターゲットとしてはＡｌターゲットを使用し、スパッタリングガスは、アルゴンガス（Ａｒ）とした。また、投入電力は、７００Ｗとした。Ａｌ層の厚さは、５５ｎｍである。
得られた試料を「試料１」と称する。
（例２〜例６）
例１と同様の方法により、石英ガラス基板の上に、マグネトロンスパッタリング法により、単一層からなる遮光膜を成膜した。例２においては、遮光膜は、厚さ４８ｎｍのＳｉとした。例３においては、遮光膜は、厚さ４９ｎｍのＭｏとした。例４においては、遮光膜は、厚さ３６ｎｍのＷとした。例５においては、遮光膜は、厚さ４９ｎｍのＴａとした。例６においては、遮光膜は、厚さ６９ｎｍのＣｒとした。
これらの試料を、それぞれ、「試料２」〜「試料６」と称する。
（評価）
各試料１〜６を使用して、波長１９３ｎｍの光に対する反射率および透過率を評価した。
測定には、分光光度計（ＵＶ−４１００：日立ハイテクノロジーズ社製）を使用した。なお、反射率は、試料の遮光膜が配置されていない側から、光を入射角θ１＝５゜で照射した際に得られた値である。一方、透過率は、試料の遮光膜が配置されていない側から、光を入射角＝０゜で照射した際に得られた値である。
結果をまとめて以下の表１に示す。
Figure 2017054105
 表１から、試料１〜試料６のいずれにおいても、透過率は０．１％以下となっていることがわかる。このことから、試料１〜試料６において成膜された層は、いずれも良好な遮光性能を有することがわかる。
また、試料１（遮光膜はＡｌ層）、試料２（遮光膜はＳｉ層）、試料３（遮光膜はＭｏ層）および試料４（遮光膜はＷ層）では、反射率がいずれも５０％以上であることがわかった。従って、これらの材料をマスクブランク（およびマスク）の遮光膜として使用した場合、照射光の吸収による熱発生を有意に抑制できることが予想される。
一方、試料５（遮光膜はＴａ層）および試料６（遮光膜はＣｒ層）では、反射率はいずれも５０％未満であった。従って、これらの材料をマスクブランク（およびマスク）の遮光膜として使用した場合、照射光の吸収による熱発生を十分に抑制することは難しいと予想される。
（例７）
縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍ×厚さ６．３５ｍｍの寸法を有する石英ガラス基板を準備した。
次に、このガラス基板の第１の主面（縦１５２ｍｍ×横１５２ｍｍの面）に、２層からなる遮光膜を成膜した。遮光膜において、下側層はＡｌ層とし、上側層はＳｉ層とした。
各層は、マグネトロンスパッタリング法により成膜した。下側層を成膜する際のターゲットとしてはＡｌターゲットを使用し、上側層を成膜する際のターゲットとしてはＳｉターゲットを使用した。
何れの層の成膜においても、スパッタリングガスは、アルゴンガス（Ａｒ）とした。また、投入電力は、７００Ｗとした。Ａｌ層の厚さは３ｎｍとし、Ｓｉ層の厚さは４５ｎｍとした。
得られた試料を「試料７」と称する。
（例８〜例１５）
例７と同様の方法により、石英ガラス基板の上に、マグネトロンスパッタリング法により、２層からなる遮光膜を成膜した。
例８においては、遮光膜として、厚さ１５ｎｍのＡｌ層（下側層）を形成した後、厚さ３５ｎｍのＳｉ層（上側層）を形成した。例９においては、遮光膜として、厚さ３ｎｍのＡｌ層（下側層）を形成した後、厚さ４６ｎｍのＭｏ層（上側層）を形成した。例１０においては、遮光膜として、厚さ１５ｎｍのＡｌ層（下側層）を形成した後、厚さ３６ｎｍのＭｏ層（上側層）を形成した。例１１においては、遮光膜として、厚さ３ｎｍのＡｌ層（下側層）を形成した後、厚さ３４ｎｍのＷ層（上側層）を形成した。例１２においては、遮光膜として、厚さ１５ｎｍのＡｌ層（下側層）を形成した後、厚さ２７ｎｍのＷ層（上側層）を形成した。例１３においては、遮光膜として、厚さ３ｎｍのＡｌ層（下側層）を形成した後、厚さ４７ｎｍのＴａ層（上側層）を形成した。例１４においては、遮光膜として、厚さ１５ｎｍのＡｌ層（下側層）を形成した後、厚さ３７ｎｍのＴａ層（上側層）を形成した。例１５においては、遮光膜として、厚さ１５ｎｍのＡｌ層（下側層）を形成した後、厚さ５２ｎｍのＣｒ層（上側層）を形成した。
これらの試料を、それぞれ、「試料８」〜「試料１５」と称する。
（評価）
各試料７〜１５を使用して、前述の方法により、波長１９３ｎｍの光に対する反射率および透過率を評価した。
結果をまとめて以下の表２に示す。
Figure 2017054105
 表２から、試料７〜試料１５のいずれにおいても、透過率を０．１％以下に維持したまま、５０％以上の反射率が達成されることがわかった。特に、前述の試料５と試料１３および試料１４の比較から、Ｔａ層単層では、有意な反射率を発現させることは難しいものの、Ｔａ層とＡｌ層との２層構造とすることで、５０％以上の反射率を達成できることがわかった。同様に、前述の試料６と試料１５の比較から、Ｃｒ層単層では、有意な反射率を発現させることは難しいものの、Ｃｒ層とＡｌ層との２層構造とすることで、５０％以上の反射率を達成できることがわかった。
以上のことから、２層構造の遮光膜をマスクブランク（およびマスク）に適用した場合、照射光の吸収による熱発生を有意に抑制することができることが予想される。
（例１６）
以下の方法により、反射防止膜を有する試料の反射防止効果をシミュレーションで評価した。
評価試料（「試料１６」と称する）は、石英ガラス基板の一方の表面（第２の主面）上に、第１の層および第２の層をこの順に有する構成とした。第１の層はＡｌＯ層とし、第２の層はＳｉＯ層とした。
（光学定数の評価）
シミュレーションに先立ち、石英ガラス基板上に形成されたＡｌＯ層、および石英ガラス基板上に形成されたＳｉＯ層の光学定数を評価した。
測定には、分光エリプソメーター（型番Ｍ−２０００ＤＩ：Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｊａｐａｎ社製）を使用した。
測定の結果、ＡｌＯ層の屈折率は、１．９４１であり、消衰係数ｋは、０．０００であることがわかった。また、ＳｉＯ層の屈折率は、１．５５７であり、消衰係数ｋは、０．０００であることがわかった。
（シミュレーション評価）
前述の測定された光学定数を用いて、以下の評価を行った。
試料１６において、第１の主面（第２の主面とは反対の表面）の側から、波長１９３ｎｍの光を入射角θ２＝５゜で照射した際に得られる反射率をＲＡとする。また、第１および第２の層を有しない石英ガラス基板において、同様に得られる反射率をＲＳとする（Ｒｓ＝４．９％）。第１の層（Ａｌ層）の厚さおよび第２の層（ＳｉＯ層）の厚さを、それぞれ独立に変化させた際に得られる比ＲＡ／ＲＳの変化を、シミュレーション計算により評価する。
図５には、このようなシミュレーション計算から得られた、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下となる領域をマッピングした結果を示す。図５において、横軸は第１の層（ＡｌＯ層）の膜厚であり、縦軸は第２の層（ＳｉＯ層）の膜厚である。また、図５において、ループ線で囲まれた内側の領域が、比ＲＡ／ＲＳ≦０．１に対応する（すなわち、ループ線は、比ＲＡ／ＲＳ＝０．１を表す）。
この図から、第１の層の厚さが１３ｎｍ〜３７ｎｍの範囲にあり、第２の層の厚さが２３ｎｍ〜３９ｎｍの範囲にある場合、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下となり、良好な低反射効果が得られることがわかった。
このことを確認するため、実際に作製した試料（試料Ａおよび試料Ｂ）を用いて、比ＲＡ／ＲＳを算定した。
試料Ａは、マグネトロンスパッタリング法により、石英ガラス基板上に２５ｎｍのＡｌＯ層を成膜して作製した。また、試料Ｂは、マグネトロンスパッタリング法により、石英ガラス基板上に２５ｎｍのＡｌＯ層を成膜した後、さらに３１ｎｍのＳｉＯ層を成膜することにより作製した。
試料Ａおよび試料Ｂを用いて、石英ガラス基板の層が形成されていない表面側からの反射率を測定した（入射角θ２＝５゜）。また、測定結果から、前述の比ＲＡ／ＲＳを算出した。その結果、試料Ａでは、ＲＡ＝１６．９％であり、比ＲＡ／ＲＳ＝３．４であった。一方、試料Ｂでは、ＲＡ＝０．０１％であり、比ＲＡ／ＲＳ＝０．００２であった。この結果から、試料Ｂでは、良好な低反射効果が得られることがわかった。
前述の図５には、両試料Ａ、Ｂにおける結果がプロットされている。試料Ａでは、×印に示すように、比ＲＡ／ＲＳは、比ＲＡ／ＲＳ≦０．１の領域に含まれないことがわかる。一方、試料Ｂでは、○印に示すように、比ＲＡ／ＲＳは、比ＲＡ／ＲＳ≦０．１の領域に含まれることがわかる。
このように、実際の測定結果は、シミュレーション結果とよく整合することがわかった。
以上のことから、反射防止膜をＡｌＯ（第１の層）およびＳｉＯ（第２の層）で構成した場合、それぞれの膜厚を適正に選定することにより、十分な反射防止効果が得られることが確認された。
（例１７）
例１６と同様の方法により、反射防止膜を有する試料の反射防止効果をシミュレーションで評価した。
評価試料（「試料１７」と称する）は、石英ガラス基板の一方の表面（第２の主面）上に、第１の層および第２の層をこの順に有する構成とした。第１の層はＹＯ層とし、第２の層はＳｉＯ層とした。なお、例１６の場合と同様の光学定数の測定の結果、ＹＯ層の屈折率は１．９９０であり、消衰係数ｋは０．０００であることがわかった。
図６には、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下となる領域をマッピングした結果を示す。図６において、横軸は第１の層（ＹＯ層）の膜厚であり、縦軸は第２の層（ＳｉＯ層）の膜厚である。また、図において、ループ線で囲まれた内側の領域が、比ＲＡ／ＲＳ≦０．１に対応する（すなわち、ループ線は、比ＲＡ／ＲＳ＝０．１を表す）。
この図から、第１の層の厚さが１１ｎｍ〜３８ｎｍの範囲にあり、第２の層の厚さが２２ｎｍ〜４１ｎｍの範囲にある場合、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下となることがわかった。
このように、反射防止膜をＹＯ（第１の層）およびＳｉＯ（第２の層）で構成した場合、それぞれの膜厚を適正に選定することにより、十分な反射防止効果が得られることが確認された。
（例１８）
例１６と同様の方法により、反射防止膜を有する試料の反射防止効果をシミュレーションで評価した。
評価試料（「試料１８」と称する）は、石英ガラス基板の一方の表面（第２の主面）上に、第１の層および第２の層をこの順に有する構成とした。第１の層はＨｆＯ層とし、第２の層はＳｉＯ層とした。なお、例１６の場合と同様の光学定数の測定の結果、ＨｆＯ層の屈折率は２．０５６であり、消衰係数ｋは０．０００であることがわかった。
図７には、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下となる領域をマッピングした結果を示す。図７において、横軸は第１の層（ＨｆＯ層）の膜厚であり、縦軸は第２の層（ＳｉＯ層）の膜厚である。また、図において、ループ線で囲まれた内側の領域が、比ＲＡ／ＲＳ≦０．１に対応する（すなわち、ループ線は、比ＲＡ／ＲＳ＝０．１を表す）。
この図から、第１の層の厚さが９ｎｍ〜３８ｎｍの範囲にあり、第２の層の厚さが２１ｎｍ〜４２ｎｍの範囲にある場合、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下となることがわかった。
このように、反射防止膜をＨｆＯ（第１の層）およびＳｉＯ（第２の層）で構成した場合、それぞれの膜厚を適正に選定することにより、十分な反射防止効果が得られることが確認された。
以上の評価結果から、遮光膜および反射防止膜の材料系および膜厚の適正な選定により、前述のように規定される遮光膜の反射率を５０％以上とし、前述のように規定される反射防止膜における比ＲＡ／ＲＳを０．１以下とすることができることが確認された。このような構成をマスクブランクに適用することにより、マスクとして使用した際のパターン転写精度の低下を有意に抑制することができる。
１ 従来のマスク
１０ ガラス基板
１２ 第１の主面
１４ 第２の主面
２０ 遮光膜
９０ 被加工基板
１００ 第１のマスクブランク
１１０ 透明基板
１１２ 第１の主面
１１４ 第２の主面
１２０ 遮光膜
１５０ 反射防止膜
１５２ 第１の層
１５４ 第２の層
２００ 第２のマスクブランク
２１０ 透明基板
２１２ 第１の主面
２１４ 第２の主面
２２０ 遮光膜
２２２ 下側層
２２４ 上側層
２５０ 反射防止膜
２５２ 第１の層
２５４ 第２の層
３００ 第３のマスクブランク
３１０ 透明基板
３１２ 第１の主面
３１４ 第２の主面
３２０ 遮光膜
３２２ 下側層
３２４ 上側層
３５０ 反射防止膜
３５２ 第１の層
３５４ 第２の層
３６０ 第２の反射防止膜

Claims (9)

  1. 透明基板を有するマスクブランクであって、
    前記透明基板は、相互に対向する第１の主面および第２の主面を有し、
    前記第１の主面には、遮光膜が設置され、
    前記第２の主面には、反射防止膜が配置され、前記反射防止膜は、前記透明基板に近い側から、第１の層および第２の層を有し、
    当該マスクブランクにおいて、前記反射防止膜を除去し、波長１９３ｎｍの光を、前記透明基板の前記第２の主面の側から入射角θ１＝５゜で照射した際に得られる反射率Ｒ１は、５０％以上であり、
    当該マスクブランクにおいて、前記遮光膜を除去し、前記光を、前記透明基板の前記第１の主面の側から入射角θ２＝５゜で照射した際に得られる反射率をＲＡとし、前記透明基板のみで測定される同様の反射率をＲＳとしたとき、比ＲＡ／ＲＳが０．１以下であり、
    前記反射防止膜は、膜厚が４８ｎｍ〜６２ｎｍの範囲であり、
    前記反射防止膜の第１の層は、アルミニウム（Ａｌ）、イットリウム（Ｙ）、およびハフニウム（Ｈｆ）の少なくとも一つの金属を含む酸化物または酸窒化物を含む、マスクブランク。
  2. 前記反射防止膜は、前記第１の層および前記第２の層の２層で構成される、請求項１に記載のマスクブランク。
  3. 前記反射防止膜の第１の層は、屈折率が１．６以上２．５以下であり、消衰係数が０．１以下である、請求項２に記載のマスクブランク。
  4. 前記反射防止膜の第２の層は、屈折率が１．０以上１．６未満であり、消衰係数が０．１以下である、請求項２または３に記載のマスクブランク。
  5. 前記反射防止膜の第２の層は、ケイ素（Ｓｉ）の酸化物または酸窒化物を含む、請求項２乃至４のいずれか一つに記載のマスクブランク。
  6. 前記遮光膜は、膜厚が３６〜６７ｎｍの範囲である、請求項１乃至５のいずれか一つに記載のマスクブランク。
  7. 前記遮光膜は、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）の少なくとも一つの金属を含む、請求項１乃至６のいずれか一つに記載のマスクブランク。
  8. 前記遮光膜は、前記透明基板に近い側から、下側層および上側層の少なくとも２層を有し、
    前記下側層は、アルミニウム（Ａｌ）を含み、
    前記上側層は、ケイ素（Ｓｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）の少なくとも一つの金属を含む、請求項１乃至６のいずれか一つに記載のマスクブランク。
  9. 前記透明基板は、石英ガラスまたはフッ素ドープ石英ガラスである、請求項１乃至８のいずれか一つに記載のマスクブランク。
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