JP2016524155A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016524155A5 JP2016524155A5 JP2016524217A JP2016524217A JP2016524155A5 JP 2016524155 A5 JP2016524155 A5 JP 2016524155A5 JP 2016524217 A JP2016524217 A JP 2016524217A JP 2016524217 A JP2016524217 A JP 2016524217A JP 2016524155 A5 JP2016524155 A5 JP 2016524155A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- target structure
- target
- background
- contrast
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 37
- 230000002708 enhancing Effects 0.000 claims description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 210000001747 Pupil Anatomy 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Description
異なる配向を有する標的構造120と背景110との間の境界線の反射は、線端部の品質及び特徴、線縁部の粗度、並びに線間の距離に強く依存し得る。図5Fに示される1つに類似の標的100が、これらのパラメータを定量化及び観察するために使用され得る。例えば、側壁角(SWA)は、距離dを示し得、例えば、同一のSWAが、すべての線に関する同一の距離を示し得る一方で、線のSWAの差は、パターン配置エラー又は線端部及び縁部の品質における大きな変動の兆候として使用され得る。ある実施形態では、距離dは、数ナノメートルの小さい範囲内で平行線に沿って(設計によって)変動し得る。かかる小さい変化の下では、側壁角は、距離dの変化に比例するはずであり、かかる比例挙動からの逸脱は、リソグラフィープロセスの品質を示すために使用され得、また、パターン化はデバイススケールであるため、従属SWA(d)は、デバイスの品質の直接的な兆候として使用され得る。ある実施形態では、距離dの意図的な変動は、観察及び制御の目的のために、スキャナ焦点及び線量変動に対する標的の感度を強化するために光学CD標的に使用され得る。ある実施形態では、偏光パラメータは、異なる偏光パラメータに対する異なる標的応答から追加の情報を抽出するために変化され得る。
図6A〜図6Mは、本発明のいくつかの実施形態による、光学照明及び測定システム200の高レベル概略図である。すべての図において、非偏光源70は、対象77を介してウエハ75上の標的100の偏光照明を提供するように修正される。レンズ79を介して検出器80(CCDカメラなど)に方向付けられる収集された照明は、該照明と同様に、又は異なって偏光され得る。
Claims (30)
- 標的構造を、偏光下でその背景に対して指定のコントラスト閾値を上回る高コントラストを有する一方で、非偏光下でその背景に対して前記指定のコントラスト閾値を下回る低コントラストを有するように設計するステップを含み、
前記設計するステップは、少なくとも1つのコンピュータプロセッサによって実行される、
ことを特徴とする方法。 - 前記標的構造を、その製造プロセスに対して完全にプロセス適合性となるように設計するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記標的構造を、前記標的構造の背景形体に垂直な形体を有するように構成するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 偏光下で前記標的構造の背景に対する前記標的構造のコントラストを維持又は強化するように、前記標的構造の領域内に追加の層を設計するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記標的構造を、その背景形体から指定の範囲まで離間させるステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記設計された標的構造を製造するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記設計された標的構造を製造するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記設計された標的構造を製造するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項3に記載の方法。 - 前記設計された標的構造を製造するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 前記設計された標的構造を製造するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項5に記載の方法。 - 前記標的構造を偏光下で測定し、前記標的構造を前記標的構造の背景と区別するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項5に記載の方法。 - 前記標的構造を様々な照明条件下で繰り返し測定するステップと、
複数の測定から追加の測定データを抽出するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 前記標的構造と前記標的構造の背景との間の前記コントラストを強化するように、各層の測定条件を調整するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項11に記載の方法。 - ゼロ次回析パターンを除去した後に、一次回析パターンを測定するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記測定するステップは、連結された偏光子、前記測定の光路内の代替偏光子、干渉計、可変リターダ偏光子、瞳面におけるゼロ次ブロッカ、及び偏光源のうちの少なくとも1つを使用して実行される、
ことを特徴とする請求項11に記載の方法。 - コンピュータ可読プログラムが記憶されたコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品であって、
前記コンピュータ可読プログラムは、請求項1に記載の方法を実行するように構成される、
ことを特徴とするコンピュータプログラム製品。 - 請求項1に記載の方法に従って設計又は製造されることを特徴とする標的設計ファイル。
- 請求項1に記載の方法に従って設計、製造、又は測定されることを特徴とする計測標的。
- 標的構造を備える計測標的であって、
前記標的構造が、偏光下で背景に対して指定のコントラスト閾値を上回る高コントラストを有する一方で、非偏光下で前記背景に対して前記指定のコントラスト閾値を下回る低コントラストを有するように配列され、かつそれらの製造プロセスに対して完全にプロセス適合性となるようにさらに配列される、
ことを特徴とする計測標的。 - 前記標的構造は、背景形体に垂直な形体を備える、
ことを特徴とする請求項19に記載の計測標的。 - 偏光下で前記標的構造の背景に対する前記標的構造のコントラストを維持又は強化するように、前記標的構造の領域内に追加の層をさらに備える、
ことを特徴とする請求項19に記載の計測標的。 - 前記標的構造は、その背景形体から指定の範囲まで離間される、
ことを特徴とする請求項19に記載の計測標的。 - 請求項19に記載の計測標的の計測測定。
- 請求項20に記載の計測標的の計測測定。
- 請求項21に記載の計測標的の計測測定。
- 請求項22に記載の計測標的の計測測定。
- 様々な照明条件下で繰り返し実行される請求項23に記載の計測測定、及び複数の測定から抽出される追加の測定データ。
- 様々な照明条件下で繰り返し実行される請求項24に記載の計測測定、及び複数の測定から抽出される追加の測定データ。
- 様々な照明条件下で繰り返し実行される請求項25に記載の計測測定、及び複数の測定から抽出される追加の測定データ。
- 様々な照明条件下で繰り返し実行される請求項26に記載の計測測定、及び複数の測定から抽出される追加の測定データ。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361840339P | 2013-06-27 | 2013-06-27 | |
US61/840,339 | 2013-06-27 | ||
US201361916018P | 2013-12-13 | 2013-12-13 | |
US61/916,018 | 2013-12-13 | ||
PCT/US2014/044440 WO2014210381A1 (en) | 2013-06-27 | 2014-06-26 | Polarization measurements of metrology targets and corresponding target designs |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019186136A Division JP6875483B2 (ja) | 2013-06-27 | 2019-10-09 | 計測標的の偏光測定及び対応する標的設計 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016524155A JP2016524155A (ja) | 2016-08-12 |
JP2016524155A5 true JP2016524155A5 (ja) | 2017-08-03 |
JP6602755B2 JP6602755B2 (ja) | 2019-11-06 |
Family
ID=52142695
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016524217A Active JP6602755B2 (ja) | 2013-06-27 | 2014-06-26 | 計測標的の偏光測定及び対応する標的設計 |
JP2019186136A Active JP6875483B2 (ja) | 2013-06-27 | 2019-10-09 | 計測標的の偏光測定及び対応する標的設計 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019186136A Active JP6875483B2 (ja) | 2013-06-27 | 2019-10-09 | 計測標的の偏光測定及び対応する標的設計 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10458777B2 (ja) |
JP (2) | JP6602755B2 (ja) |
KR (2) | KR102333504B1 (ja) |
CN (2) | CN111043958B (ja) |
TW (1) | TWI675998B (ja) |
WO (1) | WO2014210381A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102312241B1 (ko) * | 2012-11-21 | 2021-10-13 | 케이엘에이 코포레이션 | 프로세스 호환 세그먼팅된 타겟들 및 설계 방법들 |
US9851300B1 (en) * | 2014-04-04 | 2017-12-26 | Kla-Tencor Corporation | Decreasing inaccuracy due to non-periodic effects on scatterometric signals |
US10228320B1 (en) | 2014-08-08 | 2019-03-12 | KLA—Tencor Corporation | Achieving a small pattern placement error in metrology targets |
CN111338187A (zh) * | 2014-08-29 | 2020-06-26 | Asml荷兰有限公司 | 度量方法、目标和衬底 |
CN108369087B (zh) * | 2015-12-08 | 2021-04-30 | 科磊股份有限公司 | 使用偏振目标及偏振照明以控制衍射级的振幅及相位 |
WO2018063625A1 (en) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | Kla-Tencor Corporation | Direct focusing with image binning in metrology tools |
US10754261B2 (en) * | 2017-06-06 | 2020-08-25 | Kla-Tencor Corporation | Reticle optimization algorithms and optimal target design |
US10409948B1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-09-10 | Cadence Design Systems, Inc. | Topology preserving schematic transformations for RF net editing |
US10837919B2 (en) | 2017-11-06 | 2020-11-17 | Kla Corporation | Single cell scatterometry overlay targets |
WO2021144066A1 (en) * | 2020-01-16 | 2021-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Substrate, patterning device and lithographic apparatuses |
US11921420B2 (en) * | 2022-01-28 | 2024-03-05 | D2S, Inc. | Method and system for reticle enhancement technology |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6023338A (en) * | 1996-07-12 | 2000-02-08 | Bareket; Noah | Overlay alignment measurement of wafers |
CN1163737C (zh) * | 2000-03-07 | 2004-08-25 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种综合测量液晶器件参数的装置及方法 |
US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US7068833B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
JP5180419B2 (ja) * | 2000-08-30 | 2013-04-10 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
US7050162B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-05-23 | Therma-Wave, Inc. | Optical metrology tool having improved contrast |
JP3695398B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2005-09-14 | 富士ゼロックス株式会社 | 光学式エンコーダ及びエンコーダ用スケール |
JP3967935B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2007-08-29 | 株式会社日立製作所 | 合わせ精度計測装置及びその方法 |
US7230703B2 (en) * | 2003-07-17 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for measuring overlay by diffraction gratings |
SG112969A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and methods for use thereof |
US20050286052A1 (en) * | 2004-06-23 | 2005-12-29 | Kevin Huggins | Elongated features for improved alignment process integration |
KR100684872B1 (ko) * | 2004-08-03 | 2007-02-20 | 삼성전자주식회사 | 빛의 편광을 공간적으로 제어하는 광학 시스템 및 이를제작하는 방법 |
CN1300564C (zh) * | 2004-12-28 | 2007-02-14 | 天津大学 | 基于角度测量的原子力显微镜测量方法 |
US7556898B2 (en) * | 2005-09-01 | 2009-07-07 | Infineon Technologies Ag | Overlay target for polarized light lithography |
DE102005046973B4 (de) * | 2005-09-30 | 2014-01-30 | Globalfoundries Inc. | Struktur und Verfahren zum gleichzeitigen Bestimmen einer Überlagerungsgenauigkeit und eines Musteranordnungsfehlers |
US7324193B2 (en) * | 2006-03-30 | 2008-01-29 | Tokyo Electron Limited | Measuring a damaged structure formed on a wafer using optical metrology |
US7528941B2 (en) | 2006-06-01 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technolgies Corporation | Order selected overlay metrology |
KR101382020B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 표면 검사 장치 |
JP4644832B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2011-03-09 | 学校法人東京理科大学 | 回転電気機械 |
JP4949073B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2012-06-06 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
US8004678B2 (en) * | 2007-06-26 | 2011-08-23 | Intel Corporation | Wafer level alignment structures using subwavelength grating polarizers |
US8161728B2 (en) * | 2007-06-28 | 2012-04-24 | United Technologies Corp. | Gas turbines with multiple gas flow paths |
SG153747A1 (en) * | 2007-12-13 | 2009-07-29 | Asml Netherlands Bv | Alignment method, alignment system and product with alignment mark |
US20090265148A1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Synopsys, Inc. | Modeling a sector-polarized-illumination source in an optical lithography system |
JP5007979B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2012-08-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 欠陥を検査する方法及び欠陥検査装置 |
CN101513366B (zh) * | 2009-03-18 | 2011-03-23 | 天津大学 | 基于ps-oct的三维可视化成像方法 |
NL2004897A (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-27 | Asml Netherlands Bv | Producing a marker pattern and measurement of an exposure-related property of an exposure apparatus. |
TWI423166B (zh) * | 2009-12-04 | 2014-01-11 | Huper Lab Co Ltd | 判斷輸入影像是否為霧化影像之方法、判斷輸入影像的霧級數之方法及霧化影像濾清方法 |
CN101915556B (zh) * | 2010-07-09 | 2011-11-09 | 浙江大学 | 可用于低反射率光学球面面形检测的偏振点衍射干涉系统 |
US9927718B2 (en) * | 2010-08-03 | 2018-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems |
NL2007765A (en) | 2010-11-12 | 2012-05-15 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method. |
US8681413B2 (en) * | 2011-06-27 | 2014-03-25 | Kla-Tencor Corporation | Illumination control |
CN102332165B (zh) * | 2011-09-15 | 2013-08-21 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 复杂背景下动目标或弱小目标的实时鲁棒跟踪装置 |
US9093458B2 (en) * | 2012-09-06 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Device correlated metrology (DCM) for OVL with embedded SEM structure overlay targets |
WO2014062972A1 (en) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Kla-Tencor Corporation | Symmetric target design in scatterometry overlay metrology |
US20140240705A1 (en) | 2013-02-27 | 2014-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, reticle method for checking position misalignment and method for manufacturing position misalignment checking mark |
WO2015153497A1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Focus measurements using scatterometry metrology |
-
2014
- 2014-06-26 KR KR1020217014021A patent/KR102333504B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-26 CN CN201911299611.XA patent/CN111043958B/zh active Active
- 2014-06-26 KR KR1020167001849A patent/KR102252341B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-26 WO PCT/US2014/044440 patent/WO2014210381A1/en active Application Filing
- 2014-06-26 CN CN201480041321.4A patent/CN105408721B/zh active Active
- 2014-06-26 JP JP2016524217A patent/JP6602755B2/ja active Active
- 2014-06-27 TW TW103122413A patent/TWI675998B/zh active
-
2015
- 2015-11-23 US US14/949,444 patent/US10458777B2/en active Active
-
2019
- 2019-10-09 JP JP2019186136A patent/JP6875483B2/ja active Active
- 2019-10-28 US US16/665,759 patent/US11060845B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016524155A5 (ja) | ||
JP6875483B2 (ja) | 計測標的の偏光測定及び対応する標的設計 | |
TWI752764B (zh) | 用於疊對測量之形貌相位控制 | |
JP7071562B2 (ja) | 画像を用いたモデル依拠計量システム及び方法 | |
TWI733150B (zh) | 多重圖案化參數之量測 | |
JP2017527780A5 (ja) | ||
US9568872B2 (en) | Process control using non-zero order diffraction | |
IL273041B2 (en) | Meteorological method and device for determining a variable process pattern | |
JP2015038474A (ja) | 位相制御モデルに基づくオーバーレイ測定システム及び方法 | |
JP2018529952A5 (ja) | ||
JP2014132695A5 (ja) | ||
WO2013139483A3 (en) | Measuring system for measuring an imaging quality of an euv lens | |
JP2013185832A5 (ja) | ||
KR20170066524A (ko) | 검증 계측 타겟 및 그 설계 | |
JP2014085123A5 (ja) | ||
WO2018071063A1 (en) | Diffraction-based focus metrology | |
JP2017516075A5 (ja) | ||
JP2015049197A5 (ja) | ||
JP2015197744A5 (ja) | ||
JP2016129212A5 (ja) | ||
TWI610060B (zh) | 檢測設備、測量設備、微影設備及製造物品的方法 | |
JP2016211894A5 (ja) | 検出装置、計測装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法、および検出方法 | |
JP2016058452A5 (ja) | ||
JP2014160780A5 (ja) | ||
JP2015076491A5 (ja) |