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JP2016218407A - Exposure apparatus, exposure method and producing method of product - Google Patents

Exposure apparatus, exposure method and producing method of product Download PDF

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JP2016218407A JP2015106730A JP2015106730A JP2016218407A JP 2016218407 A JP2016218407 A JP 2016218407A JP 2015106730 A JP2015106730 A JP 2015106730A JP 2015106730 A JP2015106730 A JP 2015106730A JP 2016218407 A JP2016218407 A JP 2016218407A
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure apparatus advantageous in compatibility of improvement in throughput and improvement in focus accuracy.SOLUTION: An exposure apparatus for scan exposure of shot region of a substrate while scanning of the substrate relatively to slit light comprises a first measuring part measuring height of the substrate in incident region capable of being radiated with the slit light, a second measuring part measuring height of the substrate at front of the incident region, and a controlling part controlling the height of the substrate during the scan exposure in the shot region. Within first section of the shot region at a side of end part of the shot region from which the scan exposure is started, the controlling part controls the height of the substrate during scan exposure in the first section based on measurement result by the first measuring part in outside region of the shot region, and, within second section of the shot region where the scan exposure is executed after the first section, the controlling part controls the height of the substrate during scan exposure in the second section based on measurement result by the second measuring part.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、露光装置、露光方法、および物品の製造方法に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a method for manufacturing an article.

半導体デバイスなどの製造工程(リソグラフィ工程)で用いられる装置の1つとして、スリット光に対して基板を走査しながら基板のショット領域の走査露光を行う露光装置がある。このような露光装置は、スリット光を入射可能な入射領域の手前で基板の表面高さの計測(フォーカス計測)を行い、その計測結果に基づいて基板の表面を投影光学系の結像面(フォーカス面)に配置しながらショット領域の走査露光を行う。   As an apparatus used in a manufacturing process (lithography process) of a semiconductor device or the like, there is an exposure apparatus that performs scanning exposure of a shot region of a substrate while scanning the substrate with respect to slit light. Such an exposure apparatus measures the surface height of the substrate (focus measurement) before the incident area where the slit light can enter, and based on the measurement result, the surface of the substrate is imaged on the image plane of the projection optical system ( The shot area is scanned and exposed while being placed on the focus plane.

露光装置では、スループットを向上させることが求められており、スループットを向上させるには、ショット領域の走査露光の合間における基板ステージのステップ移動に要する時間を短縮することが好ましい。特許文献1には、ショット領域の端部またはその近傍におけるフォーカス計測が省略されるように、フォーカス計測を開始させるショット領域の位置を決定することにより、基板ステージのステップ移動に要する時間を短縮させる方法が提案されている。   The exposure apparatus is required to improve the throughput. In order to improve the throughput, it is preferable to shorten the time required for the step movement of the substrate stage between scanning exposures of the shot area. In Patent Document 1, the time required for step movement of the substrate stage is shortened by determining the position of the shot region where focus measurement is started so that focus measurement at or near the end of the shot region is omitted. A method has been proposed.

特開2009−94256号公報JP 2009-94256 A

特許文献1に記載された方法では、スループットが向上するようにフォーカス計測を開始させるショット領域の位置を決定すると、フォーカス計測が行われない区間がショット領域に生じうる。この区間では、フォーカス計測の結果に基づいて基板の表面をフォーカス面に配置させる制御が行われないため、フォーカス精度が許容範囲に収まらないことがある。つまり、特許文献1に記載された方法では、スループットの向上とフォーカス精度の向上との両立が不十分になりうる。   In the method described in Patent Document 1, when the position of the shot area where focus measurement is started is determined so as to improve the throughput, a section where focus measurement is not performed may occur in the shot area. In this section, since the control for arranging the surface of the substrate on the focus surface is not performed based on the result of focus measurement, the focus accuracy may not be within the allowable range. In other words, the method described in Patent Document 1 may be insufficient in achieving both improvement in throughput and improvement in focus accuracy.

そこで、本発明は、スループットの向上とフォーカス精度の向上とを両立させるために有利な露光装置を提供することを目的とする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it provides an exposure apparatus that is advantageous for improving both throughput and focus accuracy.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、スリット光に対して基板を走査しながら前記基板のショット領域の走査露光を行う露光装置であって、前記スリット光を入射可能な入射領域において前記基板の高さを計測する第1計測部と、前記第1計測部による計測に先立って、前記入射領域の手前で前記基板の高さを計測する第2計測部と、前記ショット領域の走査露光中における前記基板の高さを制御する制御部と、を含み、前記制御部は、走査露光を開始する前記ショット領域の端部側における前記ショット領域の第1区間では、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記ショット領域の外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて制御し、前記第1区間より後に走査露光が行われる前記ショット領域の第2区間では、前記第2区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記第2計測部による計測結果に基づいて制御する、ことを特徴とする。   In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to one aspect of the present invention is an exposure apparatus that performs scanning exposure of a shot area of the substrate while scanning the substrate with respect to the slit light, and the slit light is incident on the exposure apparatus. A first measurement unit that measures the height of the substrate in a possible incident region; and a second measurement unit that measures the height of the substrate before the incident region prior to measurement by the first measurement unit; A control unit that controls the height of the substrate during scanning exposure of the shot region, and the control unit includes a first section of the shot region on the end side of the shot region where scanning exposure is started, The height of the substrate during the scanning exposure in the first section is controlled based on the measurement result by the first measuring unit in the outer area of the shot area, and before the scanning exposure is performed after the first section. In the second section of the shot area, the height of the substrate during the scanning exposure of the second section is controlled based on the measurement result of the second measurement unit, it is characterized.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。   Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、スループットの向上とフォーカス精度の向上とを両立させるために有利な露光装置を提供することができる。   According to the present invention, for example, it is possible to provide an exposure apparatus that is advantageous for achieving both improvement in throughput and improvement in focus accuracy.

第1実施形態の露光装置100の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the exposure apparatus 100 of 1st Embodiment. 計測部における複数の計測点の配置を示す図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of several measurement points in a measurement part. 計測部による計測が行われる計測点と、スリット光を入射可能な入射領域との位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the measurement point in which a measurement part performs a measurement, and the incident area | region which can inject slit light. 基板上の複数のショット領域に対する従来の走査露光を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the conventional scanning exposure with respect to several shot area | regions on a board | substrate. 基板上の複数のショット領域に対する従来の走査露光を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the conventional scanning exposure with respect to several shot area | regions on a board | substrate. 基板上の複数のショット領域に対する第1実施形態の走査露光を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the scanning exposure of 1st Embodiment with respect to the several shot area | region on a board | substrate. 基板上の複数のショット領域に対する第2実施形態の走査露光を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the scanning exposure of 2nd Embodiment with respect to the several shot area | region on a board | substrate.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member thru | or element, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

<第1実施形態>
本発明に係る第1実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態の露光装置100の構成を示す概略図である。第1実施形態の露光装置100は、スリット光を用いて基板15を走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査露光装置である。そして、露光装置100は、照明光学系11と、マスクステージ13と、投影光学系14と、基板ステージ16と、計測部17と、第1検出部18と、第2検出部19と、制御部20とを含みうる。制御部20は、例えばCPUやメモリなどを含み、露光装置100の各部を制御する。即ち、制御部20は、マスク12に形成されたパターンを基板15に転写する処理(基板15を走査露光する処理)を制御する。
<First Embodiment>
An exposure apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an exposure apparatus 100 according to the first embodiment. The exposure apparatus 100 according to the first embodiment is a step-and-scan type scanning exposure apparatus that scans and exposes a substrate 15 using slit light. The exposure apparatus 100 includes an illumination optical system 11, a mask stage 13, a projection optical system 14, a substrate stage 16, a measurement unit 17, a first detection unit 18, a second detection unit 19, and a control unit. 20 may be included. The control unit 20 includes, for example, a CPU and a memory, and controls each unit of the exposure apparatus 100. That is, the control unit 20 controls a process of transferring the pattern formed on the mask 12 to the substrate 15 (a process of scanning and exposing the substrate 15).

照明光学系11は、それに含まれるマスキングブレードなどの遮光部材により、エキシマレーザなどの光源(不図示)から射出された光を、例えばX方向に長い帯状または円弧状のスリット光に整形し、そのスリット光でマスク12の一部を照明する。マスク12および基板15は、マスクステージ13および基板ステージ16によってそれぞれ保持されており、投影光学系14を介して光学的にほぼ共役な位置(投影光学系14の物体面および像面)にそれぞれ配置される。投影光学系14は、所定の投影倍率(例えば1/2倍や1/4倍)を有し、マスク12に形成されたパターンをスリット光により基板上に投影する。以下では、スリット光を入射可能な領域を入射領域21と称する。   The illumination optical system 11 shapes light emitted from a light source (not shown) such as an excimer laser into, for example, a strip-shaped or arc-shaped slit light that is long in the X direction by using a light shielding member such as a masking blade included therein. A part of the mask 12 is illuminated with slit light. The mask 12 and the substrate 15 are respectively held by the mask stage 13 and the substrate stage 16 and are arranged at optically conjugate positions (object plane and image plane of the projection optical system 14) via the projection optical system 14, respectively. Is done. The projection optical system 14 has a predetermined projection magnification (for example, 1/2 times or 1/4 times), and projects the pattern formed on the mask 12 onto the substrate with slit light. Hereinafter, an area where the slit light can be incident is referred to as an incident area 21.

マスクステージ13および基板ステージ16は、投影光学系14の光軸(スリット光の光軸)と垂直な方向(例えばY方向)に移動可能に構成されており、互いに同期しながら投影光学系14の投影倍率に応じた速度比で相対的に走査される。これにより、スリット光(入射領域21)に対して基板を走査しながら、マスク12のパターンを基板上のショット領域15aに転写することができる。そして、このような走査露光を、基板ステージ16をステップ移動させながら、基板15における複数のショット領域15aの各々について順次繰り返すことにより、1枚の基板15における露光処理を完了させることができる。   The mask stage 13 and the substrate stage 16 are configured to be movable in a direction (for example, the Y direction) perpendicular to the optical axis of the projection optical system 14 (the optical axis of the slit light). The scanning is relatively performed at a speed ratio corresponding to the projection magnification. Thereby, the pattern of the mask 12 can be transferred to the shot region 15a on the substrate while scanning the substrate with respect to the slit light (incident region 21). Such scanning exposure is sequentially repeated for each of the plurality of shot regions 15a on the substrate 15 while the substrate stage 16 is moved stepwise, whereby the exposure processing on one substrate 15 can be completed.

第1検出部18は、例えばレーザ干渉計を含み、マスクステージ13の位置を検出する。第1検出部18に含まれるレーザ干渉計は、例えば、レーザ光をマスクステージ13に設けられた反射板13aに照射し、反射板13aで反射されたレーザ光によってマスクステージ13における基準位置からの変位を検出する。これにより、第1検出部18は、検出した変位に基づいてマスクステージ13の現在位置を取得することができる。   The first detector 18 includes a laser interferometer, for example, and detects the position of the mask stage 13. The laser interferometer included in the first detection unit 18 irradiates, for example, a laser beam to the reflection plate 13a provided on the mask stage 13, and the laser beam reflected by the reflection plate 13a from the reference position on the mask stage 13 Detect displacement. Thereby, the 1st detection part 18 can acquire the present position of the mask stage 13 based on the detected displacement.

また、第2検出部19は、例えばレーザ干渉計を含み、基板ステージ16の位置を検出する。第2検出部19に含まれるレーザ干渉計は、例えば、レーザ光を基板ステージ16に設けられた反射板16aに照射し、反射板16aで反射されたレーザ光によって基板ステージ16における基準位置からの変位を検出する。これにより、第2検出部19は、検出した変位に基づいて基板ステージ16の現在位置を取得することができる。そして、第1検出部18と第2検出部19とによってそれぞれ取得されたマスクステージ13と基板ステージ16との現在位置に基づいて、マスクステージ13と基板ステージ16とのXY方向における駆動が制御部20によって制御される。ここで、第1検出部18および第2検出部19は、レーザ干渉計を用いて、マスクステージ13の位置および基板ステージ16の位置をそれぞれ検出しているが、それに限られるものではなく、例えばエンコーダを用いてもよい。   The second detector 19 includes a laser interferometer, for example, and detects the position of the substrate stage 16. The laser interferometer included in the second detection unit 19 irradiates, for example, a laser beam onto the reflection plate 16a provided on the substrate stage 16, and the laser beam reflected by the reflection plate 16a from the reference position on the substrate stage 16 Detect displacement. Thereby, the second detection unit 19 can acquire the current position of the substrate stage 16 based on the detected displacement. Based on the current positions of the mask stage 13 and the substrate stage 16 acquired by the first detection unit 18 and the second detection unit 19, respectively, the driving of the mask stage 13 and the substrate stage 16 in the XY directions is controlled by the control unit. 20. Here, the first detection unit 18 and the second detection unit 19 detect the position of the mask stage 13 and the position of the substrate stage 16 using a laser interferometer, respectively. An encoder may be used.

計測部17は、投影光学系14の結像面(フォーカス面)に基板15の表面(以下では単に基板15と称する)を一致させるため、基板ステージ16が移動している状態で基板の高さを計測する。第1実施形態の計測部17は、基板15に光を斜めから照射する斜入射型であり、光を基板15に照射する照射系17aと、基板15で反射された光を受光する受光系17bとを含みうる。   The measurement unit 17 aligns the surface of the substrate 15 (hereinafter simply referred to as the substrate 15) with the imaging surface (focus surface) of the projection optical system 14, so that the height of the substrate is maintained while the substrate stage 16 is moving. Measure. The measurement unit 17 of the first embodiment is an oblique incidence type that irradiates light to the substrate 15 from an oblique direction, and an irradiation system 17 a that irradiates the substrate 15 with light, and a light receiving system 17 b that receives the light reflected by the substrate 15. Can be included.

照射系17aは、例えば、光源70と、コリメータレンズ71と、スリット部材72と、光学系73と、ミラー74とを含みうる。光源70は、例えばランプや発光ダイオードなどによって構成され、基板上のレジストが感光しない波長の光を射出する。コリメータレンズ71は、光源70から射出された光を、断面の光強度分布がほぼ均一となる平行光にする。スリット部材72は、互いの斜面が相対するように貼り合わせられた一対のプリズムによって構成されており、貼り合わせ面72aには、複数の開口(例えば9個のピンホール)が形成されたクロム等の遮光膜が設けられている。光学系73は、両側テレセントリック光学系であり、スリット部材72における複数の開口を通過した9本の光束を、ミラー74を介して基板上に入射させる。このとき、光学系73は、開口が形成されている面72aと基板面を含む面とがシャインプルーフの条件を満足するように構成されている。   The irradiation system 17a can include, for example, a light source 70, a collimator lens 71, a slit member 72, an optical system 73, and a mirror 74. The light source 70 is constituted by, for example, a lamp or a light emitting diode, and emits light having a wavelength that the resist on the substrate does not sensitize. The collimator lens 71 turns the light emitted from the light source 70 into parallel light having a substantially uniform light intensity distribution in the cross section. The slit member 72 is composed of a pair of prisms bonded so that their slopes face each other, and chromium or the like in which a plurality of openings (for example, nine pinholes) are formed on the bonding surface 72a. The light shielding film is provided. The optical system 73 is a double-sided telecentric optical system, and causes nine light beams that have passed through a plurality of openings in the slit member 72 to be incident on the substrate via the mirror 74. At this time, the optical system 73 is configured such that the surface 72a where the opening is formed and the surface including the substrate surface satisfy the Scheimpflug condition.

本実施形態において、ミラー74は、照射系17aから射出された各光束を基板に入射させる角度φ(光束と投影光学系14の光軸との間の角度)が例えば70度以上になるように構成されている。また、照射系17aは、図2に示すように、基板面と平行な方向(XY方向)において、スリット光の走査方向(Y方向)に対して角度θ(例えば22.5度)を成す方向から9本の高速を基板に入射させるように構成されている。このように9本の光束を基板15に入射させることにより、9つの計測点30において基板面の高さを個別に計測することができる。   In the present embodiment, the mirror 74 has an angle φ (an angle between the light beam and the optical axis of the projection optical system 14) at which each light beam emitted from the irradiation system 17a enters the substrate is, for example, 70 degrees or more. It is configured. In addition, as shown in FIG. 2, the irradiation system 17a forms an angle θ (for example, 22.5 degrees) with respect to the scanning direction (Y direction) of the slit light in the direction parallel to the substrate surface (XY direction). To 9 high speeds are made incident on the substrate. By making nine light beams incident on the substrate 15 in this way, the height of the substrate surface can be individually measured at the nine measurement points 30.

受光系17bは、例えば、ミラー75と、受光光学系76と、補正光学系77と、光電変換部78と、処理部79とを含みうる。ミラー75は、基板15で反射された9本の光束を受光光学系76に導く。受光光学系76は、両側テレセントリック光学系であり、9本の光束に対して共通に設けられたストッパ絞りを含む。そして、受光光学系76に含まれるストッパ絞りによって、基板上に形成された回路パターンに起因して発生する高次の回折光(ノイズ光)が遮断される。補正光学系77は、9本の光束に対応するように複数(9つ)のレンズを有しており、9本の光束を光電変換部78の受光面に結像して当該受光面にピンホール像をそれぞれ形成する。光電変換部78は、例えば、9本の光束に対応するように複数(9つ)の光電変換素子を含む。光電変換素子としては、CCDラインセンサなどが用いられうる。また、処理部79は、光電変換部78の受光面における各ピンホール像の位置の変化に基づいて、各計測点30での基板面の高さを算出する。   The light receiving system 17b can include, for example, a mirror 75, a light receiving optical system 76, a correction optical system 77, a photoelectric conversion unit 78, and a processing unit 79. The mirror 75 guides the nine light beams reflected by the substrate 15 to the light receiving optical system 76. The light receiving optical system 76 is a both-side telecentric optical system, and includes a stopper diaphragm provided in common for nine light beams. Then, high-order diffracted light (noise light) generated due to the circuit pattern formed on the substrate is blocked by the stopper diaphragm included in the light receiving optical system 76. The correction optical system 77 has a plurality of (nine) lenses so as to correspond to the nine light beams. The nine light beams are imaged on the light receiving surface of the photoelectric conversion unit 78 and pinned on the light receiving surface. Each hole image is formed. The photoelectric conversion unit 78 includes, for example, a plurality (nine) of photoelectric conversion elements so as to correspond to nine light beams. As the photoelectric conversion element, a CCD line sensor or the like can be used. Further, the processing unit 79 calculates the height of the substrate surface at each measurement point 30 based on the change in the position of each pinhole image on the light receiving surface of the photoelectric conversion unit 78.

このように照射系17aおよび受光系17bを構成することにより、計測部17は、光電変換部78の受光面における各ピンホール像の位置の変化に基づいて、各計測点30で基板15の高さを計測することができる。そして、制御部20は、基板15の高さが目標高さ(フォーカス面(目標値))になるように、計測部17による計測結果に基づいて基板ステージ16を制御することができる(基板15の高さを制御することができる)。ここで、受光系17bでは、基板上の各計測点30と光電変換部78の受光面とが互いに共役になるように倒れ補正が行われる。そのため、光電変換部78の受光面における各ピンホール像の位置が、各計測点30の局所的な傾きによっては変化しない。   By configuring the irradiation system 17a and the light receiving system 17b as described above, the measurement unit 17 can increase the height of the substrate 15 at each measurement point 30 based on the change in the position of each pinhole image on the light receiving surface of the photoelectric conversion unit 78. Can be measured. And the control part 20 can control the substrate stage 16 based on the measurement result by the measurement part 17 so that the height of the board | substrate 15 may become target height (focus surface (target value)) (board | substrate 15). Can control the height). Here, in the light receiving system 17b, the tilt correction is performed so that each measurement point 30 on the substrate and the light receiving surface of the photoelectric conversion unit 78 are conjugate with each other. Therefore, the position of each pinhole image on the light receiving surface of the photoelectric conversion unit 78 does not change depending on the local inclination of each measurement point 30.

次に、基板上のショット領域15aの走査露光中における基板15の高さの計測について図3を参照しながら説明する。図3は、計測部17によって基板15の高さをそれぞれ計測する9つの計測点30と、スリット光を入射可能な入射領域21との位置関係を示す図である。図3において、入射領域21は、破線で囲まれた矩形上の領域である。計測点30a〜30a(計測点30a)は、計測部17の第1計測部により、入射領域21の内側において基板15の高さの計測を行う計測点30である。即ち、計測点30aでは、基板上に設定された複数の計測箇所40のうち入射領域21の内側に配置された計測箇所40の高さが、第1計測部によって計測される。計測箇所40とは、計測部17による高さの計測が行われるように設定された基板上の箇所のことである。 Next, measurement of the height of the substrate 15 during scanning exposure of the shot area 15a on the substrate will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram showing a positional relationship between nine measurement points 30 at which the height of the substrate 15 is measured by the measurement unit 17 and incident regions 21 where slit light can be incident. In FIG. 3, the incident area 21 is an area on a rectangle surrounded by a broken line. The measurement points 30 a 1 to 30 a 3 (measurement points 30 a) are measurement points 30 at which the height of the substrate 15 is measured inside the incident region 21 by the first measurement unit of the measurement unit 17. That is, at the measurement point 30a, the height of the measurement point 40 arranged inside the incident region 21 among the plurality of measurement points 40 set on the substrate is measured by the first measurement unit. The measurement location 40 is a location on the substrate that is set so that height measurement by the measurement unit 17 is performed.

また、計測点30b〜30b(計測点30b)および計測点30c〜30c(計測点30c)は、計測部17の第2計測部により、入射領域21の手前で基板15の高さの計測を行う計測点30である。即ち、計測点30bおよび計測点30cでは、入射領域21の内側において行われる第1計測部による計測点30aでの計測箇所40の高さの計測に先立って、計測箇所40の高さが第2計測部によって計測される。計測点30bおよび計測点30cは、例えば、第1計測部による計測が行われる計測点30aからスリット光の走査方向(±Y方向)に距離Lpだけ離れた位置にそれぞれ配置される。そして、計測点30bでの計測および計測点30cでの計測は、スリット光の走査方向、即ち基板15の移動方向に応じて切り換えられる。 Further, the measurement points 30b 1 to 30b 3 (measurement point 30b) and the measurement points 30c 1 to 30c 3 (measurement point 30c) are measured by the second measurement unit of the measurement unit 17 at the height of the substrate 15 before the incident region 21. It is the measurement point 30 which measures this. That is, at the measurement point 30b and the measurement point 30c, the height of the measurement point 40 is the second before the measurement of the height of the measurement point 40 at the measurement point 30a by the first measurement unit performed inside the incident region 21. It is measured by the measuring unit. For example, the measurement point 30b and the measurement point 30c are arranged at positions separated by a distance Lp in the scanning direction (± Y direction) of the slit light from the measurement point 30a at which the measurement by the first measurement unit is performed. The measurement at the measurement point 30b and the measurement at the measurement point 30c are switched according to the scanning direction of the slit light, that is, the movement direction of the substrate 15.

例えば、矢印Fの方向に基板15を移動させて走査露光を行う場合では、入射領域21の内側における計測点30aより先に計測点30bが基板上の計測箇所40に配置される。そのため、制御部20は、第2計測部による計測点30bでの計測結果に基づいて、第2計測部による計測が行われた計測箇所40に入射領域21が配置されたときの当該計測箇所40の高さが目標高さになるように基板15の高さを制御する。一方で、矢印Rの方向に基板15を移動させて走査露光を行う場合では、入射領域21の内側における計測点30aより先に計測点30cが基板上の計測箇所40に配置される。そのため、制御部20は、第2計測部による計測点30cでの計測結果に基づいて、第2計測部による計測が行われた計測箇所40に入射領域21が配置されたときの当該計測箇所40の高さが目標高さになるように基板15の高さを制御する。   For example, when scanning exposure is performed by moving the substrate 15 in the direction of the arrow F, the measurement point 30b is arranged at the measurement point 40 on the substrate before the measurement point 30a inside the incident region 21. Therefore, based on the measurement result at the measurement point 30b by the second measurement unit, the control unit 20 measures the measurement point 40 when the incident region 21 is arranged in the measurement point 40 where the measurement by the second measurement unit is performed. The height of the substrate 15 is controlled so that the height becomes the target height. On the other hand, when scanning exposure is performed by moving the substrate 15 in the direction of the arrow R, the measurement point 30c is arranged at the measurement point 40 on the substrate before the measurement point 30a inside the incident region 21. Therefore, based on the measurement result at the measurement point 30c by the second measurement unit, the control unit 20 measures the measurement point 40 when the incident region 21 is arranged in the measurement point 40 where the measurement by the second measurement unit is performed. The height of the substrate 15 is controlled so that the height becomes the target height.

ここで、第2計測部による計測点30bまたは30cでの計測箇所40の高さの計測は、入射領域21の外側において行われる。そのため、第2計測部による計測箇所40の高さの計測結果に基づいて、入射領域21が配置された当該計測箇所40の高さが目標高さになるように基板15の高さを制御したとしても、制御誤差が生じうる。そのため、露光装置100は、入射領域21が配置された計測箇所40の高さを第1計測部によって計測し、第1計測部による計測結果と第2計測部による計測結果との差に基づいて制御誤差を補正している。このように第1計測部と第2計測部とを併用することにより、基板15の高さを精度よく制御することができる。   Here, the measurement of the height of the measurement point 40 at the measurement point 30 b or 30 c by the second measurement unit is performed outside the incident region 21. Therefore, based on the measurement result of the height of the measurement location 40 by the second measurement unit, the height of the substrate 15 is controlled so that the height of the measurement location 40 where the incident region 21 is arranged becomes the target height. However, a control error may occur. Therefore, the exposure apparatus 100 measures the height of the measurement location 40 where the incident region 21 is arranged by the first measurement unit, and based on the difference between the measurement result by the first measurement unit and the measurement result by the second measurement unit. The control error is corrected. In this way, by using the first measurement unit and the second measurement unit in combination, the height of the substrate 15 can be accurately controlled.

[複数のショット領域15aに対する従来の走査露光について]
次に、基板上の複数のショット領域15aに対する従来の走査露光について図4を参照しながら説明する。図4(a)は、基板上の複数のショット領域15aに対して走査露光を行う場合における複数の計測点30の位置とスリット光(入射領域21)の基板上における走査経路21aとを示す図である。図4(a)には、走査露光が終了したショット領域15aと、ショット領域15aの次に走査露光が行われるショット領域15aと、ショット領域15aの次に走査露光が行われるショット領域15aとが図示されている。ここでは、ショット領域15aの走査露光を行う場合について説明する。また、図4(b)は、ショット領域15aの走査露光を行う場合のY方向における基板ステージ16の移動速度と時刻との関係を示す図である。図4(b)における黒丸(●)は、第2計測部(計測点30b)による計測箇所40での計測タイミングを示している。
[Conventional scanning exposure for a plurality of shot areas 15a]
Next, conventional scanning exposure for a plurality of shot regions 15a on the substrate will be described with reference to FIG. FIG. 4A is a diagram showing the positions of a plurality of measurement points 30 and a scanning path 21a on the substrate of slit light (incident region 21) when scanning exposure is performed on a plurality of shot regions 15a on the substrate. It is. In FIG. 4 (a), shot and shot region 15a 1 of the scanning exposure is completed, the shot area 15a 2 which follows the scanning exposure for the shot area 15a 1 is performed, the next scanning exposure for the shot area 15a 2 is performed Region 15a 3 is shown. Here, a case where scanning exposure of the shot area 15a 2 is performed will be described. FIG. 4B is a diagram showing the relationship between the moving speed of the substrate stage 16 in the Y direction and time when scanning exposure of the shot area 15a 2 is performed. The black circle (●) in FIG. 4B indicates the measurement timing at the measurement point 40 by the second measurement unit (measurement point 30b).

まず、制御部20は、ショット領域15aの走査露光が終了した後、即ち、入射領域21からショット領域15aが抜け出した後、ショット領域15aの走査露光を開始するために基板ステージ16をステップ移動させる。Y方向については、図4(b)に示すように、時刻t1から時刻t2までの期間において基板ステージ16を減速させ、時刻t2から時刻t3までの期間において基板ステージ16を加速させる。そして、時刻t3において、基板ステージ16の等速移動が開始されるとともに、第2計測部(計測点30b)によるショット領域15a2の計測箇所40での計測が開始される。 First, after the scanning exposure of the shot area 15a 1 is completed, that is, after the shot area 15a 1 is removed from the incident area 21, the control unit 20 moves the substrate stage 16 to start the scanning exposure of the shot area 15a 2. Move step. For the Y direction, as shown in FIG. 4B, the substrate stage 16 is decelerated during the period from time t1 to time t2, and the substrate stage 16 is accelerated during the period from time t2 to time t3. At time t3, the substrate stage 16 starts moving at a constant speed, and the second measurement unit (measurement point 30b) starts measurement at the measurement point 40 in the shot region 15a2.

図4(b)における時刻t4では、入射領域21にショット領域15aが差し掛かり、スリット光によるショット領域15aの走査露光が開始される。そして、時刻t4から時刻t5までの期間において、ショット領域15aの走査露光が行われる。このとき、制御部20は、第2計測部(計測点30b)によって計測されたショット領域15aの各計測箇所40の高さに基づいて、入射領域21に配置された各計測箇所40の高さが目標高さになるように基板15の高さを制御する。 At time t4 in FIG. 4B, the shot area 15a 2 reaches the incident area 21, and scanning exposure of the shot area 15a 2 by the slit light is started. Then, during the period from time t4 to time t5, the scanning exposure of the shot area 15a 2 is performed. At this time, the control unit 20 determines the height of each measurement point 40 arranged in the incident region 21 based on the height of each measurement point 40 in the shot region 15a 2 measured by the second measurement unit (measurement point 30b). The height of the substrate 15 is controlled so that the height becomes the target height.

例えば、ショット領域15aの計測箇所40a(40a〜40a)が計測点30bに配置されたとき、制御部20は、第2計測部に計測箇所40aの高さを計測させる。また、計測箇所40b(40b〜40b)が計測点30bに配置されたとき、制御部20は、第2計測部に計測箇所40bの高さを計測させる。そして、制御部20は、計測箇所40aが入射領域21に配置されるまでに計測箇所40aの高さが目標高さになるように、第2計測部による計測箇所40aの計測結果に基づいて基板15の高さを制御する。次いで、制御部20は、計測箇所40bが入射領域21に配置されるまでに計測箇所40bの高さが目標高さになるように、第2計測部による計測箇所40bの計測結果に基づいて基板15の高さを制御する。 For example, when the measurement point 40a shot areas 15a 2 (40a 1 ~40a 3) is arranged in the measuring point 30b, the control unit 20 causes the measured height of the measurement point 40a in the second measurement unit. Further, when the measurement point 40b (40b 1 ~40b 3) is arranged in the measuring point 30b, the control unit 20 causes the measured height of the measurement point 40b in the second measurement unit. And the control part 20 is a board | substrate based on the measurement result of the measurement location 40a by a 2nd measurement part so that the height of the measurement location 40a becomes target height by the time the measurement location 40a is arrange | positioned in the incident area | region 21. Control the height of 15. Next, the control unit 20 sets the substrate based on the measurement result of the measurement point 40b by the second measurement unit so that the height of the measurement point 40b becomes the target height before the measurement point 40b is arranged in the incident region 21. Control the height of 15.

露光装置100では、スループットを向上させるため、例えばショット領域15aの走査露光が終了してからショット領域15aの走査露光を開始するまでに要する時間を短くすることが好ましい。即ち、基板ステージ16のステップ移動に要する時間を短くすることが好ましい。基板ステージ16のステップ移動に要する時間を短くする方法としては、例えば、図5に示すように、走査露光を開始するショット領域15aの端部側に配置された幾つかの計測箇所40において第2計測部(計測点30b)による計測を省略する方法がある。図5(a)は、ショット領域15aの端部側に配置された計測箇所40aの第2計測部による計測を省略したときのスリット光の基板上における走査経路21bを示す図である。図5(b)は、ショット領域15aの走査露光を行う場合のY方向における基板ステージ16の移動速度と時刻との関係を示す図である。このように幾つかの計測箇所40において第2計測部による計測を省略することにより、第2計測部による計測を開始してからショット領域15aの走査露光を開始するまでの間の期間(時刻t3から時刻t4までの期間)を短くすることができる。即ち、基板ステージ16のステップ移動に係るスリット光の走査経路21b(基板ステージ16の移動距離)を短くし、基板ステージ16のステップ移動に要する時間を短くすることができる。 In exposure apparatus 100, in order to improve the throughput, for example, it is preferable that the scanning exposure for the shot area 15a 1 is to shorten the time required from exit to the start of the scanning exposure for the shot area 15a 2. That is, it is preferable to shorten the time required for the step movement of the substrate stage 16. As a method for shortening the time required for the step movement of the substrate stage 16, for example, as shown in FIG. 5, first in some measurement points 40 disposed on the end side of the shot region 15a 2 to start the scanning exposure There is a method of omitting the measurement by the two measurement unit (measurement point 30b). FIG. 5A is a diagram showing a scanning path 21b of the slit light on the substrate when measurement by the second measurement unit at the measurement point 40a arranged on the end side of the shot region 15a 2 is omitted. FIG. 5B is a diagram showing the relationship between the moving speed of the substrate stage 16 in the Y direction and time when scanning exposure of the shot area 15a 2 is performed. By omitting such measurements in some measurement points 40 by the second measurement unit, the period from the start of the measurement by the second measurement unit to start the scanning exposure for the shot area 15a 2 (time (period from t3 to time t4) can be shortened. That is, the slit light scanning path 21b (movement distance of the substrate stage 16) related to the step movement of the substrate stage 16 can be shortened, and the time required for the step movement of the substrate stage 16 can be shortened.

[本実施形態における走査露光について]
走査露光を開始するショット領域15aの端部側に配置された幾つかの計測箇所40において第2計測部による計測を省略する方法では、第2計測部による計測が行われない区間(第1区間)がショット領域15aに生じることとなる。図5(a)では、計測箇所40aにおいて第2計測部による計測が省略されており、走査露光を開始する端部と計測箇所40bとの間の区間Lsが、第2計測部による計測が行われない第1区間に相当する。したがって、この第1区間では、第2計測部による計測結果に基づいた基板15の高さの制御が行われないため、入射領域21において基板15の高さを目標高さにすることが困難になりうる。そこで、本実施形態の露光装置100は、第1区間の走査露光中における基板15の高さを、ショット領域15aの外側領域で第1計測部が計測した計測結果に基づいて制御する。また、本実施形態の露光装置100は、第1区間より後に走査露光が行われるショット領域15aの第2区間では、第2区間の走査露光中における基板15の高さを、各計測箇所40で第2計測部が計測した計測結果に基づいて制御する。
[Scanning exposure in this embodiment]
In a method in which measurement by the second measurement unit is omitted at some measurement locations 40 arranged on the end side of the shot area 15a 2 where scanning exposure is started, a section in which measurement by the second measurement unit is not performed (first section) is to occur shot region 15a 2. In FIG. 5A, the measurement by the second measurement unit is omitted at the measurement point 40a, and the section Ls between the end where scanning exposure starts and the measurement point 40b is measured by the second measurement unit. It corresponds to the first section that is not broken. Therefore, in the first section, the height of the substrate 15 is not controlled based on the measurement result by the second measurement unit, so that it is difficult to set the height of the substrate 15 to the target height in the incident region 21. Can be. Therefore, the exposure apparatus 100 of the present embodiment, the height of the substrate 15 during the scanning exposure of the first section, the first measurement unit in the outer region of the shot region 15a 2 is controlled based on the measurement results measured. Further, in the exposure apparatus 100 of the present embodiment, in the second section of the shot region 15a 2 where the scanning exposure is performed after the first section, the height of the substrate 15 during the scanning exposure in the second section is measured at each measurement location 40. The control is performed based on the measurement result measured by the second measurement unit.

次に、第1区間の走査露光中における基板15の高さを、ショット領域15aの外側領域での第1計測部による計測結果に基づいて制御する方法について、図6を参照しながら説明する。図6(a)は、基板上の複数のショット領域15aに対して走査露光を行う場合の計測部17による計測箇所40での計測を説明するための図である。図6(b)は、ショット領域15aの走査露光を行う場合のY方向における基板ステージ16の移動速度と時刻との関係を示す図である。 Next, a method for controlling the height of the substrate 15 during the scanning exposure in the first section based on the measurement result by the first measurement unit in the outer region of the shot region 15a 2 will be described with reference to FIG. . FIG. 6A is a diagram for explaining measurement at the measurement point 40 by the measurement unit 17 when scanning exposure is performed on a plurality of shot regions 15a on the substrate. FIG. 6B is a diagram showing the relationship between the moving speed of the substrate stage 16 in the Y direction and time when scanning exposure of the shot area 15a 2 is performed.

制御部20は、例えば、ショット領域15aの走査露光を開始する前の、走査露光を伴わずに基板15を移動させている期間(基板ステージ16をステップ移動させる期間)において、第1計測部(計測点30a)に外側領域での計測を行わせる。このとき、制御部20は、図6(b)に示すように、基板が等速での移動を開始した後(時刻t3以降)において、第1計測部に計測を行わせることが好ましい。このように基板を等速で移動させている状態では、第2計測部に計測を行わせるよりも第1計測部に計測を行わせた方が、走査露光を開始するショット領域15aの端部に近い箇所での計測結果を得ることができる。図6(a)においては、基板15が等速での移動を開始した時刻t3に、外側領域の計測箇所50a(50a〜50a)において第1計測部による計測が行われている。このように第1計測部による計測が行われる外側領域の計測箇所50aは、第1区間における基板15の高さの制御に反映させるため、走査露光を開始するショット領域15aの端部にできるだけ近い方が好ましい。そして、制御部20は、第1区間の走査露光中における基板の高さを、外側領域の計測箇所50aでの第1計測部による計測結果に基づいて制御する。これにより、第2計測部による計測結果に基づいた基板の高さの制御が行われない第1区間の走査露光中においても、基板15の高さを精度よく制御することができる。 For example, in the period in which the substrate 15 is moved without scanning exposure (period in which the substrate stage 16 is moved stepwise) before the scanning exposure of the shot area 15a 2 is started, the control unit 20 performs the first measurement unit. (Measurement point 30a) is measured in the outer region. At this time, as shown in FIG. 6B, the control unit 20 preferably causes the first measurement unit to perform measurement after the substrate starts moving at a constant speed (after time t3). Thus, in the state where the substrate is moved at a constant speed, the end of the shot region 15a 2 where the scanning exposure is started is caused when the first measurement unit performs measurement rather than the second measurement unit performs measurement. A measurement result at a location close to the part can be obtained. In FIG. 6A, at the time t3 when the substrate 15 starts moving at a constant speed, measurement is performed by the first measurement unit at the measurement points 50a (50a 1 to 50a 3 ) in the outer region. Measurement point 50a of the thus outer region is measured by the first measuring unit is performed, to reflect the control of the height of the substrate 15 in the first section, as possible to the end of the shot area 15a 2 to start the scanning exposure The closer one is preferable. And the control part 20 controls the height of the board | substrate in the scanning exposure of a 1st area based on the measurement result by the 1st measurement part in the measurement location 50a of an outer side area | region. Thereby, the height of the substrate 15 can be accurately controlled even during the scanning exposure of the first section in which the control of the height of the substrate based on the measurement result by the second measurement unit is not performed.

上述したように、第1実施形態の露光装置100は、第2計測部による基板の高さの計測が行われない第1区間の走査露光中において、ショット領域15aの外側領域での第1計測部による計測結果に基づいて基板15の高さを制御する。これにより、第1区間の走査露光中においても、基板15の高さを精度よく制御してフォーカス精度を向上させることができる。つまり、第1実施形態の露光装置100は、ショット領域15aの計測箇所を省略することによってスループットを向上させるとともに、第1区間におけるフォーカス精度も向上させることができる。 As described above, the exposure apparatus 100 of the first embodiment performs the first in the outer region of the shot region 15a 2 during the scanning exposure of the first section in which the substrate height is not measured by the second measuring unit. The height of the substrate 15 is controlled based on the measurement result by the measurement unit. Thereby, even during the scanning exposure of the first section, the height of the substrate 15 can be accurately controlled to improve the focus accuracy. That is, the exposure apparatus 100 of the first embodiment can improve throughput by omitting the measurement location of the shot area 15a 2 and can also improve the focus accuracy in the first section.

<第2実施形態>
本発明に係る第2実施形態の露光装置について説明する。第1実施形態の露光装置100は、基板ステージ16のステップ移動の間において、ショット領域15aの外側領域で第1計測部に基板の高さを計測させ、その計測結果に基づいて、第1区間の走査露光中における基板15の高さを制御した。それに対し、第2実施形態の露光装置は、ショット領域15aの外側領域の走査露光中に得られた当該外側領域での第1計測部による計測結果に基づいて、第1区間の走査露光中における基板15の高さを制御する。第2実施形態の露光装置は、第1実施形態の露光装置100と装置構成が同様であるため、ここでは装置構成の説明を省略する。
Second Embodiment
An exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. The exposure apparatus 100 according to the first embodiment causes the first measurement unit to measure the height of the substrate in the outer region of the shot region 15a 2 during the step movement of the substrate stage 16, and first based on the measurement result. The height of the substrate 15 during the scanning exposure of the section was controlled. In contrast, the exposure apparatus of the second embodiment, based on the measurement result by the first measurement unit in the outer region obtained during scanning exposure in the outer region of the shot regions 15a 2, during the scanning exposure of the first section The height of the substrate 15 is controlled. Since the exposure apparatus of the second embodiment has the same apparatus configuration as the exposure apparatus 100 of the first embodiment, description of the apparatus configuration is omitted here.

図7は、ショット領域15aの走査露光を行う場合における複数の計測点30の位置とスリット光(入射領域21)の基板上における走査経路21bとを示す図である。図7には、ショット領域15a〜15aが図示されている。ショット領域15aは、走査露光をこれから行う対象のショット領域15aである。ショット領域15a、15a、15a、15aは、ショット領域15aより前に既に走査露光が行われたショット領域15aである。また、ショット領域15a、15a、15a、15aは、ショット領域15aの後に走査露光が行われるショット領域15aである。ここで、図7では、図をわかり易くするため、計測点30cの図示を省略している
制御部20は、ショット領域15aの走査露光を開始する前において、ショット領域15aの外側領域(例えばショット領域15a)の走査露光中に得られた当該外側領域での第1計測部による計測結果を取得する。例えば、外側領域(ショット領域15a)が、第1計測部(計測点30a)による計測が行われた複数の計測箇所60を有している場合を想定する。この場合では、制御部20は、複数の計測箇所60のうち、走査露光を開始するショット領域15aの端部に最も近い計測箇所60aについての第1計測部による計測結果を取得するとよい。当該端部に近い計測箇所の方が、第1区間における基板15の高さに対する誤差が小さくなるからである。そして、制御部20は、第1区間の走査露光中における基板15の高さを、取得した外側領域での第1計測部による計測結果に基づいて制御する。これにより、第2計測部による計測結果に基づいて基板15の高さの制御が行われない第1区間の走査露光中においても、基板15の高さを精度よく制御することができる。
Figure 7 is a diagram showing a scanning path 21b on the substrate position and the slit light of a plurality of measurement points 30 (incident area 21) in the case of performing scanning exposure of the shot area 15a 2. FIG. 7 shows shot areas 15a 1 to 15a 9 . The shot area 15a 2 is a shot area 15a to be subjected to scanning exposure. The shot areas 15a 1 , 15a 4 , 15a 5 , and 15a 7 are shot areas 15a that have already undergone scanning exposure before the shot area 15a 2 . The shot areas 15a 3 , 15a 6 , 15a 8 , and 15a 9 are shot areas 15a in which scanning exposure is performed after the shot area 15a 2 . In FIG. 7, for clarity of the figure, the control unit 20 which is not shown of the measuring point 30c, prior to starting the scanning exposure for the shot area 15a 2, the outer region of the shot area 15a 2 (e.g. The measurement result by the first measurement unit in the outer region obtained during the scanning exposure of the shot region 15a 5 ) is acquired. For example, it is assumed that the outer region (shot region 15a 5 ) has a plurality of measurement points 60 that are measured by the first measurement unit (measurement point 30a). In this case, the control unit 20, among the plurality of measurement points 60, may acquire the measurement result of the first measuring unit for the nearest measurement point 60a to an end portion of the shot area 15a 2 to start the scanning exposure. This is because an error with respect to the height of the substrate 15 in the first section is smaller at the measurement point closer to the end. And the control part 20 controls the height of the board | substrate 15 in the scanning exposure of a 1st area based on the measurement result by the 1st measurement part in the acquired outer area | region. Thereby, the height of the substrate 15 can be accurately controlled even during the scanning exposure of the first section in which the height of the substrate 15 is not controlled based on the measurement result by the second measurement unit.

ここで、制御部20は、走査露光を開始するショット領域15aの端部側において当該ショット領域15aと隣り合うショット領域(外側領域)の走査露光が行われているか否かに応じて、第1区間における基板15の高さの制御方法を切り替えてもよい。例えば、外側領域の走査露光が行われていない場合には、制御部20は、第1実施形態のように、基板ステージのステップ移動の間に得られた外側領域での第1計測部による計測結果に基づいて、第1区間の走査露光中における基板15の高さを制御するとよい。一方で、外側領域の走査露光が既に行われている場合には、制御部20は、外側領域の走査露光中に得られた当該外側領域での第1計測部による計測結果を取得し、その計測結果に基づいて、第1区間の走査露光中における基板15の高さを制御するとよい。 Here, the control unit 20, depending on whether the scanning exposure of the shot area adjacent to the shot area 15a 2 (outer region) is performed in the end of the shot area 15a 2 to start the scanning exposure, You may switch the control method of the height of the board | substrate 15 in a 1st area. For example, when scanning exposure of the outer region is not performed, the control unit 20 performs measurement by the first measurement unit in the outer region obtained during the step movement of the substrate stage as in the first embodiment. Based on the result, the height of the substrate 15 during the scanning exposure in the first section may be controlled. On the other hand, when the scanning exposure of the outer region has already been performed, the control unit 20 acquires the measurement result by the first measuring unit in the outer region obtained during the scanning exposure of the outer region, Based on the measurement result, the height of the substrate 15 during the scanning exposure in the first section may be controlled.

<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
<Embodiment of Method for Manufacturing Article>
The method for manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable, for example, for manufacturing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a fine structure. In the method for manufacturing an article according to the present embodiment, a latent image pattern is formed on the photosensitive agent applied to the substrate using the above-described exposure apparatus (a step of exposing the substrate), and the latent image pattern is formed in this step. Developing the substrate. Further, the manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like). The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

11:照明光学系、12:マスク、13:マスクステージ、14:投影光学系、15:基板、16:基板ステージ、17:計測部、20:制御部、100:露光装置 11: illumination optical system, 12: mask, 13: mask stage, 14: projection optical system, 15: substrate, 16: substrate stage, 17: measuring unit, 20: control unit, 100: exposure apparatus

Claims (9)

スリット光に対して基板を走査しながら前記基板のショット領域の走査露光を行う露光装置であって、
前記スリット光を入射可能な入射領域において前記基板の高さを計測する第1計測部と、
前記第1計測部による計測に先立って、前記入射領域の手前で前記基板の高さを計測する第2計測部と、
前記ショット領域の走査露光中における前記基板の高さを制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
走査露光を開始する前記ショット領域の端部側における前記ショット領域の第1区間では、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記ショット領域の外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて制御し、
前記第1区間より後に走査露光が行われる前記ショット領域の第2区間では、前記第2区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記第2計測部による計測結果に基づいて制御する、ことを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that performs scanning exposure of a shot region of the substrate while scanning the substrate with respect to slit light,
A first measurement unit that measures the height of the substrate in an incident region where the slit light can be incident;
Prior to the measurement by the first measurement unit, a second measurement unit that measures the height of the substrate before the incident region;
A control unit for controlling the height of the substrate during scanning exposure of the shot area;
Including
The controller is
In the first section of the shot area on the edge side of the shot area where scanning exposure is started, the height of the substrate during the scanning exposure of the first section is measured in the first area in the outer area of the shot area. Control based on the measurement results by the
In the second section of the shot area where scanning exposure is performed after the first section, the height of the substrate during the scanning exposure of the second section is controlled based on the measurement result by the second measurement unit, An exposure apparatus characterized by that.
前記制御部は、前記ショット領域の走査露光を開始する前の、走査露光を伴わずに前記基板を移動させている期間に前記外側領域で前記第1計測部が計測した計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The control unit is based on a measurement result measured by the first measurement unit in the outer region during a period in which the substrate is moved without scanning exposure before starting scanning exposure of the shot region, The exposure apparatus according to claim 1, wherein the height of the substrate during the scanning exposure of the first section is controlled. 前記制御部は、前記期間において前記基板が等速での移動を開始した後に前記外側領域で前記第1計測部が計測した計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。   The controller controls the substrate during the scanning exposure of the first section based on a measurement result measured by the first measurement unit in the outer region after the substrate starts moving at a constant speed during the period. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the height is controlled. 前記制御部は、前記外側領域の走査露光中に当該外側領域で前記第1計測部が計測した計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The control unit controls the height of the substrate during the scanning exposure of the first section based on a measurement result measured by the first measuring unit in the outer region during the scanning exposure of the outer region. The exposure apparatus according to claim 1. 前記外側領域は、前記外側領域の走査露光中に前記第1計測部による計測が行われた複数の計測箇所を有し、
前記制御部は、前記複数の計測箇所のうち走査露光を開始する前記ショット領域の端部に最も近い計測箇所についての前記第1計測部による計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
The outer region has a plurality of measurement points where measurement by the first measurement unit is performed during scanning exposure of the outer region,
The control unit is performing scanning exposure of the first section based on a measurement result by the first measurement unit for a measurement point closest to an end of the shot area where scanning exposure is started among the plurality of measurement points. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the height of the substrate is controlled.
前記制御部は、
前記外側領域の走査露光が行われていない場合には、前記ショット領域の走査露光を開始する前の、走査露光を伴わずに前記基板を移動させている期間に得られた前記外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御し、
前記外側領域の走査露光が既に行われている場合には、前記外側領域の走査露光中に得られた前記外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
The controller is
When the scanning exposure of the outer region is not performed, the outer region obtained during the period in which the substrate is moved without scanning exposure before the scanning exposure of the shot region is started. Based on the measurement result by the first measurement unit, controlling the height of the substrate during the scanning exposure of the first section,
When the scanning exposure of the outer region has already been performed, the scanning of the first section is performed based on the measurement result of the first measuring unit in the outer region obtained during the scanning exposure of the outer region. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the height of the substrate during exposure is controlled.
前記外側領域は、走査露光を開始する前記ショット領域の端部側において当該ショット領域と隣り合うショット領域である、ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the outer region is a shot region adjacent to the shot region on an end side of the shot region where scanning exposure is started. . 請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
A step of exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 1;
Developing the substrate exposed in the step;
A method for producing an article comprising:
スリット光が入射可能である入射領域において基板の高さを計測する第1計測部と、前記第1計測部による計測に先立って、前記入射領域の手前で前記基板の高さを計測する第2計測部とを有する露光装置において、スリット光に対して前記基板を走査しながら前記基板のショット領域の走査露光を行う露光方法であって、
走査露光を開始する前記ショット領域の端部側における前記ショット領域の第1区間において、前記第1区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記ショット領域の外側領域での前記第1計測部による計測結果に基づいて制御する工程と、
前記第1区間より後に走査露光が行われる前記ショット領域の第2区間において、前記第2区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記第2計測部による計測結果に基づいて制御する工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
A first measurement unit that measures the height of the substrate in an incident region where slit light can be incident, and a second that measures the height of the substrate before the incident region prior to measurement by the first measurement unit. In an exposure apparatus having a measurement unit, an exposure method for performing scanning exposure of a shot region of the substrate while scanning the substrate with respect to slit light,
In the first section of the shot area on the edge side of the shot area where scanning exposure is started, the height of the substrate during the scanning exposure in the first section is measured in the first area in the outer area of the shot area. A step of controlling based on the measurement result by the unit,
The step of controlling the height of the substrate during the scanning exposure of the second section based on the measurement result by the second measuring unit in the second section of the shot area where the scanning exposure is performed after the first section. When,
An exposure method comprising:
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