JP2016106427A - Wiring board manufacturing method and package structure manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子機器(たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器)等に使用される配線基板の製造方法および実装構造体の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board and a method for manufacturing a mounting structure used for electronic devices (for example, various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices, and peripheral devices thereof).
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, as a mounting structure in an electronic device, an electronic component mounted on a wiring board is used.
配線基板に関して、特許文献1には、コア基板の両面に複数のビルドアップ層を備え、コア基板は、半導体パッケージにおける信号線の一部となる充填スルホール部と、半導体パッケージにおける電源線ないしグランド線の一部となるめっきスルホール部とを有する構成が開示されている。 With respect to the wiring board, Patent Document 1 includes a plurality of buildup layers on both surfaces of the core board, and the core board includes a filling through hole portion that is a part of a signal line in the semiconductor package, and a power line or a ground line in the semiconductor package. The structure which has the plating through-hole part which becomes a part of is disclosed.
ところで、近年、電子機器の省電力化が要求されており、半導体チップの消費電力を低下させる要求がある。この消費電力は、半導体チップの電源の電圧に比例するため、消費電力を低下させるためには、電源の電圧を低下させる必要がある。 Incidentally, in recent years, there is a demand for power saving of electronic devices, and there is a demand for reducing the power consumption of semiconductor chips. Since this power consumption is proportional to the power supply voltage of the semiconductor chip, it is necessary to reduce the power supply voltage in order to reduce the power consumption.
しかし、半導体チップの電源の電圧を低下させると、配線基板における電源線のインピーダンスおよびインダクタンスに起因した電圧変動の影響が大きくなり、ひいては半導体チップが誤動作しやすくなる。 However, when the voltage of the power source of the semiconductor chip is lowered, the influence of voltage fluctuation due to the impedance and inductance of the power source line in the wiring board increases, and the semiconductor chip is likely to malfunction.
したがって、半導体チップを信頼性高く作動させることが要求されている。 Therefore, it is required to operate the semiconductor chip with high reliability.
本発明は、電子部品を信頼性高く作動させる要求に応える配線基板の製造方法および実装構造体の製造方法を提供するものである。 The present invention provides a method of manufacturing a wiring board and a method of manufacturing a mounting structure that meet the demand for operating electronic components with high reliability.
本発明の配線基板の製造方法は、基体を準備する工程と、サンドブラスト加工を用いて基体を厚み方向に貫通する複数の電源用スルーホールを形成し、該複数の電源用スルーホールに複数の電源用スルーホール導体を形成することによって、コア基板を形成する工程と、該コア基板上に前記基体よりも厚みが小さい絶縁層を形成し、電子部品の電源用端子に電気的に接続されるとともに、前記複数の電源用スルーホール導体に電気的に接続した複数の電源用パッドを前記絶縁層上に形成することによって、前記電子部品が実装されるビルドアップ層を前記コア基板上に形成する工程とを備え、前記電子部品の下面中央部に対応する領域における前記電源用スルーホールのピッチが前記電源用パッドのピッチよりも狭いとともに、互いに電気的に接続した1組の前記電源用パッドおよび前記電源用スルーホール導体において、前記電源用スルーホール導体の数は、前記電源用パッドの2倍以上4倍以下の範囲であることを特徴とするものである。 The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a step of preparing a base, and forming a plurality of power through holes penetrating the base in the thickness direction using sandblasting, and a plurality of power supplies in the plurality of power through holes. Forming a core substrate by forming a through-hole conductor for use, and forming an insulating layer having a thickness smaller than that of the base on the core substrate, and being electrically connected to a power supply terminal of the electronic component Forming a buildup layer on which the electronic component is mounted on the core substrate by forming, on the insulating layer, a plurality of power supply pads electrically connected to the plurality of power supply through-hole conductors. And the pitch of the power through holes in the region corresponding to the center of the lower surface of the electronic component is narrower than the pitch of the power pads, and is electrically In the set of connected power supply pads and power supply through-hole conductors, the number of power supply through-hole conductors is in the range of 2 to 4 times the power supply pad. is there.
本発明の配線基板の製造方法によれば、前記電子部品の下面中央部に対応する領域における前記電源用スルーホールのピッチが前記電源用パッドのピッチよりも狭いとともに、互いに電気的に接続した1組の電源用パッドおよび電源用スルーホール導体において、電源用スルーホール導体の数が電源用パッドの数よりも多いため、コア基板において電源用の電流が流れる経路を並列的に増加させることで、コア基板における電源用スルーホール導体のインピーダンスおよびインダクタンスを低減し、ひいては電子部品を信頼性高く作動させることが可能な配線基板を提供することができる。 According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, the pitch of the power through holes in the region corresponding to the central portion of the lower surface of the electronic component is narrower than the pitch of the power pads, and is electrically connected to each other. In the set of power supply pads and power supply through-hole conductors, since the number of power supply through-hole conductors is larger than the number of power supply pads, by increasing in parallel the path through which the power supply current flows in the core substrate, It is possible to provide a wiring board capable of reducing the impedance and inductance of the power supply through-hole conductor in the core board and thus operating the electronic component with high reliability.
以下に、本発明の一実施形態により製造される配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, a mounting structure including a wiring board manufactured according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1(a)および(b)に示した実装構造体1は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体1は、平板状の電子部品2と、電子部品2がバンプ3を介してフリップチップ実装された平板状の配線基板4と、を含んでいる。
The mounting structure 1 shown in FIGS. 1A and 1B is used for electronic devices such as various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices, and peripheral devices thereof. The mounting structure 1 includes a flat
電子部品2は、例えばIC又はLSI等の半導体素子であり、図2および図3に示すように、平板状の半導体基板5と、この半導体基板5の下面に形成された円板状の複数の端子6とを含んでいる。半導体基板5は、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。端子6は、例えば銅、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができ、なかでも、導電性の観点から、銅を用いることが望ましい。
The
複数の端子6は、図2および図3に示すように、半導体基板5に電源を供給する複数の電源用端子6Pと、半導体基板5をグランド電位に接続する複数のグランド用端子6Gと、半導体基板5に信号の入出力を行なう複数の信号用端子(図示せず)とを含んでいる。
2 and 3, the plurality of terminals 6 include a plurality of
ここで、電子部品2の下面は、中央部に位置する第1領域R1と、電子部品2の外周近傍に位置し第1領域R1を取り囲む第2領域R2とを含んでおり、第1領域R1には複数の電源用端子6Pおよび複数のグランド用端子6Gが配され、第2領域R2には複数の信号用端子が配されている。
Here, the lower surface of the
第1領域R1において、複数の端子6は、例えば、格子状に配列しており、電源用端子6Pおよびグランド用端子6Gが交互に位置することによって、複数の電源用端子6Pが千鳥状に配列し、且つ複数のグランド用端子6Gも千鳥状に配列している。この場合、第1領域R1において複数の端子6同士のピッチは、例えば200μm以上250μm以下に設定されている。なお、第1領域R1において、複数の端子6は、格子状に配列されていなくてもよい。また、複数の端子6同士のピッチは、厚み方向に切断した断面において、隣接した端子6それぞれの中心の間の距離を測定することによって得られる。以下、各部材のピッチも端子6のピッチと同様に得られる。
In the first region R1, the plurality of terminals 6 are arranged, for example, in a lattice pattern, and the plurality of
また、第2領域R2において、複数の信号用端子は、例えば、格子状に配列している。第2領域R2における複数の端子6同士のピッチは、第1領域R1における複数の端子6同士のピッチよりも小さく設定されている。第2領域R2における複数の端子6同士のピッチは、例えば128μm以上180μm以下に設定されている。 In the second region R2, the plurality of signal terminals are arranged in a lattice pattern, for example. The pitch between the plurality of terminals 6 in the second region R2 is set smaller than the pitch between the plurality of terminals 6 in the first region R1. The pitch between the plurality of terminals 6 in the second region R2 is set to 128 μm or more and 180 μm or less, for example.
バンプ3は、例えば鉛、錫、銀、金、銅、亜鉛、ビスマス、インジウム又はアルミニウム等を含む半田等の導電材料により構成されている。
The
配線基板4は、電子部品2とマザーボード(図示せず)とを電気的に接続するものであり、電子部品2が上面に実装されるとともに、下面がマザーボードにボールバンプ(図示せず)を介して実装される。この配線基板4は、平板状のコア基板7と、コア基板7の両側に形成された一対のビルドアップ層8とを含んでいる。
The
コア基板7は、配線基板4の強度を高めつつ一対のビルドアップ層8間の導通を図るものであり、厚み方向に貫通する円柱状のスルーホールが複数形成された平板状の基体9と、複数のスルーホール内に充填されたスルーホール導体10とを含んでいる。
The core substrate 7 is intended to increase the strength of the
基体9は、コア基板7の剛性を高めるものであり、例えばエポキシ樹脂等の樹脂と、樹脂に被覆されたシリカフィラーと、樹脂に被覆されたガラスクロスとを含んでいる。基体9の厚みは、例えば0.4mm以上1.2mm以下に設定されている。なお、基体9の厚みは、後述する絶縁層11の厚みよりも大きく、さらには、1つのビルドアップ層8の厚みよりも大きい。
The
スルーホール導体10は、コア基板7上下のビルドアップ層8同士を電気的に接続するものであり、例えば銅、アルミニウム又はニッケル等の導電材料により形成されたものを使用することができ、なかでも導電性の高い銅を用いることが望ましい。この複数のスルーホール導体10は、格子状に配列している。複数のスルーホール導体10同士のピッチは、第1領域R1における複数の端子6同士のピッチよりも小さい。また、複数のスルーホール導体10同士のピッチは、例えば100μm以上180μm以下に設定されている。 The through-hole conductor 10 electrically connects the build-up layers 8 on the upper and lower sides of the core substrate 7 and can be formed of, for example, a conductive material such as copper, aluminum, or nickel. It is desirable to use copper having high conductivity. The plurality of through-hole conductors 10 are arranged in a lattice pattern. The pitch between the plurality of through-hole conductors 10 is smaller than the pitch between the plurality of terminals 6 in the first region R1. The pitch between the plurality of through-hole conductors 10 is set to, for example, 100 μm or more and 180 μm or less.
このスルーホール導体10は、後述するビア導体13およびパッド14を介して、バンプ3および端子6に電気的に接続される。複数のスルーホール導体10は、電源用端子6Pに電気的に接続される複数の電源用スルーホール導体10Pと、グランド用端子6Gに電気的に接続される複数のグランド用スルーホール導体10Gと、信号用端子に電気的に接続される複数の信号用スルーホール導体(図示せず)とを含んでいる。
The through-hole conductor 10 is electrically connected to the
一方、コア基板7の両側には、上述した如く、一対のビルドアップ層8が形成されている。ビルドアップ層8は、配線密度を高めつつ配線を引き回すための多層配線層として機能するものである。このビルドアップ層8は、基体9上に積層され、厚み方向に貫通するビア孔が形成された絶縁層11と、基体9上又は絶縁層11上に形成された導電層12と、ビア孔内に充填され、導電層12に電気的に接続したビア導体13と、最上層の絶縁層11上に配され、ビア導体13に電気的に接続しているとともにバンプ3が接続されるパッド14とを含んでいる。本実施形態において、1つのビルドアップ層8は、絶縁層11を3層含んでいる。
On the other hand, a pair of buildup layers 8 are formed on both sides of the core substrate 7 as described above. The buildup layer 8 functions as a multilayer wiring layer for routing the wiring while increasing the wiring density. The buildup layer 8 is laminated on the
ここで、便宜上、一対のビルドアップ層8のうち、電子部品2側に配されたものを第1ビルドアップ層8aとし、マザーボード側に配されたものを第2ビルドアップ層8bとする。
Here, for convenience, a pair of buildup layers 8 disposed on the
絶縁層11は、導電層12を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層12同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、エポキシ樹脂などの樹脂と、該樹脂に被覆されたシリカフィラーとを含んでいる。この絶縁層11の厚みは、基体9と比較して小さく設定されており、その結果、ビルドアップ層8において配線を高密度化しつつ、基体9によって配線基板4の剛性を高めることができる。絶縁層11の厚みは、例えば20μm以上40μm以下に設定されている。
The insulating
ここで、便宜上、第1ビルドアップ層8aに含まれた3層の絶縁層11を、基体9側から順次第1絶縁層11a、第2絶縁層11b、第3絶縁層11c(最上層)とする。
Here, for convenience, the three insulating
導電層12は、配線して機能するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができ、なかでも導電性の観点から銅を用いることが望ましい。この導電層12の厚みは、例えば10μm以上25μm以下に設定されている。 The conductive layer 12 functions by wiring. For example, a layer formed of a metal material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium can be used. It is desirable to use The thickness of the conductive layer 12 is set to, for example, 10 μm or more and 25 μm or less.
ここで、便宜上、導電層12が設けられる各層の名称を、基体9の上面から配線基板4の上面に向かって、FC1、FC2、FC3とし、また、基体9の下面から配線基板4の下面に向かって、BC1、BC2、BC3とする。
Here, for convenience, the names of the layers on which the conductive layer 12 is provided are FC1, FC2, and FC3 from the upper surface of the
また、導電層12は、電源用端子6Pに電気的に接続される複数の電源用導電層12Pと、グランド用端子6Gに電気的に接続される複数のグランド用導電層12Gと、信号用端子に電気的に接続される複数の信号用導電層(図示せず)とを含んでいる。また、電源用導電層12Pおよびグランド用導電層12Gは、ベタ状に形成されたベタ層を含んでいる。電源用導電層12Pのベタ層とグランド用導電層12Gのベタ層とは、交互に配置されている。第1ビルドアップ層8aにおいては、図2および図4(a)、(b)に示すように、基体9の上面から、グランド用導電層12Gのベタ層(FC1)、電源用導電層12Pのベタ層(FC2)、グランド用導電層12Gのベタ層(FC3)の順で形成されている。第2ビルドアップ層8bにおいては、図2および図4(c)に示すように、基体9の下面から、電源用導電層12Pのベタ層(BC1)、グランド用導電層12Gのベタ層(BC2)、電源用導電層12Pのベタ層(BC3)の順で形成されている。
The conductive layer 12 includes a plurality of power
ビア導体13は、厚み方向に互いに離間した導電層12同士を相互に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができ、なかでも導電性の観点から銅を用いることが望ましい。このビア導体13は、上面および下面が円形状であるとともにコア基板7に向って径が小さくなるテーパー状に形成されている。 The via conductor 13 connects the conductive layers 12 that are spaced apart from each other in the thickness direction. For example, the via conductor 13 may be formed of a metal material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium. Among them, it is desirable to use copper from the viewpoint of conductivity. The via conductor 13 is formed in a tapered shape in which the upper surface and the lower surface are circular and the diameter decreases toward the core substrate 7.
また、ビア導体13は、電源用端子6Pに電気的に接続される複数の電源用ビア導体13Pと、グランド用端子6Gに電気的に接続される複数のグランド用ビア導体13Gと、信号用端子に電気的に接続される複数の信号用ビア導体(図示せず)とを含んでいる。
The via conductor 13 includes a plurality of power via
パッド14は、電子部品2に電気的に接続するための端子として機能するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができ、なかでも導電性の観点から銅を用いることが望ましい。このパッド14は、例えば、円板状に形成されている。また、このパッド14の厚みは、例えば10μm以上25μm以下に設定されている。
The pad 14 functions as a terminal for electrically connecting to the
また、パッド14は、電源用端子6Pに電気的に接続される複数の電源用パッド14Pと、グランド用端子6Gに電気的に接続される複数のグランド用パッド14Gと、信号用端子に電気的に接続される複数の信号用パッド(図示せず)とを含んでいる。これらのパッド14は、それぞれ接続する端子6と同様に配列している。
The pad 14 is electrically connected to a plurality of
上述した配線基板4においては、複数の電源用スルーホール導体10P、複数の電源用導電層12P、複数の電源用ビア導体13P、複数の電源用パッド14Pは、互いに電気的に接続されることによって、1組の電源用配線を構成しており、配線基板4には電源用配線が1組のみ形成されている。この電源用配線においては、複数の電源用スルーホール導体6P同士または複数の電源用ビア導体13Pが、電源用導電層12Pのベタ層によって互いに電気的に接続されている。
In the
同様に、複数のグランド用スルーホール導体10G、複数のグランド用導電層12G、複数のグランド用ビア導体13G、複数のグランド用パッド14Gは、互いに電気的に接続されることによって、1組のグランド用配線を構成しており、配線基板4にはグランド用配線が1組のみ形成されている。このグランド用配線においては、複数のグランド用スルーホール導体6G同士または複数のグランド用ビア導体13Gが、グランド用導電層12Gのベタ層によって互いに電気的に接続されている。
Similarly, the plurality of ground through-
また、信号用スルーホール導体、各層の信号用導電層、各層の信号用ビア導体、信号用パッドは、1つずつ互いに電気的に接続されることによって、配線基板4における1組の信号用配線を構成しており、配線基板4には信号用配線が複数組形成されている。
Further, the signal through-hole conductor, the signal conductive layer of each layer, the signal via conductor of each layer, and the signal pad are electrically connected to each other one by one, so that one set of signal wiring on the wiring board 4 A plurality of sets of signal wirings are formed on the
ところで、コア基板7における基体9の厚みは、ビルドアップ層8の絶縁層11の厚みよりも大きい。それ故、基体9を厚み方向に貫通する電源用スルーホール導体10Pにおけるインピーダンスやインダクタンスは、絶縁層11を厚み方向に貫通する電源用ビア導体13Pにおけるインピーダンスやインダクタンスよりも大きくなりやすい。
By the way, the thickness of the
一方、本実施形態においては、図2に示すように、互いに電気的に接続した1組の電源用パッド14Pおよび電源用スルーホール導体10Pにおいて、すなわち1組の電源用配線において、電源用スルーホール導体10Pの数は、電源用パッド14Pの数よりも多い。その結果、電源用スルーホール導体10Pの数を増加させることによって、コア基板7において電源用の電流が流れる経路を並列的に増加させることで、コア基板7における電源用スルーホール導体10Pのインピーダンスおよびインダクタンスを低減することができる。したがって、電源用配線における電圧を安定化し、ひいては電子部品2を信頼性高く作動させることができる。なお、電源用スルーホール導体10Pの数は、電源用パッド14Pの数の例えば2倍以上4倍以下に設定されている。
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, in one set of
また、互いに電気的に接続した1組の電源用パッド14P、電源用ビア導体13Pおよび電源用スルーホール導体10Pにおいて、すなわち1組の電源用配線において、電源用スルーホール導体10Pの数は、最上層に位置する第3絶縁層11cを貫通する電源用ビア導体13Pの数よりも多い。その結果、第3絶縁層11cよりも厚みの大きい基体9を厚み方向に貫通する電源用スルーホール導体10Pにおけるインピーダンスおよびインダクタンスを低減することによって、電源用配線における電圧を効果的に安定化することができる。
In the set of
本実施形態において、第3樹脂層11cを貫通する電源用ビア導体13Pの数は、電源用パッド14Pの数と等しくなっており、第3樹脂層11cを貫通する電源用ビア導体13Pはそれぞれ電源用パッド14Pに接続している。
In the present embodiment, the number of power supply via
また、本実施形態において、第1樹脂層11aを貫通する電源用ビア導体13Pの数は、電源用スルーホール導体10Pの数と等しくなっており、第1樹脂層11aを貫通する電源用ビア導体13Pはそれぞれ電源用スルーホール導体10Pに接続している。そして、第1樹脂層11a上の導電層12(FC2)において、第1樹脂層11aを貫通する電源用ビア導体13Pが電源用導電層12のベタ層で互いに電気的に接続している。そして、電源用導電層12のベタ層には、第2樹脂層11bを貫通する電源用ビア導体13Pが接続している。この第2樹脂層11bを貫通する電源用ビア導体13Pの数は、第1樹脂層11aを貫通する電源用ビア導体13Pの数よりも少なくなっており、第3樹脂層11cを貫通する電源用ビア導体13Pの数と等しい。そして、第2樹脂層11bを貫通する電源用ビア導体13Pは、第3樹脂層11cを貫通する電源用ビア導体13Pと接続している。なお、各層における電源用ビア導体13Pの数は、適宜変更しても構わない。
In the present embodiment, the number of power supply via
また、本実施形態において、電源用スルーホール導体10Pは、基体9Pを厚み方向に貫通した電源用のスルーホールに充填されている。その結果、1つの電源用スルーホール導体10Pにおけるインピーダンスおよびインダクタンスを低減することができる。
In the present embodiment, the power supply through-
一方、本実施形態において、互いに電気的に接続した1組のグランド用パッド14Gおよびグランド用スルーホール導体10Gにおいて、すなわちグランド用配線において、グランド用スルーホール導体10Gの数は、グランド用パッド14Gの数よりも多い。その結果、電源用配線と同様に、グランド用配線においても電圧を安定化し、ひいては電子部品2を信頼性高く作動させることができる。
On the other hand, in this embodiment, in the set of
また、本実施形態において、グランド用スルーホール導体10Gは、基体9上の導電層12(FC1)において、グランド用導電層12のベタ層で互いに電気的に接続している。そして、グランド用導電層12のベタ層には、第1樹脂層11aを貫通するグランド用ビア導体13Gが接続している。この第1樹脂層11aを貫通するグランド用ビア導体13Gの数は、グランド用スルーホール導体10Gの数よりも少なくなっており、第2樹脂層11bを貫通するグランド用ビア導体13Gの数、第3樹脂層11cを貫通するグランド用ビア導体13Gの数、およびグランド用パッド14Gの数と等しい。なお、各層におけるグランド用ビア導体13Gの数は、適宜変更しても構わない。
In the present embodiment, the ground through-
一方、互いに電気的に接続した1組の信号用パッドおよび信号用スルーホール導体において、すなわち1組の信号用配線において、信号用スルーホール導体の数は、信号用パッドの数と等しい。その結果、信号用パッドと信号用スルーホール導体とを1対1で接続することができ、信号用配線において良好に信号を伝送することができる。 On the other hand, in one set of signal pads and signal through-hole conductors electrically connected to each other, that is, in one set of signal wirings, the number of signal through-hole conductors is equal to the number of signal pads. As a result, the signal pads and the signal through-hole conductors can be connected on a one-to-one basis, and signals can be transmitted satisfactorily in the signal wiring.
かくして、上述した実装構造体1は、配線基板4を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品2を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
Thus, the mounting structure 1 described above exhibits a desired function by driving or controlling the
次に、上述した実装構造体1の製造方法を、図面に基づいて説明する。 Next, the manufacturing method of the mounting structure 1 mentioned above is demonstrated based on drawing.
(1)図5に示すように、コア基板6を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。 (1) As shown in FIG. 5, the core substrate 6 is produced. Specifically, for example, the following is performed.
未硬化の樹脂シートを硬化させてなる基体9と該基体9の上下に配された銅箔とからなる銅張積層板を準備する。次に、サンドブラスト加工を用いて銅張積層板5xにスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法、電解めっき法、蒸着法、CVD法又はスパッタリング法等により、スルーホール内に導電材料を充填させてスルーホール導体10を形成する。次に、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、基体9上の銅箔をパターニングして導電層12を形成する。以上のようにして、コア基板7を作製することができる。
A copper-clad laminate comprising a
ここで、サンドブラスト加工を用いたスルーホールの形成方法について、詳細に説明する。 Here, a through hole forming method using sandblasting will be described in detail.
まず、銅張板積層板の両面に、スルーホールの形成箇所に開口を有するレジストを形成する。このレジストは、例えば感光性樹脂の露光、現像によって形成することができる。次に、サンドブラスト装置のノズルから、銅張板積層板の一主面に微粒子を噴射することによって、該レジストの開口を介して、スルーホールの一部分(非貫通)を形成する。次に、銅張板積層板の他主面に微粒子を噴射することによって、基体9を貫通するスルーホールを形成する。なお、基体9を貫通するスルーホールは、銅張板積層板の一主面のみに微粒子を噴射することによって形成しても構わない。次に、レジストを例えば1〜3wt%水酸化ナトリウム溶液等で除去する。次に、スルーホールの内壁を高圧水洗することによって、残存した微粒子やスルーホールの加工屑を除去する。以上のようにして、サンドブラスト加工を用いてスルーホールを形成することができる。
First, a resist having openings at through-hole formation locations is formed on both sides of a copper clad laminate. This resist can be formed, for example, by exposure and development of a photosensitive resin. Next, fine particles are sprayed onto one main surface of the copper clad laminate from the nozzle of the sand blasting device, thereby forming a part (non-penetrating) of the through hole through the opening of the resist. Next, a through hole penetrating the
このようにサンドブラスト法を用いた場合、微粒子の噴射によってスルーホールを形成するため、ドリル加工と比較して、ガラスクロスと樹脂との境界に印加される応力および熱を低減することができる。さらに、レーザー加工と比較して、ガラスクロスと樹脂との境界に印加される熱を低減することができる。それ故、サンドブラスト法を用いた場合、ドリル加工やレーザー加工と比較して、ガラスクロスと樹脂との剥離を低減することができるため、隣接するスルーホール導体10同士の短絡を低減しつつ間隔を狭くすることができ、スルーホール導体10を狭ピッチ化することができる。その結果、上述した如く、電源用パッド14Pと比較して、電源用スルーホール導体10Pを狭ピッチ化し、電源用スルーホール導体10Pの数を電源用パッド14Pの数よりも多くすることができる。また、電源用スルーホール導体10Pと同様にして、グランド用スルーホール導体10Gの数をグランド用パッド14Gの数よりも多くすることができる。
When the sandblasting method is used as described above, through holes are formed by injection of fine particles, so that stress and heat applied to the boundary between the glass cloth and the resin can be reduced as compared with drilling. Furthermore, compared with laser processing, the heat applied to the boundary between the glass cloth and the resin can be reduced. Therefore, when the sandblasting method is used, the separation between the glass cloth and the resin can be reduced as compared with drilling or laser processing, so that the distance between the through-hole conductors 10 adjacent to each other can be reduced. The through-hole conductor 10 can be narrowed and the pitch can be reduced. As a result, as described above, the power through-
また、レジストを使用してサンドブラストを行っていることから、微粒子を広範に噴射して複数のスルーホールを同時に加工できるため、ドリル加工やレーザー加工と比較して、スルーホールを効率良く形成できる。したがって、スルーホールの数を増加させたとしても、加工時間の増加などを抑制することができる。 In addition, since sandblasting is performed using a resist, a plurality of through holes can be processed simultaneously by spraying a wide range of fine particles, so that through holes can be formed more efficiently than drilling or laser processing. Therefore, even if the number of through holes is increased, an increase in processing time can be suppressed.
また、サンドブラスト加工を用いると、基体9におけるシリカフィラーの含有量を増加させた場合に、ドリル加工のようにドリルが摩耗することがなく、また、レーザー加工よりも容易にスルーホールを形成することができる。
In addition, when sandblasting is used, when the silica filler content in the
以上のようにサンドブラスト加工でスルーホールを形成するために、サンドブラスト加工は以下の条件で行うことができる。 In order to form a through hole by sandblasting as described above, sandblasting can be performed under the following conditions.
まず、サンドブラスト加工は、ドライブラストにより行われる。その結果、ウェットブラストと比較して、微粒子に対する抵抗が小さいため、スルーホールの切削性を高めるとともに、切削時の加工屑の残留を低減し、該加工屑による切削阻害を低減できる。 First, sandblasting is performed by drive blasting. As a result, since resistance to fine particles is smaller than that of wet blasting, it is possible to improve the machinability of the through hole, reduce the residual of machining waste during cutting, and reduce the cutting hindrance due to the machining waste.
また、サンドブラストで噴射する微粒子として、ガラスよりも硬度の高い無機絶縁材料からなる破砕形状の微粒子(破砕粒子)を用いることができる。その結果、ガラスクロスよりも硬い破砕粒子の尖った端部によって、スルーホールの内壁に露出したガラスクロスを効率良く切削することができるため、ガラスクロスと樹脂との間に印加される応力を低減しつつ、スルーホールを効率良く形成することができる。このようにガラスよりも硬度の高い無機絶縁材料としては、例えばアルミナ、炭化ケイ素またはジルコニア等を用いることができ、なかでもアルミナを用いることが望ましい。なお、硬度としてはビッカース硬度を用いることができる。 Further, as fine particles to be ejected by sandblasting, fine particles having a crushed shape (crushed particles) made of an inorganic insulating material having higher hardness than glass can be used. As a result, the glass cloth exposed on the inner wall of the through hole can be cut efficiently by the sharp edges of the crushed particles that are harder than the glass cloth, reducing the stress applied between the glass cloth and the resin. However, the through hole can be formed efficiently. As such an inorganic insulating material having a hardness higher than that of glass, for example, alumina, silicon carbide, zirconia, or the like can be used, and among these, it is desirable to use alumina. As the hardness, Vickers hardness can be used.
また、微粒子は、破砕粒子の最大径が3μm以上40μm以下に設定されている。その結果、最大径を3μm以上にすることによって、破砕粒子による切削性を高めスルーホールを容易に形成することができる。また、最大径を40μm以下にすることによって、破砕粒子が孔詰まりすることなくスルーホールを形成することができる。 Moreover, the maximum diameter of the fine particles is set to 3 μm or more and 40 μm or less. As a result, by setting the maximum diameter to 3 μm or more, it is possible to improve the machinability by crushed particles and easily form a through hole. In addition, by setting the maximum diameter to 40 μm or less, through holes can be formed without crushing the clogged particles.
また、微粒子を噴射する圧力は、0.15MPa以上0.22MPa以下に設定されていることが望ましい。その結果、圧力を0.15MPa以上にすることによって、スルーホール内のガラスクロスを効率よく切削加工することができる。また、圧力を0.22MPa以下にすることによって、破砕粒子同士がぶつかりあってスルーホール内壁の樹脂が過剰に切削されないように加工することができる。 Moreover, it is desirable that the pressure for injecting the fine particles is set to 0.15 MPa or more and 0.22 MPa or less. As a result, the glass cloth in the through hole can be efficiently cut by setting the pressure to 0.15 MPa or more. Further, by setting the pressure to 0.22 MPa or less, it is possible to process so that the crushed particles collide with each other and the resin on the inner wall of the through hole is not excessively cut.
また、微粒子の噴射量は、30g/min以上200g/min以下に設定されていることが望ましい。その結果、噴射量を30g/min以上にすることによって、スルーホール内にあるガラスクロスを効率よく切削加工することができる。また、噴射量を200g/min以下にすることによって、破砕粒子同士がぶつかりあってスルーホール内壁の樹脂が過剰に切削されないように加工することができる。 Moreover, it is desirable that the injection amount of the fine particles is set to 30 g / min or more and 200 g / min or less. As a result, the glass cloth in the through hole can be efficiently cut by setting the injection amount to 30 g / min or more. Further, by setting the injection amount to 200 g / min or less, it is possible to process the crushed particles so that the resin on the inner wall of the through hole is not excessively cut.
また、1つのスルーホールに対して微粒子を噴射する回数(スキャン回数)は、コア基板7の厚みが40μm以上200μm以下の場合、例えば4回以上20回以下に設定されている。 In addition, the number of times fine particles are ejected to one through hole (the number of scans) is set to, for example, 4 to 20 times when the thickness of the core substrate 7 is 40 to 200 μm.
また、微粒子を噴射する基体9は、シリカフィラーの含有割合が40体積%以上75体積%以下に設定されている。その結果、シリカフィラーの含有割合を40体積%以上とすることによって、サンドブラスト加工による樹脂層15の切削性を高めることができる。また、シリカフィラーの含有割合を75体積%以下とすることによって、スルーホールを形成する際にスルーホール内壁からのシリカフィラーの脱粒を低減し、該脱粒に起因した窪みに気泡が残存してスルーホール内壁と導電層12との密着強度が低下することを低減できる。なお、シリカフィラーの含有割合は、基体9のガラスクロスを含まない領域において、樹脂とシリカフィラーとの体積の合計に対するシリカフィラーの体積の割合を計算することによって、得られる。
Further, in the
ここで、サンドブラスト加工で形成したスルーホールの内壁は、デスミア処理を行わないことが望ましい。サンドブラスト加工でスルーホールを形成すると、ドリル加工やレーザー加工と比較して、スルーホールの内壁に印加される熱を低減して炭化した樹脂の残滓を低減できるとともに、物理的に分子間の結合が切断されるため、スルーホール内壁に露出した樹脂の表面の反応活性を高めることができる。このようにデスミア処理を行わないことによって、樹脂のみが選択的にエッチングされてガラスクロスの側面が大きく露出することを低減し、樹脂とガラスクロスとの剥離を低減できる。 Here, it is desirable that the inner wall of the through hole formed by sandblasting is not desmeared. When through holes are formed by sandblasting, compared to drilling or laser processing, the heat applied to the inner walls of the through holes can be reduced to reduce the residue of carbonized resin, and the bonds between molecules can be physically reduced. Since it is cut, the reaction activity of the surface of the resin exposed on the inner wall of the through hole can be increased. By not performing the desmear treatment in this manner, it is possible to reduce only the resin from being selectively etched and to greatly expose the side surface of the glass cloth, and to reduce peeling between the resin and the glass cloth.
(2)図6に示すように、コア基板7の両側に一対のビルドアップ層8を形成することにより、配線基板4を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。
(2) As shown in FIG. 6, by forming a pair of buildup layers 8 on both sides of the core substrate 7, the
まず、未硬化の樹脂を導電層12上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、導電層12上に絶縁層11を形成する。次に、レーザー加工でビア孔を形成し、ビア孔内に導電層12の少なくとも一部を露出させる。このように、レーザー加工でビア孔を形成することによって、サンドブラスト加工と比較して、ビア孔内に露出させる導電層12の損傷を低減することができる。次に、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により、ビア孔にビア導体13を形成するとともに絶縁層11の上面に導電層12を形成する。以上の工程を繰り返すことによって、ビルドアップ層8を形成することができる。なお、最上層の絶縁層11の上面には、導電層12と同様にしてパッド14を形成することができる。
First, an uncured resin is disposed on the conductive layer 12, and the insulating
以上のようにして、配線基板4を作製することができる。なお、本工程を繰り返すことにより、ビルドアップ層8において絶縁層11及び導電層12をより多層化させることができる。
The
(3)パッド14上面にバンプ3を形成するとともにバンプ3を介して配線基板4に電子部品2をフリップチップ実装する。
(3) The
以上のようにして、図1(a)に示した実装構造体1を作製することができる。 As described above, the mounting structure 1 shown in FIG. 1A can be manufactured.
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications, improvements, combinations, and the like can be made without departing from the spirit of the present invention.
例えば、上述した実施形態において、ビルドアップ層が絶縁層を3層含む構成を例に説明したが、ビルドアップ層は絶縁層を何層含んでも構わない。 For example, in the above-described embodiment, the configuration in which the build-up layer includes three insulating layers has been described as an example, but the build-up layer may include any number of insulating layers.
また、上述した実施形態において、スルーホール導体がスルーホールに充填された構成を例に説明したが、スルーホール導体はスルーホール内に配されていればよく、スルーホールの内壁を筒状に被覆していても構わない。 Moreover, in the above-described embodiment, the configuration in which the through-hole conductor is filled in the through-hole has been described as an example. However, the through-hole conductor only needs to be arranged in the through-hole, and the inner wall of the through-hole is covered in a cylindrical shape. It does not matter.
また、上述した実施形態において、ビア導体がビア孔に充填された構成を例に説明したが、ビア導体はビア孔内に配されていればよく、ビア孔の内壁を筒状に被覆していても構わない。 In the above-described embodiment, the configuration in which the via conductor is filled in the via hole has been described as an example. However, the via conductor only needs to be disposed in the via hole, and the inner wall of the via hole is covered in a cylindrical shape. It doesn't matter.
また、上述した実施形態において、複数のビア導体が積み上げられたスタック構造を成していたが、スタック構造でなくてもよく、例えばスパイラル構造でも構わない。 In the above-described embodiment, a stack structure in which a plurality of via conductors are stacked is formed. However, the stack structure may not be used, and for example, a spiral structure may be used.
また、上述した実施形態において、(1)の工程にて銅箔を用いた構成を例に説明したが、銅箔の代わりに、例えば鉄ニッケル合金又は鉄ニッケルコバルト合金等の金属材料からなる金属箔を用いても構わない。 Moreover, in embodiment mentioned above, although the structure using copper foil was demonstrated to the example in the process of (1), the metal which consists of metal materials, such as an iron nickel alloy or an iron nickel cobalt alloy, for example instead of copper foil A foil may be used.
1 実装構造体
2 電子部品
3 バンプ
4 配線基板
5 半導体基板
6 端子
7 コア基板
8 ビルドアップ層
9 基体
10 スルーホール導体
11 絶縁層
12 導電層
13 ビア導体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (3)
サンドブラスト加工を用いて基体を厚み方向に貫通する複数の電源用スルーホールを形成し、該複数の電源用スルーホールに複数の電源用スルーホール導体を形成することによって、コア基板を形成する工程と、
該コア基板上に前記基体よりも厚みが小さい絶縁層を形成し、電子部品の電源用端子に電気的に接続されるとともに、前記複数の電源用スルーホール導体に電気的に接続した複数の電源用パッドを前記絶縁層上に形成することによって、前記電子部品が実装されるビルドアップ層を前記コア基板上に形成する工程とを備え、
前記電子部品の下面中央部に対応する領域における前記電源用スルーホールのピッチが前記電源用パッドのピッチよりも狭いとともに、互いに電気的に接続した1組の前記電源用パッドおよび前記電源用スルーホール導体において、前記電源用スルーホール導体の数は、前記電源用パッドの2倍以上4倍以下の範囲であることを特徴とする配線基板の製造方法。 Preparing a substrate;
Forming a core substrate by forming a plurality of power supply through holes penetrating the substrate in the thickness direction using sandblasting, and forming a plurality of power supply through hole conductors in the plurality of power supply through holes; and ,
A plurality of power supplies formed with an insulating layer having a smaller thickness than the base on the core substrate and electrically connected to power supply terminals of the electronic component and electrically connected to the plurality of power supply through-hole conductors Forming a build-up layer on which the electronic component is mounted on the core substrate by forming a pad for use on the insulating layer,
A pair of the power supply pads and the power supply through holes that are electrically connected to each other while the pitch of the power supply through holes in the region corresponding to the center of the lower surface of the electronic component is narrower than the pitch of the power supply pads In the conductor, the number of the through-hole conductors for power supply is in the range of 2 to 4 times the pad for power supply.
前記ビルドアップ層を前記コア基板上に形成する工程では、
レーザー加工を用いて前記絶縁層を厚み方向に貫通する複数の電源用ビア孔を形成し、該複数の電源用ビア孔に複数の電源用ビア導体を形成した後、該複数の電源用ビア導体を介して前記複数の電源用スルーホール導体に電気的に接続する前記複数の電源用パッドを形成し、
互いに電気的に接続した1組の前記電源用パッド、前記電源用ビア導体および前記電源用スルーホール導体において、前記電源用スルーホール導体の数は、前記電源用ビア導体の数よりも多いことを特徴とする配線基板の製造方法。 In the manufacturing method of the wiring board of Claim 1,
In the step of forming the build-up layer on the core substrate,
Forming a plurality of power supply via holes penetrating the insulating layer in the thickness direction by using laser processing, forming a plurality of power supply via conductors in the plurality of power supply via holes, and then forming the plurality of power supply via conductors; Forming the plurality of power supply pads electrically connected to the plurality of power supply through-hole conductors via
In the set of the power supply pad, the power supply via conductor, and the power supply through-hole conductor that are electrically connected to each other, the number of the power supply through-hole conductors is greater than the number of the power supply via conductors. A method for manufacturing a wiring board.
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