JP2016186526A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明を適用した電子機器としての投射型表示装置の光学系を示す模式図である。図1に示す投射型表示装置1000は、光源部1002と、光源部1002から出射された光を画像情報に応じて変調する電気光学装置100と、電気光学装置100で変調された光を投射画像としてスクリーン等の被投射物1100に投射する投射光学系1004とを有している。光源部1002は、光源1020と、カラーフィルター1030とを備えている。光源1020は白色光を出射し、カラーフィルター1030は、回転に伴って各色の光を出射し、電気光学装置100は、カラーフィルター1030の回転に同期したタイミングで、入射した光を変調する。なお、カラーフィルター1030に代えて、光源1020から出射された光を各色の光に変換する蛍光体基板を用いてもよい。また、各色の光毎に光源部1002および電気光学装置100を設けてもよい。
図2は、本発明を適用した電気光学装置100の基本構成を模式的に示す説明図であり、図2(a)、(b)は各々、電気光学装置100の要部を示す説明図、および電気光学装置100の要部の分解斜視図である。図3は、本発明を適用した電気光学装置100の要部におけるA−A′断面を模式的に示す説明図であり、図3(a)、(b)は各々、ミラーが一方側に傾いた状態を模式的に示す説明図、およびミラーが他方側に傾いた状態を模式的に示す説明図である。
図4は、本発明を適用した電気光学装置100の断面図である。図4に示すように、本形態の電気光学装置100において、図2および図3を参照して説明したミラー50が複数形成された素子基板1は、一方面1sが、枠状のスペーサー61および透光性を有する平板状の透光性カバー71とからなる封止部材75によって封止された後、基板90の基板実装部93に固定され、その後、封止樹脂98によって封止される。基板90において、基板実装部93は、側板部92に囲まれた有底の凹部になっており、素子基板1は、基板90の底板部91に接着剤97で固定されている。
図5、図6および図7を参照して、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法を説明する。図5は、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法を示す工程断面図である。図6は、本発明を適用した電気光学装置100の製造に用いた第2ウエハー20等の製造方法を示す工程図であり、図6には、各工程におけるウエハーの平面図を示すとともに、平面図の下段には切断端面図を示してある。図7は、本発明を適用した電気光学装置100の製造工程において基板90および封止樹脂98によって素子基板1を封止する工程を示す工程断面図である。図6(b)ではミラーの図示を省略し、図5では、図4と比べてミラー50の数を減らして3つのミラー50が1枚の素子基板1に形成されるものとして示してある。
以上説明したように、本形態では、第1ウエハー10と封止用の第2ウエハー20とを接着した後、第1ウエハー10および第2ウエハー20をダイシングして、複数の電気光学装置100を製造する。その際、第2ウエハー20には、第1端子17a、第2端子17b、および第1端子17aと第2端子17bとに挟まれた領域に平面視で重なる溝22を形成しておく。従って、本形態では、第1ウエハー10と第2ウエハー20とを接着した状態で、第2ウエハー20は、第1端子17aおよび第2端子17bから離間している。このため、第1端子17aおよび第2端子17bが第2ウエハー20と接着されることがない。また、第2ウエハーダイシング工程においては、第2ウエハー用ダイシングブレード82が第1端子17aおよび第2端子17bに接近する前に第2ウエハー20がダイシングされる。従って、第2ウエハー用ダイシングブレード82が第1端子17aおよび第2端子17bに接触して第1端子17aおよび第2端子17bを損傷させにくい。それ故、電気光学装置100の歩留まりを向上することができる。
図8は、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法の変形例1、2を示す説明図であり、図8(a)、(b)は、変形例1に係る電気光学装置100の断面図、および変形例2に係る電気光学装置100の断面図である。上記実施の形態では、図5に示す第2ウエハー用ダイシングブレード82の厚さW2は、溝22の幅W0と同等であったため、図4に示すように、透光性カバー71の側面71wおよびスペーサー61のミラー50と反対側の外側面61wが全体にわたって連続した平面になっていた。
図9は、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法の変形例3を示す説明図であり、図9(a)、(b)は、変形例3に用いたダイシングブレードの説明図、および変形例3にダイシングブレードによって第1ウエハー10および第2ウエハー20をダイシングする様子を示す説明図である。
図10は、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法の変形例4を示す説明図であり、図10は、電気光学装置100の製造に用いた第2ウエハー20等の製造方法を示す工程図である。なお、図10には、各工程におけるウエハーの平面図を示すとともに、平面図の下段には切断端面図を示してある。
上記実施の形態では、エッチング等の処理によって凹部21(貫通穴66)および溝22を形成したが、成形等によって、凹部21および溝22が形成された第2ウエハー20を形成してもよい。また、成形等によって、貫通穴66および溝22が形成されたスペーサー用ウエハー60を用いて第2ウエハー20を形成してもよい。
上記実施の形態では、円形形状のウエハーを用いたが、その平面形状については、矩形等であってもよい。
Claims (10)
- 第1ミラー、前記第1ミラーと平面視で隣り合う位置に設けられ、前記第1ミラーを駆動する第1駆動素子に電気的に接続された第1端子、前記第1端子に対して前記第1ミラーと反対側に位置する第2ミラー、および前記第1端子と前記第2ミラーとの間に設けられ、前記第2ミラーを駆動する第2駆動素子に電気的に接続された第2端子を第1面側に備えた第1ウエハーを用意する第1ウエハー準備工程と、
底部が透光性の第1凹部、底部が透光性の第2凹部、および前記第1凹部と前記第2凹部との間の溝が第2面に設けられた第2ウエハーを形成する第2ウエハー形成工程と、
前記第1ミラーに前記第1凹部が平面視で重なり、前記第2ミラーに前記第2凹部が平面視で重なり、前記第1端子、前記第2端子、および前記第1端子と前記第2端子とに挟まれた領域に前記溝が平面視で重なるように前記第1ウエハーの前記第1面と前記第2ウエハーの前記第2面とを接着する接着工程と、
第1ダイシングブレードを前記第2ウエハーの前記第2面とは反対側の第3面から進入させて前記溝に沿って前記第2ウエハーをダイシングする第2ウエハーダイシング工程と、
第2ダイシングブレードによって前記第1端子と前記第2端子との間で前記第1ウエハーをダイシングする第1ウエハーダイシング工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第2ダイシングブレードの厚さは、前記第1ダイシングブレードの厚さより薄く、
前記第1ウエハーダイシング工程では、前記第2ダイシングブレードを前記第1ウエハーに対して前記第2面側から進入させて前記第1ウエハーをダイシングすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第1ダイシングブレードの厚さは、前記溝の幅より厚いことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第1ダイシングブレードの厚さは、前記溝の幅より薄いことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第2ダイシングブレードと前記第1ダイシングブレードとが厚さ方向で積層された多段ブレードを用い、
前記多段ブレードを前記第1ウエハーに対して前記第2ウエハーの側から進入させて前記第2ウエハーダイシング工程と前記第1ウエハーダイシング工程とを連続して行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第2ウエハー形成工程では、
第3ウエハーに第1貫通穴、第2貫通穴、および前記溝を形成する第1工程と、
前記第3ウエハーの前記溝が開口している側とは反対側の面に透光性を有する第4ウエハーを重ねて接着する第2工程と、
を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第2ウエハー形成工程では、
第3ウエハーに第1貫通穴、および第2貫通穴を形成する第1工程と、
前記第3ウエハーと透光性を有する第4ウエハーとを重ねて接着する第2工程と、
前記第3ウエハーの前記第4ウエハーに接着された面とは反対側の面に前記溝を形成する第3工程と、
を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - ミラー、および前記ミラーと平面視で隣り合う位置に設けられ、前記ミラーを駆動する駆動素子に電気的に接続された端子を第1面側に備えた素子基板と、
前記素子基板の前記第1面側に接着され、平面視で前記ミラーを囲むスペーサー、および前記スペーサーの前記素子基板と対向する端部とは反対側の端部に支持され、前記ミラーと平面視で重なる板状の透光性カバーを有する封止部材と、
を有し、
前記封止部材の側面では、第1部分より前記素子基板に近い第2部分が、前記第1部分よりも前記ミラーとは反対側に突出していることを特徴とする電気光学装置。 - ミラー、および前記ミラーと平面視で隣り合う位置に設けられ、前記ミラーを駆動する駆動素子に電気的に接続された端子を第1面側に備えた素子基板と、
前記素子基板の前記第1面側に接着され、平面視で前記ミラーを囲むスペーサー、および前記スペーサーの前記素子基板と対向する端部とは反対側の端部に支持され、前記ミラーと平面視で重なる板状の透光性カバーを有する封止部材と、
を有し、
前記封止部材の側面では、第1部分より前記素子基板に近い第2部分が、前記第1部分よりも前記ミラー側に凹んでいることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項8または9に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
前記ミラーに光源光を照射する光源部を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015065932A JP2016186526A (ja) | 2015-03-27 | 2015-03-27 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
US15/018,086 US9557561B2 (en) | 2015-03-27 | 2016-02-08 | Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
CN201610159373.2A CN106019575B (zh) | 2015-03-27 | 2016-03-21 | 电光装置的制造方法、电光装置以及电子设备 |
US15/381,282 US20170146794A1 (en) | 2015-03-27 | 2016-12-16 | Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015065932A JP2016186526A (ja) | 2015-03-27 | 2015-03-27 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016186526A true JP2016186526A (ja) | 2016-10-27 |
JP2016186526A5 JP2016186526A5 (ja) | 2018-04-12 |
Family
ID=56975279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015065932A Withdrawn JP2016186526A (ja) | 2015-03-27 | 2015-03-27 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9557561B2 (ja) |
JP (1) | JP2016186526A (ja) |
CN (1) | CN106019575B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2015
- 2015-03-27 JP JP2015065932A patent/JP2016186526A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-02-08 US US15/018,086 patent/US9557561B2/en active Active
- 2016-03-21 CN CN201610159373.2A patent/CN106019575B/zh active Active
- 2016-12-16 US US15/381,282 patent/US20170146794A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106019575A (zh) | 2016-10-12 |
US20160282608A1 (en) | 2016-09-29 |
US20170146794A1 (en) | 2017-05-25 |
US9557561B2 (en) | 2017-01-31 |
CN106019575B (zh) | 2020-03-24 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A761 | Written withdrawal of application |
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