[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2016186526A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2016186526A
JP2016186526A JP2015065932A JP2015065932A JP2016186526A JP 2016186526 A JP2016186526 A JP 2016186526A JP 2015065932 A JP2015065932 A JP 2015065932A JP 2015065932 A JP2015065932 A JP 2015065932A JP 2016186526 A JP2016186526 A JP 2016186526A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
mirror
electro
terminal
optical device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2015065932A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016186526A5 (ja
Inventor
近藤 学
Manabu Kondo
学 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2015065932A priority Critical patent/JP2016186526A/ja
Priority to US15/018,086 priority patent/US9557561B2/en
Priority to CN201610159373.2A priority patent/CN106019575B/zh
Publication of JP2016186526A publication Critical patent/JP2016186526A/ja
Priority to US15/381,282 priority patent/US20170146794A1/en
Publication of JP2016186526A5 publication Critical patent/JP2016186526A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/005Projectors using an electronic spatial light modulator but not peculiar thereto
    • G03B21/008Projectors using an electronic spatial light modulator but not peculiar thereto using micromirror devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528Geometry or layout of the interconnection structure
    • H01L23/5283Cross-sectional geometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】重ねて接着したウエハーをダイシングして端子を露出させる場合でも、端子の損傷を防止することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】ミラー50や端子17が形成された第1ウエハー10と、封止用の第2ウエハーとを重ねて接着した後、ダイシングして電気光学装置100を製造する。その際、第2ウエハー20の第2面20sには、ミラー50に平面視で重なる凹部21を形成しておくとともに、端子17と平面視で重なる溝22とを形成しておく。このため、第2ウエハー用ダイシングブレード82を第2ウエハー20の第3面20tから進入させて溝22に沿ってダイシングする際、第2ウエハー用ダイシングブレード82が端子17に接触することを防止することができる。【選択図】図5

Description

本発明は、ミラーを備えた電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器に関するものである。
電子機器として、例えば、光源から出射された光をDMD(デジタル・ミラー・デバイス)と呼ばれる電気光学装置の複数のミラー(マイクロミラー)によって変調した後、変調光を投射光学系によって拡大投射することにより、スクリーンに画像を表示する投射型表示装置等が知られている。かかる投射型表示装置等に用いられる電気光学装置は、図11(d)に示すように、ミラー50、およびミラー50と平面視で隣り合う位置に設けられた端子17を一方面1s側に備えた素子基板1を有している。また、素子基板1は、平面視でミラー50および端子17を囲むように素子基板1の一方面1s側に接着されたスペーサー61と、スペーサー61の素子基板1とは反対側の端部に支持された板状の透光性カバー71とによって封止されている。
また、図11(d)に示す電気光学装置を製造するには、例えば、以下に説明する製造方法が提案される(特許文献1参照)。まず、図11(a)に示すように、ミラー50および端子17を一方面10s側に備えた第1ウエハー10を形成する一方、貫通穴66を形成したスペーサー用ウエハー60と透光性ウエハー70とを重ねて接着して第2ウエハー20を形成する。その結果、貫通穴66は有底の凹部21となる。次に、図11(b)に示すように、ミラー50に凹部21が平面視で重なるように第1ウエハー10と第2ウエハー20とを接着する。次に、図11(c)に示すように、第2ウエハー用ダイシングブレード82を第1ウエハー10とは反対側から第2ウエハー20に進入させ、第2ウエハー20をダイシングするとともに、端子17を露出させる。次に、図11(d)に示すように、第1ウエハー用ダイシングブレード81によって第1ウエハー10をダイシングし、複数の電気光学装置100を得る。
米国特許 US6856014 B1
しかしながら、図11に示す製造方法では、図11(b)に示すように、端子17に第2ウエハー20が接した状態で重なっている。従って、図11(c)に示す工程で、第2ウエハー20をダイシングする際、第2ウエハー用ダイシングブレード82が端子17に接触し、端子17を損傷させるおそれがあるという問題点がある。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、重ねて接着したウエハーをダイシングして端子を露出させる場合でも、端子の損傷を防止することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様は、第1ミラー、前記第1ミラーと平面視で隣り合う位置に設けられ、前記第1ミラーを駆動する第1駆動素子に電気的に接続された第1端子、前記第1端子に対して前記第1ミラーと反対側に位置する第2ミラー、および前記第1端子と前記第2ミラーとの間に設けられ、前記第2ミラーを駆動する第2駆動素子に電気的に接続された第2端子を第1面側に備えた第1ウエハーを用意する第1ウエハー準備工程と、底部が透光性の第1凹部、底部が透光性の第2凹部、および前記第1凹部と前記第2凹部との間の溝が第2面に設けられた第2ウエハーを形成する第2ウエハー形成工程と、前記第1ミラーに前記第1凹部が平面視で重なり、前記第2ミラーに前記第2凹部が平面視で重なり、前記第1端子、前記第2端子、および前記第1端子と前記第2端子とに挟まれた領域に前記溝が平面視で重なるように前記第1ウエハーの前記第1面と前記第2ウエハーの前記第2面とを接着する接着工程と、第1ダイシングブレードを前記第2ウエハーの前記第2面とは反対側の第3面から進入させて前記溝に沿って前記第2ウエハーをダイシングする第2ウエハーダイシング工程と、第2ダイシングブレードによって前記第1端子と前記第2端子との間で前記第1ウエハーをダイシングする第1ウエハーダイシング工程と、を有することを特徴とする。
本発明では、第1ウエハーと封止用の第2ウエハーとを接着した後、第1ウエハーおよび第2ウエハーをダイシングして、複数の電気光学装置を製造する。その際、第2ウエハーには、第1ミラーと重なる第1凹部、および第1ミラーと重なる第2凹部に加えて、第1端子、第2端子、および第1端子と第2端子とに挟まれた領域に平面視で重なる溝を形成しておく。このため、第1ウエハーと第2ウエハーとを接着した状態で、第2ウエハーは、第1端子および第2端子から離間している。このため、第1端子および第2端子が第2ウエハーと接着されることがない。また、第2ウエハーダイシング工程においては、第2ウエハー用ダイシングブレードが第1端子および第2端子に接近する前に第2ウエハーがダイシングされる。従って、第2ウエハー用ダイシングブレードが第1端子および第2端子に接触して第1端子および第2端子を損傷させにくい。それ故、電気光学装置の歩留まりを向上することができる。
本発明において、前記第2ダイシングブレードの厚さは、前記第1ダイシングブレードの厚さより薄く、前記第1ウエハーダイシング工程では、前記第2ダイシングブレードを前記第1ウエハーに対して前記第2面側から進入させて前記第1ウエハーをダイシングする態様を採用することができる。かかる構成によれば、第2ウエハー用ダイシング工程の後、第2ウエハーダイシング工程の前に第1ウエハーと第2ウエハーとの積層体を上下反転させるという工程が不要である。
本発明において、前記第1ダイシングブレードの厚さは、前記溝の幅より厚い態様を採用することができる。かかる態様によって製造された電気光学装置は、ミラー、および前記ミラーと平面視で隣り合う位置に設けられ、前記ミラーを駆動する駆動素子に電気的に接続された端子を第1面側に備えた素子基板と、前記素子基板の前記第1面側に接着され、平面視で前記ミラーを囲むスペーサー、および前記スペーサーの前記素子基板と対向する端部とは反対側の端部に支持され、前記ミラーと平面視で重なる板状の透光性カバーを有する封止部材と、を有し、前記封止部材の側面では、第1部分より前記素子基板に近い第2部分が、前記第1部分よりも前記ミラーとは反対側に突出していることを特徴とする。かかる構成によれば、基板に設けられる端子を別な端子をワイヤーボンディングで接続しやすく、この場合でも、封止部材と基板との接着面積(接着幅)が狭くならないので、封止部材と基板との間の封止性能が低下することがない。
本発明において、前記第1ダイシングブレードの厚さは、前記溝の幅より薄い態様を採用してもよい。かかる態様によって製造された電気光学装置は、ミラー、および前記ミラーと平面視で隣り合う位置に設けられ、前記ミラーを駆動する駆動素子に電気的に接続された端子を第1面側に備えた素子基板と、前記素子基板の前記第1面側に接着され、平面視で前記ミラーを囲むスペーサー、および前記スペーサーの前記素子基板と対向する端部とは反対側の端部に支持され、前記ミラーと平面視で重なる板状の透光性カバーを有する封止部材と、を有し、前記封止部材の側面では、第1部分より前記素子基板に近い第2部分が、前記第1部分よりも前記ミラー側に凹んでいることを特徴とする。
本発明において、前記第2ダイシングブレードと前記第1ダイシングブレードとが厚さ方向で積層された多段ブレードを用い、前記多段ブレードを前記第1ウエハーに対して前記第2ウエハーの側から進入させて前記第2ウエハーダイシング工程と前記第1ウエハーダイシング工程とを連続して行うことが好ましい。
本発明において、前記第2ウエハー形成工程では、第3ウエハーに第1貫通穴、第2貫通穴、および前記溝を形成する第1工程と、前記第3ウエハーの前記溝が開口している側とは反対側の面に透光性を有する第4ウエハーを重ねて接着する第2工程と、を行う態様を採用することができる。
本発明において、前記第2ウエハー形成工程では、第3ウエハーに第1貫通穴、および第2貫通穴を形成する第1工程と、前記第3ウエハーと透光性を有する第4ウエハーとを重ねて接着する第2工程と、前記第3ウエハーの前記第4ウエハーに接着された面とは反対側の面に前記溝を形成する第3工程と、を行う態様を採用してもよい。
本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器に用いることができ、この場合、電子機器には、前記ミラーに光源光を照射する光源部が設けられる。また、電子機器として投射型表示装置を構成した場合、電子機器には、さらに、前記ミラーによって変調された光を投射する投射光学系が設けられる。
本発明を適用した電子機器としての投射型表示装置の光学系を示す模式図である。 本発明を適用した電気光学装置の基本構成を模式的に示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の要部におけるA− A′断面を模式的に示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の断面図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造に用いた第2ウエハー等の製造方法を示す工程図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造工程において基板および封止樹脂によって基板を封止する工程を示す工程断面図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造方法の変形例1、2を示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造方法の変形例3を示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造方法の変形例4を示す説明図である。 本発明の参考例に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、本発明を適用した電子機器として投射型表示装置を説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。図面に示しているミラー等の数は、図面上で認識可能な程度の大きさとなるように設定しているが、この図面に示した数よりも多くのミラー等を設けてもよい。
[電子機器としての投射型表示装置]
図1は、本発明を適用した電子機器としての投射型表示装置の光学系を示す模式図である。図1に示す投射型表示装置1000は、光源部1002と、光源部1002から出射された光を画像情報に応じて変調する電気光学装置100と、電気光学装置100で変調された光を投射画像としてスクリーン等の被投射物1100に投射する投射光学系1004とを有している。光源部1002は、光源1020と、カラーフィルター1030とを備えている。光源1020は白色光を出射し、カラーフィルター1030は、回転に伴って各色の光を出射し、電気光学装置100は、カラーフィルター1030の回転に同期したタイミングで、入射した光を変調する。なお、カラーフィルター1030に代えて、光源1020から出射された光を各色の光に変換する蛍光体基板を用いてもよい。また、各色の光毎に光源部1002および電気光学装置100を設けてもよい。
[電気光学装置100の基本構成]
図2は、本発明を適用した電気光学装置100の基本構成を模式的に示す説明図であり、図2(a)、(b)は各々、電気光学装置100の要部を示す説明図、および電気光学装置100の要部の分解斜視図である。図3は、本発明を適用した電気光学装置100の要部におけるA−A′断面を模式的に示す説明図であり、図3(a)、(b)は各々、ミラーが一方側に傾いた状態を模式的に示す説明図、およびミラーが他方側に傾いた状態を模式的に示す説明図である。
図2および図3に示すように、電気光学装置100は、素子基板1の一方面1s(第1面)側に複数のミラー50がマトリクス状に配置されており、ミラー50は素子基板1から離間している。素子基板1は、例えば、シリコン基板である。ミラー50は、例えば、1辺の長さが例えば10〜30μmの平面サイズを有するマイクロミラーである。ミラー50は、例えば、800×600から1028×1024の配列をもって配置されており、1つのミラー50が画像の1画素に対応する。
ミラー50の表面はアルミニウム等の反射金属膜からなる反射面になっている。電気光学装置100は、素子基板1の一方面1sに形成された基板側バイアス電極11および基板側アドレス電極12、13等を含む1階部分100aと、高架アドレス電極32、33およびヒンジ35を含む2階部分100bと、ミラー50を含む3階部分100cとを備えている。1階部分100aでは、素子基板1にアドレス指定回路14が形成されている。アドレス指定回路14は、各ミラー50の動作を選択的に制御するためのメモリセルや、ワード線、ビット線の配線15等を備えており、CMOS回路16を備えたRAM(Random Access Memory)に類似した回路構成を有している。
2階部分100bは、高架アドレス電極32、33、ヒンジ35、およびミラーポスト51を含んでいる。高架アドレス電極32、33は、電極ポスト321、331を介して基板側アドレス電極12、13に導通しているとともに、基板側アドレス電極12、13によって支持されている。ヒンジ35の両端からはヒンジアーム36、37が延在している。ヒンジアーム36、37は、アームポスト39を介して基板側バイアス電極11に導通しているとともに、基板側バイアス電極11によって支持されている。ミラー50は、ミラーポスト51を介してヒンジ35に導通しているとともに、ヒンジ35によって支持されている。従って、ミラー50は、ミラーポスト51、ヒンジ35、ヒンジアーム36、37、アームポスト39を介して基板側バイアス電極11に導通しており、基板側バイアス電極11からバイアス電圧が印加される。なお、ヒンジアーム36、37の先端には、ミラー50が傾いたときに当接して、ミラー50と高架アドレス電極32、33との接触を防止するストッパー361、362、371、372が形成されている。
高架アドレス電極32、33は、ミラー50との間に静電力を発生させてミラー50を傾くように駆動する駆動素子30を構成している。また、基板側アドレス電極12、13も、ミラー50との間に静電力を発生させてミラー50を傾くように駆動するように構成される場合があり、この場合、駆動素子30は、高架アドレス電極32、33、および基板側アドレス電極12、13によって構成されることになる。ヒンジ35は、高架アドレス電極32、33に駆動電圧が印加されて、図3に示すように、ミラー50が高架アドレス電極32あるいは高架アドレス電極33に引き寄せられるように傾いた際にねじれ、高架アドレス電極32、33に対する駆動電圧の印加が停止してミラー50に対する吸引力が消失した際、ミラー50が素子基板1に平行な姿勢に戻す力を発揮する。
電気光学装置100において、例えば、図3(a)に示すように、ミラー50が一方側の高架アドレス電極32の側に傾くと、光源部1002から出射された光がミラー50によって投射光学系1004に向けて反射するオン状態となる。これに対して、図3(b)に示すように、ミラー50が他方側の高架アドレス電極33の側に傾くと、光源部1002から出射された光がミラー50によって光吸収装置1005に向けて反射するオフ状態となり、かかるオフ状態では、投射光学系1004に向けて光が反射されない。かかる駆動は、複数のミラー50の各々で行われる結果、光源部1002から出射された光は、複数のミラー50で画像光に変調されて投射光学系1004から投射され、画像を表示する。
なお、基板側アドレス電極12、13と対向する平板状のヨークをヒンジ35と一体に設け、高架アドレス電極32、33とミラー50との間に発生する静電力に加えて、基板側アドレス電極12、13とヨークとの間に作用する静電力も利用してミラー50を駆動することもある。
[電気光学装置100の封止構造]
図4は、本発明を適用した電気光学装置100の断面図である。図4に示すように、本形態の電気光学装置100において、図2および図3を参照して説明したミラー50が複数形成された素子基板1は、一方面1sが、枠状のスペーサー61および透光性を有する平板状の透光性カバー71とからなる封止部材75によって封止された後、基板90の基板実装部93に固定され、その後、封止樹脂98によって封止される。基板90において、基板実装部93は、側板部92に囲まれた有底の凹部になっており、素子基板1は、基板90の底板部91に接着剤97で固定されている。
ここで、スペーサー61の素子基板1側の端部61eは、素子基板1の一方面1sに接着されている。透光性カバー71は、スペーサー61の素子基板1と対向する端部とは反対側の端部である端部61fに接着され、端部61fに支持されている。この状態で、透光性カバー71は、ミラー50に対して所定の距離を隔てた位置でミラー50の表面と対向している。従って、光は、透光性カバー71を透過してミラー50に入射した後、ミラー50で反射した光は、透光性カバー71を透過して出射される。本形態において、透光性カバー71はガラス製である。スペーサー61は、ガラス製、シリコン製、金属製、樹脂製のいずれであってもよく、本形態では、スペーサー61として、ガラス基板やシリコン基板が用いられている。なお、封止部材75は、スペーサー61と透光性カバー71というように、別体(複数の部材)で形成される場合に限られず、スペーサー61と透光性カバー71が一体となるように形成されてもよい。
素子基板1の一方面1sにおいて、ミラー50と重ならない端部(スペーサー61より外側)には複数の端子17が形成されている。本形態において、端子17は、ミラー50を挟むように2列に配置されている。複数の端子17の一部は、図2および図3を参照して説明したアドレス指定回路14や基板側アドレス電極12、13を介して高架アドレス電極32、33(駆動素子30)に電気的に接続されている。複数の端子17の他の一部は、図2および図3を参照して説明したアドレス指定回路14、基板側バイアス電極11およびヒンジ35を介してミラー50に電気的に接続されている。複数の端子17のさらに他の一部は、図2および図3を参照して説明したアドレス指定回路14の前段に設けられた駆動回路等に電気的に接続されている。
ここで、端子17は、素子基板1とは反対側が開放状態にあるので、基板90の底板部91の素子基板1側の面91sに形成された内部端子94とワイヤーボンディング用のワイヤー99によって電気的に接続されている。基板90の底板部91は、多層配線基板になっており、内部端子94は、底板部91に形成されたスルーホールや配線からなる多層配線部95を介して、底板部91の素子基板1とは反対側の外面91tに形成された外部端子96と導通している。
かかる基板90の側板部92の内側(凹部)には封止樹脂98が設けられている。封止樹脂98は、ワイヤー99、ワイヤー99と端子17の接合部、ワイヤー99と内部端子94の接合部、素子基板1の周り、およびスペーサー61と素子基板1との接着部の周りを覆うとともに、透光性カバー71の側面を厚さ方向の途中まで覆っている。
[電気光学装置100の製造方法]
図5、図6および図7を参照して、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法を説明する。図5は、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法を示す工程断面図である。図6は、本発明を適用した電気光学装置100の製造に用いた第2ウエハー20等の製造方法を示す工程図であり、図6には、各工程におけるウエハーの平面図を示すとともに、平面図の下段には切断端面図を示してある。図7は、本発明を適用した電気光学装置100の製造工程において基板90および封止樹脂98によって素子基板1を封止する工程を示す工程断面図である。図6(b)ではミラーの図示を省略し、図5では、図4と比べてミラー50の数を減らして3つのミラー50が1枚の素子基板1に形成されるものとして示してある。
本形態では、ウエハーから複数の素子基板1等を多数取りする。このため、以下の説明では、多数取りされる複数の素子基板1のうち、1つの基板が得られる領域に形成されるミラー50および端子17を各々、第1ミラー50aおよび第1端子17aとして説明する等、各符号の後ろにaを付して説明する。また、複数の素子基板1のうち、第1ミラー50aおよび第1端子17aが形成された領域と隣り合う領域に形成されるミラー50および端子17を各々、第2ミラー50bおよび第2端子17bとして説明する等、各符号の後ろにbを付して説明する。但し、いずれの素子基板1かを特定する必要がない場合、上記のaやbを付さずに説明する。
本形態の電気光学装置100を製造するには、図5(a)および図6(a)、(b)に示すように、第1ウエハー準備工程において、素子基板1を多数取りできる大型の第1ウエハー10の一方面10s(第1面)に、素子基板1が分割される領域毎に、ミラー50を形成されるとともに、ミラー50と平面視(例えば、第1ウエハー10の一方面s側から見たときの平面視)で隣り合う位置にミラー50を駆動する駆動素子30(図2および図3を参照)に電気的に接続された端子17を形成された第1ウエハー10を用意する。
第1ウエハー10の一方面10sには、第1ミラー50aが形成されるとともに、第1ミラー50aと平面視で隣り合う位置に、第1ミラー50aを駆動する第1駆動素子30a(図2および図3を参照)に電気的に接続された第1端子17aが形成されている。また、第1ウエハー10の一方面10sには、第1端子17aに対して第1ミラー50aと反対側に第2ミラー50bが形成されるとともに、第1端子17aと第2ミラー50bの間には、第2ミラー50bを駆動する第2駆動素子30b(図2および図3を参照)に電気的に接続された第2端子17bが形成されている。例えば、図5(a)および図6(a)、(b)に示すように、素子基板1を多数取りできる大型の第1ウエハー10の一方面10sに、素子基板1が分割される領域毎に、ミラー50を形成するとともに、ミラー50と平面視で隣り合う位置にミラー50を駆動する駆動素子30(図2および図3を参照)に電気的に接続された端子17を形成することで、第1ウエハー10を用意してもよい。
また、図5(a)にように、第2ウエハー形成工程においては、スペーサー61および透光性カバー71を多数取りできる大型の第2ウエハー20を準備する。第2ウエハー20の一方面からなる第2面20sでは、スペーサー61および透光性カバー71が分割される領域毎に、底部が透光性の凹部21が形成されているとともに、互いに直角に交差する2方向に延在して複数の凹部21の各々を囲む有底の溝22が形成されている。複数の凹部21のうちの1つが第1凹部21aであり、第1凹部21aと隣り合う凹部21が第2凹部21bである。従って、第2ウエハー20の第2面20sには、底部が透光性の第1凹部21a、底部が透光性の第2凹部21b、および第1凹部21aと第2凹部21bとの間に沿って延在する有底の溝22が形成される。
かかる第2ウエハー20を形成するにあたって、第2ウエハー形成工程では、例えば、図6(c)〜(f)に示す工程を行う。まず、図6(c)に示すように、透光性カバー71を多数取りできる透光性ウエハー70(第4ウエハー)を準備する。また、図6(d)に示すように、スペーサー61を多数取りできるスペーサー用ウエハー60(第3ウエハー)を準備した後、第1工程において、エッチング等の処理によって、凹部21を構成するための貫通穴66をスペーサー用ウエハー60に形成する。複数の貫通穴66の1つが第1凹部21aを構成するための第1貫通穴66aであり、第1貫通穴66aと隣り合う貫通穴66が、第2凹部21bを構成するための第2貫通穴66bである。次に、図6(e)に示すように、ハーフエッチング等の処理によって、互いに直角に交差する2方向に延在して複数の凹部21の各々を囲む有底の溝22を形成する。なお、第1工程では、貫通穴66を形成した後、溝22を形成したが、溝22を形成した後、貫通穴66を形成してもよい。本形態において、透光性カバー71はガラス製である。スペーサー用ウエハー60は、ガラス製、シリコン製、金属製、樹脂製のいずれであってもよい。
次に、第2工程では、図6(f)に示すように、スペーサー用ウエハー60の溝22が開口している面60sとは反対側の面60tに透光性ウエハー70を重ねて接着する。その結果、スペーサー用ウエハー60と透光性ウエハー70とが積層された第2ウエハー20が形成され、かかる第2ウエハー20では、スペーサー用ウエハー60の面60sによって、第2ウエハー20の第2面20sが構成され、透光性ウエハー70のスペーサー用ウエハー60とは反対側の面によって、第2ウエハー20の第3面20tが構成される。また、貫通穴66(第1貫通穴66aおよび第2貫通穴66b)の一方の開口端は、透光性ウエハー70によって塞がれ、底部が透光性の凹部21(第1凹部21aおよび第2凹部21b)となる。
次に、接着工程では、図5(b)に示すように、ミラー50に凹部21が平面視(例えば、第1ウエハー10を一方面10s側から見たときの平面視)で重なり、端子17に溝22が重なるように第1ウエハー10の一方面10sと第2ウエハー20の第2面20sとを接着する。その結果、第1ミラー50aに第1凹部21aが平面視で重なり、第2ミラー50bに第2凹部21bが平面視で重なり、第1端子17a、第2端子17b、および第1端子17aと第2端子17bとに挟まれた領域に共通の溝22が平面視で重なる。この状態で、第2ウエハー20において第1凹部21aと溝22とに挟まれた部分は、第1ミラー50aと第1端子17aとの間に接着され、第2ウエハー20において第2凹部21bと溝22とに挟まれた部分は、第2ミラー50bと第2端子17bとの間に接着される。従って、第1端子17aおよび第2端子17bは、第2ウエハー20とは接着されない。
次に、第2ウエハーダイシング工程では、図5(c)に示すように、第2ウエハー用ダイシングブレード82(第1ダイシングブレード)を第2ウエハー20の第2面20sとは反対側の面からなる第3面20tから進入させて溝22に沿って第2ウエハー20をダイシングする。その結果、第2ウエハー20が分割され、第2ウエハー20のうち、透光性ウエハー70から分割された平板部分によって透光性カバー71が構成され、スペーサー用ウエハー60から分割された枠部分によってスペーサー61が構成される。本形態において、第2ウエハー用ダイシングブレード82の厚さW2は、溝22の幅W0と同等である。
次に、第1ウエハーダイシング工程では、図5(d)に示すように、第1ウエハー用ダイシングブレード81(第2ダイシングブレード)によって、第1ウエハー10において素子基板1が分割される領域(第1端子17aと第2端子17bとに挟まれた領域)に沿って第1ウエハー10をダイシングする。その結果、第1ウエハー10は、第1端子17aと第2端子17bとの間でダイシングされる。本形態において、第1ウエハー用ダイシングブレード81の厚さW1は、第2ウエハー用ダイシングブレード82の厚さW2より薄い。従って、第1ウエハーダイシング工程では、第1ウエハー用ダイシングブレード81を第1ウエハー10に対して第2ウエハー20の側から、第2ウエハー20の切断個所(隣り合う透光性カバー71の間、および隣り合うスペーサー61の間)に進入させて第1ウエハー10をダイシングする。
その結果、ミラー50が複数形成された素子基板1の一方面1sがスペーサー61および透光性カバー71によって封止された電気光学装置100が複数製造される。かかる電気光学装置100を、さらに図4に示すように、基板90および封止樹脂98によって封止する場合には、図7に示す工程を行う。
まず、図7(a)に示すように、基板実装部93が側板部92に囲まれた凹部になった基板90を準備した後、図7(b)に示すように、基板実装部93の底部に素子基板1を接着剤97によって固定する。次に、図7(c)に示すように、素子基板1の端子17と基板90の内部端子94とをワイヤーボンディング用のワイヤー99によって電気的に接続する。次に、図4に示すように、基板90の側板部92の内側に封止樹脂98を注入した後、封止樹脂98を硬化させ、封止樹脂98によって素子基板1を封止する。その結果、素子基板1がスペーサー61、透光性カバー71、基板90および封止樹脂98によって封止された電気光学装置100を得ることができる。
(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態では、第1ウエハー10と封止用の第2ウエハー20とを接着した後、第1ウエハー10および第2ウエハー20をダイシングして、複数の電気光学装置100を製造する。その際、第2ウエハー20には、第1端子17a、第2端子17b、および第1端子17aと第2端子17bとに挟まれた領域に平面視で重なる溝22を形成しておく。従って、本形態では、第1ウエハー10と第2ウエハー20とを接着した状態で、第2ウエハー20は、第1端子17aおよび第2端子17bから離間している。このため、第1端子17aおよび第2端子17bが第2ウエハー20と接着されることがない。また、第2ウエハーダイシング工程においては、第2ウエハー用ダイシングブレード82が第1端子17aおよび第2端子17bに接近する前に第2ウエハー20がダイシングされる。従って、第2ウエハー用ダイシングブレード82が第1端子17aおよび第2端子17bに接触して第1端子17aおよび第2端子17bを損傷させにくい。それ故、電気光学装置100の歩留まりを向上することができる。
また、本形態では、第1ウエハーダイシング工程と第2ウエハーダイシング工程とを別工程で行うため、第1ウエハー10に欠けやひび等のチッピングが発生しにくい。
[本発明の変形例1、2]
図8は、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法の変形例1、2を示す説明図であり、図8(a)、(b)は、変形例1に係る電気光学装置100の断面図、および変形例2に係る電気光学装置100の断面図である。上記実施の形態では、図5に示す第2ウエハー用ダイシングブレード82の厚さW2は、溝22の幅W0と同等であったため、図4に示すように、透光性カバー71の側面71wおよびスペーサー61のミラー50と反対側の外側面61wが全体にわたって連続した平面になっていた。
これに対して、変形例1では、図5に示す第2ウエハー用ダイシングブレード82の厚さW2は、溝22の幅W0より厚い。このため、図8(a)に示すように、透光性カバー71の側面71wおよびスペーサー61のミラー50と対向する面とは反対側の面である外側面61wでは、スペーサー61の素子基板1側の端部61eが、素子基板1とは反対側に位置する部分よりミラー50とは反対側に突出した凸部61gになっている。言い換えると、スペーサー61および透光性カバー71とからなる封止部材75の側面(透光性カバー71の側面71およびスペーサー61の外側面61w)には、第1部分より素子基板1に近い第2部分が、第1部分よりもミラー50とは反対側に突出する凸部61gが形成されている。このため、端子17の素子基板1とは反対側が大きく開放されているので、ワイヤーボンディングを行いやすい。この場合でも、スペーサー61と素子基板1との接着面積(接着幅)が狭くならないので、スペーサー61と素子基板1との間の封止性能が低下することがない。
一方、変形例2では、図5に示す第2ウエハー用ダイシングブレード82の厚さW2は、溝22の幅W0より薄い。このため、図8(b)に示すように、透光性カバー71の側面71wおよびスペーサー61のミラー50と反対側の外側面61wでは、スペーサー61の素子基板1側の端部61eが、素子基板1とは反対側に位置する部分よりミラー50側に凹んだ凹部61hになっている。言い換えると、スペーサー61および透光性カバー71とからなる封止部材75の側面(透光性カバー71の側面71およびスペーサー61の外側面61w)には、第1部分より素子基板1に近い第2部分が、第1部分よりもミラー50側に凹んだ凹部61hが形成されている。この場合でも、スペーサー61と透光性カバー71との接着面積(接着幅)が狭くならないので、スペーサー61と透光性カバー71との間の封止性能が低下することがない。
[本発明の変形例3]
図9は、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法の変形例3を示す説明図であり、図9(a)、(b)は、変形例3に用いたダイシングブレードの説明図、および変形例3にダイシングブレードによって第1ウエハー10および第2ウエハー20をダイシングする様子を示す説明図である。
本形態では、図9に示すように、図5に示す第2ウエハーダイシング工程および第1ウエハーダイシング工程において、第1ウエハー用ダイシングブレード81と第2ウエハー用ダイシングブレード82とが厚さ方向で同心状に積層された多段ブレード85を用いる。多段ブレード85では、第1ウエハー用ダイシングブレード81は、第2ウエハー用ダイシングブレード82より大径であり、第2ウエハー用ダイシングブレード82は、第1ウエハー用ダイシングブレード81の両面から張り出している。従って、第2ウエハー用ダイシングブレード82の厚さW2は、第1ウエハー用ダイシングブレード81の厚さW1より厚い。かかる多段ブレード85によれば、第1ウエハー10に対して第2ウエハー20の側から多段ブレード85を進入させて第2ウエハーダイシング工程と第1ウエハーダイシング工程とを同一の工程において連続して行うことができる。
なお、図9(b)に示す工程では、第2ウエハー用ダイシングブレード82の厚さW2が溝22の幅W0より厚いが、第2ウエハー用ダイシングブレード82の厚さW2が溝22の幅W0より薄くてもよい。
[本発明の変形例4]
図10は、本発明を適用した電気光学装置100の製造方法の変形例4を示す説明図であり、図10は、電気光学装置100の製造に用いた第2ウエハー20等の製造方法を示す工程図である。なお、図10には、各工程におけるウエハーの平面図を示すとともに、平面図の下段には切断端面図を示してある。
本形態では、図5(a)に示す第2ウエハー20を形成する第2ウエハー形成工程では、まず、図10(a)に示すように、透光性カバー71を多数取りできる透光性ウエハー70を準備する。また、図10(b)に示すように、スペーサー61を多数取りできるスペーサー用ウエハー60を準備した後、第1工程において、エッチング等の処理によって、凹部21を構成するための貫通穴66をスペーサー用ウエハー60に形成する。複数の貫通穴66の1つが第1凹部21aを構成するための第1貫通穴66aであり、第1貫通穴66aと隣り合う貫通穴66が、第2凹部21bを構成するための第2貫通穴66bである。
第2工程では、スペーサー用ウエハー60と透光性ウエハー70とを重ねて接着する。その結果、貫通穴66(第1貫通穴66aおよび第2貫通穴66b)の一方の開口端は、透光性ウエハー70によって塞がれ、底部が透光性の凹部21(第1凹部21aおよび第2凹部21b)となる。
次に、第3工程では、スペーサー用ウエハー60の透光性ウエハー70と接着された面とは反対側の面60sに、ハーフエッチング等の処理によって互いに直角に交差する2方向に延在して複数の凹部21の各々を囲む有底の溝22を形成する。その結果、スペーサー用ウエハー60と透光性ウエハー70とが積層された第2ウエハー20が形成され、かかる第2ウエハー20では、スペーサー用ウエハー60の面60sによって、第2ウエハー20の第2面20sが構成され、透光性ウエハー70のスペーサー用ウエハー60とは反対側の面によって、第2ウエハー20の第3面20tが構成される。
[本発明の変形例5]
上記実施の形態では、エッチング等の処理によって凹部21(貫通穴66)および溝22を形成したが、成形等によって、凹部21および溝22が形成された第2ウエハー20を形成してもよい。また、成形等によって、貫通穴66および溝22が形成されたスペーサー用ウエハー60を用いて第2ウエハー20を形成してもよい。
[他の実施の形態]
上記実施の形態では、円形形状のウエハーを用いたが、その平面形状については、矩形等であってもよい。
1・・素子基板、1s・・素子基板の一方面(第1面)、10・・第1ウエハー、10s・・第1ウエハーの一方面(第1面)、17・・端子、17a・・第1端子、17b・・第2端子、1s・・基板の一方面、20・・第2ウエハー、20s・・第2面、20t・・第3面、21・・凹部、21a・・第1凹部、21b・・第2凹部、22・・溝、30・・駆動素子、32、33・・高架アドレス電極、35・・ヒンジ、50・・ミラー、50a・・第1ミラー、50b・・第2ミラー、51・・ミラーポスト、60・・スペーサー用ウエハー(第3ウエハー)、61・・スペーサー、61e・・基板側の端部、61f・・基板と反対側の端部、61g・・凸部、61h・・凹部、61w・・スペーサーの外側面、66・・貫通穴、66a・・第1貫通穴、66b・・第2貫通穴、70・・透光性ウエハー(第4ウエハー)、71・・透光性カバー、71w・・透光性カバーの側面、75・・封止部材、81・・第1ウエハー用ダイシングブレード(第2ダイシングブレード)、82・・第2ウエハー用ダイシングブレード(第1ダイシングブレード)、85・・多段ブレード、90・・基板、91・・底板部、92・・側板部、93・・基板実装部、94・・内部端子、96・・外部端子、98・・封止樹脂、100・・電気光学装置、1000・・投射型表示装置(電子機器)、1002・・光源部、1004・・投射光学系、1030・・カラーフィルター、W0・・溝の幅、W1・・第1ウエハー用ダイシングブレードの厚さ、W2・・第2ウエハー用ダイシングブレードの厚さ

Claims (10)

  1. 第1ミラー、前記第1ミラーと平面視で隣り合う位置に設けられ、前記第1ミラーを駆動する第1駆動素子に電気的に接続された第1端子、前記第1端子に対して前記第1ミラーと反対側に位置する第2ミラー、および前記第1端子と前記第2ミラーとの間に設けられ、前記第2ミラーを駆動する第2駆動素子に電気的に接続された第2端子を第1面側に備えた第1ウエハーを用意する第1ウエハー準備工程と、
    底部が透光性の第1凹部、底部が透光性の第2凹部、および前記第1凹部と前記第2凹部との間の溝が第2面に設けられた第2ウエハーを形成する第2ウエハー形成工程と、
    前記第1ミラーに前記第1凹部が平面視で重なり、前記第2ミラーに前記第2凹部が平面視で重なり、前記第1端子、前記第2端子、および前記第1端子と前記第2端子とに挟まれた領域に前記溝が平面視で重なるように前記第1ウエハーの前記第1面と前記第2ウエハーの前記第2面とを接着する接着工程と、
    第1ダイシングブレードを前記第2ウエハーの前記第2面とは反対側の第3面から進入させて前記溝に沿って前記第2ウエハーをダイシングする第2ウエハーダイシング工程と、
    第2ダイシングブレードによって前記第1端子と前記第2端子との間で前記第1ウエハーをダイシングする第1ウエハーダイシング工程と、
    を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  2. 請求項1に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第2ダイシングブレードの厚さは、前記第1ダイシングブレードの厚さより薄く、
    前記第1ウエハーダイシング工程では、前記第2ダイシングブレードを前記第1ウエハーに対して前記第2面側から進入させて前記第1ウエハーをダイシングすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  3. 請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第1ダイシングブレードの厚さは、前記溝の幅より厚いことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  4. 請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第1ダイシングブレードの厚さは、前記溝の幅より薄いことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  5. 請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第2ダイシングブレードと前記第1ダイシングブレードとが厚さ方向で積層された多段ブレードを用い、
    前記多段ブレードを前記第1ウエハーに対して前記第2ウエハーの側から進入させて前記第2ウエハーダイシング工程と前記第1ウエハーダイシング工程とを連続して行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  6. 請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第2ウエハー形成工程では、
    第3ウエハーに第1貫通穴、第2貫通穴、および前記溝を形成する第1工程と、
    前記第3ウエハーの前記溝が開口している側とは反対側の面に透光性を有する第4ウエハーを重ねて接着する第2工程と、
    を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  7. 請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第2ウエハー形成工程では、
    第3ウエハーに第1貫通穴、および第2貫通穴を形成する第1工程と、
    前記第3ウエハーと透光性を有する第4ウエハーとを重ねて接着する第2工程と、
    前記第3ウエハーの前記第4ウエハーに接着された面とは反対側の面に前記溝を形成する第3工程と、
    を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  8. ミラー、および前記ミラーと平面視で隣り合う位置に設けられ、前記ミラーを駆動する駆動素子に電気的に接続された端子を第1面側に備えた素子基板と、
    前記素子基板の前記第1面側に接着され、平面視で前記ミラーを囲むスペーサー、および前記スペーサーの前記素子基板と対向する端部とは反対側の端部に支持され、前記ミラーと平面視で重なる板状の透光性カバーを有する封止部材と、
    を有し、
    前記封止部材の側面では、第1部分より前記素子基板に近い第2部分が、前記第1部分よりも前記ミラーとは反対側に突出していることを特徴とする電気光学装置。
  9. ミラー、および前記ミラーと平面視で隣り合う位置に設けられ、前記ミラーを駆動する駆動素子に電気的に接続された端子を第1面側に備えた素子基板と、
    前記素子基板の前記第1面側に接着され、平面視で前記ミラーを囲むスペーサー、および前記スペーサーの前記素子基板と対向する端部とは反対側の端部に支持され、前記ミラーと平面視で重なる板状の透光性カバーを有する封止部材と、
    を有し、
    前記封止部材の側面では、第1部分より前記素子基板に近い第2部分が、前記第1部分よりも前記ミラー側に凹んでいることを特徴とする電気光学装置。
  10. 請求項8または9に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
    前記ミラーに光源光を照射する光源部を有することを特徴とする電子機器。
JP2015065932A 2015-03-27 2015-03-27 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 Withdrawn JP2016186526A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015065932A JP2016186526A (ja) 2015-03-27 2015-03-27 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
US15/018,086 US9557561B2 (en) 2015-03-27 2016-02-08 Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
CN201610159373.2A CN106019575B (zh) 2015-03-27 2016-03-21 电光装置的制造方法、电光装置以及电子设备
US15/381,282 US20170146794A1 (en) 2015-03-27 2016-12-16 Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015065932A JP2016186526A (ja) 2015-03-27 2015-03-27 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016186526A true JP2016186526A (ja) 2016-10-27
JP2016186526A5 JP2016186526A5 (ja) 2018-04-12

Family

ID=56975279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015065932A Withdrawn JP2016186526A (ja) 2015-03-27 2015-03-27 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9557561B2 (ja)
JP (1) JP2016186526A (ja)
CN (1) CN106019575B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016184068A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
EP4237895A1 (en) * 2020-11-12 2023-09-06 Huawei Technologies Co., Ltd. Micromechanical resonator wafer assembly and method of fabrication thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004193599A (ja) * 2002-11-27 2004-07-08 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
US6856014B1 (en) * 2003-12-29 2005-02-15 Texas Instruments Incorporated Method for fabricating a lid for a wafer level packaged optical MEMS device
JP2005055670A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Seiko Epson Corp Memsデバイス及びその製造方法並びにmemsモジュール
US20070166883A1 (en) * 2006-01-18 2007-07-19 Shun-Ta Wang Method of wafer level packaging and cutting

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6262513B1 (en) * 1995-06-30 2001-07-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component and method of production thereof
JP4146178B2 (ja) * 2001-07-24 2008-09-03 三菱重工業株式会社 Ni基焼結合金
JP3881888B2 (ja) * 2001-12-27 2007-02-14 セイコーエプソン株式会社 光デバイスの製造方法
JP4285551B2 (ja) * 2007-02-19 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2009048009A (ja) 2007-08-21 2009-03-05 Hitachi Metals Ltd ミラーデバイス
US7898724B2 (en) * 2008-11-05 2011-03-01 Texas Instruments Incorporated Thermal conduction by encapsulation
JP5966405B2 (ja) * 2012-02-14 2016-08-10 セイコーエプソン株式会社 光学フィルターデバイス、及び光学フィルターデバイスの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004193599A (ja) * 2002-11-27 2004-07-08 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2005055670A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Seiko Epson Corp Memsデバイス及びその製造方法並びにmemsモジュール
US6856014B1 (en) * 2003-12-29 2005-02-15 Texas Instruments Incorporated Method for fabricating a lid for a wafer level packaged optical MEMS device
US20070166883A1 (en) * 2006-01-18 2007-07-19 Shun-Ta Wang Method of wafer level packaging and cutting

Also Published As

Publication number Publication date
CN106019575A (zh) 2016-10-12
US20160282608A1 (en) 2016-09-29
US20170146794A1 (en) 2017-05-25
US9557561B2 (en) 2017-01-31
CN106019575B (zh) 2020-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10859814B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US10739554B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method of electro-optical device, and electronic apparatus
US10054787B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US10527841B2 (en) Electro-optic device, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optic device
JP2016186526A (ja) 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
US10156779B2 (en) Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
CN107238925B (zh) 电光装置、电光单元及电子设备
CN106019577B (zh) 电光装置、电光装置的制造方法、电光单元及电子设备
US10261311B2 (en) Electro-optic device, electro-optic unit, and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180301

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180301

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20180906

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20181116

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190205

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20190408