JP2016185083A - 籾処理方法及び籾処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】水酸基ラジカルを効率的に種籾に噴射することにより、特に馬鹿苗病などのイネの病気の発生を効果的に抑制する。【解決手段】播種前の種籾を消毒する籾処理方法であって、水酸基ラジカルを含有する雰囲気を生成するステップと、前記種籾に水分を含ませるステップと、前記種籾に、前記水酸基ラジカルを所定時間照射するステップと、を備える。この水酸基ラジカルの照射量が、６μｇ／Ｌ／分〜２００μｇ／Ｌ／分であり、前記所定時間が、３分〜３０分であることが好ましい。【選択図】図１

Description

本発明は、籾処理方法及び籾処理装置に関し、特にイネの菌類による感染症である馬鹿苗病の発生を抑制することのできる籾処理方法及び籾処理装置に関する。

イネの種籾は、病気の原因となるカビや細菌に汚染されていることがある。例えば、種籾が細菌に感染する病気として代表的なものに馬鹿苗病がある。
馬鹿苗病は、イネ馬鹿苗菌の感染により発症するものである。イネ馬鹿苗菌に感染した苗は著しく徒長し、正常な苗のほぼ２倍に達し、葉色は薄く、節間は長く倒れやすくなる。また、分蘖も僅かになり、収穫に悪影響を及ぼす。

従来、このようなイネの病気を防止するために、種まき前に種籾を消毒することが行われている。一般には、農薬を使って消毒が行われるが、農薬を使わずに消毒する方法として、種籾をお湯（例えば６０℃、１０分）に浸漬する温湯種子消毒が知られている（特許文献１参照）。この温湯種子消毒を施すことにより、農薬を用いた場合と同様に消毒することができると言われている。

しかしながら、多量の種籾を処理する上で、前記温湯種子消毒による方法だけでは、すべての種籾に対する除菌が不十分であった。そのため、前記したような馬鹿苗病となったイネが育つことがあるという課題があった。

前記課題を解決するため、本出願人は、従来の温湯種子消毒以外に、無農薬で種籾を消毒する方法について鋭意研究し、殺菌に最も効果の高いといわれる水酸基ラジカル（ＯＨラジカル）を種籾に噴射する方法に着目した。
農業分野において、前記ＯＨラジカルを用いて病原菌および害虫の駆除を行う駆除方法が特許文献２に開示されている。特許文献２においては、水ミスト等の水を反応容器に導入し、プラズマとなるガスを反応容器に供給し、反応用器内の一対の電極（電極、アース極）に電圧を印加してガスを放電することにより、ＯＨラジカルを効率よく生成できることが開示されている。

特開２０００−３１６３２１号公報 ＷＯ２０１４／１０４３５０公報 特開２０１２−９８１１４号公報

しかしながら、特許文献２に開示された駆除方法にあっては、多量の種籾に対し効率的にＯＨラジカルを噴射するための具体的な方法や装置については開示されていない。
本発明は、前記した点に着目してなされたものであり、多量の種籾に対し水酸基ラジカルを効率的に噴射することができ、特に馬鹿苗病などのイネの病気の発生を効果的に抑制することのできる籾処理方法及び籾処理装置を提供することを目的とする。

前記した課題を解決するために、本発明に係る籾処理方法は、播種前の種籾を消毒する籾処理方法であって、水酸基ラジカルを含有する雰囲気を生成するステップと、前記種籾に水分を含ませるステップと、前記種籾に、前記水酸基ラジカルを所定時間照射するステップと、を備えることに特徴を有する。

ここで、前記雰囲気の水酸基ラジカルの照射量が、６μｇ／Ｌ／分〜２００μｇ／Ｌ／分であり、前記所定時間が、３分〜３０分であることが望ましい。
尚、ＯＨラジカルの照射量６μｇ／Ｌ／分未満の場合には、消毒できない、あるいは消毒に時間がかかり好ましくない。一方、ＯＨラジカルの照射量が２００μｇ／Ｌ／分を超える場合には、発芽不良の不都合が生じるため好ましくない。しかも、ＯＨラジカルの照射量が６μｇ／Ｌ／分〜２００μｇ／Ｌ／分の場合には、消毒時間を３分〜３０分になすことができ、処理時間としても好適である。

ここで、水酸基ラジカルの照射量について説明する。空間の水酸基ラジカルの濃度の定量は既知濃度の標準試料の作製ができないこと、また、そのような試料の作製が可能となったとしても測定装置は極めて高価となることが予想されることにより現在は不可能である。
そのため、本発明では、化学プローブ法という名称で既知の方法（（特許文献３）参照）を利用する。すなわち、本発明では、テレフタル酸のアルカリ性水溶液に水酸基ラジカルが照射された時に生じるヒドロキシテレフタル酸の濃度（μｇ／Ｌ）を水酸基ラジカルの照射量として定義している。そして、水酸基ラジカルの照射量を測定する時の照射時間は、約１５分間とし、生成されたヒドロキシテレフタル酸の濃度（μｇ／Ｌ）を１分当たりに換算（規格化）して数値化（μｇ／Ｌ／分）する。
なお、ヒドロキシテレフタル酸の濃度（μｇ／Ｌ）は蛍光法で測定できる。すなわち、３１０ｎｍの紫外光を照射すると４２５ｎｍの蛍光がヒドロキシテレフタル酸から発せられ、その蛍光強度を、ヒドロキシテレフタル酸の既知濃度の標準試料と比較することで、試料のヒドロキシテレフタル酸の濃度（μｇ／Ｌ）を知ることができる。

本発明では、具体的には、以下の測定手段とした。直径（内径）４０ｍｍ、深さ１７ｍｍのシャーレに２ｍＭ（ミリモラー）濃度のテレフタル酸水溶液を５ｍＬ入れて、プラズマ供給ユニットの下方、種籾が置かれる距離（位置）に配置し、水酸基ラジカルを含むプラズマを約１５分間照射する。
その後、溶液を測定セル（キュベット）に移し、蛍光測定装置を用いてヒドロキシテレフタル酸から発せられる蛍光強度を測定し、標準試料の蛍光強度と比較することでヒドロキシテレフタル酸の濃度（μｇ／Ｌ）を求める。もし、水酸基ラジカルの照射量が大きく、ヒドロキシテレフタル酸の濃度（μｇ／Ｌ）が濃すぎる時は、標準試料と比較できるまで、試料濃度を定量的に薄めて測定することでヒドロキシテレフタル酸の濃度（μｇ／Ｌ）を求めることができる。

また、前記水酸基ラジカルを含有する雰囲気を生成するステップと、前記種籾に、前記水酸基ラジカルを所定時間照射するステップが、ガス搬送管に沿って複数のプラズマ供給ユニットを設け、各プラズマ供給ユニットから水酸基ラジカルを、前記種籾に対して噴射することによってなされるステップであって、前記各プラズマ供給ユニットにおいて、前記ガス搬送管から所定圧力のガスをプラズマ反応容器に導入するステップと、前記プラズマ反応容器内の一対の電極に電圧を印加し、前記ガスをプラズマ状態とするステップと、水ミスト供給部から前記プラズマ反応容器内に水ミストを供給するステップと、前記供給された水ミストにより水酸基ラジカルを生成するステップと、前記プラズマ反応容器の先端側から前記水酸基ラジカルを種籾に所定時間照射するステップと、を備えることが望ましい。

このような方法によれば、多量の種籾に対し効率的に所定濃度の水酸基ラジカルを噴射することができ、イネ馬鹿苗菌などの駆除を効果的に行い、馬鹿苗病などのイネの病気の発生を抑制することができる。
また、コンベア装置などの搬送手段により、長い噴射領域に沿って複数の種籾収容容器を連続搬送した場合には、多量の種籾を短時間で消毒することができ、さらに効率的に菌の駆除処理を行うことができる。

また、前記した課題を解決するために、本発明に係る籾処理装置は、前記籾処理方法に用いられる籾処理装置であって、ガス供給部と、前記ガス供給部から所定圧力のガスが供給される少なくとも１本のガス搬送管と、前記ガス搬送管に沿って複数設けられ、水酸基ラジカルを噴射するプラズマ供給ユニットとを具備し、前記各プラズマ供給ユニットは、所定の電圧が印加される一対の電極を有するプラズマ反応容器と、前記ガス搬送管からガスを前記プラズマ反応容器に導入するガス導入管と、水ミストを生成し前記プラズマ反応容器に供給する水ミスト供給部とを備え、前記一対の電極間に電圧が印加されて導入されたガスがプラズマ状態とされ、前記水ミストが供給されることにより水酸基ラジカルが生成されて前記プラズマ反応容器から導出され、前記ガス搬送管に沿って水酸基ラジカルの噴射領域が形成されることに特徴を有する。
尚、前記プラズマ反応器内の一対の電極間への印加電圧５ｋＶ〜２０ｋＶ、電圧の周波数を４ｋＨｚ〜２５ｋＨｚ、水ミスト導入量を１ｍＬ／時間〜２０ｍＬ／時間に設定することが望ましい。

また、前記種籾を搬送可能な搬送手段を備え、前記搬送手段による種籾の搬送方向に沿って前記ガス搬送管が延設され、前記搬送手段により搬送される種籾に対し、前記ガス搬送管に沿って複数設けられたプラズマ供給ユニットから水酸基ラジカルが噴射されることが望ましい。

このような構成によれば、ガス搬送管に沿って、水酸基ラジカルの噴射領域が長く形成されるため、噴射領域に沿って種籾を配置することにより、多量の種籾に対し効率的に水酸基ラジカルを噴射することができ、イネ馬鹿苗菌などの駆除を効果的に行い、馬鹿苗病などのイネの病気の発生を抑制することができる。
また、コンベア装置などの搬送手段により、長い噴射領域に沿って複数の種籾収容容器を連続搬送した場合には、多量の種籾を短時間で消毒することができ、さらに効率的に菌の駆除処理を行うことができる。

本発明によれば、多量の種籾に対し水酸基ラジカルを効率的に噴射することができ、特に馬鹿苗病などのイネの病気の発生を効果的に抑制することのできる籾処理方法及び籾処理装置を得ることができる。

図１は、本発明に係る籾処理方法が実施される籾処理装置の正面図である。 図２は、図１の籾処理装置の平面図である。 図３は、図１の籾処理装置のＡ−Ａ矢視断面の平面図である。 図４は、図１の籾処理装置の側面図である。 図５は、図１の籾処理装置が備えるプラズマ供給ユニットの構成を模式的に示す正面図である。

以下、本発明に係る籾処理方法及び籾処理装置の実施の形態を図面に基づき説明する。尚、苗を育てる場合、籾を塩水選し、種籾を消毒し、種籾を数日間（５〜８日間）水につけ、種籾が膨らんで芽が出たら種の準備が完了する。その後、苗箱に肥料入りの土に種籾をまき、ビニールシートで覆って保温し発芽を待つこととなる。本発明に係る籾処理方法は、前記播種前の種籾の消毒を行うために実施されるものである。また、本発明による病気（菌）の消毒処理は、単独で行ってもよいが、従来の温湯種子消毒の前、或いは後に行うことで、より効果的に菌の駆除を行うことができる。

図１は本発明に係る籾処理方法が実施される籾処理装置の正面図、図２はその平面図、図３は図１のＡ−Ａ矢視断面の平面図、図４は側面図である。
図１に示すように籾処理装置１は、装置の外枠を構成する箱状のフレーム体２を備え、このフレーム体２に囲われた空間に、ポンプ（図示せず）とともにガス（本実施形態では空気）の供給源となるレギュレータユニット３（ガス供給部）と、装置長手方向に沿って左右両側に敷設され、平行に延びる一対の直管パイプ状のガス搬送管４、５とを備える。ガス搬送管４，５は、樹脂又はガラス材料などにより形成してよい。
さらに、このガス搬送管４、５に沿って所定間隔を空けて設けられた複数（図３に示すように本実施形態では１０個）のプラズマ供給ユニット１０を備えている。各プラズマ供給ユニット１０からは下方に向けて水酸基ラジカル（以下、ＯＨラジカルと呼ぶ）が噴射されるようになっている。

また、図示しないが、プラズマの発生に伴いガスとして用いる空気からオゾンが発生するため、これを覆い囲うための壁がフレーム体２の枠（側面及び天井面）に取り付けられる。また、前記フレーム体２は、下面側に複数のキャスター（コロ）２４を有し、装置全体を容易に移動できるようになっている。

また、図４に示すように前記複数のプラズマ供給ユニット１０の下方には、フレーム体２の脚部によって底上げされることにより、少なくとも種籾を収容した収容容器４０よりも高い高さの空間Ｓが確保されている。収容容器４０は平面視においてフレーム体２の長手方向（ガス搬送管４，５が延びる方向）に沿った長尺とされ、上面側が解放された箱体に形成されている（収容する種籾は空気に曝されている）。この収容容器４０が前記空間Ｓに置かれ、前記プラズマ供給ユニット１０にて生成したＯＨラジカルが種籾に吹き付けられる（種籾を、所定時間ＯＨラジカル雰囲気におく）ことで種籾の消毒がなされる。
尚、図４に示すように空間Ｓの床部に、フレーム体２の長手方向に沿って、収容容器４０を搬送するためのコンベア装置４３（搬送手段）を設けてもよく、その場合には連続的に複数の収容容器４０をコンベア搬送しながら、種籾にＯＨラジカルを噴射する構成とすることができ、多量の種籾を効率的に消毒することができる。

また、前記レギュレータユニット３は、ポンプ（図示せず）より供給されたガスである空気の圧力を調整して出力するものである。出力された空気は２本のガス搬送管４，５に対しその一端４ａ，５ａ側からそれぞれ供給される。また、図３に示すように２本のガス搬送管４，５の他端４ｂ、５ｂ側は互いに連通しており、レギュレータユニット３から供給される空気が充填されることにより管内の圧が上昇する構成となっている。

図５は、プラズマ供給ユニット１０の構成を模式的に示す正面図である。図示するようにプラズマ供給ユニット１０は、ガス搬送管４（５）の側面部に設けられた導出孔４ｃ（５ｃ）から空気を導入する（コの字型の）ガス導入管１１と、ガス導入管１１の先端側が連結されたプラズマ反応容器１３と、前記プラズマ反応容器１３に水ミストを供給する水ミスト供給部２５とを有する。

前記プラズマ反応容器１３は、例えば石英ガラスなどの絶縁物からなり、垂直に配置されている。このプラズマ反応容器１３内には電極となる金属素材により形成された水ミスト供給管８が配置されている。水ミスト供給部２５からもたらされる水ミストは、前記供給管８を介して、プラズマ反応容器１３内に送り出されるように構成されている。
尚、前記水ミストを供給する水ミスト供給部２５は、図４に示すようにフレーム体２内に配置され、内蔵するポンプ（図示せず）により外部から水供給管１５を介して水が供給される。水ミスト供給部２５は、供給された水の流量を制御しながら、複数のプラズマ供給ユニット１０内の水ミスト供給管８に所定の圧力と流量で供給する。そして、水ミスト供給管８からプラズマ反応容器１３内に噴射された水は瞬時に水ミスト化され、プラズマ中へ供給されるようになっている（水ミスト化されない水の状態で供給されてもよい）。

また、図５に示すようにプラズマ反応容器１３内には、ガス（この例においては空気）がガス導入管１１から供給される。
前記プラズマ反応容器１３の外側にはコイル状のアース電極９が巻回されて配置されており、このアース電極９と、前記した電極となる水ミスト供給管８との間には、高周波高圧電源２０が接続される。尚、前記高周波電源２０とその変圧器２１、及び高周波電源２０用の複数の冷却ファン２２はフレーム体２上部に配設されている。

この構成により、電極となる水ミスト供給管８の先端部とアース電極９との間で放電が生じ、反応容器１３内に送り込まれたガス（空気）はプラズマ状態となる。そして、水ミスト供給管８により供給される水ミストが、空気プラズマ中に導入されることで、反応容器１３内でＯＨラジカルが生成され、このＯＨラジカルは反応容器１３の下端部１４から導出される。

また、前記したようにプラズマ反応容器１３の下端部１４は開口するとともに、図１、図５に示すように下方に向けられており、発生したＯＨラジカルを前記下端部１４から下方に位置する種籾に噴射（照射）するようになっている。
ここで、ガス搬送管４，５に沿って複数のプラズマ供給ユニット１０が設けられるため、ガス搬送管４，５に沿って、その下方に長くＯＨラジカルの噴射領域（ＯＨラジカル雰囲気）が形成される。したがって、ガス搬送管４、５の下方の空間Ｓにおいて、前記噴射領域に沿って、種籾を収容した複数の収容容器４０を並べて配置することにより一度に多量の種籾の消毒処理を行うことができる。或いは、前記したようにガス搬送管４，５の下方の空間Ｓにおいてコンベア装置によって収容容器４０を連続的に搬送してもよい。
また、前記したように収容容器４０は、フレーム体２の長手方向（ガス搬送管４，５が延びる方向）に沿った長尺とされるため、２本のガス搬送管４，５に千鳥配置された複数のプラズマ供給ユニット１０から噴射されるＯＨラジカルを収容容器４０内にほぼ均一に曝すことができる。
また、複数のプラズマ供給ユニット１０の配列方向に沿って長尺であるため、収容容器を搬送移動した際、種籾を長時間、ＯＨラジカルに曝すことが可能となる。

このように構成された籾処理装置１を用いて、例えば収容容器４０に収容された種籾に対し消毒処理を行う場合、先ずプラズマ供給ユニット１０におけるプラズマ反応器１３内の電極に印加される電圧の値や周波数、１時間あたりの水ミスト導入量等が設定される。
ここで、プラズマ供給ユニット１０にてＯＨラジカルを生成する際の好ましい諸条件としては、空気の流量５Ｌ／分〜２５Ｌ／分の場合、電極間への印加電圧が５ｋＶ〜２０ｋＶ、周波数が４ｋＨｚ〜２５ｋＨｚ、１時間当たりの水ミスト導入量が１ｍＬ／時間〜２０ｍＬ／時間である。このような条件設定によれば、ＯＨラジカルの照射量を６μｇ／Ｌ／分〜２００μｇ／Ｌ／分の好ましい範囲に生成することができる。

次に本発明に係る籾処理方法について説明する。
まず、ガス導入管１１から所定流量の空気がプラズマ反応容器１３に供給される。尚、ガス搬送管４，５にはレギュレータユニット３から所定流量（圧力）の空気が供給され、ガス搬送管４，５内は高圧となっているため、前記導出孔４ｃ（５ｃ）から空気がガス導入管１１側に圧出され、所定の流速で流れ込む。

プラズマ反応容器１３内においては、電極としての水ミスト供給管８とアース電極９との間には高周波電源２０により設定に基づいた電圧が印加される。プラズマ反応容器１３内に送り込まれたガス（空気）は、これによりプラズマ状態となる。
また、水ミスト供給部２５は、水ミスト供給管８を介して水ミストを反応容器１３内に供給する。そして、水ミストが空気プラズマ中に導入されることで、反応容器１３内でＯＨラジカル（照射量６μｇ／Ｌ／分〜２００μｇ／Ｌ／分）が生成され、このＯＨラジカルは反応容器１３の下端部１４から導出される。
尚、ガス搬送管４，５に沿って複数のプラズマ供給ユニット１０が設けられているため、ＯＨラジカルの噴射領域はガス搬送管４，５に沿ってその下方に長く形成される。

プラズマ供給ユニット１０の下方においては、例えばコンベア装置４３により、収容容器４０に収容された種籾が搬送可能に配置され、この種籾に対しＯＨラジカルが照射されて菌の駆除処理が実行される。
尚、種籾には、ＯＨラジカルが照射される前に水分を含ませる処理が行われる。種籾に水分を含ませる方法として、本発明の水酸基ラジカルを照射する籾処理装置に該種籾を投入する前に室温の水、又は、６０℃程度の湯に１０分間程度浸漬する方法を採用することができる。
又は、水ミストとともに水酸基ラジカルを種籾に照射してもよく、その場合は、本発明の籾処理装置に種籾を投入した段階で自ずと水分が種籾に供給され、該種籾は湿った状態となるので、特に前段の浸漬処理は不要となる。従って、この場合は、種籾に水分を含ませるステップと水酸基ラジカルを所定時間に照射するステップが同時に達成されることになる。

また、効果的に菌の駆除を行うために、空気プラズマを用いて生成された照射量６μｇ／Ｌ／分〜２００μｇ／Ｌ／分のＯＨラジカルを、少なくとも３分〜３０分間程度、種籾に対し噴射する（ＯＨラジカルを含有する雰囲気に種籾を置く）ことが好ましい。

以上のように本発明に係る実施の形態によれば、照射量６μｇ／Ｌ／分〜２００μｇ／Ｌ／分のＯＨラジカルを含有する雰囲気を生成し、収容容器４０に収容された種籾を、前記ＯＨラジカルを含有する雰囲気に所定時間（３分〜３０分）置くことにより多量の種籾に対し効率的に消毒することができ、馬鹿苗病などのイネの病気の発生を抑制することができる。
尚、ＯＨラジカルの照射量６μｇ／Ｌ／分未満の場合には、消毒できない、あるいは消毒に時間がかかり好ましくない。一方、ＯＨラジカルの照射量が２００μｇ／Ｌ／分を超える場合には、発芽不良の不都合が生じるため好ましくない。しかも、ＯＨラジカルの照射量６μｇ／Ｌ／分〜２００μｇ／Ｌ／分の場合には、消毒時間が３分〜３０分になすことができ、処理時間としても好適である。

また、コンベア装置４３を設け、長い噴射領域に沿って複数の収容容器４０を連続搬送した場合には、多量の種籾を短時間で消毒することができ、さらに効率的に菌の駆除処理を行うことができる。

尚、前記実施の形態においては、プラズマ放電させるガスとして、空気を用いるものとしたが、これに限定されるものではなく、ヘリウム、アルゴンの何れか、又は空気、ヘリウム、アルゴンの混合物でもよい。
また、前記実施の形態においては、フレーム体２内に２本のガス搬送管４，５を平行に設けた構成としたが、２本に限定されるものではなく、少なくとも１本のガス搬送管を備えていればよい（３本以上でもよい）。

本発明に係る籾処理方法及び籾処理装置について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に示したプラズマ反応容器において効率的にＯＨラジカルを生成し噴出するための条件について実験を行うことにより検証した。

［実施例１］
前記の図１から図５に例示した籾処理装置を製作した。プラズマ供給ユニットに用いたプラズマ反応容器は内径が３．５ｍｍ、外径が６．０ｍｍ、長さが１２０ｍｍの石英管とした。電極となる水ミスト供給管は直径１．５ｍｍのステンレス細管とし、アース電極は銅線を石英管の外周に巻きつけたものとした。該プラズマ供給ユニットを１０本搭載した籾処理装置とした。長手方向（ガス搬送管に沿った方向）に１２０ｍｍ間隔で５本配置し、さらに、５本列から横方向に１４０ｍｍはなれた位置に５本のプラズマ供給ユニットを配置した。なお、該２つの５本列は千鳥配置になっている。
該プラズマ供給ユニットの下方１００ｍｍの位置に種籾を収容した収容容器を置いて、ＯＨラジカルを照射した。収納容器は横方向２５０ｍｍ、長手方向４５０ｍｍ、深さ２０ｍｍの長方形の容器で底に５ｍｍの高さに金網を配置し、該金網の上に水分を含んだ種籾を置いてＯＨプラズマ照射を行った。種籾は通常の塩水選を行い、ＯＨラジカル照射の直前に水に１０分間浸漬した。なお、薬剤消毒と温湯消毒は行っていない。ＯＨプラズマ照射は、プラズマ反応容器１本当たり空気１６Ｌ／分と水２ｍＬ／時を流し、１１．５ｋＨｚ、６ｋＶの交流を電極に印加し、１５分間行った。なお、１０本のプラズマ供給ユニットは全て共通条件で同時放電している。この条件でのＯＨラジカルの照射量は６μｇ／Ｌ／分だった。
処理した種籾を通常の芽出し（発芽）処理を行った後に、３００ｍｍｘ６００ｍｍサイズの育苗箱に種播きし、育苗を行い、苗の生長を観察した。該育苗箱には約５０００本の苗が生えるようにし、その中で馬鹿苗病を発症した苗の数を数えて罹患率を評価基準とした。本実施例での罹患率は０．１５％だった。本発明では、１％以下であれば、その後の稲の収穫に大きい支障ないと判断している。本実施例の罹患率０．１５％は良好な結果である。

［実施例２］
実施例１のＯＨラジカルの照射条件から、水の供給量を２０ｍＬ／時に増加し、かつ放電電圧を１８ｋＶに上げた条件で１５分間のＯＨラジカル照射を行った。この条件でのＯＨラジカルの照射量は２００μｇ／Ｌ／分だった。育苗後の馬鹿苗病罹患率は０．０２％だった。なお、発芽しなかった種籾が１０個未満観察されたが、問題ないレベルと判断した。

［比較例１］
実施例１のＯＨラジカルの照射条件から、放電電圧のみを４ｋＶに低下した条件で１５分間のＯＨラジカル照射を行った。この条件でのＯＨラジカルの照射量は４．８μｇ／Ｌ／分だった。育苗後の馬鹿苗病罹患率は大幅に増加し２．２％だった。

［比較例２］
実施例２ＯＨラジカルの照射条件から、放電電圧のみを２３ｋＶに増加した条件で１５分間のＯＨラジカル照射を行った。この条件でのＯＨラジカルの照射量は２２０μｇ／Ｌ／分だった。育苗後の馬鹿苗病罹患率は０．０２％だったが、発芽しなかった種籾が１２０個程度見つかった。

［実施例３，４、比較例３，４］
実施例２の条件（ＯＨラジカル照射量が２００μｇ／Ｌ／分）において、ＯＨラジカル照射を２分（比較例３）、３分（実施例３）、３０分（実施例４）、３１分（比較例４）の４つの条件の実験を行った。育苗後の馬鹿苗病罹患率は、それぞれ１．１％（比較例３）、０．０６％（実施例３）、０．０１％（実施例４）、０．０１％（比較例４）だった。そして、発芽しなかった種籾の数は、比較例３と実施例３では数個以内、実施例４では１０個程度だったが、比較例４では９０個程度見つかった。

［実施例５，６、比較例５，６］
実施例１の条件（ＯＨラジカル照射量が６μｇ／Ｌ／分）において、ＯＨラジカル照射を２分（比較例５）、３分（実施例５）、３０分（実施例６）、３１分（比較例６）の４つの条件の実験を行った。育苗後の馬鹿苗病罹患率は、それぞれ２．５％（比較例５）、０．９％（実施例５）、０．１２％（実施例６）、０．１１％（比較例６）だった。そして、発芽しなかった種籾の数は、比較例５と実施例５では数個以内、実施例４では１０個程度だったが、比較例４では５０個程度見つかった。

１ 籾処理装置
２ フレーム体
３ レギュレータユニット（ガス供給部）
４ ガス搬送管
５ ガス搬送管
８ 電極
９ アース電極
１０ プラズマ供給ユニット
１１ ガス導入管
１３ プラズマ反応容器
１４ 先端部
２０ 高周波電源
２１ 変圧器
２２ 冷却ファン
２４ キャスター
２５ 水ミスト供給部
４０ 収容容器
４３ コンベア装置（搬送手段）
Ｓ 空間

Claims (6)

1. 播種前の種籾を消毒する籾処理方法であって、
   水酸基ラジカルを含有する雰囲気を生成するステップと、
   前記種籾に水分を含ませるステップと、
   前記種籾に、前記水酸基ラジカルを所定時間照射するステップと、
   を備えることを特徴とする籾処理方法。
2. 前記水酸基ラジカルの照射量が、６μｇ／Ｌ／分〜２００μｇ／Ｌ／分であり、前記所定時間が、３分〜３０分であることを特徴とする請求項１記載の籾処理方法。
3. 前記水酸基ラジカルを含有する雰囲気を生成するステップと、前記種籾に、前記水酸基ラジカルを所定時間照射するステップが、ガス搬送管に沿って複数のプラズマ供給ユニットを設け、各プラズマ供給ユニットから水酸基ラジカルを、前記種籾に対して噴射することによってなされるステップであって、
   前記各プラズマ供給ユニットにおいて、
   前記ガス搬送管から所定圧力のガスをプラズマ反応容器に導入するステップと、
   前記プラズマ反応容器内の一対の電極に電圧を印加し、前記ガスをプラズマ状態とするステップと、
   水ミスト供給部から前記プラズマ反応容器内に水ミストを供給するステップと、
   前記供給された水ミストにより水酸基ラジカルを生成するステップと、
   前記プラズマ反応容器の先端側から前記水酸基ラジカルを種籾に所定時間照射するステップと、
   を備えることを特徴とする請求項１または請求項２記載の籾処理方法。
4. 前記請求項１乃至請求項３のいずれかの籾処理方法に用いられる籾処理装置であって、
   ガス供給部と、前記ガス供給部から所定圧力のガスが供給される少なくとも１本のガス搬送管と、前記ガス搬送管に沿って複数設けられ、水酸基ラジカルを噴射するプラズマ供給ユニットとを具備し、
   前記各プラズマ供給ユニットは、
   所定の電圧が印加される一対の電極を有するプラズマ反応容器と、
   前記ガス搬送管からガスを前記プラズマ反応容器に導入するガス導入管と、
   水ミストを生成し前記プラズマ反応容器に供給する水ミスト供給部とを備え、
   前記一対の電極間に電圧が印加されて導入されたガスがプラズマ状態とされ、前記水ミストが供給されることにより水酸基ラジカルが生成されて前記プラズマ反応容器から導出され、前記ガス搬送管に沿って水酸基ラジカルの噴射領域が形成されることを特徴とする籾処理装置。
5. 前記プラズマ反応器内の一対の電極間への印加電圧を５ｋＶ〜２０ｋＶ、電圧の周波数を４ｋＨｚ〜２５ｋＨｚ、水ミスト導入量を１〜２０ｍＬ／時間に設定することを特徴とする請求項４に記載された籾処理装置。
6. 前記種籾を搬送可能な搬送手段を備え、
   前記搬送手段による種籾の搬送方向に沿って前記ガス搬送管が延設され、
   前記搬送手段により搬送される種籾に対し、前記ガス搬送管に沿って複数設けられたプラズマ供給ユニットから水酸基ラジカルが噴射されることを特徴とする請求項４または請求項５に記載された籾処理装置。

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