JP2016033972A5 - - Google Patents
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Description
本発明の撮像装置は、互いに離間して配置された、画素電極を含む複数の電極と、前記複数の電極を覆う光電変換膜と、前記画素電極の上面の第1部分と前記光電変換膜との間に配置された絶縁膜と、前記画素電極の前記上面の第2部分と前記光電変換膜との間に配置された絶縁部材とを備え、前記第2部分は前記第1部分よりも前記画素電極の側面の側に位置しており、前記光電変換膜と前記第2部分との間の距離は、前記光電変換膜と前記第1部分との間の距離よりも大きい。
Claims (15)
- 互いに離間して配置された、画素電極を含む複数の電極と、
前記複数の電極を覆う光電変換膜と、
前記画素電極の上面の第1部分と前記光電変換膜との間に配置された絶縁膜と、
前記画素電極の前記上面の第2部分と前記光電変換膜との間に配置された絶縁部材と
を備え、
前記第2部分は前記第1部分よりも前記画素電極の側面の側に位置しており、
前記光電変換膜と前記第2部分との間の距離は、前記光電変換膜と前記第1部分との間の距離よりも大きいことを特徴とする撮像装置。 - 前記絶縁膜は、前記画素電極の前記側面と前記絶縁部材との間に延在しないことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記絶縁部材は、前記画素電極に接することを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像装置。
- 前記絶縁膜は、前記絶縁部材と前記光電変換膜との間に延在することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記絶縁膜は、前記絶縁部材と前記画素電極との間に延在することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記絶縁部材は、前記画素電極よりも厚い部分を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記第2部分と前記光電変換膜との間における前記絶縁部材の厚みは、前記第1部分と前記光電変換膜との間における前記絶縁膜の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記絶縁部材は、前記複数の電極の間に位置する部分を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記絶縁部材の側面は、前記画素電極の前記上面と前記光電変換膜との間に位置することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記絶縁部材の前記側面は前記画素電極の前記上面に対して傾いていることを特徴とする請求項9に記載の撮像装置。
- 前記絶縁膜及び前記絶縁部材は、無機材料で形成されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記光電変換膜は、前記画素電極に接しないことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記光電変換膜を介して前記複数の電極に対向する電極が前記光電変換膜に接することを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の撮像装置。
- トランジスタを有する半導体基板と、
前記複数の電極と前記基板との間に配された配線層と、を備え、
前記画素電極は前記配線層を介して前記トランジスタに接続されていることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 請求項1〜14のいずれか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力された信号を処理する信号処理回路と
を含むことを特徴とする撮像システム。
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