JP2016011242A - Ceramic member - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基材にセラミック被膜を形成したセラミック部材に関する。 The present invention relates to a ceramic member in which a ceramic film is formed on a substrate.
CVD法によって基材にセラミック被膜が形成されたセラミック部材は、基材をセラミック被膜で保護できるため様々な分野で使用されている。加工性に優れた黒鉛を基材として用い、表面をセラミック被膜で保護したセラミック部材は、セラミック被膜による基材の反応の防止、耐消耗性の向上などを目的として、半導体製造装置、単結晶引き上げ装置、構造用セラミック部品など様々な分野で使用されている。
しかしながら、CVD法では、基材を支持する必要があり、支持点にセラミック被膜が形成できないため、基材が露出する部分ができてしまう。基材が露出し反応性環境下で使用されると、支持点部分から消耗、劣化してしまう問題があった。このような問題を解決するため、様々な工夫が行われている。
Ceramic members in which a ceramic film is formed on a substrate by a CVD method are used in various fields because the substrate can be protected with the ceramic film. Ceramic parts that use graphite with excellent workability as the base material and whose surface is protected by a ceramic coating are used for semiconductor manufacturing equipment, single crystal pulling, etc., for the purpose of preventing reaction of the base material due to the ceramic coating and improving wear resistance. It is used in various fields such as equipment and structural ceramic parts.
However, in the CVD method, it is necessary to support the base material, and a ceramic coating cannot be formed at the support point, so that a portion where the base material is exposed is formed. When the substrate is exposed and used in a reactive environment, there is a problem that the support point portion is consumed and deteriorated. Various solutions have been made to solve such problems.
特許文献1には、基材の露出した支持点を形成しないよう、先端部にセラミック基材を支持して反応炉内でセラミック基材にセラミック部材被膜を形成してセラミック部材を製造する。この際に、黒鉛からなる芯材と、少なくとも先端部を含む表面に、熱分解炭素層を介在させた支持具被膜とを有することを特徴とするセラミック基材支持具を用いることが記載されている。
このセラミック基材支持具によれば、セラミック基材支持具が、黒鉛の芯材を有し、その黒鉛の表面に熱分解炭素が被覆され、さらにその表面が支持具被膜にて被覆されている。熱分解炭素は気孔がないため、支持具被膜を被覆した際に、支持具被膜は熱分解炭素層内部に浸透して形成されないので、支持具被膜と熱分解炭素層との接着力を小さくすることができる。
In Patent Document 1, a ceramic member is manufactured by supporting a ceramic substrate at the tip and forming a ceramic member coating on the ceramic substrate in a reaction furnace so as not to form an exposed support point of the substrate. At this time, it is described that a ceramic base material support having a core material made of graphite and a support film having a pyrolytic carbon layer interposed on a surface including at least a tip portion is used. Yes.
According to this ceramic substrate support, the ceramic substrate support has a graphite core, the surface of the graphite is coated with pyrolytic carbon, and the surface is further coated with the support coating. . Since pyrolytic carbon has no pores, when the support coating is coated, the support coating is not formed by penetrating into the pyrolytic carbon layer, thereby reducing the adhesive force between the support coating and the pyrolytic carbon layer. be able to.
従って、セラミック基板にセラミック部材被膜を形成したセラミック部材およびセラミック基材支持具からセラミック基材支持具を取り除く際に、セラミック基材支持具の熱分解炭素層と支持具被膜との間(すなわち決まった箇所)で容易に切り離される。そのためセラミック部材からセラミック基材が露出したり、セラミック基板に形成されたセラミック部材被膜の表面に、セラミック基材支持具の支持具被膜の残る量が多くなりすぎることによるセラミック基板のセラミック被膜の凹凸ができにくくなることが記載されている。 Therefore, when the ceramic substrate support is removed from the ceramic member and the ceramic substrate support having the ceramic member coating formed on the ceramic substrate, there is a gap between the pyrolytic carbon layer of the ceramic substrate support and the support coating (that is, determined). It is easily separated at Therefore, the ceramic substrate is exposed from the ceramic member, or the remaining amount of the support member coating of the ceramic substrate support on the surface of the ceramic member coating formed on the ceramic substrate is excessively large. It is described that it becomes difficult to do.
しかしながら、特許文献1に記載の発明においては、支持具と基材とを切り離す際にセラミック被膜のバリが発生し、傷、パーティクルの原因となる有害な突起となって残留しやすくなる。また、支持具と基材とを切り離す際に微少なクラックが発生する。微少なクラックは、まれにセラミック部材の基材に到達し、セラミック部材の寿命を短くする原因となる。このため、支持点の周囲にバリあるいは微少なクラックの無いセラミック部材が望まれる。 However, in the invention described in Patent Document 1, burrs of the ceramic coating are generated when the support is separated from the base material, and it tends to remain as harmful protrusions that cause scratches and particles. Further, a minute crack is generated when the support and the substrate are separated. The minute crack rarely reaches the base material of the ceramic member and causes the life of the ceramic member to be shortened. For this reason, a ceramic member free from burrs or minute cracks around the support point is desired.
本発明は、前記課題を鑑み、セラミック部材製造時における支持点の周囲に、バリあるいは微少なクラックが発生するのを防止できるセラミック部材を提供することを目的とす
る。
An object of this invention is to provide the ceramic member which can prevent a burr | flash or a micro crack generate | occur | producing around the support point at the time of ceramic member manufacture in view of the said subject.
前記課題を解決するための本発明のセラミック部材は、基材と、前記基材の表面に形成された第1のセラミック被膜と、前記第1のセラミック被膜の表面に形成された第2のセラミック被膜と、からなるセラミック部材において、前記第2のセラミック被膜は、前記第1のセラミック被膜の前記表面が露出する開口部と、前記開口部を囲むとともに当該第2のセラミック被膜の表面から前記第1のセラミック被膜との界面まで漸次膜厚が薄くなる傾斜部と、からなる支持領域を有する。 The ceramic member of the present invention for solving the above-mentioned problems includes a base material, a first ceramic film formed on the surface of the base material, and a second ceramic formed on the surface of the first ceramic film. In the ceramic member comprising the coating, the second ceramic coating includes an opening from which the surface of the first ceramic coating is exposed, and surrounds the opening and from the surface of the second ceramic coating. And an inclined portion where the film thickness is gradually reduced to the interface with one ceramic coating.
本発明のセラミック部材によれば、基材の表面に形成された第1のセラミック被膜と、第1のセラミック被膜の表面に形成された第2のセラミック被膜とを有する。
このため、基材は、第1のセラミック被膜および第2のセラミック被膜の少なくとも一方が被覆されている。すなわち、第1のセラミック被膜を形成する際に、基材を支持するために第1のセラミック被膜が欠損した部分を、第2のセラミック被膜を形成する際に支持する位置を変えることにより、第2のセラミック被膜で覆うことができる。
According to the ceramic member of this invention, it has the 1st ceramic film formed in the surface of a base material, and the 2nd ceramic film formed in the surface of the 1st ceramic film.
For this reason, the base material is coated with at least one of the first ceramic film and the second ceramic film. That is, when the first ceramic film is formed, the portion where the first ceramic film is lost to support the substrate is changed by changing the position where the second ceramic film is supported. 2 ceramic coatings.
また、第2のセラミック被膜は、第1のセラミック被膜の表面が露出する開口部と、前記開口部を囲むとともに当該第2のセラミック被膜の表面から前記第1のセラミック被膜との界面まで漸次膜厚が薄くなる傾斜部と、からなる支持領域を有する。
すなわち、第2のセラミック被膜を形成する際に、カバー部を有する支持具により支持することにより、傾斜部に囲まれるとともに第1のセラミック被膜の表面が露出する開口部とからなる支持領域が形成される。これにより、支持具が第2のセラミック被膜によって第1のセラミック被膜に固着するのを防止できるので、CVD後に、基材を支持具から取り外す際に、支持点の周囲に有害なバリの発生、微少なクラックの発生を防止することができる。また、第2のセラミック被膜は、支持領域で膜厚が漸次薄くなるように形成されているので、ノッチが形成されず、開口部からのクラックの発生を防止することができる。
In addition, the second ceramic coating is a film that gradually surrounds the opening from which the surface of the first ceramic coating is exposed and the surface of the second ceramic coating from the surface of the second ceramic coating to the interface with the first ceramic coating. And a support region including an inclined portion having a reduced thickness.
That is, when the second ceramic coating is formed, a support region including an opening that is surrounded by the inclined portion and from which the surface of the first ceramic coating is exposed is formed by supporting with a support having a cover portion. Is done. This can prevent the support from being fixed to the first ceramic coating by the second ceramic coating, so when removing the substrate from the support after CVD, generation of harmful burrs around the support point, Generation of minute cracks can be prevented. Further, since the second ceramic film is formed so that the film thickness gradually decreases in the support region, the notch is not formed, and the generation of cracks from the opening can be prevented.
さらに、本発明のセラミック部材は、以下の態様であることが望ましい。
(1)前記開口部の面積は、前記支持領域の面積の10%〜60%である。
開口部の面積が、支持領域の面積の10%以上あるので、支持具が基材の第1のセラミック被膜に固着されるのを、確実に防止することができる。
また、開口部の面積が、支持領域の面積の60%以下であるので、第2のセラミック被膜が欠如する面積を小さくすることができる。
Furthermore, it is desirable that the ceramic member of the present invention has the following aspect.
(1) The area of the opening is 10% to 60% of the area of the support region.
Since the area of the opening is 10% or more of the area of the support region, it is possible to reliably prevent the support from being fixed to the first ceramic film of the substrate.
Further, since the area of the opening is 60% or less of the area of the support region, the area lacking the second ceramic coating can be reduced.
(2)前記開口部の面積は、前記支持領域の面積の30%〜50%である。
開口部の面積が、支持領域の面積の30%以上あるので、支持具が基材の第1のセラミック被膜に固着されるのを、さらに確実に防止することができる。
また、開口部の面積が、支持領域の面積の50%以下であるので、第2のセラミック被膜が欠如する面積をさらに小さくすることができる。
(2) The area of the opening is 30% to 50% of the area of the support region.
Since the area of the opening is 30% or more of the area of the support region, it is possible to more reliably prevent the support from being fixed to the first ceramic film of the base material.
Moreover, since the area of the opening is 50% or less of the area of the support region, the area lacking the second ceramic coating can be further reduced.
(3)前記第1のセラミック被膜および前記第2のセラミック被膜は、SiCである。
セラミック被膜が、SiCであると以下のメリットがある。すなわち、SiCは、化学的に安定であるため、基材の消耗を防止することができる。また、SiCは、硬く、耐摩耗性のあるセラミック材料であるので、基材の摩耗、損傷を防止することができる。
(3) The first ceramic coating and the second ceramic coating are SiC.
When the ceramic coating is SiC, there are the following merits. That is, since SiC is chemically stable, consumption of the base material can be prevented. Further, since SiC is a hard and wear-resistant ceramic material, it is possible to prevent the substrate from being worn or damaged.
(4)前記基材は黒鉛で構成される。
黒鉛は、結晶に劈開面を有するので、基材が黒鉛で構成されると、容易に加工することができ、様々な形状のセラミック部材を得ることができる。
(4) The base material is made of graphite.
Since graphite has a cleavage plane in the crystal, if the substrate is made of graphite, it can be easily processed, and ceramic members having various shapes can be obtained.
(5)前記セラミック部材は、半導体製造装置用部品である。
半導体製造装置では、セラミック部材からの不純物の放出があると、半導体が汚染される。本発明のセラミック部材では、支持点の周囲に有害なバリ、微少なクラックができにくいので好適に利用することができる。
(5) The ceramic member is a component for a semiconductor manufacturing apparatus.
In the semiconductor manufacturing apparatus, when impurities are released from the ceramic member, the semiconductor is contaminated. The ceramic member of the present invention can be suitably used because harmful burrs and minute cracks are hardly formed around the support point.
本発明によれば、基材の表面は第1のセラミック被膜および第2のセラミック被膜を有し、第2のセラミック被膜は、前記第1のセラミック被膜の前記表面が露出する開口部と、前記開口部を囲むとともに当該第2のセラミック被膜の表面から前記第1のセラミック被膜との界面まで漸次膜厚が薄くなる傾斜部と、からなる支持領域を有する。これにより、支持具が第2のセラミック被膜によって第1のセラミック被膜に固着するのを防止できるので、CVD後に、基材を支持具から取り外す際に、支持点の周囲に有害なバリの発生、微少なクラックの発生を防止することができる。また、第2のセラミック被膜は、支持領域で膜厚が漸次薄くなるように形成されているので、ノッチが形成されず、開口部からのクラックの発生を防止することができる。 According to the present invention, the surface of the substrate has a first ceramic coating and a second ceramic coating, and the second ceramic coating comprises an opening through which the surface of the first ceramic coating is exposed, and A support region is provided that includes an inclined portion that surrounds the opening and gradually decreases in thickness from the surface of the second ceramic coating to the interface with the first ceramic coating. This can prevent the support from being fixed to the first ceramic coating by the second ceramic coating, so when removing the substrate from the support after CVD, generation of harmful burrs around the support point, Generation of minute cracks can be prevented. Further, since the second ceramic film is formed so that the film thickness gradually decreases in the support region, the notch is not formed, and the generation of cracks from the opening can be prevented.
本発明のセラミック部材は、基材と、前記基材の表面に形成された第1のセラミック被膜と、前記第1のセラミック被膜の表面に形成された第2のセラミック被膜と、からなるセラミック部材において、前記第2のセラミック被膜は、前記第1のセラミック被膜の前記表面が露出する開口部と、前記開口部を囲むとともに当該第2のセラミック被膜の表面から前記第1のセラミック被膜との界面まで漸次膜厚が薄くなる傾斜部と、からなる支持領域を有する。 The ceramic member of the present invention is a ceramic member comprising a base material, a first ceramic film formed on the surface of the base material, and a second ceramic film formed on the surface of the first ceramic film. The second ceramic coating comprises: an opening from which the surface of the first ceramic coating is exposed; and an interface between the first ceramic coating from the surface of the second ceramic coating and surrounding the opening. And a support region including an inclined portion where the film thickness gradually decreases.
本発明のセラミック部材によれば、基材の表面に形成された第1のセラミック被膜と、第1のセラミック被膜の表面に形成された第2のセラミック被膜とを有する。
このため、基材は、第1のセラミック被膜および第2のセラミック被膜の少なくとも一方が被覆される。第1のセラミック被膜を形成する際に、基材を支持するために第1のセラミック被膜が欠損した部分を、第2のセラミック被膜を形成する際に支持する位置を変えることにより、第2のセラミック被膜で覆うことができ、少なくとも一方のセラミック被膜が被覆される。
According to the ceramic member of this invention, it has the 1st ceramic film formed in the surface of a base material, and the 2nd ceramic film formed in the surface of the 1st ceramic film.
For this reason, the substrate is coated with at least one of the first ceramic coating and the second ceramic coating. When the first ceramic coating is formed, the portion where the first ceramic coating is lost to support the substrate is changed by changing the position where the second ceramic coating is supported. It can be covered with a ceramic coating, and at least one ceramic coating is coated.
また、第2のセラミック被膜は、第1のセラミック被膜の表面が露出する開口部と、前記開口部を囲むとともに第2のセラミック被膜の表面から第1のセラミック被膜との界面まで漸次膜厚が薄くなる傾斜部と、からなる支持領域を有する。
すなわち、第2のセラミック被膜を形成する際に、カバー部を有する支持具により支持することにより、傾斜部に囲まれるとともに第1のセラミック被膜の表面が露出する開口
部とからなる支持領域が形成される。これにより、支持具が第2のセラミック被膜によって第1のセラミック被膜に固着するのを防止できるので、CVD後に、基材を支持具から取り外す際に、支持点の周囲に有害なバリの発生、微少なクラックの発生を防止することができる。また、第2のセラミック被膜は、支持領域で膜厚が漸次薄くなるように形成されているので、ノッチが形成されず、開口部からのクラックの発生を防止することができる。
In addition, the second ceramic coating has an opening from which the surface of the first ceramic coating is exposed and a thickness gradually surrounding the opening and from the surface of the second ceramic coating to the interface with the first ceramic coating. And a support region made of an inclined portion that becomes thinner.
That is, when the second ceramic coating is formed, a support region including an opening that is surrounded by the inclined portion and from which the surface of the first ceramic coating is exposed is formed by supporting with a support having a cover portion. Is done. This can prevent the support from being fixed to the first ceramic coating by the second ceramic coating, so when removing the substrate from the support after CVD, generation of harmful burrs around the support point, Generation of minute cracks can be prevented. Further, since the second ceramic film is formed so that the film thickness gradually decreases in the support region, the notch is not formed, and the generation of cracks from the opening can be prevented.
さらに、本発明のセラミック部材は、以下の態様であることが望ましい。
(1)前記開口部の面積は、前記支持領域の面積の10%〜60%である。
開口部の面積が、支持領域の面積の10%以上あるので、支持具が基材の第1のセラミック被膜に固着されるのを、確実に防止することができる。
また、開口部の面積が、支持領域の面積の60%以下であるので、第2のセラミック被膜が欠如する面積を小さくすることができる。
Furthermore, it is desirable that the ceramic member of the present invention has the following aspect.
(1) The area of the opening is 10% to 60% of the area of the support region.
Since the area of the opening is 10% or more of the area of the support region, it is possible to reliably prevent the support from being fixed to the first ceramic film of the substrate.
Further, since the area of the opening is 60% or less of the area of the support region, the area lacking the second ceramic coating can be reduced.
(2)前記開口部の面積は、前記支持領域の面積の30%〜50%である。
開口部の面積が、支持領域の面積の30%以上あるので、支持具が基材の第1のセラミック被膜に固着されるのを、さらに確実に防止することができる。
また、開口部の面積が、支持領域の面積の50%以下であるので、第2のセラミック被膜が欠如する面積をさらに小さくすることができる。
(2) The area of the opening is 30% to 50% of the area of the support region.
Since the area of the opening is 30% or more of the area of the support region, it is possible to more reliably prevent the support from being fixed to the first ceramic film of the base material.
Moreover, since the area of the opening is 50% or less of the area of the support region, the area lacking the second ceramic coating can be further reduced.
(3)前記第1のセラミック被膜および前記第2のセラミック被膜は、SiCである。
セラミック被膜が、SiCであると以下のメリットがある。すなわち、SiCは、化学的に安定であるため、基材の消耗を防止することができる。また、SiCは、硬く、耐摩耗性のあるセラミック材料であるので、基材の摩耗、損傷を防止することができる。
(3) The first ceramic coating and the second ceramic coating are SiC.
When the ceramic coating is SiC, there are the following merits. That is, since SiC is chemically stable, consumption of the base material can be prevented. Further, since SiC is a hard and wear-resistant ceramic material, it is possible to prevent the substrate from being worn or damaged.
(4)前記基材は黒鉛で構成される。
黒鉛は、結晶に劈開面を有するので、易切削性の材料である。基材が黒鉛で構成されると、容易に加工することができ、様々な形状のセラミック部材を得ることができる。
(4) The base material is made of graphite.
Since graphite has a cleavage plane in the crystal, it is an easily machinable material. When the substrate is composed of graphite, it can be easily processed, and various shapes of ceramic members can be obtained.
(5)前記セラミック部材は、半導体製造装置用部品である。
半導体製造装置では、セラミック部材からの不純物の放出があると、半導体が汚染される。本発明のセラミック部材では、支持点の周囲に有害なバリ、微少なクラックができにくいので好適に利用することができる。
半導体製造装置用部品としては、サセプタ、ウェハキャリア、ヒーター、内筒など半導体製造装置用部品が挙げられ特に限定されない。
(5) The ceramic member is a component for a semiconductor manufacturing apparatus.
In the semiconductor manufacturing apparatus, when impurities are released from the ceramic member, the semiconductor is contaminated. The ceramic member of the present invention can be suitably used because harmful burrs and minute cracks are hardly formed around the support point.
Examples of the semiconductor manufacturing apparatus component include, but are not limited to, semiconductor manufacturing apparatus components such as a susceptor, a wafer carrier, a heater, and an inner cylinder.
(第1実施形態)
本発明のセラミック部材の製造方法について説明する。本発明のセラミック部材の製造方法では、基材20に第1のセラミック被膜22および第2のセラミック被膜23を形成することによってセラミック部材10Aが得られる。
第1のセラミック被膜22および第2のセラミック被膜23を形成する工程は同様の方法により行うことができる。支持具30が密着する箇所は、CVDの原料ガスが供給されないので、セラミック被膜が形成されない。このため、第1のセラミック被膜22を形成する工程と、第2のセラミック被膜23を形成する工程では、基材20を支持する箇所を変更する。支持する箇所を変えることによって、基材は、第1のセラミック被膜22および第2のセラミック被膜23の少なくとも一方で被覆される。
(First embodiment)
The manufacturing method of the ceramic member of this invention is demonstrated. In the method for producing a ceramic member of the present invention, the ceramic member 10 </ b> A is obtained by forming the first
The step of forming the first
まず、図1(A)に示すように、基材20を支持具30で支持する。支持具30の数は特に限定されない。基材20の重心を支持具30より下にできれば、支持具30は1個でも安定してCVD法によって第1のセラミック被膜22を形成することができる。また、
後述する支持部32の面積が充分に大きく、支持部32の支持面322の上に基材20の重心が入るように配置することによって、CVD法によって第1のセラミック被膜22を形成することができる。
ここでは、複数個(3個以上)の支持具30の上に基材20を略水平に載置する場合について説明する。
First, as shown in FIG. 1A, the
The first
Here, the case where the
基材20は、特に限定されない。たとえば、金属、セラミックなどどのようなものでも利用することができる。セラミックは耐熱性を有しているので適している。中でも、セラミックとしては、ALN、Al2O3、黒鉛、BN、SiO2、Si3N4などが利用でき、なかでも黒鉛は、加工性に優れているので好適に利用できる。
基材20の形状は特に限定されない。基材20に第1のセラミック被膜22および第2のセラミック被膜23を形成することによってセラミック部材10Aを製造するので、基材20は目的のセラミック部材10Aの形状に加工しておく。セラミック部材10Aは、用途に合わせて様々な形状に製造される。例えば、円盤、リング、筒、板、箱などどのようなものでもよく特に限定されない。
The
The shape of the
図2(A)および図2(B)に示すように、支持具30は、例えば円柱形状の支持具本体31を有しており、本体上面311の中央に、基材20の表面201に接触する支持部32を有する。支持部32は全体円錐台形状を呈しており、側面321と、支持面322を有する。支持面322は、ある程度の面積を有する平面状になっているが、先端が尖る形状(円錐形状)とすることも可能である。
本体上面311の外周部に沿って、カバー部33が上方に突出して設けられている。カバー部33は、支持部32を同心円状に囲むように形成することができ、上面331が平面状になっている。カバー部33の高さは、支持部32の高さよりも低い。
As shown in FIGS. 2A and 2B, the
A
すなわち、図2(B)に示すように、支持部32は、カバー部33の上面331よりも上方に突出しており、支持部32が基材20を支持した際に、基材20とカバー部33との間に、隙間Sが形成される。
また、支持部32における最外縁323と、カバー部33における最外縁332との距離Lは、隙間Sの間隔(S)の4〜20倍である。
That is, as shown in FIG. 2B, the
Further, the distance L between the
支持具30は、支持具本体31、支持部32およびカバー部33が一体的に形成される。例えば、支持具本体31、支持部32およびカバー部33を削り出しや金型により一体成形で形成することができる。また、支持具本体31、支持部32およびカバー部33を接着剤等で接着して一体化することもできる。あるいは、支持具本体31とカバー部33が一体成形されたものに、支持部32を接着して形成することもできる。
なお、図3(A)および図3(B)に示すように、カバー部33の先端を尖った形状とした支持具30Aを採用することも可能である。また、図3(C)および図3(D)に示すように、支持具本体31を四角柱状に形成して、カバー部33を四角形に形成した支持具30Bを採用することも可能である。いずれの場合にも、支持部32の形状や、支持部32がカバー部33よりも上方に突出していることは同様である。
As for the
As shown in FIGS. 3A and 3B, it is also possible to employ a
図1(B)に示すように、支持具30により支持された基材20の表面に、CVD法により第1のセラミック被膜22(セラミック被膜21)を形成する。このとき、支持具30のカバー部33が、セラミック被膜の原料ガスのカバー部33の内側への流入を制限し、カバー部33と基材20との間の間隔Sから僅かの原料ガスのみが流入する。
その結果、第1のセラミック被膜22は、支持具30のカバー部33の上面331が対向する位置において、支持部32側に向かって基材20側に傾斜する傾斜部222’が形成される。そして、傾斜部222’の内側には、第1のセラミック被膜22が形成されない開口部221’が形成される。
なお、カバー部33と支持部32とを平面視同心円状とすることにより、原料ガスが到達する距離に偏りが小さく、基材20と固着することを方向によらず、等しく防止することができる。
As shown in FIG. 1B, a first ceramic film 22 (ceramic film 21) is formed on the surface of the
As a result, the first
In addition, by making the
なお、第1のセラミック被膜22および第2のセラミック被膜23は、特に限定されない。また、その組合せも限定されない。例えば、SiC、TaC、TiNなどが利用できる。SiCは加工性に優れた黒鉛と熱膨張係数も同等であるので剥離しにくく、黒鉛よりも硬く、耐蝕性を有しているので、黒鉛の基材と組み合わせて使用することが望ましい。
The first
続いて、図1(C)に示すように、基材20における支持具30により支持される部位を変更して再び支持具30に載置して、CVD法により第2のセラミック被膜23(セラミック被膜21を形成する。ここでは、例えば基材20の上下面を反転させて支持具30に載置した場合が示されている。この他、上下面はそのままで基材20を回転させ、下面における支持具30による支持部位を変えることもできる。
Subsequently, as shown in FIG. 1C, the portion of the
次に、以上のようにして製造されたセラミック部材10Aについて説明する。セラミック部材10Aは、2回にわたってCVDが行われ、2つのセラミック被膜21(第1のセラミック被膜22、第2のセラミック被膜23)を有している。
図1(C)において製造されたセラミック部材10Aは、基材20が第1のセラミック被膜22および第2のセラミック被膜23により覆われている。
第1のセラミック被膜22には、第1のセラミック被膜22を形成する際に支持した支持具30により、傾斜面222’および露出部221’が形成されている。
第1のセラミック被膜22を形成する際に生じた露出部221’および傾斜面222’は、第2のセラミック被膜23で覆われる。
Next, the
In the ceramic member 10 </ b> A manufactured in FIG. 1C, the
In the first
The exposed
また、図4にも示すように、第2のセラミック被膜23を形成する際に支持具30で支持された部位およびその周辺には、第2のセラミック被膜23が形成されずに第1のセラミック被膜22が露出する開口部221を有する。開口部221の周囲には、第2のセラミック被膜23の表面から第1のセラミック被膜22との界面232まで漸次膜厚が薄くなる傾斜部222が形成される。傾斜部222は、第2のセラミック被膜23の膜厚が徐々に薄くなっているので、支持具30で支持された部分の周囲に第2のセラミック被膜23は形成されない。このため、支持具30から得られたセラミック部材10Aを分離する際に、セラミック被膜で固着されず、クラックあるいはバリの発生を抑止することができる。また、第2のセラミック被膜23は、支持領域で膜厚が漸次薄くなるように形成されているので、ノッチが形成されず、開口部221からのクラックの発生を防止することができる。
なお、開口部221および傾斜部222は、支持具30のカバー部33が円形である場合でも、作業の状態によって必ずしも円形とはならず、偏心したり、楕円形等に変形する場合もある。
開口部221の面積は、支持領域の面積の10%〜60%である。支持部32の支持面322に接触する箇所には第2のセラミック被膜23は形成されない。また、カバー部33における最外縁332によって、CVDの原料ガスが、支持部32の周辺に流入することを防止するので、支持領域の最外縁は、カバー部33における最外縁332と対向して位置する。このため、支持領域の面積に対する開口部221の面積の比率は、カバー部33の最外縁に囲まれる面積に対する支持面322の面積の比率以上である。
このため、支持領域の面積に対する開口部221の面積の比率は、支持部32の支持面322の大きさを適宜設定するとともに、適用可能な隙間の間隔、CVDの圧力、温度などの条件の範囲のなかで、適宜選定することによって、調整することができる。
Further, as shown in FIG. 4, the second
Note that the
The area of the
For this reason, the ratio of the area of the
次に、第1実施形態のセラミック部材10Aの作用、効果について説明する。
第1実施形態のセラミック部材10Aは、支持具30を用いて基材20を支持し、この状態でCVD法により基材20の表面に第1のセラミック被膜22および支持具30の位置を変えて第2のセラミック被膜23を形成され得られる。このとき、支持具30は、基材20の表面201に接触する支持部32と、基材20の表面201に対して隙間Sを有するように支持部32を囲むカバー部33とを有する。
Next, the operation and effect of the
10 A of ceramic members of 1st Embodiment support the
このため、第2のセラミック被膜23の形成時、カバー部33によって支持部32へのCVDの原料ガスの侵入を防止することができ、支持部32と第1のセラミック被膜22とが第2のセラミック皮膜23によって固着することを防止することができる。また、カバー部33は、第1のセラミック被膜22が形成された基材20との間に隙間Sを有するように配置されるので、カバー部33と第1のセラミック被膜22とが第2のセラミック被膜23とによって固着することを防止することができる。
このため、支持具30に載置された基材20をCVD後に、取り外す際に、第2のセラミック被膜23によって固着することがなく、支持点の周囲に有害なバリの発生、微少なクラックの発生を防止することができる。また、第2のセラミック被膜23は、支持領域で膜厚が漸次薄くなるように形成されているので、ノッチが形成されず、開口部221からのクラックの発生を防止することができる。
For this reason, when the second
For this reason, when the
第1実施形態のセラミック部材は、支持部32とカバー部33とが一体的に構成される支持具30を用いて製造されているので、基材20又は第1のセラミック被膜22を有する基材20を支持具30に載置する際に、基材20を傾けて載置しようとすると、基材20はカバー部33から先に接触する。例えば基材20が平面である場合、複数(例えば3点)の支持部32の先端が形成する載置面と、基材20とが平行となった時にはじめて支持部32が基材20と接触できるようになる。
このため、支持部32の先端を損傷しにくくことができる。また、基材20とカバー部33との隙間Sの間隔を、確保することができる。
Since the ceramic member of the first embodiment is manufactured using the
For this reason, it is difficult to damage the tip of the
第1実施形態のセラミック部材の製造方法によれば、支持具30における支持部32とカバー部33との距離が、隙間Sの間隔の4倍以上であると、隙間Sから侵入した原料ガスが、支持部32と基材20との接触点に到達しにくくすることができる。このため、支持部32と基材20との固着が起きにくくすることができる。
また、支持具30における支持部32の最外縁323とカバー部33の最外縁332との距離Lが、隙間Sの間隔の20倍以下であると、基材20に第2のセラミック被膜23の形成されていない開口部221を小さく、すなわち、セラミック被膜21に覆われる面積を大きくすることができるので、基材20を保護しやすくすることができる。
According to the method for manufacturing a ceramic member of the first embodiment, when the distance between the
Further, when the distance L between the
第1実施形態のセラミック部材の製造方法によれば、第1のセラミック被膜22又は第2のセラミック被膜23が、SiCであると以下のメリットがある。すなわち、SiCは、化学的に安定であるため、基材20の消耗を防止することができる。また、SiCは、硬く、耐摩耗性のあるセラミック材料であるので、基材20の摩耗、損傷を防止することができる。
According to the method for manufacturing a ceramic member of the first embodiment, if the first
第1実施形態のセラミック部材の製造方法によれば、1回目のCVDにおいて、基材20は黒鉛で構成される。黒鉛は、結晶に劈開面を有するので、易切削性の材料である。基材20が黒鉛で構成されると、容易に加工することができ、様々な形状のセラミック部材10Aを得ることができる。また、2回目のCVDにおいては、セラミック被膜21(第1のセラミック被膜22)に覆われた黒鉛を芯材とする基材が用いられる。黒鉛が芯材であるので、同様に容易に加工することができ、様々な形状のセラミック部材10Aを得ることができる。
According to the ceramic member manufacturing method of the first embodiment, in the first CVD, the
第1実施形態のセラミック部材の製造方法によれば、基材20に対する支持具30の位置を変えて複数回にわたって繰り返すことにより、基材20の露出を防ぐことができる。例えば、基材20が黒鉛である場合、1回目の第1のセラミック被膜22の形成では、支持部32が当接する近傍は、黒鉛からなる基材20が露出する。しかしながら、支持具30の位置を変えて、第1のセラミック被膜22の形成された基材20であるセラミック部材10Aを、新たな基材20として2回目の第2のセラミック被膜23の形成を行う。これにより、露出した黒鉛の基材20を第2のセラミック被膜23で覆い隠すことができる。
According to the manufacturing method of the ceramic member of the first embodiment, the exposure of the
次に、第1実施形態のセラミック部材の作用、効果について説明する。
本実施形態のセラミック部材10Aによれば、基材20の表面に形成された第1のセラミック被膜22と、第1のセラミック被膜22の表面に形成された第2のセラミック被膜23とを有する。
このため、基材20は、第1のセラミック被膜22および第2のセラミック被膜23の少なくとも一方で被覆されれば良い。すなわち、第1のセラミック被膜22を形成する際に、基材20を支持するために第1のセラミック被膜22が欠損した部分を、第2のセラミック被膜23を形成する際に支持する位置を変えることにより、第2のセラミック被膜23で覆うことができる。
Next, the operation and effect of the ceramic member of the first embodiment will be described.
According to the ceramic member 10 </ b> A of the present embodiment, the first
For this reason, the
また、第2のセラミック被膜23は、第1のセラミック被膜22の表面が露出する開口部221と、開口部221を囲むとともに第2のセラミック被膜23の表面から第1のセラミック被膜22との界面232まで漸次膜厚が薄くなる傾斜部222と、を有する。
すなわち、第2のセラミック被膜23を形成する際に、傾斜部222に囲まれるとともに第1のセラミック被膜22の表面が露出する開口部221において、第1のセラミック被膜22が形成された基材20を支持する。これにより、支持具30が第2のセラミック被膜23によって第1のセラミック被膜22に固着するのを防止できるので、CVD後に、基材20を支持具30から取り外す際に、支持点の周囲に有害なバリの発生、微少なクラックの発生を防止することができる。また、第2のセラミック被膜23は、支持領域で膜厚が漸次薄くなるように形成されているので、ノッチが形成されず、開口部221からのクラックの発生を防止することができる。
Further, the second
That is, when the second
第1実施形態のセラミック部材10Aによれば、開口部221の面積が、傾斜部222の面積の10%以上あるので、支持具30が基材20の第1のセラミック被膜22に固着されるのを、確実に防止することができる。
また、開口部221の面積が、支持領域の面積の60%以下であるので、第2のセラミック被膜23が欠如する面積を小さくすることができる。
According to the ceramic member 10 </ b> A of the first embodiment, since the area of the
Moreover, since the area of the
第1実施形態のセラミック部材10Aによれば、セラミック被膜21が、SiCであるので、以下のメリットがある。すなわち、SiCは、化学的に安定であるため、基材20の消耗を防止することができる。また、SiCは、硬く、耐摩耗性のあるセラミック材料であるので、基材20の摩耗、損傷を防止することができる。
According to the
第1実施形態のセラミック部材10Aによれば、基材20は黒鉛で構成される。黒鉛は、結晶に劈開面を有するので、基材20が黒鉛で構成されると、容易に加工することができ、様々な形状のセラミック部材10Aを得ることができる。
According to the
以下、第1実施形態に係る実施例1〜3および比較例について、説明する。実施例1〜3および比較例においては、セラミック部材10Aを製造する際の支持具30における支持部32は同一であり、カバー部33がそれぞれ異なっている。実施例1〜3は、それぞ
れ異なる直径のカバー部33を有し、比較例ではカバー部33を有していない。
実施例1〜3では、表面に第1のセラミック被膜22が形成された黒鉛を基材20として用い、その上にさらに第2のセラミック被膜23を形成する。実施例1〜3では、第2のセラミック被膜23の形成に関して説明するが、基材20を黒鉛のみとすれば、第1のセラミック被膜22の形成においても第1実施形態の製造方法が適用できる。
Hereinafter, Examples 1 to 3 and a comparative example according to the first embodiment will be described. In Examples 1-3 and the comparative example, the
In Examples 1 to 3, graphite having the first
<実施例1〜3>
黒鉛に第1のセラミック被膜23を有する基材20を、3個の支持具30に載置し、CVD炉でMTS(メチルトリクロロシラン)を原料ガスとして使用し、SiCからなるセラミック被膜21を形成した。支持部32の先端の平坦部と、カバー部33と隙間との関係を表1に示す。得られたセラミック部材の支持領域、開口部、固着、切り離しの状況、クラック、バリの有無を表2に示す。
また、用いた支持具30の形状について以下に説明する。
支持部32の先端に円形の平坦部(支持面322)を有し、リング状のカバー部33を有する支持具30を使用した。カバー部33は、先端が尖った回転体(図3(A)参照)である。
黒鉛に第1のセラミック被膜22を有する基材20には、第1のセラミック被膜22の形成時に支持部32に形成された傾斜面222’および露出部221’が形成されている。
<Examples 1-3>
A
Moreover, the shape of the used
A
The
<比較例>
実施例1〜3と同様な支持部32のみからなり、カバー部を有していない支持具を用い、同様にセラミック部材10Aを形成した。
以下に、実施例1〜3および比較例の測定結果を示す。
<Comparative example>
10 A of ceramic members were similarly formed using the support tool which consists only of the
Below, the measurement result of Examples 1-3 and a comparative example is shown.
以上の結果から、支持具30にカバー部33を設けたことによって、セラミック部材の支持部分に第2のセラミック被膜の表面から第1のセラミック被膜との界面まで漸次膜厚が薄くなる傾斜部と、第1のセラミック被膜の表面が露出する開口部とからなる支持領域が形成されることが確認された。また、支持領域を有する実施例1〜3では切り離しが容易で著しいクラック、バリが無く本発明の効果が確認された。特に実施例1および実施例2では、さらに固着が確認されず、クラック、バリの発生はなく、さらに望ましいことがわかる。
From the above results, by providing the
(第2実施形態)
次に、第2実施形態のセラミック部材の製造方法およびセラミック部材について、図を用いながら説明する。
なお、前述した第1実施形態のセラミック部材の製造方法およびセラミック部材10Aと共通する部位には同じ符号を付して、重複する説明を省略することとする。
図5(A)、図5(B)、図5(C)、図6に示すように、第2実施形態のセラミック部材の製造方法では、基材20を立てかけた状態で第1のセラミック被膜22および第2のセラミック被膜23を形成する。
(Second Embodiment)
Next, the manufacturing method and ceramic member of the ceramic member of 2nd Embodiment are demonstrated, using a figure.
In addition, suppose that the same code | symbol is attached | subjected to the site | part which is common in the manufacturing method and
As shown in FIGS. 5 (A), 5 (B), 5 (C), and 6, in the method for manufacturing a ceramic member according to the second embodiment, the first ceramic coating film in a state where the
図5(A)および図6に示すように、基材20を縦にして、下端部を支持具40で支持するとともに、基材20の上端部を支持具30で支持する。
支持具30は、第1実施形態で用いたものと同じものである。支持具40は、支持具30と同様の構成をしており、支持具本体41、支持部42およびカバー部43を有するが、カバー部43は、支持部42を囲んで基材20の外表面から隙間Sを有するように備えられる。このようにカバー部43が備えられることによって、CVD後に、カバー部43の先端が当接する基材20の表面には、基材20の側面および2つの底面に及ぶ開口部422および傾斜部421からなる支持領域420が形成される。
As shown in FIG. 5 (A) and FIG. 6, the
The
図5(B)に示すように、第1のセラミック被膜22の形成時には、支持具30で支持された部位には、第1実施形態で説明したものと同様に露出部221’および傾斜面222’が形成される。
また、支持具40で支持された部位には、カバー部43で覆われた面に、露出部421’および傾斜面422’が形成される。
As shown in FIG. 5B, when the first
In addition, an exposed
図5(C)に示すように、第2のセラミック被膜23の形成時には、支持具30で支持する位置が変わるように、基材20を反転あるいは回転させる。支持具30で支持された部位には、第1実施形態で説明したものと同様に開口部221および傾斜部222が形成される。
また、支持具40で支持された部位には、カバー部43で覆われた複数の面にわたって、開口部422および傾斜部421よりなる支持領域420が形成され、第1実施形態と同様に、支持具40が第2のセラミック被膜23によって第1のセラミック被膜22に固着するのを防止できるので、CVD後に、基材20を支持具40から取り外す際に、支持点の周囲に有害なバリの発生、微少なクラックの発生を防止することができる。また、第2のセラミック被膜23は、支持領域420で膜厚が漸次薄くなるように形成されているので、ノッチが形成されず、開口部221からのクラックの発生を防止することができる。
As shown in FIG. 5C, when the second
In addition, a support region 420 including an
このようなセラミック部材の製造方法で製造されたセラミック部材10Bでは、第1実施形態のセラミック部材の製造方法で製造したセラミック部材10Aと同様の作用、効果を得ることができる。
In the
本発明のセラミック部材の製造方法およびセラミック部材10A、10Bは、前述した各実施形態に限定されるものでなく、適宜な変形、改良等が可能である。
例えば、上述したセラミック部材の製造方法においては、基材20に対する支持具30の位置を変えて、2回にわたってセラミック被膜21を形成した。この他、基材20に対する支持具30、40の位置を変えて、複数回(3回以上)にわたってセラミック被膜21を形成することにより、セラミック部材10A、10Bを製造することができる。この場合には、回数に応じた数のセラミック被膜層ができる。
The method for manufacturing a ceramic member and the
For example, in the ceramic member manufacturing method described above, the
また、前述した各実施形態においては、支持具30の支持部32とカバー部33を一体で形成した場合を例示した。この他、例えば、カバー部33を別の部材で形成することも可能である。この場合には、支持部32の上に基材20を載置した後に、カバー部33を取り付ける支持具が利用できる。
Moreover, in each embodiment mentioned above, the case where the
本発明のセラミック部材は、基材にセラミック被膜を形成したセラミック部材に用いることができる。また、半導体製造装置用部品、単結晶引き上げ装置用部品、電子部品などの位置決め用治具などに利用することができる。 The ceramic member of the present invention can be used for a ceramic member in which a ceramic film is formed on a substrate. Moreover, it can utilize for positioning jigs, such as parts for semiconductor manufacturing apparatuses, parts for single crystal pulling apparatuses, and electronic parts.
10A、10B セラミック部材
20 基材
201 表面
22 第1のセラミック被膜
23 第2のセラミック被膜
221 開口部
232 界面
222 傾斜部
10A, 10B
Claims (6)
前記基材の表面に形成された第1のセラミック被膜と、
前記第1のセラミック被膜の表面に形成された第2のセラミック被膜と、からなるセラミック部材において、
前記第2のセラミック被膜は、前記第1のセラミック被膜の前記表面が露出する開口部と、前記開口部を囲むとともに当該第2のセラミック被膜の表面から前記第1のセラミック被膜との界面まで漸次膜厚が薄くなる傾斜部と、からなる支持領域を有することを特徴とするセラミック部材。 A substrate;
A first ceramic coating formed on the surface of the substrate;
A ceramic member comprising: a second ceramic coating formed on a surface of the first ceramic coating;
The second ceramic coating gradually surrounds the opening from which the surface of the first ceramic coating is exposed and the surface of the second ceramic coating from the surface of the second ceramic coating to the interface with the first ceramic coating. A ceramic member comprising a support region comprising an inclined portion having a thin film thickness.
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