JP2016063145A - Manufacturing apparatus and manufacturing method of substrate for power module with heatsink - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられる放熱板付パワーモジュール用基板の製造装置及び製造方法に関する。 The present invention relates to a manufacturing apparatus and a manufacturing method for a power module substrate with a heat sink used in a semiconductor device that controls a large current and a high voltage.
パワーモジュールには、一般に、窒化アルミニウムを始めとするセラミックス基板の一方の面に回路層を形成する金属板が接合されるとともに、他方の面に金属層を形成する金属板を介して放熱板が接合された放熱板付パワーモジュール用基板が用いられている。
このような放熱板付パワーモジュール用基板は、従来、次に示すように製造されてきた。
まず、セラミックス基板の表面に、セラミックス基板と回路層及び金属層との接合に適するろう材を介して２つの金属板を積層し、所定の圧力で加圧しながら、ろう材が溶融する温度以上まで加熱することにより、セラミックス基板と両面の金属板とを接合してパワーモジュール用基板を製造する。次に、このパワーモジュール用基板の金属層と放熱板とを、ろう付けや固相拡散接合により接合することにより、放熱板付パワーモジュール用基板を製造する。そして、この場合においても、パワーモジュール用基板と放熱板とを積層して、所定の圧力で加圧しながら加熱することにより、金属層と放熱板とを接合することができる。
In general, a power module is bonded to a metal plate that forms a circuit layer on one surface of a ceramic substrate such as aluminum nitride, and a heat dissipation plate via a metal plate that forms a metal layer on the other surface. A bonded power module substrate with a heat sink is used.
Conventionally, such a power module substrate with a heat sink has been manufactured as follows.
First, two metal plates are laminated on the surface of the ceramic substrate via a brazing material suitable for joining the ceramic substrate, the circuit layer, and the metal layer, and the pressure is increased at a predetermined pressure to a temperature equal to or higher than the temperature at which the brazing material melts. By heating, the ceramic substrate and the metal plates on both sides are joined to produce a power module substrate. Next, the power module substrate with a heat sink is manufactured by joining the metal layer of the power module substrate and the heat sink by brazing or solid phase diffusion bonding. In this case as well, the metal layer and the heat radiating plate can be joined by laminating the power module substrate and the heat radiating plate and heating them while applying a predetermined pressure.
また、このように構成される放熱板付パワーモジュール用基板は、例えば特許文献１に記載されているように、パワーモジュール用基板に放熱板を重ねた積層ユニットを平板治具で挟み、バネ等をセットして所定の面圧を付加して加熱することにより行われる。 Moreover, the power module substrate with a heat sink configured in this way is, for example, as described in Patent Document 1, a laminated unit in which a heat sink is stacked on a power module substrate is sandwiched between flat plate jigs, a spring or the like. It is carried out by setting and applying a predetermined surface pressure and heating.
ところで、放熱板付パワーモジュール用基板としては、従来、一枚の放熱板に一個のパワーモジュール用基板を接合したものが使用されてきたが、複数のパワーモジュール用基板を一体として取り扱えるようにするため、一枚の放熱板に複数のパワーモジュール用基板を接合することが行われている。この場合、複数のパワーモジュール用基板と放熱板との高い接合信頼性を得るためには、接合時に各パワーモジュール用基板の金属層と放熱板とを十分に密着させる必要がある。 By the way, as a power module substrate with a heat sink, conventionally, a single heat module substrate joined to a single heat sink has been used, but in order to be able to handle a plurality of power module substrates as a unit. A plurality of power module substrates are bonded to one heat radiating plate. In this case, in order to obtain high bonding reliability between the plurality of power module substrates and the heat dissipation plate, it is necessary to sufficiently adhere the metal layer and the heat dissipation plate of each power module substrate at the time of bonding.
ところが、特許文献１に記載される従来の治具のように、大面積の治具により複数のパワーモジュール用基板を一括して押圧する方法では、個々のパワーモジュール用基板が有する細かな形状の違いや、放熱板の表面形状の違い等によって、各パワーモジュール用基板に付加される押圧力にばらつきが生じ易く、全てのパワーモジュール用基板を同時に均一に加圧することが難しい。このため、複数のパワーモジュール用基板の全てにおいて放熱板との密着性を十分に確保することが難しく、放熱板付パワーモジュール用基板の接合信頼性や放熱性能の低下を引き起こすおそれがあった。 However, in the method of collectively pressing a plurality of power module substrates with a large-area jig as in the conventional jig described in Patent Document 1, the fine shape of each power module substrate has Due to the difference, the surface shape of the heat sink, etc., the pressing force applied to each power module substrate tends to vary, and it is difficult to pressurize all the power module substrates simultaneously and uniformly. For this reason, it is difficult to ensure sufficient adhesion to the heat sink in all of the plurality of power module substrates, and there is a risk of causing deterioration in the bonding reliability and heat dissipation performance of the power module substrate with a heat sink.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、複数のパワーモジュール用基板を一枚の放熱板に接合する場合において、各パワーモジュール用基板と放熱板との接合信頼性を高めることができ、良好な放熱性能を確保することができる放熱板付パワーモジュール用基板の製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and in the case where a plurality of power module substrates are bonded to a single heat sink, the bonding reliability between each power module substrate and the heat sink is improved. An object of the present invention is to provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method for a power module substrate with a heat sink, which can ensure good heat dissipation performance.
本発明の放熱板付パワーモジュール用基板の製造装置は、セラミックス基板に回路層が配設されてなる複数のパワーモジュール用基板を、一枚の放熱板に面方向に間隔をあけて積層し、その積層方向に加圧しながら加熱することにより接合して放熱板付パワーモジュール用基板を製造するための装置であって、複数の前記パワーモジュール用基板を前記放熱板に重ねて配置した積層体を、その積層方向に加圧する加圧手段を備え、前記加圧手段は、前記パワーモジュール用基板の前記回路層表面を個別に押圧するための複数の上側加圧板と、前記放熱板背面を押圧するための一枚の下側加圧板と、前記上側加圧板に押圧力を付加する付勢手段とを有することを特徴とする。 An apparatus for manufacturing a power module substrate with a heat sink according to the present invention is a method of laminating a plurality of power module substrates each having a circuit layer disposed on a ceramic substrate on a single heat sink with a space in the plane direction. An apparatus for manufacturing a power module substrate with a heat sink by joining by heating while applying pressure in the laminating direction, wherein a plurality of the power module substrates are stacked on the heat sink, A pressurizing unit configured to pressurize in the stacking direction, the pressurizing unit configured to press a plurality of upper pressurizing plates for individually pressing the circuit layer surface of the power module substrate; One lower pressure plate and biasing means for applying a pressing force to the upper pressure plate are provided.
複数設けられるパワーモジュール用基板ごとに押圧するための上側加圧板を複数備える構成とすることにより、個々のパワーモジュール用基板が有する細かな形状の違いや、放熱板の表面形状の違い等を、それぞれに備えられた上側加圧板により吸収して、各パワーモジュール用基板と放熱板との密着性を良好に保持することができる。したがって、各パワーモジュール用基板と放熱板との接合信頼性を高めることができ、良好な放熱性能を確保することができる。 By adopting a configuration comprising a plurality of upper pressure plates for pressing each of the power module substrates provided in plurality, differences in the fine shape of each power module substrate, differences in the surface shape of the heat sink, etc. It can absorb by the upper pressurization board provided in each, and can maintain the adhesiveness of each power module board | substrate and a heat sink favorably. Therefore, the bonding reliability between each power module substrate and the heat radiating plate can be increased, and good heat radiating performance can be ensured.
本発明の放熱板付パワーモジュール用基板の製造装置において、前記上側加圧板及び前記下側加圧板は、カーボン層により形成され、該カーボン層に、グラファイト層が積層されるとともに、該グラファイト層に前記カーボン層よりも薄い薄肉カーボン層が積層されており、該薄肉カーボン層が前記パワーモジュール用基板側に配置される。
上側加圧板及び下側加圧板を十分な厚さを有する硬質のカーボン層により形成するとともに、そのカーボン層と薄肉カーボン層との間にクッション性を有する軟質のグラファイト層を積層することにより、個々のパワーモジュール用基板や放熱板の表面に対して、圧力を均一にして加圧することができる。したがって、複数設けられたパワーモジュール用基板を、放熱板に良好な接合状態で接合することができる。
In the apparatus for manufacturing a power module substrate with a heat sink according to the present invention, the upper pressure plate and the lower pressure plate are formed of a carbon layer, a graphite layer is laminated on the carbon layer, and the graphite layer is A thin carbon layer thinner than the carbon layer is laminated, and the thin carbon layer is disposed on the power module substrate side.
Each of the upper pressure plate and the lower pressure plate is formed by a hard carbon layer having a sufficient thickness, and a soft graphite layer having cushioning properties is laminated between the carbon layer and the thin carbon layer. It is possible to apply a uniform pressure to the power module substrate and the surface of the heat sink. Therefore, a plurality of power module substrates that are provided can be bonded to the heat sink in a good bonding state.
本発明の放熱板付パワーモジュール用基板の製造装置において、前記上側加圧板に設けられる前記グラファイト層は、複数の前記上側加圧板に跨って連結された一枚のシート状に設けられているとよい。
各上側加圧板は、バネ等の付勢手段によって、パワーモジュール用基板と放熱板との積層体に押圧力を付加する構成とされていることから、加圧時や加熱時において付勢手段が動くと、各上側加圧板はその影響を受け易い。その結果、放熱板に対する各パワーモジュール用基板の位置ずれを引き起こし易くなる。ところが、本発明おいては、上側加圧板に積層されるグラファイト層を、複数の上側加圧板に跨って連結した一枚のシート状に設けているので、そのクッション性により両側に積層されるカーボン層及び薄肉カーボン層の動きを拘束することができる。これにより、付勢手段が動くことにより生じる放熱板に対する各パワーモジュール用基板の位置ずれを防止することができ、パワーモジュール用基板の位置精度を向上させることができる。
また、グラファイト層により連結して各上側加圧板を一体に取り扱うことが可能となるので、作業性を向上させることもできる。
In the manufacturing apparatus for a power module substrate with a heat sink according to the present invention, the graphite layer provided on the upper pressure plate may be provided in a single sheet connected across the plurality of upper pressure plates. .
Each upper pressure plate is configured to apply a pressing force to the laminated body of the power module substrate and the heat radiating plate by a biasing means such as a spring. As it moves, each upper pressure plate is susceptible to that effect. As a result, it becomes easy to cause the position shift of each power module substrate with respect to the heat sink. However, in the present invention, since the graphite layer laminated on the upper pressure plate is provided in a single sheet connected across the plurality of upper pressure plates, the carbon laminated on both sides due to its cushioning property The movement of the layer and the thin carbon layer can be constrained. Thereby, the position shift of each power module board | substrate with respect to the heat sink generated by a biasing means moving can be prevented, and the position accuracy of the power module board | substrate can be improved.
Moreover, since it becomes possible to handle each upper pressure plate integrally by connecting with a graphite layer, workability can also be improved.
本発明の放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法は、セラミックス基板に回路層が配設されてなる複数のパワーモジュール用基板を、一枚の放熱板に面方向に間隔をあけて接合して放熱板付パワーモジュール用基板を製造するための方法であって、各パワーモジュール用基板を前記放熱板に重ねて配置した積層体を、その積層方向に加圧しながら加熱することにより、前記パワーモジュール用基板と前記放熱板とを接合する接合工程を有し、前記接合工程において、前記パワーモジュール用基板の前記回路層表面を個別に押圧するための複数の上側加圧板と、前記放熱板背面を押圧するための一枚の下側加圧板との間に前記積層体を挟んで加圧することを特徴とする。 The method for manufacturing a power module substrate with a heat sink according to the present invention includes a plurality of power module substrates, each having a circuit layer disposed on a ceramic substrate, joined to a single heat sink at intervals in the surface direction to dissipate heat. A method for manufacturing a board for a power module with a plate, wherein the power module board is heated by pressing a laminated body in which each power module board is placed on the heat sink while being pressed in the laminating direction. And joining the heat radiating plate, and in the joining step, a plurality of upper pressure plates for individually pressing the circuit layer surface of the power module substrate, and pressing the back surface of the heat radiating plate And pressurizing the laminate between the lower pressing plate for the purpose.
本発明によれば、各パワーモジュール用基板と放熱板との接合信頼性を高めることができ、放熱板付パワーモジュール用基板の良好な放熱性能を確保することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the joining reliability of each power module board | substrate and a heat sink can be improved, and the favorable heat dissipation performance of the power module board with a heat sink can be ensured.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
本発明に係る放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法により製造される放熱板付パワーモジュール用基板１００は、図３（ｃ）に示すように、複数のパワーモジュール用基板１０が、一枚の放熱板２０に面方向に間隔をあけて接合されるものである。そして、この放熱板付パワーモジュール用基板１００のパワーモジュール用基板１０の表面に半導体チップ等の電子部品３０が搭載されることにより、パワーモジュールが製造される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 3C, a power module substrate 100 with a heat sink manufactured by the method for manufacturing a power module substrate with a heat sink according to the present invention includes a plurality of power module substrates 10 having a single heat sink. It is joined to 20 at intervals in the surface direction. Then, the power module is manufactured by mounting the electronic component 30 such as a semiconductor chip on the surface of the power module substrate 10 of the power module substrate 100 with a heat sink.
放熱板２０に接合される各パワーモジュール用基板１０は、図３（ｂ）に示すように、例えばセラミックス基板１１と、セラミックス基板１１の一方の面に積層された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面に積層された金属層１３とを備える。
セラミックス基板１１は、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）等の窒化物系セラミックス、もしくはＡｌ２Ｏ３（アルミナ）等の酸化物系セラミックスを用いることができる。また、セラミックス基板１１の厚さは０．２ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲内に設定することができ、本実施形態のセラミックス基板１１は、ＡｌＮからなり、０．６３５ｍｍの厚さとされる。
As shown in FIG. 3B, each power module substrate 10 bonded to the heat sink 20 includes, for example, a ceramic substrate 11, a circuit layer 12 laminated on one surface of the ceramic substrate 11, and the ceramic substrate 11. And a metal layer 13 laminated on the other surface.
For the ceramic substrate 11, for example, nitride ceramics such as AlN (aluminum nitride) and Si 3 N 4 (silicon nitride), or oxide ceramics such as Al 2 O 3 (alumina) can be used. Moreover, the thickness of the ceramic substrate 11 can be set within a range of 0.2 mm to 1.5 mm, and the ceramic substrate 11 of the present embodiment is made of AlN and has a thickness of 0.635 mm.
回路層１２は、アルミニウム又はアルミニウム合金、もしくは銅又は銅合金からなる板材を、セラミックス基板１１に接合することにより形成される。特に１Ｎ９０（純度９９．９質量％以上：いわゆる３Ｎアルミニウム）又は１Ｎ９９（純度９９．９９質量％以上：いわゆる４Ｎアルミニウム）を好適に用いることができる。
また、金属層１３は、アルミニウム又はアルミニウム合金、もしくは銅又は銅合金からなる板材を、セラミックス基板１１に接合することにより形成される。特に純度１Ｎ９９（純度９９．９９質量％以上：いわゆる４Ｎアルミニウム）を好適に用いることができる。
また、回路層１２及び金属層１３の厚さは、０．２ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲内に設定することができ、本実施形態においては、純度が９９．９９質量％以上のアルミニウム（いわゆる４Ｎアルミニウム）の圧延板からなるアルミニウム板により、回路層１２が０．４ｍｍ、金属層１３が０．４ｍｍの厚みに設けられている。
The circuit layer 12 is formed by bonding a plate material made of aluminum or an aluminum alloy, or copper or a copper alloy to the ceramic substrate 11. In particular, 1N90 (purity 99.9% by mass or more: so-called 3N aluminum) or 1N99 (purity 99.99% by mass or more: so-called 4N aluminum) can be suitably used.
The metal layer 13 is formed by bonding a plate material made of aluminum or an aluminum alloy, or copper or a copper alloy to the ceramic substrate 11. In particular, a purity of 1N99 (purity of 99.99% by mass or more: so-called 4N aluminum) can be suitably used.
Moreover, the thickness of the circuit layer 12 and the metal layer 13 can be set in the range of 0.2 mm to 2.0 mm. In the present embodiment, aluminum having a purity of 99.99 mass% or more (so-called 4N An aluminum plate made of a rolled plate of aluminum is provided with a thickness of 0.4 mm for the circuit layer 12 and 0.4 mm for the metal layer 13.
そして、これら回路層１２及び金属層１３とセラミックス基板１１とは、例えばろう付けにより接合される。ろう材としては、Ａｌ‐Ｓｉ系、Ａｌ‐Ｇｅ系、Ａｌ‐Ｃｕ系、Ａｌ‐Ｍｇ系又はＡｌ‐Ｍｎ系等の合金が使用される。 The circuit layer 12, the metal layer 13, and the ceramic substrate 11 are joined by, for example, brazing. As the brazing material, an alloy such as Al-Si, Al-Ge, Al-Cu, Al-Mg, or Al-Mn is used.
なお、パワーモジュールを構成する電子部品３０は、回路層１２の表面に形成されたＮｉめっき（不図示）上に、Ｓｎ‐Ａｇ‐Ｃｕ系、Ｚｎ‐Ａｌ系、Ｓｎ‐Ａｇ系、Ｓｎ‐Ｃｕ系、Ｓｎ‐Ｓｂ系もしくはＰｂ‐Ｓｎ系等のはんだ材を用いて接合される。また、電子部品３０と回路層１２の端子部との間は、アルミニウムからなるボンディングワイヤ（不図示）により接続される。 The electronic component 30 constituting the power module is formed on a Ni plating (not shown) formed on the surface of the circuit layer 12 by using a Sn—Ag—Cu, Zn—Al, Sn—Ag, Sn—Cu. Bonding is performed using a solder material such as Sn, Sn—Sb, or Pb—Sn. The electronic component 30 and the terminal portion of the circuit layer 12 are connected by a bonding wire (not shown) made of aluminum.
また、パワーモジュール用基板１０に接合される放熱板２０は、アルミニウム又はアルミニウム合金、もしくは銅又は銅合金により、厚さが１．０ｍｍ〜１０ｍｍの平板状に形成される。本実施形態の放熱板２０は、無酸素銅からなり、３ｍｍの厚さとされる。また、ここで放熱板２０としては、板状の放熱板、フィンが形成された板状の放熱板などが含まれる。 Moreover, the heat sink 20 joined to the board | substrate 10 for power modules is formed in a flat form with a thickness of 1.0 mm-10 mm with aluminum or aluminum alloy, or copper or copper alloy. The heat sink 20 of the present embodiment is made of oxygen-free copper and has a thickness of 3 mm. Further, the heat radiating plate 20 includes a plate-shaped heat radiating plate, a plate-shaped heat radiating plate on which fins are formed, and the like.
そして、図１及び図２に示す放熱板付パワーモジュール用基板の製造装置５０（以下、単に製造装置という。）は、６個のパワーモジュール用基板１０と一枚の放熱板２０とを接合した放熱板付パワーモジュール用基板１００を製造する際に用いられる。
この製造装置５０は、図１及び図２に示すように、四隅に設けられた支柱５１により支持される天板５２と座板５３との間に、パワーモジュール用基板１０を放熱板２０に重ねた積層体２５をその積層方向に加圧するための加圧手段６０を備える。
天板５２及び座板５３は、それぞれ平板状に設けられ、天板５２が座板５３の上方に互いに平行となるように配置されている。また、各支柱５１は、鉛直方向に延びる柱状に設けられ、両端には螺子が切られている。一方、座板５３には、螺子穴が設けられており、各支柱５１の一端側が座板５３の螺子穴に立設されるとともに、他端側が天板５２を貫通して上方に向かって延びて配置されており、その他端側に、ナット等の締結部材５４が締結されている。そして、この４本の支柱５１により、天板５２が、座板５３と平行状態を維持しながら、支柱５１の延在方向（鉛直方向）にスライド移動可能に設けられている。
And the manufacturing apparatus 50 (henceforth only a manufacturing apparatus) of the board | substrate for power modules with a heat sink shown to FIG.1 and FIG.2 heat-dissipated which joined the board | substrate 10 for six power modules, and the heat sink 20 of 1 sheet. It is used when manufacturing the board | substrate 100 for power modules with a board.
As shown in FIGS. 1 and 2, the manufacturing apparatus 50 is configured such that the power module substrate 10 is stacked on the heat radiating plate 20 between a top plate 52 and a seat plate 53 supported by support columns 51 provided at four corners. A pressurizing means 60 for pressurizing the laminated body 25 in the laminating direction is provided.
The top plate 52 and the seat plate 53 are each provided in a flat plate shape, and the top plate 52 is disposed above the seat plate 53 so as to be parallel to each other. Moreover, each support | pillar 51 is provided in the column shape extended in a perpendicular direction, and the screw is cut at both ends. On the other hand, the seat plate 53 is provided with screw holes, and one end side of each support column 51 is erected in the screw hole of the seat plate 53, and the other end side extends upward through the top plate 52. A fastening member 54 such as a nut is fastened to the other end side. The top plate 52 is provided by the four columns 51 so as to be slidable in the extending direction (vertical direction) of the column 51 while maintaining a parallel state with the seat plate 53.
また、これら天板５２及び座板５３の間に挟まれて配置される加圧手段６０は、パワーモジュール用基板１０の回路層１２表面を個別に押圧するための複数の上側加圧板７０と、放熱板２０背面を押圧するための一枚の下側加圧板８０と、上側加圧板７０に押圧力を付加する付勢手段９０とを有する構成とされる。なお、上側加圧板７０及び付勢手段９０は、図２に示すように、それぞれパワーモジュール用基板１０と同数の６個設けられる。 Further, the pressing means 60 disposed between the top plate 52 and the seat plate 53 includes a plurality of upper pressing plates 70 for individually pressing the surface of the circuit layer 12 of the power module substrate 10; The lower pressure plate 80 for pressing the back surface of the heat radiating plate 20 and the biasing means 90 for applying a pressing force to the upper pressure plate 70 are provided. As shown in FIG. 2, the upper pressure plate 70 and the urging means 90 are provided in the same number of six as the power module substrate 10.
上側加圧板７０及び下側加圧板８０は、それぞれ耐熱性を有する硬質のカーボン層により平板状に形成される。そして、この上側加圧板７０及び下側加圧板８０に、クッション性を有する軟質のグラファイト層７１，８１が積層されるとともに、そのグラファイト層７１，８１に、上側加圧板７０及び下側加圧板８０を構成するカーボン層よりも厚さの薄い薄肉カーボン層７２，８２が積層され、上側加圧板７０及び下側加圧板８０を構成するカーボン層と薄肉カーボン層７２，８２との間にグラファイト層７１，８１を積層して、平板状に設けられている。 The upper pressure plate 70 and the lower pressure plate 80 are each formed in a flat plate shape by a hard carbon layer having heat resistance. Soft graphite layers 71 and 81 having cushioning properties are laminated on the upper pressure plate 70 and the lower pressure plate 80, and the upper pressure plate 70 and the lower pressure plate 80 are formed on the graphite layers 71 and 81. Thin carbon layers 72 and 82 having a thickness smaller than that of the carbon layer constituting the upper pressure plate 70 and the lower pressure plate 80 and the thin carbon layers 72 and 82 are laminated. , 81 are provided in a flat plate shape.
このグラファイト層７１，８１は、鱗片状のグラファイト薄膜が雲母のように複数積層されて構成されたものであり、天然黒鉛を酸処理した後にシート状に成形してロール圧延してなるものである。一方、上側加圧板７０及び下側加圧板８０を構成するカーボン層と薄肉カーボン層７２，８２は、カーボン板によって構成されており、３０００℃程度の高温で焼成したものである。そして、グラファイト層７１，８１は、かさ密度が０．５Ｍｇ／ｍ３以上１．３Ｍｇ／ｍ３以下で軟質であるが、上側加圧板７０及び下側加圧板８０を構成するカーボン層と薄肉カーボン層７２，８２は、かさ密度が１．６Ｍｇ／ｍ３以上１．９Ｍｇ／ｍ３以下の比較的硬質で平滑な平面に形成される。 The graphite layers 71 and 81 are formed by laminating a plurality of scaly graphite thin films like mica, and are formed by rolling natural graphite into a sheet shape after acid treatment. . On the other hand, the carbon layer and the thin carbon layers 72 and 82 constituting the upper pressure plate 70 and the lower pressure plate 80 are made of carbon plates and fired at a high temperature of about 3000 ° C. Then, the graphite layer 71 and 81, but the bulk density is soft and 0.5Mg / m 3 or more 1.3 mg / m 3 or less, a carbon layer and a thin carbon constituting the upper pressure plate 70 and the lower pressing plate 80 The layers 72 and 82 are formed on a relatively hard and smooth plane having a bulk density of 1.6 Mg / m 3 or more and 1.9 Mg / m 3 or less.
なお、上側加圧板７０及び下側加圧板８０を構成するカーボン層と薄肉カーボン層７２，８２とを構成するカーボン板には、例えば、旭グラファイト株式会社製Ｇ‐３４７（熱伝導率：１１６Ｗ／ｍＫ、弾性率：１０．８ＧＰａ）を用いることができる。
また、グラファイト層７１，８１には、例えば旭グラファイト株式会社製Ｔ‐５（熱伝導率：７５．４Ｗ／ｍＫ、弾性率：１１．４ＧＰａ）や、東洋炭素工業株式会社製黒鉛シートＰＦ（圧縮率４７％、復元率１４％）などを用いることができる。
For example, G-347 manufactured by Asahi Graphite Co., Ltd. (thermal conductivity: 116 W / in) is used as the carbon plate constituting the carbon layer constituting the upper pressure plate 70 and the lower pressure plate 80 and the thin carbon layers 72 and 82. mK, elastic modulus: 10.8 GPa) can be used.
The graphite layers 71 and 81 include, for example, T-5 (thermal conductivity: 75.4 W / mK, elastic modulus: 11.4 GPa) manufactured by Asahi Graphite Co., Ltd. and graphite sheet PF (compressed) manufactured by Toyo Carbon Industry Co., Ltd. 47%, restoration rate 14%), etc. can be used.
また、下側加圧板７０及び下側加圧板８０の厚さは、例えば５ｍｍ以上（本実施例では２０ｍｍ）に設けられ、パワーモジュール用基板１０を放熱板２０に重ねた積層体２５を加圧するために十分な厚さに設定される。一方、グラファイト層７１，８１は、個々のパワーモジュール用基板１０や放熱板２０の形状の違いを吸収して圧力を均一にすることを目的とするから、その厚さは比較的薄く設けられ、例えば０．２ｍｍ以上４．０ｍｍ（本実施形態では１ｍｍ）とされる。
また、薄肉カーボン層７２，８２は、グラファイト層７１，８１とパワーモジュール用基板１０とが直接接触することを避けるために設けられるので、その厚さは下側加圧板７０及び下側加圧板８０よりも薄く、例えば０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下（本実施形態では１ｍｍ）とされる。
Moreover, the thickness of the lower pressure plate 70 and the lower pressure plate 80 is, for example, 5 mm or more (20 mm in this embodiment), and pressurizes the laminate 25 in which the power module substrate 10 is stacked on the heat dissipation plate 20. Therefore, it is set to a sufficient thickness. On the other hand, the graphite layers 71 and 81 are intended to make the pressure uniform by absorbing differences in the shapes of the individual power module substrates 10 and the heat radiating plates 20, so that the thicknesses thereof are provided relatively thin. For example, it is set to 0.2 mm or more and 4.0 mm (1 mm in this embodiment).
Further, since the thin carbon layers 72 and 82 are provided in order to avoid direct contact between the graphite layers 71 and 81 and the power module substrate 10, the thicknesses thereof are the lower pressure plate 70 and the lower pressure plate 80. For example, it is 0.5 mm or more and 5.0 mm or less (1 mm in this embodiment).
また、本実施形態の製造装置５０においては、付勢手段９０として圧縮コイルバネ９１を用いており、各圧縮コイルバネ９１は、その伸張方向を上下方向に向けて、上側加圧板７０と天板５２との間に介装されている。具体的には、各圧縮コイルバネ９１は、そのコイル内径側に挿通して設けられる２本のガイド軸９２により、伸張方向が案内されるようになっている。そして、各ガイド軸９２の一端側（下端側）は、天板５２と平行となるように配置されたばね受け皿９３に固定され、他端側（上端側）は、天板５２を貫通して上方に向かって延びて配置されており、その天板５２から突出した一端部にナット等の締結部材９４が締結されている。このように、ばね受け皿９３は、天板５２との平行状態を維持しながら、ガイド軸９２の延在方向、すなわち、圧縮コイルバネ９１の伸張方向にスライド可能に設けられている。そして、この圧縮コイルバネ９１と支柱５１に設けられる締結部材５４との締め付けによって、上側加圧板７０への加圧力が調整され、パワーモジュール用基板１０と放熱板２０との積層体２５を所定の圧力で加圧できるようになっている。 Moreover, in the manufacturing apparatus 50 of this embodiment, the compression coil spring 91 is used as the urging means 90, and each compression coil spring 91 has the upper pressurizing plate 70, the top plate 52, and the extension direction thereof in the vertical direction. It is intervened between. Specifically, each compression coil spring 91 is guided in the extending direction by two guide shafts 92 provided so as to be inserted into the inner diameter side of the coil. Then, one end side (lower end side) of each guide shaft 92 is fixed to a spring tray 93 arranged so as to be parallel to the top plate 52, and the other end side (upper end side) passes through the top plate 52 and extends upward. A fastening member 94 such as a nut is fastened to one end protruding from the top plate 52. As described above, the spring tray 93 is provided so as to be slidable in the extending direction of the guide shaft 92, that is, in the extending direction of the compression coil spring 91 while maintaining a parallel state with the top plate 52. Then, the pressure applied to the upper pressure plate 70 is adjusted by tightening the compression coil spring 91 and the fastening member 54 provided on the support column 51, and the laminate 25 of the power module substrate 10 and the heat radiating plate 20 is applied to a predetermined pressure. It can be pressurized with.
ここで、本実施形態においては、付勢手段９０を構成する圧縮コイルバネ９１は、カーボンコンポジットを材料として形成される。このカーボンコンポジットは、線膨張係数が小さく、その値は、０．３×１０−６／Ｋとされる。
また、本実施形態においては、支柱５１、天板５２、座板５３、締結部材５４、ガイド軸９２、ばね受け皿９３等の各部材も、圧縮コイルバネ９１と同様にカーボンコンポジットから形成される。なお、これらの各部材の全てが必ずしもカーボンコンポジットから形成されている必要はなく、これらの各部材のうち少なくとも一つがカーボンコンポジットから形成されているものであってもよい。
Here, in the present embodiment, the compression coil spring 91 that constitutes the urging means 90 is formed using a carbon composite material. This carbon composite has a small linear expansion coefficient, and its value is 0.3 × 10 −6 / K.
Further, in the present embodiment, each member such as the support column 51, the top plate 52, the seat plate 53, the fastening member 54, the guide shaft 92, and the spring tray 93 is also formed from a carbon composite like the compression coil spring 91. All of these members do not necessarily need to be formed from a carbon composite, and at least one of these members may be formed from a carbon composite.
次に、製造装置５０によって、６個のパワーモジュール用基板１０と、一枚の放熱板２０とを接合して、放熱板付パワーモジュール用基板１００を製造する方法について順を追って説明する。
まず、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、回路層１２及び金属層１３として、それぞれ９９．９９質量％以上の純アルミニウム圧延板を準備し、これらの純アルミニウム圧延板を、セラミックス基板１１の一方の面及び他方の面にそれぞれろう材１８を介して積層し、加圧・加熱することによって、セラミックス基板１１の一方の面及び他方の面に純アルミニウム圧延板が接合されたパワーモジュール用基板１０を製造する。なお、このろう付け温度は、６００℃〜６５５℃に設定される。
Next, a method of manufacturing the power module substrate 100 with a heat sink by joining the six power module substrates 10 and the single heat sink 20 with the manufacturing apparatus 50 will be described in order.
First, as shown in FIGS. 3A and 3B, pure aluminum rolled sheets of 99.99% by mass or more are prepared as the circuit layer 12 and the metal layer 13, respectively. Power obtained by laminating a brazing material 18 on one surface and the other surface of the substrate 11, pressing and heating, and joining a pure aluminum rolled plate to one surface and the other surface of the ceramic substrate 11. The module substrate 10 is manufactured. In addition, this brazing temperature is set to 600 degreeC-655 degreeC.
そして、このように構成されたパワーモジュール用基板１０を放熱板２０に接合するには、図１に示すように、製造装置５０を用いて、下側加圧板８０と上側加圧板７０との間に、パワーモジュール用基板１０と放熱板２０との積層体２５を配置する。
具体的には、まず、各パワーモジュール用基板１０と放熱板２０とをポリエチレングリコール（ＰＥＧ）等の仮止め材（図示略）により仮止めした積層体２５を作製する。この際、各パワーモジュール用基板１０を、一枚の放熱板２０の面方向に間隔をあけて載置し、パワーモジュール用基板１０を放熱板２０上に位置決めする。そして、この積層体２５を下側加圧板８０の上に載置し、各パワーモジュール用基板１０上に、個々の上側加圧板７０を接触させて、下側加圧板８０とそれぞれの上側加圧板７０とによって積層体２５を挟持する。そして、天板５２を下方に変位させ、圧縮コイルバネ９１を圧縮することにより、積層体２５に加圧力を付加する。また、このように圧縮コイルバネ９１を圧縮した状態で、締結部材５４を支柱５１に締結することで、天板５２の上方向への移動を制限する。これにより、圧縮コイルバネ９１（付勢手段９０）の付勢力を加圧力として、積層体２５はその積層方向に加圧された状態に保持される。
And in order to join the board | substrate 10 for power modules comprised in this way to the heat sink 20, between the lower pressurization plate 80 and the upper pressurization plate 70 using the manufacturing apparatus 50, as shown in FIG. In addition, a laminate 25 of the power module substrate 10 and the heat sink 20 is disposed.
Specifically, first, a laminate 25 in which each power module substrate 10 and the heat sink 20 are temporarily fixed with a temporary fixing material (not shown) such as polyethylene glycol (PEG) is manufactured. At this time, the power module substrates 10 are placed at intervals in the surface direction of the single heat sink 20, and the power module substrate 10 is positioned on the heat sink 20. And this laminated body 25 is mounted on the lower side pressurization board 80, and each upper pressurization board 70 is made to contact on each power module board | substrate 10, and the lower pressurization board 80 and each upper pressurization board are contacted. 70 to sandwich the laminate 25. Then, the top plate 52 is displaced downward, and the compression coil spring 91 is compressed, thereby applying pressure to the laminate 25. In addition, the upward movement of the top plate 52 is restricted by fastening the fastening member 54 to the support column 51 in a state where the compression coil spring 91 is compressed in this way. Thereby, the laminated body 25 is held in a state of being pressurized in the laminating direction using the urging force of the compression coil spring 91 (the urging means 90) as a pressing force.
そして、このように積層体２５を積層方向に加圧した状態で、真空雰囲気下で銅とアルミニウムの共晶温度未満で加熱することにより、各パワーモジュール用基板１０の金属層１３と放熱板２０とを、銅とアルミニウムとを相互に拡散させて固相拡散接合により接合する。この場合の加圧力としては、例えば、０．２９ＭＰａ以上３．４３ＭＰａ以下とされ、加熱温度としては４００℃以上５４８℃未満とされ、この加圧及び加熱状態を５分以上２４０分以下の間で保持することにより、各パワーモジュール用基板１０の金属層１３と放熱板２０とが固相拡散接合され、図３（ｃ）に示すように、放熱板付パワーモジュール用基板１００が得られる。なお、仮止め材は、加熱の初期の段階で分解されて消失する。 And in the state which pressed the laminated body 25 in the lamination direction in this way, by heating below the eutectic temperature of copper and aluminum in a vacuum atmosphere, the metal layer 13 of each power module substrate 10 and the heat sink 20 Are bonded to each other by solid phase diffusion bonding with copper and aluminum diffused to each other. The applied pressure in this case is, for example, 0.29 MPa or more and 3.43 MPa or less, the heating temperature is 400 ° C. or more and less than 548 ° C., and this pressurization and heating state is between 5 minutes and 240 minutes or less. By holding, the metal layer 13 and the heat sink 20 of each power module substrate 10 are solid phase diffusion bonded, and as shown in FIG. 3C, the power module substrate 100 with heat sink is obtained. The temporary fixing material is decomposed and disappears in the initial stage of heating.
なお、本実施形態においては、各パワーモジュール用基板１０の金属層１３と放熱板２０の、それぞれの接合面は、予め傷が除去されて平滑にされた後に固相拡散接合される。また、固相拡散接合における真空加熱の好ましい加熱温度は、アルミニウムと銅の共晶温度−５℃以上、共晶温度未満の範囲とされる。 In the present embodiment, the bonding surfaces of the metal layer 13 and the heat sink 20 of each power module substrate 10 are solid-phase diffusion bonded after scratches are removed and smoothed in advance. Moreover, the preferable heating temperature of the vacuum heating in the solid phase diffusion bonding is set to a range between the eutectic temperature of aluminum and copper of −5 ° C. or higher and lower than the eutectic temperature.
このように、本実施形態の放熱板パワーモジュール用基板の製造装置及び製造方法においては、複数設けられるパワーモジュール用基板１０ごとに押圧するための上側加圧板７０を複数備える構成としている。これにより、個々のパワーモジュール用基板１０が有する細かな形状の違いや、放熱板２０の表面形状の違い等を、それぞれに備えられた上側加圧板７０により吸収して、各パワーモジュール用基板１０と放熱板２０との密着性を良好に保持することができる。また、上側加圧板７０及び下側加圧板８０を十分な厚さを有する硬質のカーボン層により形成するとともに、そのカーボン層にクッション性を有する軟質のグラファイト層７１，８１を積層して設けているので、個々のパワーモジュール用基板１０や放熱板２０の表面に対して、圧力を均一にして加圧することができる。このため、複数設けられたパワーモジュール用基板１０を、放熱板２０に良好な接合状態で接合することができる。したがって、このようにして製造される放熱板付パワーモジュール用基板１００においては、各パワーモジュール用基板１０と放熱板２０との接合信頼性を高めることができ、良好な放熱性能を確保することができる。 Thus, in the manufacturing apparatus and manufacturing method of the board | substrate for heat sink power modules of this embodiment, it is set as the structure provided with two or more upper side pressure plates 70 for pressing for every board | substrate 10 for power modules provided with two or more. Thereby, the difference in the fine shape which each power module board | substrate 10 has, the difference in the surface shape of the heat sink 20, etc. are absorbed by the upper side pressure plate 70 provided for each, and each power module board | substrate 10 is absorbed. And the heat dissipation plate 20 can be kept in good adhesion. The upper pressure plate 70 and the lower pressure plate 80 are formed of a hard carbon layer having a sufficient thickness, and soft graphite layers 71 and 81 having cushioning properties are laminated on the carbon layer. Therefore, it is possible to apply a uniform pressure to the surface of each power module substrate 10 and the heat radiating plate 20. For this reason, the plurality of power module substrates 10 provided can be bonded to the heat sink 20 in a good bonded state. Therefore, in the power module substrate 100 with a heat sink manufactured in this way, the bonding reliability between each power module substrate 10 and the heat sink 20 can be improved, and good heat dissipation performance can be ensured. .
図４は、本発明の第２実施形態の放熱板付パワーモジュール用基板の製造装置２５０を示している。
図１に示す第１実施形態の製造装置５０では、各上側加圧板７０は、それぞれが独立して設けられていたが、第２実施形態の製造装置２５０では、図４に示すように、上側加圧板７０に積層されるグラファイト層７１Ａが、上側加圧板７０に跨って連結された一枚のシート状に設けられる。これにより、複数の上側加圧板７０が、グラファイト層７１Ａによって連結された状態とされる。
なお、第２実施形態の製造装置２５０において、グラファイト層７１Ａ以外の他の構成要素は第１実施形態の製造装置５０と同じものが用いられているので、各図において、第１実施形態と共通要素には同一符号を付して説明を省略する。
FIG. 4 shows a power module substrate manufacturing apparatus 250 according to the second embodiment of the present invention.
In the manufacturing apparatus 50 of the first embodiment shown in FIG. 1, each upper pressure plate 70 is provided independently, but in the manufacturing apparatus 250 of the second embodiment, as shown in FIG. The graphite layer 71 </ b> A laminated on the pressure plate 70 is provided in a single sheet shape connected across the upper pressure plate 70. Thus, the plurality of upper pressure plates 70 are connected by the graphite layer 71A.
Note that in the manufacturing apparatus 250 of the second embodiment, the same constituent elements as those of the manufacturing apparatus 50 of the first embodiment are used except for the graphite layer 71A. Elements are given the same reference numerals and description thereof is omitted.
次に、この製造装置２５０によって、６個のパワーモジュール用基板１０と、一枚の放熱板２０とを接合して、放熱板付パワーモジュール用基板１００を製造する方法について説明する。
まず、第１実施形態と同様に、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、回路層１２及び金属層１３として、セラミックス基板１１の一方の面及び他方の面に純アルミニウム圧延板が接合されたパワーモジュール用基板１０を製造する。
Next, a method for manufacturing the power module substrate 100 with a heat sink by joining the six power module substrates 10 and the single heat sink 20 with the manufacturing apparatus 250 will be described.
First, as in the first embodiment, as shown in FIGS. 3A and 3B, a pure aluminum rolled sheet is formed on one surface and the other surface of the ceramic substrate 11 as the circuit layer 12 and the metal layer 13. The bonded power module substrate 10 is manufactured.
次に、図４に示す製造装置２５０の下側加圧板８０と上側加圧板７０との間に、パワーモジュール用基板１０と放熱板２０とを仮止めした積層体２５を配置し、積層体２５を積層方向に加圧しながら加熱することにより、パワーモジュール用基板１０と放熱板２０とを接合して、図３（ｃ）に示すように、放熱板付パワーモジュール用基板１００を製造する。 Next, a laminate 25 in which the power module substrate 10 and the heat sink 20 are temporarily fixed is disposed between the lower pressure plate 80 and the upper pressure plate 70 of the manufacturing apparatus 250 illustrated in FIG. Is heated in the laminating direction to join the power module substrate 10 and the heat sink 20 to produce a power module substrate 100 with a heat sink as shown in FIG.
この際、各上側加圧板７０は、それぞれに個別に設けられた圧縮コイルバネ９１からなる付勢手段９０によって積層体２５に押圧力を付加する構成とされていることから、加圧時や加熱時において付勢手段９０が動くと、各上側加圧板７０はその影響を受け易い。ところが、製造装置２５０では、クッション性を有するグラファイト層７１Ａを、複数の上側加圧板７５に跨って連結した一枚のシート状に設けることで、このグラファイト層７１の両側に配置された上側加圧板７０及び薄肉カーボン層７２を沈み込ませて動きを拘束することができる。これにより、付勢手段９０が動くことによって、上側加圧板７０が動くことを防止でき、付勢手段９０の動きに起因する放熱板２０に対する各パワーモジュール用基板１０の位置ずれを防止することができる。
なお、複数の上側加圧板７０が一枚のグラファイト層７１Ａによって連結された状態とされているが、グラファイト層７１Ａは軟質であるので、加圧時のパワーモジュール用基板１０相互間のばらつきを吸収するために必要となる各上側加圧板７０のわずかな相対移動は許容される。
At this time, each upper pressure plate 70 is configured to apply a pressing force to the laminated body 25 by the urging means 90 composed of the compression coil springs 91 provided individually. When the urging means 90 moves, each upper pressure plate 70 is easily affected. However, in the manufacturing apparatus 250, the upper pressure plate disposed on both sides of the graphite layer 71 is provided by providing the graphite layer 71 </ b> A having cushioning properties in a single sheet connected across the plurality of upper pressure plates 75. 70 and the thin carbon layer 72 can be subducted to restrain movement. Thereby, it is possible to prevent the upper pressure plate 70 from moving due to the movement of the urging means 90, and to prevent the displacement of each power module substrate 10 with respect to the heat sink 20 due to the movement of the urging means 90. it can.
Although the plurality of upper pressure plates 70 are connected by a single graphite layer 71A, the graphite layer 71A is soft and absorbs variations among the power module substrates 10 during pressing. A slight relative movement of each upper pressure plate 70 required for this is allowed.
このように、第２実施形態の放熱板パワーモジュール用基板の製造装置２５０及び製造方法においても、複数設けられるパワーモジュール用基板１０ごとに押圧するための上側加圧板７０を複数備える構成としており、各パワーモジュール用基板１０と放熱板２０との密着性を良好に保持することができる。また、クッション性を有するグラファイト層７１Ａを、複数の上側加圧板７０に跨って連結した一枚のシート状に設けているので、付勢手段９０が動くことにより生じる放熱板２０に対する各パワーモジュール用基板１０の位置ずれを防止することができる。さらに、グラファイト層７１Ａにより各上側加圧板７５を一体に取り扱うことが可能となるので、作業性を向上させることもできる。
したがって、このようにして製造される放熱板付パワーモジュール用基板１００においては、各パワーモジュール用基板１０と放熱板２０との接合信頼性を高めることができ、良好な放熱性能を確保することができるとともに、パワーモジュール用基板１０の位置精度を向上させることができる。
As described above, the heat sink power module substrate manufacturing apparatus 250 and the manufacturing method according to the second embodiment also include a plurality of upper pressure plates 70 for pressing each of the power module substrates 10 provided. Adhesiveness between each power module substrate 10 and the heat sink 20 can be satisfactorily maintained. Moreover, since the graphite layer 71A having cushioning properties is provided in a single sheet connected across the plurality of upper pressure plates 70, each power module for the heat sink 20 generated by the urging means 90 moving. The positional deviation of the substrate 10 can be prevented. Furthermore, since the upper pressure plates 75 can be handled integrally by the graphite layer 71A, workability can be improved.
Therefore, in the power module substrate 100 with a heat sink manufactured in this way, the bonding reliability between each power module substrate 10 and the heat sink 20 can be improved, and good heat dissipation performance can be ensured. At the same time, the positional accuracy of the power module substrate 10 can be improved.
次に、本発明の効果を確認するために、放熱板付パワーモジュール用基板を作製し、放熱板とパワーモジュール用基板との接合評価と、放熱板に対するパワーモジュール用基板の位置ずれの評価を行った。
放熱板付パワーモジュール用基板を構成するパワーモジュール用基板は、厚み０．６３５ｍｍのＡｌＮからなるセラミックス基板と、厚み０．６ｍｍの純度９９．９９質量％以上のアルミニウム（４Ｎ‐Ａｌ）からなる回路層及び金属層とを、Ａｌ‐Ｓｉ系ろう材によりろう付けしたものを用いた。また、放熱板は、厚み３．０ｍｍの無酸素銅を用いた。なお、各部材のそれぞれの平面サイズは、セラミックス基板が３０．７ｍｍ×４３ｍｍ、回路層及び金属層が２６．７ｍｍ×４３ｍｍ、放熱板が１６５ｍｍ×１４４ｍｍとされるものを用いた。
Next, in order to confirm the effect of the present invention, a power module substrate with a heat sink is manufactured, and a joint evaluation between the heat sink and the power module substrate is performed, and a positional deviation of the power module substrate with respect to the heat sink is evaluated. It was.
The power module substrate constituting the power module substrate with a heat sink is a ceramic substrate made of AlN having a thickness of 0.635 mm and a circuit layer made of aluminum (4N-Al) having a thickness of 0.6mm and a purity of 99.99% by mass or more. And a metal layer brazed with an Al-Si brazing material. Moreover, the heat sink used the oxygen-free copper of thickness 3.0mm. The planar size of each member used was a ceramic substrate of 30.7 mm × 43 mm, a circuit layer and a metal layer of 26.7 mm × 43 mm, and a heat dissipation plate of 165 mm × 144 mm.
（接合の評価）
放熱板と２個のパワーモジュール用基板とを、図１に示す第１実施形態の製造装置５０を用いて接合し、放熱板付パワーモジュール用基板の試料を作製した。また、従来例として、図５に示す製造装置３００を用いて、放熱板付パワーモジュール用基板の試料を作製した。製造装置３００では、上側加圧板７０Ｂを、下側加圧板８０と同様に一枚で構成しており、対となるこれら上側加圧板７０Ｂと下側加圧板８０とにより、パワーモジュール用基板と放熱板との積層体を挟持して加圧する構成とされる。また、上側加圧板７０Ｂに積層されるグラファイト層７１Ｂ及び薄肉カーボン層７２Ｂも、下側加圧板８０と同様に一枚で構成される。
そして、得られた放熱板付パワーモジュール用基板に対し、パワーモジュール用基板と放熱板との界面（金属層と放熱板との界面）の接合状態を、超音波探傷装置を用いて観察した。
(Evaluation of bonding)
The heat sink and the two power module substrates were joined using the manufacturing apparatus 50 of the first embodiment shown in FIG. 1 to prepare a sample of the power module substrate with a heat sink. Further, as a conventional example, a sample of a power module substrate with a heat sink was manufactured using a manufacturing apparatus 300 shown in FIG. In the manufacturing apparatus 300, the upper pressure plate 70 </ b> B is configured as a single piece like the lower pressure plate 80, and the upper pressure plate 70 </ b> B and the lower pressure plate 80 that form a pair form a power module substrate and heat dissipation. It is set as the structure which clamps and pressurizes the laminated body with a board. Further, the graphite layer 71B and the thin carbon layer 72B laminated on the upper pressure plate 70B are also formed of a single sheet, like the lower pressure plate 80.
And the joining state of the interface (interface of a metal layer and a heat sink) of the board | substrate for power modules and a heat sink with respect to the obtained power module board with a heat sink was observed using the ultrasonic flaw detector.
図６に放熱板付パワーモジュール用基板の金属層と放熱板との界面検査画像を示す。また、図６（ａ）が製造装置５０を用いて製造された実施例の放熱板付パワーモジュール用基板の金属層と放熱板との界面検査画像であり、図６（ｂ）が製造装置３００を用いて製造された従来例の放熱板付パワーモジュール用基板の金属層と放熱板との界面検査画像である。そして、これらの界面検査画像は、いずれも放熱板上に２個接合されたパワーモジュール用基板と放熱板との要部の画像である。また、界面検査画像において、非接合部は白色部で示される。 FIG. 6 shows an interface inspection image between the metal layer of the power module substrate with a heat sink and the heat sink. 6A is an interface inspection image between the metal layer and the heat sink of the power module substrate with a heat sink of the embodiment manufactured by using the manufacturing apparatus 50, and FIG. It is an interface test | inspection image of the metal layer and heat sink of the board | substrate for power modules with a heat sink of the prior art example manufactured using. Each of these interface inspection images is an image of a main part of the power module substrate and the heat radiating plate bonded together on the heat radiating plate. In the interface inspection image, the non-joined part is indicated by a white part.
図６（ｂ）からわかるように、従来例の放熱板付パワーモジュール用基板においては、２個のパワーモジュール用基板の両方に非接合部が確認された。一方、図６（ａ）に示す実施例の放熱板付パワーモジュール用基板においては、非接合部が殆ど生じることなく、２個のパワーモジュール用基板を良好に接合できることが確認できた。 As can be seen from FIG. 6B, in the conventional power module substrate with a heat sink, non-bonded portions were confirmed on both of the two power module substrates. On the other hand, in the power module substrate with a heat sink of the example shown in FIG. 6A, it was confirmed that the two power module substrates could be satisfactorily bonded with almost no non-bonded portion.
（位置ずれ評価）
まず、放熱板に６個のパワーモジュール用基板を仮止めした積層体を作製し、この仮止め段階での放熱板に対する各パワーモジュール用基板の固定位置を、顕微鏡画像を用いて測定した。次に、これらパワーモジュール用基板と放熱板との積層体を、図１に示す第１実施形態の製造装置５０と、図４に示す第２実施形態の製造装置２５０とを用いて接合し、放熱板付パワーモジュール用基板の試料を作製した。なお、第１実施形態の製造装置５０及び第２実施形態の製造装置２５０のそれぞれについて、４２個の放熱板付パワーモジュール用基板を作製した。そして、得られた放熱板付パワーモジュール用基板について、接合後の放熱板に対する各パワーモジュール用基板の固定位置を顕微鏡画像により測定し、パワーモジュール用基板の仮止め段階からの位置ずれ（位置精度）を評価した。
(Position evaluation)
First, a laminate in which six power module substrates were temporarily fixed to a heat dissipation plate was manufactured, and the fixing position of each power module substrate with respect to the heat dissipation plate at the temporary fixing stage was measured using a microscope image. Next, the laminate of the power module substrate and the heat sink is bonded using the manufacturing apparatus 50 of the first embodiment shown in FIG. 1 and the manufacturing apparatus 250 of the second embodiment shown in FIG. A sample of a power module substrate with a heat sink was prepared. For each of the manufacturing apparatus 50 of the first embodiment and the manufacturing apparatus 250 of the second embodiment, 42 power module substrates with heat sinks were produced. And about the obtained power module board with a heat sink, the fixing position of each power module board with respect to the heat sink after joining is measured by a microscopic image, and the position shift (positional accuracy) from the temporary fixing stage of the power module board Evaluated.
図７に結果を示す。また、図７（ａ）が図１に示す第１実施形態の製造装置５０を用いて作製した放熱板付パワーモジュール用基板の結果であり、図７（ｂ）が図４に示す第２実施形態の製造装置２５０を用いて作製した放熱板付パワーモジュール用基板の結果である。 The results are shown in FIG. Moreover, Fig.7 (a) is a result of the board | substrate for power modules with a heat sink produced using the manufacturing apparatus 50 of 1st Embodiment shown in FIG. 1, FIG.7 (b) is 2nd Embodiment shown in FIG. It is a result of the board | substrate for power modules with a heat sink produced using the manufacturing apparatus 250 of.
図７（ａ）及び（ｂ）からわかるように、上側加圧板に積層するグラファイト層を、複数の上側加圧板に跨ってシート状に設けた第２実施形態の製造装置２５０（図７（ｂ））では、グラファイト層を個別に設けた第１実施形態の製造装置５０の場合（図７（ａ））と比べて、パワーモジュール用基板の位置ずれを小さくすることができ、さらに位置ずれのばらつきを小さくすることができる。 As can be seen from FIGS. 7A and 7B, the manufacturing apparatus 250 (FIG. 7B) in which the graphite layer laminated on the upper pressure plate is provided in a sheet shape across the plurality of upper pressure plates. )), The positional deviation of the power module substrate can be reduced as compared with the case of the manufacturing apparatus 50 according to the first embodiment in which the graphite layers are individually provided (FIG. 7A). Variation can be reduced.
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、前述の実施形態では、一枚の放熱板に６個のパワーモジュール用基板を接合する構成としたが、パワーモジュール用基板の搭載数はこれに限定されるものではない。パワーモジュール用基板が複数搭載される放熱板付パワーモジュール用基板において、パワーモジュール用基板と同数の上側加圧板を備える構成とすることができる。
また、上記実施形態では、回路層及び金属層が設けられたパワーモジュール用基板を用いたが、これに限らず、回路層のみを有するパワーモジュール用基板を用いることもできる。この場合、セラミックス基板と放熱板とが接合されることとなる。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, in the above-described embodiment, six power module substrates are bonded to one heat radiating plate, but the number of power module substrates to be mounted is not limited thereto. In the power module substrate with a heat dissipation plate on which a plurality of power module substrates are mounted, the same number of upper pressure plates as the power module substrate can be provided.
Moreover, in the said embodiment, although the board | substrate for power modules provided with the circuit layer and the metal layer was used, not only this but the board | substrate for power modules which has only a circuit layer can also be used. In this case, the ceramic substrate and the heat sink are joined.
また、前述の実施形態では、パワーモジュール用基板１０と放熱板２０とを固相拡散接合により接合して放熱板付パワーモジュール用基板１００を製造する方法について説明したが、本発明の製造装置及び製造方法は、固相拡散接合以外のろう付け等の他の接合方法にも採用されるものである。すなわち、他の接合方法においても、接合時に加圧を必要とする場合に、本発明の放熱板付パワーモジュール用基板の製造装置及び製造方法を好適に用いることができる。 In the above-described embodiment, the method for manufacturing the power module substrate 100 with a heat sink by joining the power module substrate 10 and the heat sink 20 by solid phase diffusion bonding has been described. The method is also employed for other bonding methods such as brazing other than solid phase diffusion bonding. That is, also in other joining methods, when pressure is required at the time of joining, the manufacturing apparatus and the manufacturing method for the power module substrate with a heat sink of the present invention can be suitably used.
１０ パワーモジュール用基板
１１ セラミックス基板
１２ 回路層
１３ 金属層
１８ ろう材
２０ 放熱板
２５ 積層体
３０ 電子部品
５０，２５０，３００ 放熱板付パワーモジュール用基板の製造装置
５１ 支柱
５２ 天板
５３ 座板
５４ 締結部材
６０ 加圧手段
７０ 上側加圧板
７１，７１Ａ，７１Ｂ グラファイト層
７２ 薄肉カーボン層
８０ 下側加圧板
８１ グラファイト層
８２ 薄肉カーボン層
９０ 付勢手段
９１ 圧縮コイルバネ
９２ ガイド軸
９３ ばね受け皿
９４ 締結部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Power module substrate 11 Ceramic substrate 12 Circuit layer 13 Metal layer 18 Brazing material 20 Heat sink 25 Laminate 30 Electronic component 50, 250, 300 Manufacturing apparatus 51 for power module with heat sink 51 Support 52 Top plate 53 Seat plate 54 Member 60 Pressure means 70 Upper pressure plates 71, 71A, 71B Graphite layer 72 Thin carbon layer 80 Lower pressure plate 81 Graphite layer 82 Thin carbon layer 90 Energizing means 91 Compression coil spring 92 Guide shaft 93 Spring tray 94 Fastening member
Claims (4)
複数の前記パワーモジュール用基板を前記放熱板に重ねて配置した積層体を、その積層方向に加圧する加圧手段を備え、
前記加圧手段は、前記パワーモジュール用基板の前記回路層表面を個別に押圧するための複数の上側加圧板と、前記放熱板背面を押圧するための一枚の下側加圧板と、前記上側加圧板に押圧力を付加する付勢手段とを有することを特徴とする放熱板付パワーモジュール用基板の製造装置。 A plurality of power module substrates, each of which has a circuit layer disposed on a ceramic substrate, are laminated on a single radiator plate with a space in the plane direction, and heated by applying pressure in the lamination direction to dissipate heat. An apparatus for manufacturing a power module substrate with a plate,
A pressurizing means for pressurizing a laminated body in which a plurality of power module substrates are arranged on the heat sink in the laminating direction;
The pressure means includes a plurality of upper pressure plates for individually pressing the circuit layer surface of the power module substrate, a single lower pressure plate for pressing the back surface of the heat sink, and the upper side. An apparatus for manufacturing a power module substrate with a heat radiating plate, comprising: an urging unit that applies a pressing force to the pressure plate.
各パワーモジュール用基板を前記放熱板に重ねて配置した積層体を、その積層方向に加圧しながら加熱することにより、前記パワーモジュール用基板と前記放熱板とを接合する接合工程を有し、
前記接合工程において、前記パワーモジュール用基板の前記回路層表面を個別に押圧するための複数の上側加圧板と、前記放熱板背面を押圧するための一枚の下側加圧板との間に前記積層体を挟んで加圧することを特徴とする放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法。 A method for manufacturing a power module substrate with a heat sink by joining a plurality of power module substrates each having a circuit layer disposed on a ceramic substrate to a single heat sink at an interval in a plane direction. ,
A heating process is performed by pressing the power module substrate in a stacking direction by laminating each power module substrate on the heat dissipation plate, thereby joining the power module substrate and the heat dissipation plate.
In the joining step, the plurality of upper pressure plates for individually pressing the circuit layer surface of the power module substrate and the one lower pressure plate for pressing the back surface of the heat sink. A method for producing a substrate for a power module with a heat sink, characterized by pressurizing the laminate.
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|---|---|
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018205064A (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-27 | 住ベリサーチ株式会社 | Dielectric characteristics measuring jig, dielectric characteristics measuring device, and dielectric characteristics measuring method |
| WO2019175949A1 (en) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 新電元工業株式会社 | Power source device and electronic module fixing method |
| WO2020096040A1 (en) * | 2018-11-08 | 2020-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | Bonded body, insulated circuit board with heat sink, and heat sink |
| WO2021193528A1 (en) | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 三菱マテリアル株式会社 | Method for manufacturing joined body and method for manufacturing insulated circuit board |
| JP2022062235A (en) * | 2019-08-14 | 2022-04-19 | 朋程科技股▲ふん▼有限公司 | Package structure for power devices |
| KR20230001004A (en) * | 2021-06-25 | 2023-01-03 | 포샨 후아즈 어드밴스드 머티리얼즈 컴퍼니 리미티드 | Microchannel heat sink and manufacturing method thereof |
| WO2024150536A1 (en) * | 2023-01-10 | 2024-07-18 | 日本発條株式会社 | Conveyance jig, circuit board manufacturing device, and circuit board manufacturing method |
| JP7534966B2 (en) | 2021-01-06 | 2024-08-15 | デンカ株式会社 | Pressurizing device and method for adjusting pressurizing force |
| JP7534964B2 (en) | 2021-01-06 | 2024-08-15 | デンカ株式会社 | Pressurizing Device |
| JP7557381B2 (en) | 2021-01-06 | 2024-09-27 | デンカ株式会社 | Pressurizing Device |
| JP7582299B2 (en) | 2020-03-24 | 2024-11-13 | 三菱マテリアル株式会社 | Method for manufacturing joined body and method for manufacturing insulating circuit board |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003297878A (en) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Component pressurizing and joining device and joining method of component to substrate |
| JP2010034423A (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Fujitsu Ltd | Pressure-heating apparatus and method |
| JP2010165807A (en) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Mitsubishi Materials Corp | Method of manufacturing insulating circuit board, insulating circuit board, and substrate for power module |
| JP2010175788A (en) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Canon Inc | Optical vibration-proof device and optical equipment |
| JP2010238913A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | Tool and method for bonding of multilayer structure |
| JP2012019099A (en) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Aisin Aw Co Ltd | Electronic component bonding device and bonding method |
| JP2012038825A (en) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Mitsubishi Materials Corp | Apparatus and method for manufacturing power module substrate |
| JP2013069767A (en) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Mitsubishi Materials Corp | Power module substrate and method of manufacturing the same |
| JP2013197246A (en) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Nippon Light Metal Co Ltd | Substrate integrated with radiator, and method of manufacturing the same |
-
2014
- 2014-09-19 JP JP2014191558A patent/JP6375818B2/en active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003297878A (en) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Component pressurizing and joining device and joining method of component to substrate |
| JP2010034423A (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Fujitsu Ltd | Pressure-heating apparatus and method |
| JP2010165807A (en) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Mitsubishi Materials Corp | Method of manufacturing insulating circuit board, insulating circuit board, and substrate for power module |
| JP2010175788A (en) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Canon Inc | Optical vibration-proof device and optical equipment |
| JP2010238913A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | Tool and method for bonding of multilayer structure |
| JP2012019099A (en) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Aisin Aw Co Ltd | Electronic component bonding device and bonding method |
| JP2012038825A (en) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Mitsubishi Materials Corp | Apparatus and method for manufacturing power module substrate |
| JP2013069767A (en) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Mitsubishi Materials Corp | Power module substrate and method of manufacturing the same |
| JP2013197246A (en) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Nippon Light Metal Co Ltd | Substrate integrated with radiator, and method of manufacturing the same |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021101189A (en) * | 2017-06-01 | 2021-07-08 | 住ベリサーチ株式会社 | Jig, device and method for measuring dielectric property |
| JP7054610B2 (en) | 2017-06-01 | 2022-04-14 | 住ベリサーチ株式会社 | Dielectric property measuring jig, dielectric property measuring device and dielectric property measuring method |
| JP2018205064A (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-27 | 住ベリサーチ株式会社 | Dielectric characteristics measuring jig, dielectric characteristics measuring device, and dielectric characteristics measuring method |
| WO2019175949A1 (en) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 新電元工業株式会社 | Power source device and electronic module fixing method |
| KR102590640B1 (en) | 2018-11-08 | 2023-10-17 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | junction, an insulated circuit board with a heat sink attached, and a heat sink. |
| WO2020096040A1 (en) * | 2018-11-08 | 2020-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | Bonded body, insulated circuit board with heat sink, and heat sink |
| JP2020077789A (en) * | 2018-11-08 | 2020-05-21 | 三菱マテリアル株式会社 | Bonded body, insulation circuit board having heat sink and heat sink |
| KR20210090613A (en) * | 2018-11-08 | 2021-07-20 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | A bonded body, an insulated circuit board with a heat sink attached thereto, and a heat sink |
| US12035468B2 (en) | 2018-11-08 | 2024-07-09 | Mitsubishi Materials Corporation | Bonded body, insulated circuit board with heat sink, and heat sink |
| JP2022062235A (en) * | 2019-08-14 | 2022-04-19 | 朋程科技股▲ふん▼有限公司 | Package structure for power devices |
| EP4131358A4 (en) * | 2020-03-24 | 2024-05-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for manufacturing joined body and method for manufacturing insulated circuit board |
| WO2021193528A1 (en) | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 三菱マテリアル株式会社 | Method for manufacturing joined body and method for manufacturing insulated circuit board |
| JP7582299B2 (en) | 2020-03-24 | 2024-11-13 | 三菱マテリアル株式会社 | Method for manufacturing joined body and method for manufacturing insulating circuit board |
| JP7534966B2 (en) | 2021-01-06 | 2024-08-15 | デンカ株式会社 | Pressurizing device and method for adjusting pressurizing force |
| JP7534964B2 (en) | 2021-01-06 | 2024-08-15 | デンカ株式会社 | Pressurizing Device |
| JP7557381B2 (en) | 2021-01-06 | 2024-09-27 | デンカ株式会社 | Pressurizing Device |
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