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JP2016051527A - Organic EL display device - Google Patents

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JP2016051527A
JP2016051527A JP2014174531A JP2014174531A JP2016051527A JP 2016051527 A JP2016051527 A JP 2016051527A JP 2014174531 A JP2014174531 A JP 2014174531A JP 2014174531 A JP2014174531 A JP 2014174531A JP 2016051527 A JP2016051527 A JP 2016051527A
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JP
Japan
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substrate
organic
display device
display area
conductor
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JP2014174531A
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Japanese (ja)
Inventor
光秀 宮本
Mitsuhide Miyamoto
光秀 宮本
中村 智樹
Tomoki Nakamura
智樹 中村
歴人 鶴岡
Rekito Tsuruoka
歴人 鶴岡
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Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
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Publication date
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a top emission type organic EL display device including an in-cell touch panel.SOLUTION: An organic EL display device includes: a first substrate having a display area and a non-display area NA; a second substrate 12 having pattern wiring 111; and a seal material 5 sandwiched between the first substrate and the second substrate 12 and disposed in the non-display area NA. The non-display area NA has: protrusion parts 104; a pattern electrode 105 covering the protrusion parts; and an insulation layer 109 covering the pattern electrode. The seal material 5 includes a conductor 110 contacting with the first substrate and the second substrate 12. The insulation layer 109 is broken by the conductor 110 to cause the pattern wiring 111 and the pattern electrode 105 to be electrically connected with each other.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、エレクトロルミネセンス(Electroluminescence:EL)素子を含む画素を備えた表示装置に関する。特に、発光層として有機材料を用いた有機EL表示装置に関する。   The present invention relates to a display device including a pixel including an electroluminescence (EL) element. In particular, the present invention relates to an organic EL display device using an organic material as a light emitting layer.

エレクトロルミネセンス現象を利用した発光素子として、エレクトロルミネセンス(以下「EL」ともいう)素子が知られている。EL素子は、発光層を構成する材料の選択により様々な波長の色で発光させることが可能であり、表示装置や照明器具への応用が進められている。   An electroluminescence (hereinafter also referred to as “EL”) element is known as a light-emitting element utilizing an electroluminescence phenomenon. EL elements can emit light with various wavelengths depending on the selection of materials constituting the light-emitting layer, and their application to display devices and lighting fixtures is being promoted.

EL素子を表示装置に応用したEL表示装置においては、マトリクス状に配置した各画素に、発光素子としてのEL素子と、そのEL素子の発光制御を行うスイッチング素子とが設けられている。そして、画素ごとにスイッチング素子のオン/オフを制御することにより、全体として任意の画像を表示することが可能である。このようなEL表示装置は、携帯電話やタブレット型コンピュータなど、様々な携帯情報端末への採用がなされている。   In an EL display device in which an EL element is applied to a display device, each pixel arranged in a matrix is provided with an EL element as a light emitting element and a switching element for controlling light emission of the EL element. An arbitrary image can be displayed as a whole by controlling on / off of the switching element for each pixel. Such EL display devices are used in various portable information terminals such as mobile phones and tablet computers.

上述した携帯情報端末に利用する場合、表示装置は、表示部としての機能だけでなく、ユーザーインターフェースとしての機能を併せ持つことが多い。例えば、表示装置にタッチパネルを搭載し、表示画面を指先でタップすることにより、所望の表示処理や情報処理を行うことが可能である。   When used for the portable information terminal described above, the display device often has not only a function as a display unit but also a function as a user interface. For example, it is possible to perform desired display processing and information processing by mounting a touch panel on the display device and tapping the display screen with a fingertip.

表示装置に対してタッチパネルを搭載する際には、表示装置の外部に設ける構成と表示装置の内部に設ける構成が知られている。タッチパネルを表示装置の外部に設ける構成とする場合、表示装置を作製した後、オンセルタイプのタッチパネル(以下「オンセルTPという)を貼り合わせる。したがって、表示装置を従来通りの工程で製造できるものの、表示装置とタッチパネルとを積層した構造となるため、表示装置全体としての厚みが増すという欠点を持つ。   When a touch panel is mounted on a display device, a configuration provided outside the display device and a configuration provided inside the display device are known. When the touch panel is configured to be provided outside the display device, after the display device is manufactured, an on-cell type touch panel (hereinafter referred to as “on-cell TP”) is attached. Therefore, although the display device can be manufactured by a conventional process, Since the display device and the touch panel are stacked, the thickness of the entire display device is increased.

一方、タッチパネルを内部に設ける構成とする場合、表示装置の製造工程に若干の変更を加えることにより内部にインセルタイプのタッチパネル(以下「インセルTP」という)を作りこむ。したがって、表示装置の製造工程に特段の大きな変更もなく、従来の表示装置と同じ厚みでタッチパネル機能を備えた表示装置を実現できるという利点を持つ。そのため、近年では、インセルTPを用いた表示装置の開発が活発化している。   On the other hand, in the case where the touch panel is configured to be provided inside, an in-cell type touch panel (hereinafter referred to as “in-cell TP”) is formed inside by slightly changing the manufacturing process of the display device. Therefore, there is an advantage that a display device having a touch panel function with the same thickness as that of a conventional display device can be realized without any significant change in the manufacturing process of the display device. For this reason, in recent years, the development of display devices using in-cell TP has become active.

従来、EL表示装置として、トップエミッションタイプのEL表示装置の開発が進んでいる。トップエミッションタイプのEL表示装置とは、EL素子から発した光をスイッチング素子の上方(対向基板側)に出射するタイプの表示装置であり、光取り出し効率の高いEL表示装置として注目されている。   Conventionally, development of a top emission type EL display device has been progressing as an EL display device. The top emission type EL display device is a type of display device that emits light emitted from an EL element to the upper side of the switching element (on the opposite substrate side), and has attracted attention as an EL display device with high light extraction efficiency.

上述したトップエミッションタイプのEL表示装置において、インセルTPを用いた構造を採用した場合、EL素子を形成した後に、フォトリソグラフィ等の技術を用いてインセルTPを形成することになる。しかし、EL素子は水分に対して弱く、水分の侵入によって劣化してしまう性質がある。したがって、EL素子を形成した後は、洗浄工程を含むフォトリソグラフィ技術を用いることができず、インセルTPを形成することができないという問題があった。   In the above-described top emission type EL display device, when the structure using the in-cell TP is employed, the in-cell TP is formed using a technique such as photolithography after the EL element is formed. However, EL elements are weak against moisture and have the property of deteriorating due to the penetration of moisture. Therefore, after the EL element is formed, there is a problem that the photolithography technique including the cleaning process cannot be used, and the in-cell TP cannot be formed.

そこで、本発明は、インセルTPを備えたトップエミッションタイプの有機EL表示装置を提供することを課題の一つとする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a top emission type organic EL display device provided with an in-cell TP.

また、そのような有機EL表示装置を、製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構成で実現することを課題の一つとする。   Another object is to realize such an organic EL display device with a simple configuration without greatly changing the manufacturing process.

本発明の一態様は、複数の有機EL素子が配置された表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域とを有する第1基板と、第1パターン配線と、該第1パターン配線に誘電体を介して重畳する第2パターン配線とを有する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に挟まれ、前記非表示領域に配置されたシール材と、を備えた有機EL表示装置であって、前記非表示領域には、第1の絶縁層で構成された複数の突起部と、該突起部を覆うパターン電極と、該パターン電極を覆う第2の絶縁層と、を有し、前記シール材には、前記第1基板と前記第2基板とに接する導電体が含まれ、前記導電体によって、前記第1パターン配線又は前記第2パターン配線と、前記パターン電極とが電気的に接続される、有機EL表示装置である。   According to one embodiment of the present invention, a first substrate having a display region in which a plurality of organic EL elements are arranged, a non-display region surrounding the display region, a first pattern wiring, and a dielectric on the first pattern wiring An organic EL comprising: a second substrate having a second pattern wiring overlapping with each other; and a sealing material sandwiched between the first substrate and the second substrate and disposed in the non-display area In the display device, the non-display area includes a plurality of protrusions formed of a first insulating layer, a pattern electrode that covers the protrusion, and a second insulating layer that covers the pattern electrode. And the sealing material includes a conductor in contact with the first substrate and the second substrate, and the first pattern wiring or the second pattern wiring and the pattern electrode are formed by the conductor. It is an organic EL display device that is electrically connected.

前記第1の絶縁層は、樹脂を含む層であってもよく、該樹脂は、感光性樹脂であってもよい。   The first insulating layer may be a layer containing a resin, and the resin may be a photosensitive resin.

前記導電体は、前記第2の絶縁層が破壊されることで前記パターン電極と電気的に接続されてもよい。   The conductor may be electrically connected to the pattern electrode by destroying the second insulating layer.

前記第1パターン配線、前記第2パターン配線及び前記誘電体でタッチパネルを構成し、前記タッチパネルが前記第1基板からの信号に基づいて制御されてもよい。   A touch panel may be configured by the first pattern wiring, the second pattern wiring, and the dielectric, and the touch panel may be controlled based on a signal from the first substrate.

前記表示領域上における前記第1基板と前記第2基板との間には、樹脂で構成されるフィル材が設けられ、前記導電体の径は、前記第1基板と前記第2基板との間の距離より小さいことが好ましい。   A fill material made of resin is provided between the first substrate and the second substrate on the display region, and the diameter of the conductor is between the first substrate and the second substrate. It is preferable that it is smaller than this distance.

前記表示領域上における前記第1基板と前記第2基板との間には、樹脂で構成されるフィル材が設けられ、前記導電体の径と前記突起部の高さの加算値は、前記第1基板と前記第2基板との間の距離よりも大きいことが好ましい。   A fill material made of a resin is provided between the first substrate and the second substrate on the display area, and an added value of the diameter of the conductor and the height of the protrusion is the first value. It is preferable that the distance is larger than the distance between one substrate and the second substrate.

前記パターン電極は、前記有機EL素子の陽極と同一の材料で構成されていてもよい。   The pattern electrode may be made of the same material as the anode of the organic EL element.

前記非表示領域には、前記突起部の周囲に配置された反射体をさらに有していてもよい。また、前記反射体として、並列に配置された複数の線状の反射体を用い、前記反射体と直交する方向に連なる前記突起部を設けた構成としてもよい。   The non-display area may further include a reflector disposed around the protrusion. Moreover, it is good also as a structure which provided the said projection part connected in the direction orthogonal to the said reflector using the several linear reflector arrange | positioned in parallel as the said reflector.

本発明の他の一態様は、複数の有機EL素子が配置された表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とを有する第1基板を形成する工程と、第1パターン配線と該第1パターン配線に誘電体を介して重畳する第2パターン配線とを有する第2基板を形成する工程と、前記第1基板の前記非表示領域に、導電体を含むシール材を形成する工程と、前記第1基板と前記第2基板とを圧着する工程と、を有し、前記第1基板を形成する工程は、前記非表示領域に、第1の絶縁層で構成された複数の突起部を形成する工程と、前記突起部を覆うパターン電極を形成する工程と、前記パターン電極を覆う第2の絶縁層を形成する工程と、をさらに有し、前記第1基板と前記第2基板とを圧着して前記導電体によって、前記第1パターン配線又は前記第2パターン配線と、前記パターン電極とを電気的に接続する、有機EL表示装置の製造方法である。   According to another aspect of the present invention, there is provided a step of forming a first substrate having a display area in which a plurality of organic EL elements are arranged and a non-display area surrounding the display area, a first pattern wiring, and the first pattern Forming a second substrate having a second pattern wiring superimposed on the wiring via a dielectric, forming a sealing material including a conductor in the non-display area of the first substrate, A step of pressure-bonding one substrate and the second substrate, and the step of forming the first substrate forms a plurality of protrusions formed of a first insulating layer in the non-display area. A step of forming a pattern electrode that covers the protruding portion, and a step of forming a second insulating layer that covers the pattern electrode, wherein the first substrate and the second substrate are pressure-bonded to each other. Depending on the conductor, the first pattern wiring or the second pattern wiring The turn wires, electrically connects the pattern electrode, a method of manufacturing the organic EL display device.

前記第1の絶縁層を、樹脂で形成する工程を含んでもよい。また、その際、樹脂として、感光性樹脂を用いてもよい。   A step of forming the first insulating layer with a resin may be included. At that time, a photosensitive resin may be used as the resin.

前記導電体は、前記第2の絶縁層が破壊されることで前記パターン電極と電気的に接続されてもよい。   The conductor may be electrically connected to the pattern electrode by destroying the second insulating layer.

前記第1基板と前記第2基板とを圧着する工程は、前記第1基板と前記第2基板とを真空中で貼り合わせる工程と、貼り合わせた前記第1基板と前記第2基板とを大気中に曝す工程とを有していてもよい。   The step of pressure-bonding the first substrate and the second substrate includes a step of bonding the first substrate and the second substrate in a vacuum, and the bonding of the first substrate and the second substrate to the atmosphere. And exposing to the inside.

前記第1基板を形成する工程は、さらに、前記表示領域上に樹脂で構成されるフィル材を設ける工程を有し、前記導電体として、前記第1基板と前記第2基板との間の距離より小さい径の導電体を用いてもよい。   The step of forming the first substrate further includes a step of providing a fill material made of a resin on the display region, and the distance between the first substrate and the second substrate as the conductor. A conductor having a smaller diameter may be used.

前記第1基板を形成する工程は、さらに、前記表示領域上に樹脂で構成されるフィル材を設ける工程を有し、前記導電体の径と前記突起部の高さの加算値は、前記第1基板と前記第2基板との間の距離よりも大きくてもよい。   The step of forming the first substrate further includes a step of providing a fill material made of a resin on the display area, and an added value of the diameter of the conductor and the height of the protrusion is the first value. It may be larger than the distance between one substrate and the second substrate.

前記パターン電極を、前記有機EL素子の陽極と同一材料で形成してもよい。   The pattern electrode may be formed of the same material as the anode of the organic EL element.

前記第1基板を形成する工程は、さらに、前記非表示領域における前記突起部を構成する位置の周囲に反射体を形成する工程を有していてもよい。   The step of forming the first substrate may further include a step of forming a reflector around a position constituting the protrusion in the non-display area.

前記第1基板を形成する工程は、さらに、並列に配置された複数の線状の反射体を形成する工程と、前記線状の反射体と直交する方向に連なる線状の樹脂パターンを形成する工程とを有していてもよい。   The step of forming the first substrate further includes a step of forming a plurality of linear reflectors arranged in parallel and a linear resin pattern continuous in a direction orthogonal to the linear reflectors. You may have a process.

本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の概略構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置における表示領域DAの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the display area DA in the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置における非表示領域NAの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of non-display area | region NA in the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置における非表示領域NAの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of non-display area | region NA in the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置における突起部の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the projection part in the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の非表示領域の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the non-display area | region of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の画素回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the pixel circuit of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の対向基板の概略構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a schematic configuration of a counter substrate of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置における対向基板の一部の概略構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a schematic configuration of a part of a counter substrate in an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の対向基板の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the opposing board | substrate of the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る有機EL表示装置の対向基板の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the opposing board | substrate of the organic electroluminescence display which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る有機EL表示装置における非表示領域の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the non-display area | region in the organic electroluminescence display which concerns on the 3rd Embodiment of this invention.

以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。
但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を省略することがある。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
However, the present invention can be implemented in various modes without departing from the gist thereof, and is not construed as being limited to the description of the embodiments exemplified below. Further, in order to make the explanation clearer, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, and the like of each part as compared with the actual embodiment, but are merely examples, and the interpretation of the present invention. It is not intended to limit. In the present specification and drawings, the same elements as those described above with reference to the previous drawings may be denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof may be omitted.

(第1の実施形態)
<表示装置の構造>
図1及び図2を参照し、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置100の概略構成について説明する。図1は、有機EL表示装置100の概略構成を示す平面図であり、図2は、有機EL表示装置100の概略構成を示す断面図である。
(First embodiment)
<Structure of display device>
With reference to FIG.1 and FIG.2, schematic structure of the organic electroluminescent display apparatus 100 which concerns on the 1st Embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 1 is a plan view illustrating a schematic configuration of the organic EL display device 100, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the organic EL display device 100.

図1に示すように、本実施形態に係る有機EL表示装置100は、基板11上に形成された、表示領域DA、非表示領域NA、ドライバIC7、FPC(Flexible Printed Circuits)8、及び走査線駆動回路13を備える。表示領域DAには、図中のX方向に走る複数の制御信号線g1−1〜g1−3とY方向に走る複数のデータ信号線d1〜d3とが互いに交差して配置され、制御信号線g1−1〜g1−3とデータ信号線d1〜d3との交差部に対応する位置に、複数の画素10がマトリクス状に配置される。   As shown in FIG. 1, the organic EL display device 100 according to this embodiment includes a display area DA, a non-display area NA, a driver IC 7, an FPC (Flexible Printed Circuits) 8, and a scanning line formed on a substrate 11. A drive circuit 13 is provided. In the display area DA, a plurality of control signal lines g1-1 to g1-3 running in the X direction and a plurality of data signal lines d1 to d3 running in the Y direction are arranged so as to intersect with each other. A plurality of pixels 10 are arranged in a matrix at positions corresponding to intersections between g1-1 to g1-3 and the data signal lines d1 to d3.

図1には表示領域DAに含まれる画素10を示している。図1には、一例として、一画素10あたり3本の制御信号線g1−1〜g1−3と1本のデータ信号線d1とが交差して配置される構成を図示しているが、この構成に限定されるものではない。また、図示していないが、表示領域DA内には電源線や消去線等の一定電圧を供給する配線が配置されてもよい。   FIG. 1 shows the pixels 10 included in the display area DA. As an example, FIG. 1 illustrates a configuration in which three control signal lines g1-1 to g1-3 and one data signal line d1 are arranged so as to intersect each pixel 10. The configuration is not limited. Although not shown, wiring for supplying a constant voltage such as a power supply line and an erasing line may be arranged in the display area DA.

画素10は制御信号線g1−1〜g1−3に与えられる制御信号(走査信号)とデータ信号線d1に与えられるデータ信号によって発光が制御される。発光の制御は、画素10に設けられたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)によって行われる。また、画素10は、データ信号に応じて与えられる電圧を保持するコンデンサ等を備えた画素回路を含んでいる。   The light emission of the pixel 10 is controlled by a control signal (scanning signal) given to the control signal lines g1-1 to g1-3 and a data signal given to the data signal line d1. The light emission is controlled by a thin film transistor (TFT) as a switching element provided in the pixel 10. In addition, the pixel 10 includes a pixel circuit including a capacitor or the like that holds a voltage given according to a data signal.

このような画素回路は、図2に示すように、ガラス等の硬質な基板1上に形成されてTFT駆動回路層2を構成する。ここで、TFT駆動回路層とは、TFTで構成される駆動回路やコンデンサ等の機能回路が薄膜形成技術やフォトリソグラフィ技術を用いて形成された層を指す。以下、基板1上にTFT駆動回路層2を備える構成を、「TFT基板9」という。 As shown in FIG. 2, such a pixel circuit is formed on a hard substrate 1 such as glass to constitute a TFT drive circuit layer 2. Here, the TFT drive circuit layer refers to a layer in which a drive circuit composed of TFTs and a functional circuit such as a capacitor are formed using a thin film formation technique or a photolithography technique. Hereinafter, a configuration including the TFT drive circuit layer 2 on the substrate 1 is referred to as a “TFT substrate 9”.

図2には、TFT基板9上に、各画素10に含まれる有機EL素子3が配置された構成を示している。有機EL素子は、陽極と陰極と呼ばれる一対の電極間に有機エレクトロルミネセンス材料を含む層(以下、「有機EL層」ともいう。)を備えた発光素子である。有機EL層には、一例として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が積層されて構成されるものがある。   FIG. 2 shows a configuration in which the organic EL element 3 included in each pixel 10 is disposed on the TFT substrate 9. An organic EL element is a light-emitting element provided with a layer containing an organic electroluminescent material (hereinafter also referred to as “organic EL layer”) between a pair of electrodes called an anode and a cathode. As an example, the organic EL layer includes a layer in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are stacked.

有機EL素子3は、雰囲気中の水分に曝されると急速に劣化する性質があるため、極力外気から密閉される必要がある。このため、有機EL素子3の表面は、例えば、窒化シリコン膜等を含む封止膜4によって覆われている。以下、TFT基板9上に有機EL素子3及び封止膜4が形成された構成を「第1基板11」という。   Since the organic EL element 3 has a property of rapidly deteriorating when exposed to moisture in the atmosphere, the organic EL element 3 needs to be sealed from outside air as much as possible. For this reason, the surface of the organic EL element 3 is covered with a sealing film 4 including, for example, a silicon nitride film. Hereinafter, a configuration in which the organic EL element 3 and the sealing film 4 are formed on the TFT substrate 9 is referred to as a “first substrate 11”.

第1基板11上に形成されたTFT駆動回路層2は、TFTやコンデンサを用いて様々な機能回路を構成することができる。そのような機能回路の一例を図9に示す。図9に示す回路構成は、TFT901〜904、コンデンサ905、906を含み、TFT904の出力側に有機EL素子907が設けられている。勿論、本実施形態の有機EL表示装置100は、図9に示す回路構成に限らず、公知のあらゆる回路構成を採用することができる。   The TFT drive circuit layer 2 formed on the first substrate 11 can constitute various functional circuits using TFTs and capacitors. An example of such a functional circuit is shown in FIG. The circuit configuration shown in FIG. 9 includes TFTs 901 to 904 and capacitors 905 and 906, and an organic EL element 907 is provided on the output side of the TFT 904. Of course, the organic EL display device 100 according to the present embodiment is not limited to the circuit configuration shown in FIG.

第1基板11に対しては、有機EL素子を覆うように基板12を設ける。以下、第1基板11に対向して配置される基板12を「第2基板12」という。第2基板12は、対向基板とも呼ばれ、カラーフィルタやブラックマスク(ブラックマトリクスともいう)を備えるものであってもよい。   A substrate 12 is provided on the first substrate 11 so as to cover the organic EL element. Hereinafter, the substrate 12 disposed to face the first substrate 11 is referred to as a “second substrate 12”. The second substrate 12 is also referred to as a counter substrate, and may include a color filter and a black mask (also referred to as a black matrix).

なお、本実施形態の表示装置100は、第2基板(対向基板)12にインセルTPを設け、そのインセルTPが第1基板11中のTFT基板9に形成された機能回路と電気的に接続する構成となっている。ここで、インセルTPの構造について、図10乃至図12を用いて説明する。   In the display device 100 of this embodiment, an in-cell TP is provided on the second substrate (counter substrate) 12, and the in-cell TP is electrically connected to a functional circuit formed on the TFT substrate 9 in the first substrate 11. It has a configuration. Here, the structure of the in-cell TP will be described with reference to FIGS.

インセルTPは、第2基板12の内側(第1基板11に向かい合う側)に設けられたタッチパネルとして機能する機能回路であり、図10に示すように、基板112上に、第1パターン配線111aと、第2パターン配線111bとを互いに交差するように配置した構成となっている。   The in-cell TP is a functional circuit that functions as a touch panel provided inside the second substrate 12 (side facing the first substrate 11). As shown in FIG. The second pattern wiring 111b is arranged so as to cross each other.

また、図12に示すように、第1パターン配線111aと第2パターン配線111bの間には絶縁層113が設けられ、両者は絶縁層113を介して重畳している。本実施形態の有機EL表示装置100に搭載されるインセルTPは、これらのパターン配線111a、111bと誘電体としての絶縁層113とで静電容量方式のタッチパネルとして動作する。   In addition, as shown in FIG. 12, an insulating layer 113 is provided between the first pattern wiring 111 a and the second pattern wiring 111 b, and both overlap with each other via the insulating layer 113. The in-cell TP mounted on the organic EL display device 100 of the present embodiment operates as a capacitive touch panel with the pattern wirings 111a and 111b and the insulating layer 113 as a dielectric.

図11は、図10においてR1で示される円内の部分拡大図である。20は、第1パターン配線111aとTFT駆動回路層9とが電気的に接続されるノードであり、21は、第2パターン配線111bとTFT駆動回路層9とが電気的に接続されるノードである。これらノードの詳細な構造については後述する。   FIG. 11 is a partially enlarged view in a circle indicated by R1 in FIG. Reference numeral 20 denotes a node where the first pattern wiring 111a and the TFT drive circuit layer 9 are electrically connected, and reference numeral 21 denotes a node where the second pattern wiring 111b and the TFT drive circuit layer 9 are electrically connected. is there. The detailed structure of these nodes will be described later.

したがって、TFT駆動回路層9からの信号に基づいて、第1パターン配線111aと第2パターン配線111bとを個別に制御することができ、これにより第2基板の外側(表示装置の外部に向かう側)に触れた物体(例えば、ペンや指)の位置検出が可能となっている。   Therefore, the first pattern wiring 111a and the second pattern wiring 111b can be individually controlled on the basis of the signal from the TFT drive circuit layer 9, whereby the outside of the second substrate (the side toward the outside of the display device). ) Can detect the position of an object (for example, a pen or a finger) touched.

また、図12は、図10においてA−A’で切断した断面図に対応する。絶縁層113の一部には開口部114が設けられ、この開口部114を介して第1パターン配線111aとTFT駆動回路層9とが電気的に接続される。第2パターン配線111bは絶縁層で覆われていないため特に開口部を設ける必要はないが、第2パターン配線111b上にも絶縁層を設ける場合には、別途第2パターン配線111bの端部に開口部を設ければよい。   12 corresponds to a cross-sectional view taken along A-A ′ in FIG. 10. An opening 114 is provided in a part of the insulating layer 113, and the first pattern wiring 111 a and the TFT drive circuit layer 9 are electrically connected through the opening 114. Since the second pattern wiring 111b is not covered with an insulating layer, it is not necessary to provide an opening. However, when an insulating layer is also provided on the second pattern wiring 111b, it is separately provided at the end of the second pattern wiring 111b. An opening may be provided.

本実施形態の有機EL表示装置100は、図2に示すように、第1基板11と第2基板12との間の距離を一定に保つことにより有機EL素子3の表面と第2基板12の表面とを略平行に保っている。   As shown in FIG. 2, the organic EL display device 100 according to the present embodiment maintains a constant distance between the first substrate 11 and the second substrate 12, thereby maintaining the surface of the organic EL element 3 and the second substrate 12. The surface is kept substantially parallel.

また、両基板の界面における光の反射や屈折を防止するために、表示領域DA(図1参照)をエポキシ樹脂等で構成されるシール材(ダム(Dam)材ともいう)5で囲み、その内側をポリイミド樹脂等の透明な樹脂で構成される充填材を用いて満たす構造としている。このように、本実施形態の表示装置100は、充填材の体積によって両基板間の距離が制御されている。   In order to prevent light reflection and refraction at the interface between the two substrates, the display area DA (see FIG. 1) is surrounded by a sealing material (also referred to as a dam material) 5 made of epoxy resin or the like. The inside is filled with a filler composed of a transparent resin such as polyimide resin. Thus, in the display device 100 of this embodiment, the distance between the substrates is controlled by the volume of the filler.

なお、シール材5や充填材6で使用される樹脂は、上述したものに限定する必要はなく、適宜必要な材料を用いればよい。 The resin used for the sealing material 5 and the filler 6 need not be limited to those described above, and a necessary material may be used as appropriate.

また、本実施形態の表示装置100をカラー表示装置とする場合、画素10は、互いに異なる色を発する複数のサブ画素を含んでいてもよい。例えば、一つの画素10は、各サブ画素が三原色(赤(R)、緑(G)、青(B))をそれぞれ発することにより構成されるものであってもよく、三原色(赤(R)、緑(G)、青(B))に白色(W)あるいは黄色(Y)を加えた4色のサブ画素から構成されるものであってもよい。複数の画素10に含まれる各サブ画素の有機EL素子3が選択的且つ発光量を調整して駆動されることによって、表示領域DAに所望の画像が表示される。   Further, when the display device 100 of the present embodiment is a color display device, the pixel 10 may include a plurality of sub-pixels that emit different colors. For example, one pixel 10 may be configured such that each sub-pixel emits three primary colors (red (R), green (G), and blue (B)), and the three primary colors (red (R)). , Green (G), blue (B)), and white (W) or yellow (Y), may be used. A desired image is displayed in the display area DA by selectively driving the organic EL elements 3 of the sub-pixels included in the plurality of pixels 10 while adjusting the light emission amount.

以下、図3乃至図5を参照し、本実施形態に係る有機EL表示装置100のより具体的な構成について説明する。   Hereinafter, a more specific configuration of the organic EL display device 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 5.

図3に、本実施形態の有機EL表示装置100における画素の断面構造を示す。本実施形態の有機EL表示装置100は、基板101上にTFT駆動回路層102が設けられており、基板101とTFT駆動回路層102とでTFT基板9を構成している。   FIG. 3 shows a cross-sectional structure of a pixel in the organic EL display device 100 of the present embodiment. In the organic EL display device 100 of this embodiment, a TFT drive circuit layer 102 is provided on a substrate 101, and the substrate 101 and the TFT drive circuit layer 102 constitute a TFT substrate 9.

101は基板であり、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板(ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートその他の曲げることが可能な基板)を用いることができる。   Reference numeral 101 denotes a substrate, and a glass substrate, a quartz substrate, a flexible substrate (polyimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or other bendable substrate) can be used.

基板101上には下地膜を介して公知の方法でスイッチング素子としてのTFT(薄膜トランジスタ)が設けられている。図3においては、TFTとしてトップゲートタイプのTFTを示しているが、逆スタガタイプのTFTなど公知のあらゆる構造のTFTを用いてもよい。ここでは、下地膜とTFTとを含めてTFT駆動回路層102と呼び、具体的構成についての説明は省略する。   A TFT (thin film transistor) as a switching element is provided on the substrate 101 through a base film by a known method. In FIG. 3, a top gate type TFT is shown as a TFT, but any known TFT such as an inverted stagger type TFT may be used. Here, the base film and the TFT are collectively referred to as a TFT driving circuit layer 102, and description of a specific configuration is omitted.

103は、TFTのドレイン電極として機能する導電層Aであり、104は、ポリイミド樹脂等で構成される絶縁層Aである。導電層A103としては、アルミニウム膜、チタン膜、アルミニウムとチタンの積層膜等を用いることができる。本実施形態の有機EL表示装置100では、後述するように導電層A103を反射体として利用するため、アルミニウムを主成分とする導電層を用いる。   Reference numeral 103 denotes a conductive layer A that functions as a drain electrode of the TFT, and reference numeral 104 denotes an insulating layer A made of polyimide resin or the like. As the conductive layer A103, an aluminum film, a titanium film, a stacked film of aluminum and titanium, or the like can be used. In the organic EL display device 100 of the present embodiment, a conductive layer containing aluminum as a main component is used in order to use the conductive layer A103 as a reflector as will be described later.

絶縁層A104は、発光素子の陽極として機能する導電層B105と導電層A103との間を絶縁する目的のほか、TFTの構造に起因する凹凸を平坦化する目的も兼ねており、平坦化層とも呼ばれる。本実施形態の有機EL表示装置100においては、絶縁層A104として、感光性樹脂、代表的にはポリイミド樹脂やアクリル樹脂を用いることが好ましい。勿論、単層構造に限らず積層構造とすることも可能である。   The insulating layer A104 serves not only to insulate the conductive layer B105 functioning as the anode of the light emitting element from the conductive layer A103, but also to planarize unevenness caused by the structure of the TFT. be called. In the organic EL display device 100 of the present embodiment, it is preferable to use a photosensitive resin, typically a polyimide resin or an acrylic resin, as the insulating layer A104. Of course, not only a single layer structure but also a laminated structure is possible.

なお、図3において、導電層B105は、画素電極としても機能するため、画素ごとに電気的に分離した矩形パターンに加工されている。   Note that in FIG. 3, the conductive layer B105 functions as a pixel electrode, and thus is processed into a rectangular pattern that is electrically separated for each pixel.

導電層A103と導電層B105は、絶縁層A104に設けられたコンタクトホール15を介して接続されている。したがって、スイッチング素子として機能するTFTを介して入力されたデータ信号に基づく電圧は、画素電極としての導電層B105に印加される。   The conductive layer A103 and the conductive layer B105 are connected through a contact hole 15 provided in the insulating layer A104. Therefore, a voltage based on the data signal input through the TFT functioning as a switching element is applied to the conductive layer B105 as the pixel electrode.

導電層B105の上には、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等をパターニングして形成した絶縁層B106が設けられている。絶縁層B106は、図3において表示領域DAに設けられた複数の画素を互いに区画するバンクとして機能し、絶縁層B106が存在しない領域(すなわち、絶縁層B106の開口部)が発光素子として機能することとなる。   On the conductive layer B105, an insulating layer B106 formed by patterning polyimide resin, acrylic resin, or the like is provided. The insulating layer B106 functions as a bank that partitions a plurality of pixels provided in the display area DA in FIG. 3, and a region where the insulating layer B106 does not exist (that is, an opening of the insulating layer B106) functions as a light emitting element. It will be.

導電層B105と絶縁層B106の上には、発光層107、発光素子の陰極(共通電極ともいう)として機能する導電層C108及び封止膜として機能する絶縁層C109が順次積層されている。図3において、導電層B105、発光層107、導電層C108及び絶縁層C109が積層された領域は、発光素子として機能する領域となり、導電層B105と発光層107との間に絶縁層B106の存在する領域が発光素子として機能しない領域となっている。   Over the conductive layer B105 and the insulating layer B106, a light-emitting layer 107, a conductive layer C108 that functions as a cathode (also referred to as a common electrode) of the light-emitting element, and an insulating layer C109 that functions as a sealing film are sequentially stacked. In FIG. 3, the region where the conductive layer B105, the light emitting layer 107, the conductive layer C108, and the insulating layer C109 are stacked serves as a light emitting element, and the insulating layer B106 exists between the conductive layer B105 and the light emitting layer 107. The region to be used is a region that does not function as a light emitting element.

本実施形態に示す有機EL表示装置100は、発光素子で発光した光を上方に出射する、いわゆるトップエミッションタイプの表示装置である。発光素子は、陽極として機能する導電層B105と陰極として機能する導電層C108とで発光層107を挟み込んだ構造をとり、発光層107で発した光を導電層B105で上方に反射すると共に、導電層C108と絶縁層C109を透過させて図面上方に向けて出射する構成となっている。   The organic EL display device 100 shown in this embodiment is a so-called top emission type display device that emits light emitted from a light emitting element upward. The light-emitting element has a structure in which a light-emitting layer 107 is sandwiched between a conductive layer B105 functioning as an anode and a conductive layer C108 functioning as a cathode, and light emitted from the light-emitting layer 107 is reflected upward by the conductive layer B105 and conductive. The layer C108 and the insulating layer C109 are transmitted and emitted upward in the drawing.

本実施形態の有機EL表示装置100においては、導電層B105は、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましいが、仕事関数の高い透明導電膜であるITO(Indium Tin Oxide)と金属膜との積層構造としてもよい。導電層C108は、透光性を有するITOやZnO(酸化亜鉛)等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。   In the organic EL display device 100 of the present embodiment, the conductive layer B105 is preferably formed of a metal film having a high reflectance, but ITO (Indium Tin Oxide), which is a transparent conductive film having a high work function, and metal A laminated structure with a film may be used. The conductive layer C108 is preferably formed of a transparent conductive film such as light-transmitting ITO or ZnO (zinc oxide).

発光層107は、低分子又は高分子の有機材料を用いて形成することができる。勿論、発光層だけでなく、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった発光素子を構成する発光層以外の層(機能層ともいう)を設けた構成(これらを総称してエレクトロルミネセンス層ともいう)とすることも可能であり、公知のあらゆる素子構造を採用することが可能である。   The light-emitting layer 107 can be formed using a low-molecular or high-molecular organic material. Of course, not only the light-emitting layer, but also a structure provided with layers other than the light-emitting layer (also referred to as functional layers) constituting the light-emitting element, such as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole injection layer, and a hole transport layer. In other words, any known element structure can be employed.

本実施形態の有機EL表示装置100は、導電層C108の上に絶縁層C109を設け、外部からの水分や大気の侵入を防ぎ、発光層107やその下のTFTの劣化を抑制している。そのため、絶縁層C109としては、緻密な膜質を備える窒化シリコン系の絶縁層を用いることが好ましい。   In the organic EL display device 100 of the present embodiment, an insulating layer C109 is provided on the conductive layer C108 to prevent entry of moisture and air from the outside, and suppress deterioration of the light emitting layer 107 and the TFT below it. Therefore, it is preferable to use a silicon nitride insulating layer having a dense film quality as the insulating layer C109.

ここで、本実施形態の有機EL表示装置100におけるTFT基板9と対向基板12の接続構造について図4及び図5を用いて説明する。図4は、本実施形態の表示装置100のシール材5近傍における断面構造(TFT基板9と対向基板12とを圧着する前の状態)を示し、図5は、本実施形態の表示装置100のシール材5近傍における断面構造(TFT基板9と対向基板12とを圧着した後の状態)を示す。   Here, a connection structure between the TFT substrate 9 and the counter substrate 12 in the organic EL display device 100 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5. 4 shows a cross-sectional structure (a state before the TFT substrate 9 and the counter substrate 12 are pressure-bonded) in the vicinity of the sealing material 5 of the display device 100 of the present embodiment, and FIG. 5 shows the display device 100 of the present embodiment. A cross-sectional structure in the vicinity of the sealing material 5 (a state after the TFT substrate 9 and the counter substrate 12 are pressure-bonded) is shown.

図4において、TFT基板9の上には、絶縁層A104で構成された突起部が設けられている。絶縁層A104で構成された突起部は、図3で説明した平坦化層としての絶縁層と同時に形成され、コンタクトホール15を形成する際に、突起状にパターニング加工された部分である。   In FIG. 4, on the TFT substrate 9, a projecting portion made of an insulating layer A104 is provided. The protruding portion formed of the insulating layer A104 is a portion that is formed at the same time as the planarizing layer described with reference to FIG. 3 and is patterned into a protruding shape when the contact hole 15 is formed.

さらに、突起状の絶縁層A104の上には、パターン電極として機能する導電層B105と絶縁層C109が積層されている。これらの層は、それぞれ図3における陽極として機能する導電層B105及び封止膜として機能する絶縁層C109と同じ材料で構成されている。導電層B105は、TFT基板9に設けられた導電層A103とコンタクトホール15を介して接続されている。   Further, a conductive layer B105 and an insulating layer C109 functioning as a pattern electrode are stacked on the protruding insulating layer A104. These layers are made of the same material as the conductive layer B105 functioning as an anode and the insulating layer C109 functioning as a sealing film in FIG. The conductive layer B105 is connected to the conductive layer A103 provided on the TFT substrate 9 through the contact hole 15.

絶縁層C109の上には、シール材5が設けられ、シール材5の内部には、導電体110が配置されている。導電体110としては、公知のあらゆる導電体を用いることができるが、なるべく硬質のものを用いることが好ましい。また、導電体110の形状は、球状が好ましいが、これに限らず、ロッド状、多角形状等様々な形状であってもよい。   A sealing material 5 is provided on the insulating layer C109, and a conductor 110 is disposed inside the sealing material 5. As the conductor 110, any known conductor can be used, but it is preferable to use a hard one as much as possible. The shape of the conductor 110 is preferably spherical, but is not limited thereto, and may be various shapes such as a rod shape and a polygonal shape.

導電体110を含むシール材5を介して、対向電極として機能する導電層D111を設けた基板112が配置されている。基板112と導電層D111とで図2に示した対向基板12を構成する。ここで、導電層D111は、対向基板12に設けられるインセルTPの一部(インセルタイプのタッチパネルを構成する配線パターンの一部)として機能する。   A substrate 112 provided with a conductive layer D111 functioning as a counter electrode is disposed through a sealing material 5 including a conductor 110. The substrate 112 and the conductive layer D111 constitute the counter substrate 12 shown in FIG. Here, the conductive layer D111 functions as a part of the in-cell TP provided on the counter substrate 12 (a part of the wiring pattern constituting the in-cell type touch panel).

前述したように、図4に示す断面構造は、TFT基板9と対向基板12とを圧着する前の状態であるため、導電層B105(パターン電極)と導電層D111(パターン配線)とは電気的に接続されていない。すなわち、導電層D111と導電体110との間は電気的に接続されているものの、導電体110と導電層B105との間は絶縁層C109によって絶縁されている。したがって、TFT基板9と対向基板12との間の電気的な接続は確保されていない。   As described above, since the cross-sectional structure shown in FIG. 4 is a state before the TFT substrate 9 and the counter substrate 12 are pressure-bonded, the conductive layer B105 (pattern electrode) and the conductive layer D111 (pattern wiring) are electrically connected. Not connected to. That is, although the conductive layer D111 and the conductor 110 are electrically connected, the conductor 110 and the conductive layer B105 are insulated by the insulating layer C109. Therefore, electrical connection between the TFT substrate 9 and the counter substrate 12 is not ensured.

図5に示す断面構造は、TFT基板9と対向基板12とを圧着した後の状態であり、本実施形態の有機EL表示装置100が完成した後の断面構造である。図5に示されるように、TFT基板9と対向基板12とを圧着することにより、絶縁層A104で構成される突起部が変形し、導電層B105及び絶縁層C109が押し潰された状態となっている。そして、押し潰されたことにより絶縁層C109が破壊されて、例えばクラック(割れ)が生じ、導電体110のうち、導電層B105と接する接触部分110aにおいて両者の電気的な接続が確保される。このように導電層B105を介して2つの突起部の側面に支えられる形にて導電体110が配置されているような形状となる。   The cross-sectional structure shown in FIG. 5 is a state after the TFT substrate 9 and the counter substrate 12 are pressure-bonded, and is a cross-sectional structure after the organic EL display device 100 of the present embodiment is completed. As shown in FIG. 5, by pressing the TFT substrate 9 and the counter substrate 12, the protruding portion formed of the insulating layer A <b> 104 is deformed, and the conductive layer B <b> 105 and the insulating layer C <b> 109 are crushed. ing. Then, the insulation layer C109 is broken by being crushed, for example, cracks are generated, and in the conductor 110, electrical connection between the two is ensured at the contact portion 110a in contact with the conductive layer B105. In this manner, the conductor 110 is arranged in such a manner that it is supported by the side surfaces of the two protrusions via the conductive layer B105.

また、絶縁層C109に生じたクラックにより導電体110と導電層B105とが短絡する場合だけでなく、絶縁層C109内に圧力や応力の集中により欠陥準位が発生し、それを介して導電体110と導電層B105との間で電気的な接続がなされる場合もある。つまり、本実施形態の表示装置100は、導電体110によって加えられた圧力に起因して絶縁層C109に生じた電流経路を介して(すなわち、絶縁層C109を介して)導電体110と導電層B105との間の導通が確保される。   In addition to the case where the conductor 110 and the conductive layer B105 are short-circuited due to a crack generated in the insulating layer C109, a defect level is generated in the insulating layer C109 due to concentration of pressure and stress, and the conductor is passed through the defect level. In some cases, electrical connection may be made between 110 and the conductive layer B105. That is, the display device 100 according to the present embodiment includes the conductor 110 and the conductive layer via a current path generated in the insulating layer C109 due to the pressure applied by the conductor 110 (that is, via the insulating layer C109). Connection with B105 is ensured.

したがって、導電体110が、接触部分110aにおいて導電層B105と電気的に接続されるとともに、接触部分110bにおいて導電層D111と電気的に接続されるため、結果として、TFT基板9と対向基板12との間の電気的な接続が確保される。さらに、圧着により突起部が変形して導電体110が基板101側に近づくような形となる。このことでフィル材6の体積に起因する所望の基板開距離を設けることが可能となる。導電体110の径が第1基板11と第2基板12との間の距離よりも大きい場合はフィル材6で埋めきれない箇所が基板間に存在し気泡が発生する、基板が撓む等の問題から視認性の問題が生じるが、本発明ではそのようなことはなくなる。   Therefore, the conductor 110 is electrically connected to the conductive layer B105 at the contact portion 110a and is also electrically connected to the conductive layer D111 at the contact portion 110b. As a result, the TFT substrate 9 and the counter substrate 12 An electrical connection between the two is ensured. Further, the protrusion is deformed by the pressure bonding so that the conductor 110 approaches the substrate 101 side. This makes it possible to provide a desired substrate opening distance due to the volume of the fill material 6. When the diameter of the conductor 110 is larger than the distance between the first substrate 11 and the second substrate 12, a portion that cannot be filled with the fill material 6 exists between the substrates, bubbles are generated, the substrate is bent, etc. A problem of visibility arises from the problem, but this is not the case in the present invention.

以上のように、本実施形態の有機EL表示装置100は、シール材5の内部に設けた導電体110によって、シール材5の内部に配置した絶縁層A104で構成される突起部を圧迫することにより、絶縁層A104上に形成された絶縁層C109を破壊する構造をとっている。その結果、シール材5の内部においてTFT基板9と対向基板12との間の電気的な接続(導通)を確保することができる。また、対向基板12側に設けられたインセルTPを、TFT基板9側の駆動回路を用いて制御することが可能である。   As described above, in the organic EL display device 100 according to the present embodiment, the conductor 110 provided inside the sealing material 5 presses the protruding portion formed of the insulating layer A104 disposed inside the sealing material 5. Thus, the structure in which the insulating layer C109 formed on the insulating layer A104 is destroyed is adopted. As a result, electrical connection (conduction) between the TFT substrate 9 and the counter substrate 12 can be ensured inside the sealing material 5. Further, the in-cell TP provided on the counter substrate 12 side can be controlled using a driving circuit on the TFT substrate 9 side.

また、上述のような構造とするため、本実施形態の有機EL表示装置100に用いる導電体110の径は、フィル材6の体積で決定される第1基板11と第2基板12との間の距離(図2参照)よりも小さくすることが望ましい。そのような導電体110を用いることにより、以下の問題が無くなる。すなわち、導電体110の径が第1基板11と第2基板12との間の距離よりも大きい場合はフィル材6で埋めきれない箇所が基板間に存在し気泡が発生する、基板が撓む等の問題から視認性の問題が生じるが、本発明ではそのようなことはなくなる。   Moreover, in order to set it as the above structures, the diameter of the conductor 110 used for the organic electroluminescence display device 100 of this embodiment is between the 1st board | substrate 11 and the 2nd board | substrate 12 determined by the volume of the fill material 6. FIG. It is desirable that the distance be smaller than the distance (see FIG. 2). Use of such a conductor 110 eliminates the following problems. That is, when the diameter of the conductor 110 is larger than the distance between the first substrate 11 and the second substrate 12, a portion that cannot be filled with the fill material 6 exists between the substrates, bubbles are generated, and the substrate is bent. However, in the present invention, this is not the case.

なお、導電体110として、互いに径の異なる複数種類の導電体を用いることも可能であり、いずれの導電体の径も、第1基板11と第2基板12との間の距離よりも小さければよい。   It is possible to use a plurality of types of conductors having different diameters as the conductor 110, as long as the diameter of any conductor is smaller than the distance between the first substrate 11 and the second substrate 12. Good.

さらに、導電体110の径+突起(絶縁層A104)の高さが、フィル材6の体積で決定される第1基板11と第2基板12との間の距離よりも高くされることが望ましい。これにより、第1基板11と第2基板12とを張り合わせた際に突起部104上の絶縁層C109が破壊されるとともに突起部104が変形し、第1基板11と第2基板12とを安定的に導通させることができる。   Furthermore, it is desirable that the diameter of the conductor 110 + the height of the protrusion (insulating layer A104) be higher than the distance between the first substrate 11 and the second substrate 12 determined by the volume of the fill material 6. As a result, when the first substrate 11 and the second substrate 12 are bonded together, the insulating layer C109 on the protruding portion 104 is destroyed and the protruding portion 104 is deformed, and the first substrate 11 and the second substrate 12 are stabilized. Can be conducted electrically.

この場合も、導電体110として、互いに径の異なる複数種類の導電体を用いることも可能であり、いずれの導電体110に関しても、導電体110の径+突起(絶縁層A104)の高さがフィル材6の体積で決定される第1基板11と第2基板12との間の距離よりも高くされればよい。   In this case as well, a plurality of types of conductors having different diameters can be used as the conductor 110, and the diameter of the conductor 110 + the height of the protrusion (insulating layer A104) is the same for any conductor 110. What is necessary is just to make it higher than the distance between the 1st board | substrate 11 and the 2nd board | substrate 12 determined by the volume of the fill material 6. FIG.

以下、上述した構成を備える本実施形態の有機EL表示装置100の製造工程について、図6A〜図6Gを参照して説明する。   Hereinafter, the manufacturing process of the organic EL display device 100 of the present embodiment having the above-described configuration will be described with reference to FIGS. 6A to 6G.

<表示装置の製造方法>
まず、図6Aに示すように、基板101上に、導電層A103を含むTFT駆動回路層102を形成する。その際、導電層A103をパターニングすることにより、表示領域DAにはTFTのドレイン電極103aを形成し、非表示領域NAにはマトリクス状(図8参照)の反射体103bを形成する。
<Manufacturing method of display device>
First, as shown in FIG. 6A, a TFT drive circuit layer 102 including a conductive layer A103 is formed on a substrate 101. At this time, by patterning the conductive layer A103, the TFT drain electrode 103a is formed in the display area DA, and the matrix-like reflector 103b (see FIG. 8) is formed in the non-display area NA.

次に、図6Bに示すように、感光性ポリイミド樹脂で構成される絶縁層A104を形成した後、絶縁層A104をパターニングすることにより、表示領域DAには開口部15を有する平坦化層104aを形成し、非表示領域NAには突起部104bを形成する。このときのパターニング時の様子について図7を用いて説明する。   Next, as shown in FIG. 6B, after forming an insulating layer A104 made of a photosensitive polyimide resin, the insulating layer A104 is patterned to form a planarizing layer 104a having an opening 15 in the display area DA. The protrusion 104b is formed in the non-display area NA. A state during patterning at this time will be described with reference to FIG.

図7(a)は、非表示領域NAにおける突起部104bの露光時の様子を示している。絶縁層A104上には、突起部104bを形成するためのフォトマスク701が配置され、フォトマスク701によって絶縁層A104の一部を遮蔽した状態で露光を行う。このとき、露光光L1は、反射体103bのエッジで反射され、フォトマスク701の下方にも到達する。すなわち、フォトマスク701の下方に位置する絶縁層A104は、その上端部と下端部とで露光量が変化する。   FIG. 7A shows a state when the protrusion 104b is exposed in the non-display area NA. A photomask 701 for forming the protrusion 104b is provided over the insulating layer A104, and exposure is performed in a state where a part of the insulating layer A104 is shielded by the photomask 701. At this time, the exposure light L1 is reflected by the edge of the reflector 103b and reaches below the photomask 701. That is, the exposure amount of the insulating layer A104 located below the photomask 701 varies between the upper end portion and the lower end portion thereof.

その結果、図7(b)に示すように、絶縁層A104で構成される突起部104bのテーパー角が大きくなり(急峻になり)、突起部104bのアスペクト比が大きくなる。このような形状とすることにより、TFT基板9と対向基板12とを圧着して導電体110によって突起部104bに対し圧力が加えられた際、突起部104bが変形しやすくなる。   As a result, as shown in FIG. 7B, the taper angle of the protrusion 104b formed of the insulating layer A104 is increased (steepened), and the aspect ratio of the protrusion 104b is increased. With such a shape, when the TFT substrate 9 and the counter substrate 12 are pressure-bonded and pressure is applied to the protrusion 104b by the conductor 110, the protrusion 104b is easily deformed.

ここで、図8に、非表示領域NAを光の出射する側(対向基板側)から見た上面図を示す。図8に示すように、非表示領域NAには、導電層A103をパターニングして得たマトリクス状の反射体103bと、反射体103bで囲まれた突起部104bが形成される。このように突起部104bの周囲を反射体103bで囲むことにより、円柱状もしくは円錐状の突起部104bを形成することが可能である。   Here, FIG. 8 shows a top view of the non-display area NA as viewed from the light emitting side (opposite substrate side). As shown in FIG. 8, a matrix-like reflector 103b obtained by patterning the conductive layer A103 and a protrusion 104b surrounded by the reflector 103b are formed in the non-display area NA. In this manner, by surrounding the protrusion 104b with the reflector 103b, it is possible to form a columnar or conical protrusion 104b.

次に、図6Cに示すように、導電層B105を形成した後、導電層B105をパターニングすることにより、表示領域DAには発光素子の陽極として機能する画素電極105aを形成し、非表示領域NAには反射体103b及び突起部104bを覆うパターン電極105bを形成する。このとき、反射体103bとパターン電極105bは、互いに電気的に接続される。本実施形態では、導電層B105として、アルミニウム膜の上にITO(Indium Tin Oxide)を積層した積層構造の導電層を用いる。   Next, as shown in FIG. 6C, after forming the conductive layer B105, the conductive layer B105 is patterned to form the pixel electrode 105a functioning as the anode of the light emitting element in the display area DA, and to form the non-display area NA. A pattern electrode 105b is formed to cover the reflector 103b and the protrusion 104b. At this time, the reflector 103b and the pattern electrode 105b are electrically connected to each other. In the present embodiment, a conductive layer having a stacked structure in which ITO (Indium Tin Oxide) is stacked on an aluminum film is used as the conductive layer B105.

次に、図6Dに示すように、絶縁層B106を形成した後、絶縁層B106をパターニングすることにより、表示領域DAには平坦化層106を形成し、非表示領域NAにおいてはすべての絶縁層B106を除去する。その際、平坦化層106には、発光素子として機能する領域に開口部16を設けておく。   Next, as shown in FIG. 6D, after the insulating layer B106 is formed, the insulating layer B106 is patterned to form the planarizing layer 106 in the display area DA, and all the insulating layers in the non-display area NA. B106 is removed. At that time, an opening 16 is provided in the planarization layer 106 in a region functioning as a light emitting element.

次に、図6Eに示すように、発光層107及び陰極として機能する導電層C108を順次積層して発光素子を完成させる。このとき、発光層107及び導電層C108は、非表示領域NAをマスクすることにより、表示領域DAに対して選択的に蒸着して形成する。   Next, as shown in FIG. 6E, a light emitting element is completed by sequentially stacking a light emitting layer 107 and a conductive layer C108 functioning as a cathode. At this time, the light emitting layer 107 and the conductive layer C108 are formed by selectively depositing on the display area DA by masking the non-display area NA.

そして、発光素子を形成したらTFT基板9の全面を絶縁層C109で覆う。絶縁層C109の形成は、発光層107及び導電層C108の形成から大気開放しないで連続的に行うことが望ましい。発光層107及び導電層C108は、水分により劣化するため、極力大気に触れさせないことが重要だからである。以上の工程を経て、第1基板11(図2参照)が完成する。   When the light emitting element is formed, the entire surface of the TFT substrate 9 is covered with an insulating layer C109. The formation of the insulating layer C109 is preferably performed continuously without opening to the atmosphere from the formation of the light emitting layer 107 and the conductive layer C108. This is because it is important that the light-emitting layer 107 and the conductive layer C108 are not exposed to the atmosphere as much as possible because they are deteriorated by moisture. Through the above steps, the first substrate 11 (see FIG. 2) is completed.

次に、図6Fに示すように、非表示領域NAに、導電体110を含むシール材5を形成し、表示領域DAをシール材5で囲む。その後、シール材5で囲まれた表示領域DAに対してディスペンサー等で液状もしくはゲル状の樹脂で構成されるフィル材6を滴下する。   Next, as illustrated in FIG. 6F, the sealing material 5 including the conductor 110 is formed in the non-display area NA, and the display area DA is surrounded by the sealing material 5. Thereafter, a fill material 6 made of a liquid or gel resin is dropped onto the display area DA surrounded by the seal material 5 with a dispenser or the like.

最後に、図6Gに示すように、基板11とインセルTPの一部として機能する導電層D111とで構成される対向基板12を貼り合わせて圧着する。本実施形態では、真空容器内で貼り合わせ工程を行い、その後大気中に曝すことにより第1基板11と第2基板12とを大気圧で圧着する。これにより、シール材5の内部に配置された導電体110が突起部104bを変形させるとともに、その際に生じた絶縁層C109のクラックを利用して導電体110と導電層B105との電気的な接続を確保することができる。   Finally, as shown in FIG. 6G, the counter substrate 12 composed of the substrate 11 and the conductive layer D111 functioning as a part of the in-cell TP is bonded and pressure bonded. In the present embodiment, the bonding process is performed in a vacuum container, and then the first substrate 11 and the second substrate 12 are pressure-bonded at atmospheric pressure by being exposed to the atmosphere. As a result, the conductor 110 disposed inside the sealing material 5 deforms the protruding portion 104b, and the electrical crack between the conductor 110 and the conductive layer B105 is generated by utilizing the crack of the insulating layer C109 generated at that time. Connection can be secured.

以上のように、本実施形態の有機EL表示装置100の製造工程では、絶縁層A104を用いて平坦化層104aを形成する際に、非表示領域NAにおいて同時に突起部104bを形成し、シール材5に導電体110を配置するという簡易な構成で、第1基板11(具体的には、TFT駆動回路層102)と第2基板12(具体的には、インセルTP)との間の導通を確保できるという効果を奏する。   As described above, in the manufacturing process of the organic EL display device 100 according to the present embodiment, when the planarization layer 104a is formed using the insulating layer A104, the protrusions 104b are simultaneously formed in the non-display area NA, and the sealing material 5 is a simple configuration in which the conductor 110 is disposed, and electrical conduction between the first substrate 11 (specifically, the TFT drive circuit layer 102) and the second substrate 12 (specifically, the in-cell TP) is achieved. There is an effect that it can be secured.

(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態に係る有機EL表示装置の構成について説明する。本実施形態の有機EL表示装置は、図13に示すように、第1パターン配線111aと第2パターン配線111bをそれぞれ基板112の異なる面に設けている。なお、本実施形態では、第1パターン配線111aと第2パターン配線111bのいずれも絶縁層で覆っていないが、第1の実施形態に係る有機EL表示装置100と同様に絶縁層で覆ってもよい。
(Second Embodiment)
The configuration of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 13, the organic EL display device of this embodiment is provided with the first pattern wiring 111 a and the second pattern wiring 111 b on different surfaces of the substrate 112. In this embodiment, neither the first pattern wiring 111a nor the second pattern wiring 111b is covered with an insulating layer, but it may be covered with an insulating layer as in the organic EL display device 100 according to the first embodiment. Good.

また、図示していないが、第1パターン配線111aと第2パターン配線111bとを互いに直交するように配置する点は、第1の実施形態の有機EL表示装置100と同様である。   Although not shown, the first pattern wiring 111a and the second pattern wiring 111b are arranged so as to be orthogonal to each other, similar to the organic EL display device 100 of the first embodiment.

本実施形態の有機EL表示装置は、基板112を誘電体として用いることにより静電容量方式のタッチパネルとして動作させることができる。したがって、第1パターン配線111aや第2パターン配線111bを覆う絶縁層を別途設ける必要がなく、また、パターニングにより開口部を設ける必要もないため、製造工程を簡略化することができる。   The organic EL display device of this embodiment can be operated as a capacitive touch panel by using the substrate 112 as a dielectric. Accordingly, it is not necessary to separately provide an insulating layer covering the first pattern wiring 111a and the second pattern wiring 111b, and it is not necessary to provide an opening by patterning, so that the manufacturing process can be simplified.

(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態に係る有機EL表示装置の構成について説明する。本実施形態の有機EL表示装置は、導電層A103をパターニングして反射体103bを形成するに当たり、反射体103bの形状を第1の実施形態と異なるものとした例である。
(Third embodiment)
The configuration of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention will be described. The organic EL display device of this embodiment is an example in which the shape of the reflector 103b is different from that of the first embodiment when the reflector 103b is formed by patterning the conductive layer A103.

図14(a)は、本実施形態の有機EL表示装置における非表示領域NAを対向基板側から見た上面図である。TFT基板9上には、反射体103c及び突起部104cが形成されている。また、図14(a)をB−B’で切断した断面図を図14(b)に、C−C’で切断した断面図を図14(c)に示す。   FIG. 14A is a top view of the non-display area NA in the organic EL display device of this embodiment as viewed from the counter substrate side. On the TFT substrate 9, a reflector 103c and a protrusion 104c are formed. FIG. 14B is a cross-sectional view taken along B-B ′ of FIG. 14A, and FIG. 14C is a cross-sectional view taken along C-C ′.

本実施形態の有機EL表示装置では、反射体103cが、所定の方向に延伸する複数の線状の反射体として並列に配置され、突起部104cが、それら複数の線状の反射体103cと直交する方向に複数連なる構成となっている。なお、このような構造は、線状の反射体と直交する方向に、後に突起部104cを構成する線状の樹脂パターンを複数配置すればよい。   In the organic EL display device of the present embodiment, the reflector 103c is arranged in parallel as a plurality of linear reflectors extending in a predetermined direction, and the protrusion 104c is orthogonal to the plurality of linear reflectors 103c. It becomes the structure which continues in multiple directions. In such a structure, a plurality of linear resin patterns that will later form the protrusions 104c may be arranged in a direction orthogonal to the linear reflector.

この場合、図14(b)に示すように、反射体103cが存在しない領域では、反射体103cからの反射光の影響を受けないため、突起部104cのテーパー角は小さくなり、なだらかな突起部104cが形成される。一方、図14(c)に示すように、反射体103cが存在する領域では、反射体103cからの反射光の影響を受けるため、突起部104cのテーパー角は大きくなり、アスペクト比が大きく、急峻な突起部104cが形成される。   In this case, as shown in FIG. 14B, in the region where the reflector 103c does not exist, the taper angle of the protrusion 104c becomes small because the light is not affected by the reflected light from the reflector 103c. 104c is formed. On the other hand, as shown in FIG. 14C, the region where the reflector 103c exists is affected by the reflected light from the reflector 103c, so that the taper angle of the protrusion 104c is large, the aspect ratio is large, and steep. A protruding portion 104c is formed.

本実施形態の有機EL表示装置は、突起部104cが、テーパー角が大きく急峻な部分だけでなく、テーパー角の小さい部分をも有するため、突起部104cの上に形成されるパターン電極105bのカバレッジを良好なものとすることができる。テーパー角の小さな部分は幅が広く、テーパー角が大きな部分は幅が狭い。導電体110の径や上下基板間の距離を適切に設定すれば、テーパー角の大きい部分に導電体110がはまる形となる。そのような形に導電体110がはまるためにパターン電極105b上の絶縁膜C109が破壊された後にパターン電極105bと導電体110が接触する面積が大きくなり、より確実に電気接触を図ることができる。   In the organic EL display device according to the present embodiment, the projection 104c has not only a portion with a large taper angle but also a steep portion, and also a portion with a small taper angle, and thus the coverage of the pattern electrode 105b formed on the projection 104c. Can be made good. A portion with a small taper angle is wide, and a portion with a large taper angle is narrow. If the diameter of the conductor 110 and the distance between the upper and lower substrates are appropriately set, the conductor 110 is fitted in a portion having a large taper angle. Since the conductor 110 fits in such a shape, the area where the pattern electrode 105b and the conductor 110 come into contact with each other after the insulating film C109 on the pattern electrode 105b is broken increases, and electrical contact can be achieved more reliably. .

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。   The embodiments described above as the embodiments of the present invention can be implemented in appropriate combination as long as they do not contradict each other. Also, those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design based on the display device of each embodiment, or those in which the process was added, omitted, or changed in conditions are also included in the present invention. As long as the gist is provided, it is included in the scope of the present invention.

また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。   In addition, even for other operational effects different from the operational effects brought about by the aspects of the above-described embodiments, those that are apparent from the description of the present specification, or that can be easily predicted by those skilled in the art, Of course, it is understood that the present invention provides.

1 基板
2 TFT駆動回路層
3 有機EL素子
4 封止膜
5 シール材
6 フィル材
7 ドライバIC
8 FPC
9 TFT基板
10 画素
11 第1基板
12 第2基板
13 走査線駆動回路
100 有機EL表示装置
101 基板
102 TFT駆動回路層
103 導電層A(ドレイン電極)
103b 反射体
104 絶縁層A(平坦化層)
104b 突起部
105 導電層B(画素電極、陽極)
105b パターン電極
106 絶縁層B(バンク)
107 発光層
108 導電層C(共通電極、陰極)
109 絶縁層C(封止膜)
110 導電体
111 導電層D(第1パターン配線、第2パターン配線)
112 基板
701 フォトマスク
901〜904 TFT
905、906 コンデンサ
907 有機EL素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 TFT drive circuit layer 3 Organic EL element 4 Sealing film 5 Seal material 6 Fill material 7 Driver IC
8 FPC
9 TFT substrate 10 Pixel 11 First substrate 12 Second substrate 13 Scan line drive circuit 100 Organic EL display device 101 Substrate 102 TFT drive circuit layer 103 Conductive layer A (drain electrode)
103b Reflector 104 Insulating layer A (flattening layer)
104b Projection 105 Conductive layer B (pixel electrode, anode)
105b Pattern electrode 106 Insulating layer B (bank)
107 Light-Emitting Layer 108 Conductive Layer C (Common Electrode, Cathode)
109 Insulating layer C (sealing film)
110 conductor 111 conductive layer D (first pattern wiring, second pattern wiring)
112 Substrate 701 Photomask 901-904 TFT
905, 906 Capacitor 907 Organic EL element

Claims (20)

複数の有機EL素子が配置された表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域とを有する第1基板と、
第1パターン配線と、該第1パターン配線に誘電体を介して重畳する第2パターン配線とを有する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に挟まれ、前記非表示領域に配置されたシール材と、
を備えた有機EL表示装置であって、
前記非表示領域には、第1の絶縁層で構成された複数の突起部と、該突起部を覆うパターン電極と、該パターン電極を覆う第2の絶縁層と、を有し、
前記シール材には、前記第1基板と前記第2基板とに接する導電体が含まれ、
前記導電体によって、前記第1パターン配線又は前記第2パターン配線と、前記パターン電極とが電気的に接続される、有機EL表示装置。
A first substrate having a display area in which a plurality of organic EL elements are arranged, and a non-display area surrounding the display area;
A second substrate having a first pattern wiring and a second pattern wiring superimposed on the first pattern wiring through a dielectric;
A sealing material sandwiched between the first substrate and the second substrate and disposed in the non-display area;
An organic EL display device comprising:
The non-display area includes a plurality of protrusions formed of a first insulating layer, a pattern electrode that covers the protrusions, and a second insulating layer that covers the pattern electrodes,
The sealing material includes a conductor in contact with the first substrate and the second substrate,
The organic EL display device, wherein the first pattern wiring or the second pattern wiring and the pattern electrode are electrically connected by the conductor.
前記第1の絶縁層は、樹脂を含む、請求項1記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the first insulating layer includes a resin. 前記樹脂は、感光性樹脂である、請求項2記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 2, wherein the resin is a photosensitive resin. 前記導電体は、前記第2の絶縁層が破壊されることで前記パターン電極と電気的に接続される請求項1記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the conductor is electrically connected to the pattern electrode by destroying the second insulating layer. 前記第1パターン配線、前記第2パターン配線及び前記誘電体でタッチパネルを構成し、前記タッチパネルが前記第1基板からの信号に基づいて制御される、請求項1記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein a touch panel is configured by the first pattern wiring, the second pattern wiring, and the dielectric, and the touch panel is controlled based on a signal from the first substrate. 前記表示領域上における前記第1基板と前記第2基板との間には、樹脂で構成されるフィル材が設けられ、
前記導電体の径は、前記第1基板と前記第2基板との間の距離より小さい、請求項1記載の有機EL表示装置。
A fill material made of resin is provided between the first substrate and the second substrate on the display area,
The organic EL display device according to claim 1, wherein a diameter of the conductor is smaller than a distance between the first substrate and the second substrate.
前記表示領域上における前記第1基板と前記第2基板との間には、樹脂で構成されるフィル材が設けられ、
前記導電体の径と前記突起部の高さの加算値は、前記第1基板と前記第2基板との間の距離よりも大きい請求項6記載の有機EL表示装置。
A fill material made of resin is provided between the first substrate and the second substrate on the display area,
The organic EL display device according to claim 6, wherein an added value of the diameter of the conductor and the height of the protrusion is larger than a distance between the first substrate and the second substrate.
前記パターン電極は、前記有機EL素子の陽極と同一の材料で構成されている、請求項1記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the pattern electrode is made of the same material as the anode of the organic EL element. 前記非表示領域には、前記突起部の周囲に配置された反射体をさらに有する、請求項1記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, further comprising a reflector disposed around the protrusion in the non-display area. 前記反射体は、並列に配置された複数の線状の反射体であり、前記反射体と直交する方向に連なる前記突起部を設ける、請求項9記載の有機EL表示装置。   10. The organic EL display device according to claim 9, wherein the reflector is a plurality of linear reflectors arranged in parallel, and the protrusions continuous in a direction orthogonal to the reflector are provided. 複数の有機EL素子が配置された表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とを有する第1基板を形成する工程と、
第1パターン配線と該第1パターン配線に誘電体を介して重畳する第2パターン配線とを有する第2基板を形成する工程と、
前記第1基板の前記非表示領域に、導電体を含むシール材を形成する工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを圧着する工程と、を有し、
前記第1基板を形成する工程は、
前記非表示領域に、第1の絶縁層で構成された複数の突起部を形成する工程と、
前記突起部を覆うパターン電極を形成する工程と、
前記パターン電極を覆う第2の絶縁層を形成する工程と、をさらに有し、
前記第1基板と前記第2基板とを圧着することにより、前記導電体によって、前記第1パターン配線又は前記第2パターン配線と、前記パターン電極とを電気的に接続する、有機EL表示装置の製造方法。
Forming a first substrate having a display area in which a plurality of organic EL elements are arranged and a non-display area surrounding the display area;
Forming a second substrate having a first pattern wiring and a second pattern wiring superimposed on the first pattern wiring through a dielectric;
Forming a sealing material including a conductor in the non-display region of the first substrate;
Crimping the first substrate and the second substrate, and
The step of forming the first substrate includes:
Forming a plurality of protrusions composed of a first insulating layer in the non-display area;
Forming a pattern electrode covering the protruding portion;
Forming a second insulating layer covering the pattern electrode, and
An organic EL display device that electrically connects the first pattern wiring or the second pattern wiring and the pattern electrode by the conductor by pressure-bonding the first substrate and the second substrate. Production method.
前記第1の絶縁層を、樹脂で形成する工程を含む、請求項11記載の有機EL表示装置の製造方法。   The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 11, comprising a step of forming the first insulating layer with a resin. 前記樹脂は、感光性樹脂である、請求項12記載の有機EL表示装置の製造方法。   The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 12, wherein the resin is a photosensitive resin. 前記導電体は、前記第2の絶縁層が破壊されることで前記パターン電極と電気的に接続される、請求項11記載の有機EL表示装置の製造方法。   The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 11, wherein the conductor is electrically connected to the pattern electrode by breaking the second insulating layer. 前記第1基板と前記第2基板とを圧着する工程は、前記第1基板と前記第2基板とを真空中で貼り合わせる工程と、貼り合わせた前記第1基板と前記第2基板とを大気中に曝す工程とを有する、請求項11記載の有機EL表示装置の製造方法。   The step of pressure-bonding the first substrate and the second substrate includes a step of bonding the first substrate and the second substrate in a vacuum, and the bonding of the first substrate and the second substrate to the atmosphere. The manufacturing method of the organic electroluminescence display of Claim 11 which has a process exposed inside. 前記第1基板を形成する工程は、さらに、前記表示領域上に樹脂で構成されるフィル材を設ける工程を有し、
前記導電体として、前記第1基板と前記第2基板との間の距離より小さい径の導電体を用いる、請求項11記載の有機EL表示装置の製造方法。
The step of forming the first substrate further includes a step of providing a fill material made of resin on the display area,
The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 11, wherein a conductor having a diameter smaller than a distance between the first substrate and the second substrate is used as the conductor.
前記第1基板を形成する工程は、さらに、前記表示領域上に樹脂で構成されるフィル材を設ける工程を有し、
前記導電体の径と前記突起部の高さの加算値は、前記第1基板と前記第2基板との間の距離よりも大きい請求項16記載の有機EL表示装置の製造方法。
The step of forming the first substrate further includes a step of providing a fill material made of resin on the display area,
17. The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 16, wherein an added value of the diameter of the conductor and the height of the protrusion is larger than a distance between the first substrate and the second substrate.
前記パターン電極を、前記有機EL素子の陽極と同一材料で形成する、請求項11記載の有機EL表示装置の製造方法。   The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 11, wherein the pattern electrode is formed of the same material as the anode of the organic EL element. 前記第1基板を形成する工程は、さらに、前記非表示領域における前記突起部を構成する位置の周囲に反射体を形成する工程を有する、請求項11記載の有機EL表示装置の製造方法。   The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 11, wherein the step of forming the first substrate further includes a step of forming a reflector around a position constituting the protrusion in the non-display area. 前記第1基板を形成する工程は、さらに、並列に配置された複数の線状の反射体を形成する工程と、
前記線状の反射体と直交する方向に連なる線状の樹脂パターンを形成する工程とを有する、請求項19記載の有機EL表示装置の製造方法。
The step of forming the first substrate further includes a step of forming a plurality of linear reflectors arranged in parallel,
The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 19, further comprising a step of forming a linear resin pattern continuous in a direction orthogonal to the linear reflector.
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