JP2016051116A - 光学体、表示装置および光学体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】反射防止能が向上した光学体、表示装置、および光学体の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成された第１の凹凸構造と、前記第１の凹凸構造に重畳された第２の凹凸構造と、を備え、前記第１の凹凸構造の凹凸の平均周期は、可視光帯域に属する波長よりも大きく、前記第２の凹凸構造の凹凸の平均周期は、前記可視光帯域に属する波長以下であり、前記第２の凹凸構造の突起部は、前記基材の平坦面に対する法線方向に伸長している、光学体。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、光学体、表示装置および光学体の製造方法に関する。

一般的に、テレビなどの表示装置やカメラレンズなどの光学素子では、光の透過量を向上させるために、光が入射する表面に対して反射防止処理が施されている。

従来、このような反射防止処理の一つとして、例えば、光の入射表面に対して、凹凸の平均周期が可視光帯域に属する波長以下であるミクロ凹凸構造（例えば、モスアイ構造など）を形成することが提案されている。このようなミクロ凹凸構造を有する表面では、入射光に対する屈折率の変化が緩やかになるため、反射の原因となる急激な屈折率の変化が生じない。したがって、このようなミクロ凹凸構造を光の入射表面に形成することにより、広い波長帯域にわたって入射光の反射を防止することができる。

また、上記のようなミクロ凹凸構造を、ミクロ凹凸構造よりも大きな凹凸を有するマクロ凹凸構造の表面に対して重畳形成することが希求されている。マクロ凹凸構造としては、例えば、入射光を散乱させるために表面に粗面構造を形成した防眩（アンチグレア）構造体、または複数のレンズを２次元的に配列したマイクロレンズアレイ構造体などが挙げられる。

そこで、以下の特許文献１には、陽極酸化法により、ミクロ凹凸構造を、該ミクロ凹凸構造よりも大きな凹凸が形成されたアンチグレア構造に対して重畳する技術が開示されている。

国際公開２０１１／０５２６５２号公報

しかし、上記特許文献１に開示された技術では、ミクロ凹凸構造の形成方法としてウェットエッチングが採用されているため、ミクロ凹凸構造がアンチグレア構造体の表面に対して等方的に形成されてしまう。その結果、ミクロ凹凸構造の突起部は、アンチグレア構造表面の各位置での接平面の法線方向に伸長していた。

このような重畳構造では、ミクロ凹凸構造における突起部の伸長方向が、基材の平坦面に対する法線方向に向かって揃っていないため、正面からの強い外光に対する反射防止能が低下するという問題があった。

そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、反射防止能が向上した、新規かつ改良された光学体、該光学体を備える表示装置、および該光学体の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基材の表面に形成された第１の凹凸構造と、前記第１の凹凸構造に重畳された第２の凹凸構造と、を備え、前記第１の凹凸構造の凹凸の平均周期は、可視光帯域に属する波長よりも大きく、前記第２の凹凸構造の凹凸の平均周期は、前記可視光帯域に属する波長以下であり、前記第２の凹凸構造の突起部は、前記基材の平坦面に対する法線方向に伸長している、光学体が提供される。

前記第２の凹凸構造の前記突起部は、前記第１の凹凸構造の山部に形成された山側突起部と、前記第１の凹凸構造の谷部に形成された谷側突起部と、前記第１の凹凸構造の前記山部と前記谷部の間の斜面部に形成された中間突起部と、を含み、前記中間突起部の高さは、前記山側突起部および前記谷側突起部の高さと異なってもよい。

前記光学体の分光正視感反射率は０．３％以下であり、かつ、前記光学体のヘイズ値は５％以上であってもよい。

前記光学体の２０°光沢度は４％以下であってもよい。

前記第２の凹凸構造の前記突起部は、周期的に配列されていてもよい。

前記第２の凹凸構造の前記突起部は、六角格子状または矩形格子状に配列されていてもよい。

前記基材は、樹脂フィルムであってもよい。

また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、上記の光学体を備える、表示装置が提供される。

また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基材の表面に凹凸構造の平均周期が可視光帯域に属する波長以下である第２の凹凸構造を形成するステップと、前記第２の凹凸構造が形成された前記基材の表面に対してレジスト層を形成するステップと、前記レジスト層の表面に第１の凹凸構造を形成するステップと、垂直異方性を有するエッチングによって、前記第１の凹凸構造および前記第２の凹凸構造を前記基材の表面に重畳させるステップと、を含む、光学体の製造方法が提供される。

前記垂直異方性を有するエッチングにおいて、前記レジスト層のエッチングレートは、前記基材のエッチングレートと異なってもよい。

前記垂直異方性を有するエッチングにおいて、前記レジスト層のエッチングレートは、前記基材のエッチングレートよりも遅く、前記第２の凹凸構造は、前記基材の平坦面の法線方向に反転されて前記第１の凹凸構造に重畳されてもよい。

前記レジスト層のエッチングレートと、前記基材のエッチングレートとの比は、１：１．２〜１：２０であってもよい。

前記垂直異方性を有するエッチングにて使用されるガスは、炭素原子、フッ素原子および水素原子を含んでもよい。

前記基材に対する前記レジスト層のエッチングレート比は、１．５以上であってもよい。

前記光学体の製造方法は、上記の方法により製造された光学体の表面形状を樹脂基材に転写し、前記光学体を複製するステップをさらに含んでもよい。

また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、上記の方法により製造された、光学体が提供される。

本発明によれば、第２の凹凸構造の突起部を、基材の平坦面に対する法線方向に伸長させることができるため、外光に対する正反射を抑制することができる。

以上説明したように本発明によれば、第２の凹凸構造の突起部が基材の平坦面の法線方向に伸長していることにより、光学体の反射防止能を向上させることが可能である。

本発明の一実施形態に係る光学体を厚み方向に切断した際の断面形状を模式的に示す断面図である。 図１Ａの部分領域Ｘを拡大して模式的に示した拡大断面図である。 同実施形態に係る光学体の平面配列の一例を示す平面図である。 同実施形態に係る光学体の第１の製造方法の各工程を説明する断面図である。 同実施形態に係る光学体の第１の製造方法の各工程を説明する断面図である。 同実施形態に係る光学体の第１の製造方法の各工程を説明する断面図である。 同実施形態に係る光学体の第１の製造方法の各工程を説明する断面図である。 同実施形態に係る光学体の第１の製造方法の各工程を説明する断面図である。 同実施形態に係る光学体の第１の製造方法の各工程を説明する断面図である。 同実施形態に係る光学体の第１の製造方法の各工程を説明する断面図である。 同実施形態に係る光学体の第１の製造方法の各工程を説明する断面図である。 図３Ｇで示したエッチング工程におけるミクロ凹凸構造のエッチングを説明する説明図である。 同実施形態に係る光学体を製造するための光学体原盤を説明する斜視図である。 図５に示す光学体原盤を製造する露光装置の一例を示した説明図である。 図５に示す光学体原盤を製造するエッチング装置の一例を示した説明図である。 同実施形態に係る光学体を製造する転写装置の一例を示した説明図である。 実施例１に係る光学体の表面のＳＥＭ画像である。 実施例３に係る光学体の表面のＳＥＭ画像である。 実施例１に係る光学体のマクロ凹凸構造のＴＥＭ画像である。 実施例１に係る光学体のミクロ凹凸構造のＴＥＭ画像である。 正反射分光測定の光学系を説明する説明図である。 拡散反射分光測定の光学系を説明する説明図である。 正反射における分光正反射率の測定結果を示すグラフ図である。 拡散反射における分光拡散反射率の測定結果を示すグラフ図である。

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜１．光学体について＞
［１．１．光学体の構造］
まず、図１Ａ〜図２を参照して、本発明の一実施形態に係る光学体の構造について説明する。図１Ａは、本実施形態に係る光学体１を厚み方向に切断した際の断面形状を模式的に示す断面図である。図１Ａに示すように、本実施形態に係る光学体１は、基材１１の表面に形成されたマクロ凹凸構造１３（第１の凹凸構造に相当する）と、マクロ凹凸構造１３に対して重畳されたミクロ凹凸構造１４（第２の凹凸構造に相当する）とを有する。

基材１１は、透明性を有する材料で構成される。基材１１を構成する材料として、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、またはポリメチルメタアクリレートなどの透明な樹脂、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、または環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）などの樹脂フィルム、あるいは、石英ガラス、ソーダライムガラス、または鉛ガラスなどの透明なガラスなどを挙げることができる。なお、基材１１を構成する材料は、上記の材料に限定されず、透明なものであれば公知の他の材料を用いてもよい。

なお、上記において「透明」とは、可視光帯域（おおよそ３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）に属する波長を有する光の透過率が高いことを意味し、例えば、当該光の透過率が７０％以上であることを意味する。

マクロ凹凸構造１３は、基材１１上に形成される凹凸構造であり、図１Ａに示したように、基材１１の平坦面１２に対して凹である谷部１３Ａと、基材１１の平坦面１２に対して凸である山部１３Ｃと、を有する。また、互いに隣接する谷部１３Ａと山部１３Ｃとの間には、斜面部１３Ｂが形成される。本実施形態に係るマクロ凹凸構造１３の凹凸の平均周期は、可視光帯域に属する波長よりも大きく（例えば、８３０ｎｍ超）、好ましくは、１μｍ以上１００μｍ以下である。ここで、マクロ凹凸構造１３における凹凸の平均周期は、図１Ａに示した、隣り合う谷部１３Ａ、１３Ａ間、または、山部１３Ｃ、１３Ｃ間の平均距離Ｐ_１に対応している。

かかるマクロ凹凸構造１３は、例えば、凹凸の平均周期が１μｍ以上１００μｍ以下である防眩（アンチグレア）構造であってもよい。また、マクロ凹凸構造１３は、直径が１μｍ以上１００μｍ以下である複数のレンズが図１Ａ中のＸＹ平面に２次元的に配列されたマイクロレンズアレイ構造であってもよい。なお、以下では、マクロ凹凸構造１３が防眩（アンチグレア）構造である場合を例に挙げて、説明を行うものとする。

ミクロ凹凸構造１４は、マクロ凹凸構造１３に対して重畳形成された凹凸構造であり、図１Ａに示したように、基材１１の平坦面１２の法線方向に伸長した複数の突起部１４１と、相隣接する突起部１４１、１４１の間に位置する底部１４３と、から構成される。本実施形態に係るミクロ凹凸構造１４の凹凸の平均周期は、可視光帯域に属する波長以下（例えば、８３０ｎｍ以下）であり、好ましくは、１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。ここで、ミクロ凹凸構造１４における凹凸の平均周期は、図１Ａに示した、互いに隣り合う突起部１４１、１４１の頂点間の平均距離Ｐ_２に対応している。

かかる構造を有するミクロ凹凸構造１４は、例えば、基材１１の平坦面の法線方向に伸長した複数の突起部１４１が、図１Ａに示す基材１１のＸＹ平面上に周期的に２次元配列されたモスアイ構造であってもよい。ここで、ミクロ凹凸構造１４の突起部１４１の図１Ａ中のＸＹ平面における２次元配列は、所定の周期性を有する配列であってもよく、周期性を有さない無作為な配列であってもよい。ただし、突起部１４１のＸＹ平面における２次元配列は、図２を参照して後述するように、所定の周期性を有する配列であることが好ましい。

ここで、本実施形態に係る光学体１では、ミクロ凹凸構造１４を構成する全ての突起部１４１が基材１１の平坦面１２の法線方向（すなわち、Ｚ方向）に伸長している。これにより、光学体１では、基材１１全体にわたって、ミクロ凹凸構造１４の突起部１４１の伸長方向が揃うため、強い外光が光学体１に入射した場合の反射防止能をさらに向上させることができる。

一方、図示はしないが、従来技術のように、突起部１４１がマクロ凹凸構造１３の表面各位置における接平面の法線方向に伸長している場合、ミクロ凹凸構造１４の突起部１４１は、マクロ凹凸構造１３の谷部１３Ａ、斜面部１３Ｂおよび山部１３Ｃのいずれの表面上に形成されるかによって伸長する方向が変化する。このような光学体では、基材１１全体において、突起部１４１の伸長方向が揃わないため、強い外光が光学体に入射した場合の反射防止能が低下してしまう。

次に、ミクロ凹凸構造１４について、図１Ｂおよび図２を参照して、より具体的に説明する。図１Ｂは、図１Ａの部分領域Ｘを拡大して模式的に示した拡大断面図である。また、図２は、本実施形態に係る光学体１の平面配列の一例を示す上面図である。

図１Ｂに示すように、ミクロ凹凸構造１４の突起部１４１は、マクロ凹凸構造１３の谷部１３Ａに形成された谷側突起部１４１Ａと、マクロ凹凸構造１３の斜面部１３Ｂに形成された中間突起部１４１Ｂと、マクロ凹凸構造１３の山部１３Ｃに形成された山側突起部１４１Ｃと、を含む。

本実施形態に係る光学体１において、図１Ｂに模式的に示したように、中間突起部１４１Ｂの高さｈ_Ｂは、谷側突起部１４１Ａの高さｈ_Ａおよび山側突起部１４１Ｃの高さｈ_Ｃと異なることが好ましい。また、中間突起部１４１Ｂの高さｈ_Ｂは、谷側突起部１４１Ａの高さｈ_Ａおよび山側突起部１４１Ｃの高さｈ_Ｃよりも低いことがより好ましい。ミクロ凹凸構造１４において反射を防止可能な光の波長帯域は、突起部１４１の高さに依存する。そのため、ミクロ凹凸構造１４の突起部１４１が、谷側突起部１４１Ａおよび山側突起部１４１Ｃと、これら突起部よりも高さの低い中間突起部１４１Ｂと、を含むことで、反射を防止することができる入射光の波長帯域を広げることができる。例えば、谷側突起部１４１Ａの高さｈ_Ａおよび山側突起部１４１Ｃの高さｈ_Ｃが、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である場合、中間突起部１４１Ｂの高さｈ_Ｂは２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。

ここで、図１Ｂに示したように、頂点Ｔ_Ａの両側に位置する２つの底部１４３Ａの間を仮想的に結んだベースラインを想定し、頂点Ｔ_Ａから基材１１の平坦面１２の法線方向（Ｚ方向）に沿って下ろした直線と、かかるベースラインとの交点を、Ｂ_Ａとする。この際に、上記の谷側突起部１４１Ａの高さは、頂点Ｔ_Ａ−交点Ｂ_Ａ間の距離に対応する。同様に、中間突起部１４１Ｂの高さは、図１Ｂに示した頂点Ｔ_Ｂ−交点Ｂ_Ｂ間の距離に対応し、山側突起部１４１Ｃの高さは、図１Ｂに示した頂点Ｔ_Ｃ−交点Ｂ_Ｃ間の距離に対応する。

また、図２に示すように、ミクロ凹凸構造１４の突起部１４１は、図２中のＹ方向に所定の間隔Ｐ_Ｔを成す複数列のトラック（例えば、トラックＴ１、Ｔ２、Ｔ３など）に沿って配列される。また、各トラックＴにおいて突起部１４１は、図２中のＸ方向に沿って一定周期で配列される。

ここで、突起部１４１は、例えば、互いに隣り合う突起部１４１の頂点間隔が可視光帯域に属する波長以下となるように配列される。具体的には、突起部１４１は、図２に示したように、各トラックにおける突起部１４１の配列間隔（ドットピッチ）Ｐ_Ｄ、および突起部１４１の各トラック間の配列間隔（トラックピッチ）Ｐ_Ｔのそれぞれが可視光帯域に属する波長以下となるように配列される。

例えば、ドットピッチＰ_ＤおよびトラックピッチＰ_Ｔは、それぞれ１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であり、好ましくは、それぞれ１５０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下である。ここで、ドットピッチＰ_ＤおよびトラックピッチＰ_Ｔのいずれかが１００ｎｍ未満である場合、ミクロ凹凸構造１４の形成が困難になるため好ましくない。また、ドットピッチＰ_ＤおよびトラックピッチＰ_Ｔのいずれかが３５０ｎｍを超える場合、可視光の回折が生じる可能性があるため好ましくない。なお、ドットピッチＰ_ＤおよびトラックピッチＰ_Ｔの大きさは、互いに同一であってもよいし、相違していてもよい。

また、突起部１４１が配列される複数列のトラックは、図２に例示したように直線状であってもよいが、本発明はかかる例示に限定されない。例えば、突起部１４１が配列される複数列のトラックは、曲線状であってもよい。

さらに、図２では、基材１１のＸＹ平面上において、突起部１４１が矩形格子状に配列される例を示したが、本発明はかかる例示に限定されない。例えば、突起部１４１は、隣接するトラック間において、突起部１４１の配列ピッチ（ドットピッチＰ_Ｄ）が半ドットピッチずつずれた千鳥配置になっており、基材１１のＸＹ平面上に六角形状に配列されてもよい。なお、突起部１４１のＸＹ平面上における充填率を高めるためには、突起部１４１は六角形状に配置されることがより好ましい。

［１．２．光学体の特性］
次に、上記にて説明した構造を有する本実施形態に係る光学体１の光学特性について説明する。

本実施形態に係る光学体１は、前述したように、凹凸の平均周期が可視光帯域に属する波長よりも大きいマクロ凹凸構造１３に対して、凹凸の平均周期が可視光帯域に属する波長以下であるミクロ凹凸構造１４が重畳されている。これにより、本実施形態に係る光学体１は、高い反射防止能と、高い防眩能とを併せ持つことができる。

具体的には、本実施形態に係る光学体１において、分光正視感反射率は０．３％以下であり、かつ、ヘイズ値は５％以上である。また、好ましくは、本実施形態に係る光学体１において、分光正視感反射率は０．３％以下であり、かつ、ヘイズ値は１０％以上である。分光正視感反射率は、入射光に対する正反射光の色をＹｘｙ表色系にて表した場合のＹ値であり、正反射光の色の明度を表す。すなわち、分光正視感反射率が低いほど、反射防止能が高いことを示す。また、ヘイズ値は、光学体に入射した光の全光線透過率に対する拡散透過率の割合であり、ヘイズ値が高いほど、光学体の光散乱性が高く、防眩能が高いことを示す。本実施形態に係る光学体１は、低い分光正反射率を有することにより反射防止能を備え、かつ、高いヘイズ値を有することにより高い防眩能を備えることができる。

分光正視感反射率の値は、より小さいほうが好ましく、特に下限値は設けないが、例えば、０％よりも大きければよい。また、ヘイズ値の値は、用途により要求される値が異なるため、特に上限値は設けないが、例えば、１００％未満であればよい。

また、本実施形態に係る光学体１は、前述のように、基材１１の平坦面１２の法線方向に対して突起部１４１の伸長方向が揃っているため、外光に対する正反射を抑制することができる。

具体的には、本実施形態に係る光学体１の２０°（入射角度）における光沢度は４％以下であり、より好ましくは１％未満である。光沢度は、入射光に対する正反射光の程度を表した値であり、光沢度が低いほど、正反射が抑制されていることを示す。本実施形態に係る光学体１は、強い外光を受けた場合でも正反射を抑制し、ぎらつき等を防止することができる。

光沢度の値は、特に下限値は設けないが、例えば、０％よりも大きければよい。

以上にて、本実施形態に係る光学体１の構造および特性について詳細に説明した。本実施形態によれば、反射防止能を高めることにより光透過率が向上した光学体を実現することができる。

＜２．光学体の製造方法について＞
［２．１．第１の製造方法］
続いて、図３Ａ〜図４を参照して、本実施形態に係る光学体１の第１の製造方法について説明する。図３Ａ〜図３Ｈは、本実施形態に係る光学体１の第１の製造方法の各工程を説明する断面図である。

具体的には、本実施形態に係る光学体１の第１の製造方法は、まず、基材１１に対してミクロ凹凸構造１４を形成し、その後、マクロ凹凸構造１３をミクロ凹凸構造１４に対して重畳形成する。

第１の製造方法では、まず、図３Ａに示すように、例えば石英ガラスなどの基材１１上に、第１レジスト層１５が成膜される。ここで、第１レジスト層１５は、有機系レジストまたは無機系レジストのいずれも使用することできる。有機系レジストとしては、例えば、ノボラック系レジスト、または化学増幅型レジストなどを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、タングステン、またはモリブデンなどの１種または２種以上の遷移金属を含む金属酸化物を用いることができる。

次に、図３Ｂに示すように、露光装置により第１レジスト層１５が露光され、第１レジスト層１５に潜像１５Ａが形成される。具体的には、レーザ光、紫外線、Ｘ線、または電子線等の高エネルギーの電磁波２０を第１レジスト層１５に対して照射することにより、第１レジスト層１５の電磁波２０が照射された部位が変性し、潜像１５Ａが形成される。

続いて、図３Ｃに示すように、潜像１５Ａが形成された第１レジスト層１５上に現像液が滴下され、第１レジスト層１５が現像される。これにより、第１レジスト層１５に所定のパターンが形成される。例えば、第１レジスト層１５がポジ型レジストである場合、電磁波２０で露光された露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増加する。そのため、図３Ｃに示すように現像処理により露光部（潜像１５Ａ）が除去され、潜像１５Ａの除去されたパターンが第１レジスト層１５に形成される。一方、第１レジスト層１５がネガ型レジストである場合、電磁波２０で露光された露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が低下する。そのため、現像処理により非露光部が除去され、潜像１５Ａの残存したパターンが第１レジスト層１５に形成される。

次に、図３Ｄに示すように、前工程にてパターン形成された第１レジスト層１５をマスクとして利用して、基材１１がエッチングされる。これにより、基材１１に対してミクロ凹凸構造１４（第２の凹凸構造）が形成される。なお、基材１１に対するエッチング方法は、ドライエッチングまたはウェットエッチングのいずれも使用可能である。ただし、凹凸の平均周期が可視光帯域に属する波長以下であるミクロ凹凸構造１４を高アスペクト比にて形成するためには、垂直異方性を得やすいドライエッチングを用いることがより好ましい。

なお、基材１１に対するエッチング条件は、基材１１および第１レジスト層１５の材質を考慮することで適切に設定することが可能である。例えば、基材１１に石英ガラスを用いる場合、ミクロ凹凸構造１４を形成するために、ＣＦ系ガスおよびＨを含むガスを用いたドライエッチング、またはフッ化水素酸等を用いたウェットエッチングを利用することができる。

続いて、図３Ｅに示すように、ミクロ凹凸構造１４が形成された基材１１上に、第２レジスト層１６が成膜される。第２レジスト層１６は、例えば、光硬化型レジスト、熱可塑型レジストなどの有機レジストを基材１１上に滴下することで形成される。また、第２レジスト層１６として、金属酸化物またはスピンオングラス（ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ：ＳＯＧ）などの無機レジストを用いることも可能である。

ただし、第２レジスト層１６を構成する材料は、後述する基材１１のエッチング工程において、第２レジスト層１６のエッチングレートが基材１１のエッチングレートと相違するように選択される。例えば、基材１１が石英ガラスなどの無機材料である場合、第２レジスト層１６は、有機レジストであることが好ましい。また、基材１１が透明樹脂などの有機材料である場合、第２レジスト層１６は、スピンオングラス等の無機レジストであることが好ましい。

次に、図３Ｆに示すように、第２レジスト層１６にマクロ凹凸構造１３（第１の凹凸構造）が形成される。ここで、第２レジスト層１６に形成されるマクロ凹凸構造１３は、上述したように、凹凸の平均周期が可視光帯域に属する波長よりも大きい凹凸構造である。マクロ凹凸構造１３は、例えば、マクロ凹凸構造１３の凹凸が反転した構造が形成された転写フィルムを第２レジスト層１６に対してインプリントすることによって形成されてもよい。また、マクロ凹凸構造１３は、第２レジスト層１６に対してサンドブラスト処理などの機械加工を施すことによって形成されてもよい。

続いて、図３Ｇに示すように、前工程にてパターン形成された第２レジスト層１６をマスクとして利用し、基材１１がエッチングされる。これにより、基材１１にマクロ凹凸構造１３とミクロ凹凸構造１４との双方が重畳形成される。

ここで、本エッチング工程では、基材１１に対するエッチングとして、垂直異方性を有するエッチングが用いられる。具体的には、第２レジスト層１６をマスクとする基材１１のエッチングには、反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）を用いることが好ましい。このような垂直異方性を有するエッチングを用いることにより、本エッチング工程では、ミクロ凹凸構造１４を消失させることなく、基材１１に対してマクロ凹凸構造１３を形成することができる。

一方、ウェットエッチング等の等方性を有するエッチングでは、ミクロ凹凸構造１４の突起部１４１の側面に対しても垂直方向と同様にエッチングが進行する。その結果、エッチング中にミクロ凹凸構造１４が消失してしまい、基材１１にマクロ凹凸構造１３とミクロ凹凸構造１４とを重畳させることが困難となる。したがって、ウェットエッチング等の等方性を有するエッチングを用いることは、好ましくない。

また、基材１１に対するエッチングにおいて、第２レジスト層１６のエッチングレートと、基材１１のエッチングレートとは、互いに相違することが好ましい。

（１）第１のエッチング条件
第１のエッチング条件において、第２レジスト層１６のエッチングレートは基材１１のエッチングレートよりも遅い。より詳細には、第２レジスト層１６のエッチングレートと、基材１１のエッチングレートとの比は、１：１．２〜１：２０であることが好ましい。

例えば、第２レジスト層１６に対する基材１１のエッチングレート比が１．２未満の場合、エッチング後、基材１１に形成されたミクロ凹凸構造１４が消失してしまうため、好ましくない。また、第２レジスト層１６に対する基材１１のエッチングレート比が２０を超える場合、エッチング後、マクロ凹凸構造１３の凹凸深さが大きくなりすぎ、光学体１の光学特性が低下するため、好ましくない。

この第１のエッチング条件において、基材１１が石英ガラスである場合、エッチングにて使用されるガスは、炭素原子、フッ素原子および水素原子を含むことが好ましい。エッチングに使用されるガスに炭素原子およびフッ素原子を含むことにより、石英（ＳｉＯ_２）をエッチングすることができる。また、エッチングに使用されるガスに水素原子を含むことによりエッチング中にエッチングパターンの側壁に炭化水素膜を生成することでパターンの側壁を保護し、エッチングの垂直異方性を高めることができる。第１のエッチング条件では、エッチングにより高い垂直異方性が必要とされるため、炭素原子、フッ素原子および水素原子を含むガスを使用し、エッチングの垂直異方性を高めることが好ましい。一方、エッチングに使用されるガスに水素原子が含まれない場合、エッチングの垂直異方性が十分ではなくなるため、好ましくない。

具体的には、基材１１が石英ガラスである場合、ＣＨＦ_３、またはＣＨ_２Ｆ_２ガスなどを使用することができる。また、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_８、またはＣ_３Ｆ_８などのガスにＨ_２を混合したガスを使用することも可能である。さらに、エッチングにて使用されるガスにＡｒガス等の不活性ガスを添加することも可能である。ただし、Ｏ_２ガス等の化学的に活性なガスは、エッチングの等方性を増加させて垂直異方性を低下させるため、好ましくない。

さらに、第１のエッチング条件におけるミクロ凹凸構造１４に対するエッチングについてさらに説明する。

第１のエッチング条件において、ミクロ凹凸構造１４は、第２レジスト層１６によってエッチングから保護される。ここで、ミクロ凹凸構造１４の突起部１４１は、底部１４３よりも速く上部の第２レジスト層１６が除去されて、先に露出する。基材１１へのエッチングレートは、第２レジスト層１６へのエッチングレートよりも速いため、先に露出した突起部１４１は、より速くエッチングが進行し、エッチング完了時には、底部１４３よりも深くエッチングされる。したがって、エッチング完了時には、本エッチング工程前に突起部１４１の形成されていた位置に新たな底部が形成され、底部１４３の形成されていた位置に新たな突起部が形成されることになる。すなわち、本エッチング工程により、ミクロ凹凸構造１４は、突起部１４１と底部１４３との位置が反転した状態で、マクロ凹凸構造１３に重畳される。

さらに、図４を参照して、より具体的に上記のミクロ凹凸構造１４の凹凸の反転について説明する。図４は、図３Ｇで示したエッチング工程におけるミクロ凹凸構造１４のエッチングを説明する説明図である。

図４Ａに示すように、本エッチング工程前において、基材１１にミクロ凹凸構造１４の突起部１４１および底部１４３が形成されており、底部１４３に相当する谷間に第２レジスト層１６が充填されている。このようなミクロ凹凸構造１４に対して、本エッチング工程を行った場合、図４Ｂに示すように、基材１１は、上部の第２レジスト層１６の厚みが薄い突起部１４１の部分から先に露出し、基材１１のエッチングが進行する。ここで、基材１１に形成された突起部１４１のほうが第２レジスト層１６よりもエッチングレートが速いため、底部１４３に充填された第２レジスト層１６よりもエッチング量が多くなる。さらに基材１１のエッチングが進行した場合、図４Ｃおよび図４Ｄに示すように、先に露出した突起部１４１の方が、上部の第２レジスト層１６が厚い底部１４３よりも深くエッチングされることになる。

そのため、図４Ｅに示すように、第２レジスト層１６が消失するまでエッチングした場合、エッチング工程前の突起部１４１は、エッチング工程前の底部１４３よりも深くエッチングされ、新たな底部１４７になる。また、エッチング工程前の底部１４３は、エッチング工程前の突起部１４１よりもエッチング量が少ないため、新たな突起部１４５になる。

以上にて説明したように、第２レジスト層１６のエッチングレートが基材１１のエッチングレートよりも遅い場合、基材１１に形成されたミクロ凹凸構造１４は、突起部１４１と底部１４３との位置が反転した状態でマクロ凹凸構造１３に対して重畳される。

（２）第２のエッチング条件
また、上記第１のエッチング条件とは逆に、第２レジスト層１６のエッチングレートは、基材１１のエッチングレートよりも速くなるようにしてもよい。より詳細には、基材１１に対する第２レジスト層１６のエッチングレート比は、１．５以上であってもよい。

例えば、基材１１に対する第２レジスト層１６のエッチングレート比が１．５未満の場合、エッチング後、基材１１に形成されたミクロ凹凸構造１４の凹凸深さが小さくなり、光学体１の光学特性が低下するため、好ましくない。また、基材１１に対する第２レジスト層１６のエッチングレート比の上限値は、特に設けないが、例えば、２０以下であればよい。

この第２のエッチング条件において、基材１１が石英ガラスである場合、使用されるガスは、炭素原子、およびフッ素原子を含むことが好ましい。炭素原子およびフッ素原子を含むガスをエッチングに使用することにより、石英（ＳｉＯ_２）をエッチングすることができる。

具体的には、基材１１が石英ガラスである場合、エッチングにて使用されるガスとして、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_８、またはＣ_３Ｆ_８ガス等を使用することができる。また、これらのガスに対して、Ｈ_２ガス、またはＡｒガス等を添加することも可能である。ただし、Ｏ_２ガス等の化学的に活性なガスは、エッチングの等方性を増加させて垂直異方性を低下させるため、好ましくない。

さらに、第２のエッチング条件におけるミクロ凹凸構造１４に対するエッチングについて説明する。

第２のエッチング条件において、ミクロ凹凸構造１４は、第２レジスト層１６によってエッチングから保護される。ここで、基材１１へのエッチングレートは第２レジスト層１６へのエッチングレートよりも遅いため、基材１１に形成されるマクロ凹凸構造１３は、第２レジスト層１６に形成されたマクロ凹凸構造１３よりも凹凸が小さくなる。一方で、基材１１に対するマクロ凹凸構造１３の凹凸の形成量が小さいため、本エッチング工程前に基材１１に形成されていたミクロ凹凸構造１４は、消失せずに残存する。したがって、本エッチング工程によっても、ミクロ凹凸構造１４をマクロ凹凸構造１３に対して重畳させることができる。

しかしながら、本エッチング条件では、ミクロ凹凸構造１４の突起部１４１の高さがエッチング前よりも低くなるため、反射防止能が低下する可能性がある。そのため、第２のエッチング条件よりは、上記第２レジスト層１６のエッチングレートが基材１１のエッチングレートよりも遅い第１のエッチング条件を用いるほうがより好ましい。

次に、図３Ｈに示すように、マクロ凹凸構造１３とミクロ凹凸構造１４との双方が重畳された基材１１から残存した第２レジスト層１６を除去する。また、第２レジスト層１６が除去された基材１１を洗浄することで、本実施形態に係る光学体１が製造される。

以上にて説明した第１の製造方法によれば、本実施形態に係る光学体１を製造することが可能である。また、第１の製造方法により製造された光学体１は、図３Ｇで示したエッチング工程において、垂直異方性を有するエッチングが行われているため、ミクロ凹凸構造１４の突起部１４１が基材１１の平坦面１２の法線方向に伸長する。したがって、該光学体１は、上述したように、強い外光に対する正反射を抑制することができる。

また、第１の製造方法では、図３Ｇで示したエッチング工程にて垂直異方性を有するエッチングが行われているため、ミクロ凹凸構造１４の中間突起部１４１Ｂは、谷側突起部１４１Ａおよび山側突起部１４１Ｃよりも高さが低くなる。したがって、第１の製造方法により製造された光学体１は、上述したように、より広い波長帯域の入射光の反射を防止することができる。

垂直異方性を有するエッチングでは、基材１１の平坦面１２に対して垂直にイオンが入射するため、イオンの入射方向に対して面が出ている谷部１３Ａおよび山部１３Ｃのほうがエッチングに寄与するイオンのエネルギーを受けやすい。また、イオンの入射方向に対して角度を有している斜面部１３Ｂは、エッチングに寄与するイオンのエネルギーが分散される。これにより、斜面部１３Ｂのエッチングレートは、谷部１３Ａおよび山部１３Ｃのエッチングレートよりも遅くなる。したがって、中間突起部１４１Ｂは、谷側突起部１４１Ａおよび山側突起部１４１Ｃよりも高さが低くなる。

さらに、第１の製造方法では、ミクロ凹凸構造１４が露光装置を用いたリソグラフィによってパターニングされるため、基材１１の表面上に周期的に可視回折光が発生しない範囲にてミクロ凹凸構造１４の突起部１４１を形成することができる。したがって、本実施形態に係る光学体１は、回折散乱による入射光の透過損失を抑制することができる。

［２．２．第２の製造方法］
続いて、図５〜図８を参照して、本実施形態に係る光学体１の第２の製造方法について説明する。図５は、本実施形態に係る光学体１を製造するための光学体原盤１Ａを説明する斜視図である。また、図６は、図５に示す光学体原盤１Ａを製造する露光装置の一例を示した説明図であり、図７は、図５に示す光学体原盤１Ａを製造するエッチング装置の一例を示した説明図である。さらに、図８は、本実施形態に係る光学体１を製造する転写装置の一例を示した説明図である。

具体的には、本実施形態に係る光学体１の第２の製造方法では、まず、マクロ凹凸構造１３およびミクロ凹凸構造１４が重畳された凹凸構造５が表面に形成された光学体原盤１Ａを製造する。次に、製造した光学体原盤１Ａを用いて、シート状の基材１１に凹凸構造５を転写することにより、基材１１の表面に凹凸構造５が形成された光学体１を連続的に製造する。

まず、図５を参照して、光学体原盤１Ａについて説明する。図５に示すように、光学体原盤１Ａは、例えば、中空円柱状の原盤基材３からなる。また、原盤基材３の外周面には、凹凸構造５が形成されている。

原盤基材３は、例えば、円筒形状のガラス体であり、例えば、石英ガラスで形成される。ただし、原盤基材３の材料は、ＳｉＯ_２純度が高いものであれば、特に限定されず、溶融石英ガラスまたは合成石英ガラス等であってもよい。また、原盤基材３の大きさは、特に限定されるものではないが、例えば、軸方向の長さが１００ｍｍ以上であってもよく、外径が５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、厚みが２ｍｍ以上５０ｍｍ以下であってもよい。

凹凸構造５は、凹凸の平均周期が可視光帯域に属する波長よりも大きいマクロ凹凸構造（第１の凹凸構造）に、凹凸の平均周期が可視光帯域に属する波長以下であるミクロ凹凸構造（第２の凹凸構造）が重畳された構造である。ここで、マクロ凹凸構造は、例えば、凹凸の平均周期が１μｍ以上１００μｍ以下のアンチグレア構造であってもよく、ミクロ凹凸構造は、例えば、凹凸の平均周期が１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下のモスアイ構造であってもよい。

このような凹凸構造５が外周面に形成された光学体原盤１Ａは、例えば、上記で第１の製造方法として説明した製造方法を用いることにより製造することができる。具体的には、光学体原盤１Ａは、図６に示す露光装置２、および図７に示すエッチング装置４を用いることにより製造することができる。

ここで、図６および図７を参照して、光学体原盤１Ａを製造するための露光装置２およびエッチング装置４について説明する。

まず、図６に示す露光装置２について説明する。図６に示す露光装置２は、図３Ｂを参照して説明した露光工程にて用いられるレーザ描画装置である。

図６に示すように、露光装置２は、レーザ光源２１と、第１ミラー２３と、フォトダイオード（Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ：ＰＤ）２４と、集光レンズ２６と、電気光学偏向素子（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｏｐｔｉｃ Ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＥＯＤ）２９と、コリメータレンズ２８と、制御機構３７と、第２ミラー３１と、移動光学テーブル３２と、スピンドルモータ３５と、ターンテーブル３６とを備える。また、原盤基材３は、ターンテーブル３６上に載置され、回転することができるようになっている。

レーザ光源２１は、原盤基材３の表面に成膜されたレジスト層を露光するためのレーザ光２０Ａを発振する光源であり、例えば、４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色光帯域の波長のレーザ光を発する半導体レーザである。レーザ光源２１から出射されたレーザ光２０Ａは、平行ビームのまま直進し、第１ミラー２３で反射される。また、第１ミラー２３にて反射されたレーザ光２０Ａは、集光レンズ２６によって電気光学偏向素子２９に集光された後、コリメータレンズ２８によって、再度、平行ビーム化される。平行ビーム化されたレーザ光２０Ａは、第２ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。

第１ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、偏光成分の一方を反射させ、偏光成分の他方を透過させる機能を有する。第１ミラー２３を透過した偏光成分は、フォトダイオード２４によって受光され、光電変換される。また、フォトダイオード２４によって光電変換された受光信号は、レーザ光源２１に入力され、レーザ光源２１は、入力された受光信号に基づいてレーザ光２０Ａの変調を行う。

電気光学偏向素子２９は、レーザ光２０Ａの照射位置を制御することが可能な素子である。露光装置２は、電気光学偏向素子２９により、移動光学テーブル３２上に導かれるレーザ光２０Ａの照射位置を変化させることも可能である。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ（Ｂｅａｍ ｅｘｐａｄｅｒ：ＢＥＸ）３３と、対物レンズ３４とを備える。移動光学テーブル３２に導かれたレーザ光２０Ａは、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、原盤基材３の表面に成膜されたレジスト層に照射される。また、原盤基材３は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６上に載置され、回転することができるようになっている。

ここで、ターンテーブル３６により原盤基材３を回転させながら、レーザ光２０Ａを原盤基材３の軸方向に移動させ、レジスト層へレーザ光を間欠的に照射することでレジスト層への露光が行われる。なお、レーザ光２０Ａの移動は、移動光学テーブル３２を矢印Ｒ方向へ移動することによって行われる。

また、露光装置２は、レーザ光２０Ａによる照射位置を矩形格子状や六角格子状などの２次元パターンにするための制御機構３７を備える。制御機構３７は、フォーマッタ３８と、ドライバ３９とを備え、レーザ光２０Ａの照射を制御する。ドライバ３９は、フォーマッタ３８が生成した制御信号に基づいてレーザ光源２１の出力を制御する。これにより、レジスト層１５へのレーザ光２０Ａの照射が制御される。

なお、露光装置２は、２次元パターンがトラックごとに同期するように、１トラックごとにフォーマッタ３８からの制御信号と、スピンドルモータ３５のサーボ信号とを同期させている。そのため、ターンテーブル３６の回転数、レーザ光２０Ａの変調周波数、および移動光学テーブル３２の送りピッチなどを適切な値に設定することにより、露光装置２は、周期的な２次元パターンにてレジスト層へのレーザ光２０Ａの照射を行うことができる。

続いて、図７に示すエッチング装置４について説明する。エッチング装置４は、図３Ｄおよび図３Ｇを参照して説明したエッチング工程にて用いられる。図７に示すエッチング装置４は、例えば、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置である。

図７に示すように、エッチング装置４は、エッチング反応槽４１と、カソード（陰極）である円柱電極４２と、アノード（陽極）である対向電極４３とを備える。円柱電極４２は、エッチング反応槽４１の中央に設けられ、原盤基材３を着脱可能に設けられる。円柱電極４２は、例えば、原盤基材３と略同一または相似の円柱面を有し、原盤基材３の内周面によりも小さい円柱面を有することが好ましい。また、円柱電極４２は、ブロッキングコンデンサ４４を介して、例えば、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源（ＲＦ）４５に接続される。一方、対向電極４３は、エッチング反応槽４１の内側に設けられ、アースに対して接続される。

エッチング装置４では、高周波電源４５により、対向電極４３と円柱電極４２との間に高周波電圧が印加されることで、対向電極４３と円柱電極４２との間にプラズマが発生する。ここで、対向電極４３はアースに接続されているため、電位が変化しない。一方、円柱電極４２は、ブロッキングコンデンサにより回路が遮断されているため、電圧降下が発生し、電位が負になる。これにより、エッチング反応槽４１中には、円柱電極４２の円柱面に垂直な方向に電界が発生するため、プラズマ中のプラスイオンは、原盤基材３の外周面に垂直に入射し、垂直異方性を有するエッチングを行うことができる。

以上にて説明した露光装置２およびエッチング装置４を用いて、第１の製造方法にて説明した工程を実行することにより、図５で示した光学体原盤１Ａを製造することができる。

さらに、光学体原盤１Ａの外周面に形成された凹凸構造５を基材１１に転写することにより、本実施形態に係る光学体１を製造することができる。具体的には、本実施形態に係る光学体１は、図８に示す転写装置６を用いることにより製造することができる。

ここで、図８を参照して、光学体原盤１Ａを用いて光学体１を製造するための転写装置６について説明する。図８に示す転写装置６は、例えば、ロールツーロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）方式のナノインプリント装置である。

図８に示すように、転写装置６は、光学体原盤１Ａと、基材供給ロール５１と、巻取ロール５２と、ガイドロール５３、５４と、ニップロール５５と、剥離ロール５６と、塗布装置５７と、光源５８とを備える。

基材供給ロール５１は、シート形態の基材１１がロール状に巻かれたロールである。また、巻取ロール５２は、凹凸構造５が転写された樹脂層６２を積層した光学体１を巻き取るロールである。ガイドロール５３、５４は、基材１１を搬送するロールであり、基材供給ロール５１から巻取ロール５２まで基材１１を搬送可能となるように転写装置６内の搬送経路に配置される。

ニップロール５５は、樹脂層６２が積層された基材１１を円筒形状の光学体原盤１Ａに対して密着させるロールである。また、剥離ロール５６は、凹凸構造５が樹脂層６２に転写された後、樹脂層６２が積層された基材１１を光学体原盤１Ａから剥離する。なお、基材供給ロール５１、巻取ロール５２、ガイドロール５３、５４、ニップロール５５、および剥離ロール５６の材質は、特に限定されないが、例えば、ステンレス等の金属、ゴム、シリコーン樹脂等を適宜選択して使用することができる。

塗布装置５７は、コーターなどの塗布手段を備え、光硬化樹脂組成物を基材１１に塗布し、樹脂層６２を形成する。塗布装置５７は、例えば、グラビアコーター、ワイヤーバーコーター、ダイコーターなどであってもよい。また、光源５８は、光硬化樹脂組成物を硬化可能な波長の光を発する光源であり、例えば、紫外線ランプなどであってもよい。

なお、光硬化性樹脂組成物は、所定の波長の光が照射されることにより流動性が低下し、硬化する樹脂である。具体的には、光硬化性樹脂組成物は、アクリル樹脂アクリレートなどの紫外線硬化樹脂であってもよい。また、光硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、開始剤、フィラー、機能性添加剤、溶剤、無機材料、顔料、帯電防止剤、または増感色素などを含んでもよい。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなど使用してもよい。フィラーとしては、無機微粒子または有機微粒子のいずれも使用可能であるが、例えば、無機微粒子として、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３などの金属酸化物微粒子を使用することができる。また、機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、吸収剤、消泡剤などを使用することができる。

転写装置６では、まず、基材供給ロール５１からガイドロール５３を介して、基材１１が連続的に送出される。送出された基材１１は、塗布装置５７により光硬化樹脂組成物が塗布されることで樹脂層６２が積層され、さらにニップロール５５により、光学体原盤１Ａと密着させられる。これにより、光学体原盤１Ａの外周面（すなわち、転写面）に形成された凹凸構造５が樹脂層６２に転写される。凹凸構造５が転写された後、樹脂層６２は、光源５８からの光の照射により硬化する。続いて、硬化した樹脂層６２が積層された基材１１（光学体１）は、剥離ロール５６により光学体原盤１Ａから剥離され、ガイドロール５４にて搬送された後、巻取ロール５２によって巻き取られる。

これにより、光学体原盤１Ａに形成された凹凸構造５が転写されたシート状の光学体１を連続的に製造することができる。

以上にて説明した各装置を用いることにより、本実施形態に係る光学体の第２の製造方法を実施することができる。

具体的には、円筒形状の石英ガラスからなる原盤基材３の外周面に第１レジスト層１５を成膜し、図６で示した露光装置２によってレーザ光による熱リソグラフィを行い、第１レジスト層１５に潜像１５Ａを形成する。続いて、露光した原盤基材３を現像処理し、第１レジスト層１５にパターンを形成した後、図７で示したエッチング装置４にて原盤基材３をエッチングし、原盤基材３の外周面にミクロ凹凸構造１４を形成する。

次に、ミクロ凹凸構造１４を形成した原盤基材３の外周面に第２レジスト層１６を成膜し、第２レジスト層１６に対してマクロ凹凸構造１３を形成する。続いて、図７で示したエッチング装置４にて原盤基材３をエッチングし、原盤基材３の外周面にマクロ凹凸構造１３およびミクロ凹凸構造１４を重畳形成する。これらの工程により、マクロ凹凸構造１３に対してミクロ凹凸構造１４が重畳された光学体原盤１Ａが製造される。

さらに、図８で示した転写装置６によって、上記で製造した光学体原盤１Ａの外周面の凹凸構造５を基材１１に転写することで、光学体１が製造される。

この第２の製造方法によれば、ロールツーロール方式のナノインプリント技術を用いて光学体原盤１Ａから光学体１へ凹凸構造５を転写することができるため、大面積のシート状の光学体１を高速かつ連続的に製造することが可能である。

なお、上記では、光学体原盤１Ａは、円筒形状のガラス体であるとして説明したが、本発明は、上記例示に限定されない。例えば、光学体原盤１Ａは、平板形状のガラス体であってもよい。このような場合、枚葉方式の転写装置６を用いることにより、光学体原盤１Ａから光学体１へ凹凸構造５を転写することができる

以上にて、本実施形態に係る光学体１の製造方法について説明した。

＜３．実施例＞
以下では、実施例および比較例を参照しながら、上記実施形態に係る光学体１について、具体的に説明する。なお、以下に示す実施例は、上記実施形態に係る光学体１およびその製造方法の実施可能性および効果を示すための一条件例であり、本発明の光学体１やその製造方法が以下の実施例に限定されるものではない。

［３．１．光学体の製造］
以下の工程により、光学体１を製造した。

（実施例１）
まず、円筒形状の石英ガラスからなる原盤基材３の外周面に、タングステン金属酸化物を含む第１レジスト層１５を成膜した。次に、図６で示した露光装置２により、レーザ光による熱リソグラフィを行い、第１レジスト層１５に六角格子状のドットアレイパターンの潜像１５Ａを形成した。

なお、露光したドットアレイパターンは、原盤基材３の周方向のトラックに沿って所定のドットピッチごとにドットが配列され、隣接するトラック同士は互い違いに半ドットピッチずつずれた配列（六角格子状の配列）である。また、同一トラックにおけるドットピッチは約２３０ｎｍであり、原盤基材３の軸方向のトラックピッチは約１５０ｎｍである。

続いて、原盤基材３をアルカリ現像液（東京応化工業社製ＮＭＤ３）にて現像処理することで露光した部分のレジストを溶解させ、第１レジスト層１５にドットアレイパターンを形成した。次に、第１レジスト層１５をマスクにして、図７で示したエッチング装置４にてＣＨＦ_３ガスを用いて原盤基材３をエッチングし、原盤基材３の外周面にミクロ凹凸構造１４を形成した。なお、このエッチング工程では、ミクロ凹凸構造１４の突起部１４１の高さが約２５０ｎｍになるまで原盤基材３をエッチングした。

さらに、ミクロ凹凸構造１４を形成した原盤基材３に対して、紫外線硬化型樹脂であるカチオン重合型ナノインプリントリソグラフィ用レジストを溶媒に溶解して塗布し、第２レジスト層１６を形成した。その後、原盤基材３を１００℃で５分間加熱し、第２レジスト層１６中の溶媒を除去した。

ここで、第２レジスト層１６に対して、マクロ凹凸構造１３が形成された粗面フィルムを密着させ、紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ^２にて照射することで、第２レジスト層１６を硬化させた。その後、粗面フィルムを剥離し、第２レジスト層１６にマクロ凹凸構造１３を形成した。なお、粗面フィルムのマクロ凹凸構造１３の算術平均粗さＲａは０．４４９μｍであった。なお、粗面フィルムの算術平均粗さＲａは、小坂研究所社Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ ＥＴ２００を用いて、測定速度１００μｍ／ｓｅｃ、測定力１００μＮにて測定した。

続いて、マクロ凹凸構造１３が形成された第２レジスト層１６をマスクにして、図７で示したエッチング装置４により、ＣＨＦ_３ガスを用いて、ガス圧０．５Ｐａ、投入電力２５０Ｗにて原盤基材３を６時間エッチングした。本エッチングにおける第２レジスト層１６のエッチングレートと、原盤基材３のエッチングレートとの比は、おおよそ１：２であった。

このエッチング工程により、原盤基材３の表面に対して、マクロ凹凸構造１３およびミクロ凹凸構造１４が重畳された。なお、エッチング後の原盤基材３の算術平均粗さＲａは、０．７０７μｍであった。

以上の工程により、マクロ凹凸構造１３に対してミクロ凹凸構造１４が重畳された光学体原盤１Ａを製造した。続いて、図８で示した転写装置６にて、光学体原盤１Ａの外周面に形成されたマクロ凹凸構造１３およびミクロ凹凸構造１４を樹脂層６２に転写し、光学体１を製造した。なお、光学体１の基材１１にはポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。樹脂層６２には、紫外線硬化樹脂であるアクリル樹脂アクリレートを用い、１０００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して硬化させた。

（実施例２）
実施例１において、第２レジスト層１６に対して密着させた粗面フィルムの算術平均粗さＲａを０．１８７μｍに変更した以外は、実施例１と同様の方法にて光学体１を製造した。なお、エッチング後の原盤基材３の算術平均粗さＲａは、０．３８５μｍであった。

（実施例３）
実施例１において、第２レジスト層１６に対して密着させた粗面フィルムの算術平均粗さＲａを０．６０６μｍに変更し、また、マクロ凹凸構造１３を原盤基材３に形成する際のエッチングにて用いたガスをＣＦ_４に変更した以外は、実施例１と同様の方法にて光学体１を製造した。なお、本エッチングにおける第２レジスト層１６のエッチングレートと、原盤基材３のエッチングレートとの比は、おおよそ３：１であり、エッチング後の原盤基材３の算術平均粗さＲａは、０．２７１μｍであった。

（実施例４）
実施例１において、第２レジスト層１６に対して密着させた粗面フィルムの算術平均粗さＲａを０．１２μｍに変更した以外は、実施例１と同様の方法にて光学体１を製造した。なお、エッチング後の原盤基材３の算術平均粗さＲａは、０．１８６μｍであった。

（比較例１）
ポリエチレンテレフタレートフィルムを基材１１に用い、ヘイズ値が７％のＡＧ（Ａｎｔｉｇｌａｒｅ）層をウェットコーティングによって基材１１の片面に積層した。ＡＧ層上に、順にＳｉＯ_ｘ（膜厚３ｎｍ）、Ｎｂ_２Ｏ_５（膜厚２０ｎｍ）、ＳｉＯ_２（膜厚３５ｎｍ）、Ｎｂ_２Ｏ_５（膜厚３５ｎｍ）、ＳｉＯ_２（膜厚１００ｎｍ）の多層薄膜をスパッタリング法によって成膜し、反射防止層とすることにより、光学体を製造した。

（比較例２）
セルローストリアセテート（ＴＡＣ）フィルムを基材１１に用い、ヘイズ値が９％のＡＧハードコート層をウェットコーティングによって基材１１の片面に積層した。次に、フィラーを含み、ＡＧハードコート層上にＡＧハードコート層よりも屈折率が低い樹脂層をウェットコーティングによって積層し、反射防止層とすることにより、光学体を製造した。

（比較例３）
実施例１において、マクロ凹凸構造１３が形成される前のミクロ凹凸構造１４のみが形成された原盤基材３を光学体原盤１Ａとして用いた以外は、実施例１と同様の方法にて光学体１を製造した。

（比較例４）
ヘイズ値が約２０％のアンチグレア層と、ハードコート層とがポリエチレンテレフタレートフィルム上に積層された市販の防眩フィルム（Ｄａｉｓｏ製）を購入し、光学体として用いた。

［３．２．光学体の評価結果］
（電子顕微鏡による光学体の観察結果）
まず、図９〜図１２を参照して、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）および透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）による光学体の構造観察の結果について説明する。

まず、ＳＥＭにて光学体の平面構造を観察した。その結果を図９および図１０に示す。ここで、図９は、実施例１に係る光学体の表面のＳＥＭ画像であり、図１０は、実施例３に係る光学体の表面のＳＥＭ画像である。また、図９Ａおよび図１０Ａは、倍率５０００倍のＳＥＭ画像であり、図９Ｂおよび図１０Ｂは、倍率５００００倍のＳＥＭ画像である。

図９Ａおよび図１０Ａを参照すると、実施例１および３に係る光学体の表面には、マイクロメートルスケールの凹凸構造が形成されていることがわかる。このマイクロメートルスケールの凹凸構造が、凹凸の平均周期が可視光帯域に属する波長よりも大きいマクロ凹凸構造（第１の凹凸構造）に相当する。また、実施例１および３に係る光学体のマクロ凹凸構造の表面上には、より微細なミクロ凹凸構造（第２の凹凸構造）が、マクロ凹凸構造に重畳されていることがわかる。

また、図９Ｂおよび図１０Ｂを参照すると、実施例１および３に係る光学体の表面に形成されたミクロ凹凸構造において、突起部は、周期性を有する２次元配列にて形成されていることがわかる。具体的には、ミクロ凹凸構造における突起部の２次元配列は、突起部が均等な間隔で並んだ列が千鳥に配列されており、いわゆる六角格子状の周期性を有する配列であることがわかる。

次に、ＴＥＭにて光学体の断面構造を観察した。その結果を図１１および図１２に示す。図１１は、実施例１に係る光学体のマクロ凹凸構造のＴＥＭ画像である。また、図１２は、実施例１に係る光学体のミクロ凹凸構造のＴＥＭ画像である。このうち、図１２Ａは、マクロ凹凸構造の山部を拡大したＴＥＭ画像であり、図１２Ｂは、マクロ凹凸構造の斜面部を拡大したＴＥＭ画像であり、図１２Ｃは、マクロ凹凸構造の谷部を拡大したＴＥＭ画像である。

図１１を参照すると、実施例１に係る光学体のミクロ凹凸構造の突起部は、基材の平坦面の法線方向に伸長しており、基材全体にわたって一方向に揃っていることがわかる。

さらに、図１２Ａ〜図１２Ｃを参照すると、光学体のマクロ凹凸構造における山部、谷部、斜面部の表面には、それぞれミクロ凹凸構造の突起部が基材の平坦面の法線方向に伸長して形成されていることがわかる。また、マクロ凹凸構造の斜面部に形成された中間突起部の高さは、マクロ凹凸構造の谷部に形成された谷側突起部の高さ、およびマクロ凹凸構造の山部に形成された山側突起部の高さよりも低いことがわかる。具体的には、中間突起部の高さは、約２７０ｎｍ〜３００ｎｍであり、谷側突起部および山側突起部の高さは、約３６０〜３９０ｎｍであった。

なお、図１２Ａ〜図１２Ｃでは、ある突起部の頂点の両側に位置する２つの底部の間を仮想的に結んだベースラインを想定し、頂点から基材の平坦面の法線方向に沿って下ろした直線と、かかるベースラインとの交点との距離を突起部の高さとして測定した。

（光学体の反射防止能の評価）
続いて、図１３Ａ〜図１５を参照して、本実施形態に係る光学体の反射防止能の評価結果について説明する。図１３Ａは、正反射分光測定の光学系を説明する説明図であり、図１３Ｂは、拡散反射分光測定の光学系を説明する説明図である。また、図１４は、正反射における分光正反射率の測定結果を示すグラフ図であり、図１５は、拡散反射における分光拡散反射率の測定結果を示すグラフ図である。

まず、図１３Ａおよび図１３Ｂを参照して、本実施形態に係る光学体の反射防止能の評価方法を説明する。図１３Ａに示すように、正反射分光測定では、光源７１からの光７２Ａは、直接、試料７７に照射される。試料７７からの反射光７２Ｂは、球面ミラー７３にて集光され、積分球７５へ導かれた後、積分球７５内で多重反射して均質化した後、検出される。また、図１３Ｂに示すように、拡散分光測定では、光源７１からの光７２Ａは、球面ミラーにて反射した後、積分球７５内に備えられた試料７７に照射される。試料７７からの反射光７２Ｂは、積分球７５内で多重反射して均質化した後、検出される。

ここで、正反射における分光正反射率の測定結果を図１４に示し、拡散反射における分光拡散反射率の測定結果を図１５に示す。なお、反射率測定には、日本分光製の分光光度計Ｖ５５０、および絶対反射率測定器ＡＲＶ４７４Ｓを用いた。

図１４に示すように、実施例１〜４に係る光学体は、比較例１〜４に対して、可視光帯域に属する波長のいずれにおいても分光正反射率が低く、正反射を防止可能であることがわかる。

一方、多層薄膜により反射防止能を付与した比較例１では、４５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の限られた波長帯域の光しか正反射を防止することができず、４５０ｎｍ未満または６５０ｎｍを越える波長帯域では、分光正反射率が増加することがわかる。また、樹脂層により反射防止能を付与した比較例２、および市販の防眩フィルムである比較例４は、実施例１〜４に対して、分光正反射率が高く、十分に正反射を防止することができないことがわかる。さらに、ミクロ凹凸構造のみを形成した比較例３は、可視光帯域に属する波長のいずれにおいても比較的分光正反射率が低いものの、実施例１〜４に対しては分光正反射率が高いことがわかる。

また、図１５に示すように、実施例１〜４に係る光学体は、比較例１および２に対して、可視光帯域全体にわたって比較的、分光拡散反射率が低く、拡散反射を防止可能であることがわかる。

ただし、実施例３に係る光学体の分光拡散反射率は、実施例１および２に係る光学体の分光拡散反射率よりも高くなった。これは、実施例３では、マクロ凹凸構造にミクロ凹凸構造を重畳するエッチング工程において、レジスト層のエッチングレートが原盤基材のエッチングレートよりも速いことが原因と考えられる。実施例３では、上記のエッチング条件により、ミクロ凹凸構造の突起部の高さは、実施例１および２、比較例３よりも低くなる。これにより、実施例３では、反射防止能が低下し、分光拡散反射率が増加したものと考えられる。

一方、多層薄膜により反射防止能を付与した比較例１は、４５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の限られた波長帯域の光の拡散反射しか防止することができないことがわかる。具体的には、比較例１は、４５０ｎｍ未満または６５０ｎｍを越える波長帯域では、実施例１〜４に対して分光拡散反射率が増加することがわかる。また、樹脂層により反射防止能を付与した比較例２は、実施例１〜４に対して、分光拡散反射率が高く、十分に拡散反射を防止することができないことがわかる。さらに、ミクロ凹凸構造のみを形成した比較例３は、実施例１、２および４と同様の分光拡散反射率を示すことがわかる。

さらに、本実施形態に係る光学体の正反射光の色調を測定し、視感反射率（Ｙ）および反射色度（ａ^＊，ｂ^＊）を算出した。ここで、正反射光の視感反射率（分光正視感反射率ともいう）は、正反射光の色をＹｘｙ表色系にて表した際の（Ｙ，ｘ，ｙ）のうちのＹ値であり、正反射光の色の明度を表す。すなわち、分光正視感反射率が低いほど、正反射光の明度が低く、正反射が抑制されていることを示す。また、反射色度（ａ^＊，ｂ^＊）は、正反射光の色調を示す。正反射光の色調を測定には、村上色彩技術研究所製のヘイズメータＨＭ−１５０を用いた。測定結果を以下の表１に示す。

表１を参照すると、実施例１〜４に係る光学体は、比較例１〜４に係る光学体に対して、分光正視感反射率（Ｙ値）が低く、正反射光の色の明度が低くなっていることがわかる。すなわち、実施例１〜４に係る光学体は、比較例１〜４に係る光学体に対して、正反射が抑制されていることがわかる。具体的には、実施例１〜４に係る光学体の分光正視感反射率（Ｙ値）は、０．３％以下となることがわかる。一方、比較例１〜４に係る光学体の分光正視感反射率は０．３％よりも高くなっており、比較例１〜４に係る光学体は、正反射を抑制しきれていないことがわかる。

（光学体の透明性の評価結果）
続いて、本実施形態に係る光学体の透明性の評価結果について説明する。具体的には、実施例１〜４および比較例１〜４に係る光学体に対して、ヘイズ値および全光線透過率を測定した。ここで、ヘイズ値は、光学体の濁度（曇度）を表す指標であり、値が高いほど光学体の光散乱性が高く、防眩能が高いことを示す。また、全光線透過率は、光学体の透明性を表す指標である。なお、ヘイズ値および全光線透過率の測定には、村上色彩技術研究所製のヘイズメータＨＭ−１５０を用いた。測定結果を以下の表２に示す。

表２を参照すると、実施例１〜４に係る光学体は、比較例１〜４に係る光学体と同程度の全光線透過率を有し、かつヘイズ値が高いため、透明性が高く、かつ防眩能が高いことがわかる。具体的には、実施例１〜４のヘイズ値は、５％以上、より具体的には、１０％以上となることがわかる。

以上の評価結果から、実施例１〜４に係る光学体は、反射防止能および防眩能を併せ持っていることがわかる。これは、実施例１〜４に係る光学体において、表面に凹凸の平均周期が可視光帯域に属する波長よりも大きいマクロ凹凸構造に対して、凹凸の平均周期が可視光帯域に属する波長以下であるミクロ凹凸構造が重畳されていることに起因する。一方、比較例１〜４に係る光学体は、このような重畳構造を有しないため、反射防止能と防眩能とを併せ持つことができない。

（光学体の光沢度の評価結果）
次に、本実施形態に係る光学体の光沢度の評価結果を説明する。具体的には、実施例１〜４および比較例１〜４に係る光学体に対して、光沢度を測定した。ここで、光沢度は、光学体の光沢感を表す指標であり、値が高いほど光学体の光散乱性が高く、艶消し度合が強なり、防眩能が高いことを示す。

なお、光沢度の測定には、村上色彩技術研究所製のヘイズメータＨＭ−１５０を用いた。また、２０°光沢度は、入射角度２０°にて光学体表面に光を投射した場合の受光角度２０°の反射率を表し、６０°光沢度は、入射角度６０°にて光学体表面に光を投射した場合の受光角度６０°の反射率を表し、８０°光沢度は、入射角度８０°にて光学体表面に光を投射した場合の受光角度８０°の反射率を表す。測定結果を以下の表３に示す。

表３を参照すると、実施例１〜４に係る光学体は、比較例１〜４に係る光学体に対して、光沢度が低いため、光学体の光散乱性が高く、防眩能が高いことがわかる。具体的には、実施例１〜４に係る光学体の２０°光沢度は４％以下、より具体的には、１％未満となることがわかる。また、実施例１〜４に係る光学体の６０°光沢度は１０％以下となることがわかる。

一方、比較例１〜４に係る光学体の２０°光沢度は１％以上であり、また、６０°光沢度は１０％よりも高くなっていることから、比較例１〜４に係る光学体は、光散乱性が低く、防眩能が低いことがわかる。

［３．３．光学体の実機評価］
次に、図１６および１７を参照して、本実施形態に係る光学体を反射防止フィルムとして使用した場合の評価結果について説明する。具体的には、本実施形態に係る光学体が液晶表示ディスプレイ上に貼付された場合に、外光反射を防止し、液晶表示ディスプレイの視認性を向上させることができるか否かを評価した。

（実施例５）
ｉＰｏｄＴｏｕｃｈ（登録商標）の液晶表示ディスプレイに、屈折率１．５の接着層を介して本発明の実施例２に係る光学体を貼付し、実施例５とした。

（比較例５〜８）
実施例５と同様に、ｉＰｏｄＴｏｕｃｈの液晶表示ディスプレイに、屈折率１．５の接着層を介して比較例１〜４に係る光学体を貼付し、比較例５〜８とした。

（比較例９）
何も貼付しないｉＰｏｄＴｏｕｃｈの液晶表示ディスプレイを比較例９とした。

実施例５、および比較例５〜９に係る液晶表示ディスプレイに対して、２７Ｗの３波長形昼白色蛍光灯の光を正面から照射し、白表示部および黒表示部のそれぞれにて、正反射する光を輝度計にて測定した。また、外光照射時の白表示部の輝度を黒表示部の輝度にて除算することにより、液晶表示ディスプレイのコントラスト比を算出した。さらに、実施例５、および比較例５〜９に係る液晶表示ディスプレイに対して、外光を照射しない状態（暗所）での白表示部の輝度を測定した。なお、輝度測定には、コニカミノルタ製の輝度計ＣＳ１０００を用いた。

上記にて測定した実施例５、および比較例５〜９に係る液晶表示ディスプレイの外光照射時のコントラスト比の評価結果、および暗所での白表示部の輝度の評価結果を下記の表４に示す。

表４を参照すると、実施例５に係る液晶表示ディスプレイは、比較例５〜９に係る液晶表示ディスプレイに対して、外光照射時における白表示部と黒表示部のコントラスト比が高いことがわかる。すなわち、実施例５に係る液晶表示ディスプレイは、比較例５〜９に係る液晶表示ディスプレイに対して、より外光反射を防止することができ、外光反射によるコントラスト比の低下を抑制することができることがわかる。

また、表４を参照すると、実施例５に係る液晶表示ディスプレイは、比較例５〜９に係る液晶表示ディスプレイに対して、暗所での輝度がほぼ同様の値となっている。したがって、実施例５に係る液晶表示ディスプレイは、高い反射防止能を備えつつも、液晶表示ディスプレイからの光については減衰させることなく透過させることがわかる。

以上の結果から、本実施形態に係る光学体は、反射防止フィルムとして好適に用いることができ、強い外光が照射される環境下において、液晶表示ディスプレイの視認性を向上させることが示された。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

１ 光学体
１１ 基材
１２ 平坦面
１３ マクロ凹凸構造
１３Ａ 谷部
１３Ｂ 斜面部
１３Ｃ 山部
１４ ミクロ凹凸構造
１４１ 突起部
１４１Ａ 谷側突起部
１４１Ｂ 中間突起部
１４１Ｃ 山側突起部
１４３ 底部

Claims (16)

1. 基材の表面に形成された第１の凹凸構造と、
   前記第１の凹凸構造に重畳された第２の凹凸構造と、
   を備え、
   前記第１の凹凸構造の凹凸の平均周期は、可視光帯域に属する波長よりも大きく、
   前記第２の凹凸構造の凹凸の平均周期は、前記可視光帯域に属する波長以下であり、
   前記第２の凹凸構造の突起部は、前記基材の平坦面に対する法線方向に伸長している、光学体。
2. 前記第２の凹凸構造の前記突起部は、
   前記第１の凹凸構造の山部に形成された山側突起部と、
   前記第１の凹凸構造の谷部に形成された谷側突起部と、
   前記第１の凹凸構造の前記山部と前記谷部の間の斜面部に形成された中間突起部と、
   を含み、
   前記中間突起部の高さは、前記山側突起部および前記谷側突起部と異なる、請求項１に記載の光学体。
3. 前記光学体の分光正視感反射率は０．３％以下であり、かつ、前記光学体のヘイズ値は５％以上である、請求項１または２に記載の光学体。
4. 前記光学体の２０°光沢度は４％以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学体。
5. 前記第２の凹凸構造の前記突起部は、周期的に配列されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光学体。
6. 前記第２の凹凸構造の前記突起部は、六角格子状または矩形格子状に配列されている、請求項５に記載の光学体。
7. 前記基材は、樹脂フィルムである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光学体。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の光学体を備える、表示装置。
9. 基材の表面に凹凸構造の平均周期が可視光帯域に属する波長以下である第２の凹凸構造を形成するステップと、
   前記第２の凹凸構造が形成された前記基材の表面に対してレジスト層を形成するステップと、
   前記レジスト層の表面に第１の凹凸構造を形成するステップと、
   垂直異方性を有するエッチングによって、前記第１の凹凸構造および前記第２の凹凸構造を前記基材の表面に重畳させるステップと、
   を含む、光学体の製造方法。
10. 前記垂直異方性を有するエッチングにおいて、前記レジスト層のエッチングレートは、前記基材のエッチングレートと異なる、請求項９に記載の光学体の製造方法。
11. 前記垂直異方性を有するエッチングにおいて、前記レジスト層のエッチングレートは、前記基材のエッチングレートよりも遅く、前記第２の凹凸構造は、前記基材の平坦面の法線方向に反転されて前記第１の凹凸構造に重畳される、請求項１０に記載の光学体の製造方法。
12. 前記レジスト層のエッチングレートと、前記基材のエッチングレートとの比は、１：１．２〜１：２０である、請求項１０または１１に記載の光学体の製造方法。
13. 前記垂直異方性を有するエッチングにて使用されるガスは、炭素原子、フッ素原子および水素原子を含む、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の光学体の製造方法。
14. 前記レジスト層の前記基材に対するエッチングレート比は、１．５以上である、請求項１０に記載の光学体の製造方法。
15. 請求項９〜１４のいずれか一項に記載された方法により製造された光学体の表面形状を樹脂基材に転写し、前記光学体を複製するステップをさらに含む、光学体の製造方法。
16. 請求項９〜１５のいずれか一項に記載された方法により製造された、光学体。