JP2015529899A - Sensor panel including antireflection layer and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
基板と、前記基板上に第１の方向に沿って備えられる複数個の第１のセンサー電極と、前記基板上に前記第１のセンサー電極と離隔し、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って備えられる複数個の第２のセンサー電極と、前記複数個の第１のセンサー電極のうち、互いに隣接した第１のセンサー電極を互いに連結する第１のブリッジと、前記複数個の第２のセンサー電極のうち、互いに隣接した第２のセンサー電極を互いに連結する第２のブリッジと、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとの間に備えられ、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとを電気的に分離させる絶縁層と、前記第２のブリッジ上に備えられる反射防止層とを含み、前記絶縁層は、前記第２のブリッジよりも低い屈折率を有し、前記反射防止層は、第１の物質層と、前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層とを含むセンサーパネルを提供する。【選択図】図１A substrate, a plurality of first sensor electrodes provided on the substrate along a first direction, and a second sensor electrode spaced apart from the first sensor electrode on the substrate and intersecting the first direction. A plurality of second sensor electrodes provided along the direction, a first bridge connecting the first sensor electrodes adjacent to each other among the plurality of first sensor electrodes, and the plurality of the plurality of first sensor electrodes. A second bridge for connecting adjacent second sensor electrodes to each other, and between the first bridge and the second bridge, the first bridge And an anti-reflection layer provided on the second bridge, the insulating layer having a lower refractive index than the second bridge. The antireflection layer is Provided by the material layer, a sensor panel and a second material layer having a refractive index greater than the first material layer. [Selection] Figure 1
Description
本発明は、タッチパネル用センサーパネルに関するものであって、特に、反射防止層を含むセンサーパネル及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a sensor panel for a touch panel, and more particularly to a sensor panel including an antireflection layer and a method for manufacturing the same.
タッチパネル用センサーパネルは、スマートフォン、タブレットＰＣ、ゲーム機、学習補助装置及びカメラ等の電子装置に備えられた表示パネルの表面を手やペンを使用して押すことによって、二次元の座標データを入力する装置である。このようなタッチパネル用センサーパネルは、操作が容易で、かつ各種ディスプレイ装置に幅広く応用できるという点で広く使用されている。 The sensor panel for touch panels inputs two-dimensional coordinate data by pressing the surface of the display panel provided in electronic devices such as smartphones, tablet PCs, game machines, learning assistant devices, and cameras using a hand or a pen. It is a device to do. Such touch panel sensor panels are widely used in that they are easy to operate and can be widely applied to various display devices.
一般的にタッチパネル用センサーパネルは、高い透過率を有する伝導性フィルムまたはガラス素材の基板上にマトリックス状に備えられた複数個のセンサー電極、前記複数個のセンサー電極を連結するためのブリッジ及び前記ブリッジの間に備えられる絶縁層を含むことができる。 Generally, a sensor panel for a touch panel includes a plurality of sensor electrodes provided in a matrix on a conductive film or glass material substrate having a high transmittance, a bridge for connecting the plurality of sensor electrodes, and the An insulating layer provided between the bridges can be included.
このとき、前記ブリッジと絶縁層は、前記基板上に積層される構造を有することになるが、このように基板の上部に互いに異なる物理的、光学的特性を有する構成要素が積層される場合、各々の構成要素を通過する光の速力差による屈折が発生し、結果、タッチパネル用センサーパネルの光学的特性を低下させることになる。 At this time, the bridge and the insulating layer have a structure laminated on the substrate, but when components having different physical and optical properties are laminated on the upper part of the substrate, Refraction due to the difference in speed of light passing through each component occurs, and as a result, the optical characteristics of the touch panel sensor panel are deteriorated.
特に、ブリッジ電極の場合、前記ブリッジ電極の上部及び下部を構成する物質が互いに異なるため、このような屈折率の差による反射率が急激に上昇したり、透過率及び視認性が低下したりするという問題がある。 In particular, in the case of a bridge electrode, since the materials constituting the upper and lower parts of the bridge electrode are different from each other, the reflectance due to the difference in refractive index increases rapidly, and the transmittance and visibility decrease. There is a problem.
これによって、本発明では、外光による反射率を減少させ、透過率及び視認性が改善されたタッチパネル用センサーパネルを提供しようとする。また、製造工程が簡素化されたタッチパネル用センサーパネルの製造方法を提供しようとする。 Accordingly, the present invention seeks to provide a touch panel sensor panel in which the reflectance by external light is reduced and the transmittance and visibility are improved. Moreover, it aims to provide a method for manufacturing a touch panel sensor panel with a simplified manufacturing process.
基板と、前記基板上に第１の方向に沿って備えられる複数個の第１のセンサー電極と、前記基板上に前記第１のセンサー電極と離隔し、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って備えられる複数個の第２のセンサー電極と、前記複数個の第１のセンサー電極のうち、互いに隣接した第１のセンサー電極を互いに連結する第１のブリッジと、前記複数個の第２のセンサー電極のうち、互いに隣接した第２のセンサー電極を互いに連結する第２のブリッジと、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとの間に備えられ、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとを電気的に分離させる絶縁層と、前記第２のブリッジ上に備えられる反射防止層とを含み、前記絶縁層は、前記第２のブリッジよりも低い屈折率を有し、前記反射防止層は、第１の物質層と、前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層とを含むセンサーパネルを提供する。 A substrate, a plurality of first sensor electrodes provided on the substrate along a first direction, and a second sensor electrode spaced apart from the first sensor electrode on the substrate and intersecting the first direction. A plurality of second sensor electrodes provided along the direction, a first bridge connecting the first sensor electrodes adjacent to each other among the plurality of first sensor electrodes, and the plurality of the plurality of first sensor electrodes. A second bridge for connecting adjacent second sensor electrodes to each other, and between the first bridge and the second bridge, the first bridge And an anti-reflection layer provided on the second bridge, the insulating layer having a lower refractive index than the second bridge. The antireflection layer is Provided by the material layer, a sensor panel and a second material layer having a refractive index greater than the first material layer.
前記第１の物質層の屈折率は、１．３以上乃至１．６未満の値を有することができる。 The refractive index of the first material layer may have a value of 1.3 or more and less than 1.6.
前記第１の物質層は、ＭｇＦ２、ＮａＦ、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ及びＣａＦ２からなるグループのうち選ばれた少なくとも一つを含むことができる。 It said first material layer, MgF 2, NaF, may include at least one selected among the group consisting of SiO 2, SiNx and CaF 2.
前記第２の物質層の屈折率は、１．６以上乃至２．５以下の値を有することができる。 The second material layer may have a refractive index of 1.6 or more and 2.5 or less.
前記第２の物質層は、ＣｅＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＮｂ２Ｏｘからなるグループのうち選ばれた少なくとも一つを含むことができる。 The second material layer may include at least one selected from the group consisting of CeF 3 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2 and Nb 2 Ox.
前記第２のブリッジは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ及びＺｎＯからなるグループのうち少なくとも一つを含むことができる。 The second bridge may include at least one of a group consisting of ITO, IZO, ATO, AZO, and ZnO.
前記第２のブリッジが前記ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ及びＺｎＯからなるグループのうち少なくとも一つを含んで形成される場合、前記第２のブリッジの厚みは５ｎｍ以上乃至７０ｎｍ以下で形成されることができる。 When the second bridge is formed to include at least one of the group consisting of ITO, IZO, ATO, AZO, and ZnO, the thickness of the second bridge is 5 nm to 70 nm. Can do.
前記第２のブリッジは、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｎ及びＮｉからなるグループのうち少なくとも一つを含むことができる。 The second bridge may include at least one of a group consisting of Ag, Cu, Au, Cr, Al, Zn, and Ni.
前記第２のブリッジが前記Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｎ及びＮｉからなるグループのうち少なくとも一つを含んで形成される場合、前記第２のブリッジの厚みは５ｎｍ以上乃至１５ｎｍ以下で形成されることができる
前記反射防止層は、前記第２のブリッジと同一のパターン状を有することができる。
When the second bridge is formed to include at least one of the group consisting of Ag, Cu, Au, Cr, Al, Zn, and Ni, the thickness of the second bridge is 5 nm to 15 nm. The antireflection layer may have the same pattern as the second bridge.
基板上に、第１のセンサー電極、第１のブリッジ及び第２のセンサー電極を形成する段階と、前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層が形成された基板上に第２のブリッジ形成用物質を全面塗布する段階と、前記第２のブリッジ形成用物質上に反射防止層形成用物質を全面塗布する段階と、前記第２のブリッジ形成用物質及び反射防止層形成用物質を同時に食刻する段階とを含むセンサーパネルの製造方法を提供する。 Forming a first sensor electrode, a first bridge, and a second sensor electrode on a substrate; forming an insulating layer on the first bridge; and on the substrate on which the insulating layer is formed. A step of coating the entire surface of the second bridge forming material, a step of coating the antireflection layer forming material on the second bridge forming material, and the second bridge forming material and antireflection layer. And a method of manufacturing a sensor panel including simultaneously etching a forming material.
前記反射防止層形成用物質を全面塗布する段階は、第１の物質層を全面塗布する段階と、前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層を全面塗布する段階とを含むことができる。 The step of applying the entire surface of the antireflection layer forming material includes the step of applying the entire first material layer, and the step of applying the second material layer having a higher refractive index than the first material layer. Can be included.
前記第１の物質層を全面塗布する段階及び第２の物質層を全面塗布する段階は、各々２回乃至５回実施されることができる。 The step of applying the first material layer to the entire surface and the step of applying the second material layer to the entire surface may be performed twice to five times.
基板上に、第１のセンサー電極、第１のブリッジ及び第２のセンサー電極を形成する段階と、前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層上に第２のブリッジを形成する段階と、前記第２のブリッジ上に反射防止層を形成する段階とを含み、前記第２のブリッジを形成する段階は、前記絶縁層が形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を配置する段階と第２のブリッジ形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階とを含み、前記反射防止層を形成する段階は、前記第２のブリッジが形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を配置する段階と、第１の物質層を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階と、前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階とを含むことができる。 Forming a first sensor electrode, a first bridge and a second sensor electrode on the substrate; forming an insulating layer on the first bridge; and a second bridge on the insulating layer. And forming an antireflection layer on the second bridge, and forming the second bridge includes a fine metal mask (FMM) on a substrate on which the insulating layer is formed. ) And depositing or sputtering a second bridge-forming material, and forming the antireflection layer on the substrate on which the second bridge is formed. Disposing an FMM (Fine Metal Mask) on the substrate, and depositing a first material layer by evaporation or sputtering (s Comprising the steps of uttering), it may include a first step of depositing a second material layer having a refractive index greater than material layer (evaporation) or sputtering (Sputtering).
前記第１の物質層及び第２の物質層を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階は、各々２回乃至５回実施されることができる。 The steps of evaporating or sputtering the first material layer and the second material layer may be performed 2 to 5 times.
本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルは、外光による反射を防止し、視認性を改善させることができる。 The sensor panel for a touch panel according to an example of the present invention can prevent reflection by external light and improve visibility.
以下、具体的な図面を参照し、本発明の一例をより詳しく説明する。本発明の範囲が下記説明する一例や図面に限定されるわけではなく、以下で説明される一例から多様な均等物や変形例等も本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。 Hereinafter, an example of the present invention will be described in more detail with reference to specific drawings. The scope of the present invention is not limited to the examples and drawings described below, and various equivalents and modifications from the examples described below should be construed as being included in the scope of the present invention. .
本明細書で使用される用語は、本発明の一例を表現するために使用された用語であって、これは使用者の意図または本発明が属する分野の慣例等に応じて変わり得る。従って、本用語に対する定義は、本明細書全般にわたった内容に基づいて付けされなければならない。 The terms used in the present specification are terms used to express an example of the present invention, and may vary depending on the intention of the user or the custom of the field to which the present invention belongs. Therefore, the definition for this term should be based on the content throughout this specification.
参考までに、前記図面では、理解を助けるために各構成要素とその形状等が簡略に描かれるか、または誇張されて描かれることもある。図面上で同一の符号で表示された要素は同一の要素を意味する。 For reference, in the drawings, each component, its shape, and the like are simply drawn or exaggerated for easy understanding. Elements denoted by the same reference numerals in the drawings mean the same elements.
また、ある層や構成要素が他の層や構成要素の「上」にあると記載される場合には、前記ある層や構成要素が前記他の層や構成要素と直接接触して配置された場合だけでなく、その間に第３の層が介在して配置された場合まで全て含む意味である。 In addition, when a certain layer or component is described as “on” another layer or component, the certain layer or component is disposed in direct contact with the other layer or component. This means not only the case but also the case where the third layer is interposed between the layers.
図１は、本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネル１００の正面図である。 FIG. 1 is a front view of a sensor panel 100 for a touch panel according to an example of the present invention.
図１を参照すると、前記センサーパネル１００は、基板１１０と、前記基板上に第１の方向に沿って備えられる複数個の第１のセンサー電極２１１と、前記基板上に前記第１のセンサー電極２１１と離隔し、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って備えられる複数個の第２のセンサー電極２２１と、前記複数個の第１のセンサー電極のうち、互いに隣接した第１のセンサー電極を互いに連結する第１のブリッジ２１２と、前記複数個の第２のセンサー電極のうち、互いに隣接した第２のセンサー電極を互いに連結する第２のブリッジ２２２と、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとの間に備えられ、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジを電気的に分離させる絶縁層３００と、前記第２のブリッジ上に備えられる反射防止層４００とを含む。 Referring to FIG. 1, the sensor panel 100 includes a substrate 110, a plurality of first sensor electrodes 211 provided on the substrate along a first direction, and the first sensor electrodes on the substrate. 211 and a plurality of second sensor electrodes 221 provided along a second direction intersecting the first direction, and the first sensor electrodes adjacent to each other among the plurality of first sensor electrodes. A first bridge 212 that couples the sensor electrodes to each other, a second bridge 222 that couples the second sensor electrodes adjacent to each other among the plurality of second sensor electrodes, and the first bridge. And the second bridge, an insulating layer 300 for electrically separating the first bridge and the second bridge, and an antireflection layer provided on the second bridge 00 and a.
以下で、説明の便宜上、前記第１のセンサー電極２１１及び前記第１のブリッジ２１２を通称し、第１の電極パターン２１０といい、前記第２のセンサー電極２２１及び前記第２のブリッジ２２２を通称し、第２の電極パターン２２０という。 Hereinafter, for convenience of explanation, the first sensor electrode 211 and the first bridge 212 will be referred to as the first electrode pattern 210, and the second sensor electrode 221 and the second bridge 222 will be referred to. This is referred to as a second electrode pattern 220.
また、前記図１に開示された本発明の一例で、前記第１の方向は図面の左側から右側に向かう方向に定め、第２の方向は図面の上から下に向かう方向に定めた。前記図１に図示された方向は例示的な方向であり、前記第１の方向及び第２の方向は、前記図１に図示された本発明の一例と異なる方向に決定されることもあることは勿論である。 In the example of the present invention disclosed in FIG. 1, the first direction is defined as a direction from the left side to the right side of the drawing, and the second direction is defined as a direction from the top to the bottom of the drawing. The directions shown in FIG. 1 are exemplary directions, and the first direction and the second direction may be determined to be different from the example of the present invention shown in FIG. Of course.
さらに、前記図１に開示された本発明の一例では、前記第１の方向に６つの第１のセンサー電極２１１が並んで備えられ、前記第２の方向に７つの第２のセンサー電極２２１が並んで備えられたマトリックス状に図示されているが、必ずこれに限定されるわけではなく、前記第１のセンサー電極２１１及び前記第２のセンサー電極２２１の個数及び配置は、前記センサーパネル１００の解像度及び前記センサーパネル１００が適用されるディスプレイの種類と大きさ等に応じて変わり得る。 Further, in the example of the present invention disclosed in FIG. 1, six first sensor electrodes 211 are arranged in the first direction, and seven second sensor electrodes 221 are arranged in the second direction. Although it is illustrated in a matrix form provided side by side, the present invention is not necessarily limited thereto, and the number and arrangement of the first sensor electrodes 211 and the second sensor electrodes 221 are the same as those of the sensor panel 100. The resolution may vary according to the type and size of the display to which the sensor panel 100 is applied.
また、前記図１に開示された本発明の一例で、前記第１のセンサー電極２１１及び前記第２のセンサー電極２２１の形状は菱形状に図示されているが、必ずこれに限定されるわけではなく、三角形、正方形、長方形及び円形のように多様な形態で形成されることができる。 Further, in the example of the present invention disclosed in FIG. 1, the shapes of the first sensor electrode 211 and the second sensor electrode 221 are illustrated in a rhombus shape, but are not necessarily limited to this. Instead, it may be formed in various shapes such as a triangle, a square, a rectangle, and a circle.
さらに、前記図１では図示されていないが、前記第１のセンサー電極２１１及び前記第２のセンサー電極２２１の各末端には、ディスプレイ駆動部（図示せず）と連結するための配線がさらに含まれることができる。 Further, although not shown in FIG. 1, each terminal of the first sensor electrode 211 and the second sensor electrode 221 further includes a wiring for connecting to a display driver (not shown). Can be.
前記基板１１０は、高分子フィルム、プラスチック及びガラスの何れか一つで備えられることができる。本発明の一例で、前記基板１１０はＰＥＴのような高分子フィルムで備えられることができる。 The substrate 110 may be provided with any one of a polymer film, plastic, and glass. In an example embodiment, the substrate 110 may be formed of a polymer film such as PET.
前記基板１１０の同一層上には、前記第１のセンサー電極２１１、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１が備えられることができる。前記第１のセンサー電極２１１、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１は、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）のように導電性を有する透明な材料で備えられることができる。本発明の一例で使用されることができる透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）及びＺｎＯのうち少なくとも一つを含むことができる。 The first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be provided on the same layer of the substrate 110. The first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be made of a transparent material having conductivity such as a transparent conductive oxide (TCO). Transparent conductive oxides (TCO) that can be used in an example of the present invention include ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), AZO (Antimony Zinc Oxide) and At least one of ZnO may be included.
前記第１のセンサー電極２１１、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１の各々は、同一の材料で備えられることもあり、互いに異なる材料で備えられることもある。製造上の便宜性を考慮したとき、前記第１のセンサー電極２１１、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１は、同一の材料で備えられることが好ましい。 Each of the first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be made of the same material, or may be made of different materials. In consideration of manufacturing convenience, it is preferable that the first sensor electrode 211, the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 are made of the same material.
図２は、図１に図示された本発明の一例によるセンサーパネル１００の一部領域（Ａ）を拡大した図である。 FIG. 2 is an enlarged view of a partial region (A) of the sensor panel 100 according to an example of the present invention illustrated in FIG.
図２を参照すると、前記絶縁層３００は、前記第１のブリッジ２１２上に備えられることができ、前記第１のブリッジ２１２及び後述する第２のブリッジ２２２を電気的に絶縁させる役割をする。 Referring to FIG. 2, the insulating layer 300 may be provided on the first bridge 212 and serves to electrically insulate the first bridge 212 and a second bridge 222 described later.
また、本発明の一例によるセンサーパネル１００で、前記絶縁層３００は後述する第２のブリッジ２２２との屈折率の差による反射防止機能をすることができる。即ち、前記絶縁層３００を低屈折物質で備え、前記第２のブリッジ２２２を高屈折物質で備えることによって、前記絶縁層３００及び前記第２のブリッジ２２２そのもので反射防止機能をすることができるようにする。 In the sensor panel 100 according to an example of the present invention, the insulating layer 300 may have an antireflection function due to a difference in refractive index with a second bridge 222 described later. That is, by providing the insulating layer 300 with a low refractive material and providing the second bridge 222 with a high refractive material, the insulating layer 300 and the second bridge 222 themselves can perform an antireflection function. To.
本発明の一例によるセンサーパネル１００で、前記絶縁層３００は、屈折率が１．３以上乃至１．６未満の値を有する低屈折物質で備えられることができる。このような低屈折物質としては、酸化物系列のＳｉＯｘ及び窒化物系列のＳｉＮｘのうち少なくとも一つを含むことができる。また、前記絶縁層３００の厚みは１μｍ以上１０μｍ以下で備えられることができる。 In the sensor panel 100 according to an exemplary embodiment of the present invention, the insulating layer 300 may be formed of a low refractive material having a refractive index of 1.3 or more and less than 1.6. Such a low refractive material may include at least one of oxide series SiOx and nitride series SiNx. In addition, the insulating layer 300 may have a thickness of 1 μm to 10 μm.
前記絶縁層３００上には第２のブリッジ２２２が形成されることができる。前記第２のブリッジ２２２は、前記第２のセンサー電極２２１を電気的に連結させることができる。前記第２のブリッジ２２２は、前記絶縁層３００によって前記第１のブリッジ２１２と電気的に分離されなければならないため、前記第２のブリッジ２２２の幅（ｗｉｄｔｈ）は前記絶縁層３００の幅よりも小さくなければならず、前記第２のブリッジ２２２の長さ（ｌｅｎｇｔｈ）は前記絶縁層３００の長さよりも大きくなければならない。 A second bridge 222 may be formed on the insulating layer 300. The second bridge 222 can electrically connect the second sensor electrode 221. Since the second bridge 222 must be electrically separated from the first bridge 212 by the insulating layer 300, the width of the second bridge 222 is larger than the width of the insulating layer 300. The length of the second bridge 222 must be greater than the length of the insulating layer 300.
本発明の一例によるセンサーパネル１００で、前記第２のブリッジ２２２は、屈折率が１．６以上乃至２．５以下の値を有する高屈折物質で備えられることができる。 In the sensor panel 100 according to an example of the present invention, the second bridge 222 may be made of a high refractive material having a refractive index of 1.6 to 2.5.
本発明の一例によるセンサーパネル１００で、前記第２のブリッジ２２２は、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）のように導電性を有する透明な材料または金属性材料のうち何れか一つで備えられることができる。 In the sensor panel 100 according to an example of the present invention, the second bridge 222 may be formed of any one of a transparent material or a metallic material having conductivity such as a transparent conductive oxide (TCO). Can do.
前記第２のブリッジ２２２が透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）で備えられる場合、前記第２のブリッジ２２２の厚みは５ｎｍ以上乃至７０ｎｍ以下で備えられることができる。また、前記第２のブリッジ２２２の透過率（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）は、好ましくは１００％の値を有することができるが、実質的には８５％以上乃至９８％以下の値を有することができる。さらに、前記第２のブリッジ２２２のビスター値（ｂ＊）は好ましくは０であり得るが、実質的には０．１以上乃至５．０以下の値を有することができる。また、前記第２のブリッジ２２２のヘイズ（Ｈａｚｅ）値は好ましくは０であり得るが、実質的には０．１以上乃至３．０以下の値を有することができる。 When the second bridge 222 is formed of a transparent conductive oxide (TCO), the thickness of the second bridge 222 may be 5 nm to 70 nm. In addition, the transmittance of the second bridge 222 may have a value of preferably 100%, but may have a value of 85% to 98%. Further, the bister value (b *) of the second bridge 222 may be preferably 0, but may have a value of 0.1 to 5.0. The second bridge 222 may have a haze value of 0, but may have a value of 0.1 to 3.0.
前記透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）及びＺｎＯのうち少なくとも一つを含むことができる。 The transparent conductive oxide (TCO) may include at least one of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), AZO (Antimony Zinc Oxide), and ZnO. .
前記第２のブリッジ２２２が金属性材料で備えられる場合、前記第２のブリッジ２２２の厚みは５ｎｍ以上乃至１０ｎｍ以下で備えられることができる。前記金属性材料には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）のうち少なくとも一つを含むことができる。 When the second bridge 222 is formed of a metallic material, the thickness of the second bridge 222 may be 5 nm to 10 nm. The metallic material may include at least one of gold (Au), silver (Ag), and copper (Cu).
図３は、図２でＩ−ＩＩに沿って切断した断面図であり、図４は、図２でＩＩＩ−ＩＶに沿って切断した断面図である。 3 is a cross-sectional view taken along the line I-II in FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line III-IV in FIG.
図３及び図４を参照すると、前記第２のブリッジ２２２上には反射防止層４００が備えられることができる。前記反射防止層４００は、第１の物質層４１０及び前記第１の物質層４１０よりも大きい屈折率を有する第２の物質層４２０を含むことができる。前記反射防止層４００は、少なくとも一つ以上の第１の物質層４１０及び第２の物質層４２０が互いに交互に積層されて備えられることができる。即ち、前記反射防止層４００は、屈折率が互いに異なる少なくとも二層以上の薄膜で備えられることができる。前記反射防止層４００の各薄膜の境界面で反射される光は、互いに相殺干渉されて消滅する。 Referring to FIGS. 3 and 4, an antireflection layer 400 may be provided on the second bridge 222. The antireflection layer 400 may include a first material layer 410 and a second material layer 420 having a higher refractive index than the first material layer 410. The antireflection layer 400 may include at least one first material layer 410 and second material layer 420 that are alternately stacked. That is, the antireflection layer 400 may be formed of at least two thin films having different refractive indexes. The light reflected at the interface between the thin films of the antireflection layer 400 is canceled by interference and disappears.
前記第１の物質層４１０は、屈折率が１．３以上乃至１．６未満の値を有することができ、前記第１の物質層４１０は、ＭｇＦ２（ｎ＝１．３８）、ＮａＦ（ｎ＝１．３３）、ＳｉＯ２（ｎ＝１．４６）及びＣａＦ２（ｎ＝１．４４）のうち少なくとも一つを含むことができる。 The first material layer 410 may have a refractive index of 1.3 or more and less than 1.6, and the first material layer 410 may include MgF 2 (n = 1.38), NaF ( n = 1.33), SiO 2 (n = 1.46) and CaF 2 (n = 1.44).
前記第２の物質層４２０は、屈折率が１．６以上乃至２．５以下の値を有することができ、前記第２の物質層４２０は、ＣｅＦ３（ｎ＝１．６５）、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．７６）、ＺｒＯ２（ｎ＝２．１０）、ＴｉＯ２（ｎ＝２．５０）及びＮｂ２Ｏｘ（ｎ＝２．３０）のうち少なくとも一つを含むことができる。 The second material layer 420 may have a refractive index of 1.6 or more and 2.5 or less, and the second material layer 420 may include CeF 3 (n = 1.65), Al 2. At least one of O 3 (n = 1.76), ZrO 2 (n = 2.10), TiO 2 (n = 2.50) and Nb 2 Ox (n = 2.30) may be included. .
前記第１の物質層４１０及び前記第２の物質層４２０の間の屈折率の差が大きいほど前記反射防止層４００の反射率が低くなることができる。また、前記第１の物質層４１０及び前記第２の物質層４２０は、互いに交互に繰り返して積層されることができ、このように交互に積層される層の個数が多いほど前記反射防止層４００の反射率が低くなることができる。 The greater the difference in refractive index between the first material layer 410 and the second material layer 420, the lower the reflectivity of the antireflection layer 400. In addition, the first material layer 410 and the second material layer 420 may be alternately and repeatedly stacked, and as the number of alternately stacked layers increases, the antireflection layer 400 increases. The reflectance can be lowered.
図５は、本発明の他の一例によるタッチパネル用センサーパネルの断面図である。 FIG. 5 is a cross-sectional view of a sensor panel for a touch panel according to another example of the present invention.
前記図１乃至図４で、前記反射防止層４００は前記第２のブリッジ２２２上にのみ備えられるものと図示されているが、前記反射防止層４００は図５に図示されたように、前記第２のブリッジ２２２が形成された基板１１０の全面に備えられることもできる。 1 to 4, the antireflection layer 400 is illustrated as being provided only on the second bridge 222, but the antireflection layer 400 may be formed as illustrated in FIG. 5. The second bridge 222 may be provided on the entire surface of the substrate 110.
図６ａ乃至図６ｅは、本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。 6a to 6e are views illustrating a method for manufacturing a touch panel sensor panel according to an example of the present invention.
本発明の一例によるセンサーパネルは、基板上に第１のセンサー電極、第１のブリッジ及び第２のセンサー電極を形成する段階（図６ａ参照）と、前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階（図６ｂ参照）と、前記絶縁層が形成された基板上に第２のブリッジ形成用物質を全面塗布する段階（図６ｃ参照）と、前記第２のブリッジ形成用物質上に反射防止層形成用物質を全面塗布する段階（図６ｄ参照）と、前記第２のブリッジ形成用物質及び反射防止層形成用物質を同時に食刻する段階（図６ｅ参照）とを含むことができる。 A sensor panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming a first sensor electrode, a first bridge, and a second sensor electrode on a substrate (see FIG. 6a), and forming an insulating layer on the first bridge. (See FIG. 6b), applying a second bridge-forming material on the entire surface of the substrate on which the insulating layer is formed (see FIG. 6c), and preventing reflection on the second bridge-forming material. The method may include a step of applying a layer forming material over the entire surface (see FIG. 6d) and a step of simultaneously etching the second bridge forming material and the antireflection layer forming material (see FIG. 6e).
図６ａを参照すると、前記第１のセンサー電極（図示せず）、第１のブリッジ２１２及び第２のセンサー電極２２１を形成する段階では、前記基板１１０上に前記第１のセンサー電極（図示せず）、第１のブリッジ２１２及び第２のセンサー電極２２１形成用物質を塗布した後、パターニングして形成することができる。 Referring to FIG. 6 a, in forming the first sensor electrode (not shown), the first bridge 212, and the second sensor electrode 221, the first sensor electrode (not shown) is formed on the substrate 110. First, the first bridge 212 and the second sensor electrode 221 forming material are applied and then patterned.
前記第１のセンサー電極（図示せず）、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１は、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）のように導電性を有する透明な材料で備えられることができる。本発明の一例で使用され得る透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）及びＺｎＯ等がある。 The first sensor electrode (not shown), the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 may be made of a transparent material having conductivity such as a transparent conductive oxide (TCO). Can do. Examples of the transparent conductive oxide (TCO) that can be used in an example of the present invention include ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), AZO (Antimony Zinc Oxide), and ZnO. is there.
図６ｂを参照すると、前記絶縁層３００は、前記第１のセンサー電極（図示せず）、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１が形成された基板１１０上に絶縁層形成用物質を塗布した後、パターニングして形成することができる。 Referring to FIG. 6b, the insulating layer 300 is formed on the substrate 110 on which the first sensor electrode (not shown), the first bridge 212, and the second sensor electrode 221 are formed. After applying the substance, it can be formed by patterning.
前記絶縁層３００は、屈折率が１．３以上乃至１．６未満の値を有する低屈折物質で備えられることができる。このような低屈折物質としては、酸化物系列のＳｉＯｘ及び窒化物系列のＳｉＮｘのうち少なくとも一つを含むことができる。また、前記絶縁層３００の厚みは、１μｍ以上乃至１０μｍ以下で備えられることができる。 The insulating layer 300 may be made of a low refractive material having a refractive index of 1.3 or more and less than 1.6. Such a low refractive material may include at least one of oxide series SiOx and nitride series SiNx. In addition, the insulating layer 300 may have a thickness of 1 μm to 10 μm.
図６ｃ及び図６ｄを参照すると、前記絶縁層３００が形成された基板１１０上に第２のブリッジ形成用物質を全面塗布した後、前記反射防止層形成用物質を全面塗布することができる。 Referring to FIGS. 6c and 6d, after the second bridge forming material is applied on the entire surface of the substrate 110 on which the insulating layer 300 is formed, the antireflection layer forming material may be applied on the entire surface.
前記第２のブリッジ形成用物質は、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）のように導電性を有する透明な材料または金属性材料の何れか一つで備えられることができ、前記反射防止層形成用物質は、少なくとも一つ以上の第１の物質層形成用物質及び前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層形成用物質を含むことができる。 The second bridge forming material may be formed of any one of a transparent material having conductivity, such as a transparent conductive oxide (TCO), or a metallic material, and for forming the antireflection layer. The material may include at least one first material layer forming material and a second material layer forming material having a higher refractive index than the first material layer.
前記第１の物質層４１０は、屈折率が１．３以上乃至１．６未満の値を有することができ、前記第１の物質層４１０は、ＭｇＦ２（ｎ＝１．３８）、ＮａＦ（ｎ＝１．３３）、ＳｉＯ２（ｎ＝１．４６）及びＣａＦ２（ｎ＝１．４４）のうち少なくとも一つを含むことができる。 The first material layer 410 may have a refractive index of 1.3 or more and less than 1.6, and the first material layer 410 may include MgF 2 (n = 1.38), NaF ( n = 1.33), SiO 2 (n = 1.46) and CaF 2 (n = 1.44).
前記第２の物質層４２０は、屈折率が１．６以上乃至２．５以下の値を有することができ、前記第２の物質層４２０は、ＣｅＦ３（ｎ＝１．６５）、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．７６）、ＺｒＯ２（ｎ＝２．１０）、ＴｉＯ２（ｎ＝２．５０）及びＮｂ２Ｏｘ（ｎ＝２．３０）のうち少なくとも一つを含むことができる。 The second material layer 420 may have a refractive index of 1.6 or more and 2.5 or less, and the second material layer 420 may include CeF 3 (n = 1.65), Al 2. At least one of O 3 (n = 1.76), ZrO 2 (n = 2.10), TiO 2 (n = 2.50) and Nb 2 Ox (n = 2.30) may be included. .
前記反射防止層形成用物質を全面塗布する段階は、図６ｄに図示されたように、第１の物質層形成用物質を全面塗布する段階及び第２の物質層形成用物質を全面塗布する段階を含むことができる。前記第１の物質層形成用物質を全面塗布する段階及び前記第２の物質層形成用物質を全面塗布する段階は、各々２回乃至５回実施されることができる。 As shown in FIG. 6d, the step of applying the antireflection layer forming material to the entire surface includes applying the first material layer forming material and applying the second material layer forming material to the entire surface. Can be included. The step of coating the entire surface of the first material layer forming material and the step of coating the entire surface of the second material layer forming material may be performed twice to five times.
図６ｅを参照すると、前記第２のブリッジ形成用物質及び反射防止層形成用物質を同時に食刻し、第２のブリッジ２２２及び反射防止層４００を形成することができる。このように、前記第２のブリッジ形成用物質及び反射防止層形成用物質を同時に一括食刻することによって、製造工程を簡素化することができる。 Referring to FIG. 6e, the second bridge forming material and the antireflection layer forming material may be etched simultaneously to form the second bridge 222 and the antireflection layer 400. Thus, the manufacturing process can be simplified by simultaneously etching the second bridge forming material and the antireflection layer forming material at the same time.
図７ａ乃至図７ｃは、本発明の他の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。以下で、本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法と重複する内容に対する説明は省略することとする。 7a to 7c are views illustrating a method of manufacturing a touch panel sensor panel according to another example of the present invention. Hereinafter, the description of the content overlapping with the method for manufacturing the touch panel sensor panel according to an example of the present invention will be omitted.
本発明の他の一例によるタッチパネル用センサーパネルは、基板上に第１のセンサー電極、第１のブリッジ及び第２のセンサー電極を形成する段階（図６ａ参照）と、前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階（図６ｂ参照）と、前記絶縁層上に第２のブリッジを形成する段階（図７ａ参照）と、前記第２のブリッジ上に反射防止層を形成する段階とを含むことができる。前記反射防止層を形成する段階は、第１の物質層を形成する段階（図７ｂ参照）及び前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層を形成する段階（図７ｃ参照）を含むことができる。 A touch panel sensor panel according to another embodiment of the present invention includes forming a first sensor electrode, a first bridge, and a second sensor electrode on a substrate (see FIG. 6a), Forming an insulating layer (see FIG. 6b), forming a second bridge on the insulating layer (see FIG. 7a), and forming an antireflection layer on the second bridge. be able to. The step of forming the antireflection layer includes forming a first material layer (see FIG. 7b) and forming a second material layer having a higher refractive index than the first material layer (FIG. 7c). Reference).
図７ａを参照すると、前記第２のブリッジを形成する段階は、前記絶縁層が形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を配置する段階及び第２のブリッジ形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階を含むことができる。 Referring to FIG. 7a, forming the second bridge includes disposing a Fine Metal Mask (FMM) on the substrate on which the insulating layer is formed, and depositing a second bridge forming material. Alternatively, sputtering may be included.
即ち、前記絶縁層３００が形成された基板１１０を反転（ｆｌｉｐｆｌｏｐ）させて真空チャンバー５００内に配置させた後、前記基板１１０に隣接するようにＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）６００を配置させた状態で、第２のブリッジ形成用物質を蒸着したりスパッタリングしたりすることができる。 That is, after the substrate 110 on which the insulating layer 300 is formed is flipfloped and disposed in the vacuum chamber 500, an FMM (Fine Metal Mask) 600 is disposed adjacent to the substrate 110. The second bridge forming material can be deposited or sputtered.
前記ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を用いた蒸着方式は、真空チャンバー５００内で薄膜の金属マスクを基板に配置した後に蒸発材料を加熱して蒸発させることによって、所望の領域にのみ蒸着できるようにする方式である。このようなＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）蒸着方式は、主に低分子材料の蒸着に使用されることができ、２０μｍ範囲内の精密度を有することができる。 In the vapor deposition method using the FMM (Fine Metal Mask), a thin film metal mask is placed on a substrate in a vacuum chamber 500, and then the evaporation material is heated and evaporated, so that the vapor deposition can be performed only in a desired region. It is a method. Such a FMM (Fine Metal Mask) deposition method can be mainly used for deposition of low molecular weight materials, and can have a precision within a range of 20 μm.
前記ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）６００は、所望の領域にのみ第２のブリッジ２２２を形成するためのマスク領域６１０及び開口領域６２０を含むことができ、前記ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）６００の厚みは、１０μｍ以上乃至１００μｍ以下の値を有することができる。また、前記ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）６００と前記基板１１０との間の距離は、０．１ｍｍ以上乃至１．０ｍｍ以下の値を有することができる。 The FMM (Fine Metal Mask) 600 may include a mask region 610 and an opening region 620 for forming the second bridge 222 only in a desired region, and the thickness of the FMM (Fine Metal Mask) 600 is: It can have a value of 10 μm to 100 μm. In addition, a distance between the FMM (Fine Metal Mask) 600 and the substrate 110 may have a value of 0.1 mm to 1.0 mm.
図７ｂ及び図７ｃを参照すると、前記反射防止層を形成する段階は、前記第２のブリッジが形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を配置する段階と、第１の物質層形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階と、第２の物質層形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階とを含むことができる。 Referring to FIGS. 7b and 7c, forming the antireflection layer includes disposing an FMM (Fine Metal Mask) on a substrate on which the second bridge is formed, and forming a first material layer. The method may include evaporating or sputtering the material, and evaporating or sputtering the second material layer forming material.
前記第１の物質層形成用物質及び第２の物質層形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階は、各々２回乃至５回実施されることができる。 The steps of evaporating or sputtering the first material layer forming material and the second material layer forming material may be performed twice to five times.
このように同一のＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）６００を使用しながら、蒸発材料のみ取り替え、前記第２のブリッジ２２２、第１の物質層４１０及び第２の物質層４２０を形成することができる。即ち、同一のＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を使用するため、製造工程が簡素化されることができる。 Thus, the second bridge 222, the first material layer 410, and the second material layer 420 can be formed by replacing only the evaporation material while using the same FMM (Fine Metal Mask) 600. That is, since the same FMM (Fine Metal Mask) is used, the manufacturing process can be simplified.
以上で説明されたセンサーパネルの一例は、例示的なものに過ぎず、本発明の保護範囲は、本発明の技術分野における通常の知識を有する者であれば、これから変形可能な変形例及び均等例を含むことができる。 The example of the sensor panel described above is merely an example, and the protection scope of the present invention can be modified and equivalently modified by those having ordinary knowledge in the technical field of the present invention. Examples can be included.
Claims (15)
前記基板上に第１の方向に沿って備えられる複数個の第１のセンサー電極と、
前記基板上に前記第１のセンサー電極と離隔し、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って備えられる複数個の第２のセンサー電極と、
前記複数個の第１のセンサー電極のうち、互いに隣接した第１のセンサー電極を互いに連結する第１のブリッジと、
前記複数個の第２のセンサー電極のうち、互いに隣接した第２のセンサー電極を互いに連結する第２のブリッジと、
前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとの間に備えられ、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとを電気的に分離させる絶縁層と、
前記第２のブリッジ上に備えられる反射防止層と、を含み、
前記絶縁層は、前記第２のブリッジよりも低い屈折率を有し、
前記反射防止層は、第１の物質層と、前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層とを含むセンサーパネル。 A substrate,
A plurality of first sensor electrodes provided on the substrate along a first direction;
A plurality of second sensor electrodes provided on the substrate along a second direction spaced apart from the first sensor electrode and intersecting the first direction;
A first bridge connecting the first sensor electrodes adjacent to each other among the plurality of first sensor electrodes;
A second bridge connecting the second sensor electrodes adjacent to each other among the plurality of second sensor electrodes;
An insulating layer provided between the first bridge and the second bridge and electrically separating the first bridge and the second bridge;
An antireflection layer provided on the second bridge,
The insulating layer has a lower refractive index than the second bridge;
The antireflection layer includes a first material layer and a second material layer having a higher refractive index than the first material layer.
前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層が形成された基板上に第２のブリッジ形成用物質を全面塗布する段階と、
前記第２のブリッジ形成用物質上に反射防止層形成用物質を全面塗布する段階と、
前記第２のブリッジ形成用物質及び反射防止層形成用物質を同時に食刻する段階と、を含むセンサーパネルの製造方法。 Forming a first sensor electrode, a first bridge, and a second sensor electrode on a substrate;
Forming an insulating layer on the first bridge;
Coating the entire surface of the second bridge-forming material on the substrate on which the insulating layer is formed;
Applying an antireflection layer-forming material over the second bridge-forming material;
And simultaneously etching the second bridge forming material and the antireflection layer forming material.
第１の物質層形成用物質を全面塗布する段階と、
前記第１の物質層形成用物質よりも大きい屈折率を有する第２の物質層形成用物質を全面塗布する段階と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載のセンサーパネルの製造方法。 The step of applying the entire surface of the antireflection layer forming material,
Applying the entire surface of the first material layer forming material;
The method for manufacturing a sensor panel according to claim 11, further comprising: applying a second material layer forming material having a refractive index larger than that of the first material layer forming material.
前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層上に第２のブリッジを形成する段階と、
前記第２のブリッジ上に反射防止層を形成する段階と、を含み、
前記第２のブリッジを形成する段階は、
前記絶縁層が形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を配置する段階と、
第２のブリッジ形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階と、を含み、
前記反射防止層を形成する段階は、
前記第２のブリッジが形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を配置する段階と、
第１の物質層形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階と、
前記第１の物質層形成用物質よりも大きい屈折率を有する第２の物質層形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階と、を含むことを特徴とするセンサーパネルの製造方法。 Forming a first sensor electrode, a first bridge, and a second sensor electrode on a substrate;
Forming an insulating layer on the first bridge;
Forming a second bridge on the insulating layer;
Forming an antireflection layer on the second bridge,
Forming the second bridge comprises:
Disposing an FMM (Fine Metal Mask) on the substrate on which the insulating layer is formed;
Evaporating or sputtering a second bridging material; and
The step of forming the antireflection layer comprises:
Disposing an FMM (Fine Metal Mask) on the substrate on which the second bridge is formed;
Evaporating or sputtering a first material layer forming material;
And evaporating or sputtering a second material layer forming material having a higher refractive index than the first material layer forming material. .
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017104810A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | アルプス電気株式会社 | Input device |
| WO2017104809A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | アルプス電気株式会社 | Input device |
| WO2018066214A1 (en) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | アルプス電気株式会社 | Capacitance sensor |
| CN108258009A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 乐金显示有限公司 | Display device |
| WO2019065064A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 富士フイルム株式会社 | Touch sensor, method for manufacturing touch sensor, and image display device |
| JPWO2021075304A1 (en) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | ||
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Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN104951114A (en) * | 2014-03-27 | 2015-09-30 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | Electric conduction connecting structure and manufacturing method thereof |
| CN104951154B (en) * | 2014-03-27 | 2017-11-17 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | Capacitive touch screen and preparation method thereof |
| CN104951153B (en) * | 2014-03-27 | 2019-02-12 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | Capacitive touch screen and preparation method thereof |
| CN106249952A (en) * | 2016-07-29 | 2016-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of touch screen, its manufacture method and display device |
| CN108008855B (en) * | 2017-11-28 | 2020-12-04 | 武汉天马微电子有限公司 | Display panel and display device |
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| CN112817480B (en) * | 2021-01-26 | 2024-05-24 | 武汉天马微电子有限公司 | Touch display module and display device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4506785B2 (en) * | 2007-06-14 | 2010-07-21 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | Capacitive input device |
| TW200923536A (en) * | 2007-11-23 | 2009-06-01 | Acrosense Technology Co Ltd | High transmittance touch panel |
| US8629842B2 (en) * | 2008-07-11 | 2014-01-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| CN102243553B (en) * | 2010-05-16 | 2015-06-10 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | Capacitive touch panel and method for reducing visuality of metal conductor of capacitive touch panel |
| KR101199155B1 (en) * | 2011-01-19 | 2012-11-12 | 엘지이노텍 주식회사 | Touch panel and method for manufacturing the same |
-
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Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017104809A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | アルプス電気株式会社 | Input device |
| WO2017104810A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | アルプス電気株式会社 | Input device |
| KR102285533B1 (en) * | 2016-10-06 | 2021-08-03 | 알프스 알파인 가부시키가이샤 | capacitive sensor |
| WO2018066214A1 (en) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | アルプス電気株式会社 | Capacitance sensor |
| KR20190044671A (en) * | 2016-10-06 | 2019-04-30 | 알프스 알파인 가부시키가이샤 | Capacitive sensor |
| TWI659193B (en) * | 2016-10-06 | 2019-05-11 | 日商阿爾卑斯阿爾派股份有限公司 | Electrostatic capacitance sensor |
| JPWO2018066214A1 (en) * | 2016-10-06 | 2019-06-24 | アルプスアルパイン株式会社 | Capacitance sensor |
| TWI665429B (en) * | 2016-10-06 | 2019-07-11 | 日商阿爾卑斯阿爾派股份有限公司 | Electrostatic capacitance sensor |
| US10969915B2 (en) | 2016-10-06 | 2021-04-06 | Alps Alpine Co., Ltd. | Capacitive sensor |
| CN108258009A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 乐金显示有限公司 | Display device |
| CN108258009B (en) * | 2016-12-28 | 2021-12-03 | 乐金显示有限公司 | Display device |
| JP2019087267A (en) * | 2016-12-28 | 2019-06-06 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Display device |
| JPWO2019065064A1 (en) * | 2017-09-29 | 2020-09-10 | 富士フイルム株式会社 | Touch sensor, manufacturing method of touch sensor, and image display device |
| US11106320B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-08-31 | Fujifilm Corporation | Touch sensor, method for manufacturing touch sensor, and image display device |
| WO2019065064A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 富士フイルム株式会社 | Touch sensor, method for manufacturing touch sensor, and image display device |
| WO2021075304A1 (en) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | 富士フイルム株式会社 | Transparent multilayer body and image display device |
| JPWO2021075304A1 (en) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | ||
| JP7161067B2 (en) | 2019-10-18 | 2022-10-25 | 富士フイルム株式会社 | transparent laminate, image display device |
| KR20220116572A (en) | 2020-03-25 | 2022-08-23 | 알프스 알파인 가부시키가이샤 | Capacitive Sensors and Inputs |
| US11762514B2 (en) | 2020-03-25 | 2023-09-19 | Alps Alpine Co., Ltd. | Capacitive sensor and input device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| WO2014021629A1 (en) | 2014-02-06 |
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