JP2015106574A - インダクタンス素子 - Google Patents

Abstract

【課題】インダクタンスの変動を抑制しつつ異なる太さのビア導体を混在させることのできる条件を満たすインダクタンス素子を提供すること。【解決手段】インダクタンス素子１は、第１端子２と、第２端子３と、第１端子２と第２端子３との間に接続されたコイル５と、シート状の磁性体４とを備えている。コイル５は、磁性体４を貫通する複数のビア導体６１，６２，６３，６４と、磁性体４の表面に設けられた複数の表面導体７とからなる。磁性体４の縁からビア導体６１，６２，６３，６４までの最短距離をａとし、ビア導体６１，６２，６３，６４の半径をｒとした場合に、ビア導体６１，６２，６３，６４は、夫々、３ｒ≰ａ≰５ｒの関係を満たしている。【選択図】図１

Description

本発明は、シート状の磁性体を備えるインダクタンス素子に関する。

この種のインダクタンス素子としては、特許文献１に開示されたものがある。特許文献１のインダクタンス素子は、複数の焼結軟磁性合金層と複数の絶縁層とを交互に積層してなる磁心を備えている。各絶縁層には貫通孔が形成されており、各焼結軟磁性合金層にはその貫通孔よりもサイズの大きな窓（開口）が形成されている。インダクタンス素子のコイルは、複数の貫通導体部（ビア導体）とそれを連結する接続導体部とからなる。各貫通導体部は、絶縁体層の貫通孔と焼結軟磁性合金層の窓を通って、磁心の上下面間に延びている。各接続導体部は、磁心の上面又は下面において２つの貫通導体部を接続している。

特開２００２−２８９４１９号公報

インダクタンス素子の設計後に、ビア導体の太さを部分的に変更したい場合もある。しかしながら、一部のビア導体の太さを変更すると、インダクタンスが設計当初に想定していた値から大きく外れてしまう可能性がある。

そこで、本発明は、インダクタンスの変動を抑制しつつ異なる太さのビア導体を混在させることのできる条件を満たすインダクタンス素子を提供することを目的とする。

本発明は、第１のインダクタンス素子として、
第１端子と、第２端子と、前記第１端子と前記第２端子との間に接続されたコイルと、シート状又は平板状の磁性体とを備えるインダクタンス素子であって、
前記コイルは、前記磁性体を貫通する複数のビア導体と、前記磁性体の表面に設けられた複数の表面導体とからなり、
前記表面導体の夫々は、前記第１端子に最も近い前記ビア導体を１番目のビア導体とし、前記第２端子に最も近い前記ビア導体である最後のビア導体まで前記コイルに沿って前記ビア導体を順番に数えていった場合において、奇数番目の前記ビア導体の１つと偶数番目のビア導体の１つとを接続しており、
前記磁性体の縁から前記ビア導体までの最短距離をａとし、前記ビア導体の半径をｒとした場合に、前記ビア導体の夫々は、３ｒ≦ａ≦５ｒの関係を満たしている
インダクタンス素子を提供する。

また、本発明は、第２のインダクタンス素子として、第１のインダクタンス素子であって、
前記奇数番目の前記ビア導体の夫々と、当該ビア導体に最も近い前記偶数番目の前記ビア導体との間の距離は、当該奇数番目の前記ビア導体に関する前記最短距離ａと当該偶数番目の前記ビア導体に関する前記最短距離ａとの和に等しい
インダクタンス素子を提供する。

また、本発明は、第３のインダクタンス素子として、第１又は第２のインダクタンス素子であって、
前記ビア導体の本数は偶数であり、
奇数番目の前記ビア導体の夫々の中心は第１中心線上に位置しており、
偶数番目の前記ビア導体の夫々の中心は第２中心線上に位置しており、
前記第１中心線は前記第２中心線と平行であり、
前記１番目のビア導体と２番目の前記ビア導体とに接する第１接線と、前記最後のビア導体と最後から２番目の前記ビア導体とに接する第２接線とは平行である
インダクタンス素子を提供する。

また、本発明は、第４のインダクタンス素子として、第１乃至第３のいずれかのインダクタンス素子であって、
前記１番目のビア導体の半径は、他の奇数番目の前記ビア導体の半径よりも太く、
前記最後のビア導体の半径は、他の偶数番目の前記ビア導体の半径よりも太い
インダクタンス素子を提供する。

また、本発明は、第５のインダクタンス素子として、第１乃至第４のいずれかのインダクタンス素子であって、
前記磁性体は、前記第１中心線及び前記第２中心線と直交する所定方向における長さとして所定長さＬｘを有しており、
前記奇数番目の前記ビア導体の夫々の半径のすべての積Ｐｏは下記条件１を満たし、前記偶数番目の前記ビア導体の夫々の半径のすべての積Ｐｅは下記条件２を満たしている
条件１：（Ｌｘ／２４）^２≦Ｐｏ≦（Ｌｘ／１６）^２
条件２：（Ｌｘ／２４）^２≦Ｐｅ≦（Ｌｘ／１６）^２
インダクタンス素子を提供する。

各ビア導体から磁性体の縁までの距離がビア導体の半径の３倍以上であるとビア導体の径の大きさがインダクタンスの変動に及ぼす影響を低減することができる。但し、各ビア導体から磁性体の縁までの距離をビア導体の半径の５倍以下とすると、インダクタンス素子の大型化を抑制することができる。このように、本発明によれば、インダクタンス素子の大型化を避けつつ、ビア導体の径の太さがインダクタンスの変動に与える影響を抑制することができる。

本発明の第１の実施の形態によるインダクタンス素子を示す斜視図である。 図１のインダクタンス素子を示す上面図である。 図１のインダクタンス素子を示す側面図である。 図１のインダクタンス素子を示す底面図である。 図１のインダクタンス素子におけるビア導体の径と配置に関する条件を説明するための図である。 本発明の第２の実施の形態によるインダクタンス素子を示す斜視図である。 図６のインダクタンス素子を示す上面図である。 図６のインダクタンス素子を示す側面図である。 図６のインダクタンス素子を示す底面図である。 図６のインダクタンス素子におけるビア導体の径と配置に関する条件を説明するための図である。

図１乃至図４を参照すると、本発明の第１の実施の形態によるインダクタンス素子１は、第１端子２と、第２端子３と、第１端子２と第２端子３との間に接続されたコイル５と、シート状又は平板状の磁性体４とを備えている。

磁性体４は、扁平形状を有する軟磁性金属粉末をバインダ成分によって結着させた磁芯である。本実施の形態による磁性体４は、後述するように弾性を有している。磁性体４は、平板形状を有している。磁性体４の平板形状の厚さは、１ｍｍ以下である。

扁平形状の軟磁性金属粉末は、例えば、粒子状の軟磁性金属粉末（材料粉末）を、ボールミルを使用して扁平化することで作製される。材料粉末（即ち、軟磁性金属粉末）は、必要な磁気特性を得るために、Ｆｅ系合金からなることが好ましい。更に、軟磁性金属粉末は、Ｆｅ−Ｓｉ系合金からなることが好ましい。更に、軟磁性金属粉末は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金（センダスト）又はＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金からなることが好ましい。軟磁性金属粉末がＳｉ及びＡｌを含んでいる場合、軟磁性金属粉末におけるＳｉの比率は、３重量％以上かつ１８重量％以下であることが好ましく、Ａｌの比率は、１重量％以上かつ１２重量％以下であることが好ましい。この場合、磁性体４の結晶磁気異方性定数及び磁歪定数が低下し、磁気特性が向上する。また、磁性体４を作製する際に、軟磁性金属粉末の表面にＳｉ及びＡｌを含む不動態膜が形成され、磁性体４の電気抵抗が向上する。

扁平形状の軟磁性金属粉末を結着するバインダ成分は、酸化ケイ素を主成分としている。このようなバインダ成分は、Ｓｉを含むバインダから得られる。例えば、軟磁性金属粉末に溶媒、増粘剤及びバインダを混合してスラリーを作製する。このとき、バインダとして、例えばメチルフェニル系シリコーンレジンを使用すればよい。塗布したスラリーを加熱して溶媒を揮発させることで磁性体４の材料である予備成型体を作製する。予備成型体は、フェライトと異なり脆性材料から形成されていないため、加圧成型可能である。予備成型体を加圧により圧縮して加圧後の成型体を作製する。加圧後の成型体を高温（例えば、６００℃）で熱処理すると、磁性体４が得られる。

予備成型体を加圧により圧縮する際、構造歪みが生じ、これにより比透磁率が低下するおそれがある。本実施の形態によれば、上述の高温での熱処理によって、比透磁率が高い値に回復する。

上述の高温での熱処理によって、メチルフェニル系シリコーンレジンの有機成分は分解する。また、メチルフェニル系シリコーンレジンの固形分は、酸化ケイ素を主成分とするガラス質からなるバインダ成分となり、軟磁性金属粉末を結着する。即ち、軟磁性金属粉末は無機物によって結着されているため、このようにして作製された磁性体４は、２６０℃程度の高温によるリフローにも耐えることができる。また、軟磁性金属粉末は絶縁体によって結着されているため、磁性体４は、優れた周波数特性と、１０ｋΩ・ｃｍ以上の高い電気抵抗率を有する。

上述の高温での熱処理によって、バインダの有機成分が失われる。このため、バインダは加熱減量し、磁性体４の内部に空孔が形成される。即ち、磁性体４は、軟磁性金属粉末と、バインダ成分と、空孔とを含んでいる。

上述の高温での熱処理において、成型体の部位によって温度が異なるため、部位によって熱膨張の大きさが異なる。また、部位によってバインダが収縮する大きさやバインダが分解する速度が異なる。このため、加圧後の成型体の厚さが大きい場合、大きな内部応力が発生してクラックや剥離が生じるおそれがある。更に、上述の高温での熱処理において、成型体の内部には、バインダの分解に伴ってガスが生じる。加圧後の成型体の厚さが大きい場合、成型体の奥部に生じるガスが、外部に放散されにくい。このため、成型体内部でガスの圧力が高まって、クラックや剥離が生じるおそれがある。加圧後の成型体の厚さが１ｍｍ以下であれば、上述の高温での熱処理においても、クラックや剥離が生じない。従って、加圧後の成型体の厚さは、１ｍｍ以下であることが望ましい。加圧後の成型体の厚さは、０．７ｍｍ以下であることが更に望ましい。

磁気特性を向上させるためには、磁性体４は、６０体積％以上の軟磁性金属粉末を含んでいることが望ましい。この場合、磁性体４は、高い飽和磁束密度と、フェライト相当の高い透磁率を有する。具体的には、０．５Ｔ以上の飽和磁束密度を有する磁性体４を得ることができる。即ち、本実施の形態による磁性体４は磁気飽和し難いため、小型化可能である。また、１ＭＨｚの周波数における比透磁率の実数成分が５０以上である磁性体４を得ることができる。更に、１ＭＨｚの周波数における比透磁率の実数成分が１００以上である磁性体４も得ることができる。詳しくは、本実施の形態によれば、初透磁率範囲における比透磁率の実数成分が、１ＭＨｚ以上の所定の周波数（Ｘ ＭＨｚ）において磁気共鳴により極大値（Ｙ）となる。この所定の周波数（Ｘ ＭＨｚ）及び極大値（Ｙ）は、Ｘ×Ｙ≧３００の条件式を満たす。このため、渦電流損失の増大、コアロスの増大、及びノイズ吸収性能の低下を防止することができる。

本実施の形態の磁性体４の軟磁性金属粉末（扁平粉末）は、厚み方向（又は上下方向）に直交するように配向されている。換言すれば、軟磁性金属粉末は、厚み方向と直交する水平面（所定面）と平行になるように配向されている。このため、所定面と平行な方向における反磁界係数が小さくなり、上述のように比透磁率を高めることができる。即ち、磁性体４の磁化容易軸は、所定面と平行な方向に延びている。所定面と平行な方向における比透磁率をより高めるためには、軟磁性金属粉末の平均アスペクト比は、１０以上であることが好ましい。

更に、軟磁性金属粉末は、所定面と平行な方向において互いにずれつつ、厚み方向に積み重なっている。このため、仮にクラックが発生したとしてもクラックの進行を防止することができる。即ち、本実施の形態によれば、例えば１．０ｍｍ以下あるいは０．５ｍｍ以下の厚さを有し、且つ、セラミック材料であるフェライトと比較して高い靭性を有する磁性体４が得られる。

本実施の形態において、磁性体４は、１０体積％以上かつ２５体積％以下の空孔を含んでいることが望ましい。換言すれば、磁性体４に含まれる空孔の体積比率（空孔率）は、１０体積％以上かつ２５体積％以下であることが好ましい。スラリーを作製する際のバインダの量や、予備成型体を加圧により圧縮する際の圧力を調整することで、所望の空孔率を得ることができる。空孔率が１０体積％以上である場合、磁性体４は弾性を有し、磁性体４を様々に加工することが容易になる。空孔率が２５体積％以下である場合、磁性体４は、十分な軟磁性金属粉末を含むことができる。

磁性体４に含まれるバインダ成分の体積比率は、１０体積％以上かつ３０体積％以下であることが好ましい。バインダ成分の体積比率が１０体積％よりも小さい場合、磁性体４は、十分な強度を有しない。また、バインダ成分の体積比率が３０体積％よりも大きい場合、軟磁性金属粉末の体積比率を６０体積％以上とし、空孔率を１０体積％以上とすることができない。

纏めると、本実施の形態による磁性体４は、６０体積％以上の軟磁性金属粉末と、１０体積％以上かつ３０体積％以下のバインダ成分と、１０体積％以上かつ２５体積％以下の空孔とを含んでいる。また、磁性体４のＩＳＯ７６１９−ｔｙｐｅＤによるゴム硬度は、９２以上かつ９６以下である。即ち、磁性体４は、弾性変形可能である。

磁性体４は弾性体であるため、以下のようにヤング率を測定することができる。まず、幅（ｗ）、厚さ（ｔ）を有する平板状の磁性体４を用意する。次に、磁性体４の２つの被支持部を下方から支持する。このとき、被支持部は、磁性体４の長手方向において距離（Ｌ）だけ離れている。次に、被支持部の間に位置する被押圧部を上方から荷重（Ｐ）によって押圧する。荷重（Ｐ）によって生じたひずみ（δ）を測定する。よく知られているように、上述の幅（ｗ），厚さ（ｔ），距離（Ｌ），荷重（Ｐ）及びひずみ（δ）からヤング率を計算することができる。本実施の形態によれば、ヤング率が１０ＧＰａ以上かつ９０Ｇｐａ以下である磁性体４を得ることができる。また、主として磁性体４の空孔率を調整することにより、ヤング率が２０ＧＰａ以上かつ５０Ｇｐａ以下である磁性体４を得ることができる。

コイル５は、磁性体４を貫通する複数のビア導体６_１，６_２，６_３，６_４と、磁性体４の表面に設けられた複数の表面導体７とからなる。

上述のように磁性体４は適度な空孔を含んでいることから磁性体４を弾性変形することも可能であり、加工することも容易なものである。その加工性を活かして、本実施の形態による磁性体４には複数の貫通孔が形成されている。ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４は磁性体４に形成された貫通孔に夫々挿入され保持されている。保持の形態は、接着剤等による接着でもよいし、弾性を利用して圧入することとしてもよい。また、上述したように、本実施の形態の磁性体４は、絶縁性が高い（電気抵抗率が高い）ことから、ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４を保持したとしてもビア導体６_１，６_２，６_３，６_４間にリーク電流が流れてしまったりする問題を生じさせることがない。そのため、導電体であるビア導体６_１，６_２，６_３，６_４を磁性体４に直接接触させることができる。

各表面導体７は、２つのビア導体６_１，６_２，６_３，６_４を接続しており、それによってコイル５が形成されている。ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４は、第１端子２に最も近いものを１番目のビア導体６_１とし、コイル５の通電経路に沿って順番に数えていくこととする。何番目のビア導体であるかは、参照符号６に対して添え字を付して示す。本実施の形態において、第２端子３に最も近いビア導体である最後のビア導体は、ビア導体６_２である。このことから明らかなように、各表面導体７は、奇数番目のビア導体６_１，６_３の１つと偶数番目のビア導体６_２，６_４の１つとを接続している。

磁性体４の縁からビア導体６_１，６_２，６_３，６_４までの最短距離をａとし、ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４の半径をｒとした場合に、ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４は、夫々、３ｒ≦ａ≦５ｒの関係を満たしている。具体的には、図５に示されるように、第１番目のビア導体６_１から磁性体４の縁までの最短距離ａ_１と第１番目のビア導体６_１の半径ｒ_１は、３ｒ_１≦ａ_１≦５ｒ_１の関係を満たしている。同様に、第２番目のビア導体６_２から磁性体４の縁までの最短距離ａ_２と第２番目のビア導体６_２の半径ｒ_２は、３ｒ_２≦ａ_２≦５ｒ_２の関係を満たしており、第３番目のビア導体６_３から磁性体４の縁までの最短距離ａ_３と第３番目のビア導体６_３の半径ｒ_３は、３ｒ_３≦ａ_３≦５ｒ_３の関係を満たしており、第４番目のビア導体６_４から磁性体４の縁までの最短距離ａ_４と第４番目のビア導体６_４の半径ｒ_４は、３ｒ_４≦ａ_４≦５ｒ_４の関係を満たしている。すべてのビア導体６_１，６_２，６_３，６_４について３ｒ≦ａ≦５ｒの関係を満たしていると、インダクタンス素子の大型化を招くことなくインダクタンスの変動を抑えつつ、太さの異なるビア導体６_１，６_２，６_３，６_４を混在させることが可能となる。

また、本実施の形態において、奇数番目のビア導体６_１，６_３の夫々と、そのビア導体６_１，６_３に最も近い偶数番目のビア導体６_２，６_４との間の距離は、その奇数番目のビア導体６_１，６_３に関する最短距離ａ_１，ａ_３とその偶数番目のビア導体６_２，６_４に関する最短距離ａ_２，ａ_４との和に等しい。例えば、１番目のビア導体６_１に最も近い偶数番目のビア導体は２番目のビア導体６_２であるが、この場合、ビア導体６_１とビア導体６_２との間の距離は、ａ_１＋ａ_２となる。また、３番目のビア導体６_３に最も近い偶数番目のビア導体は４番目のビア導体６_４であるが、この場合、ビア導体６_３とビア導体６_４との間の距離は、ａ_３＋ａ_４となる。この要件を満たしていると、磁性体４の大型化を避けつつ、奇数番目のビア導体６_１，６_３の夫々と、そのビア導体６_１，６_３に最も近い偶数番目のビア導体６_２，６_４とが相互に及ぼす影響を軽減することができる。

より具体的には、本実施の形態のビア導体６_１，６_２，６_３，６_４の本数は偶数であり、次の条件を満たしている。即ち、奇数番目のビア導体６_１，６_３の夫々の中心は第１中心線Ｃ１上に位置しており、偶数番目のビア導体６_２，６_４の夫々の中心は第２中心線Ｃ２上に位置しており、また、第１中心線Ｃ１は第２中心線Ｃ２と平行である。更に、１番目のビア導体６_１と２番目のビア導体６_２とに接する第１接線Ｔ１と、最後のビア導体（即ち、４番目のビア導体６_４）と最後から２番目のビア導体（即ち、３番目のビア導体６_３）とに接する第２接線Ｔ２とは平行である。第１中心線Ｃ１と第２中心線Ｃ２とが平行であり且つ第１接線Ｔ１と第２接線Ｔ２とが平行であると、ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４の半径ｒ_１，ｒ_２，ｒ_３，ｒ_４を変更しても変更前の状態のインダクタンスからの変動を抑えることができる。

本実施の形態において、１番目のビア導体６_１の半径ｒ_１は、他の奇数番目のビア導体６_３の半径ｒ_３よりも太く、最後のビア導体（即ち、４番目のビア導体６_４）の半径ｒ_４は、他の偶数番目のビア導体６_２の半径ｒ_２よりも太い。換言すると、第１端子２及び第２端子３に接続されたビア導体６_１，６_４の半径ｒ_１，ｒ_４は他のビア導体６_２，６_３の半径ｒ_２，ｒ_３よりも太い。そのため、ビア導体６_１，６_４の強度は他のビア導体６_２，６_３の強度よりも高く、従って、第１端子２及び第２端子３をビア導体６_１，６_４に夫々溶接するためにビア導体６_１，６_４に対して夫々必要とされる強度を確保することができる。

更に、本実施の形態のビア導体６_１，６_２，６_３，６_４は、第１中心線Ｃ１及び第２中心線Ｃ２と直交する方向（所定方向）における磁性体４の長さである所定長さＬｘに関して、次の条件を満たしている。即ち、奇数番目のビア導体６_１，６_３の夫々の半径ｒ_１，ｒ_３のすべての積Ｐｏ（＝ｒ_１×ｒ_３）は下記条件１を満たしており、偶数番目のビア導体６_２，６_４の夫々の半径ｒ_２，ｒ_４のすべての積Ｐｅ（＝ｒ_２×ｒ_４）は下記条件２を満たしている。
条件１：（Ｌｘ／２４）^２≦Ｐｏ≦（Ｌｘ／１６）^２
条件２：（Ｌｘ／２４）^２≦Ｐｅ≦（Ｌｘ／１６）^２
ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４の半径ｒ_１，ｒ_２，ｒ_３，ｒ_４を変更する際に、これら条件１及び条件２をいずれも満たすように留意することとすると、ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４の半径ｒ_１，ｒ_２，ｒ_３，ｒ_４を変更しても変更前の状態のインダクタンスからの変動を更に抑えることができる。

図６乃至図９を参照すると、本発明の第１の実施の形態によるインダクタンス素子１Ａは、第１端子２と、第２端子３と、第１端子２と第２端子３との間に接続されたコイル５Ａと、シート状又は平板状の磁性体４とを備えている。

コイル５Ａは、磁性体４を貫通する複数のビア導体６_１，６_２，６_３，６_４，６_５，６_６と、磁性体４の表面に設けられた複数の表面導体７とからなる。ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４，６_５，６_６は、夫々、磁性体４に形成された貫通孔に挿入され保持されている。

各表面導体７は、２つのビア導体６_１，６_２，６_３，６_４を接続しており、それによってコイル５Ａが形成されている。ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４の添え字は、上述した第１の実施の形態と同様の規則に従って付されている。即ち、第１端子２に最も近いビア導体を１番目のビア導体６_１とする。本実施の形態において、最後のビア導体は、ビア導体６_６である。

磁性体４の縁からビア導体６_１，６_２，６_３，６_４，６_５，６_６までの最短距離ａ_１，ａ_２，ａ_３，ａ_４，ａ_５，ａ_６と、ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４，６_５，６_６の半径ｒ_１、ｒ_２、ｒ_３、ｒ_４、ｒ_５、ｒ_６は、３ｒ≦ａ≦５ｒの関係を満たしている。即ち、ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４，６_５，６_６は、３ｒ_１≦ａ_１≦５ｒ_１，３ｒ_２≦ａ_２≦５ｒ_２，３ｒ_３≦ａ_３≦５ｒ_３，３ｒ_４≦ａ_４≦５ｒ_４，３ｒ_５≦ａ_５≦５ｒ_５，３ｒ_６≦ａ_６≦５ｒ_６を夫々満たしている。

また、本実施の形態において、奇数番目のビア導体６_１，６_３，６_５の夫々と、そのビア導体６_１，６_３，６_５に最も近い偶数番目のビア導体６_２，６_４，６_６との間の距離は、その奇数番目のビア導体６_１，６_３，６_５に関する最短距離ａ_１，ａ_３，ａ_５とその偶数番目のビア導体６_２，６_４，６_６に関する最短距離ａ_２，ａ_４，ａ_６との和に等しい。即ち、１番目のビア導体６_１とそれに最も近い２番目のビア導体６_２との間の距離は、ａ_１＋ａ_２であり、３番目のビア導体６_３とそれに最も近い４番目のビア導体６_４との間の距離は、ａ_３＋ａ_４であり、５番目のビア導体６_５とそれに最も近い６番目のビア導体６_６との間の距離は、ａ_５＋ａ_６である。

より具体的には、本実施の形態のビア導体６_１，６_２，６_３，６_４，６_５，６_６の本数は偶数であり、次の条件を満たしている。即ち、奇数番目のビア導体６_１，６_３，６_５の夫々の中心は第１中心線Ｃ１上に位置しており、偶数番目のビア導体６_２，６_４，６_６の夫々の中心は第２中心線Ｃ２上に位置しており、また、第１中心線Ｃ１は第２中心線Ｃ２と平行である。更に、１番目のビア導体６_１と２番目のビア導体６_２とに接する第１接線Ｔ１と、最後のビア導体（即ち、６番目のビア導体６_６）と最後から２番目のビア導体（即ち、５番目のビア導体６_５）とに接する第２接線Ｔ２とは平行である。第１中心線Ｃ１と第２中心線Ｃ２とが平行であり且つ第１接線Ｔ１と第２接線Ｔ２とが平行であると、ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４，６_５，６_６の半径ｒ_１，ｒ_２，ｒ_３，ｒ_４，ｒ_５，ｒ_６を変更しても変更前の状態のインダクタンスからの変動を抑えることができる。

更に、本実施の形態のビア導体６_１，６_２，６_３，６_４，６_５，６_６は、第１中心線Ｃ１及び第２中心線Ｃ２と直交する方向（所定方向）における磁性体４の長さである所定長さＬｘに関して、次の条件を満たしている。即ち、奇数番目のビア導体６_１，６_３，６_５の夫々の半径ｒ_１，ｒ_３，ｒ_５のすべての積Ｐｏ（＝ｒ_１×ｒ_３×ｒ_５）は下記条件１を満たしており、偶数番目のビア導体６_２，６_４，６_６の夫々の半径ｒ_２，ｒ_４，ｒ_６のすべての積Ｐｅ（＝ｒ_２×ｒ_４×ｒ_６）は下記条件２を満たしている。
条件１：（Ｌｘ／２４）^２≦Ｐｏ≦（Ｌｘ／１６）^２
条件２：（Ｌｘ／２４）^２≦Ｐｅ≦（Ｌｘ／１６）^２
ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４，６_５，６_６の半径ｒ_１，ｒ_２，ｒ_３，ｒ_４，ｒ_５，ｒ_６を変更する際に、これら条件１及び条件２をいずれも満たすように留意することとすると、ビア導体６_１，６_２，６_３，６_４，６_５，６_６の半径ｒ_１，ｒ_２，ｒ_３，ｒ_４，ｒ_５，ｒ_６を変更しても変更前の状態のインダクタンスからの変動を更に抑えることができる。

以上、本発明について実施の形態を掲げて具体的に説明してきたが、本発明はこれらに限定されるわけではなく、様々な変形や応用が可能である。

例えば、上述した実施の形態において、磁性体４の平面形状は長方形であったが、ビア導体から縁までの最短距離ａとビア導体の半径ｒとの関係についてすべてのビア導体が３ｒ≦ａ≦５ｒの条件を満たしている限り、磁性体４の平面形状は問わない。但し、磁性体４の平面形状が平行四辺形や菱形である場合、インダクタンスを所望の変動内に抑えつつビア導体の半径を変えることを可能とするために、第１中心線Ｃ１と第２中心線Ｃ２が平行であり且つ第１接線Ｔ１と第２接線Ｔ２とが平行であるという条件や磁性体の所定長さＬｘに関する条件１及び条件２を満たしていることが好ましい。

上述した実施の形態の表面導体７の形状は、細長い平板形状であったが、表面導体７の形状はどのようなものであってもよいし、表面導体７のサイズ（面積）にも特に制限はない。

磁性体４の表面の全部又は一部を絶縁樹脂によって覆ってもよい。絶縁樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂やポリオフィン系樹脂を使用することができる。このように構成することで、磁性体４の表面の絶縁性が更に向上する。更に、仮にクラックが発生したとしても、クラックの進行をより確実に防止できる。また、絶縁樹脂の一部は、磁性体４の表層に含浸する。このため、クラックの発生及び進行を更に確実に防止できる。

加えて、磁性体４は、単層構造を有していてもよいし、複数のシートを積層してなる積層構造を有していてもよい。

１，１Ａ インダクタンス素子
２ 第１端子
３ 第２端子
４ 磁性体
５，５Ａ コイル
６（６_１，６_２，６_３，６_４，６_５，６_６） ビア導体
７ 表面導体
Ｃ１ 第１中心線
Ｃ２ 第２中心線
Ｔ１ 第１接線
Ｔ２ 第２接線
Ｌｘ 所定長さ

Claims (5)

1. 第１端子と、第２端子と、前記第１端子と前記第２端子との間に接続されたコイルと、シート状又は平板状の磁性体とを備えるインダクタンス素子であって、
   前記コイルは、前記磁性体を貫通する複数のビア導体と、前記磁性体の表面に設けられた複数の表面導体とからなり、
   前記表面導体の夫々は、前記第１端子に最も近い前記ビア導体を１番目のビア導体とし、前記第２端子に最も近い前記ビア導体である最後のビア導体まで前記コイルに沿って前記ビア導体を順番に数えていった場合において、奇数番目の前記ビア導体の１つと偶数番目のビア導体の１つとを接続しており、
   前記磁性体の縁から前記ビア導体までの最短距離をａとし、前記ビア導体の半径をｒとした場合に、前記ビア導体の夫々は、３ｒ≦ａ≦５ｒの関係を満たしている
   インダクタンス素子。
2. 請求項１記載のインダクタンス素子であって、
   前記奇数番目の前記ビア導体の夫々と、当該ビア導体に最も近い前記偶数番目の前記ビア導体との間の距離は、当該奇数番目の前記ビア導体に関する前記最短距離ａと当該偶数番目の前記ビア導体に関する前記最短距離ａとの和に等しい
   インダクタンス素子。
3. 請求項１又は請求項２記載のインダクタンス素子であって、
   前記ビア導体の本数は偶数であり、
   奇数番目の前記ビア導体の夫々の中心は第１中心線上に位置しており、
   偶数番目の前記ビア導体の夫々の中心は第２中心線上に位置しており、
   前記第１中心線は前記第２中心線と平行であり、
   前記１番目のビア導体と２番目の前記ビア導体とに接する第１接線と、前記最後のビア導体と最後から２番目の前記ビア導体とに接する第２接線とは平行である
   インダクタンス素子。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のインダクタンス素子であって、
   前記１番目のビア導体の半径は、他の奇数番目の前記ビア導体の半径よりも太く、
   前記最後のビア導体の半径は、他の偶数番目の前記ビア導体の半径よりも太い
   インダクタンス素子。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のインダクタンス素子であって、
   前記磁性体は、前記第１中心線及び前記第２中心線と直交する所定方向における長さとして所定長さＬｘを有しており、
   前記奇数番目の前記ビア導体の夫々の半径のすべての積Ｐｏは下記条件１を満たし、前記偶数番目の前記ビア導体の夫々の半径のすべての積Ｐｅは下記条件２を満たしている
   条件１：（Ｌｘ／２４）^２≦Ｐｏ≦（Ｌｘ／１６）^２
   条件２：（Ｌｘ／２４）^２≦Ｐｅ≦（Ｌｘ／１６）^２
   インダクタンス素子。

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