JP2015195217A - Anisotropic conductive material and connecting structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば、電極間の接続に使用できる導電性粒子に関し、より詳細には、電極間の接続に用いられた場合に、電極間の導通信頼性を高めることができる導電性粒子、並びに該導電性粒子を用いた異方性導電材料及び接続構造体に関する。 The present invention relates to conductive particles that can be used, for example, for connection between electrodes, and more specifically, conductive particles that can improve conduction reliability between electrodes when used for connection between electrodes, and The present invention relates to an anisotropic conductive material and a connection structure using the conductive particles.
異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤、異方性導電フィルム及び異方性導電シート等の異方性導電材料が広く知られている。これらの異方性導電材料では、ペースト、インク又は樹脂中に導電性粒子が分散されている。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes, anisotropic conductive inks, anisotropic conductive adhesives, anisotropic conductive films and anisotropic conductive sheets are widely known. In these anisotropic conductive materials, conductive particles are dispersed in paste, ink, or resin.
上記異方性導電材料は、ICチップとフレキシブルプリント回路基板との接続、及びICチップとITO電極を有する回路基板との接続等に使用されている。例えば、ICチップの電極と回路基板の電極との間に異方性導電材料を配置した後、加熱及び加圧することにより、これらの電極を電気的に接続できる。 The anisotropic conductive material is used for connection between an IC chip and a flexible printed circuit board, connection between an IC chip and a circuit board having an ITO electrode, and the like. For example, after disposing an anisotropic conductive material between the electrode of the IC chip and the electrode of the circuit board, these electrodes can be electrically connected by heating and pressing.
上記異方性導電材料に用いられる導電性粒子の一例として、下記の特許文献1には、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面に設けられた銅層と、該銅層の表面に設けられたパラジウム層とを備える導電性粒子が開示されている。特許文献1では、このような導電性粒子は、具体的な実施例では開示されていないが、対向する回路の接続において良好な電気的接続が得られることが記載されている。
As an example of the conductive particles used for the anisotropic conductive material, the following
特許文献1に記載のような導電性粒子は、従来、以下のようにして製造されている。
Conventionally, the conductive particles described in
先ず、樹脂粒子の表面に銅層を形成する。次に、銅層の表面にパラジウム触媒を付着させる触媒化工程を行う。その後、還元剤として次亜リン酸ナトリウムを含むめっき液を用いて、パラジウム層を形成する。 First, a copper layer is formed on the surface of the resin particles. Next, a catalyzing step of attaching a palladium catalyst to the surface of the copper layer is performed. Thereafter, a palladium layer is formed using a plating solution containing sodium hypophosphite as a reducing agent.
すなわち、上記導電性粒子を製造する際には、銅には触媒性がないので、パラジウム層を形成する前に、銅層の表面にパラジウム触媒を付着させる触媒化工程が行われる。このような触媒化工程を行うと、銅層が、酸化したり、触媒液に侵食されたりすることがある。 That is, when manufacturing the said electroconductive particle, since copper does not have catalytic property, before forming a palladium layer, the catalyzing process which makes a palladium catalyst adhere to the surface of a copper layer is performed. When such a catalyzing step is performed, the copper layer may be oxidized or eroded by the catalyst solution.
さらに、触媒化工程後にパラジウム層を形成する際には、触媒核に沿ってパラジウムめっきが進行するので、パラジウム層における結晶粒が大きくなる。さらに、厚みが500nm以下の薄いパラジウム層を形成する場合には、銅層の表面をパラジウム層で均一に被覆することは困難であり、例えば、パラジウム層に微小な孔が形成されることがある。このため、得られる導電性粒子は、外部環境に対する耐性が弱く、銅層が酸化したり、銅−パラジウム間のガルバニック反応による銅の腐食が起こったりする。この結果、導電性粒子における導電層全体の導電性が損なわれることがある。 Furthermore, when the palladium layer is formed after the catalyzing step, since palladium plating proceeds along the catalyst nucleus, the crystal grains in the palladium layer become large. Furthermore, when forming a thin palladium layer having a thickness of 500 nm or less, it is difficult to uniformly cover the surface of the copper layer with the palladium layer, and for example, minute holes may be formed in the palladium layer. . For this reason, the obtained electroconductive particle has the weak tolerance with respect to an external environment, a copper layer oxidizes, or copper corrosion by the galvanic reaction between copper-palladium occurs. As a result, the conductivity of the entire conductive layer in the conductive particles may be impaired.
特に、特許文献1に記載の導電性粒子を電極間の接続に用いて、接続構造体を形成した場合、該接続構造体が高温高湿下に晒されたときに、電極間の接続抵抗が高くなることがあり、電極に接する導電性粒子が耐えられる電流容量が低いことがある。
In particular, when the connection structure is formed using the conductive particles described in
本発明の目的は、電極間を接続して接続構造体を得た場合に、該接続構造体が高温高湿下に晒されても、電極間の接続抵抗が高くなり難い導電性粒子、並びに該導電性粒子を用いた異方性導電材料及び接続構造体を提供することである。 An object of the present invention is to obtain a connection structure by connecting electrodes, and even when the connection structure is exposed to high temperature and high humidity, the conductive particles are less likely to have a high connection resistance between the electrodes, and An anisotropic conductive material and a connection structure using the conductive particles are provided.
本発明の広い局面によれば、基材粒子と、該基材粒子の表面に設けられた銅層と、該銅層の表面に設けられたパラジウム層とを備え、上記パラジウム層の平均厚みが5〜500nmであり、複数の上記導電性粒子100重量部を0.001N硝酸1000重量部に25℃で1分間浸漬したときに、溶出する銅イオン濃度が、導電性粒子の単位表面積当たり5ppm/cm2以下である、導電性粒子が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, the method includes a substrate particle, a copper layer provided on the surface of the substrate particle, and a palladium layer provided on the surface of the copper layer, wherein the average thickness of the palladium layer is It is 5 to 500 nm. When 100 parts by weight of the plurality of conductive particles are immersed in 1,000 parts by weight of 0.001N nitric acid at 25 ° C. for 1 minute, the copper ion concentration to be eluted is 5 ppm / per unit surface area of the conductive particles. Conductive particles are provided that are cm 2 or less.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、導電性粒子は、上記パラジウム層の外側の表面に突起を有する。 In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the conductive particle has a protrusion on the outer surface of the palladium layer.
本発明に係る導電性粒子の他の特定の局面では、上記パラジウム層の表面に付着された絶縁性樹脂層又は絶縁性樹脂粒子が備えられる。 In another specific aspect of the conductive particle according to the present invention, an insulating resin layer or an insulating resin particle attached to the surface of the palladium layer is provided.
本発明に係る導電性粒子のさらに他の特定の局面では、上記パラジウム層の表面に付着された絶縁性樹脂粒子が備えられる。 In still another specific aspect of the conductive particles according to the present invention, insulating resin particles attached to the surface of the palladium layer are provided.
本発明に係る異方性導電材料は、本発明に従って構成された導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。 The anisotropic conductive material which concerns on this invention contains the electroconductive particle comprised according to this invention, and binder resin.
本発明に係る接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、該第1,第2の接続対象部材を接続している接続部とを備えており、上記接続部が、本発明に従って構成された導電性粒子、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されている。 A connection structure according to the present invention includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion connecting the first and second connection target members, and the connection described above. The portion is formed of conductive particles configured according to the present invention or an anisotropic conductive material including the conductive particles and a binder resin.
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子の表面に銅層とパラジウム層とがこの順で設けられており、上記パラジウム層の平均厚みが5〜500nmであり、かつ、複数の上記導電性粒子100重量部を0.001N硝酸1000重量部に25℃で1分間浸漬したときに、溶出する銅イオン濃度が、導電性粒子の単位表面積当たり5ppm/cm2以下であるため、導電性粒子を電極間の接続に用いた接続構造体が高温高湿下に晒された場合に、接続抵抗が高くなるのを抑制できる。従って、接続構造体の導通信頼性を高めることができる。 In the conductive particles according to the present invention, a copper layer and a palladium layer are provided in this order on the surface of the base particle, the average thickness of the palladium layer is 5 to 500 nm, and a plurality of the conductive materials are provided. When 100 parts by weight of particles are immersed in 1000 parts by weight of 0.001N nitric acid at 25 ° C. for 1 minute, the eluted copper ion concentration is 5 ppm / cm 2 or less per unit surface area of the conductive particles. When the connection structure used for the connection between the electrodes is exposed to high temperature and high humidity, it is possible to suppress an increase in connection resistance. Therefore, the conduction reliability of the connection structure can be improved.
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより本発明を明らかにする。 Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings.
図1は、本発明の一実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to an embodiment of the present invention.
図1に示すように、導電性粒子1は、基材粒子2と、該基材粒子2の表面2aに設けられた銅層3と、該銅層3の表面3aに設けられたパラジウム層4とを備える。銅層3とパラジウム層4とは導電層である。導電性粒子1は、パラジウム層4の表面4aに付着された絶縁性樹脂層又は絶縁性樹脂粒子をさらに備えていてもよい。
As shown in FIG. 1, the
図2は、本発明の他の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to another embodiment of the present invention.
図2に示すように、導電性粒子11は、基材粒子2と、該基材粒子2の表面2aに設けられた銅層12と、該銅層12の表面12aに設けられたパラジウム層13とを備える。銅層12とパラジウム層13とは導電層である。導電性粒子11は、基材粒子2の表面2aに複数の芯物質14を備える。導電層である銅層12及びパラジウム層13は、芯物質14を被覆している。芯物質14を導電層が被覆していることにより、導電性粒子11は表面11aに複数の突起15を有する。導電性粒子11は、パラジウム層13の外側の表面13aに複数の突起15を有する。突起15は、パラジウム層13の表面13aに形成されている。芯物質14によりパラジウム層13の表面13aが隆起されており、突起15が形成されている。
As shown in FIG. 2, the
導電性粒子11は、パラジウム層13の表面13aに付着された絶縁性樹脂粒子16を備える。本実施形態では、パラジウム層13の表面の一部の領域が、絶縁性樹脂粒子16により被覆されている。このように、導電性粒子は、パラジウム層13の表面13aに付着された絶縁性樹脂粒子16を備えていてもよい。ただし、絶縁性樹脂粒子16は、必ずしも備えられていなくてもよい。さらに、絶縁性樹脂粒子16にかえて、絶縁性樹脂層が備えられてもよい。導電性粒子は、パラジウム層13の表面13aに付着された絶縁性樹脂層を備えていてもよい。パラジウム層13の表面13aは、絶縁性樹脂層により被覆されていてもよい。
The
基材粒子2としては、樹脂粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。
Examples of the
基材粒子2は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。電極間を接続する際には、導電性粒子1,11を電極間に配置した後、一般的に導電性粒子1,11を圧縮させる。基材粒子2が樹脂粒子であると、圧縮により導電性粒子1,11が変形しやすく、導電性粒子1,11と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。
The
上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン及びポリエーテルスルホン等が挙げられる。圧縮により導電性粒子を適度に変形させることができるので、上記樹脂粒子は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体により形成されていることが好ましい。 Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resin, acrylic resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, and polyphenylene. Examples thereof include oxides, polyacetals, polyimides, polyamideimides, polyetheretherketones, and polyethersulfones. Since the conductive particles can be appropriately deformed by compression, the resin particles are formed of a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group. Is preferred.
上記無機粒子を形成するための無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。 Examples of the inorganic substance for forming the inorganic particles include silica and carbon black. Examples of the organic / inorganic hybrid particles include organic / inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.
基材粒子2が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。
When the
基材粒子2の平均粒子径は、1〜100μmの範囲内であることが好ましい。基材粒子の平均粒子径が1μm以上であると、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。基材粒子の平均粒子径が100μm以下であると、電極間の間隔を狭くすることができる。基材粒子2の平均粒子径のより好ましい下限は2μm、より好ましい上限は50μm、更に好ましい上限は30μm、特に好ましい上限は5μmである。
The average particle diameter of the
上記平均粒子径は、数平均粒子径を示す。該平均粒子径は、例えばコールターカウンター(ベックマンコールター社製)を用いて測定できる。 The average particle diameter indicates a number average particle diameter. The average particle size can be measured using, for example, a Coulter counter (manufactured by Beckman Coulter).
パラジウム層4,13の平均厚みは、5nm以上である。パラジウム層4,13の平均厚みが5nm以上であると、銅層3,12の表面3a,12aをパラジウム層4,13により均一に被覆できる。このため、導電性粒子1,11は、外部環境に対する耐性が高くなり、銅層が酸化し難くなり、銅−パラジウム間のガルバニック反応による銅の腐食が起こり難くなる。このため、導電性粒子1,11における導電層全体の導電性をより一層高めることができる。
The average thickness of the palladium layers 4 and 13 is 5 nm or more. When the average thickness of the palladium layers 4 and 13 is 5 nm or more, the surfaces 3 a and 12 a of the copper layers 3 and 12 can be uniformly covered with the palladium layers 4 and 13. For this reason, the
パラジウム層4,13の平均厚みは、500nm以下である。パラジウム層4,13の平均厚みが500nm以下であると、導電性粒子のコストが安くなる。さらに、パラジウムの使用量を低減できるので、環境負荷を低減できる。 The average thickness of the palladium layers 4 and 13 is 500 nm or less. When the average thickness of the palladium layers 4 and 13 is 500 nm or less, the cost of the conductive particles is reduced. Furthermore, since the usage-amount of palladium can be reduced, an environmental load can be reduced.
パラジウム層4,13の平均厚みの好ましい下限は10nm、好ましい上限は400nmである。パラジウム層4,13の平均厚みが10nm以上であると、導電性粒子1,11の導電性をより一層高めることができる。
The preferable lower limit of the average thickness of the palladium layers 4 and 13 is 10 nm, and the preferable upper limit is 400 nm. When the average thickness of the palladium layers 4 and 13 is 10 nm or more, the conductivity of the
銅層3,12とパラジウム層4,13との合計の平均厚み、すなわち導電層の平均厚みは、10〜1000nmの範囲内であることが好ましい。導電層の平均厚みのより好ましい下限は20nm、より好ましい上限は800nmである。導電層の平均厚みが上記下限以上であると、導電性粒子1,11の導電性をより一層高めることができる。導電層の平均厚みが上記上限以下であると、基材粒子2と導電層との熱膨張率の差が小さくなり、基材粒子2から導電層が剥離し難くなる。
The total average thickness of the copper layers 3 and 12 and the palladium layers 4 and 13, that is, the average thickness of the conductive layer is preferably within a range of 10 to 1000 nm. A more preferable lower limit of the average thickness of the conductive layer is 20 nm, and a more preferable upper limit is 800 nm. The electroconductivity of the
基材粒子2の表面2aに銅層3,12を形成する方法としては、無電解めっきにより銅層を形成する方法、並びに電気めっきにより銅層を形成する方法等が挙げられる。
Examples of the method of forming the copper layers 3 and 12 on the surface 2a of the
銅層3,12の表面3a,12aにパラジウム層4,13を形成する方法として、還元剤としてヒドラジン化合物を含むめっき液を用いて、パラジウム層を形成する方法等が用いられる。パラジウム層4,13は、還元剤としてヒドラジン化合物を含むめっき液を用いて形成されたパラジウム層であることが好ましい。 As a method of forming the palladium layers 4 and 13 on the surfaces 3a and 12a of the copper layers 3 and 12, a method of forming a palladium layer using a plating solution containing a hydrazine compound as a reducing agent is used. The palladium layers 4 and 13 are preferably palladium layers formed using a plating solution containing a hydrazine compound as a reducing agent.
本実施形態の特徴は、パラジウム層の平均厚みが5〜500nmであり、該パラジウム層の厚みが薄く、かつ複数の上記導電性粒子100重量部を0.001N硝酸1000重量部に25℃で1分間浸漬したときに、溶出する銅イオン濃度が、導電性粒子の単位表面積当たり5ppm/cm2以下であることである。 The feature of this embodiment is that the average thickness of the palladium layer is 5 to 500 nm, the thickness of the palladium layer is thin, and 100 parts by weight of the plurality of conductive particles is added to 1000 parts by weight of 0.001N nitric acid at 25 ° C. The copper ion concentration which elutes when immersed for a minute is 5 ppm / cm 2 or less per unit surface area of the conductive particles.
本実施形態は、特に、パラジウム層の厚みが5〜500nmである導電性粒子において、上記銅イオン濃度を5ppm/cm2以下にしたことに特徴を有する。 This embodiment is particularly characterized in that the copper ion concentration is 5 ppm / cm 2 or less in conductive particles having a palladium layer thickness of 5 to 500 nm.
従来の導電性粒子でも、パラジウム層の平均厚みが500nmを超えると、パラジウムの結晶粒が大きくても銅層の表面が十分に被覆されているため、上記銅イオン濃度が5ppm/cm2以下であることがある。一方で、従来の導電性粒子では、パラジウム層の厚みが500nm以下であると、パラジウムの結晶粒が大きいことなどに起因して、上記銅イオン濃度を5ppm/cm2以下にすることはできなかった。従って、従来の導電性粒子では、外部環境に対する耐性が弱く、銅層が酸化したり、銅−パラジウム間のガルバニック反応による銅の腐食が起こったりすることがあった。このため、導電性粒子における導電層全体の導電性が損なわれることがあった。特に、従来の導電性粒子を電極間の接続に用いて、接続構造体を形成した場合、該接続構造体が高温高湿下に晒されたときに、電極間の接続抵抗が高くなることがあり、電極に接する導電性粒子が耐えられる電流容量が低いことがあった。 Even in the case of conventional conductive particles, when the average thickness of the palladium layer exceeds 500 nm, the surface of the copper layer is sufficiently covered even if the crystal grains of the palladium are large, so that the copper ion concentration is 5 ppm / cm 2 or less. There may be. On the other hand, in the conventional conductive particles, when the thickness of the palladium layer is 500 nm or less, the copper ion concentration cannot be reduced to 5 ppm / cm 2 or less due to large crystal grains of palladium. It was. Therefore, the conventional conductive particles have poor resistance to the external environment, and the copper layer may be oxidized or copper may be corroded by a galvanic reaction between copper and palladium. For this reason, the electroconductivity of the whole electroconductive layer in electroconductive particle may be impaired. In particular, when a connection structure is formed using conventional conductive particles for connection between electrodes, the connection resistance between the electrodes may increase when the connection structure is exposed to high temperature and high humidity. In some cases, the current capacity that the conductive particles in contact with the electrode can withstand is low.
これに対して、パラジウム層4,13の平均厚みが5〜500nmであり、かつ上記銅イオン濃度が5ppm/cm2以下である導電性粒子1,11では、外部環境に対する耐性が高くなり、銅層3,12の酸化が生じ難くなり、銅−パラジウム間のガルバニック反応による銅の腐食が起こり難くなる。このため、導電性粒子1,11における導電層全体の導電性を高めることができる。さらに、電極間を接続して接続構造体を得た場合に、接続構造体の高温高湿下での導通信頼性を高めることができ、電極に接する導電性粒子が耐えられる電流容量を高くすることができる。
In contrast, in the
例えば、銅層3,12の表面3a,12aにパラジウム層4,13を形成する際に、還元剤としてヒドラジン化合物を含むめっき液を用いることにより、銅に触媒性を付与しながらパラジウムめっきが進行するので、パラジウム層4,13における結晶粒を極めて小さくすることができる。具体的には、パラジウムめっきのエピタキシャル成長によって、微細なパラウム結晶が形成される。この結果、パラジウム層4,13の平均厚みが5〜500nmであっても、銅層3,12の表面3a,12aをパラジウム層4,13により均一に被覆でき、上記銅イオン濃度を5ppm/cm2以下にすることが可能になる。 For example, when the palladium layers 4 and 13 are formed on the surfaces 3a and 12a of the copper layers 3 and 12, by using a plating solution containing a hydrazine compound as a reducing agent, palladium plating proceeds while imparting catalytic properties to copper. Therefore, the crystal grains in the palladium layers 4 and 13 can be made extremely small. Specifically, fine palladium crystals are formed by the epitaxial growth of palladium plating. As a result, even if the average thickness of the palladium layers 4 and 13 is 5 to 500 nm, the surfaces 3a and 12a of the copper layers 3 and 12 can be uniformly coated with the palladium layers 4 and 13, and the copper ion concentration is 5 ppm / cm. It becomes possible to make it 2 or less.
パラジウム層4,13を形成するために、還元剤としてヒドラジン化合物を含むめっき液を用いれば、銅層3,12の表面3a,12aにパラジウム触媒を付与しなくても、パラジウムめっきが自発的に進行する。従って、銅層3,12の表面3a,12aにパラジウム触媒を付与する触媒化工程を省略できる。この結果、銅層3,12が触媒液に侵食されず、かつ導電性粒子1,11の生産効率を高めることができる。
If a plating solution containing a hydrazine compound as a reducing agent is used to form the palladium layers 4 and 13, the palladium plating is spontaneously performed without imparting a palladium catalyst to the surfaces 3 a and 12 a of the copper layers 3 and 12. proceed. Therefore, the catalyzing step of applying a palladium catalyst to the surfaces 3a and 12a of the copper layers 3 and 12 can be omitted. As a result, the copper layers 3 and 12 are not eroded by the catalyst solution, and the production efficiency of the
従って、還元剤としてヒドラジン化合物を含むめっき液を用いてパラジウム層4,13を形成することが好ましい。この場合には、還元剤としてヒドラジン化合物を含むめっき液を用いてパラジウム層4,13を形成する工程とは別に、銅層3,12の表面3a,12aにパラジウム触媒を付与する触媒化工程を行わないことが好ましい。パラジウム層4,13は、銅層3,12の表面3a,12aにパラジウム触媒を付与する触媒化工程を行わずに、還元剤としてヒドラジン化合物を含むめっき液を用いて形成されたパラジウム層であることが好ましい。 Therefore, it is preferable to form the palladium layers 4 and 13 using a plating solution containing a hydrazine compound as a reducing agent. In this case, apart from the step of forming the palladium layers 4 and 13 using a plating solution containing a hydrazine compound as a reducing agent, a catalyzing step of imparting a palladium catalyst to the surfaces 3a and 12a of the copper layers 3 and 12 is performed. It is preferable not to do so. The palladium layers 4 and 13 are palladium layers formed by using a plating solution containing a hydrazine compound as a reducing agent without performing a catalyzing step of imparting a palladium catalyst to the surfaces 3a and 12a of the copper layers 3 and 12. It is preferable.
上記ヒドラジン化合物としては、ヒドラジン及びヒドラジンの塩等が挙げられる。 Examples of the hydrazine compound include hydrazine and hydrazine salts.
パラジウム層4,13を形成する際のめっき液は、還元剤としてヒドラジン化合物と、リン含有還元剤とを含むことが好ましい。還元剤としてヒドラジン化合物とリン含有還元剤とを含むめっき液の使用により、パラジウム層4,13おける結晶粒をより一層小さくすることができ、より一層緻密なパラジウム層4,13を形成できる。この結果、接続構造体の高温高湿下での導通信頼性を高めることができる。
The plating solution for forming the palladium layers 4 and 13 preferably contains a hydrazine compound and a phosphorus-containing reducing agent as a reducing agent. By using a plating solution containing a hydrazine compound and a phosphorus-containing reducing agent as the reducing agent, the crystal grains in the palladium layers 4 and 13 can be further reduced, and the
上記リン含有還元剤としては、次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。 Examples of the phosphorus-containing reducing agent include sodium hypophosphite.
パラジウム層4,13おける結晶粒をより一層小さくし、接続構造体の高温高湿下での導通信頼性をより一層高める観点からは、上記リン含有還元剤は、リン酸化合物であることが好ましく、次亜リン酸塩であることがより好ましく、次亜リン酸ナトリウムであることがさらに好ましい。 From the viewpoint of further reducing the crystal grains in the palladium layers 4 and 13 and further improving the conduction reliability under high temperature and high humidity of the connection structure, the phosphorus-containing reducing agent is preferably a phosphate compound. Hypophosphite is more preferable, and sodium hypophosphite is still more preferable.
導電性粒子11のように、本発明に係る導電性粒子は表面に突起を有することが好ましい。導電性粒子は、導電層の表面に突起を有することが好ましく、更にパラジウム層の表面に突起を有することが好ましい。上記突起は複数であることが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子の導電層とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗を低くすることができる。さらに、導電性粒子が表面に絶縁性樹脂層又は絶縁性樹脂粒子を備える場合に、又は導電性粒子が樹脂中に分散されて異方性導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。
Like the
導電性粒子の表面に突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電層を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電層を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電層を形成する方法等が挙げられる。 As a method of forming protrusions on the surface of the conductive particles, a method of forming a conductive layer by electroless plating after attaching a core substance to the surface of the base particles, and by electroless plating on the surface of the base particles Examples of the method include forming a conductive layer, then attaching a core substance, and further forming a conductive layer by electroless plating.
基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質となる導電性物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質となる導電性物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。 As a method of attaching the core substance to the surface of the base particle, for example, a conductive substance that becomes the core substance is added to the dispersion of the base particle, and the core substance is applied to the surface of the base particle, for example, a fan. A method of accumulating and adhering by Delwars force, and adding a conductive substance as a core substance to a container containing base particles, and a core substance on the surface of the base particles by mechanical action such as rotation of the container And the like. Especially, since the quantity of the core substance to adhere is easy to control, the method of making a core substance accumulate and adhere on the surface of the base particle in a dispersion liquid is preferable.
上記芯物質を構成する導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができるので、金属が好ましい。 Examples of the conductive material constituting the core material include conductive non-metals such as metals, metal oxides, and graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene. Among them, metal is preferable because conductivity can be increased.
上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金及び錫−鉛−銀合金等の2種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質を構成する金属は、上記導電層を構成する金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。 Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, lead, tin, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and tin-lead. Examples include alloys composed of two or more metals such as alloys, tin-copper alloys, tin-silver alloys, and tin-lead-silver alloys. Of these, nickel, copper, silver or gold is preferable. The metal constituting the core material may be the same as or different from the metal constituting the conductive layer.
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。 The shape of the core material is not particularly limited. The shape of the core substance is preferably a lump. Examples of the core substance include a particulate lump, an agglomerate in which a plurality of fine particles are aggregated, and an irregular lump.
導電性粒子11のように、本発明に係る導電性粒子は、上記パラジウム層の表面に付着された絶縁性樹脂層又は絶縁性樹脂粒子を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性樹脂が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁性樹脂を容易に排除できる。導電性粒子がパラジウム層の表面に突起を有する場合には、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁性樹脂層又は絶縁性樹脂粒子をより一層容易に排除できる。
Like the
上記絶縁性樹脂層の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。 Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating resin layer include polyolefins, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked thermoplastic resins, A thermosetting resin, a water-soluble resin, etc. are mentioned.
上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記(メタ)アクリレート重合体としては、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリエチル(メタ)アクリレート及びポリブチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、SB型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びSBS型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。 Examples of the polyolefins include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, and polybutyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer, SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymers and vinyl copolymers. As said thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, etc. are mentioned. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene oxide, and methyl cellulose. Of these, water-soluble resins are preferable, and polyvinyl alcohol is more preferable.
上記パラジウム層の表面に絶縁性樹脂層又は絶縁性樹脂粒子を付着させる方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリタイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁性樹脂層又は絶縁性樹脂粒子が脱離し難いことから、上記パラジウム層の表面に、化学結合を介して絶縁性樹脂層又は絶縁性樹脂粒子を付着させる方法が好ましい。 Examples of the method for attaching the insulating resin layer or the insulating resin particles to the surface of the palladium layer include a chemical method and a physical or mechanical method. Examples of the chemical method include an interfacial polymerization method, a suspension polymerization method in the presence of particles, and an emulsion polymerization method. Examples of the physical or mechanical method include spray drying, hybridization, electrostatic adhesion, spraying, dipping, and vacuum deposition. Among these, since the insulating resin layer or the insulating resin particles are difficult to be detached, a method of attaching the insulating resin layer or the insulating resin particles to the surface of the palladium layer through a chemical bond is preferable.
本発明に係る導電性粒子は、上記パラジウム層の表面に付着された絶縁性樹脂粒子を備えることがより好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、横方向に隣接する電極間の短絡をさらに一層防止できるだけでなく、接続された上下の電極間の接続抵抗をさらに一層低くすることができる。 The conductive particles according to the present invention more preferably include insulating resin particles attached to the surface of the palladium layer. In this case, when the conductive particles are used for the connection between the electrodes, not only can the short circuit between the laterally adjacent electrodes be further prevented, but also the connection resistance between the connected upper and lower electrodes can be further reduced. Can do.
(異方性導電材料)
本発明に係る異方性導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。
(Anisotropic conductive material)
The anisotropic conductive material according to the present invention includes the above-described conductive particles and a binder resin.
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、一般的には絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The binder resin is not particularly limited. In general, an insulating resin is used as the binder resin. Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, and elastomers. As for the said binder resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。 Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. Examples of the curable resin include an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, and an unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated product of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a styrene-isoprene. -Hydrogenated product of a styrene block copolymer. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.
上記異方性導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。 In addition to the conductive particles and the binder resin, the anisotropic conductive material includes, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, and a heat stabilizer. Further, various additives such as a light stabilizer, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant may be contained.
上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ特に限定されない。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、例えば、上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー樹脂中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、並びに上記バインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法等が挙げられる。 The method for dispersing the conductive particles in the binder resin is not particularly limited, and a conventionally known dispersion method can be used. Examples of a method for dispersing the conductive particles in the binder resin include a method in which the conductive particles are added to the binder resin and then kneaded and dispersed with a planetary mixer or the like. The conductive particles are dispersed in water. Alternatively, after uniformly dispersing in an organic solvent using a homogenizer or the like, it is added to the binder resin and kneaded with a planetary mixer or the like, and the binder resin is diluted with water or an organic solvent. Then, the method of adding the said electroconductive particle, kneading with a planetary mixer etc. and disperse | distributing is mentioned.
本発明に係る異方性導電材料は、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤、異方性導電フィルム、又は異方性導電シート等として使用され得る。本発明に係る異方性導電材料が、異方性導電フィルム又は異方性導電シート等のフィルム状の接着剤として使用される場合には、該導電性粒子を含むフィルム状の接着剤に、導電性粒子を含まないフィルム状の接着剤が積層されていてもよい。 The anisotropic conductive material according to the present invention can be used as an anisotropic conductive paste, anisotropic conductive ink, anisotropic conductive adhesive, anisotropic conductive film, or anisotropic conductive sheet. When the anisotropic conductive material according to the present invention is used as a film-like adhesive such as an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive sheet, the film-like adhesive containing the conductive particles, A film-like adhesive that does not contain conductive particles may be laminated.
異方性導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は10〜99.99重量%の範囲内であることが好ましい。上記バインダー樹脂の含有量のより好ましい下限は30重量%、更に好ましい下限は50重量%、特に好ましい下限は70重量%、より好ましい上限は99.9重量%である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限及び上限を満たすと、電極間に導電性粒子を効率的に配置でき、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。 In 100% by weight of the anisotropic conductive material, the content of the binder resin is preferably in the range of 10 to 99.99% by weight. The more preferable lower limit of the content of the binder resin is 30% by weight, the still more preferable lower limit is 50% by weight, the particularly preferable lower limit is 70% by weight, and the more preferable upper limit is 99.9% by weight. When content of the said binder resin satisfy | fills the said minimum and upper limit, electroconductive particle can be arrange | positioned efficiently between electrodes and the conduction | electrical_connection reliability between electrodes can be improved further.
異方性導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は0.01〜20重量%の範囲内であることが好ましい。上記導電性粒子の含有量のより好ましい下限は0.1重量%、より好ましい上限は10重量%である。上記導電性粒子の含有量が上記下限及び上限を満たすと、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。 In 100% by weight of the anisotropic conductive material, the content of the conductive particles is preferably in the range of 0.01 to 20% by weight. A more preferable lower limit of the content of the conductive particles is 0.1% by weight, and a more preferable upper limit is 10% by weight. When content of the said electroconductive particle satisfy | fills the said minimum and upper limit, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes can be improved further.
(接続構造体)
本発明に係る導電性粒子又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connection structure)
A connection structure can be obtained by connecting a connection object member using the conductive particle which concerns on this invention, or anisotropic conductive material containing this electroconductive particle and binder resin.
上記接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、該第1,第2の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部が本発明の導電性粒子又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第1,第2の接続対象部材が導電性粒子により接続される。 The connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection part connecting the first and second connection target members, the connection part of the present invention. A connection structure formed of an anisotropic conductive material containing conductive particles or the conductive particles and a binder resin is preferable. In the case where conductive particles are used, the connection portion itself is conductive particles. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles.
図3に、本発明の一実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。 In FIG. 3, the connection structure using the electroconductive particle which concerns on one Embodiment of this invention is typically shown with front sectional drawing.
図3に示す接続構造体21は、第1の接続対象部材22と、第2の接続対象部材23と、第1,第2の接続対象部材22,23を接続している接続部24とを備える。接続部24は、導電性粒子1を含む異方性導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図3では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1にかえて、導電性粒子11を用いてもよい。
The
第1の接続対象部材22の上面22aには、複数の電極22bが設けられている。第2の接続対象部材23の下面23aには、複数の電極23bが設けられている。電極22bと電極23bとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材22,23が導電性粒子1により電気的に接続されている。
A plurality of
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例として、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に上記異方性導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。 The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. As an example of a method for manufacturing a connection structure, the anisotropic conductive material is disposed between a first connection target member and a second connection target member to obtain a laminate, and then the laminate is heated and The method of pressurizing is mentioned.
上記加圧の圧力は9.8〜104〜4.9×106Pa程度である。上記加熱の温度は、120〜220℃程度である。 The pressure of the said pressurization is about 9.8-10 < 4 > -4.9 * 10 < 6 > Pa. The temperature of the said heating is about 120-220 degreeC.
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板及びガラス基板等の回路基板等が挙げられる。 Specific examples of the connection target member include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and circuit boards such as printed boards, flexible printed boards, and glass boards.
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物として、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素として、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrode provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the metal oxide include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.
(実施例1)
(1)樹脂粒子形成工程
ポリビニルアルコール(日本合成化学工業社製「GH−20」)を3重量%含む水溶液800重量部に、ジビニルベンゼン70重量部と、トリメチロールプロパントリメタクリレート30重量部と、過酸化ベンゾイル2重量部とを加え、攪拌し、混合した。窒素雰囲気下にて撹拌しながら80℃まで加熱し、15時間反応を行い、樹脂粒子を得た。
(Example 1)
(1) Resin particle forming step To 800 parts by weight of an aqueous solution containing 3% by weight of polyvinyl alcohol (“GH-20” manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.), 70 parts by weight of divinylbenzene, 30 parts by weight of trimethylolpropane trimethacrylate, 2 parts by weight of benzoyl peroxide was added, stirred and mixed. While stirring in a nitrogen atmosphere, the mixture was heated to 80 ° C. and reacted for 15 hours to obtain resin particles.
得られた樹脂粒子を蒸留水及びメタノールで洗浄した後、分級操作を行い、平均粒子径4.1μm及び変動係数5.0%の樹脂粒子を得た。 The obtained resin particles were washed with distilled water and methanol, and then classified to obtain resin particles having an average particle size of 4.1 μm and a coefficient of variation of 5.0%.
(2)無電解銅めっき工程
得られた樹脂粒子10gをエッチング処理した後、水洗した。次に、樹脂粒子に硫酸パラジウムを加え、パラジウムイオンを樹脂粒子に吸着させた。
(2) Electroless copper plating step After 10 g of the obtained resin particles were etched, they were washed with water. Next, palladium sulfate was added to the resin particles to adsorb palladium ions to the resin particles.
次いでジメチルアミンボラン0.5重量%を含む水溶液に、パラジウムイオンが吸着した樹脂粒子を添加し、パラジウムを活性化させた。この樹脂粒子に蒸留水500mLを加え、粒子懸濁液を得た。 Next, resin particles adsorbed with palladium ions were added to an aqueous solution containing 0.5% by weight of dimethylamine borane to activate palladium. Distilled water (500 mL) was added to the resin particles to obtain a particle suspension.
また、40g/Lの硫酸銅(5水和物)と、100g/Lのエチレンジアミン四酢酸(EDTA)と、50g/Lのグルコン酸ナトリウムと、25g/Lのホルムアルデヒドとを含み、かつpH10.5に調整された無電解めっき液を用意した。上記粒子懸濁液に、上記無電解めっき液を徐々に添加し、50℃で攪拌しながら無電解銅めっきを行った。このようにして銅層が表面に設けられた銅めっき粒子を得た。 It also contains 40 g / L copper sulfate (pentahydrate), 100 g / L ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), 50 g / L sodium gluconate, and 25 g / L formaldehyde, and has a pH of 10.5. An electroless plating solution adjusted to 1 was prepared. The electroless plating solution was gradually added to the particle suspension, and electroless copper plating was performed while stirring at 50 ° C. Thus, copper plating particles having a copper layer provided on the surface were obtained.
(3)無電解パラジウムめっき工程
得られた銅めっき粒子10gを、超音波処理機により、イオン交換水500mLに分散させ、粒子懸濁液を得た。
(3) Electroless palladium plating step 10 g of the obtained copper plating particles were dispersed in 500 mL of ion-exchanged water using an ultrasonic treatment machine to obtain a particle suspension.
また、4g/Lの硫酸パラジウム(無水物)と、2.4g/Lのエチレンジアミンと、4.0g/Lの硫酸ヒドラジウムと、3.5g/Lの次亜リン酸ナトリウムとを含み、かつpH10に調整された無電解めっき液を用意した。上記粒子懸濁液を50℃で攪拌しながら、上記無電解めっき液を徐々に添加し、無電解パラジウムめっきを行った。無電解めっき液の添加量は、パラジウム層の厚みが10nmになるように調整した。得られたパラジウムめっきされた樹脂粒子を蒸留水及びメタノールで洗浄した後、真空乾燥した。このようにして、樹脂粒子の表面に銅層が設けられており、かつ銅層の表面にパラジウム層が設けられた導電性粒子を得た。 Further, it contains 4 g / L of palladium sulfate (anhydride), 2.4 g / L of ethylenediamine, 4.0 g / L of hydradium sulfate, and 3.5 g / L of sodium hypophosphite, and has a pH of 10 An electroless plating solution adjusted to 1 was prepared. While stirring the particle suspension at 50 ° C., the electroless plating solution was gradually added to perform electroless palladium plating. The amount of electroless plating solution added was adjusted so that the thickness of the palladium layer was 10 nm. The obtained palladium-plated resin particles were washed with distilled water and methanol and then vacuum-dried. Thus, the electroconductive particle by which the copper layer was provided in the surface of the resin particle and the palladium layer was provided in the surface of the copper layer was obtained.
(4)塩素洗浄除去工程
得られた導電性粒子1gを蒸留水1000mL(比抵抗18MΩ)に分散させ、撹拌機付オートクレーブに入れて0.1MPaの加圧下、121℃で10時間攪拌洗浄した。
その後、ろ別し、乾燥して、洗浄された導電性粒子を得た。
(4) Chlorine washing removal step 1 g of the obtained conductive particles were dispersed in 1000 mL of distilled water (specific resistance 18 MΩ), placed in an autoclave with a stirrer, and stirred and washed at 121 ° C. for 10 hours under a pressure of 0.1 MPa.
Then, it filtered and dried and obtained the electroconductive particle washed.
(実施例2〜7)
無電解パラジウムめっき工程における無電解めっき液の添加量を、パラジウム層の厚みが下記の表1に示す厚みになるように調整したこと以外は実施例1と同様にして、樹脂粒子の表面に銅層が設けられており、かつ銅層の表面にパラジウム層が設けられた洗浄された導電性粒子を得た。
(Examples 2 to 7)
In the same manner as in Example 1 except that the amount of electroless plating solution added in the electroless palladium plating step was adjusted so that the thickness of the palladium layer was as shown in Table 1 below, copper was applied to the surface of the resin particles. Washed conductive particles provided with a layer and a palladium layer on the surface of the copper layer were obtained.
(実施例8)
(1)芯物質付着工程
実施例1で得られた樹脂粒子10gをエッチング処理した後、水洗した。次に、樹脂粒子に硫酸パラジウムを加え、パラジウムイオンを樹脂粒子に吸着させた。
(Example 8)
(1) Core substance adhesion process The resin particles 10g obtained in Example 1 were etched and then washed with water. Next, palladium sulfate was added to the resin particles to adsorb palladium ions to the resin particles.
パラジウムが付着された樹脂粒子をイオン交換水300mL中で3分間攪拌し、分散させ、分散液を得た。次に、金属ニッケル粒子スラリー(三井金属社製「2020SUS」、平均粒子径200nm)1gを3分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された樹脂粒子を得た。 The resin particles to which palladium was attached were stirred and dispersed in 300 mL of ion exchange water for 3 minutes to obtain a dispersion. Next, 1 g of a metallic nickel particle slurry (“2020SUS” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle diameter 200 nm) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain resin particles to which a core substance was adhered.
(2)導電性粒子の作製
芯物質が付着された樹脂粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、無電解銅めっき工程、無電解パラジウムめっき工程及び塩素洗浄除去工程を行い、樹脂粒子の表面に銅層が設けられており、かつ銅層の表面にパラジウム層が設けられた洗浄された導電性粒子を得た。得られた導電性粒子は、パラジウム層の表面に突起を有していた。
(2) Production of conductive particles Resin particles were subjected to an electroless copper plating step, an electroless palladium plating step and a chlorine washing removal step in the same manner as in Example 1 except that resin particles to which a core substance was attached were used. Washed conductive particles having a copper layer provided on the surface of the particles and a palladium layer provided on the surface of the copper layer were obtained. The obtained conductive particles had protrusions on the surface of the palladium layer.
(実施例9)
樹脂粒子を、1,4−ブタンジオールジアクリレートと、テトラメチロールメタンテトラアクリレートとの共重合樹脂粒子(1,4−ブタンジオールジアクリレート:テトラメチロールメタンテトラアクリレート=95重量%:5重量%)に変更したこと以外は、実施例8と同様にして導電性粒子を得た。得られた導電性粒子は、パラジウム層の表面に突起を有していた。
Example 9
Resin particles are copolymerized resin particles of 1,4-butanediol diacrylate and tetramethylolmethane tetraacrylate (1,4-butanediol diacrylate: tetramethylolmethane tetraacrylate = 95 wt%: 5 wt%). Except having changed, it carried out similarly to Example 8, and obtained electroconductive particle. The obtained conductive particles had protrusions on the surface of the palladium layer.
(実施例10)
(1)絶縁性樹脂粒子の作製
4ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた1000mLのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル100mmolと、N,N,N−トリメチル−N−2−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド1mmolと、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩1mmolとを含むモノマー組成物を固形分率が5重量%となるようにイオン交換水に秤取した後、200rpmで攪拌し、窒素雰囲気下70℃で24時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径220nm及びCV値10%の絶縁性樹脂粒子を得た。
(Example 10)
(1) Production of insulating resin particles In a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, a stirring blade, a three-way cock, a condenser tube and a temperature probe, 100 mmol of methyl methacrylate and N, N, N- Ion exchange of a monomer composition containing 1 mmol of trimethyl-N-2-methacryloyloxyethylammonium chloride and 1 mmol of 2,2′-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride so that the solid content is 5% by weight After weighing in water, the mixture was stirred at 200 rpm and polymerized at 70 ° C. for 24 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, freeze drying was performed to obtain insulating resin particles having an ammonium group on the surface, an average particle diameter of 220 nm, and a CV value of 10%.
絶縁性樹脂粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性樹脂粒子の10重量%水分散液を得た。 The insulating resin particles were dispersed in ion exchange water under ultrasonic irradiation to obtain a 10 wt% aqueous dispersion of insulating resin particles.
実施例9で得られた導電性粒子10gをイオン交換水500mLに分散させ、絶縁性樹脂粒子の水分散液4gを添加し、室温で6時間攪拌した。3μmのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性樹脂粒子が付着された導電性粒子を得た。 10 g of the conductive particles obtained in Example 9 were dispersed in 500 mL of ion exchange water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating resin particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After filtration through a 3 μm mesh filter, the particles were further washed with methanol and dried to obtain conductive particles having insulating resin particles attached thereto.
走査電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性樹脂粒子による被覆層が1層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より2.5μmの面積に対する絶縁性樹脂粒子の被覆面積(即ち絶縁性樹脂粒子の粒子径の投影面積)を算出したところ、被覆率は30%であった。 When observed with a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer of insulating resin particles was formed on the surface of the conductive particles. When the coated area of the insulating resin particles (that is, the projected area of the particle diameter of the insulating resin particles) with respect to the area of 2.5 μm from the center of the conductive particles was calculated by image analysis, the coverage was 30%.
(実施例11)
樹脂粒子を、1,4−ブタンジオールジアクリレートと、テトラメチロールメタンテトラアクリレートとの共重合樹脂粒子(1,4−ブタンジオールジアクリレート:テトラメチロールメタンテトラアクリレート=95重量%:5重量%)に変更したこと以外は、実施例1と同様にして導電性粒子を得た。
(Example 11)
Resin particles are copolymerized resin particles of 1,4-butanediol diacrylate and tetramethylolmethane tetraacrylate (1,4-butanediol diacrylate: tetramethylolmethane tetraacrylate = 95 wt%: 5 wt%). Except having changed, it carried out similarly to Example 1, and obtained electroconductive particle.
(実施例12)
実施例9で得られた導電性粒子を実施例1で得られた導電性粒子に変更したこと以外は、実施例10と同様にして絶縁性樹脂粒子が付着された導電性粒子を得た。
(Example 12)
Except having changed the electroconductive particle obtained in Example 9 into the electroconductive particle obtained in Example 1, it carried out similarly to Example 10, and obtained the electroconductive particle to which the insulating resin particle was adhered.
(実施例13)
実施例9で得られた導電性粒子を実施例8で得られた導電性粒子に変更したこと以外は、実施例10と同様にして絶縁性樹脂粒子が付着された導電性粒子を得た。
(Example 13)
Except having changed the electroconductive particle obtained in Example 9 into the electroconductive particle obtained in Example 8, it carried out similarly to Example 10, and obtained the electroconductive particle to which the insulating resin particle was adhered.
(実施例14)
実施例9で得られた導電性粒子を実施例11で得られた導電性粒子に変更したこと以外は、実施例10と同様にして絶縁性樹脂粒子が付着された導電性粒子を得た。
(Example 14)
Except having changed the electroconductive particle obtained in Example 9 into the electroconductive particle obtained in Example 11, it carried out similarly to Example 10, and obtained the electroconductive particle to which the insulating resin particle was adhered.
(比較例1)
実施例1で得られた銅めっき粒子10gを、超音波処理機により、イオン交換水500mLに分散させ、粒子懸濁液を得た。この粒子懸濁液を50℃で攪拌しながら、2.4g/Lのエチレンジアミンと、3.5g/Lの次亜リン酸ナトリウムとを含み、かつpH10に調整された無電解めっき液を徐々に添加し、無電解パラジウムめっきを行った。無電解めっき液の添加量は、厚み10nmのパラジウム層を形成可能な量に調整した。その結果、銅層の表面に、パラジウム層は形成されなかった。
(Comparative Example 1)
10 g of the copper plating particles obtained in Example 1 were dispersed in 500 mL of ion-exchanged water using an ultrasonic processor to obtain a particle suspension. While stirring this particle suspension at 50 ° C., an electroless plating solution containing 2.4 g / L ethylenediamine and 3.5 g / L sodium hypophosphite and adjusted to pH 10 was gradually added. It was added and electroless palladium plating was performed. The addition amount of the electroless plating solution was adjusted to an amount capable of forming a 10 nm thick palladium layer. As a result, no palladium layer was formed on the surface of the copper layer.
(比較例2)
比較例2では、銅層の表面にパラジウム触媒を付着させる触媒化工程を行った。
(Comparative Example 2)
In Comparative Example 2, a catalyzing step for attaching a palladium catalyst to the surface of the copper layer was performed.
実施例1で得られた銅めっき粒子10gを、パラジウムイオンを含む触媒液に25℃で分散させ、30分間撹拌し、銅層の表面にパラジウムイオンを付着させた。その後、パラジウムイオンが表面に付着された銅めっき粒子10gを、超音波処理機により、イオン交換水500mLに分散させ、粒子懸濁液を得た。 10 g of the copper plating particles obtained in Example 1 were dispersed in a catalyst solution containing palladium ions at 25 ° C., and stirred for 30 minutes to attach palladium ions to the surface of the copper layer. Thereafter, 10 g of copper plating particles having palladium ions attached to the surface thereof were dispersed in 500 mL of ion-exchanged water using an ultrasonic treatment machine to obtain a particle suspension.
また、2.4g/Lのエチレンジアミンと、3.5g/Lの次亜リン酸ナトリウムとを含み、かつpH10に調整された無電解めっき液を用意した。上記粒子懸濁液を50℃で攪拌しながら、上記無電解めっき液を徐々に添加し、無電解パラジウムめっきを行った。無電解めっき液の添加量は、パラジウム層の厚みが10nmになるように調整した。得られたパラジウムめっきされた樹脂粒子を蒸留水及びメタノールで洗浄した後、真空乾燥した。このようにして、樹脂粒子の表面に銅層が設けられており、かつ銅層の表面にパラジウム層が設けられた導電性粒子を得た。 In addition, an electroless plating solution containing 2.4 g / L of ethylenediamine and 3.5 g / L of sodium hypophosphite and adjusted to pH 10 was prepared. While stirring the particle suspension at 50 ° C., the electroless plating solution was gradually added to perform electroless palladium plating. The amount of electroless plating solution added was adjusted so that the thickness of the palladium layer was 10 nm. The obtained palladium-plated resin particles were washed with distilled water and methanol and then vacuum-dried. Thus, the electroconductive particle by which the copper layer was provided in the surface of the resin particle and the palladium layer was provided in the surface of the copper layer was obtained.
得られた導電性粒子について、実施例1と同様にして塩素洗浄除去工程を行い、洗浄された導電性粒子を得た。 About the obtained electroconductive particle, it carried out similarly to Example 1, the chlorine washing | cleaning removal process was performed, and the wash | cleaned electroconductive particle was obtained.
(比較例3)
無電解パラジウムめっき工程において、無電解めっき液の添加量を、パラジウム層の厚みが1nmになるように調整したこと以外は実施例1と同様にして、洗浄された導電性粒子を得た。
(Comparative Example 3)
In the electroless palladium plating step, washed conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of the electroless plating solution was adjusted so that the thickness of the palladium layer was 1 nm.
(評価)
(1)パラジウム層のめっき状態
導電性粒子50個におけるパラジウム層のめっき状態を、走査型電子顕微鏡により観察した。銅層の表面の全領域がパラジウム層で被覆されている場合を「○」、銅層の表面の全領域がパラジウム層で被覆されていない場合を「×」として、結果を下記の表1に示した。
(Evaluation)
(1) Plating state of palladium layer The plating state of the palladium layer in 50 conductive particles was observed with a scanning electron microscope. The results are shown in Table 1 below, where “○” indicates that the entire area of the copper layer is covered with the palladium layer, and “x” indicates that the entire area of the copper layer is not covered with the palladium layer. Indicated.
(2)溶出した銅イオン濃度
複数の導電性粒子100重量部を0.001N硝酸1000重量部に25℃で1分間浸漬した。ICP発光分析装置(HORIBA社製「ULTIMA2」)を用いて、浸漬後の液中に溶出した銅イオン濃度を測定した。導電性粒子の単位表面積当たりの溶出した銅イオン濃度(ppm/cm2)を求めた。
(2) Concentration of eluted copper ions 100 parts by weight of a plurality of conductive particles were immersed in 1000 parts by weight of 0.001N nitric acid at 25 ° C. for 1 minute. Using an ICP emission spectrometer (“ULTIMA2” manufactured by HORIBA), the concentration of copper ions eluted in the liquid after immersion was measured. The eluted copper ion concentration (ppm / cm 2 ) per unit surface area of the conductive particles was determined.
(3)接続抵抗
L/Sが100μm/100μmの銅電極が形成された2枚の基板を用意した。また、導電性粒子10重量部と、バインダー樹脂としてのエポキシ樹脂(三井化学社製「ストラクトボンドXN−5A」)85重量部と、イミダゾール型硬化剤5重量部とを含む異方性導電ペーストを用意した。
(3) Connection resistance Two substrates on which copper electrodes with L / S of 100 μm / 100 μm were formed were prepared. Further, an anisotropic conductive paste containing 10 parts by weight of conductive particles, 85 parts by weight of an epoxy resin (“Stractbond XN-5A” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) as a binder resin, and 5 parts by weight of an imidazole type curing agent. Prepared.
基板の上面に異方性導電ペーストを導電性粒子が銅電極に接触するように塗布した後、他の基板を銅電極が導電性粒子に接触するように積層し、圧着し、積層体を得た。その後、積層体を180℃で1分間加熱することにより、異方性導電ペーストを硬化させ、接続構造体を得た。 After applying the anisotropic conductive paste on the upper surface of the substrate so that the conductive particles are in contact with the copper electrode, the other substrate is laminated so that the copper electrode is in contact with the conductive particles, and is bonded to obtain a laminate. It was. Then, the anisotropic conductive paste was hardened by heating a laminated body at 180 degreeC for 1 minute, and the connection structure was obtained.
得られた接続構造体の対向する電極間の接続抵抗を四端子法により測定し、得られた測定値を初期接続抵抗とした。 The connection resistance between the opposing electrodes of the obtained connection structure was measured by a four-terminal method, and the obtained measurement value was taken as the initial connection resistance.
次に、得られた接続構造体を85℃及び湿度85%の条件で100時間放置した。放置後の接続構造体の電極間の接続抵抗を四端子法により測定し、得られた測定値を高温高湿試験後の接続抵抗とした。 Next, the obtained connection structure was allowed to stand for 100 hours at 85 ° C. and a humidity of 85%. The connection resistance between the electrodes of the connection structure after being allowed to stand was measured by the four-terminal method, and the obtained measured value was used as the connection resistance after the high temperature and high humidity test.
(4)絶縁抵抗
図4に示すように、銅電極の表面に、ニッケルめっき層及び金めっき層が順次形成された、L/Sが20μm/20μmのくし歯電極銅パターン31,32が形成された基板を用意した。また、導電性粒子10重量部と、バインダー樹脂としてのエポキシ樹脂(三井化学社製「ストラクトボンドXN−5A」)85重量部と、イミダゾール型硬化剤5重量部とを含む異方性導電ペーストを用意した。
(4) Insulation resistance As shown in FIG. 4, comb-shaped
基板の銅パターン31,32の上面に異方性導電ペーストを塗布した後、アルカリフリーガラス板を積層し、圧着し、導電性粒子を銅パターン31,32に接触させた。アルカリフリーガラス板を積層した状態で、180℃で1分間加熱することにより、異方性導電ペーストを硬化させ、接続構造体を得た。
After an anisotropic conductive paste was applied to the upper surfaces of the
得られた接続構造体の隣接する電極間の絶縁抵抗を四端子法により測定し、得られた測定値を初期絶縁抵抗とした。 The insulation resistance between the adjacent electrodes of the obtained connection structure was measured by a four-terminal method, and the obtained measurement value was taken as the initial insulation resistance.
次に、得られた接続構造体を、電極間に50Vのバイアス電圧を印加しながら、85℃及び湿度85%の条件で1000時間放置した。放置後の接続構造体の隣接する電極間の絶縁抵抗を四端子法により測定し、得られた測定値を高温高湿試験後の絶縁抵抗とした。 Next, the obtained connection structure was left to stand for 1000 hours under the conditions of 85 ° C. and 85% humidity while applying a bias voltage of 50 V between the electrodes. The insulation resistance between the adjacent electrodes of the connection structure after being allowed to stand was measured by the four-terminal method, and the obtained measurement value was taken as the insulation resistance after the high temperature and high humidity test.
結果を下記の表1に示す。 The results are shown in Table 1 below.
1…導電性粒子
2…基材粒子
2a…表面
3…銅層
3a…表面
4…パラジウム層
4a…表面
11…導電性粒子
11a…表面
12…銅層
12a…表面
13…パラジウム層
13a…表面
14…芯物質
15…突起
16…絶縁性樹脂粒子
21…接続構造体
22…第1の接続対象部材
22a…上面
22b…電極
23…第2の接続対象部材
23a…下面
23b…電極
24…接続部
31,32…くし歯電極銅パターン
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記パラジウム層の平均厚みが5〜500nmであり、
複数の前記導電性粒子100重量部を0.001N硝酸1000重量部に25℃で1分間浸漬したときに、溶出する銅イオン濃度が、導電性粒子の単位表面積当たり5ppm/cm2以下である、導電性粒子。 A base material particle, a copper layer provided on the surface of the base material particle, and a palladium layer provided on the surface of the copper layer,
The palladium layer has an average thickness of 5 to 500 nm;
When 100 parts by weight of the plurality of conductive particles are immersed in 1,000 parts by weight of 0.001N nitric acid at 25 ° C. for 1 minute, the copper ion concentration to be eluted is 5 ppm / cm 2 or less per unit surface area of the conductive particles. Conductive particles.
前記接続部が、請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電性粒子、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されている、接続構造体。 A first connection target member, a second connection target member, and a connection part connecting the first and second connection target members;
The connection structure in which the said connection part is formed with the anisotropic conductive material containing the electroconductive particle of any one of Claims 1-4, or this electroconductive particle and binder resin.
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