JP2015180859A - フォトンカウンティングct装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】検出器の利得を高精度に較正することが可能なフォトンカウンティングCT装置の提供。【解決手段】X線源131は、電子を発生する陰極と、エネルギーの異なる複数の特性X線をそれぞれ発生可能な複数のターゲットを有する陽極と、を含む。フォトンカウンティングCT検出器15は、X線源131から発生されたX線フォトンを検出する。較正部35は、複数の特性X線のフォトンエネルギーとフォトンカウンティングCT検出器15からの出力との対応関係に基づいてフォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正する。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、フォトンカウンティングCT装置に関する。
X線コンピュータ断層撮影装置では、エアや様々なファントム等を用いて検出器の較正を行っている。検出器の利得の較正には、一般的に、放射性同位元素(RI:radioactive isotope)を用いることが多い。しかしながら、フォトンカウンティングCT検出器をRIで較正するためには、100MBq以上の放射能を有するRIを用いる必要があり、現実的には難しい。検出器は、温度等の外的環境に応じて特性が異なる。また、フォトンカウンティングCTでは、既定のエネルギー幅を有するエネルギー帯域毎にデータが処理されるため、機器の利得(gain:ゲイン)を高精度に較正する必要がある。
実施形態の目的は、検出器の利得を高精度に較正することが可能なフォトンカウンティングCT装置を提供することにある。
本実施形態に係るフォトンカウンティングCT装置は、電子を発生する陰極と、エネルギーの異なる複数の特性X線をそれぞれ発生可能な複数のターゲットを有する陽極と、を含むX線源と、前記X線源から発生されたX線フォトンを検出するフォトンカウンティングCT検出器と、前記複数の特性X線のフォトンエネルギーと前記フォトンカウンティングCT検出器からの出力との対応関係に基づいて前記フォトンカウンティングCT検出器の利得を較正する較正部と、を具備する。
以下、図面を参照しながら本実施形態に係わるフォトンカウンティングCT装置を説明する。
図1は、本実施形態に係るフォトンカウンティングCT装置の構成を示す図である。図1に示すように、本実施形態に係るフォトンカウンティングCT装置は、架台10とコンソール30とを備えている。架台10は、円筒形状を有する回転フレーム11を回転軸Z回りに回転可能に支持している。回転フレーム11には、回転軸Zを挟んで対向するようにX線源装置13とフォトンカウンティングCT検出器15とが取り付けられている。回転フレーム11の開口(bore)にはFOV(field of view)が設定される。回転フレーム11の開口内には天板17が挿入される。天板17には被検体Sが載置される。天板17に載置された被検体Sの撮像部位がFOV内に含まれるように天板17が位置決めされる。回転フレーム11は、回転駆動部19からの動力を受けて回転軸Z回りに一定の角速度で回転する。回転駆動部19は、架台制御部21からの制御に従って回転フレーム11を回転させるための動力を発生する。
X線源装置13は、X線源131と高電圧発生部133とを有する。X線源131は、高電圧発生部133に接続されている。高電圧発生部133は、架台制御部21による制御に従いX線源131に高電圧を印加し、フィラメント電流を供給する。本実施形態に係るX線源131は、電子を発生可能な陰極と、エネルギーの異なる複数の特性X線を発生可能な構造を有する陽極とを有している。
図2は、本実施形態に係るX線源装置13の構成を模式的に示す図である。図2に示すように、X線源装置13は、X線源131と高電圧発生部133とを有している。高電圧発生部133は、X線制御部61、高電圧発生器63、フィラメント電流調節器65、磁場調節器67、及び焦点調節器69を有している。
X線源131は、X線管容器131aを有する。X線管容器131aの内部は絶縁油で満たされている。X線管容器131aの内部にはX線管71が収容されている。X線管71は、筐体71aを有している。筐体71aの内部は真空に保たれている。筐体71aとしては、例えば、ガラスや金属等を材料として形成される。筐体71a内には陰極73、磁場発生体75、及び陽極77が装備されている。陰極73は、フィラメント731と集束電極733とを含んでいる。陰極73は、ケーブル等を介して高電圧発生器63とフィラメント電流調節器65とに接続されている。高電圧発生器63は、X線制御部61による制御に従い、陰極73と陽極77との間に管電圧を印加する。フィラメント電流調節器65は、X線制御部61による制御に従い、フィラメント731に供給されるフィラメント電流を調節する。フィラメント電流の供給を受けたフィラメント731は発熱し熱電子を放出する。放出された熱電子は、フィラメント731と陽極77との間に印加された管電圧により、陽極77に向けて飛翔して衝突する。陽極77への熱電子の衝突範囲は焦点と呼ばれている。陽極77は、円盤形状を有する電極である。陽極77は、回転軸(以下、陽極回転軸と呼ぶ)RA回りに回転可能に設けられている。陽極77は、フィラメント731からの熱電子を受けて、X線管容器131aに設けられたX線出射口135に向けてX線を放射する。
フィラメント731と陽極77との間には、フィラメント731から放出された熱電子を集束させるための集束電極733が設けられている。集束電極733は、焦点調節器69に接続される。焦点調節器69は、X線制御部61による制御に従い、集束電極733に電圧(集束電極電圧)を印加する。フィラメント731から放出された熱電子は、集束電極電圧によりビーム状に集束する。集束電極電圧に応じて陽極77に形成される焦点のサイズが変化する。焦点調節器69は、X線制御部61による制御に従い、集束電極電圧を調節する。集束電極733と陽極77との間には磁場発生体75が設けられる。磁場発生体75は、磁場調節器67に接続される。磁場調節器67は、X線制御部61による制御に従い、磁場発生体75に電圧(偏向電圧)を印加する。偏向電圧の印加を受けた磁場発生体75は、電磁誘導の原理により磁場を発生する。磁場調節器67は、X線制御部61による制御に従い、磁場発生体75より発生される磁場の強度を調節可能である。磁場発生体75により発生される磁場により、フィラメント731から放出された熱電子の軌道が偏向する。熱電子の軌道が偏向することにより陽極77に形成される焦点の位置が変化する。
X線制御部61は、架台制御部21からの制御に従い高電圧発生器63、フィラメント電流調節器65、磁場調節器67、及び焦点調節器69を同期的に制御する。X線制御部61は、患者Sを対象とするフォトンカウンティングCT撮影のモード(以下、患者撮影モードと呼ぶ)においては患者撮影用のX線が陽極77から発生され、較正モードにおいては較正用のX線が陽極77から発生されるように、高電圧発生器63、フィラメント電流調節器65、磁場調節器67、及び焦点調節器69を制御する。
図1に示すように、フォトンカウンティングCT検出器15は、X線源装置13から発生されたX線をフォトン単位で検出する。より詳細には、フォトンカウンティングCT検出器15は、患者撮影モードにおいては、検出されたX線フォトンのカウント数を表現する計数データを複数のエネルギー帯域について収集する。具体的には、フォトンカウンティングCT検出器15は、X線検出器151と信号処理回路153とを有する。
X線検出器151は、X線源131から発生されたX線フォトンを検出する。X線検出器151は、2次元状に配列された複数のX線検出素子を搭載する。X線検出器151は、典型的には、直接検出型の半導体検出器により実現される。各X線検出素子は、X線源131からのX線フォトンを検出し、検出されたX線フォトンのエネルギーに応じた電気パルス(電気信号)を生成する。具体的には、X線検出素子は、半導体の両端に電極が取り付けられてなる半導体ダイオードにより構成される。半導体に入射したX線フォトンは、電子・正孔対に変換される。1つのX線フォトンの入射により生成される電子・正孔対の数は、入射X線フォトンのエネルギーに依存する。電子と正孔とは、半導体の両端に形成された一対の電極に互いに引き寄せられる。一対の電極は、電子・正孔対の電荷に応じた波高値を有する電気パルスを発生する。一個の電気パルスは、入射X線フォトンのエネルギーに応じた波高値を有する。本実施形態に係る半導体材料としては、X線フォトンを効率良く正孔・電子対に変換可能な比較的原子番号が大きい物質が用いられると良い。フォトンカウンティングCTに好適な半導体材料としては、例えば、CdTeやCdZnTe等が知られている。なお、本実施形態に係るX線検出器151としては直接検出型の半導体検出器に限定されず、間接検出型の検出器であっても良い。間接検出型のX線検出器151としては、シンチレータと光センサとを組み合わせたタイプが適用可能である。なお、光センサとしては、例えば、SiPM(silicon photomultipliers)であっても良い。
信号処理回路153は、架台制御部21からの制御に従って、X線検出器151により検出されたX線フォトンのカウント数を表現する計数データを、複数のエネルギー帯域の各々について収集する。信号処理回路153は、X線検出器151の検出器画素数分の読出チャンネルを装備している。これら複数の読出チャンネルは、ASIC(application specific integrated circuits)等の集積回路に並列的に実装されている。
図3は、信号処理回路153の1チャンネル分の構成を示す図である。図3に示すように、信号処理回路153は、前置増幅器51、可変利得増幅器53、波高弁別器55、計数回路57、及び出力器59を有している。前置増幅器51は、X線検出器151からの電気信号を一定の利得(増幅率)で増幅する。可変利得増幅器53は、前置増幅器51からの電気信号を可変の利得(増幅率)で増幅する。可変の利得は、コンソール30に含まれる較正部35により調節される。波高弁別器55は、可変利得増幅器53からの電気信号のエネルギー帯域を弁別する。より詳細には、波高弁別器55は、予め定められた複数のエネルギー帯域のうちのX線検出器151により検出されたX線フォトンが属するエネルギー帯域を、当該X線フォトンに由来する可変利得増幅器53からの電気信号の波高値を閾値に対して比較することにより弁別する。波高弁別器55は、X線フォトンが属するエネルギー帯域の種類に応じた電気パルス(以下、弁別信号)を出力する。計数回路57は、X線検出器151により検出されたX線フォトンを複数のエネルギー帯域毎に計数する。具体的には、計数回路57は、波高弁別器55からの弁別信号を、複数のエネルギー帯域の各々についてビュー毎に計数し、X線検出器151により検出されたX線フォトン数のカウント数を表現する計数データを生成する。エネルギー帯域はADU(analog to digital unit)により規定される。換言すれば、計数データは、複数のADUの各々についてのカウント数を表現するデータである。出力器59は、計数データをコンソール30に伝送する。
図1に示すように、架台制御部21は、架台10に搭載された各種機器の制御を統括する。架台制御部21は、ハードウェア資源として、CPU(Central Processing Unit)やMPU(Micro Processing Unit)等の演算装置(プロセッサ)とROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)等の記憶装置(メモリ)とを有する。具体的には、架台制御部21は、コンソール30からの撮影モードの種類に応じて高電圧発生部133、信号処理回路153、及び回転駆動部19の制御態様を切り替える。具体的には、架台制御部21は、患者撮影モードと較正モードとに応じて制御態様を切り替える。患者撮影モードの場合、回転駆動部19は、架台制御部21による制御に従う一定の角速度で回転する。高電圧発生部133は、架台制御部21による制御に従って、設定管電圧値に対応する高電圧(管電圧)をX線源131に印加し、フィラメント電流をX線源131に供給する。信号処理回路153は、架台制御部21による制御に従って、X線曝射タイミングに同期して計数データを複数のエネルギー帯域の各々についてビュー毎に収集する。較正モードの場合、架台制御部21は、エネルギーが異なる複数の特性X線がX線源131から発生されるように高電圧発生部133を制御する。信号処理回路153は、複数の特性X線に関する計数データを収集する。なお、複数の特性X線はX線源131から同時に発生されても良いし、異なるタイミングで発生されても良い。
コンソール30は、データ記憶部31、再構成部33、較正部35、I/F部37、表示部39、入力部41、主記憶部43、及びシステム制御部45を備えるコンピュータを有する。
データ記憶部31は、HDD(hard disk drive)やSSD(solid state drive)、集積回路記憶装置等の記憶装置である。データ記憶部31は、架台10から伝送された複数のエネルギー帯域に関する計数データを記憶する。
再構成部33は、ハードウェア資源として、CPUやMPU等の演算装置(プロセッサ)とROMやRAM等の記憶装置(メモリ)とを有する。再構成部33は、データ記憶部31に記憶された計数データに基づいて、画像化対象のエネルギー帯域に関するフォトンカウンティングCT画像を再構成する。画像再構成アルゴリズムとしては、FBP(filtered back projection)法やCBP(convolution back projection)法等の解析学的画像再構成法や、ML−EM(maximum likelihood expectation maximization)法やOS−EM(ordered subset expectation maximization)法等の統計学的画像再構成法等の既存の画像再構成アルゴリズムが用いられれば良い。
較正部35は、ハードウェア資源として、CPUやMPU等の演算装置(プロセッサ)とROMやRAM等の記憶装置(メモリ)とを有する。較正部35は、複数の特性X線のフォトンエネルギーとフォトンカウンティングCT検出器15の出力との関係に基づいて、フォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正する。より詳細には、較正部35は、較正用の複数の特性X線の各々について当該特性X線のフォトンエネルギーと当該特性X線のフォトンエネルギーが理論的に属するエネルギー帯域との対応関係に基づいてフォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正する。較正部35による較正対象の利得とは、X線のエネルギー値とフォトンカウンティングCT検出器15の出力値との対応関係を示す。
I/F部37は、コンソール30と架台10との間の通信のためのインタフェースである。例えば、I/F部37は、システム制御部45からの撮像開始信号や撮像停止信号等を架台10に供給する。また、I/F部37は、患者撮影モードや較正モード等の撮影モードの種類を示すデータを供給する。
表示部39は、フォトンカウンティングCT画像等の種々の情報を表示機器に表示する。表示機器としては、例えばCRTディスプレイや、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、プラズマディスプレイ等が適宜利用可能である。
入力部41は、入力機器によるユーザからの各種指令や情報入力を受け付ける。入力機器としては、キーボードやマウス、各種スイッチ等が利用可能である。
主記憶部43は、種々の情報を記憶する記憶装置である。例えば、主記憶部43は、本実施形態に係るフォトンカウンティングCT検出器15の較正プログラムやフォトンカウンティングCTの撮像プログラム等を記憶する。
システム制御部45は、ハードウェア資源として、CPUやMPU等の演算装置(プロセッサ)とROMやRAM等の記憶装置(メモリ)とを有する。システム制御部45は、本実施形態に係るフォトンカウンティングCT装置の中枢として機能する。システム制御部45は、本実施形態に係る較正プログラムを主記憶部43から読み出し、当該較正プログラムに従って各種構成要素を制御する。これにより、フォトンカウンティングCT検出器15の較正が行われる。また、システム制御部45は、本実施形態に係る撮像プログラムを主記憶部43から読み出し、当該撮像プログラムに従って各種構成要素を制御する。これにより、フォトンカウンティングCT撮像が行われる。
以下、本実施形態に係るフォトンカウンティングCT装置の動作例について説明する。
ここで、利得の較正時における特性X線の利用について説明する。図4は、ある元素に由来するX線のエネルギースペクトラムを示す図である。図4の縦軸はカウント数に規定され、横軸はフォトンエネルギー[keV]に規定される。図4に示すように、X線のエネルギースペクトルは、特性X線に由来する輝線構造を有する。特性X線は、発生元の元素に固有のフォトンエネルギーを有している。
一般のX線コンピュータ断層撮影装置においては、既知の単一又は複数の特性X線(輝線)を放出する放射性同位元素を用いて較正が行われている。しかしながら、X線コンピュータ断層撮影装置に放射性同位元素を組み込むのは様々な観点から困難である。また、X線源に搭載された撮像用のターゲットから放出される特性X線を利用して較正を行うことも可能であるが、撮像用のターゲットは単一の元素により形成されている。そのため、X線源から放出される特性X線は、本数が少なく、狭いエネルギー範囲に分布する。そのため、フォトンカウンティングCT検出器15に要求される高精度な利得の較正を行うことはできない。
本実施形態に係るフォトンカウンティングCT装置は、エネルギーが異なる複数の特性X線を発生可能なX線源装置13を有し、複数の特性X線を利用してフォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正する。
まず、X線源装置13の陽極77の構造について説明する。図5は、本実施形態に係る陽極77の平面図である。図6は、図5の6―6’断面図である。なお、平面図は、陽極77をフィラメント731から見た平面図である。図5及び図6に示すように、陽極77は、陽極回転軸RA回りに回転可能に設けられている。陽極77は、金属により形成された基台771を有する。基台771には撮像用のターゲット773が設けられる。撮像用のターゲット773は、主に患者撮影モードに用いられる。なお、撮像用のターゲット773は、較正モードにおいて用いられても良い。撮像用のターゲット773は、例えば、原子番号74のタングステンや原子番号42のモリブデンMo等の重金属に属する元素により形成される。撮像用のターゲット773の表面には較正用のターゲット775が設けられる。較正用のターゲット775は、例えば、蒸着等により撮像用のターゲットに取り付けられる。較正用のターゲット775は、撮像用のターゲット773を構成する元素とは異なる種類の単一の元素により形成される。較正用のターゲット775は、少なくとも一つ設けられれば良い。複数の較正用のターゲット775が配置される場合、当該複数の較正用のターゲット775は、互いに異なるエネルギーの特性X線を発生可能なように、異なる種類の元素により形成されると良い。より詳細には、当該複数の特性X線が異なるエネルギー帯域に属していると良い。例えば、図5及び6に示すように、撮像用のターゲット773において2つの較正用のターゲット775−1及び775−2が設けられると良い。本実施形態に係る較正用のターゲットの元素としては、例えば、原子番号50の錫Snや原子番号82の鉛Pb、原子番号79の金Au等が好ましい。
図5及び図6に示すように、複数の較正用のターゲット775は撮像用のターゲット773に並べて配置される。較正用のターゲット775は任意の形状に形成されると良い。例えば、較正用のターゲット775は、図6に示すように、円環形状に形成されると良い。較正用のターゲット775が円環形状を有する場合、陽極77を陽極回転軸RA回りに回転させながら、同一の較正用のターゲット775に継続して熱電子を照射させることが可能となる。陽極77を回転させることにより、熱電子の衝突による較正用のターゲット775の劣化を軽減することができる。複数の較正用のターゲット775は、陽極77の半径方向に配列される。複数の較正用のターゲット775は、図5及び図6に示すように、互いに間隔を空けて配置されても良い。この場合、複数の較正用のターゲット775の間には、熱電子を衝突可能に撮像用のターゲット773が露出されている。なお、複数の較正用のターゲット775は、間隔を詰めて配置されても良い。この場合であっても、熱電子を衝突可能に撮像用のターゲット773が露出されている必要がある。
なお、撮像用のターゲット773と較正用のターゲット775とは、含まれる元素の種類が違うので融点が異なる。撮像用のターゲット773が較正用のターゲット775よりも融点が高い場合、撮像用のターゲット773から発生される熱により較正用のターゲット775が融けてしまう虞がある。このため、撮像用のターゲット773と当該撮像用のターゲット773に接触する較正用のターゲット775−1との間、撮像用のターゲット773と較正用のターゲット775−2との間に断熱体777が介在されると良い。断熱体77が設けられることにより、撮像用のターゲット773から較正用のターゲット775への熱を断つことができ、較正用のターゲット775の融解を防止することができる。断熱体777としては、撮像用のターゲット773に用いられる元素よりも融点の高い物質、例えば、炭素を含む物質が用いられると良い。
ここで、X線制御部61の制御の下に行われるX線源131からのX線の照射について説明する。なお、本動作例においては、フライングフォーカス技術により、X線発生対象の物質を切り替えるものとする。まず、ユーザは、入力部41を介して患者撮影モード又は較正モードを選択する。患者撮影モードにおいてX線制御部61は、撮像用のターゲット773に焦点が形成されるように磁場調節器67を制御する。具体的には、磁場調節器67は、フィラメント731から放出される熱電子が撮像用のターゲット773に衝突するように磁場発生体75に印加する電圧の電圧値を調節する。患者撮影モードにおいて陽極77は、熱電子の衝突による撮像用のターゲット773の劣化を防止するため、陽極回転軸RA回りに回転される。なお、患者撮影モードにおいて発生されるX線が撮像用のターゲット773由来の特性X線の他に、較正用のターゲット775由来の特性X線を含んでも良い場合、焦点は撮像用のターゲット773と較正用のターゲット775との両方に跨がっても良い。
較正モードにおいてX線制御部61は、較正用の物質からX線を発生させるために磁場調節器67を制御する。較正は、任意の頻度で実施すれば良い。例えば、較正は、毎晩行われても良いし、週一回行われても良い。較正用の物質としては、撮像用のターゲット773と複数の較正用のターゲット775との中から任意に選択可能である。較正用の物質としては、少なくとも2種類以上が選択される。より多くの種類の物質を選択することにより較正の精度を向上できる。ここでは、説明を具体的に行うため、撮像用のターゲット773、第1の較正用のターゲット775−1、及び第2の較正用のターゲット775−2が選択されたものとする。なお、較正用の物質は、入力部41を介してユーザにより選択されても良いし、予め設定されていても良い。
較正モードにおいてX線制御部61は、撮像用のターゲット773、第1の較正用のターゲット775−1、及び第2の較正用のターゲット775−2に対して所定の時間間隔で順番に焦点が形成されるように磁場調節器67を制御する。具体的には、磁場調節器67は、第1の収集期間に亘って継続的に撮像用のターゲット773に熱電子が衝突するように磁場発生体75への電圧の電圧値を調節する。撮像用のターゲット773に熱電子が衝突することにより、当該撮像用のターゲット773からX線が発生される。発生されたX線は、撮像用のターゲット773を構成する元素に固有の特性X線のエネルギー成分を有している。フォトンカウンティングCT検出器15は、撮像用のターゲット由来のX線を検出し、当該撮像用のターゲット由来のX線に関する計数データを収集する。第1の収集期間の経過後、磁場調節器67は、第2の収集期間に亘って継続的に第1の較正用のターゲット775−1に熱電子が衝突するように磁場発生体75への電圧の電圧値を調節する。第1の較正用のターゲット775−1に熱電子が衝突することにより、当該第1の較正用のターゲット775−1からX線が発生される。発生されたX線は、第1の較正用のターゲット775−1を構成する元素に固有の特性X線のエネルギー成分を有している。フォトンカウンティングCT検出器15は、第1の較正用のターゲット由来のX線を検出し、当該第1の較正用のターゲット由来のX線に関する計数データを収集する。第2の収集期間の経過後、磁場調節器67は、第3の収集期間に亘って継続的に第2の較正用のターゲット775−2に熱電子が衝突するように磁場発生体75への電圧の電圧値を調節する。第2の較正用のターゲット775−2に熱電子が衝突することにより、当該第2の較正用のターゲット775−2からX線が発生される。発生されたX線は、第2の較正用のターゲット775−2を構成する元素に固有の特性X線のエネルギー成分を有している。フォトンカウンティングCT検出器15は、第2の較正用のターゲット由来のX線を検出し、当該第2の較正用のターゲット由来のX線に関する計数データを収集する。各収集期間は、後述のヒストグラムを生成可能な程度のデータ量の計数データを収集可能な時間に設定されれば良い。
なお、上記の説明においては、撮像用のターゲット773、第1の較正用のターゲット775−1、及び第2の較正用のターゲット775−2に対して所定の時間間隔で順番に焦点が形成されるように磁場調節器67が制御されるとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。すなわち、フォトンカウンティングCT検出器15が撮像用のターゲット773に固有の特性X線、第1の較正用のターゲット775−1に固有の特性X線、及び第2の較正用のターゲット775−2に固有の特性X線を識別可能なエネルギー分解能を有している場合、撮像用のターゲット773、第1の較正用のターゲット775−1、及び第2の較正用のターゲット775−2に跨がる焦点が形成されるように磁場調節器67が制御されても良い。この場合、撮像用のターゲット773、第1の較正用のターゲット775−1、及び第2の較正用のターゲット775−2から略同時に複数の特性X線が発生されることとなる。
また、較正モードにおいては、フォトンカウンティングCT検出器15の検出面の中心部分だけでなく、当該中心部分の周辺部分にまで強いX線が照射されると良い。従って較正モードにおいては、ウェッジフィルタをX線照射野から退避させると良い。
次に、較正部35による較正処理について説明する。図7は、フォトンカウンティングCT検出器15により検出されたX線フォトンのヒストグラムHiを模式的に示す図である。図7に示すように、例示的に、第1のヒストグラムHi−1は、撮像用のターゲット由来のX線フォトンに関するヒストグラムであり、第2のヒストグラムHi−2は、第1の較正用のターゲット由来のX線フォトンに関するヒストグラムであり、第3のヒストグラムHi−3は、第2の較正用のターゲット由来のX線フォトンに関するヒストグラムであるとする。各ヒストグラムHiは、較正モードにおいてフォトンカウンティングCT検出器15により収集される計数データに基づいて較正部35により生成される。具体的には、較正部35は、較正モードにおいて収集された計数データを分析して、エネルギー帯域(ADU)毎のカウント数(入射イベント数)をプロットすることにより、各ヒストグラムHiを生成する。ADUはチャンネルと表現されることもある。
ヒストグラムHi−1、Hi−2、及びHi−3が生成されると較正部35は、ヒストグラムHi−1、Hi−2、及びHi−3に基づいてフォトンエネルギーに対する中心チャンネルの関係を決定する。具体的には、較正部35は、まず、各ヒストグラムHi−1、Hi−2、及びHi−3の頂点P1、P2、及びP3のADU値Ch1、Ch2、及びCh3を特定する。各ヒストグラムの頂点P1、P2、及びP3は、特性X線、典型的には、K輝線に対応する。特性X線を含むX線のヒストグラムは、典型的には、K輝線に由来する鋭いエッジ構造を有している。従って、ヒストグラムの頂点P1、P2、及びP3は、既知の数値解析又は画像処理により容易に検出可能である。なお、頂点P1、P2、及びP3のADU値Ch1、Ch2、及びCh3は中心チャンネルとも呼ばれる。
各ヒストグラムの中心チャンネルCh1、Ch2、及びCh3が特定されると較正部35は、フォトンエネルギーに対する中心チャンネルの関係を決定する。図8は、フォトンエネルギーに対する中心チャンネルの関係を示す図である。図8の縦軸はADU値に規定され、横軸はフォトンエネルギーに規定される。図8に示すように、較正部35は、各ヒストグラムの頂点P1、P2、及びP3を、図8のグラフにプロットする。なお、各ヒストグラムの頂点P1、P2、及びP3がX線の発生元の物質の元素に固有の特性X線に対応する。元素の特性X線のフォトンエネルギーは実験的又は経験的に既知である。すなわち、ヒストグラムの頂点P1、P2、及びP3のフォトンエネルギーE1、E2、及びE3は既知である。頂点P1、P2、及びP3をプロットすると較正部35は、各プロット点P1、P2、及びP3にフィットする直線LCを計算する。直線LCは、フォトンエネルギーに対する中心チャンネルの関係式を示している。換言すれば、直線LCは、フォトンエネルギーと当該フォトンエネルギーを有するX線フォトンの理想のエネルギー帯域(ADU値)との関係式を示している。
フォトンエネルギーに対する中心チャンネルの関係式が決定されると較正部35は、当該関係式に従い可変利得増幅器53の利得を較正する。例えば、図8の関係式LC上の任意点PxのフォトンエネルギーExを有するX線フォトンをフォトンカウンティングCT検出器15が検出した場合に、当該X線フォトンに由来する電気信号がエネルギー帯域(ADU値)Chxに属する波高値を有するような利得(増幅率)を計算する。そして較正部35は、計算された利得を可変利得増幅器53の利得に設定する。なお、任意点Pxは、直線LC上の点であれば、点P1、P2、及びP3を含む如何なる点でも良い。
このように本実施形態に係る較正部35は、互いに異なるエネルギー帯域に関する複数の特性X線に由来する計数データを利用して、フォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正する。従って、単一の特性X線に由来する計数データを利用していた従来に比して、本実施形態に係る較正部35は、フォトンカウンティングCT検出器15の利得を高精度に較正することが可能となる。ひいては、フォトンカウンティングCTでの物質弁別の精度や定量性を向上することができる。
以上で較正部35による較正処理についての説明を終了する。
上記の説明において較正部35は、フォトンカウンティングCT検出器15からの計数データを利用してフォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正するものとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。例えば、較正部35は、可変利得増幅器53からの電気信号を利用してフォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正するものとした。この場合、出力器59は、可変利得増幅器53からの電気信号をA/D変換し、A/D変換された電気信号をコンソール30に伝送することとなる。
また、上記の説明において、較正用のターゲット775は円環形状に形成されるとした。しかしながら、較正用のターゲット775の形状は円環形状に限定されず、矩形形状等の任意の形状であっても良い。この場合、較正用のターゲット775は、撮像用のターゲット773の局所領域に配置されると良い。この場合、較正のためのX線の照射時において陽極77の陽極回転軸RA回りの回転は不要である。すなわち、フィラメント731からの熱電子の衝突面(焦点)が較正用のターゲット775に重畳するように、較正のためのX線の照射の前段階において陽極77が位置決めされる。また、複数の較正用のターゲット775が撮像用のターゲット773の局所領域に配置される場合、当該複数の較正用のターゲット775の配列方向は、陽極の半径方向に限定されず、例えば、陽極77の円周方向等の非半径方向に配列されても良い。
また、上記の説明においてフォトンカウンティングCT検出器15の利得は、可変利得増幅器53の利得を較正することにより較正されるものとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。例えば、フォトンカウンティングCT検出器15の利得は、前置増幅器51の利得を較正することにより較正されても良い。また、フォトンカウンティングCT検出器15の利得は、X線検出器151に含まれる検出器画素の利得を較正することにより較正されても良い。この場合、各検出器画素に印加される電圧の電圧値を調節することによりフォトンカウンティングCT検出器15の利得が構成される。さらに、信号処理回路153が図示しない他の構成要素(例えば、波形整形器等)を備える場合、当該構成要素の利得を較正することによりフォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正されても良い。
また、上記の説明において較正部35は、コンソール30に設けられるとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。例えば、較正部35は、フォトンカウンティングCT検出器15に設けられても良い。
(変形例1)
上記の実施形態においてX線制御部61は、磁場調節器67を制御して熱電子の軌道を偏向することにより焦点を変更するものとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。変形例1に係るX線制御部61は、焦点調節器69を制御して焦点のサイズを変更することにより焦点を変更する。以下、本実施形態に係る変形例1について説明する。なお以下の説明において、第1実施形態と略同一の機能を有する構成要素については、同一符号を付し、必要な場合にのみ重複説明する。
上記の実施形態においてX線制御部61は、磁場調節器67を制御して熱電子の軌道を偏向することにより焦点を変更するものとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。変形例1に係るX線制御部61は、焦点調節器69を制御して焦点のサイズを変更することにより焦点を変更する。以下、本実施形態に係る変形例1について説明する。なお以下の説明において、第1実施形態と略同一の機能を有する構成要素については、同一符号を付し、必要な場合にのみ重複説明する。
変形例1に係るX線制御部61は、患者撮影モードにおいて、少なくとも撮像用のターゲット773に焦点を形成するために焦点調節器69を制御する。具体的には、焦点調節器69は、フィラメント731から放出される熱電子が少なくとも撮像用のターゲット773に衝突するように集束電極733に印加する電極電圧の電圧値を調節する。なお、患者撮影モードにおいて発生されるX線が撮像用のターゲット773由来の特性X線の他に、較正用のターゲット775由来の特性X線を含んでも良い場合、焦点は撮像用のターゲット773と較正用のターゲット775との両方に跨がっても良い。較正モードにおいてX線制御部61は、少なくとも2種類の較正用の物質に焦点を形成するために焦点調節器69を制御する。具体的には、焦点調節器69は、フィラメント731から放出される熱電子が少なくとも2種類の較正用の物質に衝突するように集束電極733に印加する集束電極電圧の電圧値を調節する。
上記の通り変形例1によれば、磁場調節器67及び磁場発生体75を設ける必要がないので、上記の実施形態に比して低コストで、エネルギーの異なる複数の特性X線を発生可能なX線源装置13を実現することが可能となる。
(変形例2)
上記の実施形態において複数の較正用のターゲット775は、撮像用のターゲット773に並べて配置されるとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。変形例2に係る複数の較正用のターゲット775は撮像用のターゲット773に重ねて配置される。以下、本実施形態に係る変形例2について説明する。なお以下の説明において、上記実施形態と略同一の機能を有する構成要素については、同一符号を付し、必要な場合にのみ重複説明する。
上記の実施形態において複数の較正用のターゲット775は、撮像用のターゲット773に並べて配置されるとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。変形例2に係る複数の較正用のターゲット775は撮像用のターゲット773に重ねて配置される。以下、本実施形態に係る変形例2について説明する。なお以下の説明において、上記実施形態と略同一の機能を有する構成要素については、同一符号を付し、必要な場合にのみ重複説明する。
図9は、変形例2に係るX線源装置13の内部を模式的に示す図である。図9に示すように、変形例2において複数の較正用のターゲット775は、撮像用のターゲット773に重ねて配置される。図9においては、例えば、較正用のターゲット775−1が撮像用のターゲット773の表面に取り付けられ、較正用のターゲット775−2が較正用のターゲット775−1の表面に取り付けられている。撮像用のターゲット773と較正用のターゲット775−1との間には断熱体777が介在される。なお、撮像用のターゲット773の表面は撮像用のターゲット773のフィラメント731に正対する面であり、較正用のターゲット775−1の表面は撮像用のターゲット773との接続面の反対側の面である。熱電子は、管電圧の電圧値が高いほど物質に深く入り込む。また、元素は原子番号が大きいほど熱電子と相互作用する確率が高い。そのため、複数の較正用のターゲット775は、撮像用のターゲット773に近い方から遠い方にかけて原子番号が小さくなるように配置される。図9の場合、撮像用のターゲット773に近い較正用のターゲット775−1は、撮像用のターゲット773から遠い較正用のターゲット775−2よりも原子番号が大きい。
次に変形例2に係るX線制御部61の制御の下に行われるX線源131からのX線の照射について説明する。
較正モードにおいてX線制御部61は、較正用の物質からX線を発生させるために高電圧発生器63を制御する。高電圧発生器63は、較正用の物質から順番にX線を発生させるために、複数の較正用の管電圧が順番に印加されるように高電圧発生器63を制御する。較正用の管電圧は、較正用の物質に熱電子が到達可能な電圧値に設定される。複数の較正用の管電圧の各々について、当該較正用の管電圧に対応する物質の元素に応じた電圧値が設定される。較正用の物質としては、撮像用のターゲット773と複数の較正用のターゲット775との中から任意に選択可能である。ここでは、説明を具体的に行うため、第1の較正用のターゲット775−1と第2の較正用のターゲット775−2とが選択されたものとする。
図10は、変形例2に係るX線制御部61の動作例を説明するための図であって、第1の較正用のターゲット775−1からX線を発生させる例を模式的に示す図である。第1の較正用のターゲット775−1からX線を発生する場合、X線制御部61は、第1の管電圧kV1を陰極73と陽極77との間に印加する。第1の管電圧kV1は、熱電子が較正用のターゲット775−2を透過して較正用のターゲット775−1に到達可能な電圧値に設定される。較正用のターゲット775−2内の元素に熱電子が衝突すると較正用のターゲット775−2からX線が発生する。
なお、第1の管電圧kV1の印加の下において熱電子は、較正用のターゲット775−2内の元素に衝突する場合もある。この場合、較正用のターゲット775−1からX線が発生する。すなわち、第1の管電圧kV1の印加の下において陽極77から発生されたX線は、較正用のターゲット775−2由来のエネルギー成分と較正用のターゲット775−1由来のエネルギー成分とを含んでいる。当該X線から較正用のターゲット775−1由来のエネルギー成分を除去するため、X線出射口135に較正用のターゲット775−1内の元素と同種の元素により形成されたX線フィルタが設けられる。X線出射口135を通過したX線からは較正用のターゲット775−2由来のエネルギー成分が除去され、較正用のターゲット775−1由来のエネルギー成分が支配的になる。換言すれば、X線フィルタによりX線源131から発生されるX線を単色化することができ、ひいては、特性X線のS/Nを向上することができる。例えば、第1の較正用のターゲット775−1が鉛であり、第2の較正用のターゲット775−2が錫により形成される良い。X線出射口135には、撮像用のターゲット773に近い方の較正用のターゲット775−2の元素と同種類の元素により構成されるX線フィルタが設けられる。例えば、第1の較正用のターゲット775−1が鉛であり、第2の較正用のターゲット775−2が錫により形成される場合、X線出射口135には鉛により形成されたX線フィルタが設けられる。X線源装置13から照射されたX線は、フォトンカウンティングCT検出器15により検出される。検出されたX線は、較正用のターゲット775−1に含まれる元素に固有の特性X線を含み、較正用のターゲット775−2に含まれる元素に固有の特性X線を含まない。
なお、フォトンカウンティングCT検出器15が較正用のターゲット775−2内の元素に固有の特性X線と較正用のターゲット775−1内の元素に固有の特性X線とを個別に識別可能なエネルギー分解能を有する場合、X線出射口135にX線フィルタを設け無くても良い。
図11は、変形例2に係るX線制御部61の動作例を説明するための図であって、第2の較正用のターゲット775−2からのX線を発生させる例を模式的に示す図である。第2の較正用のターゲット775−2からX線を発生する場合、X線制御部61は、第2の管電圧kV2を陰極73と陽極77との間に印加する。第2の管電圧kV2は、較正用のターゲット775−2を透過できない程度の低い電圧値に設定される。第2の管電圧kV2は、第1の管電圧kV1よりも電圧値が低い。較正用のターゲット775−2内の元素に熱電子が衝突すると較正用のターゲット775−2からX線が発生する。なお、第2の管電圧kV2の印加の下において熱電子が較正用のターゲット775−1を透過する確率は無視できる程度に低い。X線源装置13から照射されたX線は、フォトンカウンティングCT検出器15により検出される。検出されたX線は、較正用のターゲット775−2に含まれる元素に固有の特性X線を含み、較正用のターゲット775−1に含まれる元素に固有の特性X線を含まない。
なお、上記の説明においてX線制御部61は、フォトンカウンティングCT検出器15が較正用のターゲット775−1固有の特性X線と較正用のターゲット775−2固有の特性X線とに関する計数データを収集するため、第1の管電圧と第2の管電圧とを順番に印加するとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。フォトンカウンティングCT検出器15が較正用のターゲット775−2内の元素に固有の特性X線と較正用のターゲット775−1内の元素に固有の特性X線とを個別に識別可能なエネルギー分解能を有する場合、第1の管電圧のみを陰極73と陽極77との間に印加すれば良い。これにより、フォトンカウンティングCT検出器15は、較正用のターゲット775−2由来の特性X線と較正用のターゲット775−1由来の特性X線とに関する計数データを収集することができる。なお、この際、X線出射口135には較正用のターゲット775−1の元素と同種の元素により形成されたX線フィルタを設ける必要は無い。
変形例2に係るX線制御部61は、患者撮影モードにおいて、撮像用のターゲット773からX線を発生させるために高電圧発生器63を制御する。具体的には、高電圧発生器63は、フィラメント731から放出される熱電子がターゲット773に到達するように管電圧の電圧値を調節する。較正用のターゲット775−2由来のエネルギー成分と較正用のターゲット775−1由来のエネルギー成分とが不要な場合、X線出射口135に、撮像用のターゲット773の元素と同種の元素により形成されたX線フィルタが設けられると良い。
上記の通り変形例2によれば、管電圧値を調節することによりエネルギーの異なる複数の特性X線を発生することができる。従って、焦点サイズの変更や熱電子の軌道の偏向等による焦点の調節が不要となり、上記の実施形態に比して、エネルギーの異なる複数の特性X線を低コスト且つ簡便に実現できる。
(変形例3)
上記の実施形態においてX線源装置13は、単一のフィラメント731を搭載するとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。変形例3に係るX線源装置13は、X線の発生元を切り替えるため複数のフィラメントを搭載する。以下、本実施形態に係る変形例3について説明する。なお以下の説明において、上記実施形態と略同一の機能を有する構成要素については、同一符号を付し、必要な場合にのみ重複説明する。
上記の実施形態においてX線源装置13は、単一のフィラメント731を搭載するとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。変形例3に係るX線源装置13は、X線の発生元を切り替えるため複数のフィラメントを搭載する。以下、本実施形態に係る変形例3について説明する。なお以下の説明において、上記実施形態と略同一の機能を有する構成要素については、同一符号を付し、必要な場合にのみ重複説明する。
図12は、変形例3に係るX線源装置13の構成を模式的に示す図である。図12に示すように、変形例3に係るX線源装置13は、X線源131と高電圧発生部133とを有している。高電圧発生部133は、X線制御部61、高電圧発生器63、フィラメント電流調節器65、焦点調節器69、及び切替器81を有している。
変形例3に係るX線源装置13は、筐体71a内に複数の陰極73を装備している。例えば、筐体71aには、図12に示すように、3つの陰極73−1、陰極73−2、及び陰極73−3が装備される。例えば、陰極73は、撮像用のターゲット773と較正用のターゲット775との合計数に等しい数だけ設けられる。複数の較正用のターゲット775は、図5及び6に示すように、撮像用のターゲット773に並べて配置される。複数の陰極73の各々は、フィラメント731と集束電極733とを有している。複数のフィラメント731は切替器81に接続される。各フィラメント731は、衝突対象の物質に熱電子が衝突するように位置決めされる。複数の集束電極733は、焦点調節器69に接続される。
切替器81は、複数のフィラメント731と高電圧発生器63との間の接続を切り替え可能に構成されている。切替器81は、X線制御部61からの制御に従って、複数のフィラメント731のうちの接続対象のフィラメント731を通電するために、当該接続対象のフィラメント731と高電圧発生器63とを接続する。接続対象のフィラメント731は、患者撮影モードにおいては撮像用のターゲット773に対応するフィラメント731に設定され、較正モードにおいては較正に用いる物質に対応するフィラメント731に設定される。較正に用いる物質は、上記の実施形態と同様、撮像用のターゲット773と複数の較正用のターゲット775とのうちの少なくとも2種類が選択される。
焦点調節器69は、X線制御部61による制御に従い、接続対象のフィラメント731に対応する集束電極733に集束電極電圧を印加する。なお、複雑な制御を避けるため、X線制御部61は、X線照射時においては常に複数の集束電極733に集束電極電圧を印加しても良い。
次に、変形例3に係るX線制御部61の制御のもとに行われるX線の照射について説明する。図13は、変形例3に係るX線制御部61の動作例を説明するための図である。図13に示すように、撮像用のターゲット773に複数の較正用のターゲット775が並べられている。撮像用のターゲット773と較正用のターゲット775−1との間、撮像用のターゲット773と較正用のターゲット775−2との間に断熱体777が介在される。フィラメント731−1は撮像用のターゲット773に焦点が形成されるように位置決めされている。フィラメント731−2は第1の較正用のターゲット775−1に焦点が形成されるように位置決めされ、フィラメント731−3は第2の較正用のターゲット775−2に焦点が形成されるように位置決めされている。
変形例3に係るX線制御部61は、患者撮影モードにおいて、撮像用のターゲット773に対応するフィラメント731−1が通電するように切替器81を制御する。具体的には、切替器81は、撮像用のターゲット773に対応するフィラメント731−1と高電圧発生器63とを接続し、フィラメント731−1を通電する。これによりフィラメント731−1は、発熱し熱電子を放出する。放出された熱電子は撮像用のターゲット773内の元素に衝突し、撮像用のターゲット773からX線が発生する。
較正モードにおいてX線制御部61は、少なくとも2種類の較正用の物質に対応する少なくとも2つのフィラメント731を順番に通電するために切替器81を制御する。以下の説明を具体的に行うため、較正用の物質は、撮像用のターゲット773、第1の較正用のターゲット775−1、及び第2の較正用のターゲット775−2であるとする。較正モードの第1の収集期間においてX線制御部61は、まず、撮像用のターゲット773に対応するフィラメント731−1を通電するために切替器81を制御する。X線制御部61による制御に従い切替器81は、撮像用のターゲット773に対応するフィラメント731−1と高電圧発生器63とを接続する。これにより、撮像用のターゲット773からX線が発生する。フォトンカウンティングCT検出器15は、発生された撮像用のターゲット773由来のX線を検出し、検出されたX線に関する計数データを収集する。第1の収集期間の経過後の第2の収集期間においてX線制御部61は、第1の較正用のターゲット775−1に対応するフィラメント731−2を通電するために切替器81を制御する。X線制御部61による制御に従い切替器81は、フィラメント731−2と高電圧発生器63とを接続する。これにより、第1の較正用のターゲット775−1からX線が発生する。フォトンカウンティングCT検出器15は、発生された第1の較正用のターゲット775−1由来のX線を検出し、検出されたX線に関する計数データを収集する。第2の収集期間の経過後の第3の収集期間においてX線制御部61は、第2の較正用のターゲット775−3に対応するフィラメント731−3を通電するために切替器81を制御する。X線制御部61による制御に従い切替器81は、フィラメント731−3と高電圧発生器63とを接続する。これにより、第2の較正用のターゲット775−2からX線が発生する。フォトンカウンティングCT検出器15は、発生された第2の較正用のターゲット775−2由来のX線を検出し、検出されたX線に関する計数データを収集する。
なお、変形例3においても、フォトンカウンティングCT検出器15のエネルギー分解能が低い場合、X線出射口135にX線フィルタが設けられても良い。例えば、較正用のターゲット775−1に熱電子を衝突させる場合、X線出射口135に較正用のターゲット775−1内の元素と同種の元素により形成されたX線フィルタが設けられると良い。また、較正用のターゲット775−2に熱電子を衝突させる場合、X線出射口135に較正用のターゲット775−2内の元素と同種の元素により形成されたX線フィルタが設けられると良い。X線出射口135にX線フィルタを設けることにより、X線フィルタによりX線源131から発生されるX線を単色化することができ、ひいては、特性X線のS/Nを向上することができる。
上記の通り変形例3によれば、複数のX線の発生元の各々についてフィラメントが設けられている。従って、焦点サイズの変更や熱電子の軌道の偏向等の複雑な焦点制御が不要となる。
(変形例4)
上記の実施形態においては、複数の特性X線のフォトンエネルギーとフォトンカウンティングCT検出器15の出力との関係に基づいてフォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正するとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。例えば、信号処理回路153は、複数の特性X線のフォトンエネルギーとフォトンカウンティングCT検出器15の出力との関係に基づいてフォトンカウンティングCT検出器15からの出力(計数データ)を補正しても良い。例えば、較正部35は、上記の通り、較正モードにおいて、フォトンカウンティングCT検出器15により収集される計数データに基づいて、各ターゲット由来のX線フォトンにヒストグラムを生成し、生成されたヒストグラムに基づいてフォトンエネルギーに対する中心チャンネルの関係を決定する。決定された関係は、信号処理回路153に供給される。信号処理回路153は、患者撮影モードにおいて収集された計数データを当該関係に応じて補正する。例えば、信号処理回路153は、患者撮影モードにおいて収集された計数データの各データ点のADU値を当該関係に応じてシフトする。これにより、フォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正せずとも、フォトンエネルギーとフォトンカウンティングCT検出器15の出力との不整合に起因した計数データの劣化を緩和することができる。なお、当該関係に応じた計数データの補正は、再構成部33により行われても良い。
上記の実施形態においては、複数の特性X線のフォトンエネルギーとフォトンカウンティングCT検出器15の出力との関係に基づいてフォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正するとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。例えば、信号処理回路153は、複数の特性X線のフォトンエネルギーとフォトンカウンティングCT検出器15の出力との関係に基づいてフォトンカウンティングCT検出器15からの出力(計数データ)を補正しても良い。例えば、較正部35は、上記の通り、較正モードにおいて、フォトンカウンティングCT検出器15により収集される計数データに基づいて、各ターゲット由来のX線フォトンにヒストグラムを生成し、生成されたヒストグラムに基づいてフォトンエネルギーに対する中心チャンネルの関係を決定する。決定された関係は、信号処理回路153に供給される。信号処理回路153は、患者撮影モードにおいて収集された計数データを当該関係に応じて補正する。例えば、信号処理回路153は、患者撮影モードにおいて収集された計数データの各データ点のADU値を当該関係に応じてシフトする。これにより、フォトンカウンティングCT検出器15の利得を較正せずとも、フォトンエネルギーとフォトンカウンティングCT検出器15の出力との不整合に起因した計数データの劣化を緩和することができる。なお、当該関係に応じた計数データの補正は、再構成部33により行われても良い。
かくして、本実施形態によれば、検出器の利得を高精度に較正することが可能なフォトンカウンティングCT装置の提供が実現する。
なお上記の説明においてフォトンカウンティングCT装置は、いわゆる第3世代であるとした。すなわち、フォトンカウンティングCT装置は、X線源とフォトンカウンティングCT検出器とが1体となって被検体Sの周囲を回転する回転/回転型(ROTATE/ROTATE―TYPE)であるとした。しかしながら、本実施形態に係るフォトンカウンティングCT装置は、それのみに限定されない。例えば、フォトンカウンティングCT装置は、リング状に配列された多数の検出器画素が固定され、X線源のみが被検体Sの周囲を回転する固定/回転型(STATIONARY/ROTATE―TYPE)でも良い。
上記説明において用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、専用又は汎用のprocessor, circuit(circuitry), processing circuit(circuitry), operation circuit(circuitry), arithmetic circuit(circuitry)、或いは、特定用途向け集積回路(Application Specific Integrated Circuit:ASIC))、プログラマブル論理デバイス(例えば、単純プログラマブル論理デバイス(Simple Programmable Logic Device:SPLD)、複合プログラマブル論理デバイス(Complex Programmable Logic Device:CPLD)、及びフィールドプログラマブルゲートアレイ(Field Programmable Gate Array:FPGA))等を意味する。また、本実施形態の各構成要素(各処理部)は、単一のプロセッサに限らず、複数のプロセッサによって実現するようにしてもよい。さらに、複数の構成要素(複数の処理部)を、単一のプロセッサによって実現するようにしてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
10…架台、11…回転フレーム、13…X線源装置、15…フォトンカウンティング
CT検出器、17…天板、19…回転駆動部、21…架台制御部、30…コンソール、3
1…データ記憶部、33…再構成部、35…較正部、37…I/F部、39…表示部、4
1…入力部、43…主記憶部、45…システム制御部、51…前置増幅器、53…可変利
得増幅器、55…波高弁別器、57…計数回路、59…出力器、61…X線制御部、63
…高電圧発生器、65…フィラメント電流調節器、67…磁場調節器、69…焦点調節器、
71…X線管、71a…筐体、73…陰極、75…磁場発生体、77…陽極、81…切
替器、131…X線源、131a…X線管容器、133…高電圧発生部、135…X線出
射口、151…X線検出器、153…信号処理回路、731…フィラメント、733…集
束電極、771…基台、773…撮像用のターゲット、775…較正用のターゲット、777…断熱体
CT検出器、17…天板、19…回転駆動部、21…架台制御部、30…コンソール、3
1…データ記憶部、33…再構成部、35…較正部、37…I/F部、39…表示部、4
1…入力部、43…主記憶部、45…システム制御部、51…前置増幅器、53…可変利
得増幅器、55…波高弁別器、57…計数回路、59…出力器、61…X線制御部、63
…高電圧発生器、65…フィラメント電流調節器、67…磁場調節器、69…焦点調節器、
71…X線管、71a…筐体、73…陰極、75…磁場発生体、77…陽極、81…切
替器、131…X線源、131a…X線管容器、133…高電圧発生部、135…X線出
射口、151…X線検出器、153…信号処理回路、731…フィラメント、733…集
束電極、771…基台、773…撮像用のターゲット、775…較正用のターゲット、777…断熱体
Claims (16)
- 電子を発生する陰極と、エネルギーの異なる複数の特性X線をそれぞれ発生可能な複数のターゲットを有する陽極と、を含むX線源と、
前記X線源から発生されたX線フォトンを検出するフォトンカウンティングCT検出器と、
前記複数の特性X線のフォトンエネルギーと前記フォトンカウンティングCT検出器からの出力との対応関係に基づいて前記フォトンカウンティングCT検出器の利得を較正する較正部と、
を具備するフォトンカウンティングCT装置。 - 前記陽極は、回転可能に設けられた基台をさらに有し、
前記複数のターゲットは、前記基台に設けられた撮像用のターゲットと、前記撮像用のターゲットに設けられ前記複数の特定X線を発生可能な複数の較正用のターゲットとを有する、
請求項1記載のフォトンカウンティングCT装置。 - 前記撮像用のターゲットと前記複数の較正用のターゲットとの間に、前記撮像用のターゲットからの熱を遮断するための断熱体が介在される、請求項2記載のフォトンカウンティングCT装置。
- 前記複数の較正用のターゲットは、前記撮像用のターゲットに並べて配置される、請求項2記載のフォトンカウンティングCT装置。
- 前記複数の較正用のターゲットは、前記撮像用のターゲットの半径方向に並べて配置される、請求項4記載のフォトンカウンティングCT装置。
- 前記陰極から発生された電子の軌道を偏向するための偏向器と、
患者撮影モードにおいては前記撮像用のターゲットに前記陰極から放出された電子を衝突させ、較正モードにおいては前記撮像用のターゲットと前記複数の較正用のターゲットとのうちの較正に用いる物質に前記陰極から放出された電子を衝突させる制御部と、
をさらに備える請求項4記載のフォトンカウンティングCT装置。 - 前記陰極から放出された電子線を集束するための集束器と、
患者撮影モードと較正モードとに応じて前記陽極における焦点サイズを切り替える制御部と、
をさらに備える請求項4記載のフォトンカウンティングCT装置。 - 前記陰極は、複数のフィラメントを有し、
前記X線源に印加される高電圧を発生する高電圧発生器と、
前記複数のフィラメントと前記高電圧発生器との接続を切り替えるための切替器と、
患者撮影モードにおいては前記複数のフィラメントのうちの前記撮像用のターゲットに対応するフィラメントを導通させ、較正モードにおいては前記複数のフィラメントのうちの、前記撮像用のターゲットと前記複数の較正用のターゲットのうちの較正に用いる較正用のターゲットに対応するフィラメントに導通させる制御部と、
をさらに備える請求項4記載のフォトンカウンティングCT装置。 - 前記複数の較正用のターゲットは、前記撮像用のターゲットに重ねて配置される、請求項2記載のフォトンカウンティングCT装置。
- 前記複数の較正用のターゲットは、前記撮像用のターゲットの表面に、原子番号が大きい方から順番に重ねて配置される、請求項9記載のフォトンカウンティングCT装置。
- 前記X線源は、前記基台、前記撮像用のターゲット、及び前記複数の較正用のターゲットを収容するX線管と、前記X線管を収容しX線の出射口が形成されたX線管容器と、前記出射口に設けられたX線フィルタとをさらに備え、
前記X線フィルタは、前記複数の較正用のターゲットがそれぞれ有する複数の元素のうちの原子番号の大きい元素と同種の元素を含む、
請求項10記載のフォトンカウンティングCT装置。 - 前記陰極と前記陽極との間に印可するための高電圧を発生する高電圧発生器と、
患者撮影モードにおいては前記陰極から放出された電子が前記撮像用のターゲットに到達可能な電圧値を発生させ、較正モードにおいては前記複数の較正用のターゲットのうちの較正に用いる較正用のターゲットに到達可能な電圧値を発生させる制御部と、
をさらに備える請求項9記載のフォトンカウンティングCT装置。 - 前記フォトンカウンティングCT検出器は、前記X線源からのX線フォトンを検出するX線検出器と、前記X線検出器からの出力信号を信号処理する信号処理回路をさらに備え、
前記信号処理回路は、前記検出器からの出力信号を可変の利得で増幅する可変増幅器を有し、
前記較正部は、前記可変の利得を前記対応関係に基づいて調節する、
請求項1記載のフォトンカウンティングCT装置。 - 再構成部をさらに有し、
前記信号処理回路は、さらに、前記可変増幅器からの出力信号に基づいて複数のエネルギー帯域毎にX線フォトンの計数値を示す計数データを生成する計数回路を有し、
前記再構成部は、前記複数のエネルギー帯域のうちの対象エネルギー帯域に関する画像を、前記対象エネルギー帯域に関する計数データに基づいて再構成する、
請求項13記載のフォトンカウンティングCT装置。 - 前記較正部は、前記フォトンカウンティングCT装置からの出力信号に基づいて前記複数の特性X線のうちの少なくとも2つの特性X線の出力を特定し、前記少なくとも2つの特性X線に関する前記特定された出力と既知のフォトンエネルギーとに基づいて利得を算出し、前記フォトンカウンティングCT検出器の利得を前記算出された利得に設定する、請求項1記載のフォトンカウンティングCT装置。
- 電子を発生する陰極と、エネルギーの異なる複数の特性X線をそれぞれ発生可能な複数のターゲットを有する陽極と、を含むX線源と、
前記X線源から発生されたX線フォトンを検出するフォトンカウンティングCT検出器と、
前記複数の特性X線のフォトンエネルギーと前記フォトンカウンティングCT検出器からの出力との対応関係を決定する較正部と、
前記フォトンカウンティングCT検出器からの出力を前記対応関係に基づいて補正する補正部と、
を具備するフォトンカウンティングCT装置。
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