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JP2015172663A - display device - Google Patents

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JP2015172663A
JP2015172663A JP2014048447A JP2014048447A JP2015172663A JP 2015172663 A JP2015172663 A JP 2015172663A JP 2014048447 A JP2014048447 A JP 2014048447A JP 2014048447 A JP2014048447 A JP 2014048447A JP 2015172663 A JP2015172663 A JP 2015172663A
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transistor
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terminal connected
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幸嗣 小畑
Koji Obata
幸嗣 小畑
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform both writing and deletion of data simultaneously while increasing the circuit scale, in a display device of an active matrix system.SOLUTION: A first writing transistor T1 has an input terminal connected to a l-th data line, and a control terminal connected to a k-th scan line. A second writing transistor T2 has an input terminal connected to an output terminal of the first writing transistor T1, a control terminal connected to a (k-i)-th (i≥2) scan line, and an output terminal connected to a control terminal of a drive transistor T4. The deletion transistor T3 has an input terminal connected to a fixed potential for deletion, a control terminal connected to a (k-j)-th (j≥i+1) scan line, and an output terminal connected to the control terminal of the drive transistor T4.

Description

本発明は、アクティブマトリクス方式の表示装置に関する。   The present invention relates to an active matrix display device.

液晶ディスプレイの次世代のディスプレイとして、有機ELディスプレイの開発および実用化が進んでいる。薄型ディスプレイの駆動方式には大別すると、パッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式がある。本明細書では、より高画質表示が可能なアクティブマトリクス方式に注目する。   Organic EL displays are being developed and put into practical use as next-generation displays for liquid crystal displays. The driving methods for thin displays can be broadly divided into a passive matrix method and an active matrix method. In this specification, attention is focused on an active matrix system capable of displaying a higher image quality.

アクティブマトリクス型の有機ELディスプレイの駆動方式として、アナログ駆動方式とデジタル駆動方式に大別される。アナログ駆動方式は、有機ELを駆動する駆動トランジスタにアナログ電圧を供給することで階調を表現する。一方、デジタル駆動方式では、供給する電圧は「低」と「高」の二通りのみであり、階調は電圧を供給する時間幅で表現される。アナログ駆動方式ではアナログ電圧を使用するため、駆動トランジスタの閾値電圧のバラツキが、階調の不均一性を招く要因となる。デジタル駆動方式では、駆動トランジスタのオン状態とオフ状態のみしか使用しないため、閾値電圧のバラツキの影響を受けにくい。しかしながらデジタル駆動方式では、時間幅で階調が表現されるため、アナログ駆動方式に比べて駆動回路および画素回路を高速に動作させる必要がある。   The driving method of the active matrix type organic EL display is roughly classified into an analog driving method and a digital driving method. In the analog driving method, gradation is expressed by supplying an analog voltage to a driving transistor that drives an organic EL. On the other hand, in the digital driving method, there are only two types of voltage to be supplied, “low” and “high”, and the gradation is expressed by a time width for supplying the voltage. Since an analog voltage is used in the analog driving method, a variation in threshold voltage of the driving transistor becomes a factor causing nonuniform gradation. In the digital driving method, only the on state and the off state of the driving transistor are used, and therefore, the digital driving method is not easily affected by variations in threshold voltage. However, since the gray scale is expressed by the time width in the digital driving method, it is necessary to operate the driving circuit and the pixel circuit at a higher speed than in the analog driving method.

リフレッシュレートが60Hzの場合、アナログ駆動方式では1/60秒に一度、データの書き換えを行えばよい。但し、例えば256階調の画像を表示するためには、256通りのアナログ電圧を駆動トランジスタに供給できる構成を備える必要がある。一方、デジタル駆動方式では、256通りの時間幅で階調が表現される。つまり原則的に、アナログ駆動に比べて256倍高速にデータの書き換え(即ち、書き込みと消去)を行う必要がある。これに対して、デジタル駆動方式における動作速度の低減を図る方法として、データの書き込みと消去を重畳して実行する方法が提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。   When the refresh rate is 60 Hz, data can be rewritten once every 1/60 seconds in the analog drive method. However, for example, in order to display an image of 256 gradations, it is necessary to have a configuration capable of supplying 256 analog voltages to the drive transistor. On the other hand, in the digital driving method, gradation is expressed with 256 time widths. That is, in principle, it is necessary to rewrite data (that is, writing and erasing) at 256 times faster than analog driving. On the other hand, as a method for reducing the operation speed in the digital driving method, a method of superimposing and executing data writing and erasing has been proposed (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

特開2002−82651号公報JP 2002-82651 A 特開2005−91435号公報JP-A-2005-91435

これまでのデータの書き込みと消去を重畳して実行する方法は、走査線駆動回路以外に、動作状態を選択する信号を生成する回路が必要であったり、走査線駆動回路の出力パルス幅をデータの書き込み動作時と消去動作時で変更する必要があった。これらは、回路規模の増大、配線数の増加、部品点数の増加等により、コスト上昇、歩留まり低下の要因となる。   In the conventional method of executing data writing and erasing in a superimposed manner, in addition to the scanning line driver circuit, a circuit for generating a signal for selecting an operation state is required, or the output pulse width of the scanning line driver circuit is set as data. It was necessary to change between the writing operation and the erasing operation. These cause an increase in cost and a decrease in yield due to an increase in circuit scale, an increase in the number of wirings, an increase in the number of parts, and the like.

本発明はこうした状況に鑑みなされたものであり、その目的は、アクティブマトリクス方式の表示装置にて、回路規模の増大を抑制しながら、データの書き込みと消去を重畳して実行する技術を提供することにある。   The present invention has been made in view of such a situation, and an object of the present invention is to provide a technique for executing data writing and erasing in a superimposed manner while suppressing an increase in circuit scale in an active matrix display device. There is.

上記課題を解決するために、本発明のある態様の表示装置は、n(n≧4)本の走査線と、m(m≧1)本のデータ線が配置されて形成される画素領域を備える表示装置であって、前記画素領域内の、k番目(1≦k≦n)の走査線とl番目(1≦l≦m)のデータ線に対応して形成された画素回路は、発光素子と、前記発光素子への電流供給を制御する駆動用スイッチング素子と、入力端子がl番目のデータ線に接続され、制御端子がk番目の走査線に接続された第1書込用スイッチング素子と、入力端子が前記第1書込用スイッチング素子の出力端子に接続され、制御端子が(k−i)番目(i≧2)の走査線に接続され、出力端子が前記駆動用スイッチング素子の制御端子に接続された第2書込用スイッチング素子と、入力端子が消去用の固定電位に接続され、制御端子が(k−j)番目(j≧i+1)の走査線に接続され、出力端子が前記駆動用スイッチング素子の制御端子に接続される消去用スイッチング素子と、を有する。   In order to solve the above problems, a display device according to one embodiment of the present invention includes a pixel region formed by arranging n (n ≧ 4) scanning lines and m (m ≧ 1) data lines. The pixel circuit formed corresponding to the kth (1 ≦ k ≦ n) scanning line and the lth (1 ≦ l ≦ m) data line in the pixel region emits light. A first switching element having an input terminal connected to the l-th data line and a control terminal connected to the k-th scanning line; an element; a driving switching element that controls current supply to the light-emitting element; The input terminal is connected to the output terminal of the first writing switching element, the control terminal is connected to the (ki) th (i ≧ 2) scanning line, and the output terminal is connected to the driving switching element. The second write switching element connected to the control terminal and the input terminal erased An erasing switching element having a control terminal connected to the (k−j) th (j ≧ i + 1) scanning line and an output terminal connected to the control terminal of the driving switching element. Have.

本発明の別の態様もまた、表示装置である。この装置は、n(n≧4)本の走査線と、m(m≧1)本のデータ線が配置されて形成される画素領域を備える表示装置であって、前記画素領域内の、k番目(1≦k≦n)の走査線とl番目(1≦l≦m)のデータ線に対応して形成された画素回路は、発光素子と、前記発光素子への電流供給を制御する駆動用スイッチング素子と、入力端子がl番目のデータ線に接続され、制御端子が(k−i)番目(i≧2)に接続された第1書込用スイッチング素子と、入力端子が前記第1書込用スイッチング素子の出力端子に接続され、制御端子がk番目の走査線に接続され、出力端子が前記駆動用スイッチング素子の制御端子に接続された第2書込用スイッチング素子と、入力端子が消去用の固定電位に接続され、制御端子が(k−j)番目(j≧i+1)の走査線に接続され、出力端子が前記駆動用スイッチング素子の制御端子に接続される消去用スイッチング素子と、を有する。   Another embodiment of the present invention is also a display device. This device is a display device including a pixel region formed by arranging n (n ≧ 4) scanning lines and m (m ≧ 1) data lines, and k in the pixel region. A pixel circuit formed corresponding to the th (1 ≦ k ≦ n) th scanning line and the lth (1 ≦ l ≦ m) data line is a light emitting element and a drive for controlling current supply to the light emitting element. Switching element, a first writing switching element having an input terminal connected to the l-th data line, a control terminal connected to the (ki) th (i ≧ 2), and an input terminal being the first A second writing switching element connected to the output terminal of the writing switching element, a control terminal connected to the kth scanning line, and an output terminal connected to the control terminal of the driving switching element; Are connected to a fixed potential for erasing and the control terminal is (k−j) th (j i + 1) is connected to the scanning lines, and an output terminal; and a erasure switching element connected to a control terminal of the driving switching element.

なお、以上の構成要素の任意の組み合わせ、本発明の表現を方法、回路、装置、システム等の間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。   It should be noted that any combination of the above-described constituent elements and a conversion of the expression of the present invention among methods, circuits, devices, systems, etc. are also effective as an aspect of the present invention.

本発明によれば、アクティブマトリクス方式の表示装置にて、回路規模の増大を抑制しながら、データの書き込みと消去を重畳して実行できる。   According to the present invention, in an active matrix display device, data writing and erasing can be performed in a superimposed manner while suppressing an increase in circuit scale.

本発明の実施の形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の回路構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a circuit configuration of an active matrix organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 比較例1に係る画素回路の構成を示す図である。7 is a diagram illustrating a configuration of a pixel circuit according to Comparative Example 1. FIG. 図2の画素回路の動作を示すタイミングチャートである。3 is a timing chart illustrating an operation of the pixel circuit in FIG. 2. 比較例2に係る画素回路の構成を示す図である。6 is a diagram illustrating a configuration of a pixel circuit according to a comparative example 2. FIG. 図4の画素回路の動作を示すタイミングチャートである。5 is a timing chart showing the operation of the pixel circuit of FIG. 実施例に係る画素回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the pixel circuit which concerns on an Example. 図6の画素回路の動作を示すタイミングチャートである。7 is a timing chart illustrating an operation of the pixel circuit in FIG. 6. 変形例に係る画素回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the pixel circuit which concerns on a modification. 走査線駆動回路の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a scanning line drive circuit. 図9のシフトレジスタのタイミングチャートを示す図である。FIG. 10 is a timing chart of the shift register in FIG. 9. 比較例に係るレジスタの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the register | resistor which concerns on a comparative example. 実施例に係るレジスタの構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a register according to an embodiment.

図1は、本発明の実施の形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置100の回路構成を示す図である。アクティブマトリクス型有機EL表示装置(以下、単に表示装置という)100は画素領域103、データ線駆動回路101、走査線駆動回路102を備える。画素領域103には、複数の走査線(ゲート信号線ともいう)G(1)〜G(n)(n≧4)と、少なくも一つデータ線(ソース信号線ともいう)D(1)〜D(m)(m≧1)がマトリクス状に形成され、複数の画素がマトリクス状に配列される。   FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of an active matrix organic EL display device 100 according to an embodiment of the present invention. An active matrix organic EL display device (hereinafter simply referred to as a display device) 100 includes a pixel region 103, a data line driving circuit 101, and a scanning line driving circuit 102. The pixel region 103 includes a plurality of scanning lines (also referred to as gate signal lines) G (1) to G (n) (n ≧ 4) and at least one data line (also referred to as a source signal line) D (1). To D (m) (m ≧ 1) are formed in a matrix, and a plurality of pixels are arranged in a matrix.

複数の走査線G(1)〜G(n)は互いに並列して形成され、複数のデータ線D(1)〜D(m)は、複数の走査線G(1)〜G(n)と交差して形成される。複数の走査線G(1)〜G(n)と、複数のデータ線D(1)〜D(m)との交差する複数の点に対応して、複数の画素回路104が形成され、一つの画素回路104が一つの画素を構成する。   The plurality of scanning lines G (1) to G (n) are formed in parallel to each other, and the plurality of data lines D (1) to D (m) are connected to the plurality of scanning lines G (1) to G (n). It is formed to intersect. A plurality of pixel circuits 104 are formed corresponding to a plurality of points where the plurality of scanning lines G (1) to G (n) and the plurality of data lines D (1) to D (m) intersect. One pixel circuit 104 constitutes one pixel.

データ線駆動回路101は、図示しない画像データ供給部から画像データを受信し、クロック信号に同期して各データ線D(1)〜D(m)に各データを供給する。本実施の形態ではデジタル駆動方式を想定しているため、時分割で階調表現されたデジタルデータを供給する。   The data line driving circuit 101 receives image data from an image data supply unit (not shown) and supplies the data to the data lines D (1) to D (m) in synchronization with the clock signal. In this embodiment, since a digital driving method is assumed, digital data expressed by gradation in time division is supplied.

走査線駆動回路102は、上記のクロック信号に同期して複数の走査線G(1)〜G(n)に走査信号を供給して、各データ線D(1)〜D(m)に供給されたデータを、所定の画素回路に誘導する。当該画素回路内の有機EL素子は、供給されたデータに応じて発光する。   The scanning line driving circuit 102 supplies scanning signals to the plurality of scanning lines G (1) to G (n) in synchronization with the clock signal, and supplies the scanning signals to the data lines D (1) to D (m). The processed data is guided to a predetermined pixel circuit. The organic EL element in the pixel circuit emits light according to the supplied data.

以下、k番目(1≦k≦n)の走査線とl番目(1≦l≦m)のデータ線に対応して形成される画素回路104(k,l)の構成例について説明する。   Hereinafter, a configuration example of the pixel circuit 104 (k, l) formed corresponding to the kth (1 ≦ k ≦ n) scan line and the lth (1 ≦ l ≦ m) data line will be described.

図2は、比較例1に係る画素回路104(k,l)の構成を示す図である。画素回路104(k,l)は、有機EL素子OE、第1書込トランジスタT1、第2書込トランジスタT2、消去トランジスタT3、駆動トランジスタT4、容量C1を備える。有機EL素子OEのアノード端子は、駆動トランジスタT4を介して電源線VDに接続され、有機EL素子OEのカソード端子はグラウンドに接続される。有機EL素子OEは、駆動トランジスタT4がオンすると導通し、流れる電流に応じて発光する。有機EL素子OEは、駆動トランジスタT4がオフすると電流が遮断されて消灯する。なお有機EL素子OEの代わりに、他のダイオード型の発光素子を用いてもよい。   FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the pixel circuit 104 (k, l) according to the first comparative example. The pixel circuit 104 (k, l) includes an organic EL element OE, a first writing transistor T1, a second writing transistor T2, an erasing transistor T3, a driving transistor T4, and a capacitor C1. The anode terminal of the organic EL element OE is connected to the power supply line VD via the driving transistor T4, and the cathode terminal of the organic EL element OE is connected to the ground. The organic EL element OE conducts when the driving transistor T4 is turned on, and emits light according to the flowing current. When the driving transistor T4 is turned off, the organic EL element OE is cut off and is turned off. Instead of the organic EL element OE, another diode type light emitting element may be used.

第1書込トランジスタT1、第2書込トランジスタT2、消去トランジスタT3、及び駆動トランジスタT4はそれぞれ薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)で形成され、それぞれスイッチング素子として機能する。第1書込トランジスタT1、第2書込トランジスタT2、及び消去トランジスタT3にはnチャンネル型が採用され、駆動トランジスタT4にはpチャンネル型が採用される。以下の説明において、これらのトランジスタのソース端子は入力端子として機能し、ドレイン端子は出力端子として機能し、ゲート端子は制御端子として機能する。   The first writing transistor T1, the second writing transistor T2, the erasing transistor T3, and the driving transistor T4 are each formed of a thin film transistor (TFT) and function as a switching element. The n-channel type is adopted for the first write transistor T1, the second write transistor T2, and the erase transistor T3, and the p-channel type is adopted for the drive transistor T4. In the following description, the source terminal of these transistors functions as an input terminal, the drain terminal functions as an output terminal, and the gate terminal functions as a control terminal.

駆動トランジスタT4は、有機EL素子OEへの電流供給を制御する駆動用のスイッチング素子である。駆動トランジスタT4のソース端子は電源線VDに接続され、ドレイン端子は有機EL素子OEのアノード端子に接続され、ゲート端子にデータが入力される。   The driving transistor T4 is a driving switching element that controls current supply to the organic EL element OE. The source terminal of the drive transistor T4 is connected to the power supply line VD, the drain terminal is connected to the anode terminal of the organic EL element OE, and data is input to the gate terminal.

第1書込トランジスタT1は、ソース端子がl番目のデータ線に接続され、ゲート端子がk番目の走査線に接続され、ドレイン端子が第2書込トランジスタT2のソース端子に接続される。第1書込トランジスタT1は、k番目の走査線がアクティブ(本明細書ではハイレベル)のときオンし、ノンアクティブ(本明細書ではローレベル)のときオフする。第1書込トランジスタT1にはl番目のデータ線からデータが入力され、k番目の走査線がアクティブのとき、入力されたデータを第2書込トランジスタT2に出力する。   The first write transistor T1 has a source terminal connected to the l-th data line, a gate terminal connected to the k-th scan line, and a drain terminal connected to the source terminal of the second write transistor T2. The first writing transistor T1 is turned on when the kth scanning line is active (high level in this specification), and turned off when it is inactive (low level in this specification). Data is input to the first write transistor T1 from the lth data line, and when the kth scan line is active, the input data is output to the second write transistor T2.

第2書込トランジスタT2は、ソース端子が第1書込トランジスタT1のドレイン端子に接続され、ゲート端子がブロック制御線BCに接続され、ドレイン端子が駆動トランジスタT4のゲート端子に接続される。ブロック制御線BCは、書き込み動作と消去動作を区別するためのブロック信号を供給するための信号線である。アクティブ期間(本明細書ではハイレベル期間)が書き込み動作期間を指定し、ノンアクティブ期間(本明細書ではローレベル期間)が消去期間を指定している。   The second write transistor T2 has a source terminal connected to the drain terminal of the first write transistor T1, a gate terminal connected to the block control line BC, and a drain terminal connected to the gate terminal of the drive transistor T4. The block control line BC is a signal line for supplying a block signal for distinguishing between a write operation and an erase operation. An active period (a high level period in this specification) designates a writing operation period, and a non-active period (a low level period in this specification) designates an erasing period.

第2書込トランジスタT2は、ブロック制御線BCがアクティブのときオンし、ノンアクティブのときオフする。第2書込トランジスタT2には第1書込トランジスタT1からデータが入力され、ブロック制御線BCがアクティブのとき、入力されたデータを駆動トランジスタT4のゲート端子に出力する。   The second write transistor T2 is turned on when the block control line BC is active, and turned off when the block control line BC is inactive. Data is input from the first write transistor T1 to the second write transistor T2, and when the block control line BC is active, the input data is output to the gate terminal of the drive transistor T4.

容量C1は、駆動トランジスタT4のゲート端子とソース端子の間に接続され、l番目のデータ線から供給されるデータを電荷として保持する電荷保持容量である。   The capacitor C1 is a charge holding capacitor that is connected between the gate terminal and the source terminal of the driving transistor T4 and holds data supplied from the l-th data line as charges.

消去トランジスタT3は、ソース端子が電源線VDに接続され、ゲート端子が(k−1)番目の走査線に接続され、ドレイン端子が駆動トランジスタT4のゲート端子に接続される。消去トランジスタT3は、(k−1)番目の走査線がアクティブのときオンし、ノンアクティブのときオフする。消去トランジスタT3は、(k−1)番目の走査線がアクティブのとき容量C1の両端を同電位にして、容量C1をリセットする。   The erase transistor T3 has a source terminal connected to the power supply line VD, a gate terminal connected to the (k−1) th scanning line, and a drain terminal connected to the gate terminal of the drive transistor T4. The erase transistor T3 is turned on when the (k-1) th scanning line is active, and turned off when the (k-1) th scanning line is inactive. The erase transistor T3 resets the capacitor C1 by setting both ends of the capacitor C1 to the same potential when the (k−1) th scanning line is active.

駆動トランジスタT4のゲート端子は、第2書込トランジスタT2のドレイン端子および消去トランジスタT3のドレイン端子と接続される。駆動トランジスタT4は、第2書込トランジスタT2の出力信号と消去トランジスタT3の出力信号によりゲート電圧が制御され、オン/オフする。   The gate terminal of the drive transistor T4 is connected to the drain terminal of the second write transistor T2 and the drain terminal of the erase transistor T3. The gate voltage of the driving transistor T4 is controlled by the output signal of the second writing transistor T2 and the output signal of the erasing transistor T3, and the driving transistor T4 is turned on / off.

図3は、図2の画素回路104(k,l)の動作を示すタイミングチャートである。図3(a)は書き込み動作時のタイミングチャートを示し、図3(b)は消去動作時のタイミングチャートを示す。図2の画素回路104(k,l)では、第1書込トランジスタT1と第2書込トランジスタT2がともにオン状態のときに、データ線D(l)のデータが容量C1に保持され、書き込み動作となる。従って図3(a)に示すようにブロック制御線BCがハイレベルのとき書き込み可能であり、図3(b)に示すようにローレベルのときは書き込み禁止である。図3(a)では(k−1)番目の走査線がハイレベルのとき容量C1が初期化され、その次のk番目の走査線がハイレベルのとき書き込み動作となる。図3(b)でも図3(a)と同様の走査信号が供給されるが、ブロック制御線BCがローレベルであるため書き込みできず、消去動作のみとなる。   FIG. 3 is a timing chart showing the operation of the pixel circuit 104 (k, l) in FIG. FIG. 3A shows a timing chart during a write operation, and FIG. 3B shows a timing chart during an erase operation. In the pixel circuit 104 (k, l) in FIG. 2, when both the first writing transistor T1 and the second writing transistor T2 are in the on state, the data on the data line D (l) is held in the capacitor C1, and writing is performed. It becomes operation. Therefore, writing is possible when the block control line BC is at a high level as shown in FIG. 3A, and writing is prohibited when it is at a low level as shown in FIG. 3B. In FIG. 3A, the capacitor C1 is initialized when the (k-1) th scanning line is at a high level, and the writing operation is performed when the next kth scanning line is at a high level. In FIG. 3B, a scanning signal similar to that in FIG. 3A is supplied, but writing cannot be performed because the block control line BC is at a low level, and only an erasing operation is performed.

データの書き込みと消去を重畳して実行し動作速度を低減させる駆動方式では、各画素回路に対して、データの書き込み信号と消去信号を区分して供給する必要がある。比較例1では、書き込み動作時と消去動作時を区別するブロック信号を供給することで、両信号を区分している。   In a driving method in which data writing and erasing are performed in a superimposed manner to reduce the operation speed, it is necessary to separately supply a data writing signal and an erasing signal to each pixel circuit. In Comparative Example 1, both signals are separated by supplying a block signal for distinguishing between a write operation and an erase operation.

図4は、比較例2に係る画素回路104(k,l)の構成を示す図である。以下、比較例1との相違点を説明し、重複する説明は適宜省略する。比較例2では第2書込トランジスタT2は、ソース端子が第1書込トランジスタT1のドレイン端子に接続され、ゲート端子が(k−1)番目の走査線に接続され、ドレイン端子が駆動トランジスタT4のゲート端子に接続される。第2書込トランジスタT2は、(k−1)番目の走査線がアクティブのときオンし、ノンアクティブのときオフする。第2書込トランジスタT2には第1書込トランジスタT1からデータが入力され、(k−1)番目の走査線がアクティブのとき、入力されたデータを駆動トランジスタT4のゲート端子に出力する。   FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of the pixel circuit 104 (k, l) according to the second comparative example. Hereinafter, differences from Comparative Example 1 will be described, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate. In Comparative Example 2, the second write transistor T2 has a source terminal connected to the drain terminal of the first write transistor T1, a gate terminal connected to the (k−1) th scanning line, and a drain terminal connected to the drive transistor T4. Is connected to the gate terminal. The second writing transistor T2 is turned on when the (k−1) th scanning line is active, and turned off when it is inactive. Data is input to the second writing transistor T2 from the first writing transistor T1, and when the (k-1) th scanning line is active, the input data is output to the gate terminal of the driving transistor T4.

消去トランジスタT3は、ソース端子が電源線VDに接続され、ゲート端子が(k−2)番目の走査線に接続され、ドレイン端子が駆動トランジスタT4のゲート端子に接続される。消去トランジスタT3は、(k−2)番目の走査線がアクティブのときオンし、ノンアクティブのときオフする。消去トランジスタT3は、(k−2)番目の走査線がアクティブのとき容量C1の両端を同電位にして、容量C1をリセットする。その他の接続関係は、比較例1と同様である。   The erase transistor T3 has a source terminal connected to the power supply line VD, a gate terminal connected to the (k−2) th scanning line, and a drain terminal connected to the gate terminal of the drive transistor T4. The erase transistor T3 is turned on when the (k-2) th scanning line is active, and turned off when the (k-2) th scanning line is inactive. The erasing transistor T3 resets the capacitor C1 by setting both ends of the capacitor C1 to the same potential when the (k-2) th scanning line is active. Other connection relationships are the same as those in Comparative Example 1.

図5は、図4の画素回路104(k,l)の動作を示すタイミングチャートである。図5(a)は書き込み動作時のタイミングチャートを示し、図5(b)は消去動作時のタイミングチャートを示す。比較例2では、書き込み時のパルス幅(Tw)と消去時のパルス幅(Td)を変更している。隣接する列のパルスに重なりがある場合が書き込み動作、重なりがない場合が消去動作となる。   FIG. 5 is a timing chart showing the operation of the pixel circuit 104 (k, l) in FIG. FIG. 5A shows a timing chart during a write operation, and FIG. 5B shows a timing chart during an erase operation. In Comparative Example 2, the pulse width (Tw) at the time of writing and the pulse width (Td) at the time of erasing are changed. A write operation is performed when pulses in adjacent columns overlap, and an erase operation is performed when there is no overlap.

図4の画素回路104(k,l)では、第1書込トランジスタT1と第2書込トランジスタT2がともにオン状態のときに、データ線D(l)のデータが容量C1に保持され、書き込み動作となる。図5(a)に示すように(k−1)番目の走査線とk番目の走査線がともにハイレベルのとき、画素回路104(k,l)が書き込み動作となる。その半パルス前の(k−2)番目の走査線のハイレベルにより容量C1は初期化されている。図5(b)では隣接する列のパルスに重なりが存在しないため、消去動作のみとなる。   In the pixel circuit 104 (k, l) in FIG. 4, when both the first writing transistor T1 and the second writing transistor T2 are in the on state, the data on the data line D (l) is held in the capacitor C1, and writing is performed. It becomes operation. As shown in FIG. 5A, when both the (k−1) th scanning line and the kth scanning line are at a high level, the pixel circuit 104 (k, l) performs a writing operation. The capacitor C1 is initialized by the high level of the (k-2) th scanning line before the half pulse. In FIG. 5B, since there is no overlap between pulses in adjacent columns, only the erase operation is performed.

以上に説明した比較例1の構成では走査線駆動回路102以外に、動作状態を選択するためのブロック信号を生成する回路が必要となる。また比較例2の構成では走査線駆動回路102の出力パルス幅をデータの書き込み動作時と消去動作時で変更する必要がある。これらは、回路規模の増大、配線数の増加、部品点数の増加等により、コスト上昇、歩留まり低下の要因となる。特に走査線駆動回路102を、ディスプレイパネルと一体に薄膜トランジスタ(TFT)で作成する場合、より大きな問題となる。   In the configuration of Comparative Example 1 described above, a circuit for generating a block signal for selecting an operation state is required in addition to the scanning line driving circuit 102. In the configuration of Comparative Example 2, it is necessary to change the output pulse width of the scanning line driving circuit 102 between the data writing operation and the erasing operation. These cause an increase in cost and a decrease in yield due to an increase in circuit scale, an increase in the number of wirings, an increase in the number of parts, and the like. In particular, when the scanning line driving circuit 102 is formed of a thin film transistor (TFT) integrally with the display panel, a larger problem occurs.

以下に説明する実施例に係る画素回路では、追加の回路を必要とせず、かつ走査線駆動回路102の構成を複雑化しない回路を実現できる。   In the pixel circuit according to the embodiment described below, a circuit that does not require an additional circuit and does not complicate the configuration of the scanning line driving circuit 102 can be realized.

図6は、実施例に係る画素回路104(k,l)の構成を示す図である。以下、比較例1、2との相違点を説明し、重複する説明は適宜省略する。第1書込トランジスタT1は、ソース端子がl番目のデータ線に接続され、ゲート端子がk番目の走査線に接続され、ドレイン端子が第2書込トランジスタT2のソース端子に接続される。第1書込トランジスタT1は、k番目の走査線がアクティブのときオンし、ノンアクティブのときオフする。第1書込トランジスタT1にはl番目のデータ線からデータが入力され、k番目の走査線がアクティブのとき、入力されたデータを第2書込トランジスタT2に出力する。   FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of the pixel circuit 104 (k, l) according to the embodiment. Hereinafter, differences from Comparative Examples 1 and 2 will be described, and overlapping description will be omitted as appropriate. The first write transistor T1 has a source terminal connected to the l-th data line, a gate terminal connected to the k-th scan line, and a drain terminal connected to the source terminal of the second write transistor T2. The first writing transistor T1 is turned on when the kth scanning line is active, and turned off when the kth scanning line is inactive. Data is input to the first write transistor T1 from the lth data line, and when the kth scan line is active, the input data is output to the second write transistor T2.

第2書込トランジスタT2は、ソース端子が第1書込トランジスタT1のドレイン端子に接続され、ゲート端子が(k−2)番目の走査線に接続され、ドレイン端子が駆動トランジスタT4のゲート端子に接続される。第2書込トランジスタT2は、(k−2)番目の走査線がアクティブのときオンし、ノンアクティブのときオフする。第2書込トランジスタT2には第1書込トランジスタT1からデータが入力され、(k−2)番目の走査線がアクティブのとき、入力されたデータを駆動トランジスタT4のゲート端子に出力する。   The second write transistor T2 has a source terminal connected to the drain terminal of the first write transistor T1, a gate terminal connected to the (k-2) th scanning line, and a drain terminal connected to the gate terminal of the drive transistor T4. Connected. The second writing transistor T2 is turned on when the (k-2) th scanning line is active, and is turned off when the (k-2) th scanning line is inactive. Data is input to the second writing transistor T2 from the first writing transistor T1, and when the (k-2) th scanning line is active, the input data is output to the gate terminal of the driving transistor T4.

消去トランジスタT3は、ソース端子が消去信号線ELに接続され、ゲート端子が(k−3)番目の走査線に接続され、ドレイン端子が駆動トランジスタT4のゲート端子に接続される。消去信号線ELは所定の固定電位を供給する。例えば、電源電位またはグラウンド電位を供給する。駆動トランジスタT4にpチャンネル型の半導体素子が用いられる場合には電源電位を供給する。駆動トランジスタT4にnチャンネル型の半導体素子が用いられる場合にはグラウンド電位を供給する。いずれの場合も、消去トランジスタT3がオンすると、駆動トランジスタT4をオフできる。なお消去信号線ELが電源電位を供給する場合、比較例1、2と同様に消去信号線ELを電源線VDで代用してもよい。また消去信号線ELがグラウンド電位を供給する場合、消去信号線ELを有機EL素子OEのグラウンド端子で代用してもよい。なお消去信号線ELを設ける構成では、電源電位およびグラウンド電位以外の固定電位をリセット電位に使用することが可能である。   The erase transistor T3 has a source terminal connected to the erase signal line EL, a gate terminal connected to the (k-3) th scanning line, and a drain terminal connected to the gate terminal of the drive transistor T4. The erase signal line EL supplies a predetermined fixed potential. For example, a power supply potential or a ground potential is supplied. When a p-channel type semiconductor element is used for the driving transistor T4, a power supply potential is supplied. When an n-channel semiconductor element is used for the driving transistor T4, a ground potential is supplied. In any case, when the erase transistor T3 is turned on, the drive transistor T4 can be turned off. When the erasing signal line EL supplies the power supply potential, the erasing signal line EL may be substituted with the power supply line VD as in the first and second comparative examples. When the erase signal line EL supplies a ground potential, the erase signal line EL may be substituted with the ground terminal of the organic EL element OE. Note that in the configuration in which the erase signal line EL is provided, a fixed potential other than the power supply potential and the ground potential can be used as the reset potential.

消去トランジスタT3は、(k−3)番目の走査線がアクティブのときオンし、ノンアクティブのときオフする。消去トランジスタT3は、(k−3)番目の走査線がアクティブのとき容量C1をリセットする。   The erase transistor T3 is turned on when the (k-3) th scanning line is active, and is turned off when the (k-3) th scanning line is inactive. The erasing transistor T3 resets the capacitor C1 when the (k-3) th scanning line is active.

駆動トランジスタT4のゲート端子は、第2書込トランジスタT2のドレイン端子および消去トランジスタT3のドレイン端子と接続される。駆動トランジスタT4は、第2書込トランジスタT2の出力信号と消去トランジスタT3の出力信号によりゲート電圧が制御され、オン/オフする。   The gate terminal of the drive transistor T4 is connected to the drain terminal of the second write transistor T2 and the drain terminal of the erase transistor T3. The gate voltage of the driving transistor T4 is controlled by the output signal of the second writing transistor T2 and the output signal of the erasing transistor T3, and the driving transistor T4 is turned on / off.

k番目の走査線と(k−2)番目の走査線が共にアクティブ状態にあるとき、l番目のデータ線の信号が駆動トランジスタT4のゲート端子に供給され、ゲート電圧となる。当該ゲート電圧は容量C1に記憶されるとともに、駆動トランジスタT4のオン/オフを制御する。   When both the kth scanning line and the (k-2) th scanning line are in the active state, the signal of the lth data line is supplied to the gate terminal of the driving transistor T4 and becomes the gate voltage. The gate voltage is stored in the capacitor C1 and controls on / off of the driving transistor T4.

(k−3)番目の走査線がアクティブ状態にあるとき、駆動トランジスタT4のゲート端子に、消去信号線ELの電位がゲート電圧として供給される。これにより駆動トランジスタT4がターンオフし、容量C1が初期化される。   When the (k-3) th scanning line is in the active state, the potential of the erase signal line EL is supplied as the gate voltage to the gate terminal of the driving transistor T4. As a result, the driving transistor T4 is turned off, and the capacitor C1 is initialized.

図7は、図6の画素回路104(k,l)の動作を示すタイミングチャートである。図7(a)は書き込み動作時のタイミングチャートを示し、図7(b)は消去動作時のタイミングチャートを示す。書き込み動作時と消去動作時に同じパルス幅の信号を用いて隣接する走査線ではなく、一つ離れた走査線の信号の重なりで書き込み動作の制御を行う。このように一つ以上の走査線を跨いだ複数の走査線で画素回路を駆動することにより、書き込み動作時のパルス幅Twと消去動作時のパルス幅Tdを同一にできる。   FIG. 7 is a timing chart showing the operation of the pixel circuit 104 (k, l) in FIG. FIG. 7A shows a timing chart during a write operation, and FIG. 7B shows a timing chart during an erase operation. The writing operation is controlled by overlapping signals of scanning lines that are not one adjacent to each other by using signals having the same pulse width during the writing operation and the erasing operation. In this way, by driving the pixel circuit with a plurality of scanning lines straddling one or more scanning lines, the pulse width Tw during the writing operation and the pulse width Td during the erasing operation can be made the same.

図7(a)では走査線駆動回路102は、1パルス分の間を空けて2つのパルスを生成し、1番目の走査線からn番目の走査線の順に供給している。図7(a)と図7(b)を別に描いているが、実際には図7(a)の走査信号のみが複数の走査線G(1)〜G(n)に供給される。なお消去動作を単独で実行する場合には図7(b)の走査信号が用いられる。   In FIG. 7A, the scanning line driving circuit 102 generates two pulses with an interval corresponding to one pulse, and supplies the two pulses in order from the first scanning line to the nth scanning line. Although FIG. 7A and FIG. 7B are drawn separately, only the scanning signal of FIG. 7A is actually supplied to the plurality of scanning lines G (1) to G (n). When the erase operation is executed alone, the scanning signal shown in FIG. 7B is used.

図7(a)、(b)の期間t1では、(k−3)番目の走査線に供給される2つのパルスの2番目のパルスと、(k−1)番目の走査線に供給される2つのパルスの1番目のパルスにより、画素回路104((k−1),l)が書込動作となる。同時に(k−3)番目の走査線に供給される2つのパルスの2番目のパルスにより画素回路104(k,l)が消去動作となる。期間t2では、(k−2)番目の走査線に供給される2つのパルスの2番目のパルスと、k番目の走査線に供給される2つのパルスの1番目のパルスにより、画素回路104(k,l)が書込動作となる。同時に(k−2)番目の走査線に供給される2つのパルスの2番目のパルスにより画素回路104((k+1),l)が消去動作となる。即ち、次のクロックで書き込むべき一段下の画素回路をリフレッシュしつつ、対象の画素回路にデータを書き込むことができる。   In the period t1 of FIGS. 7A and 7B, the second pulse of the two pulses supplied to the (k-3) th scanning line and the (k-1) th scanning line are supplied. By the first pulse of the two pulses, the pixel circuit 104 ((k−1), l) is in a writing operation. At the same time, the pixel circuit 104 (k, l) performs an erasing operation by the second pulse of the two pulses supplied to the (k-3) th scanning line. In the period t2, the pixel circuit 104 (the second pulse of the two pulses supplied to the (k−2) th scanning line and the first pulse of the two pulses supplied to the kth scanning line are used. k, l) is the write operation. At the same time, the pixel circuit 104 ((k + 1), l) performs an erasing operation by the second pulse of the two pulses supplied to the (k-2) th scanning line. That is, data can be written to the target pixel circuit while refreshing the pixel circuit one stage below to be written at the next clock.

図6、図7では第1書込トランジスタT1にk番目の走査線を接続し、第2書込トランジスタT2に(k−2)番目の走査線を接続し、消去トランジスタT3に(k−3)番目の走査線を接続して、一つの画素回路を駆動する例を説明した。この接続方法は一例であり、この接続方法に限定されるものではない。   6 and 7, the kth scanning line is connected to the first writing transistor T1, the (k-2) th scanning line is connected to the second writing transistor T2, and the erasing transistor T3 is connected to (k-3). In the above description, the first scanning line is connected to drive one pixel circuit. This connection method is an example, and is not limited to this connection method.

第2書込トランジスタT2に(k−i)番目(i≧2)の走査線を接続してもよい。この場合、走査線駆動回路102は、(i−1)パルス分の間を空けて2つのパルスを生成し、1番目の走査線からn番目の走査線の順に供給する。   The (k−i) th (i ≧ 2) scanning line may be connected to the second writing transistor T2. In this case, the scanning line driving circuit 102 generates two pulses with an interval of (i−1) pulses, and supplies the two pulses in order from the first scanning line to the nth scanning line.

消去トランジスタT3に(k−j)番目(j≧i+1)の走査線を接続してもよい。消去トランジスタT3に接続する走査線の位置により、リフレッシュのタイミングを調整できる。   The (k−j) th (j ≧ i + 1) scanning line may be connected to the erasing transistor T3. The refresh timing can be adjusted by the position of the scanning line connected to the erasing transistor T3.

以上説明したように本実施例によれば、追加の信号生成回路や出力パルス幅を変更する機能を走査線駆動回路102に追加する必要がなくなる。パルス幅変更機能のない単一幅のパルス出力機能を有する単一の走査線駆動回路102を用いて、書き込み信号と消去信号をデジタル駆動方式で画素回路に供給できる。従って回路規模の最小化、部品点数の削減等が可能となり、コスト削減、歩留まり向上を実現できる。本実施例は、アクティブマトリクス型の有機EL表示装置の駆動に好適であり、また他のアクティブマトリクス型の装置の駆動にも応用できる。   As described above, according to this embodiment, it is not necessary to add an additional signal generation circuit or a function of changing the output pulse width to the scanning line driving circuit 102. A single scanning line driver circuit 102 having a single-width pulse output function without a pulse width changing function can be used to supply a writing signal and an erasing signal to the pixel circuit by a digital driving method. Accordingly, the circuit scale can be minimized, the number of parts can be reduced, and the cost can be reduced and the yield can be improved. This embodiment is suitable for driving an active matrix type organic EL display device, and can also be applied to driving other active matrix type devices.

図8は、変形例に係る画素回路104(k,l)の構成を示す図である。変形例に係る画素回路104(k,l)は、図6の実施例に係る画素回路104(k,l)における、第1書込トランジスタT1と第2書込トランジスタT2の接続関係を逆にした回路である。即ち、第1書込トランジスタT1は、ソース端子がl番目のデータ線に接続され、ゲート端子が(k−i)番目(i≧2)の走査線に接続され、ドレイン端子が第2書込トランジスタT2のソース端子に接続される。第2書込トランジスタT2は、ソース端子が第1書込トランジスタT1のドレイン端子に接続され、ゲート端子がk番目の走査線に接続され、ドレイン端子が駆動トランジスタT4のゲート端子に接続される。この接続関係でも実施例と同様の動作が可能である。   FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of a pixel circuit 104 (k, l) according to a modification. The pixel circuit 104 (k, l) according to the modified example reverses the connection relationship between the first writing transistor T1 and the second writing transistor T2 in the pixel circuit 104 (k, l) according to the embodiment of FIG. Circuit. That is, the first write transistor T1 has a source terminal connected to the l-th data line, a gate terminal connected to the (ki) th (i ≧ 2) scan line, and a drain terminal connected to the second write line. Connected to the source terminal of transistor T2. The second write transistor T2 has a source terminal connected to the drain terminal of the first write transistor T1, a gate terminal connected to the kth scanning line, and a drain terminal connected to the gate terminal of the drive transistor T4. Even in this connection relationship, the same operation as in the embodiment is possible.

図9は、走査線駆動回路の構成例を示す図である。複数のレジスタ21〜232を縦列接続してシフトレジスタを構成している。図9では32段のシフトレジスタの例を描いている。各レジスタ21〜232には、クロック信号CLK、反転クロック信号CLKB、前段の出力信号OUT(n−1)、次段の出力信号OUT(n+1)がそれぞれ入力される。なお図示しないが各レジスタ21〜232には、ハイサイド基準電位VGH(例えば、電源電位)およびローサイド基準電位(例えば、グラウンド電位)も供給される。   FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration example of the scanning line driving circuit. A plurality of registers 21 to 232 are connected in cascade to form a shift register. FIG. 9 illustrates an example of a 32-stage shift register. Each of the registers 21 to 232 receives a clock signal CLK, an inverted clock signal CLKB, a previous stage output signal OUT (n−1), and a next stage output signal OUT (n + 1). Although not shown, the registers 21 to 232 are also supplied with a high-side reference potential VGH (for example, a power supply potential) and a low-side reference potential (for example, a ground potential).

図10は、図9のシフトレジスタのタイミングチャートを示す。図10(a)は、一般的な走査信号のタイミングチャートを示し、図10(b)は、図7(a)の走査信号のタイミングチャートを示す。このように図9のシフトレジスタは、図4の走査線駆動回路102以外の走査線駆動回路(ゲートドライバ)にも適用できる。   FIG. 10 shows a timing chart of the shift register of FIG. FIG. 10A shows a timing chart of a general scanning signal, and FIG. 10B shows a timing chart of the scanning signal of FIG. As described above, the shift register in FIG. 9 can be applied to a scan line driver circuit (gate driver) other than the scan line driver circuit 102 in FIG.

図11は、比較例に係るレジスタ22の構成を示す。図11では2段目のレジスタ22の構成を描いているが、他の段のレジスタも同じ構成である。なお1段目のレジスタ21では、前段の出力信号OUT(n−1)の代わりにスタート信号STARTが入力される。スタート信号STARTは、各走査信号の元になる信号である。   FIG. 11 shows a configuration of the register 22 according to the comparative example. In FIG. 11, the configuration of the second-stage register 22 is illustrated, but the other-stage registers have the same configuration. The first stage register 21 receives a start signal START instead of the output signal OUT (n−1) of the previous stage. The start signal START is a signal that is the basis of each scanning signal.

レジスタ22は、第1トランジスタQ1、第2トランジスタQ2、第3トランジスタQ3、第4トランジスタQ4、第5トランジスタQ5、第6トランジスタQ6、容量C2を備える。第1トランジスタQ1〜第6トランジスタQ6には、nチャンネル型の酸化物半導体で形成されたTFTを使用することを想定する。   The register 22 includes a first transistor Q1, a second transistor Q2, a third transistor Q3, a fourth transistor Q4, a fifth transistor Q5, a sixth transistor Q6, and a capacitor C2. It is assumed that TFTs made of an n-channel oxide semiconductor are used for the first transistor Q1 to the sixth transistor Q6.

第1トランジスタQ1の入力端子には前段の出力信号OUT(n−1)が入力され、第1トランジスタQ1の制御端子にはクロック信号CLKが入力される。第1トランジスタQ1の出力端子は、容量C2の一端、第5トランジスタQ5の制御端子に接続される。   The output signal OUT (n−1) of the previous stage is input to the input terminal of the first transistor Q1, and the clock signal CLK is input to the control terminal of the first transistor Q1. The output terminal of the first transistor Q1 is connected to one end of the capacitor C2 and the control terminal of the fifth transistor Q5.

第2トランジスタQ2の入力端子および制御端子はハイサイド基準電位VGHに接続される。第2トランジスタQ2の出力端子は、第4トランジスタQ4の出力端子、第3トランジスタQ3の制御端子、及び第6トランジスタQ6の制御端子に接続される。   The input terminal and the control terminal of the second transistor Q2 are connected to the high side reference potential VGH. The output terminal of the second transistor Q2 is connected to the output terminal of the fourth transistor Q4, the control terminal of the third transistor Q3, and the control terminal of the sixth transistor Q6.

第3トランジスタQ3の入力端子はローサイド基準電位VGLに接続される。第3トランジスタQ3の制御端子は第2トランジスタQ2の出力端子に接続される。第3トランジスタQ3の出力端子は容量C2の一端に接続される。   The input terminal of the third transistor Q3 is connected to the low side reference potential VGL. The control terminal of the third transistor Q3 is connected to the output terminal of the second transistor Q2. The output terminal of the third transistor Q3 is connected to one end of the capacitor C2.

第4トランジスタQ4の入力端子はローサイド基準電位VGLに接続される。第4トランジスタQ4の制御端子は容量C2の一端に接続される。第4トランジスタQ4の出力端子は第2トランジスタQ2の出力端子に接続される。   The input terminal of the fourth transistor Q4 is connected to the low side reference potential VGL. The control terminal of the fourth transistor Q4 is connected to one end of the capacitor C2. The output terminal of the fourth transistor Q4 is connected to the output terminal of the second transistor Q2.

第5トランジスタQ5の入力端子には反転クロック信号CLKBが入力される。第5トランジスタQ5の制御端子は、容量C2の一端および第1トランジスタQ1の出力端子に接続される。第5トランジスタQ5の出力端子は容量C2の他端、及び本レジスタ22の出力端子に接続される。   The inverted clock signal CLKB is input to the input terminal of the fifth transistor Q5. The control terminal of the fifth transistor Q5 is connected to one end of the capacitor C2 and the output terminal of the first transistor Q1. The output terminal of the fifth transistor Q5 is connected to the other end of the capacitor C2 and the output terminal of the register 22.

第6トランジスタQ6の入力端子はローサイド基準電位VGLに接続される。第6トランジスタQ6の制御端子は第2トランジスタQ2の出力端子に接続される。第6トランジスタQ6の出力端子は容量C2の他端、及び本レジスタ22の出力端子に接続される。   The input terminal of the sixth transistor Q6 is connected to the low-side reference potential VGL. The control terminal of the sixth transistor Q6 is connected to the output terminal of the second transistor Q2. The output terminal of the sixth transistor Q6 is connected to the other end of the capacitor C2 and the output terminal of the register 22.

この回路構成において、クロック信号CLKがハイレベル、かつ前段の出力信号OUT(n−1)がハイレベルのとき第1トランジスタQ1がオンする。これにより容量C2に電荷が蓄積されるとともに、第5トランジスタQ5がオンする。また第4トランジスタQ4がオンし、第3トランジスタQ3及び第6トランジスタQ6がオフする。この状態からクロック信号CLKがローレベルに遷移すると第1トランジスタQ1がオフする。第1トランジスタQ1がオフしても、容量C2に蓄積された電荷により一定期間、第5トランジスタQ5のオン状態が維持される。容量C2の蓄積電圧をハイサイドの基準電位VGHより高く設定することにより、出力信号OUT(n)のパルス波形をシャープにできる。   In this circuit configuration, the first transistor Q1 is turned on when the clock signal CLK is at a high level and the output signal OUT (n-1) at the previous stage is at a high level. As a result, charges are accumulated in the capacitor C2, and the fifth transistor Q5 is turned on. Further, the fourth transistor Q4 is turned on, and the third transistor Q3 and the sixth transistor Q6 are turned off. When the clock signal CLK transits to a low level from this state, the first transistor Q1 is turned off. Even if the first transistor Q1 is turned off, the fifth transistor Q5 is kept on for a certain period of time by the charge accumulated in the capacitor C2. By setting the accumulated voltage of the capacitor C2 higher than the high-side reference potential VGH, the pulse waveform of the output signal OUT (n) can be sharpened.

クロック信号CLKが再びハイレベルになり、容量C2の電圧が第4トランジスタQ4の閾値電圧より低下すると第4トランジスタQ4がオフし、第3トランジスタQ3及び第6トランジスタQ6がオンする。これにより、容量C2の両端がローサイドの基準電位VGLに接続される。   When the clock signal CLK becomes high level again and the voltage of the capacitor C2 falls below the threshold voltage of the fourth transistor Q4, the fourth transistor Q4 is turned off, and the third transistor Q3 and the sixth transistor Q6 are turned on. As a result, both ends of the capacitor C2 are connected to the low-side reference potential VGL.

トランジスタの閾値電圧は、ゼロより少しプラス側に設定されるべきであるが、プロセス等によるバラツキがある。例えば、第1トランジスタQ1または第2トランジスタQ2の閾値電圧がマイナス側にシフトしている場合、誤動作の原因となる。また第6トランジスタQ6の閾値電圧が、よりプラス側にシフトしている場合、第6トランジスタQ6のターンオンタイミングが遅延し、出力信号OUT(n)の立ち下がり時間が長くなる。   The threshold voltage of the transistor should be set slightly on the plus side from zero, but there are variations due to processes and the like. For example, when the threshold voltage of the first transistor Q1 or the second transistor Q2 is shifted to the negative side, it may cause a malfunction. Further, when the threshold voltage of the sixth transistor Q6 is shifted to the plus side, the turn-on timing of the sixth transistor Q6 is delayed, and the fall time of the output signal OUT (n) becomes long.

図12は、実施例に係るレジスタ22の構成を示す。以下、図11の比較例との相違点を説明し、重複する説明は適宜省略する。第1トランジスタQ1及び第2トランジスタQ2をSTT(Series-connected Two-transistor)構造で構成する。即ち、第1トランジスタQ1は、直列接続された第1.1トランジスタQ1a及び第1.2トランジスタQ1bで構成する。第3トランジスタQ3は、直列接続された第3.1トランジスタQ3a及び第3.2トランジスタQ3bで構成する。第1.1トランジスタQ1a、第1.2トランジスタQ1b、第3.1トランジスタQ3a、及び第3.2トランジスタQ3bには、いずれもnチャンネル型が用いられる。   FIG. 12 shows a configuration of the register 22 according to the embodiment. Hereinafter, differences from the comparative example of FIG. 11 will be described, and overlapping description will be omitted as appropriate. The first transistor Q1 and the second transistor Q2 are configured with an STT (Series-connected Two-transistor) structure. That is, the first transistor Q1 includes a 1.1th transistor Q1a and a 1.2th transistor Q1b connected in series. The third transistor Q3 is composed of a 3.1 transistor Q3a and a 3.2 transistor Q3b connected in series. The 1.1th transistor Q1a, the 1.2th transistor Q1b, the 3.1st transistor Q3a, and the 3.2th transistor Q3b are all n-channel type transistors.

実施例に係るレジスタ22は、第7トランジスタQ7及び第8トランジスタQ8をさらに備える。第7トランジスタQ7の入力端子はハイサイド基準電位VGHに接続される。第7トランジスタQ7の制御端子には、自段の出力信号OUT(n)がフィードバックして入力される。第7トランジスタQ7の出力端子は、第1.1トランジスタQ1aと第1.2トランジスタQ1bとの接続点、及び第3.1トランジスタQ3aと第3.2トランジスタQ3bとの接続点にそれぞれ接続される。第7トランジスタQ7は、自段の出力信号OUT(n)がハイレベルの期間にオンして、それら接続点の電位をハイサイド基準電位VGHに固定する。   The register 22 according to the embodiment further includes a seventh transistor Q7 and an eighth transistor Q8. The input terminal of the seventh transistor Q7 is connected to the high side reference potential VGH. A self-stage output signal OUT (n) is fed back to the control terminal of the seventh transistor Q7. The output terminal of the seventh transistor Q7 is connected to a connection point between the 1.1st transistor Q1a and the 1.2th transistor Q1b, and a connection point between the 3.1st transistor Q3a and the 3.2th transistor Q3b. . The seventh transistor Q7 is turned on while the output signal OUT (n) of its own stage is at a high level, and fixes the potential at these connection points to the high side reference potential VGH.

第8トランジスタQ8の入力端子はローサイド基準電位VGLに接続される。第8トランジスタQ8の制御端子には次段の出力信号OUT(n+1)がフィードバックして入力される。第8トランジスタQ8の出力端子は容量C2の他端、及び本レジスタ22の出力端子に接続される。   The input terminal of the eighth transistor Q8 is connected to the low-side reference potential VGL. The output signal OUT (n + 1) at the next stage is fed back to the control terminal of the eighth transistor Q8. The output terminal of the eighth transistor Q8 is connected to the other end of the capacitor C2 and the output terminal of the register 22.

実施例に係るレジスタ22では、第1トランジスタQ1及び第3トランジスタQ3をSST構造にすることにより、第1トランジスタQ1及び第3トランジスタQ3の閾値電圧のマイナスシフト耐性を向上させることができる。仮に第1トランジスタQ1または第3トランジスタQ3の閾値電圧がマイナスにシフトしていても、誤動作することなく、出力信号OUT(n)を立ち上げることができる。   In the register 22 according to the embodiment, the first transistor Q1 and the third transistor Q3 have an SST structure, so that the negative shift tolerance of the threshold voltages of the first transistor Q1 and the third transistor Q3 can be improved. Even if the threshold voltage of the first transistor Q1 or the third transistor Q3 is shifted to minus, the output signal OUT (n) can be raised without malfunction.

また第8トランジスタQ8に次段の出力信号OUT(n+1)をフィードバックすることにより、立ち下がり時間を高速化できる。仮に第6トランジスタQ6の閾値電圧が、よりプラス側にシフトしている場合でも遅延することなく、出力信号OUT(n)を立ち下げることができる。   Further, the fall time can be increased by feeding back the output signal OUT (n + 1) of the next stage to the eighth transistor Q8. Even if the threshold voltage of the sixth transistor Q6 is shifted more positively, the output signal OUT (n) can be lowered without delay.

また比較例に係るレジスタ22に対して、追加されるトランジスタの数は僅かであり、歩留まりが低下することはない。また反転クロック信号CLKBから出力信号OUT(n)を生成するため、前段の出力信号OUT(n−1)から生成する場合より、出力電圧レベルの品位を向上させることができる。   Further, the number of transistors added to the register 22 according to the comparative example is small, and the yield does not decrease. Further, since the output signal OUT (n) is generated from the inverted clock signal CLKB, the quality of the output voltage level can be improved as compared with the case where the output signal OUT (n−1) is generated.

以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。   The present invention has been described based on the embodiments. The embodiments are exemplifications, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications can be made to combinations of the respective constituent elements and processing processes, and such modifications are within the scope of the present invention. .

例えば、上述の実施の形態に係る表示装置ではデジタル駆動方式を想定したが、アナログ駆動方式にも適用可能である。   For example, the digital driving method is assumed in the display device according to the above-described embodiment, but the present invention can also be applied to an analog driving method.

T1 第1書込トランジスタ、 C1 容量、 Q1 第1トランジスタ、 Q1a 第1.1トランジスタ、 Q1b 第1.2トランジスタ、 T2 第2書込トランジスタ、 Q2 第2トランジスタ、 C2 容量、 T3 消去トランジスタ、 OE 有機EL素子、 Q3 第3トランジスタ、 Q3a 第3.1トランジスタ、 Q3b 第3.2トランジスタ、 T4 駆動トランジスタ、 Q4 第4トランジスタ、 Q5 第5トランジスタ、 Q6 第6トランジスタ、 Q7 第7トランジスタ、 Q8 第8トランジスタ、 21〜232 レジスタ、 100 表示装置、 101 データ線駆動回路、 102 走査線駆動回路、 103 画素領域、 104 画素回路。   T1 first write transistor, C1 capacitor, Q1 first transistor, Q1a first transistor, Q1b 1.2 transistor, T2 second write transistor, Q2 second transistor, C2 capacitor, T3 erase transistor, OE organic EL element, Q3 third transistor, Q3a 3.1 transistor, Q3b 3.2 transistor, T4 drive transistor, Q4 fourth transistor, Q5 fifth transistor, Q6 sixth transistor, Q7 seventh transistor, Q8 eighth transistor , 21 to 232 registers, 100 display device, 101 data line driving circuit, 102 scanning line driving circuit, 103 pixel region, 104 pixel circuit.

Claims (8)

n(n≧4)本の走査線と、m(m≧1)本のデータ線が配置されて形成される画素領域を備える表示装置であって、
前記画素領域内の、k番目(1≦k≦n)の走査線とl番目(1≦l≦m)のデータ線に対応して形成された画素回路は、
発光素子と、
前記発光素子への電流供給を制御する駆動用スイッチング素子と、
入力端子がl番目のデータ線に接続され、制御端子がk番目の走査線に接続された第1書込用スイッチング素子と、
入力端子が前記第1書込用スイッチング素子の出力端子に接続され、制御端子が(k−i)番目(i≧2)の走査線に接続され、出力端子が前記駆動用スイッチング素子の制御端子に接続された第2書込用スイッチング素子と、
入力端子が消去用の固定電位に接続され、制御端子が(k−j)番目(j≧i+1)の走査線に接続され、出力端子が前記駆動用スイッチング素子の制御端子に接続される消去用スイッチング素子と、
を有することを特徴とする表示装置。
A display device including a pixel region formed by arranging n (n ≧ 4) scanning lines and m (m ≧ 1) data lines,
A pixel circuit formed corresponding to the kth (1 ≦ k ≦ n) scan line and the lth (1 ≦ l ≦ m) data line in the pixel region is:
A light emitting element;
A driving switching element for controlling current supply to the light emitting element;
A first write switching element having an input terminal connected to the l-th data line and a control terminal connected to the k-th scan line;
The input terminal is connected to the output terminal of the first writing switching element, the control terminal is connected to the (ki) th (i ≧ 2) scanning line, and the output terminal is the control terminal of the driving switching element. A second write switching element connected to
An erasing circuit having an input terminal connected to a fixed potential for erasing, a control terminal connected to a (k−j) th (j ≧ i + 1) scanning line, and an output terminal connected to a control terminal of the driving switching element A switching element;
A display device comprising:
k番目の走査線と(k−i)番目の走査線が共にアクティブ状態にあるとき、l番目のデータ線の信号が前記駆動用スイッチング素子の制御端子に供給され、
(k−j)番目の走査線がアクティブ状態にあるとき、前記駆動用スイッチング素子の制御端子に前記固定電位が印加されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
When both the kth scanning line and the (ki) th scanning line are in the active state, the signal of the lth data line is supplied to the control terminal of the driving switching element,
2. The display device according to claim 1, wherein when the (k−j) th scanning line is in an active state, the fixed potential is applied to a control terminal of the driving switching element.
前記n本の走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路を、さらに備え、
前記走査線駆動回路は、(i−1)パルス分の間を空けて2つのパルスを生成し、1番目の走査線からn番目の走査線の順に供給することを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
A scanning line driving circuit for supplying a scanning signal to the n scanning lines;
2. The scanning line driving circuit according to claim 1, wherein the scanning line driving circuit generates two pulses with an interval of (i-1) pulses, and supplies the two pulses in order from the first scanning line to the nth scanning line. 2. The display device according to 2.
(k−i)番目の走査線に供給される2つのパルスの2番目のパルスと、k番目の走査線に供給される2つのパルスの1番目のパルスにより、k番目の走査線とl番目のデータ線に対応して形成された画素回路が書込動作となり、
(k−i)番目の走査線に供給される2つのパルスの2番目のパルスにより、(k+j−i)番目の走査線とl番目のデータ線に対応して形成された画素回路が消去動作となることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
The k-th scan line and the l-th pulse are obtained by the second pulse of the two pulses supplied to the (ki) th scan line and the first pulse of the two pulses supplied to the k-th scan line. The pixel circuit formed corresponding to the data line is in the write operation,
The pixel circuit formed corresponding to the (k + j−i) -th scanning line and the l-th data line is erased by the second pulse of the two pulses supplied to the (ki) -th scanning line. The display device according to claim 3, wherein:
i=2、j=3であり、
前記走査線駆動回路は、1パルス分の間を空けて2つのパルスを生成することを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
i = 2, j = 3,
The display device according to claim 3, wherein the scanning line driving circuit generates two pulses with a gap of one pulse.
前記駆動用スイッチング素子はn型半導体トランジスタであり、
前記固定電位は接地電位であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の表示装置。
The driving switching element is an n-type semiconductor transistor,
The display device according to claim 1, wherein the fixed potential is a ground potential.
前記駆動用スイッチング素子はp型半導体トランジスタであり、
前記固定電位は電源電位であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の表示装置。
The driving switching element is a p-type semiconductor transistor,
The display device according to claim 1, wherein the fixed potential is a power supply potential.
n(n≧4)本の走査線と、m(m≧1)本のデータ線が配置されて形成される画素領域を備える表示装置であって、
前記画素領域内の、k番目(1≦k≦n)の走査線とl番目(1≦l≦m)のデータ線に対応して形成された画素回路は、
発光素子と、
前記発光素子への電流供給を制御する駆動用スイッチング素子と、
入力端子がl番目のデータ線に接続され、制御端子が(k−i)番目(i≧2)に接続された第1書込用スイッチング素子と、
入力端子が前記第1書込用スイッチング素子の出力端子に接続され、制御端子がk番目の走査線に接続され、出力端子が前記駆動用スイッチング素子の制御端子に接続された第2書込用スイッチング素子と、
入力端子が消去用の固定電位に接続され、制御端子が(k−j)番目(j≧i+1)の走査線に接続され、出力端子が前記駆動用スイッチング素子の制御端子に接続される消去用スイッチング素子と、
を有することを特徴とする表示装置。
A display device including a pixel region formed by arranging n (n ≧ 4) scanning lines and m (m ≧ 1) data lines,
A pixel circuit formed corresponding to the kth (1 ≦ k ≦ n) scan line and the lth (1 ≦ l ≦ m) data line in the pixel region is:
A light emitting element;
A driving switching element for controlling current supply to the light emitting element;
A first write switching element having an input terminal connected to the l-th data line and a control terminal connected to the (ki) th (i ≧ 2);
A second writing input terminal connected to the output terminal of the first writing switching element, a control terminal connected to the kth scanning line, and an output terminal connected to the control terminal of the driving switching element A switching element;
An erasing circuit having an input terminal connected to a fixed potential for erasing, a control terminal connected to a (k−j) th (j ≧ i + 1) scanning line, and an output terminal connected to a control terminal of the driving switching element A switching element;
A display device comprising:
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