JP2015159224A - sensor structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えばセンサ素子の物理的な変化を検出するセンサ装置に適用されるセンサ構造に関する。 The present invention relates to a sensor structure applied to, for example, a sensor device that detects a physical change of a sensor element.
センサ素子の物理的な変化を検出するセンサ装置の一例としては、バスバーに流れる電流を磁気的に検出する磁気検出素子を備えた電流センサが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。 As an example of a sensor device that detects a physical change of a sensor element, a current sensor including a magnetic detection element that magnetically detects a current flowing through a bus bar has been proposed (for example, see Patent Document 1).
上記特許文献1に記載された従来の電流センサは、複数のリードフレームの基端部上に実装された磁気検出素子を覆う半導体パッケージを有している。複数のリードフレームの先端部は、半導体パッケージの外面から突出したコネクタ端子として形成されている。半導体パッケージは、ハウジングによりコネクタ端子を囲繞した状態で覆われている。
The conventional current sensor described in
上記特許文献1記載の従来の電流センサは磁気検出素子の複数のリードフレームをコネクタ端子として用いていることから、リードフレームの厚さを外部コネクタのコネクタ端子の厚みに合わせた寸法に設定する必要がある。
Since the conventional current sensor described in
しかしながら、コネクタ端子に合わせた厚さ寸法では、リードフレームの厚さが大きくなり、磁気検出素子の周辺部分におけるリードフレームの微細な引き回しが制限される。一方、リードフレームの厚さが大きくなることに伴い半導体パッケージの厚さも大きくなり、半導体パッケージを覆うハウジングの体格が増大することとなる。その結果、電流センサの小型化には限界がある。 However, the thickness dimension matched to the connector terminal increases the thickness of the lead frame, and restricts fine lead frame routing around the magnetic sensing element. On the other hand, as the thickness of the lead frame increases, the thickness of the semiconductor package also increases, and the physique of the housing that covers the semiconductor package increases. As a result, there is a limit to downsizing the current sensor.
従って、本発明の目的は、リードフレームの微細な引き回しが可能となり、小型化を可能としたセンサ構造を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a sensor structure that enables fine lead-out routing and enables miniaturization.
[1]本発明は、センサ素子からの出力信号を電気的に処理する回路を有するICチップに接続された引き回しリード部が、電気コネクタに接続されるコネクタリード部に前記コネクタリード部よりも薄肉に一体形成された複数のリードフレームと、前記引き回しリード部を封止した第1の樹脂部材から前記コネクタリード部を露出させたパッケージと、前記パッケージを覆う第2の樹脂部材から前記コネクタリード部の先端部を露出させたパッケージ収容体と、を備えたことを特徴とするセンサ構造にある。 [1] In the present invention, the routing lead portion connected to the IC chip having a circuit for electrically processing the output signal from the sensor element is thinner than the connector lead portion in the connector lead portion connected to the electrical connector. A plurality of lead frames formed integrally with each other, a package in which the connector lead portion is exposed from a first resin member in which the routing lead portion is sealed, and a second resin member covering the package from the connector lead portion. And a package container with the tip portion exposed.
[2]上記[1]記載の前記パッケージ収容体は、前記パッケージを前記第2の樹脂部材によるモールド成形により封止したコネクタハウジングを構成してなることを特徴とする。 [2] The package container according to [1] is characterized in that it forms a connector housing in which the package is sealed by molding with the second resin member.
[3]上記[1]記載の前記パッケージ収容体は、前記第2の樹脂部材の内部に前記パッケージを挿入固定する収容空間を有するコネクタハウジングを構成してなることを特徴とする。 [3] The package housing body according to [1] is characterized in that it forms a connector housing having a housing space for inserting and fixing the package inside the second resin member.
本発明によると、リードフレームの微細な引き回しが可能となり、小型化を可能としたセンサ構造が効果的に得られる。 According to the present invention, a lead frame can be finely routed, and a sensor structure that can be miniaturized can be effectively obtained.
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて具体的に説明する。 Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings.
[第1の実施の形態]
(センサ装置の全体構成)
図1において、全体を示す符号1は、この第1の実施の形態に係る典型的なセンサ構造を備えたセンサ装置を例示している。このセンサ装置1は、3本のリードフレーム2〜4を有している。これらのリードフレーム2〜4が集束した一端部の中心部には、矩形のICチップ5が配置されている。
[First Embodiment]
(Overall configuration of sensor device)
In FIG. 1,
このICチップ5は、特に限定するものではないが、例えばセンサ素子から出力された検出信号に増幅等の処理を行う周辺回路部を一体的に集積化した半導体素子からなる。このセンサ素子は、例えば加速度を検出する加速度センサ、磁場の変化を検出する磁気センサ、電流を検出する電流センサあるいは光を検出する光センサ等のセンサ素子である。
The
この3本のリードフレーム2〜4の搭載面に塗布した接着剤上にICチップ5を搭載することで、3本のリードフレーム2〜4とICチップ5とは、フリップチップ接続により電気接続されている。この接着剤としては、例えばシリコン系ペースト等の絶縁性接着剤あるいは銀系ペースト等の導電性接着剤などが用いられる。
By mounting the
このICチップ5は、図1及び図2に示すように、第1の樹脂部材であるモールド樹脂によりモールド成形した一次成形体である直方体形状のパッケージ6により封止されている。このパッケージ6の一側壁部には、3本のリードフレーム2〜4の長手方向一端部が同一面上に並列に延出されている。モールド樹脂の材質としては、例えば絶縁性、耐食性や耐熱性等に優れるエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂などが用いられる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
この3本のリードフレーム2〜4の長手方向一端部を除くパッケージ6の全面は、図1及び図2に示すように、第2の樹脂部材であるモールド樹脂によりモールド成形した二次成形体である直方体形状のパッケージ収容体7により封止されている。パッケージ6がパッケージ収容体7により覆われることで防水性及び防塵性が確保されている。パッケージ収容体7の材質としては、例えばエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the entire surface of the
このパッケージ収容体7は、図1及び図2に示すように、コネクタハウジングとして形成されている。パッケージ収容体7の長手方向一側壁部は、図示しない相手方の電気コネクタに接続される接続口7aを開口している。この接続口7a内に露出しているリードフレーム2〜4は、ICチップ5の検出結果を外部へ出力するコネクタ端子とされている。このコネクタ端子は、外部の電気コネクタに接続されることで、ICチップ5の検出結果を外部装置の制御装置などに伝達する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
(リードフレームの構造)
この第1の実施の形態に係るセンサ構造の主要な基本構成は、図1及び図2に示すように、所定の規格に合致するコネクタリード部2b〜4bと、コネクタリード部2b〜4bよりも薄肉の引き回しリード部2a〜4aとが一体形成されたリードフレーム2〜4にある。従って、上記のように構成されたセンサ装置1は、この第1の実施の形態に係る一構成例を示しており、その構成部品の形状や構造などは、図示例に限定されるものではない。
(Lead frame structure)
As shown in FIGS. 1 and 2, the main basic configuration of the sensor structure according to the first embodiment is more than
このリードフレーム2〜4は、多数個取り可能な導電性基板素材を細長い板状に打ち抜くことで一括して形成された細長い板材からなる。リードフレーム2〜4の材質としては、例えばアルミニウム、銅や銅合金等の導電性を有する金属材料などが用いられる。リードフレーム2〜4の表面には、例えば錫、ニッケル、金や銀等の金属材料によりメッキ処理が施されてもよい。リードフレーム2〜4の形状は、例えば板形状や円柱形状等であっても構わない。
The
このリードフレーム2〜4は、図1及び図2に示すように、コネクタリード部2b〜4bと、このコネクタリード部2b〜4bよりも薄肉化された引き回しリード部2a〜4aとを有する差厚形状に一体に形成されている。引き回しリード部2a〜4aの板厚は、例えば0.25mm程度であり、コネクタリード部2b〜4bの板厚は、例えば0.64mm程度であり、コネクタ端子の所定の規格に合致するように形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
この引き回しリード部2a〜4aは、図1及び図2に示すように、センサ素子からの検出信号を電気的に処理する回路を有するICチップ5に接続される導電パターン部として構成されている。一方のコネクタリード部2b〜4bは、電気コネクタに接続されるコネクタ端子として構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
この引き回しリード部2a〜4aとコネクタリード部2b〜4bとの間に形成された段差2c〜4cは、図1及び図2に示すように、パッケージ収容体7の内部に配置されており、パッケージ収容体7の外部にコネクタリード部2b〜4bの先端部だけが突出した構成となっている。かかる構成により、リードフレーム2〜4の機械的強度が高められている。
このリードフレーム2〜4は、矩形平板状の外枠に3本一組のリードフレームを多数個配列した多数個取り可能な多数個取りのフレームである。定法に従い、リードフレーム2〜4となる導電性の金属板をプレスによって所要の外形に打ち抜くとともに、プレス加工又はエッチング加工により薄肉化された引き回しリード部2a〜4aが製作される。従って、多数個配列した3本一組のリードフレーム2〜4は、一回の製造プロセスで多数個取りされる。
The
(第1の実施の形態の効果)
以上のように構成されたセンサ構造は、上記効果に加えて、以下の効果が得られる。
(Effects of the first embodiment)
In addition to the above effects, the sensor structure configured as described above provides the following effects.
(1)パッケージ6の内部に薄肉の引き回しリード部2a〜4aを用いたことで微細な引き回しが可能となり、引き回しの自由度を高めることができる。
(2)引き回しリード部2a〜4aを薄く形成することで、パッケージ6の厚み寸法を小さくすることができることと相まって、パッケージ6を覆うパッケージ収容体7の体格も小さくすることができるので、センサ装置1全体の体格を小型化することが可能となる。
(3)ICチップ5に接続されるリードフレーム2〜4をコネクタ端子として用いることができるため、引き回しリード部2a〜4aとコネクタリード部2b〜4bとの接合工程を廃止することができるようになり、接続の信頼性を図ることができるとともに、コストダウンをも図ることができる。
(4)パッケージ6の内部のリードフレーム2〜4を薄肉化することで、リードフレーム2〜4の熱抵抗を低減することができるようになり、リードフレーム2〜4の放熱性を向上させることができる。
(5)リードフレーム2〜4をコネクタ用又は基板用の端子構造として構成することが可能であるため、構成部品点数の削減を図ることができる。
(1) By using the
(2) Since the
(3) Since the lead frames 2 to 4 connected to the
(4) By reducing the thickness of the lead frames 2 to 4 inside the
(5) Since the lead frames 2 to 4 can be configured as terminal structures for connectors or substrates, the number of components can be reduced.
[第2の実施の形態]
図3及び図4を参照すると、これらの図には、第2の実施の形態に係るセンサ構造を備えたセンサ装置1が例示されている。なお、図3及び図4において、上記第1の実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付している。従って、各部材に関する詳細な説明は省略する。
[Second Embodiment]
Referring to FIGS. 3 and 4, these drawings illustrate a
上記第1の実施の形態では、リードフレーム2〜4とICチップ5とを封止したパッケージ6をインサートとして、モールド樹脂を射出成形するインサート成形により一体化したパッケージ収容体7を例示したが、この第2の実施の形態にあっては、パッケージ6とパッケージ収容体7とを別体に形成した構成が例示されている。
In the first embodiment, the
このパッケージ収容体7には、図3及び図4に示すように、パッケージ6を収容する収容空間8が形成されている。その収容空間8には、パッケージ6を挿入するための挿入開口7bと、リードフレーム2〜4のコネクタリード部2b〜4bを挿通固定する固定孔7cとが連通して形成されており、パッケージ6が収容されることでセンサ構造が構成されている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
一方、パッケージ6には、図3及び図4に示すように、パッケージ収容体7の挿入開口7bを閉鎖するキャップ9が形成されている。パッケージ6がパッケージ収容体7の収容空間8に収容された状態で、パッケージ収容体7の挿入開口7bがキャップ9に閉鎖される構成となっている。パッケージ収容体7の収容空間8は、リードフレーム2〜4の引き回しリード部2a〜4aを覆うコネクタハウジングとなっており、リードフレーム2〜4のコネクタリード部2b〜4bがコネクタ端子となっている。
On the other hand, the
このパッケージ6のキャップ9の固定方法としては、例えばパッケージ収容体7に固定するスナップフィット結合する構造、パッケージ収容体7に圧入固定する構造あるいは熱硬化性の接着剤によりパッケージ収容体7に固定する構造などの各種の固定方法を採用することができる。
As a method for fixing the
(第2の実施の形態の効果)
この第2の実施の形態におけるセンサ構造にあっては、上記第1の実施の形態と同様の効果が得られることに加えて、パッケージ収容体7が収容空間8の分だけ軽量となり、センサ装置1全体の軽量化を達成することが可能となる。
(Effect of the second embodiment)
In the sensor structure according to the second embodiment, in addition to obtaining the same effects as those of the first embodiment, the
[第3の実施の形態]
図5を参照すると、同図には、第3の実施の形態に係るセンサ構造を備えたセンサ装置1が例示されている。なお、図5において、上記第1の実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付すことで、各部材に関する詳細な説明は省略する。
[Third Embodiment]
Referring to FIG. 5, a
図5において、3本のリードフレーム2〜4の搭載面に塗布された接着剤上にICチップ5を搭載している。このICチップ5とリードフレーム2〜4とは、ボンディングワイヤにより電気接続されている。この第3の実施の形態では、ICチップ5の実装方法を除く他の構成は、上記第1の実施の形態と実質的に同様の構成を備えている。
In FIG. 5, the
(第3の実施の形態の効果)
この第3の実施の形態にあっても、上記第1の実施の形態と同様の効果が得られる。
(Effect of the third embodiment)
Even in the third embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
[変形例]
なお、上記各実施の形態に係るセンサ構造を構成するリードフレーム2〜4は、ICチップ5の構成や使用目的などに応じて配置個数、配置位置や配置形態などを適宜に選択すればよく、本発明の初期の目的を達成することができることは勿論である。
[Modification]
The lead frames 2 to 4 constituting the sensor structure according to each of the above embodiments may be appropriately selected in terms of the number of arrangement, the arrangement position, the arrangement form, and the like according to the configuration and purpose of use of the
また、上記各実施の形態に係るセンサ構造を備えたセンサ装置1としては、例えば磁気、静電容量、電流、電圧等の物理的な変化を検出する各種のセンサ装置に適用することができることは勿論である。
In addition, the
以上の説明からも明らかなように、本発明に係る代表的な実施の形態、変形例及び図示例を例示したが、上記実施の形態、変形例及び図示例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。従って、上記実施の形態、変形例及び図示例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。 As is clear from the above description, typical embodiments, modifications, and illustrations according to the present invention have been illustrated. However, the above-described embodiments, modifications, and illustrations show the invention according to the claims. It is not limited. Therefore, it should be noted that not all the combinations of features described in the above-described embodiments, modifications, and illustrated examples are essential to the means for solving the problems of the invention.
1…センサ装置、2〜4…リードフレーム、2a〜4a…引き回しリード部、2b〜4b…コネクタリード部、2c〜4c…段差、5…ICチップ、6…パッケージ、7…パッケージ収容体、7a…接続口、7b…挿入開口、7c…固定孔、8…収容空間、9…キャップ
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記引き回しリード部を封止した第1の樹脂部材から前記コネクタリード部を露出させたパッケージと、
前記パッケージを覆う第2の樹脂部材から前記コネクタリード部の先端部を露出させたパッケージ収容体と、
を備えたことを特徴とするセンサ構造。 A plurality of routing lead portions connected to an IC chip having a circuit for electrically processing an output signal from the sensor element are integrally formed with a connector lead portion connected to the electrical connector so as to be thinner than the connector lead portion. A lead frame;
A package in which the connector lead portion is exposed from the first resin member sealing the routing lead portion;
A package housing body in which a tip portion of the connector lead portion is exposed from a second resin member covering the package;
A sensor structure characterized by comprising:
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018046200A (en) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | アイシン精機株式会社 | Element unit |
JP2018148185A (en) * | 2017-03-09 | 2018-09-20 | テイ・エス テック株式会社 | Light emitting device |
JP2018148186A (en) * | 2017-03-09 | 2018-09-20 | テイ・エス テック株式会社 | Light emitting device |
JP2019220724A (en) * | 2019-10-02 | 2019-12-26 | テイ・エス テック株式会社 | Light-emitting device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000310571A (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Denso Corp | Temperature sensor |
JP2009094189A (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Tokai Rika Co Ltd | Semiconductor package with connector |
JP2009216456A (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Tokai Rika Co Ltd | Current sensor |
JP2009271000A (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Tokai Rika Co Ltd | Current sensor and manufacturing method for current sensor |
JP2010071724A (en) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | Resin molded semiconductor sensor and method of manufacturing the same |
-
2014
- 2014-02-25 JP JP2014033874A patent/JP2015159224A/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000310571A (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Denso Corp | Temperature sensor |
JP2009094189A (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Tokai Rika Co Ltd | Semiconductor package with connector |
JP2009216456A (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Tokai Rika Co Ltd | Current sensor |
JP2009271000A (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Tokai Rika Co Ltd | Current sensor and manufacturing method for current sensor |
JP2010071724A (en) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | Resin molded semiconductor sensor and method of manufacturing the same |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018046200A (en) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | アイシン精機株式会社 | Element unit |
JP2018148185A (en) * | 2017-03-09 | 2018-09-20 | テイ・エス テック株式会社 | Light emitting device |
JP2018148186A (en) * | 2017-03-09 | 2018-09-20 | テイ・エス テック株式会社 | Light emitting device |
JP2019220724A (en) * | 2019-10-02 | 2019-12-26 | テイ・エス テック株式会社 | Light-emitting device |
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