JP2015007580A - Magnetic sensor device - Google Patents
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Abstract
【課題】 MR素子の感磁方向の微小なバイアス磁界を、簡単な方法で精度良く調整可能とする磁気センサ装置を得る。
【解決手段】 磁気成分を有する被検知物の一方の面に面し、前記被検知物に交差する交差磁界を形成する磁石部と、前記磁石部の一方の磁極と前記被検知物との間に設けられ、前記交差磁界内を搬送される前記被検知物の磁気成分による前記交差磁界の搬送方向成分の変化を抵抗値の変化として出力する磁気抵抗効果素子とを備え、前記磁石部は、前記磁気抵抗効果素子に印加される前記交差磁界の搬送方向の成分が所定の大きさとなるように、前記磁気抵抗効果素子に対して搬送方向に相対的に移動可能に配置されている。
【選択図】 図1PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a magnetic sensor device capable of accurately adjusting a minute bias magnetic field in a magnetic sensitive direction of an MR element by a simple method.
A magnet portion that faces one surface of a detected object having a magnetic component and forms a crossing magnetic field that intersects the detected object, and between one magnetic pole of the magnet portion and the detected object. And a magnetoresistive effect element that outputs a change in the transport direction component of the crossing magnetic field due to the magnetic component of the detected object transported in the crossing magnetic field as a change in resistance value, and the magnet unit includes: The crossing magnetic field applied to the magnetoresistive effect element is disposed so as to be movable relative to the magnetoresistive effect element in the transporting direction so that the component in the transporting direction has a predetermined magnitude.
[Selection] Figure 1
Description
磁石が形成する磁場分布内に磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と呼ぶ)を配置し、この磁場中を例えば磁気インクを含んだ紙幣などの磁性体が通過することによる磁場分布の変化をMR素子で検知する磁気センサ装置に関する。 A magnetoresistive effect element (hereinafter referred to as an MR element) is arranged in the magnetic field distribution formed by the magnet, and the change in the magnetic field distribution caused by the passage of a magnetic material such as a banknote containing magnetic ink passes through the magnetic field. The present invention relates to a magnetic sensor device that detects an element.
特開2008−145379号公報(特許文献1参照)には、磁性体等の検出物の移動による微弱な磁束の変化を検出する磁気センサにおいて、線状若しくは略並行に折り返された形状の強磁性体薄膜磁気抵抗素子を少なくとも1個以上配置した基板と、前記強磁性体薄膜磁気抵抗素子にバイアス磁界を加える永久磁石とからなり、前記永久磁石による検出用磁界が同時に付与する前記強磁性体薄膜磁気抵抗素子の感磁方向のバイアス磁界強度が飽和磁界以下の磁束量となるように前記永久磁石の位置を調整して配置したことを特徴とする磁気センサが記載されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-145379 (see Patent Document 1) describes a ferromagnetic sensor that is linearly or substantially folded back in a magnetic sensor that detects a weak magnetic flux change caused by movement of a detection object such as a magnetic material. The ferromagnetic thin film comprising a substrate on which at least one body thin film magnetoresistive element is disposed and a permanent magnet for applying a bias magnetic field to the ferromagnetic thin film magnetoresistive element, and simultaneously providing a magnetic field for detection by the permanent magnet A magnetic sensor is described in which the position of the permanent magnet is adjusted so that the bias magnetic field intensity in the magnetosensitive direction of the magnetoresistive element is equal to or less than the saturation magnetic field.
実開平2−123042号公報(特許文献2参照)には、磁性物体を、センサ周囲磁界の変化を磁電変換素子により取り出して検出する磁気センサであつて、センサ周囲に定磁界を発生させる永久磁石を、センサケースの空室にスライド可能に内装すると共に、このスライドにより永久磁石と上記磁電変換素子の相対位置関係を変化させるスライド調整ネジを設けた磁気センサの検出位置精度調整装置が記載されている。 Japanese Utility Model Laid-Open No. 2-123042 (see Patent Document 2) discloses a permanent magnet that generates a constant magnetic field around a sensor, which is a magnetic sensor that detects a magnetic object by detecting a change in magnetic field around the sensor using a magnetoelectric transducer. Is mounted in a vacant space of the sensor case, and a detection position accuracy adjusting device for a magnetic sensor provided with a slide adjusting screw for changing the relative positional relationship between the permanent magnet and the magnetoelectric transducer by the sliding is described. Yes.
特許文献1では、永久磁石が発生する検出用磁場が同時に発生する磁気抵抗素子へのバイアス磁場を発生し、このバイアス磁場がMR素子の動作のために適切な大きさになるよう、永久磁石の位置を調整することが述べられているが、具体的な調整機構が示されていない課題がある。
In
特許文献2では、検出位置精度調整装置で調整する磁電変換素子と永久磁石との具体的な相対位置関係が示されていない課題がある。
In
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、MR素子の感磁方向の微小なバイアス磁界を、簡単な方法で精度良く調整可能とする磁気センサ装置を得ることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a magnetic sensor device capable of accurately adjusting a minute bias magnetic field in the magnetosensitive direction of an MR element by a simple method. And
この発明に係る磁気センサ装置は、磁気成分を有する被検知物の一方の面に面し、前記被検知物の搬送方向に鉛直な方向に交互に異なる磁極を有し、前記被検知物に交差する交差磁界を形成する磁石部と、前記磁石部の一方の磁極と前記被検知物との間に設けられ、前記交差磁界内を搬送される前記被検知物の磁気成分による前記交差磁界の搬送方向成分の変化を抵抗値の変化として出力する磁気抵抗効果素子とを備え、
前記磁気抵抗効果素子は、前記磁石部の一方の磁極の搬送方向長さ内に設けられ、前記磁石部の一方の磁極の搬送方向長さの中心から搬送方向に偏移して配置され、
前記磁石部は、前記磁気抵抗効果素子に印加される前記交差磁界の搬送方向の成分が所定の大きさとなるように、前記磁気抵抗効果素子に対して搬送方向に相対的に移動可能に配置されているものである。
A magnetic sensor device according to the present invention faces one surface of a detected object having a magnetic component, and has different magnetic poles alternately in a direction perpendicular to the transport direction of the detected object, and intersects the detected object. The crossed magnetic field is conveyed by the magnetic component of the detected object that is provided between the magnet part that forms the crossing magnetic field, the one magnetic pole of the magnet part, and the detected object and is transported in the crossed magnetic field. A magnetoresistive effect element that outputs a change in direction component as a change in resistance value;
The magnetoresistive element is provided within the length of the magnet part in the transport direction of one magnetic pole, and is shifted from the center of the magnet part in the transport direction length of the magnetic pole in the transport direction,
The magnet portion is disposed so as to be movable relative to the magnetoresistive element in the transport direction so that a component in the transport direction of the cross magnetic field applied to the magnetoresistive element has a predetermined magnitude. It is what.
MR素子に対する搬送方向における磁石の相対的な位置を、搬送方向にネジを用いて調整するようにしたので、磁石の位置を簡単に微調整できるため、MR素子に印加される搬送方向のバイアス磁界が簡単な方法で精度良く調整可能となる。 Since the relative position of the magnet in the transport direction with respect to the MR element is adjusted using a screw in the transport direction, the position of the magnet can be easily finely adjusted, so that the bias magnetic field in the transport direction applied to the MR element can be adjusted. Can be adjusted with high accuracy by a simple method.
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1に係る磁気センサ装置の概略構成図である。図1において、1は磁気インクなどの磁気成分を含む紙幣などの被検知物、2は紙幣1の一方の面に面し、紙幣1の搬送方向30に鉛直な方向にN極S極を有した磁場を形成する永久磁石、3は鉄などの磁性材料部品、4は鉄3に載置され、永久磁石2の一方の磁極(図1ではN極)と紙幣1との間に設けられ、磁界の変化を検出するMR素子、5はMR素子の出力信号などを伝送する基板、6はMR素子4及び基板5を保護するカバー、7はケース、8はネジ、9はプランジャーである。なお、MR素子4は、永久磁石2のN極の搬送方向長さ内に設けられ且つN極の搬送方向長さの中心から搬送方向に偏移(オフセット)している。また、図2は、図1の磁気センサ装置の磁力線分布図であり、図2において、10は磁力線である。
1 is a schematic configuration diagram of a magnetic sensor device according to
図3は、この発明の実施の形態1に係る磁気センサ装置を斜めに見た場合の斜視図である。紙幣1は、搬送用ローラー(図示無し)により、カバー6にほぼ接触しながら、矢印30の方向、すなわちカバー6に略並行で、カバー6あるいはケース7の長手方向に略直角の方向に搬送される。この時、紙幣1の磁気インクなどに含まれる磁気成分により、永久磁石2が形成する磁場に変化が生じ、この変化をMR素子4により感知する。
主要な構成部品の配置の順番としては、永久磁石2と被検知物である紙幣1との間にMR素子4が配置されている。
FIG. 3 is a perspective view of the magnetic sensor device according to
As an order of arrangement of main components, the
紙幣1に含まれる磁気成分の情報を高分解能で読み取るために、MR素子4は矢印30とほぼ直角方向(すなわち、カバー6あるいはケース7の長手方向)に小さい間隔で複数個ライン状に配置されており、1個の永久磁石2が発生する磁場の中で複数個のMR素子4が配置されたラインセンサとして動作する。
In order to read the magnetic component information contained in the
永久磁石2は、図1、図2において上下方向に着磁されており、図2に示すように永久磁石2から発せられた磁力線10は磁性材料部品3に入射し、その後空気中に出るが、この時、磁性材料部品3表面において磁力線10は磁性材料部品3表面に垂直に空気中に放射されるという性質がある。したがって、この磁性材料部品3表面付近にMR素子4を配置すれば、MR素子4に印加される磁場は、垂直方向(図1、図2において上下方向)に大きく、水平方向(図1、図2において左右方向)には極僅かな磁場がかかることになる。MR素子4は水平方向に印加すべき磁場は、磁束密度で2mT程度と小さく、上記のような状況はMR素子4について大変好都合である。
The
磁気センサ装置の動作について説明する。図2で、MR素子4が設置された位置において、大きな磁束密度の垂直方向成分12が存在するのと同時に小さい搬送方向成分13も存在している。これはMR素子を中心軸15から少し離れた位置に設置することを考えているからである。このように配置することで、MR素子4が適切に動作するために必要な2mT(ミリテスラ)程度の搬送方向のバイアス磁場をMR素子3に与えることができる。
The operation of the magnetic sensor device will be described. In FIG. 2, at the position where the
このような状態のところへ紙幣1が通過すると、磁場分布が変化する。この時、MR素子4に印加されている磁束ベクトル11の方向がわずかに変化する。この変化は僅かでも、搬送方向成分は割合として大きな変化が発生することになり、MR素子4でこの変化を十分検知できる。
When the
詳細な動作を図2、図4を用いて説明する。図4は、この発明の実施の形態1における磁気センサ装置の検出原理を説明する磁力線ベクトル図である。図2において、磁力線10は、MR素子4が配置されている付近では、搬送経路に交差する交差磁界である鉄3の垂直方向へ向かう成分が主成分となっているが、MR素子4が中心軸15より少しx軸方向に離れているため、図4(a)に示すように、磁力線10の磁束ベクトル11は、垂直方向(z軸方向)から少しだけ搬送方向(x軸方向)に傾いており、この磁界の搬送方向(x軸方向)成分がMR素子4のバイアス磁界として作用している。
Detailed operation will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a magnetic force vector diagram for explaining the detection principle of the magnetic sensor device according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 2, the
紙幣1が近づいてくると、図4(b)に示すように、磁束ベクトル11が紙幣1に吸い寄せられるように紙幣1側に傾くため搬送方向(x軸方向)の磁束ベクトル成分13(Bx)が小さくなり、紙幣1が離れていくと、図4(c)に示すように、磁束ベクトル11が紙幣1に引っ張られるように紙幣1側に傾くため搬送方向(x軸方向)の磁束ベクトル成分13(Bx)が大きくなることにより、x軸方向成分を感磁するMR素子4の抵抗値が変化し、紙幣1を検知することができる。すなわち、紙幣1の通過により、搬送方向(x軸方向)の磁束ベクトル成分13(Bx)が変化するので、x軸方向成分を感磁するMR素子4の抵抗値が変化し、紙幣1を検知することができる。図4(b)、図4(c)において磁束ベクトル11に交差している点線矢印は、図4(a)における磁束ベクトル11の位置を示しているものである。
As the
すなわち、この磁束ベクトル11の変化は紙幣1の通過によりもたらされるものであるから、このような構成にすることにより、紙幣1の通過を検知できることになる。その結果、紙幣1による僅かな磁場の変化を読み取ることが可能な磁気センサ装置を提供できる。
That is, since the change of the
MR素子4に適切な大きさの水平方向磁場(バイアス磁場)を印加するために、MR素子4と永久磁石2の位置関係を調整する必要が有る。そのために、永久磁石2を押すためのネジ8とプランジャー9を組み合わせて使用している。プランジャー9は常に永久磁石2をネジ8に押し付けるように力を加えているので、ネジ8は押し込む方向であっても引き抜く方向であってもいずれの方向に動かしても常に先端が永久磁石2に接触している。
In order to apply a horizontal magnetic field (bias magnetic field) of an appropriate magnitude to the
その結果、ネジ8を回すだけで永久磁石2の位置を紙幣1の搬送方向(矢印30の方向)にほぼ平行な方向に自在に調整可能となる。このとき、ネジ8のネジピッチ選ぶことにより、ネジ8を回転させる角度とネジ8の移動距離の関係を選択できるので、所望の調整精度に合わせてネジピッチを選択すればよい。
As a result, it is possible to freely adjust the position of the
上記のように構成された磁界において、紙幣1がMR素子4近傍を通過すると、前述の通り、MR素子4に印加されている磁束の方向が僅かに変化する。この変化は僅かではあるが、水平方向成分は割合として大きな変化となり、MR素子4にてこの変化を検知することが可能となるため、感度の優れた磁気センサ装置を提供可能となる。
When the
なお、この発明の実施の形態1においては、永久磁石2をネジ8に押し付けるためにプランジャー9を用いたが、これは単にバネ、あるいはこれに相当する弾力性のある部材を使用しても同様の効果が得られる。また、弾力性のある部材に限らず、2個のネジを一組として両側に配置することも有効である。
In the first embodiment of the present invention, the
実施の形態2.
図5は、この発明の実施の形態2に係る磁気センサ装置の概略構成図である。図5に示すような、永久磁石2とMR素子4などの回路部とが分かれた構成の場合でも、この発明の実施の形態1と同様の作用効果が得られる。図5において、20a、20bは永久磁石2をはさむように取り付けられたヨーク、21は永久磁石2を支えるネジ、22はMR素子4やICなどを収納するケース、23は紙幣1などの被検知物が通過するための空隙である。図5において図1と同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a magnetic sensor device according to
図6は、図5の磁気センサ装置の磁力線分布図である。紙幣などの搬送用ローラ(図示無し)は紙幣1を空隙23に押し込むあるいは引き出すように取り付けられており、紙幣1は空隙23を通過する。この発明の実施の形態2における主要な構成部品の配置の順番としては、永久磁石2とMR素子4との間に、被検知物である紙幣1などが配置される。このとき、永久磁石2が発生している磁場を紙幣1が変化させるので、これをMR素子4で検知することができる。この発明の実施の形態2においても、この発明の実施の形態1と同様、本磁気センサ装置はラインセンサとして動作する。
FIG. 6 is a magnetic field distribution diagram of the magnetic sensor device of FIG. A conveyance roller (not shown) such as a banknote is attached so as to push or pull out the
この構成においても、MR素子4に適正な強さの水平方向磁場を印加するために、MR素子4と永久磁石2との位置関係を調整する必要が有る。そのためにこの発明の実施の形態1と同様にネジ8とプランジャー9の組み合わせを利用する。
In this configuration as well, it is necessary to adjust the positional relationship between the
なお、この発明の実施の形態2のように永久磁石2とMR素子4などの回路部とが分かれた構成にして、紙幣1などの被検知物が通過する空隙23を大きくとれば、紙幣1などの被検知物が磁気センサ装置に強く接触することなく通過できる。このことにより、磁気センサ装置の接触部の磨耗が少なく、信頼性が向上する利点がある。
If the
なお、この発明の実施の形態2においては永久磁石2をネジ8に押し付けるためにプランジャー9を用いたが、これは単にバネ、あるいはこれに相当する弾力性のある部材を使用しても同様の効果が得られる。また、弾力性のある部材に限らず、1組のネジを組み合わせることも有効である。
In the second embodiment of the present invention, the
1 紙幣(被検知物)
2 永久磁石
3 鉄(磁性材料部品)
4 MR素子
5 基板
6 カバー
7 ケース
8 ネジ
9 プランジャー
10 磁力線
11、12、13 磁束ベクトル
15 中心線
20a、20b ヨーク
22 ケース
23 空隙
30 搬送方向
1 banknote (object to be detected)
2
4 MR element 5
Claims (12)
前記磁気抵抗効果素子は、前記磁石部の一方の磁極の搬送方向長さ内に設けられ、前記磁石部の一方の磁極の搬送方向長さの中心から搬送方向に偏移して配置され、
前記磁石部は、前記磁気抵抗効果素子に印加される前記交差磁界の搬送方向の成分が所定の大きさとなるように、前記磁気抵抗効果素子に対して搬送方向に相対的に移動可能に配置されている磁気センサ装置。 A magnet unit facing one surface of a detected object having a magnetic component, having magnetic poles alternately different in a direction perpendicular to the transport direction of the detected object, and forming a crossing magnetic field intersecting the detected object; The change in the resistance value is a change in the cross direction magnetic field conveyance direction component due to the magnetic component of the detection object that is provided between one magnetic pole of the magnet unit and the detection object. A magnetoresistive effect element that outputs as
The magnetoresistive element is provided within the length of the magnet part in the transport direction of one magnetic pole, and is shifted from the center of the magnet part in the transport direction length of the magnetic pole in the transport direction,
The magnet portion is disposed so as to be movable relative to the magnetoresistive element in the transport direction so that a component in the transport direction of the cross magnetic field applied to the magnetoresistive element has a predetermined magnitude. Magnetic sensor device.
前記磁気抵抗効果素子は、前記磁石部の一方の磁極の搬送方向長さ内に設けられ、前記磁石部の一方の磁極の搬送方向長さの中心から搬送方向に偏移して配置され、
前記磁石部は、前記磁気抵抗効果素子に印加される前記交差磁界の搬送方向の成分が所定の大きさとなるように、前記磁気抵抗効果素子に対して搬送方向に相対的に移動可能に配置されている磁気センサ装置。 Facing one surface of the detected object having a magnetic component, having different magnetic poles alternately in a direction perpendicular to the transport direction of the detected object, forming a crossing magnetic field intersecting the detected object, the transport direction The crossed magnetic field by the magnetic component of the detected object that is provided between the magnet part extending in a direction orthogonal to the magnetic field, the one magnetic pole of the magnet part, and the detected object and conveyed in the crossed magnetic field A change in the transport direction component is output as a change in resistance value, and includes a plurality of magnetoresistive elements arranged in an array in a direction perpendicular to the transport direction,
The magnetoresistive element is provided within the length of the magnet part in the transport direction of one magnetic pole, and is shifted from the center of the magnet part in the transport direction length of the magnetic pole in the transport direction,
The magnet portion is disposed so as to be movable relative to the magnetoresistive element in the transport direction so that a component in the transport direction of the cross magnetic field applied to the magnetoresistive element has a predetermined magnitude. Magnetic sensor device.
前記磁石部は、前記磁気抵抗効果素子に印加される前記交差磁界の搬送方向の成分が所定の大きさとなるように、前記磁気抵抗効果素子に対して搬送方向に相対的に移動可能に配置されている磁気センサ装置。 A magnet portion facing one surface of the detected object having a magnetic component and having different magnetic poles alternately along the transport direction of the detected object, and facing the other surface of the detected object, the transport direction And a magnetic body that is arranged to face the magnet section and generates a crossing magnetic field that is formed between the magnet section and intersects the detected object, and a side of the magnetic body facing the detected object A magnetoresistive effect having a magnetosensitive effect in the transport direction in which a change in the transport direction component of the magnetic field due to the magnetic component of the detected object transported in the cross magnetic field is output as a change in resistance value. With elements,
The magnet portion is disposed so as to be movable relative to the magnetoresistive element in the transport direction so that a component in the transport direction of the cross magnetic field applied to the magnetoresistive element has a predetermined magnitude. Magnetic sensor device.
前記磁石部は、前記磁気抵抗効果素子に印加される前記交差磁界の搬送方向の成分が所定の大きさとなるように、前記磁気抵抗効果素子に対して搬送方向に相対的に移動可能に配置されている磁気センサ装置。 A magnet portion facing one surface of the detected object having a magnetic component and having different magnetic poles alternately along the transport direction of the detected object, and facing the other surface of the detected object, the transport direction And a magnetic body that is arranged to face the magnet section and generates a crossing magnetic field that is formed between the magnet section and intersects the detected object, and a side of the magnetic body facing the detected object In addition, a change in the transport direction component of the magnetic field due to the magnetic component of the detected object that is mounted in a plurality of arrays in a direction orthogonal to the transport direction and transported in the crossing magnetic field is defined as a change in resistance value. A magnetoresistive element having a magnetosensitive effect in the conveying direction to output,
The magnet portion is disposed so as to be movable relative to the magnetoresistive element in the transport direction so that a component in the transport direction of the cross magnetic field applied to the magnetoresistive element has a predetermined magnitude. Magnetic sensor device.
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