JP2014521225A5

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Info

Publication number: JP2014521225A5
Application number: JP2014520403A
Authority: JP
Filing date: 2012-07-16
Publication date: 2015-09-03
Anticipated expiration: 2032-07-16

Claims

半導体デバイスであって、
チップエッジ近くにボンドパッドを有し、基板上にアセンブルされる半導体チップと、
前記基板であって、前記半導体チップに面する金属層を有し、前記金属層が、コンタクトパッドとして寸法づけられる規則的にピッチが空けられた行及び列を含むアレイにパターン化される、前記基板と、
前記アレイ内のゾーンであって、前記ゾーンが、コンタクトパッドの第１の対と平行の第２の対と、前記第１及び前記第２の対間の空間において、接地電位のための単一のコンタクトパッドと、スティッチパッドとして寸法づけられるパッドの互い違いの対とを含み、各スティッチパッド対が、平行で等しい長さのトレースによりそれぞれの隣接するコンタクトパッド対に接続される、前記ゾーンと、
ボンディングワイヤであって、ボンドパッドの対をスティッチパッドのそれぞれの対に接続するための平行で等しい長さの弧にわたり、そのため、ボンドパッドからコンタクトパッドまでの平行で等しい長さの導電体ラインの差動対を形成する、前記ボンディングワイヤと、
平行で対称的位置の導体ラインの２つの差動対であって、トランスミッタ／レシーバセルを形成する、前記２つの差動対と、
を含む、半導体デバイス。
請求項１に記載のデバイスであって、
前記半導体チップから遠い前記コンタクトパッドの表面に取り付けられるはんだバンプを更に含む、半導体デバイス。
請求項２に記載のデバイスであって、
１つの差動対の導体ラインの１つを形成する導体の合計が、その対の他の導体ラインを形成する導体の合計と５％以内で合致する、半導体デバイス。
請求項３に記載のデバイスであって、
１つの差動対を形成する２つの導体ラインのボンディングワイヤが、それらの全長にわたって互いから１００μｍ間隔以内である、半導体デバイス。
請求項４に記載のデバイスであって、
１つの差動対を形成する２つの導体ラインのボンディングワイヤが、互いに対して５度以内の平行度である、半導体デバイス。
請求項５に記載のデバイスであって、
２つの差動対の間の信号のカップリングが、５ＧＨｚで−４０ｄＢに対応して、電圧の１％に等しいかそれより小さい、半導体デバイス。
請求項１に記載のデバイスであって、
前記基板が、外部コンタクトパッドに面する金属層を有する、半導体デバイス。
請求項１に記載のデバイスであって、
前記基板が、導電性層のめっき又はエッチングによってつくられるパターンを有する、半導体デバイス。
請求項１に記載のデバイスであって、
前記基板上の絶縁性層が、ポリイミド、グラスファイバー強化プラスチック、又はエポキシモールディング化合物を含むグループから選択される、半導体デバイス。
請求項１に記載のデバイスであって、
前記半導体チップから遠い前記コンタクトパッドの表面が、はんだ付け可能であり、ＮｉＰｄＡｕ、銅ＯＳＰ、又は錫又は錫ベースの合金を含むグループから選択される、半導体デバイス。
半導体デバイスであって、
チップエッジ近くにボンドパッドを有し、基板上にアセンブルされる半導体チップと、
前記基板であって、前記半導体チップに面する金属層を有し、前記金属層が、コンタクトパッドとして寸法づけられた規則的にピッチが空けられた行及び列を含むアレイにパターン化される、前記基板と、
前記アレイ内の４つのゾーンであって、各ゾーンが、コンタクトパッドの第１の対と平行の第２の対と、前記第１及び前記第２の対間の空間において、接地電位のための単一のコンタクトパッドと、スティッチパッドとして寸法づけられたパッドの互い違いの対とを含み、各スティッチパッド対が、平行で等しい長さのトレースによりそれぞれの隣接するコンタクトパッド対に接続され、前記ゾーンが、各チップ側部において各々１つのゾーンを備えて前記半導体チップ周囲の辺りに対称的に配置される、前記４つのゾーンと、
各チップ側部における、ボンディングワイヤであって、ボンドパッドの対をスティッチパッドのそれぞれの対に接続するための平行で等しい長さの弧にわたり、そのため、ボンドパッドからコンタクトパッドまでの平行で等しい長さの導体ラインの差動対を形成する、前記ボンディングワイヤと、
平行で対称的位置の導体ラインの２つの差動対であって、前記２つの差動対が、高周波数信号をインテグリティを備えて導通させるためのトランスミッタ／レシーバセルを形成し、４つのセルが、各チップ側部において各々１つのゾーンを備えて前記半導体チップ周囲の辺りに対称的に配置される、前記２つの差動対と、
を含む、半導体デバイス。
請求項１１に記載のデバイスであって、
前記半導体チップから遠い前記コンタクトパッドの表面に取り付けられるはんだバンプを更に含む、半導体デバイス。
請求項１２に記載のデバイスであって、
各セルにおいて、１つの差動対の導体ラインの１つを形成する導体の合計が、その対の他の導体ラインを形成する導体の合計と５％以内で合致する、半導体デバイス。
請求項１３に記載のデバイスであって、
各セルにおいて、１つの差動対を形成する２つの導体ラインのボンディングワイヤが、それらの全長にわたって互いから１００μｍ間隔以内である、半導体デバイス。
請求項１４に記載のデバイスであって、
各セルにおいて、１つの差動対を形成する２つの導体ラインのボンディングワイヤが、互いに対して５度以内の平行度である、半導体デバイス。
請求項１５に記載のデバイスであって、
各セルにおいて、２つの差動対の間の信号のカップリングが、５ＧＨｚで−４０ｄＢに対応して、電圧の１％に等しいかそれより小さい、半導体デバイス。