JP2014509444A - 光起電モジュール内においてシリコンウエハを装着するための新しい導体 - Google Patents

Abstract

本発明は、銅材料と、電気的接続を確立するためにシリコンウエハ（３）の受入表面に装着されるように構成された装着表面（７）と、を有する、導体ワイヤの圧延方向に対して平行な長手方向軸（Ａ）を有する導体（２）に関する。銅材料は、少なくとも９９．５％の純度を有しており、この場合に、粒子は、長手方向軸（Ａ）に対する最大で２０度の角度範囲内において方向付けされた立方体軸の組を有する立方体組織を有し、且つ、これにより、粒子の少なくとも６５％が前記立方体組織を有する。又、本発明は、導体（２）を製造するプロセスと、前記導体（２）及びシリコンウエハを有する光起電モジュールと、にも関する。
【選択図】図１

Description

本発明は、請求項１の特徴付け部分による細長い導体と、請求項１０の特徴付け部分による導体を製造するプロセスと、シリコンウエハに装着された前記導体を有する光起電モジュールと、に関する。

結晶質シリコンの光起電モジュールは、一般に、直列に接続されたいくつかのシリコンウエハ又は太陽電池から構成されている。直列接続は、第１シリコンウエハの前面から次のシリコンウエハの背面に対して実施されており、且つ、以下同様である。シリコンウエハ間の電気的接続は、２本又は３本の銅ストリングワイヤをシリコンウエハのそれぞれの面上においてはんだ付けすることにより、実施される。ストリングが冷却の際に引っ張られるという事実に起因し、はんだ付けプロセスの際に又はその後にスキンシリコンウエハが反るという大きなリスクが存在している。これは、銅よりもシリコンのほうが熱膨張係数が格段に大きいために発生する。反りは、薄く且つもろいシリコンウエハ内の引張応力と関連しており、且つ、この結果、セル破壊が頻繁に生じることになる。又、極めて強力な機械的応力に起因し、ストリングワイヤ直下のウエハのエッジから亀裂が生じる場合もある。

電気的損失を低減するために、シリコンウエハの厚さを低減することが望ましい。更には、従来のすず−鉛はんだを、鉛を含まないすずによって置換することが望ましく、この結果、はんだ付け温度が上昇することになる。これらの要因は、シリコンウエハ内の機械的応力を増大させるように作用する。更には、同時に、現在のウエハサイズ、金属化パターンの設計、及びストリングワイヤの一般的概念を維持するというニーズも存在している。要するに、これは、ストリングワイヤの機械的特性が非常に重要な課題となることを意味しており、その理由は、ストリングワイヤの機械的特性は、はんだ付けプロセスにおいてシリコンウエハ内に生じる機械的応力に対して直接的な影響を有しているためである。

国際公開第２００９／０４９５７２号パンフレットは、プレート形状の太陽電池モジュール内におけるシリコンウエハ用の導体の弾性的設計を有する改善されたケーブル接続を開示している。但し、この設計は、はんだ付けに起因したシリコンウエハの破壊及び亀裂の問題を解決してはいない。

米国特許第７１７３１８８号明細書は、はんだ付けの際の導体の巻付きを防止するために被覆された改善された導体について記述している。

米国特許出願公開第２００９／００１７３２５号明細書は、改善された曲がり易い疲労特性を有する圧延された銅フォイルについて記述しており、これは、立方体組織（ｃｕｂｉｃ ｔｅｘｔｕｒｅ）を有する結晶粒子を伴う銅を結果的にもたらす５ステッププロセスにおいて製造される。但し、これは、高強度製品に使用される材料である。

シリコンウエハにおける破損のリスクを低減することができる改善された銅材料に対するニーズが依然として存在している。

本発明の目的は、導体の銅材料内における応力を極小化してシリコンウエハ上における負荷がウエハを損傷させるほどに十分に大きくなることを防止した改善されたストリングワイヤを提供するという点にある。

この目的は、銅材料が少なくとも９９．５％の純度で存在しており、且つ、粒子が長手方向軸に対して最大で２０度の角度範囲内において方向付けされた立方体軸の組を有する立方体組織を有し、且つ、これにより、粒子の少なくとも６５％が前記立方体組織を有することを特徴とする冒頭に規定された導体によって実現される。

この銅材料の利点は、シリコンウエハ上における負荷が可能な限り小さくなるように、銅ストリングワイヤ内の応力が可能な限り極小化されることを保証するという点にある。この応力レベルは、ストリングワイヤの機械的特性によって決定され、これらの機械的特性は、銅材料の結晶組織及び微構造の適合による制御の影響を受けやすい。

銅の純度は、導体の機械的特性にとって重要である。一実施形態においては、銅材料は、少なくとも９９．９％の純度を有する。

立方体組織内における粒子の向きに加えて、銅材料の大部分が立方体組織を有するという点も重要である。一実施形態においては、粒子の７０〜１００％が立方体組織を有している。

銅材料内における機械的応力を極小化するために、立方体組織内における粒子の向きが重要である。別の実施形態においては、立方体軸の組は、長手方向軸に対して１５度の角度範囲内において方向付けされている。更なる実施形態においては、立方体軸の組は、長手方向軸に対して１０度の角度範囲内において方向付けされている。

銅組織の鋭さ又は強度は、結果的に得られる機械的特性の異方性との関係において重要である。銅シート／ワイヤ内における十分な比率の粒子（結晶）がシート軸との関係において正しく方向付けられることが必要である。この観点における１つの重要な基準が、ストリングワイヤの長手方向軸と銅結晶の立方体軸の間における一致の程度である。立方体軸は、標準的な結晶ミラー指数表記法において、＜１００＞方向と呼ばれている。材料の最適化には、粒子内の＜１００＞方向とシート／ワイヤの長手方向軸の間における高度な一致が必要である。組織強度は、立方体軸指数（ＣＡ（ｃｕｂｅ ａｘｉｓ）指数）によって最良に表され、これは、長手方向軸と＜１００＞の間の角度が１５度未満となるように方向付けされた銅の容積百分率として規定される。一実施形態においては、立方体軸指数は、少なくとも７０％である。比較のために、特定の組織を有していない（即ち、ランダムに方向付けされた）銅材料は、１５％未満のＣＡ指数を有するであろう。

好ましくは、銅材料は、Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ Ｔｏｕｇｈ Ｐｉｔｃｈ銅又はＯｘｙｇｅｎ−Ｆｒｅｅ銅である。

所与のレベルの（熱）歪において、ストリングワイヤ内の応力は、２つの要因、即ち、銅材料の弾性係数（ヤング係数Ｅ）及び降伏応力（Ｒｐ）に左右されることになる。ヤング係数は、結晶組織によってのみ制御され、降伏応力は、組織と微構造（粒子構造）の両方によって左右される。一実施形態においては、銅材料は、５０ＭＰａ未満の降伏応力を有する。

強力な立方体組織は、立方体組織を有していない類似の材料と比較した場合に、ストリングワイヤ内の弾性応力レベルを最大で４５％だけ低減することになる。一実施形態においては、銅材料は、９５ＧＰａを下回るヤング係数を有する。

又、本発明の目的は、
ａ）銅材料を圧延機に配置するステップと、
ｂ）銅材料を２０％〜８０％だけ縮小するように圧延方向に沿って圧延するステップであって、銅製品を形成する、ステップと、
ｃ）銅製品を６００℃未満の温度においてアニーリングするステップと、
ｄ）ステップｂ）及びｃ）を任意選択によって反復するステップと、
ｅ）銅製品を少なくとも８０％だけ縮小するように冷間圧延するステップと、
ｆ）銅製品を２５０℃より高い温度において最終アニーリングするステップと、
をプロセスが有することを特徴とする少なくとも９９．５％の純度の銅材料を有する導体を製造するプロセスによっても実現される。

上述のように、銅材料の特性は、銅材料内の機械的応力を極小化するために重要である。従って、一実施形態においては、プロセスは、好ましくは、少なくとも９９．９％の純度を有する銅材料によって実行される。別の実施形態においては、ステップｂ）及びｃ）の後の銅材料の粒子サイズは、５〜２５μｍである。更なる実施形態においては、銅材料は、Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ Ｔｏｕｇｈ Ｐｉｔｃｈ銅又はＯｘｙｇｅｎ−Ｆｒｅｅ銅である。

上述のプロセスによって得られた銅材料の機械的特性を更に最適化するために、プロセスパラメータのいくつかを変更することができる。別の実施形態においては、ステップｂ）における縮小は、３０〜８０％である。更なる実施形態においては、ステップｃ）における温度は、３００〜４００℃である。更に別の実施形態においては、ステップｄ）における縮小は、９０〜９９％である。一実施形態においては、ステップｆ）における温度は、５００℃より高い。

又、本発明の目的は、上述のプロセスによって製造された導体によっても実現される。

一実施形態においては、導体の装着表面は、すずに基づいたはんだ材料によって被覆される。

本発明は、導体の装着表面及びシリコンウエハの受入表面を加熱してはんだ材料を溶融させ、これにより、加熱された材料の冷却の際に導体とシリコンウエハの間に装着部が形成されることを特徴とする導体をシリコンウエハに装着するプロセスに更に関する。

本発明の一実施形態は、少なくとも１つの導体に装着された少なくとも１つのシリコンウエハを有する光起電モジュールに関する。

以下、様々な実施形態に関する説明を通じて、且つ、添付図面を参照し、本発明について更に詳しく説明することとする。

図１は、導体によって接続された一連のシリコンウエハを有する光起電モジュールの概略図である。 図２は、シリコンウエハの受入表面及び導体の装着表面の概略図である。 図３は、製造プロセスの流れ図である。

図１は、少なくとも１つの導体２に装着された少なくとも１つのシリコンウエハ３を含む光起電モジュール１の一例を示している。通常、光起電モジュール１は、導体２によって互いに接続された一連のシリコンウエハ３を有しており、これにより、１つのシリコンウエハ３は、少なくとも２本の又は少なくとも４本の導体２に装着されている。

図２は、光起電モジュール又は結晶性シリコンの光起電モジュール１内において使用するための改善された導体２を示している。導体２は、銅材料からなる導体コア５と、すずに基づいたはんだ材料６の被覆と、を有する。被覆は、好ましくは、すずに基づいた鉛を含まないはんだ材料６を有するが、その他のはんだ材料６を使用してもよい。

一般に、導体２の導体コア５の全体が被覆６によって被覆される。図２においては、導体２の構造を示すために、導体２の右側部分の導体コア５を露出させている。導体コア５は、矩形断面を有してもよい。この矩形断面により、導体２は、シリコンウエハ３の上部及び／又は下部表面４ａ、４ｂに装着されるように適合された平坦な表面を形成する。

はんだ材料６は、シリコンウエハ３の上部又は下部表面４ａ、４ｂとの接触状態において配置されるように適合された装着表面７を形成している。図１を参照すれば、装着表面７は、第１シリコンウエハ３の上部表面４ａ上の受入表面との（導体２が実線によってマーキングされている）、並びに、隣接する第２シリコンウエハ３の下部表面４ｂ上の受入表面との（導体２が破線によってマーキングされている）、接触状態において配置されるように適合されている。上部表面４ａ及び下部表面４ｂは、第１及び第２シリコンウエハ３の反対側に配置されている。

導体２は、第１シリコンウエハ３の上部表面４ａ上の受入表面との、並びに、隣接する第２シリコンウエハ３の下部表面４ｂ上の受入表面との、接触状態において導体２を配置し、且つ、導体２と共に第１及び第２シリコンウエハ３を加熱し、これにより、はんだ材料６を溶融させることにより、シリコンウエハ３に装着される。これにより、加熱された材料の冷却の際に導体２とシリコンウエハ３の間に装着部が形成される。

はんだ付けの際の熱に起因し、且つ、シリコンウエハ３が壊れやすいため、導体２の導体コア５の材料として、シリコンウエハ３の損傷を防止するものを使用することが重要である。

シリコンウエハ３内の機械的応力を軽減するために、導体コア５の長手方向軸Ａの方向における導体コア５の材料の降伏強度は小さいことが望ましい。このような応力は、シリコンウエハ３の材料と導体２の材料の間の熱伝導率の違いに起因して発生する。

導体コア５は、少なくとも９９．５％の純度を有する銅材料から構成される。純度は、９９．６％、又は９９．７％、又は９９．８％、又は９９．９％であってもよい。銅材料中の不純物の量は、好ましくは、０．５％未満である。

銅材料は、市場において入手可能な任意の銅材料であってよい。好ましくは、銅材料は、Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ Ｔｏｕｇｈ Ｐｉｔｃｈ銅又はＯｘｙｇｅｎ−Ｆｒｅｅ銅である。

機械的特性は、立方体組織を有する粒子の数によって向上する。好ましくは、導体の銅材料内の粒子の少なくとも７０％又は７５％が立方体組織を有する。銅材料は、立方体組織内において、粒子の８０〜１００％、又は８０〜９０％、又は９０〜９９．９％、又は９５〜９９．９％を有してもよい。

導体コア５の長手方向軸Ａは、基本的に導体ワイヤの圧延方向に対して平行である。更には、導体コア５の銅材料は、長手方向軸Ａに対して方向付けされた立方体軸の第１の組と、長手方向軸Ａに対して基本的に垂直に方向付けされた立方体軸のもう１つの組と、を有する立方体組織内において方向付けされた粒子から構成される。軸の第１の組の角度は、長手方向軸Ａを逸脱してもよい。この対称的な逸脱は、好ましくは、長手方向軸Ａとの関係において±３０度未満である。立方体軸の第１の組は、長手方向軸Ａに対して最大で２５度の範囲内において方向付けされてもよい。又、この立方体軸の組は、長手方向軸Ａに対して最大で２０度、又は最大で１５度、又は最大で１０度、又は最大で５度の範囲内において方向付けされてもよい。

わかりやすくするために、本発明の導体２は、銅材料の純度、長手方向軸Ａに対する角度の範囲、及び立方体組織を有する粒子の量のいずれかについて、上述の範囲及びインターバルの任意の組合せを有してもよい。例えば、銅材料は、９９．９５％の純度の銅、長手方向軸Ａに対する最大で１２度の範囲内において方向付けされた立方体軸の組、並びに、上述の範囲及びインターバルに含まれる立方体組織内の粒子の８０〜１００％又は任意のその他の値から構成されてもよい。

導体２のストリングワイヤ内の銅材料の組織の評価は、Ｘ線回折及び電子後方散乱回折（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋ−Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＥＢＳＤ）などの従来技術を使用することによって実施することができる。計測可能な材料の機械的特性は、例えば、降伏応力又は強度並びにヤング係数である。組織の計測値からテーラー因子（Ｔａｙｌｏｒ ｆａｃｔｏｒ）を評価してもよい。

本発明の導体２は、好ましくは、５０ＭＰａ、又は４５ＭＰａ、又は４０ＭＰａ未満の降伏応力を有する銅材料を有する。導体２のストリングワイヤ内の降伏応力は、好ましくは、立方体組織を有していない類似の材料と比較した場合に、少なくとも１０％、又は２０％、又は３０％、又はこれを上回る割合だけ、低減される。ヤング係数は、好ましくは、９５ＧＰａ、又は８０ＧＰａ、又は７０ＧＰａ未満である。

立方体配向も、ストリングワイヤの降伏応力の低減において利点をもたらす。強力な立方体組織は、立方体組織を有していない類似の材料と比較した場合に、２０％、又は４０％、又はこれらを上回る割合だけ、ストリングワイヤ内の降伏応力レベルを低減するであろう。これは、所謂、塑性流のテーラー因子（Ｍ）の観点において規定することできる。Ｍは、立方体組織を有する金属の場合には、立方体組織を有していない金属と比べて小さい。別の実施形態においては、銅材料は、３の、又は２．７５未満の、又は、これよりも小さいテーラー因子を有する。

導体２内に含まれる銅材料は、様々なプロセスを使用することによって製造してもよい。但し、好ましい強力な立方体組織を得るためには、材料及びプロセスパラメータの制御が重要である。

プロセスにおいて使用する銅材料は、好ましくは、少なくとも９９．５％の純度を有する。純度は、少なくとも９９．６％、又は９９．７％、又は９９．８％、又は９９．９％であってもよい。銅材料中の不純物の量は、好ましくは、０．５％未満である。

上述のプロセスにおいて使用する銅材料は、Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ Ｔｏｕｇｈ Ｐｉｔｃｈ銅又はＯｘｙｇｅｎ−Ｆｒｅｅ銅であってよい。

図３は、製造プロセスのフローチャートを示している。このプロセスは、ステップａ）において銅材料を圧延機に配置することによって始まる。次に、ステップｂ）において、銅材料を圧延方向に沿って圧延して銅材料を縮小させることにより、例えば、ストリップ、シート、又は平らなワイヤなどの製品を形成する。この縮小は、２０〜９０％、又は２０〜８０％、又は２０〜７０％、又は３０〜９０％、又は３０〜８０％、又は３０〜７０％であってよい。ステップｂ）における圧延は、低温において、又は高温において、又は最高で１５０℃の中間低温において、好ましくは、１２５℃、又は１００℃、又は７５℃未満の温度において、実行してもよい。ステップｃ）において、銅製品を６００℃、又は５００℃、又は４００℃未満の温度においてアニーリングする。温度は、３００〜４００℃の範囲内であってもよい。一実施形態においては、温度は、３５０℃である。

銅の微構造は、好ましくは、微細な粒子サイズであり、これにより、ステップｂ）及びｃ）の後の粒子サイズは、３０μｍを超過しない。好ましくは、粒子サイズは、２５μｍ、又は２０μｍ、又は１５μｍ未満であるか、或いは、２〜２５μｍ、又は５〜２０μｍ、又は５〜１５μｍ、又は２〜１０μｍである。ステップｂ）及びｃ）は、必要に応じて、一度、二度、又は更なる回数だけ、反復してもよい。

アニーリングステップｃ）には、ステップｅ）において製品を冷間圧延して製品を少なくとも８０％、又は９０％、又は９５％、又は９８％、又は９０〜９９％、又は９５〜９９％、又は９８〜９９％だけ縮小させるステップが後続する。ステップｆ）において、製品の最終アニーリングを実行する。ステップｆ）における温度は、好ましくは、２５０℃、又は４００℃、又は５００℃、又は６００℃より高い。

上述のプロセスによって得られる銅材料内の立方体組織は、立方体軸の第１の組が製品の製造プロセスにおいて使用される銅製品の圧延方向（即ち、長手方向軸Ａ）に対して基本的に方向付けされるように、方向付けされている。立方体軸のその他の組は、銅製品の圧延方向に対して基本的に垂直の方向に方向付けされている。

わかりやすくするために、このプロセスは、銅材料の純度、粒子サイズ、温度、及び縮小のいずれかについて、上述の範囲及びインターバルの任意の組合せによって実施してもよい。例えば、このプロセスは、９９．９％の純度の銅を有する銅材料により、低温の中間レベル（１５０℃未満）における３０〜８０％へのステップｂ）における縮小を伴って、実施してもよく、アニーリングステップｃ）は、３５０℃において実行し、これにより、２６μｍ未満の粒子サイズを結果的に得てもよく、且つ、ステップｄ）における縮小は、９０〜９８％の範囲内であってもよく、且つ、ステップｆ）における温度は、５００℃より高くてもよい。

本明細書において使用されている「基本的に」という用語は、すべて又はほとんどすべて、或いは、すべての９９％、９５％、９０％、８５％、８０％、又は７５％を含む最も広範な意味において解釈されたい。

本発明は、開示されている実施形態に限定されるものではなく、添付の請求項の範囲内において変更及び変形してもよい。

Claims (21)

1. 銅材料から構成された細長い導体（２）であって、導体ワイヤの圧延方向に対して基本的に平行な長手方向軸（Ａ）と、シリコンウエハ（３）と前記導体（２）の間に電気的接続を確立するために前記シリコンウエハ（３）の受入表面に装着されるように構成された装着表面（７）と、を有する導体（２）において、
   前記銅材料は、少なくとも９９．５％の純度において存在しており、且つ、粒子が、前記長手方向軸（Ａ）に対して最大で２０度の角度範囲内において方向付けされた立方体軸の組を有する立方体組織を有し、且つ、これにより、前記粒子の少なくとも６５％が前記立方体組織を有することを特徴とする導体（２）。
2. 請求項１に記載の導体（２）において、前記銅材料は、少なくとも９９．９％の純度を有することを特徴とする導体（２）。
3. 請求項１又は２に記載の導体（２）において、前記粒子の７０〜１００％が前記立方体組織を有することを特徴とする導体（２）。
4. 請求項１乃至３の何れか１項に記載の導体（２）において、前記立方体軸の組は、前記長手方向軸（Ａ）に対して１５度の角度範囲内において方向付けされることを特徴とする導体（２）。
5. 請求項１乃至３の何れか１項に記載の導体（２）において、前記立方体軸の組は、前記長手方向軸（Ａ）に対して１０度の角度範囲内において方向付けされることを特徴とする導体（２）。
6. 請求項１又は５の何れか１項に記載の導体（２）において、立方体軸指数が少なくとも７０％であることを特徴とする導体（２）。
7. 請求項１又は６の何れか１項に記載の導体（２）において、前記銅材料は、Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ Ｔｏｕｇｈ Ｐｉｔｃｈ銅又はＯｘｙｇｅｎ−Ｆｒｅｅ銅であることを特徴とする導体（２）。
8. 請求項１又は７の何れか１項に記載の導体（２）において、前記銅材料は、５０ＭＰａ未満の降伏応力を有することを特徴とする導体（２）。
9. 請求項１又は８の何れか１項に記載の導体（２）において、前記銅材料は、９５ＧＰａ未満のヤング係数を有することを特徴とする導体（２）。
10. 少なくとも９９．５％の純度の銅材料を有する導体（２）を製造するプロセスにおいて、
    ａ）前記銅材料を圧延機に対して配置するステップと、
    ｂ）前記銅材料を２０〜８０％だけ縮小させるように圧延方向に沿って圧延するステップであって、銅製品を形成する、ステップと、
    ｃ）前記銅製品を６００℃未満の温度においてアニーリングするステップと、
    ｄ）前記ステップｂ）及びｃ）を任意選択によって反復するステップと、
    ｅ）前記製品を少なくとも８０％だけ縮小させるように冷間圧延するステップと、
    ｆ）前記銅製品を２５０℃を上回る温度において最終アニーリングするステップと、
    を有することを特徴とするプロセス。
11. 請求項１０に記載のプロセスにおいて、前記銅材料は、少なくとも９９．９％の純度を有することを特徴とするプロセス。
12. 請求項１０及び１１に記載のプロセスにおいて、ステップｂ）及びｃ）の後の前記粒子サイズは、５〜２５μｍであることを特徴とするプロセス。
13. 請求項１０又は１２の何れか１項に記載のプロセスにおいて、前記銅材料は、Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ Ｔｏｕｇｈ Ｐｉｔｃｈ銅又はＯｘｙｇｅｎ−Ｆｒｅｅ銅であることを特徴とするプロセス。
14. 請求項１０又は１３の何れか１項に記載のプロセスにおいて、ステップｂ）における前記縮小は、３０〜８０％であることを特徴とするプロセス。
15. 請求項１０又は１４の何れか１項に記載のプロセスにおいて、ステップｃ）における前記温度は、３００〜４００℃であることを特徴とするプロセス。
16. 請求項１０又は１５の何れか１項に記載のプロセスにおいて、ステップｄ）における前記縮小は、９０〜９９％であることを特徴とするプロセス。
17. 請求項１０又は１６の何れか１項に記載のプロセスにおいて、ステップｆ）における前記温度は、５００℃を上回ることを特徴とするプロセス。
18. 請求項１０乃至１７の何れか１項に記載の前記プロセスによって製造されたことを特徴とする導体（２）。
19. 請求項１乃至９又は１８の何れか１項に記載の導体（２）において、前記装着表面（７）は、すずに基づいたはんだ材料（６）によって被覆されることを特徴とする導体（２）。
20. 請求項１９に記載の前記導体（２）をシリコンウエハ（３）に装着するプロセスにおいて、前記導体（２）の前記装着表面（７）と前記シリコンウエハ（３）の前記受入表面を加熱して前記はんだ材料（６）を溶解させ、これにより、前記加熱された材料の冷却の際に前記導体（２）と前記シリコンウエハ（３）の間に装着部を形成することを特徴とするプロセス。
21. 請求項１９に記載の前記少なくとも１つの導体（２）に装着された少なくとも１つのシリコンウエハ（３）を有することを特徴とする光起電モジュール（１）。

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