JP2014237733A - Polymer compound and organic semiconductor element prepared using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、高分子化合物およびそれを用いた有機半導体素子に関する。 The present invention relates to a polymer compound and an organic semiconductor element using the same.
有機半導体材料を利用した有機トランジスタは、従来の無機半導体材料を利用したトランジスタと比較して、デバイスの軽量化や、製造コストの低下、低温で製造できることが期待されるため、盛んに研究開発が行われている。 Since organic transistors using organic semiconductor materials are expected to be lighter, have lower manufacturing costs and can be manufactured at lower temperatures than conventional transistors using inorganic semiconductor materials, they are actively researched and developed. Has been done.
有機トランジスタの性能の一つである電界効果移動度は、活性層に用いる有機半導体材料の電界効果移動度に大きく依存するため、様々な有機半導体材料を有機トランジスタの活性層に用いることが検討されている。 The field effect mobility, which is one of the performances of organic transistors, largely depends on the field effect mobility of the organic semiconductor material used for the active layer. ing.
有機トランジスタに用いる有機半導体材料として、例えば、下記式で表される高分子化合物が提案されている(特許文献1)。 As an organic semiconductor material used for an organic transistor, for example, a polymer compound represented by the following formula has been proposed (Patent Document 1).
しかしながら、上記の高分子化合物を活性層に用いた有機トランジスタは、電界効果移動度が必ずしも十分ではない。 However, an organic transistor using the above polymer compound for an active layer does not necessarily have sufficient field effect mobility.
そこで、本発明は、電界効果移動度に優れる有機トランジスタの製造に有用な高分子化合物を提供することを目的とする。 Then, an object of this invention is to provide a high molecular compound useful for manufacture of the organic transistor excellent in a field effect mobility.
本発明は、以下の高分子化合物、該高分子化合物の原料となる化合物、並びに、該高分子化合物を含有する有機半導体材料、有機半導体素子および有機トランジスタを提供する。 The present invention provides the following polymer compound, a compound as a raw material of the polymer compound, and an organic semiconductor material, an organic semiconductor element, and an organic transistor containing the polymer compound.
[1] 式(1−1)で表される構造単位および/または式(1−2)で表される構造単位を含む高分子化合物。
AおよびCは、それぞれ独立に、3価の芳香族炭化水素基または3価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Bは、4価の基を表し、この基は置換基を有していてもよい。
Z1およびZ2は、それぞれ独立に、式(Z)で表される基を表す。〕
R1は、水素原子、アルキル基、アリール基または1価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
[2] 前記Aおよび前記Cが、3価の複素環基である、[1]に記載の高分子化合物。
[3] 前記Bが、4価の芳香族炭化水素基または4価の複素環基である、[1]または[2]に記載の高分子化合物。
[4] 前記式(1−1)で表される構造単位が、式(2−1)で表される構造単位であり、前記式(1−2)で表される構造単位が、式(2−2)で表される構造単位である、[1]〜[3]のいずれか一項に記載の高分子化合物。
Z1およびZ2は、前記と同じ意味を表す。
X1およびX2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子またはセレン原子を表す。
Y1およびY2は、それぞれ独立に、窒素原子または−CH=で表される基を表す。
R2、R3、R4およびR5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、1価の複素環基、ハロゲン原子、シリル基、アルケニル基またはアルキニル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
[5] 前記高分子化合物が、共役高分子化合物である、[1]〜[4]のいずれか一項に記載の高分子化合物。
[6] 式(3−1)で表される化合物または式(3−2)で表される化合物。
W1およびW2は、それぞれ独立に、水素原子またはハロゲン原子を表す。
X3およびX4は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子またはセレン原子を表す。
Y3およびY4は、それぞれ独立に、窒素原子または−CH=で表される基を表す。
Z3およびZ4は、それぞれ独立に、式(Z’)で表される基を表す。
R6、R7、R8およびR9は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、1価の複素環基、ハロゲン原子、シリル基、アルケニル基またはアルキニル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
R10は、水素原子、アルキル基、アリール基または1価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
[7] [1]〜[5]のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有する、有機半導体材料。
[8] [7]に記載の有機半導体材料を含有する有機層を備える、有機半導体素子。
[9] ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極および活性層を有し、該活性層に[7]に記載の有機半導体材料を含有する、有機トランジスタ。
[1] A polymer compound comprising a structural unit represented by formula (1-1) and / or a structural unit represented by formula (1-2).
A and C each independently represent a trivalent aromatic hydrocarbon group or a trivalent heterocyclic group, and these groups optionally have a substituent.
B represents a tetravalent group, and this group may have a substituent.
Z 1 and Z 2 each independently represent a group represented by the formula (Z). ]
R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a monovalent heterocyclic group, and these groups may have a substituent. ]
[2] The polymer compound according to [1], wherein A and C are a trivalent heterocyclic group.
[3] The polymer compound according to [1] or [2], wherein B is a tetravalent aromatic hydrocarbon group or a tetravalent heterocyclic group.
[4] The structural unit represented by the formula (1-1) is a structural unit represented by the formula (2-1), and the structural unit represented by the formula (1-2) The polymer compound according to any one of [1] to [3], which is a structural unit represented by 2-2).
Z 1 and Z 2 represent the same meaning as described above.
X 1 and X 2 each independently represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom.
Y 1 and Y 2 each independently represent a nitrogen atom or a group represented by —CH═.
R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, monovalent heterocyclic group, halogen atom, silyl Represents a group, an alkenyl group or an alkynyl group, and these groups optionally have a substituent. ]
[5] The polymer compound according to any one of [1] to [4], wherein the polymer compound is a conjugated polymer compound.
[6] A compound represented by formula (3-1) or a compound represented by formula (3-2).
W 1 and W 2 each independently represents a hydrogen atom or a halogen atom.
X 3 and X 4 each independently represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom.
Y 3 and Y 4 each independently represent a nitrogen atom or a group represented by —CH═.
Z 3 and Z 4 each independently represent a group represented by the formula (Z ′).
R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, monovalent heterocyclic group, halogen atom, silyl Represents a group, an alkenyl group or an alkynyl group, and these groups optionally have a substituent. ]
R 10 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a monovalent heterocyclic group, and these groups optionally have a substituent. ]
[7] An organic semiconductor material containing the polymer compound according to any one of [1] to [5].
[8] An organic semiconductor element comprising an organic layer containing the organic semiconductor material according to [7].
[9] An organic transistor having a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, and an active layer, wherein the active layer contains the organic semiconductor material according to [7].
本発明によれば、電界効果移動度に優れる有機トランジスタの製造に有用な高分子化合物を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the high molecular compound useful for manufacture of the organic transistor excellent in a field effect mobility can be provided.
以下、必要に応じて図面を参照することにより、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as necessary. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.
<高分子化合物>
(第1構造単位)
本発明の高分子化合物は、式(1−1)で表される構造単位および/または式(1−2)で表される構造単位(以下、「第1構造単位」ということがある。)を含む高分子化合物である。第1構造単位は、高分子化合物中に一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。本実施形態の高分子化合物は、共役高分子化合物であることが好ましい。
<Polymer compound>
(First structural unit)
The polymer compound of the present invention has a structural unit represented by formula (1-1) and / or a structural unit represented by formula (1-2) (hereinafter sometimes referred to as “first structural unit”). It is a high molecular compound containing. The first structural unit may be contained alone or in combination of two or more in the polymer compound. The polymer compound of this embodiment is preferably a conjugated polymer compound.
AおよびCは、それぞれ独立に、3価の芳香族炭化水素基または3価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Bは、4価の基を表し、この基は置換基を有していてもよい。
Z1およびZ2は、それぞれ独立に、式(Z)で表される基を表す。式(Z)で表される基は、左右反転していてもよい。〕
A and C each independently represent a trivalent aromatic hydrocarbon group or a trivalent heterocyclic group, and these groups optionally have a substituent.
B represents a tetravalent group, and this group may have a substituent.
Z 1 and Z 2 each independently represent a group represented by the formula (Z). The group represented by the formula (Z) may be reversed left and right. ]
R1は、水素原子、アルキル基、アリール基または1価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a monovalent heterocyclic group, and these groups may have a substituent. ]
AおよびCで表される3価の芳香族炭化水素基とは、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子3個を除いた残りの原子団である。芳香族炭化水素の炭素原子数は通常6〜60であり、好ましくは6〜20である。なお、3価の芳香族炭化水素基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
芳香族炭化水素としては、ベンゼン、ベンゼンを含む炭化水素縮合環化合物、ベンゼンおよびベンゼンを含む炭化水素縮合環化合物からなる群から選ばれる2個以上が直接結合した化合物が含まれる。
3価の芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、1価の複素環基、ハロゲン原子、アルケニル基またはアルキニル基が挙げられる。
The trivalent aromatic hydrocarbon group represented by A and C is the remaining atomic group obtained by removing three hydrogen atoms directly bonded to the carbon atoms constituting the ring from the aromatic hydrocarbon. The number of carbon atoms of the aromatic hydrocarbon is usually 6 to 60, preferably 6 to 20. The carbon number of the trivalent aromatic hydrocarbon group does not include the carbon number of the substituent.
The aromatic hydrocarbon includes a compound in which two or more selected from the group consisting of benzene, a hydrocarbon condensed ring compound containing benzene, and a hydrocarbon condensed ring compound containing benzene and benzene are directly bonded.
The trivalent aromatic hydrocarbon group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group, a monovalent heterocyclic group, a halogen atom, An alkenyl group or an alkynyl group is mentioned.
3価の芳香族炭化水素基としては、例えば、式(101)〜(113)で表される基が例示され、これらの基は置換基を有していてもよい。 Examples of the trivalent aromatic hydrocarbon group include groups represented by formulas (101) to (113), and these groups may have a substituent.
AおよびCで表される3価の複素環基とは、複素環式化合物から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子3個を除いた残りの原子団である。複素環式化合物の炭素原子数は通常2〜30であり、好ましくは3〜20である。なお、3価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。3価の複素環基は、3価の芳香族複素環基であることが好ましい。
複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。
複素環式化合物としては、単環の複素環式化合物、複素環式化合物を含む縮合環化合物、単環の複素環式化合物および複素環式化合物を含む縮合環化合物からなる群から選ばれる2個以上が直接結合した化合物が含まれる。
3価の複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、アルケニル基またはアルキニル基が挙げられる。
The trivalent heterocyclic group represented by A and C is a remaining atomic group obtained by removing three hydrogen atoms directly bonded to carbon atoms constituting a ring from a heterocyclic compound. The number of carbon atoms of the heterocyclic compound is usually 2-30, preferably 3-20. The number of carbon atoms in the trivalent heterocyclic group does not include the number of carbon atoms in the substituent. The trivalent heterocyclic group is preferably a trivalent aromatic heterocyclic group.
A heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure, and the elements constituting the ring are not only carbon atoms, but also oxygen atoms, sulfur atoms, selenium atoms, nitrogen atoms, phosphorus atoms, boron atoms, arsenic atoms, etc. In the ring.
The heterocyclic compound is selected from the group consisting of a monocyclic heterocyclic compound, a condensed ring compound containing a heterocyclic compound, a monocyclic heterocyclic compound and a condensed ring compound containing a heterocyclic compound. The compounds in which the above are directly bonded are included.
The trivalent heterocyclic group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, a halogen atom, an alkenyl group, and an alkynyl group. Can be mentioned.
3価の複素環基としては、例えば、式(201)〜(224)で表される基が例示され、これらの基は置換基を有していてもよい。 Examples of the trivalent heterocyclic group include groups represented by formulas (201) to (224), and these groups may have a substituent.
本実施形態の高分子化合物を用いて製造される有機トランジスタの電界効果移動度がより優れるため、AおよびCは、3価の複素環基であることが好ましく、式(201)〜式(224)で表される2価の複素環基であることがより好ましく、式(206)〜式(214)で表される2価の複素環基であることがさらに好ましく、式(207)で表される2価の複素環基であることが特に好ましい。 Since the field effect mobility of the organic transistor produced using the polymer compound of the present embodiment is more excellent, A and C are preferably trivalent heterocyclic groups, and are represented by formulas (201) to (224). Is more preferably a divalent heterocyclic group represented by formula (206) to formula (214), more preferably a formula (207). The divalent heterocyclic group is particularly preferable.
Bで表される4価の基としては、4価の芳香族炭化水素基、4価の複素環基または式(B’)で表される基が挙げられる。 Examples of the tetravalent group represented by B include a tetravalent aromatic hydrocarbon group, a tetravalent heterocyclic group, and a group represented by the formula (B ′).
Bで表される4価の芳香族炭化水素基とは、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子4個を除いた残りの原子団である。芳香族炭化水素の炭素原子数は通常6〜60であり、好ましくは6〜20である。なお、4価の芳香族炭化水素基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
芳香族炭化水素としては、ベンゼン、ベンゼンを含む炭化水素縮合環化合物、ベンゼンおよびベンゼンを含む炭化水素縮合環化合物からなる群から選ばれる2個以上が直接結合した化合物が含まれる。
4価の芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、1価の複素環基、ハロゲン原子、アルケニル基またはアルキニル基が挙げられる。
The tetravalent aromatic hydrocarbon group represented by B is the remaining atomic group obtained by removing four hydrogen atoms directly bonded to the carbon atoms constituting the ring from the aromatic hydrocarbon. The number of carbon atoms of the aromatic hydrocarbon is usually 6 to 60, preferably 6 to 20. The carbon number of the tetravalent aromatic hydrocarbon group does not include the carbon number of the substituent.
The aromatic hydrocarbon includes a compound in which two or more selected from the group consisting of benzene, a hydrocarbon condensed ring compound containing benzene, and a hydrocarbon condensed ring compound containing benzene and benzene are directly bonded.
The tetravalent aromatic hydrocarbon group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group, a monovalent heterocyclic group, a halogen atom, An alkenyl group or an alkynyl group is mentioned.
4価の芳香族炭化水素基としては、例えば、式(301)〜(306)で表される基が例示され、これらの基は置換基を有していてもよい。 Examples of the tetravalent aromatic hydrocarbon group include groups represented by formulas (301) to (306), and these groups may have a substituent.
Bで表される4価の複素環基とは、複素環式化合物から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子4個を除いた残りの原子団である。複素環式化合物の炭素原子数は通常2〜30であり、好ましくは3〜20である。なお、4価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。4価の複素環基は、4価の芳香族複素環基であることが好ましい。
複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。
複素環式化合物としては、単環の複素環式化合物、複素環式化合物を含む縮合環化合物、単環の複素環式化合物および複素環式化合物を含む縮合環化合物からなる群から選ばれる2個以上が直接結合した化合物が含まれる。
4価の複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、アルケニル基またはアルキニル基が挙げられる。
The tetravalent heterocyclic group represented by B is the remaining atomic group obtained by removing four hydrogen atoms directly bonded to the carbon atoms constituting the ring from the heterocyclic compound. The number of carbon atoms of the heterocyclic compound is usually 2-30, preferably 3-20. Note that the number of carbon atoms in the tetravalent heterocyclic group does not include the number of carbon atoms in the substituent. The tetravalent heterocyclic group is preferably a tetravalent aromatic heterocyclic group.
A heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure, and the elements constituting the ring are not only carbon atoms, but also oxygen atoms, sulfur atoms, selenium atoms, nitrogen atoms, phosphorus atoms, boron atoms, arsenic atoms, etc. In the ring.
The heterocyclic compound is selected from the group consisting of a monocyclic heterocyclic compound, a condensed ring compound containing a heterocyclic compound, a monocyclic heterocyclic compound and a condensed ring compound containing a heterocyclic compound. The compounds in which the above are directly bonded are included.
The tetravalent heterocyclic group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, a halogen atom, an alkenyl group, and an alkynyl group. Can be mentioned.
4価の複素環基としては、例えば、式(401)〜(417)で表される基が例示され、これらの基は置換基を有していてもよい。 Examples of the tetravalent heterocyclic group include groups represented by formulas (401) to (417), and these groups may have a substituent.
本実施形態の高分子化合物を用いて製造される有機トランジスタの電界効果移動度がより優れるため、Bは、4価の芳香族炭化水素基または4価の複素環基であることが好ましく、4価の芳香族炭化水素基であることがより好ましく、式(301)〜式(306)で表される4価の芳香族炭化水素基であることがさらに好ましく、式(301)または式(302)で表される4価の芳香族炭化水素基であることが特に好ましく、式(301)で表される4価の芳香族炭化水素基であることがとりわけ好ましい。 B is preferably a tetravalent aromatic hydrocarbon group or a tetravalent heterocyclic group because the field effect mobility of the organic transistor produced using the polymer compound of this embodiment is more excellent. It is more preferably a valent aromatic hydrocarbon group, further preferably a tetravalent aromatic hydrocarbon group represented by the formula (301) to the formula (306), and the formula (301) or the formula (302). And a tetravalent aromatic hydrocarbon group represented by the formula (301) is particularly preferred.
Z1およびZ2は、それぞれ独立に、式(Z)で表される基を表す。式(Z)で表される基は、左右反転していてもよい。 Z 1 and Z 2 each independently represent a group represented by the formula (Z). The group represented by the formula (Z) may be reversed left and right.
式(Z)におけるR1は、本実施形態の高分子化合物を用いて製造される有機トランジスタの電界効果移動度がより優れるため、アルキル基であることが好ましい。
また、式(Z)におけるR1は、本実施形態の高分子化合物の溶媒に対する溶解性が優れるため、炭素原子数が8以上のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数が16以上のアルキル基であることがより好ましく、炭素原子数が16以上の分岐型アルキル基であることがさらに好ましい。
R 1 in Formula (Z) is preferably an alkyl group because the organic transistor produced using the polymer compound of the present embodiment has better field effect mobility.
In addition, R 1 in the formula (Z) is preferably an alkyl group having 8 or more carbon atoms and an alkyl group having 16 or more carbon atoms because the polymer compound of the present embodiment has excellent solubility in a solvent. The group is more preferably a branched alkyl group having 16 or more carbon atoms.
本実施形態の高分子化合物を用いて製造される有機トランジスタの電界効果移動度がより優れるため、式(1−1)で表される構造単位は、式(2−1)で表される構造単位であることが好ましく、式(1−2)で表される構造単位は、式(2−2)で表される構造単位であることが好ましい。 Since the field effect mobility of the organic transistor produced using the polymer compound of the present embodiment is more excellent, the structural unit represented by the formula (1-1) is a structure represented by the formula (2-1). It is preferable that it is a unit, and it is preferable that the structural unit represented by Formula (1-2) is a structural unit represented by Formula (2-2).
Z1およびZ2は、前記と同じ意味を表す。
X1およびX2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子またはセレン原子を表す。
Y1およびY2は、それぞれ独立に、窒素原子または−CH=で表される基を表す。
R2、R3、R4およびR5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、1価の複素環基、ハロゲン原子、シリル基、アルケニル基またはアルキニル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
Z 1 and Z 2 represent the same meaning as described above.
X 1 and X 2 each independently represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom.
Y 1 and Y 2 each independently represent a nitrogen atom or a group represented by —CH═.
R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, monovalent heterocyclic group, halogen atom, silyl Represents a group, an alkenyl group or an alkynyl group, and these groups optionally have a substituent. ]
本実施形態の高分子化合物の合成が容易となるため、X1およびX2は、酸素原子または硫黄原子であることが好ましく、硫黄原子であることがより好ましい。 X 1 and X 2 are preferably an oxygen atom or a sulfur atom, and more preferably a sulfur atom, in order to facilitate the synthesis of the polymer compound of the present embodiment.
本実施形態の高分子化合物の合成が容易となるため、Y1およびY2は、−CH=であることが好ましい。また、本実施形態の高分子化合物の大気安定性が高くなるため、窒素原子であることが好ましい。 In order to facilitate the synthesis of the polymer compound of the present embodiment, Y 1 and Y 2 are preferably —CH═. Moreover, since the atmospheric stability of the polymer compound of this embodiment becomes high, it is preferable that it is a nitrogen atom.
本明細書において、アルキル基は、直鎖アルキル基、分岐アルキル基のいずれでもよく、シクロアルキル基であってもよい。直鎖アルキル基の炭素原子数は、通常1〜30であり、分岐アルキル基およびシクロアルキル基の炭素原子数は、通常3〜30である。なお、アルキル基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−ヘキサデシル基等の直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、2−エチルヘキシル基、3,7−ジメチルオクチル基、2−ヘキシルデシル基、2−オクチルドデシル基、2−デシルテトラデシル基等の分岐アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。
アルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子が挙げられる。置換基を有しているアルキル基としては、例えば、メトキシエチル基、ベンジル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロヘキシル基が挙げられる。
In the present specification, the alkyl group may be a linear alkyl group or a branched alkyl group, and may be a cycloalkyl group. The number of carbon atoms in the linear alkyl group is usually 1-30, and the number of carbon atoms in the branched alkyl group and cycloalkyl group is usually 3-30. The number of carbon atoms in the alkyl group does not include the number of carbon atoms in the substituent.
Examples of the alkyl group include linear alkyl groups such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-dodecyl group and n-hexadecyl group, isopropyl Group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, 2-ethylhexyl group, 3,7-dimethyloctyl group, 2-hexyldecyl group, 2-octyldodecyl group, 2-decyltetradecyl group, etc. Cycloalkyl groups such as a group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.
The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group, an aryl group, and a halogen atom. Examples of the alkyl group having a substituent include a methoxyethyl group, a benzyl group, a trifluoromethyl group, and a perfluorohexyl group.
本明細書において、アルコキシ基は、直鎖アルコキシ基、分岐アルコキシ基のいずれでもよく、シクロアルコキシ基であってもよい。直鎖アルコキシ基の炭素原子数は、通常1〜30であり、分岐アルコキシ基およびシクロアルコキシ基の炭素原子数は、通常3〜30である。なお、アルコキシ基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、n−ブチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、n−ヘキサデシルオキシ基等の直鎖アルコキシ基、イソプロピルオキシ基、イソブチルオキシ基、sec−ブチルオキシ基、tert−ブチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、2−ヘキシルデシルオキシ基、2−オクチルドデシルオキシ基、2−デシルテトラデシルオキシ基等の分岐アルコキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等のシクロアルコキシ基が挙げられる。
アルコキシ基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子が挙げられる。
In the present specification, the alkoxy group may be either a linear alkoxy group or a branched alkoxy group, and may be a cycloalkoxy group. The straight-chain alkoxy group usually has 1 to 30 carbon atoms, and the branched alkoxy group and cycloalkoxy group usually have 3 to 30 carbon atoms. The number of carbon atoms of the alkoxy group does not include the number of carbon atoms of the substituent.
Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propyloxy group, an n-butyloxy group, an n-hexyloxy group, an n-octyloxy group, an n-dodecyloxy group, and an n-hexadecyloxy group. Linear alkoxy group, isopropyloxy group, isobutyloxy group, sec-butyloxy group, tert-butyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, 2-hexyldecyloxy group, 2-octyldodecyloxy group Groups, branched alkoxy groups such as 2-decyltetradecyloxy group, and cycloalkoxy groups such as cyclopentyloxy group and cyclohexyloxy group.
The alkoxy group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group, an aryl group, and a halogen atom.
本明細書において、アルキルチオ基は、直鎖アルキルチオ基、分岐アルキルチオ基のいずれでもよく、シクロアルキルチオ基であってもよい。直鎖アルキルチオ基の炭素原子数は、通常1〜30であり、分岐アルキルチオ基およびシクロアルキルチオ基の炭素原子数は、通常3〜30である。なお、アルキルチオ基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。
アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、n−ヘキシルチオ基、n−オクチルチオ基、n−ドデシルチオ基、n−ヘキサデシルチオ基等の直鎖アルキルチオ基、イソプロピルチオ基、イソブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、2−ヘキシルデシルチオ基、2−オクチルドデシルチオ基、2−デシルテトラデシルチオ基等の分岐アルキルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等のシクロアルキルチオ基が挙げられる。
アルキルチオ基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。
In this specification, the alkylthio group may be either a linear alkylthio group or a branched alkylthio group, or a cycloalkylthio group. The straight-chain alkylthio group usually has 1 to 30 carbon atoms, and the branched alkylthio group and cycloalkylthio group usually have 3 to 30 carbon atoms. The number of carbon atoms of the alkylthio group does not include the number of carbon atoms of the substituent.
Examples of the alkylthio group include a straight chain alkylthio group such as methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, n-butylthio group, n-hexylthio group, n-octylthio group, n-dodecylthio group, n-hexadecylthio group, isopropyl Thio group, isobutylthio group, sec-butylthio group, tert-butylthio group, 2-ethylhexylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, 2-hexyldecylthio group, 2-octyldodecylthio group, 2-decyltetra Examples thereof include a branched alkylthio group such as a decylthio group, a cycloalkylthio group such as a cyclopentylthio group, and a cyclohexylthio group.
The alkylthio group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group, an aryl group, and a halogen atom.
本明細書において、アリール基は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子1個を除いた残りの原子団である。芳香族炭化水素の炭素原子数は、通常6〜60であり、好ましくは6〜20である。なお、芳香族炭化水素基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
芳香族炭化水素としては、ベンゼン、ベンゼンを含む炭化水素縮合環化合物、ベンゼンおよびベンゼンを含む炭化水素縮合環化合物からなる群から選ばれる2個以上が直接結合した化合物が含まれる。
アリール基としては、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−フルオレニル基、3−フルオレニル基、4−フルオレニル基、4−フェニルフェニル基が挙げられる。
アリール基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、1価の複素環基、ハロゲン原子、アルケニル基、アルキニル基が例示され、アルキル基が好ましい。
In the present specification, an aryl group is a remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom directly bonded to a carbon atom constituting a ring from an aromatic hydrocarbon. The number of carbon atoms of the aromatic hydrocarbon is usually 6 to 60, preferably 6 to 20. The carbon number of the aromatic hydrocarbon group does not include the carbon number of the substituent.
The aromatic hydrocarbon includes a compound in which two or more selected from the group consisting of benzene, a hydrocarbon condensed ring compound containing benzene, and a hydrocarbon condensed ring compound containing benzene and benzene are directly bonded.
As the aryl group, for example, phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, Examples include 2-fluorenyl group, 3-fluorenyl group, 4-fluorenyl group, and 4-phenylphenyl group.
The aryl group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group, a monovalent heterocyclic group, a halogen atom, an alkenyl group, and an alkynyl group. Illustrative are alkyl groups.
本明細書において、アリールオキシ基の炭素原子数は、通常6〜60であり、好ましくは6〜20である。なお、アリールオキシ基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。
アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基が挙げられる。
アリールオキシ基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。
In this specification, the carbon atom number of an aryloxy group is 6-60 normally, Preferably it is 6-20. The number of carbon atoms of the aryloxy group does not include the number of carbon atoms of the substituent.
Examples of the aryloxy group include a phenoxy group, a 1-naphthyloxy group, and a 2-naphthyloxy group.
The aryloxy group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, and a halogen atom.
本明細書において、アリールチオ基の炭素原子数は、通常6〜60であり、好ましくは6〜20である。なお、アリールチオ基の炭素原子数には、置換基の炭素数は含まれない。
アリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、2−ナフチルチオ基が挙げられる。
アリールチオ基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。
In this specification, the carbon atom number of an arylthio group is 6-60 normally, Preferably it is 6-20. The number of carbon atoms of the arylthio group does not include the number of carbon atoms of the substituent.
Examples of the arylthio group include a phenylthio group, a 1-naphthylthio group, and a 2-naphthylthio group.
The arylthio group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, and a halogen atom.
本明細書において、1価の複素環基とは、複素環式化合物から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子1個を除いた残りの原子団である。複素環式化合物の炭素原子数は通常2〜30であり、好ましくは3〜20である。なお、1価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。1価の複素環基は、1価の芳香族複素環基であることが好ましい。
複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。
複素環式化合物としては、単環の複素環式化合物、複素環式化合物を含む縮合環化合物、単環の複素環式化合物および複素環式化合物を含む縮合環化合物からなる群から選ばれる2個以上が直接結合した化合物が含まれる。
1価の複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、アルケニル基またはアルキニル基が例示され、アルキル基が好ましい。
1価の複素環基としては、例えば、2−フリル基、3−フリル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、2−オキサゾリル基、2−チアゾリル基、2−イミダゾリル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基、2−ベンゾフリル基、2−ベンゾチエニル基、2−チエノチエニル基、4−(2,1,3−ベンゾチアジアゾリル)基が挙げられる。
In this specification, the monovalent heterocyclic group is a remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom directly bonded to a carbon atom constituting a ring from a heterocyclic compound. The number of carbon atoms of the heterocyclic compound is usually 2-30, preferably 3-20. The number of carbon atoms in the monovalent heterocyclic group does not include the number of carbon atoms in the substituent. The monovalent heterocyclic group is preferably a monovalent aromatic heterocyclic group.
A heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure, and the elements constituting the ring are not only carbon atoms, but also oxygen atoms, sulfur atoms, selenium atoms, nitrogen atoms, phosphorus atoms, boron atoms, arsenic atoms, etc. In the ring.
The heterocyclic compound is selected from the group consisting of a monocyclic heterocyclic compound, a condensed ring compound containing a heterocyclic compound, a monocyclic heterocyclic compound and a condensed ring compound containing a heterocyclic compound. The compounds in which the above are directly bonded are included.
The monovalent heterocyclic group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, a halogen atom, an alkenyl group, and an alkynyl group. Illustrative are alkyl groups.
Examples of the monovalent heterocyclic group include a 2-furyl group, a 3-furyl group, a 2-thienyl group, a 3-thienyl group, a 2-pyrrolyl group, a 3-pyrrolyl group, a 2-oxazolyl group, and a 2-thiazolyl group. 2-imidazolyl group, 2-pyridyl group, 3-pyridyl group, 4-pyridyl group, 2-benzofuryl group, 2-benzothienyl group, 2-thienothienyl group, 4- (2,1,3-benzothiadiazolyl) ) Group.
本明細書において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。 In the present specification, examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
本明細書において、シリル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アリール基が挙げられる。
置換基を有しているシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、フェニルシリル基、トリフェニルシリル基が挙げられる。
In the present specification, the silyl group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group and an aryl group.
Examples of the silyl group having a substituent include a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a triisopropylsilyl group, a tert-butyldimethylsilyl group, a phenylsilyl group, and a triphenylsilyl group.
本明細書において、アルケニル基は、直鎖アルケニル基、分岐アルケニル基のいずれでもよく、シクロアルケニル基であってもよい。直鎖アルケニル基の炭素原子数は、通常2〜30であり、分岐アルケニル基およびシクロアルケニル基の炭素原子数は、通常3〜30である。なお、アルケニル基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。
アルケニル基としては、例えば、ビニル基、1−プロペニル基、2−プロペニル基、1−ヘキセニル基、1−ドデセニル基、1−ヘキサデセニル基、1−シクロヘキセニル基が挙げられる。
アルケニル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アリール基、ハロゲン原子、シリル基が挙げられる。
In the present specification, the alkenyl group may be either a linear alkenyl group or a branched alkenyl group, or a cycloalkenyl group. The straight-chain alkenyl group usually has 2 to 30 carbon atoms, and the branched alkenyl group and the cycloalkenyl group usually have 3 to 30 carbon atoms. The number of carbon atoms in the alkenyl group does not include the number of carbon atoms in the substituent.
Examples of the alkenyl group include a vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, 1-hexenyl group, 1-dodecenyl group, 1-hexadecenyl group, and 1-cyclohexenyl group.
The alkenyl group may have a substituent, and examples of the substituent include an aryl group, a halogen atom, and a silyl group.
本明細書において、アルキニル基は、直鎖アルキニル基、分岐アルキニル基のいずれでもよい。直鎖アルキニル基の炭素原子数は、通常2〜30であり、分岐アルキニル基の炭素原子数は、通常3〜30である。なお、アルキニル基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。
アルキニル基としては、例えば、エチニル基、1−プロピニル基、1−ヘキシニル基、1−ドデシニル基、1−ヘキサデシニル基が挙げられる。
アルキニル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アリール基、ハロゲン原子、シリル基が挙げられる。
In the present specification, the alkynyl group may be a linear alkynyl group or a branched alkynyl group. The straight-chain alkynyl group usually has 2 to 30 carbon atoms, and the branched alkynyl group usually has 3 to 30 carbon atoms. The number of carbon atoms in the alkynyl group does not include the number of carbon atoms in the substituent.
Examples of the alkynyl group include ethynyl group, 1-propynyl group, 1-hexynyl group, 1-dodecynyl group, and 1-hexadecynyl group.
The alkynyl group may have a substituent, and examples of the substituent include an aryl group, a halogen atom, and a silyl group.
本実施形態の高分子化合物の合成が容易となるため、R2、R3、R4およびR5は、水素原子であることが好ましい。また、本実施形態の高分子化合物の溶媒に対する溶解性が優れるため、R2、R3、R4およびR5は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルケニル基またはアルキニル基であることが好ましい。また、本実施形態の高分子化合物の大気安定性が高くなるため、R2、R3、R4およびR5は、フッ素原子であることが好ましい。 In order to facilitate the synthesis of the polymer compound of the present embodiment, R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are preferably hydrogen atoms. Furthermore, the solubility is excellent in the solvent of the polymer compound of this embodiment, R 2, R 3, R 4 and R 5 are alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, preferably an alkenyl or alkynyl group . Further, since the air stability of the polymer compound of this embodiment is high, R 2, R 3, R 4 and R 5 is preferably a fluorine atom.
式(1−1)で表される構造単位としては、例えば、式(1101)〜式(1120)で表される構造単位が挙げられ、これらの構造単位は置換基を有していてもよい。本実施形態の高分子化合物を用いて製造される有機トランジスタの電界効果移動度がより優れるため、式(1−1)で表される構造単位は、式(1101)〜式(1112)で表される構造単位であることが好ましく、式(1101)または式(1102)で表される構造単位であることがより好ましく、式(1101)で表される構造単位であることがさらに好ましい。 Examples of the structural unit represented by formula (1-1) include structural units represented by formula (1101) to formula (1120), and these structural units may have a substituent. . Since the field effect mobility of the organic transistor manufactured using the polymer compound of this embodiment is more excellent, the structural unit represented by Formula (1-1) is represented by Formula (1101) to Formula (1112). The structural unit is preferably a structural unit represented by formula (1101) or formula (1102), and more preferably a structural unit represented by formula (1101).
式(1−2)で表される構造単位としては、例えば、式(1201)〜式(1220)で表される構造単位が挙げられ、これらの構造単位は置換基を有していてもよい。本実施形態の高分子化合物を用いて製造される有機トランジスタの電界効果移動度がより優れるため、式(1−2)で表される構造単位は、式(1201)〜式(1212)で表される構造単位であることが好ましく、式(1201)または式(1202)で表される構造単位であることがより好ましく、式(1201)で表される構造単位であることがさらに好ましい。 Examples of the structural unit represented by Formula (1-2) include structural units represented by Formula (1201) to Formula (1220), and these structural units may have a substituent. . Since the field effect mobility of the organic transistor produced using the polymer compound of the present embodiment is more excellent, the structural unit represented by the formula (1-2) is represented by the formula (1201) to the formula (1212). The structural unit is preferably a structural unit represented by formula (1201) or formula (1202), and more preferably a structural unit represented by formula (1201).
(第2構造単位)
本実施形態の高分子化合物は、式(1−1)で表される構造単位および/または式(1−2)で表される構造単位のほかに、さらに式(4)で表される構造単位(以下、「第2構造単位」ということがある。)を含んでいることが好ましい。
(Second structural unit)
In addition to the structural unit represented by the formula (1-1) and / or the structural unit represented by the formula (1-2), the polymer compound of the present embodiment further has a structure represented by the formula (4). It preferably includes a unit (hereinafter sometimes referred to as “second structural unit”).
−D− (4)
〔式中、Dは、ビニレン基、エチニレン基、アリーレン基または2価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ただし、Dは、式(1−1)で表される構造単位および式(1−2)で表される構造単位とは異なる。〕
-D- (4)
[Wherein, D represents a vinylene group, an ethynylene group, an arylene group or a divalent heterocyclic group, and these groups optionally have a substituent. However, D is different from the structural unit represented by the formula (1-1) and the structural unit represented by the formula (1-2). ]
本実施形態の高分子化合物が第2構造単位を含む場合、式(1−1)で表される構造単位および/または式(1−2)で表される構造単位と、式(4)で表される構造単位とが共役を形成していることが好ましい。
本明細書において、共役とは、不飽和結合−単結合−不飽和結合の順に連鎖し、π軌道の2個のπ結合が隣り合い、それぞれのπ電子が平行に配置し、不飽和結合上にπ電子が局在するのではなく、隣の単結合上にπ電子が広がってπ電子が非局在化している状態のことを指す。ここで不飽和結合とは、二重結合や三重結合を指す。
When the polymer compound of the present embodiment includes the second structural unit, the structural unit represented by the formula (1-1) and / or the structural unit represented by the formula (1-2), and the formula (4) It is preferable that the structural unit represented forms a conjugate.
In this specification, “conjugate” is chained in the order of unsaturated bond-single bond-unsaturated bond, two π bonds of π orbitals are adjacent to each other, and each π electron is arranged in parallel. In this case, the π electrons are not localized but the π electrons spread on the adjacent single bond and the π electrons are delocalized. Here, the unsaturated bond refers to a double bond or a triple bond.
Dで表されるアリーレン基とは、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子2個を除いた残りの原子団である。芳香族炭化水素の炭素原子数は通常6〜60であり、好ましくは6〜20である。なお、アリーレン基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
芳香族炭化水素としては、ベンゼン、ベンゼンを含む炭化水素縮合環化合物、ベンゼンおよびベンゼンを含む炭化水素縮合環化合物からなる群から選ばれる2個以上が直接結合した化合物が含まれる。
アリーレン基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、1価の複素環基、ハロゲン原子、アルケニル基またはアルキニル基が挙げられる。
The arylene group represented by D is an atomic group remaining after removing two hydrogen atoms directly bonded to a carbon atom constituting a ring from an aromatic hydrocarbon. The number of carbon atoms of the aromatic hydrocarbon is usually 6 to 60, preferably 6 to 20. The carbon number of the arylene group does not include the carbon number of the substituent.
The aromatic hydrocarbon includes a compound in which two or more selected from the group consisting of benzene, a hydrocarbon condensed ring compound containing benzene, and a hydrocarbon condensed ring compound containing benzene and benzene are directly bonded.
The arylene group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group, a monovalent heterocyclic group, a halogen atom, an alkenyl group, and an alkynyl group. Can be mentioned.
アリーレン基としては、例えば、式1〜12で表される基が例示され、これらの基は置換基を有していてもよい。 As an arylene group, the group represented by Formula 1-12 is illustrated, for example, These groups may have a substituent.
Dで表される2価の複素環基とは、複素環式化合物から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子2個を除いた残りの原子団である。複素環式化合物の炭素原子数は通常2〜30であり、好ましくは3〜20である。なお、2価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。2価の複素環基は、2価の芳香族複素環基であることが好ましい。
複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。
複素環式化合物としては、単環の複素環式化合物、複素環式化合物を含む縮合環化合物、単環の複素環式化合物および複素環式化合物を含む縮合環化合物からなる群から選ばれる2個以上が直接結合した化合物が含まれる。
2価の複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、アルケニル基またはアルキニル基が挙げられる。
The divalent heterocyclic group represented by D is the remaining atomic group obtained by removing two hydrogen atoms directly bonded to the carbon atoms constituting the ring from the heterocyclic compound. The number of carbon atoms of the heterocyclic compound is usually 2-30, preferably 3-20. The number of carbon atoms in the divalent heterocyclic group does not include the number of carbon atoms in the substituent. The divalent heterocyclic group is preferably a divalent aromatic heterocyclic group.
A heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure, and the elements constituting the ring are not only carbon atoms, but also oxygen atoms, sulfur atoms, selenium atoms, nitrogen atoms, phosphorus atoms, boron atoms, arsenic atoms, etc. In the ring.
The heterocyclic compound is selected from the group consisting of a monocyclic heterocyclic compound, a condensed ring compound containing a heterocyclic compound, a monocyclic heterocyclic compound and a condensed ring compound containing a heterocyclic compound. The compounds in which the above are directly bonded are included.
The divalent heterocyclic group may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, a halogen atom, an alkenyl group, and an alkynyl group. Can be mentioned.
2価の複素環基としては、例えば、式13〜63で表される2価の複素環基が例示され、これらの基は置換基を有していてもよい。 As a bivalent heterocyclic group, the bivalent heterocyclic group represented by Formula 13-63 is illustrated, for example, These groups may have a substituent.
Rは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、1価の複素環基、ハロゲン原子、シリル基、アルケニル基またはアルキニル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Rが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
aおよびbは、それぞれ独立に、0〜5の整数である。〕
R represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, a monovalent heterocyclic group, a halogen atom, a silyl group, an alkenyl group or an alkynyl group, and these groups are It may have a substituent. When a plurality of R are present, they may be the same or different.
a and b are each independently an integer of 0 to 5; ]
aおよびbは、好ましくは0〜3の整数であり、より好ましくは0または1である。 a and b are preferably integers of 0 to 3, and more preferably 0 or 1.
本実施形態の高分子化合物を用いて製造される有機トランジスタの電界効果移動度がより優れるため、Dは、2価の複素環基であることが好ましく、式26、式36、式38〜式40、式49〜式54、式57〜式60、式62または式63で表される2価の複素環基であることがより好ましく、式38、式51または式54で表される2価の複素環基であることがさらに好ましい。 Since the field effect mobility of the organic transistor produced using the polymer compound of the present embodiment is more excellent, D is preferably a divalent heterocyclic group, and is represented by formula 26, formula 36, formula 38 to formula 38. More preferably, it is a divalent heterocyclic group represented by Formula 40, Formula 49 to Formula 54, Formula 57 to Formula 60, Formula 62 or Formula 63, and is represented by Formula 38, Formula 51 or Formula 54. The heterocyclic group is more preferably.
本発明の高分子化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(以下、「GPC」と言う。)で測定したポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)は、通常、1×103〜1×107である。薄膜作製の際に良好な薄膜を形成する観点から、数平均分子量は3×103以上が好ましい。溶媒への溶解性を高め、薄膜作製を容易にする観点から、数平均分子量は1×106以下であることが好ましい。 The number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (hereinafter referred to as “GPC”) of the polymer compound of the present invention is usually 1 × 10 3 to 1 × 10 7 . From the viewpoint of forming a good thin film during thin film production, the number average molecular weight is preferably 3 × 10 3 or more. The number average molecular weight is preferably 1 × 10 6 or less from the viewpoint of increasing the solubility in a solvent and facilitating the production of a thin film.
また、本発明の高分子化合物は、溶媒(好ましくは、有機溶媒)溶解性が高いものであるが、具体的には、本発明の高分子化合物を0.1重量%(以下、「wt%」ということがある。)以上含む溶液を作製し得る溶解性を有することが好ましく、0.4wt%以上含む溶液を作製し得る溶解性を有することがより好ましい。 The polymer compound of the present invention is highly soluble in a solvent (preferably an organic solvent). Specifically, the polymer compound of the present invention is 0.1% by weight (hereinafter referred to as “wt%”). It is preferable to have a solubility capable of producing a solution containing the above, and more preferably a solubility capable of producing a solution containing 0.4 wt% or more.
本発明の高分子化合物において、前記式(1−1)で表される構造単位および/または式(1−2)で表される構造単位の含有量は、高分子化合物中に少なくとも1つ含まれていればよいが、好ましくは、高分子化合物中に3個以上含まれ、さらに好ましくは、高分子化合物中に5個以上含まれる。 In the polymer compound of the present invention, at least one content of the structural unit represented by the formula (1-1) and / or the structural unit represented by the formula (1-2) is included in the polymer compound. However, preferably, 3 or more are contained in the polymer compound, and more preferably 5 or more are contained in the polymer compound.
本発明の高分子化合物は、いかなる種類の共重合体であってもよく、例えば、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体等のいずれであってもよい。本実施形態の高分子化合物を用いて製造される有機トランジスタの電界効果移動度がより優れるため、式(1−1)で表される構造単位および/または式(1−2)で表される構造単位と、式(4)で表される構造単位との共重合体であることが好ましく、式(1−1)で表される構造単位および/または式(1−2)で表される構造単位と、式(4)で表される構造単位との交互共重合体であることがより好ましい。 The polymer compound of the present invention may be any type of copolymer, such as a block copolymer, a random copolymer, an alternating copolymer, or a graft copolymer. Since the field effect mobility of the organic transistor produced using the polymer compound of the present embodiment is more excellent, the structural unit represented by the formula (1-1) and / or the formula (1-2) is used. The copolymer is preferably a copolymer of a structural unit and a structural unit represented by formula (4), and is represented by a structural unit represented by formula (1-1) and / or formula (1-2). More preferred is an alternating copolymer of the structural unit and the structural unit represented by the formula (4).
本発明の高分子化合物は、分子鎖末端に重合反応に活性である基が残っていると、該高分子化合物を用いて製造される有機トランジスタの電界効果移動度が低下する可能性がある。そのため、該分子鎖末端は、アリール基、1価の芳香族複素環基等の安定な基であることが好ましい。 In the polymer compound of the present invention, when a group active in the polymerization reaction remains at the molecular chain terminal, the field effect mobility of an organic transistor produced using the polymer compound may be lowered. Therefore, the molecular chain terminal is preferably a stable group such as an aryl group or a monovalent aromatic heterocyclic group.
<高分子化合物の製造方法>
次に、本発明の高分子化合物の製造方法を説明する。
本発明の高分子化合物は、いかなる方法で製造してもよいが、例えば、式:X11−A11−X12で表される化合物と、式:X13−A12−X14で表される化合物とを、必要に応じて有機溶媒に溶解し、必要に応じて塩基を加え、適切な触媒を用いた公知のアリールカップリング等の重合方法により合成することができる。
<Method for producing polymer compound>
Next, a method for producing the polymer compound of the present invention will be described.
The polymer compound of the present invention may be produced by any method. For example, the polymer compound represented by the formula: X 11 -A 11 -X 12 and the formula: X 13 -A 12 -X 14 The compound can be dissolved in an organic solvent as necessary, a base is added as necessary, and the compound can be synthesized by a known polymerization method such as aryl coupling using an appropriate catalyst.
A11は、式(1−1)で表される構造単位および/または式(1−2)で表される構造単位を表し、A12は、式(4)で表される構造単位を表す。X11、X12、X13およびX14は、それぞれ独立に、重合反応性基を表す。 A 11 represents a structural unit represented by the formula (1-1) and / or a structural unit represented by the formula (1-2), and A 12 represents a structural unit represented by the formula (4). . X 11 , X 12 , X 13 and X 14 each independently represent a polymerization reactive group.
重合反応性基としては、例えば、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基(−B(OH)2で表される基)、3つのアルキル基で置換されたスタンニル基が挙げられる。 Examples of the polymerization reactive group include a halogen atom, a boric acid ester residue, a boric acid residue (a group represented by —B (OH) 2 ), and a stannyl group substituted with three alkyl groups.
重合反応性基であるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。 Examples of the halogen atom that is a polymerization reactive group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
重合反応性基であるホウ酸エステル残基としては、例えば、下記式で示される基が挙げられる。 Examples of the boric acid ester residue that is a polymerization reactive group include a group represented by the following formula.
重合反応性基である3つのアルキル基で置換されたスタンニル基としては、例えば、3つのメチル基で置換されたスタンニル基、3つのブチル基で置換されたスタンニル基が挙げられる。 Examples of the stannyl group substituted with three alkyl groups that are polymerization reactive groups include a stannyl group substituted with three methyl groups and a stannyl group substituted with three butyl groups.
上記のアリールカップリング等の重合方法としては、例えば、Suzukiカップリング反応により重合する方法(Chemical Review、1995年、第95巻、2457−2483項)、Stilleカップリング反応により重合する方法(European Polymer Journal、2005年、第41巻、2923−2933項)が挙げられる。 Examples of the polymerization method such as aryl coupling include a method of polymerizing by a Suzuki coupling reaction (Chemical Review, 1995, Vol. 95, 2457-2483), a method of polymerizing by a Stille coupling reaction (European Polymer). Journal, 2005, Vol. 41, 2923-2933).
重合反応性基は、Suzukiカップリング反応等のニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いる場合には、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基またはホウ酸残基であることが好ましく、重合反応が簡便となるため、臭素原子、ヨウ素原子またはホウ酸エステル残基であることがより好ましい。
本発明の高分子化合物をSuzukiカップリング反応により重合する場合は、上記重合反応性基である臭素原子およびヨウ素原子の合計モル数と、上記重合反応性基であるホウ酸エステル残基の合計モル数との比率が、0.7〜1.3とすることが好ましく、0.8〜1.2とすることがより好ましい。
The polymerization reactive group is preferably a halogen atom, a boric acid ester residue or a boric acid residue when a nickel catalyst or a palladium catalyst such as a Suzuki coupling reaction is used. A bromine atom, an iodine atom or a borate residue is more preferable.
When the polymer compound of the present invention is polymerized by Suzuki coupling reaction, the total number of moles of bromine atom and iodine atom as the polymerization reactive group and the total mole of boric acid ester residue as the polymerization reactive group. The ratio to the number is preferably 0.7 to 1.3, and more preferably 0.8 to 1.2.
重合反応性基は、Stilleカップリング反応等のパラジウム触媒を用いる場合には、ハロゲン原子、または、3つのアルキル基で置換されたスタンニル基であることが好ましく、重合反応が簡便となるため、臭素原子、ヨウ素原子、または、3つのアルキル基で置換されたスタンニル基であることがより好ましい。
本発明の高分子化合物をStilleカップリング反応により重合する場合は、上記重合反応性基である臭素原子およびヨウ素原子の合計モル数と、上記重合反応性基である3つのアルキル基で置換されたスタンニル基の合計モル数との比率が、0.7〜1.3とすることが好ましく、0.8〜1.2とすることがより好ましい。
When a palladium catalyst such as a Stille coupling reaction is used, the polymerization reactive group is preferably a halogen atom or a stannyl group substituted with three alkyl groups. A stannyl group substituted with an atom, an iodine atom, or three alkyl groups is more preferable.
When the polymer compound of the present invention is polymerized by Stille coupling reaction, it is substituted with the total number of moles of bromine atom and iodine atom which are the above-mentioned polymerization reactive groups, and three alkyl groups which are the above-mentioned polymerization reactive groups. The ratio with the total number of moles of the stannyl group is preferably 0.7 to 1.3, more preferably 0.8 to 1.2.
重合に用いられる有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサンが挙げられる。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。 Examples of the organic solvent used for the polymerization include benzene, toluene, xylene, chlorobenzene, dichlorobenzene, tetrahydrofuran, and dioxane. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more.
重合に用いられる塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。 Examples of the base used for polymerization include inorganic bases such as sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, potassium fluoride, cesium fluoride, tripotassium phosphate, tetrabutylammonium fluoride, tetrabutylammonium chloride, tetrabromide. Organic bases such as butylammonium, tetraethylammonium hydroxide, and tetrabutylammonium hydroxide are listed.
重合に用いられる触媒としては、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム、パラジウムアセテート、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム等のパラジウム錯体等の遷移金属錯体と、必要に応じて、トリフェニルホスフィン、トリ−tert−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の配位子とからなる触媒であることが好ましい。これらの触媒は、予め合成したものを用いてもよいし、反応系中で調製したものをそのまま用いてもよい。また、これらの触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。 Examples of the catalyst used for the polymerization include transition metal complexes such as tetrakis (triphenylphosphine) palladium, tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, palladium acetate, dichlorobistriphenylphosphinepalladium, and other transition metal complexes, and if necessary, A catalyst comprising a ligand such as phenylphosphine, tri-tert-butylphosphine, or tricyclohexylphosphine is preferable. As these catalysts, those synthesized in advance may be used, or those prepared in the reaction system may be used as they are. Moreover, these catalysts may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
重合の反応温度は、好ましくは0〜200℃であり、より好ましくは0〜150℃であり、更に好ましくは0〜120℃である。 The polymerization reaction temperature is preferably 0 to 200 ° C, more preferably 0 to 150 ° C, and still more preferably 0 to 120 ° C.
重合の反応時間は、通常1時間以上であり、好ましくは2〜500時間である。 The reaction time of the polymerization is usually 1 hour or longer, preferably 2 to 500 hours.
重合の後処理は、公知の方法で行うことができ、例えば、メタノール等の低級アルコールに上記重合で得られた反応液を加えて析出させた沈殿をろ過し、乾燥させる方法が挙げられる。 The post-treatment of the polymerization can be performed by a known method, and examples thereof include a method of adding a reaction solution obtained by the above polymerization to a lower alcohol such as methanol and filtering and drying the deposited precipitate.
本発明の高分子化合物の純度が低い場合には、再結晶、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の方法にて精製することが好ましい。 When the purity of the polymer compound of the present invention is low, it is preferable to purify by a method such as recrystallization, continuous extraction with a Soxhlet extractor, or column chromatography.
<化合物>
本発明の化合物は、式(3−1)で表される化合物または式(3−2)で表される化合物であり、本発明の高分子化合物の原料として、上記の高分子化合物の製造方法において好適に使用することができる。
<Compound>
The compound of the present invention is a compound represented by the formula (3-1) or a compound represented by the formula (3-2), and as a raw material of the polymer compound of the present invention, a method for producing the above-described polymer compound Can be suitably used.
W1およびW2は、それぞれ独立に、水素原子またはハロゲン原子を表す。
X3およびX4は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子またはセレン原子を表す。
Y3およびY4は、それぞれ独立に、窒素原子または−CH=で表される基を表す。
Z3およびZ4は、それぞれ独立に、式(Z’)で表される基を表し、式(Z’)で表される基は左右反転していてもよい。
R6、R7、R8およびR9は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、1価の複素環基、ハロゲン原子、シリル基、アルケニル基またはアルキニル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
W 1 and W 2 each independently represents a hydrogen atom or a halogen atom.
X 3 and X 4 each independently represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom.
Y 3 and Y 4 each independently represent a nitrogen atom or a group represented by —CH═.
Z 3 and Z 4 each independently represent a group represented by the formula (Z ′), and the group represented by the formula (Z ′) may be horizontally reversed.
R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, monovalent heterocyclic group, halogen atom, silyl Represents a group, an alkenyl group or an alkynyl group, and these groups optionally have a substituent. ]
R10は、水素原子、アルキル基、アリール基または1価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
R 10 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a monovalent heterocyclic group, and these groups optionally have a substituent. ]
本実施形態の化合物の合成が容易になるため、X3およびX4は、酸素原子または硫黄原子であることが好ましく、硫黄原子であることがより好ましい。 X 3 and X 4 are preferably an oxygen atom or a sulfur atom, and more preferably a sulfur atom, because the synthesis of the compound of this embodiment is facilitated.
本実施形態の化合物の合成が容易になるため、Y3およびY4は、−CH=であることが好ましく、本実施形態の化合物の大気安定性がより高くなるため、Y3およびY4は、窒素原子であることが好ましい。 Since it is easy to synthesize the compound of this embodiment, Y 3 and Y 4 are preferably —CH═, and since the atmospheric stability of the compound of this embodiment is higher, Y 3 and Y 4 are And preferably a nitrogen atom.
本実施形態の化合物の合成が容易になるため、R6、R7、R8およびR9は、水素原子であることが好ましく、本実施形態の高分子化合物の溶媒に対する溶解性が優れるため、R6、R7、R8およびR9は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルケニル基またはアルキニル基であることが好ましい。また、本実施形態の高分子化合物の大気安定性が優れるため、R6、R7、R8およびR9は、フッ素原子が好ましい。 In order to facilitate the synthesis of the compound of the present embodiment, R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are preferably hydrogen atoms, and the polymer compound of the present embodiment has excellent solubility in a solvent. R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are preferably an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an alkenyl group or an alkynyl group. In addition, since the polymer compound of the present embodiment is excellent in atmospheric stability, R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are preferably fluorine atoms.
Z3およびZ4は、それぞれ独立に、式(Z’)で表される基を表し、式(Z’)で表される基は左右反転していてもよい。 Z 3 and Z 4 each independently represent a group represented by the formula (Z ′), and the group represented by the formula (Z ′) may be horizontally reversed.
式(Z’)におけるR10は、本実施形態の化合物の溶媒に対する溶解性が優れるため、炭素原子数が8以上のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数が16以上のアルキル基であることがより好ましく、炭素原子数が16以上の分岐型アルキル基であることがさらに好ましい。 R 10 in the formula (Z ′) is preferably an alkyl group having 8 or more carbon atoms, and an alkyl group having 16 or more carbon atoms, since the compound of the present embodiment has excellent solubility in a solvent. It is more preferable that the branched alkyl group has 16 or more carbon atoms.
<化合物の製造方法>
次に、本発明の化合物の製造方法を説明する。
本発明の化合物は、いかなる方法で製造してもよいが、例えば、以下に示す方法により合成することができる。
<Method for producing compound>
Next, the manufacturing method of the compound of this invention is demonstrated.
Although the compound of this invention may be manufactured by what kind of method, it is compoundable by the method shown below, for example.
式(3−1)で表される化合物の製造方法としては、例えば、
式(S1)で表される化合物、式(S2)で表される化合物および式(S3)で表される化合物をSuzukiカップリング反応により反応させる第一工程と、
第一工程で得られた式(S4)で表される化合物、式:R10−Halで表される化合物および炭酸カリウム等の塩基を、必要に応じてヨウ化銅等の金属塩を加えて反応させる第二工程と、
第二工程で得られた式(S5)で表される化合物を、N−ブロモスクシンイミド等のハロゲン化剤でハロゲン化する第三工程により製造することができる。この場合に得られる化合物は、式(S6)で表される化合物である。
As a manufacturing method of the compound represented by Formula (3-1), for example,
A first step of reacting a compound represented by formula (S1), a compound represented by formula (S2), and a compound represented by formula (S3) by a Suzuki coupling reaction;
A compound represented by the formula (S4) obtained in the first step, a compound represented by the formula: R 10 -Hal and a base such as potassium carbonate, and a metal salt such as copper iodide are added as necessary. A second step of reacting;
The compound represented by the formula (S5) obtained in the second step can be produced by a third step of halogenating with a halogenating agent such as N-bromosuccinimide. The compound obtained in this case is a compound represented by the formula (S6).
R6、R7、R10、X3、X4、Y3およびY4は、前記と同じ意味を表す。
Mは、ホウ酸エステル残基または式:−B(OH)2で表される基を表す。複数存在するMは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Halは、ハロゲン原子を表す。複数存在するHalは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Akは、アルキル基を表す。〕
R 6 , R 7 , R 10 , X 3 , X 4 , Y 3 and Y 4 represent the same meaning as described above.
M represents a boric acid ester residue or a group represented by the formula: —B (OH) 2 . A plurality of M may be the same as or different from each other.
Hal represents a halogen atom. Plural Hals may be the same as or different from each other.
Ak represents an alkyl group. ]
式(3−2)で表される化合物の製造方法としては、例えば、
式(S7)で表される化合物、式(S8)で表される化合物および式(S9)で表される化合物をSuzukiカップリング反応により反応させる第一工程と、
第一工程で得られた式(S10)で表される化合物、式:R10−Halで表される化合物および炭酸カリウム等の塩基を、必要に応じてヨウ化銅等の金属塩を加えて反応させる第二工程と、
第二工程で得られた式(S11)で表される化合物を、N−ブロモスクシンイミド等のハロゲン化剤でハロゲン化する第三工程により製造することができる。この場合に得られる化合物は、式(S12)で表される化合物である。
As a manufacturing method of the compound represented by Formula (3-2), for example,
A first step of reacting a compound represented by formula (S7), a compound represented by formula (S8) and a compound represented by formula (S9) by a Suzuki coupling reaction;
A compound represented by the formula (S10) obtained in the first step, a compound represented by the formula: R 10 -Hal and a base such as potassium carbonate, and a metal salt such as copper iodide as necessary are added. A second step of reacting;
The compound represented by the formula (S11) obtained in the second step can be produced by a third step of halogenating with a halogenating agent such as N-bromosuccinimide. The compound obtained in this case is a compound represented by the formula (S12).
R8、R9、R10、X3、X4、Y3およびY4は、前記と同じ意味を表す。
Mは、ホウ酸エステル残基または式:−B(OH)2で表される基を表す。複数存在するMは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Halは、ハロゲン原子を表す。複数存在するHalは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Akは、アルキル基を表す。〕
R 8 , R 9 , R 10 , X 3 , X 4 , Y 3 and Y 4 represent the same meaning as described above.
M represents a boric acid ester residue or a group represented by the formula: —B (OH) 2 . A plurality of M may be the same as or different from each other.
Hal represents a halogen atom. Plural Hals may be the same as or different from each other.
Ak represents an alkyl group. ]
<有機半導体材料>
本発明の有機半導体材料は、本発明の高分子化合物を1種類単独で含むものであってもよく、2種類以上を含むものであってもよい。また、本実施形態の有機半導体材料は、本発明の高分子化合物に加え、キャリア輸送性を有する化合物または高分子化合物を更に含んでいてもよい。本実施形態の有機半導体材料が、本発明の高分子化合物以外の成分を含む場合は、本発明の高分子化合物を30重量%以上含むことが好ましく、50重量%以上含むことがより好ましく、70重量%以上含むことがさらに好ましい。
<Organic semiconductor materials>
The organic semiconductor material of the present invention may contain one kind of the polymer compound of the present invention alone, or may contain two or more kinds. In addition to the polymer compound of the present invention, the organic semiconductor material of the present embodiment may further contain a compound having a carrier transport property or a polymer compound. When the organic semiconductor material of this embodiment contains components other than the polymer compound of the present invention, the polymer compound of the present invention is preferably contained in an amount of 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and 70 More preferably, it is contained by weight% or more.
キャリア輸送性を有する化合物としては、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、オリゴチオフェンおよびその誘導体、オキサジアゾール誘導体、フラーレン類およびその誘導体等の低分子化合物、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体等が挙げられる。 Compounds having carrier transport properties include arylamine derivatives, stilbene derivatives, oligothiophene and derivatives thereof, low molecular compounds such as oxadiazole derivatives, fullerenes and derivatives thereof, polyvinylcarbazole and derivatives thereof, polyaniline and derivatives thereof, polythiophene And derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polythienylene vinylene and derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof, and the like.
有機半導体材料は、その特性を向上させるため、本発明の高分子化合物とは異なる高分子化合物材料を高分子バインダーとして含有していてもよい。高分子バインダーとしては、キャリア輸送性を過度に低下させないものが好ましい。 The organic semiconductor material may contain a polymer compound material different from the polymer compound of the present invention as a polymer binder in order to improve the characteristics. As the polymer binder, those that do not excessively lower the carrier transportability are preferable.
高分子バインダーの例としては、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)およびその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)およびその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが挙げられる。 Examples of polymer binders include poly (N-vinylcarbazole), polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) and derivatives thereof , Polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, and polysiloxane.
<有機半導体素子>
本発明の高分子化合物は、高い移動度を有することから、本発明の高分子化合物を含む有機薄膜を有機半導体素子に用いた場合、電極から注入された電子やホール、或いは、光吸収によって発生した電荷を輸送することができる。これらの特性を活かして、本発明の高分子化合物は、光電変換素子、有機トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子等の種々の有機半導体素子に好適に用いることができる。以下、これらの素子について個々に説明する。
<Organic semiconductor element>
Since the polymer compound of the present invention has high mobility, when an organic thin film containing the polymer compound of the present invention is used for an organic semiconductor element, it is generated by electrons or holes injected from the electrode or light absorption. Can be transported. Taking advantage of these characteristics, the polymer compound of the present invention can be suitably used for various organic semiconductor elements such as a photoelectric conversion element, an organic transistor, and an organic electroluminescence element. Hereinafter, these elements will be described individually.
(光電変換素子)
本発明の高分子化合物を含む光電変換素子は、少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極間に、本発明の高分子化合物を含む1層以上の活性層を有する。
本発明の高分子化合物を含む光電変換素子の好ましい形態としては、少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極と、p型の有機半導体とn型の有機半導体との組成物から形成される活性層を有する。本発明の高分子化合物は、p型の有機半導体として用いることが好ましい。この形態の光電変換素子の動作機構を説明する。透明または半透明の電極から入射した光エネルギーがフラーレン誘導体等の電子受容性化合物(n型の有機半導体)および/または本発明の高分子化合物等の電子供与性化合物(p型の有機半導体)で吸収され、電子とホールが結合した励起子を生成する。生成した励起子が移動して、電子受容性化合物と電子供与性化合物が隣接しているヘテロ接合界面に達すると、界面でのそれぞれのHOMOエネルギーおよびLUMOエネルギーの違いにより電子とホールが分離し、独立に動くことができる電荷(電子とホール)が発生する。発生した電荷は、それぞれ電極へ移動することにより外部へ電気エネルギー(電流)として取り出すことができる。
(Photoelectric conversion element)
The photoelectric conversion element containing the polymer compound of the present invention has one or more active layers containing the polymer compound of the present invention between a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent.
A preferable form of the photoelectric conversion element containing the polymer compound of the present invention is formed from a composition of a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent, and a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor. Has an active layer. The polymer compound of the present invention is preferably used as a p-type organic semiconductor. The operation mechanism of the photoelectric conversion element of this embodiment will be described. Light energy incident from a transparent or translucent electrode is an electron-accepting compound (n-type organic semiconductor) such as a fullerene derivative and / or an electron-donating compound (p-type organic semiconductor) such as a polymer compound of the present invention. Absorbed, producing excitons in which electrons and holes are combined. When the generated excitons move and reach the heterojunction interface where the electron-accepting compound and the electron-donating compound are adjacent to each other, electrons and holes are separated due to the difference in HOMO energy and LUMO energy at the interface, Electric charges (electrons and holes) that can move independently are generated. The generated charges can be taken out as electric energy (current) by moving to the electrodes.
本発明の高分子化合物を用いて製造される光電変換素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極(即ち、基板から遠い方の電極)が透明または半透明であることが好ましい。 The photoelectric conversion element manufactured using the polymer compound of the present invention is usually formed on a substrate. The substrate may be any substrate that does not chemically change when the electrodes are formed and the organic layer is formed. Examples of the material for the substrate include glass, plastic, polymer film, and silicon. In the case of an opaque substrate, the opposite electrode (that is, the electrode far from the substrate) is preferably transparent or translucent.
本発明の高分子化合物を有する光電変換素子の他の態様は、少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極間に、本発明の高分子化合物を含む第1の活性層と、該第1の活性層に隣接して、フラーレン誘導体等の電子受容性化合物を含む第2の活性層を含む光電変換素子である。 In another aspect of the photoelectric conversion element having the polymer compound of the present invention, the first active layer containing the polymer compound of the present invention is interposed between a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent, and the first A photoelectric conversion element including a second active layer containing an electron accepting compound such as a fullerene derivative adjacent to the active layer.
上記の透明または半透明の電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(以下、「ITO」ということがある。)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜、NESAや、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、電極材料として、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。 Examples of the transparent or translucent electrode material include a conductive metal oxide film and a translucent metal thin film. Specifically, conductive materials composed of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and indium tin oxide (hereinafter referred to as “ITO”), indium, zinc oxide, and the like, which are composites thereof. A film prepared using, NESA, gold, platinum, silver, copper, or the like is used, and ITO, indium / zinc / oxide, and tin oxide are preferable. Examples of the method for producing the electrode include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and the like. Moreover, you may use organic transparent conductive films, such as polyaniline and its derivative (s), polythiophene, and its derivative (s) as an electrode material.
一方の電極は透明でなくてもよく、該電極の電極材料としては、金属、導電性高分子等を用いることができる。電極材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、およびそれらのうち2つ以上の合金、または、1種以上の前記金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステンおよび錫からなる群から選ばれる1種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体が挙げられる。合金としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。 One electrode may not be transparent, and a metal, a conductive polymer, etc. can be used as an electrode material of the electrode. Specific examples of the electrode material include metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like. And one or more alloys selected from the group consisting of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, and tin. Examples include alloys with metals, graphite, graphite intercalation compounds, polyaniline and derivatives thereof, and polythiophene and derivatives thereof. Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, and calcium-aluminum alloy.
光電変換効率を向上させるための手段として活性層以外の付加的な中間層を使用してもよい。中間層として用いられる材料としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化チタン等の酸化物、PEDOT(ポリ−3,4−エチレンジオキシチオフェン)などが挙げられる。 An additional intermediate layer other than the active layer may be used as a means for improving the photoelectric conversion efficiency. Examples of the material used for the intermediate layer include alkali metals such as lithium fluoride, halides of alkaline earth metals, oxides such as titanium oxide, and PEDOT (poly-3,4-ethylenedioxythiophene).
活性層は、本発明の高分子化合物を一種単独で含んでいても二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。また、活性層中に電子供与性化合物および/または電子受容性化合物として、本発明の高分子化合物以外の化合物を混合して用いることもできる。なお、電子供与性化合物、電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位から相対的に決定される。 The active layer may contain the polymer compound of the present invention alone or in combination of two or more. In addition, a compound other than the polymer compound of the present invention can be mixed and used as the electron donating compound and / or the electron accepting compound in the active layer. The electron donating compound and the electron accepting compound are relatively determined from the energy levels of these compounds.
上記電子供与性化合物としては、本発明の高分子化合物のほか、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェンおよびその誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体が挙げられる。 Examples of the electron-donating compound include, in addition to the polymer compound of the present invention, for example, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, oligothiophene and derivatives thereof, polyvinylcarbazole and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof. And polysiloxane derivatives having an aromatic amine residue in the side chain or main chain, polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, and polythienylene vinylene and derivatives thereof.
上記電子受容性化合物としては、本発明の高分子化合物のほか、例えば、炭素材料、酸化チタン等の金属酸化物、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、2、9−ジメチル−4、7−ジフェニル−1、10−フェナントロリン(バソクプロイン)等のフェナントレン誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体が挙げられ、好ましくは、酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン、フラーレン誘導体であり、特に好ましくはフラーレン、フラーレン誘導体である。 Examples of the electron accepting compound include, in addition to the polymer compound of the present invention, carbon materials, metal oxides such as titanium oxide, oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and derivatives thereof, benzoquinone and derivatives thereof, naphthoquinone and Derivatives thereof, anthraquinones and derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane and derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and derivatives thereof, polyquinolines and derivatives thereof, polyquinoxalines and Derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof, phenanthrene derivatives such as 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (basocproin), fullerene, fullerene Derivatives and the like, preferably, titanium oxide, carbon nanotubes, fullerene, a fullerene derivative, particularly preferably a fullerene, a fullerene derivative.
フラーレン、フラーレン誘導体としてはC60、C70、C76、C78、C84およびその誘導体が挙げられる。フラーレンの誘導体の具体的構造としては、以下のようなものが挙げられる。 Examples of fullerene and fullerene derivatives include C 60 , C 70 , C 76 , C 78 , C 84 and derivatives thereof. Specific examples of the fullerene derivative include the following.
また、フラーレン誘導体の例としては、[6,6]フェニル−C61酪酸メチルエステル(C60PCBM、[6,6]-Phenyl C61 butyric acid methyl ester)、[6,6]フェニル−C70酪酸メチルエステル(C70PCBM、[6,6]-Phenyl C70 butyric acid methyl ester)、[6,6]フェニル−C84酪酸メチルエステル(C84PCBM、[6,6]-Phenyl C84 butyric acid methyl ester)、[6,6]チエニル−C60酪酸メチルエステル([6,6]-Thienyl C60 butyric acid methyl ester)等が挙げられる。 Examples of fullerene derivatives include [6,6] phenyl-C61 butyric acid methyl ester (C60PCBM, [6,6] -Phenyl C61 butyric acid methyl ester), [6,6] phenyl-C70 butyric acid methyl ester (C70PCBM). [6,6] -Phenyl C70 butyric acid methyl ester), [6,6] phenyl-C84 butyric acid methyl ester, [6,6] -thienyl- Examples thereof include C60 butyric acid methyl ester ([6,6] -Thienyl C60 butyric acid methyl ester).
活性層中に本発明の高分子化合物とフラーレン誘導体とを含む場合、フラーレン誘導体の割合が、本発明の高分子化合物100重量部に対して、10〜1000重量部であることが好ましく、20〜500重量部であることがより好ましい。 When the active layer contains the polymer compound of the present invention and the fullerene derivative, the ratio of the fullerene derivative is preferably 10 to 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer compound of the present invention. More preferably, it is 500 parts by weight.
活性層の厚さは、通常、1nm〜100μmが好ましく、より好ましくは2nm〜1000nmであり、さらに好ましくは5nm〜500nmであり、より好ましくは20nm〜200nmである。 The thickness of the active layer is usually preferably 1 nm to 100 μm, more preferably 2 nm to 1000 nm, still more preferably 5 nm to 500 nm, and more preferably 20 nm to 200 nm.
活性層の製造方法は、如何なる方法で製造してもよく、例えば、本発明の高分子化合物を含む溶液からの成膜や、真空蒸着法による成膜方法が挙げられる。 The method for producing the active layer may be produced by any method, and examples thereof include film formation from a solution containing the polymer compound of the present invention and film formation by vacuum deposition.
光電変換素子の好ましい製造方法は、第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有する光電変換素子の製造方法であって、該第1の電極上に本発明の高分子化合物と溶媒とを含む溶液(インク)を塗布法により塗布して活性層を形成する工程、該活性層上に第2の電極を形成する工程を有する素子の製造方法である。 A preferred method for producing a photoelectric conversion element is a method for producing a photoelectric conversion element having a first electrode and a second electrode, and having an active layer between the first electrode and the second electrode. Then, a step of forming an active layer by applying a solution (ink) containing the polymer compound of the present invention and a solvent on the first electrode by a coating method, and forming a second electrode on the active layer It is the manufacturing method of the element which has a process.
溶液からの成膜に用いる溶媒は、本発明の高分子化合物を溶解させるものであればよい。該溶媒としては、例えば、デカリン、ビシクロヘキシル等の飽和炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、n−ブチルベンゼン、sec−ブチルベンゼン、tert−ブチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の不飽和炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル系溶媒が挙げられる。本発明の高分子化合物は、通常、前記溶媒に0.1重量%以上溶解させることができる。 The solvent used for film formation from a solution may be any one that dissolves the polymer compound of the present invention. Examples of the solvent include saturated hydrocarbon solvents such as decalin and bicyclohexyl, and unsaturated hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, tetralin, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, tert-butylbenzene, and cyclohexylbenzene. Solvents, carbon tetrachloride, chloroform, dichloromethane, dichloroethane, chlorobutane, bromobutane, chloropentane, bromopentane, chlorohexane, bromohexane, chlorocyclohexane, bromocyclohexane, and other halogenated saturated hydrocarbon solvents, chlorobenzene, dichlorobenzene, tri Examples thereof include halogenated unsaturated hydrocarbon solvents such as chlorobenzene, and ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran. The polymer compound of the present invention can usually be dissolved in the solvent in an amount of 0.1% by weight or more.
溶液を用いて成膜する場合、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スリットコート法、キャピラリーコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、バーコート法、ナイフコート法、ノズルコート法、インクジェット印刷法、スピンコート法が好ましい。 When forming a film using a solution, slit coating method, knife coating method, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, Coating methods such as spray coating, screen printing, gravure printing, flexographic printing, offset printing, ink jet printing, dispenser printing, nozzle coating, capillary coating, etc. can be used, slit coating, capillary A coating method, a gravure coating method, a micro gravure coating method, a bar coating method, a knife coating method, a nozzle coating method, an ink jet printing method, and a spin coating method are preferable.
成膜性の観点からは、25℃における溶媒の表面張力が15mN/mより大きいことが好ましく、15mN/mより大きく100mN/mよりも小さいことがより好ましく、25mN/mより大きく60mN/mよりも小さいことがさらに好ましい。 From the viewpoint of film formability, the surface tension of the solvent at 25 ° C. is preferably larger than 15 mN / m, more preferably larger than 15 mN / m and smaller than 100 mN / m, larger than 25 mN / m and larger than 60 mN / m. It is more preferable that the value is small.
(有機薄膜太陽電池)
本発明の高分子化合物を用いた光電変換素子は、透明または半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
(Organic thin film solar cell)
The photoelectric conversion element using the polymer compound of the present invention is operated as an organic thin film solar cell by generating photovoltaic power between the electrodes by irradiating light such as sunlight from a transparent or translucent electrode. Can do. It can also be used as an organic thin film solar cell module by integrating a plurality of organic thin film solar cells.
また、電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で、透明または半透明の電極から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。 Further, by applying light from a transparent or translucent electrode in a state where a voltage is applied between the electrodes or in a state where no voltage is applied, a photocurrent flows and the organic light sensor can be operated. It can also be used as an organic image sensor by integrating a plurality of organic photosensors.
有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂や保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本発明の高分子化合物を用いて製造される有機薄膜太陽電池も使用目的や使用場所および環境により、適宜これらのモジュール構造を選択できる。 The organic thin film solar cell can basically have the same module structure as a conventional solar cell module. The solar cell module generally has a structure in which cells are formed on a support substrate such as metal or ceramic, and the cell is covered with a filling resin or protective glass, and light is taken in from the opposite side of the support substrate. It is also possible to use a transparent material such as tempered glass for the support substrate, configure a cell thereon, and take in light from the transparent support substrate side. Specifically, a module structure called a super straight type, a substrate type, and a potting type, a substrate integrated module structure used in an amorphous silicon solar cell, and the like are known. The organic thin film solar cell produced using the polymer compound of the present invention can also be appropriately selected from these module structures depending on the purpose of use, the place of use and the environment.
代表的なスーパーストレートタイプあるいはサブストレートタイプのモジュールは、片側または両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に一定間隔にセルが配置され、隣り合うセル同士が金属リード またはフレキシブル配線等によって接続され、外縁部に集電電極が配置されており、発生した電力を外部に取り出される構造となっている。基板とセルの間には、セルの保護や集電効率向上のため、目的に応じエチレンビニルアセテート(EVA)等様々な種類のプラスチック材料をフィルム または充填樹脂の形で用いてもよい。また、外部からの衝撃が少ないところなど表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成し、または上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板をなくすことが可能である。支持基板の周囲は、内部の密封およびモジュールの剛性を確保するため金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームの間は封止材料で密封シールする。また、セルそのものや支持基板、充填材料および封止材料に可撓性の素材を用いれば、曲面の上に太陽電池を構成することもできる。
ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体を用いた太陽電池の場合、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより電池本体を作製できる。また、Solar Energy Materials and Solar Cells, 48,p383-391記載の「SCAF」とよばれるモジュール構造とすることもできる。更に、フレキシブル支持体を用いた太陽電池は曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。
In a typical super straight type or substrate type module, cells are placed at regular intervals between support substrates that are transparent on one or both sides and treated with antireflection, and adjacent cells are connected by metal leads or flexible wiring. The current collector electrode is connected to the outer edge portion, and the generated power is taken out to the outside. Various types of plastic materials such as ethylene vinyl acetate (EVA) may be used between the substrate and the cell in the form of a film or a filling resin depending on the purpose in order to protect the cell and improve the current collection efficiency. Also, when used in places where there is no need to cover the surface with a hard material, such as where there is little impact from the outside, the surface protective layer is made of a transparent plastic film, or the protective function is achieved by curing the filling resin It is possible to eliminate the supporting substrate on one side. The periphery of the support substrate is fixed in a sandwich shape with a metal frame in order to ensure internal sealing and module rigidity, and a sealing material is hermetically sealed between the support substrate and the frame. Further, if a flexible material is used for the cell itself, the support substrate, the filling material, and the sealing material, a solar cell can be formed on the curved surface.
In the case of a solar cell using a flexible support such as a polymer film, cells are sequentially formed while feeding out a roll-shaped support, cut to a desired size, and then the periphery is sealed with a flexible and moisture-proof material. Thus, the battery body can be produced. A module structure called “SCAF” described in Solar Energy Materials and Solar Cells, 48, p383-391 can also be used. Furthermore, a solar cell using a flexible support can be used by being bonded and fixed to a curved glass or the like.
(有機エレクトロルミネッセンス素子)
本発明の高分子化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」ということがある。)に用いることもできる。有機EL素子は、少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極間に発光層を有する。有機EL素子は、発光層の他にも、正孔輸送層、電子輸送層を含んでいてもよい。該発光層、正孔輸送層、電子輸送層のいずれかの層中に本発明の高分子化合物が含まれる。発光層中には、本発明の高分子化合物の他にも、電荷輸送材料(電子輸送材料と正孔輸送材料の総称を意味する)を含んでいてもよい。有機EL素子としては、陽極と発光層と陰極とを有する素子、さらに陰極と発光層の間に、該発光層に隣接して電子輸送材料を含有する電子輸送層を有する、陽極と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子、さらに陽極と発光層の間に、該発光層に隣接して正孔輸送材料を含む正孔輸送層を有する、陽極と正孔輸送層と発光層と陰極とを有する素子、陽極と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子等が挙げられる。
(Organic electroluminescence device)
The polymer compound of the present invention can also be used in an organic electroluminescence element (hereinafter sometimes referred to as “organic EL element”). The organic EL element has a light emitting layer between a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent. The organic EL element may include a hole transport layer and an electron transport layer in addition to the light emitting layer. The polymer compound of the present invention is contained in any one of the light emitting layer, the hole transport layer, and the electron transport layer. In addition to the polymer compound of the present invention, the light emitting layer may contain a charge transport material (which means a generic term for an electron transport material and a hole transport material). As an organic EL element, an element having an anode, a light emitting layer, and a cathode, and further having an electron transport layer containing an electron transport material adjacent to the light emitting layer between the cathode and the light emitting layer, A device having an electron transport layer and a cathode, and further having a hole transport layer containing a hole transport material adjacent to the light emitting layer between the anode and the light emitting layer, the anode, the hole transport layer, the light emitting layer, and the cathode And an element having an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode.
(有機トランジスタ)
有機トランジスタとしては、ソース電極およびドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となり、本発明の高分子化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを備えた構成を有するものが挙げられる。このような構成を有する有機トランジスタとしては、電界効果型有機トランジスタ、静電誘導型有機トランジスタ等が挙げられる。
(Organic transistor)
The organic transistor has a source electrode and a drain electrode, a current path between these electrodes, an active layer containing the polymer compound of the present invention, and a gate electrode that controls the amount of current passing through the current path The thing which has is mentioned. Examples of the organic transistor having such a configuration include a field effect organic transistor and a static induction organic transistor.
電界効果型有機トランジスタは、通常、ソース電極およびドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となり、本発明の高分子化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極と、活性層とゲート電極との間に配置される絶縁層とを有する有機トランジスタである。特に、ソース電極およびドレイン電極が、活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられている有機トランジスタが好ましい。 A field-effect organic transistor usually has a source electrode and a drain electrode, a current path between these electrodes, an active layer containing the polymer compound of the present invention, and a gate electrode that controls the amount of current passing through the current path. The organic transistor having an active layer and an insulating layer disposed between the gate electrode. In particular, an organic transistor in which a source electrode and a drain electrode are provided in contact with an active layer and a gate electrode is provided with an insulating layer in contact with the active layer interposed therebetween is preferable.
静電誘導型有機トランジスタは、通常、ソース電極およびドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となり、本発明の高分子化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを有し、該ゲート電極が活性層中に設けられている有機トランジスタである。特に、ソース電極、ドレイン電極および前記ゲート電極が、前記活性層に接して設けられている有機トランジスタが好ましい。 The electrostatic induction organic transistor usually has a source electrode and a drain electrode, a current path between these electrodes, an active layer containing the polymer compound of the present invention, and a gate electrode that controls the amount of current passing through the current path And the gate electrode is provided in the active layer. In particular, an organic transistor in which a source electrode, a drain electrode, and the gate electrode are provided in contact with the active layer is preferable.
ゲート電極は、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成でき、かつ、ゲート電極に印加した電圧で該電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし型電極である。 The gate electrode has only to have a structure in which a current path flowing from the source electrode to the drain electrode can be formed and the amount of current flowing through the current path can be controlled by a voltage applied to the gate electrode, for example, a comb electrode.
図1は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の一例を示す模式断面図である。図1に示す有機トランジスタ100は、基板1と、基板1上に所定の間隔を持って形成されたソース電極5およびドレイン電極6と、ソース電極5およびドレイン電極6を覆うようにして基板1上に形成された活性層2と、活性層2上に形成された絶縁層3と、ソース電極5とドレイン電極6との間の領域上の絶縁層3を覆うように絶縁層3上に形成されたゲート電極4とを備えるものである。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. An
図2は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図2に示す有機トランジスタ110は、基板1と基板1上に形成されたソース電極5と、ソース電極5を覆うようにして基板1上に形成された活性層2と、ソース電極5と所定の間隔を持って活性層2上に形成されたドレイン電極6と、活性層2およびドレイン電極6上に形成された絶縁層3と、ソース電極5とドレイン電極6との間の領域上の絶縁層3を覆うように絶縁層3上に形成されたゲート電極4とを備えるものである。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. An
図3は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図3に示す有機トランジスタ120は、基板1と基板1上に形成されたゲート電極4と、ゲート電極4を覆うようにして基板1上に形成された絶縁層3と、ゲート電極4が下部に形成されている絶縁層3の領域の一部を覆うように、絶縁層3上に所定の間隔を持って形成されたソース電極5およびドレイン電極6と、ソース電極5およびドレイン電極6の一部を覆うように絶縁層3上に形成された活性層2とを備えるものである。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. The
図4は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図4に示す有機トランジスタ130は、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極4と、ゲート電極4を覆うようにして基板1上に形成された絶縁層3と、ゲート電極4が下部に形成されている絶縁層3の領域の一部を覆うように絶縁層3上に形成されたソース電極5と、ソース電極5の一部を覆うようにして絶縁層3上に形成された活性層2と、活性層2の一部を覆うように、ソース電極5と所定の間隔を持って絶縁層3上に形成されたドレイン電極6とを備えるものである。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. An
図5は、本発明の有機トランジスタ(静電誘導型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図5に示す有機トランジスタ140は、基板1と、基板1上に形成されたソース電極5と、ソース電極5上に形成された活性層2と、活性層2上に所定の間隔を持って複数形成されたゲート電極4と、ゲート電極4の全てを覆うようにして活性層2上に形成された活性層2a(活性層2aを構成する材料は、活性層2と同一であっても異なっていてもよい)と、活性層2a上に形成されたドレイン電極6とを備えるものである。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (static induction organic transistor) of the present invention. The
図6は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図6に示す有機トランジスタ150は、基板1と、基板1上に形成された活性層2と、活性層2上に所定の間隔を持って形成されたソース電極5およびドレイン電極6と、ソース電極5およびドレイン電極6の一部を覆うようにして活性層2上に形成された絶縁層3と、ソース電極5が下部に形成されている絶縁層3の領域とドレイン電極6が下部に形成されている絶縁層3の領域とをそれぞれ一部覆うように、絶縁層3上に形成されたゲート電極4とを備えるものである。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. An
図7は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図7に示す有機トランジスタ160は、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極4と、ゲート電極4を覆うようにして基板1上に形成された絶縁層3と、ゲート電極4が下部に形成されている絶縁層3の領域を覆うように形成された活性層2と、活性層2の一部を覆うように活性層2上に形成されたソース電極5と、活性層2の一部を覆うように、ソース電極5と所定の間隔を持って活性層2上に形成されたドレイン電極6とを備えるものである。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. The
図8は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図8に示す有機トランジスタ170は、ゲート電極4と、ゲート電極4上に形成された絶縁層3と、絶縁層3上に形成された活性層2と、活性層2上に所定の間隔を持って形成されたソース電極5およびドレイン電極6と、を備えるものである。この場合、ゲート電極4は基板1を兼ねる構成となっている。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. An
図9は、本発明の有機トランジスタ(電界効果型有機トランジスタ)の他の例を示す模式断面図である。図9に示す有機トランジスタ180は、ゲート電極4と、ゲート電極4上に形成された絶縁層3と、絶縁層3上に所定の間隔を持って形成されたソース電極5およびドレイン電極6と、ソース電極5およびドレイン電極6の一部を覆うように絶縁層3上に形成された活性層2とを備えるものである。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic transistor (field effect organic transistor) of the present invention. The
上述した本発明の有機トランジスタにおいては、活性層2および/または活性層2aは、本発明の高分子化合物を含有する膜によって構成され、ソース電極5とドレイン電極6との間の電流通路(チャネル)となる。また、ゲート電極4は、電圧を印加することにより電流通路(チャネル)を通る電流量を制御する。
In the organic transistor of the present invention described above, the active layer 2 and / or the active layer 2a is constituted by a film containing the polymer compound of the present invention, and a current path (channel) between the
このような電界効果型有機トランジスタは、公知の方法、例えば特開平5−110069号公報記載の方法により製造することができる。また、静電誘導型有機トランジスタは、特開2004−006476号に公報記載の方法等の公知の方法により製造することができる。 Such a field effect organic transistor can be produced by a known method, for example, a method described in JP-A-5-110069. The electrostatic induction organic transistor can be produced by a known method such as the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-006476.
基板1の材料は、有機トランジスタの特性を阻害しない材料であればよい。基板としては、ガラス基板、フレキシブルなフィルム基板、プラスチック基板を用いることができる。
The material of the
絶縁層3の材料は、電気の絶縁性が高い材料であればよく、SiOx、SiNx、Ta2O5、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、有機ガラス、フォトレジスト等を用いることができるが、低電圧化の観点からは、誘電率の高い材料を用いることが好ましい。
The material of the insulating
絶縁層3の上に活性層2を形成する場合は、絶縁層3と活性層2の界面特性を改善するため、シランカップリング剤等の表面処理剤で絶縁層3の表面を処理して表面改質した後に活性層2を形成することも可能である。
When the active layer 2 is formed on the insulating
電界効果型トランジスタの場合、電子やホール等の電荷は、一般に絶縁層と活性層の界面付近を通過する。従って、この界面の状態がトランジスタの電界効果移動度に大きな影響を与える。そこで、界面状態を改良して特性を向上させる方法として、シランカップリング剤による界面の制御が提案されている(例えば、表面化学、2007年、第28巻、第5号、p.242−248)。 In the case of a field effect transistor, charges such as electrons and holes generally pass near the interface between the insulating layer and the active layer. Accordingly, the state of this interface greatly affects the field effect mobility of the transistor. Therefore, as a method for improving the interface state and improving the properties, control of the interface with a silane coupling agent has been proposed (for example, Surface Chemistry, 2007, Vol. 28, No. 5, p. 242-248). ).
シランカップリング剤の例としては、アルキルクロロシラン類(オクチルトリクロロシラン(OTS)、オクタデシルトリクロロシラン(ODTS)、フェニルエチルトリクロロシラン等)、アルキルアルコキシシラン類、フッ素化アルキルクロロシラン類、フッ素化アルキルアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)等のシリルアミン化合物が挙げられる。また、表面処理剤で処理する前に、絶縁層表面をオゾンUV処理、O2プラズマ処理してもよい。 Examples of silane coupling agents include alkylchlorosilanes (octyltrichlorosilane (OTS), octadecyltrichlorosilane (ODTS), phenylethyltrichlorosilane, etc.), alkylalkoxysilanes, fluorinated alkylchlorosilanes, and fluorinated alkylalkoxysilanes. And silylamine compounds such as hexamethyldisilazane (HMDS). In addition, the surface of the insulating layer may be subjected to ozone UV treatment or O 2 plasma treatment before treatment with the surface treatment agent.
このような処理によって、絶縁層として用いられるシリコン酸化膜等の表面エネルギーを制御することができる。また、表面処理により、活性層を構成している膜の絶縁層上での配向性が向上し、より高い電界効果移動度が得られる。 By such treatment, the surface energy of the silicon oxide film or the like used as the insulating layer can be controlled. Further, the surface treatment improves the orientation of the film constituting the active layer on the insulating layer, and higher field effect mobility can be obtained.
ゲート電極4には、金、白金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、低抵抗ポリシリコン、低抵抗アモルファスシリコン等の金属や、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物(ITO)等の材料を用いることができる。
これらの材料は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。なお、ゲート電極4としては、高濃度にドープされたシリコン基板を用いることも可能である。高濃度にドープされたシリコン基板は、ゲート電極としての性能とともに、基板としての性能も併有する。このような基板としての性能も有するゲート電極4を用いる場合には、基板1とゲート電極4とが接している有機トランジスタにおいて、基板1を省略してもよい。
The
These materials may be used alone or in combination of two or more. Note that a highly doped silicon substrate can be used as the
ソース電極5およびドレイン電極6は、低抵抗の材料から構成されることが好ましく、金、白金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン等から構成されることが特に好ましい。これらの材料は1種単独で用いても2種以上を併用してもよい。
The
上記有機トランジスタにおいて、ソース電極5およびドレイン電極6と、活性層2との間には、更に他の化合物から構成された層が介在していてもよい。このような層としては、電子輸送性を有する低分子化合物、ホール輸送性を有する低分子化合物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、これらの金属と有機化合物との錯体、ヨウ素、臭素、塩素、塩化ヨウ素等のハロゲン、硫酸、無水硫酸、二酸化硫黄、硫酸塩等の酸化硫黄化合物、硝酸、二酸化窒素、硝酸塩等の酸化窒素化合物、過塩素酸、次亜塩素酸等のハロゲン化化合物、アルキルチオール化合物、芳香族チオール類、フッ素化アルキル芳香族チオール類等の芳香族チオール化合物等からなる層が挙げられる。
In the organic transistor, a layer composed of another compound may be interposed between the
また、上記のような有機トランジスタを作製した後には、素子を保護するため、有機トランジスタ上に保護膜を形成することが好ましい。これにより、有機トランジスタが大気から遮断され、有機トランジスタの特性の低下を抑制することができる。また、有機トランジスタの上に駆動する表示デバイスを形成する場合、その形成工程における有機トランジスタへの影響も該保護膜により低減することができる。 In addition, after manufacturing the organic transistor as described above, it is preferable to form a protective film on the organic transistor in order to protect the element. Thereby, an organic transistor is interrupted | blocked from air | atmosphere and the fall of the characteristic of an organic transistor can be suppressed. Further, when a display device to be driven is formed on an organic transistor, the protective film can also reduce the influence on the organic transistor in the formation process.
保護膜を形成する方法としては、有機トランジスタを、UV硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のSiONx膜等で覆う方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため、有機トランジスタを作製後、有機トランジスタを大気にさらすことなく(例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で)保護膜を形成することが好ましい。 Examples of the method for forming the protective film include a method of covering the organic transistor with a UV curable resin, a thermosetting resin, an inorganic SiON x film, or the like. In order to effectively block the atmosphere, it is preferable to form a protective film after the organic transistor is manufactured without exposing the organic transistor to the atmosphere (for example, in a dry nitrogen atmosphere or in a vacuum).
このように構成された有機トランジスタの一種である電界効果型トランジスタは、アクティブマトリックス駆動方式の液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの画素駆動スイッチング素子等として適用できる。そして、上述した本実施形態の電界効果型トランジスタは、活性層として本発明の高分子化合物を含有し、そのことにより移動度に優れた活性層を備えているため、その電界効果移動度が高いものとなる。したがって、十分な応答速度を持つディスプレイの製造等に有用である。 A field effect transistor, which is a kind of organic transistor configured as described above, can be applied as a pixel drive switching element of an active matrix drive type liquid crystal display or an organic electroluminescence display. And the field effect transistor of this embodiment mentioned above contains the high molecular compound of this invention as an active layer, and since it is equipped with the active layer excellent in the mobility by that, the field effect mobility is high. It will be a thing. Therefore, it is useful for manufacturing a display having a sufficient response speed.
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Examples will be shown below for illustrating the present invention in more detail, but the present invention is not limited to these examples.
(質量分析)
質量分析は、AccuTOF TLC JMS−T100TD(日本電子製)を用いて行った。
(Mass spectrometry)
Mass spectrometry was performed using AccuTOF TLC JMS-T100TD (manufactured by JEOL Ltd.).
(NMR分析)
NMR測定は、化合物を重クロロホルムに溶解させ、NMR装置(Varian社製、INOVA300)を用いて行った。
(NMR analysis)
The NMR measurement was performed by dissolving the compound in deuterated chloroform and using an NMR apparatus (Varian, INOVA300).
(分子量分析)
高分子化合物の数平均分子量および重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィ(GPC、Waters社製、商品名:Alliance GPC 2000)を用いて求めた。測定する高分子化合物は、オルトジクロロベンゼンに溶解させ、GPCに注入した。
GPCの移動相にはオルトジクロロベンゼンを用いた。カラムは、TSKgel GMHHR−H(S)HT(2本連結、東ソー製)を用いた。検出器にはUV検出器を用いた。
(Molecular weight analysis)
The number average molecular weight and the weight average molecular weight of the polymer compound were determined using gel permeation chromatography (GPC, manufactured by Waters, trade name: Alliance GPC 2000). The polymer compound to be measured was dissolved in orthodichlorobenzene and injected into GPC.
Orthodichlorobenzene was used for the mobile phase of GPC. As the column, TSKgel GMHHR-H (S) HT (two linked, manufactured by Tosoh Corporation) was used. A UV detector was used as the detector.
合成例1
(化合物2の合成)
Synthesis example 1
(Synthesis of Compound 2)
1H−NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm)=7.36(d,1H)、7.22(d,1H)、3.88(s,3H). 1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 7.36 (d, 1H), 7.22 (d, 1H), 3.88 (s, 3H).
合成例2
(化合物4の合成)
Synthesis example 2
(Synthesis of Compound 4)
1H−NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm)=7.08(s,2H)、1.34(s,24H). 1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 7.08 (s, 2H), 1.34 (s, 24H).
実施例1
(化合物5の合成)
Example 1
(Synthesis of Compound 5)
MS(m/z) 325.20 MS (m / z) 325.20
実施例2
(化合物6の合成)
Example 2
(Synthesis of Compound 6)
1H−NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm)=8.52(s,2H)、7.63(d,2H)、7.51(d,2H)、4.56(d,4H)、1.98(m,2H)、1.20−1.60(m,80H)、0.87(m,12H). 1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 8.52 (s, 2H), 7.63 (d, 2H), 7.51 (d, 2H), 4.56 (d, 4H) ), 1.98 (m, 2H), 1.20-1.60 (m, 80H), 0.87 (m, 12H).
実施例3
(化合物7の合成)
Example 3
(Synthesis of Compound 7)
1H−NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm)=8.29(s,2H)、7.57(s,2H)、4.52(d,4H)、1.94(m,2H)、1.20−1.60(m,80H)、0.88(t,6H)、0.87(t,6H). 1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 8.29 (s, 2H), 7.57 (s, 2H), 4.52 (d, 4H), 1.94 (m, 2H) ), 1.20-1.60 (m, 80H), 0.88 (t, 6H), 0.87 (t, 6H).
合成例3
(化合物9の合成)
Synthesis example 3
(Synthesis of Compound 9)
1H−NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm)=6.61(s,2H)、6.32(s,1H)、6.23(s,2H). 1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 6.61 (s, 2H), 6.32 (s, 1H), 6.23 (s, 2H).
合成例4
(化合物10の合成)
Synthesis example 4
(Synthesis of Compound 10)
1H−NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm)=6.64(s,2H)、6.37(s,1H)、3.78(d,4H)、1.69(m,2H)、1.20−1.60(m,16H)、0.91(t,12H). 1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 6.64 (s, 2H), 6.37 (s, 1H), 3.78 (d, 4H), 1.69 (m, 2H) ), 1.20-1.60 (m, 16H), 0.91 (t, 12H).
合成例5
(化合物11の合成)
Synthesis example 5
(Synthesis of Compound 11)
1H−NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm)=6.32(s,2H)、6.29(s,1H)、3.79(d,4H)、3.40(t,2H)、2.52(t,2H)、1.85(m,2H)、1.20−1.80(m,32H)、0.90(m,12H). 1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 6.32 (s, 2H), 6.29 (s, 1H), 3.79 (d, 4H), 3.40 (t, 2H) ), 2.52 (t, 2H), 1.85 (m, 2H), 1.20-1.80 (m, 32H), 0.90 (m, 12H).
実施例4
(化合物12の合成)
Example 4
(Synthesis of Compound 12)
1H−NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm)=8.50(s,2H)、7.62(s,2H)、7.49(d,2H)、6.32(s,4H)、6.29(s,2H)、4.65(t,4H)、3.80(d,8H)、2.52(t,4H)、1.93(m,4H)、1.20−1.80(m,64H)、0.90(m,24H). 1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 8.50 (s, 2H), 7.62 (s, 2H), 7.49 (d, 2H), 6.32 (s, 4H) ), 6.29 (s, 2H), 4.65 (t, 4H), 3.80 (d, 8H), 2.52 (t, 4H), 1.93 (m, 4H), 1.20. -1.80 (m, 64H), 0.90 (m, 24H).
実施例5
(化合物13の合成)
Example 5
(Synthesis of Compound 13)
1H−NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm)=8.25(s,2H)、7.58(s,2H)、6.32(s,4H)、6.29(s,2H)、4.60(t,4H)、3.80(d,8H)、2.53(t,4H)、1.91(m,4H)、1.20−1.80(m,64H)、0.90(m,24H). 1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 8.25 (s, 2H), 7.58 (s, 2H), 6.32 (s, 4H), 6.29 (s, 2H) ), 4.60 (t, 4H), 3.80 (d, 8H), 2.53 (t, 4H), 1.91 (m, 4H), 1.20-1.80 (m, 64H) 0.90 (m, 24H).
実施例6
(高分子化合物P1の合成)
Example 6
(Synthesis of polymer compound P1)
実施例7
(高分子化合物P2の合成)
Example 7
(Synthesis of polymer compound P2)
得られた反応溶液に、フェニルボロン酸を10.0mg加えて、1時間還流させた。得られた反応溶液にN,N−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物を0.1g加えて、3時間還流させた。得られた反応液を水に注ぎ、トルエンを加え、トルエン層を抽出した。得られたトルエン溶液を酢酸水溶液および水で洗浄した後、シリカゲルカラムを用いて精製した。得られたトルエン溶液をアセトンに滴下したところ、析出物が得られた。
得られた析出物を、アセトンを溶媒として用いてソックスレー洗浄し、高分子化合物P2を得た。得量は105mgであり、ポリスチレン換算の数平均分子量は2.1×104であり、重量平均分子量は7.4×104であった。
To the obtained reaction solution, 10.0 mg of phenylboronic acid was added and refluxed for 1 hour. 0.1 g of sodium N, N-diethyldithiocarbamate trihydrate was added to the resulting reaction solution, and the mixture was refluxed for 3 hours. The obtained reaction liquid was poured into water, toluene was added, and the toluene layer was extracted. The obtained toluene solution was washed with an acetic acid aqueous solution and water, and then purified using a silica gel column. When the obtained toluene solution was dropped into acetone, a precipitate was obtained.
The obtained precipitate was Soxhlet washed with acetone as a solvent to obtain a polymer compound P2. The yield was 105 mg, the polystyrene-equivalent number average molecular weight was 2.1 × 10 4 , and the weight average molecular weight was 7.4 × 10 4 .
実施例8
(高分子化合物P3の合成)
Example 8
(Synthesis of polymer compound P3)
実施例9
(高分子化合物P4の合成)
Example 9
(Synthesis of polymer compound P4)
実施例10
(高分子化合物P5の合成)
Example 10
(Synthesis of polymer compound P5)
実施例11
(高分子化合物P6の合成)
Example 11
(Synthesis of polymer compound P6)
実施例12
(高分子化合物P7の合成)
Example 12
(Synthesis of polymer compound P7)
実施例13
(高分子化合物P8の合成)
Example 13
(Synthesis of polymer compound P8)
実施例14
(高分子化合物P9の合成)
Example 14
(Synthesis of polymer compound P9)
実施例15
(有機トランジスタ1の作製および評価)
高分子化合物P1を含む溶液を用いて、図9に示す構造を有する有機トランジスタ1を作製した。
ゲート電極となる高濃度にドーピングされたn−型シリコン基板の表面を熱酸化し、シリコン酸化膜(以下、「熱酸化膜」という。)を形成した。熱酸化膜は絶縁層として機能する。次に、フォトリソグラフィー工程により熱酸化膜上にソース電極およびドレイン電極を作製した。該ソース電極および該ドレイン電極は、熱酸化膜側からクロム(Cr)層と金(Au)層とを有し、チャネル長が20μm、チャネル幅が2mmであった。こうして得られた熱酸化膜、ソース電極およびドレイン電極を形成した基板をアセトンで超音波洗浄を行ない、オゾンUVクリーナーでUVオゾン処理を行なった。その後、β−フェネチルトリクロロシランで熱酸化膜の表面を修飾し、ペンタフルオロベンゼンチオールでソース電極およびドレイン電極の表面を修飾した。次に、上記表面処理した熱酸化膜、ソース電極およびドレイン電極上に、0.5重量%の高分子化合物P1のオルトジクロロベンゼン溶液を1000rpmの回転速度でスピンコートし、有機半導体層(活性層)を形成した。その後、有機半導体層を大気中で170℃で30分間加熱し、有機トランジスタ1を製造した。
Example 15
(Production and Evaluation of Organic Transistor 1)
An
The surface of the heavily doped n-type silicon substrate to be the gate electrode was thermally oxidized to form a silicon oxide film (hereinafter referred to as “thermal oxide film”). The thermal oxide film functions as an insulating layer. Next, a source electrode and a drain electrode were formed on the thermal oxide film by a photolithography process. The source electrode and the drain electrode had a chromium (Cr) layer and a gold (Au) layer from the thermal oxide film side, and had a channel length of 20 μm and a channel width of 2 mm. The substrate on which the thermal oxide film, the source electrode and the drain electrode thus obtained were formed was subjected to ultrasonic cleaning with acetone, and UV ozone treatment was performed with an ozone UV cleaner. Thereafter, the surface of the thermal oxide film was modified with β-phenethyltrichlorosilane, and the surfaces of the source electrode and the drain electrode were modified with pentafluorobenzenethiol. Next, the surface-treated thermal oxide film, the source electrode and the drain electrode are spin-coated with an orthodichlorobenzene solution of 0.5% by weight of the polymer compound P1 at a rotational speed of 1000 rpm, and an organic semiconductor layer (active layer) ) Was formed. Thereafter, the organic semiconductor layer was heated in the atmosphere at 170 ° C. for 30 minutes to manufacture the
得られた有機トランジスタ1のゲート電圧Vg、ソース・ドレイン間電圧Vsdを変化させ、トランジスタ特性を測定した。電界効果移動度は、4.5×10−3cm2/Vsであった。
The transistor characteristics were measured by changing the gate voltage Vg and the source-drain voltage Vsd of the
実施例16
(有機トランジスタ2の作製および評価)
実施例15の高分子化合物P1に代えて高分子化合物P2を用いたこと以外は、実施例15と同様にして、有機トランジスタ2を作製した。
Example 16
(Production and evaluation of organic transistor 2)
Organic transistor 2 was produced in the same manner as in Example 15 except that polymer compound P2 was used instead of polymer compound P1 in Example 15.
得られた有機トランジスタ2のゲート電圧Vg、ソース・ドレイン間電圧Vsdを変化させ、トランジスタ特性を測定した。電界効果移動度は、4.3×10−3cm2/Vsであった。 The transistor characteristics were measured by changing the gate voltage Vg and the source-drain voltage Vsd of the organic transistor 2 obtained. The field effect mobility was 4.3 × 10 −3 cm 2 / Vs.
実施例16
(有機トランジスタ3の作製および評価)
実施例15の高分子化合物P1に代えて高分子化合物P3を用いたこと以外は、実施例15と同様にして、有機トランジスタ3を作製した。
Example 16
(Production and evaluation of organic transistor 3)
得られた有機トランジスタ3のゲート電圧Vg、ソース・ドレイン間電圧Vsdを変化させ、トランジスタ特性を測定した。電界効果移動度は、4.1×10−3cm2/Vsであった。
The transistor characteristics were measured by changing the gate voltage Vg and the source-drain voltage Vsd of the
1…基板、
2、2a…活性層、
3…絶縁層、
4…ゲート電極、
5…ソース電極、
6…ドレイン電極、
100、110、120、130、140、150、160、170、180…有機トランジスタ。
1 ... substrate,
2, 2a ... active layer,
3. Insulating layer,
4 ... Gate electrode,
5 ... Source electrode,
6 ... drain electrode,
100, 110, 120, 130, 140, 150, 160, 170, 180... Organic transistor.
Claims (9)
AおよびCは、それぞれ独立に、3価の芳香族炭化水素基または3価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Bは、4価の基を表し、この基は置換基を有していてもよい。
Z1およびZ2は、それぞれ独立に、式(Z)で表される基を表す。〕
R1は、水素原子、アルキル基、アリール基または1価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕 A polymer compound comprising a structural unit represented by formula (1-1) and / or a structural unit represented by formula (1-2).
A and C each independently represent a trivalent aromatic hydrocarbon group or a trivalent heterocyclic group, and these groups optionally have a substituent.
B represents a tetravalent group, and this group may have a substituent.
Z 1 and Z 2 each independently represent a group represented by the formula (Z). ]
R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a monovalent heterocyclic group, and these groups may have a substituent. ]
Z1およびZ2は、前記と同じ意味を表す。
X1およびX2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子またはセレン原子を表す。
Y1およびY2は、それぞれ独立に、窒素原子または−CH=で表される基を表す。
R2、R3、R4およびR5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、1価の複素環基、ハロゲン原子、シリル基、アルケニル基またはアルキニル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕 The structural unit represented by the formula (1-1) is a structural unit represented by the formula (2-1), and the structural unit represented by the formula (1-2) is represented by the formula (2-2). The high molecular compound as described in any one of Claims 1-3 which is a structural unit represented by this.
Z 1 and Z 2 represent the same meaning as described above.
X 1 and X 2 each independently represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom.
Y 1 and Y 2 each independently represent a nitrogen atom or a group represented by —CH═.
R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, monovalent heterocyclic group, halogen atom, silyl Represents a group, an alkenyl group or an alkynyl group, and these groups optionally have a substituent. ]
W1およびW2は、それぞれ独立に、水素原子またはハロゲン原子を表す。
X3およびX4は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子またはセレン原子を表す。
Y3およびY4は、それぞれ独立に、窒素原子または−CH=で表される基を表す。
Z3およびZ4は、それぞれ独立に、式(Z’)で表される基を表す。
R6、R7、R8およびR9は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、1価の複素環基、ハロゲン原子、シリル基、アルケニル基またはアルキニル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕
R10は、水素原子、アルキル基、アリール基または1価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。〕 A compound represented by formula (3-1) or a compound represented by formula (3-2).
W 1 and W 2 each independently represents a hydrogen atom or a halogen atom.
X 3 and X 4 each independently represents an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom.
Y 3 and Y 4 each independently represent a nitrogen atom or a group represented by —CH═.
Z 3 and Z 4 each independently represent a group represented by the formula (Z ′).
R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, monovalent heterocyclic group, halogen atom, silyl Represents a group, an alkenyl group or an alkynyl group, and these groups optionally have a substituent. ]
R 10 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a monovalent heterocyclic group, and these groups optionally have a substituent. ]
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-
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