JP2014222688A

JP2014222688A - Method for evaluating output characteristics of photoelectric conversion module

Info

Publication number: JP2014222688A
Application number: JP2013101063A
Authority: JP
Inventors: 真太郎光野; Shintaro Mitsuno
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2013-05-13
Filing date: 2013-05-13
Publication date: 2014-11-27

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for evaluating the output characteristics of a photoelectric conversion module including a practical chalcopyrite-, kesterite-, or Sutanaito-type light absorption layer in a simple method and in a short time.SOLUTION: A method for evaluating the output characteristics of a photoelectric conversion module M including a chalcopyrite-, kesterite-, or Sutanaito-type light absorption layer 4 comprises the steps of: irradiating the light absorption layer 4 with light at a temperature higher than a normal temperature (light irradiating step); and evaluating the output characteristics of the photoelectric conversion module M (evaluating step).

Description

本発明は、カルコパイライト型、ケステライト型またはスタナイト型の光吸収層を有する光電変換モジュールの出力特性の評価方法に関する。 The present invention relates to a method for evaluating output characteristics of a photoelectric conversion module having a chalcopyrite type, kesterite type, or stannite type light absorption layer.

近年、エネルギー問題や環境問題の深刻化に伴い、光エネルギーを電気エネルギーに直接変換する太陽光発電が注目を集めている。 In recent years, with the seriousness of energy problems and environmental problems, photovoltaic power generation that directly converts light energy into electric energy has attracted attention.

太陽光発電に使用される光電変換モジュールには、ＣＩＧＳ等のカルコパイライト型の化合物半導体から成る光吸収層を有するものや、ＣＺＴＳ等のケステライト型またはスタナイト型の光吸収層を有するものがある。 Some photoelectric conversion modules used for photovoltaic power generation have a light absorption layer made of a chalcopyrite type compound semiconductor such as CIGS, and others have a kesterite type or a stannite type light absorption layer such as CZTS.

このカルコパイライト型、ケステライト型またはスタナイト型の光吸収層を有する光電変換モジュールにおいては、暗状態で保管すると、光電変換効率が一時的に低下することが知られている。このため上記の光吸収層を有する光電変換モジュールの出力特性を実用的なものに評価する為に、ソーラーシミュレーターにより擬似太陽光を、評価前の光電変換モジュールに予め照射しておいて、その後光電変換モジュールの出力特性を評価することが提案されている（特許文献１、特許文献２参照）。 In the photoelectric conversion module having the chalcopyrite type, kesterite type or stannite type light absorption layer, it is known that the photoelectric conversion efficiency is temporarily lowered when stored in a dark state. For this reason, in order to evaluate the output characteristics of the photoelectric conversion module having the light absorption layer to a practical one, the solar conversion module before irradiation is preliminarily irradiated with the solar simulator by a solar simulator, and then the photoelectric conversion module It has been proposed to evaluate the output characteristics of the conversion module (see Patent Document 1 and Patent Document 2).

特開平９−３６４０１号公報JP-A-9-36401 特開平９−３６４０２号公報JP-A-9-36402

上述の様に評価前の光電変換モジュールに予め、擬似太陽光を照射しておく方法で光電変換モジュールの出力特性を正確に評価するためには、擬似太陽光の長い照射時間が必要になるため、その製造工程においては多くのソーラーシミュレーターが必要になり、作業効率の低下やコストアップに繋がることがあった。 As described above, in order to accurately evaluate the output characteristics of the photoelectric conversion module using the method in which the photoelectric conversion module before evaluation is irradiated in advance with the simulated sunlight, a long irradiation time of the simulated sunlight is required. In the manufacturing process, many solar simulators are required, which may lead to a decrease in work efficiency and an increase in cost.

本発明の一つの目的は、簡便な方法で、短時間で実用的なカルコパイライト型、ケステライト型またはスタナイト型の光吸収層を有する光電変換モジュールの出力特性評価方法を提供することにある。 One object of the present invention is to provide a method for evaluating output characteristics of a photoelectric conversion module having a light-absorbing layer of a practical chalcopyrite type, kesterite type, or stannite type in a simple method in a short time.

本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールの特性評価方法では、カルコパイライト型、ケステライト型またはスタナイト型の光吸収層を有する光電変換モジュールの特性評価方法であって、前記光吸収層を常温よりも高い温度にしながら前記光吸収層に光を照射する光照射工程と、前記光電変換モジュールの特性を評価する評価工程とを具備することを特徴とする。 The photoelectric conversion module characteristic evaluation method according to an embodiment of the present invention is a photoelectric conversion module characteristic evaluation method having a chalcopyrite type, kesterite type, or stannite type light absorption layer, wherein the light absorption layer is moved from room temperature. A light irradiation step of irradiating light to the light absorption layer while maintaining a high temperature, and an evaluation step of evaluating characteristics of the photoelectric conversion module.

カルコパイライト型、ケステライト型またはスタナイト型の光吸収層を有する光電変換モジュールの特性を評価する評価工程前に、該光吸収層を常温よりも高い温度にしながら光吸収層に光を照射する光照射工程を設けたことにより、光照射の効果を促進することができ、短時間で実用的なカルコパイライト型、ケステライト型またはスタナイト型の光吸
収層を有する光電変換モジュールの出力特性評価が可能となる。 Light irradiation for irradiating the light absorption layer with the light absorption layer at a temperature higher than normal temperature before the evaluation process for evaluating the characteristics of the photoelectric conversion module having the chalcopyrite type, kesterite type or stannite type light absorption layer By providing the process, the effect of light irradiation can be promoted, and it becomes possible to evaluate the output characteristics of a photoelectric conversion module having a practical chalcopyrite type, kesterite type, or stannite type light absorption layer in a short time. .

本発明の一実施形態に係る光電変換モジュ−ルの光電変換部の一例を示すものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。An example of the photoelectric conversion part of the photoelectric conversion module which concerns on one Embodiment of this invention is shown, (a) is a perspective view, (b) is sectional drawing. 本発明の一実施形態に係る光電変換モジュ−ルの表面側（受光面側）からみた斜視図である。It is the perspective view seen from the surface side (light-receiving surface side) of the photoelectric conversion module which concerns on one Embodiment of this invention. 図２に示した光電変換モジュ−ルの裏面側（非受光面側）からみた斜視図である。It is the perspective view seen from the back surface side (non-light-receiving surface side) of the photoelectric conversion module shown in FIG. 図２のＡ−Ａ部の断面図である。It is sectional drawing of the AA part of FIG. 本実施形態に係る光照射工程の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of the light irradiation process which concerns on this embodiment. 本発明に係る光電変換モジュールの特性評価方法の他の実施形態を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically other embodiment of the characteristic evaluation method of the photoelectric conversion module which concerns on this invention. 実施例の結果を示すグラフである。It is a graph which shows the result of an Example.

本発明の光電変換モジュ−ルの実施形態の一例について、図面を参照しつつ説明する。 An example of an embodiment of the photoelectric conversion module of the present invention will be described with reference to the drawings.

＜光電変換部＞
まず、光電変換モジュ−ルの一部である光電変換部について説明する。なお、各図には、後述する光電変換セルの配列方向をＸ軸とする右手系のＸＹＺ座標が付している場合がある。 <Photoelectric conversion unit>
First, a photoelectric conversion unit that is a part of the photoelectric conversion module will be described. Each figure may have a right-handed XYZ coordinate with the X-axis being the alignment direction of photoelectric conversion cells described later.

光電変換部１は、基板２の一主面（上面２ａ）上に設けられている。そして、この光電変換部１は、下部電極３と、光吸収層４およびバッファ層５を備えた光電変換層と、透光性導電層６および集電電極７を備えた上部電極とを有する。この光電変換部１では、下部電極３および上部電極で挟まれた光吸収層４およびバッファ層５によって光電変換が行なわれる。 The photoelectric conversion unit 1 is provided on one main surface (upper surface 2 a) of the substrate 2. And this photoelectric conversion part 1 has the lower electrode 3, the photoelectric converting layer provided with the light absorption layer 4 and the buffer layer 5, and the upper electrode provided with the translucent conductive layer 6 and the current collection electrode 7. FIG. In the photoelectric conversion unit 1, photoelectric conversion is performed by the light absorption layer 4 and the buffer layer 5 sandwiched between the lower electrode 3 and the upper electrode.

この光電変換部１は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、複数の光電変換セル１ａ、１ｂが電気的に接続されるような態様を成している。具体的には、一方の光電変換セル１ａの上部電極（集電電極７）と、一方の光電変換セル１ａに隣り合う他方の光電変換セル１ｂの下部電極３とが電気的に接続されている。これにより、隣接する光電変換セル１ａ、１ｂは、図１中のＸ方向に沿って直列接続され、基板２上で集積化されている。 As shown in FIGS. 1A and 1B, the photoelectric conversion unit 1 is configured such that a plurality of photoelectric conversion cells 1a and 1b are electrically connected. Specifically, the upper electrode (collecting electrode 7) of one photoelectric conversion cell 1a and the lower electrode 3 of the other photoelectric conversion cell 1b adjacent to one photoelectric conversion cell 1a are electrically connected. . Thereby, the adjacent photoelectric conversion cells 1 a and 1 b are connected in series along the X direction in FIG. 1 and are integrated on the substrate 2.

また、光電変換部１には、この光電変換部１で得られた電気出力を外部に導出するための出力電極８（出力電極８Ａ、８Ｂ）がそれぞれ設けられている。 In addition, the photoelectric conversion unit 1 is provided with output electrodes 8 (output electrodes 8A and 8B) for leading the electrical output obtained by the photoelectric conversion unit 1 to the outside.

次に、光電変換部１の各部材について説明する。 Next, each member of the photoelectric conversion unit 1 will be described.

下部電極３は、一方向（図１（ａ）のＸ方向）に互いに間隔をあけて基板２の一主面上に複数配置されている。本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、上記間隔に対応する分離溝Ｐ１によって互いに離間した３つの下部電極３が設けられている。なお、下部電極３の個数については、図１（ａ）、（ｂ）に示したものに限られない。 A plurality of lower electrodes 3 are arranged on one main surface of the substrate 2 at intervals in one direction (X direction in FIG. 1A). In the present embodiment, as shown in FIG. 1B, three lower electrodes 3 are provided that are separated from each other by the separation groove P1 corresponding to the interval. The number of lower electrodes 3 is not limited to that shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b).

このような下部電極３は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）または金（Ａｕ）等の金属またはこれらの合金を含む薄膜であればよい。また、これらの金属が積層されてなる構造体であってもよい。この下部電極３は、例えば、基板２上にスパッタリング法または蒸着法等を利用して、厚さ０．２〜１μｍ程度に形成すればよい。 Such a lower electrode 3 may be a thin film containing a metal such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), titanium (Ti), tantalum (Ta) or gold (Au) or an alloy thereof. Moreover, the structure formed by laminating | stacking these metals may be sufficient. The lower electrode 3 may be formed to a thickness of about 0.2 to 1 μm on the substrate 2 by using a sputtering method or a vapor deposition method, for example.

光吸収層４は、下部電極３上に配置されている。本実施形態に係る光吸収層４は、カルコパイライト型、ケステライト型またはスタナイト型の光吸収層である。このような光吸収層４としては、例えば、カルコゲン化合物半導体が挙げられる。カルコゲン化合物半導体は、カルコゲン元素である硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）またはテルル（Ｔｅ）を含むものであり、例えば、Ｉ−III−VI化合物半導体またはＩ−II−IV−VI化合物半導体がある
。 The light absorption layer 4 is disposed on the lower electrode 3. The light absorption layer 4 according to the present embodiment is a chalcopyrite type, kesterite type, or stannite type light absorption layer. As such a light absorption layer 4, a chalcogen compound semiconductor is mentioned, for example. The chalcogen compound semiconductor contains sulfur (S), selenium (Se), or tellurium (Te), which are chalcogen elements, for example, an I-III-VI compound semiconductor or an I-II-IV-VI compound semiconductor. .

I−III−VI化合物半導体とは、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素ともいう）、III−Ｂ族元素
（１３族元素ともいう）およびVI−Ｂ族元素（１６族元素ともいう）の化合物半導体である。そして、このようなI−III−VI化合物半導体は、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体とも呼ばれる（ＣＩＳ系化合物半導体ともいう）。I−III−VI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ_２）、二セレン化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_２）、二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）_２）、二イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ_２）または薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。 An I-III-VI compound semiconductor is a compound of a group IB element (also referred to as a group 11 element), a group III-B element (also referred to as a group 13 element) and a group VI-B element (also referred to as a group 16 element). It is a semiconductor. Such an I-III-VI compound semiconductor has a chalcopyrite structure and is also called a chalcopyrite compound semiconductor (also referred to as a CIS compound semiconductor). Examples of the I-III-VI compound semiconductor include copper indium diselenide (CuInSe ₂ ), copper indium diselenide / gallium (Cu (In, Ga) Se ₂ ), diselen selenide / copper indium / gallium (gallium ( Cu (In, Ga) (Se, S) ₂ ), copper indium gallium disulfide (Cu (In, Ga) S ₂ ), or a thin film of selenium disulfide / copper indium / gallium as a surface layer There are multi-element compound semiconductor thin films such as copper indium selenide and gallium.

また、Ｉ−II−IV−VI化合物半導体とは、Ｉ−Ｂ族元素、II−Ｂ族元素（１２族元素ともいう）、IV−Ｂ族元素（１４族元素ともいう）およびVI−Ｂ族元素の化合物半導体である。そして、このようなI−II−IV−VI化合物半導体は、ケステライト型構造またはスタ
ナイト型構造を有している。Ｉ−II−IV−VI化合物半導体としては、例えば、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）および硫黄（Ｓ）を含む、ＣＺＴＳ系のものがある。このようなＣＺＴＳ系化合物半導体としては、例えば、Ｃｕ_２ＺｎＳｎＳ_４が挙げられる。ＣＺＴＳ系化合物半導体は、I−III−VI化合物半導体のようにレアメタルを使用していないため、材料を確保しやすい。 In addition, the I-II-IV-VI compound semiconductors are IB group elements, II-B group elements (also referred to as group 12 elements), IV-B group elements (also referred to as group 14 elements), and VI-B groups. It is a compound semiconductor of elements. Such an I-II-IV-VI compound semiconductor has a kesterite structure or a stannite structure. Examples of the I-II-IV-VI compound semiconductor include CZTS-based semiconductors containing copper (Cu), zinc (Zn), tin (Sn), and sulfur (S). An example of such a CZTS compound semiconductor is Cu ₂ ZnSnS ₄ . Since the CZTS compound semiconductor does not use rare metal unlike the I-III-VI compound semiconductor, it is easy to secure the material.

また、光吸収層４は、例えば、ｐ型の導電型を有し、厚さが１〜３μｍ程度である。光吸収層４は、例えばスパッタリング法、蒸着法等といった真空プロセスによって形成される。また、光吸収層４は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成される。塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層４に主として含まれる元素の錯体溶液が下部電極３の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。 The light absorption layer 4 has, for example, a p-type conductivity and has a thickness of about 1 to 3 μm. The light absorption layer 4 is formed by a vacuum process such as sputtering or vapor deposition. The light absorption layer 4 is also formed by a process called a coating method or a printing method. In the coating method or the printing method, for example, a complex solution of elements mainly contained in the light absorption layer 4 is applied on the lower electrode 3, and then drying and heat treatment are performed.

バッファ層５は、光吸収層４の＋Ｚ側の主面の上に設けられており、光吸収層４の第１導電型とは異なる第２導電型（ここではｎ型の導電型）を有する半導体を主に含む。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体である。また、光吸収層４の導電型がｎ型であり、バッファ層５の導電型がｐ型であってもよい。ここでは、バッファ層５と光吸収層４との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、各光電変換セルでは、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層４とバッファ層５とにおいて光電変換が生じ得る。 The buffer layer 5 is provided on the main surface on the + Z side of the light absorption layer 4 and has a second conductivity type (here, n-type conductivity type) different from the first conductivity type of the light absorption layer 4. Mainly includes semiconductors. Note that semiconductors having different conductivity types are semiconductors having different conductive carriers. Moreover, the conductivity type of the light absorption layer 4 may be n-type, and the conductivity type of the buffer layer 5 may be p-type. Here, a heterojunction region is formed between the buffer layer 5 and the light absorption layer 4. For this reason, in each photoelectric conversion cell, photoelectric conversion can occur in the light absorption layer 4 and the buffer layer 5 that form the heterojunction region.

バッファ層５は、化合物半導体を主に含む。バッファ層５に含まれる化合物半導体としては、例えば硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化インジウム（Ｉｎ_２Ｓ_３）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、セレン化インジウム（Ｉｎ_２Ｓｅ_３）、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）および（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等が挙げられる。また、バッファ層５が１Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有していれば、リ−ク電流の発生が低減され得る。なお、バッファ層５は、例えば、ケミカルバスデポジション（ＣＢＤ）法等によって形成され得る。 The buffer layer 5 mainly contains a compound semiconductor. Examples of the compound semiconductor included in the buffer layer 5 include cadmium sulfide (CdS), indium sulfide (In ₂ S ₃ ), zinc sulfide (ZnS), zinc oxide (ZnO), indium selenide (In ₂ Se ₃ ), In (OH, S), (Zn, In) (Se, OH), (Zn, Mg) O, and the like. Further, if the buffer layer 5 has a resistivity of 1 Ω · cm or more, generation of leak current can be reduced. The buffer layer 5 can be formed by, for example, a chemical bath deposition (CBD) method or the like.

また、バッファ層５は、光吸収層４の一主面の法線方向（＋Ｚ方向）に厚さを有する。この厚さは、例えば、１０〜２００ｎｍに設定される。バッファ層５の厚さが１００〜２００ｎｍであれば、バッファ層５の上に透光性導電層６がスパッタリング法等で形成される際に、バッファ層５においてダメージが生じ難くなる。 The buffer layer 5 has a thickness in the normal direction (+ Z direction) of one main surface of the light absorption layer 4. This thickness is set to, for example, 10 to 200 nm. When the thickness of the buffer layer 5 is 100 to 200 nm, damage is unlikely to occur in the buffer layer 5 when the translucent conductive layer 6 is formed on the buffer layer 5 by a sputtering method or the like.

透光性導電層６は、バッファ層５の＋Ｚ側の主面の上に設けられており、例えば、ｎ型の導電型を有する透明の導電層（透明導電層とも言う）である。この透光性導電層６は、光吸収層４において生じた電荷を取り出す電極（取出電極とも言う）として働く。透光性導電層６は、バッファ層５よりも低い抵抗率を有する材料を主に含む。透光性導電層６には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれてもよいし、窓層と透明導電層とが含まれてもよい。 The translucent conductive layer 6 is provided on the main surface on the + Z side of the buffer layer 5 and is, for example, a transparent conductive layer (also referred to as a transparent conductive layer) having an n-type conductivity type. The translucent conductive layer 6 functions as an electrode for extracting charges generated in the light absorption layer 4 (also referred to as an extraction electrode). The translucent conductive layer 6 mainly includes a material having a lower resistivity than the buffer layer 5. The translucent conductive layer 6 may include what is called a window layer, and may include a window layer and a transparent conductive layer.

透光性導電層６は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化亜鉛の化合物、錫が含まれた酸化インジウム（ＩＴＯ）および酸化錫（ＳｎＯ_２）等の金属酸化物半導体等が挙げられる。酸化亜鉛の化合物は、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウムおよびフッ素のうちの何れか１つの元素等が含まれたものである。 The translucent conductive layer 6 mainly includes a material having a wide forbidden band, transparent, and low resistance. Examples of such a material include zinc oxide (ZnO), a compound of zinc oxide, and metal oxide semiconductors such as indium oxide (ITO) containing tin and tin oxide (SnO ₂ ). The zinc oxide compound contains any one element of aluminum, boron, gallium, indium, and fluorine.

透光性導電層６は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって形成され得る。透光性導電層６の厚さは、例えば、０．０５〜３．０μｍである。ここで、透光性導電層６が、１Ω・ｃｍ未満の抵抗率と、５０Ω／□以下のシート抵抗とを有していれば、透光性導電層６を介して光吸収層４から電荷が良好に取り出され得る。 The translucent conductive layer 6 can be formed by sputtering, vapor deposition, chemical vapor deposition (CVD), or the like. The thickness of the translucent conductive layer 6 is, for example, 0.05 to 3.0 μm. Here, if the translucent conductive layer 6 has a resistivity of less than 1 Ω · cm and a sheet resistance of 50 Ω / □ or less, the charge is transferred from the light absorption layer 4 via the translucent conductive layer 6. Can be taken out well.

集電電極７は、透光性導電層６の＋Ｚ側の主面（一主面とも言う）の上に設けられている線状部７ａと、接続部７ｂを有している。そして、例えば、光電変換セル１ａの透光性導電層６によって集められた電荷は、線状部７ａによってさらに集められ、接続部７ｂを介して隣接する光電変換セル１ｂに伝達され得る。 The current collecting electrode 7 has a linear portion 7 a provided on the + Z side main surface (also referred to as one main surface) of the translucent conductive layer 6 and a connection portion 7 b. Then, for example, the charges collected by the translucent conductive layer 6 of the photoelectric conversion cell 1a can be further collected by the linear portion 7a and transmitted to the adjacent photoelectric conversion cell 1b through the connection portion 7b.

この線状部７ａが設けられることで、透光性導電層６における導電性が補われるため、透光性導電層６の薄層化が可能となる。これにより、電荷の取り出し効率の確保と、透光性導電層６における光透過性の向上とが両立し得る。なお、線状部７ａが、例えば、銀等の導電性が優れた金属を主に含んでいれば、光電変換部１における変換効率が向上し得る。なお、線状部７ａに含まれる金属としては、例えば銅、アルミニウムおよびニッケル等が挙げられる。 By providing the linear portion 7a, the conductivity of the translucent conductive layer 6 is supplemented, so that the translucent conductive layer 6 can be thinned. Thereby, securing of charge extraction efficiency and improvement of light transmittance in the translucent conductive layer 6 can both be achieved. In addition, if the linear part 7a mainly contains the metal which was excellent in electroconductivity, such as silver, the conversion efficiency in the photoelectric conversion part 1 can improve. In addition, as a metal contained in the linear part 7a, copper, aluminum, nickel, etc. are mentioned, for example.

また、線状部７ａの幅は、５０〜４００μｍであれば、隣接する光電変換セル１ａおよび光電変換セル１ｂ間における良好な導電が確保されつつ、光吸収層４への光の入射量の低下が低減され得る。１つの光電変換セルに複数の線状部７ａが設けられる場合、該複数の線状部７ａの間隔は、例えば、２．５ｍｍ程度であればよい。 Moreover, if the width | variety of the linear part 7a is 50-400 micrometers, the fall of the incident amount of the light to the light absorption layer 4 is ensured, ensuring favorable electroconductivity between the adjacent photoelectric conversion cell 1a and the photoelectric conversion cell 1b. Can be reduced. When a plurality of linear portions 7a are provided in one photoelectric conversion cell, the interval between the plurality of linear portions 7a may be about 2.5 mm, for example.

接続部７ｂは、光吸収層４およびバッファ層５を分離する分離溝Ｐ２内に配置されている。この接続部７ｂは、線状部７ａと電気的に接続している。そして、例えば、光電変換セル１ａ内に位置する接続部７ｂは、分離溝Ｐ２を通って隣の光電変換セル１ｂから延伸されている下部電極３に接続するような垂下部を有している。これにより接続部７ｂは、図１（ａ）において、光電変換セル１ａの上部電極（透光性導電層６および線状部７ａ）と、光電変換セル１ｂの下部電極３とを電気的に接続できる。なお、図１（ａ）、（ｂ）では、透光性導電層６に電気的に接続された光電変換セル１ａの線状部７ａと光電変換セル１ｂの下部電極３とを直に接続しているが、この形態に限られない。接続部７ｂは、例えば、分離溝Ｐ２に配置されるバッファ層５および透光性導電層６の少なくとも一方を介して光電変換セル１ａの上部電極と光電変換セル１ｂの下部電極３とを電気的に接続する
形態であってもよい。 The connecting portion 7 b is disposed in the separation groove P 2 that separates the light absorption layer 4 and the buffer layer 5. The connection portion 7b is electrically connected to the linear portion 7a. For example, the connection portion 7b located in the photoelectric conversion cell 1a has a hanging portion that connects to the lower electrode 3 extending from the adjacent photoelectric conversion cell 1b through the separation groove P2. Thereby, the connection part 7b electrically connects the upper electrode (the translucent conductive layer 6 and the linear part 7a) of the photoelectric conversion cell 1a and the lower electrode 3 of the photoelectric conversion cell 1b in FIG. 1A. it can. 1A and 1B, the linear portion 7a of the photoelectric conversion cell 1a electrically connected to the translucent conductive layer 6 and the lower electrode 3 of the photoelectric conversion cell 1b are directly connected. However, it is not limited to this form. For example, the connecting portion 7b electrically connects the upper electrode of the photoelectric conversion cell 1a and the lower electrode 3 of the photoelectric conversion cell 1b via at least one of the buffer layer 5 and the translucent conductive layer 6 disposed in the separation groove P2. It may be a form of connection to.

接続部７ｂは、線状部７ａと同様の材質、方法で作製してもよい。そのため、接続部７ｂは、線状部７ａの形成と同時に行なってもよい。また、接続部７ｂは、線状部７ａの一部であってもよい。 The connecting portion 7b may be made of the same material and method as the linear portion 7a. Therefore, the connecting portion 7b may be performed simultaneously with the formation of the linear portion 7a. Moreover, the connection part 7b may be a part of the linear part 7a.

出力電極８Ａ、８Ｂは、各光電変換セルで光から変換された電流を外部に出力するものである。出力電極８Ａおよび出力電極８Ｂは、一方が正極であり、他方が負極である。本実施形態では、光電変換部１の一端側に出力電極８Ａ、他端側に出力電極８Ｂがそれぞれ設けられている。すなわち、出力電極８Ａおよび出力電極８Ｂは、光電変換部１と電気的に接続されているといえる。具体的に、本実施形態において、出力電極８Ａは、光電変換セル１ａの一端側（−Ｘ方向）に位置する下部電極３の一部が延在された部位に相当する。一方で、出力電極８Ｂは、光電変換セル１ｂの他端側（＋Ｘ方向）に位置する下部電極３の一部が延在された部位に相当する。なお、本実施形態において、出力電極８Ａおよび出力電極８Ｂは、下部電極３の一部を延在させて形成しているが、これに限られない。出力電極８Ａおよび出力電極８Ｂは、例えば、光電変換セルの上部電極の一部を延在させて形成してもよい。また、光電変換セルが３個以上配列されるような場合は、光電変換部１の一端に位置する光電変換セルに出力電極８Ａが設けられ、光電変換部１の他端に位置する光電変換セルに出力電極８Ｂが設けられる。 The output electrodes 8A and 8B output the current converted from light in each photoelectric conversion cell to the outside. One of the output electrode 8A and the output electrode 8B is a positive electrode, and the other is a negative electrode. In the present embodiment, an output electrode 8A is provided on one end side of the photoelectric conversion unit 1, and an output electrode 8B is provided on the other end side. That is, it can be said that the output electrode 8A and the output electrode 8B are electrically connected to the photoelectric conversion unit 1. Specifically, in the present embodiment, the output electrode 8A corresponds to a portion where a part of the lower electrode 3 located on one end side (−X direction) of the photoelectric conversion cell 1a is extended. On the other hand, the output electrode 8B corresponds to a portion where a part of the lower electrode 3 located on the other end side (+ X direction) of the photoelectric conversion cell 1b is extended. In the present embodiment, the output electrode 8A and the output electrode 8B are formed by extending a part of the lower electrode 3, but the present invention is not limited to this. For example, the output electrode 8A and the output electrode 8B may be formed by extending a part of the upper electrode of the photoelectric conversion cell. When three or more photoelectric conversion cells are arranged, an output electrode 8A is provided in the photoelectric conversion cell located at one end of the photoelectric conversion unit 1 and the photoelectric conversion cell located at the other end of the photoelectric conversion unit 1 Is provided with an output electrode 8B.

次に、光電変換部１の製造方法の一例について説明する。 Next, an example of a method for manufacturing the photoelectric conversion unit 1 will be described.

まず、基板２の外周部から内側に３〜２０ｍｍ程度を除く略全面にモリブデン等の金属をスパッタリング法で成膜し、下部電極３を形成する。次いで、下部電極３の所望の位置にＹＡＧ（イットリウム、アルミニウム、ガーネット）レーザ等を照射して分割溝Ｐ１を形成し、下部電極３をパターニングする。次に、パターニングされた下部電極３上に光吸収層４をスパッタリング法、蒸着法または印刷法等を用いて成膜する。次いで、光吸収層４上にバッファ層５をケミカルバスデポジション法（ＣＢＤ法）等で成膜する。 First, a metal such as molybdenum is formed on the substantially entire surface excluding about 3 to 20 mm inward from the outer peripheral portion of the substrate 2 to form the lower electrode 3. Next, a desired position of the lower electrode 3 is irradiated with a YAG (yttrium, aluminum, garnet) laser or the like to form a dividing groove P1, and the lower electrode 3 is patterned. Next, the light absorption layer 4 is formed on the patterned lower electrode 3 by using a sputtering method, a vapor deposition method, a printing method, or the like. Next, the buffer layer 5 is formed on the light absorption layer 4 by a chemical bath deposition method (CBD method) or the like.

次に、スパッタリング法または有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等でバッファ層５上に透光性導電層６を成膜する。次いで、メカニカルスクライビング等で分割溝Ｐ２を形成して、光吸収層４、バッファ層５および透光性導電層６をパターニングする。次に、透光性導電層６上にスクリーン印刷法等で金属ペーストを塗布した後、焼成して集電電極７を形成する。次いで、メカニカルスクライビング等でＹ方向に沿って分割溝Ｐ３を形成してパターニングを行なうことにより、Ｘ方向に配列する複数の光電変換セルを形成することによって、光電変換部１が形成される。 Next, the translucent conductive layer 6 is formed on the buffer layer 5 by sputtering or metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Next, the dividing groove P2 is formed by mechanical scribing or the like, and the light absorption layer 4, the buffer layer 5, and the translucent conductive layer 6 are patterned. Next, after applying a metal paste on the translucent conductive layer 6 by screen printing or the like, the current collector electrode 7 is formed by baking. Next, the photoelectric conversion unit 1 is formed by forming a plurality of photoelectric conversion cells arranged in the X direction by forming the dividing grooves P3 along the Y direction by mechanical scribing or the like and performing patterning.

次に、Ｘ方向における両端に位置する光電変換セル（本実施形態では光電変換セル１ａおよび光電変換セル１ｂ）について、例えばブレードおよびホイールブラシ等などを用いて光吸収層４、バッファ層５、透光性導電層６および集電電極７等を２〜７ｍｍ程度の幅で削り取り、下部電極３の一部を延在させる。これにより、光電変換セル１ａの一端部に出力電極８Ａを形成し、光電変換セル１ｂの他端部に出力電極８Ｂが形成される。 Next, for the photoelectric conversion cells (photoelectric conversion cell 1a and photoelectric conversion cell 1b in this embodiment) located at both ends in the X direction, for example, using a blade, a wheel brush, or the like, the light absorption layer 4, the buffer layer 5, the transparent layer, and the like. The photoconductive layer 6, the collecting electrode 7 and the like are scraped off with a width of about 2 to 7 mm, and a part of the lower electrode 3 is extended. Thereby, the output electrode 8A is formed at one end of the photoelectric conversion cell 1a, and the output electrode 8B is formed at the other end of the photoelectric conversion cell 1b.

＜光電変換モジュール＞
光電変換モジュールＭは、図２、図３および図４に示すように、光電変換部１、基板２、被覆部材９、保護部材１０および配線導体１１を備える光電変換パネルＰと、端子ボックス１２とを備えている。 <Photoelectric conversion module>
As shown in FIGS. 2, 3 and 4, the photoelectric conversion module M includes a photoelectric conversion panel P including a photoelectric conversion unit 1, a substrate 2, a covering member 9, a protective member 10 and a wiring conductor 11, a terminal box 12, It has.

基板２は、光電変換部１を支持する機能を有している。また、基板２の材質としては、例えば厚さ１〜３ｍｍ程度の青板ガラス（ソーダライムガラス）または硼珪酸ガラス等が
挙げられる。また、基板２の形状は、正方形状または長方形状の平板であればよい。 The substrate 2 has a function of supporting the photoelectric conversion unit 1. Examples of the material of the substrate 2 include blue plate glass (soda lime glass) or borosilicate glass having a thickness of about 1 to 3 mm. Moreover, the shape of the board | substrate 2 should just be a square shape or a rectangular-shaped flat plate.

基板２の一主面を上面２ａとして光電変換部１が形成され、上面２ａと対向する他主面が下面２ｂとなり、下面２ｂが光電変換パネルＰの非受光面となる。 The photoelectric conversion unit 1 is formed with one main surface of the substrate 2 as the upper surface 2a, the other main surface facing the upper surface 2a is the lower surface 2b, and the lower surface 2b is the non-light-receiving surface of the photoelectric conversion panel P.

被覆部材９は、図４に示すように、基板２の上面２ａおよび保護部材１０の対向する一主面間に充填されている。この被覆部材９は、光電変換部１を保護するとともに、基板２および保護部材１０を接着する機能を有している。また、被覆部材９は、光電変換部１を覆うように配置されている。このような被覆部材９としては、例えば共重合したエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）を主成分とする樹脂が挙げられる。なお、ＥＶＡには、樹脂の架橋を促進すべく、トリアリルイソシアヌレート等の架橋剤が含まれていてもよい。 As shown in FIG. 4, the covering member 9 is filled between the upper surface 2 a of the substrate 2 and one main surface of the protective member 10 facing each other. The covering member 9 has a function of bonding the substrate 2 and the protective member 10 while protecting the photoelectric conversion unit 1. The covering member 9 is disposed so as to cover the photoelectric conversion unit 1. Examples of such a covering member 9 include a resin mainly composed of copolymerized ethylene vinyl acetate (EVA). Note that EVA may contain a crosslinking agent such as triallyl isocyanurate in order to promote crosslinking of the resin.

保護部材１０は、被覆部材９と接触するように設けられており、光電変換部１等を外部から保護する機能を有している。この保護部材１０の大きさおよび形状は、基板２とほぼ同等のものである。保護部材１０は、光透過率と必要な強度の点から、例えば、風冷強化した白板ガラス等を用いることができる。そして、本実施形態において、保護部材１０の＋Ｚ方向側の表面が光電変換パネルＰの受光面となる。 The protection member 10 is provided so as to come into contact with the covering member 9 and has a function of protecting the photoelectric conversion unit 1 and the like from the outside. The size and shape of the protective member 10 are substantially the same as those of the substrate 2. The protective member 10 can use, for example, white plate glass that has been tempered with air cooling, from the viewpoint of light transmittance and necessary strength. In the present embodiment, the surface on the + Z direction side of the protective member 10 becomes the light receiving surface of the photoelectric conversion panel P.

配線導体１１は、出力電極８と電気的に接続されており、光電変換部１の電気出力を出力電極８を介して外部に導く機能を有している。本実施形態において、配線導体１１Ａは、出力電極８Ａと電気的に接続されている。一方で、配線導体１１Ｂは、出力電極８Ｂと電気的に接続されている。 The wiring conductor 11 is electrically connected to the output electrode 8 and has a function of guiding the electrical output of the photoelectric conversion unit 1 to the outside through the output electrode 8. In the present embodiment, the wiring conductor 11A is electrically connected to the output electrode 8A. On the other hand, the wiring conductor 11B is electrically connected to the output electrode 8B.

配線導体１１は、例えば厚み０．３〜２ｍｍ程度の銅、銀もしくはアルミニウム、またはこれら金属を含む合金や積層体などの金属箔で作製され、その幅は例えば出力電極８Ａ、８Ｂの幅の５０％〜９０％程度にすればよい。 The wiring conductor 11 is made of, for example, copper, silver or aluminum having a thickness of about 0.3 to 2 mm, or a metal foil such as an alloy or a laminate including these metals, and the width thereof is, for example, 50 of the width of the output electrodes 8A and 8B. % To about 90% may be used.

配線導体１１は、ハンダを介して出力電極８に接続されている。このハンダは、亜鉛（Ｚｎ）およびアンチモン（Ｓｂ）の少なくとも一方を含んでいる。このようなハンダとしては、例えば錫（Ｓｎ）を８０〜９０重量％程度、亜鉛またはアンチモンを１０〜２０重量％程度含むものが挙げられる。また、ハンダの他の組成としては、例えば錫を８０〜９０重量％程度、亜鉛を１〜１０重量％程度およびアンチモンを１〜１０重量％含むものであってもよい。このハンダは、配線導体１１が接着される出力電極８の表面に予め塗布しておいてもよい。また、配線導体１１は、ハンダと接する表面に、亜鉛およびアンチモンの少なくとも一方を含む被覆層をメッキまたはディッピング等の方法で形成しておいてもよい。また被覆層は、ハンダと接着する面以外の表面に被覆されていてもよい。 The wiring conductor 11 is connected to the output electrode 8 through solder. This solder contains at least one of zinc (Zn) and antimony (Sb). Examples of such solder include those containing about 80 to 90% by weight of tin (Sn) and about 10 to 20% by weight of zinc or antimony. Another composition of the solder may include, for example, about 80 to 90% by weight of tin, about 1 to 10% by weight of zinc, and 1 to 10% by weight of antimony. This solder may be applied in advance to the surface of the output electrode 8 to which the wiring conductor 11 is bonded. In addition, the wiring conductor 11 may have a coating layer containing at least one of zinc and antimony formed on the surface in contact with the solder by a method such as plating or dipping. Further, the coating layer may be coated on a surface other than the surface that adheres to the solder.

配線導体１１Ａおよび配線導体１１Ｂは、図２または図４に示すように、基板２に設けられた貫通孔１３を介して基板２の裏面側に引き出され、端子ボックス１２内まで延びている。 As shown in FIG. 2 or FIG. 4, the wiring conductor 11 A and the wiring conductor 11 B are drawn to the back surface side of the substrate 2 through the through holes 13 provided in the substrate 2 and extend into the terminal box 12.

光電変換パネルＰは、上述の光電変換部１を形成し配線導体１１を接続した基板２上に被覆部材９、保護部材１０を重畳した積層体を、ラミネート装置（ラミネーター）にセットし、減圧下にて加圧しながら例えば１００〜１８０℃程度で１５〜６０分程度保持し、ＥＶＡを軟化・架橋させて積層体を一体化することにより作製される。 In the photoelectric conversion panel P, a laminated body in which the covering member 9 and the protective member 10 are superimposed on the substrate 2 on which the above-described photoelectric conversion unit 1 is formed and the wiring conductor 11 is connected is set in a laminating apparatus (laminator), and the pressure is reduced. For example, it is produced by maintaining the pressure at about 100 to 180 ° C. for about 15 to 60 minutes while softening and crosslinking EVA by softening and crosslinking EVA.

端子ボックス１２は、光電変換パネルＰの非受光面側に接着剤等で接着されている。本実施形態において、端子ボックス１２は基板２の下面２ｂに接着されている。端子ボックス１２は、光電変換部１で得られた出力を外部に取り出すものである。端子ボックス１２は、例えば箱体と、該箱体内に配置されるターミナル板と、箱体の外部へ電力を導出する
出力ケーブルとを有している。箱体の材料としては、例えば、変性ポリフェニレンエーテル樹脂（変性ＰＰＥ樹脂）またはポリフェニレンオキサイド樹脂（ＰＰＯ樹脂）等が挙げられる。 The terminal box 12 is bonded to the non-light-receiving surface side of the photoelectric conversion panel P with an adhesive or the like. In the present embodiment, the terminal box 12 is bonded to the lower surface 2 b of the substrate 2. The terminal box 12 takes out the output obtained by the photoelectric conversion unit 1 to the outside. The terminal box 12 includes, for example, a box, a terminal plate disposed in the box, and an output cable for leading power to the outside of the box. Examples of the material of the box include modified polyphenylene ether resin (modified PPE resin) or polyphenylene oxide resin (PPO resin).

貫通孔１３は、基板２の上下面にわたるように設けられている。すなわち、貫通孔１３は、基板２の上面２ａから下面２ｂに向かって形成されている。貫通孔１３は、光電変換部１を基板２上に形成する前に予め設けてもよいし、光電変換部１を形成した後に設けてもよい。なお、基板２が青板ガラスである場合、貫通孔１３は、ドリル等を用いた機械加工法およびＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザなどによるレーザ加工法等で形成できる。 The through hole 13 is provided so as to extend over the upper and lower surfaces of the substrate 2. That is, the through hole 13 is formed from the upper surface 2a of the substrate 2 toward the lower surface 2b. The through hole 13 may be provided in advance before the photoelectric conversion unit 1 is formed on the substrate 2, or may be provided after the photoelectric conversion unit 1 is formed. When the substrate 2 is blue glass, the through hole 13 can be formed by a machining method using a drill or the like, a laser processing method using a YAG (yttrium, aluminum, garnet) laser, or the like.

＜光電変換モジュールの特性評価方法＞
このようにして作製された光電変換モジュールＭは、通常その電気的出力を測定する為に、特性評価が行われる。 <Method for evaluating characteristics of photoelectric conversion module>
The photoelectric conversion module M manufactured in this way is usually subjected to characteristic evaluation in order to measure its electrical output.

本実施形態に係る光電変換モジュールＭの特性評価方法は、光照射工程と評価工程とを具備することを特徴とする。 The characteristic evaluation method of the photoelectric conversion module M according to the present embodiment includes a light irradiation process and an evaluation process.

図５は、本実施形態に係る光照射工程の概略を示す断面図である。図５に示すように、光電変換モジュールＭは、載置台１５上に、受光面側を上にして載置される。また、載置台１５の直上には、光照射ランプ１７が設けてあり、さらに、載置台１５の上部１５ａの内部には、ヒーター１６が設けてあり、光電変換モジュールＭを昇温できるようになっている。載置台１５の上部１５ａは、光電変換モジュールＭより縦横とも１０〜３０ｃｍ程度大きく、また熱伝導が良く、光電変換モジュールＭと当接している面の光反射が良いようにステンレスやアルミニウムなどの金属で作製されることが望ましい。ヒーター１６は、例えばシーズヒーターなどで、温度制御装置（不図示）により、光電変換モジュールＭを任意の温度まで昇温して、その温度で維持できる様になっている。 FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the light irradiation process according to the present embodiment. As shown in FIG. 5, the photoelectric conversion module M is mounted on the mounting table 15 with the light receiving surface side facing up. Further, a light irradiation lamp 17 is provided immediately above the mounting table 15, and a heater 16 is provided inside the upper part 15 a of the mounting table 15, so that the temperature of the photoelectric conversion module M can be increased. ing. The upper portion 15a of the mounting table 15 is about 10 to 30 cm larger than the photoelectric conversion module M in length and width, has good heat conduction, and has a metal such as stainless steel or aluminum so that light reflection on the surface in contact with the photoelectric conversion module M is good. It is desirable to be manufactured by. The heater 16 is, for example, a sheathed heater, and the temperature of the photoelectric conversion module M can be raised to an arbitrary temperature by a temperature control device (not shown) and maintained at that temperature.

光照射工程では、光電変換モジュールＭを加熱、昇温することによりその光吸収層４を通常の室温（常温）より高い温度に維持しながら、光照射ランプ１７により光吸収層４に光を照射する。その後速やかに評価工程に進む。 In the light irradiation step, the light absorption layer 4 is irradiated with light by the light irradiation lamp 17 while the light absorption layer 4 is maintained at a temperature higher than normal room temperature (room temperature) by heating and raising the temperature of the photoelectric conversion module M. To do. Then proceed immediately to the evaluation process.

評価工程では、所定の温度（例えば２５℃）まで光電変換モジュールＭの温度を下げた後、ソーラーシミュレーターを用いて、所定の擬似太陽光（例えばＡＭ１．５、照射強度１００ｍＷ／ｃｍ^２）を光電変換モジュールＭの受光面側に照射しながら、光電変換モジュールＭの電気的出力を測定する。この擬似太陽光の照射は、光電変換モジュールＭの温度が上がらないように、照射時間が短時間であるパルス光型ソーラーシミュレーターであることが望ましい。 In the evaluation step, after the temperature of the photoelectric conversion module M is lowered to a predetermined temperature (for example, 25 ° C.), the predetermined simulated sunlight (for example, AM 1.5, irradiation intensity of 100 mW / cm ² ) is photoelectrically converted using a solar simulator. While irradiating the light receiving surface side of the conversion module M, the electrical output of the photoelectric conversion module M is measured. The irradiation with the pseudo-sunlight is desirably a pulsed light solar simulator in which the irradiation time is short so that the temperature of the photoelectric conversion module M does not rise.

通常、光電変換モジュールＭが作製されてから評価工程までは、暗状態または低照度の状態で保管されるため、光電変換モジュールＭの光電変換効率が一時的に低下している。これは、カルコパイライト型、ケステライト型またはスタナイト型の光吸収層４の欠陥および光吸収層４とバッファ層５の界面の欠陥に起因しているものと推測されている。これに対して、光電変換モジュールＭの評価工程の前に、光照射工程で光照射ランプ１７により光吸収層４に光を照射することで、光吸収層４に電子が発生し、この電子が光吸収層４とバッファ層５の界面の欠陥を埋めることで、光電変換モジュールＭの光電変換効率を向上させ、実際の屋外に光電変換モジュールＭを設置した状況に近似した光電変換効率となり、より実用的な特性評価が可能となる。さらに本実施形態においては、光吸収層４を常温よりも高い温度に維持しながら光吸収層４に光を照射することで、より短時間で光電変換効率を向上させることが可能となる。これは、光吸収層４の温度を上げることにより、
光吸収層４で発生した電子の移動速度が上がり、電子が光吸収層４や光吸収層４とバッファ層５の界面の欠陥を埋める効果が促進されるためと推測される。これにより、短時間で実用的なカルコパイライト型光吸収層を有する光電変換モジュールの出力特性評価が可能となる。 Usually, since the photoelectric conversion module M is manufactured and stored in a dark state or in a low illuminance state, the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion module M is temporarily reduced. It is presumed that this is caused by a defect in the chalcopyrite type, kesterite type or stannite type light absorption layer 4 and a defect at the interface between the light absorption layer 4 and the buffer layer 5. On the other hand, before the evaluation process of the photoelectric conversion module M, by irradiating the light absorption layer 4 with light by the light irradiation lamp 17 in the light irradiation process, electrons are generated in the light absorption layer 4. By filling the defects at the interface between the light absorption layer 4 and the buffer layer 5, the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion module M is improved, and the photoelectric conversion efficiency approximates the situation where the photoelectric conversion module M is actually installed outdoors. Practical characteristic evaluation becomes possible. Furthermore, in this embodiment, it is possible to improve the photoelectric conversion efficiency in a shorter time by irradiating the light absorption layer 4 with light while maintaining the light absorption layer 4 at a temperature higher than room temperature. This is because the temperature of the light absorption layer 4 is increased.
It is presumed that the moving speed of electrons generated in the light absorption layer 4 is increased, and the effect of the electrons filling the defects at the interface between the light absorption layer 4 and the light absorption layer 4 and the buffer layer 5 is promoted. This makes it possible to evaluate the output characteristics of a photoelectric conversion module having a practical chalcopyrite type light absorption layer in a short time.

さらに本実施形態では、前記光照射工程において、光吸収層４の温度を４０℃以上、１９５℃以下にすることが望ましい。これは、発明者らが繰り返し行った実験による結果で、４０℃以上であれば、常温（２５℃）に比較して光電変換効率を高めるために必要な光照射時間が１／２以下に短縮でき、より工程が簡略化できることに基づく。また、１９５℃以下であれば、被覆部材９として使用する上述のＥＶＡの発泡が起こり難く、光電変換モジュールの信頼性がより向上することができることに基づく。この光吸収層４の温度を４０℃以上、１９５℃以下にすることは、光電変換モジュールＭの温度を昇温後、一定の温度になるまで維持することで可能である。 Furthermore, in the present embodiment, it is desirable that the temperature of the light absorption layer 4 be 40 ° C. or higher and 195 ° C. or lower in the light irradiation step. This is a result of experiments conducted repeatedly by the inventors. When the temperature is 40 ° C. or higher, the light irradiation time required to increase the photoelectric conversion efficiency is reduced to ½ or less compared to normal temperature (25 ° C.). This is based on the fact that the process can be further simplified. Moreover, if it is 195 degrees C or less, it is based on that the foaming of the above-mentioned EVA used as the covering member 9 hardly occurs, and the reliability of the photoelectric conversion module can be further improved. The temperature of the light absorption layer 4 can be set to 40 ° C. or more and 195 ° C. or less by maintaining the temperature of the photoelectric conversion module M until it reaches a certain temperature after the temperature is raised.

また光照射工程において、光吸収層４に照射する光の強度の面内ばらつきを±２０％以内にすることが望ましい。これによって、光吸収層４の全面においてさらに効率良く光電変換効率の向上が可能となる。これは、光電変換モジュールＭに照射される光の強度の面内ばらつきが、±２０％以内になるように、光照射ランプ１７の本数や光照射ランプ１７と光電変換モジュールＭの距離を調整することで可能である。 In the light irradiation step, it is desirable that the in-plane variation in the intensity of the light applied to the light absorbing layer 4 is within ± 20%. As a result, the photoelectric conversion efficiency can be improved more efficiently over the entire surface of the light absorption layer 4. This adjusts the number of the light irradiation lamps 17 and the distance between the light irradiation lamps 17 and the photoelectric conversion module M so that the in-plane variation of the intensity of light irradiated to the photoelectric conversion module M is within ± 20%. Is possible.

さらに光照射工程において使用する光照射ランプ１７は、カルコパイライト型、ケステライト型またはスタナイト型の光吸収層を有する光電変換モジュールＭの有効波長域（例えば、ＣＩＧＳ光電変換モジュールおよびＣＺＴＳ光電変換モジュールでは、３００〜１２００ｎｍ程度）の波長を含むランプであれば使用可能であるが、特にメタルハライドランプであることが望ましい。すなわちメタルハライドランプは、最大ピーク波長が約５８０ｎｍであり、さらに３００〜７００ｎｍ程度の短波長域での照射強度が、キセノンランプなどの他のランプに比べ強い為、カルコパイライト型、ケステライト型またはスタナイト型光吸収層を有する光電変換モジュールＭの分光感度と合致するために、効率よく、短時間で光電変換効率ことができる。 Further, the light irradiation lamp 17 used in the light irradiation step is an effective wavelength region of the photoelectric conversion module M having a chalcopyrite type, kesterite type or stannite type light absorption layer (for example, in the CIGS photoelectric conversion module and the CZTS photoelectric conversion module, Any lamp having a wavelength of about 300 to 1200 nm can be used, but a metal halide lamp is particularly desirable. That is, the metal halide lamp has a maximum peak wavelength of about 580 nm, and the irradiation intensity in a short wavelength region of about 300 to 700 nm is stronger than other lamps such as a xenon lamp, so that it is a chalcopyrite type, a kesterite type or a stannite type. Since it matches with the spectral sensitivity of the photoelectric conversion module M having the light absorption layer, the photoelectric conversion efficiency can be efficiently performed in a short time.

さらに光照射工程において、光照射ランプ１７としてメタルハライドランプを用いた場合、光電変換モジュールＭの光受光面の照度が１５００００ルックス（ＬＵＸ）以上であり、光照射時間が３分以上、２０分以下であることが望ましい。すなわち発明者らが繰り返し行ったテストでは、このような条件とすることによって、より短時間で光電変換効率をほぼ最大付近まで高めることができ、より工程を簡略化できることがわかった。 Further, in the light irradiation step, when a metal halide lamp is used as the light irradiation lamp 17, the illuminance of the light receiving surface of the photoelectric conversion module M is 150,000 lux (LUX) or more, and the light irradiation time is 3 minutes or more and 20 minutes or less. It is desirable to be. That is, in the test repeatedly conducted by the inventors, it was found that by setting such conditions, the photoelectric conversion efficiency can be increased to almost the maximum in a shorter time, and the process can be further simplified.

＜特性評価方法の他の実施形態＞
図６は、本発明に係る他の実施形態を模式的に示す側面図である。本実施形態においては、光電変換モジュールＭをコンベア２１上に載せて連続的に処理するものを例として説明するが、これに限定されるものではなく、以下の各工程を個別に行ってもなんら問題ない。 <Other Embodiments of Characteristic Evaluation Method>
FIG. 6 is a side view schematically showing another embodiment according to the present invention. In the present embodiment, the case where the photoelectric conversion module M is continuously processed by placing it on the conveyor 21 will be described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the following steps may be performed individually. no problem.

本実施形態においては、光電変換効率を向上の前に光吸収層を昇温する昇温工程を具備することが望ましい。すなわち昇温工程では、光照射工程の前に、光照射工程で用いる載置台１５Ｂとは別の載置台１５Ａにおいて、光電変換モジュールＭの温度のみを常温よりも高い温度に昇温しておく。これにより、その後の光照射工程での光電変換モジュールＭの昇温時間をより短縮することができ、作業効率をより向上させることができる。昇温工程では、光吸収層４の温度を４０℃以上、１９５℃以下になるように光電変換モジュールＭ全体を昇温することが望ましい。その後コンベア２１を１ピッチ進ませて載置台１５Ｂに載置し、光照射工程を行う。 In the present embodiment, it is desirable to include a temperature raising step for raising the temperature of the light absorption layer before improving the photoelectric conversion efficiency. That is, in the temperature raising step, prior to the light irradiation step, only the temperature of the photoelectric conversion module M is raised to a temperature higher than the normal temperature on a mounting table 15A different from the mounting table 15B used in the light irradiation step. Thereby, the temperature rising time of the photoelectric conversion module M in the subsequent light irradiation step can be further shortened, and the working efficiency can be further improved. In the temperature raising step, it is desirable to raise the temperature of the entire photoelectric conversion module M so that the temperature of the light absorption layer 4 is 40 ° C. or higher and 195 ° C. or lower. Thereafter, the conveyor 21 is advanced by 1 pitch and placed on the placing table 15B, and a light irradiation process is performed.

また本実施形態においては、光照射工程の後に光吸収層４を常温まで急冷する冷却工程を供えることが望ましい。すなわち光照射工程の終わった光電変換モジュールＭは、コンベア２１を１ピッチ進ませて、載置台１５Ｃに載置する。冷却工程では、ファン１８や圧縮空気を光電変換モジュールＭに吹き付けるなどして、光電変換モジュールＭの温度を評価工程にて定められた温度（通常２５℃）近傍まで急冷する。載置台１５Ｃも、その内部に冷却水を流した冷却パイプなどを具備しており、光電変換モジュールＭの放熱が促進される構造となっている。これにより、前の光照射工程において昇温された光電変換モジュールの温度を、評価工程にて定められた温度まで下げる時間を短縮することができ、この間の効率低下を抑制することができ、より実用的な測定が可能となる。 Moreover, in this embodiment, it is desirable to provide the cooling process which cools the light absorption layer 4 to normal temperature after a light irradiation process. That is, the photoelectric conversion module M after the light irradiation process advances the conveyor 21 by one pitch and places it on the mounting table 15C. In the cooling process, the temperature of the photoelectric conversion module M is rapidly cooled to a temperature (usually 25 ° C.) determined in the evaluation process by blowing the fan 18 or compressed air to the photoelectric conversion module M. The mounting table 15C is also provided with a cooling pipe or the like in which cooling water flows, and has a structure in which heat dissipation of the photoelectric conversion module M is promoted. Thereby, the time to lower the temperature of the photoelectric conversion module heated in the previous light irradiation step to the temperature determined in the evaluation step can be shortened, and a decrease in efficiency during this period can be suppressed. Practical measurement is possible.

この冷却工程は、光吸収層４の温度で、３℃／ｓｅｃ以上、８℃／ｓｅｃ以下の降温速度で行なうことが望ましい。すなわち３℃／ｓｅｃ以上では、冷却工程時における効率低下をより抑制し、さらに実用的な評価をすることができる。また、８℃／ｓｅｃ以下では、光電変換モジュールＭの各部材の熱膨張係数の差異により、急激な温度変化に伴い、その内部に応力が発生するのをより抑制し、光電変換モジュールＭに反りが発生するのをさらに低減することができる。 This cooling step is desirably performed at a temperature drop rate of 3 ° C./sec or more and 8 ° C./sec or less at the temperature of the light absorption layer 4. That is, at 3 ° C./sec or more, efficiency reduction during the cooling step can be further suppressed, and further practical evaluation can be performed. Further, at 8 ° C./sec or less, due to the difference in thermal expansion coefficient of each member of the photoelectric conversion module M, it is possible to further suppress the generation of stress in the interior due to a rapid temperature change, and warp the photoelectric conversion module M. Can be further reduced.

その後コンベア２１を１ピッチ進ませて載置台１５Ｄに載置し、評価工程を行う。評価工程では、ソーラーシミュレーター２０からの擬似太陽光以外の光が光電変換モジュールＭに入射しないように遮光壁１９を設けることが望ましい。また載置台１５Ｄでは、光電変換モジュールＭが定められた温度で保持されるように、その内部にヒーターや冷却パイプを具備することが望ましい。 Thereafter, the conveyor 21 is advanced by one pitch and placed on the placing table 15D, and an evaluation process is performed. In the evaluation process, it is desirable to provide the light shielding wall 19 so that light other than the pseudo sunlight from the solar simulator 20 does not enter the photoelectric conversion module M. In addition, it is desirable that the mounting table 15D includes a heater or a cooling pipe inside the photoelectric conversion module M so that the photoelectric conversion module M is held at a predetermined temperature.

また本実施形態においては、光照射工程と特性評価工程の間に、メタルハライドランプ２２を用いて、光電変換モジュールＭの受光面に、照度が５０００ルックス以上、８０００ルックス以下の光を照射しておくことが望ましい。これにより、さらに実用的な評価を行なうことができる。すなわち、照度が５０００ルックス以上であれば、光照射工程と特性評価工程の間の光電変換効率低下をさらに抑制することができる。また、照度が８０００ルックス以下であれば、モジュールの温度の上昇をより低減できる。尚、本実施形態において、各工程での処理時間に差異がある場合は、タクト時間が合うように、例えば光照射工程を２〜３に分割しても良い。 In the present embodiment, the light receiving surface of the photoelectric conversion module M is irradiated with light having an illuminance of 5000 lux or more and 8000 lux or less using the metal halide lamp 22 between the light irradiation process and the characteristic evaluation process. It is desirable. Thereby, further practical evaluation can be performed. That is, when the illuminance is 5000 lux or more, it is possible to further suppress a decrease in photoelectric conversion efficiency between the light irradiation process and the characteristic evaluation process. Further, if the illuminance is 8000 lux or less, the temperature rise of the module can be further reduced. In the present embodiment, when there is a difference in processing time in each process, for example, the light irradiation process may be divided into 2 to 3 so that the tact time matches.

＜実施例＞
（光電変換部の作製）
縦約５０ｃｍ、横約８０ｃｍ、厚さ約３ｍｍの青板ガラス（ＳＬＧ）から成る基板２を用意した。基板２には、予め直径約１．５ｃｍの、上面から下面にわたる貫通孔１３を、ドリルを用いた機械加工法で設けた。次に、基板２を洗浄した後、その一主面に下部電極３となるモリブデン（Ｍｏ）を、スパッタリング法で、厚さ約０．５μｍ成膜した。 <Example>
(Production of photoelectric conversion part)
A substrate 2 made of blue glass (SLG) having a length of about 50 cm, a width of about 80 cm, and a thickness of about 3 mm was prepared. The substrate 2 was previously provided with a through hole 13 having a diameter of about 1.5 cm extending from the upper surface to the lower surface by a machining method using a drill. Next, after cleaning the substrate 2, molybdenum (Mo) serving as the lower electrode 3 was formed on one main surface thereof by a sputtering method to a thickness of about 0.5 μm.

次いで、この下部電極３にＹＡＧ（イットリウム、アルミニウム、ガーネット）レーザーを照射して、基板２表面が露出するように下部電極３の一部を除去して、幅５０μｍ程度の分割溝Ｐ１を形成し、短冊状の下部電極３を形成した。この短冊状の電極層２の幅は、５ｍｍ程度である。 Next, the lower electrode 3 is irradiated with a YAG (yttrium, aluminum, garnet) laser to remove a part of the lower electrode 3 so that the surface of the substrate 2 is exposed, thereby forming a divided groove P1 having a width of about 50 μm. A strip-shaped lower electrode 3 was formed. The width of the strip-shaped electrode layer 2 is about 5 mm.

次にこの分割溝Ｐ１を形成した下部電極３に、光吸収層４となるＩ−III−VI族化合物
を含む前駆体の膜を、塗布法を用いて成膜した。ここで原料溶液の作製は、セレンを含有した有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む溶媒（以下、混合溶媒Ｓともいう）をまず作製し、この混合溶媒Ｓに、Ｉ−Ｂ族金属として銅およびIII−Ｂ族金属としてガリウ
ム及びインジウムを用いて、その合計の濃度が６質量％以上となるように溶解し、原料溶
液を作製した。この原料溶液を、ダイコータを用いて下部電極３に塗布し、皮膜を形成し、その後この皮膜を３００℃程度に加熱処理することによって前駆体を形成した。その後、この前駆体が形成された基板２を、セレン化水素（Ｈ_２Ｓｅ）ガスを含有した水素ガス雰囲気中で、５５０℃以下程度に加熱し、厚さ約２μｍの光吸収層４を作製した。 Next, a precursor film containing an I-III-VI group compound to be the light absorption layer 4 was formed on the lower electrode 3 in which the dividing grooves P1 were formed by using a coating method. Here, the raw material solution is prepared by first preparing a solvent (hereinafter also referred to as a mixed solvent S) containing an organic compound containing selenium and a Lewis basic organic solvent, and this mixed solvent S is used as a group IB metal. Using gallium and indium as copper and III-B group metal, it was dissolved so that the total concentration was 6% by mass or more to prepare a raw material solution. This raw material solution was applied to the lower electrode 3 using a die coater to form a film, and then this film was heat-treated at about 300 ° C. to form a precursor. Thereafter, the substrate 2 on which the precursor is formed is heated to about 550 ° C. or less in a hydrogen gas atmosphere containing hydrogen selenide (H ₂ Se) gas, and a light absorption layer 4 having a thickness of about 2 μm is produced. did.

次いで、光吸収層４上にバッファ層５を化学浴槽堆積（ＣＢＤ）法によって形成した。具体的には、酢酸カドミウムとチオ尿素とをアンモニア水に溶解させて作製された溶液にこの基板２を浸漬することで、ＣｄＳを主に含むバッファ層５を、厚さ約１００ｎｍで形成した。 Next, the buffer layer 5 was formed on the light absorption layer 4 by a chemical bath deposition (CBD) method. Specifically, the buffer layer 5 mainly containing CdS was formed with a thickness of about 100 nm by immersing this substrate 2 in a solution prepared by dissolving cadmium acetate and thiourea in aqueous ammonia.

次いでバッファ層５上に、スパッタリング法を用いて、ボロン（Ｂ）が添加された酸化亜鉛（ＺｎＯ）を厚さ約４００ｎｍで成膜し、透光性導電層６を形成した。 Next, a zinc oxide (ZnO) to which boron (B) was added was formed to a thickness of about 400 nm on the buffer layer 5 by a sputtering method, whereby the light-transmitting conductive layer 6 was formed.

次いで、透光性導電層６から下部電極３の表面にまで至る分離溝Ｐ２を、メカニカルスクライブ法を用いて、幅約２００μｍ程度に形成した。 Next, a separation groove P2 extending from the translucent conductive layer 6 to the surface of the lower electrode 3 was formed to a width of about 200 μm using a mechanical scribe method.

次いで、透光性導電層６の上面から溝部Ｐ２の内部にかけて、集電電極７を形成した。この集電電極７の形成は、スクリーン印刷によって、導電性ペーストを塗布することにより形成した。この導電性ペーストは、銀を主成分とする良導電性金属フィラーがアクリル樹脂に混練されたものを用いた。 Subsequently, the current collection electrode 7 was formed from the upper surface of the translucent conductive layer 6 to the inside of the groove part P2. The collector electrode 7 was formed by applying a conductive paste by screen printing. As the conductive paste, a paste obtained by kneading a highly conductive metal filler mainly composed of silver with an acrylic resin was used.

その後、集電電極７、透光性導電層６から下部電極３の表面にまで至る分離溝Ｐ３を、メカニカルスクライブ法を用いて、幅約１００μｍ程度に形成した。 Thereafter, a separation groove P3 extending from the current collecting electrode 7 and the translucent conductive layer 6 to the surface of the lower electrode 3 was formed to a width of about 100 μm using a mechanical scribing method.

最後に、光電変換部の両端に位置する光電変換セルの光吸収層４、バッファ層５、透光性導電層６および集電電極７等を、ブレードを用いて約５ｍｍ程度の幅で削り取り、下部電極３を露出させて、出力電極８Ａ、８Ｂを形成した。 Finally, the light absorption layer 4, the buffer layer 5, the translucent conductive layer 6 and the current collecting electrode 7 of the photoelectric conversion cell located at both ends of the photoelectric conversion unit are scraped off with a width of about 5 mm using a blade, The lower electrode 3 was exposed to form output electrodes 8A and 8B.

（光電変換モジュールの作製）
まず、上述したような光電変換部１を形成した基板２を用意した。次いで、光電変換部１の出力電極８Ａ、８Ｂに配線導体１１を取り付けた。配線導体１１には、厚さ約０．３ｍｍ、幅約４ｍｍのリボン状銅箔を用いて、錫を８５重量％程度、亜鉛を１５重量％程度含むハンダで出力電極８Ａ、８Ｂにハンダ付けして接続した。 (Production of photoelectric conversion module)
First, a substrate 2 on which the photoelectric conversion unit 1 as described above was formed was prepared. Next, the wiring conductor 11 was attached to the output electrodes 8 A and 8 B of the photoelectric conversion unit 1. For the wiring conductor 11, a ribbon-like copper foil having a thickness of about 0.3 mm and a width of about 4 mm is used and soldered to the output electrodes 8A and 8B with solder containing about 85% by weight of tin and about 15% by weight of zinc. Connected.

次に、図２に示すように、光電変換部１の外周に配置された配線導体１１を貫通孔１３の方向に適宜折り曲げて、貫通孔１３を介して、非受光面２ｂ側に導出した。 Next, as shown in FIG. 2, the wiring conductor 11 disposed on the outer periphery of the photoelectric conversion unit 1 was appropriately bent in the direction of the through hole 13 and led out to the non-light-receiving surface 2 b side through the through hole 13.

次いで、被覆部材９として、厚さ約０．４ｍｍのシート状のＥＶＡを主成分とする樹脂を、基板２とほぼ同寸法に切断して、基板２の光電変換部１を形成した上面２ａ上に重畳した。さらに保護部材１０として、基板２とほぼ同寸法の厚さ約３ｍｍの風冷強化した白板ガラスを、被覆部材９上にさらに重畳した。 Next, on the upper surface 2a on which the photoelectric conversion unit 1 of the substrate 2 is formed by cutting a sheet-shaped EVA as a main component, which is approximately 0.4 mm thick, as the covering member 9 into approximately the same dimensions as the substrate 2. Superimposed. Furthermore, as the protective member 10, white plate glass having a thickness of about 3 mm, which is approximately the same size as the substrate 2, and was tempered with air cooling was further superimposed on the covering member 9.

最後に、基板２、被覆部材９、保護部材１０から成る積層体を、ラミネート装置にセットし、減圧下にて加圧しながら１００〜１５０℃程度で３０分程度保持し、光電変換パネルＰを作製した。 Finally, the laminated body composed of the substrate 2, the covering member 9, and the protective member 10 is set in a laminating apparatus and held at about 100 to 150 ° C. for about 30 minutes while being pressurized under reduced pressure, thereby producing a photoelectric conversion panel P. did.

最後に、光電変換パネルＰの非受光面側に端子ボックス１２をシリコンシーラントで接着し、その内部の所定の位置に配線導体１１をハンダ付けして、光電変換モジュールＭを作製した。 Finally, the terminal box 12 was adhered to the non-light-receiving surface side of the photoelectric conversion panel P with a silicon sealant, and the wiring conductor 11 was soldered to a predetermined position inside the terminal box 12 to produce a photoelectric conversion module M.

＜特性評価結果＞
上述のような光電変換モジュールＭを１２個作製し、光照射工程において、光照射ランプ１７としてメタルハライドランプを用いて、光電変換モジュールＭの光受光面の照度が１０００００ルックスに設定して光照射を行った。このとき、光電変換モジュールＭの非受光面側の温度を２５℃、５０℃、７５℃、９５℃の４種類に変化させて、各々の温度の光電変換効率の光照射工程における光照射時間毎の変化を観た。光電変換モジュールＭの特性評価は、光電変換モジュールＭの温度は２５℃で、ソーラーシミュレーターを用いて、ＡＭ１．５、照射強度１００ｍＷ／ｃｍ^２の擬似太陽光での電気的出力を測定した。これらを各温度毎に３個の光電変換モジュールについて行い、その平均値をもとめた。 <Results of characterization>
Twelve photoelectric conversion modules M as described above are manufactured, and in the light irradiation process, a metal halide lamp is used as the light irradiation lamp 17, and the light receiving surface of the photoelectric conversion module M is set to 100000 lux, and light irradiation is performed. went. At this time, the temperature on the non-light-receiving surface side of the photoelectric conversion module M is changed to four types of 25 ° C., 50 ° C., 75 ° C., and 95 ° C., and the light irradiation time in the light irradiation step of the photoelectric conversion efficiency at each temperature I saw the change. In the characteristic evaluation of the photoelectric conversion module M, the temperature of the photoelectric conversion module M was 25 ° C., and the electrical output in simulated sunlight with AM 1.5 and irradiation intensity of 100 mW / cm ² was measured using a solar simulator. These were performed for three photoelectric conversion modules for each temperature, and the average value was obtained.

その結果を図７に示す。尚、図７では、光電変換効率は初期の値を１００としたときの指数として表してある。 The result is shown in FIG. In FIG. 7, the photoelectric conversion efficiency is expressed as an index when the initial value is 100.

これにより、評価工程前の光照射工程において、光電変換モジュールＭの温度を、常温よりも高い温度にしながら光を照射することにより、短時間で光電変換モジュールＭの光電変換効率を向上させることができ、短時間で実用的な光電変換モジュールの出力特性評価が可能なことを確認した。 Thereby, in the light irradiation process before an evaluation process, the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion module M can be improved in a short time by irradiating light while making the temperature of the photoelectric conversion module M higher than normal temperature. It was confirmed that the output characteristics of a practical photoelectric conversion module could be evaluated in a short time.

Ｍ：光電変換モジュ−ル
Ｐ；光電変換パネル
１：光電変換部
１ａ、１ｂ：光電変換セル
２：基板
２ａ：基板の上面
２ｂ：基板の下面
３：下部電極
４：光吸収層
５：バッファ層
６：透光性導電層
７：集電電極
７ａ：線状部
７ｂ：接続部
８、８Ａ、８Ｂ：出力電極（電極）
９：被覆部材
１０：保護基板
１１、１１Ａ、１１Ｂ：配線導体
１２：端子ボックス
１３：貫通孔
１５、１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄ：載置台
１５ａ：載置台の上部
１６：ヒーター
１７：照射ランプ
１８：ファン
１９：遮光壁
２０：ソーラーシミュレーター
２１：コンベア
２２：メタルハライドランプ
Ｐ１〜Ｐ３：分離溝 M: photoelectric conversion module P; photoelectric conversion panel 1: photoelectric conversion unit 1a, 1b: photoelectric conversion cell 2: substrate 2a: substrate upper surface 2b: substrate lower surface 3: lower electrode 4: light absorption layer 5: buffer layer 6: Translucent conductive layer 7: Current collecting electrode 7a: Linear portion 7b: Connection portion 8, 8A, 8B: Output electrode (electrode)
9: Cover member 10: Protective substrate 11, 11A, 11B: Wiring conductor 12: Terminal box 13: Through hole 15, 15A, 15B, 15C, 15D: Mounting table 15a: Upper part of mounting table 16: Heater 17: Irradiation lamp 18 : Fan 19: Shading wall 20: Solar simulator 21: Conveyor 22: Metal halide lamps P1 to P3: Separation groove

Claims

A method for evaluating the characteristics of a photoelectric conversion module having a chalcopyrite-type, kesterite-type, or stannite-type light-absorbing layer, wherein the light-absorbing layer is irradiated with light while keeping the light-absorbing layer at a temperature higher than room temperature. When,
A method for evaluating characteristics of a photoelectric conversion module, comprising: an evaluation step for evaluating characteristics of the photoelectric conversion module.

The method for evaluating characteristics of a photoelectric conversion module according to claim 1, wherein in the light irradiation step, the temperature of the light absorption layer is set to 40 ° C. to 195 ° C.

The characteristic evaluation method of the photoelectric conversion module according to claim 1, further comprising a temperature raising step for raising the temperature of the light absorption layer before the light irradiation step.

The method for evaluating characteristics of a photoelectric conversion module according to any one of claims 1 to 3, wherein a cooling step of rapidly cooling the light absorption layer to room temperature is performed after the light irradiation step.

The photoelectric conversion module characteristic evaluation method according to claim 4, wherein the cooling step is performed at a temperature lowering rate of 3 ° C./sec or more and 8 ° C./sec or less.

The method for evaluating characteristics of a photoelectric conversion module according to claim 1, wherein in the light irradiation step, in-plane variation in intensity of light applied to the light absorption layer is within ± 20%.

The light irradiation surface of the photoelectric conversion module is irradiated with light having an illuminance of 5000 lux or more and 8000 lux or less between the light irradiation step and the characteristic evaluation step. The characteristic evaluation method of the photoelectric conversion module in any one.

The method for evaluating characteristics of a photoelectric conversion module according to claim 1, wherein, in the light irradiation step, the temperature of the light absorption layer is increased while irradiating the light absorption layer with light.

The method for evaluating characteristics of a photoelectric conversion module according to claim 1, wherein the light source used in the light irradiation step is a metal halide lamp.

The illuminance of the light irradiation surface of the photoelectric conversion module is 150,000 lux (LUX) or more in the light irradiation step, and the light irradiation time is 3 minutes or more and 20 minutes or less. Method for evaluating characteristics of photoelectric conversion module.