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JP2014131146A - 光電変換装置、撮像システム、および光電変換装置の駆動方法 - Google Patents

光電変換装置、撮像システム、および光電変換装置の駆動方法 Download PDF

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JP2014131146A JP2012287250A JP2012287250A JP2014131146A JP 2014131146 A JP2014131146 A JP 2014131146A JP 2012287250 A JP2012287250 A JP 2012287250A JP 2012287250 A JP2012287250 A JP 2012287250A JP 2014131146 A JP2014131146 A JP 2014131146A
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Abstract

【課題】 ゲインの切り替え時に、動作速度がオペアンプの応答性に律速される。
【解決手段】 複数の画素を含み、前記複数の画素に基づいてアナログ信号を出力する複数のアナログ信号出力部と、複数の信号処理部とを有する光電変換装置であって、前記複数の信号処理部の各々は、前記複数のアナログ信号出力部のいずれかに対応して設けられ、前記アナログ信号に、受動素子のみによりゲインをかけるゲイン付与部と、AD変換部とを含み、前記ゲイン付与部のうち、前記アナログ信号にかけるゲインに寄与する部分は受動素子のみにより構成され、ゲイン付与部は、前記アナログ信号に第1のゲインをかけた第1の増幅信号と、前記アナログ信号に前記第1のゲインよりも低い第2のゲインをかけた第2の増幅信号と、のいずれかを出力し、前記AD変換部は、前記ゲイン付与部から出力された前記第1の増幅信号または前記第2の増幅信号をAD変換する。
【選択図】 図2

Description

本発明は、光電変換装置、撮像システム、および光電変換装置の駆動方法に関する。
撮像装置の分野においては、同一の信号に対してシーケンシャルにゲインを切り替えることがある。引用文献1には、画素アレイの各列に設けられた増幅器により1つの信号を異なるゲインで増幅し、信号の大きさに応じていずれかを選択して利用することで、ダイナミックレンジを拡大する撮像システムが記載されている。異なるゲインで増幅する手法として1つの増幅器でゲインを切り替えて、シーケンシャルに処理する方法が記載されている。
特開2010−016416号公報
しかしながら、引用文献1は、能動素子であるオペアンプを増幅器として用いるので、シーケンシャルに増幅器のゲインを切り替える手法では、増幅器の出力が安定するまでのセトリング時間はオペアンプの応答性に依存する。このため、ゲイン切り替えを実行する度にセトリング時間が必要となり、撮像装置の動作速度がオペアンプの応答性に律速される。
このような状況を鑑みて、本発明は、撮像装置の動作を高速化させることを目的とする。
本発明の一つの側面である光電変換装置によれば、複数の画素を含み、前記複数の画素に基づいてアナログ信号を出力する複数のアナログ信号出力部と、複数の信号処理部とを有する光電変換装置であって、前記複数の信号処理部の各々は、前記複数のアナログ信号出力部のいずれかに対応して設けられ、前記アナログ信号に、ゲインをかけるゲイン付与部と、AD変換部とを含み、前記ゲイン付与部のうち、前記アナログ信号にかけるゲインに寄与する部分は受動素子のみにより構成され、前記ゲイン付与部は、前記アナログ信号に第1のゲインをかけた第1の増幅信号と、前記アナログ信号に前記第1のゲインよりも低い第2のゲインをかけた第2の増幅信号と、のいずれかを出力し、前記AD変換部は、前記ゲイン付与部から出力された前記第1の増幅信号または前記第2の増幅信号をAD変換する。
本発明によれば、撮像装置の高速な動作が実現できる。
光電変換装置の構成例を示す図である。 列比較部の構成例を示す図である。 実施例1に係るタイミング図である。 画素の構成例を示す図である。 増幅器の構成例を示す図である。 実施例2に係るタイミング図である。 列比較部の構成例を示す図である。 列比較部の構成例を示す図である。 列比較部の構成例を示す図である。 実施例5に係るタイミング図である。 列比較部の構成例を示す図である。 実施例6に係るタイミング図である。 光電変換装置の構成例を示す図である。 列比較部の構成例を示す図である。 実施例7に係るタイミング図である。 列比較部の構成例を示す図である。 撮像システムの構成例を示す図である。
(実施例1)
図面を参照しながら本発明に係る実施例を説明する。
図1は、本実施例に係る光電変換装置の構成例を示す図である。光電変換装置100は、画素アレイ10、増幅部20、比較部30、メモリ部40、カウンタ50、垂直走査回路12、水平走査回路60、および信号処理部65を有する。タイミング発生回路13は、光電変換装置100の動作を制御する信号を生成する。
画素アレイ10は、行列状に配列された複数の画素11を含む。画素アレイ10のうちの同じ列に設けられた複数の画素は、それぞれの出力ノードが共通の信号線V−nに接続される。ここで、nは整数であり、画素アレイ10の左から数えた番号を表す。これ以降の説明においても、画素アレイの列に対応して設けられた要素については同様の表記を行う。
増幅器群20は、複数の増幅器20−nを含む。増幅器20−nは、対応する信号線V−nから与えられた信号を増幅する。
比較部30は、複数の列比較部30−nを含む。列比較部30−nは、対応する増幅器20−nの出力と、参照信号生成部31から与えられる参照信号とを比較した結果を出力する。
メモリ群40は、複数の列メモリ40−nを含む。列メモリ40−nは、対応する列比較部30−nの出力を受けて、カウンタ50から出力されるカウント信号を保持する。
水平走査回路60が列メモリ40−nを選択すると、選択された列メモリ40−nに保持された信号は信号処理部65へと伝送される。
各列に着目すると、画素部10の同一列に設けられた複数の画素11と、これに対応して設けられた増幅器20−nとを含むアナログ信号出力部と、アナログ信号処理部から出力された信号をAD変換する機能を有する信号処理部を持つとも言える。
図2に、本実施例に係る列比較部30−nの構成を示す。列比較部30−nは、比較器101、判定回路102、ゲイン付与部GA、入力容量Cramp、およびC1を含む。本実施例に係るゲイン付与部GAは、アッテネータ、スイッチS1およびS2を含む。列比較部30−nの一方の入力ノードは、入力容量Crampを介して参照信号Vrampが与えられるように構成されている。増幅器20−nの出力は、スイッチS2および入力容量C1、または、アッテネータ103、スイッチS1および入力容量C1を介して列比較部30−nの他方の入力ノードに接続される。比較器101の出力は判定回路102に接続される。判定部は、比較器101の出力に応じて、スイッチS1またはS2のいずれかが導通するように制御する。これにより、比較器101には、増幅器20−nの出力をアッテネータ103により増幅した信号または、増幅器20−nの出力が与えられる。アッテネータから出力されるのは1を下回るゲインで増幅器20−nの出力を増幅した信号である。スイッチS2を介して比較器に与えられる増幅器20−nの出力は、アナログ信号に1倍のゲインをかけて増幅した信号である。
ゲイン付与部GAは、入力された信号の振幅を変換する部分、言い換えると、アナログ信号にかけるゲインに寄与する部分、が受動素子のみによって構成される。本実施例では、アッテネータ103の出力をVpix1と表記し、入力容量C1の入力ノードの電位をVpix’で示している。
本実施例において、各列の構成に着目すると、複数の画素11と増幅器20−nがアナログ信号を出力するアナログ信号出力部を構成し、列比較部30−nおよび列メモリ40−nは参照信号生成部31およびカウンタ50とともにAD変換部を構成する。
次に、図3を参照しながら本実施例に係る動作を説明する。
増幅器20−nの出力Vpixが後述する閾値よりも大きい場合を破線で示し、閾値よりも小さい場合を実線で示している。
時刻t0に、増幅器20−nの出力Vpixが0であるとする。この時刻において、スイッチS1は開放されており、スイッチS2は閉じられているので、増幅器20−nの出力Vpixは、スイッチS2と入力容量C1を介して比較器101に与えられる。
時刻t1に、増幅器20−nの出力Vpixが変化し始めて、時刻t2に静定する。
一方、参照信号Vrampは、時刻t2までに閾値Vrに静定する。時刻t2から時刻t3までの判定期間において、仮に出力Vpixが閾値Vrを上回る場合には、破線で示すように比較器101の出力101がLレベルを維持する。この結果を受けて、判定回路102はスイッチS2を開放し、さらにスイッチS2を閉じる。つまり、増幅器20−nの出力Vpixがアッテネータ103により減衰されて比較器101に与えられるように切り替える。仮に、出力Vpixが閾値Vrよりも小さい場合には、実線で示すように比較器101の出力VoutがHレベルになる。この場合には、スイッチS1およびS2の状態は時刻t0から変わらない。つまり、出力Vpixが閾値Vrよりも小さい場合には第1のゲインで増幅された信号が比較器101に与えられ、出力Vpixが閾値Vrよりも大きい場合には第2のゲインで増幅された信号が比較器101に与えられる。以下では、第1のゲインで増幅された信号を第1の増幅信号と称し、第2のゲインで増幅された信号を第2の増幅信号と称する。本実施例では、第1のゲインは1であり、第2のゲインは1を下回る。
時刻t4から参照信号Vrampのレベルが単調に変化を開始する。タイミング発生回路13は、参照信号Vrampの変化の開始に同期して、カウンタ50にカウント動作を開始させる。
増幅器20−nの出力Vpixが閾値Vrよりも大きい場合には時刻はt5’に、増幅器20−nの出力Vpixが閾値Vrよりも小さい場合には時刻はt5に比較器101の出力がLからHレベルに切り替わる。比較器101の出力がHレベルに切り替わったことを受けて、列メモリ40−nにカウント信号が保持される。以上により、増幅器20−nの出力Vpixがデジタル信号に変換される。
こうして得られたデジタル信号は、信号処理部65に伝送される。本実施例では図示していないが、判定期間における判定結果をフラグ信号として列メモリ40−nに保持させても良い。これにより、信号処理部65やその後段の回路は、得られたデジタル信号が、ゲイン付与部GAのいずれのゲインで増幅された信号に基づくものであるのかを識別することができる。
特許文献1に示されたように、オペアンプを含む増幅器でゲインをシーケンシャルに切り替える場合には、オペアンプは能動回路であるため、増幅器の出力が静定するまでの時間がオペアンプの応答性に依存していた。一般に、撮像装置は低消費電力化が求められるので、オペアンプの応答性を向上させるために消費電力を増大させることは困難である。
これに対して、本実施例によれば、閾値を超えるレベルの信号であったとしても、ゲイン付与部103は受動素子のみにより信号にゲインをかけるので、消費電力の増大を抑制しながらも動作速度を高めることができる。
本実施例では、判定期間においてアナログ信号の信号レベルを判定し、その判定結果に応じて、ゲイン付与部GAのゲインを切り替えている。これにより、ゲインを切り替えずにS変換期間の処理を行う場合と比べてS変換期間の長さを短縮できるので、撮像装置の動作速度をさらに高めることができる。仮にゲイン付与部GAが増幅器20−nの出力Vpixを1/2に減衰させるとすると、S変換期間に参照信号Vrampの変化範囲を1/2にできるので、S変換期間の長さが1/2になる。
(実施例2)
以下では、実施例1との相違点を中心に説明を行う。実施例1と共通する部分は説明を省略する。
図4は、別の実施例に係る画素11を示す図である。画素11はフォトダイオードPD、増幅トランジスタSF、転送トランジスタTX、リセットトランジスタRESおよび選択トランジスタSELを含む。転送トランジスタTX、リセットトランジスタRES、選択トランジスタSELは、信号PTX、PRES、PSELによってそれぞれ導通または非導通に切り替えられる。フォトダイオードPDのアノードには接地電位が与えられ、カソードは転送トランジスタTXを介して浮遊拡散部FDに接続される。増幅トランジスタSFのゲートは浮遊拡散部FDに接続されるとともに、リセットトランジスタRESを介して電源SVDDに接続される。増幅トランジスタSFの一方の主ノードは電源SVDDに接続され、他方の主ノードは選択トランジスタSELを介して出力ノードPIXOUTに接続される。
図5に、本実施例に係る増幅器20−nの構成を示す。増幅器20−nは、差動増幅器105、入力容量Cin、帰還容量Cca1、Cca2、スイッチSca1、Sca2、Srstを含む。差動増幅器105の非反転入力ノードには参照電圧Vrefが与えられ、反転入力ノードは入力容量Cinを介して信号線V−nに接続される。差動増幅器105の反転入力ノードと出力ノードとは、スイッチSrst、スイッチSca1および帰還容量Cca1、ならびにスイッチSca2および帰還容量Cca2を介して接続される。スイッチSca1、Sca2の導通状態を制御することで、増幅器20−nのゲインを切り替えることができる。
図6を参照しながら、本実施例に係る動作を説明する。
時刻t0において、スイッチS1は開放されており、スイッチS2は閉じられているので、増幅器20−nの出力Vpixは、スイッチS2と入力容量C1を介して比較器101に与えられる。
時刻t0に信号PSELがHレベルになり、選択トランジスタSELがオンする。これにより、増幅トランジスタSFは信号線V−nに設けられた不図示の電流源とともに、ソースフォロワ回路として動作する。
時刻t1に信号PRESがHレベルになり、リセットトランジスタRESがオンする。これにより、浮遊拡散部FDがリセットされ、浮遊拡散部FDの電位に追従して信号線V−nの電位が変動する。この時の画素11の出力は、浮遊拡散部FDをリセットしたことによるノイズ成分が主となる信号である。
同じく時刻t1に信号PSrstがHレベルになり、増幅器20−n内のスイッチSrstがオンする。これにより差動増幅器105の入出力端子がショートされ、入力容量Cinの一方のノードが差動増幅器105の出力でリセットされる。この後、信号PSrstがLレベルになると、浮遊拡散部FDをリセットしたことによるノイズ成分と、増幅器20−nの出力との電位差が入力容量Cinに保持される。
時刻t2に、参照信号Vrampの信号レベルを基準となるレベルに変化させる。
時刻t3に、参照信号Vrampの信号レベルを、時間に対して一定の割合で変化させる。タイミング発生回路13は、参照信号Vrampの変化の開始に同期して、カウンタ50にカウント動作を開始させる。この後、増幅器20−nの出力を参照信号Vrampが上回ると、比較器101の出力VoutがHレベルになる。出力VoutがHレベルになったことを受けて、列メモリ40−nは、カウンタ50から出力されるカウント信号を保持する。ここで列メモリ40−nに保持される信号は、増幅器20−nに起因するノイズに対応する。以上により、増幅器20−nに起因するノイズがデジタル信号に変換される。
時刻t4に、参照信号Vrampの変化を停止して初期値に戻すと、比較器101の出力はLレベルに変化する。
時刻t5に、信号PTXをHレベルにする。これにより、転送トランジスタTXがオンして、フォトダイオードPDに蓄積された電荷が浮遊拡散部FDに転送される。浮遊拡散部FDに転送された電荷量に応じて浮遊拡散部FDの電位が変化し、信号線V−nの電位もこれに追従して変化する。同様に、増幅器20−nの出力も変化する。増幅器20−nの出力は、画素11の出力から、浮遊拡散部FDをリセットしたことによるノイズ成分を低減した信号を増幅した信号である。つまり、理想的には、画素11に起因するノイズ成分が除去された信号が増幅される。
時刻t6に、参照信号レベルVrampが閾値Vrに静定する。仮に出力Vpixが閾値Vrを上回る場合には、破線で示すように比較器101の出力VoutがLレベルを維持する。この結果を受けて、判定回路102はスイッチS2を開放し、さらにスイッチS1を閉じる。つまり、増幅器20−nの出力Vpixがアッテネータ103により減衰されて比較器101に与えられるように切り替える。仮に、出力Vpixが閾値Vrよりも小さい場合には、実線で示すように比較器101の出力がHレベルになる。この場合には、スイッチS1およびS2の状態は時刻t0から変わらない。
時刻t8から参照信号Vrampのレベルが時間に対して一定の割合で変化を開始する。タイミング発生回路13は、参照信号Vrampの変化の開始に同期して、カウンタ50にカウント動作を開始させる。
増幅器20−nの出力Vpixが閾値Vrよりも大きい場合には時刻はt9’に、増幅器20−nの出力Vpixが閾値Vrよりも小さい場合には時刻はt9に比較器101の出力がLからHレベルに切り替わる。比較器101の出力がHレベルに切り替わったことを受けて、列メモリ40−nにカウント信号が保持される。以上により、増幅器20−nの出力Vpixがデジタル信号に変換される。時刻t3から時刻t4までの期間にメモリ40−nに保持されたデジタル信号と、時刻t9または時刻t9’に保持されたデジタル信号との差分処理をたとえば信号処理部65で行うことにより、増幅器20−nに起因するノイズが低減されたデジタル信号が得られる。
本実施例によれば、実施例1と同様に、閾値を超えるレベルの信号であったとしても、のゲイン付与部GAのうち、ゲインに寄与する部分は受動素子のみにより構成されるので、消費電力の増大を抑制しながらも動作速度を高めることができる。
さらに、本実施例によれば、さらに、浮遊拡散部FDをリセットしたことによるノイズならびに増幅器20−nに起因するノイズを低減できるので、S/N比が高い信号を得られる。
(実施例3)
図7はさらに別の実施例に係る列比較部30−nの構成を示す図である。実施例1および2との相違点は、アッテネータ103を2個の容量C2およびC3で構成した点である。先の実施例と共通する部分の説明は省略する。
第1の容量素子である容量C2は、一方のノードがアナログ信号出力部と接続され、他方のノードが第2の容量素子である容量C3の一方のノードと、スイッチS1と接続される。容量C3の他方のノードには、固定電位が与えられる。この構成により、アッテネータ103のゲインはC2とC3の比で決定される。
本実施例に係るアッテネータ103の構成では、容量C2およびC3をリセットするために、図6の時刻t2までの間にスイッチS1を一時的に閉状態にする必要がある。この点を除いては、図6に示した動作と同じ動作を実行できる。
(実施例4)
図8はさらに別の実施例に係る列比較部30−nの構成を示す図である。実施例3との相違点は、ゲイン付与部GAにおいて、入力容量C1がなくなり、容量C4が追加された点である。
本実施例に係る光電変換装置の動作は、実施例3と同じ動作にできる。
(実施例5)
本発明の別の実施例を説明する。
図9は、本実施例に係る列比較部30−nの構成を示す図である。図8に示した列比較部と異なるのは、増幅器20−nの出力が容量C4を介して比較器101に与えられる経路と、容量C2を介して与えられる経路とを切り替えるための構成が、比較器101とゲイン付与部GAとで共有されている点である。先の実施例と共通する部分の説明は省略する。
比較器101は、トランジスタM1〜M6を含んで構成される。第1の入力トランジスタであるトランジスタM1は、第2の入力トランジスタであるトランジスタM4とともに差動対を構成する。第3の入力トランジスタであるトランジスタM2もまた、トランジスタM4とともに差動対を構成する。トランジスタM1およびM2は互いに並列に接続されている。トランジスタM3は、差動入力対のテール電流源として機能する。トランジスタM5およびM6は、M1、M2およびM4に対する電流源として機能する。トランジスタM1の一方の主ノードは、スイッチS3を介してトランジスタと接続され、他方の主ノードがトランジスタM3と接続される。トランジスタM1の制御ノードは、容量C2およびC3の共通接点に接続され、容量C2を介して列比較部30−nの入力端子に接続されるとともに、スイッチS5を介してトランジスタM5とスイッチS3の共通ノードに接続される。トランジスタM2の一方の主ノードは、スイッチS4を介してトランジスタM5と接続され、他方の主ノードがトランジスタM3と接続される。トランジスタM2の制御ノードは、容量C4を介して列比較部30−nの入力端子に接続されるとともに、スイッチS6を介してトランジスタM5とスイッチS3の共通ノードに接続される。トランジスタM4は一方の主ノードがトランジスタM3に接続され、他方の主ノードがトランジスタM6に接続される。トランジスタM4の制御ノードは、容量Crampを介して参照信号Vrampを供給する配線と接続されるとともに、スイッチS7を介してトランジスタM4の他方の主ノード、トランジスタM6および列比較部30−nの出力ノードに接続される。スイッチS3およびS4は判定回路102によって制御される。
図10を参照しながら、本実施例に係る光電変換装置の動作を説明する。
図10に示す動作が図6の動作と異なるのは、スイッチS1およびS2の動作がなくなり、スイッチS3〜S7の動作が導入された点である。ここでは、図6と重複する部分は省略し、図6との違いのみを説明する。
時刻t0に信号PSELがHレベルになってから時刻t1までの間に、容量C2〜C4のリセットを行う。
まず、スイッチS3をオンするとともに、スイッチS4をオフする。これにより、トランジスタM1とトランジスタM5の間が導通し、トランジスタM1およびM4が比較器101のアクティブな差動入力対をなす。
次に、スイッチS5およびS7をオンする。これにより、容量C2およびC3が、スイッチS3およびトランジスタM5の共通接点の電位にリセットされる。また、容量Crampの一方のノードが、トランジスタM4およびM6の共通接点の電位にリセットされる。
次に、スイッチS3をオフするとともに、スイッチS4をオンする。これにより、トランジスタM2およびM4が、比較器101のアクティブな差動入力対をなすように切り替わる。
次に、スイッチS6およびS7をオンする。これにより、容量C6が、スイッチS4およびトランジスタM5の共通接点の電位にリセットされる。また、容量Crampの一方のノードが、トランジスタM4およびM6の共通接点の電位に再びリセットされる。
これ以降は、時刻t7に判定期間が終了するまでは、スイッチS4がオンしているので、増幅器20−nの出力が、容量C4を介して比較器101に入力される状態になる。つまり、図6で示した動作と同様に、2つの経路のうち、より高いゲインがかかる経路を介して増幅器20−nの出力が比較器101に与えられる。
判定期間において、増幅器20−nの出力が閾値Vrを下回る場合には、実線で示すように、スイッチS3をオフに維持し、スイッチS4をオンに維持する。一方、判定期間において、増幅器20−nの出力が閾値Vrを上回る場合には、破線で示したように、スイッチS4がオフし、スイッチS3がオンする。これにより、増幅器20−nの出力は容量C2およびC3からなるアッテネータを介して比較器101に与えられる。
本実施例においても、比較器101に入力される信号は受動素子のみによりゲインをかけるので、消費電力の増大を抑制しながらも動作速度を高めることができる。
本実施例では、容量C4をリセットする前に、容量C2およびC3のリセットを行ったが、逆の順序で行っても良い。ただし、その場合には、容量C2およびC3をリセットした後にアクティブな差動入力対を切り替える必要があるので、動作の高速化という観点で、図10に示した動作の方が有利である。
(実施例6)
図11はさらに別の実施例に係る列比較部30−nの構成を示す図である。図8に示した列比較部は、比較器101の一方の入力端子に対して、スイッチS1およびS2によって切り替えられる2つの経路を介して列比較部30−nの一方の入力ノードと接続されるように構成されていた。これに対して本実施例では、比較器101の一方の入力ノードと列比較部30−nの一方の入力ノードとの経路は1つになっている。本実施例では、アッテネータ103をバイパスする経路を設けずに、ゲインを切り替えるように構成している。先の実施例と共通する部分の説明は省略する。
図12は、本実施例に係る動作を説明するタイミング図である。図6に示したタイミングとの違いは、スイッチS1が、時刻t0から時刻t1の間に一時的に閉状態になる点である。スイッチS1をオンにすることで、容量C2およびC3をリセットする。スイッチS1以外の動作は、図6に示した動作と同じにできる。
本実施例によれば、消費電力の増大を抑制しながらも動作速度を高めることができるだけでなく、さらに、増幅器20−nから比較器101までの経路が簡略化されるので、光電変換装置の縮小化が可能となる。
(実施例7)
図13はさらに別の実施例に係る光電変換装置100’の構成を示す図である。図1に示した光電変換装置100とは、カウンタ50が省略された点で異なっている。先の実施例と共通する部分の説明は省略する。
図14は、本実施例に係る列比較部30−nの構成を示す。図2とは、列比較部が比較電圧生成部104を備える点で異なっている。比較器101の他方の入力ノードと増幅器20−nの出力との間の構成は図2と同じである。
比較電圧生成部104は、互いに並列に設けられた複数の容量と、各容量に直列に設けられたスイッチを含んでなる。各容量は、対応するスイッチを介して、接地電圧GNDまたは基準電圧Vr1に選択的に接続される。ここでは、6個の容量が並列に設けられた例を示しており、それぞれの容量値は図中左から16Cr、8Cr、4Cr、2Cr、Cr、4Crである。本実施例において、参照信号生成部31は、各列の比較部30に対して基準電圧Vr1を供給する。複数の容量16Cr、8Cr、4Cr、2Cr、Cr、4Crと対応して設けられた各スイッチが接続される先を切り替えることにより、列比較部30−nは逐次比較型のAD変換器として動作する。
図15を参照しながら、本実施例に係る動作を説明する。
時刻t0に、信号PSEL、PRES、PTX、PSrstはいずれもLレベルである。そのため、増幅器20−nの出力VpixもLレベルである。
また、時刻t0では、スイッチS1およびS2が閉状態にあり、スイッチSr0、Sr1、Sr2、Sr4、Sr8およびSr16は開状態にある。ここでスイッチSr0、Sr1、Sr2、Sr4、Sr8およびSr16が開状態とは、対応する容量にGND電位が与えられる状態であり、閉状態とは、対応する容量に基準電圧Vr1が与えられた状態である。
以下では、増幅器群20の各増幅器20−nが、図5に示した構成であるものとして説明を行う。
時刻t1に信号PSELがHレベルになり、選択トランジスタSELがオンする。これにより、増幅トランジスタSFは信号線V−nに設けられた不図示の電流源とともにソースフォロワ回路として動作する。
時刻t1に信号PRESがHレベルになり、リセットトランジスタRESがオンする。これにより、浮遊拡散部FDがリセットされ、浮遊拡散部FDの電位に追従して信号線V−nの電位が変動する。この時の画素11の出力は、浮遊拡散部FDをリセットしたことによるノイズ成分が主となる信号である。
同じく時刻t1に信号PSrstがHレベルになり、増幅器20−n内のスイッチSrstがオンする。これにより差動増幅器105の入出力端子がショートされ、入力容量Cinの一方のノードが差動増幅器105の出力でリセットされる。この後、信号PSrstがLレベルになると、浮遊拡散部FDをリセットしたことによるノイズ成分と、増幅器20−nの出力との電位差が入力容量Cinに保持される。
時刻t3にスイッチS1を開状態にして、アッテネータ103を経由しない信号のみが容量C1を介して比較器101に与えられるようになる。
時刻t4にスイッチSr0が開状態になり、を持つ容量にGND電位が与えられる。
時刻t4にスイッチSr0が開状態になった後AD変換期間が開始する。この期間ではスイッチSr1、Sr2、Sr4、Sr8、およびSr16を逐次切り替えて、比較器に与えられたアナログ信号をデジタル信号に変換する。ここでの動作は、既知の逐次比較型AD変換器と同様なので詳細な説明は省略する。N変換期間の動作により、増幅器20−nに起因するノイズがデジタル信号に変換される。
時刻t5に、信号PTXをHレベルにする。これにより、転送トランジスタTXがオンして、フォトダイオードPDに蓄積された電荷が浮遊拡散部FDに転送される。浮遊拡散部FDに転送された電荷量に応じて浮遊拡散部FDの電位が変化し、信号線V−nの電位もこれに追従して変化する。同様に、増幅器20−nの出力も変化する。増幅器20−nの出力は、画素11の出力から、浮遊拡散部FDをリセットしたことによるノイズ成分を低減した信号を増幅した信号である。つまり、理想的には、画素11に起因するノイズ成分が除去された信号が増幅される。
時刻t6にスイッチSr1、Sr2、Sr4、Sr8、Sr8、およびSr16を閉状態にする。このときの比較器の一方の入力ノードが閾値Vrであるとする。時刻t7までの判定期間では、閾値Vrと、他方の入力ノードに与えられる増幅器20−nの出力Vpixとを比較する。
判定期間において、Vpixが閾値Vrを上回る場合の波形を点線で示し、Vpixが閾値Vrを下回る場合の波形を実線で示している。図15では、Vpixと閾値Vrとが等しい場合には、Vpixが閾値Vrを下回る場合と同じ扱いをしているが、Vpixが閾値Vrを上回る場合と同じ扱いをしても良い。
Vpixが閾値Vr1を上回る場合には、スイッチS1を閉状態にするとともに、スイッチS2を開状態にする。これにより、増幅器20−nの出力Vpixはアッテネータ103により減衰された第2の増幅信号が比較器101に与えられる。
一方、Vpixが閾値Vr1を下回る場合には、スイッチS1およびS2の導通状態を維持する。
スイッチSr1、Sr2、Sr4、Sr8、およびSr16を開状態にした後の時刻t8から開始するS変換期間は、既知の逐次比較型のAD変換器と同様の動作により、デジタル信号を得る。
N変換期間で得たデジタル信号とS変換期間で得たデジタル信号との差分処理を行うことで、増幅器20−nに起因するノイズを低減したデジタル信号を得られる。
本実施例によれば、実施例1と同様に、閾値を超えるレベルの信号であったとしても、のアッテネータ103はゲインに寄与する部分が受動素子のみにより構成されるので、消費電力の増大を抑制しながらも動作速度を高めることができる。
さらに、本実施例によれば、さらに、浮遊拡散部FDをリセットしたことによるノイズならびに増幅器20−nに起因するノイズを低減できるので、S/N比が高い信号を得られる。
(実施例8)
上記の各実施例は、ゲイン付与部がアッテネータ103を含み、アッテネータ103がアナログ信号に対して1を下回るゲインをかける場合を説明したが、アッテネータ103に換えて、1を上回るゲインをかける増幅器を設けてもよい。先の実施例と共通する部分の説明は省略する。
図16に、本実施例に係る列比較部30−nの構成を示す。図2に示した列比較部30−nとの相違点は、アッテネータ103に換えて増幅部106が設けられている点である。ゲイン付与部103がスイッチS1および入力容量C1を介して比較器101と接続されていたのに対して、増幅部106は、スイッチS2および入力容量C1を介して比較器101と接続される。
本実施例に係る動作は、実施例1と同様にできる。
増幅部106は、入力されたアナログ信号に対して、1を上回るゲインをかけるように構成されている。増幅部106は、アッテネータ103と同様に、受動素子のみによりゲインをかけるので、消費電力の増大を抑制しながらも動作速度を高めることができる。
(実施例9)
本実施例に係る撮像システムを、図17を用いて説明する。
撮像システム1000は、例えば、光学部1010、光電変換装置1001、映像信号処理回路部1030、記録・通信部1040、タイミング制御回路部1050、システムコントロール回路部1060、および再生・表示部1070を含む。撮像システム1000は、少なくとも後述する加算モードと非加算モードとで動作可能であり、その両者を切り替えることができる。
光電変換装置1001は、上述の各実施例で説明したものが用いられる。
レンズなどの光学系である光学部1010は、被写体からの光を光電変換装置1001の、複数の画素が2次元状に配列された画素アレイに結像させ、被写体の像を形成する。光電変換装置1001は、タイミング制御回路部1050からの信号に基づくタイミングで、画素アレイに結像された光に応じた信号を出力する。光電変換装置1001が備えるタイミング発生回路13を省略して、タイミング制御回路部1050が光電変換装置1001の動作に必要な信号を生成するように構成しても良い。
光電変換装置1001から出力された信号は、映像信号処理部である映像信号処理回路部1030に入力され、映像信号処理回路部1030が、プログラムなどによって定められた方法に従って、入力された電気信号に対して補正などの処理を行う。映像信号処理回路部1030での処理によって得られた信号は画像データとして記録・通信部1040に送られる。記録・通信部1040は、画像を形成するための信号を再生・表示部1070に送り、再生・表示部1070に動画や静止画像を再生・表示させる。記録・通信部1040は、また、映像信号処理回路部1030からの信号を受けて、システムコントロール回路部1060とも通信を行うほか、不図示の記録媒体に、画像を形成するための信号を記録する動作も行う。
システムコントロール回路部1060は、撮像システムの動作を統括的に制御するものであり、光学部1010、タイミング制御回路部1050、記録・通信部1040、および再生・表示部1070の駆動を制御する。また、システムコントロール回路部1060は、例えば記録媒体である不図示の記憶装置を備え、ここに撮像システムの動作を制御するのに必要なプログラムなどが記録される。また、システムコントロール回路部1060は、例えばユーザの操作に応じて動作モードを切り替える信号を撮像システム内で供給する。具体的な例としては、読み出す行やリセットする行の変更、電子ズームに伴う画角の変更や、電子防振に伴う画角のずらしなどである。
タイミング制御回路部1050は、制御部であるシステムコントロール回路部1060による制御に基づいて光電変換装置1001および映像信号処理回路部1030の駆動タイミングを制御する。
(その他)
上記の各実施例は、本発明を実施する上での例示的なものであって、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲で変更したり、複数の実施例の要素を組み合わせたりできる。たとえば、図1に示した増幅部20を省略したり、列比較部30−nにおいて、入力容量Cramp、C1を省略したりできる。
上述の各実施例では、第1および第2のゲインのうちの一方を1倍とした例を説明したが、ゲインは1倍に限るものではなく、第2のゲインが第1のゲインよりも低い倍率であれば良い。
10 画素アレイ
20 増幅部
30 比較部
40 メモリ部
50 カウンタ
51 参照信号生成部
101 比較器
102 判定回路
103 アッテネータ
106 増幅部
GA ゲイン付与部

Claims (10)

  1. 複数の画素を含み、前記複数の画素に基づいてアナログ信号を出力する複数のアナログ信号出力部と、複数の信号処理部とを有する光電変換装置であって、
    前記複数の信号処理部の各々は、前記複数のアナログ信号出力部のいずれかに対応して設けられ、前記アナログ信号にゲインをかけるゲイン付与部と、AD変換部とを含み、
    前記ゲイン付与部のうち、前記アナログ信号にかけるゲインに寄与する部分は受動素子のみにより構成され、
    前記ゲイン付与部は、前記アナログ信号に第1のゲインをかけた第1の増幅信号と、前記アナログ信号に前記第1のゲインよりも低い第2のゲインをかけた第2の増幅信号と、のいずれかを出力し、
    前記AD変換部は、前記ゲイン付与部から出力された前記第1の増幅信号または前記第2の増幅信号をAD変換すること
    を特徴とする光電変換装置。
  2. 前記信号処理部は、判定部を有し、
    前記判定部は、前記第1の増幅信号と閾値とを比較した結果に基づいて、前記第1および第2の増幅信号のいずれかを前記AD変換部に与えること
    を特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
  3. 前記第1のゲインが1倍であることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。
  4. 前記ゲイン付与部は、前記アナログ信号を減衰させるアッテネータを有し、
    前記アッテネータにより、前記第2の増幅信号を生成すること
    を特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。
  5. 前記アッテネータは、第1の容量素子と第2の容量素子とを含み、
    前記第1の容量素子の一方のノードは前記アナログ信号出力部と接続され、他方のノードは前記第2の容量素子の一方のノードおよび前記AD変換部に接続されること
    を特徴とする請求項4に記載の光電変換装置。
  6. 前記アッテネータは、前記第2の容量の一方のノードと、前記第1の容量素子との接続を切り替える切り替え部を備えることを特徴とする請求項5に記載の光電変換装置。
  7. 前記AD変換部は比較器を有し、
    前記比較器は第1、第2、および第3の入力トランジスタを含み、
    前記第1および前記第2の入力トランジスタが差動対を構成するとともに、前記第3および前記第2の入力トランジスタが差動対を構成し、
    前記アッテネータは、前記第1の入力トランジスタと接続され、
    前記アナログ信号出力部は、前記第2の入力トランジスタと接続されること
    を特徴とする請求項4に記載の光電変換装置。
  8. 前記アナログ信号出力部は、前記複数の画素に共通に接続された増幅器を含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の光電変換装置。
  9. 請求項1〜8のいずれかに記載の光電変換装置と、
    前記複数の画素に像を形成する光学系と、
    前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する映像信号処理部と、を備えたこと
    を特徴とする撮像システム。
  10. 複数の画素を含み、前記複数の画素に基づいてアナログ信号を出力する複数のアナログ信号出力部と、複数の信号処理部とを有する光電変換装置の駆動方法であって、
    前記複数の信号処理部の各々は、前記複数のアナログ信号出力部のいずれかに対応して設けられ、前記アナログ信号に、受動素子のみによりゲインをかけるゲイン付与部と、を含み、
    前記ゲイン付与部により前記アナログ信号に第1のゲインをかけた第1の増幅信号を生成し、
    前記第1の増幅信号が閾値よりも小さい場合には、前記第1の増幅信号をAD変換し、
    前記第1の増幅信号が閾値よりも大きい場合には、前記ゲイン付与部により前記アナログ信号に前記第1のゲインよりも低い第2のゲインをかけた第2の増幅信号をAD変換すること
    を特徴とする光電変換装置の駆動方法。
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US14/141,309 US9509926B2 (en) 2012-12-28 2013-12-26 Photoelectric conversion device, image pickup system, and driving method of photoelectric conversion device having a switch including a short-circuit, in on state, between input and output nodes of a gain application unit
CN201310741238.5A CN103973994B (zh) 2012-12-28 2013-12-27 光电转换装置、摄像系统和光电转换装置的驱动方法
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10218337B2 (en) 2016-01-29 2019-02-26 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device and electronic apparatus
US10834348B2 (en) 2017-09-29 2020-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Imaging sensor, chip, imaging system, and moving body

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9918017B2 (en) * 2012-09-04 2018-03-13 Duelight Llc Image sensor apparatus and method for obtaining multiple exposures with zero interframe time
JP5886806B2 (ja) * 2013-09-17 2016-03-16 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP6175355B2 (ja) * 2013-11-07 2017-08-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像素子
US9906745B2 (en) * 2013-12-12 2018-02-27 Cista System Corp. Column comparator system and method for comparing a ramping signal and an input signal
JP5861012B1 (ja) * 2014-07-02 2016-02-16 オリンパス株式会社 撮像素子、撮像装置、内視鏡、内視鏡システム
KR102261587B1 (ko) * 2014-12-05 2021-06-04 삼성전자주식회사 로우 코드 영역의 비선형성을 개선할 수 있는 이미지 센서, 이의 작동 방법, 및 이를 포함하는 장치
WO2017179113A1 (ja) * 2016-04-12 2017-10-19 オリンパス株式会社 ノイズ除去回路およびイメージセンサ
JP2018019269A (ja) * 2016-07-28 2018-02-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ、駆動方法、及び、電子機器
JP7073260B2 (ja) * 2016-08-08 2022-05-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、電子機器
US10635168B2 (en) * 2017-08-22 2020-04-28 Microsoft Technology Licensing, Llc MEMS line scanner and silicon photomultiplier based pixel camera for low light large dynamic range eye imaging
KR102469071B1 (ko) * 2018-02-06 2022-11-23 에스케이하이닉스 주식회사 비교 장치 및 그에 따른 씨모스 이미지 센서
JP7116599B2 (ja) * 2018-06-11 2022-08-10 キヤノン株式会社 撮像装置、半導体装置及びカメラ
WO2019239670A1 (ja) 2018-06-14 2019-12-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 信号処理回路、固体撮像素子、および、信号処理回路の制御方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11261764A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Ricoh Co Ltd 可変ゲイン増幅装置
JP2005175517A (ja) * 2003-12-05 2005-06-30 Sony Corp 半導体装置の制御方法および信号処理方法並びに半導体装置および電子機器
JP2007181088A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びカメラシステム

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5422643A (en) 1993-02-24 1995-06-06 Antel Optronics Inc. High dynamic range digitizer
US6195031B1 (en) 1998-12-28 2001-02-27 Siemens Aktiengesellschaft Analog-to-digital converter with level converter and level recognition unit and correction memory
US6720903B2 (en) 2002-06-14 2004-04-13 Stmicroelectronics S.R.L. Method of operating SAR-type ADC and an ADC using the method
US6940445B2 (en) * 2002-12-27 2005-09-06 Analog Devices, Inc. Programmable input range ADC
JP4432530B2 (ja) 2004-02-23 2010-03-17 パナソニック株式会社 デジタル信号処理アンプ
DE102006025116B4 (de) * 2006-05-30 2020-06-04 Austriamicrosystems Ag Einstellbare Analog-Digital-Wandleranordnung und Verfahren zur Analog-Digital-Wandlung
KR100826513B1 (ko) * 2006-09-08 2008-05-02 삼성전자주식회사 멀티플 샘플링을 이용한 cds 및 adc 장치 및 방법
WO2009090703A1 (ja) * 2008-01-18 2009-07-23 Panasonic Corporation ランプ波出力回路、アナログデジタル変換回路、及びカメラ
JP4569647B2 (ja) * 2008-03-18 2010-10-27 ソニー株式会社 Ad変換装置、ad変換方法、固体撮像素子、およびカメラシステム
JP5188292B2 (ja) 2008-06-30 2013-04-24 キヤノン株式会社 撮像システムおよび撮像システムの駆動方法
JP2010147614A (ja) 2008-12-16 2010-07-01 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその駆動方法、撮像装置
US7924203B2 (en) * 2009-06-12 2011-04-12 Analog Devices, Inc. Most significant bits analog to digital converter, and an analog to digital converter including a most significant bits analog to digital converter
KR101754131B1 (ko) * 2010-12-01 2017-07-06 삼성전자주식회사 샘플링 회로와 광감지 장치
JP5721489B2 (ja) * 2011-03-22 2015-05-20 キヤノン株式会社 Ad変換回路、光電変換装置、撮像システム、およびad変換回路の駆動方法
WO2012144234A1 (ja) * 2011-04-21 2012-10-26 パナソニック株式会社 電圧発生回路、アナログ・デジタル変換回路、固体撮像装置、及び撮像装置
JP5762199B2 (ja) * 2011-07-28 2015-08-12 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5893573B2 (ja) * 2012-02-09 2016-03-23 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP6164846B2 (ja) * 2012-03-01 2017-07-19 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法
JP2014131147A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Canon Inc 光電変換装置、撮像システム、および光電変換装置の駆動方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11261764A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Ricoh Co Ltd 可変ゲイン増幅装置
JP2005175517A (ja) * 2003-12-05 2005-06-30 Sony Corp 半導体装置の制御方法および信号処理方法並びに半導体装置および電子機器
JP2007181088A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びカメラシステム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10218337B2 (en) 2016-01-29 2019-02-26 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device and electronic apparatus
US10834348B2 (en) 2017-09-29 2020-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Imaging sensor, chip, imaging system, and moving body

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