JP2014111515A - Production method of cover glass with circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、回路付きカバーガラスの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a cover glass with a circuit.
近年、携帯端末等に、タッチパネル式ディスプレイが広く用いられている。一般的なタッチパネル式ディスプレイは、液晶パネル等の表示装置と、表示装置上に積層されたタッチパネルと、タッチパネル上に積層されたカバーガラスとを有しており、カバーガラスが外表面に露出するように携帯端末等に搭載される。タッチパネルは、透明ガラス基板の少なくとも一方面上にタッチセンサを構成する電極配線が形成されたものである。このようなタッチパネルの製造方法として、特許文献1には、透明ガラス基板用のマザー基板の一方面上に複数のタッチパネル用の電極配線を形成した後に、マザー基板を切断し、複数のタッチパネルを得る製造方法が開示されている。
In recent years, touch panel displays have been widely used for portable terminals and the like. A general touch panel display has a display device such as a liquid crystal panel, a touch panel laminated on the display device, and a cover glass laminated on the touch panel so that the cover glass is exposed on the outer surface. It is mounted on mobile terminals. In the touch panel, electrode wiring constituting a touch sensor is formed on at least one surface of a transparent glass substrate. As a method for manufacturing such a touch panel,
また、特許文献2には、電極配線をカバーガラスの一方面上に直接形成したカバーガラス一体型のタッチパネルが開示されている。このようなカバーガラス一体型のタッチパネルも、カバーガラス用のマザーガラスの一方面上に複数のタッチパネル用の電極配線を形成した後に、マザーガラスを切断することで製造することが好ましい。ここで、カバーガラスには、傷つき防止のために強化処理が施されるのが一般的である。カバーガラス用のマザーガラスに強化処理が施されている場合、ダイヤモンドカッター又はレーザカッターによりマザーガラスを切断すると、クラック等の損傷が生じ易い。そこで、特許文献2には、クラックの発生を抑制するために、カバーガラス用のマザーガラスの一方面上に電極配線を形成した後に、マザーガラスの両面にエッチング保護膜を形成し、ケミカルエッチングによりマザーガラスを切断し、エッチング保護膜を除去する製造方法が開示されている。
しかしながら、特許文献2に開示された製造方法では、エッチング保護膜の剥離工程において、剥離条件、及びタッチセンサ部の電極配線の電極材料によっては、電極配線(以下、回路という)が損傷する可能性がある。このため、特許文献2に開示された製造方法では、カバーガラスの損傷の発生を抑制することはできるものの、回路の損傷が発生してしまうおそれがある。
However, in the manufacturing method disclosed in
そこで、本発明は、回路の損傷の発生及びカバーガラスの損傷の発生を共に抑制することができる回路付きカバーガラスの製造方法を提供することを目的とする。 Then, an object of this invention is to provide the manufacturing method of the cover glass with a circuit which can suppress both generation | occurrence | production of damage to a circuit and generation | occurrence | production of damage to a cover glass.
本発明に係る回路付きカバーガラスの製造方法は、両面に強化処理が施された板状のマザーガラスの両面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、各レジスト膜を部分的に除去することで、マザーガラスを複数のカバーガラス部に区画する区画線に沿ってマザーガラスの両面を部分的に露出させる切断用パターンを形成するパターン形成工程と、パターン形成工程の後に、エッチングにより、切断用パターンに対応する切断用凹部をマザーガラスの両面に形成する凹部形成工程と、凹部形成工程の後に、マザーガラスの少なくとも一方面のレジスト膜を除去し、各カバーガラス部の一方面上に回路を形成する回路形成工程と、切断用凹部に沿ってマザーガラスを切断することで、複数の回路付きカバーガラスを得る切断工程と、を備えることを特徴とする。 The method of manufacturing a cover glass with a circuit according to the present invention includes a resist film forming step of forming a resist film on both sides of a plate-like mother glass that has been reinforced on both sides, and partially removing each resist film. Then, a pattern forming step for forming a cutting pattern that partially exposes both surfaces of the mother glass along a partition line that divides the mother glass into a plurality of cover glass portions, and after the pattern forming step, for cutting by etching After forming the recesses for cutting corresponding to the pattern on both sides of the mother glass, and after the recess forming step, the resist film on at least one side of the mother glass is removed, and a circuit is formed on one side of each cover glass part. A circuit forming step to be formed, and a cutting step of obtaining a plurality of cover glasses with circuits by cutting the mother glass along the recesses for cutting. It is characterized in.
本発明に係る回路付きカバーガラスの製造方法によれば、回路形成工程の前に、レジスト膜形成工程、パターン形成工程、及び凹部形成工程が行われる。回路形成工程の前では、マザーガラスの両面に回路が形成されていないことから、回路の損傷を生じることなくエッチングとレジスト膜の除去を行うことができる。また、刃物を用いないエッチングを行うことにより、マザーガラスの両面に生じる応力が抑制されるため、マザーガラスの各カバーガラス部の損傷を生じることなく切断用凹部を形成することができる。凹部形成工程により切断用凹部が形成された時点では、マザーガラスの一体性は保たれているため、回路形成工程では、各カバーガラス部の回路を効率よく同時進行で形成することができる。切断工程では、切断用凹部に沿ってマザーガラスが切断される。切断用凹部が形成された部分では、マザーガラスのうち強化処理によって硬く且つ脆くなった表層が除去されている。このため、切断用凹部に沿ってマザーガラスを切断することで、各カバーガラス部の硬く且つ脆い表層に負荷をかけることなくマザーガラスを切断することができる。従って、回路の損傷の発生及びカバーガラスの損傷の発生を共に抑制することができる。 According to the method for manufacturing a cover glass with circuit according to the present invention, a resist film forming step, a pattern forming step, and a recess forming step are performed before the circuit forming step. Before the circuit formation step, no circuit is formed on both surfaces of the mother glass, so that the etching and the resist film can be removed without causing damage to the circuit. Moreover, since the stress which arises on both surfaces of mother glass is suppressed by performing the etching which does not use a cutter, the recessed part for a cutting | disconnection can be formed, without producing damage to each cover glass part of mother glass. Since the integrity of the mother glass is maintained at the time when the cutting recess is formed by the recess forming step, the circuit of each cover glass portion can be efficiently and simultaneously formed in the circuit forming step. In the cutting step, the mother glass is cut along the cutting recess. In the portion where the cutting recess is formed, the surface layer of the mother glass that has become hard and brittle by the tempering treatment is removed. For this reason, by cutting the mother glass along the recess for cutting, the mother glass can be cut without applying a load to the hard and brittle surface layer of each cover glass portion. Therefore, it is possible to suppress both the occurrence of circuit damage and the cover glass damage.
凹部形成工程では、エッチング剤にマザーガラスの両面を晒すことでエッチングを行ってもよく、砥粒を含有する気流にマザーガラスの両面を晒すことでエッチングを行ってもよい。 In the recess forming step, etching may be performed by exposing both surfaces of the mother glass to an etching agent, or etching may be performed by exposing both surfaces of the mother glass to an airflow containing abrasive grains.
レジスト膜形成工程では、感光性レジストをマザーガラスの両面に塗布又は貼付することで、一定の膜厚のレジスト膜を形成することが好ましい。この場合、膜厚の均一化を図り易い点で、感光性フィルムを用いることが好ましい。また、液状レジストを用いてレジスト膜を形成するのに比べ、感光性フィルムによれば、厚いレジスト膜を形成し易いという利点がある。レジスト膜を厚くすることで、エッチング剤の浸透をより確実に防止し、エッチング剤による回路の損傷をより確実に防止できる。 In the resist film forming step, it is preferable to form a resist film having a certain thickness by applying or sticking a photosensitive resist to both sides of the mother glass. In this case, it is preferable to use a photosensitive film because it is easy to make the film thickness uniform. Further, compared to forming a resist film using a liquid resist, the photosensitive film has an advantage that a thick resist film can be easily formed. By increasing the thickness of the resist film, it is possible to more reliably prevent the penetration of the etchant, and more reliably prevent the circuit from being damaged by the etchant.
回路形成工程では、マザーガラスの両面のレジスト膜を除去し、切断工程では、マザーガラスの一方面上に保護層を形成し、他方面上に切断用のレジスト膜を形成し、切断用のレジスト膜のうち切断用凹部に対応する部分を除去し、他方面側からのエッチングによって切断用凹部に沿ってマザーガラスを切断し、切断用のレジスト膜及び保護層を除去することが好ましい。この場合、回路形成工程ではマザーガラスの両面のレジスト膜を除去するため、マザーガラス全体をレジスト膜の剥離液に晒し、レジスト膜を効率よく除去することができる。切断工程では、刃物を用いないエッチングを行うことにより、マザーガラスに生じる応力が抑制されるため、マザーガラスの各カバーガラス部の損傷の発生を更に抑制することができる。また、マザーガラスの一方面上には保護層が形成され、エッチングが他方面側から行われるため、一方面側の回路は損傷され難い。また、切断用凹部に対応する部分を除去する処理を保護層に施す必要がないため、マザーガラスの一方面全体が保護層によってしっかりと保護される。更に、切断用凹部の形成により切断対象部分の厚さが小さくなっているため、マザーガラスは短時間のエッチングで切断される。これらのことから、回路形成工程後の切断工程においてエッチングを行ったとしても、回路の損傷の発生を抑制することができる。 In the circuit forming process, the resist films on both sides of the mother glass are removed, and in the cutting process, a protective layer is formed on one side of the mother glass, a resist film for cutting is formed on the other side, and a resist for cutting is formed. It is preferable to remove a portion of the film corresponding to the cutting recess, cut the mother glass along the cutting recess by etching from the other side, and remove the cutting resist film and the protective layer. In this case, since the resist film on both sides of the mother glass is removed in the circuit forming step, the entire mother glass can be exposed to a resist film stripping solution to efficiently remove the resist film. In the cutting process, by performing etching without using a blade, the stress generated in the mother glass is suppressed, so that the occurrence of damage to each cover glass portion of the mother glass can be further suppressed. Further, since a protective layer is formed on one side of the mother glass and etching is performed from the other side, the circuit on the one side is hardly damaged. Moreover, since it is not necessary to perform the process which removes the part corresponding to the recessed part for a cutting | disconnection to a protective layer, the whole one surface of mother glass is protected firmly by a protective layer. Furthermore, since the thickness of the part to be cut is reduced due to the formation of the recesses for cutting, the mother glass is cut in a short etching. From these things, even if it etches in the cutting process after a circuit formation process, generation | occurrence | production of damage to a circuit can be suppressed.
切断工程では、感光性レジストをマザーガラスの他方面(回路形成されていない面)に塗布又は貼付することで、切断用のレジスト膜を形成することが好ましい。この場合、膜厚の均一化を図り易い点で、感光性フィルムを用いることが好ましい。また、液状レジストを用いて切断用のレジスト膜を形成するのに比べ、切断用凹部内へのレジストの侵入を抑制することができる。これにより、切断用のレジスト膜のうち切断用凹部に対応する部分を容易に除去することができる。 In the cutting step, it is preferable to form a resist film for cutting by applying or sticking a photosensitive resist to the other side of the mother glass (the side where the circuit is not formed). In this case, it is preferable to use a photosensitive film because it is easy to make the film thickness uniform. Further, compared to forming a resist film for cutting using a liquid resist, entry of the resist into the recess for cutting can be suppressed. Thereby, the part corresponding to the recessed part for a cutting | disconnection can be easily removed among the resist films for a cutting | disconnection.
切断工程では、保護層を除去する前に切断用のレジスト膜を除去することが好ましい。この場合、切断用のレジスト膜を除去するための剥離液による回路損傷を防止し、回路をより確実に保護することができる。 In the cutting step, it is preferable to remove the cutting resist film before removing the protective layer. In this case, it is possible to prevent circuit damage due to the stripping solution for removing the resist film for cutting, and to protect the circuit more reliably.
切断工程では、エッチング剤にマザーガラスの他方面(回路形成されていない面)を晒すことでエッチングを行うことが好ましい。 In the cutting step, it is preferable to perform etching by exposing the other surface of the mother glass (the surface on which no circuit is formed) to the etching agent.
他方面側から視認可能な加飾膜を一方面に形成する加飾膜形成工程を凹部形成工程と切断工程との間に更に備えてもよい。 You may further provide the decoration film formation process which forms the decoration film visible from the other surface side in one surface between a recessed part formation process and a cutting process.
本発明に係るカバーガラス一体型のタッチパネルの製造方法は、上記回路付きカバーガラスの製造方法により、回路付きカバーガラスとしてカバーガラス一体型のタッチパネルを得ることを特徴とする。この製造方法によれば、カバーガラス一体型のタッチパネルの製造において、回路の損傷の発生及びカバーガラスの損傷の発生を共に抑制することができる。 The method for producing a cover glass-integrated touch panel according to the present invention is characterized in that a cover glass-integrated touch panel is obtained as a cover glass with a circuit by the method for producing a cover glass with a circuit. According to this manufacturing method, in the manufacture of the cover glass integrated touch panel, it is possible to suppress both the occurrence of circuit damage and the cover glass damage.
本発明に係る回路付きカバーガラスの製造方法によれば、回路の損傷の発生及びカバーガラスの損傷の発生を共に抑制することができる。 According to the method for manufacturing a cover glass with a circuit according to the present invention, it is possible to suppress both the occurrence of circuit damage and the cover glass damage.
以下、本発明に係る回路付きカバーガラスの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明を省略する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of a method for producing a cover glass with a circuit according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and redundant description is omitted.
まず、本実施形態に係る回路付きカバーガラスの一例として、カバーガラス一体型のタッチパネルの構成について説明する。図1及び図2に示されるように、カバーガラス一体型のタッチパネル1は、カバーガラス2と、カバーガラス2の一方面2a上に形成されたタッチパネル回路3と、タッチパネル回路3を囲むようにカバーガラス2の一方面2a上に形成された加飾膜4と、加飾膜4の一方面4a上に形成された周辺回路5と、を備えている。このタッチパネル1は、例えば、液晶パネル等の表示装置と共に携帯電話やスマートフォン等の携帯端末に搭載され、タッチパネル式ディスプレイを構成するものである。
First, as an example of a cover glass with a circuit according to the present embodiment, a configuration of a cover glass-integrated touch panel will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, the cover glass integrated
カバーガラス2の平面形状に特に制限はないが、ここでは、平面形状が略長方形である例を示す。長辺の長さは例えば50〜500mm、短辺の長さは例えば30〜300mmであることが好ましい。カバーガラス2の厚さは、例えば0.3〜2mmである。カバーガラス2の一方の短辺2d側には、携帯端末等のスピーカやマイク用の孔2eが形成されていてもよい。
Although there is no restriction | limiting in particular in the planar shape of the
カバーガラス2の好ましい材料としては、強化処理が施されたソーダライムガラス等が挙げられる。カバーガラス2の両面2a,2bには、強化処理が施されている。これにより、カバーガラス2の両面2a,2b側の表層2cが強化されている。強化処理としては、例えば、硝酸カリウムの溶融塩にガラスを浸漬して、ガラス結晶中のナトリウムをカリウムに置換し、ガラス結晶の硬度を高めるイオン交換処理等が挙げられる。
A preferable material of the
タッチパネル回路3は、タッチセンサを構成する回路であり、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明な導電性材料を用いて構成される。加飾膜4は、タッチパネル回路3の外縁3aとカバーガラス2の外縁2fとの間の領域で一方面2a上に形成された不透明な膜であり、他方面2b側からカバーガラス2を通して視認可能となっている。加飾膜4は、携帯端末等のデザインに合わせて様々な色に着色可能である。加飾膜4の代表的な色としては、例えば黒色及び白色が挙げられる。加飾膜4の厚さは、例えば1〜100μmである。加飾膜4には、カバーガラス2の孔2eに対応する開口4bが形成されている。加飾膜4の好ましい材料としては、例えば黒色顔料を含むアクリル系樹脂組成物、金属酸化物を含む低融点ガラス等が挙げられる。
The
周辺回路5は、タッチパネル回路3に対する電力の供給や信号の送受信を行うための回路であり、例えば銀、銅、アルミニウム等の金属材料により加飾膜4の一方面4a上に形成されている。周辺回路5は、不透明な加飾膜4上に形成されているため、他方面2b側からは視認されない。
The
このように構成されたタッチパネル1は、他方面2bが露出した状態で携帯端末等に搭載される。タッチパネル1の一方面2a側は、携帯端末等の内部で表示装置に貼付される。携帯端末等のユーザは、タッチパネル1を通して表示装置の表示内容を視認することができる。また、ユーザは、表示装置により表示されている図柄等に触れる感覚でタッチパネル1に触れることができる。ユーザの指がタッチパネル1に接触すると、その接触状態がタッチパネル回路3によって検出される。検出された接触状態に応じて携帯端末等を動作させることで、タッチパネル1へのタッチ操作による携帯端末等の操作が可能となる。
The
続いて、タッチパネル1の製造方法について説明する。まず、図3に示されるように、カバーガラス用のマザーガラス10を準備し、マザーガラス10の両面10a,10bにレジスト膜11a,11bをそれぞれ形成する(レジスト膜形成工程)。マザーガラス10は、複数のカバーガラス2を切り出すことが可能な板状素材である。例えば、マザーガラス10が正方形の矩形状を呈し、一辺の長さが500mm程度であれば、一枚のマザーガラス10から約10〜100枚のカバーガラス2を切り出すことが可能である。
Then, the manufacturing method of the
マザーガラス10の材料は、カバーガラス2の材料として上述したとおりである。マザーガラス10の両面10a,10bには、上述したイオン交換処理等の強化処理が施されている。これにより、マザーガラス10の両面10a,10b側の表層10cが強化されている。イオン交換処理は、例えば、溶融した硝酸カリウムにマザーガラス10を浸漬することで行うことができる。溶融した硝酸カリウムの温度は、例えば400〜500℃程度であり、浸漬時間は例えば1〜10時間である。
The material of the
レジスト膜11a,11bは、レジスト剤からなる薄膜である。レジスト剤は、感光性レジストであることが好ましい。この場合、レジスト膜11a,11bは、液状の感光性レジストを塗布するか、フィルム状の感光性レジスト(以下感光性フィルムという。)を貼付することで形成される。膜厚の均一化を図り易い点で、感光性フィルムを用いることが好ましい。感光性フィルムとしては、(A)バインダーポリマー、(B)光重合性化合物、及び(C)光重合開始剤を含む感光性樹脂組成物から形成されるものが挙げられる。
The resist
(A)バインダーポリマーは、アルカリ現像性の観点からカルボキシル基を有するアクリル樹脂であることが好ましい。密着性と剥離性の観点から、カルボキシル基を有するアクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸及びアルキル基の炭素数が1〜10の(メタ)アクリル酸アルキルに由来する構造単位を含む共重合体であることがより好ましい。(A)バインダーポリマーの重量平均分子量(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定し、標準ポリスチレンを用いた検量線により換算)は、耐現像液性の観点から20,000以上であることが好ましく、現像時間を短くできる観点から300,000以下であることが好ましく、25,000〜150,000であることがより好ましく、30,000〜100,000であることが特に好ましい。上記GPCでの測定は、例えば以下の条件で行われる。
ポンプ:日立 L−6000型(株式会社日立製作所製)
カラム:Gelpack GL−R420 + Gelpack GL−R430 + Gelpack GL−R440(計3本)(以上、日立化成工業株式会社製、商品名)
溶離液:テトラヒドロフラン
測定温度:室温(25℃)
流量:2.05mL/分
検出器:日立 L−3300型RI(株式会社日立製作所製)
(A) The binder polymer is preferably an acrylic resin having a carboxyl group from the viewpoint of alkali developability. From the viewpoint of adhesion and peelability, an acrylic resin having a carboxyl group is a copolymer containing a structural unit derived from (meth) acrylic acid and an alkyl (meth) acrylate having 1 to 10 carbon atoms in the alkyl group. More preferably. (A) The weight average molecular weight of the binder polymer (measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted by a calibration curve using standard polystyrene) is preferably 20,000 or more from the viewpoint of developer resistance. From the viewpoint of shortening the development time, it is preferably 300,000 or less, more preferably 25,000 to 150,000, and particularly preferably 30,000 to 100,000. The measurement by the GPC is performed under the following conditions, for example.
Pump: Hitachi L-6000 (manufactured by Hitachi, Ltd.)
Column: Gelpack GL-R420 + Gelpack GL-R430 + Gelpack GL-R440 (3 in total) (above, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name)
Eluent: Tetrahydrofuran Measurement temperature: Room temperature (25 ° C)
Flow rate: 2.05 mL / min Detector: Hitachi L-3300 type RI (manufactured by Hitachi, Ltd.)
(B)光重合性化合物としては、トリス(2−(メタ)アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ビス(2−(メタ)アクリロキシエチル)ヒドロキシエチルイソシアヌレート、ビスフェノールA系(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノール、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジアクリレート、多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、グリシジル基含有化合物にα、β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物等のウレタンモノマー、ノニルフェニルジオキシレン(メタ)アクリレート、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、β−ヒドロキシエチル−β’−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、β−ヒドロキシプロピル−β’−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、エチレンオキサイド変性ノニルフェニル(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。 (B) As the photopolymerizable compound, tris (2- (meth) acryloxyethyl) isocyanurate, bis (2- (meth) acryloxyethyl) hydroxyethyl isocyanurate, bisphenol A-based (meth) acrylate, tricyclo Decandimethanol, neopentyl glycol-modified trimethylolpropane diacrylate, a compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with α, β-unsaturated carboxylic acid, and a glycidyl group-containing compound reacted with α, β-unsaturated carboxylic acid A compound obtained by the above, a urethane monomer such as a (meth) acrylate compound having a urethane bond, nonylphenyldioxylene (meth) acrylate, γ-chloro-β-hydroxypropyl-β- (meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxyethyl-β′- And (meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxypropyl-β ′-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, (meth) acrylic acid alkyl ester, ethylene oxide-modified nonylphenyl (meth) acrylate, and the like. . These may be used alone or in combination of two or more.
多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物としては、例えば、エチレン基の数が2〜14であるポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2〜14であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンテトラエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンペンタエトキシトリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2〜14であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等が挙げられる。剥離性とエッチング剤耐性の観点からは、ビス(2−(メタ)アクリロキシエチル)ヒドロキシエチルイソシアヌレートのような、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレートを含むことが好ましい。 Examples of the compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid include, for example, polyethylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups. Polypropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane ethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane diethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane Methylolpropane triethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane tetraethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane pentaethoxytri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetri (meth) a Chlorate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 propylene groups, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) An acrylate etc. are mentioned. From the viewpoints of releasability and etchant resistance, it is preferable to include a (meth) acrylate having a hydroxyl group, such as bis (2- (meth) acryloxyethyl) hydroxyethyl isocyanurate.
(C)光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、N,N’−テトラメチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、N,N−テトラエチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド系化合物;2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(m−メトキシフェニル)イミダゾール二量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体;ベンジル、2,2−ジエトキシアセトフェノン、ベンジルジメチルケタール、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モリホリノフェニル)−1−ブタノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノ−1−プロパン等が挙げられる。硬化性と現像性の観点から、2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体が好ましい。
上記(A)成分の含有量は、(A)成分及び上記(B)成分の総量100質量部に対して、40〜80質量部の範囲であることが好ましく、45〜70質量部であることがより好ましい。(B)成分の含有量は、(A)成分及び(B)成分の総量100質量部に対して、20〜60質量部の範囲であることが好ましく、30〜50質量部であることがより好ましい。上記(C)成分の含有量は、(A)成分及び(B)成分の総量100質量部に対して、0.1〜20質量部であることが好ましく、0.2〜10質量部であることがより好ましい。
(C) As a photopolymerization initiator, benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, bis (2,4 , 6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide, etc. Acylphosphine oxide compounds; 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, etc. 2,4,5-triarylimidazole dimer; benzyl, 2,2-dieto Cyacetophenone, benzyldimethyl ketal, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -1-butanone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino- Examples include 1-propane. From the viewpoint of curability and developability, 2,4,5-triarylimidazole dimer is preferred.
The content of the component (A) is preferably in the range of 40 to 80 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B), and is 45 to 70 parts by mass. Is more preferable. The content of the component (B) is preferably in the range of 20 to 60 parts by mass and more preferably 30 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B). preferable. The content of the component (C) is preferably 0.1 to 20 parts by mass, and 0.2 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass as a total of the components (A) and (B). It is more preferable.
また、感光性フィルムは、ガラス基板との密着性をより向上させるために、3−メタクリロキシポリプロピルトリアルコキシシシラン等のシラン化合物を含むことが好ましい。この場合、シラン化合物の含有量は、(A)成分、(B)成分及び(C)成分の総量100質量部に対して、1〜15質量部であることが好ましく、2〜12質量部であることがより好ましく、4〜10質量部であることが更に好ましい。 Moreover, it is preferable that a photosensitive film contains silane compounds, such as 3-methacryloxy polypropyl trialkoxy silane, in order to improve adhesiveness with a glass substrate more. In this case, it is preferable that content of a silane compound is 1-15 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component, (B) component, and (C) component, and is 2-12 mass parts. More preferably, it is 4 to 10 parts by mass.
感光性フィルムは、支持体と、その上に形成された感光性樹脂組成物層とを含む。支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の重合体フィルムを好ましく用いることができる。重合体フィルムの厚みは、1〜100μm程度とすることが好ましい。支持体上への感光性樹脂組成物層の形成方法に特に制限はないが、感光性樹脂組成物の溶液を塗布、乾燥することにより好ましく実施できる。塗布される感光性樹脂組成物層の厚みは、用途により異なるが、乾燥後の厚みで1〜100μm程度であることが好ましい。塗布は、例えば、ロールコータ、コンマコータ、グラビアコータ、エアーナイフコータ、ダイコータ、バーコータ等の公知の装置を用いて行うことができる。乾燥は、70〜150℃、5〜30分間程度で行うことができる。また、感光性樹脂組成物層中の残存有機溶剤量は、後の工程での有機溶剤の拡散を防止する点から、2質量%以下とすることが好ましい。支持体として用いられる上記重合体フィルムを保護フィルムとして用いて、感光性樹脂組成物層表面を被覆してもよい。保護フィルムとしては、感光性樹脂組成物層と支持体の接着力に比べ、小さい接着力で感光性樹脂組成物層に接着されるものが好ましい。さらに、感光性フィルムは、感光性樹脂組成物層、支持体および任意の保護フィルムの他に、クッション層、接着層、光吸収層、ガスバリア層等の中間層や保護層を有していてもよい。 The photosensitive film includes a support and a photosensitive resin composition layer formed thereon. As the support, for example, a polymer film such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, or polyester can be preferably used. The thickness of the polymer film is preferably about 1 to 100 μm. Although there is no restriction | limiting in particular in the formation method of the photosensitive resin composition layer on a support body, It can implement preferably by apply | coating and drying the solution of the photosensitive resin composition. The thickness of the photosensitive resin composition layer to be applied varies depending on the use, but is preferably about 1 to 100 μm after drying. The application can be performed using a known apparatus such as a roll coater, a comma coater, a gravure coater, an air knife coater, a die coater, or a bar coater. Drying can be performed at 70 to 150 ° C. for about 5 to 30 minutes. Further, the amount of the remaining organic solvent in the photosensitive resin composition layer is preferably 2% by mass or less from the viewpoint of preventing diffusion of the organic solvent in the subsequent step. You may coat | cover the photosensitive resin composition layer surface using the said polymer film used as a support body as a protective film. As a protective film, what is adhere | attached on the photosensitive resin composition layer with a small adhesive force compared with the adhesive force of the photosensitive resin composition layer and a support body is preferable. Furthermore, the photosensitive film may have an intermediate layer and a protective layer such as a cushion layer, an adhesive layer, a light absorption layer, and a gas barrier layer in addition to the photosensitive resin composition layer, the support, and any protective film. Good.
レジスト膜11a,11bの厚さは、エッチング剤の浸透を抑制し易い点で、例えば10〜300μmであることが好ましく、30〜250μmであることがより好ましく、40〜200μmであることが特に好ましい。レジスト膜11a,11bは、液状のレジスト剤をマザーガラス10の両面10a,10bに塗布し、乾燥・硬化させることで形成することができる。上記感光性フィルムは、レジスト膜の膜厚が10μm以上である場合に特に適している。感光性フィルムを用いることにより、膜厚が10μm以上である場合にも膜厚の均一化を図り易い。
The thickness of the resist
感光性フィルムを用いたレジスト膜11a,11bは、例えば以下のようにして形成できる。まず、感光性フィルムをマザーガラス10上に積層する。積層方法としては、感光性フィルムの感光性樹脂組成物層上に保護フィルムが存在している場合には、保護フィルムを除去しながらマザーガラス10上へ積層する。積層条件としては、例えば、感光性樹脂組成物層を70〜130℃程度に加熱しながら、0.1〜1MPa程度(1〜10kgf/cm2程度)の圧力を加えて圧着することが挙げられる。減圧下で積層することも可能である。
The resist
感光性樹脂組成物層の積層後、所定パターンの領域に活性光線を照射して、露光部の感光性樹脂組成物層を光硬化させる。所定パターンの領域に活性光線を照射させる方法としては、フォトマスクを通して所定パターンの領域に活性光線を照射し、露光部の感光性樹脂層を光硬化させる方法がある。フォトマスクは、ネガ型でもポジ型でもよく、一般に用いられているものを使用できる。活性光線の光源としては、公知の光源、たとえば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線、可視光などを有効に放射するものが用いられる。また、フォトマスクを用いずに、レーザー直接描画露光を行うこともできる。 After lamination of the photosensitive resin composition layer, the region having a predetermined pattern is irradiated with actinic rays to photocur the photosensitive resin composition layer in the exposed portion. As a method of irradiating a predetermined pattern region with actinic rays, there is a method of irradiating a predetermined pattern region with actinic rays through a photomask and photocuring the photosensitive resin layer of the exposed portion. The photomask may be a negative type or a positive type, and a commonly used one can be used. As the light source of actinic light, a known light source, for example, a light source that effectively emits ultraviolet light, visible light, or the like, such as a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, a high-pressure mercury lamp, or a xenon lamp is used. Further, laser direct drawing exposure can be performed without using a photomask.
露光後に未露光部の感光性樹脂組成物層を現像により選択的に除去することにより、マザーガラス10上にレジスト膜11a,11bが形成される。なお現像工程は、支持体が存在する場合は、現像に先立ち、支持体を除去する。現像は、アルカリ性水溶液、水系現像液、有機溶剤等の現像液によるウエット現像、ドライ現像等で未露光部を除去することにより行われる。本発明においては、アルカリ性水溶液を用いることが好ましい。アルカリ性水溶液としては、例えば、0.1〜5質量%炭酸ナトリウムの希薄溶液、0.1〜5質量%炭酸カリウムの希薄溶液、0.1〜5質量%水酸化ナトリウムの希薄溶液等が挙げられる。このアルカリ性水溶液のpHは9〜11の範囲であることが好ましく、その温度は、感光性樹脂組成物層の現像性に合わせて調節される。また、アルカリ性水溶液中には、表面活性剤、消泡剤、有機溶剤等を混入させてもよい。上記現像の方式としては、たとえば、ディップ方式、スプレー方式、ブラッシング、スラッピング等が挙げられる。必要に応じて60〜250℃程度の加熱処理により、レジスト膜11a、11bをさらに硬化するようにしてもよい。次に、図4及び図5に示されるように、レジスト膜11a,11bを部分的に除去し、切断用パターン12と孔加工用パターン13とマーカ用パターン14とを共に形成する(パターン形成工程)。切断用パターン12は、マザーガラス10を複数のカバーガラス部20Aに区画する区画線PLに沿ってマザーガラス10の両面10a,10bを露出させる開口部である。区画線PLは、マザーガラス10を本体部20と本体部20を囲む額部21とに区画する外縁部PL1と、本体部20を複数のカバーガラス部20Aに区画する分割部PL2とを有している。各カバーガラス部20Aは、マザーガラス10の切断後にカバーガラス2となる。
Resist
孔加工用パターン13は、各カバーガラス部20Aにおいてマザーガラス10の両面10a,10bを部分的に露出させる開口部である。各孔加工用パターン13は、上述したカバーガラス2の孔2eに対応する位置に形成されている。マーカ用パターン14は、マザーガラス10の額部21の四隅において、マザーガラス10の両面10a,10bを部分的に露出させる開口部である。各マーカ用パターン14は、平面視で十字形状を呈している。各マーカ用パターン14は、一方面10a及び他方面10bの一方側のみに形成されていてもよい。つまり、各マーカ用パターン14は、マザーガラス10の一方面10a及び他方面10bの一方のみを部分的に露出させる開口部であってもよい。
The
レジスト膜11a,11bを部分的に除去し、切断用パターン12、孔加工用パターン13、及びマーカ用パターン14を形成する代表的な手法としては、例えばフォトリソグラフィーが挙げられる。
As a typical method for partially removing the resist
次に、図6に示されるように、切断用パターン12に対応する切断用凹部10dをエッチングによりマザーガラス10の両面10a,10bに形成する(凹部形成工程)。また、これと共に、孔加工用パターン13に対応する孔加工用凹部10e及びマーカ用パターン14に対応するマーカ用凹部10f(図8参照)をエッチングによりマザーガラス10の両面10a,10bに形成する。
Next, as shown in FIG. 6, a
切断用凹部10d、孔加工用凹部10e及びマーカ用凹部10fの深さは、強化処理された層の厚さ以上であることが好ましい。切断用凹部10d、孔加工用凹部10e及びマーカ用凹部10fを形成するためのエッチングとしては、例えば、被加工物を液状のエッチング剤に晒すウェットエッチングや、被加工物を反応性の気体、イオン、ラジカル等に晒すドライエッチング等が挙げられる。また、砥粒を含有する気流に被加工物を晒すサンドブラスト等(以下、砥粒によるエッチングという。)もエッチングに含まれるものとする。これらの中で、効率よくエッチングできる観点から、ウェットエッチングが好ましい。
The depths of the
ウェットエッチング用の好ましいエッチング剤としては、例えばフッ酸10〜20質量%及び塩酸又は硫酸5〜20質量%を含む水溶液等が挙げられる。また、エッチング剤を被加工物に噴霧することが好ましい。 Preferable etching agents for wet etching include, for example, an aqueous solution containing 10 to 20% by mass of hydrofluoric acid and 5 to 20% by mass of hydrochloric acid or sulfuric acid. Moreover, it is preferable to spray an etching agent on a workpiece.
凹部形成工程では、切断用パターン12、孔加工用パターン13及びマーカ用パターン14において、マザーガラス10の両面10a,10bをエッチング剤等に晒すことで、切断用凹部10d、孔加工用凹部10e及びマーカ用凹部10fが同時進行で形成される。これにより、製造効率を向上させることができる。
In the recess forming step, in the
次に、図7及び図8に示すように、レジスト膜11a,11bを除去する。レジスト膜11a,11bは、例えば剥離液により除去することができる。剥離液としては、例えば水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等を溶媒に溶かした強アルカリ液が挙げられる。マザーガラス10の両面10a,10bのレジスト膜11a,11bを除去するため、マザーガラス10全体を剥離液に晒し、レジスト膜11a,11bを効率よく除去することができる。
Next, as shown in FIGS. 7 and 8, the resist
次に、図9及び図10に示されるように、各カバーガラス部20Aの一方面10a上に、タッチパネル回路3、加飾膜4及び周辺回路5をそれぞれ形成する(回路形成工程、加飾膜形成工程)。タッチパネル回路3、加飾膜4及び周辺回路5のそれぞれの形成工程に用いられる代表的な手法としては、フォトリソグラフィーが挙げられる。タッチパネル回路3、加飾膜4及び周辺回路5のそれぞれの形成工程では、マーカ用凹部10fを位置決めの基準として用いる。カバーガラス部20A同士を区画する切断用凹部10dと共に形成されたマーカ用凹部10fを位置決めの基準として用いることで、タッチパネル回路3、加飾膜4及び周辺回路5のそれぞれの位置を各カバーガラス部20Aの位置に高精度に合わせることができる。また、タッチパネル回路3、加飾膜4及び周辺回路5の位置決めに共通のマーカ用凹部10fを用いることで、タッチパネル回路3、加飾膜4及び周辺回路5の位置を互いに高精度に合わせることができる。
Next, as shown in FIGS. 9 and 10, the
次に、図11に示されるように、マザーガラス10の他方面10bに切断用のレジスト膜15を形成し、レジスト膜15のうち切断用凹部10d及び孔加工用凹部10eに対応する部分を除去する。レジスト膜15には、レジスト膜11a,11bと同様のレジスト剤を用いることができる。レジスト膜15の厚さは、例えば10〜300μmであることが好ましく、30〜250μmであることがより好ましく、40〜200μmであることが特に好ましい。レジスト膜15は、レジスト膜11a,11bを形成する手法と同様の手法により形成することができる。予めフィルム状に成形されたレジスト剤を貼付することでレジスト膜15を形成する場合には、膜厚が均一なレジスト膜15を効率よく形成することができる。また、液状のレジスト剤を他方面10bに塗布してレジスト膜15を形成するのに比べ、切断用凹部10d内へのレジスト剤の侵入を抑制することができる。これにより、レジスト膜15のうち切断用凹部10d等に対応する部分を容易に除去することができる。レジスト膜15の部分的な除去を行う代表的な手法としては、フォトリソグラフィーが挙げられる。
Next, as shown in FIG. 11, a resist
次に、図12に示されるように、マザーガラス10の一方面10aに保護層16を形成する。保護層16は、例えばフィルム支持体16aと粘着剤16bからなり、粘着剤16bを介してフィルム支持体16aををマザーガラス10の一方面10aに貼付することで形成することができる。また、フィルム支持体16aと粘着剤16bが一体となったシート状の保護材を貼付することが好ましい。フィルム支持体16aは、エッチング剤やレジスト膜15の剥離液に対して耐性を有する材料からなることが好ましい。このような材料としては、例えば、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム等が挙げられる。これらの中でも、より好ましい材料として、ポリプロピレンフィルムが挙げられる。これらのフィルムを単独で用いてもよく、2種以上を積層して用いてもよい。また、粘着剤16bも、エッチング剤やレジスト膜15の剥離液に対して耐性を有する材料からなることが好ましい。このような材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ゴム系樹脂等が挙げられる。より好ましい粘着剤としてアクリル系粘着剤が挙げられる。これらの材料を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。保護層16の厚さは、例えば10〜200μmであることが好ましく、15〜100μmであることがより好ましい。
Next, as shown in FIG. 12, a
また、保護層16はエッチング処理、レジスト剥離処理後に、ガラスや回路面から容易に剥がれることが好ましい。良好な剥離性が得られる粘着剤16bとして、加熱処理で接着力が低下するタイプ、露光処理により接着力が低下するタイプが挙げられる。これらの中でも、露光処理により接着力が低下するタイプが好ましい。
Moreover, it is preferable that the
次に、他方面10b側からエッチングを行い、図13に示すように、切断用凹部10dに沿ってマザーガラス10を切断し、額部21と複数のカバーガラス部20Aとに分割する(切断工程)。また、これと共に、各孔加工用凹部10eの範囲内に孔2eを形成する。このエッチングには、上述したウェットエッチング、ドライエッチング及び砥粒によるエッチングを用いることができる。切断工程では、他方面10b側の切断用凹部10d及び孔加工用凹部10eをエッチング剤等に晒すことで、マザーガラス10の切断と、孔2eの加工とを同時進行で実施される。これにより。製造効率を更に向上させることができる。
Next, etching is performed from the
次に、図14に示すように、額部21及び複数のカバーガラス部20Aからレジスト膜15を除去する。レジスト膜15は、レジスト膜11a,11bと同様に、剥離液にレジスト剤を溶解させることにより除去することができる。次に、図15及び図16に示すように、複数のカバーガラス部20Aから額部21及び保護層16を除去する。この際、保護層16の粘着剤に熱又は紫外線等のエネルギー線を照射して粘着剤の硬化を促進し、保護層16と各カバーガラス部20Aとの剥離性を向上させてもよい。保護層16を除去する前に切断用のレジスト膜15を除去することにより、レジスト膜15を除去するための剥離液がタッチパネル回路3、加飾膜4、周辺回路5等に付着することを保護層16によって防止し、タッチパネル回路3、加飾膜4、周辺回路5等をより確実に保護することができる。
Next, as shown in FIG. 14, the resist
保護層16から離れて個片化した各カバーガラス部20Aは、タッチパネル1のカバーガラス2となる。最後に、各カバーガラス2の外縁2fを研磨し、切断面を平滑化する。以上により、複数のタッチパネル1が完成する。
Each
以上説明したタッチパネル1の製造方法によれば、回路形成工程の前に、レジスト膜形成工程、パターン形成工程、及び凹部形成工程が行われる。回路形成工程の前では、マザーガラス10の両面10a,10bにタッチパネル回路3、加飾膜4、周辺回路5等(回路等)が形成されていないことから、回路等の損傷を生じることなくエッチングを行うことができる。また、刃物を用いないエッチングを行うことにより、マザーガラス10の両面10a,10bに生じる応力が抑制されるため、マザーガラス10の各カバーガラス部20Aの損傷を生じることなく切断用凹部10dを形成することができる。凹部形成工程により切断用凹部10dが形成された時点では、マザーガラス10の一体性は保たれているため、回路形成工程では、各カバーガラス部20Aの回路等を効率よく同時進行で形成することができる。切断工程では、切断用凹部10dに沿ってマザーガラス10が切断される。切断用凹部10dが形成された部分では、マザーガラス10のうち強化処理によって硬く且つ脆くなった表層10cが除去されている。このため、切断用凹部10dに沿ってマザーガラス10を切断することで、各カバーガラス部20Aの硬く且つ脆い表層10cに負荷をかけることなくマザーガラス10を切断することができる。従って、回路等の損傷の発生及びカバーガラス2の損傷の発生を共に抑制することができる。
According to the manufacturing method of the
切断工程では、マザーガラス10の一方面10a上に保護層16を形成し、他方面10b上に切断用のレジスト膜15を形成し、切断用のレジスト膜15のうち切断用凹部10dに対応する部分を除去し、他方面10b側からのエッチングによって切断用凹部10dに沿ってマザーガラス10を切断している。切断工程において、刃物を用いないエッチングを行うことにより、マザーガラス10に生じる応力が抑制されるため、マザーガラス10の各カバーガラス部20Aの損傷の発生を更に抑制することができる。
In the cutting process, the
また、マザーガラス10の一方面10a上には保護層16が形成され、エッチングが他方面10b側から行われるため、一方面10a側の回路等は浸食され難い。切断用凹部10dに対応する部分を除去する処理を保護層16に施す必要がないため、マザーガラス10の一方面10a全体が保護層16によってしっかりと保護される。更に、切断用凹部10dの形成により切断対象部分の厚さが小さくなっているため、マザーガラス10は短時間のエッチングで切断される。これらのことから、回路形成工程後の切断工程においてエッチングを行ったとしても、回路等の損傷の発生を抑制することができる。
Further, since the
また、切断用凹部10dに対応する部分を除去する処理を保護層16に施す必要がないことは、製造効率の向上にも寄与する。更に、保護層16にフォトリソグラフィーを施す必要がないことから、保護層16の材料選択の自由度が高まり、エッチング剤や剥離液に対する耐性や、各カバーガラス部20Aからの剥離性等を考慮して最適な材料を選択し、製造効率を向上させることができる。
Further, the fact that the
上述したように、パターン形成工程、回路形成工程及び加飾膜形成工程をフォトリソグラフィーにより実施することができる。このため、これらの工程同士で装置等の共通化を図ることができる。 As described above, the pattern forming step, the circuit forming step, and the decorative film forming step can be performed by photolithography. For this reason, it is possible to share the apparatus and the like between these processes.
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、切断工程では、ダイヤモンドカッター等の刃物を用いた手法により、マザーガラス10の切断及び孔2eの加工を行ってもよい。この場合も、切断用凹部10dに沿ってマザーガラス10を切断することで、各カバーガラス部20Aの硬く且つ脆い表層10cに負荷をかけることなくマザーガラス10を切断することができる。
As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various change is possible in the range which does not change the summary. For example, in the cutting step, the
回路形成工程において、一方面10aのレジスト膜11aのみを除去し、切断工程では、他方面10bに残っているレジスト膜11bを切断用のレジスト膜15として利用してもよい。この場合、レジスト膜形成工程で形成されたレジスト膜11bを切断用のレジスト膜15として有効活用することにより、製造効率を向上させることができる。
In the circuit forming process, only the resist
加飾膜形成工程をなくし、加飾膜4を有しないタッチパネルを形成してもよい。
A touch panel that does not have the
1…タッチパネル、2…カバーガラス、2a…一方面、2b…他方面、3…タッチパネル回路(回路)、4…加飾膜、5…周辺回路(回路)、10…マザーガラス、10a…一方面、10b…他方面、10d…切断用凹部、10e…孔加工用凹部、10f…マーカ用凹部、11a,11b…レジスト膜、12…切断用パターン、13…孔加工用パターン、14…マーカ用パターン、15…切断用のレジスト膜、16…保護層、20A…カバーガラス部、PL…区画線。
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記各レジスト膜を部分的に除去することで、前記マザーガラスを複数のカバーガラス部に区画する区画線に沿って前記マザーガラスの前記両面を部分的に露出させる切断用パターンを形成するパターン形成工程と、
前記パターン形成工程の後に、エッチングにより、前記切断用パターンに対応する切断用凹部を前記マザーガラスの前記両面に形成する凹部形成工程と、
前記凹部形成工程の後に、前記マザーガラスの少なくとも一方面の前記レジスト膜を除去し、前記各カバーガラス部の前記一方面上に回路を形成する回路形成工程と、
前記切断用凹部に沿って前記マザーガラスを切断することで、複数の回路付きカバーガラスを得る切断工程と、を備えることを特徴とする回路付きカバーガラスの製造方法。 A resist film forming step of forming a resist film on both sides of the plate-like mother glass subjected to a tempering treatment on both sides;
Pattern formation that forms a cutting pattern that partially exposes the both surfaces of the mother glass along a partition line that partitions the mother glass into a plurality of cover glass portions by partially removing the resist films Process,
After the pattern formation step, a recess formation step for forming a recess for cutting corresponding to the cutting pattern on the both surfaces of the mother glass by etching,
After the recess forming step, removing the resist film on at least one surface of the mother glass, and forming a circuit on the one surface of each cover glass portion; and
Cutting the mother glass along the recess for cutting to obtain a plurality of cover glasses with circuit, and a method for producing a cover glass with circuit.
前記切断工程では、前記マザーガラスの前記一方面上に保護層を形成し、他方面上に切断用のレジスト膜を形成し、前記切断用のレジスト膜のうち前記切断用凹部に対応する部分を除去し、前記他方面側からのエッチングによって前記切断用凹部に沿って前記マザーガラスを切断し、前記切断用のレジスト膜及び前記保護層を除去することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の回路付きカバーガラスの製造方法。 In the circuit formation step, the resist film on both sides of the mother glass is removed,
In the cutting step, a protective layer is formed on the one surface of the mother glass, a resist film for cutting is formed on the other surface, and a portion of the resist film for cutting corresponding to the cutting recess is formed. The said resist glass for cutting and the said protective layer are removed by removing and cutting | disconnecting the said mother glass along the said recessed part for a cutting | disconnection by the etching from the said other surface side. A method for producing a cover glass with a circuit according to claim 1.
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