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JP2014199834A - Holding means and processing method - Google Patents

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JP2014199834A
JP2014199834A JP2013073672A JP2013073672A JP2014199834A JP 2014199834 A JP2014199834 A JP 2014199834A JP 2013073672 A JP2013073672 A JP 2013073672A JP 2013073672 A JP2013073672 A JP 2013073672A JP 2014199834 A JP2014199834 A JP 2014199834A
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JP
Japan
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holding
workpiece
suction
holding means
wafer
Prior art date
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JP2013073672A
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Japanese (ja)
Inventor
友子 市野澤
Tomoko Ichinozawa
友子 市野澤
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Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide holding means capable of performing the handling of a work-piece inexpensively and having no fear that paste and an adhesive remain on the surface of the work-piece.SOLUTION: Holding means has a holding surface which holds a work-piece having a central region and an outer peripheral excess region surrounding the central region. The holding surface corresponding to the central region of at least the work-piece is formed by a flexible member. The holding means includes: a plurality of suction holes which open to the holding surface corresponding to the outer peripheral excess region of the work-piece; and a suction path having one end communicated with the suction hole and the other end selectively connected to a suction source.

Description

本発明は、被加工物を保持する保持面を有する保持手段及び該保持手段に保持された被加工物の加工方法に関する。   The present invention relates to a holding unit having a holding surface for holding a workpiece and a method for processing the workpiece held by the holding unit.

半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物は保持手段で表面側が保持された状態で裏面が研削されたり、裏面からレーザービームが照射されて被加工物内部に改質層が形成された後、外力が付与されることで改質層に沿って個々のチップに分割される。   Workpieces such as semiconductor wafers and optical device wafers are ground on the backside with the holding means held by the holding means, or a laser beam is irradiated from the backside to form a modified layer inside the workpiece, By applying an external force, the chip is divided into individual chips along the modified layer.

保持手段としては、例えば特開2007−229889号公報に開示されるような被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルが広く利用されており、被加工物の表面側が吸引されて保持テーブルに吸引保持される。   As the holding means, a holding table having a holding surface for holding a workpiece as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-229889 is widely used, and the surface side of the workpiece is sucked into the holding table. Suction hold.

被加工物の表面が直に保持面に接触すると被加工物表面に傷が付いたり異物が付着する恐れがあるので、これを防止するために被加工物の表面には予め保護テープや保護部材が配設される。   If the surface of the workpiece is in direct contact with the holding surface, the workpiece surface may be scratched or foreign matter may adhere to it. To prevent this, a protective tape or protective member is applied to the surface of the workpiece in advance. Is disposed.

保護テープは、基材と基材上に配設された糊層とからなり、糊層により保護テープが被加工物表面に貼着される。保護部材としては、例えばシリコンやガラスからなるハードプレートが広く利用されており、接着剤を介して被加工物表面に配設される。一般に保護テープは被加工物毎に使い捨てされ、保護部材は繰り返して使用されることが多い。   A protective tape consists of a base material and the paste layer arrange | positioned on a base material, and a protective tape is stuck by the surface of a workpiece by a paste layer. As the protective member, for example, a hard plate made of silicon or glass is widely used, and is disposed on the surface of the workpiece through an adhesive. Generally, the protective tape is disposable for each workpiece, and the protective member is often used repeatedly.

特開2007−229889号公報JP 2007-229889 A

しかし、被加工物毎に保護テープを使い捨てるのでは、保護テープのコストがかさみ経済的ではないという問題がある。繰り返し使用する保護部材においても、接着剤は被加工物毎に使い捨てされるため、経済的ではない。   However, since the protective tape is disposable for each workpiece, there is a problem that the cost of the protective tape is high and it is not economical. Even in the protective member that is used repeatedly, the adhesive is not economical because it is disposable for each workpiece.

更に、保護テープや保護部材を被加工物表面から除去する際に、保護テープの糊や保護部材の接着剤を完全に除去することは難しい。特に、被加工物が半導体デバイスや光デバイスが形成されたデバイスウエーハの場合には、デバイスの微小凹凸中に糊や接着剤が残存してしまい、後にデバイス不良等を引き起こす恐れがある。   Furthermore, when removing the protective tape and the protective member from the surface of the workpiece, it is difficult to completely remove the adhesive of the protective tape and the adhesive of the protective member. In particular, in the case where the workpiece is a device wafer on which a semiconductor device or an optical device is formed, glue or adhesive remains in the minute unevenness of the device, which may cause a device defect or the like later.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、より安価に被加工物をハンドリング可能とするとともに糊や接着剤が被加工物表面に残存する恐れのない保持手段を提供することである。   The present invention has been made in view of these points, and the object of the present invention is to allow the workpiece to be handled at a lower cost and to prevent the glue or adhesive from remaining on the workpiece surface. It is to provide a holding means.

請求項1記載の発明によると、中央領域と該中央領域を囲繞する外周余剰領域とを有する被加工物を保持する保持面を有する保持手段であって、少なくとも被加工物の該中央領域に対応する該保持面は柔軟部材で形成され、被加工物の該外周余剰領域に対応する該保持面に開口する複数の吸引孔と、一端が該吸引孔に連通するとともに他端が吸引源に選択的に接続される吸引路と、を備えたことを特徴とする保持手段が提供される。   According to the first aspect of the present invention, the holding means has a holding surface for holding a workpiece having a central region and an outer peripheral surplus region surrounding the central region, and at least corresponds to the central region of the workpiece. The holding surface is formed of a flexible member, and a plurality of suction holes opened on the holding surface corresponding to the outer peripheral surplus area of the workpiece, one end communicating with the suction hole and the other end selected as a suction source And a suction path connected to each other.

好ましくは、保持手段は、前記柔軟部材からなる前記保持面に開口するとともに該吸引源に選択的に接続される複数の中央吸引孔を更に備えている。   Preferably, the holding means further includes a plurality of central suction holes that open to the holding surface made of the flexible member and are selectively connected to the suction source.

請求項3記載の発明によると、請求項1又は請求項2記載の保持手段に保持された被加工物に加工を施す加工方法であって、被加工物の一面側を該保持手段の該保持面上に直に載置する載置ステップと、前記吸引源を作動させて被加工物の前記外周余剰領域を前記吸引孔で吸引保持するとともに、被加工物の前記中央領域を前記柔軟部材で支持して被加工物の該一面と反対側の他面を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、被加工物の該他面側から被加工物に加工を施す加工ステップと、を備えたことを特徴とする加工方法が提供される。   According to invention of Claim 3, it is a processing method which processes to the workpiece hold | maintained at the holding means of Claim 1 or Claim 2, Comprising: One surface side of a workpiece is this holding of this holding means A placement step for placing the workpiece directly on a surface; and operating the suction source to suck and hold the outer peripheral surplus region of the workpiece by the suction hole, and the flexible region for the central region of the workpiece. A holding step for supporting and exposing the other surface opposite to the one surface of the workpiece; a processing step for performing processing on the workpiece from the other surface side of the workpiece after performing the holding step; A processing method characterized by comprising:

本発明の保持手段によると、保護テープや保護部材を使用した従来の方法に比べて、より安価に被加工物をハンドリング可能とするとともに糊や接着剤が被加工物表面に残存する恐れを防止できる。   According to the holding means of the present invention, it is possible to handle the workpiece at a lower cost and prevent the possibility of glue or adhesive remaining on the surface of the workpiece as compared with the conventional method using a protective tape or a protective member. it can.

即ち、本発明の保持手段は、保持面の被加工物の中央領域に対応した領域が柔軟部材から構成されるとともに、中央領域を囲繞する外周余剰領域を吸引する複数の吸引孔を有する。従って、保護テープや保護部材を介することなく、被加工物を直接保持面に当接させても被加工物の中央領域には傷が付いたり異物が付着することがない。被加工物は直に保持面に当接した状態で、被加工物の外周余剰領域が吸引孔を介して吸引されて保持手段に吸引保持される。   That is, the holding means of the present invention has a plurality of suction holes for sucking the outer peripheral surplus region surrounding the central region, while the region corresponding to the central region of the workpiece on the holding surface is made of a flexible member. Therefore, even if the workpiece is directly brought into contact with the holding surface without using a protective tape or a protective member, the central region of the workpiece is not scratched or foreign matter adheres. With the workpiece directly in contact with the holding surface, the outer peripheral surplus area of the workpiece is sucked through the suction hole and sucked and held by the holding means.

本発明第1実施形態の保持テーブルの斜視図である。It is a perspective view of the holding table of a 1st embodiment of the present invention. 半導体ウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of a semiconductor wafer. 載置ステップを示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows a mounting step. 保持ステップを示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows a holding step. レーザービーム照射ユニットのブロック図である。It is a block diagram of a laser beam irradiation unit. 改質層形成ステップを示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows a modified layer formation step. 裏面研削ステップを示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows a back surface grinding step. 図8(A)は第2実施形態の保持テーブルの斜視図、図8(B)はその縦断面図である。FIG. 8A is a perspective view of the holding table of the second embodiment, and FIG. 8B is a longitudinal sectional view thereof.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明第1実施形態の保持テーブル(保持手段)10の斜視図が示されている。保持テーブル10は、SUS等の金属から形成された枠体12と、枠体12に囲繞された保持面14aを有する保持14部とから構成される。枠体12の上面12aは保持面として作用し、保持部14の保持面14aと枠体12の保持面12aとは面一に形成されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a perspective view of a holding table (holding means) 10 according to the first embodiment of the present invention is shown. The holding table 10 includes a frame body 12 made of a metal such as SUS, and a holding section 14 having a holding surface 14 a surrounded by the frame body 12. The upper surface 12a of the frame 12 acts as a holding surface, and the holding surface 14a of the holding unit 14 and the holding surface 12a of the frame 12 are formed flush with each other.

保持部14は柔軟部材から形成されており、平坦性を有し、被加工物に対してタック力を有するものが好ましい。例えば、KERATHERM(KERAFOL Keramische Folien GmbHの登録商標)を用いることができる。   The holding part 14 is formed of a flexible member, and is preferably flat and has a tack force on the workpiece. For example, KERATHERM (registered trademark of KERAFOL Keramische Folien GmbH) can be used.

枠体12の上面(保持面)12aには周方向に所定間隔離間した複数の吸引孔16が開口している。図3に示すように、各吸引孔16は保持テーブル10の枠体12に形成された吸引路18及び電磁切替弁20を介して吸引源22に接続されている。枠体12の上面12aに複数の吸引孔16を形成する代わりに、環状吸引溝を形成するようにしてもよい。   A plurality of suction holes 16 that are spaced apart by a predetermined distance in the circumferential direction are opened on the upper surface (holding surface) 12 a of the frame 12. As shown in FIG. 3, each suction hole 16 is connected to a suction source 22 via a suction path 18 formed in the frame 12 of the holding table 10 and an electromagnetic switching valve 20. Instead of forming the plurality of suction holes 16 on the upper surface 12a of the frame body 12, an annular suction groove may be formed.

図2を参照すると、被加工物の一例としての半導体ウエーハ11の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。   Referring to FIG. 2, a front side perspective view of a semiconductor wafer 11 as an example of a workpiece is shown. The semiconductor wafer 11 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of division lines (streets) 13 are formed in a lattice shape on the surface 11 a and are partitioned by the plurality of division lines 13. Devices 15 such as IC and LSI are formed in each region.

このように構成された半導体ウエーハ(以下、単にウエーハと略称することがある)11は、デバイス15が形成されているデバイス領域(中央領域)17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面の平坦部に備えている。ウエーハ11の外周部には円弧状の面取り部11eが形成されている。21はシリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチである。   The thus configured semiconductor wafer (hereinafter sometimes simply referred to as a wafer) 11 includes a device region (center region) 17 in which the device 15 is formed, and an outer peripheral surplus region 19 surrounding the device region 17. It is provided on the flat part of the surface. An arc-shaped chamfered portion 11 e is formed on the outer peripheral portion of the wafer 11. Reference numeral 21 denotes a notch as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.

以下、このように構成された保持テーブル10を使用した加工方法について説明する。まず、図3に示すように、ウエーハ11の表面11aを保持テーブル10上に直接載置する載置ステップを実施する。   Hereinafter, a processing method using the holding table 10 configured as described above will be described. First, as shown in FIG. 3, a mounting step for mounting the surface 11 a of the wafer 11 directly on the holding table 10 is performed.

この載置ステップでは、ウエーハ11の表面11aに形成されたデバイス領域(中央領域)17が保持部14の保持面14aに当接するが、保持部14が柔軟部材から形成されているため、デバイス領域17に異物が付着したり傷がつくことがない。   In this placement step, the device region (center region) 17 formed on the surface 11a of the wafer 11 abuts on the holding surface 14a of the holding unit 14, but the holding unit 14 is formed of a flexible member. No foreign matter adheres to or scratches 17.

次いで、電磁切替弁20を連通位置に切り替えて、枠体12の上面(保持面)12aに開口した複数の吸引孔16を吸引路18を介して吸引源22に接続し、吸引孔16に負圧を作用させてウエーハ11の外周余剰領域19を保持テーブル10で吸引保持する。このとき、ウエーハ11のデバイス領域17は吸引されずに保持部14の保持面14aに当接した状態となる。   Next, the electromagnetic switching valve 20 is switched to the communication position, and a plurality of suction holes 16 opened on the upper surface (holding surface) 12 a of the frame 12 are connected to the suction source 22 via the suction path 18, and the suction holes 16 are negatively connected. Pressure is applied and the outer peripheral surplus area 19 of the wafer 11 is sucked and held by the holding table 10. At this time, the device region 17 of the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 14a of the holding unit 14 without being sucked.

第1実施形態の加工方法では、保持テーブル10に保持されたウエーハ11にレーザービームを照射して、ウエーハ11内部に改質層を形成する改質層形成ステップを実施する。   In the processing method of the first embodiment, a modified layer forming step of forming a modified layer inside the wafer 11 by irradiating the wafer 11 held on the holding table 10 with a laser beam is performed.

この改質層形成ステップは、図5のブロック図に示すようなレーザービーム照射ユニット24を用いて実施する。レーザービーム照射ユニット24は、レーザービーム発生ユニット26と、集光器(レーザーヘッド)28とから構成される。   This modified layer forming step is performed using a laser beam irradiation unit 24 as shown in the block diagram of FIG. The laser beam irradiation unit 24 includes a laser beam generation unit 26 and a condenser (laser head) 28.

レーザービーム発生ユニット26は、YAGレーザー又はYVO4レーザーを発振するレーザー発振器30と、繰り返し周波数設定手段32と、パルス幅調整手段34と、パワー調整手段36とを含んでいる。レーザー発振器30はウエーハ11に対して透過性を有する波長1064nmのレーザーを発振する。   The laser beam generation unit 26 includes a laser oscillator 30 that oscillates a YAG laser or a YVO4 laser, a repetition frequency setting unit 32, a pulse width adjustment unit 34, and a power adjustment unit 36. The laser oscillator 30 oscillates a laser having a wavelength of 1064 nm that is transparent to the wafer 11.

レーザービーム発生ユニット26のパワー調整手段36により所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、集光器28のミラー38で反射され、更に集光用対物レンズ40によって集光されて保持テーブル10に保持されているウエーハ11に照射される。   The pulsed laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 36 of the laser beam generating unit 26 is reflected by the mirror 38 of the condenser 28 and further condensed by the condenser objective lens 40 and held on the holding table 10. The irradiated wafer 11 is irradiated.

より詳細には、図6に示すように、パルスレーザービームは集光器28によりウエーハ11内部の集光点Pに集光するように分割予定ライン13に沿って照射され、保持テーブル10を矢印X1方向に加工送りすることにより、ウエーハ11内部に改質層23が形成される。   More specifically, as shown in FIG. 6, the pulsed laser beam is irradiated along the planned dividing line 13 so as to be focused on the focusing point P inside the wafer 11 by the condenser 28, and the holding table 10 is moved to the arrow. By processing and feeding in the X1 direction, the modified layer 23 is formed inside the wafer 11.

保持テーブル10をインデックス送りしながら、第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿ってウエーハ11の内部に同様な改質層23を形成する。次いで、保持テーブル10を90度回転してから、第1の方向と直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿ってウエーハ11内部に同様な改質層23を形成する。   A similar modified layer 23 is formed inside the wafer 11 along all the planned division lines 13 extending in the first direction while indexing the holding table 10. Next, after the holding table 10 is rotated by 90 degrees, the same modified layer 23 is formed inside the wafer 11 along all the planned dividing lines 13 extending in the second direction orthogonal to the first direction.

本実施形態の加工方法では、ウエーハ11内部に改質層23が形成されるレーザー加工であるため、ウエーハ11のデバイス領域17が吸引保持されずに外周余剰領域19のみが吸引保持される比較的弱い吸引保持であっても、十分実用に耐えることができる。   In the processing method according to the present embodiment, since the modified layer 23 is formed inside the wafer 11, the device region 17 of the wafer 11 is not sucked and held, and only the outer peripheral region 19 is sucked and held relatively. Even weak suction holding can sufficiently withstand practical use.

次に、図7を参照して、第2実施形態の加工方法について説明する。この実施形態ではウエーハ11の裏面11bを研削する研削ステップを実施する。図7において研削ユニット(研削手段)42は、回転駆動されるスピンドル44と、スピンドル44の先端に固定されたホイールマウント46と、ホイールマウント46に図示しないボルトにより着脱可能に装着された研削ホイール48とを含んでいる。研削ホイール48は、環状基台50と、環状基台50の下端部に固着された複数の研削砥石52とから構成される。   Next, with reference to FIG. 7, the processing method of 2nd Embodiment is demonstrated. In this embodiment, a grinding step for grinding the back surface 11b of the wafer 11 is performed. In FIG. 7, a grinding unit (grinding means) 42 includes a spindle 44 that is rotationally driven, a wheel mount 46 that is fixed to the tip of the spindle 44, and a grinding wheel 48 that is detachably attached to the wheel mount 46 by bolts (not shown). Including. The grinding wheel 48 includes an annular base 50 and a plurality of grinding wheels 52 fixed to the lower end portion of the annular base 50.

裏面研削ステップでは、保持テーブル10を例えば300rpmで矢印a方向に回転させるとともに、研削ホイール48を矢印b方向に例えば6000rpmで回転させながら、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石52をウエーハ11の裏面11bに接触させる。   In the back grinding step, the holding table 10 is rotated in the direction of arrow a at 300 rpm, for example, and the grinding wheel 52 is rotated by rotating the grinding wheel 48 in the direction of arrow b at 6000 rpm, for example. 11 is brought into contact with the back surface 11b.

研削ホイール48を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハ11の裏面11bの研削を実施する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージによってウエーハ11の厚みを測定しながらウエーハ11を所望の厚みに研削する。   The grinding wheel 48 is ground by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed, and the back surface 11b of the wafer 11 is ground. The wafer 11 is ground to a desired thickness while measuring the thickness of the wafer 11 with a contact or non-contact thickness gauge.

保持部14はウエーハ11に対してタック力を有する柔軟部材から形成されているため、ウエーハ11の外周余剰領域19のみを吸引保持する保持方法であっても、ウエーハ11を保持テーブル10で吸引保持してウエーハ11の裏面研削を実施することができる。   Since the holding portion 14 is formed of a flexible member having a tacking force with respect to the wafer 11, the wafer 11 is sucked and held by the holding table 10 even in a holding method in which only the outer peripheral area 19 of the wafer 11 is sucked and held. Then, the back surface grinding of the wafer 11 can be performed.

図8(A)を参照すると、本発明第2実施形態の保持テーブル10Aの斜視図が示されている。図8(B)はその縦断面図である。本実施形態の保持テーブル10Aでは、枠体12の上面(保持面)12aに形成した吸引孔16に加えて、保持部14の保持面14aにも複数の中央吸引孔16aが開口している。   Referring to FIG. 8A, a perspective view of a holding table 10A according to the second embodiment of the present invention is shown. FIG. 8B is a longitudinal sectional view thereof. In the holding table 10 </ b> A of the present embodiment, a plurality of central suction holes 16 a are opened on the holding surface 14 a of the holding portion 14 in addition to the suction holes 16 formed on the upper surface (holding surface) 12 a of the frame 12.

第1実施形態の保持テーブル10と同様に、保持部14は被加工物に対してタック力を有する柔軟部材から形成されており、図8(B)に示すように、保持面14aに開口した複数の中央吸引孔16aは吸引路18及び電磁切替弁20を介して吸引源22に選択的に接続される。   Similar to the holding table 10 of the first embodiment, the holding portion 14 is formed of a flexible member having a tack force against the workpiece, and opens to the holding surface 14a as shown in FIG. 8B. The plurality of central suction holes 16 a are selectively connected to the suction source 22 via the suction path 18 and the electromagnetic switching valve 20.

本実施形態の保持テーブル10Aでは、枠体12の上面12aに開口した吸引孔16に加えて、柔軟部材から形成された保持部14の保持面14aに開口した複数の中央吸引孔16aを設けたため、強力な吸引力を発揮することができ、例えば図7に示すような裏面研削ステップを実施する保持テーブルとして使用するのに適している。   In the holding table 10A of the present embodiment, in addition to the suction holes 16 opened on the upper surface 12a of the frame 12, a plurality of central suction holes 16a opened on the holding surface 14a of the holding portion 14 formed of a flexible member are provided. It can exhibit a strong suction force and is suitable for use as, for example, a holding table for performing a back grinding step as shown in FIG.

上述した実施形態では、保持テーブル10で保持する被加工物として半導体ウエーハ11に対して説明したが、被加工物は半導体ウエーハに限定されるものではなく、本発明の保持テーブル10,10Aは光デバイスウエーハ等の他の被加工物を保持するためにも利用可能である。   In the above-described embodiment, the semiconductor wafer 11 has been described as the workpiece to be held by the holding table 10, but the workpiece is not limited to the semiconductor wafer, and the holding tables 10 and 10A of the present invention are optical. It can also be used to hold other workpieces such as device wafers.

10,10A 保持テーブル
11 半導体ウエーハ
12 枠体
12a 上面(保持面)
14 保持部
14a 保持面
16 吸引孔
16a 中央吸引孔
18 吸引路
23 改質層
28 集光器(レーザーヘッド)
48 研削ホイール
10, 10A Holding table 11 Semiconductor wafer 12 Frame 12a Upper surface (holding surface)
14 Holding part 14a Holding surface 16 Suction hole 16a Central suction hole 18 Suction path 23 Modified layer 28 Condenser (laser head)
48 grinding wheel

Claims (3)

中央領域と該中央領域を囲繞する外周余剰領域とを有する被加工物を保持する保持面を有する保持手段であって、
少なくとも被加工物の該中央領域に対応する該保持面は柔軟部材で形成され、
被加工物の該外周余剰領域に対応する該保持面に開口する複数の吸引孔と、
一端が該吸引孔に連通するとともに他端が吸引源に選択的に接続される吸引路と、
を備えたことを特徴とする保持手段。
A holding means having a holding surface for holding a work piece having a central region and an outer peripheral surplus region surrounding the central region,
The holding surface corresponding to at least the central region of the workpiece is formed of a flexible member;
A plurality of suction holes opened in the holding surface corresponding to the outer peripheral surplus area of the workpiece;
A suction path having one end communicating with the suction hole and the other end selectively connected to a suction source;
The holding means characterized by comprising.
前記柔軟部材からなる前記保持面に開口するとともに該吸引源に選択的に接続される複数の中央吸引孔を更に備えた請求項1記載の保持手段。   The holding means according to claim 1, further comprising a plurality of central suction holes that open to the holding surface made of the flexible member and are selectively connected to the suction source. 請求項1又は請求項2記載の保持手段に保持された被加工物に加工を施す加工方法であって、
被加工物の一面側を該保持手段の該保持面上に直に載置する載置ステップと、
前記吸引源を作動させて被加工物の前記外周余剰領域を前記吸引孔で吸引保持するとともに、被加工物の前記中央領域を前記柔軟部材で支持して被加工物の該一面と反対側の他面を露出させる保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、被加工物の該他面側から被加工物に加工を施す加工ステップと、
を備えたことを特徴とする加工方法。
A processing method for processing a workpiece held by the holding means according to claim 1 or 2,
A placing step of placing one surface side of the workpiece directly on the holding surface of the holding means;
The suction source is actuated to suck and hold the outer peripheral area of the work piece by the suction hole, and the central area of the work piece is supported by the flexible member to be opposite to the one surface of the work piece. A holding step to expose the other side;
A processing step of processing the workpiece from the other side of the workpiece after performing the holding step;
A processing method characterized by comprising:
JP2013073672A 2013-03-29 2013-03-29 Holding means and processing method Pending JP2014199834A (en)

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