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JP2014187327A - Method of processing substrate and laminate for temporarily supporting substrate - Google Patents

Method of processing substrate and laminate for temporarily supporting substrate Download PDF

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JP2014187327A
JP2014187327A JP2013063063A JP2013063063A JP2014187327A JP 2014187327 A JP2014187327 A JP 2014187327A JP 2013063063 A JP2013063063 A JP 2013063063A JP 2013063063 A JP2013063063 A JP 2013063063A JP 2014187327 A JP2014187327 A JP 2014187327A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To temporarily fix a substrate to a substrate in a more suitable manner.SOLUTION: The method of processing substrate includes: a laminate formation step for forming a laminate 1 formed by laminating a substrate 11, an adhesive layer 13, a separation layer 14, and a support plate 12 in this order; and, after the laminate formation step, a separation step for separating the substrate 11 from the support plate 12. In the laminate formation step, the separation layer 14 on the support plate 12 is covered by the adhesive layer 13.

Description

本発明は、基板を支持体に仮止めするための技術に関するものであり、基板の処理方法および基板の暫定支持用積層体に関する。   The present invention relates to a technique for temporarily fixing a substrate to a support, and relates to a substrate processing method and a substrate for temporary support of a substrate.

近年、ICカード、携帯電話などの電子機器の薄型化、小型化、軽量化などが要求されている。これらの要求を満たすためには、組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップを使用しなければならない。このため、半導体チップの基となる基板の厚さ(膜厚)は現状では125μm〜150μmであるが、次世代のチップ用には25μm〜50μmにしなければならないといわれている。したがって、上記の膜厚のウエハ基板を得るためには、ウエハ基板の薄板化工程が必要不可欠である。   In recent years, electronic devices such as IC cards and mobile phones have been required to be thinner, smaller, and lighter. In order to satisfy these requirements, a thin semiconductor chip must be used as a semiconductor chip to be incorporated. For this reason, the thickness (film thickness) of the substrate on which the semiconductor chip is based is currently 125 μm to 150 μm, but it is said that it must be 25 μm to 50 μm for the next generation chip. Therefore, in order to obtain a wafer substrate having the above film thickness, a wafer substrate thinning step is indispensable.

ウエハ基板は、薄板化により強度が低下するので、薄板化したウエハ基板の破損を防ぐために、製造プロセス中は、ウエハ基板にサポートプレートを貼り合わされた状態で自動搬送しながら、公知のリソグラフィ工程等によりウエハ基板上に回路等の構造物を実装する。そして、製造プロセス後に、ウエハ基板をサポートプレートから分離する。したがって、製造プロセス中は、ウエハ基板とサポートプレートとが強固に接着していることが好ましいが、製造プロセス後には、サポートプレートからウエハ基板を円滑に分離できることが好ましい。   Since the strength of the wafer substrate is reduced by thinning, a known lithography process or the like is performed while automatically transporting the wafer substrate with the support plate attached to prevent the damage of the thinned wafer substrate during the manufacturing process. Then, a structure such as a circuit is mounted on the wafer substrate. Then, after the manufacturing process, the wafer substrate is separated from the support plate. Therefore, it is preferable that the wafer substrate and the support plate are firmly bonded during the manufacturing process, but it is preferable that the wafer substrate can be smoothly separated from the support plate after the manufacturing process.

ウエハ基板とサポートプレートとを強固に接着した場合、接着材料によっては、ウエハ基板上に実装した構造物を破損させることなく、ウエハ基板からサポートプレートを分離することは困難である。したがって、製造プロセス中にはウエハ基板とサポートプレートとの強固な接着を実現しつつ、製造プロセス後にはウエハ基板上に実装した素子を破損させることなく分離するという、非常に困難な仮止め技術の開発が求められている。   When the wafer substrate and the support plate are firmly bonded, depending on the adhesive material, it is difficult to separate the support plate from the wafer substrate without damaging the structure mounted on the wafer substrate. Therefore, it is a very difficult temporary fixing technology that realizes strong adhesion between the wafer substrate and the support plate during the manufacturing process and separates the elements mounted on the wafer substrate without damaging them after the manufacturing process. Development is required.

例えば、特許文献1には、接着剤を用いて、ウエハと保持プレートとを接着する技術が記載されている。   For example, Patent Document 1 describes a technique for bonding a wafer and a holding plate using an adhesive.

また、特許文献2には、第1基板と第2基板とを、中央域が欠如しているエッジボンドで接合し、中央域には充填素材を充填する技術が記載されている。   Patent Document 2 describes a technique in which a first substrate and a second substrate are joined with an edge bond lacking a central region, and a filling material is filled in the central region.

また、特許文献3には、支持基板に、光熱変換層と接着層を介して被処理基板を貼り合わせる技術が記載されている。   Patent Document 3 describes a technique in which a substrate to be processed is bonded to a support substrate via a photothermal conversion layer and an adhesive layer.

特開2001−189292号公報(2001年7月10日公開)JP 2001-189292 A (released July 10, 2001) 特表2011−510518号公報(2011年3月31日公開)Special Table 2011-510518 (published on March 31, 2011) 国際公開WO2009/142078号パンフレット(2009年11月26日公開)International Publication WO2009 / 142078 Pamphlet (released November 26, 2009)

特許文献1に記載の技術では、ウエハと保持プレートとを分離するためには、ウエハと保持プレートとの間の接着剤を全て除去する必要がある。   In the technique described in Patent Document 1, in order to separate the wafer and the holding plate, it is necessary to remove all the adhesive between the wafer and the holding plate.

一方、特許文献2に記載の技術では、第1基板と第2基板とを分離するためには、エッジボンドを除去すればよい。しかし、中央域が欠如しているエッジボンドを形成するためには、複雑な工程が必要となる。   On the other hand, in the technique described in Patent Document 2, in order to separate the first substrate and the second substrate, the edge bond may be removed. However, a complex process is required to form an edge bond that lacks a central area.

これに対し、特許文献3に記載の技術では、支持基板と被処理基板とを分離するためには、光熱変換層に光を照射すればよく、接着層の形成に複雑な工程も必要ない。しかし、本発明者らの知見によれば、光熱変換層と接着層を介して支持基板に貼り合わされた被処理基板に対して、所望の処理を行なうときに、処理において用いた薬品等(例えば、レジスト剥離工程において用いるN−メチル−2−ピロリドン等の剥離液)によって、部分的に光熱変換層が変質して支持基板から剥がれてしまうケースが起こり得る。   On the other hand, in the technique described in Patent Document 3, in order to separate the support substrate and the substrate to be processed, the photothermal conversion layer may be irradiated with light, and a complicated process is not required for forming the adhesive layer. However, according to the knowledge of the present inventors, when a desired process is performed on the substrate to be processed bonded to the support substrate via the photothermal conversion layer and the adhesive layer, the chemicals used in the process (for example, In some cases, the photothermal conversion layer may be partially denatured and peeled off from the support substrate by a stripping solution such as N-methyl-2-pyrrolidone used in the resist stripping step.

本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、支持体上に基板をより好適に仮止めするための技術を提供することを主たる目的とする。   This invention is made | formed in view of such a problem, and makes it the main objective to provide the technique for temporarily fixing a board | substrate more suitably on a support body.

上記の課題を解決するために、本発明に係る基板の処理方法は、基板、接着層、分離層および支持体がこの順に積層してなる積層体を形成する積層体形成工程と、該積層体形成工程の後、該基板を該支持体から分離する分離工程と、を包含し、該積層体形成工程では、該接着層によって支持体上における分離層の表面を覆うことを特徴とする。   In order to solve the above problems, a substrate processing method according to the present invention includes a laminate forming step of forming a laminate in which a substrate, an adhesive layer, a separation layer, and a support are laminated in this order, and the laminate A separation step of separating the substrate from the support after the formation step, wherein the laminate formation step covers the surface of the separation layer on the support with the adhesive layer.

また、本発明に係る基板の暫定支持用積層体は、基板、接着層、分離層および支持体がこの順に積層してなる基板の暫定支持用積層体であって、該接着層によって支持体上における分離層の表面が覆われていることを特徴とする。   The temporary support laminate of the substrate according to the present invention is a temporary support laminate of a substrate in which a substrate, an adhesive layer, a separation layer, and a support are laminated in this order, and the support layer is supported by the adhesive layer. The surface of the separation layer is covered.

本発明によれば、支持体上に基板をより好適に仮止めすることができる。   According to the present invention, the substrate can be temporarily fixed onto the support more suitably.

本発明の一実施形態に係る基板の処理方法の工程の一部を説明する図である。It is a figure explaining a part of process of the processing method of the substrate concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る基板の処理方法の工程の一部を説明する図である。It is a figure explaining a part of process of the processing method of the substrate concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る基板の処理方法の工程の一部を説明する図である。It is a figure explaining a part of process of the processing method of the substrate concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る基板の暫定支持用積層体を説明する図である。It is a figure explaining the laminated body for temporary support of the board | substrate which concerns on one Embodiment of this invention.

<実施形態1>
本発明に係る基板の処理方法は、基板を支持体に仮止めするために、基板、接着層、分離層および支持体がこの順に積層してなる積層体を形成する積層体形成工程と、積層体形成工程の後、基板を支持体から分離する分離工程と、を包含し、積層体形成工程では、接着層によって支持体上における分離層の表面を覆うようになっている。
<Embodiment 1>
The substrate processing method according to the present invention includes a laminate forming step of forming a laminate in which a substrate, an adhesive layer, a separation layer, and a support are laminated in this order in order to temporarily fix the substrate to the support; And a separation step of separating the substrate from the support after the body formation step. In the laminate formation step, the surface of the separation layer on the support is covered with an adhesive layer.

すなわち、本発明に係る基板の処理方法では、基板、接着層、分離層および支持体がこの順に積層してなる基板の暫定支持用積層体を形成することにより、基板を支持体に仮止めしているが、当該基板の暫定支持用積層体は、接着層によって支持体上における分離層の表面が覆われているものである。   That is, in the substrate processing method according to the present invention, the substrate is temporarily fixed to the support by forming a temporary support laminate including the substrate, the adhesive layer, the separation layer, and the support in this order. However, in the temporary support laminate of the substrate, the surface of the separation layer on the support is covered with the adhesive layer.

以下、本発明の一実施形態(実施形態1)について図面を参照して説明する。実施形態1では、支持体が光透過性を有しており、分離層が、積層体において支持体を介して照射される光を吸収することによって変質するようになっている場合について説明する。   Hereinafter, an embodiment (Embodiment 1) of the present invention will be described with reference to the drawings. In Embodiment 1, the case where the support has light permeability and the separation layer is altered by absorbing light irradiated through the support in the laminate will be described.

図1および図2に示すように、実施形態1では、基板の処理方法は、分離層形成工程、分離層周端部除去工程、接着層形成工程、接着層周端部除去工程、積層体形成工程、分離工程および洗浄工程を包含しており、図4に示すように、積層体形成工程において形成される積層体(基板の暫定支持用積層体)1は、基板11、接着層13、分離層14およびサポートプレート(支持体)12がこの順に積層されたものである。   As shown in FIGS. 1 and 2, in the first embodiment, the substrate processing method includes a separation layer forming step, a separation layer peripheral edge removing step, an adhesive layer forming step, an adhesive layer peripheral edge removing step, and a laminate formation. 4 includes a step, a separation step, and a cleaning step. As shown in FIG. 4, the laminate (temporary support laminate) 1 formed in the laminate formation step includes a substrate 11, an adhesive layer 13, and a separation The layer 14 and the support plate (support) 12 are laminated in this order.

実施形態1では、積層体形成工程によって形成される積層体1において、接着層13によってサポートプレート12上における分離層14の表面、特に、分離層14のサポートプレート12上における外周部が覆われている。そのため、積層体1を用いてサポートプレート12に仮止めされた基板11に対して、所望の処理を行ったときに、分離層14を変質させるような薬品を用いたとしても、分離層14は接着層13によって保護されているため、分離層14が変質してサポートプレート12から剥がれてしまうことを防ぐことができる。   In the first embodiment, in the laminate 1 formed by the laminate formation process, the adhesive layer 13 covers the surface of the separation layer 14 on the support plate 12, particularly the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12. Yes. Therefore, even if a chemical that alters the separation layer 14 when a desired treatment is performed on the substrate 11 temporarily fixed to the support plate 12 using the laminate 1, the separation layer 14 is Since it is protected by the adhesive layer 13, it can be prevented that the separation layer 14 is altered and peeled off from the support plate 12.

〔分離層形成工程〕
図1の(1)および(2)に示すように、分離層形成工程は、サポートプレート12の片面上に分離層14を形成する工程である。
[Separation layer forming step]
As shown in (1) and (2) of FIG. 1, the separation layer forming step is a step of forming the separation layer 14 on one surface of the support plate 12.

(サポートプレート)
サポートプレート12は、基板11を支持する支持体である。サポートプレート12は、基板11を暫定的に支持するものであり、基板11の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、基板11の破損または変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。
(Support plate)
The support plate 12 is a support that supports the substrate 11. The support plate 12 tentatively supports the substrate 11 and may have a strength necessary to prevent the substrate 11 from being damaged or deformed during processes such as thinning, transporting, and mounting of the substrate 11. .

なお、実施形態1では、サポートプレート12は、光透過性を有するものを使用する。そのため、積層体1の外からサポートプレート12に向けて光を照射したときに、該光がサポートプレート12を通過して分離層14に到達する。また、サポートプレート12は、必ずしも全ての光を透過させる必要はなく、分離層14に吸収されるべき(所定の波長を有している)光を透過させることができればよい。   In the first embodiment, the support plate 12 is a light transmissive member. Therefore, when light is irradiated from the outside of the laminate 1 toward the support plate 12, the light passes through the support plate 12 and reaches the separation layer 14. Further, the support plate 12 does not necessarily need to transmit all the light, and it is sufficient if the support plate 12 can transmit the light to be absorbed by the separation layer 14 (having a predetermined wavelength).

以上のような観点から、実施形態1において、サポートプレート12としては、ガラス、アクリル樹脂からなるもの等が挙げられる。   From the above viewpoint, in the first embodiment, the support plate 12 may be made of glass or acrylic resin.

(分離層)
実施形態1において、分離層14は、サポートプレート12を介して照射される光を吸収することによって変質する材料から形成されている層である。本明細書において、分離層14が「変質する」とは、分離層14をわずかな外力を受けて破壊され得る状態、または分離層14と接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。光を吸収することによって生じる分離層14の変質の結果として、分離層14は、光の照射を受ける前の強度または接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート12を持ち上げるなど)ことによって、分離層14が破壊されて、サポートプレート12と基板11とを容易に分離することができる。
(Separation layer)
In the first embodiment, the separation layer 14 is a layer formed of a material that changes quality by absorbing light irradiated through the support plate 12. In the present specification, the “deterioration” of the separation layer 14 is a phenomenon in which the separation layer 14 can be broken by receiving a slight external force, or a state in which the adhesive force with the layer in contact with the separation layer 14 is reduced. means. As a result of the alteration of the separation layer 14 caused by absorbing light, the separation layer 14 loses its strength or adhesiveness prior to receiving light irradiation. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support plate 12), the separation layer 14 is broken, and the support plate 12 and the substrate 11 can be easily separated.

また、分離層14の変質は、吸収した光のエネルギーによる(発熱性または非発熱性の)分解、架橋、立体配置の変化または官能基の解離(そして、これらにともなう分離層の硬化、脱ガス、収縮または膨張)等であり得る。分離層14の変質は、分離層14を構成する材料による光の吸収の結果として生じる。よって、分離層14の変質の種類は、分離層14を構成する材料の種類に応じて変化し得る。   Further, the alteration of the separation layer 14 includes decomposition (exothermic or non-exothermic) due to absorbed light energy, cross-linking, configuration change or dissociation of functional groups (and hardening of the separation layer and degassing associated with them). , Contraction or expansion) and the like. The alteration of the separation layer 14 occurs as a result of light absorption by the material constituting the separation layer 14. Therefore, the type of alteration of the separation layer 14 can be changed according to the type of material constituting the separation layer 14.

分離層14は、サポートプレート12における、接着層13を介して基板11が貼り合わされる側の表面に設ける。   The separation layer 14 is provided on the surface of the support plate 12 on the side where the substrate 11 is bonded via the adhesive layer 13.

分離層14の厚さは、例えば、0.05μm以上、50μm以下であることがより好ましく、0.3μm以上、1μm以下であることがさらに好ましい。分離層14の厚さが0.05μm以上、50μm以下の範囲内に収まっていれば、短時間の光の照射および低エネルギーの光の照射によって、分離層14に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層14の厚さは、生産性の観点から1μm以下の範囲内に収まっていることが特に好ましい。   The thickness of the separation layer 14 is more preferably, for example, 0.05 μm or more and 50 μm or less, and further preferably 0.3 μm or more and 1 μm or less. If the thickness of the separation layer 14 is within a range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, a desired alteration may be caused in the separation layer 14 by irradiation with light for a short time and irradiation with low energy. it can. The thickness of the separation layer 14 is particularly preferably within a range of 1 μm or less from the viewpoint of productivity.

なお、積層体1において、分離層14とサポートプレート12との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層14への光の入射を妨げることなく、積層体1に好ましい性質などを付与する層を、適宜追加することができる。分離層14を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層14を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。   In the laminate 1, another layer may be further formed between the separation layer 14 and the support plate 12. In this case, the other layer should just be comprised from the material which permeate | transmits light. Accordingly, a layer that imparts desirable properties to the stacked body 1 can be appropriately added without hindering the incidence of light on the separation layer 14. The wavelength of light that can be used varies depending on the type of material constituting the separation layer 14. Therefore, the material constituting the other layer does not need to transmit all light, and can be appropriately selected from materials capable of transmitting light having a wavelength that can alter the material constituting the separation layer 14.

また、分離層14は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層14を形成してもよい。また、分離層14における接着層13に対向する側の面が平坦である(凹凸が形成されていない)ことが好ましく、これにより、分離層14の形成が容易に行なえ、且つ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。   In addition, the separation layer 14 is preferably formed only from a material having a structure that absorbs light, but the material does not have a structure that absorbs light as long as the essential characteristics in the present invention are not impaired. May be added to form the separation layer 14. Further, it is preferable that the surface of the separation layer 14 on the side facing the adhesive layer 13 is flat (unevenness is not formed), whereby the separation layer 14 can be easily formed, and even when pasted. It becomes possible to paste on.

分離層14は、以下に示すような分離層14を構成する材料を予めフィルム状に形成したものをサポートプレート12に貼り合わせて用いてもよいし、サポートプレート12上に分離層14を構成する材料を塗布してフィルム状に固化したものを用いてもよい。サポートプレート12上に分離層14を構成する材料を塗布する方法は、分離層14を構成する材料の種類に応じて、化学気相成長(CVD)法による堆積等の従来公知の方法から適宜選択することができる。   As the separation layer 14, a material that forms the separation layer 14 as described below may be used by bonding it to the support plate 12 in advance, or the separation layer 14 may be formed on the support plate 12. You may use what applied the material and solidified in the film form. The method of applying the material constituting the separation layer 14 on the support plate 12 is appropriately selected from conventionally known methods such as chemical vapor deposition (CVD) deposition according to the type of material constituting the separation layer 14. can do.

分離層14は、レーザから照射される光を吸収することによって変質するものであってもよい。すなわち、分離層14を変質させるために分離層14に照射される光は、レーザから照射されたものであってもよい。分離層14に照射する光を発射するレーザの例としては、YAGレーザ、リビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、または、非レーザ光等が挙げられる。分離層14に照射する光を発射するレーザは、分離層14を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層14を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。 The separation layer 14 may be altered by absorbing light irradiated from the laser. That is, the light applied to the separation layer 14 to alter the separation layer 14 may be light emitted from a laser. Examples of lasers that emit light to irradiate the separation layer 14 include YAG lasers, Libby lasers, glass lasers, YVO 4 lasers, LD lasers, liquid lasers such as fiber lasers, liquid lasers such as dye lasers, CO 2 lasers, and excimers. Examples thereof include a gas laser such as a laser, an Ar laser, and a He—Ne laser, a laser beam such as a semiconductor laser and a free electron laser, or a non-laser beam. The laser that emits light to irradiate the separation layer 14 can be appropriately selected according to the material constituting the separation layer 14 and irradiates light having a wavelength that can alter the material constituting the separation layer 14. The laser to be selected may be selected.

(フルオロカーボン)
分離層14は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層14は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度または接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート12を持ち上げるなど)ことによって、分離層14が破壊されて、サポートプレート12と基板11とを容易に分離することができる。
(Fluorocarbon)
The separation layer 14 may be made of a fluorocarbon. Since the separation layer 14 is composed of fluorocarbon, the separation layer 14 is altered by absorbing light. As a result, the separation layer 14 loses strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support plate 12), the separation layer 14 is broken, and the support plate 12 and the substrate 11 can be easily separated.

また、一つの観点からいえば、分離層14を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD法によって好適に成膜され得る。なお、フルオロカーボンは、C(パーフルオロカーボン)およびC(x、yおよびzは整数)を含み、これらに限定されないが、例えば、CHF、CH、C、C、C、C等で有り得る。また、分離層14を構成するために用いるフルオロカーボンに対して、必要に応じて窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス、アルカン、アルケンなどの炭化水素、および、酸素、二酸化炭素、水素を添加してもよい。また、これらのガスを複数種混合して用いてもよい(フルオロカーボン、水素、窒素の混合ガス等)。また、分離層14は、単一種のフルオロカーボンから構成されていてもよいし、2種類以上のフルオロカーボンから構成されていてもよい。 From one viewpoint, the fluorocarbon constituting the separation layer 14 can be suitably formed by a plasma CVD method. In addition, fluorocarbon includes C x F y (perfluorocarbon) and C x H y F z (x, y, and z are integers), and is not limited thereto, but, for example, CHF 3 , CH 2 F 2 , C 2 It can be H 2 F 2 , C 4 F 8 , C 2 F 6 , C 5 F 8 or the like. Further, an inert gas such as nitrogen, helium and argon, a hydrocarbon such as alkane and alkene, and oxygen, carbon dioxide and hydrogen are added to the fluorocarbon used for constituting the separation layer 14 as necessary. May be. A mixture of a plurality of these gases may be used (a mixed gas of fluorocarbon, hydrogen, nitrogen, etc.). Further, the separation layer 14 may be composed of a single type of fluorocarbon, or may be composed of two or more types of fluorocarbon.

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層14に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層14における光の吸収率は80%以上であることが好ましい。   The fluorocarbon absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength within a range that is absorbed by the fluorocarbon used in the separation layer 14, the fluorocarbon can be suitably altered. The light absorption rate in the separation layer 14 is preferably 80% or more.

分離層14に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、リビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、または、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、600nm以下の範囲のものを用いることができる。 As light to irradiate the separation layer 14, for example, a liquid laser such as a solid laser such as a YAG laser, Libby laser, glass laser, YVO 4 laser, LD laser, or fiber laser, or a dye laser, depending on the wavelength that can be absorbed by the fluorocarbon. A gas laser such as a CO 2 laser, an excimer laser, an Ar laser, or a He—Ne laser, a laser beam such as a semiconductor laser or a free electron laser, or a non-laser beam may be used as appropriate. The wavelength at which the fluorocarbon can be altered is not limited to this, but for example, a wavelength in the range of 600 nm or less can be used.

(光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体)
分離層14は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層14は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度または接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート12を持ち上げるなど)ことによって、分離層14が破壊されて、サポートプレート12と基板11とを容易に分離することができる。
(Polymer containing light-absorbing structure in its repeating unit)
The separation layer 14 may contain a polymer containing a light-absorbing structure in its repeating unit. The polymer is altered by irradiation with light. The alteration of the polymer occurs when the structure absorbs the irradiated light. The separation layer 14 loses its strength or adhesiveness before being irradiated with light as a result of the alteration of the polymer. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support plate 12), the separation layer 14 is broken, and the support plate 12 and the substrate 11 can be easily separated.

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換もしくは非置換のベンゼン環、縮合環または複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、または上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造(ビスフェニルスルホン構造)、ジフェニル構造もしくはジフェニルアミン構造であり得る。   The above-mentioned structure having light absorptivity is a chemical structure that absorbs light and alters a polymer containing the structure as a repeating unit. The structure is, for example, an atomic group including a conjugated π electron system composed of a substituted or unsubstituted benzene ring, condensed ring, or heterocyclic ring. More specifically, the structure may be a cardo structure, or a benzophenone structure, a diphenyl sulfoxide structure, a diphenyl sulfone structure (bisphenyl sulfone structure), a diphenyl structure or a diphenylamine structure present in the side chain of the polymer.

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。   When the structure is present in the side chain of the polymer, the structure can be represented by the following formula:

Figure 2014187327
Figure 2014187327

(式中、Rはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基またはN(R)(R)であり(ここで、RおよびRはそれぞれ独立して、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基である)、Zは、存在しないか、またはCO−、−SO−、−SO−もしくは−NH−であり、nは0または1〜5の整数である。)
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、(a)〜(d)の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、(e)によって表されるか、または(f)の構造をその主鎖に含んでいる。
(In the formula, each R is independently an alkyl group, an aryl group, a halogen, a hydroxyl group, a ketone group, a sulfoxide group, a sulfone group or N (R 1 ) (R 2 ) (where R 1 and R 2 Each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms), Z is absent or is CO—, —SO 2 —, —SO— or —NH—, and n is 0 Or an integer of 1 to 5.)
In addition, the polymer includes, for example, a repeating unit represented by any one of (a) to (d) among the following formulas, represented by (e), or represented by (f) Contains structure in its main chain.

Figure 2014187327
Figure 2014187327

(式中、lは1以上の整数であり、mは0または1〜2の整数であり、Xは、(a)〜(e)において上記の“化1”に示した式のいずれかであり、(f)において上記の“化1”に示した式のいずれかであるか、または存在せず、YおよびYはそれぞれ独立して、−CO−またはSO−である。lは好ましくは10以下の整数である。)
上記の“化1”に示されるベンゼン環、縮合環および複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、N−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナンスレン、置換フェナンスレン、ピレンおよび置換ピレンが挙げられる。例示した置換基が置換を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノおよびアリールアミノから選択される。
(In the formula, l is an integer of 1 or more, m is 0 or an integer of 1 to 2, and X is any one of the formulas shown in the above “Chemical Formula 1” in (a) to (e)). Yes, in formula (f), which is any one of the formulas shown in the above “Chemical Formula 1” or is not present, and Y 1 and Y 2 are each independently —CO— or SO 2 —. Is preferably an integer of 10 or less.)
Examples of the benzene ring, condensed ring and heterocyclic ring shown in the above “chemical formula 1” include phenyl, substituted phenyl, benzyl, substituted benzyl, naphthalene, substituted naphthalene, anthracene, substituted anthracene, anthraquinone, substituted anthraquinone, acridine, substituted Examples include acridine, azobenzene, substituted azobenzene, fluoride, substituted fluoride, fluoride, substituted fluoride, carbazole, substituted carbazole, N-alkylcarbazole, dibenzofuran, substituted dibenzofuran, phenanthrene, substituted phenanthrene, pyrene and substituted pyrene. When the exemplified substituent has a substituent, the substituent is, for example, alkyl, aryl, halogen atom, alkoxy, nitro, aldehyde, cyano, amide, dialkylamino, sulfonamide, imide, carboxylic acid, carboxylic acid Selected from esters, sulfonic acids, sulfonate esters, alkylamino and arylamino.

上記の“化1”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO−である場合の例としては、ビス(2,4‐ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,4‐ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,5‐ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,6‐ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4‐ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3‐ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(2‐ヒドロキシフェニル)スルホン、およびビス(3,5‐ジメチル‐4‐ヒドロキシフェニル)スルホンなどが挙げられる。 Of the substituents represented by “Chemical Formula 1” above, as an example of the fifth substituent having two phenyl groups and Z being —SO 2 —, bis (2, 4-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,4-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,5-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,6-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (2-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) sulfone, and the like.

上記の“化1”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO−である場合の例としては、ビス(2,3‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5‐クロロ‐2,3‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4‐ジヒドロキシ‐6‐メチルフェニル)スルホキシド、ビス(5‐クロロ‐2,4‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,5‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,4‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,5‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4‐トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4‐トリヒドロキシ‐6‐メチルフェニル)‐スルホキシド、ビス(5‐クロロ‐2,3,4‐トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4,6‐トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5‐クロロ‐2,4,6‐トリヒドロキシフェニル)スルホキシドなどが挙げられる。   Of the substituents represented by “Chemical Formula 1” above, as an example of the fifth substituent having two phenyl groups and Z being —SO—, bis (2,3 -Dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (5-chloro-2,3-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,4-dihydroxy-6-methylphenyl) sulfoxide, bis (5 -Chloro-2,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,5-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (3,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (3,5-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,3 , 4-Trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,3,4-trihydroxy-6-methylpheny ) -Sulfoxide, bis (5-chloro-2,3,4-trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,4,6-trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (5-chloro-2,4,6-trihydroxy) Phenyl) sulfoxide and the like.

上記の“化1”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−C(=O)−である場合の例としては、2,4‐ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4‐トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,5,6’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、2‐ヒドロキシ‐4‐メトキシベンゾフェノン、2‐ヒドロキシ‐4‐オクトキシベンゾフェノン、2‐ヒドロキシ‐4‐ドデシルオキシベンゾフェノン、2,2’‐ジヒドロキシ‐4‐メトキシベンゾフェノン、2,6‐ジヒドロキシ‐4‐メトキシベンゾフェノン、2,2’‐ジヒドロキシ‐4,4’‐ジメトキシベンゾフェノン、4‐アミノ‐2’‐ヒドロキシベンゾフェノン、4‐ジメチルアミノ‐2’‐ヒドロキシベンゾフェノン、4‐ジエチルアミノ‐2’‐ヒドロキシベンゾフェノン、4‐ジメチルアミノ‐4’‐メトキシ‐2’‐ヒドロキシベンゾフェノン、4‐ジメチルアミノ‐2’,4’‐ジヒドロキシベンゾフェノン、および4‐ジメチルアミノ‐3’,4’‐ジヒドロキシベンゾフェノンなどが挙げられる。   Among the substituents represented by the above “Chemical Formula 1”, the fifth substituent having two phenyl groups and Z is —C (═O) — , 4-dihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2', 5,6'-tetrahydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4- Methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-dodecyloxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,6-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2 ' -Dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 4-amino-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethyl Ruamino-2'-hydroxybenzophenone, 4-diethylamino-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-4'-methoxy-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-2 ', 4'-dihydroxybenzophenone, and 4 -Dimethylamino-3 ', 4'-dihydroxybenzophenone and the like.

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層14の光の透過率が0.001%以上、10%以下になる範囲にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層14が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体1からのサポートプレート12の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。   When the structure is present in the side chain of the polymer, the ratio of the repeating unit containing the structure to the polymer is such that the light transmittance of the separation layer 14 is 0.001% or more, 10 % Or less. If the polymer is prepared so that the ratio falls within such a range, the separation layer 14 can sufficiently absorb light and can be surely and rapidly altered. That is, it is easy to remove the support plate 12 from the laminate 1, and the light irradiation time necessary for the removal can be shortened.

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、100nm以上、2000nm以下であることがより好ましい。この範囲のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、100nm以上、500nm以下である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ300nm以上、370nm以下の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。   The said structure can absorb the light which has a wavelength of a desired range by selection of the kind. For example, the wavelength of light that can be absorbed by the above structure is more preferably 100 nm or more and 2000 nm or less. Within this range, the wavelength of light that can be absorbed by the structure is on the shorter wavelength side, and is, for example, 100 nm or more and 500 nm or less. For example, the structure can alter the polymer containing the structure by absorbing ultraviolet light, preferably having a wavelength of about 300 nm or more and 370 nm or less.

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ(波長:254nm以上、436nm以下)、KrFエキシマレーザ(波長:248nm)、ArFエキシマレーザ(波長:193nm)、F2エキシマレーザ(波長:157nm)、XeClレーザ(波長:308nm)、XeFレーザ(波長:351nm)もしくは固体UVレーザ(波長:355nm)から発せられる光、またはg線(波長:436nm)、h線(波長:405nm)もしくはi線(波長:365nm)などである。   The light that can be absorbed by the above structure is, for example, a high-pressure mercury lamp (wavelength: 254 nm or more, 436 nm or less), KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), F2 excimer laser (wavelength: 157 nm). , XeCl laser (wavelength: 308 nm), XeF laser (wavelength: 351 nm) or light emitted from a solid-state UV laser (wavelength: 355 nm), or g-line (wavelength: 436 nm), h-line (wavelength: 405 nm) or i-line ( Wavelength: 365 nm).

上述した分離層14は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層14はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、およびサポートプレート12の剥離性を向上し得る成分などが挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、および重合体の変質を妨げないか、または促進する、従来公知の物質または材料から適宜選択される。   Although the separation layer 14 described above contains a polymer containing the above structure as a repeating unit, the separation layer 14 may further contain a component other than the polymer. Examples of the component include a filler, a plasticizer, and a component that can improve the peelability of the support plate 12. These components are appropriately selected from conventionally known substances or materials that do not hinder or promote the absorption of light by the above structure and the alteration of the polymer.

(無機物)
分離層14は、無機物からなっていてもよい。分離層14は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度または接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート12を持ち上げるなど)ことによって、分離層14が破壊されて、サポートプレート12と基板11とを容易に分離することができる。
(Inorganic)
The separation layer 14 may be made of an inorganic material. The separation layer 14 is made of an inorganic material, and is thereby altered by absorbing light. As a result, the separation layer 14 loses strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support plate 12), the separation layer 14 is broken, and the support plate 12 and the substrate 11 can be easily separated.

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物およびカーボンからなる群より選択される1種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、SiO、SiN、Si、TiN、およびカーボンからなる群より選ばれる1種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。 The said inorganic substance should just be the structure which changes in quality by absorbing light, for example, can use 1 or more types of inorganic substances selected from the group which consists of a metal, a metal compound, and carbon suitably. The metal compound refers to a compound containing a metal atom, and can be, for example, a metal oxide or a metal nitride. Exemplary of such inorganic include, but are not limited to, gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2, SiN, Si 3 N 4, TiN, and carbon One or more inorganic substances selected from the group consisting of: Carbon is a concept that may include an allotrope of carbon, for example, diamond, fullerene, diamond-like carbon, carbon nanotube, and the like.

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層14に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。   The inorganic material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength within a range that the inorganic material used for the separation layer 14 absorbs, the inorganic material can be suitably altered.

無機物からなる分離層14に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、リビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、または、非レーザ光を適宜用いればよい。 The light applied to the separation layer 14 made of an inorganic material may be, for example, a solid-state laser such as a YAG laser, Libby laser, glass laser, YVO 4 laser, LD laser, or fiber laser, or a dye laser depending on the wavelength that the inorganic material can absorb. For example, a liquid laser such as a CO 2 laser, an excimer laser, an Ar laser, a He—Ne laser, or a laser beam such as a semiconductor laser or a free electron laser, or a non-laser beam may be used as appropriate.

無機物からなる分離層14は、例えばスパッタ、化学蒸着(CVD)、メッキ、プラズマCVD、スピンコート等の公知の技術により、サポートプレート12上に形成され得る。無機物からなる分離層14の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、0.05μm以上、10μm以下の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層14を構成する無機物からなる無機膜(例えば、金属膜)の両面または片面に予め接着剤を塗布し、サポートプレート12および基板11に貼り付けてもよい。   The separation layer 14 made of an inorganic material can be formed on the support plate 12 by a known technique such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), plating, plasma CVD, or spin coating. The thickness of the separation layer 14 made of an inorganic substance is not particularly limited as long as it is a film thickness that can sufficiently absorb the light to be used. For example, a film thickness of 0.05 μm or more and 10 μm or less is more preferable. . Alternatively, an adhesive may be applied in advance to both surfaces or one surface of an inorganic film (for example, a metal film) made of an inorganic material constituting the separation layer 14 and attached to the support plate 12 and the substrate 11.

なお、分離層14として金属膜を使用する場合には、分離層14の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層14の上下またはどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。   When a metal film is used as the separation layer 14, laser reflection or charging of the film may occur depending on conditions such as the film quality of the separation layer 14, the type of laser light source, and laser output. Therefore, it is preferable to take measures against these problems by providing an antireflection film or an antistatic film on the upper or lower side of the separation layer 14 or one of them.

(赤外線吸収性の構造を有する化合物)
分離層14は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層14は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度または接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げるなど)ことによって、分離層14が破壊されて、サポートプレート12と基板11とを容易に分離することができる。
(Compound having infrared absorbing structure)
The separation layer 14 may be formed of a compound having an infrared absorbing structure. The compound is altered by absorbing infrared rays. The separation layer 14 has lost its strength or adhesion before being irradiated with infrared rays as a result of the alteration of the compound. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer 14 is broken and the support plate 12 and the substrate 11 can be easily separated.

赤外線吸収性を有している構造または赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン(ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式)、アルキン(一置換、二置換)、単環式芳香族(ベンゼン、一置換、二置換、三置換)、アルコールおよびフェノール類(自由OH、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級)、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、1,3−ジケトンのエノール、o−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸(二量体、カルボン酸アニオン)、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン(β−、γ−、δ−)、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物(共役、非共役、環式、非環式)、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン(脂肪族、芳香族)、第二級アミン(脂肪族、芳香族)、第三級アミン(脂肪族、芳香族)、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合(脂肪族、芳香族、単量体、二量体)、メルカプタンおよびチオフェノールおよびチオール酸などの硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Si−A結合(Aは、H、C、Oまたはハロゲン)、P−A結合(Aは、H、CまたはO)、またはTi−O結合であり得る。 Examples of the compound having an infrared absorptive structure or a compound having an infrared absorptive structure include alkanes and alkenes (vinyl, trans, cis, vinylidene, trisubstituted, tetrasubstituted, conjugated, cumulene, ring Formula), alkyne (monosubstituted, disubstituted), monocyclic aromatic (benzene, monosubstituted, disubstituted, trisubstituted), alcohol and phenols (free OH, intramolecular hydrogen bond, intermolecular hydrogen bond, saturated Secondary, saturated tertiary, unsaturated secondary, unsaturated tertiary), acetal, ketal, aliphatic ether, aromatic ether, vinyl ether, oxirane ether, peroxide ether, ketone, dialkylcarbonyl, aromatic Carbonyl, 1,3-diketone enol, o-hydroxy aryl ketone, dialkyl aldehyde, aromatic aldehyde, carboxylic acid (dimer Carboxylate anion), formate ester, acetate ester, conjugated ester, non-conjugated ester, aromatic ester, lactone (β-, γ-, δ-), aliphatic acid chloride, aromatic acid chloride, acid anhydride ( Conjugated, non-conjugated, cyclic, acyclic), primary amide, secondary amide, lactam, primary amine (aliphatic, aromatic), secondary amine (aliphatic, aromatic), secondary Tertiary amine (aliphatic, aromatic), primary amine salt, secondary amine salt, tertiary amine salt, ammonium ion, aliphatic nitrile, aromatic nitrile, carbodiimide, aliphatic isonitrile, aromatic isonitrile, Isocyanate ester, thiocyanate ester, aliphatic isothiocyanate ester, aromatic isothiocyanate ester, aliphatic nitro compound, aromatic nitro compound, nitroamine, nitrosamine, Acid ester, nitrite ester, nitroso bond (aliphatic, aromatic, monomer, dimer), mercaptan and sulfur compounds such as thiophenol and thiolic acid, thiocarbonyl group, sulfoxide, sulfone, sulfonyl chloride, primary Secondary sulfonamide, secondary sulfonamide, sulfate ester, carbon-halogen bond, Si-A 1 bond (A 1 is H, C, O or halogen), P-A 2 bond (A 2 is H, C Or O), or Ti—O bonds.

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−CHCl、−CHBr、−CHI、−CF−、−CF、−CH=CF、−CF=CF、フッ化アリール、および塩化アリールなどが挙げられる。 As a structure containing halogen bond, for example, -CH 2 Cl, -CH 2 Br , -CH 2 I, -CF 2 - - the carbon, - CF 3, -CH = CF 2, -CF = CF 2, fluoride Aryl chloride, and aryl chloride.

上記Si−A結合を含む構造としては、SiH、SiH、SiH、Si−CH、Si−CH−、Si−C、SiO−脂肪族、Si−OCH、Si−OCHCH、Si−OC、Si−O−Si、Si−OH、SiF、SiF、およびSiFなどが挙げられる。Si−A結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格およびシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。 Examples of the structure containing the Si—A 1 bond include SiH, SiH 2 , SiH 3 , Si—CH 3 , Si—CH 2 —, Si—C 6 H 5 , SiO-aliphatic, Si—OCH 3 , Si— OCH 2 CH 3, Si-OC 6 H 5, Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF 2, and the like SiF 3 and the like. As a structure including a Si—A 1 bond, it is particularly preferable to form a siloxane skeleton and a silsesquioxane skeleton.

上記P−A結合を含む構造としては、PH、PH、P−CH、P−CH−、P−C、A −P−O(Aは脂肪族または芳香族)、(AO)−P−O(Aはアルキル)、P−OCH、P−OCHCH、P−OC、P−O−P、P−OH、およびO=P−OHなどが挙げられる。 Examples of the structure containing the P—A 2 bond include PH, PH 2 , P—CH 3 , P—CH 2 —, P—C 6 H 5 , A 3 3— P—O (A 3 is aliphatic or aromatic. family), (A 4 O) 3 -P-O (A 4 alkyl), P-OCH 3, P -OCH 2 CH 3, P-OC 6 H 5, P-O-P, P-OH, and O = P-OH and the like can be mentioned.

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば1μm以上、20μm以下の範囲内であり、2μm以上、15μm以下の範囲内をより好適に吸収できる。さらに、上記構造がSi−O結合、Si−C結合およびTi−O結合である場合には、9μm以上、11μm以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献:SILVERSTEIN・BASSLER・MORRILL著「有機化合物のスペクトルによる同定法(第5版)−MS、IR、NMR、UVの併用−」(1992年発行)第146頁〜第151頁の記載を参照することができる。   The said structure can absorb the infrared rays which have the wavelength of a desired range by selection of the kind. Specifically, the wavelength of infrared rays that can be absorbed by the above structure is, for example, in the range of 1 μm or more and 20 μm or less, and more preferably in the range of 2 μm or more and 15 μm or less. Furthermore, in the case where the structure is a Si—O bond, a Si—C bond, or a Ti—O bond, it may be in the range of 9 μm or more and 11 μm or less. In addition, those skilled in the art can easily understand the infrared wavelength that can be absorbed by each structure. For example, as an absorption band in each structure, Non-Patent Document: SILVERSTEIN / BASSLER / MORRILL, “Identification method by spectrum of organic compound (5th edition) —Combination of MS, IR, NMR and UV” (published in 1992) The description on page 146 to page 151 can be referred to.

分離層14の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解でき、固化されて固層を形成できるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層14における化合物を効果的に変質させ、サポートプレート12と基板11との分離を容易にするには、分離層14における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層14に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層14における赤外線の透過率が90%より低いことが好ましく、赤外線の透過率が80%より低いことがより好ましい。   As a compound having an infrared-absorbing structure used for forming the separation layer 14, among the compounds having the structure as described above, it can be dissolved in a solvent for coating and solidified to form a solid layer. As long as it is possible, there is no particular limitation. However, in order to effectively alter the compound in the separation layer 14 and facilitate separation of the support plate 12 and the substrate 11, the absorption of infrared rays in the separation layer 14 is large, that is, the separation layer 14 is irradiated with infrared rays. It is preferable that the infrared transmittance is low. Specifically, the infrared transmittance in the separation layer 14 is preferably lower than 90%, and the infrared transmittance is more preferably lower than 80%.

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(1)で表される繰り返し単位および下記化学式(2)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式(1)で表される繰り返し単位およびアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。   For example, as the compound having a siloxane skeleton, for example, a resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (1) and a repeating unit represented by the following chemical formula (2), or A resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (1) and a repeating unit derived from an acrylic compound can be used.

Figure 2014187327
Figure 2014187327

(化学式(2)中、Rは、水素、炭素数10以下のアルキル基、または炭素数10以下のアルコキシ基である。)
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式(1)で表される繰り返し単位および下記化学式(3)で表される繰り返し単位の共重合体であるt−ブチルスチレン(TBST)−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記式(1)で表される繰り返し単位および下記化学式(3)で表される繰り返し単位を1:1で含む、TBST−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
(In the chemical formula (2), R 3 is hydrogen, an alkyl group having 10 or less carbon atoms, or an alkoxy group having 10 or less carbon atoms.)
Among them, as a compound having a siloxane skeleton, t-butylstyrene (TBST) -dimethylsiloxane copolymer, which is a copolymer of a repeating unit represented by the above chemical formula (1) and a repeating unit represented by the following chemical formula (3), is used. A polymer is more preferable, and a TBST-dimethylsiloxane copolymer containing a repeating unit represented by the above formula (1) and a repeating unit represented by the following chemical formula (3) at 1: 1 is further preferable.

Figure 2014187327
Figure 2014187327

また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(4)で表される繰り返し単位および下記化学式(5)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。   Moreover, as the compound having a silsesquioxane skeleton, for example, a resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (4) and a repeating unit represented by the following chemical formula (5) can be used. .

Figure 2014187327
Figure 2014187327

(化学式(4)中、Rは、水素または炭素数1以上、10以下のアルキル基であり、化学式(5)中、Rは、炭素数1以上、10以下のアルキル基、またはフェニル基である。)
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特許文献4:特開2007−258663号公報(2007年10月4日公開)、特許文献5:特開2010−120901号公報(2010年6月3日公開)、特許文献6:特開2009−263316号公報(2009年11月12日公開)および特許文献7:特開2009−263596号公報(2009年11月12日公開)において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。
(In chemical formula (4), R 4 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and in chemical formula (5), R 5 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group. .)
As other compounds having a silsesquioxane skeleton, Patent Document 4: JP 2007-258663 A (published October 4, 2007), Patent Document 5: JP 2010-120901 A (2010). Published on June 3, 2009), Patent Document 6: JP 2009-263316 A (published on November 12, 2009) and Patent Document 7: JP 2009-263596 A (published on November 12, 2009). Each of the disclosed silsesquioxane resins can be suitably used.

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式(6)で表される繰り返し単位および下記化学式(7)で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式(6)で表される繰り返し単位および下記化学式(7)で表される繰り返し単位を7:3で含む共重合体がさらに好ましい。   Among these, as the compound having a silsesquioxane skeleton, a repeating unit represented by the following chemical formula (6) and a copolymer of repeating units represented by the following chemical formula (7) are more preferable. A copolymer containing 7: 3 of the repeating unit represented by the following chemical formula (7) is more preferred.

Figure 2014187327
Figure 2014187327

シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、および籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。   The polymer having a silsesquioxane skeleton may have a random structure, a ladder structure, and a cage structure, but any structure may be used.

また、Ti−O結合を含む化合物としては、例えば、(i)テトラ−i−プロポキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタン、およびチタニウム−i−プロポキシオクチレングリコレートなどのアルコキシチタン;(ii)ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタン、およびプロパンジオキシチタンビス(エチルアセトアセテート)などのキレートチタン;(iii)i−CO−[−Ti(O−i−C−O−]−i−C、およびn−CO−[−Ti(O−n−C−O−]−n−Cなどのチタンポリマー;(iv)トリ−n−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−i−プロポキシチタンジイソステアレート、および(2−n−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ)トリブトキシチタンなどのアシレートチタン;(v)ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタンなどの水溶性チタン化合物などが挙げられる。 Examples of the compound containing a Ti—O bond include (i) tetra-i-propoxytitanium, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis (2-ethylhexyloxy) titanium, and titanium-i-propoxyoctylene glycolate. (Ii) chelating titanium such as di-i-propoxy bis (acetylacetonato) titanium, and propanedioxytitanium bis (ethylacetoacetate); (iii) i-C 3 H 7 O — [— Ti (O-i-C 3 H 7) 2 -O-] n -i-C 3 H 7, and n-C 4 H 9 O - [- Ti (O-n-C 4 H 9) 2 -O - titanium polymers such as n -n-C 4 H 9; (iv) tri -n- butoxy titanium monostearate, titanium stearate, di -i- propoxycarbonyl Xylitanium diisostearate and acylate titanium such as (2-n-butoxycarbonylbenzoyloxy) tributoxytitanium; (v) water-soluble titanium compounds such as di-n-butoxybis (triethanolaminato) titanium Etc.

中でも、Ti−O結合を含む化合物としては、ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン(Ti(OC[OCN(COH))が好ましい。 Among them, as a compound containing a Ti—O bond, di-n-butoxy bis (triethanolaminato) titanium (Ti (OC 4 H 9 ) 2 [OC 2 H 4 N (C 2 H 4 OH) 2 ] 2 ) is preferred.

上述した分離層14は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層14はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、およびサポートプレート12の剥離性を向上し得る成分などが挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、および化合物の変質を妨げないか、または促進する、従来公知の物質または材料から適宜選択される。   Although the separation layer 14 described above contains a compound having an infrared absorbing structure, the separation layer 14 may further contain a component other than the above compound. Examples of the component include a filler, a plasticizer, and a component that can improve the peelability of the support plate 12. These components are appropriately selected from conventionally known substances or materials that do not prevent or promote the absorption of infrared rays by the above structure and the alteration of the compound.

(赤外線吸収物質)
分離層14は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層14は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度または接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、サポートプレート12を持ち上げるなど)ことによって、分離層14が破壊されて、サポートプレート12と基板11とを容易に分離することができる。
(Infrared absorbing material)
The separation layer 14 may contain an infrared absorbing material. The separation layer 14 is configured to contain an infrared absorbing material, so that the separation layer 14 is altered by absorbing light. As a result, the strength or adhesiveness before receiving the light irradiation is lost. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support plate 12), the separation layer 14 is broken, and the support plate 12 and the substrate 11 can be easily separated.

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、またはアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層14に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層14に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。   The infrared absorbing material only needs to have a structure that is altered by absorbing infrared rays. For example, carbon black, iron particles, or aluminum particles can be suitably used. The infrared absorbing material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer 14 with light having a wavelength in a range that is absorbed by the infrared absorbing material used for the separation layer 14, the infrared absorbing material can be suitably altered.

〔分離層周端部除去工程〕
図1の(3)に示すように、分離層周端部除去工程は、分離層形成工程においてサポートプレート12の片面上に分離層14を形成した後に、サポートプレート12上における分離層14の周端部を除去する工程である。これにより、分離層14が、サポートプレート12の内周部に積層された状態として、後の積層体形成工程において、サポートプレート12上における分離層14の表面、特に、分離層14のサポートプレート12上における外周部を、接着層13によって好適に覆うことができる。すなわち、積層体形成工程において、基板11とサポートプレート12とを貼り合わせたときに、分離層14が、対向する接着層13よりも内側に入り込むようにすることができる。
[Separation layer peripheral edge removal step]
As shown in (3) of FIG. 1, the separation layer peripheral edge removing step forms the periphery of the separation layer 14 on the support plate 12 after forming the separation layer 14 on one side of the support plate 12 in the separation layer forming step. This is a step of removing the end portion. As a result, the separation layer 14 is laminated on the inner peripheral portion of the support plate 12, and the surface of the separation layer 14 on the support plate 12, particularly the support plate 12 of the separation layer 14, in a later laminated body forming step. The upper peripheral portion can be suitably covered with the adhesive layer 13. That is, in the laminated body forming process, when the substrate 11 and the support plate 12 are bonded to each other, the separation layer 14 can enter more inside than the opposing adhesive layer 13.

特に、積層体1において、分離層14のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13の幅が、300μm以上、2000μm以下、より好適には300μm以上、500μm以下となるように、分離層14の周端部を予め除去しておくことが望ましい。   In particular, in the laminate 1, the width of the adhesive layer 13 covering the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12 is 300 μm or more and 2000 μm or less, more preferably 300 μm or more and 500 μm or less. It is desirable to previously remove the peripheral end of the.

分離層14のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13の幅が300μm以上であることによって、分離層14を好適に保護することができる。また、当該幅が2000μm以下であることによって、分離工程において除去すべき、サポートプレート12上における外周部を覆う接着層13の量が少なくなるため、分離工程を迅速に行うことができる。   When the width of the adhesive layer 13 that covers the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12 is 300 μm or more, the separation layer 14 can be suitably protected. Moreover, since the amount of the adhesive layer 13 that covers the outer peripheral portion on the support plate 12 to be removed in the separation step is reduced when the width is 2000 μm or less, the separation step can be performed quickly.

分離層14のサポートプレート12上における周端部を除去する方法としては、公知の方法を用いればよく、特に限定されないが、例えば、分離層14の周端部に対して剥離液をスプレーしてもよいし、ディスペンスノズルを用いて分離層14の周端部に剥離液を供給してもよい。また、剥離液のスプレー、供給等は、サポートプレート12を回転させながら行ってもよい。   A known method may be used as a method for removing the peripheral end portion of the separation layer 14 on the support plate 12, and is not particularly limited. For example, a peeling solution is sprayed on the peripheral end portion of the separation layer 14. Alternatively, the stripping solution may be supplied to the peripheral end portion of the separation layer 14 using a dispensing nozzle. Further, the stripping solution may be sprayed and supplied while rotating the support plate 12.

(剥離液)
分離層14に塗布する剥離液としては、分離層14を除去することができる溶液であればよい。
(Stripping solution)
The stripping solution applied to the separation layer 14 may be any solution that can remove the separation layer 14.

剥離液は、アルカリ性を示す溶液であることがより好ましい。アルカリ性を示す溶液は、アミン系化合物であることがさらに好ましい。アミン系化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、または複素環式アミンからなる群より選択される少なくとも1種の化合物を用いることができる。   The stripping solution is more preferably an alkaline solution. More preferably, the alkaline solution is an amine compound. As the amine compound, at least one compound selected from the group consisting of primary, secondary, and tertiary aliphatic amines, alicyclic amines, aromatic amines, and heterocyclic amines is used. be able to.

第一級脂肪族アミンとしては、例えばモノメタノールアミン、モノエタノールアミン(MEA)、モノイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、2−(2−アミノエトキシ)エタノール(DGA)、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノールなどが挙げられる。第二級脂肪族アミンとしては、例えば2−(メチルアミノ)エタノール(MMA)、ジエタノールアミン、イミノビスプロピルアミン、2−エチルアミノエタノールなどが挙げられる。第三級脂肪族アミンとしては、例えばトリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジエチルアミノエタノールなどが挙げられる。   Examples of the primary aliphatic amine include monomethanolamine, monoethanolamine (MEA), monoisopropanolamine, ethylenediamine, 2- (2-aminoethoxy) ethanol (DGA), and 2- (2-aminoethylamino) ethanol. Etc. Examples of secondary aliphatic amines include 2- (methylamino) ethanol (MMA), diethanolamine, iminobispropylamine, and 2-ethylaminoethanol. Examples of tertiary aliphatic amines include triethanolamine, triisopropanolamine, and diethylaminoethanol.

また、脂環式アミンとしては、例えば、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミンなどが挙げられる。芳香族アミンとしては、例えばベンジルアミン、ジベンジルアミン、N‐メチルベンジルアミンなどが挙げられる。複素環式アミンとしては、例えばN‐ヒドロキシエチルピペリジン、1,8‐ジアザビシクロ[5,4,0]‐7‐ウンデセンなどが挙げられる。これら有機アミン類の化合物の中では、特にモノエタノールアミン、2‐(2‐アミノエトキシ)エタノールおよび2‐エチルアミノエタノール、2−(メチルアミノ)エタノール(MMA)等のアルカノールアミンが好適である。   Examples of alicyclic amines include cyclohexylamine and dicyclohexylamine. Examples of the aromatic amine include benzylamine, dibenzylamine, N-methylbenzylamine and the like. Examples of the heterocyclic amine include N-hydroxyethylpiperidine and 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene. Of these organic amine compounds, alkanolamines such as monoethanolamine, 2- (2-aminoethoxy) ethanol and 2-ethylaminoethanol, 2- (methylamino) ethanol (MMA) are particularly suitable.

さらに、剥離液は他の溶剤と混合して用いてもよい。上述した剥離液に混合してもよい溶剤としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)などの極性溶媒、γ−ブチロラクトンなどのラクトン類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテートなどのエステル結合を有する化合物の有機溶剤が挙げられ、さらに、前記多価アルコール類若しくは前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルなどのモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテルなどのエーテル結合を有する化合物などの多価アルコール類の誘導体、ジオキサンなどの環式エーテル類、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類の有機溶剤が挙げられ、アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレンなどの芳香族系有機溶剤が挙げられる。   Further, the stripping solution may be used by mixing with other solvents. Examples of the solvent that may be mixed with the stripping solution described above include polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), lactones such as γ-butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, and methyl-n-pentyl. Ketones, ketones such as methyl isopentyl ketone, 2-heptanone, polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene An organic solvent of a compound having an ester bond such as glycol monoacetate, and the monomethyl ether of the polyhydric alcohol or the compound having an ester bond. Derivatives of polyhydric alcohols such as monoalkyl ethers such as benzene, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or compounds having an ether bond such as monophenyl ether, cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate (EL), organic solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate and the like, anisole, ethylbenzyl ether, cresylmethyl Ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, butyl phenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene, etc. An aromatic organic solvent is mentioned.

また、上述した剥離液に混合してもよい溶剤としては、これらの中でも多価アルコール類、エステル結合を有する化合物、または多価アルコール類の誘導体から選ばれる少なくとも1種が好ましく、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、ブチルジグリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)またはプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートから選ばれる少なくとも1種がより好ましい。   In addition, the solvent that may be mixed with the above-described stripping solution is preferably at least one selected from polyhydric alcohols, compounds having an ester bond, or derivatives of polyhydric alcohols among them, diethylene glycol monomethyl ether, Triethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monoethyl Ether, propylene glycol monomethyl ether (P ME), butyl diglycol, at least one selected from propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) or propylene glycol monoethyl ether acetate is more preferable.

前記アルカリ性を示す溶液と前記剥離液に混合してもよい溶剤との混合割合は、重量比で9:1〜1:9であることが好ましく、8:2〜2:8であることがより好ましい。   The mixing ratio of the alkaline solution and the solvent that may be mixed with the stripping solution is preferably 9: 1 to 1: 9, more preferably 8: 2 to 2: 8, by weight. preferable.

なお、剥離液によって分離層14の周端部を除去した後、水または炭素数1〜6のアルコールによって、サポートプレート12を洗浄してもよい。これにより、サポートプレート12上に残留した剥離液(例えば、アミン類を含むもの)が、基板11を腐食することを防止することができる。   Note that the support plate 12 may be washed with water or alcohol having 1 to 6 carbon atoms after removing the peripheral end portion of the separation layer 14 with the stripping solution. Thereby, it is possible to prevent the stripping solution (for example, containing amines) remaining on the support plate 12 from corroding the substrate 11.

〔接着層形成工程〕
図1の(4)および(5)に示すように、接着層形成工程は、基板11の、積層体1においてサポートプレート12と対向する側の面に接着層13を形成する工程である。なお、接着層形成工程は、分離層形成工程および分離層周端部除去工程よりも前に行ってもよいし、後に行ってもよいし、並行して行ってもよい。
[Adhesive layer forming step]
As shown in (4) and (5) of FIG. 1, the adhesive layer forming step is a step of forming the adhesive layer 13 on the surface of the substrate 11 on the side facing the support plate 12 in the laminate 1. Note that the adhesive layer forming step may be performed before the separating layer forming step and the separating layer peripheral edge removing step, may be performed later, or may be performed in parallel.

(基板)
基板11は、サポートプレート12に支持された状態(積層体1が構成された状態)で、薄化、実装等のプロセスに供されるものである。一実施形態において、基板11はウエハであるが、本発明に係る積層体が備える基板は、ウエハに限定されず、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板を採用することができる。また、基板11における接着層13側の面には、電気回路等の電子素子の微細構造が形成されていてもよい。
(substrate)
The substrate 11 is subjected to processes such as thinning and mounting in a state where the substrate 11 is supported by the support plate 12 (a state in which the laminated body 1 is configured). In one embodiment, the substrate 11 is a wafer, but the substrate included in the laminate according to the present invention is not limited to a wafer, and any substrate such as a thin film substrate or a flexible substrate can be adopted. Further, a fine structure of an electronic element such as an electric circuit may be formed on the surface of the substrate 11 on the adhesive layer 13 side.

(接着層)
接着層13は、基板11を、サポートプレート12および分離層14に対して接着固定するものである。また、接着層13は、基板11の表面を覆って保護するものであってもよい。
(Adhesive layer)
The adhesive layer 13 adheres and fixes the substrate 11 to the support plate 12 and the separation layer 14. Further, the adhesive layer 13 may cover and protect the surface of the substrate 11.

接着層13の形成方法としては、基板11に接着剤を塗布してもよいし、接着剤が両面に塗布された接着テープを貼り付けてもよい。接着剤の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法による塗布法等が挙げられる。また、接着剤を塗布した後、加熱により乾燥させてもよい。   As a method for forming the adhesive layer 13, an adhesive may be applied to the substrate 11, or an adhesive tape having an adhesive applied on both sides may be attached. The method for applying the adhesive is not particularly limited, and examples thereof include spin coating, dipping, roller blade, doctor blade, spray, and slit nozzle methods. Moreover, after apply | coating an adhesive agent, you may dry by heating.

接着層の厚さは、貼り付けの対象となる基板11およびサポートプレート12の種類、貼り付け後の基板11に施される処理等に応じて適宜設定すればよいが、10〜150μmの範囲内であることが好ましく、15〜100μmの範囲内であることがより好ましい。   The thickness of the adhesive layer may be set as appropriate according to the types of the substrate 11 and the support plate 12 to be attached, the treatment applied to the substrate 11 after being attached, etc., but within the range of 10 to 150 μm. It is preferable that it is within a range of 15 to 100 μm.

接着剤として、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキサン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が、本発明に係る接着層13を構成する接着剤として使用可能である。以下では、本実施の形態における接着層13が含有する樹脂の組成について説明する。   As the adhesive, for example, various adhesives known in the art such as acrylic, novolak, naphthoxan, hydrocarbon, polyimide, and elastomer are used as the adhesive constituting the adhesive layer 13 according to the present invention. Is possible. Below, the composition of resin which the contact bonding layer 13 in this Embodiment contains is demonstrated.

接着層13が含有する樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、またはこれらを組み合わせたものなどが挙げられる。   The resin contained in the adhesive layer 13 is not particularly limited as long as it has adhesiveness, and examples thereof include hydrocarbon resins, acrylic-styrene resins, maleimide resins, elastomer resins, and combinations thereof. It is done.

(炭化水素樹脂)
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー(以下、「樹脂(A)」ということがある)、ならびに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂(以下、「樹脂(B)」ということがある)等が挙げられるが、これに限定されない。
(Hydrocarbon resin)
The hydrocarbon resin is a resin that has a hydrocarbon skeleton and is obtained by polymerizing a monomer composition. As the hydrocarbon resin, a cycloolefin polymer (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”), and at least one resin selected from the group consisting of a terpene resin, a rosin resin and a petroleum resin (hereinafter referred to as “the resin (A)”). Resin (B) ”), and the like, but is not limited thereto.

樹脂(A)としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環(共)重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加(共)重合させた樹脂などが挙げられる。   The resin (A) may be a resin obtained by polymerizing a monomer component containing a cycloolefin monomer. Specific examples include a ring-opening (co) polymer of a monomer component containing a cycloolefin monomer, and a resin obtained by addition (co) polymerization of a monomer component containing a cycloolefin monomer.

樹脂(A)を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、またはこれら多環体のアルキル(メチル、エチル、プロピル、ブチルなど)置換体、アルケニル(ビニルなど)置換体、アルキリデン(エチリデンなど)置換体、アリール(フェニル、トリル、ナフチルなど)置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、またはこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。   Examples of the cycloolefin monomer contained in the monomer component constituting the resin (A) include bicyclic compounds such as norbornene and norbornadiene, tricyclic compounds such as dicyclopentadiene and dihydroxypentadiene, and tetracyclododecene. Tetracycles, pentacycles such as cyclopentadiene trimer, heptacycles such as tetracyclopentadiene, or alkyl (methyl, ethyl, propyl, butyl, etc.) substituted or alkenyl (vinyl, etc.) Examples include substituted, alkylidene (such as ethylidene) substituted, aryl (such as phenyl, tolyl, naphthyl) substituted, and the like. Among these, norbornene-based monomers selected from the group consisting of norbornene, tetracyclododecene, and alkyl-substituted products thereof are preferable.

樹脂(A)を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブテン、1−ヘキセン、α−オレフィンなどが挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。   The monomer component constituting the resin (A) may contain another monomer copolymerizable with the above-described cycloolefin-based monomer, and preferably contains, for example, an alkene monomer. Examples of the alkene monomer include ethylene, propylene, 1-butene, isobutene, 1-hexene, and α-olefin. The alkene monomer may be linear or branched.

また、樹脂(A)を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性(低い熱分解、熱重量減少性)の観点から好ましい。樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、5モル%以上であることが好ましく、10モル%以上であることがより好ましく、20モル%以上であることがさらに好ましい。また、樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性および溶液での経時安定性の観点からは80モル%以下であることが好ましく、70モル%以下であることがより好ましい。   Moreover, it is preferable from a viewpoint of high heat resistance (low thermal decomposition and thermal weight reduction property) to contain a cycloolefin monomer as a monomer component which comprises resin (A). The ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, and further preferably 20 mol% or more. preferable. Further, the ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is not particularly limited, but is preferably 80 mol% or less from the viewpoint of solubility and stability over time in a solution, More preferably, it is 70 mol% or less.

また、樹脂(A)を構成する単量体成分として、直鎖状または分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性および柔軟性の観点からは10〜90モル%であることが好ましく、20〜85モル%であることがより好ましく、30〜80モル%であることがさらに好ましい。   Moreover, you may contain a linear or branched alkene monomer as a monomer component which comprises resin (A). The ratio of the alkene monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol% from the viewpoint of solubility and flexibility. 30 to 80 mol% is more preferable.

なお、樹脂(A)は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制するうえで好ましい。   The resin (A) is a resin having no polar group, such as a resin obtained by polymerizing a monomer component composed of a cycloolefin monomer and an alkene monomer, at high temperatures. It is preferable for suppressing generation of gas.

単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。   The polymerization method and polymerization conditions for polymerizing the monomer components are not particularly limited, and may be set as appropriate according to conventional methods.

樹脂(A)として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「TOPAS」、三井化学株式会社製の「APEL」、日本ゼオン株式会社製の「ZEONOR」および「ZEONEX」、JSR株式会社製の「ARTON」などが挙げられる。   Examples of commercially available products that can be used as the resin (A) include “TOPAS” manufactured by Polyplastics Co., Ltd., “APEL” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., “ZEONOR” and “ZEONEX” manufactured by Zeon Corporation. And “ARTON” manufactured by JSR Corporation.

樹脂(A)のガラス転移点(Tg)は、60℃以上であることが好ましく、70℃以上であることが特に好ましい。樹脂(A)のガラス転移点が60℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着層の軟化をさらに抑制することができる。   The glass transition point (Tg) of the resin (A) is preferably 60 ° C. or higher, and particularly preferably 70 ° C. or higher. When the glass transition point of the resin (A) is 60 ° C. or higher, softening of the adhesive layer can be further suppressed when the laminate is exposed to a high temperature environment.

樹脂(B)は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族または芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。   The resin (B) is at least one resin selected from the group consisting of terpene resins, rosin resins and petroleum resins. Specifically, examples of the terpene resin include terpene resins, terpene phenol resins, modified terpene resins, hydrogenated terpene resins, hydrogenated terpene phenol resins, and the like. Examples of the rosin resin include rosin, rosin ester, hydrogenated rosin, hydrogenated rosin ester, polymerized rosin, polymerized rosin ester, and modified rosin. Examples of petroleum resins include aliphatic or aromatic petroleum resins, hydrogenated petroleum resins, modified petroleum resins, alicyclic petroleum resins, coumarone-indene petroleum resins, and the like. Among these, hydrogenated terpene resins and hydrogenated petroleum resins are more preferable.

樹脂(B)の軟化点は特に限定されないが、80〜160℃であることが好ましい。樹脂(B)の軟化点が80℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。一方、樹脂(B)の軟化点が160℃以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。   Although the softening point of resin (B) is not specifically limited, It is preferable that it is 80-160 degreeC. When the softening point of the resin (B) is 80 ° C. or higher, the laminate can be suppressed from being softened when exposed to a high temperature environment, and adhesion failure does not occur. On the other hand, when the softening point of the resin (B) is 160 ° C. or less, the peeling rate when peeling the laminate is good.

樹脂(B)の分子量は特に限定されないが、300〜3000であることが好ましい。樹脂(B)の分子量が300以上であると、耐熱性が充分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂(B)の分子量が3000以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。なお、本実施形態における樹脂(B)の分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。   Although the molecular weight of resin (B) is not specifically limited, It is preferable that it is 300-3000. When the molecular weight of the resin (B) is 300 or more, the heat resistance is sufficient, and the degassing amount is reduced under a high temperature environment. On the other hand, when the molecular weight of the resin (B) is 3000 or less, the peeling rate when peeling the laminate is good. In addition, the molecular weight of resin (B) in this embodiment means the molecular weight of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography (GPC).

なお、樹脂として、樹脂(A)と樹脂(B)とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性および剥離速度が良好なものとなる。例えば、樹脂(A)と樹脂(B)との混合割合としては、(A):(B)=80:20〜55:45(質量比)であることが、剥離速度、高温環境時の熱耐性、および柔軟性に優れるので好ましい。   In addition, you may use what mixed resin (A) and resin (B) as resin. By mixing, heat resistance and peeling speed are improved. For example, the mixing ratio of the resin (A) and the resin (B) is (A) :( B) = 80: 20 to 55:45 (mass ratio). It is preferable because of excellent resistance and flexibility.

(アクリル−スチレン系樹脂)
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレンまたはスチレンの誘導体と、(メタ)アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
(Acrylic-styrene resin)
Examples of the acryl-styrene resin include a resin obtained by polymerization using styrene or a styrene derivative and (meth) acrylic acid ester as monomers.

(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステル、芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数15〜20のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数1〜14のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がn−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基、n−エイコシル基等であるアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐状であってもよい。   Examples of the (meth) acrylic acid ester include a (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure, a (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring, and a (meth) acrylic acid ester having an aromatic ring. . Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure include an acrylic long-chain alkyl ester having an alkyl group having 15 to 20 carbon atoms and an acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms. . As acrylic long-chain alkyl esters, acrylic or methacrylic acid whose alkyl group is n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-eicosyl group, etc. Examples include alkyl esters. The alkyl group may be branched.

炭素数1〜14のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。   Examples of the acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms include known acrylic alkyl esters used in existing acrylic adhesives. For example, an alkyl group of acrylic acid or methacrylic acid whose alkyl group is a methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, 2-ethylhexyl group, isooctyl group, isononyl group, isodecyl group, dodecyl group, lauryl group, tridecyl group, etc. Examples include esters.

脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、シクロペンチル(メタ)アクリレート、1−アダマンチル(メタ)アクリレート、ノルボルニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、テトラシクロドデカニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレートがより好ましい。   Examples of (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring include cyclohexyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate, norbornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and tricyclodecanyl. (Meth) acrylate, tetracyclododecanyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate and the like can be mentioned, and isobornyl methacrylate and dicyclopentanyl (meth) acrylate are more preferable.

芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数1〜5の鎖状または分岐状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。   The (meth) acrylic acid ester having an aromatic ring is not particularly limited. Examples of the aromatic ring include a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group, a xylyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. A phenoxymethyl group, a phenoxyethyl group, and the like. The aromatic ring may have a chain or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specifically, phenoxyethyl acrylate is preferable.

(マレイミド系樹脂)
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、N−メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−n−プロピルマレイミド、N−イソプロピルマレイミド、N−n−ブチルマレイミド、N−イソブチルマレイミド、N−sec−ブチルマレイミド、N−tert−ブチルマレイミド、N−n−ペンチルマレイミド、N−n−ヘキシルマレイミド、N−n−へプチルマレイミド、N−n−オクチルマレイミド、N−ラウリルマレイミド、N−ステアリルマレイミドなどのアルキル基を有するマレイミド、N−シクロプロピルマレイミド、N−シクロブチルマレイミド、N−シクロペンチルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−シクロヘプチルマレイミド、N−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、N−フェニルマレイミド、N−m−メチルフェニルマレイミド、N−o−メチルフェニルマレイミド、N−p−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
(Maleimide resin)
Examples of maleimide resins include N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, Nn-propylmaleimide, N-isopropylmaleimide, Nn-butylmaleimide, N-isobutylmaleimide, N-sec as monomers. -Butylmaleimide, N-tert-butylmaleimide, Nn-pentylmaleimide, Nn-hexylmaleimide, Nn-heptylmaleimide, Nn-octylmaleimide, N-laurylmaleimide, N-stearylmaleimide, etc. Males having an aliphatic hydrocarbon group such as maleimide having an alkyl group, N-cyclopropylmaleimide, N-cyclobutylmaleimide, N-cyclopentylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-cycloheptylmaleimide, N-cyclooctylmaleimide Resin obtained by polymerizing aromatic maleimide having an aryl group such as imide, N-phenylmaleimide, Nm-methylphenylmaleimide, N-o-methylphenylmaleimide, Np-methylphenylmaleimide, etc. It is done.

例えば、下記化学式(8)で表される繰り返し単位および下記化学式(9)で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。   For example, a cycloolefin copolymer, which is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (8) and a repeating unit represented by the following chemical formula (9), can be used as the adhesive component resin.

Figure 2014187327
Figure 2014187327

(化学式(9)中、nは0または1〜3の整数である。)
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、APL 8008T、APL 8009T、およびAPL 6013T(全て三井化学株式会社製)などを使用することができる。
(In the chemical formula (9), n is 0 or an integer of 1 to 3)
As such cycloolefin copolymer, APL 8008T, APL 8009T, APL 6013T (all manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) and the like can be used.

(エラストマー)
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数1〜5のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲であることが好ましい。
(Elastomer)
The elastomer preferably contains a styrene unit as a constituent unit of the main chain, and the “styrene unit” may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an acetoxy group, and a carboxyl group. Further, the content of the styrene unit is more preferably in the range of 14 wt% or more and 50 wt% or less. Furthermore, the elastomer preferably has a weight average molecular weight in the range of 10,000 to 200,000.

スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲であり、エラストマーの重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易且つ迅速に接着層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤(例えばPGMEA、PGME等)、酸(フッ化水素酸等)、アルカリ(TMAH等)に対して優れた耐性を発揮する。   If the content of the styrene unit is in the range of 14% by weight or more and 50% by weight or less and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 or more and 200,000 or less, it is easy for a hydrocarbon solvent described later. Therefore, the adhesive layer can be removed more easily and quickly. Further, since the content of the styrene unit and the weight average molecular weight are in the above ranges, a resist solvent (eg, PGMEA, PGME, etc.), acid (hydrofluoric acid) exposed when the wafer is subjected to a resist lithography process. Etc.) and excellent resistance to alkali (TMAH etc.).

なお、エラストマーには、上述した(メタ)アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。   In addition, you may further mix the (meth) acrylic acid ester mentioned above with the elastomer.

また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは17重量%以上であり、また、より好ましくは40重量%以下である。   Further, the content of styrene units is more preferably 17% by weight or more, and more preferably 40% by weight or less.

重量平均分子量のより好ましい範囲は20,000以上であり、また、より好ましい範囲は150,000以下である。   A more preferable range of the weight average molecular weight is 20,000 or more, and a more preferable range is 150,000 or less.

エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲であり、エラストマーの重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ(エチレン/プロピレン)ブロックコポリマー(SEP)、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー(SIS)、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー(SBS)、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(SBBS)、エチレン−プロピレンターポリマー(EPT)、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(SEBS)、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー)(SEPS)、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(SEEPS)、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(SeptonV9461(株式会社クラレ製))、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、SeptonV9827(株式会社クラレ製))等であって、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲であるものを用いることができる。   As the elastomer, various elastomers are used as long as the content of styrene units is in the range of 14% by weight to 50% by weight and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 to 200,000. be able to. For example, polystyrene-poly (ethylene / propylene) block copolymer (SEP), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene-styrene block copolymer (SBBS). , Ethylene-propylene terpolymer (EPT) and hydrogenated products thereof, styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (styrene-isoprene-styrene block copolymer) ( SEPS), styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (SEEPS), styrene-ethylene- in which the styrene block is reactively crosslinked Tylene-propylene-styrene block copolymer (Septon V9461 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.)), a styrene block having a reactive crosslinking type styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (Septon V9827 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.) )) And the like, and the content of the styrene unit and the weight average molecular weight are in the above-mentioned range.

また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。   Of the elastomers, hydrogenated products are more preferable. If it is a hydrogenated product, the stability to heat is improved, and degradation such as decomposition and polymerization hardly occurs. Moreover, it is more preferable from the viewpoint of solubility in hydrocarbon solvents and resistance to resist solvents.

また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。   Further, among elastomers, those having both ends of a styrene block polymer are more preferable. This is because styrene having high thermal stability is blocked at both ends, thereby exhibiting higher heat resistance.

より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。   More specifically, the elastomer is more preferably a hydrogenated product of a block copolymer of styrene and conjugated diene. Stability against heat is improved, and degradation such as decomposition and polymerization hardly occurs. Moreover, higher heat resistance is exhibited by blocking styrene having high thermal stability at both ends. Furthermore, it is more preferable from the viewpoint of solubility in hydrocarbon solvents and resistance to resist solvents.

本発明に係る接着剤組成物に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン(商品名)」、株式会社クラレ製「ハイブラー(商品名)」、旭化成株式会社製「タフテック(商品名)」、JSR株式会社製「ダイナロン(商品名)」等が挙げられる。   As a commercial item which can be used as an elastomer contained in the adhesive composition according to the present invention, for example, “Septon (trade name)” manufactured by Kuraray Co., Ltd., “Hibler (trade name)” manufactured by Kuraray Co., Ltd., Asahi Kasei Corporation “Tuff Tech (trade name)” manufactured by JSR Corporation, “Dynalon (trade name)” manufactured by JSR Corporation, and the like can be mentioned.

本発明に係る接着剤組成物に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を100重量部として、50重量部以上、99重量部以下が好ましく、60重量部以上、99重量部以下がより好ましく、70重量部以上、95重量部以下が最も好ましい。これらの範囲にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。   The content of the elastomer contained in the adhesive composition according to the present invention is, for example, preferably 50 parts by weight or more and 99 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total amount of the adhesive composition, and 60 parts by weight or more and 99 parts by weight. Part or less is more preferable, and 70 parts by weight or more and 95 parts by weight or less is most preferable. By setting it as these ranges, a wafer and a support body can be bonded together suitably, maintaining heat resistance.

また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、本発明に係る接着剤組成物は複数の種類のエラストマーを含んでもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲である、又は、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲であれば、本発明の範疇である。また、本発明に係る接着剤組成物において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が30重量%である株式会社クラレ製のセプトン(商品名)のSepton4033と、スチレン単位の含有量が13重量%であるセプトン(商品名)のSepton2063とを重量比1対1で混合すると接着剤組成物に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は21〜22重量%となり、従って14重量%以上となる。また、例えば、スチレン単位が10重量%のものと60重量%のものとを1対1で混合すると35重量%となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、本発明に係る接着剤組成物に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲でスチレン単位を含み、且つ、上記の範囲の重量平均分子量であることが最も好ましい。   A plurality of types of elastomers may be mixed. That is, the adhesive composition according to the present invention may include a plurality of types of elastomers. It is sufficient that at least one of the plurality of types of elastomers includes a styrene unit as a constituent unit of the main chain. Further, at least one of the plurality of types of elastomers has a styrene unit content in the range of 14 wt% or more and 50 wt% or less, or a weight average molecular weight in the range of 10,000 or more and 200,000 or less. If so, it is within the scope of the present invention. Moreover, in the adhesive composition which concerns on this invention, when several types of elastomer is included, as a result of mixing, you may adjust so that content of a styrene unit may become said range. For example, Septon 4033 of Septon (trade name) manufactured by Kuraray Co., Ltd. having a styrene unit content of 30% by weight and Septon 2063 of Septon (trade name) having a styrene unit content of 13% by weight is 1 weight ratio. When mixed on a one-to-one basis, the styrene content with respect to the total elastomer contained in the adhesive composition is 21 to 22% by weight, and therefore 14% by weight or more. For example, when a styrene unit of 10% by weight and 60% by weight are mixed on a one-to-one basis, the result is 35% by weight, which is within the above range. The present invention may be in such a form. Moreover, it is most preferable that the plurality of types of elastomers contained in the adhesive composition according to the present invention all contain styrene units in the above range and have a weight average molecular weight in the above range.

なお、光硬化性樹脂(例えば、UV硬化性樹脂)以外の樹脂を用いて接着層13を形成することが好ましい。これは、光硬化性樹脂が、接着層13の剥離または除去の後に、基板11の微小な凹凸の周辺に残渣として残ってしまう場合があり得るからである。特に、特定の溶剤に溶解する接着剤が接着層13を構成する材料として好ましい。これは、基板11に物理的な力を加えることなく、接着層13を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層13の除去に際して、強度が低下した基板11からでさえ、基板11を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層13を除去することができる。   Note that the adhesive layer 13 is preferably formed using a resin other than a photocurable resin (for example, a UV curable resin). This is because the photocurable resin may remain as a residue around the minute irregularities of the substrate 11 after the adhesive layer 13 is peeled or removed. In particular, an adhesive that dissolves in a specific solvent is preferable as a material constituting the adhesive layer 13. This is because the adhesive layer 13 can be removed by dissolving it in a solvent without applying physical force to the substrate 11. Even when the adhesive layer 13 is removed, the adhesive layer 13 can be easily removed without damaging or deforming the substrate 11 even from the substrate 11 having a reduced strength.

(希釈溶剤)
分離層、接着層を形成するときの希釈溶剤として、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数4から15の分岐状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、ジフェニルメンタン、1,4−テルピン、1,8−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−1−オール、テルピネン−4−オール、ジヒドロターピニルアセテート、1,4−シネオール、1,8−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、d−リモネン、l−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤;γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン(CH)、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体(これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい);ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
(Diluted solvent)
As a diluting solvent for forming the separation layer and the adhesive layer, for example, hexane, heptane, octane, nonane, methyloctane, decane, undecane, dodecane, tridecane, etc., straight chain hydrocarbons, C 4-15 branch Hydrocarbons such as cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, naphthalene, decahydronaphthalene, tetrahydronaphthalene and the like, p-menthane, o-menthane, m-menthane, diphenylmenthane, 1,4-terpine, 1,8-terpine, bornin, norbornane, pinan, tujang, karan, longifolene, geraniol, nerol, linalool, citral, citronellol, menthol, isomenthol, neomenthol, α-terpineol, β-terpineol, γ-terpineol, te Pinen-1-ol, terpinen-4-ol, dihydroterpinyl acetate, 1,4-cineole, 1,8-cineole, borneol, carvone, yonon, thuyon, camphor, d-limonene, l-limonene, dipentene, etc. A terpene-based solvent; lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone (CH), methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, 2-heptanone; ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, Polyhydric alcohols such as dipropylene glycol; ester bonds such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate A compound having an ether bond, a monoalkyl ether such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether, or a monophenyl ether of a compound having an ester bond, or a compound having an ether bond. Derivatives of polyhydric alcohols (in these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are preferred); cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate (EL), Esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methoxybutyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate; Jill ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, can be mentioned dibenzyl ether, phenetole, the aromatic organic solvent such as butyl phenyl ether.

(その他の成分)
接着層を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤および界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
(Other ingredients)
The adhesive constituting the adhesive layer may further contain other miscible materials as long as the essential properties are not impaired. For example, various conventional additives such as additional resins, plasticizers, adhesion aids, stabilizers, colorants, thermal polymerization inhibitors and surfactants for improving the performance of the adhesive may be further used. it can.

〔接着層周端部除去工程〕
図1の(6)に示すように、接着層周端部除去工程は、接着層形成工程において基板11の片面上に接着層13を形成した後、接着層13の基板11上における周端部を除去する工程である。これにより、後の積層体形成工程において、基板11とサポートプレート12とを貼り合わせたときに、接着層13が、積層体1からはみ出してしまうことを好適に抑制することができる。
[Adhesive layer peripheral edge removal step]
As shown in FIG. 1 (6), in the adhesive layer peripheral edge removing step, the adhesive layer 13 is formed on one surface of the substrate 11 in the adhesive layer forming step, and then the peripheral edge portion of the adhesive layer 13 on the substrate 11 is formed. This is a step of removing. Thereby, when the board | substrate 11 and the support plate 12 are bonded together in a later laminated body formation process, it can suppress suitably that the contact bonding layer 13 protrudes from the laminated body 1. FIG.

一例において、接着層13の膜厚を例えば50μmとした場合、基板の周端から2mm以下、好ましくは0.5mm以上、0.8mm以下の範囲の幅で、接着層13の基板11上における周端部を除去することが好ましい。これにより、積層体形成工程において、接着層13が、積層体1からはみ出すことを好適に抑制することができる。   In one example, when the film thickness of the adhesive layer 13 is 50 μm, for example, the circumference of the adhesive layer 13 on the substrate 11 is 2 mm or less, preferably 0.5 mm or more and 0.8 mm or less from the peripheral edge of the substrate. It is preferable to remove the ends. Thereby, it can suppress suitably that the contact bonding layer 13 protrudes from the laminated body 1 in a laminated body formation process.

基板11上における周端部に形成された接着層13を除去する方法としては、公知の方法を用いればよく、特に限定されないが、例えば、接着層13の周端部に対して溶解液をスプレーしてもよいし、ディスペンスノズルを用いて分離層14の周端部に溶解液を供給してもよい。また、溶解液のスプレー、供給等は、基板11を回転させながら行ってもよい。   As a method for removing the adhesive layer 13 formed on the peripheral edge portion on the substrate 11, a known method may be used, and is not particularly limited. For example, a solution is sprayed on the peripheral edge portion of the adhesive layer 13. Alternatively, the solution may be supplied to the peripheral end portion of the separation layer 14 using a dispensing nozzle. Further, spraying, supplying, etc. of the solution may be performed while rotating the substrate 11.

なお、接着層13の溶解液は、接着剤の種類に応じて適宜選択すればよく、特に限定されないが、例えば、上述した希釈溶剤として使用される溶剤を用いることができ、特に、直鎖状の炭化水素、炭素数4から15の分岐状の炭化水素、モノテルペン類、ジテルペン類等の環状の炭化水素(テルペン類)を好適に使用することができる。   The solution for the adhesive layer 13 may be appropriately selected according to the type of adhesive, and is not particularly limited. For example, the solvent used as the above-described dilution solvent can be used. And cyclic hydrocarbons (terpenes) such as branched hydrocarbons having 4 to 15 carbon atoms, monoterpenes and diterpenes can be preferably used.

〔積層体形成工程〕
図1の(7)に示すように、積層体形成工程は、基板11と、その内周部に分離層14が形成されたサポートプレート12とを、接着層13を介して貼り合わせることにより、基板11、接着層13、分離層14およびサポートプレート12がこの順に積層してなる積層体1を形成する工程である。積層体形成工程では、サポートプレート12上における分離層14の表面、特に、分離層14の、サポートプレート12上における外周部が接着層13によって覆われるように貼り合わせを行う。なお、サポートプレート12上における分離層14の表面とは、分離層14の表面のうち、サポートプレート12に覆われている領域を除いた部分を指す。
[Laminated body formation process]
As shown in FIG. 1 (7), in the laminated body forming step, the substrate 11 and the support plate 12 having the separation layer 14 formed on the inner periphery thereof are bonded together via the adhesive layer 13. This is a step of forming a laminate 1 in which the substrate 11, the adhesive layer 13, the separation layer 14, and the support plate 12 are laminated in this order. In the laminated body forming step, bonding is performed so that the surface of the separation layer 14 on the support plate 12, particularly the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12 is covered with the adhesive layer 13. The surface of the separation layer 14 on the support plate 12 refers to a portion of the surface of the separation layer 14 excluding the area covered with the support plate 12.

基板11とサポートプレート12とを貼り合わせる方法は特に限定されないが、例えば、基板11の接着層13が形成された面と、サポートプレート12の分離層14が形成された面とを互いに押し付けてもよい。一例において、減圧環境下にて、加熱された一対のプレート部材によって、接着層13と分離層14とが向き合うように重ねられた基板11とサポートプレート12とを挟み込んでもよい。   A method for attaching the substrate 11 and the support plate 12 is not particularly limited. For example, even if the surface of the substrate 11 on which the adhesive layer 13 is formed and the surface of the support plate 12 on which the separation layer 14 is formed are pressed against each other. Good. In one example, the substrate 11 and the support plate 12 that are stacked so that the adhesive layer 13 and the separation layer 14 face each other may be sandwiched by a pair of heated plate members in a reduced pressure environment.

このとき、分離層周端部除去工程において、分離層14が接着層13よりも小さくなるように予め調整しておき、分離層14が接着層13の内周部に対向している状態で、基板11とサポートプレート12とを互いに押し付けることで、容易に、接着層13によってサポートプレート12上における分離層14の表面を覆うことができる。   At this time, in the separation layer peripheral edge removing step, the separation layer 14 is adjusted in advance so as to be smaller than the adhesive layer 13, and the separation layer 14 is opposed to the inner peripheral portion of the adhesive layer 13, By pressing the substrate 11 and the support plate 12 together, the surface of the separation layer 14 on the support plate 12 can be easily covered with the adhesive layer 13.

以上により、積層体形成工程において、図4に示すような、基板11、接着層13、分離層14およびサポートプレート12がこの順に積層してなり、接着層13によってサポートプレート12上における分離層14の表面が覆われている積層体(基板の暫定支持用積層体)1を形成することができる。   As described above, in the laminated body forming step, the substrate 11, the adhesive layer 13, the separation layer 14 and the support plate 12 are laminated in this order as shown in FIG. 4, and the separation layer 14 on the support plate 12 is formed by the adhesive layer 13. A laminate (a temporary support laminate) can be formed.

そして、積層体1において、サポートプレート12上における分離層14の表面、特に、分離層14の、サポートプレート12上における外周部が接着層13によって覆われていることにより、積層体1を用いてサポートプレート12に仮止めされた基板11に対して、所望の処理を行ったときに、分離層14を変質させるような薬品を用いたとしても、分離層14は接着層13によって保護されているため、分離層14が変質してサポートプレート12から剥がれてしまうことを防ぐことができる。これにより、処理の途中で分離層14が剥がれることに起因するウエハへのクラックや割れ、および凹凸の発生を防止することができる。   In the laminate 1, the surface of the separation layer 14 on the support plate 12, in particular, the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12 is covered with the adhesive layer 13. Even if a chemical that alters the separation layer 14 when a desired treatment is performed on the substrate 11 temporarily fixed to the support plate 12, the separation layer 14 is protected by the adhesive layer 13. Therefore, it is possible to prevent the separation layer 14 from being altered and peeled off from the support plate 12. Thereby, the generation | occurrence | production of the crack and crack to a wafer resulting from the separation layer 14 peeling in the middle of a process, and an unevenness | corrugation can be prevented.

なお、上述したように、積層体1において、分離層14のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13の幅は、300μm以上、2000μm以下、より好適には300μm以上、500μm以下であることが好ましい。分離層14のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13の幅が300μm以上であることによって、分離層14を好適に保護することができる。また、当該幅が2000μm以下であることによって、後の分離工程において除去すべき、サポートプレート12上における外周部を覆う接着層13の量が少なくなるため、後の分離工程を迅速に行うことができる。   As described above, in the laminate 1, the width of the adhesive layer 13 that covers the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12 is 300 μm or more and 2000 μm or less, more preferably 300 μm or more and 500 μm or less. Is preferred. When the width of the adhesive layer 13 that covers the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12 is 300 μm or more, the separation layer 14 can be suitably protected. Moreover, since the said width | variety is 2000 micrometers or less, since the quantity of the contact bonding layer 13 which covers the outer peripheral part on the support plate 12 which should be removed in a subsequent separation process decreases, a subsequent separation process can be performed rapidly. it can.

〔分離工程〕
積層体1(の基板11)に対して、所望の処理を行った後、分離工程を行う。図2の(1)〜(4)に示すように、分離工程は、基板11を、積層体1(またはサポートプレート12)から、分離する工程である。
[Separation process]
After performing desired processing on the laminate 1 (the substrate 11 thereof), a separation step is performed. As shown in (1) to (4) of FIG. 2, the separation step is a step of separating the substrate 11 from the stacked body 1 (or the support plate 12).

実施形態1において、分離工程は、図2の(2)に示す、分離層14のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13の除去と、図2の(3)に示す、サポートプレート12を介した分離層14に対する光の照射と、を行う。   In the first embodiment, the separation step includes the removal of the adhesive layer 13 covering the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12 shown in (2) of FIG. 2, and the support plate 12 shown in (3) of FIG. The separation layer 14 is irradiated with light via.

(接着層の除去)
積層体1において、分離層14のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13は、基板11とサポートプレート12とを直接接着しているため(図4参照)、積層体1をサポートプレート12から分離するためには、図2の(2)に示すように、分離層14のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13を除去する必要がある。
(Removal of adhesive layer)
In the laminate 1, the adhesive layer 13 that covers the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12 directly bonds the substrate 11 and the support plate 12 (see FIG. 4). 2, it is necessary to remove the adhesive layer 13 covering the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12 as shown in FIG.

接着層13の除去の方法は、特に限定されず、例えば、プラズマ処理等のドライ式、またはウェット式の公知の手法を用いればよい。ウェット式の手法としては、分離層14のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13に対して、上述した接着層13を溶解させる溶解液をスプレーしてもよいし、ディスペンスノズルを用いて溶解液を供給してもよいし、積層体1を溶解液に浸漬してもよい。なお、溶解液のスプレー、供給等は、基板11を回転させながら行ってもよい。   The method for removing the adhesive layer 13 is not particularly limited. For example, a known dry or wet method such as plasma treatment may be used. As a wet type method, a solution for dissolving the above-described adhesive layer 13 may be sprayed on the adhesive layer 13 covering the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12, or a dispensing nozzle may be used. A solution may be supplied, or the laminate 1 may be immersed in the solution. Note that spraying, supplying, etc. of the solution may be performed while rotating the substrate 11.

なお、積層体1を溶解液に浸漬する場合、浸漬中に基板11がサポートプレート12から分離されないことが好ましい。そのため、分離層14のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13の除去の後に、サポートプレート12を介した分離層14に対する光の照射を行うことが好ましい。光を照射する前であれば、基板11とサポートプレート12とが分離層14および接着層13を介して接着されているからである。   In addition, when the laminated body 1 is immersed in a solution, it is preferable that the substrate 11 is not separated from the support plate 12 during the immersion. Therefore, it is preferable to irradiate the separation layer 14 with light through the support plate 12 after the removal of the adhesive layer 13 covering the outer peripheral portion of the separation layer 14 on the support plate 12. This is because the substrate 11 and the support plate 12 are bonded via the separation layer 14 and the adhesive layer 13 before the light irradiation.

(光の照射)
積層体1において、基板11とサポートプレート12とが、接着層13および分離層14を介して接着されている部分については、図2の(3)に示すように、サポートプレート12を介して分離層14に光を照射することによって、分離層14を変質させて分離することができる。
(Light irradiation)
In the laminate 1, the portion where the substrate 11 and the support plate 12 are bonded via the adhesive layer 13 and the separation layer 14 is separated via the support plate 12 as shown in FIG. By irradiating the layer 14 with light, the separation layer 14 can be altered and separated.

すなわち、分離層14は、光の照射によって変質し、わずかな力を加える(例えば、サポートプレート12を持ち上げるなど)ことによって、分離層14が破壊されるようになっている。そのため、上述した接着層の除去および光の照射の両方を行うことによって、サポートプレート12と基板11とを容易に分離することができる。   That is, the separation layer 14 is altered by light irradiation, and the separation layer 14 is destroyed by applying a slight force (for example, lifting the support plate 12). Therefore, the support plate 12 and the substrate 11 can be easily separated by performing both the removal of the adhesive layer and the light irradiation described above.

なお、照射する光の波長は、上述したように、分離層14の種類によって適宜選択すればよい。また、光の照射方法は特に限定されないが、分離層14全体に亘って光を照射することが好ましく、例えば、分離層14全体に亘ってレーザ光を走査してもよい。   In addition, what is necessary is just to select suitably the wavelength of the light to irradiate with the kind of separation layer 14, as mentioned above. In addition, although the light irradiation method is not particularly limited, it is preferable to irradiate light over the entire separation layer 14. For example, laser light may be scanned over the entire separation layer 14.

〔洗浄工程〕
図2の(5)に示すように、分離工程の後、サポートプレート12から分離された基板11を、洗浄してもよい。例えば、上述した溶解液等を用いて、基板11上に残留した接着層13および分離層14が除去されるように洗浄してもよい。洗浄方法は、特に限定されず、公知の洗浄方法を用いればよい。
[Washing process]
As shown in FIG. 2 (5), the substrate 11 separated from the support plate 12 may be cleaned after the separation step. For example, you may wash | clean so that the contact bonding layer 13 and the separation layer 14 which remain | survived on the board | substrate 11 may be removed using the solution etc. which were mentioned above. The cleaning method is not particularly limited, and a known cleaning method may be used.

<変形例>
なお、分離層形成工程において、分離層を目的の大きさに形成することができれば、分離層周端部除去工程は、省略することができる。同様に、接着層形成工程において、接着層を目的の大きさに形成することができれば、接着層周端部除去工程は、省略することができる。
<Modification>
In the separation layer forming step, if the separation layer can be formed to a desired size, the separation layer peripheral edge removing step can be omitted. Similarly, in the adhesive layer forming step, if the adhesive layer can be formed to a desired size, the adhesive layer peripheral edge removing step can be omitted.

また、積層体1において、分離層14のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13の幅がわずかである場合には、分離工程における接着剤の除去を省略してもよい。この場合においても、光の照射によって分離層14を変質させた後、わずかな引っ張り力を加えることでサポートプレート12と基板11とを分離することができる。   Moreover, in the laminated body 1, when the width | variety of the contact bonding layer 13 which covers the outer peripheral part on the support plate 12 of the isolation | separation layer 14 is slight, you may abbreviate | omit the removal of the adhesive agent in a isolation | separation process. Even in this case, the support plate 12 and the substrate 11 can be separated by applying a slight pulling force after the separation layer 14 is altered by light irradiation.

また、本発明に係る基板の処理方法は、積層体形成工程において、基板、接着層、分離層および支持体がこの順に積層してなる積層体を形成し、該接着層によって該支持体上における該分離層の表面を覆うものであればよく、実施形態1で説明した方法に限定されない。例えば、接着層を、支持体側(分離層14側)に形成した後に、支持体に基板を貼り合わせることによって積層体を形成してもよい。   Further, the substrate processing method according to the present invention includes forming a laminate in which the substrate, the adhesive layer, the separation layer, and the support are laminated in this order in the laminate forming step, and the adhesive layer forms the laminate on the support. Any method can be used as long as it covers the surface of the separation layer, and the method is not limited to the method described in the first embodiment. For example, after forming the adhesive layer on the support side (separation layer 14 side), the laminate may be formed by attaching the substrate to the support.

<実施形態2>
続いて、本発明の他の実施形態(実施形態2)について図面を参照して説明する。実施形態2では、分離層が、接着層に対して離型性を有している場合について説明する。実施形態2に係る基板の処理方法は、実施形態1と同様、分離層形成工程、分離層周端部除去工程、接着層形成工程、接着層周端部除去工程、積層体形成工程、分離工程および洗浄工程を包含している。以下、実施形態1と同様の部材については、同じ部材番号を付し、説明を省略する。また、接着層形成工程、接着層周端部除去工程および洗浄工程については、実施形態1と同様に行えばよい。
<Embodiment 2>
Next, another embodiment (Embodiment 2) of the present invention will be described with reference to the drawings. In Embodiment 2, the case where the separation layer has releasability from the adhesive layer will be described. The substrate processing method according to the second embodiment is similar to the first embodiment in the separation layer forming step, the separation layer peripheral edge removing step, the adhesive layer forming step, the adhesive layer peripheral edge removing step, the laminate forming step, and the separation step. And a washing step. Hereinafter, members similar to those of the first embodiment are denoted by the same member numbers, and description thereof is omitted. The adhesive layer forming step, the adhesive layer peripheral edge removing step, and the cleaning step may be performed in the same manner as in the first embodiment.

〔分離層形成工程〕
実施形態2において、分離層形成工程では、サポートプレート12’上に、接着層13に対する離型性を有する分離層14’を形成する。なお、本明細書において、「分離層14’が、接着層13に対する離型性を有する」とは、接着層13および分離層14’を介して基板11とサポートプレート12’とが積層されたとき、接着層13を除去せずとも、基板11およびサポートプレート12’を損傷することなく、接着層13と分離層14’との間を分離し得ることを意味する。
[Separation layer forming step]
In the second embodiment, in the separation layer forming step, a separation layer 14 ′ having releasability from the adhesive layer 13 is formed on the support plate 12 ′. In the present specification, “the separation layer 14 ′ has releasability with respect to the adhesive layer 13” means that the substrate 11 and the support plate 12 ′ are laminated via the adhesive layer 13 and the separation layer 14 ′. Sometimes, the adhesive layer 13 and the separation layer 14 ′ can be separated without damaging the substrate 11 and the support plate 12 ′ without removing the adhesive layer 13.

実施形態2において、サポートプレート12’としては、実施形態1において説明した光透過性を有するサポートプレートを使用できる他、光を透過しないサポートプレートを使用してもよい。すなわち、サポートプレート12’の材料としては、ガラス、アクリル樹脂からなるもの等に加え、例えば、シリコン等の光を透過しない物質を使用することができる。   In the second embodiment, as the support plate 12 ′, the support plate having the light transmittance described in the first embodiment can be used, or a support plate that does not transmit light may be used. That is, as the material of the support plate 12 ′, a material that does not transmit light, such as silicon, can be used in addition to a material made of glass, acrylic resin, or the like.

分離層14’の材料としては、公知の離型剤を用いることができ、例えば、これらに限定されないが、フッ素系離型剤、シリコーン系離型剤、アマイドワックス、カルナバワックス、パームワックスのような植物系ワックス、パラフィンワックス、ペトロラクタムのような石油系ワックス、ポリエチレンワックスのような合成ワックス等のワックス系型剤、およびポリビニルアルコール等が例として挙げられる。また、接着層13に対する接着性が低いものであれば、反射防止膜として使用されるフッ素系コーティング等も使用することができる。これらは溶剤中に希釈または分散して使用してもよい。   As a material of the separation layer 14 ′, a known release agent can be used, and examples thereof include, but are not limited to, a fluorine release agent, a silicone release agent, an amide wax, a carnauba wax, and a palm wax. Examples thereof include waxes such as vegetable waxes, paraffin waxes, petroleum waxes such as petrolactam, synthetic waxes such as polyethylene waxes, and polyvinyl alcohol. Moreover, if the adhesiveness with respect to the contact bonding layer 13 is low, the fluorine-type coating etc. which are used as an antireflection film can also be used. These may be used by diluting or dispersing in a solvent.

分離層14’は、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法によって、上述した材料をサポートプレート12上に塗布することにより形成することができる。また、フィルム状のポリテトラフルオロエチレン、シリコーン樹脂によってコーティングされたフィルム等の離型性フィルムを、サポートプレート12に貼付けてもよい。   The separation layer 14 ′ can be formed by applying the above-described material onto the support plate 12 by, for example, a spin coating method, a dipping method, a roller blade method, a doctor blade method, a spray method, or a slit nozzle method. In addition, a release film such as a film coated with film-like polytetrafluoroethylene or silicone resin may be attached to the support plate 12.

分離層14’の厚さは、例えば、1μm以上、10μm以下であることがより好ましく、2μm以上、5μm以下であることがさらに好ましい。   For example, the thickness of the separation layer 14 ′ is more preferably 1 μm or more and 10 μm or less, and further preferably 2 μm or more and 5 μm or less.

また、実施形態1における分離層14と同様、分離層14’は、分離層形成工程において目的の大きさに形成してもよいし、分離層形成工程の後に、分離層周端部除去工程を行って、大きさを調整するようにしてもよい。   Further, like the separation layer 14 in the first embodiment, the separation layer 14 ′ may be formed in a desired size in the separation layer forming step, or after the separation layer forming step, the separation layer peripheral edge removing step may be performed. You may adjust the size by going.

〔積層体形成工程〕
積層体形成工程において、基板11と、サポートプレート12との貼り合わせは、実施形態1と同様に行うことができる。これにより、積層体形成工程において、基板11、接着層13、分離層14’およびサポートプレート12’がこの順に積層してなり、接着層13によってサポートプレート12’上における分離層14’の表面が覆われている積層体(基板の暫定支持用積層体)1’を形成することができる。
[Laminated body formation process]
In the stacked body forming step, the substrate 11 and the support plate 12 can be bonded together as in the first embodiment. Thereby, in the laminated body forming step, the substrate 11, the adhesive layer 13, the separation layer 14 ′, and the support plate 12 ′ are laminated in this order, and the surface of the separation layer 14 ′ on the support plate 12 ′ is formed by the adhesive layer 13. A covered laminate (substrate provisional support laminate) 1 ′ can be formed.

これにより、分離層14’のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13によって、基板11とサポートプレート12とが接着され、接着層13と分離層14との間は容易に分離し得るようになっている積層体1’を形成することができる。すなわち、積層体1’では、分離層14’のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13を除去するだけで、基板11をサポートプレート12から分離することができる。また、積層体1’では、接着層13は、中央域を欠如させる必要がないため容易に形成することができる。   Thus, the substrate 11 and the support plate 12 are bonded by the adhesive layer 13 that covers the outer peripheral portion of the separation layer 14 ′ on the support plate 12, and the adhesive layer 13 and the separation layer 14 can be easily separated. A laminated body 1 'can be formed. That is, in the laminated body 1 ′, the substrate 11 can be separated from the support plate 12 simply by removing the adhesive layer 13 that covers the outer peripheral portion of the separation layer 14 ′ on the support plate 12. In the laminate 1 ′, the adhesive layer 13 can be easily formed because it is not necessary to lack the central region.

なお、積層体1’において、分離層14’のサポートプレート12上における外周部を覆う接着層13の幅は、100μm以上、2000μm以下、より好適には300μm以上、500μm以下であることが好ましい。また、当該幅が500μm以下であることによって、後の分離工程において除去すべき、サポートプレート12上における外周部を覆う接着層13の量が少なくなるため、後の分離工程を迅速に行うことができる。   In the laminate 1 ′, the width of the adhesive layer 13 that covers the outer peripheral portion of the separation layer 14 ′ on the support plate 12 is preferably 100 μm or more and 2000 μm or less, more preferably 300 μm or more and 500 μm or less. In addition, since the width is 500 μm or less, the amount of the adhesive layer 13 covering the outer peripheral portion on the support plate 12 to be removed in the subsequent separation step is reduced, so that the subsequent separation step can be performed quickly. it can.

〔分離工程〕
図3の(1)〜(3)に、実施形態2における分離工程を示す。図3の(1)および(2)に示すように、実施形態2では、分離層14’のサポートプレート12’上における外周部を覆う接着層13を除去する。接着層13を除去する方法は、実施形態1と同様の方法を使用することができる。
[Separation process]
The separation process in Embodiment 2 is shown in (1) to (3) of FIG. As shown in (1) and (2) of FIG. 3, in the second embodiment, the adhesive layer 13 covering the outer peripheral portion of the separation layer 14 ′ on the support plate 12 ′ is removed. A method similar to that of the first embodiment can be used as a method of removing the adhesive layer 13.

そして、分離層14’のサポートプレート12’上における外周部を覆う接着層13を除去すると、分離層14’はそれ自身が接着層13に対する離型性を有しているため、図3の(3)に示すように、基板11とサポートプレート12’とを、外力を加える必要なく分離することができる。   Then, when the adhesive layer 13 covering the outer peripheral portion of the separation layer 14 ′ on the support plate 12 ′ is removed, the separation layer 14 ′ itself has a releasability with respect to the adhesive layer 13, so that FIG. As shown in 3), the substrate 11 and the support plate 12 'can be separated without the need to apply an external force.

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.

〔実施例1〕
(プロセス)
流量400sccm、圧力70Pa、高周波電力2,800W及び成膜温度240℃の条件下において、反応ガスとしてCを使用したCVD法により、分離層であるフルオロカーボン膜(厚さ1μm)を支持体(12インチガラス基板、厚さ700μm)上に形成した(分離層形成工程)。
[Example 1]
(process)
Under the conditions of a flow rate of 400 sccm, a pressure of 70 Pa, a high frequency power of 2,800 W, and a film formation temperature of 240 ° C., a fluorocarbon film (thickness 1 μm) as a separation layer is supported by a CVD method using C 4 F 8 as a reaction gas. It was formed on a (12-inch glass substrate, thickness 700 μm) (separation layer forming step).

次いで、当該支持体を回転(1500rpm、40秒間)させつつ、EBRノズルによってPGME/MMA=7/3(重量比)からなる剥離液を供給(10cc/min)することによって、支持体上の周縁部の幅0.5〜1mmまでに形成されたフルオロカーボン膜を除去した(分離層周端部除去工程)。その後、スピン乾燥(1500rpm、40秒間)した。   Next, while the support is rotated (1500 rpm, 40 seconds), a stripping solution consisting of PGME / MMA = 7/3 (weight ratio) is supplied (10 cc / min) by the EBR nozzle, whereby the peripheral edge on the support The fluorocarbon membrane formed to a width of 0.5 to 1 mm was removed (separation layer peripheral edge removal step). Thereafter, spin drying (1500 rpm, 40 seconds) was performed.

次に、12インチシリコンウエハに接着剤組成物であるTZNR(登録商標)−A3007t(東京応化工業株式会社製)をスピン塗布して、100℃、160℃、200℃で各3分加熱して接着層(膜厚50μm)を形成した(接着層形成工程)。   Next, TZNR (registered trademark) -A3007t (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), which is an adhesive composition, is spin-coated on a 12-inch silicon wafer and heated at 100 ° C., 160 ° C., and 200 ° C. for 3 minutes each. An adhesive layer (film thickness 50 μm) was formed (adhesive layer forming step).

次いで、当該シリコンウエハを回転させながら、EBRノズルによってTZNR(登録商標)HCシンナー(東京応化工業株式会社製)20cc/minの供給量で供給することによって、シリコンウエハ上のエッジビード(ウエハ周縁部の接着層の盛り上がり部分)を除去した(接着層周端部除去工程)。   Next, while rotating the silicon wafer, the EBR nozzle supplies TZNR (registered trademark) HC thinner (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at a supply rate of 20 cc / min. The raised portion of the adhesive layer) was removed (adhesive layer peripheral edge removal step).

次に、真空化220℃、4,000Kgの条件で3分間、上記支持体と上記シリコンウエハとを貼り合せ、積層体を形成した(積層体形成工程)。   Next, the support and the silicon wafer were bonded to each other under a vacuum of 220 ° C. and 4,000 kg for 3 minutes to form a laminate (laminate formation step).

上記積層体に、支持体側からレーザ光の波長532nm、レーザ光の直径を180μmとして、レーザパルスにおける被照射領域同士の中心間距離を180μm、走査速度を7200mm/sとして、レーザ光の平均出力3.42W、繰り返し周波数40kHzでレーザ光照射を行った(光の照射)。   An average output 3 of the laser beam with the laser beam wavelength of 532 nm, the laser beam diameter of 180 μm, the center-to-center distance between the irradiated regions in the laser pulse of 180 μm, the scanning speed of 7200 mm / s is applied to the laminate. Laser light irradiation was performed at a repetition frequency of 40 kHz (light irradiation).

(分離評価)
上記接着剤の除去及び光の照射による分離工程後、特に力を加える必要もなく、支持体を積層体から容易に分離することができた。
(Separation evaluation)
After the separation step by removing the adhesive and irradiating with light, it was not necessary to apply any force, and the support could be easily separated from the laminate.

〔実施例2〕
(プロセス)
流量400sccm、圧力70Pa、高周波電力2,800W及び成膜温度240℃の条件下において、反応ガスとしてCを使用したCVD法により、分離層であるフルオロカーボン膜(厚さ1μm)を支持体(12インチガラス基板、厚さ700μm)上に形成した(分離層形成工程)。
[Example 2]
(process)
Under the conditions of a flow rate of 400 sccm, a pressure of 70 Pa, a high frequency power of 2,800 W, and a film formation temperature of 240 ° C., a fluorocarbon film (thickness 1 μm) as a separation layer is supported by a CVD method using C 4 F 8 as a reaction gas. It was formed on a (12-inch glass substrate, thickness 700 μm) (separation layer forming step).

次いで、当該支持体を回転(1500rpm、40秒間)させつつ、EBRノズルによってPGME/MMA=7/3(重量比)からなる剥離液を供給(10cc/min)することによって、支持体上の周縁部の幅0.5〜1mmまでに形成されたフルオロカーボン膜を除去した(分離層周端部除去工程)。その後、スピン乾燥(1500rpm、40秒間)した。   Next, while the support is rotated (1500 rpm, 40 seconds), a stripping solution consisting of PGME / MMA = 7/3 (weight ratio) is supplied (10 cc / min) by the EBR nozzle, whereby the peripheral edge on the support The fluorocarbon membrane formed to a width of 0.5 to 1 mm was removed (separation layer peripheral edge removal step). Thereafter, spin drying (1500 rpm, 40 seconds) was performed.

次に、12インチシリコンウエハに接着剤組成物であるTZNR(登録商標)−A3007t(東京応化工業株式会社製)をスピン塗布して、100℃、160℃、200℃で各3分加熱して接着層(膜厚50μm)を形成した(接着層形成工程)。   Next, TZNR (registered trademark) -A3007t (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), which is an adhesive composition, is spin-coated on a 12-inch silicon wafer and heated at 100 ° C., 160 ° C., and 200 ° C. for 3 minutes each. An adhesive layer (film thickness 50 μm) was formed (adhesive layer forming step).

次いで、当該シリコンウエハを回転させながら、EBRノズルによってTZNR(登録商標)HCシンナー(東京応化工業株式会社製)を20cc/minの供給量で供給することによって、シリコンウエハ上のエッジビード(ウエハ周縁部の接着層の盛り上がり部分)を除去した(接着層周端部除去工程)。   Next, while rotating the silicon wafer, by supplying TZNR (registered trademark) HC thinner (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at a supply rate of 20 cc / min by the EBR nozzle, an edge bead on the silicon wafer (wafer peripheral portion) (Swelled part of the adhesive layer) was removed (adhesive layer peripheral edge removing step).

次に、真空化220℃、4,000Kgの条件で3分間、上記支持体と上記シリコンウエハとを貼り合せ、積層体を形成した(積層体形成工程)。   Next, the support and the silicon wafer were bonded to each other under a vacuum of 220 ° C. and 4,000 kg for 3 minutes to form a laminate (laminate formation step).

(分離工程)
上記積層体を、1500rpmで回転させつつ、EBRノズルによって、TZNR(登録商標)HCシンナー(東京応化工業株式会社製)を10cc/minの供給量で5〜15分間、供給することによって、積層体の周縁部の幅0.5〜1mmまでに形成された接着層を除去した(接着剤の除去)。
(Separation process)
By rotating the above laminate at 1500 rpm and supplying TZNR (registered trademark) HC thinner (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at a supply rate of 10 cc / min for 5 to 15 minutes with an EBR nozzle. The adhesive layer formed up to a width of 0.5 to 1 mm at the peripheral edge was removed (removal of adhesive).

上記積層体に、支持体側からレーザ光の波長532nm、レーザ光の直径を180μmとして、レーザパルスにおける被照射領域同士の中心間距離を180μm、走査速度を7200mm/sとして、レーザ光の平均出力3.42W、繰り返し周波数40kHzでレーザ光照射を行った(光の照射)。   An average output 3 of the laser beam with the laser beam wavelength of 532 nm, the laser beam diameter of 180 μm, the center-to-center distance between the irradiated regions in the laser pulse of 180 μm, the scanning speed of 7200 mm / s is applied to the laminate. Laser light irradiation was performed at a repetition frequency of 40 kHz (light irradiation).

(分離評価)
上記接着剤の除去及び光の照射による分離工程後、特に力を加える必要もなく、支持体を積層体から容易に分離することができた。
(Separation evaluation)
After the separation step by removing the adhesive and irradiating with light, it was not necessary to apply any force, and the support could be easily separated from the laminate.

〔実施例3〕
(プロセス)
流量400sccm、圧力70Pa、高周波電力2,800W及び成膜温度240℃の条件下において、反応ガスとしてCを使用したCVD法により、分離層であるフルオロカーボン膜(厚さ1μm)を支持体(12インチガラス基板、厚さ700μm)上に形成した(分離層形成工程)。
Example 3
(process)
Under the conditions of a flow rate of 400 sccm, a pressure of 70 Pa, a high frequency power of 2,800 W, and a film formation temperature of 240 ° C., a fluorocarbon film (thickness 1 μm) as a separation layer is supported by a CVD method using C 4 F 8 as a reaction gas. It was formed on a (12-inch glass substrate, thickness 700 μm) (separation layer forming step).

次いで、当該支持体を回転(1500rpm、40秒間)させつつ、EBRノズルによってPGME/MMA=7/3(重量比)からなる剥離液を供給(10cc/min)することによって、支持体上の周縁部の幅0.5〜1mmまでに形成されたフルオロカーボン膜を除去した(分離層周端部除去工程)。その後、スピン乾燥(1500rpm、40秒間)した。   Next, while the support is rotated (1500 rpm, 40 seconds), a stripping solution consisting of PGME / MMA = 7/3 (weight ratio) is supplied (10 cc / min) by the EBR nozzle, whereby the peripheral edge on the support The fluorocarbon membrane formed to a width of 0.5 to 1 mm was removed (separation layer peripheral edge removal step). Thereafter, spin drying (1500 rpm, 40 seconds) was performed.

次に、12インチシリコンウエハに接着剤組成物であるTZNR(登録商標)−A3007t(東京応化工業株式会社製)をスピン塗布して、100℃、160℃、200℃で各3分加熱して接着層(膜厚50μm)を形成した(接着層形成工程)。   Next, TZNR (registered trademark) -A3007t (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), which is an adhesive composition, is spin-coated on a 12-inch silicon wafer and heated at 100 ° C., 160 ° C., and 200 ° C. for 3 minutes each. An adhesive layer (film thickness 50 μm) was formed (adhesive layer forming step).

次に、真空化220℃、4,000Kgの条件で3分間、上記支持体と上記シリコンウエハとを貼り合せ、積層体を形成した(積層体形成工程)。   Next, the support and the silicon wafer were bonded to each other under a vacuum of 220 ° C. and 4,000 kg for 3 minutes to form a laminate (laminate formation step).

次いで、当該積層体を回転させながら、EBRノズルによってTZNR(登録商標)HCシンナー(東京応化工業株式会社製)を20cc/minの供給量で供給することによって、シリコンウエハ上の周縁部の幅0.5mmまでに形成された接着層を除去した(接着剤の除去)。   Next, while rotating the laminated body, TZNR (registered trademark) HC thinner (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is supplied at a supply rate of 20 cc / min by the EBR nozzle, whereby the peripheral width on the silicon wafer is reduced to 0. The adhesive layer formed up to 5 mm was removed (removal of adhesive).

上記積層体に、支持体側からレーザ光の波長532nm、レーザ光の直径を180μmとして、レーザパルスにおける被照射領域同士の中心間距離を180μm、走査速度を7200mm/sとして、レーザ光の平均出力3.42W、繰り返し周波数40kHzでレーザ光照射を行った(光の照射)。   An average output 3 of the laser beam with the laser beam wavelength of 532 nm, the laser beam diameter of 180 μm, the center-to-center distance between the irradiated regions in the laser pulse of 180 μm, the scanning speed of 7200 mm / s is applied to the laminate. Laser light irradiation was performed at a repetition frequency of 40 kHz (light irradiation).

(分離評価)
上記接着剤の除去及び光の照射による分離工程後、特に力を加える必要もなく、支持体を積層体から容易に分離することができた。
(Separation evaluation)
After the separation step by removing the adhesive and irradiating with light, it was not necessary to apply any force, and the support could be easily separated from the laminate.

本発明は、例えば、微細化された半導体装置の製造分野において好適に利用することができる。   The present invention can be suitably used, for example, in the field of manufacturing miniaturized semiconductor devices.

1,1’ 積層体(基板の暫定支持用積層体)
11 基板
12 サポートプレート(支持体)
13 接着層
14 分離層
1,1 'laminate (substrate provisional support laminate)
11 Substrate 12 Support plate (support)
13 Adhesive layer 14 Separation layer

Claims (9)

基板、接着層、分離層および支持体がこの順に積層してなる積層体を形成する積層体形成工程と、
該積層体形成工程の後、該基板を該支持体から分離する分離工程と、を包含し、
該積層体形成工程では、該接着層によって該支持体上における該分離層の表面を覆うことを特徴とする基板の処理方法。
A laminate forming step of forming a laminate in which a substrate, an adhesive layer, a separation layer, and a support are laminated in this order;
A separation step of separating the substrate from the support after the laminate formation step,
In the laminated body forming step, the surface of the separation layer on the support is covered with the adhesive layer.
上記積層体形成工程では、上記基板と、その内周部に上記分離層が積層された上記支持体とを、上記接着層を介して貼り合わせることを特徴とする請求項1に記載の基板の処理方法。   2. The substrate according to claim 1, wherein in the laminated body forming step, the substrate and the support body on which the separation layer is laminated on an inner periphery thereof are bonded together via the adhesive layer. Processing method. 上記積層体形成工程の前に、上記支持体上に上記分離層を形成する分離層形成工程と、
該分離層形成工程の後、上記積層体形成工程の前に、上記分離層の上記支持体上における周端部を除去する分離層周端部除去工程と、を包含することを特徴とする請求項2に記載の基板の処理方法。
Before the laminate formation step, a separation layer formation step of forming the separation layer on the support,
A separation layer peripheral edge removing step of removing the peripheral edge of the separation layer on the support after the separation layer forming step and before the laminate forming step. Item 3. A substrate processing method according to Item 2.
上記積層体形成工程の前に、上記基板の、上記積層体において上記支持体と対向する側の面に、上記接着層を形成する接着層形成工程を包含することを特徴とする請求項2または3に記載の基板の処理方法。   3. The adhesive layer forming step of forming the adhesive layer on the surface of the substrate on the side facing the support in the laminated body before the laminated body forming step. 4. The method for processing a substrate according to 3. 上記接着層形成工程の後、上記積層体形成工程の前に、上記接着層の上記基板上における周端部を除去する接着層周端部除去工程を包含することを特徴とする請求項4に記載の基板の処理方法。   5. The adhesive layer peripheral edge removing step of removing the peripheral edge portion of the adhesive layer on the substrate after the adhesive layer forming step and before the laminate forming step. The processing method of the board | substrate of description. 上記支持体は、光透過性を有しており、
上記分離層は、上記積層体において、上記支持体を介して照射される光を吸収することによって変質するようになっており、
上記分離工程では、上記分離層の上記支持体上における外周部を覆う接着層の除去、および、上記支持体を介した上記分離層に対する光の照射を行うことを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の基板の処理方法。
The support has light permeability,
The separation layer is altered in the laminate by absorbing light irradiated through the support,
6. The separation step includes removing an adhesive layer covering an outer peripheral portion of the separation layer on the support, and irradiating the separation layer with light through the support. The substrate processing method according to any one of the above.
上記分離工程では、上記分離層の上記支持体上における外周部を覆う接着層の除去の後に、上記支持体を介した上記分離層に対する光の照射を行うことを特徴とする請求項6に記載の基板の処理方法。   The said isolation | separation process WHEREIN: After the removal of the contact bonding layer which covers the outer peripheral part on the said support body of the said separation layer, light irradiation with respect to the said separation layer through the said support body is performed. Substrate processing method. 上記分離層は、上記接着層に対して離型性を有しており、
上記分離工程では、上記分離層の上記支持体上における外周部を覆う接着層の除去を行うことを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の基板の処理方法。
The separation layer has releasability from the adhesive layer,
6. The substrate processing method according to claim 1, wherein in the separation step, an adhesive layer covering an outer peripheral portion of the separation layer on the support is removed.
基板、接着層、分離層および支持体がこの順に積層してなる基板の暫定支持用積層体であって、
該接着層によって該支持体上における該分離層の表面が覆われていることを特徴とする基板の暫定支持用積層体。
The substrate, the adhesive layer, the separation layer, and the support are laminated bodies in this order, and a temporary support laminate of the board,
A laminate for temporary support of a substrate, wherein the surface of the separation layer on the support is covered with the adhesive layer.
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