[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2014007403A - Method for manufacturing multilayer printed wiring board - Google Patents

Method for manufacturing multilayer printed wiring board Download PDF

Info

Publication number
JP2014007403A
JP2014007403A JP2013116276A JP2013116276A JP2014007403A JP 2014007403 A JP2014007403 A JP 2014007403A JP 2013116276 A JP2013116276 A JP 2013116276A JP 2013116276 A JP2013116276 A JP 2013116276A JP 2014007403 A JP2014007403 A JP 2014007403A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
printed wiring
resin composition
multilayer printed
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013116276A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6024599B2 (en
Inventor
Kenji Kawai
賢司 川合
Yoshio Nishimura
嘉生 西村
Shigeo Nakamura
茂雄 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ajinomoto Co Inc
Original Assignee
Ajinomoto Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ajinomoto Co Inc filed Critical Ajinomoto Co Inc
Priority to JP2013116276A priority Critical patent/JP6024599B2/en
Publication of JP2014007403A publication Critical patent/JP2014007403A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6024599B2 publication Critical patent/JP6024599B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • H05K3/4605Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated made from inorganic insulating material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0055After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06Thermal details
    • H05K2201/068Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a multilayer printed wiring board capable of reducing a dielectric dissipation factor of an insulating layer and a root mean square roughness Rq of a surface of the insulating layer after roughening treatment despite the fact that smear after roughening treatment in a via hole of the insulating layer can be suppressed.SOLUTION: There is provided a method for manufacturing a printed wiring board including specific steps in which a resin composition containing an epoxy resin, an active ester compound, and an inorganic filler is used.

Description

本発明は、多層プリント配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer printed wiring board.

近年、電子機器の小型化、高性能化が進み、多層プリント配線板においては、ビルドアップ層が複層化され、配線の微細化及び高密度化が求められ、さらに伝送損失低減のために誘電正接の低い絶縁材料が求められている。   In recent years, electronic devices have become smaller and higher in performance, and in multilayer printed wiring boards, the build-up layer has been multilayered, miniaturization and higher density of wiring are required, and dielectrics are also required to reduce transmission loss. There is a need for an insulating material having a low tangent.

特許文献1には、無機充填材を35質量%以上含有する絶縁層に、プラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、多層プリント配線板を製造する方法が開示されている。しかしながら、スミアや誘電正接や二乗平均平方根粗さRqについては一切開示や指向されるものではなかった。   Patent Document 1 discloses a method of manufacturing a multilayer printed wiring board by irradiating an insulating layer containing 35% by mass or more of an inorganic filler with a carbon dioxide laser from above a plastic film. However, smear, dielectric loss tangent, and root mean square roughness Rq are not disclosed or directed at all.

国際公開第2009/066759号International Publication No. 2009/0666759

多層プリント配線板の絶縁層を穴あけ加工する際には、ビアホール内にスミア(樹脂残渣)が発生し、粗化処理工程でスミアを除去することが必要である。しかしながら、本発明者等の知見によれば、活性エステル化合物を含む低誘電正接の樹脂組成物を用いて多層プリント配線板を作製していたところ、絶縁層の穴あけ加工後にビアホール内を粗化処理しても、ビアホール内のスミア(樹脂残渣)を取り除くことが困難であるという問題が新たに発生した。また、これらのスミアを取り除くために、粗化処理条件を強くすると、絶縁層表面が粗れすぎてしまうという問題が生じてしまう。   When drilling an insulating layer of a multilayer printed wiring board, smear (resin residue) is generated in the via hole, and it is necessary to remove the smear in the roughening process. However, according to the knowledge of the present inventors, when a multilayer printed wiring board was produced using a low dielectric loss tangent resin composition containing an active ester compound, the inside of the via hole was roughened after the insulating layer was drilled. Even so, a new problem has arisen that it is difficult to remove smear (resin residue) in the via hole. Further, if the roughening treatment conditions are increased to remove these smears, the problem that the surface of the insulating layer becomes too rough occurs.

従って、本発明が解決しようとする課題は、絶縁層のビアホール内の粗化処理後のスミアを抑制することができるにもかかわらず、絶縁層の誘電正接を低くし、かつ粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqを小さくすることができるという多層プリント配線板の製造方法を提供することである。   Therefore, the problem to be solved by the present invention is to reduce the dielectric loss tangent of the insulating layer and reduce the roughness after the roughening treatment, although the smear after the roughening treatment in the via hole of the insulating layer can be suppressed. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer printed wiring board that can reduce the root mean square roughness Rq of the surface of the insulating layer.

本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有する樹脂組成物において、特定の工程を有するプリント配線板の製造方法を採用することにより、本発明を完成するに至った。   As a result of earnest research to solve the above problems, the present inventor has adopted a method for producing a printed wiring board having specific steps in a resin composition containing an epoxy resin, an active ester compound and an inorganic filler. The present invention has been completed.

すなわち、本発明は以下の内容を含むものである。
〔1〕(A)基材付き樹脂組成物シートを、回路基板の両面又は片面に樹脂組成物層を接するように積層する工程、
(B)該樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程、
(C)該絶縁層表面に基材上から穴あけ加工してビアホールを形成する工程、
(D)該基材を剥離する工程、
(E)該絶縁層表面を粗化処理する工程、
を含有する多層プリント配線板の製造方法において、
前記樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有し、
前記粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqが500nm以下であることを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。
〔2〕樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、エポキシ樹脂が1〜40質量%であることを特徴とする、上記〔1〕記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔3〕樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が3〜40質量%であることを特徴とする、上記〔1〕又は〔2〕記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔4〕樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、無機充填材が30〜85質量%であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔3〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔5〕樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、無機充填材が55〜85質量%であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔4〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔6〕無機充填材の平均粒径が、0.01〜2μmであることを特徴とする、上記〔1〕〜〔5〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔7〕無機充填材の単位重量あたりのカーボン量が、0.02〜3%であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔6〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔8〕樹脂組成物層が、更にスミア抑制成分を含有することを特徴とする、上記〔1〕〜〔7〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔9〕基材がプラスチックフィルムであることを特徴とする、上記〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔10〕基材の厚みが、10〜150μmであることを特徴とする、上記〔1〕〜〔9〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔11〕絶縁層の誘電正接が0.05以下であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔10〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔12〕ビアホールのトップ径(直径)が、70μm以下であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔11〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔13〕ビアホールの開口率(ビアホール底部の直径/ビアホールのトップ径(直径))が、70〜100%であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔12〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔14〕粗化処理する工程において、酸化剤による粗化処理が60〜80℃で10〜30分間であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔13〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔15〕更に(F)粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程を含有することを特徴とする、上記〔1〕〜〔14〕のいずれか記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔16〕該導体層と該絶縁層とのピール強度が0.35kgf/cm以上であることを特徴とする、上記〔15〕記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔17〕上記〔1〕〜〔16〕のいずれか記載の方法により製造された多層プリント配線板を用いることを特徴とする半導体装置。
That is, the present invention includes the following contents.
[1] (A) A step of laminating a resin composition sheet with a base so that the resin composition layer is in contact with both sides or one side of the circuit board,
(B) a step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer;
(C) forming a via hole by drilling from above the base material on the surface of the insulating layer;
(D) a step of peeling the substrate;
(E) a step of roughening the surface of the insulating layer;
In a method for producing a multilayer printed wiring board containing
The resin composition layer contains an epoxy resin, an active ester compound and an inorganic filler,
The method for producing a multilayer printed wiring board, wherein the root mean square roughness Rq of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is 500 nm or less.
[2] The method for producing a multilayer printed wiring board according to the above [1], wherein the epoxy resin is 1 to 40% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass.
[3] The multilayer printed wiring board according to [1] or [2], wherein the active ester compound is 3 to 40% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. Production method.
[4] The multilayer print as described in any one of [1] to [3] above, wherein the inorganic filler is 30 to 85% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. A method for manufacturing a wiring board.
[5] The multilayer print according to any one of the above [1] to [4], wherein the inorganic filler is 55 to 85% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. A method for manufacturing a wiring board.
[6] The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of [1] to [5], wherein the inorganic filler has an average particle size of 0.01 to 2 μm.
[7] The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of [1] to [6], wherein the inorganic filler has a carbon amount per unit weight of 0.02 to 3%.
[8] The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of [1] to [7], wherein the resin composition layer further contains a smear suppressing component.
[9] The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of [1] to [8], wherein the substrate is a plastic film.
[10] The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of [1] to [9], wherein the thickness of the substrate is 10 to 150 μm.
[11] The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of [1] to [10], wherein the dielectric tangent of the insulating layer is 0.05 or less.
[12] The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of [1] to [11], wherein the top diameter (diameter) of the via hole is 70 μm or less.
[13] The multilayer print according to any one of [1] to [12] above, wherein an opening ratio of the via hole (the diameter of the bottom of the via hole / the top diameter (diameter) of the via hole) is 70 to 100%. A method for manufacturing a wiring board.
[14] The multilayer printed wiring according to any one of [1] to [13], wherein in the step of roughening treatment, the roughening treatment with an oxidizing agent is performed at 60 to 80 ° C. for 10 to 30 minutes. A manufacturing method of a board.
[15] The multilayer printed wiring according to any one of [1] to [14], further comprising (F) a step of plating the surface of the insulating layer after the roughening treatment to form a conductor layer A manufacturing method of a board.
[16] The method for producing a multilayer printed wiring board according to the above [15], wherein the peel strength between the conductor layer and the insulating layer is 0.35 kgf / cm or more.
[17] A semiconductor device using a multilayer printed wiring board manufactured by the method according to any one of [1] to [16].

エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有する樹脂組成物において、特定の工程を有するプリント配線板の製造方法を採用することにより、絶縁層のビアホール内の粗化処理後のスミアを抑制することができるにもかかわらず、絶縁層の誘電正接を低くし、かつ粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqを小さくすることができるというプリント配線板の製造方法を提供できるようになった。   In a resin composition containing an epoxy resin, an active ester compound and an inorganic filler, by adopting a method for producing a printed wiring board having a specific process, smearing after roughening treatment in the via hole of the insulating layer is suppressed. In spite of this, it is possible to provide a method for manufacturing a printed wiring board in which the dielectric loss tangent of the insulating layer can be lowered and the root mean square roughness Rq of the surface of the insulating layer after the roughening treatment can be reduced. Became.

本発明は、
(A)基材付き樹脂組成物シートを、回路基板の両面又は片面に樹脂組成物層を接するように積層する工程、
(B)該樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程、
(C)該絶縁層表面に基材上から穴あけ加工してビアホールを形成する工程、
(D)該基材を剥離する工程、
(E)該絶縁層表面を粗化処理する工程、
を含有する多層プリント配線板の製造方法において、
前記樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有し、
前記粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqが500nm以下であることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法、
である。
The present invention
(A) A step of laminating a resin composition sheet with a substrate so that the resin composition layer is in contact with both sides or one side of the circuit board,
(B) a step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer;
(C) forming a via hole by drilling from above the base material on the surface of the insulating layer;
(D) a step of peeling the substrate;
(E) a step of roughening the surface of the insulating layer;
In a method for producing a multilayer printed wiring board containing
The resin composition layer contains an epoxy resin, an active ester compound and an inorganic filler,
The method for producing a multilayer printed wiring board, wherein the root mean square roughness Rq of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is 500 nm or less,
It is.

<(A)工程>
(A)工程は、基材付き樹脂組成物シートを、回路基板の両面又は片面に樹脂組成物層を接するように積層する工程である。本発明の基材付き樹脂組成物シートは、基材上に樹脂組成物層が形成されたものである。該樹脂組成物層は、(a)エポキシ樹脂、(b)活性エステル化合物及び(c)無機充填材を含有する樹脂組成物を用いて形成される。以下詳述する。
<(A) Process>
(A) A process is a process of laminating | stacking a resin composition sheet | seat with a base material so that the resin composition layer may touch the both surfaces or single side | surface of a circuit board. In the resin composition sheet with a substrate of the present invention, a resin composition layer is formed on a substrate. The resin composition layer is formed using a resin composition containing (a) an epoxy resin, (b) an active ester compound, and (c) an inorganic filler. Details will be described below.

[樹脂組成物]
(a)エポキシ樹脂
本発明に使用する(a)エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含有するのが好ましい。具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。
[Resin composition]
(A) Epoxy resin Although it does not specifically limit as (a) epoxy resin used for this invention, It is preferable to contain the epoxy resin which has a 2 or more epoxy group in 1 molecule. Specifically, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene Type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure Epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, halo Emissions epoxy resins. These may be used alone or in combination of two or more.

これらの中でも、耐熱性向上、絶縁信頼性向上、金属箔との密着性向上の観点から、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。具体的には、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「エピコート828EL」、「YL980」)、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「jER806H」、「YL983U」)、ナフタレン型2官能エポキシ樹脂(DIC(株)製「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」、「EXA4032SS」)、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂(DIC(株)製「HP4700」、「HP4710」)、ナフトール型エポキシ樹脂(東都化成(株)製「ESN−475V」)、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂(ダイセル化学工業(株)製「PB−3600」)、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製「NC3000H」、「NC3000L」、「NC3100」、三菱化学(株)製「YX4000」、「YX4000H」、「YX4000HK」、「YL6121」)、アントラセン型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX8800」)、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC(株)製「EXA−7310」、「EXA−7311」、「EXA−7311L」、「EXA7311−G3」)、グリシジルエステル型エポキシ樹脂(ナガセケムテックス(株)製「EX711」、「EX721」、(株)プリンテック製「R540」)などが挙げられる。   Among these, bisphenol A type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy from the viewpoint of improving heat resistance, insulation reliability, and adhesion to metal foil. Resins, glycidyl ester type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure are preferred. Specifically, for example, bisphenol A type epoxy resin (“Epicoat 828EL”, “YL980” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), bisphenol F type epoxy resin (“jER806H”, “YL983U” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), Naphthalene type bifunctional epoxy resin (“HP4032”, “HP4032D”, “HP4032SS”, “EXA4032SS” manufactured by DIC Corporation), naphthalene type tetrafunctional epoxy resin (“HP4700”, “HP4710” manufactured by DIC Corporation), Naphthol type epoxy resin (“ESN-475V” manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), epoxy resin having a butadiene structure (“PB-3600” manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), biphenyl type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd.) "NC3000H", "NC3000L", "NC3100", Mitsubishi Chemical "YX4000", "YX4000H", "YX4000HK", "YL6121"), anthracene type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation "YX8800"), naphthylene ether type epoxy resin (DIC Corporation) “EXA-7310”, “EXA-7311”, “EXA-7311L”, “EXA7311-G3”), glycidyl ester type epoxy resin (“EX711”, “EX721” manufactured by Nagase ChemteX Corporation), Purin Co., Ltd. Tech "R540").

中でも、樹脂組成物をシート形態にした際に適度な可撓性を有し、取り扱い性に優れるという点から、1分子中に2個以上のエポキシ基を有し、温度20℃で液状の芳香族系エポキシ樹脂(以下、「液状エポキシ樹脂」という。)を含有することが好ましい。また、スミア抑制向上の点で、液状エポキシ樹脂と、1分子中に3個以上のエポキシ基を有し、温度20℃で固体状の芳香族系エポキシ樹脂(以下、「固体状エポキシ樹脂」という。)とを併用することが好ましい。なお、本発明でいう芳香族系エポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環構造を有するエポキシ樹脂を意味する。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂を使用すると、樹脂組成物を接着フィルム形態で使用する場合に適度な可撓性を有する点で好ましく、固体状エポキシ樹脂を使用すると、樹脂組成物の硬化物が適度な破断強度を有する点で好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、その配合割合(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は質量比で1:0.1〜1:15の範囲が好ましく、1:0.1〜1:2の範囲がより好ましく、1:0.3〜1:1.8の範囲が更に好ましく、1:0.6〜1:1.5の範囲が更により好ましい。   In particular, when the resin composition is made into a sheet form, it has moderate flexibility and excellent handleability, so that it has two or more epoxy groups in one molecule and is a liquid fragrance at a temperature of 20 ° C. It is preferable to contain a group epoxy resin (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”). Further, in terms of improving smear suppression, the liquid epoxy resin and three or more epoxy groups in one molecule and a solid aromatic epoxy resin (hereinafter referred to as “solid epoxy resin”) at a temperature of 20 ° C. )) In combination. In addition, the aromatic epoxy resin as used in the field of this invention means the epoxy resin which has an aromatic ring structure in the molecule | numerator. When an epoxy resin is used, a liquid epoxy resin is preferable in terms of having an appropriate flexibility when the resin composition is used in the form of an adhesive film. When a solid epoxy resin is used, a cured product of the resin composition is appropriate. Is preferable in that it has a high breaking strength. When the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin are used in combination, the blending ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably in the range of 1: 0.1 to 1:15 by mass ratio, and 1: 0.1 A range of ˜1: 2 is more preferred, a range of 1: 0.3 to 1: 1.8 is still more preferred, and a range of 1: 0.6 to 1: 1.5 is even more preferred.

本発明の樹脂組成物において、樹脂組成物の硬化物性を向上させるという点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、エポキシ樹脂の含有量は40質量%以下が好ましく、35質量%以下がより好ましく、30質量%以下が更に好ましい。エポキシ樹脂の含有量の下限は、1質量%以上が好ましく、3質量%以上がより好ましく、5質量%以上が更に好ましい。一実施形態において、樹脂組成物におけるエポキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、1〜40質量%が好ましく、3〜40質量%がより好ましく、5〜35質量%が更に好ましく、5〜30質量%が更により好ましい。特に、樹脂組成物をシート形態にした際に適度な可撓性を有し、取り扱い性に優れるという点から、液状エポキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、1〜25質量%が好ましく、5〜20質量%がより好ましく、10〜20質量%が更に好ましい。   In the resin composition of the present invention, from the viewpoint of improving the cured properties of the resin composition, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, the epoxy resin content is preferably 40% by mass or less, 35 The mass% or less is more preferable, and 30 mass% or less is still more preferable. 1 mass% or more is preferable, as for the minimum of content of an epoxy resin, 3 mass% or more is more preferable, and 5 mass% or more is still more preferable. In one embodiment, the content of the epoxy resin in the resin composition is preferably 1 to 40% by mass, more preferably 3 to 40% by mass, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. 35 mass% is still more preferable, and 5-30 mass% is still more preferable. In particular, when the resin composition is made into a sheet form, it has moderate flexibility and is excellent in handleability, so the content of the liquid epoxy resin is 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. In this case, 1 to 25% by mass is preferable, 5 to 20% by mass is more preferable, and 10 to 20% by mass is still more preferable.

(b)活性エステル化合物
本発明における(b)活性エステル化合物は、1分子中に活性エステル基を1個以上有する化合物であり、樹脂組成物の誘電正接を低くし、二乗平均平方根粗さRqを小さくすることができる。(B)活性エステル化合物はエポキシ樹脂等と反応することができ、1分子中に活性エステル基を2個以上有する化合物が好ましい。一般的には、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましく用いられる。
(B) Active ester compound The (b) active ester compound in the present invention is a compound having one or more active ester groups in one molecule, lowers the dielectric loss tangent of the resin composition, and sets the root mean square roughness Rq. Can be small. (B) The active ester compound can react with an epoxy resin or the like, and a compound having two or more active ester groups in one molecule is preferable. In general, compounds having two or more ester groups with high reaction activity in one molecule, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, are preferably used. .

耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物と、ヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物とを縮合反応させて得られる活性エステル化合物がより好ましい。そして、カルボン酸化合物と、フェノール化合物、ナフトール化合物、チオール化合物から選択される1種又は2種以上とを反応させて得られる活性エステル化合物が更に好ましい。そして、カルボン酸化合物とフェノール性水酸基を有する芳香族化合物とを反応させて得られる、1分子中に2個以上の活性エステル基を有する芳香族化合物が更に一層好ましい。そして、少なくとも2個以上のカルボキシ基を1分子中に有するカルボン酸化合物と、フェノール性水酸基を有する芳香族化合物とを反応させて得られる芳香族化合物であり、かつ該芳香族化合物の1分子中に2個以上の活性エステル基を有する芳香族化合物が殊更好ましい。また、直鎖状または多分岐状であってもよい。また、少なくとも2個以上のカルボキシ基を1分子中に有するカルボン酸化合物が脂肪族鎖を含む化合物であれば樹脂組成物との相溶性を高くすることができ、芳香族環を有する化合物であれば耐熱性を高くすることができる。   From the viewpoint of improving heat resistance, an active ester compound obtained by condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and / or a thiol compound is more preferable. An active ester compound obtained by reacting a carboxylic acid compound with one or more selected from a phenol compound, a naphthol compound, and a thiol compound is more preferable. An aromatic compound having two or more active ester groups in one molecule obtained by reacting a carboxylic acid compound with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group is even more preferable. And an aromatic compound obtained by reacting a carboxylic acid compound having at least two or more carboxy groups in one molecule with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group, and in one molecule of the aromatic compound. Especially preferred are aromatic compounds having two or more active ester groups. Further, it may be linear or multi-branched. Further, if the carboxylic acid compound having at least two or more carboxy groups in a molecule is a compound containing an aliphatic chain, the compatibility with the resin composition can be increased, and any compound having an aromatic ring can be used. Heat resistance can be increased.

カルボン酸化合物としては、具体的には、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。なかでも耐熱性の観点からコハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸が好ましく、イソフタル酸、テレフタル酸がより好ましい。チオカルボン酸化合物としては、具体的には、チオ酢酸、チオ安息香酸等が挙げられる。   Specific examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Of these, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid and terephthalic acid are preferred, and isophthalic acid and terephthalic acid are more preferred from the viewpoint of heat resistance. Specific examples of the thiocarboxylic acid compound include thioacetic acid and thiobenzoic acid.

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、具体的には、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。なかでも耐熱性向上、溶解性向上の観点から、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラックが好ましく、カテコール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラックがより好ましく、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラックが更に好ましく、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラックが更に一層好ましく、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエニルジフェノールが殊更好ましく、ジシクロペンタジエニルジフェノールが特に好ましい。チオール化合物としては、具体的には、ベンゼンジチオール、トリアジンジチオール等が挙げられる。活性エステル化合物は1種又は2種以上を併用してもよい。   Specific examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol phthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, and o-cresol. , M-cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone Phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadienyl diphenol, phenol novolac and the like. Among them, from the viewpoint of improving heat resistance and solubility, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5 -Dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadienyldiphenol, phenol novolac are preferred, catechol, 1 , 5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophene Non-tetrahydrobenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadienyl diphenol, and phenol novolak are more preferable. 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxy More preferred are hydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, dicyclopentadienyl diphenol, phenol novolac, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadienyl diphenol, Phenol novolac is even more preferred, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthal Emissions, dicyclopentadienyl diphenol especially preferred, dicyclopentadienyl diphenol is particularly preferred. Specific examples of the thiol compound include benzenedithiol and triazinedithiol. The active ester compound may be used alone or in combination of two or more.

ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、より具体的には下式(1)の化合物が挙げられる。   More specifically, the active ester compound containing a dicyclopentadienyl diphenol structure includes a compound represented by the following formula (1).

Figure 2014007403
Figure 2014007403

(式中、Rはフェニル基、ナフチル基であり、kは0又は1を表し、nは繰り返し単位の平均数で0.05〜2.5である。) (In the formula, R represents a phenyl group or a naphthyl group, k represents 0 or 1, and n represents an average number of repeating units of 0.05 to 2.5.)

誘電正接を低下させ、耐熱性を向上させるという観点から、Rはナフチル基が好ましく、kは0が好ましく、また、nは0.25〜1.5が好ましい。   From the viewpoint of reducing the dielectric loss tangent and improving the heat resistance, R is preferably a naphthyl group, k is preferably 0, and n is preferably 0.25 to 1.5.

(b)活性エステル化合物としては、特開2004−277460号公報に開示されている活性エステル化合物を用いてもよく、また市販の活性エステル化合物を用いることもできる。市販されている活性エステル化合物としては、具体的には、ジシクロペンタジエニル構造を含む活性エステル系硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系硬化剤が好ましく、なかでもナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤がより好ましい。ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤として、EXB9451、EXB9460、EXB9460S、HPC−8000−65T(DIC(株)製)、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤としてEXB9416−70BK(DIC(株)製)、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系硬化剤としてDC808(三菱化学(株)製)、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系硬化剤としてYLH1026(三菱化学(株)製)、などが挙げられる。   (B) As an active ester compound, the active ester compound currently disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-277460 may be used, and a commercially available active ester compound can also be used. Specific examples of commercially available active ester compounds include an active ester curing agent containing a dicyclopentadienyl structure, an active ester curing agent containing a naphthalene structure, and an active ester curing containing an acetylated product of phenol novolac. An active ester type curing agent containing a benzoylated product of a phenol novolac is preferable, and an active ester type curing agent containing a naphthalene structure and an active ester type curing agent containing a dicyclopentadienyl diphenol structure are more preferable. EXB9451, EXB9460, EXB9460S, HPC-8000-65T (manufactured by DIC Corporation) as an active ester type curing agent containing a dicyclopentadienyl diphenol structure, EXB9416-70BK as an active ester type curing agent containing a naphthalene structure ( DIC Corporation), DC808 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester-based curing agent containing an acetylated product of phenol novolac, and YLH1026 (Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester-based curing agent containing a benzoylated product of phenol novolac. Manufactured), and the like.

(b)活性エステル化合物の含有量は、耐熱性の向上、さらにはスミア発生を抑制させるという観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、40質量%以下が好ましく、35質量%以下がより好ましく、30質量%以下が更に好ましく、25質量%以下が更に一層好ましい。一方、ピール強度を向上させるという観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、3質量%以上が好ましく、5質量%以上がより好ましく、7質量%以上が更に好ましく、9質量%以上が更に一層好ましい。   (B) The content of the active ester compound is preferably 40% by mass or less when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of improving heat resistance and further suppressing the occurrence of smear. More preferably, it is more preferably 30% by mass or less, still more preferably 25% by mass or less. On the other hand, from the viewpoint of improving the peel strength, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, it is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and further preferably 7% by mass or more. The mass% or more is even more preferable.

また、(a)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合、樹脂組成物の機械特性を向上させるという点から、(b)活性エステル化合物の反応基数は、0.2〜2が好ましく、0.3〜1.5がより好ましく、0.4〜1が更に好ましい。ここで、「エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在する各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値である。また、「反応基」とはエポキシ基と反応することができる官能基を意味し、「活性エステル化合物の反応基数」とは、樹脂組成物中に存在する活性エステル化合物の固形分質量を反応基当量で除した値を全て合計した値である。   Moreover, when the number of epoxy groups of (a) the epoxy resin is 1, from the viewpoint of improving the mechanical properties of the resin composition, the number of reactive groups of the (b) active ester compound is preferably 0.2 to 2, 3-1.5 are more preferable and 0.4-1 are still more preferable. Here, “the number of epoxy groups of the epoxy resin” is a value obtained by totaling the values obtained by dividing the solid mass of each epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent for all epoxy resins. The “reactive group” means a functional group capable of reacting with an epoxy group, and the “reactive group number of the active ester compound” means the solid content mass of the active ester compound present in the resin composition. This is the total value of all values divided by equivalents.

(c)無機充填材
本発明に使用する(c)無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムなどが挙げられる。なかでも、シリカが好ましい。シリカとしては、無定形シリカ、粉砕シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。また、シリカとしては球状のシリカが好ましい。これらは1種または2種以上組み合わせて使用してもよい。市販されている球状溶融シリカとして、(株)アドマテックス製「SO−C2」、「SO−C1」が挙げられる。
(C) Inorganic filler (c) Inorganic filler used in the present invention is not particularly limited, and for example, silica, alumina, barium sulfate, talc, clay, mica powder, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, carbonic acid Examples include calcium, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum borate, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, barium zirconate, and calcium zirconate. Of these, silica is preferable. As silica, amorphous silica, pulverized silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica and hollow silica are preferred, and fused silica is more preferred. Moreover, spherical silica is preferable as the silica. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types. Examples of commercially available spherical fused silica include “SO-C2” and “SO-C1” manufactured by Admatechs.

(c)無機充填材の平均粒径は、特に限定されるものではないが、無機充填材の平均粒径の上限値は、絶縁層上へ微細配線形成を行うという観点、無機充填材の総表面積を増大させることで穴あけ加工時のスミア発生を抑制させるという観点から、2μm以下が好ましく、1μm以下がより好ましく、0.8μm以下が更に好ましく、0.6μm以下が更に一層好ましく、0.5μm以下が殊更好ましく、0.4μm以下が特に好ましく、0.3μm以下がとりわけ好ましい。一方、無機充填材の平均粒径の下限値は、樹脂組成物をワニスとした場合に、ワニスの粘度が上昇し、取り扱い性が低下するのを防止するという観点から、0.01μm以上が好ましく、0.03μm以上がより好ましく、0.05μm以上が更に好ましく、0.07μm以上が殊更好ましく、0.1μm以上が特に好ましい。上記無機充填材の平均粒径はミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、(株)堀場製作所製 LA−750等を使用することができる。   (C) Although the average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, the upper limit of the average particle diameter of the inorganic filler is the viewpoint that fine wiring is formed on the insulating layer, the total of the inorganic filler From the viewpoint of suppressing the occurrence of smear during drilling by increasing the surface area, it is preferably 2 μm or less, more preferably 1 μm or less, still more preferably 0.8 μm or less, even more preferably 0.6 μm or less, and even more preferably 0.5 μm. The following is particularly preferable, 0.4 μm or less is particularly preferable, and 0.3 μm or less is particularly preferable. On the other hand, the lower limit of the average particle size of the inorganic filler is preferably 0.01 μm or more from the viewpoint of preventing the viscosity of the varnish from increasing and handling properties from being lowered when the resin composition is a varnish. 0.03 μm or more is more preferable, 0.05 μm or more is further preferable, 0.07 μm or more is particularly preferable, and 0.1 μm or more is particularly preferable. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be prepared on a volume basis by a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter can be measured as the average particle diameter. As the measurement sample, an inorganic filler dispersed in water by ultrasonic waves can be preferably used. As a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus, LA-750 manufactured by Horiba, Ltd. or the like can be used.

(c)無機充填材の含有量は、特に制限されないが、樹脂組成物をフィルム形態としたときの可撓性が低下するのを防止するという観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、85質量%以下が好ましく、80質量%以下がより好ましく、75質量%以下が更に好ましい。また、絶縁層の熱膨張率を低くするという観点、無機充填材の総表面積を増大させることで穴あけ加工の際のスミア発生を抑制させ、粗化処理時にはスミアを除去しやすくするという観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、30質量%以上が好ましく、40質量%以上がより好ましく、50質量%以上が更に好ましく、55質量%以上が更に一層好ましく、60質量%以上が殊更好ましい。   (C) Although content in particular of an inorganic filler is not restrict | limited, From a viewpoint of preventing that the flexibility when a resin composition is made into a film form prevents 100 mass of non-volatile components in a resin composition. % Is preferably 85% by mass or less, more preferably 80% by mass or less, and even more preferably 75% by mass or less. In addition, from the viewpoint of lowering the thermal expansion coefficient of the insulating layer, increasing the total surface area of the inorganic filler to suppress the occurrence of smear during drilling, and making it easier to remove smear during the roughening treatment, When the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, 30% by mass or more is preferable, 40% by mass or more is more preferable, 50% by mass or more is further preferable, 55% by mass or more is even more preferable, and 60% by mass. The above is particularly preferable.

(c)無機充填材は、耐湿性、分散性を向上させる観点から、アミノシラン系カップリング剤、ウレイドシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、ビニルシラン系カップリング剤、スチリルシラン系カップリング剤、アクリレートシラン系カップリング剤、イソシアネートシラン系カップリング剤、スルフィドシラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の表面処理剤で表面処理されていることが好ましい。なかでも、無機充填材をオルガノシラザン化合物で表面処理後、さらにシランカップリング剤で表面処理することで、無機充填材の耐湿性や分散性が更に向上する。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。   (C) Inorganic fillers are aminosilane coupling agents, ureidosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, and silane couplings from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. Agents, vinyl silane coupling agents, styryl silane coupling agents, acrylate silane coupling agents, isocyanate silane coupling agents, sulfide silane coupling agents, organosilazane compounds, titanate coupling agents, etc. It is preferable that the surface treatment is performed. In particular, after the surface treatment of the inorganic filler with an organosilazane compound, the surface treatment with a silane coupling agent further improves the moisture resistance and dispersibility of the inorganic filler. These may be used alone or in combination of two or more.

具体的には、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルジエトキシメチルシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルジメトキシメチルシラン等のアミノシラン系カップリング剤、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のウレイドシラン系カップリング剤、3−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシジルオキシプロピル(ジメトキシ)メチルシラン、グリシジルブチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン系カップリング剤、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、11−メルカプトウンデシルトリメトキシシラン等のメルカプトシラン系カップリング剤、メチルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メタクロキシプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、tert−ブチルトリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン等のビニルシラン系カップリング剤、p−スチリルトリメトキシシラン等のスチリルシラン系カップリング剤、3−アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルジメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルジエトキシシラン等のアクリレートシラン系カップリング剤、3−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン等のイソシアネートシラン系カップリング剤、ビス(トリエトキシシリルプロピル)ジスルフィド、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド等のスルフィドシラン系カップリング剤、ヘキサメチルジシラザン、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシラザン、ヘキサフェニルジシラザン、トリシラザン、シクロトリシラザン、2,2,4,4,6,6−ヘキサメチルシクロトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、ヘキサブチルジシラザン、ヘキサオクチルジシラザン、1,3−ジエチルテトラメチルジシラザン、1,3−ジ−n−オクチルテトラメチルジシラザン、1,3−ジフェニルテトラメチルジシラザン、1,3−ジメチルテトラフェニルジシラザン、1,3−ジエチルテトラメチルジシラザン、1,1,3,3−テトラフェニル−1,3−ジメチルジシラザン、1,3−ジプロピルテトラメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ジメチルアミノトリメチルシラザン、テトラメチルジシラザン等のオルガノシラザン化合物、テトラ−n−ブチルチタネートダイマー、チタニウム−i−プロポキシオクチレングリコレート、テトラ−n−ブチルチタネート、チタンオクチレングリコレート、ジイソプロポキシチタンビス(トリエタノールアミネート)、ジヒドロキシチタンビスラクテート、ジヒドロキシビス(アンモニウムラクテート)チタニウム、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、トリ−n−ブトキシチタンモノステアレート、テトラ−n−ブチルチタネート、テトラ(2−エチルヘキシル)チタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチル−1−ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、イソプロピルトリ(N−アミドエチル・アミノエチル)チタネート等のチタネート系カップリング剤等が挙げられる。これらのなかでもアミノシラン系カップリング剤は耐湿性、分散性、硬化物の特性などに優れていて好ましく、オルガノシラザン化合物は樹脂ワニスの分散性向上に優れていて好ましい。表面処理剤の市販品としては、信越化学工業(株)製「KBM403」(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBM803」(3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBE903」(3−アミノプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBM573」(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン)等が挙げられる。   Specifically, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyldiethoxymethylsilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane Aminosilane coupling agents such as N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyldimethoxymethylsilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, etc. Ureidosilane coupling agent, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidyloxypropyl (dimethoxy) methylsilane Epoxysilane coupling agents such as glycidylbutyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyl Mercaptosilane-based coupling agents such as dimethoxysilane, 11-mercaptoundecyltrimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methacryloxypropyltrimethoxysilane, imidazolesilane, triazinesilane, tert- Silane coupling agents such as butyltrimethoxysilane, vinyl silamines such as vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinylmethyldiethoxysilane Coupling agent, styrylsilane coupling agent such as p-styryltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyldimethoxysilane, 3-methacryloxy Acrylate silane coupling agents such as propyltriethoxysilane and 3-methacryloxypropyldiethoxysilane, isocyanate silane coupling agents such as 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane, bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, bis (tri Ethoxysilylpropyl) sulfidesilane coupling agents such as tetrasulfide, hexamethyldisilazane, 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazane, hexa Enyldisilazane, trisilazane, cyclotrisilazane, 2,2,4,4,6,6-hexamethylcyclotrisilazane, octamethylcyclotetrasilazane, hexabutyldisilazane, hexaoctyldisilazane, 1,3-diethyltetramethyldi Silazane, 1,3-di-n-octyltetramethyldisilazane, 1,3-diphenyltetramethyldisilazane, 1,3-dimethyltetraphenyldisilazane, 1,3-diethyltetramethyldisilazane, 1,1, Organosilazane compounds such as 3,3-tetraphenyl-1,3-dimethyldisilazane, 1,3-dipropyltetramethyldisilazane, hexamethylcyclotrisilazane, dimethylaminotrimethylsilazane, tetramethyldisilazane, tetra-n -Butyl titanate dimer, tita Um-i-propoxyoctylene glycolate, tetra-n-butyl titanate, titanium octylene glycolate, diisopropoxy titanium bis (triethanolamate), dihydroxy titanium bis lactate, dihydroxy bis (ammonium lactate) titanium, bis (dioctyl pyro) Phosphate) ethylene titanate, bis (dioctylpyrophosphate) oxyacetate titanate, tri-n-butoxy titanium monostearate, tetra-n-butyl titanate, tetra (2-ethylhexyl) titanate, tetraisopropyl bis (dioctyl phosphite) titanate, Tetraoctyl bis (ditridecyl phosphite) titanate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) ) Phosphite titanate, isopropyl trioctanoyl titanate, isopropyl tricumyl phenyl titanate, isopropyl triisostearoyl titanate, isopropyl isostearoyl diacryl titanate, isopropyl dimethacrylisostearoyl titanate, isopropyl tri (dioctyl phosphate) titanate, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl Examples thereof include titanate coupling agents such as titanate, isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate, and isopropyl tri (N-amidoethyl / aminoethyl) titanate. Of these, aminosilane coupling agents are preferred because they are excellent in moisture resistance, dispersibility, and properties of cured products, and organosilazane compounds are preferred because they are excellent in improving dispersibility of resin varnishes. Commercially available surface treatment agents include “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. and “KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBE903” (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM573” (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and the like.

また、表面処理剤で表面処理された無機充填材は、溶剤(例えば、メチルエチルケトン)により洗浄処理した後の無機充填材の単位重量当たりのカーボン量を測定することができる。ここで、「無機充填材の単位重量当たりのカーボン量」とは、無機充填材1gに結合しているカーボン量(g)を百分率で表したものである。具体的には、溶剤として十分な量のMEKを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、25℃で5分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位重量当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所製「EMIA−320V」等を使用することができる。   Moreover, the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent can measure the amount of carbon per unit weight of the inorganic filler after being washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone). Here, “the amount of carbon per unit weight of the inorganic filler” is the percentage of the amount of carbon (g) bonded to 1 g of the inorganic filler. Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent and ultrasonically cleaned at 25 ° C. for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the carbon amount per unit weight of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, “EMIA-320V” manufactured by HORIBA, Ltd. can be used.

無機充填材の単位重量当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上や硬化物の粗化処理後の二乗平均平方根粗さを安定させるという点で、0.02%以上が好ましく、0.05%以上がより好ましく、0.1%以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度や接着フィルム形態での溶融粘度の上昇を防止するという点で、3%以下が好ましく、2%以下がより好ましく、1%以下が更に好ましい。   The amount of carbon per unit weight of the inorganic filler is preferably 0.02% or more in terms of improving the dispersibility of the inorganic filler and stabilizing the root mean square roughness after the roughening treatment of the cured product. 05% or more is more preferable, and 0.1% or more is still more preferable. On the other hand, it is preferably 3% or less, more preferably 2% or less, and even more preferably 1% or less from the viewpoint of preventing an increase in the melt viscosity of the resin varnish or the adhesive film.

(d)硬化促進剤
本発明の樹脂組成物は、硬化時間および硬化温度を調整する等の目的でさらに(d)硬化促進剤を含有することができる。(d)硬化促進剤としては、特に限定されないが、イミダゾール系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、有機ホスフィン化合物、有機ホスホニウム塩化合物等が挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。
(D) Curing accelerator The resin composition of the present invention may further contain (d) a curing accelerator for the purpose of adjusting the curing time and the curing temperature. (D) Although it does not specifically limit as a hardening accelerator, An imidazole type hardening accelerator, an amine type hardening accelerator, an organic phosphine compound, an organic phosphonium salt compound, etc. are mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

イミダゾール系硬化促進剤としては、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ[1,2−a]ベンズイミダゾール、1−ドデシル−2−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライド、2−メチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。   Examples of the imidazole curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2- Ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1- Cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2- Feni Imidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- ( 1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 -[2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4 -Methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-be Jill imidazolium chloride, 2-methyl-imidazoline, adduct of 2-phenyl-imidazo imidazole compounds such as phosphorus and imidazole compound and an epoxy resin. These may be used alone or in combination of two or more.

アミン系硬化促進剤としては、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、4−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセン(以下、DBUと略記する。)などのアミン化合物などが挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。   Examples of amine curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8-diazabicyclo (5,5). And amine compounds such as 4,0) -undecene (hereinafter abbreviated as DBU). These may be used alone or in combination of two or more.

有機ホスフィン化合物、有機ホスホニウム塩化合物としては、TPP、TPP-K、TPP-S、TPTP-S、TBA−DA、TPP−SCN、TPTP−SCN(北興化学工業(株)商品名)などが挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。   Examples of organic phosphine compounds and organic phosphonium salt compounds include TPP, TPP-K, TPP-S, TPTP-S, TBA-DA, TPP-SCN, and TPTP-SCN (trade names of Hokuko Chemical Co., Ltd.). . These may be used alone or in combination of two or more.

(d)硬化促進剤の含有量は、樹脂ワニスの保存安定性や硬化の効率化の点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対し、0.01〜3質量%が好ましく、0.1〜2質量%がより好ましい。   (D) The content of the curing accelerator is preferably 0.01 to 3% by mass with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition from the viewpoint of storage stability of the resin varnish and efficiency of curing. More preferably, the content is 1-2% by mass.

(e)熱可塑性樹脂
本発明の樹脂組成物には、更に(e)熱可塑性樹脂を含有させることにより、当該樹脂組成物から得られる樹脂ワニスの粘度を好適な範囲に調整することができ、また硬化物の可撓性を高めることができる。熱可塑性樹脂としては、特に限定されないが、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ABS樹脂等が挙げられる。なかでも、硬化物の可撓性を高め、密着性に寄与するという観点からフェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましく、フェノキシ樹脂がより好ましい。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。熱可塑性樹脂はガラス転移温度が80℃以上のものが好ましい。
(E) Thermoplastic resin In the resin composition of the present invention, by further containing (e) a thermoplastic resin, the viscosity of the resin varnish obtained from the resin composition can be adjusted to a suitable range, Moreover, the flexibility of the cured product can be increased. The thermoplastic resin is not particularly limited, and examples thereof include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyamide resin, polyethersulfone resin, polysulfone resin, polybutadiene resin, and ABS resin. Of these, phenoxy resins and polyvinyl acetal resins are preferred, and phenoxy resins are more preferred from the viewpoint of enhancing the flexibility of the cured product and contributing to adhesion. These may be used alone or in combination of two or more. The thermoplastic resin preferably has a glass transition temperature of 80 ° C. or higher.

熱可塑性樹脂の重量平均分子量は5000〜800000の範囲であるのが好ましく、10000〜200000の範囲であるのがより好ましく、15000〜150000の範囲であるのが更に好ましく、20000〜100000の範囲であるのが更に一層好ましい。この範囲内であることによりフィルム成型能や機械強度向上の効果が十分発揮され、エポキシ樹脂との相溶性を向上させることもできる。なお本発明における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法(ポリスチレンン換算)で測定される。GPC法による重量平均分子量は、具体的には、測定装置として(株)島津製作所製LC−9A/RID−6Aを、カラムとして昭和電工(株)社製Shodex K−800P/K−804L/K−804Lを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。   The weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably in the range of 5,000 to 800,000, more preferably in the range of 10,000 to 200,000, still more preferably in the range of 15,000 to 150,000, and in the range of 20,000 to 100,000. Is even more preferred. By being in this range, the effect of improving the film forming ability and the mechanical strength is sufficiently exhibited, and the compatibility with the epoxy resin can also be improved. In addition, the weight average molecular weight in this invention is measured by the gel permeation chromatography (GPC) method (polystyrene conversion). Specifically, the weight average molecular weight by the GPC method is LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, and Shodex K-800P / K-804L / K manufactured by Showa Denko KK as a column. -804L can be measured at a column temperature of 40 ° C. using chloroform or the like as a mobile phase, and can be calculated using a standard polystyrene calibration curve.

フェノキシ樹脂としては、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、トリメチルシクロヘキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有するものが挙げられる。フェノキシ樹脂は2種以上を混合して用いてもよい。フェノキシ樹脂の末端はフェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。市販品としては、例えば、三菱化学(株)製1256、4250(ビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂)、三菱化学(株)製YX8100(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂)、三菱化学(株)製YX6954(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂)が挙げられる。市販品としてはまた、新日鐵化学(株)製FX280、FX293、三菱化学(株)製YL7553、YL6954、YL6794、YL7213、YL7290、YL7482等が挙げられる。   Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene skeleton, Examples thereof include those having one or more skeletons selected from a trimethylcyclohexane skeleton. Two or more phenoxy resins may be mixed and used. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. Examples of commercially available products include 1256, 4250 (bisphenol A skeleton-containing phenoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, YX8100 (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, and YX6954 (bisphenol manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). Acetophenone skeleton-containing phenoxy resin). Examples of commercially available products include FX280 and FX293 manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., YL7553, YL6954, YL6794, YL7213, YL7290, and YL7482 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業(株)製、電化ブチラール4000−2、5000−A、6000−C、6000−EP、積水化学工業(株)製エスレックBHシリーズ、BXシリーズ、KSシリーズ、BLシリーズ、BMシリーズ等が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化(株)製のポリイミド「リカコートSN20」および「リカコートPN20」が挙げられる。また、2官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド(特開2006−37083号公報記載のもの)、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド(特開2002−12667号公報、特開2000−319386号公報等に記載のもの)等の変性ポリイミドが挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績(株)製のポリアミドイミド「バイロマックスHR11NN」および「バイロマックスHR16NN」が挙げられる。また、日立化成工業(株)製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「KS9100」、「KS9300」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学(株)製のポリエーテルスルホン「PES5003P」等が挙げられる。ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベンアドバンストポリマーズ(株)製のポリスルホン「P1700」、「P3500」等が挙げられる。   Specific examples of the polyvinyl acetal resin include those manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., electrified butyral 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, and Sekisui Chemical Co., Ltd., ESREC BH series, BX series, and KS. Series, BL series, BM series and the like. Specific examples of the polyimide resin include polyimide “Rika Coat SN20” and “Rika Coat PN20” manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd. Also, a linear polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride (as described in JP 2006-37083 A), a polysiloxane skeleton-containing polyimide (JP 2002-2002). And modified polyimides such as those described in JP-A No. 12667 and JP-A No. 2000-319386. Specific examples of the polyamideimide resin include polyamideimides “Bilomax HR11NN” and “Bilomax HR16NN” manufactured by Toyobo Co., Ltd. In addition, modified polyamideimides such as polysiloxane skeleton-containing polyamideimides “KS9100” and “KS9300” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. may be mentioned. Specific examples of the polyethersulfone resin include polyethersulfone “PES5003P” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone “P1700” and “P3500” manufactured by Solven Advanced Polymers Co., Ltd.

熱可塑性樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、シート状積層材料の溶融粘度の調整や樹脂ワニス粘度の調整の点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対し、0.5〜30質量%が好ましく、1〜20質量%がより好ましい。   Although the content of the thermoplastic resin is not particularly limited, it is 0 with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition from the viewpoint of adjusting the melt viscosity of the sheet-shaped laminated material and adjusting the resin varnish viscosity. 5-30 mass% is preferable, and 1-20 mass% is more preferable.

(f)スミア抑制成分
本発明の樹脂組成物には、更に(f)スミア抑制成分を含有させることができる。これにより、ビアホールのスミア抑制をより高めることができる。ここで、スミア抑制とは、穴あけ加工時に発生するスミア量を減らすことと、粗化処理時にスミアをより除去し易くすること、のどちらの意味も包含する。スミア抑制成分は、樹脂組成物の硬化物を穴あけ加工し、粗化処理した後のスミアを抑制させることが出来るものである。スミア抑制成分としては、有機系スミア抑制成分、無機系スミア抑制成分が挙げられ、絶縁信頼性向上の点で有機系スミア抑制成分が好ましい。具体的には、有機系スミア抑制成分としては、顔料、染料、ゴム粒子、酸化防止剤、赤外線吸収剤等が挙げられ、無機系スミア抑制成分としては、金属化合物粉、金属粉等が挙げられる。スミア抑制成分としては、顔料、染料、ゴム粒子、酸化防止剤及び赤外線吸収剤からなる群より選択される1種以上を用いることが好ましい。これらのうち、スミア抑制能が優れ、ピール強度も優れるという点から、顔料及び/又はゴム粒子がより好ましく、顔料が更に好ましい。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。
(F) Smear suppressing component The resin composition of the present invention may further contain (f) a smear suppressing component. Thereby, smear suppression of via holes can be further increased. Here, smear suppression includes both meanings of reducing the amount of smear generated during drilling and making it easier to remove smear during roughening. The smear suppressing component is capable of suppressing smear after the hole is processed and roughened in the cured product of the resin composition. Examples of the smear suppressing component include an organic smear suppressing component and an inorganic smear suppressing component, and an organic smear suppressing component is preferable from the viewpoint of improving insulation reliability. Specifically, examples of the organic smear suppressing component include pigments, dyes, rubber particles, antioxidants, infrared absorbers, and the like, and examples of the inorganic smear suppressing component include metal compound powder and metal powder. . As the smear suppressing component, it is preferable to use one or more selected from the group consisting of pigments, dyes, rubber particles, antioxidants and infrared absorbers. Of these, pigments and / or rubber particles are more preferable, and pigments are more preferable from the viewpoints of excellent smear suppression ability and excellent peel strength. These may be used alone or in combination of two or more.

顔料としては、青色顔料、黄色顔料、赤色顔料、黒色顔料、緑色顔料等が挙げられる。青色顔料としては、フタロシアニン系、アントラキノン系、ジオキサジン系などの顔料が挙げられる。黄色顔料としては、モノアゾ系、ジスアゾ系、縮合アゾ系、ベンズイミダゾロン系、イソインドリノン系、アントラキノン系などの顔料が挙げられる。赤色顔料としては、モノアゾ系、ジスアゾ系、アゾレーキ系、ベンズイミダゾロン系、ペリレン系、ジケトピロロピロール系、縮合アゾ系、アントラキノン系、キナクリドン系などの顔料が挙げられる。黒色顔料としては、カーボンブラック、黒鉛などが挙げられる。緑色顔料としては、フタロシアニン系などの顔料が挙げられる。顔料は、1種又は2種以上を併用してもよく、青色顔料、黄色顔料、赤色顔料、黒色顔料及び緑色顔料からなる群より選択される1種以上を適宜配合することができる。なかでも、絶縁信頼性を一層向上させることができる点から、青色顔料、黄色顔料、赤色顔料及び緑色顔料からなる群より選択される1種以上を用いることが好ましく、青色顔料、黄色顔料及び赤色顔料を混合してなる混合顔料を用いることがより好ましい。なお、青色顔料、黄色顔料及び赤色顔料を混合してなる混合顔料を調製する際には、穴あけ加工時のレーザーを効率良く吸収し、スミア発生をより抑制できるという観点から、青色顔料、黄色顔料及び赤色顔料の質量比は、2〜6:5〜9:6〜10が好ましく、3〜5:5〜8:7〜10がより好ましく、3〜5:6〜8:7〜9がさらに好ましい。   Examples of the pigment include a blue pigment, a yellow pigment, a red pigment, a black pigment, and a green pigment. Examples of blue pigments include phthalocyanine, anthraquinone, and dioxazine pigments. Examples of yellow pigments include monoazo, disazo, condensed azo, benzimidazolone, isoindolinone, and anthraquinone pigments. Examples of red pigments include monoazo, disazo, azo lake, benzimidazolone, perylene, diketopyrrolopyrrole, condensed azo, anthraquinone, and quinacridone pigments. Examples of the black pigment include carbon black and graphite. Examples of the green pigment include phthalocyanine-based pigments. One or more pigments may be used in combination, and one or more pigments selected from the group consisting of blue pigments, yellow pigments, red pigments, black pigments, and green pigments can be appropriately blended. Especially, it is preferable to use 1 or more types selected from the group which consists of a blue pigment, a yellow pigment, a red pigment, and a green pigment from the point which can improve insulation reliability further, and a blue pigment, a yellow pigment, and red It is more preferable to use a mixed pigment obtained by mixing pigments. In preparing a mixed pigment comprising a mixture of a blue pigment, a yellow pigment and a red pigment, the blue pigment and the yellow pigment can be effectively absorbed from the laser during drilling and smearing can be further suppressed. And the mass ratio of the red pigment is preferably 2 to 6: 5 to 9: 6 to 10, more preferably 3 to 5: 5 to 8: 7 to 10, and further preferably 3 to 5: 6 to 8: 7 to 9. preferable.

染料としては、アゾ(モノアゾ、ジスアゾ等)染料、アゾ−メチン染料、アントラキノン系染料、キノリン染料、ケトンイミン染料、フルオロン染料、ニトロ染料、キサンテン染料、アセナフテン染料、キノフタロン染料、アミノケトン染料、メチン染料、ペリレン染料、クマリン染料、ペリノン染料、トリフェニル染料、トリアリルメタン染料、フタロシアニン染料、インクロフェノール染料、アジン染料、またはこれらの混合物などが挙げられる。   As dyes, azo (monoazo, disazo, etc.) dyes, azo-methine dyes, anthraquinone dyes, quinoline dyes, ketone imine dyes, fluorone dyes, nitro dyes, xanthene dyes, acenaphthene dyes, quinophthalone dyes, aminoketone dyes, methine dyes, perylenes And dyes, coumarin dyes, perinone dyes, triphenyl dyes, triallylmethane dyes, phthalocyanine dyes, incrophenol dyes, azine dyes, or mixtures thereof.

ゴム粒子としては、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される2層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される3層構造のものなどが挙げられる。   Examples of the rubber particles include core-shell type rubber particles, cross-linked acrylonitrile butadiene rubber particles, cross-linked styrene butadiene rubber particles, and acrylic rubber particles. The core-shell type rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer. For example, a two-layer structure in which an outer shell layer is made of a glassy polymer and an inner core layer is made of a rubbery polymer, or Examples include a three-layer structure in which the outer shell layer is made of a glassy polymer, the intermediate layer is made of a rubbery polymer, and the core layer is made of a glassy polymer.

酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤等が挙げられる。市販品としては、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート(チバジャパン(株)製「IRGANOX 1010」)、2,2−チオ-ジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](チバジャパン(株)製「IRGANOX 1035」)、1,3,5−トリス[[3,5−ビス(1,1−ジメチルエチル)−4−ヒドロキシフェニル]メチル]−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン(チバジャパン(株)製「IRGANOX 3114」)等が挙げられる。   Examples of the antioxidant include hindered phenol-based antioxidants, phosphorus-based antioxidants, and sulfur-based antioxidants. Commercially available products include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate (“IRGANOX 1010” manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.), 2,2-thio-diethylenebis [ 3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (“IRGANOX 1035” manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.), 1,3,5-tris [[3,5-bis (1, 1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione ("IRGANOX 3114" manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.) Can be mentioned.

赤外線吸収剤としては、フタロシアニン系化合物、アントラキノン化合物、ニッケル錯体、等が挙げられる。市販品としては、IR-14(日本触媒(株)製)、TX-HA-1(日本触媒(株)製)等が挙げられる。   Examples of infrared absorbers include phthalocyanine compounds, anthraquinone compounds, nickel complexes, and the like. Examples of commercially available products include IR-14 (manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.), TX-HA-1 (manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.), and the like.

金属化合物粉としては、酸化チタン等のチタニア類、酸化マグネシウム等のマグネシア類、酸化鉄等の鉄酸化物、酸化ニッケル等のニッケル酸化物、二酸化マンガン、酸化亜鉛等の亜鉛酸化物、二酸化珪素、酸化アルミニウム、希土類酸化物、酸化コバルト等のコバルト酸化物、酸化錫等のスズ酸化物、酸化タングステン等のタングステン酸化物、炭化珪素、炭化タングステン、窒化硼素、窒化珪素、窒化チタン、窒化アルミニウム、硫酸バリウム、希土類酸硫化物、またはこれらの混合物の粉末などが挙げられる。   As metal compound powder, titania such as titanium oxide, magnesia such as magnesium oxide, iron oxide such as iron oxide, nickel oxide such as nickel oxide, zinc oxide such as manganese dioxide and zinc oxide, silicon dioxide, Aluminum oxide, rare earth oxide, cobalt oxide such as cobalt oxide, tin oxide such as tin oxide, tungsten oxide such as tungsten oxide, silicon carbide, tungsten carbide, boron nitride, silicon nitride, titanium nitride, aluminum nitride, sulfuric acid Examples thereof include powders of barium, rare earth oxysulfides, or mixtures thereof.

金属粉としては、銀、アルミニウム、ビスマス、コバルト、銅、鉄、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、アンチモン、ケイ素、錫、チタン、バナジウム、タングステン、亜鉛、またはこれらの合金若しくは混合物の粉末などが挙げられる。   Examples of metal powders include silver, aluminum, bismuth, cobalt, copper, iron, magnesium, manganese, molybdenum, nickel, palladium, antimony, silicon, tin, titanium, vanadium, tungsten, zinc, or alloys or mixtures thereof. Is mentioned.

スミア抑制成分の含有量は、硬化物性の低下を防止するという観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、4質量%以下が更に好ましく、3質量%以下が更に一層好ましく、2質量%以下が殊更好ましい。また、スミア抑制能を向上させるという観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、0.001質量%以上が好ましく、0.01質量%以上がより好ましく、0.02質量%以上が更に好ましく、0.05質量%以上が更に一層好ましく、0.08質量%以上が殊更好ましく、0.1質量%以上が特に好ましい。   The content of the smear suppressing component is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and more preferably 4% by mass with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition from the viewpoint of preventing a decrease in the cured properties. % Or less is more preferable, 3% by mass or less is further more preferable, and 2% by mass or less is particularly preferable. Further, from the viewpoint of improving the smear suppressing ability, 0.001% by mass or more is preferable, 0.01% by mass or more is more preferable, and 0.02% by mass with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. The above is more preferable, 0.05% by mass or more is still more preferable, 0.08% by mass or more is particularly preferable, and 0.1% by mass or more is particularly preferable.

(g)その他の成分
本発明の樹脂組成物は、さらに、必要に応じて本発明の効果を損なわない範囲でフェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、マレイミド化合物、ビスアリルナジイミド化合物、ビニルベンジル樹脂、ビニルベンジルエーテル樹脂等の熱硬化成分、シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー等の有機充填剤、オルベン、ベントン等の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤又はレベリング剤、チアゾール系、トリアゾール系等の密着性付与剤、水酸化アルミニウム等の難燃剤、有機溶剤、等を挙げることができる。
(G) Other components The resin composition of the present invention may further comprise a phenol resin, a cyanate ester resin, a benzoxazine resin, a maleimide compound, a bisallylnadiimide compound, a vinyl as long as the effects of the present invention are not impaired. Thermosetting components such as benzyl resin and vinyl benzyl ether resin, organic fillers such as silicon powder, nylon powder and fluorine powder, thickeners such as olben and benton, silicone-based, fluorine-based and polymer-based antifoaming agents or Examples thereof include leveling agents, thiazole-based and triazole-based adhesion imparting agents, flame retardants such as aluminum hydroxide, and organic solvents.

本発明の樹脂組成物は、上記成分を適宜混合し、また、必要に応じて三本ロール、ボールミル、ビーズミル、サンドミル等の混練手段、あるいはスーパーミキサー、プラネタリーミキサー等の撹拌手段により混練または混合することにより、樹脂ワニスとして製造することができる。   The resin composition of the present invention is appropriately mixed with the above components and, if necessary, kneaded or mixed by a kneading means such as a three-roll, ball mill, bead mill, or sand mill, or a stirring means such as a super mixer or a planetary mixer. By doing so, it can be produced as a resin varnish.

[基材付き樹脂組成物シート]
本発明の基材付き樹脂組成物シートは、基材上に樹脂組成物層が形成されたものである。該基材付き樹脂組成物シートは、当業者に公知の方法、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて、基材上に塗布し、更に加熱、あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。
[Resin composition sheet with substrate]
In the resin composition sheet with a substrate of the present invention, a resin composition layer is formed on a substrate. The resin composition sheet with a substrate is prepared by a method known to those skilled in the art, for example, by preparing a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent, and using this resin varnish on a substrate using a die coater or the like. It can be produced by coating and further drying the organic solvent by heating or blowing hot air to form a resin composition layer.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は2種以上を組みわせて用いてもよい。   Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, acetates such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, and carbitols such as cellosolve and butyl carbitol. And aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, and N-methylpyrrolidone. Two or more organic solvents may be used in combination.

乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層における有機溶剤の含有量が10質量%以下、好ましくは5質量%以下となるように乾燥させる。ワニス中の有機溶剤量、有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30〜60質量%の有機溶剤を含むワニスを50〜150℃で3〜10分間程度乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。   The drying conditions are not particularly limited, but drying is performed so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Depending on the amount of organic solvent in the varnish and the boiling point of the organic solvent, for example, a resin composition layer is formed by drying a varnish containing 30 to 60% by mass of an organic solvent at 50 to 150 ° C. for about 3 to 10 minutes. can do.

樹脂組成物層の厚さは、導体層の厚さ以上とするのが好ましい。回路基板が有する導体層の厚さは通常5〜70μmの範囲であるので、樹脂組成物層は10〜100μmの厚さを有するのが好ましい。薄膜化の観点から15〜80μmがより好ましい。   The thickness of the resin composition layer is preferably equal to or greater than the thickness of the conductor layer. Since the thickness of the conductor layer of the circuit board is usually in the range of 5 to 70 μm, the resin composition layer preferably has a thickness of 10 to 100 μm. 15-80 micrometers is more preferable from a viewpoint of thin film formation.

基材としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィンのフィルム、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルのフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルムなどの各種プラスチックフィルムが挙げられる。また離型紙や銅箔、アルミニウム箔等の金属箔などを使用してもよい。中でも、汎用性の点から、プラスチックフィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムがより好ましい。基材及び後述する保護フィルムには、マッド処理、コロナ処理等の表面処理が施してあってもよい。また、シリコーン樹脂系離型剤、アルキッド樹脂系離型剤、フッ素樹脂系離型剤等の離型剤で離型処理が施してあってもよい。   Examples of the base material include polyolefin films such as polyethylene, polypropylene, and polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”), polyester films such as polyethylene naphthalate, polycarbonate films, and polyimide films. Various plastic films are listed. Moreover, you may use release foil, metal foil, such as copper foil and aluminum foil. Among these, from the viewpoint of versatility, a plastic film is preferable, and a polyethylene terephthalate film is more preferable. The base material and the protective film described later may be subjected to a surface treatment such as a mud treatment or a corona treatment. The release treatment may be performed with a release agent such as a silicone resin release agent, an alkyd resin release agent, or a fluororesin release agent.

基材の厚さは特に限定されないが、基材上から穴あけを行う場合に、レーザー照射のエネルギーが大きい場合にも樹脂残渣が残りにくくなり、スミアの発生を抑制出来るという点で、10μm以上が好ましく、20μm以上がより好ましく、30μm以上が更に好ましい。また、効率的な穴あけを行うことができるという観点から、150μm以下が好ましく、100μm以下がより好ましく、50μm以下が更に好ましい。   The thickness of the base material is not particularly limited. However, when drilling from above the base material, the resin residue is less likely to remain even when the energy of laser irradiation is large, and it is 10 μm or more in that smearing can be suppressed. Preferably, it is 20 μm or more, more preferably 30 μm or more. Moreover, from a viewpoint that an efficient drilling can be performed, 150 micrometers or less are preferable, 100 micrometers or less are more preferable, and 50 micrometers or less are still more preferable.

樹脂組成物層の基材が密着している面の反対側の面には、基材に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。この場合、基材付き樹脂組成物シートは、基材と、該基材の上に形成された樹脂組成物層と、該樹脂組成物層の上に形成された保護フィルムとを含む。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、1〜40μmである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。基材付き樹脂組成物シートは、ロール状に巻きとって貯蔵することもできる。   A protective film according to the substrate can be further laminated on the surface of the resin composition layer opposite to the surface to which the substrate is in close contact. In this case, the resin composition sheet with a base material includes a base material, a resin composition layer formed on the base material, and a protective film formed on the resin composition layer. Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, it is 1-40 micrometers. By laminating the protective film, it is possible to prevent dust and the like from being attached to the surface of the resin composition layer and scratches. The resin composition sheet with a base material can be wound and stored in a roll shape.

また、本発明の樹脂組成物層は、樹脂組成物をシート状補強基材にホットメルト法又はソルベント法により含浸させたプリプレグであっても良い。シート状補強基材としては、例えば、ガラスクロスやアラミド繊維等のプリプレグ用繊維として常用されているものを用いることができる。ホットメルト法は、樹脂組成物を有機溶剤に溶解することなく、支持体上に一旦コーティングし、それをシート状補強基材にラミネートする、あるいはダイコーターによりシート状補強基材に直接塗工するなどして、プリプレグを製造する方法である。またソルベント法は、接着フィルムと同様にして樹脂を有機溶剤に溶解して樹脂ワニスを調製し、このワニスにシート状補強基材を浸漬し、樹脂ワニスをシート状補強基材に含浸させ、その後乾燥させる方法である。また、接着フィルムをシート状補強基材の両面から加熱、加圧条件下、連続的に熱ラミネートすることで調製することもできる。   In addition, the resin composition layer of the present invention may be a prepreg obtained by impregnating a resin composition into a sheet-like reinforcing base material by a hot melt method or a solvent method. As the sheet-like reinforcing substrate, for example, those commonly used as prepreg fibers such as glass cloth and aramid fibers can be used. In the hot melt method, the resin composition is once coated on a support without being dissolved in an organic solvent, and then laminated on a sheet-like reinforcing substrate, or directly applied to a sheet-like reinforcing substrate by a die coater. Thus, a prepreg is manufactured. In the solvent method, a resin varnish is prepared by dissolving a resin in an organic solvent in the same manner as the adhesive film, and a sheet-like reinforcing base material is immersed in the varnish, and then the resin-like varnish is impregnated into the sheet-like reinforcing base material. It is a method of drying. Alternatively, the adhesive film can be prepared by continuously laminating the adhesive film from both sides of the sheet-like reinforcing substrate under heating and pressure conditions.

先述のとおり、本発明の(A)工程では、基材付き樹脂組成物シートを、回路基板の両面又は片面に樹脂組成物層を接するように積層する。
以下、基材付き樹脂組成物シートを回路基板に積層する方法の一例を説明する。
As described above, in the step (A) of the present invention, the resin composition sheet with a substrate is laminated so that the resin composition layer is in contact with both surfaces or one surface of the circuit board.
Hereinafter, an example of a method for laminating a resin composition sheet with a substrate on a circuit board will be described.

まず、基材付き樹脂組成物シートを、真空ラミネーターを用いて回路基板の片面又は両面に樹脂組成物層を接するように積層する。回路基板に用いられる基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。なお、ここで回路基板とは、上記のような基板の片面又は両面にパターン加工された導体層(回路)が形成されたものをいう。また導体層と絶縁層とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、該多層プリント配線板の最外層の片面又は両面がパターン加工された導体層(回路)となっているものも、ここでいう回路基板に含まれる。なお導体層表面には、黒化処理、銅エッチング等により予め粗化処理が施されていてもよい。   First, a resin composition sheet with a substrate is laminated using a vacuum laminator so that the resin composition layer is in contact with one or both sides of the circuit board. Examples of the substrate used for the circuit substrate include a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, and the like. In addition, a circuit board means here that the conductor layer (circuit) patterned was formed in the one or both surfaces of the above boards. Also, in a multilayer printed wiring board in which conductor layers and insulating layers are alternately laminated, one of the outermost layers of the multilayer printed wiring board is a conductor layer (circuit) in which one or both sides are patterned. It is included in the circuit board. The surface of the conductor layer may be previously roughened by blackening, copper etching, or the like.

基材付き樹脂組成物シートが保護フィルムを有している場合には、該保護フィルムを除去した後、必要に応じて基材付き樹脂組成物シート及び回路基板をプレヒートし、基材付き樹脂組成物シートを加圧及び加熱しながら回路基板に圧着する。好適な一実施形態では、真空ラミネート法により減圧下で、基材付き樹脂組成物シートを、回路基板に積層する。ラミネートの条件は、特に限定されるものではないが、例えば、圧着温度(ラミネート温度)を好ましくは70〜140℃、圧着圧力(ラミネート圧力)を好ましくは1〜11kgf/cm(9.8×10〜107.9×10N/m)とし、圧着時間(ラミネート時間)を好ましくは5〜180秒間とし、空気圧20mmHg(26.7hPa)以下の減圧下でラミネートするのが好ましい。また、ラミネートの方法は、バッチ式であってもロールでの連続式であってもよい。真空ラミネートは、市販の真空ラミネーターを使用して行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、ニチゴー・モートン(株)製バキュームアップリケーター、(株)名機製作所製真空加圧式ラミネーター、(株)日立インダストリイズ製ロール式ドライコータ、日立エーアイーシー(株)製真空ラミネーター等を挙げることができる。また、真空ホットプレス機を用いて、上記と同様に積層することもできる。市販されている真空ホットプレス機としては、例えば、MNPC−V−750−5−200((株)名機製作所製)、VH1−1603(北川精機(株)製)等が挙げられる。汎用性や生産性の点から、真空ラミネーターが好ましい。 When the resin composition sheet with a substrate has a protective film, after removing the protective film, the resin composition sheet with a substrate and the circuit board are preheated as necessary, and the resin composition with the substrate The object sheet is pressed against the circuit board while being pressurized and heated. In a preferred embodiment, the resin composition sheet with a substrate is laminated on a circuit board under reduced pressure by a vacuum laminating method. Lamination conditions are not particularly limited. For example, the pressure bonding temperature (laminating temperature) is preferably 70 to 140 ° C., and the pressure bonding pressure (laminating pressure) is preferably 1 to 11 kgf / cm 2 (9.8 × 10 4 to 107.9 × 10 4 N / m 2 ), the pressure bonding time (laminating time) is preferably 5 to 180 seconds, and the lamination is preferably performed under reduced pressure with an air pressure of 20 mmHg (26.7 hPa) or less. The laminating method may be a batch method or a continuous method using a roll. The vacuum lamination can be performed using a commercially available vacuum laminator. Commercially available vacuum laminators include, for example, a vacuum applicator manufactured by Nichigo-Morton Co., Ltd., a vacuum pressurizing laminator manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., a roll dry coater manufactured by Hitachi Industries, Ltd., and Hitachi AIC Co., Ltd. ) Made vacuum laminator and the like. Moreover, it can also laminate | stack similarly to the above using a vacuum hot press machine. Examples of commercially available vacuum hot press machines include MNPC-V-750-5-200 (manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.), VH1-1603 (manufactured by Kitagawa Seiki Co., Ltd.), and the like. A vacuum laminator is preferable from the viewpoint of versatility and productivity.

<(B)工程>
(B)工程は、樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程である。以下詳述する。
<(B) Process>
(B) A process is a process of thermosetting a resin composition layer and forming an insulating layer. Details will be described below.

基材付き樹脂組成物シートを回路基板に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化することにより回路基板上に絶縁層を形成することができる。熱硬化の条件は、樹脂組成物中の樹脂成分の種類、含有量などに応じて適宜選択すればよいが、好ましくは150℃〜220℃で20〜180分間、より好ましくは160℃〜210℃で30〜120分間の範囲で選択される。また、基材を剥離せずに熱硬化することで、ごみや埃等の異物付着を防止することができる。   After laminating the resin composition sheet with the base material on the circuit board, the insulating layer can be formed on the circuit board by thermosetting the resin composition layer. The thermosetting conditions may be appropriately selected according to the type and content of the resin component in the resin composition, but preferably 150 ° C. to 220 ° C. for 20 to 180 minutes, more preferably 160 ° C. to 210 ° C. In the range of 30 to 120 minutes. Moreover, adhesion of foreign matters such as dust and dust can be prevented by thermosetting without peeling off the substrate.

(A)工程において、真空ホットプレス機を用いて、減圧下、加熱及び加圧を行って、基材付き樹脂組成物シートを回路基板に積層する場合は、(A)工程と(B)工程を同時に行うこともできる。例えば、加熱されたSUS板等の金属板を基材側からプレスし、プレス温度を150〜200℃、プレス圧力を1〜40kgf/cm、プレス時間を30〜120分間、減圧度を1×10−2MPa以下として行うことが出来る。また、加熱及び加圧は、1段階で行うことも出来るが、樹脂のしみだしを制御する観点から2段階以上に条件を分けて行うのが好ましい。例えば、1段階目のプレスを、温度が70〜150℃、圧力が1〜15kgf/cm、時間を30〜60分間の範囲で行い、2段階目のプレスを、上記条件で行うことが好ましい。このように樹脂組成物層を熱硬化することにより回路基板上に絶縁層を形成することができる。 In the step (A), when a resin composition sheet with a substrate is laminated on a circuit board by heating and pressing under reduced pressure using a vacuum hot press machine, the steps (A) and (B) Can be performed simultaneously. For example, a heated metal plate such as a SUS plate is pressed from the substrate side, the pressing temperature is 150 to 200 ° C., the pressing pressure is 1 to 40 kgf / cm 2 , the pressing time is 30 to 120 minutes, and the degree of vacuum is 1 ×. It can be carried out at 10 −2 MPa or less. Moreover, although heating and pressurization can be performed in one stage, it is preferable to divide the conditions into two or more stages from the viewpoint of controlling the bleeding of the resin. For example, it is preferable that the first-stage press is performed at a temperature of 70 to 150 ° C., a pressure of 1 to 15 kgf / cm 2 and a time of 30 to 60 minutes, and the second-stage press is performed under the above conditions. . Thus, an insulating layer can be formed on a circuit board by thermosetting the resin composition layer.

本発明の絶縁層の誘電正接は、後述の<誘電正接の測定>記載の方法により測定することができる。具体的には、空洞共振器摂動法により周波数5.8GHz、測定温度23℃で測定することができる。高周波での発熱防止、信号遅延および信号ノイズの低減という観点から、誘電正接は0.05以下が好ましく、0.04以下がより好ましく、0.03以下が更に好ましく、0.02以下が更に一層好ましい。一方、誘電正接の下限値は特に制限は無いが、0.001以上が好ましい。   The dielectric loss tangent of the insulating layer of the present invention can be measured by the method described later in <Measurement of dielectric loss tangent>. Specifically, it can be measured at a frequency of 5.8 GHz and a measurement temperature of 23 ° C. by the cavity resonator perturbation method. From the viewpoints of preventing heat generation at high frequencies, reducing signal delay and signal noise, the dielectric loss tangent is preferably 0.05 or less, more preferably 0.04 or less, still more preferably 0.03 or less, and even more preferably 0.02 or less. preferable. On the other hand, the lower limit value of the dielectric loss tangent is not particularly limited, but is preferably 0.001 or more.

<(C)工程>
(C)工程は、絶縁層表面に基材上から穴あけ加工してビアホールを形成する工程である。以下詳述する。
<Process (C)>
Step (C) is a step of forming a via hole by drilling from the base material on the surface of the insulating layer. Details will be described below.

絶縁層を形成した後、基材上から、絶縁層に穴あけ加工してビアホールを形成する。穴あけ加工は、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等の公知の方法により、また必要によりこれらの方法を組み合わせて行うことができる。中でも、炭酸ガスレーザー、YAGレーザー等のレーザーによる穴あけ加工が好ましい。   After forming the insulating layer, a via hole is formed by drilling the insulating layer from above the base material. The drilling can be performed by a known method such as drilling, laser, or plasma, or by combining these methods as necessary. Of these, drilling with a laser such as a carbon dioxide laser or a YAG laser is preferred.

炭酸ガスレーザーでビアホールを形成する場合は、一般に9.3〜10.6μmの波長のレーザーが使用される。また、ショット数は、形成すべきビアホールの深さ、孔径によっても異なるが、通常1〜5ショットの間で選択される。ビアホールの加工速度を速め、多層プリント配線板の生産性を向上させるためにショット数は少ない方が良く、ショット数は1〜3が好ましい。なお、複数のショットで加工する場合、連続的なショットであるバーストモードは孔内に加工熱がこもり、ビア形状がいびつになりやすいため、時間的間隔を持たせた複数ショットである、サイクルモードが好ましい。   When forming a via hole with a carbon dioxide laser, a laser with a wavelength of 9.3 to 10.6 μm is generally used. The number of shots is usually selected from 1 to 5 shots, although it varies depending on the depth and hole diameter of the via hole to be formed. In order to increase the processing speed of the via hole and improve the productivity of the multilayer printed wiring board, it is better that the number of shots is small, and the number of shots is preferably 1 to 3. In addition, when processing with multiple shots, the burst mode, which is a continuous shot, is a multi-shot with a time interval because the processing heat is trapped in the hole and the via shape tends to be distorted. Is preferred.

炭酸ガスレーザーのパルス幅は特に限定されず、28μ秒のミドルレンジから4μ秒の短パルスまで広い範囲で選択可能であるが、高エネルギーの場合、短パルスの方がビア加工形状に優れる。   The pulse width of the carbon dioxide laser is not particularly limited, and can be selected in a wide range from a middle range of 28 μsec to a short pulse of 4 μsec. However, in the case of high energy, the short pulse is superior in the via processing shape.

また、多層プリント配線板の薄型化に対応するため、ビアホールのトップ径(直径)は、70μm以下が好ましく、65μm以下がより好ましく、60μm以下が更に好ましい。一方で、ビアホール内の粗化処理が行いづらくなるのを防止するために、ビアホールのトップ径(直径)は15μm以上とするのが好ましく、20μm以上とするのがより好ましく、25μm以上とするのが更に好ましい。   Further, in order to cope with the thinning of the multilayer printed wiring board, the top diameter (diameter) of the via hole is preferably 70 μm or less, more preferably 65 μm or less, and further preferably 60 μm or less. On the other hand, the top diameter (diameter) of the via hole is preferably 15 μm or more, more preferably 20 μm or more, and more preferably 25 μm or more in order to prevent the roughening treatment in the via hole from being difficult. Is more preferable.

また、上記と同様に多層プリント配線板の薄型化に対応するため、ビアホール底部の直径は、60μm以下が好ましく、55μm以下がより好ましく、50μm以下が更に好ましい。一方で、層間の導通信頼性を向上させる点から、ビアホール底部の直径は10μm以上が好ましく、15μm以上がより好ましく、20μm以上が更に好ましい。   Moreover, in order to cope with the thinning of the multilayer printed wiring board as described above, the diameter of the via hole bottom is preferably 60 μm or less, more preferably 55 μm or less, and further preferably 50 μm or less. On the other hand, the diameter of the via hole bottom is preferably 10 μm or more, more preferably 15 μm or more, and even more preferably 20 μm or more from the viewpoint of improving the conduction reliability between layers.

さらに、ビア形状を良好にし、層間の導通信頼性を向上させるために、ビアホールのテーパ角度は、50〜90度が好ましく、60〜88度がより好ましく、70〜86度が更に好ましい。ここでテーパ角度とは、ビアホール底部とビアホール側面の外角を意味する。   Furthermore, in order to improve the via shape and improve the conduction reliability between layers, the taper angle of the via hole is preferably 50 to 90 degrees, more preferably 60 to 88 degrees, and further preferably 70 to 86 degrees. Here, the taper angle means an outer angle between the bottom of the via hole and the side surface of the via hole.

また、ビア形状を良好にし、層間の導通信頼性を向上させるために、ビアホールの開口率(ビアホール底部の直径/ビアホールのトップ径(直径))は70%以上が好ましく、75%以上がより好ましく、78%以上が更に好ましく、81%以上が更に一層好ましい。一方で、メッキ液が浸透しにくくなることを防止するという点で100%以下が好ましい。   In order to improve the via shape and improve the conduction reliability between layers, the opening ratio of the via hole (the diameter of the bottom of the via hole / the top diameter of the via hole (diameter)) is preferably 70% or more, more preferably 75% or more. 78% or more is more preferable, and 81% or more is further more preferable. On the other hand, 100% or less is preferable at the point which prevents that a plating solution becomes difficult to osmose | permeate.

<(D)工程>
(D)工程は、基材を剥離する工程である。以下詳述する。
<(D) Process>
(D) A process is a process of peeling a base material. Details will be described below.

穴あけ加工後に基材を剥離する。基材がプラスチックフィルムの場合は、基材の剥離は、手動または自動剥離装置により機械的に除去することによって行うことができる。また、基材が金属箔の場合は、エッチング液などにより金属箔を溶解して、金属箔を剥離、除去することができる。   The substrate is peeled after drilling. When the substrate is a plastic film, the substrate can be peeled by mechanical removal with a manual or automatic peeling device. When the substrate is a metal foil, the metal foil can be peeled and removed by dissolving the metal foil with an etching solution or the like.

<(E)工程>
(E)工程は、該絶縁層表面を粗化処理する工程である。以下詳述する。
<(E) Process>
Step (E) is a step of roughening the surface of the insulating layer. Details will be described below.

基材剥離後、絶縁層表面を粗化処理する。乾式の粗化処理としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。本発明の(E)工程においては、乾式、湿式のいずれの粗化処理を採用してもよいが、湿式の粗化処理の方が、絶縁層表面に凸凹のアンカーを形成しながら、ビアホール内のスミアを除去することができる点で好ましい。   After peeling off the base material, the surface of the insulating layer is roughened. Examples of the dry roughening treatment include plasma treatment, and examples of the wet roughening treatment include a method in which a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralization treatment with a neutralizing solution are performed in this order. In the step (E) of the present invention, either dry or wet roughening treatment may be adopted. However, the wet roughening treatment is more effective in forming the uneven anchor on the surface of the insulating layer, and in the via hole. It is preferable in that smear can be removed.

膨潤液による膨潤処理は、絶縁層を50〜80℃で5〜20分間(好ましくは55〜70℃で8〜15分間)、膨潤液に浸漬させることで行われる。膨潤液としてはアルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液である。該アルカリ溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液等が挙げられる。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン(株)製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスP(Swelling Dip Securiganth P)、スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU(Swelling Dip Securiganth SBU)等を挙げることができる。   The swelling treatment with the swelling liquid is performed by immersing the insulating layer in the swelling liquid at 50 to 80 ° C. for 5 to 20 minutes (preferably at 55 to 70 ° C. for 8 to 15 minutes). Examples of the swelling liquid include an alkaline solution and a surfactant solution, and an alkaline solution is preferable. Examples of the alkaline solution include sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution. Examples of commercially available swelling liquids include Swelling Dip Securigans P (Swelling Dip Securigans SBU) and Swelling Dip Securigans SBU manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. be able to.

酸化剤による粗化処理は、絶縁層を60〜80℃で10〜30分間(好ましくは70〜80℃で15〜25分間)、酸化剤溶液に浸漬させることで行われる。酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液、重クロム酸塩、オゾン、過酸化水素/硫酸、硝酸等を挙げることができる。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は5〜10重量%とするのが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン(株)製のコンセントレート・コンパクト CP、ドージングソリューション セキュリガンスP等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。   The roughening treatment with an oxidizing agent is performed by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution at 60 to 80 ° C. for 10 to 30 minutes (preferably at 70 to 80 ° C. for 15 to 25 minutes). Examples of the oxidizing agent include alkaline permanganate solution in which potassium permanganate and sodium permanganate are dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide, dichromate, ozone, hydrogen peroxide / sulfuric acid, nitric acid and the like. it can. The concentration of permanganate in the alkaline permanganate solution is preferably 5 to 10% by weight. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as Concentrate Compact CP and Dosing Solution Securigans P manufactured by Atotech Japan.

中和液による中和処理は、絶縁層を30〜50℃で3〜10分間(好ましくは35〜45℃で3〜8分間)、中和液に浸漬させることで行われる。中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、アトテックジャパン(株)製のリダクションソリューシン・セキュリガントPが挙げられる。   The neutralization treatment with the neutralizing solution is performed by immersing the insulating layer in the neutralizing solution at 30 to 50 ° C. for 3 to 10 minutes (preferably at 35 to 45 ° C. for 3 to 8 minutes). As the neutralizing solution, an acidic aqueous solution is preferable, and as a commercially available product, Reduction Solution / Secligant P manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. may be mentioned.

粗化処理後の絶縁層表面は、電気信号のロスを軽減するという点で、微細な凹凸になっているのが望まれる。本発明においては、スミアが抑制されているため、スミアを除去するために過剰な粗化処理を行う必要がない。そのため、絶縁層表面を微細な凹凸の粗面にすることができ、スミア除去と微細な粗面形成との相反する特徴を達成できる点で優れている。絶縁層表面の凹凸の緻密さを現すものとして、二乗平均平方根粗さRqがある。この指標により、絶縁層表面の凹凸の単なる平均値ではなく、絶縁層表面が緻密な凹凸形状になっていることが分かる。粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqは、500nm以下が好ましく、400nm以下がより好ましく、300nm以下が更に好ましく、250nm以下が更に一層好ましく、200nm以下が殊更好ましく、150nm以下が特に好ましい。また、下限値はメッキ導体層との良好な密着性を得るという点から、5nm以上が好ましく、10nm以上がより好ましく、20nm以上が更に好ましい。
なお、粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqは、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ製の「WYKO NT3300」が挙げられる。
It is desirable that the surface of the insulating layer after the roughening treatment has fine irregularities in terms of reducing the loss of electrical signals. In the present invention, since smear is suppressed, it is not necessary to perform an excessive roughening treatment in order to remove smear. Therefore, the surface of the insulating layer can be made into a rough surface with fine irregularities, which is excellent in that the opposite characteristics of smear removal and fine rough surface formation can be achieved. The root mean square roughness Rq is an example of the density of the irregularities on the surface of the insulating layer. From this index, it can be seen that the surface of the insulating layer is not a simple average value of the unevenness on the surface of the insulating layer, but has a dense uneven shape. The root mean square roughness Rq of the insulating layer surface after the roughening treatment is preferably 500 nm or less, more preferably 400 nm or less, further preferably 300 nm or less, still more preferably 250 nm or less, particularly preferably 200 nm or less, and particularly preferably 150 nm or less. Particularly preferred. The lower limit is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, and still more preferably 20 nm or more from the viewpoint of obtaining good adhesion with the plated conductor layer.
The root mean square roughness Rq of the surface of the insulating layer after the roughening treatment can be measured using a non-contact type surface roughness meter. As a specific example of the non-contact type surface roughness meter, “WYKO NT3300” manufactured by Bee Coins Instruments can be cited.

<(F)工程>
本発明では、更に粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程((F)工程)を行うことにより、回路(配線)を形成することができる。以下詳述する。
<(F) Process>
In the present invention, a circuit (wiring) can be formed by performing a step ((F) step) of forming a conductor layer by plating on the surface of the insulating layer after the roughening treatment. Details will be described below.

メッキして導体層を形成する方法として、乾式メッキ又は湿式メッキにより絶縁層上に導体層を形成する方法が挙げられる。乾式メッキとしては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の公知の方法を使用することができる。湿式メッキとしては、粗化処理後に無電解メッキと電解メッキとを組み合わせて導体層を形成する方法、導体層とは逆パターンのメッキレジストを形成し、無電解メッキのみで導体層を形成する方法、等が挙げられる。その後のパターン形成の方法として、例えば、当業者に公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを用いることができる。   As a method of forming a conductor layer by plating, a method of forming a conductor layer on an insulating layer by dry plating or wet plating can be mentioned. As the dry plating, a known method such as vapor deposition, sputtering, or ion plating can be used. As wet plating, a method of forming a conductor layer by combining electroless plating and electrolytic plating after the roughening treatment, a method of forming a plating resist having a pattern opposite to that of the conductor layer, and forming the conductor layer only by electroless plating , Etc. As a subsequent pattern formation method, for example, a subtractive method or a semi-additive method known to those skilled in the art can be used.

メッキして導体層を形成した後は、絶縁層表面と導体層が十分に密着していることが望まれる。具体的には、粗化処理後の絶縁層表面にメッキして得られる導体層と該絶縁層とのピール強度が、0.35kgf/cm以上が好ましく、0.45kgf/cm以上がより好ましい。一方、上限値は特に制限は無いが、一般的に1.2kgf/cm以下となる。   After plating to form the conductor layer, it is desirable that the surface of the insulating layer and the conductor layer are sufficiently adhered. Specifically, the peel strength between the conductor layer obtained by plating on the surface of the insulating layer after the roughening treatment and the insulating layer is preferably 0.35 kgf / cm or more, and more preferably 0.45 kgf / cm or more. On the other hand, the upper limit value is not particularly limited, but is generally 1.2 kgf / cm or less.

上述の一連の工程を複数回繰り返すことで、ビルドアップ層を多段に積層した多層プリント配線板となる。本発明では、スミアの発生が抑制されるため、ビアホール底部のメッキ密着力が向上して、ビアホール底部のボイド発生が防止され、層間の導通信頼性を確保することができる。そのため、多層プリント配線板の製造方法として好適に使用することができる。   By repeating the above-described series of steps a plurality of times, a multilayer printed wiring board in which build-up layers are laminated in multiple stages is obtained. In the present invention, since the occurrence of smear is suppressed, the plating adhesion at the bottom of the via hole is improved, the generation of voids at the bottom of the via hole is prevented, and the conduction reliability between layers can be ensured. Therefore, it can be suitably used as a method for producing a multilayer printed wiring board.

<半導体装置>
本発明の方法により製造された多層プリント配線板を用いることで半導体装置を製造することができる。本発明の多層プリント配線板の導通箇所に、半導体チップを実装することにより半導体装置を製造することができる。「導通箇所」とは、「多層プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。
<Semiconductor device>
A semiconductor device can be manufactured by using the multilayer printed wiring board manufactured by the method of the present invention. A semiconductor device can be manufactured by mounting a semiconductor chip in a conductive portion of the multilayer printed wiring board of the present invention. The “conduction location” is a “location where an electrical signal is transmitted in a multilayer printed wiring board”, and the location may be a surface or an embedded location. The semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor.

本発明の半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されないが、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法、異方性導電フィルム(ACF)による実装方法、非導電性フィルム(NCF)による実装方法、などが挙げられる。   The semiconductor chip mounting method for manufacturing the semiconductor device of the present invention is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively, but specifically, a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, and no bumps. Examples include a mounting method using a build-up layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), and a mounting method using a non-conductive film (NCF).

以下、実施例及び比較例を用いて本発明をより詳細に説明するが、これらは本発明をいかなる意味においても制限するものではない。なお、以下の記載において、「部」は「質量部」を意味する。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example and a comparative example, these do not restrict | limit this invention in any meaning. In the following description, “part” means “part by mass”.

<測定方法・評価方法>
まずは各種測定方法・評価方法について説明する。
<Measurement method / Evaluation method>
First, various measurement methods and evaluation methods will be described.

<スミア評価>
各実施例および各比較例で得られた基材付き樹脂組成物シートについて、以下に従ってスミア(樹脂残渣)の評価を行った。
<Smear evaluation>
About the resin composition sheet with a base material obtained by each Example and each comparative example, smear (resin residue) was evaluated according to the following.

(1)回路基板の作製
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板厚み0.8mm、松下電工(株)製R5715ES)の両面にエッチングにより回路パターンを形成し、さらにマイクロエッチング剤(メック(株)製CZ8100)で粗化処理を行い、回路基板を作製した。
(1) Fabrication of circuit board A circuit pattern was formed by etching on both sides of a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm, board thickness 0.8 mm, R5715ES manufactured by Matsushita Electric Works Co., Ltd.) Further, a roughening treatment was performed with a microetching agent (CZ8100 manufactured by MEC Co., Ltd.), and a circuit board was produced.

(2)基材付き樹脂組成物シートの積層
各実施例および各比較例で作製した基材付き樹脂組成物シートを、バッチ式真空加圧ラミネーターMVLP−500(商品名、名機(株)製)を用いて、上記(1)で作製した回路基板の両面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、30秒間、圧力0.74MPaで圧着させることにより行った。
(2) Lamination of resin composition sheet with base material The resin composition sheet with base material prepared in each Example and each Comparative Example was batch-type vacuum pressure laminator MVLP-500 (trade name, manufactured by Meiki Co., Ltd.). ) Was laminated on both sides of the circuit board produced in (1) above. Lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then pressure bonding at 100 ° C. for 30 seconds at a pressure of 0.74 MPa.

(3)樹脂組成物層の硬化
実施例1−8及び比較例1においては、積層された基材付き樹脂組成物シートをそのまま170℃、30分間の硬化条件で樹脂組成物層を硬化して、絶縁層を形成した。比較例2においては、積層された基材付き樹脂組成物シートからPETフィルムを剥離した後、170℃、30分間の硬化条件で樹脂組成物層を硬化して、絶縁層を形成した。硬化後の比較例2の絶縁層表面を目視で観察したところ、異物(埃)付着が見られた。
(3) Curing of resin composition layer In Example 1-8 and Comparative Example 1, the resin composition layer was cured as it was under the curing conditions of 170 ° C for 30 minutes. An insulating layer was formed. In Comparative Example 2, the PET film was peeled from the laminated resin composition sheet with a substrate, and then the resin composition layer was cured at 170 ° C. for 30 minutes to form an insulating layer. When the surface of the insulating layer of Comparative Example 2 after curing was visually observed, adhesion of foreign matter (dust) was observed.

(4)ビアホール形成
松下溶接システム(株)製COレーザー加工機(YB−HCS03T04)を使用し、周波数1000Hzでパルス幅13μ秒、ショット数3のサイクルモード条件で絶縁層を加工して、絶縁層表面におけるビアホールのトップ径(直径)が60μm、絶縁層底面におけるビアホール底部の直径が50μmのビアホールを形成した(テーパ角度は約83度)。なお、比較例2はビアホール底部の直径は40μmであった。実施例1−8及び比較例1においては、ビアホールを形成した後にPETフィルムを剥離した。
(4) Via hole formation Using a CO 2 laser processing machine (YB-HCS03T04) manufactured by Matsushita Welding Systems Co., Ltd., insulating the insulating layer by processing it in cycle mode conditions with a frequency of 1000 Hz and a pulse width of 13 μs and a shot number of 3 A via hole having a top diameter (diameter) of the via hole on the surface of the layer of 60 μm and a diameter of the bottom of the via hole on the bottom surface of the insulating layer of 50 μm was formed (taper angle is about 83 degrees). In Comparative Example 2, the diameter of the bottom of the via hole was 40 μm. In Example 1-8 and Comparative Example 1, the PET film was peeled after the via hole was formed.

(5)粗化処理
回路基板を、膨潤液であるアトテックジャパン(株)のスエリングディップ・セキュリガントPに60℃で10分間浸漬した。次に、粗化液(酸化剤)であるアトテックジャパン(株)のコンセントレート・コンパクトP(KMnO:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で20分間浸漬した。最後に、中和液であるアトテックジャパン(株)のリダクションソリューション・セキュリガントPに40℃で5分間浸漬した。
(5) Roughening treatment The circuit board was immersed in a swelling dip securigant P of Atotech Japan Co., Ltd., which is a swelling liquid, at 60 ° C. for 10 minutes. Next, it was immersed for 20 minutes at 80 ° C. in a concentrated compact P (KMnO 4 : 60 g / L, NaOH: 40 g / L aqueous solution) of Atotech Japan Co., Ltd., which is a roughening solution (oxidant). Finally, it was immersed for 5 minutes at 40 ° C. in a reduction solution securigant P of Atotech Japan Co., Ltd., which is a neutralizing solution.

(6)ビアホール底部の残渣評価
ビアホール底部の周囲を走査電子顕微鏡(SEM)にて観察し、得られた画像からビアホール底部の壁面からの最大スミア長を測定した。◎○は最大スミア長が2μm未満、◎は最大スミア長が2μm以上3.5μm未満、○は最大スミア長が3.5μm以上5μm未満、×は最大スミア長が5μm以上を表す。
(6) Evaluation of residue at bottom of via hole The periphery of the bottom of the via hole was observed with a scanning electron microscope (SEM), and the maximum smear length from the wall surface of the bottom of the via hole was measured from the obtained image. ◎: Maximum smear length of less than 2 μm, ◎: Maximum smear length of 2 μm or more and less than 3.5 μm, ○: Maximum smear length of 3.5 μm or more and less than 5 μm, and X: Maximum smear length of 5 μm or more.

<メッキ導体層の引き剥がし強さ(ピール強度)の測定、及び二乗平均平方根粗さ(Rq)の測定>   <Measurement of peel strength (peel strength) of plating conductor layer and measurement of root mean square roughness (Rq)>

(1)積層板の下地処理
内層回路の形成されたガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板厚み0.3mm、松下電工(株)製R5715ES)の両面をメック(株)製CZ8100に浸漬して銅表面の粗化処理を行った。
(1) Substrate treatment of laminate board Both sides of a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.3 mm, R5715ES manufactured by Matsushita Electric Works Co., Ltd.) on which an inner layer circuit is formed The copper surface was roughened by dipping in CZ8100 manufactured by MEC.

(2)基材付き樹脂組成物シートの積層
各実施例および各比較例で作成した基材付き樹脂組成物シートを、バッチ式真空加圧ラミネーターMVLP-500((株)名機製作所製、商品名)を用いて、積層板の両面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、30秒間、100℃、圧力0.74MPaで圧着させることにより行った。
(2) Lamination of resin composition sheet with substrate The resin composition sheet with substrate prepared in each example and each comparative example is a batch type vacuum pressure laminator MVLP-500 (manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., product) Name) and laminated on both sides of the laminate. Lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then pressure bonding at 100 ° C. and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds.

(3)樹脂組成物層の硬化
実施例1−8及び比較例1においては、積層された基材付き樹脂組成物シートをそのまま170℃、30分間の硬化条件で樹脂組成物層を硬化して、絶縁層を形成し、PETフィルムを剥離した。比較例2においては、積層された基材付き樹脂組成物シートからPETフィルムを剥離した後、170℃、30分間の硬化条件で樹脂組成物層を硬化して、絶縁層を形成した。
(3) Curing of resin composition layer In Example 1-8 and Comparative Example 1, the resin composition layer was cured as it was under the curing conditions of 170 ° C for 30 minutes. Then, an insulating layer was formed, and the PET film was peeled off. In Comparative Example 2, the PET film was peeled from the laminated resin composition sheet with a substrate, and then the resin composition layer was cured at 170 ° C. for 30 minutes to form an insulating layer.

(4)粗化処理
積層板を、膨潤液である、アトテックジャパン(株)のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガンドPに60℃で10分間浸漬し、次に粗化液(酸化剤)として、アトテックジャパン(株)のコンセントレート・コンパクトP(KMnO:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で20分間浸漬、最後に中和液として、アトテックジャパン(株)のリダクションショリューシン・セキュリガントPに40℃で5分間浸漬した。この粗化処理後の積層板をサンプルAとした。
(4) Roughening treatment The laminate is immersed in a swelling dip seculigand P containing diethylene glycol monobutyl ether of Atotech Japan Co., Ltd. for 10 minutes at 60 ° C., and then the roughening solution (oxidant) As a solution of Atotech Japan Co., Ltd. Concentrate Compact P (KMnO 4 : 60 g / L, NaOH: 40 g / L aqueous solution) at 80 ° C. for 20 minutes, and finally as a neutralizing solution of Atotech Japan Co., Ltd. It was immersed in Reduction Sholysin Securigant P at 40 ° C. for 5 minutes. The laminate after the roughening treatment was designated as sample A.

(5)セミアディティブ工法によるメッキ形成
絶縁層表面に回路を形成するために、積層板を、PdClを含む無電解メッキ用溶液に浸漬し、次に無電解銅メッキ液に浸漬した。150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成の後に、硫酸銅電解メッキを行い、30μmの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を180℃にて60分間行った。この積層板をサンプルBとした。
(5) Plating formation by semi-additive method In order to form a circuit on the surface of the insulating layer, the laminate was immersed in an electroless plating solution containing PdCl 2 and then immersed in an electroless copper plating solution. After annealing for 30 minutes at 150 ° C., an etching resist was formed. After pattern formation by etching, copper sulfate electrolytic plating was performed to form a conductor layer with a thickness of 30 μm. Next, annealing was performed at 180 ° C. for 60 minutes. This laminate was designated as Sample B.

(6)二乗平均平方根粗さ(Rq値)の測定
サンプルAについて、非接触型表面粗さ計(ビーコインスツルメンツ社製WYKO NT3300)を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定範囲を121μm×92μmとして得られる数値によりRq値を求めた。そして、それぞれ10点の平均値を求めることにより測定値とした。
(6) Measurement of root mean square roughness (Rq value) For sample A, using a non-contact type surface roughness meter (WYKO NT3300 manufactured by Becoin Instruments Co., Ltd.), the measurement range is 121 μm × 50 V lens. Rq value was calculated | required by the numerical value obtained as 92 micrometers. And it was set as the measured value by calculating | requiring the average value of 10 each.

(7)メッキ導体層の引き剥がし強さ(ピール強度)の測定
サンプルBの導体層に、幅10mm、長さ100mmの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具(株式会社ティー・エス・イー、オートコム型試験機 AC−50C−SL)で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を測定した。
(7) Measurement of peel strength (peel strength) of plated conductor layer Cut the conductor layer of sample B into a 10 mm wide and 100 mm long part, peel off one end, and grasping tool (TS Co., Ltd.) -E, auto-comb type tester AC-50C-SL), and the load (kgf / cm) when 35 mm was peeled off in the vertical direction at a speed of 50 mm / min at room temperature was measured.

<誘電正接の測定>
各実施例および各比較例で得られた基材付き樹脂組成物シートを190℃で90分間熱硬化させて、PETフィルムを剥離してシート状の硬化物を得た。その硬化物を、幅2mm、長さ80mmの試験片に切断し、関東電子応用開発(株)製空洞共振器摂動法誘電率測定装置CP521およびアジレントテクノロジー(株)製ネットワークアナライザーE8362Bを使用して、空洞共振器摂動法で測定周波数5.8GHzにて誘電正接(tanδ)の測定を行った。2本の試験片について測定を行い、平均値を算出した。
<Measurement of dielectric loss tangent>
The resin composition sheet with a substrate obtained in each Example and each Comparative Example was thermally cured at 190 ° C. for 90 minutes, and the PET film was peeled off to obtain a sheet-like cured product. The cured product was cut into a test piece having a width of 2 mm and a length of 80 mm, and a cavity resonator perturbation method dielectric constant measuring device CP521 manufactured by Kanto Electronics Application Development Co., Ltd. and a network analyzer E8362B manufactured by Agilent Technology Co., Ltd. were used. The dielectric loss tangent (tan δ) was measured at a measurement frequency of 5.8 GHz by the cavity resonator perturbation method. Two test pieces were measured, and the average value was calculated.

<実施例1>
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)18部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
次に、かかる樹脂ワニスを厚み38μmのPETフィルム(リンテック(株)製AL5)の離型面に、乾燥後の樹脂組成物層厚みが40μmとなるようにダイコーターにて塗布し、80〜120℃(平均100℃)で6分間乾燥させて、基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
<Example 1>
15 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, “828” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), active ester compound (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation, active ester equivalent 223, solid content 65% Toluene solution) 18 parts (solid content conversion), spherical silica (average particle size 0.25 μm, “SO-C1” with aminosilane treatment, manufactured by Admatechs Co., Ltd., carbon amount 0.8% per unit weight) 50 parts Then, 1 part of a curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., “2E4MZ”) was mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.
Next, this resin varnish is applied to a release surface of a 38 μm thick PET film (AL5 manufactured by Lintec Corporation) with a die coater so that the resin composition layer thickness after drying is 40 μm. It was made to dry at 6 degreeC (average 100 degreeC) for 6 minutes, and the resin composition sheet with a base material was obtained. The evaluation results are shown in Table 1.

<実施例2>
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)13部(固形分換算)、フェノール系硬化剤(新日鐵化学(株)製「SN485」、固形分50%のMEK溶液)5部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
<Example 2>
15 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, “828” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), active ester compound (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation, active ester equivalent 223, solid content 65% 13 parts (toluene solution), phenolic curing agent (“SN485” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., MEK solution with a solid content of 50%) 5 parts (solid content), spherical silica (average particle size) 0.25 μm, “SO-C1” with aminosilane treatment, manufactured by Admatechs Co., Ltd., 50 parts of carbon per unit weight 0.8%, curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., “2E4MZ”) 1 The parts were mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish. Next, a resin composition sheet with a substrate was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

<実施例3>
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)9部(固形分換算)、フェノール系硬化剤(新日鐵化学(株)製「SN485」、固形分50%のMEK溶液)9部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
<Example 3>
15 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, “828” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), active ester compound (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation, active ester equivalent 223, solid content 65% 9 parts (toluene solution) 9 parts (solid content conversion), phenolic curing agent (“SN485” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., 50% solid content MEK solution) 9 parts (solid content conversion), spherical silica (average particle size) 0.25 μm, “SO-C1” with aminosilane treatment, manufactured by Admatechs Co., Ltd., 50 parts of carbon per unit weight 0.8%, curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., “2E4MZ”) 1 The parts were mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish. Next, a resin composition sheet with a substrate was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

<実施例4>
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)1部と、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製「NC3000H」)14部、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)13部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)45部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
<Example 4>
1 part of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, “828” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 14 parts biphenyl type epoxy resin (“NC3000H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), active ester compound (DIC ( "HPC8000-65T" manufactured by Co., Ltd., 13 parts (in terms of solid content) of active ester equivalent 223, 65% solid content in toluene, spherical silica (average particle size 0.25 μm, "SO-C1" with aminosilane treatment, ( 45 parts by carbon, manufactured by Admatechs Co., Ltd., and 1 part of a curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., “2E4MZ”) are mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotating mixer. A resin varnish was prepared. Next, a resin composition sheet with a substrate was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

<実施例5>
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)25部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)29部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
<Example 5>
25 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, "828" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), active ester compound ("HPC8000-65T" manufactured by DIC Corporation), active ester equivalent 223, solid content 65% 29 parts (toluene solution), 50 parts of spherical silica (average particle size 0.25 μm, “SO-C1” with aminosilane treatment, manufactured by Admatechs Co., Ltd., carbon amount 0.8%) Then, 1 part of a curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., “2E4MZ”) was mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish. Next, a resin composition sheet with a substrate was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

<実施例6>
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)10部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
<Example 6>
15 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, “828” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), active ester compound (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation, active ester equivalent 223, solid content 65% Toluene solution) 10 parts (in terms of solid content), spherical silica (average particle size 0.25 μm, “SO-C1” with aminosilane treatment, manufactured by Admatechs Co., Ltd., carbon amount 0.8% per unit weight) 50 parts Then, 1 part of a curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., “2E4MZ”) was mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish. Next, a resin composition sheet with a substrate was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

<実施例7>
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)45部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)100部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
<Example 7>
15 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, “828” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), active ester compound (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation, active ester equivalent 223, solid content 65% Toluene solution) 45 parts (solid content conversion), spherical silica (average particle diameter 0.25 μm, “SO-C1” with aminosilane treatment, manufactured by Admatechs Co., Ltd., carbon amount 0.8% per unit weight) 100 parts Then, 1 part of a curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., “2E4MZ”) was mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish. Next, a resin composition sheet with a substrate was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

<実施例8>
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)25部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)60部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL6954」)10部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
<Example 8>
15 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, “828” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), active ester compound (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation, active ester equivalent 223, solid content 65% Toluene solution) 25 parts (solid content conversion), spherical silica (average particle diameter 0.25 μm, “SO-C1” with aminosilane treatment, manufactured by Admatechs Co., Ltd., carbon amount 0.8% per unit weight) 60 parts , 1 part of curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., “2E4MZ”) and 10 parts of phenoxy resin (“YL6954” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) are mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer, and resin varnish Was made. Next, a resin composition sheet with a substrate was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

<実施例9>
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性エステル当量223、固形分65%のトルエン溶液)18部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)1部、青色顔料(大日精化(株)製、シアニンブルー4920)0.03部、黄色顔料(BASF(株)製、パリオトロールイエローK1841)0.03部、赤色顔料(クラリアントジャパン(株)製、PV Fast Pink E01)0.06部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
<Example 9>
15 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, “828” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), active ester compound (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation, active ester equivalent 223, solid content 65% Toluene solution) 18 parts (solid content conversion), spherical silica (average particle size 0.25 μm, “SO-C1” with aminosilane treatment, manufactured by Admatechs Co., Ltd., carbon amount 0.8% per unit weight) 50 parts , 1 part of a curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., “2E4MZ”), 0.03 part of a blue pigment (manufactured by Dainichi Seika Co., Ltd., cyanine blue 4920) Yellow K1841) 0.03 part and red pigment (Clariant Japan Co., Ltd., PV Fast Pink E01) 0.06 part are mixed and mixed with a high-speed rotary mixer. Dispersed in to prepare a resin varnish. Next, a resin composition sheet with a substrate was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

<比較例1>
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「828」)15部と、フェノール系硬化剤(新日鐵化学(株)製「SN485」、固形分50%のMEK溶液)18部(固形分換算)、球形シリカ(平均粒径0.25μm、アミノシラン処理付「SO−C1」、(株)アドマテックス製、単位重量あたりのカーボン量0.8%)50部、硬化促進剤(四国化成(株)製、「2E4MZ」)0.1部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に実施例1と同様にして基材付き樹脂組成物シートを得た。評価結果を表1に示す。
<Comparative Example 1>
15 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, “828” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) and phenolic curing agent (“SN485” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., MEK solution with a solid content of 50%) 18 parts (solid content conversion), spherical silica (average particle size 0.25 μm, “SO-C1” with aminosilane treatment, manufactured by Admatechs Co., Ltd., carbon amount 0.8% per unit weight) 50 parts, curing acceleration 0.1 parts of an agent (“2E4MZ” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) was mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish. Next, a resin composition sheet with a substrate was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

<比較例2>
実施例1と同様の基材付き樹脂組成物シートを用いた。評価結果を表1に示す。
<Comparative example 2>
The same resin composition sheet with a substrate as in Example 1 was used. The evaluation results are shown in Table 1.

Figure 2014007403
Figure 2014007403

表1から明らかなように実施例においては、スミアが抑制され、かつ誘電正接が低く、Rqも小さかった。さらに、実施例4、6、9では、スミア抑制において特に優れた結果となった。一方、比較例1は、Rqが大きく絶縁層表面が緻密な粗面になっていない上にピール強度も低く、誘電正接も高い値となった。比較例2は、スミアが残ってしまう結果となった。   As apparent from Table 1, in the examples, smear was suppressed, the dielectric loss tangent was low, and Rq was also small. Furthermore, in Examples 4, 6, and 9, particularly excellent results were obtained in suppressing smear. On the other hand, in Comparative Example 1, Rq was large and the surface of the insulating layer was not a dense rough surface, the peel strength was low, and the dielectric loss tangent was also high. Comparative Example 2 resulted in smear remaining.

絶縁層のビアホール内の粗化処理後のスミアを抑制することができるにもかかわらず、絶縁層の誘電正接を低くし、かつ粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqを小さくすることができる多層プリント配線板の製造方法を提供できるようになった。更にこの多層プリント配線板を搭載したコンピューター、携帯電話、デジタルカメラ、テレビ、等の電気製品や、自動二輪車、自動車、電車、船舶、航空機、等の乗物も提供できるようになった。   Although the smear after the roughening treatment in the via hole of the insulating layer can be suppressed, the dielectric loss tangent of the insulating layer is lowered and the root mean square roughness Rq of the insulating layer surface after the roughening treatment is reduced. It is now possible to provide a method for manufacturing a multilayer printed wiring board that can be used. Furthermore, electric products such as computers, mobile phones, digital cameras, and televisions equipped with this multilayer printed wiring board, and vehicles such as motorcycles, automobiles, trains, ships, and aircraft can be provided.

Claims (17)

(A)基材付き樹脂組成物シートを、回路基板の両面又は片面に樹脂組成物層を接するように積層する工程、
(B)該樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程、
(C)該絶縁層表面に基材上から穴あけ加工してビアホールを形成する工程、
(D)該基材を剥離する工程、
(E)該絶縁層表面を粗化処理する工程、
を含有する多層プリント配線板の製造方法において、
前記樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有し、
前記粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さRqが500nm以下であることを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。
(A) A step of laminating a resin composition sheet with a substrate so that the resin composition layer is in contact with both sides or one side of the circuit board,
(B) a step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer;
(C) forming a via hole by drilling from above the base material on the surface of the insulating layer;
(D) a step of peeling the substrate;
(E) a step of roughening the surface of the insulating layer;
In a method for producing a multilayer printed wiring board containing
The resin composition layer contains an epoxy resin, an active ester compound and an inorganic filler,
The method for producing a multilayer printed wiring board, wherein the root mean square roughness Rq of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is 500 nm or less.
樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、エポキシ樹脂が1〜40質量%であることを特徴とする、請求項1記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the epoxy resin is 1 to 40% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. 樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が3〜40質量%であることを特徴とする、請求項1又は2記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to claim 1 or 2, wherein the active ester compound is 3 to 40% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. 樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、無機充填材が30〜85質量%であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 3, wherein the inorganic filler is 30 to 85% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. Method. 樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、無機充填材が55〜85質量%であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 4, wherein the inorganic filler is 55 to 85% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. Method. 無機充填材の平均粒径が、0.01〜2μmであることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the inorganic filler has an average particle diameter of 0.01 to 2 μm. 無機充填材の単位重量あたりのカーボン量が、0.02〜3%であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 6, wherein an amount of carbon per unit weight of the inorganic filler is 0.02 to 3%. 樹脂組成物層が、更にスミア抑制成分を含有することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 7, wherein the resin composition layer further contains a smear suppressing component. 基材がプラスチックフィルムであることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the substrate is a plastic film. 基材の厚みが、10〜150μmであることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 9, wherein the base material has a thickness of 10 to 150 µm. 絶縁層の誘電正接が0.05以下であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 10, wherein a dielectric loss tangent of the insulating layer is 0.05 or less. ビアホールのトップ径(直径)が、70μm以下であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The top diameter (diameter) of a via hole is 70 micrometers or less, The manufacturing method of the multilayer printed wiring board of any one of Claims 1-11 characterized by the above-mentioned. ビアホールの開口率(ビアホール底部の直径/ビアホールのトップ径(直径))が、70〜100%であることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 12, wherein an opening ratio of the via hole (diameter at the bottom of the via hole / top diameter (diameter) of the via hole) is 70 to 100%. Method. 粗化処理する工程において、酸化剤による粗化処理が60〜80℃で10〜30分間であることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 13, wherein in the step of roughening treatment, the roughening treatment with an oxidizing agent is performed at 60 to 80 ° C for 10 to 30 minutes. . 更に(F)粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程を含有することを特徴とする、請求項1〜14のいずれか1項記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to claim 1, further comprising (F) a step of plating the surface of the insulating layer after the roughening treatment to form a conductor layer. . 該導体層と該絶縁層とのピール強度が0.35kgf/cm以上であることを特徴とする、請求項15記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to claim 15, wherein a peel strength between the conductor layer and the insulating layer is 0.35 kgf / cm or more. 請求項1〜16のいずれか1項記載の方法により製造された多層プリント配線板を用いることを特徴とする半導体装置。   A multi-layer printed wiring board manufactured by the method according to claim 1 is used.
JP2013116276A 2012-05-31 2013-05-31 Manufacturing method of multilayer printed wiring board Active JP6024599B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013116276A JP6024599B2 (en) 2012-05-31 2013-05-31 Manufacturing method of multilayer printed wiring board

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012124031 2012-05-31
JP2012124031 2012-05-31
JP2013116276A JP6024599B2 (en) 2012-05-31 2013-05-31 Manufacturing method of multilayer printed wiring board

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014007403A true JP2014007403A (en) 2014-01-16
JP6024599B2 JP6024599B2 (en) 2016-11-16

Family

ID=49982576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013116276A Active JP6024599B2 (en) 2012-05-31 2013-05-31 Manufacturing method of multilayer printed wiring board

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6024599B2 (en)
KR (1) KR102039193B1 (en)
TW (1) TWI657730B (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160016664A (en) * 2014-07-31 2016-02-15 아지노모토 가부시키가이샤 Resin sheet
CN105578737A (en) * 2014-11-04 2016-05-11 味之素株式会社 Circuit board and method for manufacturing the same
WO2016051277A3 (en) * 2014-09-29 2016-06-09 日本ゼオン株式会社 Laminate production method
WO2016051269A3 (en) * 2014-09-29 2016-06-09 日本ゼオン株式会社 Laminate production method
JP2016157821A (en) * 2015-02-24 2016-09-01 味の素株式会社 Circuit board and method of manufacturing the same
KR20170071540A (en) 2014-10-16 2017-06-23 아지노모토 가부시키가이샤 Support body, adhesive sheet, laminated structure, semiconductor device, and method for manufacturing printed wiring board
JP2017202606A (en) * 2016-05-10 2017-11-16 日立化成株式会社 Polyimide film with resin, polyimide film including resin layer, laminate for printed wiring board, and method for manufacturing printed wiring board
CN109423015A (en) * 2017-09-04 2019-03-05 味之素株式会社 Resin combination
KR20200047447A (en) 2017-08-31 2020-05-07 린텍 가부시키가이샤 Resin sheet, semiconductor device, and method of using resin sheet

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6269294B2 (en) * 2014-04-24 2018-01-31 味の素株式会社 Resin composition for insulating layer of printed wiring board
TWI674051B (en) * 2016-02-15 2019-10-01 美商英特爾股份有限公司 Laminated body, multilayer circuit board including the same, and method of manufacturing the same

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000022297A (en) * 1998-06-30 2000-01-21 Kyocera Corp Wiring board and its manufacturing method
JP2006317267A (en) * 2005-05-12 2006-11-24 Hitachi Chem Co Ltd Method of measuring adhesive strength between thin resin layer and substrate
JP2009073987A (en) * 2007-09-21 2009-04-09 Ajinomoto Co Inc High dielectric resin composition
WO2009066759A1 (en) * 2007-11-22 2009-05-28 Ajinomoto Co., Inc. Process for producing multilayered printed wiring board
WO2009107760A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-03 味の素株式会社 Process for producing multilayer printed wiring board
JP2010056274A (en) * 2008-08-28 2010-03-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method of manufacturing multilayer printed wiring board, multilayer printed wiring board, and semiconductor apparatus
JP2010278321A (en) * 2009-05-29 2010-12-09 Ajinomoto Co Inc Method of manufacturing multilayer wiring board
JP2011132507A (en) * 2009-11-26 2011-07-07 Ajinomoto Co Inc Epoxy resin composition
WO2012020713A2 (en) * 2010-08-10 2012-02-16 日立化成工業株式会社 Resin composition, cured resin product, wiring board, and manufacturing method for wiring board

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101184842B1 (en) * 2005-09-15 2012-09-20 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Resin composition, sheet-like formed body, prepreg, cured body, laminate, and multilayer laminate
KR100972654B1 (en) 2007-12-20 2010-07-27 삼성중공업 주식회사 Purging apparatus for pipe welding

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000022297A (en) * 1998-06-30 2000-01-21 Kyocera Corp Wiring board and its manufacturing method
JP2006317267A (en) * 2005-05-12 2006-11-24 Hitachi Chem Co Ltd Method of measuring adhesive strength between thin resin layer and substrate
JP2009073987A (en) * 2007-09-21 2009-04-09 Ajinomoto Co Inc High dielectric resin composition
WO2009066759A1 (en) * 2007-11-22 2009-05-28 Ajinomoto Co., Inc. Process for producing multilayered printed wiring board
WO2009107760A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-03 味の素株式会社 Process for producing multilayer printed wiring board
JP2010056274A (en) * 2008-08-28 2010-03-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method of manufacturing multilayer printed wiring board, multilayer printed wiring board, and semiconductor apparatus
JP2010278321A (en) * 2009-05-29 2010-12-09 Ajinomoto Co Inc Method of manufacturing multilayer wiring board
JP2011132507A (en) * 2009-11-26 2011-07-07 Ajinomoto Co Inc Epoxy resin composition
WO2012020713A2 (en) * 2010-08-10 2012-02-16 日立化成工業株式会社 Resin composition, cured resin product, wiring board, and manufacturing method for wiring board

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160016664A (en) * 2014-07-31 2016-02-15 아지노모토 가부시키가이샤 Resin sheet
JP2016033994A (en) * 2014-07-31 2016-03-10 味の素株式会社 Resin sheet
KR102387485B1 (en) * 2014-07-31 2022-04-18 아지노모토 가부시키가이샤 Resin sheet
KR20170064546A (en) * 2014-09-29 2017-06-09 니폰 제온 가부시키가이샤 Laminate production method
KR101961739B1 (en) * 2014-09-29 2019-03-26 니폰 제온 가부시키가이샤 Laminate production method
WO2016051269A3 (en) * 2014-09-29 2016-06-09 日本ゼオン株式会社 Laminate production method
US10721823B2 (en) 2014-09-29 2020-07-21 Intel Corporation Laminate production method
KR20170063875A (en) * 2014-09-29 2017-06-08 니폰 제온 가부시키가이샤 Laminate production method
US10716222B2 (en) 2014-09-29 2020-07-14 Intel Corporation Laminate production method
WO2016051277A3 (en) * 2014-09-29 2016-06-09 日本ゼオン株式会社 Laminate production method
KR101958726B1 (en) * 2014-09-29 2019-03-15 니폰 제온 가부시키가이샤 Laminate production method
US11482437B2 (en) 2014-10-16 2022-10-25 Ajinomoto Co., Inc. Support, adhesive sheet, laminated structure, semiconductor device, and method for manufacturing printed wiring board
KR20170071540A (en) 2014-10-16 2017-06-23 아지노모토 가부시키가이샤 Support body, adhesive sheet, laminated structure, semiconductor device, and method for manufacturing printed wiring board
US11121020B2 (en) 2014-10-16 2021-09-14 Ajinomoto Co., Inc. Support, adhesive sheet, laminated structure, semiconductor device, and method for manufacturing printed wiring board
JP2016092172A (en) * 2014-11-04 2016-05-23 味の素株式会社 Circuit board and manufacturing method thereof
CN105578737B (en) * 2014-11-04 2020-01-24 味之素株式会社 Circuit board and method for manufacturing the same
CN105578737A (en) * 2014-11-04 2016-05-11 味之素株式会社 Circuit board and method for manufacturing the same
JP2016157821A (en) * 2015-02-24 2016-09-01 味の素株式会社 Circuit board and method of manufacturing the same
JP2017202606A (en) * 2016-05-10 2017-11-16 日立化成株式会社 Polyimide film with resin, polyimide film including resin layer, laminate for printed wiring board, and method for manufacturing printed wiring board
KR20200047447A (en) 2017-08-31 2020-05-07 린텍 가부시키가이샤 Resin sheet, semiconductor device, and method of using resin sheet
CN109423015A (en) * 2017-09-04 2019-03-05 味之素株式会社 Resin combination
CN109423015B (en) * 2017-09-04 2024-04-02 味之素株式会社 Resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP6024599B2 (en) 2016-11-16
TW201414390A (en) 2014-04-01
KR20130135106A (en) 2013-12-10
TWI657730B (en) 2019-04-21
KR102039193B1 (en) 2019-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6217775B2 (en) Resin composition
JP6024599B2 (en) Manufacturing method of multilayer printed wiring board
JP6163803B2 (en) Resin composition
JP5249903B2 (en) Resin composition
KR102122706B1 (en) A prepolymer sheet containing a support
JP6028587B2 (en) Resin composition
TW201040226A (en) Resin composition
JP6232762B2 (en) Resin composition
JP2014028880A (en) Resin composition
JP6428153B2 (en) Resin composition
JP6418273B2 (en) Resin composition
JP2016079366A (en) Resin composition
JP6007663B2 (en) Resin composition
JP2017048400A (en) Resin composition
JP6237155B2 (en) Resin composition
JP6217832B2 (en) Resin composition
JP2016056280A (en) Surface-treated inorganic filler, method for producing the inorganic filler, and resin composition containing the inorganic filler
JP6281233B2 (en) Resin composition
JP6337917B2 (en) Resin composition
JP5978936B2 (en) Resin composition
JP2019011481A (en) Resin composition

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20140509

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150525

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20150525

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20150608

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151013

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160308

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160502

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160613

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160913

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160926

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6024599

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250