JP2014086523A - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ターゲットの位置を精度よく検出する。
【解決手段】この極端紫外光生成装置は、ターゲット検出部が、光源と、転写光学系と、イメージセンサであって、光源の出力光がターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像が転写光学系によりイメージセンサの受光部に形成され、その像の画像データを出力するように構成されたイメージセンサと、処理部であって、イメージセンサに接続され、画像データを受信して、ターゲットの軌道と交差する第１のラインに沿った第１の光強度分布と、軌道と交差する第２のラインに沿った第２の光強度分布とを取得し、第１の光強度分布の重心位置と第２の光強度分布の重心位置とを算出し、それらの位置からターゲットの軌跡を算出するように構成された処理部とを含んでもよい。
【選択図】図２

Description

本開示は、極端紫外光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許第７１６４１４４号明細書 米国特許第７０８７９１４号明細書 米国特許出願公開第２０１０／０２９４９５８号明細書

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、プラズマ生成領域でターゲットへパルスレーザ光が照射される極端紫外光生成装置であって、Ａ）少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、Ｂ）少なくとも１つの貫通孔を通してチャンバ内のプラズマ生成領域にパルスレーザ光を導入するように構成された導入光学系と、Ｃ）プラズマ生成領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、Ｄ）１）光源、２）転写光学系、３）イメージセンサであって、光源の出力光がターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像が転写光学系によりイメージセンサの受光部に形成され、その像の画像データを出力するように構成されたイメージセンサ、４）処理部であって、イメージセンサに接続され、出力された画像データを受信して、ターゲットの軌道と交差する第１のラインに沿った第１の光強度分布と、軌道と交差する第２のラインに沿った第２の光強度分布とを取得し、第１の光強度分布の重心位置と第２の光強度分布の重心位置とを算出し、それらの位置からターゲットの軌跡を算出するように構成された処理部を含むターゲット検出部と、を含んでもよい。

本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、プラズマ生成領域でターゲットへパルスレーザ光が照射される極端紫外光生成装置であって、Ａ）少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、Ｂ）少なくとも１つの貫通孔を通してチャンバ内のプラズマ生成領域にパルスレーザ光を導入するように構成された導入光学系と、Ｃ）プラズマ生成領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、Ｄ）１）光源、２）転写光学系、３）第１のラインセンサであって、光源の出力光がターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像の一部が転写光学系により第１のラインセンサの受光部に形成され、ターゲットの軌道と交差する第１のラインに沿った第１の光強度分布を出力するように構成された第１のラインセンサ、４）第２のラインセンサであって、光源の出力光がターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像の一部が転写光学系により第２のラインセンサの受光部に形成され、ターゲットの軌道と交差する第２のラインに沿った第２の光強度分布を出力するように構成された第２のラインセンサ、５）処理部であって、第１及び第２のラインセンサに接続され、第１及び第２の光強度分布を受信して、第１の光強度分布の重心位置と第２の光強度分布の重心位置とを算出し、それらの位置からターゲットの軌跡を算出するように構成された処理部を含むターゲット検出部と、を含んでもよい。

本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、プラズマ生成領域でターゲットへパルスレーザ光が照射される極端紫外光生成装置であって、Ａ）少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、Ｂ）少なくとも１つの貫通孔を通してチャンバ内のプラズマ生成領域にパルスレーザ光を導入するように構成された導入光学系と、Ｃ）プラズマ生成領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、Ｄ）１）光源、２）転写光学系、３）イメージセンサであって、光源の出力光がターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像が転写光学系によりイメージセンサの受光部に形成され、その像の画像データを出力するように構成されたイメージセンサ、４）処理部であって、イメージセンサに接続され、出力された画像データを受信して、ターゲットの軌道と交差する第１のラインに沿った第１の光強度分布と、軌道と交差する第２のラインに沿った第２の光強度分布とを取得し、第１の光強度分布において第１の閾値以上の光強度を有する部分の中心位置と第２の光強度分布において第２の閾値以上の光強度を有する部分の中心位置とを算出し、それらの位置からターゲットの軌跡を算出するように構成された処理部を含むターゲット検出部と、を含んでもよい。

本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、プラズマ生成領域でターゲットへパルスレーザ光が照射される極端紫外光生成装置であって、Ａ）少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、Ｂ）少なくとも１つの貫通孔を通してチャンバ内のプラズマ生成領域にパルスレーザ光を導入するように構成された導入光学系と、Ｃ）プラズマ生成領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、Ｄ）１）光源、２）転写光学系、３）第１のラインセンサであって、光源の出力光がターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像の一部が転写光学系により第１のラインセンサの受光部に形成され、ターゲットの軌道と交差する第１のラインに沿った第１の光強度分布を出力するように構成された第１のラインセンサ、４）第２のラインセンサであって、光源の出力光がターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像の一部が転写光学系により第２のラインセンサの受光部に形成され、ターゲットの軌道と交差する第２のラインに沿った第２の光強度分布を出力するように構成された第２のラインセンサ、５）処理部であって、第１及び第２のラインセンサに接続され、第１及び第２の光強度分布を受信して、第１の光強度分布において第１の閾値以上の光強度を有する部分の中心位置と、第２の光強度分布において第２の閾値以上の光強度を有する部分の中心位置とを算出し、それらの位置からターゲットの軌跡を算出するように構成された処理部を含むターゲット検出部と、を含んでもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。 図３は、第１の実施形態における処理部の動作を示すフローチャートである。 図４Ａは、図３に示される画像データの取り込みの処理を示すフローチャートである。 図４Ｂは、画像データの取り込み範囲を示す。 図５Ａは、図３に示されるコントラストチェックの処理を示すフローチャートである。 図５Ｂは、コントラストチェックが行われる画像の範囲を示す。 図５Ｃは、図５Ｂに示された画像に含まれる１つの行における光強度分布を示す。 図６Ａは、図３に示されるバックグラウンドノイズの除去の処理を示すフローチャートである。 図６Ｂは、バックグラウンドノイズの除去が行われる画像の範囲を示す。 図６Ｃは、図６Ｂに示された画像に含まれる１つの行における光強度分布を示す。 図６Ｄは、図６Ｃに示された光強度分布からバックグラウンドノイズが除去された光強度分布を示す。 図７Ａは、図３に示される光強度分布の代表位置を算出する処理を示すフローチャートである。 図７Ｂは、ターゲットの軌道及びその周辺の特定のＹ方向位置におけるＸ方向に沿った光強度分布を示す。 図７Ｃは、複数のＹ方向位置のそれぞれにおける光強度分布の代表位置を示す。 図８Ａは、第２の実施形態において光強度分布の代表位置を算出する処理を示すフローチャートである。 図８Ｂは、ターゲットの軌道及びその周辺の特定のＹ方向位置におけるＸ方向に沿った光強度分布を示す。 図８Ｃは、複数のＹ方向位置のそれぞれにおける光強度分布の代表位置を示す。 図９Ａは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置におけるターゲットセンサの一部断面図である。 図９Ｂは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置におけるターゲットセンサの一部断面図である。 図９Ｃは、ターゲットの軌道及びその周辺の第１のＹ方向位置におけるＸ方向に沿った光強度分布を示す。 図９Ｄは、ターゲットの軌道及びその周辺の第２のＹ方向位置におけるＸ方向に沿った光強度分布を示す。 図９Ｅは、複数のＹ方向位置のそれぞれにおける光強度分布の代表位置を示す。

実施形態

＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ターゲットセンサを含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 概略構成
４．２ 処理部の動作
４．２．１ メインフロー
４．２．２ 画像データの取り込み（Ｓ２００の詳細）
４．２．３ コントラストチェック（Ｓ３００の詳細）
４．２．４ バックグラウンドノイズの除去（Ｓ４００の詳細）
４．２．５ 光強度分布の重心の算出（Ｓ５００の詳細）
４．３ 作用
５．第２の実施形態（光強度分布の代表位置の算出）
６．第３の実施形態（ラインセンサの利用）

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作のすべてが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置においては、ターゲット供給装置がターゲットを出力し、プラズマ生成領域に到達させてもよい。ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時点で、レーザ装置がターゲットにパルスレーザ光を照射することで、ターゲットがプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。

レーザ装置がターゲットにパルスレーザ光を照射できるようにするために、ターゲットの軌道においてプラズマ生成領域より手前の所定領域を通過するターゲットを、ターゲットセンサが検出してもよい。このターゲットセンサは、ターゲットの像を形成する転写光学系と、このターゲットの像の光強度分布を出力する受光部と、を含んでもよい。

ターゲットの軌道に対してずれた位置をターゲットが通過すると、受光部が配置された位置においてターゲットの像がぼけてしまう場合がある。ターゲットの像がぼけると、ターゲットの位置が精度よく検出されなくなる可能性がある。

本開示の１つの観点によれば、受光部によって出力された光強度分布の重心位置が算出されてもよい。
本開示のもう１つの観点によれば、受光部によって出力された光強度分布において閾値以上の光強度を有する部分の中心位置が算出されてもよい。

これらの観点によれば、ターゲットの像がぼけても、ターゲットの位置が精度よく検出され得る。これにより、ターゲットの軌跡が精度よく検出され得る。

２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。
ターゲットの「軌道」は、ターゲット供給装置から出力されるターゲットの理想的な経路、あるいは、ターゲット供給装置の設計に従ったターゲットの経路であってもよい。
ターゲットの「軌跡」は、ターゲット供給装置から出力されたターゲットの実際の経路であってもよい。

３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

３．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

４．ターゲットセンサを含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 概略構成
図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。図２に示されるように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１と、プレート８２及び８３とが設けられてもよい。

チャンバ２には、プレート８２が固定されてもよい。プレート８２には、プレート８３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してプレート８２に固定されてもよい。

レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２と、ホルダ２２３及び２２４とを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれ、ホルダ２２３及び２２４によって保持されてもよい。ホルダ２２３及び２２４は、プレート８３に固定されてもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２によって反射されたパルスレーザ光がプラズマ生成領域２５で集光するように、これらのミラーの位置及び姿勢が保持されてもよい。ターゲット回収部２８は、ターゲット２７の軌道の延長線上に配置されてもよい。

チャンバ２には、ターゲット供給部２６が取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６は、リザーバ６１を有していてもよい。リザーバ６１は、図示しないヒータを用いてターゲットの材料を溶融した状態で内部に貯蔵してもよい。ターゲット供給部２６には、リザーバ６１の内部と連通する開口６２が形成されていてもよい。リザーバ６１の一部が、チャンバ２の壁面に形成された貫通孔２ａを貫通しており、ターゲット供給部２６に形成された開口６２の位置がチャンバ２の内部に位置していてもよい。ターゲット供給部２６は、開口６２を介して、溶融したターゲットの材料をドロップレット状のターゲット２７としてチャンバ２内に供給してもよい。

ターゲット供給部２６は、２軸ステージ６３をさらに有していてもよい。２軸ステージ６３は、チャンバ２に対するリザーバ６１及び開口６２の位置を図２の左右方向（Ｚ軸方向）及び奥行方向（Ｘ軸方向）に移動させることが可能であってもよい。これにより、２軸ステージ６３は、ターゲット２７が到達する位置を調整可能であってもよい。貫通孔２ａの周囲のチャンバ２の壁面と、リザーバ６１との間には、図示しないシール手段が配置されてもよい。そのようなシール手段により、貫通孔２ａの周囲のチャンバ２の壁面とリザーバ６１との間が密閉されていてもよい。

チャンバ２には、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘと発光部７０ｘとを含むターゲット検出部４ｘが取り付けられてもよい。Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘは、イメージセンサ４１ｘと、転写光学系４２と、ウインドウ４３と、処理部４４ｘとを含んでもよい。処理部４４ｘは、記憶部４６ｘを含んでもよい。発光部７０ｘは、光源７１と、コリメータ７２と、ウインドウ７３とを含んでもよい。ターゲットコントローラ５２は発光指令信号を出力してもよい。その発光指令信号を受信した発光部７０ｘは、ターゲット２７の軌道の一部に向けて光を出力してもよい。その光は連続発光でもよい。

転写光学系４２は、発光部７０ｘによる光の光路を通過するターゲット２７の像を、イメージセンサ４１ｘの受光部の位置に形成してもよい。イメージセンサ４１ｘは、発光部７０ｘによって光を照射されながら略Ｙ方向に移動するターゲット２７の反射面の像を一定時間にわたって撮像し、画像データを出力してもよい。画像データは、イメージセンサ４１ｘの受光部の位置に形成された像の光強度分布のデータであってもよい。処理部４４ｘは、画像データに基づいてターゲット２７の軌跡のデータを算出してもよい。ターゲット２７の軌跡のデータは、例えば、画像データに基づいて算出された回帰直線（後述）のパラメータを含んでいてもよい。Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘは、算出された軌跡のデータをターゲットコントローラ５２（後述）に出力してもよい。

Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘは、Ｙ軸方向に略平行なターゲット２７の軌道の一部から、Ｚ方向にずれた位置に配置されていてもよい。これにより、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘは、ターゲット２７の複数のＹ方向位置のそれぞれにおけるＸ方向位置を検出可能であってもよい。

チャンバ２には、さらに、Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚと発光部７０ｚとを含むもう１つのターゲット検出部４ｚが取り付けられてもよい。Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚには、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘに含まれる構成要素と同様の構成要素が含まれてもよい。Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚに含まれる構成要素としては、イメージセンサ４１ｚ、処理部４４ｚ及び記憶部４６ｚのみが図示され、他の構成要素については図示が省略されている。発光部７０ｚには、発光部７０ｘに含まれる構成要素と同様の構成要素が含まれてもよい。発光部７０ｚに含まれる構成要素については図示が省略されている。

Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚは、Ｙ軸方向に略平行なターゲット２７の軌道の一部から、−Ｘ方向にずれた位置に配置されていてもよい。これにより、Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚは、ターゲット２７の複数のＹ方向位置のそれぞれにおけるＺ方向位置を検出可能であってもよい。

チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５とが設けられてもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１及び３４２と、ホルダ３４３及び３４４とを含んでもよい。高反射ミラー３４１及び３４２は、それぞれ、ホルダ３４３及び３４４によって保持されてもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、導入光学系に相当し得る。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶコントローラ５１と、ターゲットコントローラ５２とを含んでいても良い。ＥＵＶコントローラ５１は、ＥＵＶ光生成用指令信号が露光装置６（図１）から出力された場合に、当該ＥＵＶ光生成用指令信号を受信してもよい。ＥＵＶコントローラ５１は、ＥＵＶ光生成用指令信号に遅延時間を加えられた新たなＥＵＶ光生成用指令信号をレーザ装置３に制御信号として出力してもよい。ＥＵＶコントローラ５１は、当該遅延時間を図示しない記憶装置に記憶してもよい。当該遅延時間は３つのパラメータにより算出され得る。３つのパラメータは、図示しないターゲット検出器によるターゲット２７検出時刻と、そのターゲット２７の移動速度と、ターゲット２７検出位置からプラズマ生成領域２５までの距離でもよい。ターゲットコントローラ５２は、ターゲット供給部２６にターゲット供給信号を送信してもよい。このターゲット供給信号に基づいて、ターゲット供給部２６がターゲット２７をチャンバ２内に供給してもよい。ターゲットコントローラ５２は、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘ及びＺ方向ターゲットセンサ４０ｚから出力されたターゲット２７の軌跡のデータを受信してもよい。

ＥＵＶコントローラ５１は、ＥＵＶ光が生成される目標位置の情報が露光装置６（図１）から出力された場合に、当該目標位置の情報を受信し、ターゲットコントローラ５２に出力してもよい。当該目標位置及びその周辺の領域が、プラズマ生成領域２５とされてもよい。ターゲットコントローラ５２は、当該目標位置の情報と、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘ及びＺ方向ターゲットセンサ４０ｚから出力されたターゲット２７の軌跡のデータとに基づいて、２軸ステージ６３を制御してもよい。

４．２ 処理部の動作
４．２．１ メインフロー
図３は、第１の実施形態における処理部の動作を示すフローチャートである。処理部４４ｘ及び処理部４４ｚは、ターゲット２７の軌跡を検出するために、それぞれ以下のように動作してもよい。

まず、処理部４４ｘ及び処理部４４ｚは、ターゲット２７がターゲット供給部２６から出力されているか否かを判定してもよい（Ｓ１５０）。ターゲット２７が出力されているか否かは、例えば、イメージセンサ４１ｘ又はイメージセンサ４１ｚが受光する光量に一定値以上の増減があるか否かによって判定されてもよい。

処理部４４ｘ及び処理部４４ｚは、ターゲット２７が出力されていると判定しなかった場合は（Ｓ１５０：ＮＯ）、ターゲット２７が出力されていると判定するまで、Ｓ１５０の処理を繰り返してもよい。処理部４４ｘ及び処理部４４ｚは、ターゲット２７が出力されていると判定した場合は（Ｓ１５０：ＹＥＳ）、処理をＳ２００に進めてもよい。

Ｓ２００において、処理部４４ｘは、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘによって撮像されたターゲット２７の像の画像データを取り込んでもよい。Ｓ２００において、処理部４４ｚは、Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚによって撮像されたターゲット２７の像の画像データを取り込んでもよい。Ｓ２００の処理の詳細については、図４Ａ及び図４Ｂを参照しながら後述する。

画像データは、例えば、ビットマップデータとして表現され得る。ビットマップデータは、画像を多くの画素（ピクセル）に格子状に分割し、それらの画素における光強度をそれぞれ数値で表現したデータであり得る。以下の説明においては、ビットマップデータの画面左上の隅を原点とし、水平方向に画素を数えたときの列番号をＪで表し、垂直方向に画素を数えたときの行番号をＫで表す（図４Ｂ参照）。特定の位置の画素は、列番号Ｊと行番号Ｋとで特定され、「（Ｊ，Ｋ）」と表示される。画素（Ｊ，Ｋ）における光強度は、「Ｉ（Ｊ，Ｋ）」と表示される。イメージセンサ４１ｘ又はイメージセンサ４１ｚによって撮像された画像データが、５１２列×５１２行の画素を含む場合に、Ｊの値は、０から５１１までの範囲内の整数であり、Ｋの値は、０から５１１までの範囲内の整数であり得る。

画像データは、ターゲット２７の軌道及びその周辺の光強度分布がイメージセンサ４１ｘ又はイメージセンサ４１ｚの受光部に転写されたものといい得る。Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘによって撮像された画像データの水平方向（列番号Ｊが並ぶ方向）が、ターゲット２７の軌道及びその周辺におけるＸ方向に相当し得る。Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚによって撮像された画像データの水平方向（列番号Ｊが並ぶ方向）が、ターゲット２７の軌道及びその周辺におけるＺ方向に相当し得る。Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘ又はＺ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚによって撮像された画像データの垂直方向（行番号Ｋが並ぶ方向）が、ターゲット２７の軌道及びその周辺におけるＹ方向に相当し得る。

次に、処理部４４ｘは、Ｓ２００で取り込んだ画像データの各行についてコントラストチェックを行い、光強度のコントラストが一定値以上である行を抽出してもよい（Ｓ３００）。この処理は、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘによって撮像された画像データについて行われてもよい。また、処理部４４ｚは、Ｓ２００で取り込んだ画像データの各行についてコントラストチェックを行い、光強度のコントラストが一定値以上である行を抽出してもよい（Ｓ３００）。この処理は、Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚによって撮像された画像データについて行われてもよい。これらの処理の詳細については、図５Ａ〜図５Ｃを参照しながら後述する。

次に、処理部４４ｘは、Ｓ３００で抽出された行のそれぞれから、バックグラウンドノイズを除去してもよい（Ｓ４００）。この処理は、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘによって撮像された画像データについて行われてもよい。また、処理部４４ｚは、Ｓ３００で抽出された行のそれぞれから、バックグラウンドノイズを除去してもよい（Ｓ４００）。この処理は、Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚによって撮像された画像データについて行われてもよい。これらの処理の詳細については、図６Ａ〜図６Ｄを参照しながら後述する。

次に、処理部４４ｘは、Ｓ４００で処理された行のそれぞれについて、光強度分布の代表位置を算出してもよい（Ｓ５００）。この処理は、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘによって撮像された画像データについて行われてもよい。また、処理部４４ｚは、Ｓ４００で処理された行のそれぞれについて、光強度分布の代表位置を算出してもよい（Ｓ５００）。この処理は、Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚによって撮像された画像データについて行われてもよい。第１の実施形態においては、光強度分布の代表位置として、光強度分布の重心位置が算出されてもよい。光強度分布の重心位置を算出する処理の詳細については、図７Ａ〜図７Ｃを参照しながら後述する。

次に、処理部４４ｘは、Ｓ５００で複数の行のそれぞれについて算出された光強度分布の代表位置から、ターゲット２７の軌跡のデータとして、回帰直線のパラメータを算出してもよい（Ｓ６００）。この処理は、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘによって撮像された画像データについて行われてもよい。回帰直線のパラメータは、最小二乗法によって算出されてもよい。回帰直線は、ＸＹ平面に投影されたターゲット２７の軌跡を表し得る。回帰直線は、例えば、（式１）のように表されてもよい。
Ｘ−Ｘ_１＝Ｙ・ｔａｎθ_Ｘ ・・・（式１）

ここで、Ｘ_１及びθ_Ｘは、それぞれ定数であり得る。回帰直線のパラメータは、当該回帰直線が通る点の座標（Ｘ，Ｙ）＝（Ｘ_１，０）と、当該回帰直線の傾き（１／ｔａｎθ_Ｘ）に関する情報とを含み得る。直線が特定される限りにおいて、回帰直線のパラメータは、上述の情報と異なる情報を含んでもよい。

同様に、処理部４４ｚは、Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚによって撮像された画像データに基づく回帰直線のパラメータを算出してもよい（Ｓ６００）。この回帰直線は、ＺＹ平面に投影されたターゲット２７の軌跡を表し得る。

次に、処理部４４ｘ及び処理部４４ｚは、Ｓ６００において算出された回帰直線のパラメータを、ターゲットコントローラ５２に送信してもよい（Ｓ７００）。ターゲットコントローラ５２は、回帰直線のパラメータに基づいて、ターゲット供給部２６の２軸ステージ６３を制御することにより、ターゲット２７が供給されるＸ方向位置及びＺ方向位置を調整し得る。

次に、処理部４４ｘ及び処理部４４ｚは、ターゲット２７の軌跡の検出を終了するか否かを判定してもよい（Ｓ８００）。ターゲット２７の軌跡の検出を終了するか否かは、ターゲットコントローラ５２がターゲット供給信号の送信を停止したか否かによって判定されてもよい。

処理部４４ｘ及び処理部４４ｚは、ターゲット２７の軌跡の検出を終了すると判定しなかった場合は、処理を上述のＳ１５０に戻して、再びターゲット２７の軌跡を検出してもよい。処理部４４ｘ及び処理部４４ｚは、ターゲット２７の軌跡の検出を終了すると判定した場合は、本フローチャートの処理を終了させてもよい。

４．２．２ 画像データの取り込み（Ｓ２００の詳細）
図４Ａは、図３に示される画像データの取り込みの処理を示すフローチャートである。図４Ｂは、画像データの取り込み範囲を示す。図４Ａに示される処理は、図３に示されるＳ２００のサブルーチンとして、処理部４４ｘによって行われてもよい。ここでは、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘが出力した画像データを処理部４４ｘが取り込む処理を説明する。同様にして、Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚが出力した画像データを処理部４４ｚが取り込んでもよい。

まず、処理部４４ｘは、記憶部４６ｘから、画像データの取り込み範囲を示す値を読み込んでもよい（Ｓ２０１）。画像データの取り込み範囲を示す値は、列番号Ｊの最小値（Ｊmin）及び最大値（Ｊmax）と、行番号Ｋの最小値（Ｋmin）及び最大値（Ｋmax）とで与えられ得る。イメージセンサ４１ｘによって撮像された画像データが、５１２列×５１２行の画素を含む場合に、Ｊmin及びＪmaxの値は、０≦Ｊmin＜Ｊmax≦５１１の範囲内の整数であり、Ｋmin及びＫmaxの値は、０≦Ｋmin＜Ｋmax≦５１１の範囲内の整数であってもよい。

次に、処理部４４ｘは、イメージセンサ４１ｘによって撮像された画像データから、定められた取り込み範囲内の画素における光強度のデータを読み込んでもよい（Ｓ２０２）。すなわち、Ｓ２０１において説明された例においては、画素（Ｊmin，Ｋmin）、画素（Ｊmax，Ｋmin）、画素（Ｊmax，Ｋmax）、画素（Ｊmin，Ｋmax）、及びこれら４つの画素によって囲まれた画素のそれぞれにおける光強度のデータを取り込んでもよい。こうして限られた範囲内の画素における光強度のデータを取り込むことにより、その後の処理が高速化され得る。
処理部４４ｘは、指定された範囲内の画素における光強度のデータを取り込んだら、本フローチャートによる処理を終了してもよい。

Ｓ２０１において読み込まれるＪmin、Ｊmax、Ｋmin及びＫmaxの値は、常に一定の値でもよいし、状況によって変更されてもよい。例えば、過去に算出されたターゲット２７の軌跡のデータが安定している場合には、狭い範囲の画素が指定されてもよい。また、過去に算出されたターゲット２７の軌跡のデータが、好ましい軌道から大きくずれている場合には、広い範囲の画素が指定されてもよい。広い範囲の画素とは、例えば、イメージセンサ４１ｘによって撮像された画像データに含まれる画素すべてでもよい。

４．２．３ コントラストチェック（Ｓ３００の詳細）
図５Ａは、図３に示されるコントラストチェックの処理を示すフローチャートである。図５Ｂは、コントラストチェックが行われる画像の範囲を示す。図５Ｃは、図５Ｂに示された画像に含まれる１つの行における光強度分布を示す。図５Ａに示される処理は、図３に示されるＳ３００のサブルーチンとして、処理部４４ｘによって行われてもよい。ここでは、上述のＳ２００においてＸ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘが出力した画像データが取り込まれていた場合に、処理部４４ｘが行う処理を説明する。上述のＳ２００においてＺ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚが出力した画像データが取り込まれていた場合は、処理部４４ｚが同様の処理をしてもよい。また、図５Ａに示される処理は、上述のＳ２０２において取り込まれたデータのみ、すなわち、Ｓ２０１において指定された範囲内の画素における光強度のデータのみを、対象としてもよい。

まず、処理部４４ｘは、カウンタＮを０にセットしてもよい（Ｓ３０１）。このカウンタＮの値は、以下に説明されるように、光強度のコントラストが一定値以上である行をそれぞれ特定するために付与され得る。カウンタＮの値は、０から最大値Ｎmaxまでの範囲内の整数であり得る。カウンタＮの最大値Ｎmaxについては後述する。

次に、処理部４４ｘは、行番号ＫをＫminにセットしてもよい（Ｓ３０２）。以下に説明されるように、Ｓ３０３からＳ３０９までの処理により、ＫminからＫmaxまでの各行について、光強度のコントラストが一定値以上であるか否かが判定され得る。

次に、処理部４４ｘは、現在の行番号Ｋが与えられた行に含まれる複数の画素における光強度の最大値Ｉmax及び最小値Ｉmin（図５Ｃ）を取得してもよい（Ｓ３０３）。以下の説明において、「現在の行番号Ｋが与えられた行に含まれる複数の画素」というときは、それらの画素は、列番号Ｊminから列番号Ｊmaxまでの画素に限られてもよい。

次に、処理部４４ｘは、Ｓ３０３において取得された光強度の最大値Ｉmaxと最小値Ｉminとの差Ｉｄを、以下の式により算出してもよい（Ｓ３０４）。
Ｉｄ＝Ｉmax−Ｉmin

次に、処理部４４ｘは、Ｓ３０４において算出された光強度の差Ｉｄが、所定の閾値Ｃ以上であるか否かを判定してもよい（Ｓ３０５）。例えば、各画素における光強度の値が２５６階調の値（０から２５５までの範囲内の整数）で表現されている場合に、所定の閾値Ｃは、３０であってもよい。

光強度の差Ｉｄが、所定の閾値Ｃ以上である場合（Ｓ３０５：ＹＥＳ）、処理部４４ｘは、現在のカウンタＮの値に１を加えて、カウンタＮの値を更新してもよい（Ｓ３０６）。そして、処理部４４ｘは、現在の行番号Ｋの値を、抽出行番号Ｋ_Ｎとして、記憶部４６ｘに記憶させてもよい（Ｓ３０７）。すなわち、処理部４４ｘは、光強度のコントラストが一定値以上である行の行番号Ｋの値を、抽出行番号Ｋ_Ｎとして抽出してもよい。

抽出行番号Ｋ_Ｎは、カウンタＮの値に応じて、Ｋ_１、Ｋ_２、…、Ｋ_Ｎmaxのように表示され得る。抽出行番号Ｋ_Ｎは、Ｓ２０２において取り込まれた範囲の行番号の最小値Ｋminから最大値Ｋmaxまでの中から抽出されるので、抽出行番号Ｋ_Ｎの値は、Ｋmin≦Ｋ_１＜Ｋ_Ｎmax≦Ｋmaxの範囲内の整数であり得る（図５Ｂ）。
処理部４４ｘは、現在の行番号Ｋの値を抽出行番号Ｋ_Ｎとして記憶させたら、処理をＳ３０８に進めてもよい。

光強度の差Ｉｄが、所定の閾値Ｃ未満である場合（Ｓ３０５：ＮＯ）、処理部４４ｘは、Ｓ３０６及びＳ３０７の処理をスキップして、処理をＳ３０８に進めてもよい。すなわち、処理部４４ｘは、光強度のコントラストが一定値未満である行の行番号Ｋの値を抽出行番号Ｋ_Ｎとして抽出しなくてもよく、カウンタＮの値を更新しなくてもよい。

Ｓ３０８において、処理部４４ｘは、現在の行番号Ｋの値が、Ｓ２０２において取り込まれた範囲の行番号の最大値Ｋmaxに達したか否かを判定してもよい。
現在の行番号Ｋの値が最大値Ｋmaxに達していない場合（Ｓ３０８：ＮＯ）、処理部４４ｘは、現在の行番号Ｋの値に１を加えてＫの値を更新し（Ｓ３０９）、処理をＳ３０３に戻してもよい。これにより、処理部４４ｘは、次の行番号Ｋが与えられた行において光強度のコントラストが一定値以上であるか否かを判定してもよい。

現在の行番号Ｋの値が最大値Ｋmaxに達した場合（Ｓ３０８：ＹＥＳ）、処理部４４ｘは、現在のカウンタＮの値を、最大値Ｎmaxとして、記憶部４６ｘに記憶させてもよい（Ｓ３１０）。

以上の処理により、Ｋ_１からＫ_Ｎmaxまでの抽出行番号Ｋ_Ｎが特定され、光強度のコントラストが一定値以上である行が抽出され得る。
処理部４４ｘは、Ｓ３１０の処理が終了したら、本フローチャートによる処理を終了してもよい。

４．２．４ バックグラウンドノイズの除去（Ｓ４００の詳細）
図６Ａは、図３に示されるバックグラウンドノイズの除去の処理を示すフローチャートである。図６Ｂは、バックグラウンドノイズの除去が行われる画像の範囲を示す。図６Ｃは、図６Ｂに示された画像に含まれる１つの行における光強度分布を示す。図６Ｄは、図６Ｃに示された光強度分布からバックグラウンドノイズが除去された光強度分布を示す。図６Ａに示される処理は、図３に示されるＳ４００のサブルーチンとして、処理部４４ｘによって行われてもよい。ここでは、上述のＳ２００においてＸ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘが出力した画像データが取り込まれていた場合に、処理部４４ｘが行う処理を説明する。上述のＳ２００においてＺ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚが出力した画像データが取り込まれていた場合は、処理部４４ｚが同様の処理をしてもよい。また、図６Ａに示される処理は、上述のＳ３０３からＳ３０９までの処理によって抽出行番号Ｋ_Ｎとして抽出された行のみを対象としてもよい。

まず、処理部４４ｘは、上述のカウンタＮを１にセットしてもよい（Ｓ４０１）。
次に、処理部４４ｘは、行番号ＫをＫ_Ｎにセットしてもよい（Ｓ４０２）。以下に説明されるように、Ｓ４０２からＳ４１１までの処理により、Ｋ_１からＫ_Ｎmaxまでの抽出行番号Ｋ_Ｎが与えられた各行について、バックグラウンドノイズを除去する処理が行われ得る（図６Ｂ）。

次に、処理部４４ｘは、現在の行番号Ｋが与えられた行に含まれる複数の画素における光強度の最大値Ｉmaxを取得してもよい（Ｓ４０３）。最大値Ｉmaxの値は、次で述べられる閾値を算出するために用いられてもよい。
次に、処理部４４ｘは、バックグラウンドノイズを判定するための閾値Ｔｈを、以下の式により算出してもよい（Ｓ４０４）。
Ｔｈ＝ａ・Ｉmax
ここで、ａは、０＜ａ＜１の範囲内の定数でもよい。例えば、ａ＝０．１でもよい。

次に、処理部４４ｘは、列番号ＪをＪminにセットしてもよい（Ｓ４０５）。以下に説明されるように、Ｓ４０６からＳ４０９までの処理により、現在の行番号Ｋが与えられた行に含まれる複数の画素のうち、ＪminからＪmaxまでの列番号Ｊが与えられた各画素について、光強度の値が閾値Ｔｈと比較され得る（図６Ｃ）。

次に、処理部４４ｘは、現在の行番号Ｋ及び現在の列番号Ｊが与えられた画素（Ｊ，Ｋ）における光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が、閾値Ｔｈ以上であるか否かを判定してもよい（Ｓ４０６）。

光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が閾値Ｔｈ未満である場合（Ｓ４０６：ＮＯ）、処理部４４ｘは、当該画素（Ｊ，Ｋ）における光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値を、０に変更してもよい（Ｓ４０７）。これにより、閾値未満の光強度を有する画素の光強度のデータがバックグラウンドノイズとして除去され得る（図６Ｄ）。処理部４４ｘは、当該画素（Ｊ，Ｋ）における光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値を０に変更したら、処理をＳ４０８に進めてもよい。

光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が閾値Ｔｈ以上である場合（Ｓ４０６：ＹＥＳ）、処理部４４ｘは、当該画素（Ｊ，Ｋ）における光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値を変更せずに、処理をＳ４０８に進めてもよい。

Ｓ４０８において、処理部４４ｘは、現在の列番号Ｊの値が、Ｓ２０２において取り込まれた範囲の列番号の最大値Ｊmaxに達したか否かを判定してもよい。
現在の列番号Ｊの値が最大値Ｊmaxに達していない場合（Ｓ４０８：ＮＯ）、処理部４４ｘは、現在の列番号Ｊの値に１を加えてＪの値を更新し（Ｓ４０９）、処理をＳ４０６に戻してもよい。これにより、処理部４４ｘは、次の列番号Ｊが与えられた画素（Ｊ，Ｋ）における光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が、閾値Ｔｈ以上であるか否かを判定してもよい。

現在の列番号Ｊの値が最大値Ｊmaxに達した場合（Ｓ４０８：ＹＥＳ）、処理部４４ｘは、現在のカウンタＮの値が、Ｓ３１０において記憶された最大値Ｎmaxに達したか否かを判定してもよい（Ｓ４１０）。

現在のカウンタＮの値が最大値Ｎmaxに達していない場合（Ｓ４１０：ＮＯ）、処理部４４ｘは、現在のカウンタＮの値に１を加えてＮの値を更新し（Ｓ４１１）、処理をＳ４０２に戻してもよい。これにより、処理部４４ｘは、次の抽出行番号Ｋ_Ｎが与えられた行について、バックグラウンドノイズを除去する処理をしてもよい。
現在のカウンタＮの値が最大値Ｎmaxに達した場合（Ｓ４１０：ＹＥＳ）、処理部４４ｘは、本フローチャートによる処理を終了してもよい。

４．２．５ 光強度分布の重心の算出（Ｓ５００の詳細）
図７Ａは、図３に示される光強度分布の代表位置を算出する処理を示すフローチャートである。図７Ｂは、ターゲットの軌道及びその周辺の特定のＹ方向位置におけるＸ方向に沿った光強度分布を示す。図７Ｃは、複数のＹ方向位置のそれぞれにおける光強度分布の代表位置を示す。図７Ａに示される処理は、図３に示されるＳ５００のサブルーチンとして、処理部４４ｘによって行われてもよい。ここでは、上述のＳ２００においてＸ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘが出力した画像データが取り込まれていた場合に、処理部４４ｘが行う処理を説明する。処理部４４ｘは、以下に説明されるように、Ｘ方向の重心位置Ｇｘ_Ｎと、Ｙ方向の重心位置Ｇｙ_Ｎとを算出してもよい。上述のＳ２００においてＺ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚが出力した画像データが取り込まれていた場合は、処理部４４ｚが同様の処理をしてもよい。処理部４４ｚは、Ｚ方向の重心位置と、Ｙ方向の重心位置とを算出してもよい。また、図７Ａに示される処理は、上述のＳ４００の処理によってバックグラウンドノイズが除去された光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）のデータを用いてもよい。

第１の実施形態においては、光強度分布の代表位置として、光強度分布の重心位置が算出されてもよい。Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘの受光部には、ターゲット２７の軌道及びその周辺の光強度分布が転写されて、画像データが生成されている。ターゲット２７の軌道及びその周辺における特定のＹ方向位置において、Ｘ方向の位置をｘで表し、位置ｘにおける光強度をｆ（ｘ）で表した場合、光強度分布のＸ方向の重心位置Ｇｘは、以下の（式２）によって与えられ得る。
Ｇｘ＝（∫ｘ・ｆ（ｘ）ｄｘ）／∫ｆ（ｘ）ｄｘ ・・・（式２）

力学において「重心」とは、物体の各部分に働く重力の合力の作用点を意味し得る。上述の重心位置Ｇｘは、特定のＹ方向位置において、Ｘ方向に沿った位置ｘにおける光強度ｆ（ｘ）に比例した質量を有する質点がそれぞれ当該位置ｘに配置されたと仮定した場合に、これらの質点の集合の、力学における重心と同等であり得る。

処理部４４ｘは、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘによって撮像された画像データを用いて、光強度分布の重心位置を以下のように算出してもよい。
まず、処理部４４ｘは、上述のカウンタＮを１にセットしてもよい（Ｓ５０１）。
次に、処理部４４ｘは、行番号ＫをＫ_Ｎにセットしてもよい（Ｓ５０２）。以下に説明されるように、Ｓ５０２からＳ５１２までの処理により、Ｋ_１からＫ_Ｎmaxまでの抽出行番号Ｋ_Ｎが与えられた各行について、光強度分布の重心位置を算出する処理が行われ得る。

次に、処理部４４ｘは、第１の積算値Ｓｕｍ１の値と、第２の積算値Ｓｕｍ２の値とを、それぞれ０にセットしてもよい（Ｓ５０３）。以下に説明されるように、第１の積算値Ｓｕｍ１は、Ｓ５０９において、上述の（式２）における第１の積分値（∫ｘ・ｆ（ｘ）ｄｘ）と同等の値として用いられ得る。第２の積算値Ｓｕｍ２は、Ｓ５０９において、上述の（式２）における第２の積分値（∫ｆ（ｘ）ｄｘ）と同等の値として用いられ得る。

次に、処理部４４ｘは、列番号ＪをＪminにセットしてもよい（Ｓ５０４）。以下に説明されるように、Ｓ５０５からＳ５０８までの処理により、現在の行番号Ｋについて、ＪminからＪmaxまでの列番号Ｊが与えられた各画素における光強度の値を用いて、第１の積算値Ｓｕｍ１の値と、第２の積算値Ｓｕｍ２の値とが算出され得る。

次に、処理部４４ｘは、現在の第１の積算値Ｓｕｍ１の値に、（Ｊ・Ｐｘ・Ｉ（Ｊ，Ｋ））で算出される値を加算することにより、第１の積算値Ｓｕｍ１の値を更新してもよい（Ｓ５０５）。ここで、Ｊは、現在の画素（Ｊ，Ｋ）に与えられた列番号でよい。Ｐｘは、イメージセンサ４１ｘの受光部における画素のピッチ（列方向のピッチ）と、転写光学系４２によって形成された像の倍率の逆数との積でよい。ＪとＰｘとの積（Ｊ・Ｐｘ）は、上述の（式２）における第１の積分値（∫ｘ・ｆ（ｘ）ｄｘ）を算出するための位置ｘと同等であり得る。Ｉ（Ｊ，Ｋ）は、現在の画素（Ｊ，Ｋ）における光強度の値でよい。Ｉ（Ｊ，Ｋ）は、上述の（式２）における第１の積分値（∫ｘ・ｆ（ｘ）ｄｘ）を算出するための光強度ｆ（ｘ）と同等であり得る。

次に、処理部４４ｘは、現在の第２の積算値Ｓｕｍ２の値に、Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値を加算することにより、第２の積算値Ｓｕｍ２の値を更新してもよい（Ｓ５０６）。ここで、Ｉ（Ｊ，Ｋ）は、現在の画素（Ｊ，Ｋ）における光強度の値でよい。Ｉ（Ｊ，Ｋ）は、上述の（式２）における第２の積分値（∫ｆ（ｘ）ｄｘ）を算出するための光強度ｆ（ｘ）と同等であり得る。

次に、処理部４４ｘは、現在の列番号Ｊの値が、Ｓ２０２において取り込まれた範囲の列番号の最大値Ｊmaxに達したか否かを判定してもよい（Ｓ５０７）。
現在の列番号Ｊの値が最大値Ｊmaxに達していない場合（Ｓ５０７：ＮＯ）、処理部４４ｘは、現在の列番号Ｊの値に１を加えてＪの値を更新し（Ｓ５０８）、処理をＳ５０５に戻してもよい。これにより、処理部４４ｘは、次の列番号Ｊが与えられた画素（Ｊ，Ｋ）における光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値を用いて、第１の積算値Ｓｕｍ１の値と、第２の積算値Ｓｕｍ２の値とを更新してもよい。

現在の列番号Ｊの値が最大値Ｊmaxに達した場合（Ｓ５０７：ＹＥＳ）、処理部４４ｘは、以下の式により、現在の行番号Ｋが与えられた行における光強度分布のＸ方向の重心位置Ｇｘ_Ｎの値を算出してもよい（Ｓ５０９、図７Ｂ）。
Ｇｘ_Ｎ＝Ｓｕｍ１／Ｓｕｍ２
この重心位置Ｇｘ_Ｎは、上述の（式２）において説明された重心位置Ｇｘと同等であり得る。

次に、処理部４４ｘは、以下の式により、現在の行番号Ｋに相当するＹ方向の重心位置Ｇｙ_Ｎの値を算出してもよい（Ｓ５１０）。
Ｇｙ_Ｎ＝Ｋ・Ｐｙ
ここで、Ｋは、現在の行番号でよい。Ｐｙは、イメージセンサ４１ｘの受光部における画素のピッチ（行方向のピッチ）と、転写光学系４２によって形成された像の倍率の逆数との積でよい。

次に、処理部４４ｘは、現在のカウンタＮの値が、Ｓ３１０において記憶された最大値Ｎmaxに達したか否かを判定してもよい（Ｓ５１１）。

現在のカウンタＮの値が最大値Ｎmaxに達していない場合（Ｓ５１１：ＮＯ）、処理部４４ｘは、現在のカウンタＮの値に１を加えてＮの値を更新し（Ｓ５１２）、処理をＳ５０２に戻してもよい。これにより、処理部４４ｘは、次の抽出行番号Ｋ_Ｎが与えられた行について、光強度分布の重心位置を算出してもよい（図７Ｃ）。
現在のカウンタＮの値が最大値Ｎmaxに達した場合（Ｓ５１１：ＹＥＳ）、処理部４４ｘは、本フローチャートによる処理を終了してもよい。

処理部４４ｘ及び処理部４４ｚは、光強度分布の重心位置を算出したら、上述の通り、図３のＳ６００（回帰直線のパラメータの算出）及びそれ以降の処理を行ってもよい。

第１の実施形態においては、イメージセンサ４１ｘ又はイメージセンサ４１ｚによって撮像されたビットマップデータのＫ_１からＫ_Ｎmaxまでの各行に転写された光強度分布を用いているが、本開示はこれに限定されない。少なくとも２つのラインに沿った光強度分布が得られれば、それらの光強度分布の代表位置（重心位置）から１つの直線が特定され得る。また、これら少なくとも２つのラインは、ビットマップデータの「行」に転写されたものに限られるわけではなく、互いに平行であるものに限られるわけでもない。これら少なくとも２つのラインは、それぞれが、ターゲットの軌道と交差するラインであればよい。

４．３ 作用
第１の実施形態によれば、光強度分布の代表位置に基づいて、回帰直線のパラメータが算出されてもよい。これによれば、ターゲット２７の軌跡が所望の軌道からずれて、ターゲット２７の像がぼけてしまった場合でも、ターゲット２７の軌跡が精度よく検出され得る。

また、第１の実施形態によれば、Ｘ方向ターゲットセンサ４０ｘがＺ方向に対して傾いて配置され、Ｚ方向ターゲットセンサ４０ｚがＸ方向に対して傾いて配置されているので、ほぼＹ方向に移動するターゲット２７の像がぼけてしまう可能性がある。しかし、第１の実施形態によれば、光強度分布の代表位置に基づいて、回帰直線のパラメータが算出されるので、ターゲット２７の軌跡が精度よく検出され得る。

５．第２の実施形態（光強度分布の代表位置の算出）
図８Ａは、第２の実施形態において光強度分布の代表位置を算出する処理を示すフローチャートである。図８Ｂは、ターゲットの軌道及びその周辺の特定のＹ方向位置におけるＸ方向に沿った光強度分布を示す。図８Ｃは、複数のＹ方向位置のそれぞれにおける光強度分布の代表位置を示す。第２の実施形態においては、図７Ａに示された処理の代わりに、光強度分布において閾値以上の光強度を有する部分の中心位置が算出されてもよい。図８Ａに示される処理は、図３に示されるＳ５００のサブルーチンとして、処理部４４ｘによって行われてもよい。ここでは、図３に示されるＳ２００においてＸ方向ターゲットセンサ４０ｘのイメージセンサ４１ｘが出力した画像データが取り込まれていた場合に、処理部４４ｘが行う処理を説明する。処理部４４ｘは、以下に説明されるように、閾値以上の光強度を有する部分の中心のＸ方向の位置Ｃｘ_Ｎ及びＹ方向の位置Ｃｙ_Ｎを算出してもよい。図３に示されるＳ２００においてＺ方向ターゲットセンサ４０ｚのイメージセンサ４１ｚが出力した画像データが取り込まれていた場合は、処理部４４ｚが同様の処理をしてもよい。処理部４４ｚは、閾値以上の光強度を有する部分の中心のＺ方向の位置及びＹ方向の位置を算出してもよい。

図８Ａに示される処理は、上述のＳ４００の処理によってバックグラウンドノイズが除去された光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）のデータを用いてもよい。あるいは、第２の実施形態においては、図３に示されるＳ４００の処理を省略して、上述のＳ３０３からＳ３０９までの処理によって抽出行番号Ｋ_Ｎとして抽出された行の光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）のデータを用いてもよい。

まず、処理部４４ｘは、上述のカウンタＮを１にセットしてもよい（Ｓ５２１）。
次に、処理部４４ｘは、行番号ＫをＫ_Ｎにセットしてもよい（Ｓ５２２）。以下に説明されるように、Ｓ５２２からＳ５３５までの処理により、Ｋ_１からＫ_Ｎmaxまでの抽出行番号Ｋ_Ｎが与えられた各行について、光強度分布において閾値以上の光強度を有する部分の中心位置を算出する処理が行われ得る。

次に、処理部４４ｘは、現在の行番号Ｋが与えられた行に含まれる複数の画素における光強度の最大値Ｉmaxを取得してもよい（Ｓ５２３）。最大値Ｉmaxの値は、Ｓ５２５で述べられる閾値を算出するために用いられてもよい。

次に、処理部４４ｘは、列番号ＪをＪminにセットしてもよい（Ｓ５２４）。以下に説明されるように、Ｓ５２５及びＳ５２６の処理により、現在の行番号Ｋが与えられた行について、Ｊminから順番に、列番号Ｊが与えられた各画素における光強度の値が閾値と比較され得る。

次に、処理部４４ｘは、現在の画素（Ｊ，Ｋ）における光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が、閾値Ｉmax／Ｈ以上であるか否かを判定してよい（Ｓ５２５）。ここで、Ｈは、１より大きい定数でもよい。例えば、Ｈ＝２、すなわち、１／Ｈ＝０．５でもよい。また、Ｈ＝ｅ^２、すなわち、１／Ｈ≒０．１３５でもよい。

光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が、閾値Ｉmax／Ｈ未満である場合（Ｓ５２５：ＮＯ）、処理部４４ｘは、現在の列番号Ｊの値に１を加えてＪの値を更新し（Ｓ５２６）、処理をＳ５２５に戻してもよい。これにより、処理部４４ｘは、現在の行番号Ｋが与えられた行について、次の列番号Ｊが与えられた画素（Ｊ，Ｋ）における光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が閾値Ｉmax／Ｈ以上であるか否かを順次判定し得る。

光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が、閾値Ｉmax／Ｈ以上となった場合（Ｓ５２５：ＹＥＳ）、処理部４４ｘは、閾値以上の光強度を有する部分の一方の端部のＸ方向の位置として、以下の式によって与えられるＸａを算出してもよい（Ｓ５２７）。
Ｘａ＝Ｊ・Ｐｘ
ここで、Ｊは、現在の画素（Ｊ，Ｋ）に与えられた列番号でよい。Ｐｘは、イメージセンサ４１ｘの受光部における画素のピッチ（列方向のピッチ）と、転写光学系４２によって形成された像の倍率の逆数との積でよい。

次に、処理部４４ｘは、列番号ＪをＪmaxにセットしてもよい（Ｓ５２８）。以下に説明されるように、Ｓ５２９及びＳ５３０の処理により、現在の行番号Ｋが与えられた行について、Ｊmaxから順番に、列番号Ｊが与えられた各画素における光強度の値が閾値と比較され得る。

次に、処理部４４ｘは、現在の画素（Ｊ，Ｋ）における光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が、閾値Ｉmax／Ｈ以上であるか否かを判定してよい（Ｓ５２９）。ここで、Ｈは、Ｓ５２５において説明されたＨと同一でよい。

光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が、閾値Ｉmax／Ｈ未満である場合（Ｓ５２９：ＮＯ）、処理部４４ｘは、現在の列番号Ｊの値から１を減算してＪの値を更新し（Ｓ５３０）、処理をＳ５２９に戻してもよい。これにより、処理部４４ｘは、現在の行番号Ｋが与えられた行について、１つ前の列番号Ｊが与えられた画素（Ｊ，Ｋ）における光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が閾値Ｉmax／Ｈ以上であるか否かを順次判定し得る。

光強度Ｉ（Ｊ，Ｋ）の値が、閾値Ｉmax／Ｈ以上となった場合（Ｓ５２９：ＹＥＳ）、処理部４４ｘは、閾値以上の光強度を有する部分の他方の端部のＸ方向の位置として、以下の式によって与えられるＸｂを算出してもよい（Ｓ５３１）。
Ｘｂ＝Ｊ・Ｐｘ
ここで、Ｊは、現在の画素（Ｊ，Ｋ）に与えられた列番号でよい。Ｐｘは、イメージセンサ４１ｘの受光部における画素のピッチ（列方向のピッチ）と、転写光学系４２によって形成された像の倍率の逆数との積でよい。

次に、処理部４４ｘは、現在の行番号Ｋが与えられた行において、閾値以上の光強度を有する部分の一方の端部の位置Ｘａと他方の端部の位置Ｘｂとの中心のＸ方向の位置Ｃｘ_Ｎの値を、以下の式により算出してもよい（Ｓ５３２）。
Ｃｘ_Ｎ＝（Ｘａ＋Ｘｂ）／２

次に、処理部４４ｘは、以下の式により、現在の行番号Ｋに相当する中心のＹ方向の位置Ｃｙ_Ｎの値を算出してもよい（Ｓ５３３）。
Ｃｙ_Ｎ＝Ｋ・Ｐｙ
ここで、Ｋは、現在の行番号でよい。Ｐｙは、イメージセンサ４１ｘの受光部における画素のピッチ（行方向のピッチ）と、転写光学系４２によって形成された像の倍率の逆数との積でよい。

次に、処理部４４ｘは、現在のカウンタＮの値が、Ｓ３１０において記憶された最大値Ｎmaxに達したか否かを判定してもよい（Ｓ５３４）。

現在のカウンタＮの値が最大値Ｎmaxに達していない場合（Ｓ５３４：ＮＯ）、処理部４４ｘは、現在のカウンタＮの値に１を加えてＮの値を更新し（Ｓ５３５）、処理をＳ５２２に戻してもよい。これにより、処理部４４ｘは、次の抽出行番号Ｋ_Ｎが与えられた行について、閾値以上の光強度を有する部分の中心のＸ方向の位置及びＹ方向の位置を算出してもよい。
現在のカウンタＮの値が最大値Ｎmaxに達した場合（Ｓ５３４：ＹＥＳ）、処理部４４ｘは、本フローチャートによる処理を終了してもよい。
他の点については、第１の実施形態と同様でよい。

６．第３の実施形態（ラインセンサの利用）
図９Ａ及び図９Ｂは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置におけるターゲットセンサの一部断面図である。図９Ａは、ターゲットセンサをＹ方向側に見たものであり、図９Ｂは、ターゲットセンサを−Ｘ方向側に見たものである。図９Ｃは、ターゲットの軌道及びその周辺の第１のＹ方向位置におけるＸ方向に沿った光強度分布を示す。図９Ｄは、ターゲットの軌道及びその周辺の第２のＹ方向位置におけるＸ方向に沿った光強度分布を示す。

第１の実施形態において説明されたＸ方向ターゲットセンサ４０ｘ及びＺ方向ターゲットセンサ４０ｚの代わりに、第３の実施形態においては、Ｘ方向ターゲットセンサ４５ｘ及びＺ方向ターゲットセンサ４５ｚが用いられてもよい。

Ｘ方向ターゲットセンサ４５ｘは、第１のラインセンサ４１ａと、第２のラインセンサ４１ｂと、転写光学系４２と、ウインドウ４３と、処理部（図示せず）とを含んでもよい。第１のラインセンサ４１ａ及び第２のラインセンサ４１ｂは、それぞれ、一方向に長い受光部を有していてもよい。

第１のラインセンサ４１ａは、第１のＹ方向位置Ｇｙａに存在するターゲット２７の像が転写光学系４２によって形成される位置に配置されてもよい。第１のラインセンサ４１ａは、第１のＹ方向位置ＧｙａにおけるＸ方向に沿った光強度分布（図９Ｃ）を検出し、出力してもよい。第１の実施形態と同様に、処理部が光強度分布の第１の代表位置Ｇｘａを算出してもよい。第１の代表位置Ｇｘａは、光強度分布の重心位置でもよいし、光強度分布において閾値以上の光強度を有する部分の中心位置でもよい。

第２のラインセンサ４１ｂは、第２のＹ方向位置Ｇｙｂに存在するターゲット２７ａの像が転写光学系４２によって形成される位置に配置されてもよい。第２のラインセンサ４１ｂは、第２のＹ方向位置ＧｙｂにおけるＸ方向に沿った光強度分布（図９Ｄ）を検出し、出力してもよい。第１の実施形態と同様に、処理部が光強度分布の第２の代表位置Ｇｘｂを算出してもよい。第２の代表位置Ｇｘｂは、光強度分布の重心位置でもよいし、光強度分布において閾値以上の光強度を有する部分の中心位置でもよい。

図９Ｅは、複数のＹ方向位置のそれぞれにおける光強度分布の代表位置を示す。処理部は、第１のＹ方向位置Ｇｙａにおける第１の代表位置Ｇｘａと、第２のＹ方向位置Ｇｙｂにおける第２の代表位置Ｇｘｂとに基づき、ターゲットの軌跡を示す直線のパラメータを算出してもよい。この直線は、ＸＹ平面に投影されたターゲット２７の軌跡を表し得る。

Ｘ方向ターゲットセンサ４５ｘが３つ以上のラインセンサを有し、３つ以上のＹ方向位置のそれぞれにおける光強度分布の代表位置が算出された場合には、処理部４４ｘは、ターゲットの軌跡を示す回帰直線のパラメータを算出してもよい。

Ｚ方向ターゲットセンサ４５ｚの構成は、Ｘ方向ターゲットセンサ４５ｘと同様でよい。Ｚ方向ターゲットセンサ４５ｚの処理部（図示せず）は、ＺＹ平面に投影されたターゲット２７の軌跡を示す直線のパラメータを算出してもよい。
他の点については、第１の実施形態と同様でよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、２ａ…貫通孔、３…レーザ装置、４…ターゲットセンサ、４ｘ、４ｚ…ターゲット検出部、５…ＥＵＶ光生成制御部、６…露光装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６…ターゲット供給部、２７、２７ａ…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、３１、３２、３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御部、４０ｘ…Ｘ方向ターゲットセンサ、４０ｚ…Ｚ方向ターゲットセンサ、４１ｘ、４１ｚ…イメージセンサ、４１ａ…第１のラインセンサ、４１ｂ…第２のラインセンサ、４２…転写光学系、４３…ウインドウ、４４ｘ、４４ｚ…処理部、４５ｘ…Ｘ方向ターゲットセンサ、４５ｚ…Ｚ方向ターゲットセンサ、４６ｘ、４６ｚ…記憶部、５１…ＥＵＶコントローラ、５２…ターゲットコントローラ、６１…リザーバ、６２…開口、６３…２軸ステージ、７０ｘ、７０ｚ…発光部、７１…光源、７２…コリメータ、７３…ウインドウ、８１…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、８２、８３…プレート、２２１…軸外放物面ミラー、２２２…平面ミラー、２２３、２２４…ホルダ、２５１…放射光、２５２…ＥＵＶ光、２９１…壁、２９２…中間集光点、３４１、３４２…高反射ミラー、３４３、３４４…ホルダ

Claims (4)

1. プラズマ生成領域でターゲットへパルスレーザ光が照射される極端紫外光生成装置であって、
   Ａ）少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、
   Ｂ）前記少なくとも１つの貫通孔を通して前記チャンバ内の前記プラズマ生成領域に前記パルスレーザ光を導入するように構成された導入光学系と、
   Ｃ）前記プラズマ生成領域に向けて前記ターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、
   Ｄ）１）光源、
   ２）転写光学系、
   ３）イメージセンサであって、前記光源の出力光が前記ターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像が前記転写光学系によりイメージセンサの受光部に形成され、その像の画像データを出力するように構成されたイメージセンサ、
   ４）処理部であって、前記イメージセンサに接続され、前記出力された画像データを受信して、ターゲットの軌道と交差する第１のラインに沿った第１の光強度分布と、前記軌道と交差する第２のラインに沿った第２の光強度分布とを取得し、前記第１の光強度分布の重心位置と前記第２の光強度分布の重心位置とを算出し、それらの位置からターゲットの軌跡を算出するように構成された処理部を含むターゲット検出部と、
   を含む極端紫外光生成装置。
2. プラズマ生成領域でターゲットへパルスレーザ光が照射される極端紫外光生成装置であって、
   Ａ）少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、
   Ｂ）前記少なくとも１つの貫通孔を通して前記チャンバ内の前記プラズマ生成領域に前記パルスレーザ光を導入するように構成された導入光学系と、
   Ｃ）前記プラズマ生成領域に向けて前記ターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、
   Ｄ）１）光源、
   ２）転写光学系、
   ３）第１のラインセンサであって、前記光源の出力光が前記ターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像の一部が前記転写光学系により第１のラインセンサの受光部に形成され、ターゲットの軌道と交差する第１のラインに沿った第１の光強度分布を出力するように構成された第１のラインセンサ、
   ４）第２のラインセンサであって、前記光源の出力光が前記ターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像の一部が前記転写光学系により第２のラインセンサの受光部に形成され、ターゲットの軌道と交差する第２のラインに沿った第２の光強度分布を出力するように構成された第２のラインセンサ、
   ５）処理部であって、前記第１及び第２のラインセンサに接続され、前記第１及び前記第２の光強度分布を受信して、前記第１の光強度分布の重心位置と前記第２の光強度分布の重心位置とを算出し、それらの位置からターゲットの軌跡を算出するように構成された処理部を含むターゲット検出部と、
   を含む極端紫外光生成装置。
3. プラズマ生成領域でターゲットへパルスレーザ光が照射される極端紫外光生成装置であって、
   Ａ）少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、
   Ｂ）前記少なくとも１つの貫通孔を通して前記チャンバ内の前記プラズマ生成領域に前記パルスレーザ光を導入するように構成された導入光学系と、
   Ｃ）前記プラズマ生成領域に向けて前記ターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、
   Ｄ）１）光源、
   ２）転写光学系、
   ３）イメージセンサであって、前記光源の出力光が前記ターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像が前記転写光学系によりイメージセンサの受光部に形成され、その像の画像データを出力するように構成されたイメージセンサ、
   ４）処理部であって、前記イメージセンサに接続され、前記出力された画像データを受信して、ターゲットの軌道と交差する第１のラインに沿った第１の光強度分布と、前記軌道と交差する第２のラインに沿った第２の光強度分布とを取得し、前記第１の光強度分布において第１の閾値以上の光強度を有する部分の中心位置と前記第２の光強度分布において第２の閾値以上の光強度を有する部分の中心位置とを算出し、それらの位置からターゲットの軌跡を算出するように構成された処理部を含むターゲット検出部と、
   を含む極端紫外光生成装置。
4. プラズマ生成領域でターゲットへパルスレーザ光が照射される極端紫外光生成装置であって、
   Ａ）少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、
   Ｂ）前記少なくとも１つの貫通孔を通して前記チャンバ内の前記プラズマ生成領域に前記パルスレーザ光を導入するように構成された導入光学系と、
   Ｃ）前記プラズマ生成領域に向けて前記ターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、
   Ｄ）１）光源、
   ２）転写光学系、
   ３）第１のラインセンサであって、前記光源の出力光が前記ターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像の一部が前記転写光学系により第１のラインセンサの受光部に形成され、ターゲットの軌道と交差する第１のラインに沿った第１の光強度分布を出力するように構成された第１のラインセンサ、
   ４）第２のラインセンサであって、前記光源の出力光が前記ターゲット供給部から出力されたターゲットへ照射されて形成された像の一部が前記転写光学系により第２のラインセンサの受光部に形成され、ターゲットの軌道と交差する第２のラインに沿った第２の光強度分布を出力するように構成された第２のラインセンサ、
   ５）処理部であって、前記第１及び第２のラインセンサに接続され、前記第１及び前記第２の光強度分布を受信して、前記第１の光強度分布において第１の閾値以上の光強度を有する部分の中心位置と、前記第２の光強度分布において第２の閾値以上の光強度を有する部分の中心位置とを算出し、それらの位置からターゲットの軌跡を算出するように構成された処理部を含むターゲット検出部と、
   を含む極端紫外光生成装置。

Images