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JP2014077983A - 表示基板及びそれを含む液晶表示パネル - Google Patents

表示基板及びそれを含む液晶表示パネル Download PDF

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JP2014077983A
JP2014077983A JP2013113015A JP2013113015A JP2014077983A JP 2014077983 A JP2014077983 A JP 2014077983A JP 2013113015 A JP2013113015 A JP 2013113015A JP 2013113015 A JP2013113015 A JP 2013113015A JP 2014077983 A JP2014077983 A JP 2014077983A
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Yong-Je Jeon
容 済 全
Jin-Suk Park
真 ▲爽▼ 朴
Seok-Je Seong
碩 済 成
Sang-Woo Park
相 禹 朴
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

【課題】表示基板及びそれを含む液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】開示した表示基板は、複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む。前記表示基板は各画素部を駆動するための薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートライン、前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータライン、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極及び前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極を含む。前記共通電極は、第1画素部と重なる第1開口部及び前記第1画素部と隣接する第2画素部と重なる第2開口部を含み、前記第1開口部と第2開口部の延伸方向は互いに異なり、前記共通電極は前記第1画素部及び前記第2画素部と連続的に重なる。
【選択図】図2

Description

本発明は表示基板及びそれを含む液晶表示パネルに関する。より詳細には、輝度損失なしで表示品質を改善できる表示基板及びそれを含む表示パネルに関する。
液晶表示装置は軽い重さ、薄い厚さ、低い消費電力などの色々な長所を有するので有望な表示装置として広く使われている。
前記液晶表示装置は、2つの電極、例えば、画素電極及び共通電極との間に形成された電界によって液晶の配向を調節することによって、イメージを表示する。前記画素電極及び前記共通電極は、それぞれ異なる基板に形成されることもできるが、最近では視野角などを改善するために前記画素電極及び前記共通電極が1つの基板に形成された構造(PLS)の液晶表示パネルの使用が増加している。
しかし、前記PLS構造の液晶表示パネルの場合、視野によって色感が変わることがあるという短所があって、これを改善するために1つのピクセル内で複数のドメインを形成する場合、ドメイン境界付近で液晶テクスチャ(texture)が形成されて輝度減少の原因となる虞がある。
本発明の一目的は、輝度損失なしで表示品質を改善できる表示基板を提供することにある。
本発明の他の目的は、輝度損失なしで表示品質を改善できる液晶表示パネルを提供することにある。
なお、本発明の解決しようとする課題は、上述した課題に限定されるのではなく、本発明の思想、及び領域から逸脱しない範囲で多様に拡張される。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、表示基板は、複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む。前記表示基板は各画素部を駆動するための薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートライン、前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータライン、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極、及び前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極を含む。前記共通電極は、第1画素部と重なる第1開口部、及び、前記第1画素部と隣接する第2画素部と重なる第2開口部を含み、前記第1開口部と第2開口部の延伸方向は互いに異なり、前記共通電極は、前記第1画素部及び前記第2画素部と連続的に重なる。
一実施形態において、前記第1開口部と前記第2開口部は互いに接続される。
一実施形態において、前記第1画素部と前記第2画素部は行方向に隣接する。
一実施形態において、前記第1開口部と前記第2開口部は前記データラインを基準として互いに対称な形状を有する。
一実施形態において、前記共通電極は、前記第1画素部と列方向で隣接する第3画素部と重なる第3開口部及び前記第2画素部と列方向に隣接し、前記第3画素部と行方向に隣接する第4開口部をさらに含み、前記第3開口部は前記第1開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有し、前記第4開口部は前記第2開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有する。
一実施形態において、前記第1開口部は、第1方向に延伸する第1延長部、前記第1延長部の一端から前記第1方向と違う第2方向に延伸する第2延長部及び前記第2延長部の他の一端から前記第1方向と違う第3方向に延伸する第3延長部を含む。
一実施形態において、前記第2延長部と前記第3延長部は互いに反対方向に延伸する。
一実施形態において、前記第2延長部と前記第3延長部は前記画素電極と部分的に重なる。
一実施形態において、前記第1画素部と前記第2画素部は、行方向に隣接し、前記第1開口部と前記第2開口部は互いに離隔する。
一実施形態において、前記表示基板は前記周辺領域に配置された共通ラインをさらに含み、前記共通電極は前記周辺領域で前記共通ラインと電気的に接続される。
一実施形態において、前記共通電極は前記画素電極上に配置される。
一実施形態において、前記表示基板は前記共通電極上に配置され、行方向にラビングされた下部配光膜をさらに含む。
本発明の一目的を達成するために、実施形態に係る表示基板は、複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む。前記表示基板は各画素部を駆動するための薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートライン、前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータライン、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極、及び前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極を含む。前記共通電極は第1画素部及び前記第1画素部と行方向に隣接する第2画素部と重なる開口部を含み、前記開口部はジグザグ状に延伸する。
一実施形態において、前記開口部は列方向に突出し、V字状を有する突出部を含む。
一実施形態において、前記突出部は前記データラインと重なる。
一実施形態において、前記共通電極は、前記第1画素部と列方向に隣接する第3画素部及び前記第3画素部と行方向に隣接し、前記第2画素部と列方向に隣接する第4画素部と重なる開口部をさらに含み、前記第1画素部及び前記第2画素部と重なる開口部は、前記ゲートラインを基準として、前記第3画素部及び前記第4画素部と重なる開口部と対称形状を有する。
本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルは複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む表示基板、前記表示基板と結合する対向基板及び前記表示基板と前記対向基板との間に介在される液晶層を含む。前記表示基板は各画素部を駆動するための薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートライン、前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータライン、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極及び前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極を含む。前記共通電極は第1画素部と重なる第1開口部、及び前記第1画素部と隣接する第2画素部と重なる第2開口部を含み、前記第1開口部と第2開口部の延伸方向は互いに異なり、前記共通電極は前記第1画素部及び前記第2画素部と連続的に重なる。
本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルは複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む表示基板、前記表示基板と結合する対向基板、及び前記表示基板と前記対向基板との間に介在される液晶層を含む。前記表示基板は各画素部を駆動するための薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートライン、前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータライン、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極、及び前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極を含む。前記共通電極は第1画素部と、前記第1画素部と行方向に隣接する第2画素部とが重なる開口部を含み、前記開口部はジグザグ状に延伸する。
本発明の例示的な実施形態によれば、表示領域内で液晶分子が、それぞれ異なる方向に配列される複数のドメインを形成することによって、視野によって色感が変化することを防止することができる。
また、前記複数のドメインを1つの画素領域中に形成するのではなく、各画素領域での液晶配列を異なるようにすることによって、1つの画素領域に形成される複数のドメインの境界で輝度が減少することを防止することができる。
また、共通電極の開口部が行方向と列方向において対称な形状を有することによって、横線不良を改善することができる。
また、表示領域内で連続的に延伸する共通電極を形成することによって、画素領域の間の境界で、輝度が低下したり、または、コントラストが低下したりすることを防止することができる。また、表示領域内に共通ラインを形成する必要がないので、実質的に開口率を向上させることができる。
本発明の一実施形態に係る表示基板の平面図である。 図1に示した表示基板の画素部を示した拡大平面図である。 図2に示した表示基板をI−I’に沿って切断した断面図である。 図2に示した共通電極を図示した平面図である。 図1に示した表示基板のA領域を示した拡大平面図である。 図5のII−II’に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルを示した断面図である。 前記液晶表示パネルの共通電極及び前記共通電極上に配向された液晶分子を示した平面図である。 本発明の他の実施形態に係る表示基板を示した平面図である。 図18に示した表示基板の共通電極を示した平面図である。 本発明のまた他の実施形態に係る表示基板を示した平面図である。
以下、本発明の例示的な実施形態に係る表示基板及びそれを含む液晶表示パネルについて添付する図面を参照して詳細に説明するが、本発明は本明細書に記載された例示的な実施形態によって制限されるのではなく、該当分野で通常の知識を有する者であれば本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で本発明を多様な他の形態で具現することができる。
本明細書に開示されている本発明の実施形態に対して、特定の構造的、機能的説明は、単に本発明の実施形態を説明するための目的で例示されたものであり、本発明の実施形態は多様な形態で実施することができ、本明細書に説明された実施形態に限定されるものではない。本発明は多様な変更を加えることができ、種々の形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示して本明細書に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想、及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物、代替物を含むと理解するべきである。
ある構成要素が他の構成要素に「連結されて」いる、または「接続されて」いると言及した場合には、その他の構成要素に直接的に連結されていたり、接続されていることも意味するが、中間に他の構成要素が存在する場合も含む。一方、ある構成要素が他の構成要素に「直接連結されて」いる、または「直接接続されて」いると言及した場合には、中間に他の構成要素は存在しない。構成要素の間の関係を説明する他の表現、すなわち「〜間に」と「直接〜間に」または「〜に隣接する」と「〜に直接隣接する」等も同様である。
本明細書で使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使用したものであり、本発明を限定するものではない。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。また、本明細書で、「含む」又は「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又は、これを組み合わせたものが存在するということを示すものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又は、これを組み合わせたものなどの存在又は、付加の可能性を、予め排除するものではない。また、別に定義しない限り、技術的あるいは科学的用語を含み、本明細書中において使用される全ての用語は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、一般的に理解すること同一の意味を有する。一般的に使用される辞書において定義する用語と同じ用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有するものと理解するべきで、本明細書において明白に定義しない限り、理想的あるいは過度に形式的な意味として解釈してはならない。
本明細書において、第1、第2、第3等の用語は多様な構成要素を説明するのに使用しているが、これらの構成要素がこのような用語によって限定されるものではない。これらの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使い、例えば、本発明の権利範囲から逸脱しなければ第1構成要素は第2または第3構成要素と命名することができ、同様に第2または第3構成要素も交互に命名できる。
図1は本発明の一実施形態に係る表示基板の平面図である。
図1を参照すると、本実施形態に係る表示基板100は、画像を表示する表示領域DA及び前記表示領域DAを囲む周辺領域PAに区分される。
前記表示基板100は、ベース基板110、前記ベース基板110の表示領域DAに配置された複数の画素部PX、及び前記ベース基板110の周辺領域PAに配置された駆動部を含む。
各画素部PXは、画素薄膜トランジスタTFTを含む。従って、前記表示基板100はマトリックス状に配列された複数の薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタアレイを含む。前記画素薄膜トランジスタTFTは、NMOSトランジスタであってもよい。前記画素部PXは、前記画素薄膜トランジスタTFTに接続されて液晶キャパシタClcを形成する画素電極及び共通電極を含む。他の実施形態において、前記画素部PXはストレージキャパシタを形成するためにストレージライン及びストレージ電極をさらに含むことができる。
前記駆動部はゲート駆動部GD及びデータ駆動部DDを含む。前記ゲート駆動部GDはゲート信号を前記画素部PXに提供し、前記データ駆動部DDはデータ信号を前記画素部PXに提供する。
前記ゲート駆動部GD及び前記データ駆動部DDは、前記ベース基板110に集積された回路トランジスタを含んでもよく、例えば、前記回路トランジスタはトランジスタ及びPMOSトランジスタを含むCMOSトランジスタであってもよい。
図2は図1に示した表示基板の画素部を示した拡大平面図である。図3は図2に示した表示基板をI−I’に沿って切断した断面図である。図4は図2に示した共通電極を示した平面図である。
図2及び図3を参照すると、前記表示基板100はゲートラインGL、データラインDL、ゲート電極GE、ソース電極SE、ドレーン電極DE、アクティブパターンAP、画素電極PE、及び共通電極CEを含む。前記ゲート電極GE、ソース電極SE、ドレーン電極DE、及びアクティブパターンAPは、前記画素薄膜トランジスタTFTを形成する。
前記ゲートラインGLは前記ゲート駆動部GDと電気的に接続され、一方向に延伸する。例えば、前記ゲートラインGLは前記表示基板100の行方向D1に延伸することができる。前記ゲートラインGLは、銅、クロム、ニッケル、モリブデン、マンガン、チタン、銀、アルミニウム、これらの合金などを含んでもよい。
前記ゲートラインGLは、単一層構造、または、それぞれ異なる金属層を含む多層構造を有してもよい。例えば、前記ゲートラインGLは、銅の単一層構造、銅層及び前記銅層の下に配置されたチタン層を含む二重層構造を有してもよい。また、前記ゲートラインGLは金属層及び前記金属層上または下に配置された酸化物バリア層を含んでもよい。例えば、前記ゲートラインGLは、銅層、前記銅層上に配置された上部インジウム−亜鉛酸化物層及び前記銅層下に配置された下部インジウム−亜鉛酸化物層を含んでもよい。
前記ゲート電極GEは前記ゲートラインGLと電気的に接続され、前記ゲート駆動部GDからゲート信号を伝達される。例えば、前記ゲート電極GEは、前記ゲートラインGLから突出する形状を有してもよい。前記ゲート電極GEは前記ゲートラインGLと同一層から形成される。他の実施形態において、ゲート電極GEはゲートラインGLから分離され、ブリッジを利用して電気的に接続されることができ、前記ゲートラインGLと他の物質を含んでもよい。
前記データラインDLは、前記データ駆動部DDと電気的に接続され、前記ゲートラインGLと交差する一方向に延伸する。例えば、前記データラインDLは、前記表示基板100の列方向D2に延伸することができる。
前記データラインDLは前記ゲートラインGLと類似しているように、銅、クロム、ニッケル、モリブデン、マンガン、チタン、銀、アルミニウム、これらの単一層構造、または、それぞれ違う金属層を含む多層構造を有してもよく、金属層及び前記金属層上または下に配置された酸化物バリア層を含んでもよい。
前記ソース電極SEは前記データラインDLと電気的に接続されて、前記データ駆動部DDからソース信号を伝達される。本実施形態において、前記ソース電極SEは前記データラインDLの一部によって定義されるか、または他の実施形態において、前記ソース電極SEは前記データラインDLから突出した形状を有してもよい。前記ソース電極SEは前記データラインDLと同一層から形成される。他の実施形態において、ソース電極SEはデータラインDLから分離されてブリッジを利用して電気的に接続されてもよく、前記データラインDLと他の物質を含んでもよい。
前記ドレーン電極DEは、前記ソース電極SEと離隔し、前記データラインDL及び前記ソース電極SEと同一層から形成される。前記ドレーン電極DEは前記画素電極PEと電気的に接続される。前記アクティブパターンAPは、ソース部SP、ドレイン部DP及び前記ソース部SPとドレイン部DPとの間に配置されたチャネル部CPを含む。前記ソース部SPと前記チャネル部CPとの間、そして前記ドレイン部DPと前記チャネル部CPとの間には、低濃度ドーピング部LDが配置される。前記ソース部SP、前記ドレイン部DP、前記チャネル部CP、及び前記低濃度ドーピング部LDは同一層から形成される。
前記ソース部SPは前記ソース電極SEと電気的に接続され、前記ドレイン部DPは前記ドレーン電極DEと電気的に接続される。前記チャネル部CPは前記ゲート電極GEと平面図において重なる。前記ゲート電極GEにゲート信号が伝達されると、前記チャネル部CPの導電性が増加することによって、前記ソース部SPに伝達されたデータ信号が前記チャネル部CP、前記ドレイン部DP、及び前記ドレーン電極DEを介して前記画素電極PEに伝達される。
前記アクティブパターンAPは、多結晶シリコンを含む。前記ソース部SP及び前記ドレイン部DPは高濃度でドーピングされた多結晶シリコンを含んでもよく、前記低濃度ドーピング部LDは低濃度でドーピングされた多結晶シリコンを含んでもよい。前記チャネル部CPはドーピングされていない多結晶シリコンを含んでもよい。例えば、前記ソース部SP、前記ドレイン部DP、及び前記低濃度ドーピング部LDはN型イオンによってドーピングされてもよい。
前記共通電極CEは前記画素電極PEと重なる。前記共通電極CEは前記画素電極PEと電気的に絶縁され、前記共通電極CEには共通電圧が印加される。
前記共通電極CEは、行方向D1に隣接する少なくとも2つの画素電極と連続的に重なる。望ましくは、前記共通電極CEは、表示領域DA内で、行方向D1に連続的に延伸される。また、前記共通電極CEは、前記画素電極PEと重なる開口部OPを含む。本実施形態において、前記開口部OPは、前記表示領域DA内で行方向D1に連続的に延伸する。従って、前記開口部OPは前記データラインDLを横切り、前記共通電極CEは、前記表示領域DA内で列方向D2に互いに離隔した複数の電極部を含む。
また、前記開口部OPは、列方向D2に突出する突出部PPを有し、前記突出部PPは前記データラインDLと重なる。前記突出部PPはV字状を有することができる。前記共通電極CE及び開口部OPに対し、より具体的な説明は後述する。
図3を参照すると、前記表示基板100はベース基板110上に形成された遮光パターンBPを含む。
前記遮光パターンBPは前記アクティブパターンAPと重なり、前記アクティブパターンAPと前記ベース基板110との間に配置される。従って、前記アクティブパターンAPの下から入射される光から前記アクティブパターンPAに入射される光を遮断することによって、薄膜トランジスタの電気特性が変化することを防止することができる。前記遮光パターンBPは、金属、有機物質、多結晶シリコンなどを含んでもよい。
前記遮光パターンBP上には第1絶縁層120が形成される。前記第1絶縁層120は、シリコン窒化物、シリコン酸化物などのような絶縁物質を含んでもよい。前記第1絶縁層120上には前記アクティブパターンAPが形成されて、前記遮光パターンBPと重なる。
前記アクティブパターンAP上には第2絶縁層130が形成される。前記第2絶縁層130は、シリコン窒化物、シリコン酸化物などのような絶縁物質を含んでもよい。前記第2絶縁層130上には前記ゲートラインGL及び前記ゲート電極GEが形成される。
前記ゲートラインGL及び前記ゲート電極GE上には第3絶縁層140が形成される。前記第3絶縁層140はシリコン窒化物、シリコン酸化物などのような絶縁物質を含んでもよい。前記第3絶縁層140上には前記データラインDL、前記ソース電極SE、及び前記ドレーン電極GEが形成される。前記ソース電極SEは、前記第2絶縁層130及び前記第3絶縁層140を貫いて形成されたコンタクトホールを介して、前記アクティブパターンAPのソース部SPと接触し、前記ドレーン電極DEは、前記第2絶縁層130及び前記第3絶縁層140を貫いて形成されたコンタクトホールを介して、前記アクティブパターンAPのドレーン部DPと接触する。
前記データラインDL、前記ソース電極SE、及び前記ドレーン電極GE上には、第4絶縁層150及び第5絶縁層160が形成される。前記第4絶縁層150は、シリコン窒化物、シリコン酸化物などのような絶縁物質を含んでもよい。前記第5絶縁層160は、段差を補償して前記表示基板100の上面を平坦化する。前記第5絶縁層160は、有機絶縁物質を含んでもよい。前記第5絶縁層160上には前記画素電極PEが形成される。前記画素電極PEは前記第4絶縁層140及び前記第5絶縁層160を貫通して形成されたコンタクトホールを介して、前記ドレーン電極DEと接触する。
前記画素電極PE上には、第6絶縁層170が形成される。前記第6絶縁層170は、シリコン窒化物、シリコン酸化物などのような絶縁物質を含んでもよい。他の実施形態において、前記第6絶縁層170は有機絶縁物質を含んでもよい。前記第6絶縁層170上には前記共通電極CEが形成される。
本実施形態において、前記共通電極CEが前記画素電極PE上に配置されるか、または、他の実施形態において、前記共通電極CEは前記画素電極PE下に配置されてもよい。
前記共通電極CE上には下部配光膜180が形成される。前記下部配光膜180は一定方向にラビングされ、これによって、前記表示基板100と対向基板との間に配置された液晶分子は、プレチルトを有して一定方向に配列される。本実施形態において、前記下部配光膜180のラビング方向は前記表示基板100の行方向D1に平行である。
図2及び図4を参照すると、前記開口部OPは列方向D2に突出した第1突出部PP1及び前記第1突出部PP1と反対方向に突出した第2突出部PP2を含む。前記第1突出部PP1と前記第2突出部PP2は、それぞれ対応するデータラインDLと重なる。
具体的に、第1画素領域PX1内の第1開口部OP1は、第1方向に延伸する第1延長部OP11、前記第1延長部OP11の一端から第2方向に延伸する第2延長部OP12、及び前記第1延長部OP11の他端部から第3方向に延伸する第3延長部OP13を含む。前記第1延長部OP11、第2延長部OP12、及び第3延長部OP13は、互いに連続的に接続される。
本実施形態において、前記第1方向と前記第2方向は互いに異なり、前記第2方向と前記第3方向は互いに平行である。従って、前記第2方向は、前記第3方向と反対である。前記第1方向は、前記ゲートラインGL及び前記データラインDLと平行しないように、前記行方向D1に対して傾いている。
本実施形態において、前記第1延長部OP11は、前記画素電極PEと完全に重なり、前記第2延長部OP12及び前記第3延長部OP13は、前記画素電極PEと部分的に重なる。
本実施形態において、前記第1画素領域PX1は、互いに列方向D2に離隔した複数の第1開口部OP1を含む。
前記第1開口部OP1は、前記第1画素領域PX1と行方向D1に隣接する第2画素領域PX2の第2開口部OP2と接続される。前記第2開口部OP2は、前記データラインDLを基準として、前記第1開口部OP1と対称な形状を有する。
具体的に、前記第2開口部OP2は第4方向に延伸する第1延長部OP21、前記第1延長部OP21の一端から第5方向に延伸する第2延長部OP22、及び前記第1延長部OP21の他端部から第6方向に延伸する第3延長部OP23を含む。従って、前記第1延長部OP21、第2延長部OP22、及び第3延長部OP23は互いに連続的に接続される。前記第2開口部OP2の第2延長部OP22は前記第1開口部OP1の第3延長部OP13と接続されて前記突出部PPを形成する。
本実施形態において、前記第4方向と前記第5方向は互いに異なり、前記第5方向と前記第6方向は互いに平行である。前記第4方向は、前記ゲートラインGL及び前記データラインDLと平行しないように、前記行方向D1に対して傾いている。
前記第1画素領域PX1と列方向D2に隣接する第3画素領域PX3の第3開口部OP3は、前記ゲートラインGLを基準として、前記第1開口部OP1と対称な形状を有する。従って、前記第3開口部OP3は前記第2開口部OP2と同じ形状を有する。具体的に、第3開口部OP3は互いに連続的に接続される第1延長部OP31、第2延長部OP32、及び第3延長部OP33を含む。
前記第2画素領域PX2と列方向D2に隣接し、前記第3画素領域PX3と行方向D1に隣接する、第4画素領域PX4の第4開口部OP4は前記ゲートラインGLを基準として、前記第2開口部OP2と対称な形状を有する。また、前記第4開口部OP4は、前記データラインDLを基準として、前記第3開口部OP3と対称な形状を有する。
従って、前記第4開口部OP4は前記第1開口部OP1と同じ形状を有する。具体的に、第4開口部OP4は互いに連続的に接続される第1延長部OP41、第2延長部OP42及び第3延長部OP43を含む。
従って、本実施形態において、前記共通電極CEは、2つの列と2つの行に位置する4つの画素領域に該当する反復ユニットを有してもよい。前記第1〜前記第4画素領域PX1、PX2、PX3、PX4に対応する第1画素部、第2画素部、第3画素部及び第4画素部はそれぞれ他の薄膜トランジスタに接続し独立的に駆動される。
図5は図1に示した表示基板のA領域を示した拡大平面図である。図6は図5のII−II’に沿って切断した断面図である。
図5及び6を参照すると、前記共通電極CEは、前記表示領域DA及び前記周辺領域PAと重なるように配置される。前記共通電極CEは共通ラインCLと電気的に接続される。
前記共通ラインCLは、前記周辺領域PAに配置され、前記ゲートラインGLと同一層から形成されてもよい。例えば、前記共通ラインCLは、前記第1絶縁層120及び前記第2絶縁層130上に形成される。
前記共通電極CEは、前記周辺領域PAに配置される接続部CNPを含む。前記接続部CNPは、前記第3絶縁層140、前記第4絶縁層150、前記第5絶縁層160及び前記第6絶縁層170を貫通して形成されたコンタクトホールを介して、前記共通ラインCLに接触してもよい。従って、前記共通ラインCLから共通電圧が前記共通電極CEに印加されてもよい。
前記接続部CNPは、列方向D2に連続的に延伸する。従って、前記共通電極CEが前記表示領域DA内で前記開口部OPによって複数の電極部に分離されても、前記共通電極CE全体に前記共通電圧が印加されることができる。
図7〜図15は、本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。
図7を参照すると、ベース基板110上に、遮光パターンBP、第1絶縁層120、多結晶シリコンパターンPSP、及び第2絶縁層130を形成する。
前記ベース基板110は透明な基板であってもよく、例えば、ガラス基板、ソーダライム基板、プラスチック基板などが使われてもよい。
前記ベース基板110上に光を反射または吸収できる物質を含む遮光層を形成した後、フォトリソグラフィ工程などを利用して、前記遮光層をパターニングすることによって、前記遮光パターンBPを形成する。次に、前記第1遮光パターンBPをカバーする前記第1絶縁層120を形成する。
次に、前記第1絶縁層120上にアモルファスシリコン層を形成する。前記アモルファスシリコン層を脱水素化し、レーザーなどを利用して結晶化した後、フォトリソグラフィ工程などを利用して、前記決定化されたシリコン層をパターニングして、前記多結晶シリコンパターンPSPを形成する。前記多結晶シリコンパターンPSPの少なくとも一部は、前記遮光パターンBPと重なる。次に、前記多結晶シリコンパターンPSPをカバーする、前記第2絶縁層130を形成する。
図8を参照すると、前記第2絶縁層130上にゲート金属層を形成し、前記ゲート金属層をパターニングしてゲートラインGL及びゲート電極GEを形成する。前記ゲート電極GEは、前記多結晶シリコンパターンPSPと重なる。
次に、前記ゲート電極GEをカバーするフォトレジストパターンPRを形成する。前記フォトレジストパターンPRは、平面図上で、前記ゲート電極GEより大幅を有する。従って、前記フォトレジストパターンPRは、前記ゲート電極GEの側面をカバーする。
図9を参照すると、前記フォトレジストパターンPRをマスクとして利用し、多結晶シリコンパターンPSPの一部に高濃度でイオンを注入してIP、ソース部SP及びドレイン部DPを形成する。前記フォトレジストパターンPRと重なる、前記多結晶シリコンパターンPSPの部分はイオンが注入されない。
図10を参照すると、前記フォトレジストパターンPRを除去し、前記ゲート電極GEをマスクとして利用して、前記多結晶シリコンパターンPSPの一部に低濃度でイオンを注入して(IP)、低濃度ドーピング部LDを形成する。前記ゲート電極GEと重なる、前記多結晶シリコンパターンPSPの部分は、イオンが注入されなく、チャネル部CPを形成する。前記低濃度ドーピング部LDは、前記ソース部SPと前記チャネル部CPとの間、そして、前記ドレイン部DPと前記チャネル部CPとの間に形成される。
他の実施形態において、前記ゲート電極GEを形成した後、前記ゲート電極GEをマスクとして利用して、前記多結晶シリコンパターンPSPの一部に低濃度でイオンを注入した後、フォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをマスクとして利用して低濃度ドーピングされた領域の一部に高濃度でイオンを注入して、前記ドレイン部DPと前記チャネル部CPを形成することもできる。
また他の実施形態において、前記低濃度ドーピング部LDを形成するための工程は省略されてもよい。
図11を参照すると、前記第2絶縁層130上に、前記ゲート電極GE及び前記ゲートラインGLをカバーする第3絶縁層140を形成する。次に、前記第3絶縁層140及び前記第2絶縁層130をパターニングして、前記ソース部SPを露出する第1コンタクトホールCH1及び前記ドレイン部DPを露出する第2コンタクトホールCH2を形成する。
図12を参照すると、前記第3絶縁層140上にデータ金属層を形成し、前記データ金属層をパターニングして、前記第1コンタクトホールCH1を介して前記ソース部SPと接触するソース電極SE、前記第2コンタクトホールCH2を介して前記ドレイン部DPと接触するドレーン電極DE、及びデータラインを形成する。
図13を参照すると、前記第3絶縁層140上に前記ソース電極SE、前記ドレーン電極DE、及び前記データラインをカバーする第4絶縁層150を形成し、前記第4絶縁層150上に第5絶縁層160を形成する。
次に、前記第5絶縁層160及び前記第4絶縁層150をパターニングして、前記ドレーン電極DEを露出する第3コンタクトホールCH3を形成する。
図14を参照すると、前記第5絶縁層160上に、画素電極層を形成し、前記画素電極層をパターニングして、画素電極PEを形成する。前記画素電極層は、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物などのような透明な導電性物質を含んでもよい。
次に、前記第5絶縁層160上に、前記画素電極PEをカバーする第6絶縁層170を形成する。
図15を参照すると、前記第6絶縁層170上に共通電極層を形成して、前記共通電極層をパターニングして、開口部OPを有する共通電極CEを形成する。前記共通電極層はインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物などのような透明な導電性物質を含んでもよい。前記開口部OPは前記画素電極PEと重なる。
次に、前記共通電極CEをカバーする下部配光膜180を形成する。例えば、ポリイミド樹脂を含む配向材組成物を前記共通電極CE上に塗布して配光膜を形成した後、ラビング布などを利用して、前記配光膜を一定方向にラビングして前記下部配光膜180を形成する。
本実施形態において、薄膜トランジスタは、多結晶シリコンチャネル部を含むか、または、非晶質シリコンを含む薄膜トランジスタ、酸化物半導体を含む薄膜トランジスタも本発明の表示基板に使われてもよい。
また、他の実施形態において、前記共通電極CEは前記画素電極PE下に形成されてもよい。
図16は本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルを図示した断面図である。図17は前記液晶表示パネルの共通電極及び前記共通電極上に配向された液晶分子を示した平面図である。
図16を参照すると、液晶表示パネルは表示基板100、対向基板200、及び前記表示基板100と前記対向基板200との間に介在された液晶層250を含む。前記表示基板100と前記対向基板200は、シーリング部材などによって結合する。
前記表示基板100は、図2に示した表示基板と実質的に同一であるので、具体的な説明は省略する。
前記対向基板200は、ベース基板210、前記ベース基板210の一面に形成されたブラックマトリックスBM、前記ベース基板210の一面に形成された、カラーフィルタCF、前記ブラックマトリックスBM、及び前記カラーフィルタCFをカバーする平坦化層220及び前記平坦化層220をカバーし、前記液晶層250に接触する上部配光膜230を含む。
前記上部配光膜230は、一定方向にラビングされる。例えば、前記上部配光膜230のラビング方向は前記下部配光膜180のラビング方向と平行してもよく、望ましく、前記下部配光膜180のラビング方向と反対であってもよい。
前記表示基板100と対向基板200との間に配置された液晶層250の液晶分子は、プレチルトを有して一定方向に配列される。
図17は本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルで液晶分子の動きを説明するための平面図である。
図17を参照すると、共通電極は、それぞれが異なる画素電極と重なる第1開口部OP1、第2開口部OP2、第3開口部OP3及び第4開口部OP4を含む。
前記画素電極に画素電圧が印加されると、前記画素電極と前記共通電極によって形成された電場によって液晶分子LCが配列される。例えば、前記液晶分子LCは、長軸が前記共通電極の開口部の延伸方向に直交する方向と平行となるように配列される。
従って、第1画素領域PX1の液晶分子LCは、第1開口部OP1の延伸方向と直交する方向に配列され、前記第1画素領域PX1と行方向D1に隣接した第2画素領域PX2の液晶分子LCは、第2開口部OP2の延伸方向と直交する方向に配列され、前記第1画素領域PX1と列方向D2に隣接した第3画素領域PX3の液晶分子LCは、第3開口部OP3の延伸方向と直交する方向に配列され、前記第3画素領域PX3と行方向D1に隣接し、前記第2画素領域PX2と列方向D2に隣接した第4画素領域PX4の液晶分子LCは第2開口部OP4の延伸方向と直交する方向に配列される。
本実施形態において、前記第1開口部OP1は前記第4開口部OP4と同じ形状を有し、前記第2開口部OP2は前記第1開口部OP1とデータラインを基準として対称な形状を有し、前記第3開口部OP3と同じ形状を有する。従って、各画素電圧に同じ電圧が印加される時、前記第1画素領域PX1の液晶分子LCは、第4画素領域PX4の液晶分子LCと同じ方向に配列され、前記第2画素領域PX2の液晶分子LCは第1画素領域PX1の液晶分子LCと他の方向に配列されて、前記第3画素領域PX3の液晶分子LCは第2画素領域PX2の液晶分子LCと同じ方向に配列されてもよい。
以上、説明した本発明の実施形態によると、表示領域内で液晶分子が、それぞれ異なる方向に配列される複数のドメインを形成することによって、視野によって色感が変化することを防止することができる。
また、前記複数のドメインを1つの画素領域内に形成するのではなく、各画素領域での液晶配列を違うようにすることによって、1つの画素領域に形成される複数のドメインの境界で輝度が減少することを防止することができる。
また、共通電極の開口部が行方向と列方向に対称される形状を有することによって、横線不良を改善することができる。
また、表示領域内で連続的に延伸する共通電極を形成することによって、画素領域間の境界で、輝度が低下したり、または、コントラストが低下したりすることを防止することができる。また、表示領域内に共通ラインを形成する必要がないので、実質的に開口率を向上させることができる。
図18は本発明の他の実施形態に係る表示基板を示した平面図である。図19は図18に示した表示基板の共通電極を示した平面図である。
図18を参照すると、表示基板はゲートラインGL、データラインDL、ゲート電極GE、ソース電極SE、ドレーン電極DE、アクティブパターンAP、画素電極PE、及び共通電極CEを含む。前記共通電極CEは前記画素電極PEと重なる開口部OPを含む。
前記表示基板は、共通電極CEの開口部OPの形状を除いては、既に説明した図2に示した表示基板100と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
図18及び図19を参照すると、第1画素領域PX1内の第1開口部OP1は、前記第1画素領域PX1と行方向D1に隣接する第2画素領域PX2の第2開口部OP2と分離して離隔される。従って、前記共通電極CEは列方向D2に連続的に延伸する。例えば、前記共通電極CEは前記データラインDLと全部が重なることができる。本実施形態において、前記第1開口部OP1及び前記第2開口部OP2は平面図上で、前記データラインDLと離隔される。
具体的に、前記第1画素領域PX1内の第1開口部OP1は、第1方向に延伸する第1延長部OP11、前記第1延長部OP11の一端から第2方向に延伸する第2延長部OP12、及び前記第1延長部OP11の他端部から第3方向に延伸する第3延長部OP13を含む。前記第1延長部OP11、第2延長部OP12、及び第3延長部OP13は互いに連続的に接続される。
本実施形態において、前記第1方向と前記第2方向は互いに異なり、前記第2方向と前記第3方向は互いに平行である。従って、前記第2方向は前記第3方向と反対である。前記第1方向は前記ゲートラインGL及び前記データラインDLと平行しないように、前記行方向D1に対して傾いている。
本実施形態において、前記第2延長部OP12は前記画素電極PEと完全に重なり、前記第2延長部OP12及び前記第3延長部OP13は、前記画素電極PEと部分的に重なる。
本実施形態において、前記第1画素領域PX1は互いに列方向D2に離隔した複数の第1開口部OP1を含む。
前記第2開口部OP2は、前記データラインDLを基準として、前記第1開口部OP1と対称な形状を有する。
具体的に、前記第2開口部OP2は第4方向に延伸する第1延長部OP21、前記第1延長部OP21の一端から第5方向に延伸する第2延長部OP22、及び前記第1延長部OP21の他端部から第6方向に延伸する第3延長部OP23を含む。従って、前記第1延長部OP21、第2延長部OP22、及び第3延長部OP23は互いに連続的に接続される。
本実施形態において、前記第4方向と前記第5方向は互いに異なり、前記第5方向と前記第6方向は互いに平行である。前記第4方向は前記ゲートラインGL及び前記データラインDLと平行しないように、前記行方向D1に対して傾いている。
前記第1画素領域PX1と列方向D2に隣接する第3画素領域PX3の第3開口部OP3は、前記ゲートラインGLを基準として、前記第1開口部OP1と対称な形状を有する。従って、前記第3開口部OP3は、前記第2開口部OP2と同じ形状を有する。具体的に、第3開口部OP3は互いに連続的に接続される第1延長部OP31、第2延長部OP32、及び第3延長部OP33を含む。
前記第2画素領域PX2と列方向D2に隣接し、前記第3画素領域PX3と行方向D1に隣接する、第4画素領域PX4の第4開口部OP4は、前記ゲートラインGLを基準として、前記第2開口部OP2と対称な形状を有する。また、前記第4開口部OP4は、前記データラインDLを基準として、前記第3開口部OP3と対称な形状を有する。
従って、前記第4開口部OP4は前記第1開口部OP1と同じ形状を有する。具体的に、第4開口部OP4は互いに連続的に接続される第1延長部OP41、第2延長部OP42、及び第3延長部OP43を含む。
従って、本実施形態において、前記共通電極CEは2つの列と2つの行に位置する4つの画素領域に該当する反復ユニットを有してもよい。前記第1〜前記第4画素領域PX1、PX2、PX3、PX4に対応する画素電極はそれぞれ他の薄膜トランジスタに接続されて独立的に駆動される。
図20は本発明のまた他の実施形態に係る表示基板を示した平面図である。
図20を参照すると、ゲートラインGL、データラインDL、ゲート電極GE、ソース電極SE、ドレーン電極DE、アクティブパターンAP、画素電極PE、及び共通電極CEを含む。前記共通電極CEは前記画素電極PEと重なる開口部OPを含む。
前記表示基板は、共通電極CEの開口部OPの形状を除いては、既に説明した図18に示した表示基板と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
図20を参照すると、前記共通電極CEは行方向D1に互いに離隔した複数の開口部OPを有する。前記開口部OPは前記データラインDLと部分的に重なる。従って、前記共通電極CEは前記データラインDLの一部と重なる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明の例示的な実施形態に係る表示基板、液晶表示パネル、及び表示基板の製造方法は、モニタ、テレビ、モバイルフォンのスクリーンなどのような表示装置に適用できる。
100 表示基板
110 ベース基板
120、130、140、150、160、170
第1絶縁層、第2絶縁層、第3絶縁層、第4絶縁層、第5絶縁層、第6絶縁層
BP 遮光パターン
AP アクティブパターン
GE ゲート電極
GL ゲートライン
SE ソース電極
DE ドレーン電極
DL データライン
PE 画素電極
CE 共通電極
CL 共通ライン
OP 開口部
200 対向基板

Claims (35)

  1. 複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含み、
    各画素部を駆動するための薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートラインと、
    前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータラインと、
    前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、
    前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極と、を含み、
    前記共通電極は、第1画素部と重なる第1開口部及び前記第1画素部と隣接する第2画素部と重なる第2開口部を含み、前記第1開口部と第2開口部の延伸方向は互いに異なり、前記共通電極は前記第1画素部及び前記第2画素部と連続的に重なる表示基板。
  2. 前記第1開口部と前記第2開口部は、互いに接続されることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
  3. 前記第1画素部と前記第2画素部は、行方向に隣接することを特徴とする請求項2に記載の表示基板。
  4. 前記第1開口部と前記第2開口部は、前記データラインを基準として互いに対称な形状を有することを特徴とする請求項3に記載の表示基板。
  5. 前記共通電極は、
    前記第1画素部と列方向に隣接する第3画素部と重なる第3開口部と、
    前記第2画素部と列方向で隣接し、前記第3画素部と行方向に隣接する第4開口部をさらに含み、
    前記第3開口部は、前記第1開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有し、前記第4開口部は、前記第2開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有することを特徴とする請求項4に記載の表示基板。
  6. 前記第1開口部は、
    第1方向に延伸する第1延長部と、
    前記第1延長部の一端から前記第1方向と異なる第2方向に延伸する第2延長部と、
    前記第2延長部の他端部から前記第1方向と異なる第3方向に延伸する第3延長部と、を含むことを特徴とする請求項5に記載の表示基板。
  7. 前記第2延長部と前記第3延長部は、互いに反対方向に延伸することを特徴とする請求項6に記載の表示基板。
  8. 前記第2延長部と前記第3延長部は、前記画素電極と部分的に重なることを特徴とする請求項6に記載の表示基板。
  9. 前記第1画素部と前記第2画素部は行方向に隣接し、前記第1開口部と前記第2開口部は互いに離隔することを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
  10. 前記第1開口部は、第1方向に延伸する第1延長部と、
    前記第1延長部の一端から前記第1方向と異なる第2方向に延伸する第2延長部と、
    前記第2延長部の他端部から前記第1方向と異なる第3方向に延伸する第3延長部と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の表示基板。
  11. 前記第2延長部及び前記第3延長部は、隣接するデータラインと重なることを特徴とする請求項10に記載の表示基板。
  12. 前記第2延長部及び前記第3延長部は、平面図上で隣接するデータラインと離隔することを特徴とする請求項10に記載の表示基板。
  13. 前記周辺領域に配置された共通ラインをさらに含み、前記共通電極は前記周辺領域で前記共通ラインと電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
  14. 前記共通電極は前記画素電極上に配置されることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
  15. 前記共通電極上に配置され、行方向にラビングされた下部配光膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
  16. 複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含み、
    各画素部を駆動するための薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートラインと、
    前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータラインと、
    前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、
    前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極と、を含み、
    前記共通電極は、第1画素部及び前記第1画素部と行方向に隣接する第2画素部と重なる開口部を含み、前記開口部はジグザグ状で延伸する表示基板。
  17. 前記開口部は、列方向に突出してV字状を有する突出部を含むことを特徴とする請求項16に記載の表示基板。
  18. 前記突出部は前記データラインと重なることを特徴とする請求項16に記載の表示基板。
  19. 前記共通電極は、前記第1画素部と列方向に隣接する第3画素部及び前記第3画素部と行方向に隣接し、前記第2画素部と列方向に隣接する第4画素部と重なる開口部をさらに含み、前記第1画素部及び前記第2画素部と重なる開口部は、前記ゲートラインを基準として、前記第3画素部及び前記第4画素部と重なる開口部と対称形状を有することを特徴とする請求項16に記載の表示基板。
  20. 複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む表示基板と、
    前記表示基板と結合する対向基板と、
    前記表示基板と前記対向基板との間に介在される液晶層と、を含み、
    前記表示基板は、
    各画素部を駆動するための薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートラインと、
    前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータラインと、
    前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、
    前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極と、を含み、
    前記共通電極は、第1画素部と重なる第1開口部、及び、前記第1画素部と隣接する第2画素部と重なる第2開口部を含み、前記第1開口部と第2開口部の延伸方向は互いに異なり、前記共通電極は前記第1画素部及び前記第2画素連続的に重なる液晶表示パネル。
  21. 前記第1開口部と前記第2開口部は互いに接続され、前記第1画素部と前記第2画素部は行方向に隣接することを特徴とする請求項20に記載の液晶表示パネル。
  22. 前記第1開口部と前記第2開口部は、前記データラインを基準として互いに対称な形状を有することを特徴とする請求項21に記載の液晶表示パネル。
  23. 前記共通電極は、前記第1画素部と列方向に隣接する第3画素部と重畳する第3開口部と、
    前記第2画素部と列方向で隣接して、前記第3画素部と行方向に隣接する第4開口部と、をさらに含み、
    前記第3開口部は、前記第1開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有し、前記第4開口部は前記第2開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有することを特徴とする請求項22に記載の液晶表示パネル。
  24. 前記第1開口部は、第1方向に延伸する第1延長部と、
    前記第1延長部の一端から前記第1方向と異なる第2方向に延伸する第2延長部と、
    前記第2延長部の他端部から前記第1方向と異なる第3方向に延伸する第3延長部と、を含むことを特徴とする請求項23に記載の液晶表示パネル。
  25. 前記第2延長部と前記第3延長部は、互いに反対方向に延伸することを特徴とする請求項24に記載の液晶表示パネル。
  26. 前記第2延長部と前記第3延長部は、前記画素電極と部分的に重なることを特徴とする請求項24に記載の液晶表示パネル。
  27. 前記第1画素部と前記第2画素部は、行方向に隣接し、前記第1開口部と前記第2開口部は、互いに離隔することを特徴とする請求項20に記載の液晶表示パネル。
  28. 前記第1開口部は、第1方向に延伸する第1延長部と、
    前記第1延長部の一端から前記第1方向と異なる第2方向に延伸する第2延長部と、
    前記第2延長部の他端部から前記第1方向と異なる第3方向に延伸する第3延長部と、を含むことを特徴とする請求項27に記載の液晶表示パネル。
  29. 前記第2延長部及び前記第3延長部は、隣接するデータラインと重なることを特徴とする請求項28に記載の液晶表示パネル。
  30. 前記第2延長部及び前記第3延長部は、平面図上で隣接するデータラインと離隔することを特徴とする請求項28に記載の液晶表示パネル。
  31. 前記表示基板は前記周辺領域に配置された共通ラインをさらに含み、前記共通電極は前記周辺領域で前記共通ラインと電気的に接続することを特徴とする請求項20に記載の液晶表示パネル。
  32. 前記表示基板は、前記共通電極上に配置されて行方向にラビングされた下部配光膜をさらに含み、前記対向基板は、行方向にラビングされた上部配光膜を含むことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示パネル。
  33. 複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む表示基板と、
    前記表示基板と結合する対向基板と、
    前記表示基板と前記対向基板との間に介在される液晶層と、を含み、
    前記表示基板は、
    各画素部を駆動するための薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートラインと、
    前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータラインと、
    前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、
    前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極と、を含み、
    前記共通電極は、第1画素部及び前記第1画素部と行方向に隣接する第2画素部と重なる開口部を含み、前記開口部はジグザグ状で延伸する液晶表示パネル。
  34. 前記開口部は、列方向に突出し、V字状を有する突出部を含むことを特徴とする請求項33に記載の液晶表示パネル。
  35. 前記突出部は、前記データラインと重なることを特徴とする請求項34に記載の液晶表示パネル。
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