JP2014075610A - マイクロリソグラフィのための投影対物系、投影露光装置、投影露光方法、及び光学補正プレート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光学補正プレートは作動放射線に対して透過的な材料から作られた本体を有し、本体は、第1の光学面、第2の光学面、第1及び第2の光学面に対して実質的に垂直なプレート法線、厚みプロフィールを有する。第1,第2の光学面は、第1の光学面が、第1の山から谷までの値PV1>λを有する非回転対称非球面の第1の面プロフィールを有し、第2の光学面が、第2の山から谷までの値PV2>λを有する非回転対称非球面の第2の面プロフィールを有し、プレート厚が、光学補正プレートにわたって0.1*(PV1+PV2Vよりも小さく変化する点で類似である。
【選択図】図4A
Description
マイクロリソグラフィ投影露光システムの1つの種類では、そのような露光区域は、レチクルのパターン全体を露光区域上に一度に露光することによって照射される。そのような装置は、一般的に、ウェーハステッパと呼ばれる。
起こり得るレチクルのサギングの更に別の原因は、レチクルに対するその装着技術の直接的な影響である。この場合、一般的に、ベアリング及び/又はクランプが原因になり、レチクルに対して作用する力及びモーメントが発生する。同様に、これらの力及びモーメントは、先験的に完全には把握されず、レチクル毎に異なる可能性があるが、レチクルの種類に関して同一である可能性もある。
従って、いかなる瞳誤差も伴わないシステム空間特定のレチクルサギング態様によって誘発されるこれらの変位を調節し、かつレチクル変更のイベント時にこれらの空間変位が順に変化し、これが装着力及び装着モーメントを変化させる場合があるので、この調節可能性を可変的にすることが望ましい。
従って、レチクル変更のイベント時には、投影露光機械の作動は、レチクルのサギングとは独立に補正/調節することが必要なほぼ純粋な瞳誤差を付帯的にもたらす場合がある。
本発明の別の目的は、上述の空間変位を単一の補正可能性を利用して投影対物系の瞳誤差を変化させることなく調節するか又は補正可能に保つマイクロリソグラフィのための投影対物系を提供することである。
本発明の別の目的は、レチクル変更のイベント時に、変化する空間変位をそれに必然的に依存する方法で瞳誤差を変化させることなく補正及び/又は調節し、同時に空間変位とは独立に瞳誤差を補正/調節することができることを用いて補正の可能性をもたらすマイクロリソグラフィのための投影露光機械を作動させる方法を提供することである。
本発明の別の目的は、コマ収差プロフィールのような高次の収差項を実質的に導入することなく歪曲特性を補正することができることを用いて、マイクロリソグラフィのための投影対物系に対する交換可能要素を提供することである。
マイクロリソグラフィのための投影対物系に、レチクルの結像に伴って発生する画像誤差(すなわち、収差)を補償することを目的とした補償機構を装備することは公知である。
操作及び調節におけるこれら全ての選択肢に対して、これらの選択肢が投影対物系の瞳誤差に影響を与えるという、特定の問題を解決するのに望ましくない可能性があることは共通のことである。
WO2003/092256A2は、視野の周りに位置決めされ、角度感応フィルタリング効果を有する光学要素を示している。この文献に示す目的に対応する方法では、この効果は、事実上専ら瞳誤差に対する影響である。
本明細書に用いる「プレート」という用語は、一般的に、比較的平坦な全体形状を有する光学要素であり、プレートの直径よりも有意に小さい厚みを有し、プレートの入射面及び出射面をそれぞれ形成する2つの光学面が巨視的なスケールで互いに対して実質的に平行に延びる光学要素を指す。平行平面プレートでは、プレート法線は、プレートにわたる位置とは独立した向きを有する。
例えば、波長λが紫外又は深紫外スペクトル範囲にある用途では、PV1及び/又はPV2は、絶対値で100nmよりも大きく、500nmよりも大きく、1マイクロメートルよりも大きく、2マイクロメートルよりも大きく、又は3マイクロメートルよりも大きいものとすることができる。
光学補正プレートの有用断面にわたるプレート厚の変化は、平均の山から谷までの値の10%よりも小さいとすることができ、例えば、0.05*((PV1+PV2)/2)よりも小さいとすることができる。
一部の実施形態では、不均一厚みプロフィールは、2に等しいか又はそれよりも大きいnが整数である場合に、プレート法線に対して平行な対称軸に関して実質的にn重の放射相称性を有する。
一部の実施形態では、光学補正プレートによって誘発(又は補正)することができる優勢な視野収差は、視野可変歪曲である。この実施形態では、歪曲の量及び/又は向きは、例えば、レチクルパターン又はこのパターンの一部分を配置することができる有効物体視野である考察中のそれぞれの視野に実質的にわたって変化する。
この補正プレートは、投影対物系の視野面から光学的に遠隔に配置することができ、これは、本発明による補正プレートを物体面の直近に密接して配置するか、又は像面の直近に密接して配置するか、又は少なくとも1つの中間像を有する投影対物系の場合には中間像又はそれに光学的に密接して配置することが必要とされないことを意味する。
SAR=(signCRH)・(MRH/(|MRH|+|CRH|))
この定義では、パラメータMRHは、結像過程の近軸周辺光線高さを表し、パラメータCRHは、結像過程の近軸主光線高さを表し、符号関数sign(x)は、xの符号を表し、この場合、sign(0)=1であると合意することができる。この用途の目的では、「主光線」(プリンシパル・レイとしても公知である)という用語は、実質的に使用する物体視野の最外側視野点(光軸から最も離れた)から入射瞳の中心へと延びる光線を表している。回転対称系では、主光線は、子午平面内の同等の視野点から選択することができる。物体側で基本的にテレセントリックな投影対物系では、主光線は、光軸に対して平行に又は極めて小さい角度で物体面から出射する。結像過程は、周辺光線の軌道によって更に特徴付けられる。本明細書に用いる「周辺光線」は、軸上物体視野点(光軸上の視野点)から開口絞りの縁部へと延びる光線である。周辺光線は、軸外有効物体視野が用いられる場合は、口径食の理由から像形成には寄与しないものとすることができる。本明細書では、主光線及び周辺光線の両方を近軸近似において用いる。所定の軸上位置におけるそのような選択された光線と光軸の間の半径方向距離をそれぞれ「主光線高さ」(CRH)及び「周辺光線高さ」(MRH)で表している。
近軸周辺光線及び近軸主光線の定義は、例えば、Michael J.Kidger著「基礎光学設計」、「SPIE PRESS」、米国ワシントン州ベリンガム(第2章)から得ることができ、この文献は、本明細書に引用によって組み込まれている。
従って、近視野平面(すなわち、視野平面に光学的に近い平面)は、0に近い近軸部分口径比を有し、それに対して近瞳平面(すなわち、瞳平面に光学的に近い平面)は、1に近い絶対値を有する近軸部分口径比を有する。視野面から光学的に遠隔の面は、実質的に0よりも大きい近軸部分口径比の絶対量、|SAR|≧0.5又は|SAR|≧0.8によって特徴付けることができる。
一部の実施形態では、補正プレートは、投影対物系の瞳面又はその近くに位置決めすることができる。例えば、投影対物系の瞳の付近の近軸部分口径比SARの絶対値が範囲0.8≦|SAR|≦1内にある領域内に瞳空間を定めることができ、光学補正プレートは、瞳空間に配置される。
光学補正プレートは、瞳面から外れたある一定の距離のところに配置することができる。一部の実施形態では、補正プレートは、近軸部分口径比SARの絶対値が、補正プレートの第1の光学面と第2の光学面との間で大きく異なるように、発散ビーム又は収束ビームの領域に配置することができる。
投影対物系に属する光学要素であるレンズ、ミラー、又は回折要素に対する重力の影響とは対照的に、レチクルのサギングは、単に非常に僅かな瞳誤差と、瞳の歪曲項の圧倒的な変化とを誘発する。これらの技術的な問題に対処するために、本出願の場合は以下のことを理解すべきである。
以下は、一例として回転対称投影対物系を利用して例示/定義したものである。しかし、これは、決して本出願が回転対称投影対物系に限定されることを意味しない。
回転対称投影対物系の瞳Pのいずれかの望ましくかつ恒久的に選択された点pに対しては、Qからの視野点qは、変化することが許される。ここでQも同様に単位円へと正規化された場合には、Qからのqのこの変化も同様に正規化されたゼルニケ多項式に展開することができる。この場合、Pからのqは、望ましくかつ恒久的なパラメータである。
例えば、n=36,49,又は100,並びにm=36,49,又は100の係数を有するゼルニケ展開式を決めることができる。
本出願の関連では、瞳誤差wPは、視野独立であり、すなわち、以下のように上述の展開式の視野一定の成分であると理解されるように意図している。
そのような変更は、例えば、光学要素の再配置、変形、及び非球面化とすることができる。特に、非球面化は、投影対物系に属する光学要素のうちの1つの光学有効面の変更と捉えることができる。しかし、そのような要素が交換に向けて準備される場合には、その誘発される効果は、欠損要素からの差として理解されるのではなく、投影対物系の設計に応じて正当に規定された要素からの差として理解される。例えば、交換可能な非球面化された平面プレートは、そのような平面プレートを全く持たない投影対物系ではなく、非球面化されていない平面プレートが設けられた投影対物系と比較した光学効果を誘発する。
従って、投影対物系の瞳平面に位置するミラーの方位角方向の2つの波形の歪曲の場合には、優勢な又は更に強いか又は完全に優勢な係数の組[α50,α60]が存在し、又は他の言い方をすると、優勢な又は更に強いか又は完全に優勢な視野独立非点収差が存在する。方位角方向に2つの波形に変形されたこのミラーが、投影対物系の視野又は像視野のより近くに位置する場合には、係数は、以下のように更に別の係数αijに関連し、[α50,α60]は、優勢ではなくなる。
しかし、ミラーの変形は、加数IIIからの益々高次の項を誘発し、瞳誤差(加数I)からは決して免れられないことになるので、例えば、如何に変形可能なミラーを投影対物系内に置いたとしても、更には如何にそれが変形されたとしても、加数IIからの係数は決して優勢にはならない。
従って、加数IIからの優勢な効果を誘発する光学要素を含み、及び/又はこの操作の可能性をもたらすマイクロリソグラフィのための投影対物系を提供するという問題が生じる。
問題の更に別の構成においては、この光学要素が、優勢な視野誤差から独立に純粋な瞳誤差を補正及び/又は調節することができること、すなわち、加数IIの優勢な効果、又は加数IIと加数IIIの和の優勢な効果を誘発し、この効果から独立に加数Iの優占効果を誘発することを意図している。
優勢な視野誤差は、好ましくは、視野可変歪曲である。
好ましくは、優占度は強いか又は更に完全である。
本発明の一実施形態では、この光学要素は、両側が非球面化され、類似の非球面を有する平面プレートであり、光学活性面(すなわち、光学面)は、平面プレートの前側又は後側である。
第1及び第2の光学面は、少なくとも0.3マイクロメートル、少なくとも1.0マイクロメートル、又は更に少なくとも3.0マイクロメートル、又はそれよりも大きい山から谷までの(PV)値を有することが好ましい。
更に別の実施形態では、マイクロリソグラフィのための投影対物系は、第1又は第2の面上で第1の放射線束の場所が第2の放射線束の場所と異なり、これら2つの放射線束がこの面上で発散することで区別される。
本発明の更に別の実施形態では、マイクロリソグラフィのための投影対物系は、第1又は第2の面上で第1の放射線束の角度が第2の放射線束のものと異なることで区別される。
更に別の実施形態では、第1の光学面上の近軸部分口径比は、第2の光学面上のものとは異なる。
本発明のこれらの実施形態は、組み合わせることができる。
本発明の別の態様により、上述のように規定された投影対物系のうちの1つを含むマイクロリソグラフィのための投影露光装置又は機械を提供する。
本発明の別の態様により、そのような投影対物系及び/又は光学補正プレートを利用して、マイクロリソグラフィのための投影露光機械を作動させる方法が規定される。そのような方法は、半導体素子及び他の種類のマイクロデバイスを製作するのに利用することができる。
以上及び他の性質は、特許請求の範囲だけではなく本明細書及び図面においても見ることができ、個々の特性は、本発明の実施形態及び他の範囲内で単独又は部分組合せのいずれにおいても用いることができ、有利で特許取得可能な実施形態を個々に表すことができる。
例えば、レチクルの変形が上述のようにフレーム上で支持されるもの及びそれによって誘発される放物サギングが優勢であった場合には、空間依存の空間変位は、回転対称ベクトル場に対応する。そのようなサギングの光学効果は純粋なスケール誤差である。
走査方向がy方向に対して平行に整列した走査作動では、そのような歪曲パターンは、走査によって積算される歪曲を生じ、走査方向(y方向)の変位は、一般的に、ある一定の程度まで互いに補償し合うことになるが、y方向に不明瞭化する場合がある。それとは対照的に、この走査処理は、x方向の分散を補償することができない。
図3Cは、図3Aに示すアナモフィック歪曲が、図3Bによる純粋なZ操作(倍率変更)によって補正された場合に得られる歪曲分散を示している。この結果は、走査方向(y方向)における二倍のスケール誤差(倍率誤差)として表すことができる。従来のスケールマニピュレータ(図3Bによる)によるアナモフィック歪曲補正によって得られたこの歪曲プロフィールを有する投影対物系を用いた結像処理では、基板上の像内で得られる構造は、y方向に不明瞭化することが予想される。
例示の目的で、その総和、すなわち、視野プロフィールは、方位角方向、すなわち、周方向にある2つの波の項が優勢であることを仮定することができる。この視野プロフィールは、上述のように2重放射相称性を有することで表すことができる。
ここで、本発明の第1の実施形態を図4A及び図4B、図5,並びに図6Aから図6Fに関連して説明する。図4Aは、マイクロリソグラフィのための純屈折(屈折結像)投影対物系600を子午断面に示す。この特定的な実施形態は、WO2003/075096A2の図8から引用したものであり、US7,190,527B2の図8に関連して開示するものでもある。これらの2つの文献の開示内容は、投影対物系の設計及び仕様に関する限り、本明細書に引用によって組み込まれている。
作動時には、投影対物系は、典型的には、垂直光軸に整列する。矢印:
このプレートは、印加した場合に作動波長に対して実質的に透過性を有する光学材料で作られたプレート状本体Bを有する。λ=193nmのような深紫外(DUV)スペクトル領域内の作動波長では、本体は、例えば、溶融シリカ又はフッ化カルシウムで作ることができる。プレートの直径は、数センチメートル程度、例えば、少なくとも10cm、少なくとも20cm、少なくとも25cm又はそれよりも大きく、又は少なくとも30cm又はそれよりも大きいとすることができる。本体は、片側に第1の面S1を有し、他方の側に第2の面S2を有し、これらの面の各々は、巨視的なスケールではプレート法線に対して基本的に垂直に延びている。両方の面S1及びS2は、光学品質を有して製造され、透過損失を低減する反射防止(AR)コーティングで被覆することができる。製造公差(望ましい形状からの差)は、例えば、10nmよりも小さい程度のものとすることができる。
ここで、補正プレートCPの上側及び下側が、それぞれ光学的に用いられる直径に正規化され、非球面がλ1Z5+λ2Z6及びλ3Z5+λ4Z6であり、この場合、λjを図4Bに点線によって定性的に示して図6に更に例示しているように決める必要がある場合には、0.3マイクロメートルよりも大きい山から谷までの値(PV>0.3μm)による強い非球面化、及び図4Bのプレートの上側及び下側の非球面の調整により、これらの非球面によって共同で誘発される瞳誤差をほぼ消滅させることができる。この目的のために、非球面は、パラメータα及びβにおいて、αがほぼ1に対応し、βが上側と下側の部分口径比の比率に対応することが成り立つように形状が類似のものとして設計される。この場合、投影対物系の開口数及び視野サイズは恒久的に選択される。図4Aの投影対物系では、βは大体0.9と設定されている。
この場合、図4Aによる設計において与えられる平面プレートPPの厚みは、一般的に、図6bの値dよりも幾分大きい。言い換えれば、補正プレートCPが、材料を除去する処理、例えば、イオンビーム成形において製造される場合には、原設計に属し、補正プレートを形成することができる平行平面基本プレートは、殆どの部分において最終非球面形補正プレートよりも大きい厚みを有することになる。
光路内で平行平面プレートPPを用いた場合(図7A)には、光線角度(光軸に対する光線の角度)は、平面プレートによって変更されない。代替的に、平面プレートは、平面プレートの上流の入射光線に対する平面プレートの下流の屈折光線の平行オフセットのみを引き起こす。
次に、第2の実施形態を図10Aに示しているマイクロリソグラフィのための反射屈折投影対物系1000に関連して説明する。この実施形態は、WO2005/069055A2の図32に図示の実施形態に対応する(US2005/0190435A1の図32に対応する)。これらの実施形態の開示内容は、特に、全体的な設計及びこの実施形態の仕様に関して本出願に引用によって組み込まれている。
反射屈折投影対物系1000は、λ=193nmの作動波長での作動に向けて構成され、像側開口数NA=0.87を有する。投影対物系は、平面物体面OS(対物面)に配置されたレチクルR上のパターン像を厳密に2つの実中間像IMI1,IMI2を発生させながら、平面像面IS(像平面)へと縮小スケール、例えば、4:1で投影するように設計される。有効物体視野及び像視野は、軸外であり、すなわち、光軸OAを完全に外している。第1の屈折対物系部分OP1は、物体面内のパターンを第1の中間像IMI1へと拡大スケールで結像するように設計される。第2の反射結像(純反射)対物系部分OP2は、第1の中間像IMI1を第2の中間像IMI2へと1:(−1)に近い倍率で結像する。第3の屈折対物系部分OP3は、第2の中間像IMI2を像面ISへと強い縮小比で結像する。
第2の対物系部分OP2は、物体側に向く凹ミラー面を有する第1の凹ミラーCM1,及び像側に向く凹ミラー面を有する第2の凹ミラーCM2を含む。ミラー面の使用部分は、両方共に連続的な(又は途切れのない)ものであり、すなわち、ミラーは、照明領域内に穴又は孔を持たない。互いに相対するミラー面は、凹ミラーによって形成される湾曲面によって囲まれたミラー間空間とも表す反射屈折空洞を形成する。中間像IMI1,IMI2は、両方共に反射屈折空洞内でミラー面から十分に離間して置かれる。
概略図10Bに示しているように、プレートPPは、光線束によってプレートの両側で定められる部分口径比が反対の符号を有するように厳密に第1の瞳面P1に配置される。図10Bは、3つの光線束からの限定光線を示しており、FP1で表している光線は、有効物体視野の1つの縁部上の視野点から発し、光線FP2は、有効物体視野のそれとは反対の縁部上の視野点から発する。FP3で表している光線は、物体視野の中心にある仮想視野点から発する。この仮想視野点は、結像において実際に用いられる軸外有効物体視野に属さないが、ここでは例示目的のためだけに導入したものであることに注意されたい。
この状況は、以下の通りに異なる手法で説明することができる。
両方の例示的な実施形態の場合には、互いに補償し合う非球面化の種類に依存して、瞳誤差の全くない様々な視野誤差を生成することができる。
非球面化の山から谷まで(PV)を拡大すると、視野収差の優占度は、それが強くなるか又は更には完全になるまで高まる。この場合、非球面化に依存して、2000%、5000%、又は更には10000%という値を有する更に別の段階を実施することができる。
視野プロフィールの種類に依存して、非球面は、方位角方向に2重、3重、4重、又は多様体の形状、又はこれらの重ね合わせを有することができる。
投影対物系の光学要素に対して効果を有する全てのマニピュレータは、補正のための付加的な補完的自由度として適している。例えば、レンズ及び/又はミラーのような光学要素を変位、回転、変形、交換、冷却、又は加熱することができる。
この補正法は、新しいレチクルへと調節する時、例えば、露光期間又は走査速度のような処理パラメータを変更する時、又は周囲の空気の温度が変化する場合に画像誤差を補正するのに特に適している。
従って、平面プレートPP又は補正プレートCPが交換可能であること、及び各場合に、上記に表した問題に対して具体的に調節された非球面を有するいくつかのプレートを準備しておくことが望ましい。更に、非球面を有する上述の補正プレートは、必要に応じて投影対物系内に挿入することができ、得られる残存誤差(残存収差)を上記に判断した操作の可能性によって付加的に補正することができる。
縮小投影対物系POは、マスクによって与えられるパターン像を4:1の縮小スケールで、フォトレジスト層で被覆したウェーハW上に結像するように設計される。感光基板として機能するウェーハWは、フォトレジスト層を有する平面基板面SSが、投影対物系の平面像面ISと基本的に対応するように配置される。ウェーハは、ウェーハをマスクMと同期してマスクと平行に移動するためのスキャナ駆動体を含むデバイスWS(ウェーハ台)によって担持される。また、デバイスWSは、ウェーハを光軸に対して平行なZ方向と、この軸に対して垂直なX及びY方向との両方に移動するためのマニピュレータを含む。光軸に対して垂直に延びる少なくとも1つの傾斜軸を有する傾斜デバイスが統合される。
投影対物系POは、像面ISに最も近い最後の光学要素として最後の平坦な平凸レンズLLを有し、この最後のレンズの平面出射面は、投影対物系POの最後の光学面(出射面)である。
システム全体は、中央コンピュータCOMPによって制御される。
重力及び/又は装着力によって誘発されるレチクルの湾曲は、レチクルにおける非理想的な条件によって生成される可能性がある唯一の歪曲誤差発生源ではない。
一部の半導体素子製造処理では、レチクル(マスク)は、ペリクルを含む保護カバーによって保護される。例えば、ペリクルは、粉塵及び他の外来物質がマスク上に堆積するのを防ぐために、マスクのパターン側のパターンから僅かな距離のところに設けることができる。ペリクルは、ペリクル膜、すなわち、作動放射線に対して透過的な材料から作られる膜として構成することができ、例えば、溶融シリカで作られた枠内に、又は硬質のプレート状光学要素によって担持される。ペリクルが、パターンからある一定の距離のところに設けられる場合には、ペリクルの外側に堆積する各粉塵又は他の粒子は、マスク上に配置されたパターンが物体面に配置される時には投影対物系の物体面から外れたある一定の距離のところに配置されることになる。従って、これらの粒子は基板上に合焦される正確な位置に存在しないので、投影対物系によってウェーハ基板上に投影されるパターン像は、粉塵粒子などによる悪影響を受けない。従って、マスクパターンを保護するのにペリクルを利用することにより、一般的に、半導体素子生産処理における生産量が改善される。
ペリクルは、マスク本体上のパターンの製造中に不正確性によって生成される歪曲状誤差を補償するのに用いることができることが認められている。この目的のために、マスク配列を製造する方法は、パターン構造を測定して、マスク本体上に形成されるパターンの実際の構造を表すパターンデータを生成する段階と、このパターンデータから、パターン構造特徴の製造誤差のない理想的な(望ましい)パターン構造を表す対応する基準パターン構造特徴からの相対変位を表す歪曲データを生成する段階とを含む。
好ましくは、非球面面プロフィールは、回転非対称であり、すなわち、いかなる回転対称性も持たない。
パターンデータを生成するのに用いられる測定段階は、いずれか適切な測定技術によって実施することができる。例えば、US2006/0274934A1は、この目的に適する測定システムを説明している。
全ての特許請求の範囲の内容は、引用によって本明細書の一部を成すものである。
本発明の実施形態は、以下の条項によっても定めることができる。
条項2.優勢な視野誤差が視野可変歪曲であることを特徴とする条項1に定める投影対物系。
条項3.視野誤差の優占度が高いことを特徴とする条項1から条項2に定める投影対物系。
条項4.視野誤差の優占度が完全であることを特徴とする条項1から条項2に定める投影対物系。
条項5.2つの光学活性面のうちの少なくとも一方は、優勢な視野誤差から独立に優勢な瞳誤差を誘発する付加的な非球面を有することを特徴とする条項1から条項4に定める投影対物系。
条項6.瞳誤差の優占度が高いことを特徴とする条項5に定める投影対物系。
条項7.瞳誤差の優占度が完全であることを特徴とする条項5に定める投影対物系。
条項8.光学要素は、回転対称性を伴わずに類似の非球面で両側が非球面化された平面プレートであり、光学活性面は、平面プレートの前面又は後面であることを特徴とする条項1から条項7のうちの一項に定める投影対物系。
条項9.非球面は、方位角方向に2重、3重、4重、又は多様体の形状を有することを特徴とする条項8に定める投影対物系。
条項10.非球面は、少なくとも0.3マイクロメートル、好ましくは、少なくとも1.0マイクロメートル、又は非常に好ましくは、少なくとも3.0マイクロメートルの山から谷までの値を有することを特徴とする条項8から条項9のうちの一項に定める投影対物系。
条項11.第1又は第2の面上で、第1の光束の位置が第2の光束の位置とは異なり、これら2つの光束が、これらの面上で発散することを特徴とする条項1から条項10のうちの一項に定める投影対物系。
条項12.第1の面又は第2の面上の第1の光束の直径は、[0.8;0.95]又は[0.9;0.95]という間隔からのマグニチュードによる近軸部分口径比に対応することを特徴とする条項1から条項11のうちの一項に定める投影対物系。
条項13.第1の面又は第2の面上で、第1の光束の角度は、第2の光束の角度とは異なることを特徴とする条項1から条項12のうちの一項に定める投影対物系。
条項14.第1の面又は第2の面上の第1の光束の直径は、[0.8;1.0]又は[0.9;1.0]という間隔からのマグニチュードによる近軸部分口径比に対応することを特徴とする条項13に定める投影対物系。
条項15.条項11から条項12のうちの一項、及び条項13から条項14のうちの一項に定める投影対物系。
条項16.投影対物系の光学要素又は更に別の光学要素は、変位、回転、変形、交換、冷却、又は加熱することができることを特徴とする条項1から条項15のうちの一項に定める投影対物系。
条項17.条項1から条項16のうちの一項に定める投影対物系を含むことを特徴とするマイクロリソグラフィのための投影露光機械。
条項18.マイクロリソグラフィのための投影露光機械を作動させる方法であって、投影露光機械は、投影対物系を含み、投影対物系には、光学要素が設けられ、光学要素は、投影対物系の光軸に関する回転対称性を伴わずに非球面化された第1の光学活性面及び第2の光学活性面を含み、そのためにこれらの非球面は、共同で優勢な視野誤差を誘発することを特徴とする方法。
条項19.優勢な視野誤差は、視野可変歪曲であることを特徴とする条項18に定める方法。
条項20.視野誤差の優占度が高いことを特徴とする条項18から条項19に定める方法。
条項21.視野誤差の優占度が完全であることを特徴とする条項18から条項19に定める方法。
条項22.第1又は第2の面は、優勢な視野誤差から独立に優勢な瞳誤差を誘発する付加的な非球面を有することを特徴とする条項18から条項21に定める方法。
条項23.瞳誤差の優占度が高いことを特徴とする条項22に定める方法。
条項24.瞳誤差の優占度が完全であることを特徴とする条項22に定める方法。
条項25.光学要素は、回転対称性を伴わずに類似の非球面で両側が非球面化された平面プレートであり、光学活性面は、平面プレートの前面又は後面であることを特徴とする条項18から条項24のうちの一項に定める方法。
条項26.非球面は、方位角方向に2重、3重、4重、又は多様体の形状を有することを特徴とする条項25に定める方法。
条項27.非球面は、少なくとも0.3マイクロメートル、好ましくは、少なくとも1.0マイクロメートル、又は非常に好ましくは、少なくとも3.0マイクロメートルの山から谷までの値を有することを特徴とする条項25及び条項26のうちのいずれかに定める方法。
条項28.第1又は第2の面上で、第1の光束の位置が第2の光束の位置とは異なり、これら2つの光束は、この面の位置で発散することを特徴とする条項18から条項27のうちの一項に定める方法。
条項29.第1の面又は第2の面上の第1の光束の直径は、[0.8;0.95]又は[0.9;0.95]という間隔からのマグニチュードによる近軸部分口径比に対応することを特徴とする条項18から条項28のうちの一項に定める方法。
条項30.第1の面又は第2の面上で、第1の光束の角度は、第2の光束の角度とは異なることを特徴とする条項18から条項29のうちの一項に定める方法。
条項31.第1の面又は第2の面上の第1の光束の直径は、[0.8;1.0]又は[0.9;1.0]という間隔からのマグニチュードによる近軸部分口径比に対応することを特徴とする条項30に定める方法。
条項32.条項28から条項29のうちの一項、及び条項30から条項31のうちの一項に定める方法。
条項33.投影対物系の光学要素又は更に別の光学要素は、変位、回転、変形、交換、冷却、又は加熱されることを特徴とする条項18から条項32のうちの一項に定める方法。
条項34.第1から第2のレチクルへの変更、又は第1の照明設定から第2の照明設定への変更の間に行われることを特徴とする条項18から条項33のうちの一項に定める方法。
条項35.第2のレチクルの設置及び/又は第2の照明設定の試運転の後に、好ましくは、投影対物系の結像特性の干渉測定が行われることを特徴とする条項34に定める方法。
条項36.条項1から条項35のうちの一項に定める光学要素のための交換可能要素として準備されることを特徴とする交換可能光学要素。
CR 主光線
OA 光軸
PP 平面プレート
PS 瞳空間
Claims (31)
- 投影対物系の物体面内の物体視野からのパターンを投影対物系の像面内の像視野へと作動波長λ付近の波長帯域からの電磁作動放射線を用いて結像させるように配置された複数の光学要素、
を含み、
前記光学要素は、光学補正プレートを含み、
前記光学補正プレートは、前記作動放射線に対して透過的な材料から作られた本体を含み、該本体は、第1の光学面、第2の光学面、該第1及び第2の光学面に実質的に垂直なプレート法線、及び該プレート法線と平行に測定される該第1の光学面と該第2の光学面の間の距離として定められるプレート厚の厚みプロフィールを有し、
前記第1の光学面及び前記第2の光学面は、
前記第1の光学面が、第1の山から谷までの値PV1>λを有する非回転対称非球面の第1の面プロフィールを有し、
前記第2の光学面が、第2の山から谷までの値PV2>λを有する非回転対称非球面の第2の面プロフィールを有し、かつ
前記プレート厚が、前記光学補正プレートにわたって0.1*(PV1+PV2)/2よりも小さく変化する、
という点で類似である、
ことを特徴とする投影対物系。 - PV1>5*λ及びPV2>5*λであることを特徴とする請求項1に記載の投影対物系。
- 前記第1及び第2の面プロフィールの各々は、n≧2が整数である場合に、前記プレート法線に平行な対称軸に関して実質的にn重の放射相称性を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影対物系。
- 前記第1及び第2の光学面の各々は、前記プレート法線に垂直な第1の方向に正の第1の曲率と、該プレート法線及び該第1の方向に垂直な第2の方向に負の曲率とを備えた鞍形状を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記プレート厚は、前記光学補正プレートにわたって0.05*(PV1+PV2)/2よりも小さく変化することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記補正プレートは、不均一な厚みプロフィールを有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記プレート厚は、前記光学補正プレートにわたって10nmよりも大きく変化することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記不均一な厚みプロフィールは、n≧2が整数である場合に、前記プレート法線に平行な対称軸に関して実質的にn重の放射相称性を有することを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の投影対物系。
- 前記補正プレートの前記第1の面プロフィール及び前記第2の面プロフィールは、前記第1及び第2の光学面の組合せが優勢な視野収差を誘発するような該補正プレートの位置における前記物体視野と前記像視野の間を通る投影ビームの光線プロフィールに適応されることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記優勢な視野収差は、視野可変歪曲であることを特徴とする請求項9に記載の投影対物系。
- 前記優勢な視野収差は、アナモフィック歪曲であることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の投影対物系。
- 前記光学補正プレートは、投影対物系の視野面から光学的に遠隔な位置に配置されることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記光学要素の少なくとも1つは、前記光学補正プレートと最も近い視野面のとの間に配置されることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 瞳空間が、近軸部分口径比SARの絶対値が範囲0.8≦|SAR|≦1にある領域において投影対物系の瞳面付近に形成され、
前記光学補正プレートは、前記瞳空間に配置される、
ことを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の投影対物系。 - 前記光学補正プレートは、前記第1及び前記第2の光学面が、近軸部分口径比SARの反対符号によって特徴付けられる位置に配置されるように投影対物系の瞳面に配置されることを特徴とする請求項14に記載の投影対物系。
- 前記補正プレートは、作動放射線の発散又は収束ビームの領域に配置されることを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記補正プレートの前記第1の面プロフィール及び前記第2の面プロフィールは、前記第1及び第2の光学面の組合せが優勢な視野収差及びそれに加えて瞳収差を誘発するような該補正プレートの位置における前記物体視野と前記像視野の間を通る作動放射線のビームの光線プロフィールに適応されることを特徴とする請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 投影対物系の像面の領域に配置された放射線感応基板を該投影対物系の物体面の領域に配置されたマスクのパターンの少なくとも1つの像で露光するように構成された投影露光装置であって、
作動波長λ付近の波長帯域からの放射線を放出する放射線源と、
前記放射線源から前記放射線を受光し、かつ前記マスクの前記パターン上に向けられる照明放射線を成形する照明系と、
請求項1から請求項17のいずれか1項に記載の投影対物系と、
を含むことを特徴とする装置。 - 前記投影対物系内の所定の空間において第1のプレートを第2のプレートと交換するように構成された交換デバイスを更に含み、
前記第1及び第2のプレートの少なくとも一方は、光学補正プレートである、
ことを特徴とする請求項18に記載の投影露光装置。 - 波長λ>100nmを有する作動放射線に対して透過的な材料から作られた本体を含み、
不均一な厚みプロフィールを有し、
前記本体は、第1の山から谷までの値PV1>λを有する非回転対称非球面の第1の面プロフィールを有する第1の光学面と、第2の山から谷までの値PV2>λを有する非回転対称非球面の第2の面プロフィールを有する第2の光学面と、該第1及び第2の光学面に実質的に垂直なプレート法線と、該プレート法線と平行に測定される該第1及び第2の光学面の間で距離として定められるプレート厚の厚みプロフィールとを有する、
ことを特徴とする光学補正プレート。 - 前記プレート厚は、前記第1の光学面と前記第2の光学面が類似であるように光学補正プレートにわたって0.1*(PV1+PV2)/2よりも小さく変化することを特徴とする請求項20に記載の光学補正プレート。
- PV1>5*λ及びPV2>5*λであることを特徴とする請求項20又は請求項21に記載の光学補正プレート。
- 前記第1及び第2の面プロフィールの各々は、n≧2が整数である場合に、前記プレート法線に平行な対称軸に関して実質的にn重の放射相称性を有することを特徴とする請求項20,請求項21,又は請求項22に記載の光学補正プレート。
- 前記第1及び第2の光学面の各々は、前記プレート法線に垂直な第1の方向に正の曲率と、該プレート法線及び該第1の方向に垂直な第2の方向に負の曲率とを備えた鞍形状を有することを特徴とする請求項20から請求項23のいずれか1項に記載の光学補正プレート。
- 前記不均一な厚みプロフィールは、n≧2が整数である場合に、前記プレート法線に平行な対称軸に関して実質的にn重の放射相称性を有することを特徴とする請求項20から請求項24のいずれか1項に記載の光学補正プレート。
- 投影対物系を利用して半導体素子及び他の種類のマイクロデバイスを製作する方法であって、
投影対物系の物体面に規定のパターンを設けるマスクを配置する段階と、
規定の波長を有する紫外放射線で前記マスクを照明する段階と、
請求項1から請求項17のいずれか1項に記載の投影対物系を用いて前記パターンの像を感光基板上に投影する段階と、
前記投影対物系の結像特性を該投影対物系の入射面と出射面の間の投影ビーム経路内に補正プレートを挿入するか又は該投影ビーム経路から補正プレートを取り出すことによって調節する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 第1のマスクを該第1のマスクとは異なる第2のマスクと交換する段階と、
第1のプレートを第2のプレートと交換する段階と、
を含み、
前記第1及び第2のプレートの少なくとも一方は、光学補正プレートである、
ことを特徴とする請求項26に記載の方法。 - マスク本体及び該マスク本体の面上に設けられたパターンを有するマスクと、
前記パターンから距離を置いて配置された透過ペリクル本体を有するペリクルと、
前記ペリクルを前記マスクに対して所定の位置に固定するように構成された保持構造体と、
を含み、
前記ペリクル本体の少なくとも1つの面は、前記パターンの構造の構造的特徴の基準パターン構造の対応する構造的特徴に対する相対変位によって引き起こされた歪曲成分を少なくとも部分的に補償するのに有効な非球面面プロフィールを有する、
ことを特徴とするマスク配列。 - 前記非球面面プロフィールは、回転非対称であることを特徴とする請求項28に記載のマスク配列。
- マスク本体及び該マスク本体の面上に設けられたパターンを有するマスクと、
前記パターンから距離を置いて配置された透過ペリクル本体を有するペリクルと、
前記ペリクルを前記マスクに対して所定の位置に固定するように構成された保持構造体と、
を含むマスク配列を製造する方法であって、
パターンを測定して、マスク本体上に形成された該パターンの実際の構造を表すパターンデータを生成する段階と、
前記パターンデータから、製造誤差のない理想的パターンを表す基準パターンの対応する構造的特徴からの前記パターンの構造的特徴の相対変位を表す歪曲データを生成する段階と、
前記歪曲データに基づいて前記ペリクル本体の少なくとも1つの面を処理し、前記パターンの構造的特徴の前記基準パターンの対応する構造的特徴に対する相対変位によって引き起こされた歪曲成分を少なくとも部分的に補償するのに有効な非球面面プロフィールを生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記非球面面プロフィールは、回転非対称であることを特徴とする請求項30に記載の方法。
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