JP2014060343A - Method of manufacturing light-emitting diode, light-emitting diode - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）チップをリードフレーム上に搭載した構成を具備する発光ダイオード、その製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting diode having a configuration in which an LED (light emitting diode) chip is mounted on a lead frame, and a method for manufacturing the same.
ＬＥＤ（発光ダイオード）が使用される際には、リードフレーム上に発光ダイオードチップが搭載され、この発光ダイオードに通電がされ、その発光が外部に取り出される形態とされる。高い発光効率を得るために、発光ダイオードチップの周囲には、その内面で光を反射させる反射層が形成される。また、白色発光ダイオードの場合には、白色を発光させるために必要となる蛍光層が反射層で囲まれた内部において発光ダイオードチップの周辺に形成される。反射層は樹脂材料で構成することができ、発光ダイオードチップの電極となるリード端子はこの反射層の両側から突出した形態とされる。 When an LED (light emitting diode) is used, a light emitting diode chip is mounted on a lead frame, the light emitting diode is energized, and the emitted light is extracted outside. In order to obtain high luminous efficiency, a reflective layer that reflects light on the inner surface is formed around the light emitting diode chip. In the case of a white light-emitting diode, a fluorescent layer necessary for emitting white light is formed around the light-emitting diode chip inside the reflective layer. The reflective layer can be made of a resin material, and the lead terminals that serve as the electrodes of the light emitting diode chip are projected from both sides of the reflective layer.
こうした構成の発光ダイオードの構造、製造方法は、例えば特許文献１に記載されている。ここでは、単一の全体リードフレームを用いて、多数の発光ダイオードが多数配列して同時に製造される。最後に全体リードフレーム等が縦横の２方向で切断されて、個々の発光ダイオードが分離されて得られる。 The structure and manufacturing method of the light emitting diode having such a configuration is described in, for example, Patent Document 1. Here, a large number of light emitting diodes are arrayed and manufactured simultaneously using a single overall lead frame. Finally, the entire lead frame or the like is cut in two vertical and horizontal directions to obtain individual light emitting diodes.
図８（ａ）〜（ｆ）は、特許文献１の製造方法における各工程を全体リードフレーム９００に対応して上面から見た図である。 8A to 8F are views of each process in the manufacturing method of Patent Document 1 as viewed from above corresponding to the entire lead frame 900. FIG.
図８（ａ）は、この場合に用いられる全体リードフレーム９００の平面図である。図８（ａ）において破線で囲まれた領域が単一の発光ダイオードに対応したリードフレーム９１となる。リードフレーム９１は、発光ダイオードにおける両極に対応して左右２つの領域（第１リードフレーム９１１、第２リードフレーム９１２）に分割されている。図示されるように、この全体リードフレーム９００においては、リードフレーム９１が２次元配列して一体化した構成とされる。このため、全体リードフレーム９００においては、外枠部９０１が設けられており、外枠部９０１によって各リードフレーム９１（第１リードフレーム９１１、第２リードフレーム９１２）が一体化されている。また、この２次元配列における縦方向においては、隣接するリードフレーム９１間あるいはリードフレーム９１と外枠部９０１とは連結部９０２によって接続される。これによって、複数のリードフレーム９１が全体リードフレーム９００として一体化される。 FIG. 8A is a plan view of the entire lead frame 900 used in this case. In FIG. 8A, a region surrounded by a broken line is a lead frame 91 corresponding to a single light emitting diode. The lead frame 91 is divided into two left and right regions (first lead frame 911 and second lead frame 912) corresponding to both poles of the light emitting diode. As shown in the figure, the entire lead frame 900 has a structure in which the lead frames 91 are two-dimensionally arranged and integrated. Therefore, the entire lead frame 900 is provided with an outer frame portion 901, and the lead frames 91 (first lead frame 911 and second lead frame 912) are integrated by the outer frame portion 901. Further, in the vertical direction in this two-dimensional array, the adjacent lead frames 91 or the lead frame 91 and the outer frame portion 901 are connected by a connecting portion 902. As a result, the plurality of lead frames 91 are integrated as a whole lead frame 900.
この全体リードフレーム９００に対して、まず、図８（ｂ）に示されるように、反射層９２がトランスファーモールドによって所望の形状で形成される。反射層９２は、各リードフレーム９１上において搭載された発光ダイオードを取り囲むパターンで形成される。このため、反射層９２には窓部９２１が形成され、この窓部９２１中で各第１リードフレーム９１１、第２リードフレーム９１２の表面が露出する形態とされる。 On the entire lead frame 900, first, as shown in FIG. 8B, the reflective layer 92 is formed in a desired shape by transfer molding. The reflective layer 92 is formed in a pattern surrounding the light emitting diode mounted on each lead frame 91. For this reason, a window portion 921 is formed in the reflective layer 92, and the surfaces of the first lead frame 911 and the second lead frame 912 are exposed in the window portion 921.
その後、この各窓部９２１中において露出した第２リードフレーム９１２に発光ダイオードを搭載し、第１リードフレーム９１１、第２リードフレーム９１２に対して発光ダイオードにおける両極からそれぞれボンディングワイヤを接続した後に、図８（ｃ）に示されるように、各窓部９２１を埋め込むように蛍光層９３を形成する。窓部９２１の内面は、発光ダイオードが発した光を図８中の紙面上方に反射させるために、全体リードフレーム９００に対して傾斜角をもって形成されている。 Then, after mounting a light emitting diode on the second lead frame 912 exposed in each window 921, and connecting bonding wires from both poles of the light emitting diode to the first lead frame 911 and the second lead frame 912, respectively. As shown in FIG. 8C, the fluorescent layer 93 is formed so as to embed each window 921. The inner surface of the window portion 921 is formed with an inclination angle with respect to the entire lead frame 900 in order to reflect the light emitted from the light emitting diodes upward in the drawing in FIG.
その後、図８（ｄ）に示されるように図中上下方向に延伸するブレード（切断刃）２００を用いて上下における外枠部９０１が切断され、図８（ｅ）に示されるように左右方向に延伸するブレード２００を用いて左右における外枠部９０１及び連結部９０２（図示せず）が切断される。これによって、図８（ｆ）に示されるように、個々の発光ダイオード９０が分割されて得られる。 Thereafter, as shown in FIG. 8D, the upper and lower outer frame portions 901 are cut using a blade (cutting blade) 200 extending in the vertical direction in the drawing, and the horizontal direction as shown in FIG. 8E. The outer frame portion 901 and the connecting portion 902 (not shown) on the left and right sides are cut using the blade 200 extending in the right direction. As a result, as shown in FIG. 8F, the individual light emitting diodes 90 are obtained by being divided.
図９は、この製造方法によって製造される発光ダイオード９０の上面図（ａ）、そのＤ−Ｄ方向の断面図（ｂ）、底面図（ｃ）である。この発光ダイオード９０においては、右側の第２リードフレーム９１２上に発光ダイオードチップ９４が搭載され、その両極が、それぞれ左側の第１リードフレーム９１１、右側の第２リードフレーム９１２にボンディングワイヤ９５で接続される。この構成によって、蛍光層９３中（リードフレーム９１上）の発光ダイオードチップ９４が発した光を蛍光層９３が吸収し、異なる波長の光が放出される。発光ダイオードが発した光と蛍光層９３が発した光は混合されて白色となり、共に蛍光層９３を取り囲む反射層９２の内面で反射され、図８（ｃ）における紙面の上方向に発せられる。これによって、この発光ダイオード９０は、高効率で白色の発光をすることができる。 FIG. 9 is a top view (a) of a light emitting diode 90 manufactured by this manufacturing method, a sectional view (b) in the DD direction, and a bottom view (c). In this light emitting diode 90, a light emitting diode chip 94 is mounted on the right second lead frame 912, and both poles thereof are connected to the left first lead frame 911 and the right second lead frame 912 by bonding wires 95, respectively. Is done. With this configuration, the fluorescent layer 93 absorbs light emitted from the light emitting diode chip 94 in the fluorescent layer 93 (on the lead frame 91), and light of different wavelengths is emitted. The light emitted from the light emitting diode and the light emitted from the fluorescent layer 93 are mixed to become white, and both are reflected by the inner surface of the reflective layer 92 surrounding the fluorescent layer 93 and emitted upward in the drawing in FIG. Thus, the light emitting diode 90 can emit white light with high efficiency.
また、第１リードフレーム９１１の左側端部、第２リードフレーム９１２の右側端部は反射層９２からそれぞれ左側、右側に突出している。この発光ダイオード９０を実装して使用する際には、この第１リードフレーム９１１、第２リードフレーム９１２におけるこの突出した部分をリード端子として用いることができ、これに対してはんだ付けを行い、発光ダイオード９０を基板上に固定し、配線を接続することができる。 The left end portion of the first lead frame 911 and the right end portion of the second lead frame 912 protrude from the reflective layer 92 to the left and right sides, respectively. When the light emitting diode 90 is mounted and used, the protruding portions of the first lead frame 911 and the second lead frame 912 can be used as lead terminals, and soldering is performed on the protruding portions to emit light. The diode 90 can be fixed on the substrate and the wiring can be connected.
上記の製造方法を用いて、この構造を具備する発光ダイオード９０を容易に製造することができる。 Using the above manufacturing method, the light emitting diode 90 having this structure can be easily manufactured.
上記の製造方法において、反射層９２は、図８（ｂ）に示されるように、図中上下方向に延びる列では一体化されているが、左右方向に隣接する列の間では分離されて形成される。これは、前記の通り、反射層９２から左右方向に第１リードフレーム９１１、第２リードフレーム９１２が突出した部分をリード端子として用いるためである。このため、少なくとも図８における左右方向に隣接した２つの発光ダイオードに対応する領域の境界付近においては反射層９２は形成されない。 In the above manufacturing method, as shown in FIG. 8B, the reflective layer 92 is integrated in the columns extending in the vertical direction in the drawing, but is separated between the columns adjacent in the horizontal direction. Is done. This is because the portions where the first lead frame 911 and the second lead frame 912 protrude from the reflective layer 92 in the left-right direction are used as lead terminals as described above. For this reason, the reflective layer 92 is not formed at least near the boundary between the regions corresponding to the two light emitting diodes adjacent in the left-right direction in FIG.
こうした反射層９２のパターンはトランスファーモールドによって形成することができるものの、そのパターンは図８（ｂ）中の上下方向において細長く、左右方向において隣接する発光ダイオードに対応する領域間で分離された形態となる。トランスファーモールドにおいては、反射層９２となる樹脂材料が液状の状態とされて金型中に流し込まれ、その後にこれを硬化させることによって、反射層９２とされる。この際、このパターニングを精密に行うためには、金型中がこの樹脂材料で空隙なく充填されることが必要であるが、このように独立した細長いパターンが多く存在する場合には、このパターンの金型を樹脂材料で空隙無く充填することが困難となる。このため、上記の形状をもつ反射層９２の精密なパターニングを行うことは実際には困難であった。 Although the pattern of the reflective layer 92 can be formed by transfer molding, the pattern is elongated in the vertical direction in FIG. 8B, and is separated between regions corresponding to light emitting diodes adjacent in the horizontal direction. Become. In the transfer mold, the resin material to be the reflective layer 92 is in a liquid state, poured into a mold, and then cured to form the reflective layer 92. At this time, in order to perform this patterning precisely, it is necessary that the mold is filled with this resin material without gaps. However, when there are many independent elongated patterns, this pattern is required. It becomes difficult to fill the mold with a resin material without voids. For this reason, it is actually difficult to perform precise patterning of the reflective layer 92 having the above shape.
従って、反射層からリード端子が突出した構成の発光ダイオードを容易に製造することは困難であった。 Therefore, it is difficult to easily manufacture a light emitting diode having a configuration in which the lead terminal protrudes from the reflective layer.
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide an invention that solves the above problems.
本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体モジュールの製造方法は、リードフレーム上に発光ダイオードチップを搭載し、当該発光ダイオードチップの周囲に蛍光層を介して反射層が形成された構成を具備する発光ダイオードを２次元配列させた状態で製造する、発光ダイオードの製造方法であって、一つの発光ダイオードに対応する領域において、前記リードフレームは空隙を介して配置された第１リードフレームと第２リードフレームとを具備し、一方向で隣接する２つの発光ダイオードに対応した領域間においては、一方の発光ダイオードに対応した領域における前記第１リードフレームと他方の発光ダイオードに対応した領域における前記第２リードフレームとが連結して構成されるように、前記リードフレームが多数配列された構成を具備する全体リードフレームが用いられ、前記全体リードフレーム上において、一つの発光ダイオードに対応する領域において前記第１リードフレームの一部と前記第２リードフレームの一部とを露出させる窓部と、前記一方向で隣接する２つの発光ダイオードに対応する領域の境界部分において前記全体リードフレームを露出させるリード開口部と、を具備した形態で前記全体リードフレームを覆う前記反射層を、トランスファーモールドによって形成する反射層形成工程と、前記窓部の中における前記第１リードフレーム又は前記第２リードフレーム上に前記発光ダイオードチップを搭載し、前記発光ダイオードチップ中の両極をそれぞれ前記第１リードフレーム、前記第２リードフレームに接続するチップ搭載工程と、前記窓部内に前記蛍光層を形成する蛍光層形成工程と、前記一方向で隣接する２つの発光ダイオードに対応した領域の境界部分を前記一方向と垂直な他方向に沿って前記反射層及び前記全体リードフレームを切断し、かつ前記他方向において隣接する発光ダイオードに対応する領域間を前記一方向に沿って切断する切断工程と、を具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールの製造方法は、前記全体リードフレームにおいて、前記リード開口部に対応した箇所に、前記リード開口部よりも小さなリードフレーム開口部が形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールの製造方法において、前記リードフレーム開口部は円形状とされたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールの製造方法は、下面において前記リードフレーム開口部に隣接した箇所が局所的に薄肉加工された前記全体リードフレームが用いられ、前記反射層形成工程において、前記全体リードフレームの下面側において、前記リードフレーム開口部に隣接し局所的に薄肉加工された箇所に前記反射層を形成しないことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールの製造方法は、下面において前記第１リードフレーム又は前記第２リードフレームの外周が局所的に薄肉加工された前記全体リードフレームが用いられ、前記反射層形成工程において、前記全体リードフレームの下面側において、前記外周が局所的に薄肉加工された箇所に前記反射層を形成することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、前記発光ダイオードの製造方法によって製造されたことを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention has the following configurations.
In the method for manufacturing a semiconductor module of the present invention, a light emitting diode chip is mounted on a lead frame, and the light emitting diode having a configuration in which a reflective layer is formed around the light emitting diode chip via a fluorescent layer is arranged two-dimensionally. In a region corresponding to one light emitting diode, the lead frame includes a first lead frame and a second lead frame arranged with a gap between them, Between the areas corresponding to two light emitting diodes adjacent in one direction, the first lead frame in the area corresponding to one light emitting diode and the second lead frame in the area corresponding to the other light emitting diode are connected. The entire lead frame having a configuration in which a large number of the lead frames are arranged so that A window portion that exposes a part of the first lead frame and a part of the second lead frame in a region corresponding to one light emitting diode on the entire lead frame; A reflective layer for forming the reflective layer covering the overall lead frame by transfer molding in a form including a lead opening for exposing the overall lead frame at a boundary portion of a region corresponding to two adjacent light emitting diodes And forming the light emitting diode chip on the first lead frame or the second lead frame in the window, and the electrodes in the light emitting diode chip are respectively connected to the first lead frame and the second lead. A chip mounting step for connecting to the frame, and a fluorescent layer for forming the fluorescent layer in the window Cutting the reflective layer and the entire lead frame along another direction perpendicular to the one direction at a boundary portion of a layer forming step and a region corresponding to two light emitting diodes adjacent in the one direction, and the other direction And a cutting step of cutting a region corresponding to the adjacent light emitting diode along the one direction.
The method of manufacturing a semiconductor module according to the present invention is characterized in that a lead frame opening smaller than the lead opening is formed at a location corresponding to the lead opening in the entire lead frame.
In the method of manufacturing a semiconductor module according to the present invention, the lead frame opening is circular.
In the method for manufacturing a semiconductor module of the present invention, the entire lead frame in which a portion adjacent to the lead frame opening is locally thinned on the lower surface is used, and the lower surface of the entire lead frame is used in the reflective layer forming step. On the side, the reflective layer is not formed at a location adjacent to the lead frame opening and locally thinned.
In the method for manufacturing a semiconductor module according to the present invention, the entire lead frame in which the outer periphery of the first lead frame or the second lead frame is locally thinned on the lower surface is used. The reflective layer is formed at a location where the outer periphery is locally thinned on the lower surface side of the lead frame.
The semiconductor module of the present invention is manufactured by the method for manufacturing a light emitting diode.
本発明は以上のように構成されているので、反射層からリード端子が突出した構成の発光ダイオードを容易に製造することができる。 Since this invention is comprised as mentioned above, the light emitting diode of the structure which the lead terminal protruded from the reflection layer can be manufactured easily.
以下、本発明の実施の形態となる発光ダイオードの製造方法、及びこの発光ダイオードについて説明する。この発光ダイオードにおいては、リードフレーム上に発光ダイオードチップが搭載され、その周囲に反射層が形成されている。発光ダイオードチップは、この反射層に設けられた窓部中に設置され、その周囲には蛍光層が設けられている。蛍光層は、発光ダイオードチップが発した単色の光を吸収してこれと異なる波長の光を発する。このため、この発光ダイオードにおいては、発光ダイオードチップが発する光と、蛍光層が発した光の、異なる２種類の波長の光が同時に発せられる。これらの光のうち、窓部の内面に達した光はそこで反射される。これにより、例えば白色光を発することができる。これらの点については特許文献１に記載の発光ダイオードと同様である。ただし、特許文献１に記載の発光ダイオードとは、反射層の両端部におけるリード端子の形態が大きく異なる。これに応じて、リードフレーム、反射層の形態が大きく異なる。 Hereinafter, a method for manufacturing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention and the light emitting diode will be described. In this light emitting diode, a light emitting diode chip is mounted on a lead frame, and a reflective layer is formed around it. The light-emitting diode chip is installed in a window provided in the reflective layer, and a fluorescent layer is provided around the light-emitting diode chip. The fluorescent layer absorbs monochromatic light emitted from the light emitting diode chip and emits light having a different wavelength. For this reason, in this light emitting diode, light of two different wavelengths, light emitted from the light emitting diode chip and light emitted from the fluorescent layer, is emitted simultaneously. Of these lights, the light reaching the inner surface of the window is reflected there. Thereby, for example, white light can be emitted. These points are the same as the light emitting diode described in Patent Document 1. However, the shape of the lead terminals at both ends of the reflective layer is significantly different from the light emitting diode described in Patent Document 1. According to this, the form of the lead frame and the reflective layer is greatly different.
図１は、この製造方法において用いられるリードフレーム１１の上面図（ａ）及びそのＡ−Ａ方向の断面図（ｂ）である。ここで示されたリードフレーム１１は、発光ダイオード１個分に相当する。実際には複数の発光ダイオードを同時に製造するために、図１のパターンのリードフレーム１１が多数配列されて固定された形態の全体リードフレーム１００が用いられる。図２は、この全体リードフレーム１００の形態を示す上面図であり、この破線で囲まれた領域が図１に示されたリードフレーム１１に相当する。 FIG. 1A is a top view of a lead frame 11 used in this manufacturing method, and FIG. The lead frame 11 shown here corresponds to one light emitting diode. Actually, in order to simultaneously manufacture a plurality of light emitting diodes, an entire lead frame 100 in which a large number of lead frames 11 having the pattern of FIG. 1 are arranged and fixed is used. FIG. 2 is a top view showing the form of the entire lead frame 100, and a region surrounded by the broken line corresponds to the lead frame 11 shown in FIG.
このリードフレーム１１は、図１において図示された範囲（単一の発光ダイオードに対応する領域）内では第１リードフレーム１１１と第２リードフレーム１１２に分離されている。このため、第１リードフレーム１１１と第２リードフレーム１１２とは空隙を介して左右に配されている。第１リードフレーム１１１の左側端部、第２リードフレーム１１２の右側端部、すなわち、これらにおける空隙と反対側の端面側にはそれぞれリードフレーム切り欠き部１１３、１１４が形成されている。リードフレーム切り欠き部１１３、１１４はリード端子とされる部分に対応して形成される。 The lead frame 11 is separated into a first lead frame 111 and a second lead frame 112 within the range shown in FIG. 1 (region corresponding to a single light emitting diode). For this reason, the first lead frame 111 and the second lead frame 112 are arranged on the left and right sides through a gap. Lead frame notches 113 and 114 are formed on the left end portion of the first lead frame 111 and the right end portion of the second lead frame 112, that is, on the end face side opposite to the air gap in these. The lead frame cutouts 113 and 114 are formed corresponding to the portions to be lead terminals.
第１リードフレーム１１１においては、その上下に連結部１１５、１１６がそれぞれ接続され、第２リードフレーム１１２においては、その上側に連結部１１７、１１８が、その下側に連結部１１９、１２０が接続されている。第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２共に、図示されるように下面側（発光ダイオードチップが搭載される側と反対側）の外周が局所的に薄肉加工されており、このために段差が形成されている。また、リードフレーム切り欠き部１１３、１１４と隣接した領域においても、第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２は局所的に薄肉加工されており、同様に段差が形成されている。図１（ａ）における点線は、これらの段差を示している。また、連結部１１５〜１２０も第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２の周囲と同様に薄肉加工されている。 In the first lead frame 111, connecting portions 115 and 116 are connected to the upper and lower sides, respectively, in the second lead frame 112, connecting portions 117 and 118 are connected to the upper side, and connecting portions 119 and 120 are connected to the lower side. Has been. In both the first lead frame 111 and the second lead frame 112, the outer periphery on the lower surface side (the side opposite to the side on which the light-emitting diode chip is mounted) is locally thinned as shown in the figure, so that a step is formed. Is formed. Also in the region adjacent to the lead frame notches 113 and 114, the first lead frame 111 and the second lead frame 112 are locally thinned, and a step is similarly formed. The dotted lines in FIG. 1A indicate these steps. Further, the connecting portions 115 to 120 are processed to be thin like the periphery of the first lead frame 111 and the second lead frame 112.
全体リードフレーム１００においては、図２に示されるように、図１の構成が２次元配列されて一体化されている。ここでは、図中左右方向（一方向）で隣接する２つの発光ダイオードに対応した領域間においては、一方の発光ダイオードに対応した領域における第１リードフレーム１１１と他方の発光ダイオードに対応した領域における第２リードフレーム１１２とは連結している。このため、図１における第１リードフレーム１１１はその左側の発光ダイオードに対応した第２リードフレーム１１２と、第２リードフレーム１１２はその右側の発光ダイオードに対応した第１リードフレーム１１１と連結して一体化されている。 In the entire lead frame 100, as shown in FIG. 2, the configuration of FIG. 1 is two-dimensionally arranged and integrated. Here, between the regions corresponding to two light emitting diodes adjacent in the left-right direction (one direction) in the figure, the first lead frame 111 in the region corresponding to one light emitting diode and the region corresponding to the other light emitting diode. The second lead frame 112 is connected. For this reason, the first lead frame 111 in FIG. 1 is connected to the second lead frame 112 corresponding to the left side light emitting diode, and the second lead frame 112 is connected to the first lead frame 111 corresponding to the right side light emitting diode. It is integrated.
また、図１の構成におけるリードフレーム１１は、その上下方向（他方向）において隣接する発光ダイオードに対応したリードフレーム１１と、連結部１１５〜１２０によって接続される。なお、実際には図８（ａ）と同様の外枠部も使用されるが、ここではその記載を省略している。以上の構成によって、全体リードフレーム１００は一体化して構成されている。 Further, the lead frame 11 in the configuration of FIG. 1 is connected to the lead frame 11 corresponding to the light emitting diodes adjacent in the vertical direction (other direction) by the coupling portions 115 to 120. In practice, an outer frame similar to that shown in FIG. 8A is also used, but the description thereof is omitted here. With the above configuration, the entire lead frame 100 is integrated.
ここで、左右方向で隣接する発光ダイオードに対応した領域間で一体化された第１リードフレーム１１１と第２リードフレーム１１２の間の境界部分（単一の発光ダイオードに対応する領域の左右両端の部分）において、円形状のリードフレーム開口部１０１が形成されている。後述するように、図１におけるリードフレーム切り欠き部１１３、１１４は、このリードフレーム開口部１０１が左右に分断されることによって形成される。図２で示されるように、リードフレーム開口部１０１は、全体リードフレーム１００中において周期的に２次元配列されて形成される。 Here, a boundary portion between the first lead frame 111 and the second lead frame 112 integrated between regions corresponding to light emitting diodes adjacent in the left-right direction (at the left and right ends of the region corresponding to a single light emitting diode). In the portion, a circular lead frame opening 101 is formed. As will be described later, the lead frame notches 113 and 114 in FIG. 1 are formed by dividing the lead frame opening 101 into left and right. As shown in FIG. 2, the lead frame openings 101 are periodically and two-dimensionally arranged in the entire lead frame 100.
この構成の全体リードフレーム１００は、例えば銅板を板金加工することによって製造することができる。この際、第１リードフレーム１１１と第２リードフレーム１１２における前記の薄肉加工も、プレス加工やエッチングによって行うことができる。 The entire lead frame 100 having this configuration can be manufactured, for example, by subjecting a copper plate to sheet metal processing. At this time, the above thin processing in the first lead frame 111 and the second lead frame 112 can also be performed by pressing or etching.
図３（ａ）（ｂ）、図４（ｃ）〜（ｅ）は、この全体リードフレーム１００を用いた発光ダイオードの製造方法の工程における形態を単一の発光ダイオードに対応した領域において示す図である。ここで、図３（ａ）（ｂ）、図４（ｃ）（ｄ）中の上側は各工程において上面から見た形態を示し、下側はその断面図を示す。ここでは、左右に隣接した発光ダイオードに対応する領域との境界部分も同時に示されている。図４（ｅ）においては、上面から見た形態のみが示され、断面図は省略されている。 FIGS. 3A and 3B and FIGS. 4C to 4E are views showing a form in a process of a light emitting diode manufacturing method using the entire lead frame 100 in a region corresponding to a single light emitting diode. It is. Here, the upper side in FIGS. 3 (a), 3 (b), 4 (c) and 4 (d) shows the form seen from the upper surface in each step, and the lower side shows a cross-sectional view thereof. Here, the boundary part with the area | region corresponding to the light emitting diode adjacent on either side is also shown simultaneously. In FIG. 4 (e), only the form seen from the top is shown, and the cross-sectional view is omitted.
また、図５（ａ）〜（ｆ）は、複数の発光ダイオードが配列された広い領域において、各工程における上面から見た形態を示している。ここで、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｆ）は、それぞれ図３（ａ）、図３（ｂ）、図４（ｄ）、図４（ｅ）に対応した工程における広い領域を示す上面図となっている。 FIGS. 5A to 5F show forms viewed from the upper surface in each step in a wide region where a plurality of light emitting diodes are arranged. Here, FIGS. 5 (a), (b), (c), and (f) are processes corresponding to FIGS. 3 (a), 3 (b), 4 (d), and 4 (e), respectively. It is a top view which shows the wide area | region in.
図３（ａ）は、ここで示される箇所における前記の全体リードフレーム１００の形態が示されている。以降で示される断面図は、このＢ−Ｂ方向の断面に対応する。上面図（上側）においては、下面において形成された段差は点線で示されている。図５（ａ）は、これに対応した全体リードフレーム１００の上面図である。 FIG. 3A shows the form of the entire lead frame 100 at the location shown here. The sectional views shown below correspond to the section in the BB direction. In the top view (upper side), the step formed on the lower surface is indicated by a dotted line. FIG. 5A is a top view of the entire lead frame 100 corresponding to this.
この全体リードフレーム１００に対して、図３（ｂ）、図５（ｂ）に示される形状で、反射層１３を全体リードフレーム１００（リードフレーム１１）上に形成する（反射層形成工程）。反射層１３の材料としては例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用い、その成型はトランスファーモールドによる。この形状で反射層１３を形成するためには、例えば、下金型に全体リードフレーム１００をセットし、この上に、内部の形状がこの反射層１３の形状とされた空洞部をもつ上金型をセットし、この空洞部に反射層１３となる樹脂材料を液状の状態として加圧供給する。空洞部がこの材料で充填された後で硬化させることによって、反射層１３とされる。図３（ｂ）上、図５（ｂ）に示されるように、反射層１３は、全体リードフレーム１００（リードフレーム１１）上の広い範囲にわたり一様に形成されるが、窓部１３１とリード開口部１３２では開口した形態とされる。 A reflective layer 13 is formed on the overall lead frame 100 (lead frame 11) in the shape shown in FIGS. 3B and 5B with respect to the overall lead frame 100 (reflective layer forming step). As a material of the reflective layer 13, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin is used, and the molding is performed by transfer molding. In order to form the reflective layer 13 in this shape, for example, the entire lead frame 100 is set in a lower mold, and an upper metal having a hollow portion in which the internal shape is the shape of the reflective layer 13 is formed thereon. A mold is set, and the resin material to be the reflective layer 13 is pressurized and supplied into the hollow portion in a liquid state. The cavity is filled with this material and then cured to form the reflective layer 13. As shown in FIG. 3B and FIG. 5B, the reflective layer 13 is uniformly formed over a wide range on the entire lead frame 100 (lead frame 11). The opening 132 is open.
窓部１３１の中には後で発光ダイオードチップが搭載され、これを取り囲む反射層１３の内面は発光ダイオードチップが発する光を上方に向けて反射させる。このため、窓部１３１中における反射層１３の内面は、この中に収容される発光ダイオードチップが発する発光を反射するように、リードフレーム１１の表面に対して傾斜角をもつように設定される。 A light emitting diode chip is mounted later in the window 131, and the inner surface of the reflective layer 13 surrounding the window 131 reflects light emitted from the light emitting diode chip upward. For this reason, the inner surface of the reflective layer 13 in the window 131 is set to have an inclination angle with respect to the surface of the lead frame 11 so as to reflect the light emitted from the light emitting diode chip accommodated therein. .
リード開口部１３２は、前記のリードフレーム開口部１０１に対応して形成される。このため、リード開口部１３２も、左右方向において隣接する２つの発光ダイオードに対応する領域の境界部分に形成される。ただし、リード開口部１３２はリードフレーム開口部１０１よりもその周囲のリードフレーム１１上面が露出するように設定される。また、リード開口部１３２もリードフレーム開口部１０１と同様に、全体リードフレーム１００上で周期的に２次元配列されて形成される。 The lead opening 132 is formed corresponding to the lead frame opening 101. For this reason, the lead opening 132 is also formed at a boundary portion of a region corresponding to two light emitting diodes adjacent in the left-right direction. However, the lead opening 132 is set so that the upper surface of the lead frame 11 around the lead frame opening 101 is exposed. Similarly to the lead frame opening 101, the lead openings 132 are also formed by being periodically two-dimensionally arranged on the entire lead frame 100.
ここで、トランスファーモールドの際に、下金型に全体リードフレーム１００の下面側の薄肉加工されない部分が当接するようにして全体リードフレーム１００を固定した場合、反射層１３は、全体リードフレーム１００の上面側だけでなく、第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２間の空隙や第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２の下面側外周の薄肉加工された箇所にも形成される。このため、反射層１３の下面側においては、全体リードフレーム１００（リードフレーム１１）の薄肉加工されなかった領域が露出し、その周囲に反射層１３が形成される。一方、リードフレーム開口部１０１が形成された箇所の上面側においては、リードフレーム開口部１０１よりも広いリード開口部１３２が形成されているため、リードフレーム開口部１０１に樹脂は入り込まず、リードフレーム開口部１０１内には反射層１３は形成されない。このため、全体リードフレーム１００におけるリードフレーム開口部１０１に隣接して薄肉加工された箇所にも反射層１３は形成されない。このため、この箇所は薄肉加工されているものの、反射層１３の下面において露出する。 Here, in the case of transfer molding, when the entire lead frame 100 is fixed so that the lower die side portion of the entire lead frame 100 is in contact with the lower mold, the reflective layer 13 is formed on the entire lead frame 100. It is formed not only on the upper surface side, but also on the space between the first lead frame 111 and the second lead frame 112 and the thinned portion on the outer periphery on the lower surface side of the first lead frame 111 and the second lead frame 112. For this reason, on the lower surface side of the reflective layer 13, an area of the entire lead frame 100 (lead frame 11) that has not been thinned is exposed, and the reflective layer 13 is formed therearound. On the other hand, since the lead opening 132 wider than the lead frame opening 101 is formed on the upper surface side where the lead frame opening 101 is formed, the resin does not enter the lead frame opening 101 and the lead frame The reflective layer 13 is not formed in the opening 101. For this reason, the reflective layer 13 is not formed even in the thinned portion adjacent to the lead frame opening 101 in the entire lead frame 100. For this reason, this portion is exposed on the lower surface of the reflective layer 13 although it is thinned.
また、図５（ｂ）に示されるように、反射層１３は、全体リードフレーム１００の上面側において、図中の上下方向、左右方向共に隣接する発光ダイオードに対応する領域間で一体化して形成される。すなわち、左右方向に隣接する発光ダイオードに対応する領域間では反射層９２が分離された図８（ｂ）の場合（特許文献１）と異なり、反射層１３は、全体リードフレーム１００の上の広い範囲で一体化されて形成されている。 Further, as shown in FIG. 5B, the reflective layer 13 is formed integrally on the upper surface side of the entire lead frame 100 between regions corresponding to adjacent light emitting diodes in both the vertical and horizontal directions in the figure. Is done. That is, unlike the case of FIG. 8B in which the reflective layer 92 is separated between regions corresponding to the light emitting diodes adjacent in the left-right direction (Patent Document 1), the reflective layer 13 is wide on the entire lead frame 100. It is integrated and formed in the range.
次に、図４（ｃ）に示されるように、窓部１３１内部で露出した第２リードフレーム１１２上に発光ダイオードチップ１４を搭載する（チップ搭載工程）。発光ダイオードチップ１４中に形成された発光ダイオードの一方の極、他方の極は、ボンディングワイヤ１５によって第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２にそれぞれ接続される。 Next, as shown in FIG. 4C, the light emitting diode chip 14 is mounted on the second lead frame 112 exposed in the window 131 (chip mounting process). One pole and the other pole of the light emitting diode formed in the light emitting diode chip 14 are respectively connected to the first lead frame 111 and the second lead frame 112 by the bonding wire 15.
次に、図４（ｄ）、図５（ｃ）に示されるように、この状態で、窓部１３１内部に蛍光材料を充填し、蛍光層１６を形成する（蛍光層形成工程）。例えば青色発光ダイオードが用いられる場合には、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系の蛍光材料を用いれば、この蛍光材料が発する光と青色とが混合された疑似白色の発光を得ることが可能である。 Next, as shown in FIGS. 4D and 5C, in this state, the fluorescent material 16 is filled in the window 131 to form the fluorescent layer 16 (fluorescent layer forming step). For example, when blue light-emitting diodes are used, YAG (yttrium, aluminum, garnet) -based fluorescent materials can be used to obtain pseudo-white light emission in which light emitted from the fluorescent materials and blue are mixed. is there.
その後、図４（ｅ）に示されるように、隣接する発光ダイオードに対応した領域間をダイシングソーを用いて切断することによって、複数の発光ダイオード１０を分断して得る（切断工程）。切断工程は、図５における上下方向に沿った切断を行う第１切断工程と、左右方向に沿った切断を行う第２切断工程とからなる。 Thereafter, as shown in FIG. 4E, a plurality of light emitting diodes 10 are obtained by cutting between regions corresponding to adjacent light emitting diodes using a dicing saw (cutting step). The cutting process includes a first cutting process for cutting along the vertical direction in FIG. 5 and a second cutting process for cutting along the left-right direction.
まず、図５（ｄ）に示されるように、ダイシングソーのブレード２００を用いて、左右方向において隣接する発光ダイオードに対応する領域間を上下方向に沿って切断する（第１切断工程）。図においてはブレード２００を複数同時に記載しているが、実際には切断は各箇所毎に行われる。この切断の際には、ブレード２００は、図中上下方向に並んだリードフレーム開口部１０１の中心を結ぶ線上を切断する。これによって、全体リードフレーム１００において一体化されていた第２リードフレーム１１２（左側）と第１リードフレーム１１１（右側）とが分断される。この際、リードフレーム開口部１０１が２つに分断され、その両側において形成される発光ダイオードのリードフレーム切り欠き部１１４、１１３となる。また、リード開口部１３２も同様に２つに分断されて２つの反射層切り欠き部１３３となる。 First, as shown in FIG. 5D, a region corresponding to a light emitting diode adjacent in the left-right direction is cut along the vertical direction using a blade 200 of a dicing saw (first cutting step). Although a plurality of blades 200 are shown at the same time in the figure, the cutting is actually performed at each location. At the time of this cutting, the blade 200 cuts a line connecting the centers of the lead frame openings 101 arranged in the vertical direction in the drawing. As a result, the second lead frame 112 (left side) and the first lead frame 111 (right side) integrated in the entire lead frame 100 are divided. At this time, the lead frame opening 101 is divided into two, which become lead frame cutout portions 114 and 113 of the light emitting diode formed on both sides thereof. Similarly, the lead opening 132 is divided into two to form two reflection layer cutouts 133.
次に、図５（ｅ）に示されるように、同様にブレード２００を用いて、図中上下方向において隣接する発光ダイオード１０間を左右方向に沿って切断する（第２切断工程）。この際にブレード２００が切断するのは、肉厚が薄くかつ細い連結部１１５〜１２０と、樹脂材料で構成された反射層１３と、図示しない外枠部である。なお、第１切断工程と第２切断工程の順序を逆転させることも可能である。 Next, as shown in FIG. 5E, the blades 200 are similarly used to cut between the light emitting diodes 10 adjacent in the vertical direction in the drawing along the horizontal direction (second cutting step). At this time, the blade 200 cuts the thin and thin connecting portions 115 to 120, the reflective layer 13 made of a resin material, and an outer frame portion (not shown). Note that the order of the first cutting step and the second cutting step can be reversed.
これにより、図４（ｅ）、図５（ｆ）に示されるように、個々の発光ダイオード１０が分断されて得られる。この製造方法においては、反射層形成工程（図３（ｂ）、図５（ｂ））において、反射層１３が全体リードフレーム１００の上の広い範囲で、特に図４、５における左右方向において一体化されているため、トランスファーモールドを行う際に、金型に樹脂材料を空隙無く充填することが容易である。すなわち、この発光ダイオード１０を高い歩留まりで容易に製造することができる。 Thereby, as shown in FIG. 4E and FIG. 5F, each light emitting diode 10 is obtained by being divided. In this manufacturing method, in the reflective layer forming step (FIGS. 3B and 5B), the reflective layer 13 is integrated in a wide range on the entire lead frame 100, particularly in the horizontal direction in FIGS. Therefore, when performing transfer molding, it is easy to fill a mold with a resin material without a gap. That is, the light emitting diode 10 can be easily manufactured with a high yield.
また、第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２の下面側において、その外周が薄肉加工された部分にも反射層１３が形成されることによって、反射層１３は、第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２の端部において上面側から下面側までこれらを取り囲んで形成される。このため、第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２の外周端部が反射層１３に対するくさびとなり、反射層１３は全体リードフレーム１００（リードフレーム１１）に強固に固定される。すなわち、この段差を設けることによって、反射層１３のリードフレーム１１に対する固定の機械的強度を高めることができる。一方、リード開口部１３２に隣接して薄肉化された領域には反射層１３は形成されないため、こうした効果はこの箇所では得られないが、これによる他の効果については後述する。 In addition, the reflective layer 13 is formed on a portion of the lower surface side of the first lead frame 111 and the second lead frame 112 where the outer periphery is thinned. The two lead frames 112 are formed so as to surround them from the upper surface side to the lower surface side. Therefore, the outer peripheral ends of the first lead frame 111 and the second lead frame 112 serve as wedges with respect to the reflective layer 13, and the reflective layer 13 is firmly fixed to the entire lead frame 100 (lead frame 11). That is, by providing this level difference, the mechanical strength of fixing the reflective layer 13 to the lead frame 11 can be increased. On the other hand, since the reflective layer 13 is not formed in the thinned region adjacent to the lead opening 132, such an effect cannot be obtained at this point, but other effects due to this will be described later.
この発光ダイオード１０の上面図、そのＣ−Ｃ方向の断面図、底面図を図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）にそれぞれ示す。また、その端部の斜視図を図７に示す。上面側（図６（ａ））においては、左右両端の反射層切り欠き部１３３から、第１リードフレーム１１１のリードフレーム切り欠き部１１３周囲、第２リードフレーム１１２のリードフレーム切り欠き部１１４周囲の部分がそれぞれ露出する。一方、下面側（図６（ｃ））においては、反射層１３の中で、第１リードフレーム１１１と第２リードフレーム１１２の薄肉加工されなかった領域が露出する。また、リードフレーム開口部１０１（リードフレーム切り欠き部１１３、１１４）に隣接して薄肉加工された領域には反射層１３は形成されていない。 FIGS. 6A, 6B, and 6C are a top view, a cross-sectional view in the CC direction, and a bottom view of the light emitting diode 10, respectively. A perspective view of the end portion is shown in FIG. On the upper surface side (FIG. 6A), from the reflective layer cutouts 133 at the left and right ends, around the leadframe cutout 113 of the first leadframe 111 and around the leadframe cutout 114 of the second leadframe 112 Are exposed. On the other hand, on the lower surface side (FIG. 6C), the areas of the first lead frame 111 and the second lead frame 112 that have not been thinned are exposed in the reflective layer 13. Further, the reflective layer 13 is not formed in the thinned region adjacent to the lead frame opening 101 (lead frame notches 113 and 114).
この発光ダイオード１０においては、第１リードフレーム１１１と第２リードフレーム１１２とが発光ダイオードの両極に接続された電極となり、これらに通電することにより、発光させることが可能である。これらの電極に対する電気的接続は、例えばプリント基板上でこの発光ダイオード１０の裏面においてはんだを介した接続を行うことにより得ることができる。この際、図６、７に示されるように、反射層１３端部の反射層切り欠き部１３３から第１リードフレーム１１１と第２リードフレーム１１２の端部が突出しており、この突出した部分がリード端子とされる。このため、反射層切り欠き部１３３から露出した第１リードフレーム１１１と第２リードフレーム１１２の端部にはんだ付けを行うことによって、この発光ダイオード１０を固定あるいはこれに対して電気的接続をとることができる。 In the light emitting diode 10, the first lead frame 111 and the second lead frame 112 serve as electrodes connected to both electrodes of the light emitting diode, and light can be emitted by energizing them. The electrical connection to these electrodes can be obtained, for example, by making a connection via solder on the back surface of the light emitting diode 10 on a printed board. At this time, as shown in FIGS. 6 and 7, the end portions of the first lead frame 111 and the second lead frame 112 protrude from the reflection layer cutout portion 133 at the end portion of the reflection layer 13. Lead terminal. For this reason, the light emitting diode 10 is fixed or electrically connected to the ends of the first lead frame 111 and the second lead frame 112 exposed from the notch 133 of the reflective layer by soldering. be able to.
この際、特許文献１に記載の技術（図９の構成）においては、反射層９２の端面からリード端子（第１リードフレーム９１１、第２リードフレーム９１２）が突出したのに対し、この発光ダイオード１０においては、反射層１３の端面に形成された反射層切り欠き部１３３から第１リードフレーム１１１と第２リードフレーム１１２の端部が露出している。この構成により、リード端子は反射層１３の端面から突出しない状態で形成され、取り扱い時におけるリード端子の損傷が抑制され、かつ発光ダイオード１０全体を小型化することもできる。あるいは、単一の全体リードフレーム１００を用いてより多くの発光ダイオード１０を製造することができる。 At this time, in the technique described in Patent Document 1 (configuration shown in FIG. 9), the lead terminals (first lead frame 911 and second lead frame 912) protrude from the end face of the reflective layer 92. 10, the end portions of the first lead frame 111 and the second lead frame 112 are exposed from the reflective layer notch 133 formed on the end surface of the reflective layer 13. With this configuration, the lead terminal is formed so as not to protrude from the end face of the reflective layer 13, damage to the lead terminal during handling is suppressed, and the entire light emitting diode 10 can be downsized. Alternatively, more light emitting diodes 10 can be manufactured using a single overall lead frame 100.
また、リード端子となる第１リードフレーム１１１と第２リードフレーム１１２の端部にはんだ付けを行なう際には、リードフレーム切り欠き部１１３、１１４が形成されているため、図６（ａ）に示される上面側からはんだを目視で確認することが容易となる。また、リードフレーム切り欠き部１１３、１１４の箇所の裏面側で第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２の端部は図７に示されたように薄肉加工され、かつこの箇所には反射層１３も形成されないため、溶けたはんだは、この薄肉加工された部分に溜まりやすくなる。その後、この溶けたはんだは、リードフレーム切り欠き部１１３、１１４の端面を上側に向かって濡れ広がるため、はんだの存在を上側から目視で特に容易に確認することができる。すなわち、この構成の発光ダイオード１０においては、はんだ付けを高い信頼性で容易に行うことができる。 In addition, when soldering the end portions of the first lead frame 111 and the second lead frame 112 serving as lead terminals, lead frame notches 113 and 114 are formed. It becomes easy to visually confirm the solder from the upper surface side shown. Further, the end portions of the first lead frame 111 and the second lead frame 112 are thinned as shown in FIG. 7 on the back surface side of the lead frame cutout portions 113 and 114, and a reflective layer is formed in this portion. Since 13 is not formed, the melted solder tends to accumulate in the thinned portion. Thereafter, the melted solder wets and spreads the end surfaces of the lead frame notches 113 and 114 upward, so that the presence of the solder can be particularly easily confirmed visually from above. That is, in the light emitting diode 10 having this configuration, soldering can be easily performed with high reliability.
なお、上記の構成において、リードフレーム開口部１０１は円形状であるとしたが、２つに分断されて２つのリードフレーム切り欠き部とすることができる限りにおいて、その形状は任意である。また、上下左右対称の形状である必要もない。例えば、三角形、四角形等、金属板に形成することのできる開口形状であれば任意である。 In the above configuration, the lead frame opening 101 is circular. However, as long as the lead frame opening 101 can be divided into two to form two lead frame notches, the shape is arbitrary. Further, it is not necessary to have a symmetrical shape in the vertical and horizontal directions. For example, any opening shape that can be formed on a metal plate, such as a triangle or a quadrangle, is arbitrary.
更に、図７の形状より、第１リードフレーム、第２リードフレームにリードフレーム切り欠き部が存在せず、反射層切り欠き部のみが形成された場合においても、反射層切り欠き部で突出した第１リードフレーム、第２リードフレームをリード端子として使用することができることは明らかである。この場合、反射層において反射層切り欠き部（リード開口部）を形成すれば、反射層切り欠き部で露出した第１リードフレーム、第２リードフレームをリード端子とすることができる。 Further, from the shape of FIG. 7, even when the lead frame notch portion does not exist in the first lead frame and the second lead frame, and only the reflective layer notch portion is formed, the lead layer protrudes at the notch portion of the reflecting layer. Obviously, the first lead frame and the second lead frame can be used as lead terminals. In this case, if the reflective layer notch (lead opening) is formed in the reflective layer, the first lead frame and the second lead frame exposed at the reflective layer notch can be used as lead terminals.
また、第１リードフレーム、第２リードフレームの下面外周における段差あるいは局所的に薄肉加工された部分、リードフレーム開口部（切り欠き部）に隣接した段差あるいは局所的に薄肉加工された部分、をそれぞれ形成しない場合でも、同様に第１リードフレーム、第２リードフレームをリード端子とすることができることも明らかである。 Further, a step on the outer periphery of the lower surface of the first lead frame, the second lead frame or a locally thinned portion, a step adjacent to the lead frame opening (notch) or a locally thinned portion, It is also clear that the first lead frame and the second lead frame can be used as lead terminals even when they are not formed.
更に、リードフレーム、全体リードフレームの構成も、上記の製造方法が適用できる限りにおいて、任意である。例えば、連結部の数、太さ等は、リードフレームを全体として一体化できる限りにおいて任意である。連結部を太くして発光ダイオードの下面で露出する金属面積を広くすれば、高い放熱特性が得られる。 Further, the configuration of the lead frame and the entire lead frame is arbitrary as long as the above manufacturing method can be applied. For example, the number and thickness of the connecting portions are arbitrary as long as the lead frame can be integrated as a whole. If the metal area exposed on the lower surface of the light emitting diode is widened by thickening the connecting portion, high heat dissipation characteristics can be obtained.
また、リードフレームの上面は平坦である必要はない。例えば、発光ダイオードチップを搭載するリードフレーム（第２リードフレーム）における発光ダイオードに対応する領域を掘り下げた形状に加工すれば、発光ダイオードチップの固定がより確実に行われ、かつこの固定に用いられた接着剤やはんだが他の領域、例えばボンディングワイヤが接続される領域にまで広がることが抑制される。こうした加工も、全体リードフレームにおいて前記の下面側の段差と同様に行うことができる。 Further, the upper surface of the lead frame does not need to be flat. For example, if the region corresponding to the light emitting diode in the lead frame (second lead frame) on which the light emitting diode chip is mounted is processed into a shape that has been dug down, the light emitting diode chip can be fixed more reliably and used for this fixing. It is possible to prevent the adhesive and solder from spreading to other areas, for example, areas to which bonding wires are connected. Such processing can also be performed in the same manner as the step on the lower surface side in the entire lead frame.
また、上記の例では同一構成の発光ダイオードが多数同時に配列して形成されるものとしたが、寸法が同一であれば、各発光ダイオードの構成が同一である必要はない。更に、上記の切断工程によって分断できる構成であれば、寸法も全ての発光ダイオードで同一である必要はない。 In the above example, a large number of light emitting diodes having the same configuration are arranged and formed at the same time. However, as long as the dimensions are the same, the configurations of the light emitting diodes do not have to be the same. Furthermore, the dimensions need not be the same for all the light-emitting diodes as long as the structure can be divided by the above-described cutting process.
また、リードフレームの形状は、２つの電極として反射層の外部に取り出せ、かつ上記の製造方法が適用できる限りにおいて、任意である。例えば、単一の発光ダイオードに対応する領域内において、第１リードフレーム、第２リードフレーム以外の他の部分を適宜設けることもできる。これらの部分のうちのどれに発光ダイオードチップを搭載するかは適宜設定することができる。反射層やその窓部の形状も、内部に発光ダイオードチップや蛍光層を設けることができる限りにおいて、任意である。また、窓部内における発光ダイオードチップとリードフレームとの電気的接続はボンディングワイヤによって行うものとしたが、２つの電極が上記と同様に外部に取り出せる限りにおいて、任意である。 The shape of the lead frame is arbitrary as long as it can be taken out of the reflective layer as two electrodes and the above manufacturing method can be applied. For example, other portions than the first lead frame and the second lead frame can be provided as appropriate in a region corresponding to a single light emitting diode. Which of these portions is to be mounted with the light-emitting diode chip can be appropriately set. The shape of the reflective layer and its window is also arbitrary as long as a light emitting diode chip and a fluorescent layer can be provided inside. In addition, the electrical connection between the light emitting diode chip and the lead frame in the window is made by a bonding wire, but it is optional as long as the two electrodes can be taken out to the outside in the same manner as described above.
１０、９０ 発光ダイオード
１１、９１ リードフレーム
１３、９２ 反射層
１４、９４ 発光ダイオードチップ
１５、９５ ボンディングワイヤ
１６、９３ 蛍光層
１００、９００ 全体リードフレーム
１０１ リードフレーム開口部
１１１、９１１ 第１リードフレーム
１１２、９１２ 第２リードフレーム
１１３、１１４ リードフレーム切り欠き部
１１５〜１２０、９０２ 連結部
１３１、９２１ 窓部
１３２ リード開口部
１３３ 反射層切り欠き部
２００ ブレード
９０１ 外枠部
10, 90 Light emitting diode 11, 91 Lead frame 13, 92 Reflective layer 14, 94 Light emitting diode chip 15, 95 Bonding wire 16, 93 Fluorescent layer 100, 900 Overall lead frame 101 Lead frame opening 111, 911 First lead frame 112 , 912 Second lead frame 113, 114 Lead frame cutout portion 115-120, 902 Connecting portion 131, 921 Window portion 132 Lead opening 133 Reflective layer cutout portion 200 Blade 901 Outer frame portion
Claims (6)
一つの発光ダイオードに対応する領域において、前記リードフレームは空隙を介して配置された第１リードフレームと第２リードフレームとを具備し、一方向で隣接する２つの発光ダイオードに対応した領域間においては、一方の発光ダイオードに対応した領域における前記第１リードフレームと他方の発光ダイオードに対応した領域における前記第２リードフレームとが連結して構成されるように、前記リードフレームが多数配列された構成を具備する全体リードフレームが用いられ、
前記全体リードフレーム上において、一つの発光ダイオードに対応する領域において前記第１リードフレームの一部と前記第２リードフレームの一部とを露出させる窓部と、前記一方向で隣接する２つの発光ダイオードに対応する領域の境界部分において前記全体リードフレームを露出させるリード開口部と、を具備した形態で前記全体リードフレームを覆う前記反射層を、トランスファーモールドによって形成する反射層形成工程と、
前記窓部の中における前記第１リードフレーム又は前記第２リードフレーム上に前記発光ダイオードチップを搭載し、前記発光ダイオードチップ中の両極をそれぞれ前記第１リードフレーム、前記第２リードフレームに接続するチップ搭載工程と、
前記窓部内に前記蛍光層を形成する蛍光層形成工程と、
前記一方向で隣接する２つの発光ダイオードに対応した領域の境界部分を前記一方向と垂直な他方向に沿って前記反射層及び前記全体リードフレームを切断し、かつ前記他方向において隣接する発光ダイオードに対応する領域間を前記一方向に沿って切断する切断工程と、
を具備することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 Manufacture of a light-emitting diode in which a light-emitting diode chip is mounted on a lead frame, and light-emitting diodes having a configuration in which a reflective layer is formed around the light-emitting diode chip via a fluorescent layer are two-dimensionally arranged A method,
In a region corresponding to one light emitting diode, the lead frame includes a first lead frame and a second lead frame arranged with a gap between the regions corresponding to two light emitting diodes adjacent in one direction. A plurality of the lead frames are arranged so that the first lead frame in the region corresponding to one light emitting diode is connected to the second lead frame in the region corresponding to the other light emitting diode. An overall lead frame having a configuration is used,
On the entire lead frame, a window portion exposing a part of the first lead frame and a part of the second lead frame in an area corresponding to one light emitting diode, and two light emission adjacent in the one direction A reflective layer forming step of forming the reflective layer covering the overall lead frame in a form comprising a lead opening that exposes the overall lead frame at a boundary portion of a region corresponding to the diode, by transfer molding;
The light emitting diode chip is mounted on the first lead frame or the second lead frame in the window portion, and both poles in the light emitting diode chip are connected to the first lead frame and the second lead frame, respectively. Chip mounting process;
Forming a fluorescent layer in the window, and forming a fluorescent layer;
A light emitting diode that cuts off the reflective layer and the entire lead frame along the other direction perpendicular to the one direction at a boundary portion corresponding to two light emitting diodes adjacent in the one direction and is adjacent in the other direction A cutting step of cutting between regions corresponding to the one direction,
A method for producing a light-emitting diode, comprising:
前記反射層形成工程において、
前記全体リードフレームの下面側において、前記リードフレーム開口部に隣接し局所的に薄肉加工された箇所に前記反射層を形成しないことを特徴とする請求項２又は３に記載の発光ダイオードの製造方法。 The entire lead frame in which a portion adjacent to the lead frame opening on the lower surface is locally thinned is used,
In the reflective layer forming step,
4. The method of manufacturing a light emitting diode according to claim 2, wherein the reflective layer is not formed on a portion of the lower surface side of the entire lead frame adjacent to the lead frame opening and locally thinned. 5. .
前記反射層形成工程において、
前記全体リードフレームの下面側において、前記外周が局所的に薄肉加工された箇所に前記反射層を形成することを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の発光ダイオードの製造方法。 The entire lead frame in which the outer periphery of the first lead frame or the second lead frame is locally thinned on the lower surface is used,
In the reflective layer forming step,
5. The light emitting diode according to claim 1, wherein the reflective layer is formed at a location where the outer periphery is locally thinned on the lower surface side of the entire lead frame. 6. Manufacturing method.
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